JP2003335041A - 画像形成方法、印刷物及び記録装置 - Google Patents
画像形成方法、印刷物及び記録装置Info
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- JP2003335041A JP2003335041A JP2002149096A JP2002149096A JP2003335041A JP 2003335041 A JP2003335041 A JP 2003335041A JP 2002149096 A JP2002149096 A JP 2002149096A JP 2002149096 A JP2002149096 A JP 2002149096A JP 2003335041 A JP2003335041 A JP 2003335041A
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- hexafluoroarsenate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 あらゆる記録材料に対し、文字品質に優れ、
色混じりの発生がなく、高精細な画像を記録することが
でき、かつ印刷物の皺やカールの発生が無いインクジェ
ット記録方法による画像形成方法、印刷物及び記録装置
を提供することにある。 【解決手段】 選択的にインク滴を吐出制御可能なノズ
ルを少なくとも１つ有する記録ヘッドで活性光線により
硬化するインクを記録材料上に吐出する画像形成方法で
あって、前記インクが光酸発生剤と熱酸発生剤を含有す
ることを特徴とする画像形成方法。
色混じりの発生がなく、高精細な画像を記録することが
でき、かつ印刷物の皺やカールの発生が無いインクジェ
ット記録方法による画像形成方法、印刷物及び記録装置
を提供することにある。 【解決手段】 選択的にインク滴を吐出制御可能なノズ
ルを少なくとも１つ有する記録ヘッドで活性光線により
硬化するインクを記録材料上に吐出する画像形成方法で
あって、前記インクが光酸発生剤と熱酸発生剤を含有す
ることを特徴とする画像形成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、あらゆる記録材料
に、高精細な画像を記録材料の収縮なく安定に再現出来
るインクジェット記録方法による画像形成方法、印刷物
及び記録装置に関する。
に、高精細な画像を記録材料の収縮なく安定に再現出来
るインクジェット記録方法による画像形成方法、印刷物
及び記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、インクジェット記録方式は簡便・
安価に画像を作成出来るため、写真、各種印刷、マーキ
ング、カラーフィルター等の特殊印刷など、様々な印刷
分野に応用されてきている。特に微細なドットを出射、
制御する記録装置、色再現域、耐久性、出射適性等を改
善したインク及びインクの吸収性、色材の発色性、表面
光沢などを飛躍的に向上させた専用紙を用い、銀塩写真
に匹敵する画質を得ることも可能となっている。今日の
インクジェット記録方式の画質向上は記録装置、イン
ク、専用紙の全てが揃って初めて達成されている。
安価に画像を作成出来るため、写真、各種印刷、マーキ
ング、カラーフィルター等の特殊印刷など、様々な印刷
分野に応用されてきている。特に微細なドットを出射、
制御する記録装置、色再現域、耐久性、出射適性等を改
善したインク及びインクの吸収性、色材の発色性、表面
光沢などを飛躍的に向上させた専用紙を用い、銀塩写真
に匹敵する画質を得ることも可能となっている。今日の
インクジェット記録方式の画質向上は記録装置、イン
ク、専用紙の全てが揃って初めて達成されている。
【０００３】しかしながら専用紙が必要なインクジェッ
トシステムは記録媒体が制限されたり、記録媒体のコス
トアップが問題となる。そこで専用紙と異なる被転写媒
体へインクジェット方式により記録する試みが多数なさ
れている。具体的には、室温で固形のワックスインクを
用いる相変化インクジェット方式、速乾性の有機溶剤を
主体としたインクを用いるソルベント系インクジェット
方式や、記録後ＵＶ光により架橋させるＵＶインクジェ
ット方式などである。中でもＵＶインクジェット方式は
ソルベント系インクジェット方式に比べ比較的低臭気で
あり、速乾性、インク吸収性の無い記録媒体への記録が
出来る点で、近年注目されつつある。特公平５−５４６
６７号、特開平６−２００２０４号、特表２０００−５
０４７７８号において、紫外線硬化型インクジェットイ
ンクが開示されている。
トシステムは記録媒体が制限されたり、記録媒体のコス
トアップが問題となる。そこで専用紙と異なる被転写媒
体へインクジェット方式により記録する試みが多数なさ
れている。具体的には、室温で固形のワックスインクを
用いる相変化インクジェット方式、速乾性の有機溶剤を
主体としたインクを用いるソルベント系インクジェット
方式や、記録後ＵＶ光により架橋させるＵＶインクジェ
ット方式などである。中でもＵＶインクジェット方式は
ソルベント系インクジェット方式に比べ比較的低臭気で
あり、速乾性、インク吸収性の無い記録媒体への記録が
出来る点で、近年注目されつつある。特公平５−５４６
６７号、特開平６−２００２０４号、特表２０００−５
０４７７８号において、紫外線硬化型インクジェットイ
ンクが開示されている。
【０００４】しかしながら、これらのインクを用いたと
しても、記録材料の種類や作業環境によって着弾後のド
ット径が大きく変化してしまい、全ての記録材料に対し
て高精細な画像を形成することは不可能である。
しても、記録材料の種類や作業環境によって着弾後のド
ット径が大きく変化してしまい、全ての記録材料に対し
て高精細な画像を形成することは不可能である。
【０００５】又、従来のＵＶインクジェット方式に用い
られるインクは、記録材料が収縮しやすいという問題点
があった。特に、食品包装をはじめとする軟包装で使わ
れる薄膜プラスチックフィルムや粘着ラベルなどでは特
に収縮が起こりやすく、その結果、軟包装印刷やラベル
印刷ではＵＶインクジェット方式が未だ実用化されてい
ないのが現状である。
られるインクは、記録材料が収縮しやすいという問題点
があった。特に、食品包装をはじめとする軟包装で使わ
れる薄膜プラスチックフィルムや粘着ラベルなどでは特
に収縮が起こりやすく、その結果、軟包装印刷やラベル
印刷ではＵＶインクジェット方式が未だ実用化されてい
ないのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
鑑みてなされたものであり、その目的は、あらゆる記録
材料に対し、文字品質に優れ、色混じりの発生がなく、
高精細な画像を非常に安定に記録することができ、かつ
印刷物の皺やカールの発生が無いインクジェット記録方
法による画像形成方法、印刷物及び記録装置を提供する
ことにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、あらゆる記録
材料に対し、文字品質に優れ、色混じりの発生がなく、
高精細な画像を非常に安定に記録することができ、かつ
印刷物の皺やカールの発生が無いインクジェット記録方
法による画像形成方法、印刷物及び記録装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、以
下の構成により達成された。
下の構成により達成された。
【０００８】１．選択的にインク滴を吐出制御可能なノ
ズルを少なくとも１つ有する記録ヘッドで活性光線によ
り硬化するインクを記録材料上に吐出する画像形成方法
であって、前記インクが光酸発生剤と熱酸発生剤を含有
することを特徴とする画像形成方法。
ズルを少なくとも１つ有する記録ヘッドで活性光線によ
り硬化するインクを記録材料上に吐出する画像形成方法
であって、前記インクが光酸発生剤と熱酸発生剤を含有
することを特徴とする画像形成方法。
【０００９】２．前記インクが着弾した後、０．００１
〜２．０秒の間に活性光線を照射することを特徴とする
前記１に記載の画像形成方法。
〜２．０秒の間に活性光線を照射することを特徴とする
前記１に記載の画像形成方法。
【００１０】３．前記インクが着弾し、活性光線を照射
した以降にインク及び基材を加熱しないことを特徴とす
る前記１又は２に記載の画像形成方法。
した以降にインク及び基材を加熱しないことを特徴とす
る前記１又は２に記載の画像形成方法。
【００１１】４．前記インクが着弾し、活性光線を照射
して硬化した後の総インク膜厚が２〜２０μｍであるこ
とを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載の画像形
成方法。
して硬化した後の総インク膜厚が２〜２０μｍであるこ
とを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載の画像形
成方法。
【００１２】５．前記記録ヘッドの各ノズルより吐出す
るインク液滴量が、一回の吐出当たり２〜１５ｐｌであ
ることを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の画
像形成方法。
るインク液滴量が、一回の吐出当たり２〜１５ｐｌであ
ることを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の画
像形成方法。
【００１３】６．前記インクの少なくとも１色が白イン
クであることを特徴とする前記１〜５の何れか１項に記
載の画像形成方法。
クであることを特徴とする前記１〜５の何れか１項に記
載の画像形成方法。
【００１４】７．前記インクの少なくとも１色がオキセ
タン化合物と、エポキシ化合物又はビニルエーテル化合
物とを含有することを特徴とする前記１〜６の何れか１
項に記載の画像形成方法。
タン化合物と、エポキシ化合物又はビニルエーテル化合
物とを含有することを特徴とする前記１〜６の何れか１
項に記載の画像形成方法。
【００１５】８．前記熱酸発生剤が、４０〜２００℃の
温度範囲内で酸を発生することを特徴とする前記１〜７
の何れか１項に記載の画像形成方法。
温度範囲内で酸を発生することを特徴とする前記１〜７
の何れか１項に記載の画像形成方法。
【００１６】９．前記光酸発生剤が、紫外線によって酸
を発生することを特徴とする前記１〜８の何れか１項に
記載の画像形成方法。
を発生することを特徴とする前記１〜８の何れか１項に
記載の画像形成方法。
【００１７】１０．非吸収性記録材料を用いて、前記１
〜９の何れか１項に記載の画像形成方法により作製した
ことを特徴とする印刷物。
〜９の何れか１項に記載の画像形成方法により作製した
ことを特徴とする印刷物。
【００１８】１１．前記非吸収性記録材料の表面エネル
ギーが、３５〜６０ｄｙｎ／ｃｍであることを特徴とす
る前記１０に記載の印刷物。
ギーが、３５〜６０ｄｙｎ／ｃｍであることを特徴とす
る前記１０に記載の印刷物。
【００１９】１２．前記１〜９の何れか１項に記載の画
像形成方法で用いる記録装置において、活性光線がイン
クを硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が０．１
以上５０ｍＷ／ｃｍ2未満であることを特徴とする記録
装置。
像形成方法で用いる記録装置において、活性光線がイン
クを硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が０．１
以上５０ｍＷ／ｃｍ2未満であることを特徴とする記録
装置。
【００２０】１３．前記１０又は１１に記載の最終印刷
物の作製に用いる記録装置において、活性光線がインク
を硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が０．１以
上５０ｍＷ／ｃｍ2未満であることを特徴とする記録装
置。
物の作製に用いる記録装置において、活性光線がインク
を硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が０．１以
上５０ｍＷ／ｃｍ2未満であることを特徴とする記録装
置。
【００２１】１４．前記１〜９の何れか１項に記載の画
像形成方法で用いる記録装置において、活性光線がイン
クを硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が５０〜
３０００ｍＷ／ｃｍ2であることを特徴とする記録装
置。
像形成方法で用いる記録装置において、活性光線がイン
クを硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が５０〜
３０００ｍＷ／ｃｍ2であることを特徴とする記録装
置。
【００２２】１５．前記１０又は１１に記載の最終印刷
物の作製に用いる記録装置において、活性光線がインク
を硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が５０〜３
０００ｍＷ／ｃｍ2であることを特徴とする記録装置。
物の作製に用いる記録装置において、活性光線がインク
を硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が５０〜３
０００ｍＷ／ｃｍ2であることを特徴とする記録装置。
【００２３】１６．記録ヘッド及びインクを３５〜１０
０℃の温度範囲内に加熱してインクを吐出することを特
徴とする前記１２〜１５の何れか１項に記載の記録装
置。
０℃の温度範囲内に加熱してインクを吐出することを特
徴とする前記１２〜１５の何れか１項に記載の記録装
置。
【００２４】本発明者らは全ての記録材料に対して高精
細な画像を形成し、かつ軟包装印刷やラベル印刷をＵＶ
インクジェット方式で実用化することを目的として鋭意
検討を重ねた結果、使用するインクに光酸発生剤と共に
熱酸発生剤を用いることで、インクジェット記録におい
て問題であった印刷物の皺、及びカールを大幅に良化さ
せることができ、更にインクの滲み防止も向上出来るこ
とを新たに見出し本発明に至ったものである。
細な画像を形成し、かつ軟包装印刷やラベル印刷をＵＶ
インクジェット方式で実用化することを目的として鋭意
検討を重ねた結果、使用するインクに光酸発生剤と共に
熱酸発生剤を用いることで、インクジェット記録におい
て問題であった印刷物の皺、及びカールを大幅に良化さ
せることができ、更にインクの滲み防止も向上出来るこ
とを新たに見出し本発明に至ったものである。
【００２５】更に、上記のインクをインクジェット記録
方法による画像形成に用いることにより、インクジェッ
ト記録において最大の課題である、インク吐出安定性も
非常に向上し、再現性よく高精細な画像を形成出来るこ
とも見出した。
方法による画像形成に用いることにより、インクジェッ
ト記録において最大の課題である、インク吐出安定性も
非常に向上し、再現性よく高精細な画像を形成出来るこ
とも見出した。
【００２６】以下、本発明を詳細に説明する。始めに、
本発明に用いられるインクについて説明する。
本発明に用いられるインクについて説明する。
【００２７】本発明に用いられるインクの組成として
は、少なくとも１種の色材、光酸発生剤、熱酸発生剤、
光重合性化合物を含有する。
は、少なくとも１種の色材、光酸発生剤、熱酸発生剤、
光重合性化合物を含有する。
【００２８】光酸発生剤としては、例えば、化学増幅型
フォトレジストや光カチオン重合に利用される化合物が
用いられる（有機エレクトロニクス材料研究会編、「イ
メージング用有機材料」、ぶんしん出版（１９９３
年）、１８７〜１９２頁参照）。本発明に好適な化合物
の例を以下に挙げる。第１に、ジアゾニウム、アンモニ
ウム、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウムなど
の芳香族オニウム化合物のＢ（Ｃ6Ｆ5）4 -、ＰＦ6 -、Ａ
ｓＦ6 -、ＳｂＦ6 -、ＣＦ3ＳＯ3 -塩を挙げることが出来
る。対アニオンとしてボレート化合物を持つものが酸発
生能力が高く好ましい。最初にオニウム化合物の具体的
な例を以下に示す。
フォトレジストや光カチオン重合に利用される化合物が
用いられる（有機エレクトロニクス材料研究会編、「イ
メージング用有機材料」、ぶんしん出版（１９９３
年）、１８７〜１９２頁参照）。本発明に好適な化合物
の例を以下に挙げる。第１に、ジアゾニウム、アンモニ
ウム、ヨードニウム、スルホニウム、ホスホニウムなど
の芳香族オニウム化合物のＢ（Ｃ6Ｆ5）4 -、ＰＦ6 -、Ａ
ｓＦ6 -、ＳｂＦ6 -、ＣＦ3ＳＯ3 -塩を挙げることが出来
る。対アニオンとしてボレート化合物を持つものが酸発
生能力が高く好ましい。最初にオニウム化合物の具体的
な例を以下に示す。
【００２９】
【化１】
【００３０】第２に、スルホン酸を発生するスルホン化
物を挙げることが出来る。具体的な化合物を以下に例示
する。
物を挙げることが出来る。具体的な化合物を以下に例示
する。
【００３１】
【化２】
【００３２】第３に、ハロゲン化水素を光発生するハロ
ゲン化物も用いることが出来る。以下に具体的な化合物
を例示する。
ゲン化物も用いることが出来る。以下に具体的な化合物
を例示する。
【００３３】
【化３】
【００３４】第４に、鉄アレン錯体を挙げることが出来
る。
る。
【００３５】
【化４】
【００３６】本発明におけるインクは、特開平８−２４
８５６１号、同９−３４１０６号を始めとしてし、既に
公知となっている活性光線の照射で発生した酸により新
たに酸を発生する酸増殖剤を含有することが好ましい。
酸増殖剤を用いることで、更なる吐出安定性向上を可能
とする。
８５６１号、同９−３４１０６号を始めとしてし、既に
公知となっている活性光線の照射で発生した酸により新
たに酸を発生する酸増殖剤を含有することが好ましい。
酸増殖剤を用いることで、更なる吐出安定性向上を可能
とする。
【００３７】本発明に係るインクでは、対イオンとして
アリールボレート化合物を有するジアゾニウム、ヨード
ニウム又はスルホニウムの芳香族オニウム化合物、鉄ア
レン錯体から選ばれる少なくとも１種の光酸発生剤が含
有されることが好ましい。
アリールボレート化合物を有するジアゾニウム、ヨード
ニウム又はスルホニウムの芳香族オニウム化合物、鉄ア
レン錯体から選ばれる少なくとも１種の光酸発生剤が含
有されることが好ましい。
【００３８】又、当該光酸発生剤は、紫外線の照射によ
り酸を発生することが好ましい。ここでいう紫外線と
は、２８０〜４００ｎｍの波長の紫外線である。
り酸を発生することが好ましい。ここでいう紫外線と
は、２８０〜４００ｎｍの波長の紫外線である。
【００３９】本発明に用いられる熱酸発生剤とは、加熱
により酸を発生しうる化合物のことである。熱酸発生剤
としては、例えば、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウ
ム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩
等を挙げることができ、特にスルホニウム塩及びベンゾ
チアゾリウム塩が好ましい。前記スルホニウム塩として
は、下記式（Ａ）で表される化合物が好ましい。
により酸を発生しうる化合物のことである。熱酸発生剤
としては、例えば、スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウ
ム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩
等を挙げることができ、特にスルホニウム塩及びベンゾ
チアゾリウム塩が好ましい。前記スルホニウム塩として
は、下記式（Ａ）で表される化合物が好ましい。
【００４０】
【化５】
【００４１】式（Ａ）において、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は相
互に独立に炭素数１〜５の１価の炭化水素基又はその置
換誘導体を示し、かつＲ1、Ｒ2及びＲ3の少なくとも１
つは炭素数６〜１０のアリール基又はその置換誘導体で
あり、Ｘ-は１価のアニオンを示す。
互に独立に炭素数１〜５の１価の炭化水素基又はその置
換誘導体を示し、かつＲ1、Ｒ2及びＲ3の少なくとも１
つは炭素数６〜１０のアリール基又はその置換誘導体で
あり、Ｘ-は１価のアニオンを示す。
【００４２】式（Ａ）におけるＲ1、Ｒ2及びＲ3の炭素
数１〜１０の１価の炭化水素基としては、例えば、フェ
ニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４
−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｉ−プロピルフェニル
基、ｎ−ｔ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニ
ル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチル
フェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６
−トリメチルフェニル基、３−メチル−５−ｉ−プロピ
ルフェニル基、３−メチル−５−ｔ−ブチルフェニル
基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１
−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル基等のアリー
ル基；ベンジル基、２−メチルベンジル基、３−メチル
ベンジル基、４−メチルベンジル基、４−エチルベンジ
ル基、４−ｎ−プロピルベンジル基、４−ｉ−プロピル
ベンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−ｔ−ブチ
ルベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、２，６−
ジメチルベンジル基、３，５−ジメチルベンジル基、
２，４，６−トリメチルベンジル基、３−メチル−５−
ｉ−プロピルベンジル基、３−メチル−５−ｔ−ブチル
ベンジル基、１−ナフチルメチル基等のアラルキル基；
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロオクチル基等の（シクロ）アルキル基
等を挙げることが出来る。
数１〜１０の１価の炭化水素基としては、例えば、フェ
ニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル
基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４
−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｉ−プロピルフェニル
基、ｎ−ｔ−ブチルフェニル基、４−ｔ−ブチルフェニ
ル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチル
フェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６
−トリメチルフェニル基、３−メチル−５−ｉ−プロピ
