JP2003342777A - 剥離可能なアルミニウム支持体を有する極薄銅箔、およびその製造方法 - Google Patents

剥離可能なアルミニウム支持体を有する極薄銅箔、およびその製造方法

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JP2003342777A JP2002144358A JP2002144358A JP2003342777A JP 2003342777 A JP2003342777 A JP 2003342777A JP 2002144358 A JP2002144358 A JP 2002144358A JP 2002144358 A JP2002144358 A JP 2002144358A JP 2003342777 A JP2003342777 A JP 2003342777A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アルミニウム支持体上に形成された極薄銅箔
に関し、簡便な方法で銅箔に損傷を与えることなくアル
ミニウム支持体を剥離可能とした、剥離可能なアルミニ
ウム支持体を有する極薄銅箔を提供すること。 【解決手段】 アルミニウム支持体と、このアルミニウ
ム支持体上に設けられた亜鉛層と、この亜鉛層上に設け
られた極薄銅箔とからなる複合箔とし、該亜鉛層の極薄
銅箔に接する面の最表面に、酸素濃度が10原子%以上
の領域として規定される酸化亜鉛層を実質的に有し、ア
ルミニウム支持体と極薄銅箔とが剥離可能であることを
特徴とするアルミニウム支持体を有する極薄銅箔とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般にプリント配
線板、フレキシブルプリント配線板に用いられる極薄銅
箔に関するものである。特に、厚さが12μm以下の極
薄銅箔であって、その極薄銅箔の取り扱いを容易にする
ために支持体を有する極薄銅箔に関するものである。ま
た、本発明は、前記支持体と極薄銅箔とが剥離可能とさ
れている支持体を有する極薄銅箔に関するものであり、
また前記支持体を有する極薄銅箔の製造方法に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】近年、携帯電話に代表される各種携帯機
器の発展に伴い、プリント配線回路に要求される配線ピ
ッチ、信頼性は極めて高くなっている。特に液晶ディス
プレー関連ではその配線ピッチが50μm以下の信頼性
の高い配線回路を形成しなければならない。プリント配
線板の製造方法はサブトラクティブ法が一般的であり、
使用する銅箔の薄箔化も年々進行している。電解銅箔の
生産傾向からわかるように、現在、銅箔厚みは18μm
から12μmが主流になってきており、さらに9μmの
生産も開始されつつある。高密度配線を達成するために
は銅箔厚みの薄箔化が必須であるが、9μm以下の厚み
領域では、銅箔の製造工程、特にカソードのドラムから
銅箔を巻き取る工程で銅箔の切断が起こりやすくなり、
品質上また歩留まりの面で限界とされている。従って9
μm以下の銅箔を製造する場合、キャリアを使用する方
法が一般的である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】キャリアを使用する例
として、「電子材料(2000年10月号)」には、キ
ャリアとしてアルミニウム、銅を使用し、それぞれ9μ
m、3μm極薄銅箔の製造方法が開示されている。特開
昭48−35357号、特開昭54−14298号には
アルミニウム箔上へ直接電解銅メッキを行い、絶縁基板
に接着剤を用いて貼り合わせた後アルミニウム箔を除去
する極薄銅箔付き積層板の製造方法が開示されている。
アルミニウム箔は経済的にも安価ではあるが、絶縁基板
と貼り合わせた後、アルミニウムを除去する工程が必要
になる。一般的には塩酸などで化学的に溶解除去する
が、このとき排出される廃液の処理に相当の工数を要す
るため大幅なコストアップにつながり、また、膨大な廃
棄物は環境に対しても問題が多い。
【0004】キャリアとしてアルミニウムを用いる場
合、アルミニウムに亜鉛層を設けることはしばしば行わ
れる。これは、アルミニウムに直接銅メッキを施すと密
着力が弱すぎてすぐに剥離してしまうからである。亜鉛
層を設ける方法としては「ジンケート法」と呼ばれる亜
鉛置換メッキや、亜鉛の電気メッキがあるが、いずれの
