JP2003504877A - 可撓性薄層太陽電池 - Google Patents

可撓性薄層太陽電池

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Abstract

(57)【要約】 本発明は可撓性の薄層太陽電池の製造方法に関する。硬質の支持体（７）の上に中間層（６）、所謂犠牲層、例えばＮａＣｌ、が塗布され、そしてその上に担体層（５）、例えばポリイミド、が析出される。その上にそれ以外の層、例えば、Ｍｏ（４）、ＣｕＩｎxＧａyＳzＳｅu吸収層（１）、但しｘ，ｙ，ｚ，ｕ≧０、ＣｄＳ−ＺｎＯウィンドウ層（２）および透明の前方接点（３）が析出され、電池は完全に構成されそしてことによると保護膜層を備えられる。太陽電池構造は硬質の支持体（７）から犠牲層の溶解除去により分離されるが、その際に結果として生ずる太陽電池は可撓性になる。この方法に基づく可撓性太陽電池が記述されそして約１３％の効率において２５μｍの典型的厚さを示している。大表面の電池は地上および宇宙におけるエネルギー発生に使用されているが、小表面の電池は電子器具、例えば、ポケット電卓および「スマートカード」の給電に使用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、請求項１および８の通りに、太陽電池を製造する方法ならびに薄い
層からのみ成りそして可撓性である太陽電池に関する。
【０００２】 （背景技術） 従来知られている可撓性太陽電池は金属フィルムまたは合成樹脂フィルムから
直接に製造された。合成樹脂フィルムの使用の際にはポリマーの限定された温度
安定性のために合成樹脂と本来の太陽電池構造の間の共存性に問題が生じた。さ
らにこの限定された温度安定性およびフィルム内の不均一な張力配分のために使
用できない表面を結果として生じることがあり得る、ならびに、電気的活性な層
が真空析出技術により塗布される場合には、表面における局部的欠陥が完成した
電池内の破局的短絡に導くことがある。金属フィルムの使用に際してフィルム表
面の平らでないことがいろいろな問題に導くことがあり得る（Ｂ．Ｍ．Ｂａｓｏ
ｌ ｅｔ ａｌ．，２５th ＩＥＥＥ Ｐｈｏｔｏｖｏｌ. Ｓｐｅｃ. Ｃｏｎ
ｆ．１９８８，ＩＥＥＥ Ｓｅｒｖｉｃｅ Ｃｅｎｔｅｒ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，
ＵＳＡ，１９９６，ｐ．１５７−１６２： Ｍ．Ａ．Ｃｏｎｔｒｅｒａｓ ｅｔ
ａｌ．，“Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇ
ａ）Ｓｅ2 Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ
ｄｅｖｉｃｅｓ ｃｕｒｒｅｎｔｒｙ ｕｎｄｅｒ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ
ａｔ ｔｈｅ ｎａｔｉｏｎａｌ ｒｅｎｅｗａｂｌｅ ｅｎｅｒｇｙ ｌａｂ
ｏｒａｔｏｒｙ”（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2多結晶質材料の製造および現在国
立再生可能エネルギー研究所において開発中の装置），Ｐｒｏｃ．１４th Ｅｕ
ｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ, Ｂａｒｃｅｌｏｎａ，Ｓｐａｉｎ，１９９７， Ｈ．Ｓ．Ｓ
ｔｅｐｈｅｎｓ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ， ＵＫ, １９９７，ｐ．２３５
４−２３５８）。
【０００３】 （発明の開示） 本発明の課題は、太陽電池の製造方法を示すことであり、その方法において溶
解し得る中間層が固い担体から太陽電池の分離を許す。 さらに他の一つの課題は、薄い層からのみから成り、そして可撓性である太陽
