JP2003347692A - プリント配線板、及び該プリント配線板で用いられる電磁波シールド方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号を高速に伝送し、かつ電磁波による放射
雑音が外部へ伝搬しないプリント配線板を提供する。 【解決手段】 信号配線パターン２４はビアホール２６
に接続されていないので、同信号配線パターン２４の特
性インピーダンスがＬＳＩ２３の入出力インピーダンス
と整合する値となる。このため、信号配線パターン２４
を伝搬する信号がクロックのような高速の信号の場合で
も、同信号が容量性の反射によるノイズの影響を受ける
ことがなく、正確な位相で伝送される。そして、ＬＳＩ
２３が誤動作することなく、正確に動作する。また、グ
ラウンド・プレーン２２と接続された電磁波シールド板
２５が信号配線パターン２４を覆うように形成されてい
るので、同信号配線パターン２４から発生する電磁波Ｍ
による放射雑音は、電磁波シールド板２５からビアホー
ル２６を介してグラウンド・プレーン２２に吸収され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、プリント配線
板、及び該プリント配線板で用いられる電磁波シールド
方法に係り、特に、高周波の信号を信号配線パターンを
介して伝送する場合に用いて好適なプリント配線板、及
び該プリント配線板で用いられる電磁波シールド方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、デジタル回路の動作が高速化さ
れ、これに伴って電子機器から放射される電磁波（すな
わち、放射雑音）が増強されている。この放射雑音は、
無線機器の動作の障害（たとえば、受信品質の低下な
ど）や、他の電子機器の異常動作を招く原因となってい
る。特に、コンピュータなどでは、内部のクロックの周
期に対応した電磁波の放射雑音が大きくなってきてい
る。この放射雑音が発生する主な原因は、コンピュータ
の内部のプリント配線板によるものである。プリント配
線板に実装された電子部品のうちでアクティブに動作す
るものは、ＬＳＩ（大規模集積回路）のみである。この
ため、放射雑音の発生源は、ＬＳＩである。

【０００３】ＬＳＩを原因とする放射雑音には、三つの
種類がある。すなわち、ＬＳＩチップ上の配線やパッ
ケージのリードフレームに信号が伝搬することによって
生じる放射雑音、ＬＳＩから出力される信号がプリン
ト配線板上の信号配線パターンを伝搬することによって
生じる放射雑音、及びＬＳＩに供給される電源電流が
電源層及び接地層に流れることによって生じる放射雑音
である。これらの放射雑音のうちの及びの放射雑音
に対しては、ＬＳＩメーカからＬＳＩチップ上の配線に
関する情報や電源電流の周波数スペクトルなどの情報が
公開されていないため、電子機器メーカのみでは対処が
困難であり、対策が殆ど進んでいないが、の放射雑音
に対する対策として、多層のプリント配線板の内層に信
号配線パターンを形成し、同信号配線パターンの上下を
接地層で挟み込んだものが製作されている。

【０００４】この種のプリント配線板は、従来では例え
ば図９に示すように、誘電体基板１１を有している。誘
電体基板１１上には、ＬＳＩ１２，…，１２が実装さ
れ、同ＬＳＩ１２，…，１２のリードに信号配線パター
ン１３，…，１３が接続されている。これらの信号配線
パターン１３，…，１３は、誘電体基板１１の内層に形
成されているため、ビアホール（ｖｉａ、中継スルーホ
ール）１４，…，１４を介してＬＳＩ１２，…，１２の
リードに接続されている。

【０００５】図１０は、図９に示すプリント配線板のＡ
方向透視図である。同図１０に示すように、誘電体基板
１１の底面には、グラウンド・プレーン（接地層）１５
が形成され、信号配線パターン１３，…，１３の上には
表面層１６が形成され、同表面層１６の上にグラウンド
・プレーン（接地層）１７が形成されている。