方法でも剥離強度が大きすぎて、アルミニウムを剥離す
ることは不可能である。これらキャリアとして特にアル
ミニウムを使用した極薄銅箔に関し、キャリアを剥離可
能とする試みもなされている。この場合、キャリアを化
学的に溶解除去する必要がないため、工程が簡略化され
るとともに、廃液の問題も解決できる。
【0005】キャリアを剥離可能とした例をあげると、
特公昭60−31915号にはアルミニウムの表面を清
浄化、陰極活性化した後、陽極酸化膜を形成して剥離層
とする方法が提案されている。しかしこの方法では、陰
極活性化と陽極酸化の工程で電解処理を行うため、銅メ
ッキ以外の電解設備が必要となるため工程が複雑にな
る。さらに、酸化膜を除去したアルミニウムの表面は非
常に活性であってその制御は困難であり、結果として使
用するアルミニウムのロットによるばらつきとアルミニ
ウムの面内によるばらつきにより、全面にわたって一定
の剥離強度に制御することが極めて困難であったり、部
分的にアルミニウム酸化膜の厚い部分が形成されるため
に全面にわたって一定の厚みの銅メッキ箔が得られなか
ったりするという課題がある。
【0006】また、別の例として、特開2000−59
035号にはアルミニウム支持体層に、アルミニウム支
持体層に接する開孔を有する電着銅層と、開孔を有する
電着銅層の開孔に貫入する亜鉛層とからなる保護層を電
着し、この保護層を剥離層とする方法が提案されてい
る。この場合、亜鉛層が開孔を有する電着銅層の開孔部
のみにおいてアルミニウムに接しているため、剥離強度
を制御することが可能となっている。しかしこの方法に
おいても、電解工程が2工程増える上、酸化膜を除去し
た不安定なアルミニウム表面上の開孔を有する電着銅層
の開孔率を制御することも困難である。さらに、開孔部
においては局所的に剥離強度が大きいため、アルミニウ
ムを剥離する際に極薄銅箔に何らかの損傷を与える可能
性が懸念される。本発明は上記課題が解決された極薄銅
箔と、その製造方法を提供する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を重ねた結果、アルミニウム
支持体上に設けられた亜鉛層の極薄銅箔に接する面の最
表面に酸化亜鉛層を有していることにより、アルミニウ
ム支持体と極薄銅箔との剥離強度がコントロールされ、
剥離可能とできることを見出し、本発明をなすにいたっ
た。すなわち本発明は、 1.アルミニウム支持体と、このアルミニウム支持体上
に設けられた亜鉛層と、この亜鉛層上に設けられた極薄
銅箔とからなる複合箔であって、該亜鉛層の極薄銅箔に
接する面の最表面に、酸素濃度が10原子%以上の領域
として規定される酸化亜鉛層を実質的に有し、アルミニ
ウム支持体と極薄銅箔とが剥離可能であることを特徴と
する極薄銅箔である。 2.さらに、前記酸化亜鉛層の厚みが0.01μm〜
0.2μmであることを特徴とする1に記載の極薄銅箔
である。 3.さらに、アルミニウム支持体と極薄銅箔との剥離強
度が0.05N/cm〜1N/cmであることを特徴と
する、1または2に記載のアルミニウム支持体を有する
極薄銅箔である。 4.さらに、アルミニウム支持体が、絶縁フィルム基材
上に設置されていることを特徴とする、1〜3に記載の
アルミニウム支持体を有する極薄銅箔である。 5.アルミニウム支持体に亜鉛メッキを施し、さらにp
H7〜10の中性ないし弱アルカリ水溶液で処理するこ
とにより亜鉛層の表面に酸化亜鉛層を形成し、しかる後
に電解銅メッキをすることを特徴とする1〜4に記載の
極薄銅箔の製造方法である。
【0008】以下、本発明をより詳細に説明する。本発
明で用いるアルミニウム支持体は、厚みが0.1〜10
0μm、より好ましくは5〜40μmのものが好適に用
いられる。0.1μmより薄いとピンホールによる不良
が増加するほか、亜鉛メッキ時に十分な厚みの亜鉛層を
付与することが困難となる。また、100μmより厚い
とロール処理が困難であること、銅メッキ後の熱プレス
時に発生する応力の増大のため極薄銅箔に損傷を与える
ため好ましくない。この範囲で取り扱いの面で適宜選択
すればよい。
【0009】また、アルミニウム支持体は絶縁フィルム
上に形成されたものであっても良い。アルミニウム支持
体の厚みが20μm以下の場合は、絶縁フィルム上に形
成した場合に取り扱いや、機械搬送の面で有利である。
アルミニウム支持体を絶縁フィルム上に形成する方法と