ルフェニル基、３−メチル−５−ｔ−ブチルフェニル
基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１
−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル基等のアリー
ル基；ベンジル基、２−メチルベンジル基、３−メチル
ベンジル基、４−メチルベンジル基、４−エチルベンジ
ル基、４−ｎ−プロピルベンジル基、４−ｉ−プロピル
ベンジル基、４−ｎ−ブチルベンジル基、４−ｔ−ブチ
ルベンジル基、２，４−ジメチルベンジル基、２，６−
ジメチルベンジル基、３，５−ジメチルベンジル基、
２，４，６−トリメチルベンジル基、３−メチル−５−
ｉ−プロピルベンジル基、３−メチル−５−ｔ−ブチル
ベンジル基、１−ナフチルメチル基等のアラルキル基；
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、
ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−
ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロオクチル基等の（シクロ）アルキル基
等を挙げることが出来る。
【００４３】又、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3の炭素数１〜１０の
１価の炭化水素基の置換誘導体における置換基として
は、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、−Ｏ
Ｒ4、−ＣＯＲ5、−ＣＯＯＲ6、−Ｎ（Ｒ7）（Ｒ8）、
−ＯＣＯＯＲ9、−ＯＣＯＲ10（但し、Ｒ4〜Ｒ8は相互
に独立に水素原子、炭素数１〜５の（シクロ）アルキル
基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１１の
アラルキル基を示し、Ｒ 9、Ｒ10は相互に独立に炭素数
１〜５の（シクロ）アルキル基、炭素数６〜１０のアリ
ール基又は炭素数７〜１１のアラルキル基を示す。）等
を挙げることが出来る。
１価の炭化水素基の置換誘導体における置換基として
は、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、−Ｏ
Ｒ4、−ＣＯＲ5、−ＣＯＯＲ6、−Ｎ（Ｒ7）（Ｒ8）、
−ＯＣＯＯＲ9、−ＯＣＯＲ10（但し、Ｒ4〜Ｒ8は相互
に独立に水素原子、炭素数１〜５の（シクロ）アルキル
基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１１の
アラルキル基を示し、Ｒ 9、Ｒ10は相互に独立に炭素数
１〜５の（シクロ）アルキル基、炭素数６〜１０のアリ
ール基又は炭素数７〜１１のアラルキル基を示す。）等
を挙げることが出来る。
【００４４】このような１価の炭化水素基の置換誘導体
としては、例えば、２−クロロフェニル基、２−クロロ
−３−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェ
ニル基、３−クロロフェニル基、３−クロロ−２−メチ
ルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、４
−クロロフェニル基、４−クロロ−２−メチルフェニル
基、４−クロロ−３−メチルフェニル基、３，５−ジク
ロロフェニル基、４−ニトロフェニル基、４−シアノフ
ェニル基、２−ヒドロキシフェニル基、３−ヒドロキシ
フェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、２−メチル−
４−ヒドロキシフェニル基、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル基、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニ
ル基、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフ
ェニル基、２，４−ジヒドロキシフェニル基、２，６−
ジヒドロキシフェニル基、３，５−ジヒドロキシフェニ
ル基、２，４，６−トリヒドロキシフェニル基、４−メ
トキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−
プロポキシフェニル基、４−ｉ−プロポキシフェニル
基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−ｔ−ブトキシフ
ェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−
フェノキシフェニル基、４−ベンジルオキシフェニル
基、４−アルドフェニル基、４−アセトフェニル基、４
−エチルカルボニルフェニル基、４−ｎ−プロピルカル
ボニルフェニル基、４−ｉ−プロピルカルボニルフェニ
ル基、４−ｎ−ブチルカルボニルフェニル基、４−ｔ−
ブチルカルボニルフェニル基、４−シクロヘキシルカル
ボニルフェニル基、４−フェニルカルボニルフェニル
基、４−ベンジルカルボニルフェニル基、４−カルボキ
シフェニル基、４−メトキシカルボニルフェニル基、４
−エトキシカルボニルフェニル基、４−ｎ−プロポキシ
カルボニルフェニル基、４−ｉ−プロポキシカルボニル
フェニル基、４−ｎ−ブトキシカルボニルフェニル基、
４−ｔ−ブトキシカルボニルフェニル基、４−シクロヘ
キルオキシカルボニルフェニル基、４−フェノキシカル
ボニルフェニル基、４−ベンジルオキシカルボニルフェ
ニル基、４−アミノフェニル基、４−ジメチルアミノフ
ェニル基、４−ジエチルアミノフェニル基、４−ジ−ｎ
−プロピルアミノフェニル基、４−ジ−ｉ−プロピルア
ミノフェニル基、２−メトキシカルボニルオキシフェニ
ル基、４−メトキシカルボニルオキシフェニル基、４−
メトキシカルボニルオキシフェニル基、４−エトキシカ
ルボニルオキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシカルボ
ニルオキシフェニル基、４−ｉ−プロポキシカルボニル
オキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル基、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニ
ル基、４−シクロヘキルオキシカルボニルオキシフェニ
ル基、４−フェノキシカルボニルオキシフェニル基、４
−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニル基、４−ア
セトキシフェニル基、４−シクロヘキシルカルボニルオ
キシフェニル基、４−ベンゾイルオキシフェニル基、４
−ベンジルカルボニルオキシフェニル基、２−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル基、３−クロロ−４−ヒドロキ
シフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、
３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−クロロ−４
−アセトフェニル基、３−クロロ−４−アセトフェニル
基、２−クロロ−４−カルボキシフェニル基、３−クロ
ロ−４−カルボキシフェニル基、２−クロロ−４−メト
キシカルボニルフェニル基、３−クロロ−４−メトキシ
カルボニルフェニル基、２−クロロ−４−ジメチルアミ
ノフェニル基、３−クロロ−４−ジメチルアミノフェニ
ル基、２−クロロ−４−メトキシカルボニルオキシフェ
ニル基、３−クロロ−４−メトキシカルボニルオキシフ
ェニル基、２−クロロ−４−アセトキシフェニル基、３
−クロロ−４−アセトキシフェニル基、２−ニトロ−４
−ヒドロキシフェニル基、３−ニトロ−４−ヒドロキシ
フェニル基、２−シアノ−４−ヒドロキシフェニル基、
３−シアノ−４−ヒドロキシフェニル基、２−メトキシ
−４−ヒドロキシフェニル基、３−メトキシ−４−ヒド
ロキシフェニル基、２−アセト−４−ヒドロキシフェニ
ル基、３−アセト−４−ヒドロキシベンジル基、２−メ
トキシカルボニル−４−ヒドロキシフェニル基、３−メ
トキシカルボニル−４−ヒドロキシフェニル基、２−ジ
メチルアミノ−４−ヒドロキシフェニル基、３−ジメチ
ルアミノ−４−ヒドロキシフェニル基、２−メトキシカ
ルボニルオキシ−４−ヒドロキシフェニル基、３−メト
キシカルボニルオキシ−４−ヒドロキシフェニル基、２
−アセトキシ−４−ヒドロキシベンジル基、３−アセト
キシ−４−ヒドロキシフェニル基、４−フルオロメチル
フェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−
クロロメチルフェニル基、４−（２−フルオロエチル）
フェニル基、４−（２，２，２−トリフルオロエチル）
フェニル基、４−ペンタフルオロエチルフェニル基、４
−（２−クロロエチル）フェニル基、４−（３−フルオ
ロプロピル）フェニル基、４−（３，３，３−トリフル
オロプロピル）フェニル基、４−ヘプタフルオロプロピ
ルフェニル基、４−（３−クロロプロピル）フェニル基
等の置換アリール基；２−クロロベンジル基、２−クロ
ロ−３−メチルベンジル基、２−クロロ−４−メチルベ
ンジル基、３−クロロベンジル基、３−クロロ−２−メ
チルベンジル基、３−クロロ−４−メチルベンジル基、
４−クロロベンジル基、４−クロロ−２−メチルベンジ
ル基、４−クロロ−３−メチルベンジル基、３，５−ジ
クロロベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−シアノ
ベンジル基、２−ヒドロキシベンジル基、３−ヒドロキ
シベンジル基、４−ヒドロキシベンジル基、２−メチル
−４−ヒドロキシベンジル基、３−メチル−４−ヒドロ
キシ−ベンジル基、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルベ
ンジル基、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチ
ルベンジル基、２，４−ジヒドロキシベンジル基、２，
６−ジヒドロキシベンジル基、３，５−ジヒドロキシベ
ンジル基、２，４，６−トリヒドロキシベンジル基、２
−メトキシベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−
メトキシベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−ｎ
−プロポキシベンジル基、４−ｉ−プロポキシベンジル
基、４−ｎ−ブトキシベンジル基、４−ｔ−ブトキシベ
ンジル基、４−シクロヘキシルオキシベンジル基、４−
フェノキシベンジル基、４−ベンジルオキシベンジル
基、４−アルドベンジル基、４−アセトベンジル基、４
−エチルカルボニルベンジル基、４−ｎ−プロピルカル
ボニルベンジル基、４−ｉ−プロピルカルボニルベンジ
ル基、４−ｎ−ブチルカルボニルベンジル基、４−ｔ−
ブチルカルボニルベンジル基、４−シクロヘキシルカル
ボニルベンジル基、４−ベンゾイルベンジル基、４−ベ
ンジルカルボニルベンジル基、４−カルボキシベンジル
基、４−メトキシカルボニルベンジル基、４−エトキシ
カルボニルベンジル基、４−ｎ−プロポキシカルボニル
ベンジル基、４−ｉ−プロポキシカルボニルベンジル
基、４−ｎ−ブトキシカルボニルベンジル基、４−ｔ−
ブトキシカルボニルベンジル基、４−シクロヘキルオキ
シカルボニルベンジル基、４−フェノキシカルボニルベ
ンジル基、４−ベンジルオキシカルボニルベンジル基、
４−アミノベンジル基、４−ジメチルアミノベンジル
基、４−ジエチルアミノベンジル基、４−ジ−ｎ−プロ
ピルアミノベンジル基、４−ジ−ｉ−プロピルアミノベ
ンジル基、４−メトキシカルボニルオキシベンジル基、
４−エトキシカルボニルオキシベンジル基、４−ｎ−プ
ロポキシカルボニルオキシベンジル基、４−ｉ−プロポ
キシカルボニルオキシベンジル基、４−ｎ−ブトキシカ
ルボニルオキシベンジル基、４−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシベンジル基、４−シクロヘキルオキシカルボニ
ルオキシベンジル基、４−フェノキシカルボニルオキシ
ベンジル基、４−ベンジルオキシカルボニルオキシベン
ジル基、４−アセトキシベンジル基、４−シクロヘキシ
ルカルボニルオキシベンジル基、４−ベンゾイルオキシ
ベンジル基、４−ベンジルカルボニルオキシベンジル
基、２−クロロ−４−ヒドロキシベンジル基、３−クロ
ロ−４−ヒドロキシベンジル基、２−クロロ−４−メト
キシベンジル基、３−クロロ−４−メトキシベンジル
基、２−クロロ−４−エトキシベンジル基、３−クロロ
−４−エトキシベンジル基、２−クロロ−４−アセトベ
ンジル基、３−クロロ−４−アセトベンジル基、２−ク
ロロ−４−カルボキシベンジル基、３−クロロ−４−カ
ルボキシベンジル基、２−クロロ−４−メトキシカルボ
ニルベンジル基、３−クロロ−４−メトキシカルボニル
ベンジル基、２−クロロ−４−ジメチルアミノベンジル
基、３−クロロ−４−ジメチルアミノベンジル基、２−
クロロ−４−メトキシカルボニルオキシベンジル基、３
−クロロ−４−メトキシカルボニルオキシベンジル基、
２−クロロ−４−アセトキシベンジル基、３−クロロ−
４−アセトキシベンジル基、２−ニトロ−４−ヒドロキ
シベンジル基、３−ニトロ−４−ヒドロキシベンジル
基、２−シアノ−４−ヒドロキシベンジル基、３−シア
ノ−４−ヒドロキシベンジル基、２−メトキシ−４−ヒ
ドロキシベンジル基、３−メトキシ−４−ヒドロキシベ
ンジル基、２−アセト−４−ヒドロキシベンジル基、３
−アセト−４−ヒドロキシベンジル基、２−メトキシカ
ルボニル−４−ヒドロキシベンジル基、３−メトキシカ
ルボニル−４−ヒドロキシベンジル基、２−ジメチルア
ミノ−４−ヒドロキシベンジル基、３−ジメチルアミノ
−４−ヒドロキシベンジル基、２−メトキシカルボニル
オキシ−４−ヒドロキシベンジル基、３−メトキシカル
ボニルオキシ−４−ヒドロキシベンジル基、２−アセト
キシ−４−ヒドロキシベンジル基、３−アセトキシ−４
−ヒドロキシベンジル基、４−フルオロメチルベンジル
基、トリフルオメチルベンジル基、クロロメチルベンジ
ル基、４−（２−フルオロエチル）ベンジル基、４−
（２，２，２−トリフルオロエチル）ベンジル基、４−
ペンタフルオロエチルベンジル基、４−（２−クロロエ
チル）ベンジル基、４−（３−フルオロプロピル）ベン
ジル基、４−（３，３，３−トリフルオロプロピル）ベ
ンジル基、４−ヘプタフルオロプロピルベンジル基、４
−（３−クロロプロピル）ベンジル基等の置換アラルキ
ル基；フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロ
ロメチル基、２−フルオロエチル基、２，２，２−トリ
フルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、２−クロ
ロエチル基、３−フルオロプロピル基、３，３，３−ト
リフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、３
−クロロプロピル基、４−クロロシクロヘキシル基、ニ
トロメチル基、２−ニトロエチル基、３−ニトロプロピ
ル基、４−ニトロシクロヘキシル基、シアノメチル基、
２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シア
ノシクロヘキシル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロ
キシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロ
キシプロピル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基、メ
トキシメチル基、２−メトキシエチル基、２−メトキシ
プロピル基、３−メトキシプロピル基、４−メトキシブ
チル基、４−メトキシシクロヘキシル基、エトキシメチ
ル基、２−エトキシエチル基、アセトメチル基、２−ア
セトエチル基、４−アセトシクロヘキシル基、シクロヘ
キシルカルボニルメチル基、２−シクロヘキシルカルボ
ニルエチル基、フェニルカルボニルメチル基、２−フェ
ニルカルボニルエチル基、ベンジルカルボニルメチル
基、２−ベンジルカルボニルエチル基、カルボキシメチ
ル基、２−カルボキシエチル基、４−カルボキシシクロ
ヘキシル基、メトキシカルボニルメチル基、２−メトキ
シカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチ
ル基、２−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、ｉ−プ
ロポキシカルボニルメチル基、２−ｉ−プロポキシカル
ボニルエチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、２
−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、ｔ−ブトキシカル
ボニルメチル基、２−ｔ−ブトキシカルボニルエチル
基、シクロヘキルオキシカルボニルメチル基、２−シク
ロヘキルオキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボ
ニルメチル基、２−フェノキシカルボニルエチル基、ベ
ンジルオキシカルボニルメチル基、２−ベンジルオキシ
カルボニルエチル基、アミノメチル基、２−アミノエチ
ル基、４−アミノシクロヘキシル基、ジメチルアミノメ
チル基、２−ジメチルアミノエチル基、４−ジメチルア
ミノシクロヘキシル基、メトキシカルボニルオキシメチ
ル基、２−メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキ
シカルボニルオキシメチル基、２−エトキシカルボニル
オキシエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシメチ
ル基、２−ｎ−プロポキシカルボニルオキシエチル基、
ｉ−プロポキシカルボニルオキシメチル基、２−ｉ−プ
ロポキシカルボニルオキシエチル基、ｎ−ブトキシカル
ボニルオキシメチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシメチル
基、２−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル基、シク
ロヘキルオキシカルボニルオキシメチル基、２−シクロ
ヘキルオキシカルボニルオキシエチル基、フェノキシカ
ルボニルオキシメチル基、２−フェノキシカルボニルオ
キシエチル基、ベンジルオキシカルボニルオキシメチル
基、２−ベンジルオキシカルボニルオキシエチル基、ア
セトキシメチル基、２−アセトキシエチル基、４−アセ
トキシシクロヘキシル基、シクロヘキシルカルボニルオ
キシメチル基、２−シクロヘキシルカルボニルオキシエ
チル基、ベンゾイルオキシメチル基、２−ベンゾイルオ
キシエチル基、ベンジルカルボニルオキシメチル基、２
−ベンジルカルボニルオキシエチル基等の置換（シク
ロ）アルキル基等を挙げることが出来る。
としては、例えば、２−クロロフェニル基、２−クロロ
−３−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェ
ニル基、３−クロロフェニル基、３−クロロ−２−メチ
ルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、４
−クロロフェニル基、４−クロロ−２−メチルフェニル
基、４−クロロ−３−メチルフェニル基、３，５−ジク
ロロフェニル基、４−ニトロフェニル基、４−シアノフ
ェニル基、２−ヒドロキシフェニル基、３−ヒドロキシ
フェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、２−メチル−
４−ヒドロキシフェニル基、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル基、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニ
ル基、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフ
ェニル基、２，４−ジヒドロキシフェニル基、２，６−
ジヒドロキシフェニル基、３，５−ジヒドロキシフェニ
ル基、２，４，６−トリヒドロキシフェニル基、４−メ
トキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−
プロポキシフェニル基、４−ｉ−プロポキシフェニル
基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−ｔ−ブトキシフ
ェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−
フェノキシフェニル基、４−ベンジルオキシフェニル
基、４−アルドフェニル基、４−アセトフェニル基、４
−エチルカルボニルフェニル基、４−ｎ−プロピルカル
ボニルフェニル基、４−ｉ−プロピルカルボニルフェニ
ル基、４−ｎ−ブチルカルボニルフェニル基、４−ｔ−
ブチルカルボニルフェニル基、４−シクロヘキシルカル
ボニルフェニル基、４−フェニルカルボニルフェニル
基、４−ベンジルカルボニルフェニル基、４−カルボキ
シフェニル基、４−メトキシカルボニルフェニル基、４
−エトキシカルボニルフェニル基、４−ｎ−プロポキシ
カルボニルフェニル基、４−ｉ−プロポキシカルボニル
フェニル基、４−ｎ−ブトキシカルボニルフェニル基、
４−ｔ−ブトキシカルボニルフェニル基、４−シクロヘ
キルオキシカルボニルフェニル基、４−フェノキシカル
ボニルフェニル基、４−ベンジルオキシカルボニルフェ
ニル基、４−アミノフェニル基、４−ジメチルアミノフ
ェニル基、４−ジエチルアミノフェニル基、４−ジ−ｎ
−プロピルアミノフェニル基、４−ジ−ｉ−プロピルア
ミノフェニル基、２−メトキシカルボニルオキシフェニ
ル基、４−メトキシカルボニルオキシフェニル基、４−
メトキシカルボニルオキシフェニル基、４−エトキシカ
ルボニルオキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシカルボ
ニルオキシフェニル基、４−ｉ−プロポキシカルボニル
オキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシ
フェニル基、４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニ
ル基、４−シクロヘキルオキシカルボニルオキシフェニ
ル基、４−フェノキシカルボニルオキシフェニル基、４
−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニル基、４−ア
