JP2003338085A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射放熱層又は半透明反射放熱層にＡｇを主
成分とする材料を用いて、高線速のもとでの良好な記録
特性と熱伝導度を低下させることなく耐腐食性を向上さ
せて良好な保存安定性とを両立し、コストが低く大量生
産に適した光記録媒体とその製造方法を提案する。 【解決手段】 レーザー光の照射により結晶状態および
非晶質状態の可逆的な相変化により情報が記録・再生さ
れる記録層１３を透明基板１１上に積層する光記録媒体
１０において、前記光記録媒体１０は、少なくとも記録
層１３に積層される反射放熱層１５を備え、前記反射放
熱層１５は、Ａｇ又はＡｇ合金からなり、かつ、面内方
向の平均結晶粒径が０．１５μｍ以下である光記録媒体
１０とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光等の光
照射により、記録層における金属・非晶質状態の相変化
を利用することで情報の記録・消去・再生を行う光記録
媒体とその製造方法に関する。さらに詳細には、記録層
の上に形成される反射放熱層及び／又は半透明反射放熱
層の高速記録条件での安定性が高く、かつ耐食性を向上
させることで保存安定性の高い光記録媒体とその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】情報を大容量に記録することが可能で、
高速での再生及び繰り返し記録が可能な媒体として、種
々の形式のＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ（デジ
タルバーサタイルディスク）で開発されている。これら
の光記録媒体は、レーザー光を局所的に照射することに
より、記録層に生じる結晶状態と非晶質状態の可逆的相
変化を利用して記録したものである。すなわち、特定波
長の光に対する反射光量が、結晶状態と非晶質状態で異
なることを記録として利用しており、簡単な光学系で記
録が可能であり、さらに既に記録された情報を消去しな
がら新たな情報を容易に記録することが可能であるとい
う優れた特徴を有している。一般的に、繰り返し記録が
可能な光記録媒体では、記録層における非晶質状態を記
録状態とし、結晶状態を消去状態としている。情報の記
録は、レーザー光を照射し記録層を溶融、急冷し、非晶
質の記録マークを形成することにより行なう。そして、
記録された信号の再生は、非晶質部分と結晶部分の反射
率の違いを利用して、ディスクからの反射光量の変化を
検出することにより行う。

【０００３】近来、このような光記録媒体に対しては、
さらに高速においても良好な書換えを実現すると同時
に、記録した情報を長期間にわたって再生できる保存安
定性が高いことが求められている。光記録媒体の反射放
熱層としては、従来Ａｌ合金が多く用いられているが、
近年、これに変わる材料としてＡｇ又はＡｇ合金が用い
られる場合がある。現在のＤＶＤ−ＲＯＭの１倍速、あ
るいはそれ以上の速い線速で記録する場合、ＡｇはＡｌ
合金に比べて熱伝導度が高いので、Ａｌ合金を用いる場
合よりも急冷条件を作りやすく、高線速記録にも適して
いる。しかしながら、ＡｇはＡｌ合金に比べて化学的安
定性が低く、隣接する層と化学反応を起こす場合があ
る。特に、隣接する層がＳを含む場合は硫化が起きやす
い。また、反射放熱層と隣接する層の間に水分やＳなど
の不純物が存在すると、バブル状の欠陥や薄層の膜浮き
等の原因となる。これは、恒温槽等で保存加速度試験を
行なうと顕著に現れ、保存安定性が問題となる。

【０００４】さらに、最近は、貼り合わせ構造を有する
ＤＶＤがさまざまな分野で使用されるようになってい
る。ＤＶＤには、種々の形式があり、例えば、再生専用
のＤＶＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−Ｍｏｖｉｅ、追記型のＤＶ
Ｄ−Ｒ、記録再生型のＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、
ＤＶＤ＋ＲＷがある。現在、ＤＶＤ−ＲＯＭの形式に
は、ＤＶＤ−５、ＤＶＤ−１０、ＤＶＤ−９が提案され
ている。ＤＶＤ−５は、一方の基板上に情報記録ピット
を有し、ピット上に反射放熱層を形成し、該反射放熱層
面にもうひとつの基板と接着剤にて貼り合わせた構造で
あり、光入射面が１方向のＤＶＤである。ＤＶＤ−１０
は、２枚のＤＶＤ−５基板それぞれの反射放熱層面を接
着剤にて貼り合わせた構造であり、光入射面が２方向の
ＤＶＤである。ＤＶＤ−９は、情報記録ピットを有する
２枚の基板のうち、光入射面側から見て手前にくる基板
の反射放熱層を半透明とし、それぞれの基板を反射放熱
層で貼り合わせる構造であり、光入射面は１方向で、光
入射面側から奥側に存在する情報記録ピットが手前にあ
る基板を透過して読み取るＤＶＤである。

【０００５】これらの中でも、ＤＶＤ−９はほぼＤＶＤ
−５の２倍の容量を有し、ＤＶＤ−１０と違い光入射面
が１方向であることから、ディスクの表裏を交換するこ
と無く、記録されているデータを読み取ることができ
る。このような特徴から特に映像関係の用途によく用い
られる。ＤＶＤ−９において用いられる半透明反射放熱
層の材料としては、ＡｕやＡｇ、Ｓｉ及びＳｉ化合物
（例えばＳｉＮ等）等の薄膜を用いることが提案されて
いる。この中でＡｕは化学的に安定であり半透明反射放
熱層としての機能に優れているが、コストが高く、機械
的強度に弱いという欠点がある。一方、Ｓｉ或いはＳｉ
化合物については最も低コストである利点を有するが、
層にクラックが入りやすく信頼性に欠けるという問題点
がある。そこで、比較的低コストであり、クラックの問
題を発生しないＡｇを半透明反射放熱層に利用する要望
が高まってきたが、上述したようにＡｇは水分やＳによ
る腐食性に乏しいために、保存安定性が問題となる。

【０００６】したがって、Ａｇの熱伝導度を低下させる
ことなく、保存安定性を向上させることが必要とされて
おり、これまでに、光記録媒体のＡｇの耐腐食性を向上
させるいくつかの方法が提案されている。例えば、特開
２０００−２２８０３２号公報によれば、ＡｇＣｕ、Ａ
ｇＣｕＴｉ、ＡｇＣｕＴａを用いると耐食性が向上する
ことが報告されている。特願平１１−２５５１５号公報
によれば、銀にルテニウム合金を添加、あるいは銀にル
テニウムとロジウム、パラジウム、イリジウム、白金、
金を添加することで耐食性が向上することが提案されて
いる。さらに、特開２０００−１４９３２７号公報で
は、Ａｇの耐食性を向上させる方法として、微量の任意
の金属を混合してＡｇ合金とすることで半透明反射層に
使用する方法が提案されている。しかしながら、材料を
合金化することはコストがかかり、大量生産に適してい
ない。

