JP2003504865A - ウエハ状物体の加熱及び冷却処理用熱処理チャンバ - Google Patents

ウエハ状物体の加熱及び冷却処理用熱処理チャンバ

Info

Publication number
JP2003504865A
JP2003504865A JP2001509064A JP2001509064A JP2003504865A JP 2003504865 A JP2003504865 A JP 2003504865A JP 2001509064 A JP2001509064 A JP 2001509064A JP 2001509064 A JP2001509064 A JP 2001509064A JP 2003504865 A JP2003504865 A JP 2003504865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
wafer
heat treatment
gas
platen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001509064A
Other languages
English (en)
Inventor
ウォーマック、ジェフリィ、ディー．
ヌギィーエン、ビョング、ピー．
クーマー、デヴェンドラ
カサハラ、ジャック、エス．
イブラニ、ソコール
Original Assignee
エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド filed Critical エフエスアイ インターナショナル インコーポレイテッド
Publication of JP2003504865A publication Critical patent/JP2003504865A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 ウエハ状物体を熱処理する処理チャンバおよびこの処理チャンバを使用する方法。チャンバは、二重壁シェル、ペデスタル型ヒータ、冷却ガスを供給して排気ガスを排出すると共に、個々にガス導入パターンを可変自在の内部通路及びチャンバを密閉する可動扉を備えている。チャンバは、ウエハ状物体をそのままの位置で冷却できるように設計されており、最適に冷却する手段を提供する。また、ウエハ状物体を処理する方法は、温度、温度の変化率、ガス組成及びこれらをチェンジするタイミングを、ウエハ状物体或はこのウエハ状物体に含まれる膜の特性が所望の特性になるように制御可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 (技術分野） 本発明は、好適には、ウエハ状物体を加熱処理および冷却処理の両方を含む温
度プロフィルを介してウエハ状物体を熱処理するためのシステムおよび方法に関
する。特に、本発明は、ウエハ状物体を支持し、このウエハ状物体を加熱処理及
び冷却処理して、加熱要求が高い場合でも均一に加熱処理及び冷却処理すること
ができる熱処理チャンバを備えた装置に関する。また、本発明は、正確に制御さ
れた混合ガス処理環境を創生し、かつ維持して、周囲の環境から広範に変化させ
ることができる。
【０００２】 (背景技術） 本発明は、特に、正確な温度制御及び温度変化が必要とされるマイクロエレク
トロニックデバイスなどの半導体の処理に適用される。また、この処理では、処
理中にウエハと接触させる混合ガスを制御する必要がある。多くの他の製品や他
の処理では、物体を正確に温度制御する熱処理を含んでおり、ここでは、このよ
うな物体を“ウエハ状”物体という。
【０００３】 集積回路、フラットパネルディスプレイ、薄膜ヘッド、および類似物などのマ
イクロエレクトロニクスデバイスの製造では、集積回路の半導体ウエハ等の基板
の表面上に絶縁体等の材料層を付加する処理を含んでいる。例えば、絶縁体は、
加熱され、その後固定または硬化するために冷却する必要がある。ウエハの酸化
を防止するために、酸素を低減させた環境（嫌気環境）内で、所定の温度で冷却
しなければならない。また、ウエハを冷却処理することによって、処理後のウエ
ハ搬送中にウエハ搬送機構を熱損傷させるリスクを低減させる。この加熱及び冷
却工程は、所定の材料特性を備えた選択された部分の絶縁特性をセットするよう
に、苛酷な温度の制約条件の範囲内で正確に制御されなければならない。マイク
ロエレクトロニクスデバイス用の加熱および冷却操作は、一般的に、ウエハ状物
体が、制御された環境の元で高い平衡温度に維持され、比較的低い平衡温度に冷
却され、および／または平衡温度間の変化率（時間に対する温度℃／ｓ）による
温度変化を受ける、所望の温度プロフィルを介してウエハ状物体を循環させるこ
とを含んでいる。加熱および冷却工程を完了するために、公知の加熱／冷却操作
は、ウエハ搬送機構の使用する個別の加熱プレートおよび冷却プレートを含み、
ウエハ自体を１つの場所から他の場所に物理的に持ち上げかつ搬送する操作を含
んでいる。この方法は、多数の欠点を有する。第１に、加熱プレートおよび冷却
プレート間の搬送中に、ウエハ温度は制御されない。第２に、各プレートへウエ
ハを移動させるために必要な時間が変化するので加熱／冷却処理を完了するため
に必要な全体の時間を正確に制御することができない。第３に、必要とされる移
動に時間がかかり、その結果、製造工程の処理能力が低下する。第４に、プレー
トからプレートへの搬送中に、ウエハを取扱うための特別の部品が必要となるの
で、必要以上に設備の費用が高くなる。第５に、プレート間の機械的移動は、ウ
エハを汚染する可能性がある。第６に、ウエハは、温度上昇中に大気中の酸素に
曝されて、酸化する危険性がある。第７に、ウエハ搬送機構が上昇した温度に曝
され、信頼性が低下し、及び／またはウエハ搬送機構の設計が複雑となり、コス
ト上昇につながる。
【０００４】 これらの欠点を解決するために、本発明の譲受人によって加熱／冷却複合装置
が開発された。この装置は、“低熱容量で、熱伝導性加熱プレートを含む加熱／
冷却複合装置”と称する、１９９８年３月５日に出願された米国特許出願第０９
／０３５６２８号に開示されており、この特許は参考として本説明に含まれる。
加熱／冷却複合装置は、ウエハの加熱操作及び冷却操作の両方の操作中に、ウエ
ハを支持する、低熱容量で熱伝導性の加熱プレートを含んでいる。加熱プレート
の一方の表面でウエハを支持すると、加熱プレートの他方の表面は、加熱操作及
び冷却操作の両方の操作の間に切換えて、熱容量の大きい冷却プレートと熱的に
接触したり引き離したりする。ある実施の形態では、加熱プレートは、冷却操作
中は冷却プレートの上方に停止させることができ、加熱操作中に、これらの構成
部品の１つまたは両方を分離するように移動させる。加熱プレートは、この加熱
プレートによって発生する熱で直接ウエハを加熱することができるが、冷却操作
では、（冷却操作中は加熱されない）加熱プレートを介してウエハから熱を冷却
プレートへ移動させる必要がある。加熱プレート及び冷却プレートの両方は、熱
処理チャンバを形成するハウジング内で作動自在に支持されている。特に、ハウ
ジングは、円筒状側壁、平坦な頂壁及び平坦な低壁から円筒状に形成されており
、その中に種々の制御用構成部品を有している。側壁は分割されており、ウエハ
の積込及び積み降ろすために処理チャンバ内へアクセスできるように頂壁及び低
壁は互いに移動可能である。
【０００５】 本発明の開発中に、処理チャンバ内のウエハ状物体の熱均一性は、処理チャン
バ自体の設計及び仕上りによって著しく影響されることがわかった。処理チャン
バを構成する部材と同様に、ウエハ状物体を支持する部材、ウエハ状物体を加熱
及び冷却する部材などの処理チャンバ内の部材は、それらの表面を介してウエハ
状物体の温度に著しい影響を与える。特に、ウエハ状物体が比較的高温、即ち、
２００℃以上、及び４５０℃、或はそれ以上の温度で均一に加熱される場合であ
る。例えば、３５０℃と４５０℃との間の温度で、新規のポリマーやコーティン
グ材が半導体ウエハにキュアリングされる。しかしながら、上述したように、効
果的にキュアリングする場合や処理する場合には、ウエハ状物体の全表面を正確
な温度に到達させる必要がある。熱的に均一にする必要があるにもかかわらず、
処理チャンバは加熱及び冷却複合装置として設計するのが有利である。熱均一性
は、ウエハ状物体が同じチャンバ内で加熱及び冷却される場合でも要求される。
このように、処理チャンバを形成する構造体及び内部の器具は、ウエハ状物体に
伝達される熱処理の均一性に影響するだけでなく、サイクル的に行われる加熱処
理及び冷却処理に影響する。一般に、ウエハ状物体の処理中の熱均一性は、チャ
ンバとその構成部材との熱均一性の相関関係にある。そこで、加熱工程などで良
好な熱均一性を達成するために、処理チャンバハウジング及びその構成部材は、
所望の温度範囲内にすべきである。しかし、冷却処理に伴なって、チャンバ及び
その構成部材の全体が冷却されるか、或は、少なくともそれらの熱均一性は危険
に曝される。いずれにしても、次の加熱工程で熱均一性を達成するサイクル時間
は長くなり、処理チャンバの十分な熱均一性を達成するためにかなりの時間を要
することになる。
【０００６】 また、本発明の開発中に、加熱処理及び冷却処理の両方で、加熱及び冷却装置
の処理環境内に含まれるガスは、所望の材料特性になるように制御すべきである
こともわかった。
【０００７】 (発明の開示） 本発明は、従来技術の欠点及び欠陥は、同じ処理チャンバ内の制御された環境
でウエハ状物体を、効率的かつ効果的に加熱処理及び冷却処理する装置及び方法
を提供することによって克服される。本発明によれば、処理チャンバとその構成
部材は、熱処理操作時に熱均一性を高めるように設計され、加熱工程及び冷却工
程に装置の最大処理能力で温度プロファイルが導入される。特に、処理チャンバ
は、物体を均一に高温に加熱することができ、また、そのまま効果的に冷却する
ことができる。これらの処理は混合ガスが慎重に制御された環境で行われる。
【０００８】 本発明によれば、所定の温度プロファイルにしたがって、ウエハ状物体が十分
に高温及び低温を達成できる間に、ウエハ状物体の表面領域に良好な熱均一性が
達成される。特に、処理チャンバは、ウエハ状物体の冷却操作中でも、処理チャ
ンバの内部表面が所定の加熱処理温度に対して十分な温度に維持されるように設
計されている。このように、加熱工程に続く操作中に、次のウエハ状物体の表面
に良好な熱均一性を達成して、処理能力を向上させることができる。好適には、
処理チャンバは、チャンバ扉によって十分に密閉可能であるので、適宜のイナー
トガス流によって生成される嫌気環境内で熱処理を行うことができる。
【０００９】 上述の優位性は、熱流（放射熱、対流熱及び伝導熱）を慎重に制御すると共に
処理環境中のガスの組成を制御することによって達成される。放射熱伝導制御は
、ウエハ状物体の表面をできるだけ処理温度付近で“監視”することによって達
成される。対流熱伝導制御は、ウエハ状物体の表面に適宜のガス流パターンを形
成することによって達成される。このガス流パターンは、他の非均一性処理を修
正するために要求してもよい。伝導熱伝導制御は、ウエハ状物体と加熱表面とを
均一に接触させて、接触面の温度をできるだけ均一にすることによって達成され
る。処理環境のガス組成の制御は、処理環境を周囲の環境から隔離することによ
って、また、処理環境のガス流を柔軟に制御することによって達成される。
【００１０】 本発明では、ウエハ状物体の表面監視は、好適には、三つの基本特性に基づい
て処理温度付近で行われる。第１に、二重壁構造により、内部表面をより冷たい
外部表面から熱的に絶縁させる。第２に、熱作動範囲内でチャンバを密閉する必
要がある冷却処理は、液体冷却チャンネルよりも内部のガス冷却チャンネルを使
用することによって達成される。一般的に、ガスは液体よりも熱容量が低いため
、熱伝導率をより細かく制御することによって、より正確で信頼性の高い温度制
御が可能となる。また、液体は、熱的限界が沸点に制限され、安全性はあるが、
信頼性は低い。ガスの熱的限界は、チャンバ壁をより高温にして、ウエハ状物体
からの熱伝導を減少させて温度均一性を改善する。第３に、加熱要素からチャン
バ底壁及び側壁への熱伝達を慎重に制御することにより、壁面に沿った温度勾配
を阻止して、監視面の均一性を改善する。この制御は、伝導通路の断面積を減少
させるか、或は、伝導通路を長くすることによって達成することもできる。また
、この制御は、ヒータ表面の放射性を最小とすることによってヒータとチャンバ
壁との間の放射を最小として達成することもできる。
【００１１】 本発明では、三つの要素に基づいて適宜の対流ガス流を形成する。第１に、ウ
エハ状物体の上方で独立した切換自在の内外ガス導入パターンを利用することに
よって、流量比及び流量を最適流パターンとなるように調整する。第２に、ウエ
ハ状物体の搬送中にガス撹乱を最小とする扉を使用することによって、必要なガ
ス流を得るための時間を最小限とする。第３に、取外し自在の排気プレートを使
用することによって、排気パターンを広範に変化させるために調査を簡素化して
、最適なガス流環境を達成させる。