セトキシフェニル基、４−シクロヘキシルカルボニルオ
キシフェニル基、４−ベンゾイルオキシフェニル基、４
−ベンジルカルボニルオキシフェニル基、２−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル基、３−クロロ−４−ヒドロキ
シフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、
３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−クロロ−４
−アセトフェニル基、３−クロロ−４−アセトフェニル
基、２−クロロ−４−カルボキシフェニル基、３−クロ
ロ−４−カルボキシフェニル基、２−クロロ−４−メト
キシカルボニルフェニル基、３−クロロ−４−メトキシ
カルボニルフェニル基、２−クロロ−４−ジメチルアミ
ノフェニル基、３−クロロ−４−ジメチルアミノフェニ
ル基、２−クロロ−４−メトキシカルボニルオキシフェ
ニル基、３−クロロ−４−メトキシカルボニルオキシフ
ェニル基、２−クロロ−４−アセトキシフェニル基、３
−クロロ−４−アセトキシフェニル基、２−ニトロ−４
−ヒドロキシフェニル基、３−ニトロ−４−ヒドロキシ
フェニル基、２−シアノ−４−ヒドロキシフェニル基、
３−シアノ−４−ヒドロキシフェニル基、２−メトキシ
−４−ヒドロキシフェニル基、３−メトキシ−４−ヒド
ロキシフェニル基、２−アセト−４−ヒドロキシフェニ
ル基、３−アセト−４−ヒドロキシベンジル基、２−メ
トキシカルボニル−４−ヒドロキシフェニル基、３−メ
トキシカルボニル−４−ヒドロキシフェニル基、２−ジ
メチルアミノ−４−ヒドロキシフェニル基、３−ジメチ
ルアミノ−４−ヒドロキシフェニル基、２−メトキシカ
ルボニルオキシ−４−ヒドロキシフェニル基、３−メト
キシカルボニルオキシ−４−ヒドロキシフェニル基、２
−アセトキシ−４−ヒドロキシベンジル基、３−アセト
キシ−４−ヒドロキシフェニル基、４−フルオロメチル
フェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−
クロロメチルフェニル基、４−（２−フルオロエチル）
フェニル基、４−（２，２，２−トリフルオロエチル）
フェニル基、４−ペンタフルオロエチルフェニル基、４
−（２−クロロエチル）フェニル基、４−（３−フルオ
ロプロピル）フェニル基、４−（３，３，３−トリフル
オロプロピル）フェニル基、４−ヘプタフルオロプロピ
ルフェニル基、４−（３−クロロプロピル）フェニル基
等の置換アリール基；２−クロロベンジル基、２−クロ
ロ−３−メチルベンジル基、２−クロロ−４−メチルベ
ンジル基、３−クロロベンジル基、３−クロロ−２−メ
チルベンジル基、３−クロロ−４−メチルベンジル基、
４−クロロベンジル基、４−クロロ−２−メチルベンジ
ル基、４−クロロ−３−メチルベンジル基、３，５−ジ
クロロベンジル基、４−ニトロベンジル基、４−シアノ
ベンジル基、２−ヒドロキシベンジル基、３−ヒドロキ
シベンジル基、４−ヒドロキシベンジル基、２−メチル
−４−ヒドロキシベンジル基、３−メチル−４−ヒドロ
キシ−ベンジル基、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルベ
ンジル基、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチ
ルベンジル基、２，４−ジヒドロキシベンジル基、２，
６−ジヒドロキシベンジル基、３，５−ジヒドロキシベ
ンジル基、２，４，６−トリヒドロキシベンジル基、２
−メトキシベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−
メトキシベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−ｎ
−プロポキシベンジル基、４−ｉ−プロポキシベンジル
基、４−ｎ−ブトキシベンジル基、４−ｔ−ブトキシベ
ンジル基、４−シクロヘキシルオキシベンジル基、４−
フェノキシベンジル基、４−ベンジルオキシベンジル
基、４−アルドベンジル基、４−アセトベンジル基、４
−エチルカルボニルベンジル基、４−ｎ−プロピルカル
ボニルベンジル基、４−ｉ−プロピルカルボニルベンジ
ル基、４−ｎ−ブチルカルボニルベンジル基、４−ｔ−
ブチルカルボニルベンジル基、４−シクロヘキシルカル
ボニルベンジル基、４−ベンゾイルベンジル基、４−ベ
ンジルカルボニルベンジル基、４−カルボキシベンジル
基、４−メトキシカルボニルベンジル基、４−エトキシ
カルボニルベンジル基、４−ｎ−プロポキシカルボニル
ベンジル基、４−ｉ−プロポキシカルボニルベンジル
基、４−ｎ−ブトキシカルボニルベンジル基、４−ｔ−
ブトキシカルボニルベンジル基、４−シクロヘキルオキ
シカルボニルベンジル基、４−フェノキシカルボニルベ
ンジル基、４−ベンジルオキシカルボニルベンジル基、
４−アミノベンジル基、４−ジメチルアミノベンジル
基、４−ジエチルアミノベンジル基、４−ジ−ｎ−プロ
ピルアミノベンジル基、４−ジ−ｉ−プロピルアミノベ
ンジル基、４−メトキシカルボニルオキシベンジル基、
４−エトキシカルボニルオキシベンジル基、４−ｎ−プ
ロポキシカルボニルオキシベンジル基、４−ｉ−プロポ
キシカルボニルオキシベンジル基、４−ｎ−ブトキシカ
ルボニルオキシベンジル基、４−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシベンジル基、４−シクロヘキルオキシカルボニ
ルオキシベンジル基、４−フェノキシカルボニルオキシ
ベンジル基、４−ベンジルオキシカルボニルオキシベン
ジル基、４−アセトキシベンジル基、４−シクロヘキシ
ルカルボニルオキシベンジル基、４−ベンゾイルオキシ
ベンジル基、４−ベンジルカルボニルオキシベンジル
基、２−クロロ−４−ヒドロキシベンジル基、３−クロ
ロ−４−ヒドロキシベンジル基、２−クロロ−４−メト
キシベンジル基、３−クロロ−４−メトキシベンジル
基、２−クロロ−４−エトキシベンジル基、３−クロロ
−４−エトキシベンジル基、２−クロロ−４−アセトベ
ンジル基、３−クロロ−４−アセトベンジル基、２−ク
ロロ−４−カルボキシベンジル基、３−クロロ−４−カ
ルボキシベンジル基、２−クロロ−４−メトキシカルボ
ニルベンジル基、３−クロロ−４−メトキシカルボニル
ベンジル基、２−クロロ−４−ジメチルアミノベンジル
基、３−クロロ−４−ジメチルアミノベンジル基、２−
クロロ−４−メトキシカルボニルオキシベンジル基、３
−クロロ−４−メトキシカルボニルオキシベンジル基、
２−クロロ−４−アセトキシベンジル基、３−クロロ−
４−アセトキシベンジル基、２−ニトロ−４−ヒドロキ
シベンジル基、３−ニトロ−４−ヒドロキシベンジル
基、２−シアノ−４−ヒドロキシベンジル基、３−シア
ノ−４−ヒドロキシベンジル基、２−メトキシ−４−ヒ
ドロキシベンジル基、３−メトキシ−４−ヒドロキシベ
ンジル基、２−アセト−４−ヒドロキシベンジル基、３
−アセト−４−ヒドロキシベンジル基、２−メトキシカ
ルボニル−４−ヒドロキシベンジル基、３−メトキシカ
ルボニル−４−ヒドロキシベンジル基、２−ジメチルア
ミノ−４−ヒドロキシベンジル基、３−ジメチルアミノ
−４−ヒドロキシベンジル基、２−メトキシカルボニル
オキシ−４−ヒドロキシベンジル基、３−メトキシカル
ボニルオキシ−４−ヒドロキシベンジル基、２−アセト
キシ−４−ヒドロキシベンジル基、３−アセトキシ−４
−ヒドロキシベンジル基、４−フルオロメチルベンジル
基、トリフルオメチルベンジル基、クロロメチルベンジ
ル基、４−（２−フルオロエチル）ベンジル基、４−
（２，２，２−トリフルオロエチル）ベンジル基、４−
ペンタフルオロエチルベンジル基、４−（２−クロロエ
チル）ベンジル基、４−（３−フルオロプロピル）ベン
ジル基、４−（３，３，３−トリフルオロプロピル）ベ
ンジル基、４−ヘプタフルオロプロピルベンジル基、４
−（３−クロロプロピル）ベンジル基等の置換アラルキ
ル基；フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロ
ロメチル基、２−フルオロエチル基、２，２，２−トリ
フルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、２−クロ
ロエチル基、３−フルオロプロピル基、３，３，３−ト
リフルオロプロピル基、ヘプタフルオロプロピル基、３
−クロロプロピル基、４−クロロシクロヘキシル基、ニ
トロメチル基、２−ニトロエチル基、３−ニトロプロピ
ル基、４−ニトロシクロヘキシル基、シアノメチル基、
２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シア
ノシクロヘキシル基、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロ
キシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロ
キシプロピル基、４−ヒドロキシシクロヘキシル基、メ
トキシメチル基、２−メトキシエチル基、２−メトキシ
プロピル基、３−メトキシプロピル基、４−メトキシブ
チル基、４−メトキシシクロヘキシル基、エトキシメチ
ル基、２−エトキシエチル基、アセトメチル基、２−ア
セトエチル基、４−アセトシクロヘキシル基、シクロヘ
キシルカルボニルメチル基、２−シクロヘキシルカルボ
ニルエチル基、フェニルカルボニルメチル基、２−フェ
ニルカルボニルエチル基、ベンジルカルボニルメチル
基、２−ベンジルカルボニルエチル基、カルボキシメチ
ル基、２−カルボキシエチル基、４−カルボキシシクロ
ヘキシル基、メトキシカルボニルメチル基、２−メトキ
シカルボニルエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチ
ル基、２−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、ｉ−プ
ロポキシカルボニルメチル基、２−ｉ−プロポキシカル
ボニルエチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、２
−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、ｔ−ブトキシカル
ボニルメチル基、２−ｔ−ブトキシカルボニルエチル
基、シクロヘキルオキシカルボニルメチル基、２−シク
ロヘキルオキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボ
ニルメチル基、２−フェノキシカルボニルエチル基、ベ
ンジルオキシカルボニルメチル基、２−ベンジルオキシ
カルボニルエチル基、アミノメチル基、２−アミノエチ
ル基、４−アミノシクロヘキシル基、ジメチルアミノメ
チル基、２−ジメチルアミノエチル基、４−ジメチルア
ミノシクロヘキシル基、メトキシカルボニルオキシメチ
ル基、２−メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキ
シカルボニルオキシメチル基、２−エトキシカルボニル
オキシエチル基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシメチ
ル基、２−ｎ−プロポキシカルボニルオキシエチル基、
ｉ−プロポキシカルボニルオキシメチル基、２−ｉ−プ
ロポキシカルボニルオキシエチル基、ｎ−ブトキシカル
ボニルオキシメチル基、２−ｎ−ブトキシカルボニルオ
キシエチル基、ｔ−ブトキシカルボニルオキシメチル
基、２−ｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル基、シク
ロヘキルオキシカルボニルオキシメチル基、２−シクロ
ヘキルオキシカルボニルオキシエチル基、フェノキシカ
ルボニルオキシメチル基、２−フェノキシカルボニルオ
キシエチル基、ベンジルオキシカルボニルオキシメチル
基、２−ベンジルオキシカルボニルオキシエチル基、ア
セトキシメチル基、２−アセトキシエチル基、４−アセ
トキシシクロヘキシル基、シクロヘキシルカルボニルオ
キシメチル基、２−シクロヘキシルカルボニルオキシエ
チル基、ベンゾイルオキシメチル基、２−ベンゾイルオ
キシエチル基、ベンジルカルボニルオキシメチル基、２
−ベンジルカルボニルオキシエチル基等の置換（シク
ロ）アルキル基等を挙げることが出来る。
【００４５】又、式（Ａ）におけるＸ-の１価のアニオ
ンとしては、例えば、ＢＦ4 -、ＰＦ6 -、ＡｓＦ6 -、Ｓｂ
Ｆ6 -のほか、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トル
エンスルホン酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、１
−ナフタレンスルホン酸、１−ピレンスルホン酸等のス
ルホン酸類に由来するスルホン酸アニオン等を挙げるこ
とが出来る。
ンとしては、例えば、ＢＦ4 -、ＰＦ6 -、ＡｓＦ6 -、Ｓｂ
Ｆ6 -のほか、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トル
エンスルホン酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、１
−ナフタレンスルホン酸、１−ピレンスルホン酸等のス
ルホン酸類に由来するスルホン酸アニオン等を挙げるこ
とが出来る。
【００４６】このようなスルホニウム塩の具体例として
は、フェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、２−メチルフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−メチルフェニル・
ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４
−メチルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、２−クロロフェニル・ジメチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−クロロフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、２，４−ジクロロフェニル・ジ
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２，
６−ジクロロフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、３，５−ジクロロフェニル・ジメ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニ
トロフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−シアノフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、２−ヒドロキシフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−ヒドロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・
ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル・ジメチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ
−ブチルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロヘキサフルオロアルセネート、２，４−ジヒドロキシ
フェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、２，６−ジヒドロキシフェニル・ジメチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，５−ジヒド
ロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−メトキシフェニル・ジメチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェノキシフ
ェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−ベンジルオキシフェニル・ジメチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトフェニル
・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
４−ベンゾイルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ベンジルカルボニルフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシカルボニルフェニル・ジメチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェノキシカ
ルボニルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ベンジルオキシカルボニルフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ジメチルアミノフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシカルボニ
ルオキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−フェノキシカルボニルオキシフェ
ニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニル・ジ
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−
アセトキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ベンゾイルオキシフェニル・ジ
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート等の（置換）アリール・ジアルキルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート類；フェニル・ベン
ジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、２−メチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−メチルフェニル・
ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−メチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−メチ
ルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、フェニル・１−ナフチルメチル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、２−クロロフェニ
ル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、２−クロロフェニル・４−メチルベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−
クロロフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−クロロフェニル・４−メチ
ルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−クロロフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−クロロフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−クロロフェニル・１−ナフチ
ルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、２−クロロ−３−メチルフェニル・ベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−ク
ロロ−４−メチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−クロロ−２−メ
チルフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−クロロ−３−メチルフェニル
・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−ニトロフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・１−ナフチ
ルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−シアノフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノフェニル
・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−シアノフェニル・１−ナフチル
メチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、２−メチル−４−
ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフ
ェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−
ブチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−
メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−ヒドロキシフェニル・１−ナフチルメ
チル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−メトキシフェニル・１−ナフ
チルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−アセトフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−アセトフェニル・１−ナフチ
ルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−メトキシカルボニルフェニル・ベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メ
トキシカルボニルフェニル・４−メチルベンジル・メチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メト