【０００７】また、特開平１１−２３８２５３号公報に
よれば、記録層の保護層としてＺｎＳ−ＳｉＯ_２、隣接
する反射層としてＡｇを使用した場合に、硫化物が生成
されることを防ぐためにＡｇと保護層の間に化合物を生
成しない中間層を設けることが提案されている。しかし
ながら、層を増やすことはディスクの製造工程数を増や
す必要があり、製品のコストアップにつながる。特開２
００１−２２６６４３号公報では、半透明反射放熱層に
用いたＡｇまたはＡｇ合金を保護する紫外線硬化型組成
物を特定の材料にすることで腐食を防ぐ方法が提案され
ている。しかし、Ａｇの腐食は、空気中に含まれる水分
やガス、Ｓと反応を起こす場合がある。したがって、Ａ
ｇによる反射放熱層又は半透明反射放熱層を製造する工
程で、水分等の不純物が混入して、膜浮きやバブル状の
欠陥が発生する場合がある。このような製造工程におけ
る不純物の混入を完全に防ぐことは困難であり、中間層
を設けることは根本的な対策になっていない。また、特
開２０００−１９５１０３号公報では、ＣＤ−Ｒメディ
アの反射放熱層又は半透明反射放熱層に窒素を添加する
ことで耐久性を向上させることが提案されている。しか
し、窒素を添加することで反射放熱層又は半透明反射放
熱層の熱伝導を低下させるために、高線速化に対応でき
ないという問題がある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の課題
は、反射放熱層又は半透明反射放熱層にＡｇを主成分と
する材料を用いて、高線速のもとでの良好な記録特性と
熱伝導度を低下させることなく耐腐食性を向上させて良
好な保存安定性とを両立し、コストが低く大量生産に適
した光記録媒体とその製造方法を提案することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明は、レーザー光の照射により
結晶状態および非晶質状態の可逆的な相変化により情報
が記録・再生される記録層を透明基板上に積層する光記
録媒体において、前記光記録媒体は、少なくとも記録層
に積層される反射放熱層を備え、前記反射放熱層は、Ａ
ｇ又はＡｇ合金からなり、かつ、面内方向の平均結晶粒
径が０．１５μｍ以下である光記録媒体とする。請求項
２に記載の発明は、請求項１に記載の光記録媒体におい
て、前記光記録媒体は、透明基板上に少なくとも第一保
護層／記録層／第二保護層／反射放熱層／オーバーコー
ト層からなる光記録媒体とする。

【００１０】請求項３に記載の発明は、第一透明基板上
に少なくとも半透明反射放熱層と記録層からなる情報層
を形成し、第二透明基板上に少なくとも反射放熱層と記
録層とからなる情報層を形成し、各基板を貼り合わせる
光記録媒体であって、情報層は合わせて２層以上積層さ
れ、同一方向からのレーザー光の照射によって情報の再
生がなされる光記録媒体において、前記光記録媒体は、
半透明反射放熱層がＡｇ又はＡｇ合金からなり、かつ、
面内方向の平均結晶粒径が０．１５μｍ以下である光記
録媒体とする。請求項４に記載の発明は、請求項３に記
載の光記録媒体は、ＤＶＤ−ＲＯＭメディアであり、形
式がＤＶＤ−９である光記録媒体とする。

【００１１】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
４のいずれかに記載の光記録媒体において、請求項１又
は２に記載の反射放熱層又は請求項３又は４に記載の半
透明反射放熱層は、θ−２θ法を用いたＸ線回折におけ
る回折角２θの値が４４．２±０．５(°)の位置に回折
スペクトルが現れる光記録媒体とする。請求項６に記載
の発明は、請求項５に記載の光記録媒体において、前記
反射放熱層又は前記半透明反射放熱層は、Ｘ線回折にお
ける（１１１）面の回折スペクトルの半値幅Δ２θが、
０．４５以上である光記録媒体とする。請求項７に記載
の発明は、請求項５又は６に記載の光記録媒体におい
て、前記反射放熱層又は前記半透明反射放熱層は、Ｘ線
回折における（２００）面と（１１１）面との回折スペ
クトルのピーク比（２００）／（１１１）が、０．１〜
１である光記録媒体とする。

【００１２】請求項８に記載の発明は、請求項１ないし
７のいずれかに記載の光記録媒体において、前記記録層
は、構成する材料のうち原子比率０．９以上が式（１）
で表される光記録媒体とする。 Ｘ_αＳｂ_βＴｅ_γ……式（１）（式（１）中、ＸはＩｎ
及び／又はＧａであり、α、β、γは原子比率を表し、
０．０１≦α≦０．１、０．６≦β≦０．９、γ＝１−
α―βである） 請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の光記録媒体
において、前記記録層は、Ｇｅを含む光記録媒体とす
る。請求項１０に記載の発明は、請求項８又は９に記載
の光記録媒体において、前記記録層は、Ａｇを含む光記
録媒体とする。

【００１３】請求項１１に記載の発明は、レーザー光の
照射により結晶状態および非晶質状態の可逆的な相変化
により情報が記録される記録層を透明基板上に積層する
光記録媒体の製造方法において、請求項１ないし１０の
いずれかに記載の光記録媒体における前記反射放熱層又
は前記半透明反射放熱層は、スパッタリング法により製
造される光記録媒体の製造方法とする。請求項１２に記
載の発明は、請求項１１に記載の光記録媒体の製造方法
において、前記スパッタリング法に用いるスパッタガス
は、ＡｒガスとＡｒの原子半径より小さい原子半径の元
素もしくはＡｒの原子半径より小さい分子半径の分子を
含むガスとの混合ガスである光記録媒体の製造方法とす
る。請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の光
記録媒体の製造方法において、前記スパッタリング法に
用いるスパッタガスは、ＡｒガスとＮ_２ガスとの混合ガ
スである光記録媒体の製造方法とする。請求項１４に記
載の発明は、請求項１３に記載の光記録媒体の製造方法
において、前記スパッタリング法に用いるスパッタガス
は、混合比Ｎ_２／（Ａｒ＋Ｎ_２）が５％以上である光記
録媒体の製造方法とする。請求項１５に記載の発明は、
請求項１４に記載の光記録媒体の製造方法において、前
記スパッタリング法は、スパッタパワーが５ｋＷ以下で
ある光記録媒体の製造方法とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施
形態である光記録媒体の構成を示す図である。本発明の
光記録媒体１０は、透明基板１１上に少なくとも記録層
１３に積層される反射放熱層１５を備えている。透明基
板１１としては、ガラス、セラミックス、又は樹脂が用
いられるが、成形の点で樹脂基板が好ましい。特に、加
工性、光学特性に優れ、ディスク状で表面にトラッキン
グ用の案内溝を有する直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍの
ポリカーボネート基板が好適である。