しては、アルミニウム支持体とPETフィルムに代表さ
れる絶縁フィルムを接着剤や粘着剤、あるいはこれらの
シートをはさんで貼りあわせる方法、アルミニウム支持
体上に絶縁樹脂のワニスを塗布し、乾燥硬化させる方
法、絶縁フィルム上にアルミニウムを蒸着する方法等が
ある。アルミニウム支持体は絶縁フィルムの片面に形成
されていても、両面に形成されていても差し支えない。
【0010】本発明における亜鉛層は、前記アルミニウ
ム支持体に亜鉛置換メッキ、もしくは電解亜鉛メッキで
形成することができる。亜鉛置換メッキは一般にジンケ
ート法と呼ばれ、亜鉛イオンを含む酸もしくはアルカリ
水溶液中でアルミニウムが溶解し、亜鉛イオンが還元析
出することにより亜鉛層を形成することができるため、
電解設備が不要で簡便に実施できる。この亜鉛層の厚み
は、本発明の酸化亜鉛層を形成するのに十分な厚みがあ
ればよく、好ましい範囲は0.001〜1μmである。
【0011】本発明における酸化亜鉛層は、アルミニウ
ム支持体を剥離可能とするために必須である。すなわ
ち、亜鉛層の極薄銅箔に接する面の最表面に、酸素濃度
が10原子%以上の領域として規定される酸化亜鉛層を
実質的に有していることが必要である。この領域は、最
表面からの厚みにして0.01μm〜0.2μmである
ことが好ましい。この酸化亜鉛層が存在することによ
り、銅メッキ時、あるいはその後の熱プレス処理時にお
いて、銅と亜鉛層界面での拡散現象が抑制されるために
その界面の剥離強度が制御され、その結果アルミニウム
支持体を剥離可能とすることができる。亜鉛メッキを施
したのみの場合においても、自然酸化により酸化亜鉛層
は形成されるが、酸素濃度が10原子%以上の領域は、
最表面からの厚みにして0.01μm未満である。この
場合は酸化亜鉛層の厚みがごく薄いため、その後の銅メ
ッキ工程で消失するか、消失しなくても銅と亜鉛層の拡
散現象を抑制するには不十分であり、その結果アルミニ
ウム支持体が実質的に剥離不可能となるほど剥離強度が
強くなる。
【0012】また、この酸化亜鉛層において酸素濃度が
10原子%以上の領域が、最表面からの厚みにして0.
2μmを超える場合、銅と亜鉛層界面での拡散現象がほ
とんどなくなるため、逆に剥離強度が弱すぎて銅メッキ
工程や、熱プレス処理時に剥離してしまうことがあるた
め、好ましくない。前記理由により、剥離強度は0.0
5〜1N/cmであることが好ましい。
【0013】一般に置換メッキによる亜鉛層は1μm以
下のごく薄い層であるので、酸化処理した場合に酸化亜
鉛層と同時に酸化アルミニウム層も形成されるが、酸素
の濃度と酸化層厚みが前記の範囲であればよい。また、
酸化亜鉛層の厚みが、酸化処理前の亜鉛層の厚みより厚
くなる場合は、実質的に金属亜鉛層は存在しなくなる
が、酸素濃度が10原子%以上の領域として規定される
酸化亜鉛層および酸化亜鉛層に連続する酸化アルミニウ
ム層の合計が、最表面からの厚みにして0.01μm〜
0.2μmであれば本発明の作用効果は発現する。
【0014】本発明における酸化亜鉛層の酸素濃度と酸
化層厚みは、オージェ電子分光法(AES)を用いて測
定することができる。すなわち、本発明でいう酸化亜鉛
層の酸素濃度と酸化層厚みは、次のようにして測定して
求める。オージェ電子分光装置を用い、アルゴンイオン
でスパッタリングしながら、亜鉛、アルミニウム、酸
素、炭素の各元素をモニターする。スパッタリング深さ
は酸化シリコン(SiO 2)膜を同じ条件であらかじめ
測定した値を用いる。モニターした各元素の信号強度か
ら、各元素の相対原子濃度を求める。
【0015】本発明のアルミニウム支持体を有する極薄
銅箔は、次のようにして製造することができる。すなわ
ち、アルミニウム支持体に亜鉛メッキを施し、さらにp
H7〜10の中性ないし弱アルカリ水溶液で処理するこ
とにより亜鉛層の表面に酸化亜鉛層を形成し、しかる後
に電解銅メッキをすることにより製造することができ
る。酸化亜鉛層の形成に用いる中性ないし弱アルカリ水
溶液のpHが7未満もしくは10を超える場合、亜鉛層
およびアルミニウム支持体の溶解が顕著となり、亜鉛層
が消失してしまう場合がある。このような中性ないし弱
アルカリ水溶液の例としては、炭酸ナトリウム、炭酸水
素ナトリウムを始めとする各種炭酸塩、ホウ酸塩、リン
酸塩、ケイ酸塩等の無機塩類の水溶液や、酢酸ナトリウ
ム、トリエタノールアミンなどの有機化合物があげられ