【０００６】このプリント配線板では、信号配線パター
ン１３，…，１３がグラウンド・プレーン１５，１７で
挟み込まれているので、ＬＳＩ１２，…，１２から出力
される信号が信号配線パターン１３，…，１３を伝搬す
ることによって生じる放射雑音は、同グラウンド・プレ
ーン１５，１７によってシールドされる。このため、他
の電子機器に対する悪影響が低減される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のプリント配線板では、次のような問題点があった。
すなわち、信号配線パターン１３，…，１３とビアホー
ル１４，…，１４とによって静電容量が形成されるた
め、ＬＳＩ１２，…，１２から出力される信号がたとえ
ばクロックのような高速の信号の場合、同信号が容量性
の反射によるノイズの影響を受けてしまい、正確な位相
で伝送されないという問題点がある。この場合、クロッ
クの位相に誤差が発生すれば、ＬＳＩ１２，…，１２が
誤動作することがある。また、容量性の反射によるノイ
ズの影響を避けるために、図１１に示すように、信号配
線パターン１３，…，１３を誘電体基板１１の最外層
（表面層）に形成した場合、同信号配線パターン１３，
…，１３がアンテナとして作用し、同信号配線パターン
１３，…，１３に流れる電流によって発生する電磁波Ｍ
による放射雑音が空間に伝搬するので、ＥＭＩ（Electr
o Magnetic Interference 、電磁妨害）が発生し、他の
電子機器に異常動作が発生するという問題点がある。

【０００８】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、容量性の反射によるノイズの影響を受けること
なく、信号を高速に伝送し、かつ、電磁波による放射雑
音が外部へ伝搬しないプリント配線板、及び該プリント
配線板で用いられる電磁波シールド方法を提供すること
を目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、誘電体基板と、該誘電体基
板の一方の面に形成された接地層と、外部接続用のリー
ドを有し、前記誘電体基板の他方の面に実装された電子
部品と、前記誘電体基板の前記他方の面に所定の幅で形
成され、前記電子部品の前記リードに接続されて各種の
信号を伝送するための信号配線パターンとを備えてなる
プリント配線板に係り、前記信号配線パターンを覆うよ
うに形成され、前記接地層と接続されて前記信号配線パ
ターンから発生した電磁波をシールドするための電磁波
シールド層が設けられ、かつ、前記信号配線パターンの
幅は、該信号配線パターンの特性インピーダンスが前記
電子部品の入力インピーダンス及び出力インピーダンス
と整合する値に設定されていることを特徴としている。

【００１０】請求項２記載の発明は、所定の厚み及び比
誘電率を有する誘電体基板と、該誘電体基板の一方の面
に形成された接地層と、外部接続用のリードを有し、前
記誘電体基板の他方の面に実装された電子部品と、前記
誘電体基板の前記他方の面に所定の幅で形成され、前記
電子部品の前記リードに接続されて各種の信号を伝送す
るための信号配線パターンとを備えてなるプリント配線
板に係り、前記信号配線パターンを覆うように形成さ
れ、前記接地層と接続されて前記信号配線パターンから
発生した電磁波をシールドするための電磁波シールド層
が設けられ、かつ、前記信号配線パターンの幅は、該信
号配線パターンのインダクタンスと、該信号配線パター
ンと前記接地層との間の静電容量と、該信号配線パター
ンと前記電磁波シールド層との間の静電容量とに基づい
て求められる該信号配線パターンの特性インピーダンス
が前記電子部品の入力インピーダンス及び出力インピー
ダンスと整合する値に設定されていることを特徴として
いる。

【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載のプリント配線板に係り、前記電磁波シールド層は、
前記信号配線パターンから発生した電磁波をシールドす
るための導体板と、該導体板と前記各信号配線パターン
との間を絶縁するための絶縁膜とを備えてなることを特
徴としている。

【００１２】請求項４記載の発明は、請求項３記載のプ
リント配線板に係り、前記絶縁膜の厚みは、前記各信号
配線パターンと前記接地層との間の静電容量に基づいて
求められる前記各信号配線パターンの特性インピーダン
スの値に影響を与えない値に設定されていることを特徴
としている。

【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１、２、３
又は４記載のプリント配線板に係り、前記電磁波シール
ド層は、前記各信号配線パターン及び前記各電子部品の
リードを覆うように形成されていることを特徴としてい
る。

【００１４】請求項６記載の発明は、請求項１、２、
３、４又は５記載のプリント配線板に係り、前記電磁波
シールド層は、前記誘電体基板を貫通するビアホールを
介して前記接地層に接続されていることを特徴としてい
る。