キシカルボニルフェニル・１−ナフチルメチル・メチル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ジメチ
ルアミノフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−ジメチルアミノフェニル
・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ジメチルアミノフェニル・１−
ナフチルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル・
ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル・４−メ
チルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル・１
−ナフチルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−アセトキシフェニル・ベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ア
セトキシフェニル・４−メチルベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシフ
ェニル・１−ナフチルメチル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−ベンゾイルオキシフェニ
ル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、４−ベンゾイルオキシフェニル・４−メチル
ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−ベンゾイルオキシフェニル・１−ナフチルメ
チル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート等の（置換）フ
ェニル・ベンジル・アルキルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート類；フェニル・２−クロロベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェニ
ル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、フェニル・４−クロロベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェ
ニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−ニトロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、フェニル・４−シアノベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−ヒドロ
キシベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、フェニル・４−メトキシベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４
−アセトベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、フェニル・４−メトキシカルボニルベン
ジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、フェニル・４−ジメチルアミノベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４
−メトキシカルボニルオキシベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−アセ
トキシベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、２−クロロフェニル・２−クロロベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２
−クロロフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、２−クロロフェニ
ル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、２−クロロフェニル・３，５−ジ
クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、３−クロロフェニル・２−クロロベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３
−クロロフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロフェニ
ル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、３−クロロフェニル・３，５−ジ
クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−クロロフェニル・２−クロロベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４
−クロロフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−クロロフェニ
ル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−クロロフェニル・３，５−ジ
クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、３，５−ジクロロフェニル・２−クロロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３，５−ジクロロフェニル・３−クロロベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，
５−ジクロロフェニル・４−クロロベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，５−ジク
ロロフェニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロフェ
ニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・３−クロ
ロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−ニトロフェニル・４−クロロベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−シ
アノフェニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノフェニル・
３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−シアノフェニル・４−クロロベン
ジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・２−クロロベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・
３，５−ジクロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４
−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・２−クロロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェ
ニル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル・４−クロロベンジル・メチル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル
−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・３，５−
ジクロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−ニトロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・４−シアノベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・４−ヒドロキシベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキ
シフェニル・４−メトキシベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニ
ル・４−アセトベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−メ
トキシカルボニルベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−
ジメチルアミノベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−メ
トキシカルボニルオキシベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル
・４−アセトキシベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキシ
フェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキ
シフェニル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロ
キシフェニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４
−ヒドロキシフェニル・２−クロロベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル・３−クロロベンジル・メチル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ
−４−ヒドロキシフェニル・４−クロロベンジル・メチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロ
ロ−４−ヒドロキシフェニル・３，５−ジクロロベンジ
ル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート等
の（置換）フェニル・置換ベンジル・アルキルヘキサフ
ルオロアルセネート類；フェニル・ジベンジルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、２−クロロフェニル
・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−クロロフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−クロロフェニル・ジベン
ジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，５
−ジクロロフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・ジベンジル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノ
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、４−ヒドロキシフェニル・ジベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチル
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチ
ルフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−メトキシフェニル・ジベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトフェニ
ル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシカルボニルフェニル・ジベンジルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ジメチルア
ミノフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル
・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−アセトキシフェニル・ジベンジルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロ
キシフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・
ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート等
の（置換）フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート類；フェニル・ベンジル・２−クロ
ロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
フェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、フェニル・ベンジル・４
−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、フェニル・ベンジル・３，５−ジクロロベンジル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロ
フェニル・ベンジル・２−クロロベンジルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・ベ
ンジル・３−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ニトロフェニル・ベンジル・４−
クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−シアノフェニル・ベンジル・２−クロロベンジ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−シア
ノフェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノフェニル・
ベンジル・４−クロロベンジルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル
・２−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、３−メチル−４−ヒドロキシフェニル・ベン
ジル・２−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−
ブチルフェニル・ベンジル・２−クロロベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒド
ロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・ベンジル・３−クロ
ロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・４−クロロベンジ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・４−クロロベ
ンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−
メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・ベ
ンジル・４−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・
３，５−ジクロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシフェニル・
ベンジル・３，５−ジクロロベンジルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ
−５−ｔ−ブチルフェニル・ベンジル・３，５−ジクロ
ロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・２−
クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・
３−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジ
ル・４−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベ
ンジル・３，５−ジクロロベンジルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル・ベンジル・２−クロロベンジルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニル・ベンジル・４−クロロベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−
ヒドロキシフェニル・ベンジル・３，５−ジクロロベン
ジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート等の（置
換）フェニル・ベンジル・置換ベンジルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート類のほか、前記各スルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート類中のアニオン（ＡｓＦ
6 -）をＢＦ4 -、ＰＦ6 -、ＳｂＦ6 -、トリフルオロメタン
スルホン酸アニオン又はｐ−トルエンスルホン酸アニオ
ンに置き換えた化合物等を挙げることが出来る。
は、フェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、２−メチルフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−メチルフェニル・
ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４
−メチルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、２−クロロフェニル・ジメチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−クロロフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、２，４−ジクロロフェニル・ジ
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２，
６−ジクロロフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、３，５−ジクロロフェニル・ジメ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニ
トロフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−シアノフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、２−ヒドロキシフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−ヒドロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・
ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２
−メチル−４−ヒドロキシフェニル・ジメチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒ
ドロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ
−ブチルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロヘキサフルオロアルセネート、２，４−ジヒドロキシ
フェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、２，６−ジヒドロキシフェニル・ジメチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，５−ジヒド
ロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−メトキシフェニル・ジメチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェノキシフ
ェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−ベンジルオキシフェニル・ジメチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトフェニル
・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
４−ベンゾイルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ベンジルカルボニルフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシカルボニルフェニル・ジメチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェノキシカ
ルボニルフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ベンジルオキシカルボニルフェニ
ル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ジメチルアミノフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシカルボニ
ルオキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−フェノキシカルボニルオキシフェ
ニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ベンジルオキシカルボニルオキシフェニル・ジ