【００１２】 高度の伝導性熱伝達制御をするために、好適には、本発明は、“ペデスタル”
型ヒータを採用して、クーラチャンバの底壁とは一点で、好適には、中心点で接
触させる。この接触点により、ペデスタル表面を均一化してチャンバロスを最小
とすることができる。また、ヒータ表面の均一性は、ウエハ状物体とヒータの接
触表面との間の放射率を最大とし、他のヒータ表面とチャンバ壁面との間の放射
率を最小とすることによって改善される。ヒータ表面の放射率は、化学的処理（
例えば、陽極酸化）、或は、機械的処理（例えば、ボールピーニング）によって
制御することができる。特に、ウエハ状物体の表面即ち監視表面は陽極酸化され
るが、他の表面は機械加工された状態に残る。ウエハ状物体とヒータ表面との間
を良好に接触させるために、ペデスタル表面のチャンネルを排気して、ウエハ状
物体とヒータ表面に圧力差を形成する。
【００１３】 処理環境のガス組成を制御するために、本発明では、前述したように、扉を採
用して、ウエハ状物体の搬送中のガス撹乱を最小にする。独立した内外ガス導入
パターンにより、複雑なパージ処理を改善して、最小時間で適正なガス組成体を
生成することができる。取外し自在の排気プレートにより、最適なガス流パター
ンを確立させる。
【００１４】 本発明の上述したおよび他の利点と、この利点を達成する方法が、より明らか
となり、また、本発明自体も付随する図面と関連して本発明の以下に記述する実
施形態を参照してより良く理解されるであろう。 （好適な実施形態の説明） 図面を参照すると、同一の構成部材には同一の符号が付されている。まず、図
１に示すように、適宜の支持構造体を介して支持プレート１２に支持された熱処
理チャンバ１０を備えた装置が示されている。例えば、装置は、独立したシステ
ムであり、熱処理チャンバ１０及び支持プレート１２は、装置のモジュラーピー
スに支持され、かつ収容されている。他の例として、熱処理チャンバ１０は、支
持プレート１２で支持して、以下に詳述する図９に示すクラスターツールシステ
ム内に配設することもできる。
【００１５】 図２を参照すると、熱処理チャンバ１０内に内部チャンバ１４が形成されてお
り、ウエハ状物体１６がペデスタル状プラテン１８に支持されている。特に、こ
の実施の形態は半導体ウエハを処理するものとして設計されているが、本発明は
、他の種々の形式のウエハ状物体１６の熱処理に利用できることを理解されたい
。ウエハ状物体という用語は、プラテンに熱伝達接触で支持される少なくとも一
つの主表面を有するいかなる物体も含むものであり、（半導体ウエハのような）
円形の基板に限定されるものではない。ペデスタル状プラテン１８は、好適には
、ペデスタル状ヒータであり、熱伝達接触でウエハ状物体１６を支持するだけで
なく、ウエハ状物体１６に伝達する熱を発生するものとして以下に詳細に説明す
る。図２ないし図４では、他の構成部材を明りょうに示すためにヒータ部材は示
されていない。
【００１６】 熱処理チャンバ１０は、好適には、円形のウエハに合わせて円筒状であるが、
必ずしも円筒状である必要はない。好適には、熱処理チャンバ１０は、底壁２０
、円筒状側壁２２及びリッド２４を備えている。搬送スロット２６は、側壁２２
の一部に形成されており、内部チャンバ１４の外部から内部チャンバ１４の内部
にアクセスできるようになっている。好適には、搬送スロット２６は、ロボット
機構（図示省略）に合わせた大きさ及び形状とされており、ロボット機構は、ウ
エハ状物体１６をプラテン１８に積込んだり、或はプラテンから積み降ろす。さ
らに、搬送スロットは、物体サイズ（２００ｍｍ或は３００ｍｍ半導体ウエハ）
に合わせるべきであるが、開口時に流体が過剰に流通しないように最小限として
もよい。半導体ウエハの処理の場合には、内部チャンバ１２４内は嫌気環境の方
が望ましいので、内部チャンバ１４の入口から（酸素などの）望ましくないガス
の流れが生じないように最小限のスロットが利便である。
【００１７】 また、好適には、搬送スロット２６は、チャンバドア２８によって密閉自在で
ある方が好ましい。チャンバドアは、ドア閉鎖機構３０によって開口位置から閉
鎖位置まで移動自在であり、図２から図４に概略を示す。図１に示すように、チ
ャンバドア２８は、実質的に平板状のパネルであり、ハウジングアダプタ２９に
よって熱処理チャンバ１０の外側に開口している搬送スロット２６を閉鎖する。
ハウジングアダプタ２９は、円筒状チャンバ側壁２２の一部を構成し、平板状チ
ャンバドア２８で閉鎖される矩形状開口を形成している。ハウジングアダプタ２
９は、内部チャンバ１４の密閉性を保持できるものであれば従来の方法で製造す
ることもできる。また、チャンバドア２８は、側壁２２の円筒状外表面に合わせ
て曲面状に形成することもできる。側壁２２も他の形状でも良いし、或は熱処理
チャンバも他の形状にすることができる。ドア閉鎖機構３０は、チャンバドア２
８を開閉できるものであれが公知のものでも良いが、好適には、ドア閉鎖機構３
０は、チャンバドア２８を開口位置及び閉鎖位置の間で移動（搬送スロット２６
の前面に対する移動）させるだけでなく、チャンバドア２８が搬送スロット２６
の前面の閉鎖位置に位置した時にチャンバ側壁２２に対してチャンバドア２８を
駆動させるものである。チャンバドア２８の内面３３の周溝内にシール３２を配
置することにより、ドア閉鎖機構３０は、チャンバドア２８が閉鎖された処理中
の内部チャンバ１４を確実に密閉する。さらに、密閉性を向上させるために、側
壁２２の搬送開口２６の周りに周縁フランジ３４を装着して、チャンバドア２８
の閉鎖位置でシール３２にシール周表面３５を接触させるほうがよい。好適にド
ア閉鎖機構３０の一例として、本発明の他の実施の形態を参照して説明する。さ
らに、他の閉鎖機構として、空気圧式、油圧式、機械式、電気機械式駆動装置を
使用することもできる。しかしながら、好適には、チャンバドア２８は、搬送ス
ロット２６の開口位置と閉鎖位置との間で移動自在であるだけでなく、良好な密
閉状態となるように側壁２２に対して接離自在である。これらの移動は、個々の
駆動装置で行われても良く、単一の駆動装置で両方の移動を制御してもよく、あ
るいは、いくつかの駆動装置を組み合わせてもよい。
【００１８】 本発明の一実施の形態によれば、好適には、側壁２２は、二重壁構造体（即ち
、二つ或はそれ以上の間隔をおいて配置した壁）の一部である。図２に示す実施
の形態によれば、例えば、側壁２２は、半径方向に延在する環状頂部３６と、半
径方向に延在する環状中間部３８と、半径方向に延在する環状底部４０を含んで
いる。さらに、環状頂部３６、環状中間部３８及び環状底部４０の各々に外壁４
２が結合されて、二重壁構造体を構成している。外壁４２は、単独に製造した上
壁部４４と下壁部４６とから構成してもよい。中間環状部３８は、側壁２２の周
囲全体から延在させてもよいし、側壁２２の複数の曲面部から延在させてもよい
し、側壁２２の周囲に配置した別体の支持部としてもよい。さらに、中間環状部
は、備えられてもよいし、或は、側壁２２のパターンとして配置されてもよい。
また、中間環状部３８は省略してもよいが、二重壁構造体を機械的構造体として
補強する方がよい。
【００１９】 いずれにしても、図示したように、二重壁構造体は、内壁空間を区画して、上
部壁空間４８と下部壁空間５０に分けている。上部壁空間４８は、側壁２２の一
部に搬送スロット２６を貫通する周囲フランジ３４を形成しているため、内部チ
ャンバ１４の全周に形成されていない。好適には、下部壁空間５０は、内部チャ
ンバ１４の全周に形成されている。外壁４２は、好適には、内側壁２２に結合さ
れており、周囲フランジ３４は、好適には、側壁２２に溶着されている。半導体
ウエハの熱処理中に熱が発生するため、熱処理チャンバ１０は、アルミニューム
などの金属材料が好適である。ステンレススチールなどの、チャンバ１０の温度
プロファイルに適した他の適宜の材料を用いてもよい。さらに各構成部材が同一
の金属の場合溶着が容易となる。その結果、熱的に及び機械的にロバスト性の構
造体で熱処理チャンバ１０を構成できる。もちろん、他の適用例として、他の材
料も適しており、また、他の結合方法を用いてもよい。例えば、低温では、樹脂
材料を用いて、構成部材を接着することもできる。
【００２０】 チャンバ底壁２０は、好適には、側壁２２と一体に形成される。しかしながら
、別体に形成して公知の手段で側壁２２に固定してもよい。この実施の形態では
、底壁２０は、開口５０を形成した単一の壁で構成されており、好適には、開口
５０は中心に形成して、後述するプラテン１８に対する構成部材の通過を容易と
している。底壁２０のチャンバ側部の開口５２の周囲にペデスタルベース５４を
支持している。好適には、ペデスタルベース５４は、内部チャンバ側から底壁２
０内に形成された環状溝５６内に装着して、ペデスタルベース５４を底壁２０に
ボルト５８で固定している。内部チャンバ１４を効果的に密閉するために、ペデ
スタルベース５４の下面６２と環状溝５６の底部との間にシールリング６０を装
着して、ペデスタルベース５４は良好な密閉状態でボルト５８で装着されている
。この部分の構成を簡単にして、熱伝達能力を備えるように、底壁２０の中央部
６４を厚く形成する方が好適である。
【００２１】 また、底壁２０の厚い中央部６４に排気通路６６を形成して、内部チャンバ１
４内から処理流体を取り除く方がよい。特に、排気チャンネル６６は、中央部６
４の環状溝６８で形成されており、内部チャンバの側部に開口している。また、
中央部６４の残りの厚い部分を貫通する一つ或はそれ以上の通路（図示省略）を
形成して、排気チャンネル６６から内部チャンバ１４の外側へ、パイプや適宜の
器具を用いて排気流体を吸引することもできる。排気チャンネル６６のチャンバ
側を閉鎖するために、排気プレート７０に沿って適宜のパターンで形成したオリ
フィス７４を有する取外し自在の排気プレート７０を備えている。このように、
排気チャンネル６６を排気システムに流体連結することによって、流体は、内部
チャンバ１４からオリフィス７２を介して排気チャンネル６６内、即ち、熱処理
チャンバ１０の外側に吸引される。取外し自在の排気プレート７０を使用するこ
とにより、特定の熱処理チャンバ１０に適用する場合、他の適宜サイズのオリフ
ィス７２を形成した排気プレート７０と交換することにより、オリフィス７０の
サイズを簡単に変えることができる。排気プレート７０は、好適には、環状溝６
８の段部内に装着され、複数の締結具７６で固定される。締結具の頭部は、好適
には、固定位置において排気プレート７０の少なくとも一部とオーバラップさせ
る。好適には、締結具７６は、中央部６４の適宜の位置に形成された孔内に螺合
される。
【００２２】 また、底壁２０の中央部６４内に冷却チャンネル７８が形成されている。好適
には、冷却チャンネル７８は、底壁２０の中央部６４に形成された溝であり、こ
の溝は底壁２０の外側に開口されている。冷却チャンネル７８は、実質的に開口
５２に対して同心円状で円形状チャンネル（平面的にみて）に形成されている。
冷却チャンネル７８は、完全な円形に形成されていないので、冷却チャンネル７
８の一端は入口として、他端は出口として利用することができる。冷却チャンネ
ル７８を外部から閉鎖するために、底壁２０の中央部６４にプレート８０を固定
して、冷却チャンネル７８カバーして密閉しており、冷却チャンネル７８によっ
て入口通路と出口通路（図示省略）を形成して、適宜の方法で冷却システムの入
口及び出口ラインに流体連結されている（プレート８０を図示する必要がある形
状に注意）。
【００２３】 また、底壁２０の中央部６４には、リフトピン８４を往復移動させる数本の通
路８２（好適には３本であり、図２には一本だけを図示）が形成されている。こ
れらの通路８２により、リフトピン８４の往復移動が容易となるが、内部チャン
バ１４は効果的に密閉しなければならない。そのために。中央部６５の外側に形
成された溝内で通路８２の周囲にシールリング８６を装着して、このシールリン
グによりリフトピン８４を密閉してシールリングをリフトピンにスライド係合さ
せている。これらのシールリング８６は装着プレートでその場所に固定され、そ
の後、複数の締結具など公知の手段で保持される。
【００２４】 通路８２及びリフトピン８４は、好適には、開口部５２の周囲に同心状に（必
ずしもその必要はないが）配置されており、プラテン１８の厚肉部を貫通して形
成された通路８８（図２には、一本だけを図示）内に延在している。プラテン１
８はペデスタルベース５４によって直接支持されており、その上面に、ウエハ状
物体１６を熱伝達接触状態に位置させることができる支持表面９０が形成されて
いる。リフトピン８４は、その先端部８５が支持表面９０の下方にあって、熱伝
達接触を阻害しない位置から移動自在とされている。リフトピン８４は、往復駆
動機構９２で移動自在であり、その先端部８５が支持表面９０の上方の位置に移
動すると、ウエハ状物体１６を非熱伝達接触位置に移動させる。即ち、リフトピ
ン８４が移動すると、ウエハ状物体１６は熱伝達接触位置から移動する。後述す
るように、この位置が、熱処理チャンバ１０の冷却状態として示されている。い
ずれにしても、物体１６は、冷却位置に移動されたときにプラテン１８と熱伝達