【００１５】請求項７記載の発明は、電磁波シールド方
法に係り、誘電体基板と、該誘電体基板の一方の面に形
成された接地層と、外部接続用のリードを有し、前記誘
電体基板の他方の面に実装された電子部品と、前記誘電
体基板の前記他方の面に所定の幅で形成され、前記電子
部品の前記リードに接続されて各種の信号を伝送するた
めの信号配線パターンとを備えてなるプリント配線板に
おいて、前記接地層と接続された電磁波シールド層を前
記信号配線パターンを覆うように形成し、かつ、前記信
号配線パターンの幅を、該信号配線パターンの特性イン
ピーダンスが前記電子部品の入力インピーダンス及び出
力インピーダンスと整合する値に設定することを特徴と
している。

【００１６】請求項８記載の発明は、電磁波シールド方
法に係り、所定の厚み及び比誘電率を有する誘電体基板
と、該誘電体基板の一方の面に形成された接地層と、外
部接続用のリードを有し、前記誘電体基板の他方の面に
実装された電子部品と、前記誘電体基板の前記他方の面
に所定の幅で形成され、前記電子部品の前記リードに接
続されて各種の信号を伝送するための信号配線パターン
とを備えてなるプリント配線板において、前記接地層と
接続された電磁波シールド層を前記信号配線パターンを
覆うように形成し、かつ、前記信号配線パターンの幅
を、該信号配線パターンのインダクタンスと、該信号配
線パターンと前記接地層との間の静電容量と、該信号配
線パターンと前記電磁波シールド層との間の静電容量と
に基づいて求められる該信号配線パターンの特性インピ
ーダンスが前記電子部品の入力インピーダンス及び出力
インピーダンスと整合する値に設定することを特徴とし
ている。

【００１７】請求項９記載の発明は、請求項７又は８記
載の電磁波シールド方法に係り、前記電磁波シールド層
は、前記信号配線パターンから発生した電磁波をシール
ドするための導体板と、該導体板と前記各信号配線パタ
ーンとの間を絶縁するための絶縁膜とを備えてなること
を特徴としている。

【００１８】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
電磁波シールド方法に係り、前記絶縁膜の厚みを、前記
各信号配線パターンと前記接地層との間の静電容量に基
づいて求められる前記各信号配線パターンの特性インピ
ーダンスの値に影響を与えない値に設定することを特徴
としている。

【００１９】請求項１１記載の発明は、請求項７、８、
９又は１０記載の電磁波シールド方法に係り、前記電磁
波シールド層を、前記各信号配線パターン及び前記各電
子部品のリードを覆うように形成することを特徴として
いる。

【００２０】請求項１２記載の発明は、請求項７、８、
９、１０又は１１記載の電磁波シールド方法に係り、前
記電磁波シールド層を、前記誘電体基板を貫通するビア
ホールを介して前記接地層に接続することを特徴として
いる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。第１の実施形態 図１は、この発明の第１の実施形態であるプリント配線
板を示す平面図である。この形態のプリント配線板２０
は、同図に示すように、誘電体基板２１と、グラウンド
・プレーン２２と、ＬＳＩ２３，…，２３と、信号配線
パターン２４，…，２４と、電磁波シールド板２５と、
ビアホール２６，…，２６とから構成されている。誘電
体基板２１は、たとえばガラス・エポキシなどで形成さ
れ、所定の厚み及び比誘電率を有している。グラウンド
・プレーン２２は、誘電体基板２１の裏面に形成された
平面導体板である。

【００２２】ＬＳＩ２３，…，２３は、ＳＯＰ（Small
Outline Package ）型の外部接続用のリードを有し、誘
電体基板２１の表面に実装されている。信号配線パター
ン２４，…，２４は、誘電体基板２１の表面に所定の幅
で形成され、ＬＳＩ２３，…，２３のリードに接続され
て各種の信号（たとえばクロックのような高速の信号）
を伝送する。特に、この実施形態では、信号配線パター
ン２４，…，２４は、ビアホール２６，…，２６との間
の容量性の反射によるノイズの影響を避けるために、誘
電体基板２１の表面のみに形成され、同ビアホール２
６，…，２６を通過しない。電磁波シールド板２５は、
信号配線パターン２４，…，２４を覆うように形成さ
れ、誘電体基板２１を貫通するビアホール２６，…，２
６を介してグラウンド・プレーン２２と接続されて同信
号配線パターン２４，…，２４から発生した電磁波をシ
ールドする。