電池を提案することである。
【０００４】 これらの課題は特許請求項１の文言に従う方法および特許請求項８の文言に従
う太陽電池により解決される。本発明は添付された図面により詳細に説明される
。
【０００５】 図１は本方法が記述される通りに硬質の支持体から溶解される前の層の堆積を
示す。 硬質の支持体７、それは例えばガラス、セラミックまたは金属から成るが、そ
の上で可溶性の中間層６が、例えば、真空蒸発により塗布される。この可溶性中
間層、所謂「犠牲層」は、例えば、食塩（ＮａＣｌ）またはＢａＦ2 （両物質は
水に可溶である）から成る。溶剤としてはそれ故現在の製造工程において水が使
用されている。可溶性の中間層６により被覆された支持体７の上にいまや担体層
５が塗布されるが、それは例えば、真空蒸着により析出された金属層、または例
えば、市場で商品名「カプトン」（“Ｋａｐｔｏｎ”）として入手できる耐熱性
合成樹脂である。
【０００６】 担体層５の上にいま一連の層１〜４、いわゆる層パケット１０、が塗布される
が、それは電気的活性層として半導体を利用するものであり、そしてそれは太陽
電池の電気的／光学的に必要な層をを含む。すべての層は製造工程の間に硬質の
支持体の上に析出法またはその他の方法により塗布される。 さらなる工程はＣｕＩｎxＧａyＳｅz、但しｘ，ｙ，ｚ≧０、（以下ＣＩＧＳ
と呼ぶ）太陽電池の例において説明される。その記述は意味に則してまた他の種
類の電池、例えばＣｄＴｅ、にも適用されることができる。ＣＩＧＳ電池につい
てさらなる工程は本質的に既知の方法に対応する（Ｈ．Ｗ．Ｓｃｈｏｃｋ ａｎ
ｄ Ａ．Ｓｈａｈ，“Ｓｔａｔｕｓ ａｎｄ ｐｒｏｓｐｅｃｔｓ ｏｆ ｐ
ｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ”（
「光電池薄膜技術の現状と展望」），Ｐｒｏｃ．１４th Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐ
ｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ,
Ｂａｒｃｅｌｏｎａ，Ｓｐａｉｎ，１９９７， Ｈ．Ｓ．Ｓｔｅｐｈｅｎｓ
＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ， ＵＫ, １９９７，ｐ．２０００−２００５）。
担体層（５）の上へ後方接点（４）が析出され、これは例えば、スパッタリング
されたＭｏから成る。既知の技術、例えば、ＣＩＧＳ化合物中に含まれた元素Ｃ
ｕ，Ｉｎ，ＧａおよびＳｅの同時または連続真空析出、により数マイクロメータ
ーの厚さの吸収体層（１）が塗布され、この際に、例えば、反応組成の目盛りづ
けによる既知の技術が完成された電池に出来るだけ高い効率を得るために応用さ
れることができる。析出の間の試料の温度は、例えば、４００℃になる。この温
度において前記のような適当な合成樹脂層はなお健全であるが、しかしそれにも
拘わらず高い効率を有する電池は得られることができる。同様にこの段階におい
て適当な形にある少しのＮａおよび／または化合物を添加することができる。そ
れはＮａの添加は完成した電池の性質に好ましい効果を発揮することが知られて
いるからである。またＮａ添加が放棄されることもあり得る。これは、例えば、
Ｎａが既に中間層、これがＮａ含有であるかぎり、必要な量と形で供給される場
合である。それにウィンドウ層（２）の析出が続くが、この層は例えば、ＺｎＯ
、ＣｄＳまたはＺｎＳｅから成るものであり、そして例えば、ＩＴＯ（インジウ
ム−亜鉛−酸化物）から成る前方接点（３）の析出が続く。その際にそれぞれは
選ばれた方法、すなわち例えば、ＣｄＳ析出のような分別、またはウィンドウ層
の上部のドーピング、により意味がある。それぞれはその構造の側面の寸法に従
ってスクラッチまたはリトグラフィーにより個々の太陽電池が構成され、そして
常に反射防止層および機械的保護層（例えば、光学的に透明な耐紫外線のさらな
