JP2003338512A - 半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイ及び液晶モジュールの製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイ及び液晶モジュールの製造方法

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羊平 倉島
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子部品とリードとを接続し樹脂で封入する
半導体装置の製造において、電子部品とリードとの接合
性を高め、モールド樹脂とのぬれ性を向上させて密着性
を高め、信頼性の向上を図る。 【構成】 大気圧またはその近傍の圧力下で電極３に電
圧を印加し、ガス供給装置４から供給されるガス中に気
体放電を生じさせる。この気体放電により生成されるガ
ス活性種に、電子部品６またはリード７の少なくともい
ずれか一方を曝露させる。 【効果】 減圧環境を必要とせず、装置を小型で移動可
能にでき、かつ低コストで処理能力が高く、被処理材に
与えるダメージが少なく、しかも必要に応じて局所的に
表面処理することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造にお
いて、被処理材の表面をエッチングまたはアッシングし
て無機物や有機物を除去したり、改質してぬれ性を改善
する表面処理技術に関し、例えば実装工程の前処理また
は後処理として、または電子部品を樹脂封止するため、
もしくは半導体表面の成膜等のために使用される。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置の製造において様
々な表面処理技術が使用されている。例えば、電子部品
類を実装する際にはんだ付けに使用するフラックスのよ
うな有機物を除去する方法として、有機溶剤によるウェ
ット洗浄法や、オゾン・紫外線等を照射し、有機物に化
学反応を生じさせて除去するドライ洗浄法がある。しか
し、ウェット法では、有機物の洗浄後に洗浄剤を除去す
るリンス工程と基板を乾燥させる工程、及びこれらを実
行するために固定された設備が必要であり、多大な時間
及び労力を要すると共に製造コストが高くなるという問
題があった。更に、ウェット法による洗浄では、洗浄剤
が電子部品に影響を与える虞がある。また、ドライ法で
は、特に分子量の大きい有機物の除去能力が低いため
に、十分な洗浄効果は期待できない。
【０００３】このため、最近では、真空中でプラズマを
発生させ、これを用いて有機物及び無機物を除去する方
法が開発されている。例えば、特開昭５８−１４７１４
３号公報には、ＩＣチップをプラスチックパッケージす
る際に、減圧下でマイクロ波放電により活性化させた酸
素ガスによりリードフレームの表面を処理することによ
って、リードフレームと樹脂との密着性を改善し、信頼
性を向上させる方法が開示されている。また、特開平４
−１１６８３７号公報に記載される電子部品の表面実装
方法では、プラズマエッチング装置に１〜１０Torrの水
素ガスを導入して放電することによって、酸化物を除去
している。更に、特開平５−１６０１７０号公報には、
減圧した処理室内で電極に高周波電圧を印加し、アルゴ
ン酸素プラズマまたは水素還元プラズマを発生させるこ
とによってリードフレームをエッチングする方法が開示
されている。
【０００４】また、希ガスと僅かな反応ガスとを大気圧
下で用いてプラズマを発生させることによって、プラズ
マＣＶＤ、アッシング、エッチング、表面処理が可能で
あることが知られている。これらは、多くの場合、高周
波電極と被処理材との間で放電を発生させる。これに対
し、電源電極と接地電極間で放電させるようにしたもの
として、特開平３−１３３１２５号公報には、ふっ化物
を含むガスを大気圧放電させ、基板に吹き付けたりオゾ
ン雰囲気下で暴露することによりアッシングする方法が
開示され、また特開平４−１４５１３９号公報には、フ
ッ素系部材の表面をヘリウムガス雰囲気下において大気
圧でプラズマ放電処理することによって、表面を親水化
させ、接着に適する表面に改質する方法が開示されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプラズマ放電を用いた表面処理技術において、
特開昭５８−１４７１４３号や特開平４−１１６８３７
号等のように減圧された環境下で放電させる場合には、
真空チャンバや真空ポンプ等の特別な設備が必要であ
り、そのために装置全体が大型化・複雑化し、しかも高
価でコストが上昇すると共に、現場での作業や局所的な
処理は困難であるという不都合があった。また、放電の
際にチャンバ内を所定の圧力まで減圧しかつ維持する必
要があり、１時間に２回程度しか処理できない等処理自
体にも長時間を要するので、作業が面倒な割りに処理能
力が低く、バッチ処理は可能だが枚葉処理が困難なため
にインライン化できない、という問題があった。更に、
真空中または減圧下のプラズマ放電では、励起種に比し
て電子とイオンが多いために、特に半導体装置の表面処
理に用いた場合には、電子部品に対するダメージが大き
くなる。
【０００６】これに対し、大気圧下でプラズマ放電させ
る方法は、真空設備を必要としない点で有利であるが、
電極と被処理材との間で放電を発生させるものは、放電
状態が不均一になり易く、被処理材にダメージを生じさ
せる虞があり、そのために電極と被処理材間の距離や被
処理材の材質等が制限されることになる。特に、被処理
材の形状が複雑であったり凹凸が大きい場合には、それ
に対応して電極の形状が複雑になったり、放電が局在的
に生じたり、凹んだ部分は十分に処理できない等の問題
があった。
【０００７】電極間で放電させる場合でも、特開平３−
１３３１２５号の方法は、パターニング後の基板からレ
ジストを除去するためのものであり、被処理材を励起ガ
スに曝すために石英セル内に配置するので、処理作業が
面倒でインライン化や現場での処理は困難である。ま
た、局所的なアッシングやエッチングには適しておら
ず、特に電子部品を樹脂封止する場合や半導体装置から
不良チップを取り外して良品を再実装するような場合
に、実際上表面処理することができない。また、特開平
４−１４５１３９号の大気圧プラズマ放電では、電極を
対向させた処理室内に被処理材を収容し、高価なヘリウ
ムガスを常時供給して処理するため、多大なコストがか
かり、装置が大型化する。このため、インライン化が困
難であると共に、局所的な放電処理や現場での作業には
適していない。また、電極が放電を発生させる処理室内
に配置されているので、放電による損傷を受け易く、耐
久性に問題が生じ易い。
【０００８】特に、テープキャリアにＩＣチップを接続
するＩＬＢ（インナリードボンディング）において、従
来のウェット洗浄法では、インナリード表面やチップ接
合面に付着した汚れを除去することが比較的面倒なた
め、これらを接合する前に清浄化する工程は一般に行わ
れていない。また、テープキャリアには、ポリイミド樹
脂の被膜が残存している場合がある。このため、インナ
リードとＩＣチップとが良好に接合できず、また後工程
で樹脂封止する際にモールド樹脂との密着性が悪く、歩
留りを低下させる原因の一つとなっていた。
【０００９】そこで、本発明の半導体装置の製造方法
は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、電子部品とリードとを接
続しかつこれらを樹脂で封入することによりパッケージ
化された半導体装置の製造において、真空や減圧のため
の設備を必要とせず、大気圧またはその近傍の圧力下で
アッシング、エッチング、ドライ洗浄やぬれ性改善の表
面処理をすることができ、被処理材を処理でき、装置を
簡単に構成しかつ小型化することができると共に、イン
ライン化及び枚葉処理が可能な低コストで処理能力が高
い表面処理を行うことができ、それによって、電子部品
とリードとの接合性を高め、また、これらとモールド樹
脂とのぬれ性を向上させて密着性を高めて、歩留りを向
上させ、かつ信頼性の高いパッケージ型半導体装置を製
造し得る方法を提供することにある。更に、本発明の目
的は、上述した方法を実現するための半導体装置の製造
装置を提供することにある。
【００１０】また、本発明の別の目的は、電子部品やリ
ードの形状、寸法や材質に拘らずそれらに熱的または電
気的ダメージを与えることなく安全に表面処理すること
ができる半導体装置の製造方法及び装置を提供すること
にある。
【００１１】また、半導体装置の製造において、複数の
電子部品を実装した後に不良品の電子部品を取り外して
良品の電子部品を実装し直す場合に、従来は部分的な表
面処理が難しいため、搭載されている全電子部品を取り
外して再実装しており、多大な手間及びコストを要して
いた。そこで、本発明の半導体装置の製造方法は、再接
合する部分のみを表面処理して、他の部分に搭載されて
いる電子部品等に影響を与えることなく、局所的に残存
する接着剤・ろう材等の汚れを確実にかつ簡単に除去
し、同時にぬれ性を向上させて良品の電子部品を良好に
接続でき、しかも処理速度が早くかつ現場での処理に適
しており、手間及びコストを大幅に削減することができ
る方法を提供することを目的とする。
【００１２】更に、液晶ディスプレイの製造において
は、最大の課題である表示欠陥を引き起こすゴミを排除
するために、その製造工程中に何度か洗浄処理が行われ
る。洗浄方法には、洗剤によるウェット洗浄や、ＵＶ−
オゾン洗浄等のドライ洗浄が行われている。また、有機
溶剤を用いた場合の環境保護の観点から、上述した真空
中における酸素プラズマ放電によるドライ洗浄も採用さ
れている。しかしながら、上述したように、真空環境で
の処理は、装置の構造上及びコスト上の問題から枚葉処
理が困難であり、大型パネルの場合を除いて通常数百枚
単位のバッチ処理が行われ、しかも常にパネル全面が処
理される。また、一度の処理枚数が、ポットライフの問
題を含めて後工程を考慮して決定されるので、生産管理
が難しく、単に処理枚数を多くすることによりコストを
減少させることは困難である。そこで、本発明の更に別
の目的は、洗浄処理が比較的簡単かつ低コストで装置を
小型化することができ、処理速度が早く、枚葉処理が可
能であり、それにより後工程とのインライン化を実現で
きると共に、生産管理に柔軟性を与えることができ、し
かも現場で処理することができる方法を提供することに
ある。
【００１３】また、液晶セルに偏光板を貼り付ける際に
は、液晶セル表面から基板のパターニング時に飛散した
フラックスやスクライブの残滓、指紋による汚れ等を除
去する前処理が必要である。これらの処理は、従来、塩
素系溶剤を用いて洗浄していたが、洗浄後の溶剤が環境
に与える影響が大きく、そのためカッタやクリーニング
テープにより手作業で機械的に汚れを擦り落とす方法が
一般的であるが、液晶パネルに物理的ダメージを与える
虞がある。また、予め液晶パネルを保護フィルムで被覆
しておき、これを剥して偏光板を貼り付ける方法もある
が、コストが高くなる。そこで、本発明の別の目的は、
液晶パネルに偏光板を貼着するための前処理において、
比較的簡単かつ低コストで処理能力が高く、液晶パネル
に物理的ダメージを与える虞がない方法を提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するためのものであり、以下にその内容を図面に
示した実施例を用いて説明する。
【００１５】請求項１記載の半導体装置の製造方法は、
電子部品とリードとを接合し、樹脂で封入してパッケー
ジ型の半導体装置を製造する場合に、大気圧またはその
近傍の圧力下でガス中に気体放電を生じさせ、この気体
放電により生成されるガス活性種に、電子部品またはリ
ードの少なくともいずれか一方を曝露させる表面処理工
程を含むことを特徴とする。
【００１６】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
上述した請求項１の特徴点に加え、電子部品及びリード
を接合した後樹脂封止する前に、表面処理工程を行うこ
とを特徴とする。
【００１７】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
同じく上述した請求項１の特徴点に加え、電子部品及び
リードを接合する前に、表面処理工程を行うことを特徴
とする。
【００１８】また、請求項４記載の半導体装置の製造方
法は、高周波電圧を用いることによって気体放電を生じ
させることを特徴とする。
【００１９】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
表面処理を行う少なくとも一方の電子部品またはリード
を、ガスの放電領域に直接曝露させることを特徴とする
のに対し、請求項６記載の方法は、ガス活性種を含むガ
ス流を、表面処理を行う少なくとも一方の電子部品また
はリードに当てるようにしたことを特徴とする。
【００２０】これに加え、請求項７記載の半導体装置の
製造方法は、金属メッシュを通してガス流を、表面処理
を行う少なくとも一方の電子部品またはリードに当てる
ことを特徴とする。
【００２１】請求項８記載の半導体装置の製造方法は、
ガスがヘリウム、窒素、または圧縮空気のいずれかであ
ることを特徴とする。他方、請求項９記載の製造方法
は、ガスがヘリウムまたは窒素と、酸素とを含むことを
特徴とし、請求項１０記載の製造方法は、ガスがヘリウ
ムまたは圧縮空気と、フッ素化合物とを含むことを特徴
とする。
【００２２】請求項１１記載の半導体装置の製造方法
は、表面処理を行う少なくとも一方の電子部品またはリ
ード付近に、活性種を生成させるガスを強制的に導入す
ることを特徴とし、これに加え、請求項１２記載の方法
は、導入されるガスが、少なくとも気体放電の開始時に
希ガスを含むことを特徴とする。
【００２３】また、請求項１３記載の半導体装置の製造
方法は、表面処理を行う少なくとも一方の電子部品また
はリードを、水分の存在下で活性種に曝露させることを
特徴とする。
【００２４】請求項１４記載の半導体装置の製造方法
は、少なくとも一方の電子部品またはリードを移動させ
ながら表面処理を行うことを特徴とする。
【００２５】本発明の別の側面によれば、請求項１５記
載の半導体装置の製造装置は、接合された電子部品とリ
ードとを樹脂で封入してパッケージ型の半導体装置を製
造するために、電子部品またはリードの少なくともいず