【００２３】図２は、図１に示すプリント配線板２０の
Ａ方向透視図である。同図２に示すように、誘電体基板
２１の底面には、グラウンド・プレーン（接地層）２２
が形成され、信号配線パターン２４，…，２４の上には
電磁波シールド板２５が形成されている。電磁波シール
ド板２５は、導体板２５ａと、絶縁膜２５ｂと、保護膜
２５ｃとから構成されている。導体板２５ａは、たとえ
ば銅箔などで形成され、信号配線パターン２４，…，２
４から発生した電磁波をシールドする。絶縁膜２５ｂ
は、たとえばポリイミドなどで形成され、導体板２５ａ
と信号配線パターン２４，…，２４との間を絶縁する。
保護膜２５ｃは、たとえばポリイミドなどで形成され、
導体板２５ａの表面を保護する。

【００２４】図３は、図２中の信号配線パターン２４及
び電磁波シールド板２５を含む部分の拡大断面図であ
る。同図３中の信号配線パターン２４，…，２４は、上
方に導体板２５ａが形成された場合、同導体板２５ａが
形成される前に比較して特性インピーダンスが減少す
る。このため、信号配線パターン２４，…，２４の幅
は、導体板２５ａが形成された場合に特性インピーダン
スがＬＳＩ２３，…，２３の入力インピーダンス及び出
力インピーダンスと整合する値（たとえば、５０Ω）に
設定されている。この特性インピーダンス（Ｚ）は、信
号配線パターン２４，…，２４のインダクタンス（Ｌ）
と、同信号配線パターン２４，…，２４とグラウンド・
プレーン２２との間の静電容量（Ｃｇ）と、同信号配線
パターン２４，…，２４と電磁波シールド板２５との間
の静電容量（Ｃｓ）とに基づいて次式で概略の値が求め
られる。 Ｚ＝√｛Ｌ／（Ｃｇ＋Ｃｓ）｝ このため、たとえば、特性インピーダンスが５０Ωに設
定される場合、信号配線パターン２４，…，２４の幅は
たとえば３０μｍ、及び電磁波シールド板２５の絶縁膜
２５ｂの膜厚がたとえば６０μｍに設定される。なお、
電磁波シールド板２５が設けられない場合では、信号配
線パターン２４，…，２４の幅がたとえば３５μｍとな
る。

【００２５】図４は、放射雑音が電磁波シールド板２５
によってシールドされる様子を示す図である。この図４
を参照して、この形態の電磁波シールド方法について説
明する。このプリント配線板２０では、信号配線パター
ン２４，…，２４はビアホール２６を通過しないので、
同信号配線パターン２４，…，２４の特性インピーダン
スがＬＳＩ２３，…，２３の入力インピーダンス及び出
力インピーダンスと整合する値（５０Ω）となる。この
ため、信号配線パターン２４，…，２４を伝搬する信号
がたとえばクロックのような高速の信号の場合でも、同
信号が容量性の反射によるノイズの影響を受けることが
なく、正確な位相で伝送される。そして、ＬＳＩ２３，
…，２３に誤動作が発生せず、正確に動作する。また、
グラウンド・プレーン２２と接続された電磁波シールド
板２５が信号配線パターン２４，…，２４を覆うように
形成されているので、図４に示すように、同信号配線パ
ターン２４，…，２４に流れる電流によって発生する電
磁波Ｍによる放射雑音は、電磁波シールド板２５からビ
アホール２６，…，２６を介してグラウンド・プレーン
２２に吸収される。このため、他の電子機器に対するＥ
ＭＩの影響が低減される。

【００２６】以上のように、この第１の実施形態では、
信号配線パターン２４，…，２４は、ビアホールを通過
せず、かつ所定の特性インピーダンスが設定されている
ので、同信号配線パターン２４，…，２４を伝搬する信
号が正確な位相で伝送され、ＬＳＩ２３，…，２３に誤
動作が発生せず、正確に動作する。さらに、信号配線パ
ターン２４，…，２４の上方に電磁波シールド板２５が
設けられているので、同信号配線パターン２４，…，２
４に流れる電流によって発生する電磁波Ｍによる放射雑
音は、電磁波シールド板２５からビアホール２６，…，
２６を介してグラウンド・プレーン２２に吸収される。
このため、他の電子機器に対するＥＭＩの影響が低減で
きる。