【００１５】記録層１３は、Ｓｂ−Ｓｂ_２Ｔｅ_３擬二元
系記録層材料でＳｂ_７０Ｔｅ_３０近傍に共晶点を持ち、
この近傍の組成のＳｂ−Ｔｅ系は繰り返し記録を行なっ
ても偏析が生じ難く、繰り返し記録特性に優れている。
しかし、この記録層材料を用いてＤＶＤ−ＲＯＭの再生
線速の２〜５倍にあたる７〜１７．５ｍ／ｓで繰り返し
記録を行うと、ジッターが１０％を越え、モジュレーシ
ョンは５０％以下となってしまう。ここで、ジッターと
は、σ（data to clock jitter）を検出窓幅Ｔｗで規格
化した値を呼ぶ。そこで、Ｓｂ−Ｔｅ系にＩｎ及び／又
はＧａを添加することにより、初期結晶化済みの光記録
媒体１０に対して、７〜１７．５ｍ／ｓでレーザー光を
照射したとき、非晶質マークを可逆的に記録することが
可能となり、１０％以下のジッター、６０％以上のモジ
ュレーションを得ることができる。ここで、Ｉｎ、Ｇａ
は、記録層の結晶化速度を向上させ、高速での繰り返し
記録を可能にする効果を有する。また、結晶化温度を高
め、保存安定性を向上させる効果を有している。Ｉｎ及
び／又はＧａの添加量は、原子比率でＳｂ−Ｔｅ合金全
体の０．０１より少ないと効果が現れず、０．１を越え
ると、繰り返し記録を行った場合に偏析が起き、ジッタ
ーが上昇する原因となる。更に、初期結晶化後の反射率
が均一にならないといった弊害も起きる。

【００１６】また、記録を行う線速に応じた結晶化速度
を持つ記録層１３を得るためには、Ｉｎ及び／又はＧａ
とＳｂ、Ｔｅの組成比を適切に調整する必要がある。好
ましい組成比としては、Ｓｂ−Ｔｅ系全体に対する比率
で、Ｉｎ及び／又はＧａが０．０１〜０．１、Ｓｂが
０．６〜０．９であれば、高線速記録、保存安定性に優
れた光記録媒体１０を提供できる。（Ｉｎ及び／又はＧ
ａ）−Ｓｂ−Ｔｅ系に対してＧｅを添加すると保存安定
性が一層向上し、Ａｇを添加すると初期化が容易にな
る。但し、（Ｉｎ及び／又はＧａ）−Ｓｂ−Ｔｅ系に添
加されるＡｇやＧｅの比率は、合計で０．１以下とする
必要がある。これより多くなると、記録層１３の記録感
度の低下や繰り返し記録を行なった場合の偏析を生じ、
ジッターが上昇する原因となる。

【００１７】反射放熱層１５は、高線速においても良好
な記録特性を達成するために、Ａｇ又はＡｇ合金（以
下、単に「Ａｇ」と記す。）を主成分とした材料を用い
る。主成分とは、Ａｇ又はＡｇ合金を最も多く含有する
ことを意味し、Ａｇのみからなる場合も含むものとす
る。現在、ＤＶＤ−ＲＯＭと同等以上の高密度記録が可
能であり、ＤＶＤ−ＲＯＭの再生線速と同等以上の高線
速記録に適した光記録媒体１０が求められている。非晶
質マークの形成は、レーザー光の照射により記録層１３
を溶融させ、臨界冷却速度以上の速さで冷却することで
行う。そこで、媒体の層構成を急冷構造にする必要があ
る。Ａｇは熱伝導度が高いために放熱の効果があり、急
冷構造を必要とする反射放熱層１５に適している。反射
放熱層１５は、その面内方向の平均結晶粒径を０．１５
μｍ以下とすることで、反射放熱層１５とその上に設け
られることがあるオーバーコート層１６の密着性が強く
高い耐腐食性を備えた光記録媒体１０を得ることが出来
る。平均結晶粒径が０．１５μｍより大きいとＡｇ粒子
の境界から不純物が侵入しやすく、耐腐食性が弱くな
る。反射放熱層１５は、Ａｇの層厚は、５０〜３００μ
ｍの範囲が好ましい。５０μｍ未満では、薄いためにレ
ーザー光が反射率が低く、３００μｍを越えると効果が
飽和して経済性として不利になる。

【００１８】さらに、本発明の光記録媒体１０は、透明
基板１１上に少なくとも第一保護層１２／記録層１３／
第二保護層１４／反射放熱層１５／オーバーコート層１
６を積層した構成である。さらに、この上に別の基板を
貼り合わせてもよい。また、第二保護層１４と反射放熱
層１５との間に、第三保護層を設けてもよい。第一保護
層１２は、透明基板１１及び記録層１３と密着性が良い
こと、耐熱性が高いことなどを要求される。また、記録
層１３の効果的な光吸収を可能にする光干渉層としての
役割も担うことから、高速での繰り返しに適した光学特
性を有することが好ましい。材料としては、ＺｎＳの単
体、又はＺｎＳとＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、
ＺｒＯ_２、ＺｎＯなどの混合物が挙げられる。第二保護
層１４は、記録層１３及び反射放熱層１５との密着性が
良いこと、耐熱性が高いことなどが要求される。また、
第一保護層１２と同様に、記録層の効果的な光吸収を可
能にする光干渉層としての役割も担うことから、高速で
の繰り返し記録に適した光学特性を有することが好まし
い。材料としては、前記第一保護層１２のところで例示
したものと同じものを用いることが出来る。オーバーコ
ート層１６は、紫外線硬化樹脂などの種々の材料を用い
ることができる。 さらに、必要に応じて反射放熱層１
５と第二保護層１４の間に第三保護層を設けても良い。
この層は反射放熱層１５と隣接する保護層の材料にＳが
含まれる場合、Ｓと反射放熱層に含まれるＡｇが反応し
硫化銀が形成されることを防ぐ効果を備えている。