れか一方を表面処理するための表面処理部と、接合され
た電子部品及びリードを樹脂で封入するための樹脂封止
部とからなり、表面処理部が、大気圧またはその近傍の
圧力下でガス中に気体放電を発生させる手段と、放電発
生手段の近傍にガスを供給する手段と、放電により生成
されるガス活性種に少なくとも一方の電子部品またはリ
ードを曝露させる手段とからなることを特徴とする。
【００２６】請求項１６記載の半導体装置の製造装置
は、上述した請求項１５の特徴点に加え、表面処理部
が、接合された電子部品及びリードを、樹脂封止部にお
いて樹脂封止される前に表面処理を行うようになってい
ることを特徴とする。
【００２７】これに対し、請求項１７記載の半導体装置
の製造装置は、同じく上述した請求項１５の特徴点に加
え、表面処理部が、電子部品及びリードが接合される前
に、表面処理を行うようになっていることを特徴とす
る。
【００２８】請求項１８記載の半導体装置の製造装置
は、放電発生手段が、電源に接続された電極からなり、
少なくとも一方の前記電子部品またはリードとの間で気
体放電を発生させることを特徴とする。
【００２９】請求項１９記載の半導体装置の製造装置
は、放電発生手段が、電源に接続された電極と接地され
た電極とからなり、かつ曝露手段が、これら両電極間に
発生する気体放電により生成される活性種を、それを含
むガス流として少なくとも一方の電子部品またはリード
に当てる手段を備えることを特徴とする。更に、請求項
２０記載の製造装置は、曝露手段が、ガス流を少なくと
も一方の電子部品またはリード付近に案内する管路を有
することを特徴とする。
【００３０】また、請求項２１記載の半導体装置の製造
装置は、曝露手段が、ガス流を通過させる金属メッシュ
を有することを特徴とする。これに加え、請求項２２記
載の製造装置は、金属メッシュが接地され、かつ電極と
金属メッシュとの間で気体放電を発生させることを特徴
とする。
【００３１】請求項２３記載の半導体装置の製造装置
は、少なくとも一方の電子部品またはリードを選択的に
活性種に曝露させるためのマスク手段を更に有すること
を特徴とする。
【００３２】請求項２４記載の半導体装置の製造装置
は、活性種を生成させるガスを、表面処理を行う少なく
とも一方の電子部品またはリード付近に導入するための
手段を更に有することを特徴とする。
【００３３】請求項２５記載の半導体装置の製造装置
は、活性種を生成させるガスに水分を含ませるための手
段を更に有することを特徴とし、これに対し、請求項２
６記載の製造装置は、活性種に曝露させる少なくとも一
方の電子部品またはリードの表面に水分を供給する手段
を更に有することを特徴とする。
【００３４】請求項２７記載の半導体装置の製造装置
は、少なくとも一方の電子部品またはリードを移動させ
る手段を更に有することを特徴とする。
【００３５】請求項２８記載の半導体装置の製造方法
は、複数の電子部品を搭載した半導体装置の製造におい
て、不良品の電子部品を取り外して良品の電子部品に交
換して再実装する方法であり、不良品を取り外した後、
大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を生
じさせ、この放電により生成されるガス活性種に、良品
の電子部品、または不良品を取り外した半導体装置の接
続部の少なくともいずれか一方を曝露させる表面処理工
程を行い、その後に良品の電子部品を接続することを特
徴とする。
【００３６】請求項２９記載の液晶ディスプレイの製造
方法は、液晶セルに偏光板を貼り付けた後、駆動用及び
電源用の回路を接続してモジュールを組み立てる製造工
程において、大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に
気体放電を生じさせ、この放電により生成されるガス活
性種に、基板を曝露させる表面処理工程が含まれること
を特徴とする。
【００３７】他方、請求項３０記載の液晶ディスプレイ
の製造方法は、同様に、液晶セルに偏光板を貼り付けた
後、駆動用及び電源用の回路を接続してモジュールを組
み立てる製造工程において、液晶セルに偏光板を貼着す
る前に、大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体
放電を生じさせ、この放電により生成されるガス活性種
に、液晶セルを曝露させる表面処理工程を行うことを特
徴とする。
【００３８】請求項３１に記載の半導体装置の製造方法
は、大気圧またはその近傍の圧力下でヘリウム及びフッ
化炭素化合物からなる混合ガス中に気体放電を生じさ
せ、前記放電により生成される前記ガスの活性種に、前
記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方を曝
露させることにより、前記電子部品またはリードの少な
くともいずれか一方の表面に形成された半田の酸化膜
を、フッ化スズ化合物膜へ変化させることを特徴とする
表面処理工程を有することを特徴とする。
【００３９】請求項３２に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極の、前記被処理部材と対向している面に形成
された絶縁体を有することを特徴とする。
【００４０】請求項３３に記載の半導体装置の製造装置
は、前記絶縁体が、放電が発生する部分よりも横方向に
広いウイング形状をしていることを特徴とする。
【００４１】請求項３４に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極中に、途中で曲がったガス供給路を持つ前記
ガスを供給する手段が設けられていることを特徴とす
る。
【００４２】請求項３５に記載の半導体装置の製造装置
は、前記ガス供給路が、前記ガス供給路へガスを供給す
るガス導入口と、前記被処理部材へガスを放出するガス
放出口からなり、前記ガス導入口は複数のスポット状で
あり、かつ前記ガス放出口はスリット状であることを特
徴とする。
【００４３】請求項３６に記載の半導体装置の製造装置
は、前記ガス放出口に、絶縁体からなる多孔質の多孔質
材が形成されていることを特徴とする。
【００４４】請求項３７に記載の半導体装置の製造装置
は、前記多孔質材が、アルミナまたはセラミックスから
なることを特徴する。
【００４５】請求項３８に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極と対向している前記被処理部材が載置される
前記第二の電極中に形成された凹部を有することを特徴
とする。
【００４６】請求項３９に記載の半導体装置の製造装置
は、前記凹部が前記被処理部材の下に形成されており、
前記凹部の深さは、３ｍｍから５ｍｍであることを特徴
とする。
【００４７】請求項４０に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極の、前記被処理部材からはずれている部分の
長さをＸ（ｍｍ）とし、印加する前記高周波電力をＹ
（Ｗ）とした場合に、ＸとＹが次の式を満たすことを特
徴とする。
【００４８】「Ｘ ≧ ０．０９Ｙ」 請求項４１に記載の半導体装置の製造装置は、前記電子
部品またはリードの少なくともいずれか一方の被処理部
材を表面処理するための表面処理部が、前記被処理部材
を介して互いに対向した第一電極と第二電極とからなる
２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を印加する
ことにより大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気
体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放電発生手
段の近傍に前記ガスを供給する手段とからなり、単位面
積当たりの前記高周波電力を ０．３〜１００Ｗ／ｃｍ2 とすることを特徴とする。
【００４９】
【作用】従って、請求項１記載の半導体装置の製造方法
によれば、大気圧近傍の圧力下で気体放電により生成さ
れた活性種を含むガスで表面処理することによって、比
較的簡単に高速度でかつ低コストで、電子部品に与える
ダメージが少なく、該電子部品またはリード、もしくは
これら双方の表面を改質し、これらに付着した有機物・
無機物を除去することができる。
【００５０】請求項２記載の半導体装置の製造方法によ
れば、接合された電子部品またはリードとモールド樹脂
とのぬれ性を向上させ、これらを良好に密着させること
ができる。
【００５１】請求項３記載の半導体装置の製造方法によ
れば、電子部品とリードとを良好に接合することがで
き、同時にモールド樹脂とのぬれ性を向上させて、後工
程においてこれらを良好に密着させることができる。
【００５２】請求項４記載の半導体装置の製造方法によ
れば、高周波電源を用いることによって、放電をより均
一にし、かつ電子部品またはリードのダメージをより少
なくすることができる。
【００５３】請求項５記載の半導体装置の製造方法によ
れば、より効果的にかつ高速度で表面処理することがで
きる。
【００５４】請求項６記載の半導体装置の製造方法によ
れば、電子部品またはリードのダメージをより一層少な
くすることができ、しかも電子部品またはリードが複雑
な形状や大きな凹凸を有する場合、またはリードピッチ
が微細な場合にも、活性種を含むガス流を当てることに
よって必要な表面処理を有効かつ確実に行うことができ
る。
【００５５】請求項７記載の半導体装置の製造方法によ
れば、気体放電により発生したイオンや電子がガス流に
含まれていても、これを金属メッシュによりトラップす
ることができ、電子部品またはリードのダメージをより
確実に少なくすることができる。
【００５６】請求項８記載の半導体装置の製造方法によ
れば、ヘリウムをベースにすれば、ぬれ性の向上、エッ
チング、アッシングが高処理速度で行われ、窒素または
圧縮空気を用いた場合には、比較的安価にぬれ性の向
上、アッシングを行うことができる。
【００５７】請求項９記載の半導体装置の製造方法によ
れば、酸素濃度を適当に調節することによって、比較的
安価かつ効果的にアッシングし、またはぬれ性を向上さ
せることができる。
【００５８】請求項１０記載の半導体装置の製造方法に
よれば、フッ素化合物の存在によって、比較的安価かつ
効果的にエッチングすることができる。
【００５９】請求項１１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、表面処理を行う電子部品またはリード付近で活
性種を生成させ、効果的に表面処理できると共に、導入
されるガスが周囲の環境に与える虞のある影響を少なく
することができる。
【００６０】請求項１２記載の半導体装置の製造方法に
よれば、希ガスの存在によって大気圧下における気体放
電の発生を容易にすることができる。
【００６１】請求項１３記載の半導体装置の製造方法に
よれば、水分を加えて表面処理することによって、その
処理速度を早めることができる。
【００６２】請求項１４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電子部品またはリードの寸法・形状や処理すべ
き部分の位置・大きさ等に対応して、フレキシブルにか
つ効率的に表面処理することができ、また複数の電子部
品またはリードを移動させながら順次表面処理すること
ができる。
【００６３】請求項１５記載の半導体装置の製造装置に
よれば、真空装置等を必要としない比較的簡単な構成に
より、装置全体の小型化することができ、しかも大気中
で簡単にかつ高速で表面処理することができるので、電
子部品の樹脂封止工程とのインライン化を容易に図るこ
とができる。
【００６４】請求項１６記載の半導体装置の製造装置に
よれば、接合された電子部品またはリードとモールド樹
脂とのぬれ性を向上させ、これらを良好に密着させるこ
とができる。
【００６５】請求項１７記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電子部品とリードとを良好に接合することがで
き、同時にモールド樹脂とのぬれ性を向上させて、これ
らを良好に密着させることができる。
【００６６】請求項１８記載の半導体装置の製造装置に
よれば、表面処理する電子部品またはリードを活性種に
直接曝露させることができる。
【００６７】請求項１９記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電源電極と電子部品またはリードとの間で直接
放電させないことによって、これらのダメージをより少
なくすることができ、しかも活性種をガス流として強制
的に送り込むことによって、被処理面が複雑な形状や大
きな凹凸を有する場合でも、あらゆる部分に対して確実
かつ有効に表面処理することができる。
【００６８】請求項２０記載の半導体装置の製造方法に
よれば、気体放電発生手段から離隔した位置で電子部品
またはリードを表面処理することができる。
【００６９】請求項２１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、放電により発生する電子やイオンを金属メッシ
ュがトラップすることによって、活性種を含むガス流か
ら有効に除去することができ、電子部品またはリードの
ダメージをより確実に解消することができる。
【００７０】請求項２２記載の半導体装置の製造方法に
よれば、電子部品またはリードに比較的近い位置で放電
させることによって、処理速度及び効果を高めることが
できる。
【００７１】請求項２３記載の半導体装置の製造方法に
よれば、電子部品またはリードを、もしくはそれらの部
分を局所的に容易に表面処理することができる。
【００７２】請求項２４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、表面処理を行う電子部品またはリード付近で気
体放電による活性種を生成させ、効果的に表面処理でき
ると共に、導入されるガスが周囲の環境に与える虞のあ
る影響を少なくすることができる。
【００７３】請求項２５及び請求項２６記載半導体装置
の製造装置によれば、活性種に曝露する際に水分が存在
することによって表面処理速度を早めることができる。
【００７４】請求項２７記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電子部品またはリード、もしくは双方を曝露手
段に対して相対的に移動させることによって、電子部品
またはリードの寸法、形状や処理の目的に応じて、その