るポリマー層）が塗布される。
【０００７】 製造過程のこの時点にいま典型的には中間層６が溶解除去され、それにより支
持体７は支持体層５およびその上に被覆された層パケット１０が分離される。支
持体層５と層パケット１０はいまや可撓性太陽電池を形成する。 中間層６、例えばＮａＣｌまたはＢａＦ2 から成る、の場合には、溶剤として
水を使用することができる。水に不溶性の中間層のためまたはその他の理由から
他の溶剤が使用されることもあり得る。
【０００８】 本発明の方法により例えば、１２．８％の効率を有するＣＩＧＳ太陽電池がポ
リイミド支持体の上に保持された。上に施されたポリイミドの層の厚さは約２０
μｍあったが、太陽電池の電気的光学的機能のため本質的な層の厚さは約４μｍ
より薄い。その全体の構造は可撓性であり、そして既に述べた用途に投入される
ことができる。
【０００９】 この手順は相応する既知の製造方法にいろいろな利益をもたらす。すなわち、
そのような多層構造の調製は、もしそれらの層が固い担体の上に析出されるなら
ば、大抵より簡易に化合物再現可能である。例えば、かくして高い電池の効率の
ために最適な析出温度をより良く調節することができる。さらに薄い担体フィル
ムは層析出の間に常に、例えば高い温度および／または機械的張力のような、そ
の性質と両立し難い条件にさらされることがけしてない。さらにまたフィルム内
の機械的張力不均一性のために成長させられた多層構造の中に欠陥または不均一
性が生ずることはあり得る。そしてそれらは破局的電気短絡に導くことができる
。
【００１０】 硬質の支持体７は多層構造１１の溶解除去の後に再使用されることができる。
【００１１】 従って本発明による太陽電池において重要なことは、それが製造工程の大部分
の間に硬質の支持体の上で生成することであり、これから引き続いて溶解除去さ
れ、そしてその後はしかし可撓性である。太陽電池は可撓性の状態で使用される
ことができるが、しかしまたさらに他の固い支持体に再び結合されることもあり
得る。
【００１２】 大抵の多結晶性半導体、例えばＣｕＩｎxＧａyＳｅz、但しｘ，ｙ，ｚ≧０、
（大抵ＣＩＧＳと略称される）からの良い薄層太陽電池は目下のところすでに非
常に高い効率（１２％〜１８％）を示すが、これは単結晶のシリコンからの従来
の太陽電池のそれと比較されることができる。電池の完成のため必要な層は大抵
硬質のガラス支持体の上で成長させられる。電気的に重要な層の厚さは僅か数ミ
クロンある。平方メートル当たりではそれ故僅かのグラム数の材料のみが必要で
ある。その製造コストは大量生産において結晶性シリコン電池のそれよりも本質
的に少なくなる。
【００１３】 もし全体の太陽電池構造が可撓性であるならば若干の用途についてそれは有利
である。これは例えば、比較的高価なガラス支持体を回避するために、ファサー
ド、瓦または電子工学的消費器具の湾曲したケースのような湾曲した表面上に太
陽電池を取り付けるために、または単に重量を節約するために、これは特に宇宙
空間用途のために重要である。全く同様に大平面の可撓性の構造物は運送のため
簡単に巻かれることができる。しかしまた小表面の用途のために可撓性の太陽電
池は有利である。例えば、ポケット電卓または「スマートカード」のためのエネ
ルギー源として有利であり、それらは集積電気配線回路およびまたディスプレイ
も収容できるが、ある程度の可撓性要求が満たされねばならない。
【００１４】 図２ａおよび図２ｂは本発明に従う製造方法の一変形を示す。図２ａは支持体
から溶解除去の前の第二の層堆積を示す。製造のためここでは既に述べたように
支持体７の上へ中間層６が塗布される。けれどもその上へ担体層５は目下の製造
時点において放棄され、その代わりに太陽電池のさらなる層１〜４が析出され、
したがって例えば、既に述べたように後方接点４（例えば、Ｍｏ）はＣＩＧＳ１
、それは場合により若干のＮａを備えつけられている、ウィンドウ層２および前