接触されない。
【００２５】 各リフトピン８４の移動を同期させるために、各リフトピン８４を、プレート
（図示省略）などの共通の部材に結合して、駆動機構９２により単独の部材、即
ち、プレートを各ピン８４と一緒に移動することができる。駆動機構９２は、ス
テップモータで駆動されるリードスクリュ機構などの公知のリニア駆動機構で構
成することができる。さらに、各リフトピン８４に内部通路９４を形成して、公
知のバキュームライン即ちバキュームシステムに接続して、ウエハ状物体１６に
対向して保持する先端部８５を介して真空引きすることができる。
【００２６】 さらに後述するように、プラテン１８は、熱発生機構を備えると共に温度をフ
ィードバック制御するように構成されている。底壁２０の開口部５２を介して、
ワイヤリング９４と適宜数の温度センサ９６を通してプラテン１８内に取り付け
ている。温度センサは、公知のＲＴＤセンサ或いは熱電対を含む。これらの温度
センサはプラテン１８内の種々の位置及び深さにおける温度情報を供給するため
に使用しており、プラテン１８内の加熱機構により発生した熱を制御する制御回
路に接続されている。制御機構自体は、本実施の形態の特徴とする部分ではなく
、温度感知情報に基づいて発生される熱を制御する公知の手段とすることができ
る。
【００２７】 内部チャンバ１４の上部はリッド２４で閉鎖されている。好適には、リッド２
４は頂壁９８とカバープレート１００から構成されている。円筒状熱処理チャン
バ１０の場合は、頂壁９８は、軸方向に延在する円形状外側部１０２、円形状中
間部１０４及び円形状内側部１０６で構成されている。その結果、環状外側チャ
ンバ１０８、環状中間チャンバ１１０及び環状内側チャンバ１１２が形成される
。各チャンバは、カバープレート１００で閉鎖されており、カバープレートはボ
ルトなどの通常の締結具１１４によって頂壁９８に固定されている。また、頂壁
９８とカバープレート１００から構成されたリッド２４は、ボルトなどの通常の
締結具によって側壁２２の上部に固定されている。シール１１８を側壁２２の頂
面に形成した溝内に装着して、頂壁９８を締結具１１６で側壁の上部に固定した
ときに頂壁９８の下面で内部チャンバ１４を効果的に密閉している。シール１１
８、シールリング６０、ドアシール３２及びリフトピンシール８６により、内部
チャンバ１４内に熱処理部を形成する。
【００２８】 以下に熱処理チャンバ１０の作動を説明する。外側チャンバ１０８は、一連の
オリフィス１２０を介して内部チャンバ１４と流体連通している。同様に、内側
チャンバ１１２は、オリフィス１２２を介して内部チャンバ１４と流体連通して
いる。また、外側チャンバ１０８と内側チャンバ１１２との間を、熱処理チャン
バ１０の外側に設けた供給ラインで流体連通させる方がよい。このようにするこ
とにより、公知の流体ライン及び器具を流体源に接続して、カバープレート１０
０の適宜の位置で流体通路（図示省略）に流体を供給して、外側チャンバ１０９
及び内側チャンバ１１２に流体を供給することができる。
【００２９】 上述したように、好適には、プラテン１８自体が加熱機構を構成しており、表
面９０に支持したウエハ状物体１６に熱を伝導する。好適には、加熱機構は、ウ
エハ状物体１６の全体に熱伝導するように熱を供給する。図５及び図６に示すよ
うに、一例として示す加熱機構では、ペデスタル状ヒータを提供するようにヒー
タケーブル１３０はプラテン１８内に鋳込まれている。図５に示すケーブルヒー
タ１３０はスパイラル状パターンであり、プラテン１８の表面９０の全体に熱を
発生させることができる。このようにして、熱伝導接触位置に支持したウエハ状
物体１６に効果的に熱を供給する。スパイラル状パターンは、適用形態及び熱伝
導仕様に基づいて、適宜の異なるパターンに修正することができる。さらに、ウ
エハ状物体１６の異なる部分に作用するように複数ゾーンにすることもできる。
この場合、一つ以上の加熱部材を利用することができる。図６に示すように、プ
ラテン１８の本体内のフレームワーク１３２を利用して、ヒータケーブル１３０
の位置を正確に調整して、ペデスタルヒータの成形加工中にパターンを形成する
こともできる。フレームワーク１３２は、複数の部材及び形状から構成して、一
つ或いはそれ以上の加熱要素を含む所望のパターンを正確に形成することもでき
る。
【００３０】 他の加熱装置として、加熱回路の表面にフィルム層或いはマイカフィルム層を
プリントした形式の公知のフィルムヒータを構成してもよい。これらのフィルム
ヒータをプラテンの頂面に形成した場合には、フィルムヒータは、プラテン自体
の頂面に代わるウエハ状物体の支持表面となる。さらに他の形態として、プラテ
ンの頂面または底面に、直接的にヒータ回路をプリントすることもできる。さら
に他の形態として、本特許出願の譲受人が所有する１９９８年３月５日に出願し
た米国特許出願第０９／０３５６２８号に開示された加熱装置を利用することも
できる。いずれの場合でも、プラテンに適宜の通路を形成して、電気接続部及び
他の電気部材或いは機械部材を具備すべきである。さらに、所定数の温度センサ
９６をプラテン１８の種々の部位に装着して各部位を監視して、加熱機構を駆動
する制御回路にフィードバック情報として提供する。
【００３１】 上述した熱処理チャンバ１０は、特に性能を向上させた熱処理チャンバとして
設計されており、内部チャンバ１４内でウエハ状物体１６の加熱及び冷却を容易
としている。さらに、熱処理チャンバ１０は、チャンバの熱均一性を向上させる
ように設計されているため、プラテン１８内のヒータ或いはプラテン上のヒータ
からウエハ状物体１６に熱を均一に伝導させる。（背景技術で説明したように）
絶縁材を備えた半導体ウエハなどの種々の製品を製造する場合、物体全体を均一
に加熱して、物体の表面全体を適正に熱処理する必要がある。例えば、半導体ウ
エハを高温キュアリング材で処理する場合、絶縁材は、所定時間の間、ウエハの
表面全体を２００℃或はそれ以上の温度に上昇させることによって、硬化処理さ
れる（キュアリング）。また、本発明の背景技術で説明したように、チャンバ１
０及びその構成部材の設計が熱均一性に影響を与えることがわかっている。側壁
、底壁、リッド、ペデスタル及びプラテンの全部材の設計が、熱均一性を左右す
る。さらに、チャンバ１０を加熱チャンバ及び冷却チャンバの両方で使用する場
合に問題がある。加熱処理と加熱処理との間にチャンバを冷却処理すると、熱処
理チャンバの構成部材及び熱処理チャンバの内部温度に影響を与えて、引き続く
加熱処理で加熱処理中の熱均一性に影響することになる。
【００３２】 本発明によれば、ウエハ状物体１６を処理する熱処理チャンバ１０及びこの熱
処理チャンバを利用する方法は、加熱段階での熱均一性、特に、高温処理時の熱
均一性を向上させるように改善した種々の特徴及び段階を含んでいる。
【００３３】 特徴の一つは、二重側壁構造を提供することにある。特に、このように構成す
ることにより、側壁２２の内面で良好な熱伝導内部表面を提供し、また、側壁２
２から熱的に絶縁された外壁４２を提供することにより、側壁２２の内表面はチ
ャンバの外部温度の影響から絶縁されると共に、外表面４２は側壁２２から絶縁
される。この構成の優位性は、処理サイクルの間に実質的な冷却処理がないよう
に、側壁２２の内面は加熱され、かつ、加熱状態が維持されることである。内表
面に沿った熱伝導性が良好であることが有利であり、また、熱均一性を向上させ
るためには、内表面をできるだけ熱い状態（処理温度に）に保持することが望ま
しい。
【００３４】 他の特徴は、内側チャンバ１１２及び外側チャンバ１０８をリッド２４の内部
に形成したことにある。これらのチャンバだけでなく、中間チャンバ１１０を形
成することによって二重側壁構造体と同様の絶縁効果を提供すると共に、これら
のチャンバを利用して内部チャンバ１４を通過するガスを循環させる。内側チャ
ンバ１１２は、加熱処理が行われた後で、ウエハ状物体１６を冷却処理する冷却
ガスを供給するために使用するのが有利であり、ウエハ状物体１６は、リフトピ
ン８４を伸張させることによって冷却位置に移動され、プラテン１８との熱伝導
接触から離される。ウエハ状物体１６が熱伝導接触位置から離されて支持される
と。冷却ガスは、オリフィス１２２を介して内側チャンバ１１２から内部チャン
バ１４内のウエハ状物体１６の周囲を循環して排気チャンネル６６から排出され
る。冷却ガス循環流は、ウエハ状物体１６を横切る方向を指向して、プラテン１
８の周囲を通って排気チャンネル６６の中に流れ、側壁２２の内表面の温度には
ほとんど影響しない。
【００３５】 また、他の特徴は、熱均一性を向上させるために、底壁２０の中央部６４内に
ガス冷却チャンネル７８を形成したことにある。ガス冷却チャンネル７８は、保
熱機能のためではなく、底壁２０の中央部６４に冷却機能を提供することにある
。熱はプラテン１８によって発生するので、熱はペデスタルベース５４を介して
中央部６４に伝導する。底壁２０の残りの部分及び側壁２２は、実質的に高熱レ
ベルに維持されるが、中央部６４を冷却することにより、中央部６４はオーバー
ヒートしない。オーバーヒート状態になると、内部チャンバ１４を密閉している
シール６０及び８６が破損してしまう。このように、ガス冷却チャンネル７８は
、底壁２０を横切る熱をバランスさせるだけでなく、熱処理チャンバ１０の熱均
一性をアシストする。ガス冷却チャンネル７８の形状は、他の形態における冷却
要求や底壁２０の熱伝導程度に基づいて設計することができる。冷却ガスを使用
することは、冷却チャンネル７８の内表面に接触して過度に冷却する液体冷却技
術よりも有利である。さらに、液体は底壁２０の高温によって沸騰して、冷却液
供給システムに多くの不利な影響を及ぼす。
【００３６】 これらの特徴及び以下に説明する特徴は、ウエハ状物体を効率的かつ効果的に
加熱処理及び冷却処理する熱処理チャンバ内で達成される。ある点で。これらは
処理環境の熱（放射熱、対流熱及び伝導熱）の流れ及びガスの組成を慎重に制御
することによって達成される。放射熱伝導制御は、できるだけ処理温度付近でウ
エハ状物体の表面を”監視”することによって達成される。対流熱伝導制御は、
ウエハ状物体の表面に適正なガス流パターンを形成することによって達成される
。このガス流パターンは、処理行程で非均一性を修正するために必要である。伝
導熱伝導制御は、ウエハ状物体を加熱面を均一に接触させて、接触表面の温度を
できるだけ均一にすることによって達成される。処理環境のガス組成の調整は、
処理環境を周囲環境と隔離して、処理環境のガス流を柔軟に制御することによっ
て達成される。
【００３７】 本発明によれば、ウエハ状物体の表面監視は、好適には、３つの基本特性に基
づいて処理温度付近で行われる。第１に、チャンバ壁を二重壁構造としてチャン
バ壁２２の内表面を、冷たい外壁４２の外表面から熱的に絶縁させる。第２に、
熱作動範囲内でシール６０及び８６などのチャンバシールを必要とする冷却処理
は、液体冷却チャンネルよりも内部ガス冷却チャンネル７８を使用することによ
って達成される。一般にガスは液体よりも熱容量が低いので、熱伝導率をより細
かく制御することによって、より正確で信頼性の高い温度制御が可能となる。液
体は、熱的限界が沸点に制限され、安全性はあるが信頼性は低い。ガスの熱的限
界は、チャンバをより高温にして、ウエハ状物体からの熱伝導を少なくして、温
度均一性を改善させる。第３に、プラテン１８及び加熱部材を構成するペデスタ
ルヒータからチャンバ底壁２０及び側壁２２への熱伝導を慎重に制御することに
より、壁面に沿った温度勾配を阻止して監視表面の均一性を改善する。この制御
は、伝導路の断面積を減少させるか、或いは伝導路を長くすることによって達成
される。また、この制御は、ヒータ表面の放射性を最小として、ヒータとチャン
バ壁との間の放射を最小とすることによって達成される。
【００３８】 本発明では、３つの要素に基づいて適正な対流ガス流を形成する。第１に、ウ
エハ状物体の上方に独立した切り換え自在の内外ガス導入パターンを利用するこ
とによって（図３参照）、流量比及び流量を最適流パターンとなるようにウエハ
状物体上で調整する。これは、オリフィス１２０及び１２２のを適正な大きさと
することによって、及び／またはガス供給（即ち、ガス圧力）を制御することに
よって行われる。第２に、ウエハ状物体１６の搬送中にガス撹乱を最小とするチ
ャンバドア２８を使用することによって、必要なガス流を得るための時間を最小
限とする。第３に。取外し自在の排気プレート７２を使用することにより、排気
パターンを広範に変化させる調査を簡単にして、適正なガス流環境を達成させる
。
【００３９】 独立した内外ガス導入パターンにより、複雑なパージ処理を改善して、最小時
間で適正なガス組成を生成することができる。取外し自在の排気プレート７２に
より、最適なガス流パターンを確立させる。
【００４０】 高度の伝導性熱伝導制御のために。本発明では、ペデスタル型ヒータを採用し
て、クーラチャンバ底壁２０とは一点で、好適には、中心点で接触させている。
この接触点でチャンバへのロスを最小として、ペデスタル表面の均一性を改善さ