全面を一様に、または部分的に選択して処理することが
でき、更に複数の電子部品またはリードを順次移動させ
ながら処理することができる。
【００７５】請求項２８記載の半導体装置の製造装置に
よれば、不良の電子部品を取り外した後、良品を再接合
するために必要な部分のみを選択して、他の部分に影響
を与えることなく比較的簡単に、しかも必要に応じて現
場でも表面処理することができる。
【００７６】請求項２９記載の液晶ディスプレイの製造
方法によれば、比較的簡単な構成により、基板を高速で
ドライ洗浄することができ、コストを削減しかつ枚葉処
理が可能になる。
【００７７】請求項３０記載の液晶ディスプレイの製造
方法によれば、液晶セルに付着した有機物・無機物の汚
れを、液晶パネル面に物理的に損傷させることなく、比
較的高速で簡単にかつ低コストで除去することができ、
偏光板を張付不良を有効に防止することができると共
に、枚葉処理及び現場での処理が可能になる。
【００７８】請求項３１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、半田表面の酸化膜を濡れ性のよいフッ化スズ化
合物膜へ変化させることができるため、半田付けのより
一層の濡れ性向上が行える。
【００７９】請求項３２及び３３記載の半導体装置の製
造装置によれば、絶縁膜の存在により、アーク放電等の
異常放電が防止でき、また、絶縁膜をウイング形状とす
ることにより、使用ガスをより少なくできる。
【００８０】請求項３４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、ガスの濃度を均等化することができ、これによ
り、プラズマ処理の均等化が行える。
【００８１】請求項３６記載の半導体装置の製造装置に
よれば、多孔質部材の存在により、異常放電を防止する
ことができる。
【００８２】請求項３８及び３９記載の半導体装置の製
造装置によれば、凹部を設けることにより、ＴＣＰやリ
ードフレームの裏側まで充分にプラズマを回り込ませる
ことができ、また、ＴＣＰの処理の場合に異常放電を防
止できる。
【００８３】請求項４０及び４１記載の半導体装置の製
造装置によれば、安定な放電を発生することができる。
【００８４】
【実施例】図１には、電子部品とリードとを接続しかつ
樹脂で封止して、パッケージ型の半導体装置を製造する
本発明の方法に使用するための表面処理装置が、概略的
に示されている。図１の表面処理装置１は、電源２に接
続された棒状の放電発生用電極３と、放電用のガスを供
給するガス供給装置４とから構成される。ガス供給装置
４は、電極３先端付近に前記ガスを吐出するための開口
５を有する。電極３先端の直ぐ下側には、被処理材とし
て、接合された電子部品６及びリード７が所定の間隔を
もって配置される。電子部品６及びリード７は、図２に
示すようなＤＩＰ（Dual Inline Package）型の半導体
装置を製造するためのものであり、ダイパッド８の上に
接着されたベアチップの電子部品６の各電極パッドと対
応するリード７とが、例えば金やアルミニウムのワイヤ
９でそれぞれ接続されている。先ず、ガス供給装置４か
ら前記放電用ガスを供給し、電極３先端と電子部品６及
びリード７との間及びその近傍の雰囲気を該放電用ガス
で置換する。次に、電源２から電極３に所定の電圧を印
加すると、電極３先端部と電子部品６及びリード７との
間で気体放電が起こる。この放電状態にある電極３と電
子部品６及びリード７間の領域１０には、プラズマによ
る前記放電用ガスの解離、電離、励起等の種々の反応が
存在する。これらの反応により前記ガス中に生成された
活性種に電子部品６及びリード７を所定の時間曝露して
表面処理する。
【００８５】次に、これらを周知の方法により、図２に
示すようにモールド樹脂１１で封入してパッケージ１２
を形成する。パッケージ１２は、前記表面処理により前
記電子部品及びリードの表面が改質されてぬれ性が大幅
に向上するので、モールド樹脂１１との接触角が小さく
なり、両者の密着性が向上する。モールド樹脂１１と電
子部品６またはリード７との界面に僅かでも隙間が存在
すると、パッケージ１２内に侵入した水分が前記隙間に
溜まって電子部品６を汚染したり、リフロー時の高温に
より膨張してパッケージにクラックを発生させる虞があ
る。本発明によりモールド樹脂の密着性を向上させるこ
とによって、これらの問題点が解消され、信頼性が著し
く向上すると共に、歩留りが向上する。
【００８６】また、モールド樹脂１１が、リード７との
密着性は良好だが電子部品６との密着性に問題がある場
合や、リード７が活性種を含むガスに腐食し易い場合に
は、図３に示すように、電極３の先端形状を電子部品６
と略同じ大きさに小さくする。このようにして電極３に
電圧を印加すると、前記気体放電は、実質的に電極３先
端と電子部品６のみとの間で発生する。従って、電子部
品６のみが活性種を含む前記ガスに曝露されて、前記表
面処理が行われる。この場合には、前記電子部品の表面
とモールド樹脂との密着性が向上する。他方、リード７
は、放電の影響で腐食したりする虞がない。
【００８７】逆に、モールド樹脂１１が、電子部品６と
の密着性は良好だがリード７との密着性に問題がある場
合や、電子部品６が放電による電子やイオンの影響を受
け易い場合には、電極３の先端を、図４に示すようにリ
ード７の形状に合わせて２個の棒状部分に分岐させる。
このようにして電極３に電圧を印加すると、前記気体放
電は、実質的に電極３の分岐した２個の先端部分１３と
それに対応するリード７６のみとの間で発生する。従っ
て、リード７のみが活性種を含む前記ガスに曝露され
て、前記表面処理が行われる。この場合には、前記リー
ドとモールド樹脂との密着性は向上するが、電子部品６
が放電によるイオンや電子の影響でダメージを受けたり
する虞がない。
【００８８】本発明による半導体装置の製造方法の別の
実施例では、電子部品６とリード７とをワイヤボンディ
ングにより接続する前に、表面処理装置１を用いて表面
処理することができる。図５に示す表面処理装置１は、
電極３先端が、その下方に並べて配置される電子部品６
及び左右のリード７に合わせて、３個の棒状部分に分岐
されている。そして、電極３に電圧を印加することによ
って、その３個の先端部分１４と対応する電子部品６及
び左右のリード７との間でそれぞれ前記気体放電が発生
する。従って、電子部品６及びリード７を同時に表面処
理することができる。
【００８９】次に、これらを周知のボンディング方法に
より接続し、更にモールド樹脂で封入する。本実施例で
は、電子部品６及びリード７の表面がそれぞれ活性にな
っているため、両者の接合性が向上し、良好に接続する
ことができる。同時に、両者の表面は、改質されてぬれ
性が向上しているので、モールド樹脂１１で封入する際
に該樹脂との密着性が併せて向上する。
【００９０】また、当然ながら、電子部品６とリード７
とは、それぞれ別個に表面処理することもできる。この
場合、同じ表面処理装置を用いても良く、また別個の表
面処理装置を用いて表面処理することもできる。電子部
品６のみを表面処理する場合には、図３に示したような
先端の小さい電極を使用することができ、また、リード
フレームに結合された状態のリード７のみを表面処理す
る場合には、図４に示したように先端の分岐した電極を
使用すると好都合である。
【００９１】また、別の実施例では、上述したＤＩＰの
ようなパッケージでなく、テープキャリアの配線に接続
された電子部品を樹脂で封入し、ＴＣＰ型の半導体装置
を製造することができる。例えば、テープキャリアの電
極パッドにＩＣチップの電極をワイヤボンディングした
後トランファモールドにより樹脂封止する前に、または
テープキャリアのインナリードにＩＣチップを接続する
ＩＬＢ後ポッティングモールドにより樹脂封止する前
に、上述した活性種を含むガスによる表面処理を行い、
モールド樹脂との密着性を向上させることができる。ま
た、本発明の半導体の製造方法は、上記実施例のＤＩＰ
やＴＣＰだけでなく、ＳＩＰ、ＺＩＰ、ＭＦＰ、ＳＯＰ
等の様々な樹脂封止形パッケージの半導体装置につい
て、同様に適用することができる。
【００９２】ここで、使用するガス種については、ヘリ
ウム、アルゴン、酸素、窒素、水素、及びこれらの混合
ガスを用いて実験したところ、これら全てのガス種につ
いてモールド樹脂１１と電子部品６またはリード７との
密着性の向上が確認された。一般に、ヘリウム等の希ガ
スを大気圧又はその近傍の圧力下で用いて高周波数の電
圧を印加すると、気体放電を発生させ易く、かつその放
電が均一で曝露される部材に与えるダメージを少くでき
るが、ガス自体が高価なため、コストが増大する。そこ
で、放電開始時のみ、電極近傍の雰囲気を、放電を起こ
し易いヘリウムやアルゴン等の希ガスに置換しておき、
電圧を印加して放電を発生させた後は、他の適当な安価
なガスに変更することもできる。
【００９３】フラックスのような有機物を除去したい場
合は、ヘリウムと酸素との混合ガスをガス供給装置４か
ら供給する。これにより、酸素のイオン、励起種等の活
性種が生成され、これが有機物と反応して一酸化炭素、
二酸化炭素と水の蒸気となって除去される。放電用ガス
としてヘリウムと酸素との混合ガスに代えて、圧縮空
気、窒素と酸素との混合ガスを用いても、同様に有機物
を除去する効果即ちアッシング効果が得られる。
【００９４】また、放電用ガスとして窒素、フッ素化合
物（ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6等）、または有機物を含むガ
スを用いることによって、酸化物を除去することができ
る。この場合、酸化物は、窒素のイオン、励起種等の活
性種と反応して窒素酸化物になり、またはフッ素のイオ
ン、励起種等の活性種と反応してフッ化物となって除去
される。有機物を含むガスの場合、前記酸化物は、前記
有機物が解離、電離、励起して生成する有機物、炭素、
水素のイオン、励起種等の活性種と反応してヒドロキシ
化合物、オキソ化合物カルボン酸、二酸化炭素、水蒸気
等になって取り除かれる。前記有機物は、放電用ガスに
加える代わりに、被処理材の表面に塗布することもでき
る。この場合には、放電領域においてプラズマによりガ
スが解離、電離、励起してエネルギー状態が高くなる。
塗布された前記有機物は、一部が蒸発しかつ放電にさら
されて解離、電離、励起し、有機物、炭素、水素のイオ
ン、励起種等の活性種となる。また、他の一部は、エネ
ルギー状態の高いガスの活性種からエネルギーを受け取
り、解離、電離、励起して有機物、炭素、水素のイオ
ン、励起種等の活性種となる。
【００９５】これらの活性種によって、放電用ガスに有
機物を添加した場合と同種の作用効果が得られる。しか
も、この活性種は、フラックスに含まれる塩素化合物の
ように被処理材の表面に残留しない。このように酸化物
を除去するエッチング効果が得られる放電用ガスとして
は、例えばヘリウムまたは圧縮空気と四フッ化炭素との
混合ガスがある。当然ながら、これらの混合ガス等では
放電を起こし難い場合には、上述したように放電開始時
のみヘリウム単体を導入してやればよい。また、圧縮空
気の代わりに酸素を用いてもよい。更に、本願発明者に
よれば、ヘリウムに対してフッ素化合物（例えば、ＣＦ
4）が０．５〜５％、好適には１％、酸素０．５〜５
％、好適には１％が含まれる混合ガス系であれば、エッ
チング効果が最大となることが確認された。
【００９６】また、本発明の別の実施例によれば、上述
したガス供給装置からは希ガスのみを導入して放電を発
生させ、かつこれとは別個のガス供給手段を設けて、処
理目的に応じて窒素、フッ素化合物等の反応性ガスを放
電領域に供給する。これにより、前記反応性ガスの活性
種が生成されて、所望の表面処理が行われる。
【００９７】また、電源については、１０ＫＨｚ、４０
０ＫＨｚ、１３．５６ＭＨｚの周波数で実験したとこ
ろ、これら全周波数で同様にモールド樹脂１１と電子部
品６またはリード７との密着性の向上が確認された。こ
れらの実験結果は、以下に示す通りである。
【００９８】先ず、本発明の表面処理によるぬれ性の改
善を確認した。この実験では、被処理材の表面に本発明
による表面処理を５秒間行い、液滴式接触角計を用いて
接触角を測定し、全く表面処理を行わなかったもの、及
び減圧下で活性化させた酸素ガスを用いる従来技術で１
５分間処理したものについて同様に接触角を測定し、本
発明と比較したところ、表１に示されるように、使用ガ
ス種により多少の差があるものの、本発明の著しい効果
を示す結果が得られた。
【００９９】
【表１】
【０１００】次に、モールド樹脂と電子部品またはリー
ドとの密着性に起因するパッケージのクラック発生につ
いて実験した。両方とも本発明の表面処理を行った電子
部品及びリードの組と、両方とも上述した従来技術の表
面処理を行った電子部品及びリードの組と、両方とも全
く表面処理を行わなかった電子部品及びリードの組と
を、それぞれ接合した後樹脂封止した３組のパッケージ
について、１２５℃で１０時間乾燥させ、温度８５℃、
湿度８５％の雰囲気内で５０４時間吸湿させた後、２５
０℃で１０秒間リフロー処理を行い、クラックの発生率
を確認したところ、表２に示す結果が得られた。これに
より、本発明によれば、従来技術による場合と比較して
処理時間が僅か１／１８０であるにも拘らず、少なくと
も同程度以上に密着性向上の効果が認められた。
【０１０１】
【表２】
【０１０２】更に、放電により発生するイオンや電子が
電子部品に与えるダメージによって生じる素子破壊につ
いて、その不良品発生率を実験した。実験では、１０Ｋ
Ｈｚの電源を用いて本発明の表面処理を１時間行った電
子部品と、１３．５６ＭＨｚの電源を用いて同じく本発
明の表面処理を１時間行った電子部品と、上述した従来
技術の表面処理を１時間行った電子部品とについて、そ
れぞれの不良発生率を調べたところ、以下に示す表３の
結果が得られた。この実験結果によれば、１３．５６Ｍ
Ｈｚの電源を用いた本発明の表面処理の場合に、不良発
生率が最も低いことが分かる。これから、ＭＨｚオーダ
ーの周波数の方が、ダメージがより少ないと言える。し
かし、いずれの周波数の電源を用いても、実際に本発明
の表面処理に要する時間は５秒間程度であるから、どの
周波数でも実際上電子部品の不良は殆ど発生しないと考
えて良いと思われる。
【０１０３】
【表３】
【０１０４】以上の実験結果から、本発明の表面処理を
酸素または水素を含む雰囲気中で行った場合に、最良の
結果が得られることが分かる。但し、これらの場合に