方接点３により続かれる。その上へ今度は透明ポリマー５が担体フィルムとして
被覆され、そして構造１１全体は中間層６の溶解除去により硬質の支持体７から
離される。この変形において分離温度は４００℃よりも高くあることさえできる
が、それはまさにそのポリマー層が後から追加して被覆されるからである。同様
にそのポリマーの代わりに耐熱性の良さの劣る合成樹脂を使用することができる
。
【００１５】 図２ｂは完成の状態における第二の層堆積を示す。図２ａにおいて記載されて
いる層構造１１およびさらなる層８、例えばある合成樹脂、それは保護層として
取りつけられることができる、が認められる。
【００１６】 さらに一つの変形は、上部のポリイミド層の被覆の前に層パケットを注意深く
硬質の担体から離すこと、そしてまずその後からこれを、できるだけ輸送−中間
層の使用の下に、透明なフィルムの上に置くこと、である。両者の場合において
、その後下側へ、すなわち後方接点−層へ、さらに一つの保護フィルム、それも
また機械的安定性に寄与することができる、が適当な手段により貼りつけられる
かまたはほかの方法により被せられる。その可撓性の複合体はまたある種の用途
のために再び硬質の支持体と結合されることができる。例えば、慣用のＣＩＧＳ
電池のために「支持体−構造体」にガラス支持体が使用される。完全なカプセル
化のためには従って二枚のガラス円板、すなわち第二のガラス円板、が必要であ
り、後者は太陽電池層の機械的および化学的安全覆いに役立ち、かつそれを通っ
て光が射し込む。本発明による太陽電池ではその下側の円板は余計なものであり
、従って一枚の円板は節約されることができ、そのような配列はある種の荒々し
いまたは腐蝕性の環境において意味があり、その中で光透明性の合成樹脂の覆い
は十分な保護を提供する。
【００１７】 上記二つの方法は専門文献に記載の「支持体−構造」に対応する。すなわち、
従来慣用の硬質の電池の中に支持体としては使用されているガラス層は光により
横断されない。同様に専門文献に記載の「上層−構造」において光はガラス支持
体を通って射し込む。従来の製造順序においてはそれ故透明な前方接点がガラス
支持体の上に析出され、ウィンドウ層とさらに他の層により続かれる。例えば、
ガラス支持体上のＣｄＴｅ薄層電池においてはこの形態が主として用いられる。
【００１８】 本発明は同様に「上層−構成」に入れられることができる。
【００１９】 図３は硬質支持体からの溶解除去の前に「上層構成」のための層堆積を示す。
支持体７、中間層５および担体層５の上へ、ここでは透明な前方接点３、ウィン
ドウ層２、吸収体層１および後方接点４が続いている。それらの製造工程は首尾
一貫して行われる。
【００２０】 中間層として大群の物質が問題になる。多くのアルカリハロゲン化物、その下
にはＮａＣｌ，ＮａＦ，ＫＣｌが適当でありそしてその上容易に水に溶ける、同
じことがＢａＦ2のようなＩＩａ族フッ化物に適用される。さらに他の適当な物
質は、それらは十分に耐熱性でありかつそのために溶媒が存在するものであり、
その溶媒は関係ある環境中に、その多層構造体の機能が危くされることなく、投
入することを許されたものであることなど、を考え得るものすべてである。
【００２１】 特別の注意がそれらの層の品質にそして特にそれらの接着および起こり得る離
層現象に払われなければならない。本発明において例にあげられた構造は実際状
の実現においてもまた、終わることのない列挙において、ポリイミドの上のＭｏ
層は接点層として有用であること、ＮａＣｌ中間層は接着というよりむしろさら
なる製造を妨げないこと、特別に上に作られたポリイミド層は製造の間の温度を
克服しかつその必要な機械的および光学的性質を保持すること、などを示した。
【００２２】 本来の太陽電池の組み立てのために使用される材料は同様にいろいろな部類に
含まれる。それに多結晶性化合物半導体例えば、ＣｕＩｎＧａＳｅＳ、が属する
。この表記法によりＣｕＩｎyＧａzＳｅwＳuが思われるが、その場合にパラメー