【００２７】第２の実施形態 図５は、この発明の第２の実施形態であるプリント配線
板を示す平面図であり、第１の実施形態を示す図１中の
要素と共通の要素には共通の符号が付されている。この
形態のプリント配線板２０Ａでは、図５に示すように、
図１中の信号配線パターン２４，…，２４及び電磁波シ
ールド板２５に代えて、幅の異なる信号配線パターン２
４Ａ，…，２４Ａ及び異なる構成の電磁波シールド板２
５Ａが設けられている。電磁波シールド板２５Ａは、信
号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａの特性インピーダン
スの値に影響を与えない位置に設けられている。信号配
線パターン２４Ａ，…，２４Ａの幅は、その特性インピ
ーダンスの値が電磁波シールド板２５Ａの影響を受けな
いので、たとえば３５μｍに設定されている。他は、図
１と同様の構成である。

【００２８】図６は、図５に示すプリント配線板のＡ方
向透視図であり、第１の実施形態を示す図２中の要素と
共通の要素には共通の符号が付されている。図６に示す
ように、信号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａの上には
電磁波シールド板２５Ａが形成されている。電磁波シー
ルド板２５Ａでは、図２中の絶縁膜２５ｂに代えて、膜
厚の異なる絶縁膜２５ｄが設けられている。絶縁膜２５
ｄの厚みは、信号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａのイ
ンダクタンスと、信号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａ
とグラウンド・プレーン２２との間の静電容量とに基づ
いて求められる同信号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａ
の特性インピーダンスの値（５０Ω）に対して電磁波シ
ールド板２５Ａが影響を与えない値に設定され、信号配
線パターン２４Ａ，…，２４Ａの幅が３５μｍの場合、
たとえば１５０μｍ以上に設定されている。

【００２９】このプリント配線板２０Ａでは、第１の実
施形態と同様の電磁波シールド方法が行われ、同様の利
点がある。さらに、信号配線パターン２４Ａ，…，２４
Ａの特性インピーダンスの値に対して電磁波シールド板
２５Ａが影響を与えないので、同信号配線パターン２４
Ａ，…，２４Ａの幅は、同電磁波シールド板２５Ａがな
い場合の値に設定でき、同電磁波シールド板２５Ａの影
響を考慮する必要がない。

【００３０】第３の実施形態 図７は、この発明の第３の実施形態であるプリント配線
板を示す平面図であり、第２の実施形態を示す図５中の
要素と共通の要素には共通の符号が付されている。この
形態のプリント配線板２０Ｂでは、図７に示すように、
図５中の電磁波シールド板２５Ａに代えて、異なる構成
の電磁波シールド板２５Ｂが設けられている。電磁波シ
ールド板２５Ｂは、信号配線パターン２４Ａ，…，２４
Ａの特性インピーダンスの値に影響を与えない位置に設
けられると共に、同信号配線パターン２４Ａ，…，２４
Ａ及びＬＳＩ２３，…，２３のリードを覆うように形成
されている。他は、図５と同様の構成である。

【００３１】図８は、図７に示すプリント配線板のＡ方
向透視図であり、第２の実施形態を示す図６中の要素と
共通の要素には共通の符号が付されている。図８に示す
ように、信号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａの上には
電磁波シールド板２５Ｂが形成されている。電磁波シー
ルド板２５Ｂでは、図６中の導体板２５ａ、絶縁膜２５
ｄ及び保護膜２５ｃに代えて、それぞれ同様の厚みを有
し、信号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａ及びＬＳＩ２
３，…，２３のリードを覆う形状の導体板２５ｅ、絶縁
膜２５ｆ及び保護膜２５ｇが設けられている。

【００３２】このプリント配線板２０Ｂでは、電磁波シ
ールド板２５Ｂが信号配線パターン２４Ａ，…，２４Ａ
及びＬＳＩ２３，…，２３のリードを覆うように形成さ
れているので、同信号配線パターン２４，…，２４及び
ＬＳＩ２３，…，２３のリードに流れる電流によって発
生する電磁波による放射雑音は、電磁波シールド板２５
Ｂからビアホール２６，…，２６を介してグラウンド・
プレーン２２に吸収される。このため、他の電子機器に
対するＥＭＩの影響が低減される。

【００３３】以上のように、この第３の実施形態では、
信号配線パターン２４，…，２４及びＬＳＩ２３，…，
２３のリードに流れる電流によって発生する電磁波によ
る放射雑音は、電磁波シールド板２５Ｂからビアホール
２６，…，２６を介してグラウンド・プレーン２２に吸
収される。このため、第１の実施形態の利点に加え、他
の電子機器に対するＥＭＩの影響がさらに低減できる。