は、当然ながら、酸素による処理を長時間行うとリード
の金属が酸化して腐食し、水素を長時間用いるとリード
の金属が水素化して脆化する虞があるので、実際には処
理条件を厳しく管理する必要がある。
【０１０５】図６には、本発明に適用される表面処理装
置の第２実施例が概略的に示されている。電源１５に接
続された細長い丸棒状の放電発生用電極１６が、接地さ
れかつ下方に開放された概ね円筒形をなす金属カバー１
７の中心に、絶縁取付具１８によって電気的に浮いた状
態にして垂直に保持されている。金属カバー１７の下端
から突出する電極１６先端の直ぐ下側には、図１の第１
実施例と同様に電子部品６及びリード７が所定の間隔を
もって配置されている。金属カバー１７の内部は、放電
用のガスを供給するガス供給装置１９に連通している。
【０１０６】先ず、ガス供給装置１９から金属カバー１
７内に前記放電用ガスを供給し、電極１６と電子部品６
及びリード７との間及びその近傍の雰囲気を、前記放電
用ガスで置換する。次に、電極１６に電源１５から電圧
を印加すると、電極１６先端部と電子部品６及びリード
７との間で気体放電が起こり、第１実施例の場合と同様
に表面処理がなされる。また、この時に発生するに反応
ガスは、電極近傍に配設したダクト２０によって排気す
ることができる。
【０１０７】図７には、図６の第２実施例の表面処理装
置の変形例が示されている。本実施例では、金属カバー
１７の下端を電極１６の先端近傍まで、電極１６が金属
カバー１７内に完全に収容される位置まで延長させ、こ
れを電源電極１６に対する放電発生のための対電極２１
としている。そして、対電極２１によって形成される金
属カバー１７の下端開口２２の下方に電子部品６及びリ
ード７を配置する。また、電極１６は、冷却装置２３か
らパイプ２４を用いて冷却水を循環させることによっ
て、長時間に亘る放電処理により電極１６が過度に加熱
しないように冷却することができる。金属カバー１７の
下端開口には、電子部品６及びリード７との間に金属メ
ッシュ２５が配設されている。
【０１０８】ガス供給装置１９から放電用ガスを供給
し、該ガスで金属カバー１７内部を置換する。電極１６
に電源１５から電圧を印加すると、電極１６の先端部と
対電極２１との間で気体放電が生じる。ガス供給装置１
９からは前記放電用ガスが連続的に送給されているの
で、放電領域２６を前記ガスが通過する過程で、その一
部はイオン、励起種等の活性種となり、金属カバー１７
の下端開口２２より、反応性ガス流２７となって下方へ
噴出する。この反応性ガス流に含まれる前記活性種によ
って電子部品６及びリード７が表面処理される。
【０１０９】本実施例においても、ガス供給装置１９か
らヘリウム等の希ガスのみを導入して放電させ、かつ別
個のガス供給手段から処理目的に応じて窒素、フッ素化
合物等の反応性ガスを電子部品６及びリード７近傍に供
給することができる。これにより、前記放電により生成
されかつ開口２２からガス流となって噴出するヘリウム
ラジカルと、前記反応性ガスとのエネルギー変換によっ
て、反応活性種が生成され、これによって所望の表面処
理が行われる。
【０１１０】本実施例は、上述した反応性ガス流により
被処理材を曝露させるため、イオンの介在という意味に
おいて処理効果が幾分小さくなる。当然ながら、電子部
品６及びリード７を金属カバー１７の下端開口２２から
離隔する程にその傾向が強くなる。しかしながら、逆に
イオンの介在が電子部品６及びリード７にとって弊害を
もたらす場合は、上述したように、下端開口２２に設け
た金属メッシュ２５により反応性ガス流１７に含まれる
イオンをトラップしてニュウトライズし、噴出する反応
性ガスにイオンが含まれないようにすれば良い。
【０１１１】また、電子部品６及びリード７は、放電自
体によりまたは電極１６の輻射熱により、条件によって
は２００℃以上に加熱される。そこで電子部品６及びリ
ード７を熱に対して保護することが必要な場合には、図
示されない冷却手段によって電子部品６及びリード７を
冷却しながら処理することができる。他方、電子部品６
及びリード７が熱に対する保護を必要としないときは、
逆に積極的に加熱を行うべきである。本発明は、化学反
応を利用した還元処理方法の一種であるから、加熱は反
応を促進させることが多いからである。
【０１１２】別の加熱方法としては、ハロゲンランプ等
の光源を用いることができる。この方法によれば、洗浄
すべき面を早く加熱することが可能であり、時間の損失
を少なくできるだけでなく、被処理材が凹凸の激しい複
雑な形状であっても比較的簡単に加熱できる。また、前
記光源を用いて短波長の光即ち紫外線を照射してもよ
い。この場合には、加熱効果だけでなく、有機物の化学
的結合を切断して、更に洗浄能力を向上させる効果も得
られる。
【０１１３】更に別の補助的な手段としては、ブロー装
置を用いて基板にガス流を噴射する方法がある。これに
より、被処理材表面の有機物を除去しつつ、該有機物に
覆われているまたは接着されている無機物のごみ等を、
前記ガス流で飛ばしてしまうことができる。これは、別
個のブロー装置を設けずに、金属カバー内に供給される
放電用ガスの流量を大きくすることによっても可能であ
る。また、前記ブロー装置によるガス流は、その温度を
調整することによって基板の冷却または加熱する手段と
して使用することも可能である。更に、使用条件によっ
て電極１６に水滴等が付着する恐れがある場合には、図
示していないが適当なヒータを用いて電極１６及び金属
カバー１７の周囲を加熱しても良い。
【０１１４】図８及び図９には、図７の実施例を更に変
形させた表面処理装置の実施例が示されている。細長い
棒状をなす放電発生用電極１６が、金属カバー１７の内
部に絶縁取付具１８によって水平に保持されている。金
属カバー１７は、電極１６に対応する長さの細長い概ね
断面正方形の箱形をなし、その対角線がそれぞれ垂直・
水平をなす向きに配置されると共に、前記正方形の下側
の角部が全長に亘って所定の幅で切除されて下向きに細
長い開口２２が形成され、反応性ガス流を金属カバー１
７内から下方へ噴出できるようになっている。そして、
長手方向に沿って開口２２両側の辺縁部２８が対電極を
構成している。当然ながら、金属カバー１７の開口２２
の幅を相当拡大して電極１６を金属カバー１７の下端か
ら下方に突出させたり、または金属カバー１７自体を取
り外すことによって、電極１６と被処理材との間で直接
放電を発生させることもできる。
【０１１５】本実施例では、電極１６に電源１５から電
圧を印加すると、電極１６の全長に亘って金属カバー１
７の対電極部２８との間で気体放電する。放電によって
生成された前記放電用ガスの活性種は、開口２２からそ
の略全長に亘って下向きに反応性ガス流２７となって噴
出される。このとき、上述した表面処理装置と電子部品
６及びリード７とを電極１６の横方向に相対的に移動さ
せることによって、多数の電子部品６及びリード７を同
時に一括して処理することができる。
【０１１６】図１０Ａ及び図１０Ｂには、上述した図８
の電極１６及び金属カバー１７の構造の変形例がそれぞ
れ示されている。いずれの実施例も、放電発生用電極１
６が、断面逆Ｔ字形の内部空腔２９を有する金属カバー
１７内に包まれるように構成されている。そして、金属
カバー１７の底面３０には、多数のガス噴出口３１が幅
方向及び長手方向に開設されている。
【０１１７】図１０Ａの実施例では、電極１６が、金属
カバー１７の長手方向に沿って延長する断面Ｉ字形の板
状をなしているので、放電が発生するのは、電極１６と
その直ぐ下側に位置する金属カバー底面３０の中央部分
のみである。従って、中央付近の噴出口３１のみから反
応性ガス流２７が噴出する。これに対して図１０Ｂの実
施例では、電極１６が、金属カバー１７の内部空腔２９
の形状に対応する逆Ｔ字形の断面形状を有する。このた
め、電極１６の幅方向にフランジ状に延出する下端部３
２とそれに対面する金属カバー底面３０との間で、略全
面的に放電が発生する。従って、この場合には、略全て
の噴出口３１から反応性ガス流を噴射することができ
る。このように、放電を発生させる位置、その数、及び
ガス噴出口等は、使用条件や処理材に応じて適当にかつ
任意に変えることができる。また、このような構成にす
ることで、処理面積をより一層大きくして、処理能力を
高くすることが可能である。
【０１１８】図１１は、表面処理を現場で必要に応じて
局所的にするための処理装置３３を概略的に示してい
る。処理装置３３は、必要に応じて作業者が手に持って
作業できるような所謂ガンタイプの構造を有し、その先
端に開口を有する円筒状のノズル３４の内部に、放電発
生部３５が設けられている。放電発生部３５は、その基
本構造が上述した各実施例の表面処理装置と同じであ
り、図示されないガス供給装置及び電源に接続されると
共に、放電により生成される活性種を含む反応性ガス流
が、放電発生部３５の下部から、ノズル３４の先端開口
３６に案内されて、被処理材に向けて噴出する。
【０１１９】図１２Ａには、放電発生部３７と反応性ガ
ス流を噴射するノズル部３８とを別個に設け、これらを
フレキシブルチューブ３９で連結した表面処理装置４０
が示されている。放電発生部３７は、図示されない電源
やガス供給装置等を一体に組み込んだ固定式または移動
式の本体４１に内蔵され、そこで発生させた反応性ガス
流が、フレキシブルチューブ３９を介して送給され、ノ
ズル部３８から被処理材に噴出させるようになってい
る。フレキシブルチューブ３９の長さは、活性種を有効
に前記被処理材に到達させることができる点から、最大
で約５ｍ、好ましくは２ｍ程度が望ましい。このように
ノズル部３８を別体にすることによって、作業性が向上
すると共に、装置４０の処理能力を必要に応じて高める
ことができる。
【０１２０】ノズル部３８は、フレキシブルチューブ３
９の先端に取外可能に装着されている。図１２Ｂには、
このような交換可能なノズル部４２が示されている。図
１２Ａのノズル部３８が、比較的大きな円盤状をなし、
広い面積を一度に処理できるのに対し、図１２Ｂのノズ
ル部４２は、長方形をなし、比較的小さな部分を処理す
るのに適している。このようにノズル部を適当に交換す
ることによって、被処理物や使用条件の変化に容易に対
応することができ、作業上のフレキシビリティが向上す
る。
【０１２１】図１３乃至図１５には、それぞれ本発明に
よる放電処理の効果を高めるように水分を付加するため
の具体的な構成が示されている。図１３に示す実施例で
は、ガス供給装置４から表面処理装置４３にガスを供給
するパイプ４４の途中にバイパスを設けて分岐し、前記
ガスの一部を、バルブ４５により調節してタンク４６内
に送り込む。タンク４６内には、水、好適には純水４７
が貯留され、ヒータ４８によって加熱されて水蒸気を発
生させ易くしている。タンク４８内に導入されたガス
は、水蒸気を含んで再びパイプ４４に戻され、ガス供給
装置４から直接送給される前記ガスと混合して表面処理
装置４３に供給される。
【０１２２】このように表面処理装置４３に送られるガ
ス中に水分を含ませることによって、被処理材に結露を
生じる虞れが無く、好都合である。また、添加する水分
の量は、バルブ４５の開度及びヒータ４８よりタンク４
８内の水４７の温度を調節することによって調整され
る。
【０１２３】図１４に示す別の実施例では、ガス供給装
置４から前記表面処理装置へ通じるパイプ４４の途中に
霧化器４９を設け、これにタンク４６から水４７を供給
する。これにより、前記処理装置に送られるガスに水分
を付加することができる。この場合、タンク４６内に第
１３図の実施例と同様のヒータを設けて温水を霧化器４
９に供給することにより、水の微粒化を促進することも
できる。また、ガス供給装置４及びパイプ４４とは別個
に送風手段及び管路を設け、霧化器４９により霧化され
た水分を強制的に前記表面処理装置に直接に送給するこ
ともできる。
【０１２４】図１５の実施例では、タンク４６内の水４
７をヒータ４８で加熱して水蒸気を発生させ、パイプ５
０によって放電処理が行われる被処理材の表面付近に直
接供給することができる。この場合、比較的温度の低い
被処理材の表面で結露を生じる可能性があるが、結露に
より前記被処理材に好ましくない影響を及ぼす虞れがあ
る場合には、パイプ５０を前記表面処理装置にまたはパ
イプ４４の途中に接続して放電を生じる以前に前記ガス
に添加することもできる。
【０１２５】図１６は、テープキャリヤに電子部品を接
続するＩＬＢ（インナリードボンディング）において本
発明により表面処理を行うことができる装置の実施例を
概略的に示している。このＩＬＢ装置５１は、テープキ
ャリア５２を送り出す巻出しリール５３と、ボンディン
グを行うボンディング部５４と、ボンディングを終了し
たテープキャリア５２を収納する巻取りリール５５とか
らなる周知の構成に加えて、ボンディング部５４の手前
にテープキャリア５２を表面処理するための表面処理装
置５６が配設されている。テープキャリア５２は、モー
タ５７により搬送され、複数のガイドローラ５８に案内
されて、巻出しリール５３から表面処理装置５６及びボ
ンディング部５４を通過して巻取りリール５５に送られ
る。ボンディング部５４は、よく知られるように加圧シ
リンダで上下に駆動されるボンディングツール５９を有
し、チップステージ６０上に位置決めされたＩＣチップ
６１に、テープキャリア５２の開孔部に突出するインナ
リード６２を加圧加熱して接続する。
【０１２６】表面処理装置５６は、上述したいずれかの
表面処理装置例えば図１の表面処理装置１と同一の構成
からなり、ガス供給装置４から送られたガスに、電源２
から高周波電圧を印加することによって、大気圧近傍の
圧力下で電極３とテープキャリア５２との間で気体放電
させる。放電により発生した活性種に曝露することによ
って、インナリード６２及びテープキャリア５２の表面
から有機物・無機物の汚れが除去される。これにより、
インナリード６２とＩＣチップ６１との接合性が大幅に
向上する。この場合、別個の表面処理装置を用いてＩＣ
チップ６１の接合面を同様に表面処理しておくと、両者
の接合性が更に向上する。また、前記表面処理により、
同時にインナリード６２及びテープキャリア５２の表面
が改質されてぬれ性が向上する。従って、後工程でこれ
らを樹脂封止する際に、モールド樹脂との密着性が向上
する。これにより、最終的にＴＣＰ（Tape Carrier Pac
kage）の歩留りが向上する。
【０１２７】また、本発明の表面処理方法は、液晶ディ
スプレイの製造におけるドライ洗浄に用いることができ