ターｙ，ｚ，ｗおよびu は任意に負の値を有することができないが、しかし知ら
れているように、最適の電池についてはそれらの値は特別な小さい範囲に限定さ
れている。これらの材料族は従って化学周期表系のＩ−ＩＩＩ−Ｖ系からの化合
物半導体層を含み、特にそれに属するものは（パラメーターｙ，ｚ，ｗおよびｕ
は次のもの下にもはや記入されていない）ＣｕＩｎＳｅ，ＣｕＩｎＧａＳｅ，Ｃ
ｕＧａＳｅ，ＣｕＩｎＳ，ＣｕＩｎＧａＳＳｅであり、それ以外の材料も同様に
使用されることができる。 化学周期表系のＩＩ−ＶＩ族からＣｄＴｅ並びに同様にその他の化合物が使用
される。同様に化学周期表系のＩＩＩ−Ｖ族から化合物、例えばＧａＡｓ、また
は化学周期表系のＩＶ族の半導体、例えばＳｉまたはＧｅ、が使用されることが
できる。
【００２３】 すべてこれらの化合物は本発明による太陽電池の中に大抵は多結晶質層として
存在する。しかしそれらの層の構造は多結晶質、微結晶質、非結晶質、微小形態
または無定形であり、それらが専門文献において薄い層のいろいろな構造につい
て呼称している通りである。
【００２４】 さらにただ一つの太陽電池の形成のためにある一つの層配列の代わりに、その
層配列はそれ故少なくとも一つの吸収体層およびウィンドウ層ならびに接点層を
含むものであるが、数個のそのような層配列が重ねて析出されることができる。
もし二つのそのような配列が使用されるならば、例えば、一つの「タンデム電池
」が成立し、そこでは光がまず比較的大きいバンド間隙を有する電池構造を通過
し、その後より小さいバンド間隙を有する電池構造を通過するが、この配列によ
り効率が高められることができる。二つより多いのそのような層配列を有する構
造が三重電池、またはさらに多くのそのような個別太陽電池を有する多重電池が
同様に可能である。
【００２５】 一部透明な電気接点３は、例えば、半導体インジウム−スズ−酸化物（ＩＴＯ
）またはＺｎＯあるいはそのような層から成る組合せから成り、後方接点４は、
周知のように、ある金属または半導体またはそれら両者から成ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 硬質の支持体から溶解除去する前の層堆積を示す。
【図２】 図２ａは、支持体から溶解除去する前の第二の型の層堆積を示し、図２ｂは、
完成の状態における第二の型の層堆積を示す。
【図３】 支持体から溶解除去する前の「上層構成」のための層堆積を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ， ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ， ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，Ｓ Ｄ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ハウク、フランツ、ヨーゼフ スイス国 チューリッヒ、ホフヴィーゼン シュトラーセ 235 (72)発明者 ツォーク、ハンス スイス国 デニコン、ヴァイアーラッカー シュトラーセ １ Ｆターム(参考） 5F051 AA01 AA08 AA09 AA10 BA04 BA15 CB30 DA15 FA03 FA04 GA05

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 太陽電池の製造方法において、支持体（７）の上に可溶性の
    中間層（６）が塗布されること、この中間層（６）の上に層構造（１１）が塗布
    されること、中間層（６）はその後に溶解除去され、それにより層構造（１１）
    は支持体（７）から分離されることそしてそれにより前記層構造（１１）から可
    撓性薄層太陽電池が形成されることを特徴とする太陽電池の製造方法。
  2. 【請求項２】 層構造（１１）が一つの担体層（５）および層パケット（１