【００３４】以上、この発明の実施形態を図面により詳
述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られる
ものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計
の変更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、プ
リント配線板２０，２０Ａ，２０Ｂに実装される電子部
品は、ＬＳＩ２２，…，２２に限らず、たとえば抵抗や
コンデンサなどの個別部品でも良い。また、信号配線パ
ターン２４，２４Ａの特性インピーダンスの値は、５０
Ωに限らず、たとえば７５Ωや１５０Ωなどでも良い。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の構成に
よれば、信号配線パターンはビアホールに接続されず、
かつ電子部品の入力インピーダンス及び出力インピーダ
ンスと整合する特性インピーダンスが設定されているの
で、同信号配線パターンを伝搬する信号が正確な位相で
伝送され、電子部品に誤動作が発生せず、正確に動作す
る。さらに、信号配線パターンの上方に電磁波シールド
層が設けられているので、同信号配線パターンに流れる
電流によって発生する電磁波による放射雑音は、電磁波
シールド層からビアホールを介してグラウンド・プレー
ンに吸収される。このため、他の電子機器に対するＥＭ
Ｉの悪影響を低減できる。

【００３６】また、信号配線パターンの特性インピーダ
ンスの値に対して電磁波シールド層が影響を与えないの
で、同信号配線パターンの幅は、同電磁波シールド層が
ない場合の値に設定でき、同電磁波シールド層の影響を
考慮する必要がない。また、信号配線パターン及び電子
部品のリードに流れる電流によって発生する電磁波によ
る放射雑音は、電磁波シールド層からビアホールを介し
てグラウンド・プレーンに吸収される。このため、他の
電子機器に対するＥＭＩの悪影響をさらに低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態であるプリント配線
板を示す平面図である。

【図２】図１に示すプリント配線板のＡ方向透視図であ
る。

【図３】図２中の信号配線パターン２４及び電磁波シー
ルド板２５を含む部分の拡大断面図である。

【図４】放射雑音が電磁波シールド板２５によってシー
ルドされる様子を示す図である。

【図５】この発明の第２の実施形態であるプリント配線
板を示す平面図である。

【図６】図５に示すプリント配線板のＡ方向透視図であ
る。

【図７】この発明の第３の実施形態であるプリント配線
板を示す平面図である。

【図８】図７に示すプリント配線板のＡ方向透視図であ
る。

【図９】従来のプリント配線板を示す平面図である。

【図１０】図９に示すプリント配線板のＡ方向透視図で
ある。

【図１１】放射雑音が空間に伝搬する様子を示す図であ
る。

【符号の説明】

２０，２０Ａ，２０Ｂ プリント配線板 ２１ 誘電体基板 ２２ グラウンド・プレーン（接地層） ２３ ＬＳＩ（電子部品） ２４，２４Ａ 信号配線パターン ２５，２５Ａ，２５Ｂ 電磁波シールド板（電磁波
シールド層） ２５ａ，２５ｅ 導体板 ２５ｂ，２５ｄ，２５ｆ 絶縁膜 ２６ ビアホール