る。液晶ディスプレイの製造工程は、図１７に示すよう
に、工程順にパターン基板作製工程、セル作製工程、液
晶モジュールの作製工程に大きく分けられる。先ず、パ
ターン基板作製工程では、透明電極基板を洗浄した後必
要な電極、配線を、周知の真空蒸着法やＣＶＤ法を用い
てパターニングして、パターン基板を形成する。次に、
セル作製工程において、前記パターン基板を洗浄した後
配向膜を形成し、更に洗浄した後液晶セルを形成する。
所定寸法の前記液晶セルに偏光板を貼り付けて、液晶パ
ネルを形成する。検査を通過した前記液晶パネルは、最
後にモジュール作製工程において、駆動用のＩＣチップ
や実装基板を接続し、筐体に組み立てられて、液晶ディ
スプレイが完成する。
【０１２８】本実施例では、パターン基板作製工程中の
洗浄工程、及びセル作製工程中の２回の洗浄工程におい
て、上述した大気圧近傍下のプラズマ放電による表面処
理を基板の全面に対して行う。これにより、基板表面か
ら有機物・無機物の汚れを除去し、後工程のためにぬれ
性を改善することができる。本発明によれば、枚葉処理
による基板の洗浄が可能であるから、特にぬれ性につい
ては、バッチ処理の場合のようにポットライフに注意す
る必要がなく、後のパターニング工程、配向膜形成工程
等のスケジュール、各作業が行われる場所、それらの間
における運搬の問題等を考慮して、最適に生産管理する
ことができる。また、洗浄後の基板はリアルタイムで後
工程に送ることができるので、インライン化を容易に実
現することができる。更に、必要に応じて基板の一部分
のみを選択的に洗浄することもできる。
【０１２９】更に、液晶セル表面に偏光板を貼り付ける
工程の前処理として、同様に本発明による大気圧近傍下
での表面処理を行う。これにより、以前の工程において
液晶セル表面に付着したフラックス、スクライブの残滓
や指紋の汚れ等の有機物、無機物を、簡単に高速度でか
つ低コストで除去することができる。これにより、従来
の人手による汚れ落としの作業が不要となって、手間及
び処理時間を削減することができ、かつ液晶セル表面を
物理的に損傷させることがなく、液晶セルと偏光板との
間に気泡が残って映像不良等の表示欠陥を生じる虞を確
実に解消することができる。
【０１３０】最後のモジュール作製工程において、筐体
組立後に最終検査を行い、液晶パネルに実装された半導
体チップに不良品が発見された場合には、これを取り除
いて良品のチップに交換する。例えば、図１８に示す液
晶パネル６３は、所謂ＣＯＧ（chip on glass）方式に
より液晶セル６４のガラス面に複数個の駆動用半導体チ
ップ６５が直接接続されている。本発明によれば、発見
された不良品の半導体チップ６６のみを、例えばその接
合部を加熱することによって取り除く。
【０１３１】次に、良品の半導体チップを交換して実装
する前に、その接合領域６７に選択的に、本発明による
大気圧近傍下での放電による活性種を含むガスを曝露し
て表面処理を行う。この場合、表面処理装置６８と液晶
セル６４との間に、図１９に示すように接合領域６７に
対応する開孔６９を有するマスク７０を使用すると、簡
単に他の半導体チップ６５やその接合部に影響を与えな
いようにすることができるので、好都合である。従っ
て、従来の局所的な処理が困難なウェット洗浄や各種ド
ライ洗浄のように全部の半導体チップを取り外す必要が
ない。本願発明者が実験したところ、このようにして表
面処理することによって、接合領域６７から不良品６６
を除去した後に残存する接着剤、ろう材等が、他の部分
に搭載された良品の半導体チップ等に何ら影響を与える
ことなく除去された。同時に、接合領域６７のぬれ性が
改善されて、良品の半導体チップを良好に接続すること
ができた。また、接合部の洗浄において、前記表面処理
だけで指紋に含まれるアルカリ残渣を除去することは困
難であったが、表面処理の前または後に純水洗浄を組み
合わせて行うことによって、完全に清浄化できた。
【０１３２】更に、本実施例では、ガンタイプの表面処
理装置６８を用いてインライン化することができ、これ
を半導体チップのボンディング装置と一体化することに
よって、洗浄機付きボンディング装置が得られた。ま
た、本発明は、当然ながら、ＣＯＧ方式以外の方法によ
り液晶セルと実装基板とを接続した液晶パネルについて
同様に適用することができ、また、液晶パネル以外に電
子部品を搭載したプリント基板等の半導体装置の製造に
おいても同様に適用することができる。
【０１３３】次に他の実施例として、前述の図１６に示
したテープキャリヤに電子部品を接続するＩＬＢ（イン
ナーリードボンディング）工程の後工程へ本願発明を適
用した例を説明する。つまり、テープキャリヤに電子部
品をＩＬＢ工程で接続したＴＣＰ（テープ・キャリヤ・
パッケージ）に対して、ポッティングまたはトランスフ
ァーモールディング等のパッケージをほどこした後に、
このＴＣＰをさらに回路基板へ接続するＯＬＢ（アウタ
ーリードボンデイング）工程の前処理へ、本願発明を適
用することにより、ＯＬＢ工程での濡れ性を向上させた
ものが本実施例である。
【０１３４】ＴＣＰのリードと回路基板のパターンとの
接続は、半田により行われる場合、異方性導電フィルム
により行われる場合等がある。
【０１３５】半田により行われる場合は、ＴＣＰのリ−
ドのフィンガー部に半田コートを行い、かつ回路基板の
パターンに対しても半田メッキを行う。そしてそれらを
３５０〜４００℃程度で治具により加熱圧着して接合す
る。この加熱圧着前に、前述の本願発明のプラズマ処理
をＴＣＰ及び／または回路基板の半田部分にほどこし、
濡れ性を向上させることが本実施例である。次に、半田
により接続する場合の具体的な説明を行う。
【０１３６】後述の図２２に示す上電極を持った図２１
に示す装置を用い、高周波電力２００Ｗ、処理ガスとし
てＨｅを流量２０リットル／分とＣＦ４を３００ｃｃ
ｍ、それと水蒸気等の水分が２％のものを用いる。する
と、半田上の自然酸化膜（ＳｎＯ）が、濡れ性向上のた
めに有効な材質（ＳｎＦ２）に以下のように変化する。 ＣＦ４ ＋ ２Ｈ２Ｏ → ＣＯ２ ＋ ４ＨＦ ２ＨＦ ＋ ＳｎＯ → Ｈ２Ｏ ＋ ＳｎＦ２ 次に、ＴＣＰのリードと回路基板のパターンとの接続
が、異方性導電フィルムにより行われる場合の実施例に
ついて述べる。ここで、ＴＣＰのリードもしくは回路基
板のパターンの両方もしくはどちらかに半田が形成され
ていれば上述と同様の処理を行えばよいものである。し
かし、例えばＴＣＰのリ−ドに半田が形成されておら
ず、しかもそのリ−ドが銅からなる場合も、上述と同様
の処理条件で行う。この時、銅上の接合に不都合な自然
酸化膜（ＣｕＯ）が、気体のガス（ＣｕＦ２）に以下の
ように変化し、銅の表面が露出し、濡れ性が向上する。
【０１３７】 ＣＦ４ ＋ ２Ｈ２Ｏ → ＣＯ２ ＋ ４ＨＦ ２ＨＦ ＋ ＣｕＯ → Ｈ２Ｏ ＋ ＣｕＦ２ 次に他の実施例として、図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
及び表４を参照してＴＡＢ（テープ・オートメーテッド
・ボンディング）、つまりＩＣ等の電子部品がＩＬＢ工
程により実装されたキヤリヤテープのＩＣ等の電子部品
に対して、その保護として行うポッティングの前処理に
本願発明を適用した例を説明する。ポッティング膜は、
ＩＣ等の電子部品を外界からの湿度や機械的なダメー
ジ、不純物の汚染、から保護するために設けられるもの
である。従って、このポッティング膜は、その目的を達
成するために、ＩＣ等の電子部品の周りに充分回り込ん
で形成する必要がある。このポッティング膜は、エポキ
シ樹脂等からなる。ポッティング膜を充分回り込ませる
ために、本願発明の処理を適用し、濡れ性を向上させる
のである。
【０１３８】図２０を用いて説明する。図２０におい
て、２０１０はポッティング樹脂を塗布するためのディ
スペンサー、２０１１はディスペンサー２０１０のノズ
ル、２０１２はテープキャリヤ、２０１３はテープキャ
リヤ上に印刷されたリード、２０１４はＩＣチップ、２
０１５はポッティング樹脂である。図２０（Ａ）を下側
からみた図が、図２０（Ｂ）である。図２０（Ａ）及び
（Ｂ）は、ポッティング樹脂２０１５を塗布する前の状
態を示し、図２０（Ｃ）は、ポッティング樹脂２０１５
を塗布した後の状態を示す。図２０（Ｃ）中の”α”
は、テープキャリヤ２０１２のＩＣチップ２０１４が設
けられている側のＩＣチップ２０１４の端部からポッテ
ィング樹脂２０１５の端部までの距離を示しているもの
である。これを、表４中では、回り込み量と表現した。
また、表４中の回り込み量αは、１つのＴＣＰ中での平
均値を表している。
【０１３９】具体的な処理条件を次に説明する。図２０
（Ａ）よりも前の状態で、図２２に示す上電極を持った
装置で、図２４に示すような状態で、大気圧プラズマ処
理を行う。使用ガスは、４リットル／分の流量のＨｅ
と、２００ｃｃｍのＯ２であり、印加電力は表４に示す
ように、各種値が適当であるが、１５０Ｗが好ましい。
表４中の本発明Ａから本発明Ｄはどれも本実施例であ
り、回り込み量αも、全てよい値を示す。これは、従来
例のプラズマ等、何の処理もほどこさずにポッティング
樹脂を塗布した従来Ａ及び従来Ｂの回り込み量αと比較
すれば明きらかである。従来Ａは、従来の処理のうち最
もよい値を示し、従来Ｂは従来の処理のうち不良品とし
たものの値を示す。
【０１４０】
【表４】
【０１４１】さらに他の実施例を図２１から図２５を用
いて次に説明する。この実施例は電極と被処理部材（ワ
ーク）との間で放電及びプラズマの生成を行う電極構造
及びその電極を用いた各種ワークの処理方法に関するも
のであり、前述のＩＬＢ工程の前処理、モールド（樹脂
封止）工程の前処理、ＯＬＢ工程の前処理、ポッティン
グ樹脂の塗布工程の前処理及び液晶パネルに対する処理
等に適用可能なものである。
【０１４２】また、前述の図１，図３，図４，図５，図
６及び図１６は、処理装置を簡略化して示しているが、
これらの図の処理装置は、図２１から図２４までの処理
装置を用いて処理を行うこととしてもよいものである。
【０１４３】図２１は、電極とワークとの間で放電する
タイプの電極構造の立体図（一部透視図）である。図２
１において、２１１０は上電極２１１１を処理装置へ接
続するための絶縁体からなるコネクター、２１１１は上
電極、２１１２はガスが通るガス流路、２１１３はアル
ミナまたはセラミックス等からなる絶縁体、２１１４は
被処理体であるワーク、２１１５は下電極、２１１６は
ガスをワーク２１１４へ噴射するためのスリット状の
孔、２１１７はワークの両面を一度に両側から処理する
ためのガスを放出するスリット状の孔である。
【０１４４】Ｈｅ，Ｏ２，ＣＦ４，水蒸気等の使用ガス
は、上電極２１１１の上側のガス流路２１１２（図では
３箇所）から導入され、ワーク２１１４に対してはスポ
ット状ではなく、スリット状に噴射される。このよう
に、図の３箇所のガス流路２１１２は途中で全てつなが
っている構成とする。これは、ブラズマの発生の均等化
に有効である。
【０１４５】ワーク２１１４は、ＴＡＢ，ＴＣＰに用い
られるポリイミド等からなるキャリヤテープ、リードフ
レーム、液晶パネル等からなり、ワーク２１１４の導電
体の部分と上電極２１１１、もしくは下電極２１１５と
上電極２１１１との間の空間で放電が起こり、そこでプ
ラズマが生成される。この放電は、正確には、上電極２
１１１の下方向へ凸型となった最下面、つまり、下に薄
く絶縁体２１１３が存在している部分の上電極２１１１
の面と、ワーク２１１４との間または下電極２１１５と
の間で行われる。この放電が起こる空間は、好ましくは
５ｍｍ以下で０ｍｍより大きいことがよい。また、ワー
ク２１１４は、２１１４の符号を引き出している方向へ
移動しながらのプラズマ処理が可能である。
【０１４６】下電極２１１５に設けられたスリット状の
孔２１１７も使用して、ワーク２１１４の裏面も表面と
同時にプラズマ処理を行う場合は、ワーク２１１４を図
示しない機構により、上電極２１１１と下電極２１１５
とに接しないように、それらの間に浮かせることが必要
である。ワーク２１１４の裏面の処理が必要なく、表面
の処理だけであれは、ワーク２１１４は、下電極２１１
５に接していてもよい。
【０１４７】上電極２１１１の下面及び側面に形成され
た絶縁体２１１３は、厚さ０．５ｍｍ程度のアルミナま
たはセラミックス等からなり、上電極２１１１の放電に
寄与する部分と、ワーク２１１４との間もしくは下電極
２１１５との間で発生するアーク放電等の異常放電を防
止するために必要なものであり、本実施例の特徴の１つ
である。このアーク放電等の異常放電が発生すると、ワ
ークにＩＣチップ等の部品が搭載されている場合に、Ｉ
Ｃチップを破壊してしまうことになる。
【０１４８】この図２１は、上電極２１１１を図２２の
ものに変更したり、ガス流路２１１２を図２２及び図２
３のものに変更したり、または、下電極２１１５を図２
４または図２５のものに変更したりすることが可能であ
る。また、図２１から図２５の各構成部分は、各々どの
ような組み合わせでも可能である。
【０１４９】次に上電極の他の構成を図２２及び図２３
を参照して説明する。この実施例は、少ない使用ガス量
で、均一で、かつ処理の際に正常なプラズマの発生を起
こさせるために有効なものである。図２２は、図２１の
ような処理装置の幅の狭い方向の上電極の断面図であ
る。
【０１５０】図２２は、上電極の構造を示すものであ
り、２２１０は上電極２２１１を処理装置へ接続するた
めの絶縁体からなるコネクター、２２１１は上電極、２
２１２はガス流路、２２１３は必要に応じて上電極２２
１１を冷却するための冷却水路、２２１４は多孔質のア
ルミナまたはセラミックス等の絶縁物からなる多孔質
材、２２１５はアルミナまたはセラミックス等からなる
絶縁体、２２１６は空間、２２１７はガスを噴射するス
リット状の孔である。
【０１５１】図２２のガス流路２２１２下に存在する多
孔質材２２１４は、ガス流路２２１２の金属部分と、図
示しないワークもしくは下電極との間のアーク放電等の
異常放電を防止するために設けたものである。
【０１５２】また、図２２の絶縁体２２１５は、図２１
の絶縁体２１１３と同様の役割を有するものである。つ
まり、空間２２１６とスリット状の孔２２１７とに挟ま
れている上電極２２１１の下面（金属）、つまり放電部
分と、図示しない下電極との間で発生するアーク放電等
の異常放電を防止するために、絶縁体２２１５を設けて
いる。これにより、ワークの破壊が発生しない。このと
き、上電極２２１１の放電部分下に存在する絶縁体２２