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−
アセトキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ベンゾイルオキシフェニル・ジ
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ジメチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート等の（置換）アリール・ジアルキルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート類；フェニル・ベン
ジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、２−メチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−メチルフェニル・
ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−メチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−メチ
ルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、フェニル・１−ナフチルメチル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、２−クロロフェニ
ル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、２−クロロフェニル・４−メチルベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−
クロロフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−クロロフェニル・４−メチ
ルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−クロロフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−クロロフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−クロロフェニル・１−ナフチ
ルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、２−クロロ−３−メチルフェニル・ベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−ク
ロロ−４−メチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−クロロ−２−メ
チルフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−クロロ−３−メチルフェニル
・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−ニトロフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・１−ナフチ
ルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−シアノフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノフェニル
・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−シアノフェニル・１−ナフチル
メチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、２−メチル−４−
ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフ
ェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−
ブチルフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−
メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−ヒドロキシフェニル・１−ナフチルメ
チル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−メトキシフェニル・１−ナフ
チルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−アセトフェニル・ベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトフェニ
ル・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−アセトフェニル・１−ナフチ
ルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−メトキシカルボニルフェニル・ベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メ
トキシカルボニルフェニル・４−メチルベンジル・メチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メト
キシカルボニルフェニル・１−ナフチルメチル・メチル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ジメチ
ルアミノフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−ジメチルアミノフェニル
・４−メチルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ジメチルアミノフェニル・１−
ナフチルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル・
ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル・４−メ
チルベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル・１
−ナフチルメチル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−アセトキシフェニル・ベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ア
セトキシフェニル・４−メチルベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシフ
ェニル・１−ナフチルメチル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−ベンゾイルオキシフェニ
ル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、４−ベンゾイルオキシフェニル・４−メチル
ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、４−ベンゾイルオキシフェニル・１−ナフチルメ
チル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート等の（置換）フ
ェニル・ベンジル・アルキルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート類；フェニル・２−クロロベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェニ
ル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、フェニル・４−クロロベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェ
ニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−ニトロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、フェニル・４−シアノベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−ヒドロ
キシベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、フェニル・４−メトキシベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４
−アセトベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、フェニル・４−メトキシカルボニルベン
ジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、フェニル・４−ジメチルアミノベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４
−メトキシカルボニルオキシベンジル・メチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、フェニル・４−アセ
トキシベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、２−クロロフェニル・２−クロロベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、２
−クロロフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、２−クロロフェニ
ル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、２−クロロフェニル・３，５−ジ
クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、３−クロロフェニル・２−クロロベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３
−クロロフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロフェニ
ル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、３−クロロフェニル・３，５−ジ
クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−クロロフェニル・２−クロロベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４
−クロロフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−クロロフェニ
ル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−クロロフェニル・３，５−ジ
クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、３，５−ジクロロフェニル・２−クロロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３，５−ジクロロフェニル・３−クロロベンジル・
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，
５−ジクロロフェニル・４−クロロベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，５−ジク
ロロフェニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロフェ
ニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・３−クロ
ロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−ニトロフェニル・４−クロロベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−シ
アノフェニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノフェニル・
３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−シアノフェニル・４−クロロベン
ジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・２−クロロベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・
３，５−ジクロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロ
キシフェニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４
−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・２−クロロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェ
ニル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−
５−ｔ−ブチルフェニル・４−クロロベンジル・メチル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル
−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・３，５−
ジクロロベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−ニトロベ
ンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ヒドロキシフェニル・４−シアノベンジル・メ
チルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・４−ヒドロキシベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキ
シフェニル・４−メトキシベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニ
ル・４−アセトベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−メ
トキシカルボニルベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−
ジメチルアミノベンジル・メチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・４−メ
トキシカルボニルオキシベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル
・４−アセトキシベンジル・メチルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル・２−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキシ
フェニル・３−クロロベンジル・メチルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキ
シフェニル・４−クロロベンジル・メチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロ
キシフェニル・３，５−ジクロロベンジル・メチルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４
−ヒドロキシフェニル・２−クロロベンジル・メチルス
ルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル・３−クロロベンジル・メチル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ
−４−ヒドロキシフェニル・４−クロロベンジル・メチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロ
ロ−４−ヒドロキシフェニル・３，５−ジクロロベンジ
ル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート等
の（置換）フェニル・置換ベンジル・アルキルヘキサフ
ルオロアルセネート類；フェニル・ジベンジルスルホニ
ウムヘキサフルオロアルセネート、２−クロロフェニル
・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−クロロフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、４−クロロフェニル・ジベン
ジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３，５
−ジクロロフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・ジベンジル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノ
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、４−ヒドロキシフェニル・ジベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−
ヒドロキシフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート、４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチル
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチ
ルフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−メトキシフェニル・ジベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトフェニ
ル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−メトキシカルボニルフェニル・ジベンジルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ジメチルア
ミノフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−メトキシカルボニルオキシフェニル
・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−アセトキシフェニル・ジベンジルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、２−クロロ−４−ヒドロ
キシフェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・
ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート等
の（置換）フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフ
ルオロアルセネート類；フェニル・ベンジル・２−クロ
ロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
フェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、フェニル・ベンジル・４
−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、フェニル・ベンジル・３，５−ジクロロベンジル
スルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロ
フェニル・ベンジル・２−クロロベンジルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、４−ニトロフェニル・ベ
ンジル・３−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ニトロフェニル・ベンジル・４−
クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−シアノフェニル・ベンジル・２−クロロベンジ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−シア
ノフェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノフェニル・
ベンジル・４−クロロベンジルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル
・２−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアル
セネート、３−メチル−４−ヒドロキシフェニル・ベン
ジル・２−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−
ブチルフェニル・ベンジル・２−クロロベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシフ
ェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒド
ロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・ベンジル・３−クロ
ロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・４−クロロベンジ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−メチ
ル−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・４−クロロベ
ンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、３−
メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル・ベ
ンジル・４−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・
３，５−ジクロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシフェニル・