る。また、処理条件は、亜鉛層の形成方法や厚みにもよ
るが、通常60〜100℃で2秒〜10分である。酸化
亜鉛層が前記の酸素濃度と酸化層厚みになるように、処
理液のpHと処理条件を適宜選択すればよい。
【0016】酸化亜鉛層は前記の方法の他、ドライプロ
セスを用いても構わない。すなわち、酸素プラズマや、
オゾンなどの活性酸素雰囲気中で処理することにより、
本発明に適した酸化亜鉛層を形成することもできる。本
発明の極薄銅箔は、前記酸化亜鉛層の表面に電解銅メッ
キを施すことにより形成される。電解銅メッキは、ピロ
リン酸銅メッキ浴などの実質的に亜鉛層を侵食しないメ
ッキ浴が好ましい。また、メッキ厚みは用途により適宜
決定すればよいが、特にセミアディティブ法により微細
配線回路を作製する場合は、その厚みは9μm以下であ
ることが好ましく、更に好ましくは0.2〜2μmであ
る。なお、銅メッキの厚みは蛍光X線法により測定する
ことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例に基づき説
明する。
【実施例1−3、および比較例1,2】接着剤付き38
μm厚のPETフィルムに東洋アルミ社製アルミニウム
箔C材(純度:1N30、厚み12μm)を旭化成社製
ラミネーターにより貼り付け出発基板を作製した。次に
アルミニウム箔表面をエチルアルコールで拭き上げ、さ
らに奥野製薬社製トップアルクリーン101、50℃、
3分間脱脂を行い、17%硝酸、同社製トップデスマッ
トN−20処理液で洗浄し、続いて同社製サブスターZ
N111処理液を用いてジンケート処理を実施した。ジ
ンケート処理は25℃、1分間で2回行い、1回目のジ
ンケートの剥離は15%硝酸、25℃、1分間で行っ
た。その後、1%炭酸ナトリウム水溶液で、表1に示す
ような各条件にて浸漬処理し、酸化亜鉛層を形成した。
このうち、No.2〜No.4が本発明の実施例であ
り、No.1およびNo.5は本発明の範囲外で比較例
である。それぞれ酸化層厚みをオージェ電子分光法(A
ES)にて測定した。測定条件は次のとおりである。P
HI 680型オージェ電子分光装置を用い、SiO2
膜が4.0nm/minの速度でスパッタされる条件に
て酸化亜鉛層をAr+スパッタしながら、C,O,A
l,Znの各原子をモニターする。各原子の検出強度の
合計を100%とし、O原子の相対原子濃度が10%に
なるまでのスパッタ時間から酸化層厚みを求めた。結果
を表1に示す。
【0018】得られた基板を、上村工業社製ピロリン酸
銅メッキ液ピロゾールに上村工業社製の光沢剤PY−6
1(0.3ml/l)、アンモニア(3ml/l)をそ
れぞれ添加したメッキ液を用い、液温55℃、エアー攪
拌、電流密度2A/dm2で143秒間メッキを行っ
て、図1に示すようなアルミニウム支持体を有する極薄
銅箔を作製した。
【0019】次にニッカン工業社製ニカフレックス(ポ
リイミドフィルム25μm、接着剤35μm)に銅面と
接着剤面を重ねて30kg/cm2、160℃、60分
間プレス接着した。極薄銅箔とアルミニウム支持体との
剥離強度は、積層した基板を25mm幅に切り出し、ポ
リイミドフィルム面をエポキシ接着剤でFR−4基板に
固定し、PETフィルムの端部をアルミニウム支持体ご
とチャックして、90゜剥離試験法で測定した。具体的
測定方法は次のとおりである。図2に示すように、積層
体を25mm幅にカットし、島津製作所社製オートグラ
フAGS−50型引っ張り試験機と90゜剥離試験治具
を用いて、PETフィルムとアルミニウム支持体を50
mm/分の速度で引き剥がす時の剥離強度を測定した。
測定した結果を表1に示す。
【0020】この結果、実施例1〜3ではいずれも銅箔
に損傷を受けることなく、アルミニウム支持体を剥離す
ることができた。しかし、比較例1では銅箔と接着剤の
間で剥離した上、銅箔が引き裂かれて損傷を受けた。ま
た、比較例2ではプレス接着後に剥離してしまい、剥離
強度の測定ができなかった。
【0021】
【比較例3】接着剤付き38μm厚のPETフィルムに
東洋アルミ社製アルミニウム箔C材(純度:1N30、
厚み12μm)を旭化成社製ラミネーターにより貼り付
け出発基板を作製した。このアルミ面を奥野製薬社製ト
ップアルクリーン101、50℃、3分間脱脂を行い、
17%硝酸、同社製トップデスマットN−20処理液で
洗浄した。ついで水洗したのち、63容量%のリン酸、
15容量%の硫酸、22容量%の水からなる電解液を用