【００１９】図２は、本発明の他の実施形態である光記
録媒体の構成を示す図である。本発明の光記録媒体２０
は、第一透明基板２１上に少なくとも半透明反射放熱層
２２と記録層２６とからなる情報層３０を形成し、第二
透明基板２５上に少なくとも反射放熱層２４と記録層２
７からなる情報層３１を形成し、情報層３０、３１は合
わせて２層以上積層され基板が外側になるように貼り合
わせた構成の光記録媒体２０であってもよい。また、こ
れらの透明基板２１、２５には、図示しない保護層の上
に情報層３０、３１を設けるものであっても、また情報
層の上に保護層、オーバーコート層を設けてもよい。こ
こで、半透明反射放熱層２２は、Ａｇからなる薄膜を第
一透明基板２１上に形成したものであり、半透明反射放
熱層２２表面のＡｇの平均結晶粒径が０．１５μｍ以下
である。半透明反射放熱層２２表面の平均結晶粒径を
０．１５μｍ以下とすることで、半透明反射放熱層２２
表面の凹凸が小さくなり、かつ粒界も小さくなることか
ら、表面や層厚方向の耐食性を向上させることができ
る。さらに、粒径が小さくなりすぎると半透明反射放熱
層２２の反射率が低下してしまうため、更に適した平均
結晶粒径は０．０５〜０．１５μｍの範囲が望ましい。
半透明反射放熱層２２は、Ａｇの層厚が、０．０１〜
０．０２μｍの範囲が好ましい。０．０１μｍ未満で
は、放熱性が低く、また、耐久性に対する効果が小さ
い。０．０２μｍを越えるとレーザー光の透過性が低く
なり不利になる。なお、貼り合わせた構成の光記録媒体
の反射放熱層２４をＡｇ又はＡｇ合金によるものであっ
てもよい。

【００２０】本発明の光記録媒体２０は、特に、限定さ
れるものではなく、ＣＤ、ＤＶＤのいずれの形式であっ
てもよい。さらに、記録層２６、２７は、再生専用型、
１回記録が可能な追記型、書き換え可能な記録再生型の
いずれの形式であってもよい。記録層２０の材料も、金
属状態と非晶質状態の相変化を利用して、そのレーザー
光の反射率の変化を利用するするものであっても、金属
材料としてＴｅ系を用いたものであっても、有機材料と
してポリメチン系、環状アザアヌレン系等の色素を用い
るものであってもよい。いずれにおいても、記録層２
６、２７のピット、表面の光の反射をとらえて情報を再
生するもので、本発明のＡｇによる反射放熱層１５又は
半透明反射放熱層２２では記録層２６、２７の材料、形
態にはとらわれない。従って、本発明の光記録媒体２０
としては、ＤＶＤ−ＲＯＭで、その形式がＤＶＤ−９の
場合にも用いることができる。

【００２１】また、上述のＡｇよりなる反射放熱層１５
又は半透明反射放熱層２２は、θ−２θ法を用いたＸ線
回折において、Ａｇの結晶状態が（１１１）面に配向し
ていないものが好ましい。（１１１）面に配向していな
いことは、入射Ｘ線の延長と回折線との角、すなわち回
折角２θの値が４４．２±０．５（°）の位置に、少な
くとも回折スペクトルが現れる。反射放熱層１５又は半
透明反射放熱層２２のＡｇの構造は面心立方格子（ｆｃ
ｃ）であり、４４．２±０．５（°）の位置は（２０
０）面に相当するピークである。このピークが現れてい
ない場合、反射放熱層１５又は半透明反射放熱層２２に
おけるＡｇが非晶質構造となっているか又は（１１１）
面に強い配向性を持つことが考えられる。Ａｇが非晶質
構造の場合、熱伝導度が低くなり高線速において良好な
記録特性が得られない。また、強い配向性を持つ場合に
はＡｇ粒子が結晶粒優先成長方向と一致するために、粗
大化していると考えられ、耐腐食性が低い。したがっ
て、非晶質構造ではない結晶状態であっても、（１１
１）面に配向性を有しない構造にすることで熱伝導度の
高くして高線速であっても良好な記録特性を有する光記
録媒体にすることができる。

【００２２】また、反射放熱層１５又は半透明反射放熱
層２２におけるＸ線回折において、（２００）面と（１
１１）面のピーク比（２００）／（１１１）が、０．１
〜１であるとさらに高い耐腐食性を持ち保存安定性が高
い反射放熱層１５又は半透明反射放熱層２２を得られ
る。Ａｇの構造は面心立方格子であり、（２００）面と
（１１１）面のピークは、回折角２θがそれぞれ４４．
２±０．５（°）と３８．１±０．５（°）の位置に現
れる。それぞれのピーク強度はバックグラウンドを差し
引いた値にして、ピーク比を計算した。ピーク比が０．
１より小さい場合、配向性が高くＡｇ粒子が粗大化して
いると考えられ、耐腐食性が低い。１を越えるとＡｇの
熱伝導度が低く急冷構造の媒体が得られないので高線速
における記録が困難である。

【００２３】また、反射放熱層１５又は半透明反射放熱
層２２におけるＸ線回折において、Ｘ線回折スペクトル
で得られたピークの半値幅Δ２θは評価した材料の平均
結晶粒径に関係した値であるが、（１１１）面の半値幅
Δ２θは０．４５以上が望ましい。但し、大きすぎると
反射放熱層１５又は半透明反射放熱層２２の反射率が低
下してしまうため、更に適した半値幅Δ２θは０．４５
〜０．６の範囲である。

【００２４】また、上述の反射放熱層１５又は半透明反
射放熱層２２は、Ａｇを主成分としたターゲットを用い
てスパッタリング法により形成されると、短時間で層厚
や層構造を精度良く作製することができ、大量生産に適
している。スパッタリング法の中でも、特に、ＤＣスパ
ッタリング法を用いることが望ましい。これは、スパッ
タリング法の中でもＤＣスパッタリング法は成膜レート
が高くスループットに優れ、放電の安定性もＲＦスパッ
タリング法に比べて優れているためである。ＤＣスパッ
タリング法による形成条件としては、スパッタガスとし
て、Ａｒガスと、Ａｒの原子半径より小さい原子半径の
元素、若しくはＡｒの原子半径より小さい分子半径の分
子を含むガスと、からなる混合ガスを用いることが望ま
しい。これは一般にスパッタリング法でよく用いられる
Ａｒガスに、Ａｒの原子半径より小さい原子半径の元
素、若しくはＡｒの原子半径より小さな分子半径の分子
を含むガス（以下、「添加ガス」と記す。）を混合して
スパッタすることで、反射放熱層１５又は半透明反射放
熱層２２のＡｇ中に添加ガスが取り込まれ、その量によ
り反射放熱層１５又は半透明反射放熱層２２の配向性及
び結晶粒径を制御できるためである。但し、Ａｇ中に取
り込まれることで効果が発揮されることから、Ａｇと反
応性が高い元素や分子、例えば硫黄や酸素などを添加ガ
スとして用いることは適していない。添加ガスとして
は、具体的にはＮ_２ガスが望ましい。Ｎ_２ガスは取り扱
いも容易であることから、添加ガスとしては最適であ
る。