せる。また、ヒータ表面の均一性は、ウエハ状物体とヒータの接触表面との間の
放射率を最大とし、他のヒータ表面とチャンバ壁面との間の放射率を最小とする
ことによって改善される。ヒータ表面の放射率は、化学的処理（例えば、陽極酸
化）或いは機械的処理（例えば、ボールピーニング）によって制御することがで
きる。特に、ウエハ状物体の表面或いは監視表面は陽極酸化されるが、他の表面
は機械加工された状態で残される。ウエハ状物体とヒータ表面との間を良好に接
触させるために、ペデスタル表面のチャンネルを排気して、ウエハ状物体とヒー
タ表面に圧力差を形成させる。
【００４１】 本発明に基づく熱処理チャンバ１０を使用した１サイクル作動及び方法を図２
、図３及び図４に示す。図４に示す熱処理チャンバ１０の搬送状態では、チャン
バドア２８は開位置にある。ウエハ状物体１６は、ロボットハンド装置によって
ピン８４の先端に位置している（各ピンは搬送位置に伸張されている）。ロボッ
トハンド装置は、ウエハ状物体１６を把持して搬送して、ピン８４上にウエハ状
物体を積み込む。このようなロボットハンド装置は公知であり、ウエハをｘ，ｙ
平面に移動させる形式や、ウエハをｘ，ｙ，ｚ方向に移動して積み込みを容易と
した形式のロボットハンド装置を含む。パージガスによって、処理チャンバに進
入する大気ガスを最小とする。好適には、内側チャンバ１１２及び外側チャンバ
１０８の両方に供給されたガスは、内部チャンバ１４を循環して、排気チャンネ
ル６６から排出される。必要により、内側チャンバ１１２及び外側チャンバ１０
８の一つまたは一方だけを使用し、或いは、これらのチャンバの一つ、または両
方と組み合わせて中間チャンバ１１０を使用し、或いは、これらのチャンバの代
わりに中間チャンバを使用して、適正な供給及びオリフィスを提供する。
【００４２】 特定の応用では特定の処理に影響を与えないパージガスが好適であり、多くの
適用例では、イナートガスが適している。
【００４３】 図４に示すように、ウエハ状物体１６がピン８４の上に搬送された後で、ピン
８４は、図２に示す加熱状態の熱処理チャンバの形態のように下げられる。加熱
状態では、ウエハ状物体１６はプラテン１８の表面９０に熱伝導接触しており、
リフトピン８４は縮退して、チャンバドア２８は閉鎖位置にある。この状態では
、ウエハ状物体１６は、プラテン１８から発生した熱で熱処理され、ウエハ状物
体１６に熱が伝導される。上述した多くの理由により、本発明によれば加熱処理
の熱均一性が達成される。加熱処理中には、内側チャンバ１１２及び外側チャン
バ１０８の一方或いは両方からリッド２４内にパージガス供給され、内部チャン
バ１４内を循環して排気チャンネル６６から排出される。
【００４４】 加熱処理が終了すると、チャンバドア２８は閉鎖された状態で、ウエハ状物体
１６は、プラテン１８と熱伝導接触しない位置に持ち上げられる。これは、リフ
トピン８２の先端部８４が、プラテン１８の支持表面より十分な距離だけ伸張す
ることによって達成される。次に、ウエハ状物体１６は、内側チャンバ１１２及
び外側チャンバ１０８の一方或いは両方からリッド２４内に供給されたガス流に
よって冷却される。冷却処理が完了すると、次にドア２８が開かれ、ウエハ状物
体は搬送機構によって取り除かれる。
【００４５】 図７及び図８を参照すると、他の実施の形態に係る熱処理チャンバ２００が示
されている。熱処理チャンバ２００の構成部材及び構造は、熱処理チャンバ１０
と同様であるので、両者の相違部分だけを詳細に説明して、構造及び機能は詳細
には説明しない。また、これらの相違は熱処理チャンバ１０内に組み込まれるか
、或いは他の熱処理チャンバと組み合わせても良いことを理解されたい。
【００４６】 熱処理チャンバ２００では、底壁２２０は、さらに軸方向に延在する環状外側
部分２２１及び軸方向に延在する環状中間部分２２３を含んでおり、中央部２６
４の段部と共同して、間隔をあけて装着する外側底壁２６５の装着面を形成して
いる。外側側壁４２と同様に、外側底壁２６５は、二重底壁構造体部分を構成し
て、構造体の絶縁機能により熱絶縁を向上させると共に構造体の剛性を増加させ
ている。外側底壁２６５は、側壁構造と同じように底壁２２０に溶着或いは他の
手段で結合されており、また、部分２２１及び２２３は、側壁に関連して説明し
たように修正することもできる。図示するように、環状外側底部チャンバ２６７
と環状内側底部チャンバ２６５が区画形成される。
【００４７】 また、修正された底壁２２０では、排気チャンネル２６６はリフトピン２８４
の内側に移動され、また、冷却チャンネル２７８もペデスタルベース２５４の下
方で内側の位置に移動されている。取外し自在の排気プレート２７０は、排気チ
ャンネル２７８をカバーするように、かつ、ペデスタルベース２５４の下面とシ
ールリング２６０の配設部に隣接する底壁２２０の中央部の段部下面との間に部
分的に延在するように配設されている。排気チャンネル２７８をペデスタルベー
ス２５４に接近するように移動させることにより、内部チャンバ２１４内の流体
循環が改善され、また、排気チャンネル２６６とペデスタルベース２５４との間
の領域のガス循環を減少させることにより内部チャンバ２１４のパージ効率が改
善される。他の優位性は、底壁２２０からプラテン２１８を離すことなく、プラ
テン２１８からの熱伝導通路からシールリング２６０をさらに離すことができる
ので、シールリング２６０を熱損傷から防止することができる。また、シールリ
ング２６０を熱伝導通路の冷却チャンネル２７８に近づけて配設することにより
、さらに損傷を防止することができる。また、図８に示すように、温度センサ２
９６が底壁２２０の特に中央部２６４を貫通して挿通延在している。このように
、底壁２２０を貫通して内部チャンバ２１４内に開口を形成した場合には、一般
的な通常のシールリング２９７が温度センサ２９６と中央部２６４との間に装着
される。
【００４８】 熱処理チャンバ２００の他の相違点は、リッド２２４の構造である。リッド２
４と同様に二重壁構造体を構成しているが、軸方向に延在する中間環状部３０６
には、カバープレート３００と接触しない一つあるいはそれ以上の低い部分が形
成されており、中間チャンバ３１０と内側チャンバ３１２との間を流体連通させ
ている。中間チャンバ３１０と内側チャンバ３１２は単一のチャンバとして機能
して、内部チャンバ２１４内に冷却ガスを分配することができる。このようにす
ると、さらに多数のオリフィス３２２を形成することができ、内部チャンバ２１
４内に異なる位置から冷却ガスを供給することができる。供給パターンを変える
ことにより、ウエハ状物体２１６に対するガス流が均一となり、冷却処理が改善
される。
【００４９】 熱処理チャンバ２００のさらに他の相違点は、側壁２２２の上端へのリッド２
２４の結合である。頂壁２９８の周端縁に環状段部３０１を形成することにより
、頂壁２９８の内表面がウエハ状物体１６に接近して配置されるため、循環量が
減少して、パージング効果が改善され、また、オリフィス３２２をウエハ状物体
２１６に近づけて冷却効果を改善させる。
【００５０】 図７には、本発明の熱処理チャンバに使用するドア閉鎖機構が示されており、
このドア閉鎖機構は、チャンバドアを垂直方向及び水平方向に移動させる。図示
したチャンバドア２２８は、実質的に平板状であり、ハウジングアダプタ２２９
によって熱処理チャンバ２１０に取り付けられている。ドア閉鎖機構３３０は、
空気圧シリンダ（図示省略）などの通常の駆動装置からなる一対のドアアクチュ
エータ３３２と、第１スライド部材３３４を備えている。ドアフレーム３３８に
は共同するスライド部材３３６が取り付けられている。駆動部材の可動部（例え
ば、シリンダのピストン）は、スライド部材３３６に結合されており、第１スラ
イド部材３３４によってガイドされてドアフレーム３３８を垂直方向に移動させ
る。チャンバドア３２８は、公知のフォーバー機構（４本バー）によってドアフ
レーム３３８に作動自在に連結されており、フォーバー機構によってチャンバド
ア３２８を水平方向に移動させる。水平方向に移動させると。チャンバドア３２
８の上端部の上方に配設されたドアストッパ３４０の第１カム面（図示省略）が
チャンバドア３２８の上端部（或いは、ローラまたは他の部材）と共同する。こ
の配置により、ドアストッパ３４０とチャンバドア３２８との最初の係合後に、
チャンバドア３２８が上方に移動すると、この上方移動により、チャンバドア３
２８は水平方向に移動される。この水平移動により、チャンバドア３２８とチャ
ンバ側壁２２２との間をシール２２２でシールする力が提供される。
【００５１】 本発明に基づく熱処理チャンバを含む特定の装置が図９に示されている。ここ
では、いくつかの他の処理ステーション４０４、４０６、４０８、４１０の間に
熱処理チャンバ４０２を含むクラスター装置４００が示されている。例えば、半
導体ウエハを処理する場合には、コーティングステーション、分配ステーション
、キュアリングステーション或いは貯蔵ステーションとなる。ウエハ搬送機構４
１２を具備してもよい。これらの各ステーション及び搬送機構は公知であり、必
要に応じて変更することができる。半導体ウエハを処理するために、本発明を適
用可能なクラスター装置の一つが、本発明の譲受人であるＦＳＩインターナショ
ナル、インコーポレイテッドが、”カリプソ”という商標で販売しているクラス
ター装置であり、本発明の熱処理チャンバを、半導体ウエハ処理用ステーション
の一つとして組み込むことができる。上述したように、本発明に基づく熱処理チ
ャンバを備えた装置は、独立した装置の形態として提供することもでき、その場
合には、熱処理チャンバは単独で使用されるか、或いは他の装置と組み合わせて
使用される。
【００５２】 本発明のその他の実施形態は、本明細書を考慮して、または本明細書で開示さ
れている本発明の実施により、当業者には明らかであろう。本明細書に記載され
ている原理および実施形態には、様々な省略、修正、変更を、添付のクレームで
示す本発明の真の範囲および精神から逸脱しないかぎり当業者により実行するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、熱処理チャンバ内に支持されたウエハ状物体を加熱処理及び冷却処理
する熱処理チャンバを備えた本発明に係る装置の部分拡大斜視図である。
【図２】 図２は、図１の熱処理チャンバの断面図であり、ウエハ状物体をペデスタルヒ
ータに熱伝達接触させて加熱処理している状態を示す熱処理チャンバ内に支持さ
れたウエハ状物体を示している。
【図３】 図３は、図１の熱処理チャンバの他の断面図であり、ウエハ状物体をペデスタ
ルヒータの熱伝導接触から離して、冷却ガス流を生成して冷却処理している状態
を示す熱処理チャンバ内に支持されたウエハ状物体を示している。
【図４】 図４は、図示した熱処理チャンバの他の断面図であり、チャンバ扉を開放して
、外部からチャンバの内部にアクセスして搬送させる状態を示す熱処理チャンバ
内に支持されたウエハ状物体示している。
【図５】 図５は、ヒータレイアウトの一実施の形態を示すペデスタルヒ―タの上面図で
ある。
【図６】 図６は、図５に示すペデスタルヒータの断面図である。
【図７】 図７は、本発明に係る他の熱処理チャンバの斜視図である。
【図８】 図８は、図７に示す熱処理チャンバの断面図である。
【図９】 図９は、本発明の熱処理チャンバを含むクラスター処理装置を示す上面図であ
る。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年９月１０日（２００１．９．１０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】 これらの欠点を解決するために、本発明の譲受人によって加熱／冷却複合装置
が開発された。この装置は、“低熱容量で、熱伝導性加熱プレートを含む加熱／
冷却複合装置”と称する、２０００年６月６日に特許された米国特許第６０７２ １６３号 に開示されており、この特許は参考として本説明に含まれる。加熱／冷
却複合装置は、ウエハの加熱操作及び冷却操作の両方の操作中に、ウエハを支持
する、低熱容量で熱伝導性の加熱プレートを含んでいる。加熱プレートの一方の
表面でウエハを支持すると、加熱プレートの他方の表面は、加熱操作及び冷却操
作の両方の操作の間に切換えて、熱容量の大きい冷却プレートと熱的に接触した
り引き離したりする。ある実施の形態では、加熱プレートは、冷却操作中は冷却
プレートの上方に停止させることができ、加熱操作中に、これらの構成部品の１
つまたは両方を分離するように移動させる。加熱プレートは、この加熱プレート
によって発生する熱で直接ウエハを加熱することができるが、冷却操作では、（
冷却操作中は加熱されない）加熱プレートを介してウエハから熱を冷却プレート
へ移動させる必要がある。加熱プレート及び冷却プレートの両方は、熱処理チャ
ンバを形成するハウジング内で作動自在に支持されている。特に、ハウジングは
、円筒状側壁、平坦な頂壁及び平坦な低壁から円筒状に形成されており、その中
に種々の制御用構成部品を有している。側壁は分割されており、ウエハの積込及
び積み降ろすために処理チャンバ内へアクセスできるように頂壁及び低壁は互い