い、洗浄後のアルミニウムを陰極として電流密度4A/
dm2(400A/m2)の条件にて陰極活性化を行っ
た。さらに水洗したのち、63容量%のリン酸、15容
量%の硫酸、22容量%の水からなる電解液に導入し、
アルミニウムを陽極として電流密度2A/dm2(20
0A/m2)の条件にて陽極酸化処理を行った。その後
は実施例1〜3と同様にしてピロリン酸銅メッキを行
い、アルミニウム支持体を有する極薄銅箔を作製した。
これを実施例1〜3と同様の方法にて極薄銅箔とアルミ
ニウム支持体との剥離強度を測定したところ、剥離強度
は0.09N/cmであり、剥離は可能であったが、部
分的に銅メッキが薄い部分が存在しているため剥離時に
銅箔が損傷を受けた。
【0022】
【発明の効果】本発明によれば、電解工程を増やすこと
なく比較的簡便な方法で、剥離可能なアルミニウム支持
体を有する極薄銅箔が得られる。また、酸化亜鉛層を有
することにより、剥離強度をコントロールすることがで
き、銅箔に損傷を与えることなくアルミニウム支持体を
剥離することができる。
【0023】
【表1】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のアルミニウム支持体を有する極薄銅箔
の層構造を示す図。
【図2】本発明の実施例、および比較例で用いている、
アルミニウム支持体を有する極薄銅箔を絶縁基板上に接
着した場合の層構造、および、絶縁フィルム、アルミニ
ウム支持体、亜鉛層を剥離して、絶縁基板上に極薄銅箔
を接着した状態を示す図。
【符号の説明】 A 絶縁フィルム B アルミニウム支持体 C 表面に酸化亜鉛層を有する亜鉛層 D 極薄銅箔層 E 接着剤(Fに付属) F ポリイミドフィルム G エポキシ接着剤 H FR−4ガラスクロスエポキシ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 BB01 BB30 DD04 DD54 GG20 4K022 AA02 AA32 AA42 BA25 DA03 4K044 AA06 AB02 BA06 BA10 BA12 BB03 BB04 BC05 CA15 CA16 CA18

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルミニウム支持体と、このアルミニウ
    ム支持体上に設けられた亜鉛層と、この亜鉛層上に設け
    られた極薄銅箔とからなる複合箔であって、該亜鉛層の
    極薄銅箔に接する面の最表面に、酸素濃度が10原子%
    以上の領域として規定される酸化亜鉛層を実質的に有
    し、アルミニウム支持体と極薄銅箔とが剥離可能である
    ことを特徴とする極薄銅箔。
  2. 【請求項2】 前記酸化亜鉛層の厚みが0.01μm〜
    0.2μmであることを特徴とする請求項1に記載の極
    薄銅箔。
  3. 【請求項3】 アルミニウム支持体と極薄銅箔との剥離
    強度が0.05N/cm〜1N/cmであることを特徴
    とする、請求項1または2に記載のアルミニウム支持体
    を有する極薄銅箔。
  4. 【請求項4】 アルミニウム支持体が、絶縁フィルム基
    材上に設置されていることを特徴とする、請求項1〜3
    に記載のアルミニウム支持体を有する極薄銅箔。
  5. 【請求項5】 アルミニウム支持体に亜鉛メッキを施
    し、さらにpH7〜10の中性ないし弱アルカリ水溶液
    で処理することにより亜鉛層の表面に酸化亜鉛層を形成
    し、しかる後に電解銅メッキをすることを特徴とする請
    求項1〜4に記載の極薄銅箔の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005198117A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Tdk Corp 電子デバイス作製用構造体及びこれを用いた電子デバイスの製造方法
JP2016194112A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 Jx金属株式会社 キャリア付金属箔、積層体、プリント配線板、電子機器、キャリア付金属箔の製造方法及びプリント配線板の製造方法

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