【００２５】また、その添加量は、ＡｒガスとＮ_２ガス
との混合比Ｎ_２／（Ａｒ＋Ｎ_２）が５％以上であること
が望ましい。更に望ましくは、５〜３５％であり、いっ
そう好ましくは５〜２０％である。これは窒素の添加量
が多すぎると反射率が低下するためである。また、Ａｒ
ガス流量自体は本発明の効果に対しては特に制限するこ
とが無く、層形成速度や生産性において最適な条件を用
いることができる。また、ＤＣスパッタリング法による
更なる形成条件としては、スパッタパワーが５ｋＷ以下
であることが望ましい。スパッタパワーは高い程層形成
速度が上がり生産性の向上に繋がるが、それと共にＡｇ
の結晶性が向上する。従って、添加ガスの量も増やす必
要があるが、添加ガスをあまり増やし過ぎると反射放熱
層１５又は半透明反射放熱層２２自体の反射率を低下さ
せてしまう。以上のことから、スパッタパワーとしては
５ｋＷ以下が望ましく、更に望ましくは３〜５ｋＷの範
囲である。

【００２６】

【実施例】以下に、本発明を実施例に基づいてさらに具
体的に説明する。 （実施例１）トラックピッチ０．７４μｍ、直径１２ｃ
ｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に層厚８
０ｎｍの（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる第一
保護層、層厚１６ｎｍのＡｇ_０．５Ｉｎ_５．０Ｓｂ
_６８．５Ｔｅ_２４．０Ｇｅ_２．０からなる記録層、層厚
１１ｎｍの（ＺｎＳ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０からなる第
二保護層、層厚１４０ｎｍで放電パワー３ｋＷ、スパッ
タガスにＡｒガス３０ｓｃｃｍにＮ_２ガスを３ｓｃｃｍ
添加（Ｎ_２ガス分圧９％）したガスを用いたＡｇからな
る反射放熱層を、この順にそれぞれスパッタリング法に
より堆積させた。更に、反射放熱層上にスピナーによっ
てアクリル系紫外線硬化樹脂を厚さ５〜１０μｍ塗布し
た後、紫外線硬化させオーバーコート層を形成した。更
にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカー
ボネート基板を接着シートを用いて貼り合せた。以上の
ように作製したディスクを、口径１μｍ×１００μｍの
レーザーを用いて、出力８００ｍＷ、送り３６μｍ、線
速３ｍ／ｓで初期結晶化を行ないディスク状光記録媒体
を得た。

【００２７】（実施例２）反射放熱層又は半透明反射放
熱層のスパッタガスをＡｒガス３０ｓｃｃｍにＮ _２ガス
を５ｓｃｃｍ添加（Ｎ_２ガス分圧１４％）したガスに代
えた以外は、実施例１と同様にしてディスク状光記録媒
体を得た。 （実施例３）反射放熱層又は半透明反射放熱層のスパッ
タガスをＡｒガス０ｓｃｃｍにＮ_２ガスを３ｓｃｃｍ添
加（Ｎ_２ガス分圧１３％）したガスに代えた以外は、実
施例１と同様にしてディスク状光記録媒体を得た。 （実施例４）反射放熱層のスパッタガスをＡｒガス２０
ｓｃｃｍにＮ_２ガスを５ｓｃｃｍ添加（Ｎ_２ガス分圧２
０％）したガスに代えた以外は、実施例１と同様にして
ディスク状光記録媒体を得た。

【００２８】（比較例1）反射放熱層のスパッタガスを
Ａｒガス３０ｓｃｃｍ（Ｎ_２ガス分圧０％）に代えた以
外は、実施例１と同様にしてディスク状光記録媒体を得
た。 （比較例２）反射放熱層のスパッタガスをＡｒガス３０
ｓｃｃｍにＮ_２ガスを１ｓｃｃｍ添加（Ｎ_２ガス分圧３
％）したガスに代えた以外は、実施例１と同様にしてデ
ィスク状光記録媒体を得た。 （比較例３）反射放熱層のスパッタガスをＡｒガス３０
ｓｃｃｍにＮ_２ガスを１０ｓｃｃｍ添加（Ｎ_２ガス分圧
２５％）したガスに代えた以外は、実施例１と同様にし
てディスク状光記録媒体を得た。 （比較例４）反射放熱層のスパッタガスをＡｒガス２０
ｓｃｃｍにＮ_２ガスを１０ｓｃｃｍ添加（Ｎ_２ガス分圧
３３％）したガスに代えた以外は、実施例１と同様にし
てディスク状光記録媒体を得た。

【００２９】以上の実施例１〜４及び比較例１〜４のデ
ィスク状光記録媒体について、記録特性評価を行なった
結果を表１に示す。記録再生の評価は波長６６０ｎｍ、
ＮＡ０．６５のピックアップヘッドを用い、記録密度
０．２６７μｍ／ｂｉｔ、ＥＦＭ＋変調方式にて行っ
た。記録は線速８．５ｍ／ｓ、記録パワー１３〜１５ｍ
Ｗ、バイアスパワー０．２ｍＷ、消去パワー６〜８ｍＷ
で、記録ストラテジは各ディスクに合わせて最適化して
行った。再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍ
Ｗで評価した。初回記録、１０００回繰り返し記録後の
ジッターが１０％以下、反射率が１８％以上、モジュレ
ーションが６０％以上の場合を○とする。

【００３０】

【表１】

【００３１】実施例１〜４および比較例１、２は１００
０回繰り返し記録後もジッター１０％未満、反射率１８
％以上、モジュレーション６０％以上を示しており、良
好な記録特性が得られることを確認した。比較例３は１
０００回繰り返し記録後のジッターが１０％を越えてお
り、モジュレーションは初回記録、１０００回繰り返し
記録後ともに６０％を下回っており、十分な記録特性を
示していない。比較例４についても初回記録、１０００
回繰り返し記録後ともに十分な記録特性を示していな
い。これは、Ａｇの熱伝導度が小さくなり、記録マーク
の形成時に急冷が十分でなかったことが原因と考えられ
る。