に移動可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】 熱処理チャンバ１０は、好適には、円形のウエハに合わせて円筒状であるが、
必ずしも円筒状である必要はない。好適には、熱処理チャンバ１０は、底壁２０
、円筒状側壁２２及びリッド２４を備えている。搬送スロット２６は、側壁２２
の一部に形成されており、内部チャンバ１４の外部から内部チャンバ１４の内部
にアクセスできるようになっている。好適には、搬送スロット２６は、ロボット
機構（図示省略）に合わせた大きさ及び形状とされており、ロボット機構は、ウ
エハ状物体１６をプラテン１８に積込んだり、或はプラテンから積み降ろす。さ
らに、搬送スロットは、物体サイズ（２００ｍｍ或は３００ｍｍ半導体ウエハ）
に合わせるべきであるが、開口時に流体が過剰に流通しないように最小限として
もよい。半導体ウエハの処理の場合には、内部チャンバ１４内は嫌気環境の方が
望ましいので、内部チャンバ１４の入口から（酸素などの）望ましくないガスの
流れが生じないように最小限のスロットが利便である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】 また、底壁２０の厚い中央部６４に排気通路６６を形成して、内部チャンバ１
４内から処理流体を取り除く方がよい。特に、排気チャンネル６６は、中央部６
４の環状溝６８で形成されており、内部チャンバの側部に開口している。また、
中央部６４の残りの厚い部分を貫通する一つ或はそれ以上の通路（図示省略）を
形成して、排気チャンネル６６から内部チャンバ１４の外側へ、パイプや適宜の
器具を用いて排気流体を吸引することもできる。排気チャンネル６６のチャンバ
側を閉鎖するために、排気プレート７０に沿って適宜のパターンで形成したオリ
フィス７４を有する取外し自在の排気プレート７０を備えている。このように、
排気チャンネル６６を排気システムに流体連結することによって、流体は、内部
チャンバ１４からオリフィス７２を介して排気チャンネル６６内、即ち、熱処理
チャンバ１０の外側に吸引される。取外し自在の排気プレート７０を使用するこ
とにより、特定の熱処理チャンバ１０に適用する場合、他の適宜サイズのオリフ
ィス７２を形成した排気プレート７０と交換することにより、オリフィス７０の
サイズを簡単に変えることができる。排気プレート７０は、好適には、環状溝６
８の段部内に装着され、複数の締結具７６で固定される。締結具の頭部は、好適
には、固定位置において排気プレート７０の少なくとも一部とオーバラップさせ
る。好適には、締結具７６は、中央部６４の適宜の位置に形成された孔内に螺合
される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】 また、底壁２０の中央部６４には、リフトピン８４を往復移動させる数本の通
路８２（好適には３本であり、図２には一本だけを図示）が形成されている。こ
れらの通路８２により、リフトピン８４の往復移動が容易となるが、内部チャン
バ１４は効果的に密閉しなければならない。そのために、中央部６５の外側に形
成された溝内で通路８２の周囲にシールリング８６を装着して、このシールリン
グによりリフトピン８４を密閉してシールリングをリフトピンにスライド係合さ
せている。これらのシールリング８６は装着プレートでその場所に固定され、そ
の後、複数の締結具など公知の手段で保持される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】 他の加熱装置として、加熱回路の表面にフィルム層或いはマイカフィルム層を
プリントした形式の公知のフィルムヒータを構成してもよい。これらのフィルム
ヒータをプラテンの頂面に形成した場合には、フィルムヒータは、プラテン自体
の頂面に代わるウエハ状物体の支持表面となる。さらに他の形態として、プラテ
ンの頂面または底面に、直接的にヒータ回路をプリントすることもできる。さら
に他の形態として、本特許出願の譲受人が所有する２０００年６月６日に特許さ れた米国特許第６０７２１６３号 に開示された加熱装置を利用することもできる
。いずれの場合でも、プラテンに適宜の通路を形成して、電気接続部及び他の電
気部材或いは機械部材を具備すべきである。さらに、所定数の温度センサ９６を
プラテン１８の種々の部位に装着して各部位を監視して、加熱機構を駆動する制
御回路にフィードバック情報として提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】 他の特徴は、内側チャンバ１１２及び外側チャンバ１０８をリッド２４の内部
に形成したことにある。これらのチャンバだけでなく、中間チャンバ１１０を形
成することによって二重側壁構造体と同様の絶縁効果を提供すると共に、これら
のチャンバを利用して内部チャンバ１４を通過するガスを循環させる。内側チャ
ンバ１１２は、加熱処理が行われた後で、ウエハ状物体１６を冷却処理する冷却
ガスを供給するために使用するのが有利であり、ウエハ状物体１６は、リフトピ
ン８４を伸張させることによって冷却位置に移動され、プラテン１８との熱伝導
接触から離される。ウエハ状物体１６が熱伝導接触位置から離されて支持される
と、冷却ガスは、オリフィス１２２を介して内側チャンバ１１２から内部チャン
バ１４内のウエハ状物体１６の周囲を循環して排気チャンネル６６から排出され
る。冷却ガス循環流は、ウエハ状物体１６を横切る方向を指向して、プラテン１
８の周囲を通って排気チャンネル６６の中に流れ、側壁２２の内表面の温度には
ほとんど影響しない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】 これらの特徴及び以下に説明する特徴は、ウエハ状物体を効率的かつ効果的に
加熱処理及び冷却処理する熱処理チャンバ内で達成される。ある点で、これらは
処理環境の熱（放射熱、対流熱及び伝導熱）の流れ及びガスの組成を慎重に制御
することによって達成される。放射熱伝導制御は、できるだけ処理温度付近でウ
エハ状物体の表面を”監視”することによって達成される。対流熱伝導制御は、
ウエハ状物体の表面に適正なガス流パターンを形成することによって達成される
。このガス流パターンは、処理行程で非均一性を修正するために必要である。伝
導熱伝導制御は、ウエハ状物体を加熱面を均一に接触させて、接触表面の温度を
できるだけ均一にすることによって達成される。処理環境のガス組成の調整は、
処理環境を周囲環境と隔離して、処理環境のガス流を柔軟に制御することによっ
て達成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】 本発明では、３つの要素に基づいて適正な対流ガス流を形成する。第１に、ウ
エハ状物体の上方に独立した切り換え自在の内外ガス導入パターンを利用するこ
とによって（図３参照）、流量比及び流量を最適流パターンとなるようにウエハ
状物体上で調整する。これは、オリフィス１２０及び１２２のを適正な大きさと
することによって、及び／またはガス供給（即ち、ガス圧力）を制御することに
よって行われる。第２に、ウエハ状物体１６の搬送中にガス撹乱を最小とするチ
ャンバドア２８を使用することによって、必要なガス流を得るための時間を最小
限とする。第３に、取外し自在の排気プレート７２を使用することにより、排気
パターンを広範に変化させる調査を簡単にして、適正なガス流環境を達成させる
。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】 高度の伝導性熱伝導制御のために、本発明では、ペデスタル型ヒータを採用し
て、クーラチャンバ底壁２０とは一点で、好適には、中心点で接触させている。
この接触点でチャンバへのロスを最小として、ペデスタル表面の均一性を改善さ
せる。また、ヒータ表面の均一性は、ウエハ状物体とヒータの接触表面との間の
放射率を最大とし、他のヒータ表面とチャンバ壁面との間の放射率を最小とする
ことによって改善される。ヒータ表面の放射率は、化学的処理（例えば、陽極酸
化）或いは機械的処理（例えば、ボールピーニング）によって制御することがで
きる。特に、ウエハ状物体の表面或いは監視表面は陽極酸化されるが、他の表面
は機械加工された状態で残される。ウエハ状物体とヒータ表面との間を良好に接
触させるために、ペデスタル表面のチャンネルを排気して、ウエハ状物体とヒー
タ表面に圧力差を形成させる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】 図７及び図８を参照すると、他の実施の形態に係る熱処理チャンバ２１０が示
されている。熱処理チャンバ２００の構成部材及び構造は、熱処理チャンバ１０
と同様であるので、両者の相違部分だけを詳細に説明して、構造及び機能は詳細
には説明しない。また、これらの相違は熱処理チャンバ１０内に組み込まれるか
、或いは他の熱処理チャンバと組み合わせても良いことを理解されたい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】 熱処理チャンバ２１０では、底壁２２０は、さらに軸方向に延在する環状外側
部分２２１及び軸方向に延在する環状中間部分２２３を含んでおり、中央部２６
４の段部と共同して、間隔をあけて装着する外側底壁２６５の装着面を形成して
いる。外側側壁４２と同様に、外側底壁２６５は、二重底壁構造体部分を構成し
て、構造体の絶縁機能により熱絶縁を向上させると共に構造体の剛性を増加させ
ている。外側底壁２６５は、側壁構造と同じように底壁２２０に溶着或いは他の
手段で結合されており、また、部分２２１及び２２３は、側壁に関連して説明し
たように修正することもできる。図示するように、環状外側底部チャンバ２６７
と環状内側底部チャンバ２６５が区画形成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】 熱処理チャンバ２１０の他の相違点は、リッド２２４の構造である。リッド２
４と同様に二重壁構造体を構成しているが、軸方向に延在する中間環状部３０６
には、カバープレート３００と接触しない一つあるいはそれ以上の低い部分が形
成されており、中間チャンバ３１０と内側チャンバ３１２との間を流体連通させ
ている。中間チャンバ３１０と内側チャンバ３１２は単一のチャンバとして機能
して、内部チャンバ２１４内に冷却ガスを分配することができる。このようにす
ると、さらに多数のオリフィス３２２を形成することができ、内部チャンバ２１
４内に異なる位置から冷却ガスを供給することができる。供給パターンを変える
ことにより、ウエハ状物体２１６に対するガス流が均一となり、冷却処理が改善
される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】 図７には、本発明の熱処理チャンバに使用するドア閉鎖機構が示されており、
このドア閉鎖機構は、チャンバドアを垂直方向及び水平方向に移動させる。図示
したチャンバドア２２８は、実質的に平板状であり、ハウジングアダプタ２２９
によって熱処理チャンバ２１０に取り付けられている。ドア閉鎖機構３３０は、
空気圧シリンダ（図示省略）などの通常の駆動装置からなる一対のドアアクチュ
エータ３３２と、第１スライド部材３３４を備えている。ドアフレーム３３８に
は共同するスライド部材３３６が取り付けられている。駆動部材の可動部（例え
ば、シリンダのピストン）は、スライド部材３３６に結合されており、第１スラ
イド部材３３４によってガイドされてドアフレーム３３８を垂直方向に移動させ
る。チャンバドア３２８は、公知のフォーバー機構（４本バー）によってドアフ
レーム３３８に作動自在に連結されており、フォーバー機構によってチャンバド
ア３２８を水平方向に移動させる。水平方向に移動させると、チャンバドア３２
８の上端部の上方に配設されたドアストッパ３４０の第１カム面（図示省略）が
チャンバドア３２８の上端部（或いは、ローラまたは他の部材）と共同する。こ
の配置により、ドアストッパ３４０とチャンバドア３２８との最初の係合後に、
チャンバドア３２８が上方に移動すると、この上方移動により、チャンバドア３
２８は水平方向に移動される。この水平移動により、チャンバドア３２８とチャ
ンバ側壁２２２との間をシール２２２でシールする力が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＥＥ，ＥＳ ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ， ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，Ｋ Ｒ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ， ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，Ｓ Ｉ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ヌギィーエン、ビョング、ピー． アメリカ合衆国 カリフォルニア 95116 サンホセ、ナンバービー10、ウースター アベニュー 463 (72)発明者 クーマー、デヴェンドラ アメリカ合衆国 カルフォルニア 94024 ロスアルトス、アルトス オークス ド ライブ 897 (72)発明者 カサハラ、ジャック、エス． アメリカ合衆国 カルフォルニア 95032 ロスゲートス、オールド アドーブ ロ ード 130 (72)発明者 イブラニ、ソコール アメリカ合衆国 カルフォルニア 94588 プリーザントン、ロッキンガム ドライ ブ 3962 Ｆターム(参考） 5F045 EB19 EN04 HA16