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体基板と、該誘電体基板の一方の面
   に形成された接地層と、外部接続用のリードを有し、前
   記誘電体基板の他方の面に実装された電子部品と、前記
   誘電体基板の前記他方の面に所定の幅で形成され、前記
   電子部品の前記リードに接続されて各種の信号を伝送す
   るための信号配線パターンとを備えてなるプリント配線
   板であって、 前記信号配線パターンを覆うように形成され、前記接地
   層と接続されて前記信号配線パターンから発生した電磁
   波をシールドするための電磁波シールド層が設けられ、
   かつ、 前記信号配線パターンの幅は、 該信号配線パターンの特性インピーダンスが前記電子部
   品の入力インピーダンス及び出力インピーダンスと整合
   する値に設定されていることを特徴とするプリント配線
   板。
2. 【請求項２】 所定の厚み及び比誘電率を有する誘電体
   基板と、該誘電体基板の一方の面に形成された接地層
   と、外部接続用のリードを有し、前記誘電体基板の他方
   の面に実装された電子部品と、前記誘電体基板の前記他
   方の面に所定の幅で形成され、前記電子部品の前記リー
   ドに接続されて各種の信号を伝送するための信号配線パ
   ターンとを備えてなるプリント配線板であって、 前記信号配線パターンを覆うように形成され、前記接地
   層と接続されて前記信号配線パターンから発生した電磁
   波をシールドするための電磁波シールド層が設けられ、
   かつ、 前記信号配線パターンの幅は、 該信号配線パターンのインダクタンスと、該信号配線パ
   ターンと前記接地層との間の静電容量と、該信号配線パ
   ターンと前記電磁波シールド層との間の静電容量とに基
   づいて求められる該信号配線パターンの特性インピーダ
   ンスが前記電子部品の入力インピーダンス及び出力イン
   ピーダンスと整合する値に設定されていることを特徴と
   するプリント配線板。
3. 【請求項３】 前記電磁波シールド層は、 前記信号配線パターンから発生した電磁波をシールドす
   るための導体板と、 該導体板と前記各信号配線パターンとの間を絶縁するた
   めの絶縁膜とを備えてなることを特徴とする請求項１又
   は２記載のプリント配線板。
4. 【請求項４】 前記絶縁膜の厚みは、 前記各信号配線パターンと前記接地層との間の静電容量
   に基づいて求められる前記各信号配線パターンの特性イ
   ンピーダンスの値に影響を与えない値に設定されている
   ことを特徴とする請求項３記載のプリント配線板。
5. 【請求項５】 前記電磁波シールド層は、 前記各信号配線パターン及び前記各電子部品のリードを
   覆うように形成されていることを特徴とする請求項１、
   ２、３又は４記載のプリント配線板。
6. 【請求項６】 前記電磁波シールド層は、 前記誘電体基板を貫通するビアホールを介して前記接地
   層に接続されていることを特徴とする請求項１、２、
   ３、４又は５記載のプリント配線板。
7. 【請求項７】 誘電体基板と、該誘電体基板の一方の面
   に形成された接地層と、外部接続用のリードを有し、前
   記誘電体基板の他方の面に実装された電子部品と、前記
   誘電体基板の前記他方の面に所定の幅で形成され、前記
   電子部品の前記リードに接続されて各種の信号を伝送す
   るための信号配線パターンとを備えてなるプリント配線
   板において、 前記接地層と接続された電磁波シールド層を前記信号配
   線パターンを覆うように形成し、かつ、 前記信号配線パターンの幅を、該信号配線パターンの特
   性インピーダンスが前記電子部品の入力インピーダンス
   及び出力インピーダンスと整合する値に設定することを
   特徴とする電磁波シールド方法。
8. 【請求項８】 所定の厚み及び比誘電率を有する誘電体
   基板と、該誘電体基板の一方の面に形成された接地層
   と、外部接続用のリードを有し、前記誘電体基板の他方
   の面に実装された電子部品と、前記誘電体基板の前記他
   方の面に所定の幅で形成され、前記電子部品の前記リー
   ドに接続されて各種の信号を伝送するための信号配線パ
   ターンとを備えてなるプリント配線板において、 前記接地層と接続された電磁波シールド層を前記信号配
   線パターンを覆うように形成し、かつ、 前記信号配線パターンの幅を、該信号配線パターンのイ
   ンダクタンスと、該信号配線パターンと前記接地層との
   間の静電容量と、該信号配線パターンと前記電磁波シー
   ルド層との間の静電容量とに基づいて求められる該信号
   配線パターンの特性インピーダンスが前記電子部品の入
   力インピーダンス及び出力インピーダンスと整合する値
   に設定することを特徴とする電磁波シールド方法。
9. 【請求項９】 前記電磁波シールド層は、 前記信号配線パターンから発生した電磁波をシールドす
   るための導体板と、 該導体板と前記各信号配線パターンとの間を絶縁するた
   めの絶縁膜とを備えてなることを特徴とする請求項７又
   は８記載の電磁波シールド方法。
10. 【請求項１０】 前記絶縁膜の厚みを、前記各信号配線
    パターンと前記接地層との間の静電容量に基づいて求め
    られる前記各信号配線パターンの特性インピーダンスの
    値に影響を与えない値に設定することを特徴とする請求
    項９記載の電磁波シールド方法。
11. 【請求項１１】 前記電磁波シールド層を、前記各信号
    配線パターン及び前記各電子部品のリードを覆うように
    形成することを特徴とする請求項７、８、９又は１０記
    載の電磁波シールド方法。
12. 【請求項１２】 前記電磁波シールド層を、前記誘電体
    基板を貫通するビアホールを介して前記接地層に接続す
    ることを特徴とする請求項７、８、９、１０又は１１記
    載の電磁波シールド方法。