１５の厚さは、０．５ｍｍ程度である。
【０１５３】さらに、この図２２の絶縁体２２１５は、
下側を大きく左右に張りだしたウイング形状とした。こ
のウイング形状により、スリット状の孔２２１７から放
出されたガスを放電空間に閉じこめ易くできる。このウ
イング形状の絶縁体２２１５も本実施例の特徴の１つで
ある。ガスを放電空間に閉じこめ易いということは、同
じプラズマ処理を行うにあたって、ウイング形状がある
場合のほうが、無い場合に比較して、より使用ガスの消
費量が少なくて済むということを意味する。例えば、図
２１のような絶縁体２１１３を有する装置の場合は、放
電に必要なＨｅガスが２０リットル／分であるのにたい
して、図２２のようなウイング形状の絶縁体２２１５を
有する装置の場合は、放電に必要なＨｅガスが３リット
ル／分でよい。この絶縁体２２１５のウイング形状は、
必要に応じて左右への張りだし量を調整可能とする。ま
た、ウイング形状の絶縁体２２１５を有する装置では、
ワークを大気圧中のプラズマによりエッチングする際
に、エッチングした物質のワークへの再度の付着を防止
することができる。
【０１５４】次に図２２の空間２２１６について説明す
る。プラズマの発生に寄与する放電は、空間２２１６と
スリット状の孔２２１７とに挟まれている上電極２２１
１の下面（金属）、つまり放電部分と、図示しないワー
クまたは下電極との間で行われる。この際、放電面積を
広げるために、空間２２１６へ追加の金属を上電極２２
１１に接続する形で形成すればよい。従って、空間２２
１６は、放電面積を増減させるためのものである。
【０１５５】図２２のガス流路２２１２が、その途中で
曲がっているが、これは本実施例の特徴の１つである。
【０１５６】図２１のガス流路２１１２は直線であっ
た。図２１のようにガス流路２１１２が全体として直線
的な形状であると、スポット状に導入されたガスが下の
スリット状の孔２１１６から放出される際に、ガス濃度
にばらつきが生じ、プラズマの不均一化につながること
があった。つまり、ガス流路下に位置するスリット状の
孔の部分から、他のスリット状の孔の部分よりも多くガ
スが噴出し易いのである。プラズマの不均一化は、処理
の不均一化となり、信頼性上問題である。
【０１５７】そこで、図２１のガス流路２１１２を改良
したものが、図２２のガス流路２２１２である。図２３
も参照しながら、図２２のガス流路２２１２について説
明する。
【０１５８】図２３は、図２２のガス流路２２１２のみ
を、立体的に取り出して記載したものである。図２３に
おいて、２３１０はスポット状のガス導入口、２３１１
はスリット状のガス放出口である。図２３では、ガス導
入口２３１０を省略して２箇所しか記載していないが、
実際のガス導入口は、図２１のように３箇所か、もしく
は４箇所程度が適当である。また、図２３には、図２２
に記載された多孔質のアルミナまたはセラミックス等の
絶縁物からなる多孔質材２２１４も省略して図示してい
ないが、実際には、多孔質材を図２３のスリット状のガ
ス放出口に沿って形成するものである。
【０１５９】図２３のように、図２２のガス流路２２１
２を構成することにより、次のような効果がある。つま
り、ガス導入口２３１０から導入されたガスが、スリッ
ト状のガス放出口２３１１から放出されるまでに、充分
濃度的に均等化されるため、ワークに対して均等なプラ
ズマ処理が行える。
【０１６０】次に図２４及び図２５を参照して、他の実
施例としてＴＣＰ及びリードフレームのプラズマ処理に
ついて説明する。
【０１６１】まず、図２４を参照して、他の実施例を説
明する。図２４は、図２１のような処理装置の長手方向
の断面図である。
【０１６２】図２４は、テープ状のＴＣＰが図の紙面に
対して垂直方向に移動しながらプラズマ処理を行うもの
である。また、ＴＣＰのＩＣチップをポッティングまた
はトランスファモールディングする前の大気圧プラズマ
処理を示す実施例である。さらに、そのプラズマ処理の
条件は、表１及び表２のように先に詳細に示してあるも
のがそのまま利用できる。例えば、上電極２４１０と下
電極２４１１に印加する高周波の周波数は、１３．５６
ＭＨｚ、使用ガスはＨｅ＋Ｏ２、処理時間は５秒であ
る。
【０１６３】図２４は、図２１または図２２に比較して
各部の構成を省略して示しているが、実際には、特に上
電極については図２１及び図２２の構成を適用するもの
である。図２４において、２４１０は上電極、２４１１
は下電極、２４１２はＴＣＰのテープキャリヤ、２４１
３はＩＣチップ、２４１４はリード、２４１５は下電極
２４１１に設けられた凹部、２４１６は上電極２４１０
の放電部側に設けられたアーク放電等の異常放電を防止
するための絶縁体である。
【０１６４】また、図２４中の凹部２４１５は、プラズ
マをＴＣＰの上電極からみて反対側（ＩＣチップが存在
しない側）へ回り込ませて、テープキャリヤの両側、リ
ード及びＩＣチップの表面のプラズマによる改質を充分
に行うためと、後述のように放電の集中を防止するため
に必要なものであり、本実施例の特徴の一つである。図
２４において、上電極２４１０の横幅は８０ｍｍ程度で
あり、凹部２４１５の幅”ハ”は３０ｍｍ程度であり、
ＴＣＰの幅”ニ”は３５ｍｍ程度であり、凹部２４１５
の深さ”イ”は３ｍｍ程度であり、ＴＣＰの厚さ”ロ”
は１ｍｍ程度であり、上電極２４１０の下面から、凹部
２４１５の底部までの距離”ホ”は５ｍｍ程度以下であ
る。
【０１６５】前述したように、放電間間隔としては、最
大でも５ｍｍ程度であり、本実施例の場合は、その放電
間間隔は”ホ”となる。なぜならば、ＴＣＰは、主体的
にはポリイミド等の絶縁体のテープに、銅等の導電体の
リ−ドを印刷したものである。その導電体のリ−ド２４
１４が多く存在している部分では、上電極２４１０とＴ
ＣＰのリード２４１４との間で放電が生ずるが、リ−ド
２４１４がほとんど存在しない部分では、上電極２４１
０と下電極２４１５の凹部２４１５の底部との間で放電
することとなる。このとき、凹部２４１５の深さを４ｍ
ｍ程度以上に深くしてしまうと、上電極２４１０と凹部
２４１５との間が５ｍｍを越えた距離となり、これらの
間では有効に放電しなくなり、上電極と凹部２４１５以
外の下電極２４１１との間でしか放電が起こらなくな
る。すると、下側の放電面積縮小による放電の集中が発
生する。この放電の集中により、多くのパワーが狭い範
囲に集中するため、ＴＣＰ上のリードの断線が生じ、Ｔ
ＣＰの破壊につながってしまう。そのため、ＴＣＰのプ
ラズマ処理の場合は、凹部２４１５の深さ”イ”がポイ
ントとなり、その値は前述のように３ｍｍ程度が適当で
ある。
【０１６６】次に、図２５を参照して、他の実施例を説
明する。図２５（Ａ）は、図２１のような処理装置の幅
の狭い方向の断面図であり、図２５（Ｂ）は、図２１の
ような処理装置の長手方向の断面図である。
【０１６７】図２５は、ＩＣチップが３つ搭載されたリ
ードフレームを下電極上に載置してプラズマ処理を行う
ものである。また、リードフレーム上のＩＣチップをト
ランスファモールディングする前の大気圧プラズマ処理
を示す実施例である。さらに、そのプラズマ処理の条件
は、表１及び表２のように先に詳細に示してあるものが
そのまま利用できる。例えば、上電極２５１０と下電極
２５１５に印加する高周波の周波数は、１３．５６ＭＨ
ｚ、使用ガスはＨｅ＋Ｏ２、処理時間は５秒である。
【０１６８】図２５は、図２１または図２２に比較して
各部の構成を省略して示しているが、実際には、特に上
電極については図２１及び図２２の構成を適用するもの
である。図２５において、２５１０は上電極、２５１１
はガス流路であり、前述の図２２のガス流路２２１２と
同様に、ガスを均等化してスリット状のガス放出口から
放出する機能を有している、２５１２は上電極２５１０
の放電部側に設けられたアーク放電等の異常放電を防止
するための絶縁体、２５１３はリードフレーム、２５１
４はＩＣチップ、２５１５は下電極、２５１６は下電極
２５１５に設けられた凹部である。
【０１６９】また、図２５中の凹部２５１６は、プラズ
マをリードフレーム２５１３の上電極からみて反対側
（ＩＣチップ２５１４が存在する側）へ回り込ませて、
リードフレームの両側及びＩＣチップの表面のプラズマ
による改質を充分に行うために必要なものであり、本実
施例の特徴の一つである。しかし、凹部２５１６につい
て、本実施例と図２４の実施例との異なる部分は、図２
４は放電の集中の防止を考慮して、凹部の深さを決めて
いたのに対して、本実施例は放電の集中を考慮する必要
が無いことである。なぜならば、本実施例のワークはリ
ードフレーム２５１３であり、リードフレーム２５１３
は金属である。そのため、リードフレーム２５１３は、
ＴＣＰのテープキャリヤのように部分的に導電リードが
多く存在していたり、いなかったりということはなく、
常に導電体である金属のリードフレーム２５１３が、上
電極２５１０と対向した場所に存在する。したがって、
本実施例は放電の集中が起こり得ない構造である。
【０１７０】図２５において、凹部２５１６の深さ”
ヘ”は５ｍｍ程度であり、上電極２５１０の下面から、
リードフレーム２５１３の上面までの距離”ト”は５ｍ
ｍ程度以下である。この”ト”の距離は、先に何回か説
明しているように、放電に必要な導電部材間の距離は、
最大５ｍｍ程度であることに起因している。もし、放電
させるための導電部材間の距離が５ｍｍを越えると、有
効な放電が起きなくなる。５ｍｍを越えても放電をさせ
ようとすると、過剰なガス量、過剰な高周波電力等が必
要となり、製造処理上好ましくない。
【０１７１】次に、異常放電の防止と、単位面積当たり
の高周波電力について考察する。
【０１７２】まず、異常放電の防止について述べる。
【０１７３】図２２の形状の上電極を、図２１の処理装
置へ適用する場合に、異常放電を防止するための電極構
造と印加高周波電力との関係について、説明する。
【０１７４】”Ｘ”をワーク外の放電部分の電極の長さ
（ｍｍ）とし、”Ｙ”を高周波電力（Ｗ）とすると、次
の関係式（式１）が成立する。
【０１７５】Ｘ ≧ ０．０９Ｙ ・・・（式１） ここで、このワーク外の放電部分の電極の長さ”Ｘ”と
は、例えば上電極と下電極とが重なった部分の、図２１
の処理装置の長手方向の上電極の長さのうち、ワークが
その下に存在しない部分の長さ（上電極の両側の長さの
和）を示す。
【０１７６】この式１を満たすように、”Ｘ”及び”
Ｙ”を適切に設定すれば、異常放電が生じないことが、
本願発明者の実験により明きらかとなった。
【０１７７】次に、単位面積当たりの印加高周波電力に
ついて考察する。
【０１７８】本願発明者による実験の結果、次の値が好
ましいことがわかった。
【０１７９】０．３〜１００Ｗ／ｃｍ2 このとき、高周波電力、つまりパワーを上げると、処理
時間が短くなるものである。また、Ｈｅをべースとした
使用ガス中に、混合する他のガス（”Ｚ”）の割合［Ｚ
／（Ｚ＋Ｈｅ）＊１００］は、０〜３０％が好ましく、
さらに好ましくは０〜１０％であることも実験により明
きらかとなった。Ｈｅ１００％の時と、Ｈｅに５％の酸
素（Ｏ２）を混ぜた時とで、放電を生じ、かつ異常放電
を生じさせない、上述の単位面積当たりの印加高周波電
力の値は次の通りである。
【０１８０】 Ｈｅ：１００％ ・・・ ０．３〜２０Ｗ／ｃｍ2 ５％Ｏ２＋Ｈｅ ・・・ ５〜８０Ｗ／ｃｍ2 このように、ヘリウムガスが多いほど、小さなパワーで
放電が可能となり、酸素等の他のガスを混合するほど、
大きなパワーを印加できる。
【０１８１】最後に、使用ガスについて追加の説明を行
う。
【０１８２】大気圧中でプラズマを発生させるための放
電にタイプとして、大きく分けて２つのタイプが存在す
る。つまり、１つ目は、図１，図３，図４，図５，図
６，図１６や、図２１から図２５で説明したように、電
極と被処理部材（ワーク）との間で放電及びプラズマの
生成を行うタイプであり、２つ目は、図７，図８，図
９，図１０，図１１及び図１２で説明したように２つの
電極間で放電及びプラズマの生成を行い、そこで生成さ
れたプラズマを別の場所に置かれた被処理部材へ向けて
放出するタイプである。前者は、放電発生の場所と被処
理部材に対するプラズマ処理の場所が同じであり、ここ
でこれを直接放電タイプと表現する。また、後者は放電
発生の場所と被処理部材に対するプラズマ処理の場所が
異なり、ここでこれを間接放電タイプと表現する。
【０１８３】直接放電タイプは、間接放電タイプに比較
して使用ガス量が少なくて済む。直接放電タイプの放電
の種類は、グロー放電であり、間接放電タイプのそれ
は、コロナ放電である。前述の各実施例で各種の使用ガ
スについて説明したが、実際には、各放電タイプにとっ
てより好ましい使用ガスが存在する。この好ましい使用
ガスについて説明する。
【０１８４】ガスのコストは、圧縮空気が一番安い、こ
れは大気中の空気を単に圧縮して使用するだけなので当
然である。また、放電に有効なＨｅは、コストがかかっ
ている。また、窒素は、大気中から窒素のみを取り出し
て使用するため、比較的安く生成できる。したがって、
ヘリウム（Ｈｅ）のみ及びヘリウムをベ−スとするガ
ス、例えばＨｅ＋Ｏ２、Ｈｅ＋ＣＦ４等は、直接放電タ
イプに使用する方が好ましい。また、圧縮空気、窒素、
窒素と酸素の混合等は、間接放電タイプに使用する方が
好ましい。また、どちらのタイプとも窒素＋ＣＦ４は、
酸化させずにエッチングする場合に有効である。
【０１８５】さらに、金属メッシュは、間接放電タイプ
に使用する方が有効である。
【０１８６】以上、本発明の好適な実施例について詳細
に説明したが、本発明は、その技術的範囲内において上
記実施例に様々な変形・変更を加えて実施することがで
きる。例えば、放電発生用の電極は、棒状、板状のもの
以外に球状、非球状湾曲形状等様々な形状とすることが
できる。これによって処理条件に適した放電状態を生じ
させることができる。また、本発明による放電処理は、
被処理材の向きに拘らず上下いずれの面に対しても行な
うことができる。
【０１８７】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。
【０１８８】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
請求項１に記載されるように構成することによって、減
圧環境を必要としないので装置の構成を簡単にして小型
化することができ、大気圧近傍下の放電により高速度で
表面処理できるので、電子・イオンが励起種に比して少
なくなり、電子部品またはリードへのダメージが少な