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 熱処理チャンバと、プラテンと、ガス入口と、ガス出口と、
    から構成したウエハ状物体を熱処理する装置であって、 熱処置チャンバは、内部チャンバを形成すると共に、ウエハ状物体を内部チャ
    ンバへ挿入し或は内部チャンバから取出すための搬送開口を備えた壁構造体を有
    しており、この壁構造体は、少なくとも、内側壁部と外側壁部とを間隔をあけて
    構成した絶縁部を有しており、 プラテンは、熱処理チャンバ内に作動可能に配置されており、熱発生装置を含
    み、ウエハ状物体に熱伝達接触するようにウエハ状物体を支持する支持表面を有
    しており、 ガス入口は、内部チャンバ内にガスを流入させ、また、 ガス出口は、内部チャンバからガスを排出できるものであって、ガス入口の位
    置とはプラテンに関して離れて配置されており、内部チャンバから排出されるガ
    スが、少なくともプラテンの周囲を部分的に流れる、ことを特徴とするウエハ状
    物体を熱処理する装置。
  2. 【請求項２】 熱処理チャンバは、底壁と、少なくとも１つの側壁で構成さ
    れており、壁構造体の絶縁部は、側壁内に形成されていることを特徴とする請求
    項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 熱処理チャンバは、さらに、リッドを備えており、このリッ
    ドは、内側壁部と外側壁部とを間隔をあけて構成した壁部分を有していることを
    特徴とする請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 リッドは、少なくとも、内側壁部と外側壁部とを間隔をあけ
    て構成した壁部分で形成した一つの供給チャンバを構成しており、また、少なく
    とも一つのガス入口が、供給チャンバから熱処理チャンバの内部チャンバ内に開
    口していることを特徴とする請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 リッドは、互いに流体的に隔離された複数の供給チャンバを
    構成しており、各供給チャンバは、前記リッドの内側壁部と外側壁部で形成され
    ており、熱処理チャンバの内部チャンバ内に開口している、少なくとも一つのガ
    ス入口を有していることを特徴とする請求項４に記載の装置。
  6. 【請求項６】 プラテンは、熱処理チャンバの底部にペデスタル状ベースを
    介して作動可能に支持されており、底部は、少なくとも底部の一部分上に延在す
    る冷却チャンネルを有しており、この冷却チャンネルは底部の温度を制御するた
    めに冷却流体源に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
  7. 【請求項７】 冷却チャンネルは、実質的にペデスタル状ベースを取巻いて
    いることを特徴とする請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 熱処理チャンバの底部は、さらに、少なくとも底部の一部分
    に沿って延在する排気チャンネルを有しており、この排気チャンネルは、少なく
    とも一つのガス出口を介して内部チャンバに開口していることを特徴とする請求
    項２に記載の装置。
  9. 【請求項９】 ガス出口は熱処理チャンバに取外し自在に結合された排気プ
    レートに備えられており、流量の異なるガス出口を備えた排気プレートと交換す
    ることによって排気流量を変えられることを特徴とする請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 プラテンは、熱処理チャンバの底部にペデスタル状ベース
    を介して作動可能に支持されており、底部は、少なくとも底部の一部分上に延在
    する冷却チャンネルを有しており、この冷却チャンネルは底部の温度を制御する
    ために冷却流体源に接続されており、また、排気プレートは、少なくとも一部分
    が冷却チャンネルから分離していることを特徴とする請求項９に記載の装置。
  11. 【請求項１１】 底部は、比較的厚い中央部分と周囲の比較的薄い部分を有
    しており、排気チャンネルと冷却チャンネルは厚い中央領域に延在していること
    を特徴とする請求項１０に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 さらに、周囲の薄い領域から離れた外側底壁を含み、この
    外側底壁は処理チャンバの他の絶縁部を形成するように底部に連結されているこ
    とを特徴とする請求項１１に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 さらに、熱処理チャンバ内に支持されたウエハ状物体を係
    止すると共に、プラテンと熱伝達接触するウエハ状物体を冷却位置に移動させる
    ために、プラテンの支持表面に対して移動自在に支持された可動要素を含むこと
    を特徴とする請求項２に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 熱処理チャンバと、プラテンと、ガス入口と、ガス出口と
    、から構成したウエハ状物体を熱処理する装置であって、 熱処置チャンバは、底部と少なくとも一つの側壁とで内部チャンバを形成する
    と共に、ウエハ状物体を内部チャンバへ挿入し或は内部チャンバから取出すため
    の搬送開口を側壁に有しており、 プラテンは、熱処理チャンバ内に作動可能に配置されており、熱発生装置を含
    み、ウエハ状物体に熱伝達接触するようにウエハ状物体を支持する支持表面を有
    しており、 ガス入口は、内部チャンバ内にガスを流入させ、また、 ガス出口は、内部チャンバからガスを排出できるものであって、ガス入口の位
    置とはプラテンに関して離れて配置されており、内部チャンバから排出されるガ
    スが、少なくとも前記プラテンの周囲を部分的に流れるものであり、 ここで、プラテンは、ペデスタル状ベースを介して熱処理チャンバの底部に作
    動可能に支持されており、底部は、少なくとも底部の一部分上に延在する冷却チ
    ャンネルを有しており、この冷却チャンネルは底部の温度を制御するために冷却
    流体源に接続されている、ことを特徴とするウエハ状物体を熱処理する装置。
  15. 【請求項１５】 冷却チャンネルは、実質的にペデスタル状ベースを取巻い
    ていることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 熱処理チャンバの底部は、さらに、少なくとも底部の一部
    分に沿って延在する排気チャンネルを有しており、この排気チャンネルは、少な
    くとも一つのガス出口を介して内部チャンバに開口していることを特徴とする請
    求項１５に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 ガス出口は、熱処理チャンバに取外し自在に結合された排
    気プレートに備えられており、流量の異なるガス出口を備えた排気プレートと交
    換することによって排気流量は変えられることを特徴とする請求項１６に記載の
    装置。
  18. 【請求項１８】 底部は、比較的厚い中央部分と周囲の比較的薄い部分を有
    しており、排気チャンネルと冷却チャンネルは厚い中央領域に延在していること
    を特徴とする請求項１７に記載の装置。
  19. 【請求項１９】 熱処理チャンバの側壁構造体は、少なくとも、内側壁部と
    外側壁部とを間隔をあけて構成した絶縁部を含むことを特徴とする請求項１４に
    記載の装置。
  20. 【請求項２０】 熱処理チャンバと、プラテンと、ガス入口と、ガス出口と
    、から構成したウエハ状物体を熱処理する装置であって、 熱処置チャンバは、底部と少なくとも一つの側壁とで内部チャンバを形成する
    と共に、ウエハ状物体を内部チャンバへ挿入し或は内部チャンバから取出すため
    の搬送開口を側壁に有しており、 プラテンは、熱処理チャンバ内に作動可能に配置されており、熱発生装置を含
    み、ウエハ状物体に熱伝達接触するようにウエハ状物体を支持する支持表面を有
    しており、 ガス入口は、内部チャンバ内にガスを流入させ、また、 前記ガス出口は、内部チャンバからガスを排出できるものであって、ガス入口
    の位置とは前記プラテンに関して離れて配置されており、内部チャンバから排出
    されるガスが、少なくともプラテンの周囲を部分的に流れるものであり、 ここで、熱処理チャンバのリッドは、内側壁部と外側壁部とを間隔をあけて構
    成した部分を含み、この内側壁部と外側壁部とを間隔をあけて構成した部分で形
    成した少なくとも一つの供給チャンバを有しており、また、ガス入口が、供給チ
    ャンバから熱処理チャンバの内部チャンバ内に開口している、ことを特徴とする
    ウエハ状物体を熱処理する装置。
  21. 【請求項２１】 リッドは、互いに流体的に隔離された複数の供給チャンバ
    を構成しており、各供給チャンバは、前記リッドの内側壁部と外側壁部で形成さ
    れており、熱処理チャンバの内部チャンバ内に開口している、少なくとも一つの
    ガス入口を有しており、また、プラテンは、熱処理チャンバの底部にペデスタル
    状ベースを介して作動可能に支持されており、底部は、少なくとも底部の一部分
    上に延在する冷却チャンネルを有しており、この冷却チャンネルは底部の温度を
    制御するために冷却流体源に接続されている、ことを特徴とする請求項２０に記
    載の装置。
  22. 【請求項２２】 熱処理チャンバの側壁構造体は、少なくとも、内側壁部と
    外側壁部とを間隔をあけて構成した絶縁部を含むことを特徴とする請求項２１に
    記載の装置。
  23. 【請求項２３】 熱処理チャンバと、プラテンと、ガス入口と、ガス出口と
    、から構成したウエハ状物体を熱処理する装置であって、 熱処置チャンバは、底部と少なくとも一つの側壁とで内部チャンバを形成する
    と共に、ウエハ状物体を内部チャンバへ挿入し或は内部チャンバから取出すため
    の搬送開口を側壁に有しており、 プラテンは、熱処理チャンバ内に作動可能に配置されており、熱発生装置を含
    み、ウエハ状物体に熱伝達接触するようにウエハ状物体を支持する支持表面を有
    しており、 ガス入口は、内部チャンバ内にガスを流入させ、また、 ガス出口は、内部チャンバからガスを排出できるものであって、ガス入口の位
    置とはプラテンに関して離れて配置されており、内部チャンバから排出されるガ
    スが、少なくともプラテンの周囲を部分的に流れるものであり、 ここで、熱処理チャンバの底部は、さらに、少なくとも底部の一部分に沿って
    延在する排気チャンネルを有しており、この排気チャンネルは、ガス出口を介し
    て内部チャンバに開口している、ことを特徴とするウエハ状物体を熱処理する装
    置。
  24. 【請求項２４】 ガス出口は、熱処理チャンバに取外し自在に結合された排
    気プレートに備えられており、流量の異なるガス出口を備えた排気プレートと交
    換することによって排気流量は変えられることを特徴とする請求項２３に記載の
    加熱装置。
  25. 【請求項２５】 プラテンは、熱処理チャンバの底部にペデスタル状ベース
    を介して作動可能に支持されており、底部は、少なくとも底部の一部分上に延在
    する冷却チャンネルを有しており、この冷却チャンネルは底部の温度を制御する
    ために冷却流体源に接続されていることを特徴とする請求項２４に記載の加熱装
    置。
  26. 【請求項２６】 排気プレートは、少なくとも一部分が冷却チャンネルから
    分離していることを特徴とする請求項２５に記載の加熱装置。
  27. 【請求項２７】 底部は、比較的厚い中央部分と周囲の比較的薄い部分を有
    しており、排気チャンネルと冷却チャンネルは厚い中央領域に延在していること
    を特徴とする請求項２５に記載の加熱装置。
  28. 【請求項２８】 さらに、周囲の薄い領域から離れた外側底壁を含み、この
    外側底壁は処理チャンバの他の絶縁部を形成するように底部に連結されているこ
    とを特徴とする請求項２７に記載の加熱装置。