    ０）から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 層構造（１１）が層パケット（１０）から構成されているこ
    と、およびその中間層（６）の溶解除去の後にその層パケット（１０）は一つの
    担体層（５）を備えられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 中間層（６）の溶解除去の後に支持体（７）がさらに使用さ
    れる請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。
  5. 【請求項５】 中間層（６）はハロゲン化アルカリ族の材料、例えば、Ｎａ
    Ｃｌ、ＫＣｌ、ＮａＦ、から、またはフッ化ＩＩａ族の材料、例えば、ＢａＦ2
    、から成ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
  6. 【請求項６】 層パケット（１０）の間に分離層を有するかまたは有しない
    で数種の層パケット（１０）の組合せが互いに隔離されていることを特徴とする
    請求項１〜５のいずれか一つに記載の方法。
  7. 【請求項７】 地上および宇宙空間におけるエネルギー発生のためおよび消
    費材、例えば、ポケット電卓および「スマートカード」、のためのエネルギー発
    生への請求項１〜６のいずれか一つに記載の方法の使用。
  8. 【請求項８】 その太陽電池が少なくとも一つの半導体の吸収体層（１）、
    光の集結のための少なくとも一つの半導体のウインドウ層（２）、少なくとも一
    つの部分的に透明な前方接点（３）、および後方接点（４）、から成り、しかも
    、その太陽電池が少なくとも一つの薄い担体層（５）を有すること、およびこの
    層が後方接点（４）に隣接するかまたは前方接点（３）の上にあることを特徴と
    する請求項１〜７のいずれか一つに記載の太陽電池。
  9. 【請求項９】 担体層（５）は合成樹脂、例えばポリイミド、からあるいは
    金属またはセラミックから成ること、およびそれは１〜１００μｍ、例えば２０
    μｍ、の厚さを有することを特徴とする請求項８に記載の太陽電池。
  10. 【請求項１０】 吸収体層（１）は周期律系のＩ−ＩＩＩ−Ｖ族化合物の物
    質、例えばＣｕＩｎxＳｅy，ＣｕＩｎxＧａyＳｅz，ＣｕＩｎxＧａyＳzＳｅu、
    但しｘ，ｙ，ｚ，ｕ≧０、または周期律系のＩＩ−ＶＩ族化合物、例えばＣｄＴ
    ｅ、または周期律系のＩＩＩ−Ｖ族化合物、例えばＡｌ1-x-yＧａxＩｎyＡｓ1-u -w ＰuＮw、但し０≦ｘ，ｙ，ｚ，ｕ，ｗ≦１、または周期律系のＩＶ族元素、例
    えばＳｉまたはＧｅ、の物質から成ることを特徴とする請求項８または９に記載
    の太陽電池。
  11. 【請求項１１】 ウインドウ層（２）が吸収体層（１）と少なくとも同じ大
    きさのバンド間隙を有する半導体材料から成り、その場合に前記の層の構造は多
    結晶体または無定形であることを特徴とする請求項８〜１０に記載の太陽電池。
  12. 【請求項１２】 吸収体層（１）はＣｕＩｎxＧａyＳzＳｅu、但しｘ，ｙ，
    ｚ，ｕ≧０、から成り、かつウインドウ層（２）はドーピングされたまたはドー
    ピングされないＺｎＯ，ＩｎＳｎＯ（ＩＴＯ），ＣｄＳおよびＺｎＳｅから成る
    群より少なくとも一つの物質を含むことを特徴とする請求項８〜１１に記載の太
    陽電池。
  13. 【請求項１３】 可撓性太陽電池構造がそれぞれ使用目的に応じて固い担体
    材料、例えばガラス、金属またはセラミック、を示すことを特徴とする請求項８
    〜１２に記載の太陽電池。
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