く、低コストで電子部品とリードとの接合性を向上さ
せ、またはモールド樹脂との密着性を向上させることが
できるので、歩留りが向上し、かつ半導体装置の信頼性
を向上させることができる。しかも、枚葉処理が可能で
あり、電子部品とリードとを接合する工程またはこれら
を樹脂封止する工程とのインライン化を容易に達成する
ことができ、また装置を移動可能にして作業性を向上さ
せることができる。
【０１８９】そして、本発明の半導体装置の製造装置に
よれば、請求項１５記載のように構成することによっ
て、上述した半導体装置の製造方法を実現し、インライ
ン化した装置を実現することができる。
【０１９０】更に、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、請求項２８に記載されるように構成することによ
って、不良品の電子部品が一部存在する場合でも、従来
のように全部の電子部品を取り外す必要がなく、しかも
処理が高速度で簡単に行えるので、工数及び手間を大幅
に削減し、コストを低減することができる。
【０１９１】また、本発明の液晶モジュールの製造方法
によれば、請求項２９に記載されるように構成すること
によって、液晶パネルへの偏光板の貼付不良の発生が解
消され、歩留りを向上させると共に、液晶パネルに物理
的ダメージを生じることなく偏光板の貼付けを容易にす
ることができ、生産性の向上を図ることができる。
【０１９２】更に、本発明の液晶モジュールの製造方法
によれば、請求項３０に記載されるように構成すること
によって、高い処理能力で液晶パネルを洗浄できるの
で、枚葉処理が可能であり、処理後のポットライフに大
きく制限されることなく余裕のある生産管理を行うこと
ができ、かつ後工程とのインライン化を達成することが
できる。
【０１９３】請求項３１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、半田表面の酸化膜を濡れ性のよいフッ化スズ化
合物膜へ変化させることができるため、半田付けのより
一層の濡れ性向上が行える。
【０１９４】請求項３２及び３３記載の半導体装置の製
造装置によれば、絶縁膜の存在により、アーク放電等の
異常放電が防止でき、また、絶縁膜をウイング形状とす
ることにより、使用ガスをより少なくできる。
【０１９５】請求項３４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、ガスの濃度を均等化することができ、これによ
り、プラズマ処理の均等化が行える。
【０１９６】請求項３６記載の半導体装置の製造装置に
よれば、多孔質部材の存在により、異常放電を防止する
ことができる。
【０１９７】請求項３８及び３９記載の半導体装置の製
造装置によれば、凹部を設けることにより、ＴＣＰやリ
ードフレームの裏側まで充分にプラズマを回り込ませる
ことができ、また、ＴＣＰの処理の場合に異常放電を防
止できる。
【０１９８】請求項４０及び４１記載の半導体装置の製
造装置によれば、安定な放電を発生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の製造方法の第１実施
例に使用される表面処理装置の構成を示す模式図であ
る。
【図２】樹脂封止されたパッケージ型半導体装置の断面
図である。
【図３】本発明の第２実施例に使用される表面処理装置
の模式図である。
【図４】本発明の第３実施例に使用される表面処理装置
の模式図である。
【図５】本発明の第４実施例に使用される表面処理装置
の模式図である。
【図６】本発明に使用される表面処理装置の第２実施例
を示す模式図である。
【図７】本発明に使用される表面処理装置の第３実施例
を示す模式図である。
【図８】本発明に使用される表面処理装置の第４実施例
を示す模式図である。
【図９】図８のIX−IX線における断面図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂからなり、それぞれ表
面処理装置に使用するノズルの構造を示す断面図であ
る。
【図１１】現場で使用可能な表面処理装置に使用するノ
ズルを示す部分断面斜視図である。
【図１２】図７Ａは、放電発生部とノズルとを別個にし
た表面処理装置の構成を示す部分断面斜視図であり、図
７図はノズル部分の変形例を示す図である。
【図１３】反応性ガス中に水分を含ませるための構成を
示すブロック図である。
【図１４】図１３と異なる別の構成を示すブロック図で
ある。
【図１５】図１３と異なる更に別の構成を示すブロック
図である。
【図１６】本発明による表面処理装置を用いてテープキ
ャリヤに電子部品をインナボンディングするための装置
を概略的に示す構成図である。
【図１７】液晶ディスプレイを製造する工程を示すフロ
ー図である。
【図１８】液晶セルから不良品の電子部品を取り外す要
領を説明するための平面図である。
【図１９】マスクを用いて部分的に洗浄される液晶セル
を示す断面図である。
【図２０】図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃからなり、
それぞれＴＣＰ及びその表面処理装置の断面図及び平面
図である。
【図２１】本発明の実施例に使用される表面処理装置の
模式図である。
【図２２】本発明の実施例に使用される表面処理装置の
上電極の模式図である。
【図２３】本発明の実施例に使用される表面処理装置の
上電極のガス流路の模式図である。
【図２４】本発明の実施例に使用されるＴＣＰの表面処
理装置の模式図である。
【図２５】図２５Ａ及び図２５Ｂからなり、それぞれリ
ードフレームの表面処理装置の模式図である。
【符号の説明】 １ 表面処理装置 ２ 電源 ３ 放電発生用電極 ４ ガス供給装置 ５ 開口 ６ 電子部品 ７ リード ８ ダイパッド ９ ワイヤ １０ 放電領域 １１ モールド樹脂 １２ パッケージ １３ 先端部分 １４ 先端部分 １５ 電源 １６ 放電発生用電極 １７ 金属カバー １８ 絶縁取付具 １９ ガス供給装置 ２０ ダクト ２１ 対電極 ２２ 下端開口 ２３、２４ パイプ ２５ 金属メッシュ ２６ 放電領域 ２７ 反応性ガス流 ２８ 辺縁部 ２９ 内部空腔 ３０ 底面 ３１ 噴出口 ３２ 下端部 ３３ 処理装置 ３４ ノズル ３５ 放電発生部 ３６ 先端開口 ３７ 放電発生部 ３８ ノズル部 ３９ フレキシブルチューブ ４０ 表面処理装置 ４１ 本体 ４２ ノズル部 ４３ 表面処理装置 ４４ パイプ ４５ バルブ ４６ タンク ４７ 純水 ４８ ヒータ ４９ 霧化器 ５０ パイプ ５１ ＩＬＢ装置 ５２ テープキャリア ５３ 巻出しリール ５４ ボンディング部 ５５ 巻取りリール ５６ 表面処理装置 ５７ モータ ５８ ガイドローラ ５９ ボンディングツール ６０ チップステージ ６１ ＩＣチップ ６２ インナリード ６３ 液晶パネル ６４ 液晶セル ６５ 駆動用半導体チップ ６６ 不良品の半導体チップ ６７ 接合領域 ６８ 表面処理装置 ６９ 開孔 ７０ マスク ２０１０ ディスペンサー ２０１１ ノズル ２０１２、２４１２ テープキャリヤ ２０１３、２４１４ リード ２０１４、２４１３、２５１４ ＩＣチップ ２０１５ ポッティング樹脂 ２１１０、２２１０ コネクター ２１１１、２２１１、２４１０、２５１０ 上電極 ２１１２、２２１２、２５１１ ガス流路 ２１１３、２２１５、２４１６、２５１２ 絶縁体 ２１１４ ワーク ２１１５、２４１１、２５１５ 下電極 ２１１６、２１１７、２２１７ スリット状の孔 ２２１３ 冷却水路 ２２１４ 多孔質材 ２２１６ 空間 ２３１０ ガス導入口 ２３１１ ガス放出口 ２４１５、２５１６ 凹部 ２５１３ リードフレーム
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１５年６月１８日（２００３．６．１
８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 半導体装置の製造方法及びその装
置、並びに液晶ディスプレイ及び液晶モジュールの製造
方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】削除
フロントページの続き (72)発明者 山▲崎▼ 康男 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 波間 徳方 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 倉島 羊平 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 阿南 誠 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA23 FA25 FA30 HA06 HA18 KA30 MA04 MA20 5F044 AA01 CC01 5F061 AA01 BA01 CA04 CB12

Claims (41)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子部品とリードとを接合し、樹脂で封
    入してパッケージ型の半導体装置を製造する方法であっ
    て、 大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を生
    じさせ、前記放電により生成される前記ガスの活性種
    に、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
    方を曝露させる表面処理工程を含むことを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記電子部品及びリードを接合した後樹
    脂封止する前に、前記表面処理工程を行うことを特徴と
    する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記電子部品及びリードを接合する前
    に、前記表面処理工程を行うことを特徴とする請求項１
    記載の半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 高周波電圧を用いることによって、前記
    気体放電を生じさせることを特徴とする請求項１乃至請
    求項３のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記ガスの放電領域に、前記表面処理を
    行う前記少なくとも一方の電子部品またはリードを直接
    曝露させることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
    ずれか記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記活性種を含む前記ガスのガス流を、
    前記表面処理を行う前記少なくとも一方の電子部品また
    はリードに当てることを特徴とする請求項１乃至請求項
    ４のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記ガス流を金属メッシュを通して、前
    記表面処理を行う前記少なくとも一方の電子部品または
    リードに当てることを特徴とする請求項６記載の半導体
    装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記ガスがヘリウム、窒素、または圧縮
    空気のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請
    求項７のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記ガスが、ヘリウムまたは窒素と、酸
    素とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のい
    ずれか記載の半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記ガスが、ヘリウムまたは圧縮空気
    と、フッ素化合物とを含むことを特徴とする請求項１乃
    至請求項７のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ガスを、前記表面処理を行う前記
    少なくとも一方の電子部品またはリード付近に強制的に
    導入することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のい
    ずれか記載の半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記ガスが、少なくとも前記気体放電
    の開始時に希ガスを含むことを特徴とする請求項１１記
    載の半導体装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記表面処理を行う前記少なくとも一
    方の電子部品またはリードを、水分の存在下で前記活性
    種に曝露させることを特徴とする請求項１乃至請求項１
    ２のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記少なくとも一方の電子部品または
    リードを移動させながら前記表面処理を行うことを特徴
    とする請求項１乃至請求項１３のいずれか記載の半導体
    装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 接合された電子部品とリードとを樹脂
    で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
    装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方を
    表面処理するための表面処理部と、接合された前記電子
    部品及びリードを樹脂で封入するための樹脂封止部とか
    らなり、前記表面処理部が、大気圧またはその近傍の圧
    力下でガス中に気体放電を発生させる手段と、前記放電
    発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段と、前記放電
    により生成される前記ガスの活性種に前記少なくとも一
    方の前記電子部品またはリードを曝露させる手段とから