  29. 【請求項２９】 熱処理チャンバの側壁構造体は、少なくとも、内側壁部と
    外側壁部とを間隔をあけて構成した絶縁部を含むことを特徴とする請求項２３に
    記載の加熱装置。
  30. 【請求項３０】 内部チャンバと、内部チャンバへウエハ状物体を挿入する
    ための或は内部チャンバへウエハ状物体を取出すための搬送開口と、熱処理チャ
    ンバ内に作動可能に配設され、熱発生装置を含み、ウエハ状物体に熱伝達接触す
    るようにウエハ状物体を支持する支持表面を有するプラテンと、を備えた熱処理
    チャンバ内でウエハ状物体を熱処理する方法であって、 熱処理チャンバの内部チャンバ内に配設したプラテンの支持表面で、ウエハ状
    物体に熱伝達接触する段階と、 熱発生手段で発生させた熱でウエハ状物体を加熱する段階と、 ウエハ状物体を、熱処理チャンバに作動自在に設けた変位機構によりプラテン
    の支持表面との熱伝達接触から冷却位置へ移動させる段階と、 冷却ガスを、ガス入口から内部チャンバを通ってガス出口へ、少なくともウエ
    ハ状物体の上方に循環させて、ウエハ状物体の一部を冷却する段階と、を特徴と
    するウエハ状物体を熱処理する方法。
  31. 【請求項３１】 内部チャンバを通って冷却ガスを循環させる段階は、熱処
    理チャンバのリッド内に形成した供給チャンネルによって、複数のガス入口を介
    してガスを供給する段階を含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
  32. 【請求項３２】 内部チャンバを通って冷却ガスを循環させる段階は、さら
    に、熱処理チャンバのリッド内に形成された複数の供給チャンネルによって、各
    供給チャンネルに接続した複数のガス入口を介してガスを供給する段階を含むこ
    とを特徴とする請求項３１に記載の方法。
  33. 【請求項３３】 内部チャンバを通って冷却ガスを循環させる段階は、さら
    に、排気プレートに形成した複数のガス出口によって、熱処理チャンバの底部内
    に形成したチャンネルを介してガスを排出させる段階を含むことを特徴とする請
    求項３０に記載の方法。
  34. 【請求項３４】 さらに、加熱及び冷却処理したウエハ状物体を、内部チャ
    ンバ内から搬送開口を介して搬送する段階を含むことを特徴とする請求項３３に
    記載の方法。
  35. 【請求項３５】 さらに、排気プレートを取り除き、流量の異なるガス出口
    を備えた他の排気プレートと置換える段階を含むことを特徴とする請求項３４に
    記載の方法。
JP2001509064A 1999-07-12 2000-07-12 ウエハ状物体の加熱及び冷却処理用熱処理チャンバ Pending JP2003504865A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/351,586 US6307184B1 (en) 1999-07-12 1999-07-12 Thermal processing chamber for heating and cooling wafer-like objects
US09/351,586 1999-07-12
PCT/US2000/018902 WO2001004930A2 (en) 1999-07-12 2000-07-12 Thermal processing chamber for heating and cooling wafer-like objects

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003504865A true JP2003504865A (ja) 2003-02-04

Family

ID=23381509

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001509064A Pending JP2003504865A (ja) 1999-07-12 2000-07-12 ウエハ状物体の加熱及び冷却処理用熱処理チャンバ

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6307184B1 (ja)
EP (1) EP1198825A2 (ja)
JP (1) JP2003504865A (ja)
KR (1) KR20020038687A (ja)
CN (1) CN1218362C (ja)
AU (1) AU6343800A (ja)
WO (1) WO2001004930A2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196363A (ja) * 1999-09-15 2001-07-19 Applied Materials Inc 基板を加熱及び冷却する方法及び装置
JP2020096061A (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理チャンバおよび基板処理装置

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100634642B1 (ko) * 1998-11-20 2006-10-16 스티그 알티피 시스템즈, 인코포레이티드 반도체 웨이퍼의 급속 가열 및 냉각 장치
US6307184B1 (en) 1999-07-12 2001-10-23 Fsi International, Inc. Thermal processing chamber for heating and cooling wafer-like objects
US6598559B1 (en) * 2000-03-24 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Temperature controlled chamber
US6353210B1 (en) * 2000-04-11 2002-03-05 Applied Materials Inc. Correction of wafer temperature drift in a plasma reactor based upon continuous wafer temperature measurements using and in-situ wafer temperature optical probe
US6838115B2 (en) * 2000-07-12 2005-01-04 Fsi International, Inc. Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices
US6458416B1 (en) * 2000-07-19 2002-10-01 Micron Technology, Inc. Deposition methods
US7192888B1 (en) 2000-08-21 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Low selectivity deposition methods
US7094690B1 (en) * 2000-08-31 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Deposition methods and apparatuses providing surface activation
US6370796B1 (en) * 2000-09-29 2002-04-16 Sony Corporation Heater block cooling system for wafer processing apparatus
US6462313B1 (en) * 2001-02-20 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to control temperature in an RTP system
US6935466B2 (en) * 2001-03-01 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Lift pin alignment and operation methods and apparatus
US7368014B2 (en) * 2001-08-09 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Variable temperature deposition methods
JP2003209063A (ja) * 2001-11-08 2003-07-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置および熱処理方法
KR20050035300A (ko) * 2002-09-10 2005-04-15 에프 에스 아이 인터내셔날,인코포레이티드 뚜껑을 가진 열처리 장소
JP4129484B2 (ja) * 2002-10-07 2008-08-06 株式会社スター・クラスター 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
US7311810B2 (en) * 2003-04-18 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Two position anneal chamber
US20050229849A1 (en) * 2004-02-13 2005-10-20 Applied Materials, Inc. High productivity plasma processing chamber
US7019268B2 (en) * 2004-02-23 2006-03-28 Asml Netherlands B.V. Wafer processing apparatus and method of use
US7731798B2 (en) * 2004-12-01 2010-06-08 Ultratech, Inc. Heated chuck for laser thermal processing
US7481312B2 (en) * 2004-12-02 2009-01-27 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Direct cooling pallet assembly for temperature stability for deep ion mill etch process
US7296420B2 (en) * 2004-12-02 2007-11-20 Hitachi Global Storage Technologies Amsterdam, B.V. Direct cooling pallet tray for temperature stability for deep ion mill etch process
US8282768B1 (en) 2005-04-26 2012-10-09 Novellus Systems, Inc. Purging of porogen from UV cure chamber
US8137465B1 (en) * 2005-04-26 2012-03-20 Novellus Systems, Inc. Single-chamber sequential curing of semiconductor wafers
US20100270004A1 (en) * 2005-05-12 2010-10-28 Landess James D Tailored profile pedestal for thermo-elastically stable cooling or heating of substrates
US7941039B1 (en) 2005-07-18 2011-05-10 Novellus Systems, Inc. Pedestal heat transfer and temperature control
US20070254494A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Faceplate with rapid temperature change
US7554103B2 (en) * 2006-06-26 2009-06-30 Applied Materials, Inc. Increased tool utilization/reduction in MWBC for UV curing chamber
US7429717B2 (en) * 2006-07-12 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Multizone heater for furnace
US7960297B1 (en) 2006-12-07 2011-06-14 Novellus Systems, Inc. Load lock design for rapid wafer heating