【００３２】次に、実施例１〜４及び比較例１〜４のデ
ィスク状光記録媒体について、Ａｇの反射放熱層の構造
評価を行なった結果を示す。図３にスパッタガスのＮ_２
ガス分圧とＡｇによる反射放熱層の面内方向の平均結晶
粒径の関係を表す図を示す。平均結晶粒径はディスク状
光記録媒体のＡｇ反射放熱層を接着テープで剥がし、そ
の表面のＳＥＭ観察を行なって求めた。スパッタガスが
Ａｒガスのみの場合、平均結晶粒径が０．１９μｍだ
が、Ｎ_２ガスの分圧が増加するにつれて小さくなる傾向
がある。図４、５に実施例１、２のθ―２θ法を用いた
Ｘ線回折から得られたＡｇ反射放熱層のそれぞれのＸ線
プロファイルを示す。サンプルはディスク状光記録媒体
のＡｇ反射放熱層を接着テープで剥がし、ガラス基板に
貼りつけて作製した。Ｘ線回折にはＣｕＫα線（λ＝
１．５４Å）を用いた。実施例１の２θのピークは、３
８．１°、４４．３°、７７．６°に現れ、実施例２は
３８．１°、４４．２°、７７．３°に現れた。Ａｇは
面心立方格子であり、それぞれ（１１１）、（２０
０）、（３１１）面からのピークに相当する。図６にス
パッタガスのＮ_２ガス分圧とＡｇによる反射放熱層のＸ
線プロファイルから求めたピーク比（２００）／（１１
１）の関係を表す図を示す。比較例１のＮ_２ガス分圧が
０の場合、この位置にピークが現れず、強い配向性を示
していた。ピーク比はＮ_２ガス分圧が増加するにつれて
高くなる傾向を示した。

【００３３】次に、実施例１〜４及び比較例１〜４のデ
ィスク状光記録媒体について、保存加速度試験を行なっ
た。試験は、初回記録及び１０００回繰り返し記録のマ
ークを書き込んだ後、４０℃９５％ＲＨの恒温槽に１０
０ｈｏｕｒ導入した。導入後、実体顕微鏡により膜面を
観察した。この結果、実施例１〜４及び比較例３、４に
関しては、Ａｇの腐食による欠陥は確認されなかった。
また、実施例１〜４は保存試験後も保存試験前に書きこ
んだ記録マークは初回記録、１０００回繰り返し記録後
ともに１０％以下のジッター、１８％以上の反射率、６
０％以上のモジュレーションを保っており、保存安定性
は高いことが分かった。比較例３、４は保存試験前と同
様、十分な記録特性を示さなかった。比較例１〜２に関
しては、実体顕微鏡により膜面を観察した結果、Ａｇの
腐食によるバブル状の欠陥が現れており、保存安定性に
問題があることが確認された。ＡｇのスパッタガスがＡ
ｒガスとＮ_２ガスを含み、含まれるＮ_２ガスの分圧によ
りＡｇの平均結晶粒径および膜構造を制御可能であり、
記録特性と保存安定性を満足するディスク状光記録媒体
を得られることが確認された。

【００３４】（実施例５）記録層の組成をＧｅ_３．０Ｇ
ａ_２．８Ｓｂ_７７．３Ｔｅ_１６．９に代えた以外は、実
施例１と同様にしてディスク状光記録媒体を得た。 （実施例６）記録層の組成をＡｇ_１．０Ｇａ_４．３Ｓｂ
_７５．８Ｔｅ_１８．９に代えた以外は、実施例１と同様
にしてディスク状光記録媒体を得た。

【００３５】以上の実施例５〜６のディスク状光記録媒
体について、記録特性評価を行なった。初回記録、１０
００回繰り返し記録後ともに１０％以下のジッター、１
８％以上の反射率、６０％以上のモジュレーションが得
られ、記録特性は良好であることが分かった。また、保
存加速度試験（４０℃９５％ＲＨの恒温槽に１００ｈｏ
ｕｒ導入）を行なってもＡｇの腐食による欠陥は現れな
かった。しかし、実施例５は保存試験前後で記録マーク
の変化が見られなかったが、実施例６は１０００回繰り
返し記録後のマークのジッターが１０．５％となり、上
昇が大きかった。これは、他の実施例に関しては記録層
にＧｅが含まれているので、記録マークの結晶化が抑え
られ保存加速度試験による劣化が少なかったと考えられ
る。更に、実施例１〜６のディスク状光記録媒体につい
て初期化後の反射率を比較したところ、実施例１〜４、
６は初期化後の反射率は１８％を超えており、反射率の
周内分布はほぼ均一であった。これに対し、実施例５は
反射率は２０％に達しているが反射率の周内分布が部分
的に１５％程度まで落ち込んでいたが、実用上は問題が
ない。実施例１〜４、６は記録層にＡｇが含まれている
ので、初期化を均一に行なうことができる。

【００３６】（実施例７〜１２及び比較例５、６）図２
に示すような層構成のＤＶＤ−ＲＯＭ（ＤＶＤ−９）を
作製した。第一透明基板及び第二透明基板は、直径１２
０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの透明なポリカーボネート基板
であり、第一透明基板上にＡｇ薄膜からなる半透明反射
放熱層を形成した。半透明反射放熱層の形成方法にはＤ
Ｃスパッタリング法を用い、表１に示すような形成条件
を用いた。なお、半透明反射放熱層の層厚は成膜時間を
調整する事で２０ｎｍ一定とした。

【００３７】

【表２】 第二透明基板上には反射放熱層としてＡｌ合金の薄膜を
層厚１００ｎｍで形成した。半透明反射放熱層上に接着
剤をスピンコートして層厚４０〜７０μｍの接着層を形
成し、第二透明基板を貼り合わせた後、第一透明基板側
から紫外線を照射する事により接着剤を硬化させた。

【００３８】以上のように作製した各ＤＶＤ−ＲＯＭの
半透明反射放熱層の記録情報について、半径４０ｍｍで
ＰＩエラーの測定を行った。更に、８０℃、９５％Ｒ
Ｈ、１００ｈｒの加速試験をそれぞれの媒体について行
い、その結果ＰＩエラーがどのように変化したかを評価
した。その結果を表３に示す。

【表３】 表３からわかるように、実施例７〜１０は加速試験前後
でほとんど変化が無いのに比べて、実施例１１と１２が
増加しており、比較例５と６についてはＰＩエラーが大
幅に増加している。実施例１１及び１２は問題ない程度
の増加であったが、特に比較例５と６の加速試験後のＰ
Ｉエラーは実用上問題のあるレベルであった。

【００３９】上記ＰＩエラー増加の原因を調べる為に、
評価用サンプルとして表１の半透明反射放熱層と同様な
Ａｇの半透明反射放熱層をガラス基板上に作製し、波長
６５０ｎｍでの反射率をそれぞれ評価した。その結果を
表４に示す。ここでは比較例５の値を１として他の値を
規格化した。