    なることを特徴とする半導体装置の製造装置。
  16. 【請求項１６】 前記表面処理部が、接合された前記電
    子部品及びリードが前記樹脂封止部において樹脂封止さ
    れる前に、表面処理するようになっていることを特徴と
    する請求項１５記載の半導体装置の製造装置。
  17. 【請求項１７】 前記表面処理部が、前記電子部品及び
    リードが接合される前に、表面処理するようになってい
    ることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造
    装置。
  18. 【請求項１８】 前記放電発生手段が、電源に接続され
    た電極からなり、前記少なくとも一方の前記電子部品ま
    たはリードとの間で前記気体放電を発生させることを特
    徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか記載の半
    導体装置の製造装置。
  19. 【請求項１９】 前記放電発生手段が、電源に接続され
    た電極と接地された電極とからなり、かつ前記曝露手段
    が、前記両電極間に発生する気体放電により生成される
    前記活性種を、それを含むガス流として前記少なくとも
    一方の前記電子部品またはリードに当てる手段を備える
    ことを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか
    記載の半導体装置の製造装置。
  20. 【請求項２０】 前記曝露手段が、前記ガス流を前記少
    なくとも一方の前記電子部品またはリード付近に案内す
    る管路を有することを特徴とする請求項１９記載の半導
    体装置の製造装置。
  21. 【請求項２１】 前記曝露手段が、前記ガス流を通過さ
    せる金属メッシュを有することを特徴とする請求項１９
    または請求項２０記載の半導体装置の製造装置。
  22. 【請求項２２】 前記金属メッシュが接地されており、
    前記電極と前記金属メッシュとの間で気体放電を発生さ
    せることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置の製
    造装置。
  23. 【請求項２３】 前記少なくとも一方の前記電子部品ま
    たはリードを選択的に前記活性種に曝露させるためのマ
    スク手段を更に有することを特徴とする請求項１５乃至
    請求項２２のいずれか記載の半導体装置の製造装置。
  24. 【請求項２４】 前記ガスを前記少なくとも一方の前記
    電子部品またはリード付近に導入するための手段を更に
    有することを特徴とする請求項１５乃至請求項２３のい
    ずれか記載の半導体装置の製造装置。
  25. 【請求項２５】 前記ガスに水分を含ませるための手段
    を更に有することを特徴とする請求項１５乃至請求項２
    ４のいずれか記載の半導体装置の製造装置。
  26. 【請求項２６】 前記活性種に曝露させる前記少なくと
    も一方の前記電子部品またはリードの表面に水分を供給
    する手段を更に有することを特徴とする請求項１５乃至
    請求項２４のいずれか記載の半導体装置の製造装置。
  27. 【請求項２７】 前記少なくとも一方の前記電子部品ま
    たはリードを移動させる手段を更に有することを特徴と
    する請求項１５乃至請求項２６のいずれか記載の半導体
    装置の製造装置。
  28. 【請求項２８】 複数の電子部品を搭載した後、不良品
    の電子部品を取り外し、かつ良品の電子部品に交換して
    再実装する工程からなる半導体装置の製造方法であっ
    て、 前記不良品の電子部品を取り外した後前記良品の電子部
    品を接続する前に、大気圧またはその近傍の圧力下でガ
    ス中に気体放電を生じさせ、前記放電により生成される
    前記ガスの活性種に、前記電子部品または前記半導体装
    置の接続部の少なくともいずれか一方を曝露させる表面
    処理工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  29. 【請求項２９】 液晶セルに偏光板を貼り付けた後、駆
    動用及び電源用の回路を接続してモジュールを組み立て
    ることにより、液晶ディスプレイを製造する方法であっ
    て、 大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を生
    じさせ、前記放電により生成される前記ガスの活性種に
    前記基板を曝露させる表面処理工程を含むことを特徴と
    する液晶モジュールの製造方法。
  30. 【請求項３０】 液晶セルに偏光板を貼り付けた後、駆
    動用及び電源用の回路を接続してモジュールを組み立て
    ることにより、液晶ディスプレイを製造する方法であっ
    て、 前記液晶セルに偏光板を貼着する前に、大気圧またはそ
    の近傍の圧力下でガス中に気体放電を生じさせ、前記放
    電により生成される前記ガスの活性種に前記液晶セルを
    曝露させる表面処理工程を行うことを特徴とする液晶デ
    ィスプレイの製造方法。
  31. 【請求項３１】 電子部品とリードとを接合し、樹脂で
    封入してパッケージ型の半導体装置を製造する方法であ
    って、 大気圧またはその近傍の圧力下でヘリウム及びフッ化炭
    素化合物からなる混合ガス中に気体放電を生じさせ、前
    記放電により生成される前記ガスの活性種に、前記電子
    部品またはリードの少なくともいずれか一方を曝露させ
    ることにより、前記電子部品またはリードの少なくとも
    いずれか一方の表面に形成された半田の酸化膜を、フッ
    化スズ化合物膜へ変化させることを特徴とする表面処理
    工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  32. 【請求項３２】 接合された電子部品とリードとを樹脂
    で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
    装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
    被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
    処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
    からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
    印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
    ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
    電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
    り、 前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の
    電極の、前記被処理部材と対向している面に形成された
    絶縁体を有することを特徴とする半導体装置の製造装
    置。
  33. 【請求項３３】 前記絶縁体は、放電が発生する部分よ
    りも横方向に広いウイング形状をしていることを特徴と
    する請求項３２記載の半導体装置の製造装置。
  34. 【請求項３４】 接合された電子部品とリードとを樹脂
    で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
    装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
    被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
    処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
    からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
    印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
    ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
    電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
    り、 前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の
    電極中に、途中で曲がったガス供給路を持つ前記ガスを
    供給する手段が設けられていることを特徴とする半導体
    装置の製造装置。
  35. 【請求項３５】 前記ガス供給路は、前記ガス供給路へ
    ガスを供給するガス導入口と、前記被処理部材へガスを
    放出するガス放出口からなり、前記ガス導入口は複数の
    スポット状であり、かつ前記ガス放出口はスリット状で
    あることを特徴とする請求項３３記載の半導体装置の製
    造装置。
  36. 【請求項３６】 前記ガス放出口には、絶縁体からなる
    多孔質の多孔質材が形成されていることを特徴とする請
    求項３３または請求項３４記載の半導体装置の製造装
    置。
  37. 【請求項３７】 前記多孔質材は、アルミナまたはセラ
    ミックスからなることを特徴する請求項３５記載の半導
    体装置の製造装置。
  38. 【請求項３８】 接合された電子部品とリードとを樹脂
    で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
    装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
    被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
    処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
    からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
    印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
    ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
    電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
    り、 前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の
    電極と対向している前記被処理部材が載置される前記第
    二の電極中に形成された凹部を有することを特徴とする
    半導体装置の製造装置。
  39. 【請求項３９】 前記凹部は前記被処理部材の下に形成
    されており、前記凹部の深さは、３ｍｍから５ｍｍであ
    ることを特徴とする請求項３６記載の半導体装置の製造
    装置。
  40. 【請求項４０】 接合された電子部品とリードとを樹脂
    で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
    装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
    被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
    処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
    からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
    印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
    ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
    電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
    り、 前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の
    電極の、前記被処理部材からはずれている部分の長さを
    Ｘ（ｍｍ）とし、印加する前記高周波電力をＹ（Ｗ）と
    した場合に、ＸとＹが次の式を満たすことを特徴とする
    半導体装置の製造装置。 「Ｘ ≧ ０．０９Ｙ」
  41. 【請求項４１】 接合された電子部品とリードとを樹脂
    で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
    装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
    被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
    処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
    からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
    印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
    ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
    電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
    り、 単位面積当たりの前記高周波電力を ０．３〜１００Ｗ／ｃｍ2 とすることを特徴とする半導体装置の製造装置。
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