JP4899879B2 (ja) * 2007-01-17 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20080224817A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Sokudo Co., Ltd. Interlaced rtd sensor for zone/average temperature sensing
US8052419B1 (en) 2007-11-08 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Closed loop temperature heat up and control utilizing wafer-to-heater pedestal gap modulation
US8288288B1 (en) 2008-06-16 2012-10-16 Novellus Systems, Inc. Transferring heat in loadlocks
JP5043776B2 (ja) * 2008-08-08 2012-10-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US8033771B1 (en) 2008-12-11 2011-10-11 Novellus Systems, Inc. Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling
CN102460650B (zh) * 2009-06-24 2014-10-01 佳能安内华股份有限公司 真空加热/冷却装置及磁阻元件的制造方法
US8371567B2 (en) 2011-04-13 2013-02-12 Novellus Systems, Inc. Pedestal covers
KR20140119726A (ko) 2012-01-06 2014-10-10 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 적응형 열 교환 방법 및 균일한 열 교환을 위한 시스템
KR101312592B1 (ko) * 2012-04-10 2013-09-30 주식회사 유진테크 히터 승강형 기판 처리 장치
CN104885192B (zh) * 2013-01-16 2018-03-27 应用材料公司 石英上拱形结构及下拱形结构
US9322097B2 (en) * 2013-03-13 2016-04-26 Applied Materials, Inc. EPI base ring
US9245767B2 (en) 2013-09-12 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Anneal module for semiconductor wafers
CN104617008A (zh) * 2013-11-01 2015-05-13 沈阳芯源微电子设备有限公司 晶圆加热装置
US10347547B2 (en) 2016-08-09 2019-07-09 Lam Research Corporation Suppressing interfacial reactions by varying the wafer temperature throughout deposition
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
US10344383B2 (en) * 2017-08-03 2019-07-09 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10889894B2 (en) * 2018-08-06 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Faceplate with embedded heater
CN111106046B (zh) * 2020-01-09 2021-04-20 长江存储科技有限责任公司 冷却设备及待冷却件的冷却方法
TWI724845B (zh) * 2020-03-30 2021-04-11 群翊工業股份有限公司 氮氣密閉烘烤機台及基板進出烘烤裝置的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1992016671A1 (en) * 1991-03-20 1992-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming film by sputtering process
JPH05326453A (ja) 1992-03-27 1993-12-10 Sumitomo Metal Ind Ltd マイクロ波プラズマ処理装置
JP3165938B2 (ja) * 1993-06-24 2001-05-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US5620560A (en) 1994-10-05 1997-04-15 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for heat-treating substrate
US5772770A (en) * 1995-01-27 1998-06-30 Kokusai Electric Co, Ltd. Substrate processing apparatus
JPH08310896A (ja) 1995-05-12 1996-11-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US6198074B1 (en) * 1996-09-06 2001-03-06 Mattson Technology, Inc. System and method for rapid thermal processing with transitional heater
SG70035A1 (en) 1996-11-13 2000-01-25 Applied Materials Inc Systems and methods for high temperature processing of semiconductor wafers
JPH10233370A (ja) 1997-02-20 1998-09-02 Kokusai Electric Co Ltd 半導体基板の熱処理装置
JPH1154496A (ja) 1997-08-07 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びガス処理装置
US6072163A (en) 1998-03-05 2000-06-06 Fsi International Inc. Combination bake/chill apparatus incorporating low thermal mass, thermally conductive bakeplate
US6185370B1 (en) * 1998-09-09 2001-02-06 Tokyo Electron Limited Heating apparatus for heating an object to be processed
US6307184B1 (en) 1999-07-12 2001-10-23 Fsi International, Inc. Thermal processing chamber for heating and cooling wafer-like objects

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196363A (ja) * 1999-09-15 2001-07-19 Applied Materials Inc 基板を加熱及び冷却する方法及び装置
JP2020096061A (ja) * 2018-12-12 2020-06-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理チャンバおよび基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1218362C (zh) 2005-09-07
US6423947B2 (en) 2002-07-23
WO2001004930A2 (en) 2001-01-18
EP1198825A2 (en) 2002-04-24
CN1369109A (zh) 2002-09-11
WO2001004930A3 (en) 2001-08-09
AU6343800A (en) 2001-01-30
US20010040155A1 (en) 2001-11-15
US6307184B1 (en) 2001-10-23
KR20020038687A (ko) 2002-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003504865A (ja) ウエハ状物体の加熱及び冷却処理用熱処理チャンバ
KR101002553B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
US5947718A (en) Semiconductor processing furnace
US6164963A (en) Semiconductor furnace processing vessel base
US8183502B2 (en) Mounting table structure and heat treatment apparatus
US6838115B2 (en) Thermal processing system and methods for forming low-k dielectric films suitable for incorporation into microelectronic devices
US6176198B1 (en) Apparatus and method for depositing low K dielectric materials
US6435868B2 (en) Multi-function chamber for a substrate processing system
US5994675A (en) Semiconductor processing furnace heating control system
US20060240680A1 (en) Substrate processing platform allowing processing in different ambients
JPH08250441A (ja) 低圧化学蒸着装置
US20080006617A1 (en) Thermal wafer processor
US5908292A (en) Semiconductor processing furnace outflow cooling system
KR101406172B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 연속 처리 장치 및 방법
TWI473191B (zh) 基板處理設備、製造半導體裝置之方法及基板處理方法
TWI795570B (zh) 半導體多站處理腔體
US5904478A (en) Semiconductor processing furnace heating subassembly
KR20050031058A (ko) 열 처리 장치
US6544338B1 (en) Inverted hot plate cure module
KR20180069991A (ko) 분리형 웨이퍼 서셉터 및 이를 포함하는 반도체 공정 챔버 장비
CN100356505C (zh) 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备
JP2009064864A (ja) 半導体処理装置
US20230117184A1 (en) Batch processing oven for magnetic anneal
CN113921451A (zh) 载置台、处理基片的装置和对基片进行温度调节的方法
KR20050058842A (ko) 반도체 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070614

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100402

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100609

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20101110