【表４】 表４からわかるように、窒素導入と共に反射率が減少す
る傾向がみられた。実施例１１と１２のＰＩエラーが増
加したのはこれが原因と考えられる。

【００４０】次に評価用サンプルに５０℃、９５％Ｒ
Ｈ、２０ｈｒの加速試験を行った後のＡｇの半透明反射
放熱層の顕微鏡観察を行った。その結果、比較例５と６
に相当するＡｇの半透明反射放熱層についてはピンホー
ルや変色が観察された。一方、それ以外のＡｇの半透明
反射放熱層についてはほとんど変化がなかった。比較例
５と６のＰＩエラーの増加はこの膜の変質が原因と考え
られる。この変質の原因を調べる為に、電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）とＸ線回折装置を用いてＡｇの半透明反射放熱層
の作製条件とその膜の構造の関係について詳細な評価を
行った。表５にＳＥＭ観察による評価用サンプル（加速
試験前）の表面の平均結晶粒径をそれぞれ示す。平均結
晶粒径については４万倍に拡大された３μｍ四方の範囲
の粒径を任意に選択し、その平均値とした。

【００４１】

【表５】 この結果とＳＥＭ観察結果から、平均結晶粒径は０．１
５μｍ以下になるとＡｇの半透明反射放熱層の変質が防
がれている事がわかる。これはＡｇの半透明反射放熱層
表面の粒径が小さくなる事でＡｇの半透明反射放熱層表
面の凹凸が小さくなり、かつ粒界も小さくなる事から、
Ａｇの半透明反射放熱層表面や層厚方向の腐食を防ぐ事
ができた結果と考えられる。

【００４２】次に、図７に測定したＸ線回折スペクトル
の一例を示す。これは比較例７と実施例９の結果であ
る。Ｘ線回折スペクトルは入射角をθとしてθ−２θ法
で測定した。２θ＝３８°付近にある大きなピークはＡ
ｇ結晶の（１１１）面であり、２θ＝４４°付近にある
ピークが（２００）面である。このスペクトルから比較
例５の薄膜は（１１１）面に強く配向している事がわか
る。一方、実施例９では比較例５よりも（１１１）面の
ピーク強度Ｉ（１１１）が小さくなり、（２００）面の
ピーク強度Ｉ（２００）が大きくなっており、（１１
１）面への配向が崩れている事がわかる。また、（１１
１）面での半値幅Δ２θも、比較例５よりも実施例９の
方が小さくなっている事がわかる。

【００４３】このようなＩ（１１１）とＩ（２００）、
及びそれらの比であるＩ（２００）／Ｉ（１１１）と、
そして（１１１）面での半値幅Δ２θについて、それぞ
れの各作製条件との関係を図８及び図９に示す。図８か
らもわかるように、窒素量と共にＩ（１１１）は急激に
下がり、Ｉ（２００）は増加する傾向にある。そして、
ほぼ同等の強度になる傾向にある。Ｉ（２００）／Ｉ
（１１１）が０．１以上の場合にＡｇの半透明反射放熱
層の変質が防がれている事がわかる。これはＡｇの半透
明反射放熱層の結晶が（１１１）面に強く配向している
という事は、層厚方向に特定の配置にＡｇ原子が並んで
いる事であり、Ａｇの半透明反射放熱層表面からの浸透
を容易にすると考えられる。次に図９から窒素量と共に
（１１１）面での半値幅Δ２θが増加する傾向にある事
がわかる。Δ２θが０．４５以上の場合にＡｇの半透明
反射放熱層の変質が防がれている事がわかる。これはＳ
ＥＭでの観察結果から表面の粒径が小さい方が変質を防
ぐ事がわかったが、それに加えて層全体の粒径も小さい
方が望ましい事を示す。以上のことから、本発明の構成
を用いることで従来技術では実現できなかったＡｇの半
透明反射層を実現する事ができた。

【００４４】（実施例１３、１４及び比較例７）実施例
７〜１２及び比較例５、６と同様な光記録媒体を表６に
示すような層形成条件を用いて作製した。

【表６】

【００４５】以上のように作製した各光記録媒体につい
て、実施例７〜１２及び比較例５、６と同様に加速試験
前後のＰＩエラーを評価した。その結果を表７に示す。
比較の為に実施例１の結果も同様に示す。

【表７】

【００４６】次に、実施例７〜１２及び比較例５、６と
同様に、評価用サンプルとしてＡｇの半透明反射放熱層
をガラス基板上に作製し、波長６５０ｎｍでの反射率を
それぞれ評価した。その結果を表８に示す。ここでは実
施例７の値を１として他の値を規格化した。

【表８】 以上の結果から、何れの反射率もほとんど違いがみられ
なかった。

【００４７】次に、上記評価用サンプルのＡｇの半透明
反射放熱層について、実施例７〜１２及び比較例５、６
と同様に加速試験を行い、ＳＥＭ観察を行った。その結
果、比較例７に相当するＡｇの半透明反射放熱層につい
てはピンホールや変色が観察された。一方、それ以外の
Ａｇの半透明反射放熱層についてはほとんど変化がなか
った事から、ＰＩエラーの増加はこの層の変質が原因と
考えられる。この変質の原因を調べる為に、実施例７〜
１２及び比較例５、６と同様に電子顕微鏡（ＳＥＭ）と
Ｘ線回折装置を用いてＡｇの半透明反射放熱層の構造に
ついて詳細な評価を行った。

【００４８】表９にＳＥＭ観察による評価用サンプル
（加速試験前）の表面の平均結晶粒径をそれぞれ示す。

【表９】 この結果から、比較例７については比較例５、６と同様
な結果であることがわかった。

【００４９】次に、Ｉ（１１１）とＩ（２００）、及び
それらの比であるＩ（２００）／Ｉ（１１１）と（１１
１）面での半値幅Δ２θについて、図１０及び１１に示
す。図１０及び図１１の結果から、比較例７の条件では
比較例５、６でみられた結果とほぼ同様であった。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光記録媒
体では、高い耐腐食性を備えることで良好な保存安定性
と高線速における良好な記録特性とを達成可能な反射放
熱層を備える光記録媒体を提供することができる。さら
に、初期化が容易で均一な初期化を行なうことが可能な
記録層を持つ光記録媒体を提供することができる。ま
た、本発明の光記録媒体では、耐食性を向上させ、従来
実現できなかった優れた半透明反射膜を実現し、コスト
を低減し、かつ信頼性の高い光記録媒体を提供すること
ができる。また、本発明の光記録場板の製造方法では、
良好な保存安定性と記録特性・信頼性とを両立する光記
録媒体を、精度良く大量に、さらに低コストで製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である光記録媒体の構成を
示す概略図である。

【図２】本発明の他の実施形態である光記録媒体の構成
を示す概略図である。

【図３】放電ガスのＮ_２ガス分圧とＡｇ反射放熱層の面
内方向の平均粒径の関係を表す図を示す。

【図４】実施例１のθ―２θ法を用いたＸ線回折から得
られたＡｇ反射放熱層のＸ線プロファイルを示す。横軸
は入射Ｘ線の延長と回折線との角、すなわち回折角２θ
を示し、縦軸は回折強度を示す。

【図５】実施例２のθ―２θ法を用いたＸ線回折から得
られたＡｇ反射放熱層のＸ線プロファイルを示す。

【図６】放電ガスのＮ_２ガス分圧とＡｇ反射放熱層のＸ
線プロファイルから求めたピーク比（２００）／（１１
１）の関係を表す図を示す。

【図７】測定したＸ線回折スペクトルの一例を示す図で
ある。

【図８】Ｘ線解析スペクトルのピーク強度と、ＤＣスパ
ッタリング法による半透明反射層の形成条件との関係を
示す図である。

【図９】Ｘ線解析スペクトルの半値幅Δ２θと、ＤＣス
パッタリング法による半透明反射層の形成条件との関係
を示す図である。

【図１０】Ｘ線解析スペクトルのピーク強度と、ＤＣス
パッタリング法による半透明反射層の形成条件との関係
を示す図である。

【図１１】Ｘ線解析スペクトルの半値幅Δ２θと、ＤＣ
スパッタリング法による半透明反射層の形成条件との関
係を示す図である。

【符号の説明】

１０、２０ 光記録媒体 １１ 透明基板 １２ 第一保護層 １３ 記録層 １４ 反射放熱層 １５ 第二保護層 １６ オーバーコート層 １８、２８ レーザー光 ２１ 第一透明基板 ２２ 半透明反射放熱層 ２３ 接着層 ２４ 反射放熱層 ２５ 第二透明基板 ２６、２７ 記録層 ３０、３１ 情報層

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 針谷 眞人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA40 FA12 FA18 FA23 FA37 FB05 FB09 FB12 FB17 FB21 GA03 5D029 JA01 MA13 MA14 MA27 RA01 5D121 AA05 EE03 EE17

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 レーザー光の照射により結晶状態およ
   び非晶質状態の可逆的な相変化により情報が記録・再生
   される記録層を透明基板上に積層する光記録媒体におい
   て、 前記光記録媒体は、少なくとも記録層に積層される反射
   放熱層を備え、 前記反射放熱層は、Ａｇ又はＡｇ合金からなり、かつ、
   面内方向の平均結晶粒径が０．１５μｍ以下であること
   を特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光記録媒体におい
   て、 前記光記録媒体は、透明基板上に少なくとも第一保護層
   ／記録層／第二保護層／反射放熱層／オーバーコート層
   からなることを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 第一透明基板上に少なくとも半透明
   反射放熱層と記録層からなる情報層を形成し、第二透明
   基板上に少なくとも反射放熱層と記録層とからなる情報
   層を形成し、各基板を貼り合わせる光記録媒体であっ
   て、 情報層は合わせて２層以上積層され、同一方向からのレ
   ーザー光の照射によって情報の再生がなされる光記録媒
   体において、 前記光記録媒体は、半透明反射放熱層がＡｇ又はＡｇ合
   金からなり、かつ、面内方向の平均結晶粒径が０．１５
   μｍ以下であることを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の光記録媒体は、 ＤＶＤ−ＲＯＭメディアであり、形式がＤＶＤ−９であ
   ることを特徴とする光記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の
   光記録媒体において、 請求項１又は２に記載の反射放熱層又は請求項３又は４
   に記載の半透明反射放熱層は、θ−２θ法を用いたＸ線
   回折における回折角２θの値が４４．２±０．５(°)の
   位置に回折スペクトルが現れることを特徴とする光記録
   媒体。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の光記録媒体におい
   て、 前記反射放熱層又は前記半透明反射放熱層は、Ｘ線回折
   における（１１１）面の回折スペクトルの半値幅Δ２θ
   が、０．４５以上であることを特徴とする光記録媒体。
7. 【請求項７】 請求項５又は６に記載の光記録媒体に
   おいて、 前記反射放熱層又は前記半透明反射放熱層は、Ｘ線回折
   における（２００）面と（１１１）面との回折スペクト
   ルのピーク比（２００）／（１１１）が、０．１〜１で
   あることを特徴とする光記録媒体。
8. 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の
   光記録媒体において、前記記録層は、構成する材料のう
   ち原子比率０．９以上が下記式（１）で表される Ｘ_αＳｂ_βＴｅ_γ……式（１） （式（１）中、ＸはＩｎ及び／又はＧａであり、α、
   β、γは原子比率を表し、０．０１≦α≦０．１、０．
   ６≦β≦０．９、γ＝１−α―βである）ことを特徴と
   する光記録媒体。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の光記録媒体におい
   て、 前記記録層は、Ｇｅを含むことを特徴とする光記録媒
   体。
10. 【請求項１０】 請求項８又は９に記載の光記録媒体
    において、 前記記録層は、Ａｇを含むことを特徴とする光記録媒
    体。
11. 【請求項１１】 レーザー光の照射により結晶状態およ
    び非晶質状態の可逆的な相変化により情報が記録される
    記録層を透明基板上に積層する光記録媒体の製造方法に
    おいて、 請求項１ないし１０のいずれかに記載の光記録媒体にお
    ける前記反射放熱層又は前記半透明反射放熱層は、スパ
    ッタリング法により製造されることを特徴とする光記録
    媒体の製造方法。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の光記録媒体の製造
    方法において、 前記スパッタリング法に用いるスパッタガスは、 ＡｒガスとＡｒの原子半径より小さい原子半径の元素も
    しくはＡｒの原子半径より小さい分子半径の分子を含む
    ガスと の混合ガスであることを特徴とする光記録媒体
    の製造方法。
13. 【請求項１３】 請求項１２に記載の光記録媒体の製造
    方法において、 前記スパッタリング法に用いるスパッタガスは、Ａｒガ
    スとＮ_２ガスとの混合ガスであることを特徴とする光記
    録媒体の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項１３に記載の光記録媒体の製造
    方法において、 前記スパッタリング法に用いるスパッタガスは、混合比
    Ｎ_２／（Ａｒ＋Ｎ_２）が５％以上であることを特徴とす
    る光記録媒体の製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の光記録媒体の製造
    方法において、 前記スパッタリング法は、スパッタパワーが５ｋＷ以下
    であることを特徴とする光記録媒体の製造方法。