ベンジル・３，５−ジクロロベンジルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、３−メチル−４−ヒドロキシ
−５−ｔ−ブチルフェニル・ベンジル・３，５−ジクロ
ロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、
２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・２−
クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネー
ト、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・
３−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベンジ
ル・４−クロロベンジルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、２−クロロ−４−ヒドロキシフェニル・ベ
ンジル・３，５−ジクロロベンジルスルホニウムヘキサ
フルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒドロキシフ
ェニル・ベンジル・２−クロロベンジルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・３−クロロベンジルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−ヒド
ロキシフェニル・ベンジル・４−クロロベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアルセネート、３−クロロ−４−
ヒドロキシフェニル・ベンジル・３，５−ジクロロベン
ジルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート等の（置
換）フェニル・ベンジル・置換ベンジルスルホニウムヘ
キサフルオロアルセネート類のほか、前記各スルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート類中のアニオン（ＡｓＦ
6 -）をＢＦ4 -、ＰＦ6 -、ＳｂＦ6 -、トリフルオロメタン
スルホン酸アニオン又はｐ−トルエンスルホン酸アニオ
ンに置き換えた化合物等を挙げることが出来る。
【００４７】これらのスルホニウム塩のうち、４−アセ
トキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−アセトキシフェニル・ジメチルスル
ホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、
４−アセトキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシフェニ
ル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−ヒドロキシフェニル・ジベンジルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシ
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−アセトキシフェニル・ジベンジルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシ
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート等が好ましく、特に４−ヒドロキシフェニル
・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネートが好ましい。
トキシフェニル・ジメチルスルホニウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−アセトキシフェニル・ジメチルスル
ホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキ
シフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフル
オロアルセネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル
・メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、
４−アセトキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウ
ムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシフェニ
ル・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−ヒドロキシフェニル・ジベンジルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシ
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−アセトキシフェニル・ジベンジルスル
ホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシ
フェニル・ジベンジルスルホニウムヘキサフルオロアン
チモネート等が好ましく、特に４−ヒドロキシフェニル
・ベンジル・メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネートが好ましい。
【００４８】又、前記ベンゾチアゾリウム塩としては、
下記式（Ｂ）で表される化合物が好ましい。
下記式（Ｂ）で表される化合物が好ましい。
【００４９】
【化６】
【００５０】式（Ｂ）において、Ｒ11は１価の置換基を
示し、ｎは０〜４の整数であり、Ｙ -は１価のアニオン
を示す。
示し、ｎは０〜４の整数であり、Ｙ -は１価のアニオン
を示す。
【００５１】式（Ｂ）において、Ｒ11の１価の置換基と
しては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
炭素数１〜５の炭化水素基もしくはその置換誘導体、−
ＯＲ 12、−ＣＯＲ13、−ＣＯＯＲ14、−Ｎ（Ｒ15）（Ｒ
16）、−ＯＣＯＯＲ17、−ＯＣＯＲ18（但し、Ｒ12〜Ｒ
16は相互に独立に水素原子、炭素数１〜５の（シクロ）
アルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７
〜１１のアラルキル基を示し、Ｒ17、Ｒ18は相互に独立
に炭素数１〜５の（シクロ）アルキル基、炭素数６〜１
０のアリール基又は炭素数７〜１１のアラルキル基を示
す。）等を挙げることができ、Ｙ-の１価のアニオンと
しては、例えば、ＢＦ4 -、ＰＦ6 -、ＡｓＦ6 -、ＳｂＦ6 -
のほか、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエン
スルホン酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、１−ナ
フタレンスルホン酸、１−ピレンスルホン酸等のスルホ
ン酸類に由来するスルホン酸アニオン等を挙げることが
出来る。
しては、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、
炭素数１〜５の炭化水素基もしくはその置換誘導体、−
ＯＲ 12、−ＣＯＲ13、−ＣＯＯＲ14、−Ｎ（Ｒ15）（Ｒ
16）、−ＯＣＯＯＲ17、−ＯＣＯＲ18（但し、Ｒ12〜Ｒ
16は相互に独立に水素原子、炭素数１〜５の（シクロ）
アルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７
〜１１のアラルキル基を示し、Ｒ17、Ｒ18は相互に独立
に炭素数１〜５の（シクロ）アルキル基、炭素数６〜１
０のアリール基又は炭素数７〜１１のアラルキル基を示
す。）等を挙げることができ、Ｙ-の１価のアニオンと
しては、例えば、ＢＦ4 -、ＰＦ6 -、ＡｓＦ6 -、ＳｂＦ6 -
のほか、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエン
スルホン酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、１−ナ
フタレンスルホン酸、１−ピレンスルホン酸等のスルホ
ン酸類に由来するスルホン酸アニオン等を挙げることが
出来る。
【００５２】このようなベンゾチアゾリウム塩の具体例
としては、３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアルセネート、３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベ
ンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、３−ベンジ
ルベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、３−ベンジルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスル
ホネート、３−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロアルセネート、３−（４−メトキ
シベンジル）ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチ
モネート、３−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロホスフェート、３−（４−メトキ
シベンジル）ベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレー
ト、３−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウム
トリフルオロメタンスルホネート、３−（４−メトキシ
ベンジル）ベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネー
ト、３−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアルセネート、３−ベンジル−２−メチルベ
ンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、３−
ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロホスフェート、３−ベンジル−２−メチルベンゾチア
ゾリウムテトラフルオロボレート、３−ベンジル−２−
メチルベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、３−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムｐ
−トルエンスルホネート、３−ベンジル−２−クロロベ
ンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３−ベ
ンジル−２−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
アンチモネート、３−ベンジル−２−クロロベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジル−
２−クロロベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスル
ホネート、３−ベンジル−２−クロロベンゾチアゾリウ
ムｐ−トルエンスルホネート、３−ベンジル−５−クロ
ロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３
−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジ
ル−５−クロロベンゾチアゾリウムトリフルオロメタン
スルホネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾ
リウムｐ−トルエンスルホネート等の３−（置換）ベン
ジルベンゾチアゾリウム塩類；４−ベンジルベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−ベンジルベ
ンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、４−
ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェー
ト、４−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラフルオロボ
レート、４−ベンジルベンゾチアゾリウムトリフルオロ
メタンスルホネート、４−ベンジルベンゾチアゾリウム
ｐ−トルエンスルホネート、４−（４−メトキシベンジ
ル）ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、
４−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、４−（４−メトキシベンジ
ル）ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、
４−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウムテト
ラフルオロボレート、４−（４−メトキシベンジル）ベ
ンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウムｐ−ト
ルエンスルホネート、４−ベンジル−２−メチルベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−ベンジ
ル−２−メチルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、４−ベンジル−２−
メチルベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、４
−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４−ベンジル−２−メチルベン
ゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−ベンジ
ル−３−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアル
セネート、４−ベンジル−３−クロロベンゾチアゾリウ
ムヘキサフルオロアンチモネート、４−ベンジル−３−
クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェー
ト、４−ベンジル−３−クロロベンゾチアゾリウムトリ
フルオロメタンスルホネート、４−ベンジル−３−クロ
ロベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−
ベンジル−２−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ベンジル−２−クロロベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ベンジル
−２−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフ
ェート、４−ベンジル−２−クロロベンゾチアゾリウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−ベンジル−２−
クロロベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート等
の４−（置換）ベンジルベンゾチアゾリウム塩類のほ
か、３−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアル
セネート、３−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネート、３−クロロベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロホスフェート、３−クロロベンゾチアゾリウ
ムテトラフルオロボレート、３−クロロベンゾチアゾリ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、３−クロロベン
ゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−ニトロ
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３−
ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、３−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホス
フェート、３−ニトロベンゾチアゾリウムテトラフルオ
ロボレート、３−ニトロベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、３−ニトロベンゾチアゾリウム
ｐ−トルエンスルホネート、３−シアノベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロアルセネート、３−シアノベンゾチ
アゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、３−シアノ
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−
シアノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、３
−シアノベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、３−シアノベンゾチアゾリウムｐ−トルエンス
ルホネート、３−メチルベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアルセネート、３−メチルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、３−メチルベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチルベンゾチ
アゾリウムテトラフルオロボレート、３−メチルベンゾ
チアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、３−メ
チルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３
−フェニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネ
ート、３−フェニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
アンチモネート、３−フェニルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロホスフェート、３−フェニルベンゾチアゾリ
ウムテトラフルオロボレート、３−フェニルベンゾチア
ゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、３−フェニ
ルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−
メトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロア
ンチモネート、３−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサ
フルオロホスフェート、３−メトキシベンゾチアゾリウ
ムテトラフルオロボレート、３−メトキシベンゾチアゾ
リウムトリフルオロメタンスルホネート、３−メトキシ
ベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−ア
セトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、
３−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、３−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
ホスフェート、３−アセトベンゾチアゾリウムテトラフ
ルオロボレート、３−アセトベンゾチアゾリウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、３−アセトベンゾチアゾリ
ウムｐ−トルエンスルホネート、３−メトキシカルボニ
ルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３
−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネート、３−メトキシカルボニルベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−メトキシカ
ルボニルベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、
３−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、３−メトキシカルボニルベンゾ
チアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−ジメチル
アミノベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアンチモネート、３−ジメチルアミノベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロホスフェート、３−ジメチルアミ
ノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、３−ジ
メチルアミノベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンス
ルホネート、３−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムｐ
−トルエンスルホネート、３−メトキシカルボニルオキ
シベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３
−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウムヘキサ
フルオロアンチモネート、３−メトキシカルボニルオキ
シベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３
−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウムテトラ
フルオロボレート、３−メトキシカルボニルオキシベン
ゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、３−
メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウムｐ−トル
エンスルホネート、３−アセトキシベンゾチアゾリウム
ヘキサフルオロアルセネート、３−アセトキシベンゾチ
アゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、３−アセト
キシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、
３−アセトキシベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレ
ート、３−アセトキシベンゾチアゾリウムトリフルオロ
メタンスルホネート、３−アセトキシベンゾチアゾリウ
ムｐ−トルエンスルホネート等の３−置換ベンゾチアゾ
リウム塩類；４−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアルセネート、４−クロロベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、４−クロロベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、４−クロロベンゾチ
アゾリウムテトラフルオロボレート、４−クロロベンゾ
チアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ク
ロロベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４
−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロホスフェート、４−ニトロベンゾチアゾリウムテト
ラフルオロボレート、４−ニトロベンゾチアゾリウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−ニトロベンゾチア
ゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−シアノベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノ
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、４
−シアノベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェー
ト、４−シアノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレ
ート、４−シアノベンゾチアゾリウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−シアノベンゾチアゾリウムｐ−ト
ルエンスルホネート、４−メチルベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアルセネート、４−メチルベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メチルベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、４−メチル
ベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、４−メチ
ルベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、４−メチルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホ
ネート、４−フェニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−フェニルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、４−フェニルベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルベン
ゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、４−フェニル
ベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−フェニルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネ
ート、４−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサ
フルオロアンチモネート、４−メトキシベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、４−メトキシベンゾ
チアゾリウムテトラフルオロボレート、４−メトキシベ
ンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−メトキシベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネー
ト、４−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアル
セネート、４−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネート、４−アセトベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロホスフェート、４−アセトベンゾチアゾリウ
ムテトラフルオロボレート、４−アセトベンゾチアゾリ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−アセトベン
ゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−メトキ
シカルボニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアンチモネート、４−メトキシカルボニル
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、４−
メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムテトラフルオロ
ボレート、４−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシカルボ
ニルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４
−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアンチモネート、４−ジメチルアミノベン
ゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、４−ジメ
チルアミノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレー
ト、４−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４−ジメチルアミノベンゾチア
ゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−メトキシカル
ボニルオキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシカル
ボニルオキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフ
ェート、４−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリ
ウムテトラフルオロボレート、４−メトキシカルボニル
オキシベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウ
ムｐ−トルエンスルホネート、４−アセトキシベンゾチ
アゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキ
シベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、
４−アセトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホス
フェート、４−アセトキシベンゾチアゾリウムテトラフ
ルオロボレート、４−アセトキシベンゾチアゾリウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−アセトキシベンゾ
チアゾリウムｐ−トルエンスルホネート等の４−置換ベ
ンゾチアゾリウム塩類等を挙げることが出来る。
としては、３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアルセネート、３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジルベ
ンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、３−ベンジ
ルベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、３−ベンジルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスル
ホネート、３−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロアルセネート、３−（４−メトキ
シベンジル）ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチ
モネート、３−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロホスフェート、３−（４−メトキ
シベンジル）ベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレー
ト、３−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウム
トリフルオロメタンスルホネート、３−（４−メトキシ
ベンジル）ベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネー
ト、３−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアルセネート、３−ベンジル−２−メチルベ
ンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、３−
ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロホスフェート、３−ベンジル−２−メチルベンゾチア
ゾリウムテトラフルオロボレート、３−ベンジル−２−
メチルベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、３−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムｐ
−トルエンスルホネート、３−ベンジル−２−クロロベ
ンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３−ベ
ンジル−２−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
アンチモネート、３−ベンジル−２−クロロベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジル−
２−クロロベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスル
ホネート、３−ベンジル−２−クロロベンゾチアゾリウ
ムｐ−トルエンスルホネート、３−ベンジル−５−クロ
ロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３
−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアンチモネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−ベンジ
ル−５−クロロベンゾチアゾリウムトリフルオロメタン
スルホネート、３−ベンジル−５−クロロベンゾチアゾ
リウムｐ−トルエンスルホネート等の３−（置換）ベン
ジルベンゾチアゾリウム塩類；４−ベンジルベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−ベンジルベ
ンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、４−
ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェー
ト、４−ベンジルベンゾチアゾリウムテトラフルオロボ
レート、４−ベンジルベンゾチアゾリウムトリフルオロ
メタンスルホネート、４−ベンジルベンゾチアゾリウム
ｐ−トルエンスルホネート、４−（４−メトキシベンジ
ル）ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、
４−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、４−（４−メトキシベンジ
ル）ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、
４−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウムテト
ラフルオロボレート、４−（４−メトキシベンジル）ベ
ンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−（４−メトキシベンジル）ベンゾチアゾリウムｐ−ト
ルエンスルホネート、４−ベンジル−２−メチルベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−ベンジ
ル−２−メチルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、４−ベンジル−２−
メチルベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、４
−ベンジル−２−メチルベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４−ベンジル−２−メチルベン
ゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−ベンジ
ル−３−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアル
セネート、４−ベンジル−３−クロロベンゾチアゾリウ
ムヘキサフルオロアンチモネート、４−ベンジル−３−
クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェー
ト、４−ベンジル−３−クロロベンゾチアゾリウムトリ
フルオロメタンスルホネート、４−ベンジル−３−クロ
ロベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−
ベンジル−２−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−ベンジル−２−クロロベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ベンジル
−２−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフ
ェート、４−ベンジル−２−クロロベンゾチアゾリウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−ベンジル−２−
クロロベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート等
の４−（置換）ベンジルベンゾチアゾリウム塩類のほ
か、３−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアル
セネート、３−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネート、３−クロロベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロホスフェート、３−クロロベンゾチアゾリウ
ムテトラフルオロボレート、３−クロロベンゾチアゾリ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、３−クロロベン
ゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−ニトロ
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３−
ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、３−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホス
フェート、３−ニトロベンゾチアゾリウムテトラフルオ
ロボレート、３−ニトロベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、３−ニトロベンゾチアゾリウム
ｐ−トルエンスルホネート、３−シアノベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロアルセネート、３−シアノベンゾチ
アゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、３−シアノ
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−
シアノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、３
−シアノベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、３−シアノベンゾチアゾリウムｐ−トルエンス
ルホネート、３−メチルベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアルセネート、３−メチルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、３−メチルベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチルベンゾチ
アゾリウムテトラフルオロボレート、３−メチルベンゾ
チアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、３−メ
チルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３
−フェニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネ
ート、３−フェニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
アンチモネート、３−フェニルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロホスフェート、３−フェニルベンゾチアゾリ
ウムテトラフルオロボレート、３−フェニルベンゾチア
ゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、３−フェニ
ルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−
メトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロア
ンチモネート、３−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサ
フルオロホスフェート、３−メトキシベンゾチアゾリウ
ムテトラフルオロボレート、３−メトキシベンゾチアゾ
リウムトリフルオロメタンスルホネート、３−メトキシ
ベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−ア
セトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、
３−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、３−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
ホスフェート、３−アセトベンゾチアゾリウムテトラフ
ルオロボレート、３−アセトベンゾチアゾリウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、３−アセトベンゾチアゾリ
ウムｐ−トルエンスルホネート、３−メトキシカルボニ
ルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３
−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネート、３−メトキシカルボニルベンゾチア
ゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３−メトキシカ
ルボニルベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、
３−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、３−メトキシカルボニルベンゾ
チアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、３−ジメチル
アミノベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネー
ト、３−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアンチモネート、３−ジメチルアミノベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロホスフェート、３−ジメチルアミ
ノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、３−ジ
メチルアミノベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンス
ルホネート、３−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムｐ
−トルエンスルホネート、３−メトキシカルボニルオキ
シベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、３
−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウムヘキサ
フルオロアンチモネート、３−メトキシカルボニルオキ
シベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、３
−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウムテトラ
フルオロボレート、３−メトキシカルボニルオキシベン
ゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、３−
メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウムｐ−トル
エンスルホネート、３−アセトキシベンゾチアゾリウム
ヘキサフルオロアルセネート、３−アセトキシベンゾチ
アゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、３−アセト
キシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、
３−アセトキシベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレ
ート、３−アセトキシベンゾチアゾリウムトリフルオロ
メタンスルホネート、３−アセトキシベンゾチアゾリウ
ムｐ−トルエンスルホネート等の３−置換ベンゾチアゾ
リウム塩類；４−クロロベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロアルセネート、４−クロロベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、４−クロロベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、４−クロロベンゾチ
アゾリウムテトラフルオロボレート、４−クロロベンゾ
チアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ク
ロロベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４
−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセネー
ト、４−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアン
チモネート、４−ニトロベンゾチアゾリウムヘキサフル
オロホスフェート、４−ニトロベンゾチアゾリウムテト
ラフルオロボレート、４−ニトロベンゾチアゾリウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−ニトロベンゾチア
ゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−シアノベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−シアノ
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、４
−シアノベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェー
ト、４−シアノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレ
ート、４−シアノベンゾチアゾリウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、４−シアノベンゾチアゾリウムｐ−ト
ルエンスルホネート、４−メチルベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアルセネート、４−メチルベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メチルベンゾ
チアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、４−メチル
ベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、４−メチ
ルベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、４−メチルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホ
ネート、４−フェニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアルセネート、４−フェニルベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロアンチモネート、４−フェニルベンゾチアゾ
リウムヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルベン
ゾチアゾリウムテトラフルオロボレート、４−フェニル
ベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−フェニルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネ
ート、４−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロ
アルセネート、４−メトキシベンゾチアゾリウムヘキサ
フルオロアンチモネート、４−メトキシベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロホスフェート、４−メトキシベンゾ
チアゾリウムテトラフルオロボレート、４−メトキシベ
ンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−メトキシベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネー
ト、４−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアル
セネート、４−アセトベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネート、４−アセトベンゾチアゾリウムヘキ
サフルオロホスフェート、４−アセトベンゾチアゾリウ
ムテトラフルオロボレート、４−アセトベンゾチアゾリ
ウムトリフルオロメタンスルホネート、４−アセトベン
ゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−メトキ
シカルボニルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアンチモネート、４−メトキシカルボニル
ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、４−
メトキシカルボニルベンゾチアゾリウムテトラフルオロ
ボレート、４−メトキシカルボニルベンゾチアゾリウム
トリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシカルボ
ニルベンゾチアゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４
−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムヘキサフルオロア
ルセネート、４−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムヘ
キサフルオロアンチモネート、４−ジメチルアミノベン
ゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフェート、４−ジメ
チルアミノベンゾチアゾリウムテトラフルオロボレー
ト、４−ジメチルアミノベンゾチアゾリウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４−ジメチルアミノベンゾチア
ゾリウムｐ−トルエンスルホネート、４−メトキシカル
ボニルオキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアルセ
ネート、４−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシカル
ボニルオキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホスフ
ェート、４−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリ
ウムテトラフルオロボレート、４−メトキシカルボニル
オキシベンゾチアゾリウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、４−メトキシカルボニルオキシベンゾチアゾリウ
ムｐ−トルエンスルホネート、４−アセトキシベンゾチ
アゾリウムヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキ
シベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、
４−アセトキシベンゾチアゾリウムヘキサフルオロホス
フェート、４−アセトキシベンゾチアゾリウムテトラフ
ルオロボレート、４−アセトキシベンゾチアゾリウムト
リフルオロメタンスルホネート、４−アセトキシベンゾ
チアゾリウムｐ−トルエンスルホネート等の４−置換ベ
ンゾチアゾリウム塩類等を挙げることが出来る。
【００５３】これらのベンゾチアゾリウム塩のうち、３
−（置換）ベンジルベンゾチアゾリウム塩類が好まし
く、特に３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネートが好ましい。又、前記式（Ａ）で表さ
れるスルホニウム塩或いは前記式（Ｂ）で表されるベン
ゾチアゾリウム塩の市販品には、商品名で、サンエイド
ＳＩ−Ｌ８５、同ＳＩ−Ｌ１１０、同ＳＩ−Ｌ１４５、
同ＳＩ−Ｌ１５０、同ＳＩ−Ｌ１６０（以上、三新化学
工業（株）製）等があり、これらを本発明における熱酸
発生剤として使用することも出来る。
−（置換）ベンジルベンゾチアゾリウム塩類が好まし
く、特に３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオ
ロアンチモネートが好ましい。又、前記式（Ａ）で表さ
れるスルホニウム塩或いは前記式（Ｂ）で表されるベン
ゾチアゾリウム塩の市販品には、商品名で、サンエイド
ＳＩ−Ｌ８５、同ＳＩ−Ｌ１１０、同ＳＩ−Ｌ１４５、
同ＳＩ−Ｌ１５０、同ＳＩ−Ｌ１６０（以上、三新化学
工業（株）製）等があり、これらを本発明における熱酸
発生剤として使用することも出来る。
【００５４】本発明において、熱酸発生剤は、単独で又
は２種以上を混合して使用することが出来る。熱酸発生
剤の使用量は、後述する光重合性化合物１００質量％に
対して、通常、５〜５０質量％、好ましくは１０〜３０
質量％である。この場合、熱酸発生剤の使用量が５質量
％未満では酸の発生量が少なくなって架橋密度が低下
し、膜硬度が低くなる傾向があり、一方５０質量％を超
えると熱酸発生剤として作用しなかった残留物により膜
強度が低下する傾向がある。
は２種以上を混合して使用することが出来る。熱酸発生
剤の使用量は、後述する光重合性化合物１００質量％に
対して、通常、５〜５０質量％、好ましくは１０〜３０
質量％である。この場合、熱酸発生剤の使用量が５質量
％未満では酸の発生量が少なくなって架橋密度が低下
し、膜硬度が低くなる傾向があり、一方５０質量％を超
えると熱酸発生剤として作用しなかった残留物により膜
強度が低下する傾向がある。
【００５５】熱酸発生剤としては、４０〜２００℃の温
度範囲内の加温で酸を発生するものが好ましい。更に好
ましくは、５０℃〜１００℃の温度範囲内の加温で酸を
発生するものが好ましい。４０℃未満で酸が発生すると
保存安定性が劣化傾向に、又、２００℃を超える加熱が
必要なものでは、本発明の効果が得られにくい傾向にあ
る。
度範囲内の加温で酸を発生するものが好ましい。更に好
ましくは、５０℃〜１００℃の温度範囲内の加温で酸を
発生するものが好ましい。４０℃未満で酸が発生すると
保存安定性が劣化傾向に、又、２００℃を超える加熱が
必要なものでは、本発明の効果が得られにくい傾向にあ
る。
【００５６】次に、光重合性化合物について説明する。
光重合性化合物のうち、光カチオン重合性モノマーとし
ては、各種公知のカチオン重合性のモノマーが使用出来
る。例えば、特開平６−９７１４、特開２００１−３１
８９２、同２００１−４００６８、同２００１−５５５
０７、同２００１−３１０９３８、同２００１−３１０
９３７、同２００１−２２０５２６に例示されているエ
ポキシ化合物（芳香族系、脂環式系、脂肪族系等）、ビ
ニルエーテル化合物、オキセタン化合物などが挙げられ
る。
光重合性化合物のうち、光カチオン重合性モノマーとし
ては、各種公知のカチオン重合性のモノマーが使用出来
る。例えば、特開平６−９７１４、特開２００１−３１
８９２、同２００１−４００６８、同２００１−５５５
０７、同２００１−３１０９３８、同２００１−３１０
９３７、同２００１−２２０５２６に例示されているエ
ポキシ化合物（芳香族系、脂環式系、脂肪族系等）、ビ
ニルエーテル化合物、オキセタン化合物などが挙げられ
る。
【００５７】芳香族エポキシドとして好ましいものは、
少なくとも１個の芳香族核を有する多価フェノール或い
はそのアルキレンオキサイド付加体とエピクロルヒドリ
ンとの反応によって製造されるジ又はポリグリシジルエ
ーテルであり、例えばビスフェノールＡ或いはそのアル
キレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテ
ル、水素添加ビスフェノールＡ或いはそのアルキレンオ
キサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、並び
にノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。ここでア
ルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド及び
プロピレンオキサイド等が挙げられる。
少なくとも１個の芳香族核を有する多価フェノール或い
はそのアルキレンオキサイド付加体とエピクロルヒドリ
ンとの反応によって製造されるジ又はポリグリシジルエ
ーテルであり、例えばビスフェノールＡ或いはそのアル
キレンオキサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテ
ル、水素添加ビスフェノールＡ或いはそのアルキレンオ
キサイド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル、並び
にノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。ここでア
ルキレンオキサイドとしては、エチレンオキサイド及び
プロピレンオキサイド等が挙げられる。
【００５８】脂環式エポキシドとしては、少なくとも１
個のシクロへキセン又はシクロペンテン環等のシクロア
ルカン環を有する化合物を、過酸化水素、過酸等の適当
な酸化剤でエポキシ化することによつて得られる、シク
ロヘキセンオキサイド又はシクロペンテンオキサイド含
有化合物が好ましい。
個のシクロへキセン又はシクロペンテン環等のシクロア
ルカン環を有する化合物を、過酸化水素、過酸等の適当
な酸化剤でエポキシ化することによつて得られる、シク
ロヘキセンオキサイド又はシクロペンテンオキサイド含
有化合物が好ましい。
【００５９】脂肪族エポキシドの好ましいものとして
は、脂肪族多価アルコール或いはそのアルキレンオキサ
イド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル等があり、
その代表例としては、エチレングリコールのジグリシジ
ルエーテル、プロピレングリコールのジグリシジルエー
テル又は１，６−ヘキサンジオールのジグリシジルエー
テル等のアルキレングリコールのジグリシジルエーテ
ル、グリセリン或いはそのアルキレンオキサイド付加体
のジ又はトリグリシジルエーテル等の多価アルコールの
ポリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコール或い
はそのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエー
テル、ポリプロピレングリコール或いはそのアルキレン
オキサイド付加体のジグリシジルエーテル等のポリアル
キレングリコールのジグリシジルエーテル等が挙げられ
る。ここでアルキレンオキサイドとしては、エチレンオ
キサイド及びプロピレンオキサイド等が挙げられる。
は、脂肪族多価アルコール或いはそのアルキレンオキサ
イド付加体のジ又はポリグリシジルエーテル等があり、
その代表例としては、エチレングリコールのジグリシジ
ルエーテル、プロピレングリコールのジグリシジルエー
テル又は１，６−ヘキサンジオールのジグリシジルエー
テル等のアルキレングリコールのジグリシジルエーテ
ル、グリセリン或いはそのアルキレンオキサイド付加体
のジ又はトリグリシジルエーテル等の多価アルコールの
ポリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコール或い
はそのアルキレンオキサイド付加体のジグリシジルエー
テル、ポリプロピレングリコール或いはそのアルキレン
オキサイド付加体のジグリシジルエーテル等のポリアル
キレングリコールのジグリシジルエーテル等が挙げられ
る。ここでアルキレンオキサイドとしては、エチレンオ
キサイド及びプロピレンオキサイド等が挙げられる。
【００６０】これらのエポキシドのうち、速硬化性を考
慮すると、芳香族エポキシド及び脂環式エポキシドが好
ましく、特に脂環式エポキシドが好ましい。本発明で
は、上記エポキシドの１種を単独で使用してもよいが、
２種以上を適宜組み合わせて使用してもよい。
慮すると、芳香族エポキシド及び脂環式エポキシドが好
ましく、特に脂環式エポキシドが好ましい。本発明で
は、上記エポキシドの１種を単独で使用してもよいが、
２種以上を適宜組み合わせて使用してもよい。
【００６１】ビニルエーテル化合物としては、例えばエ
チレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコ
ールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニ
ルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、
ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオ
ールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエー
テル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、
トリメチロールプロパントリビニルエーテル等のジ又は
トリビニルエーテル化合物、エチルビニルエーテル、ｎ
−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、
オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエ
ーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、２−エチル
ヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノール
モノビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イ
ソプロピルビニルエーテル、イソプロペニルエーテル−
ｏ−プロピレンカーボネート、ドデシルビニルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、オクタ
デシルビニルエーテル等のモノビニルエーテル化合物等
が挙げられる。
チレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコ
ールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニ
ルエーテル、プロピレングリコールジビニルエーテル、
ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオ
ールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエー
テル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、
トリメチロールプロパントリビニルエーテル等のジ又は
トリビニルエーテル化合物、エチルビニルエーテル、ｎ
−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、
オクタデシルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエ
ーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、２−エチル
ヘキシルビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノール
モノビニルエーテル、ｎ−プロピルビニルエーテル、イ
ソプロピルビニルエーテル、イソプロペニルエーテル−
ｏ−プロピレンカーボネート、ドデシルビニルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、オクタ
デシルビニルエーテル等のモノビニルエーテル化合物等
が挙げられる。
【００６２】これらのビニルエーテル化合物のうち、硬
化性、密着性、表面硬度を考慮すると、ジ又はトリビニ
ルエーテル化合物が好ましく、特にジビニルエーテル化
合物が好ましい。本発明では、上記ビニルエーテル化合
物の１種を単独で使用してもよいが、２種以上を適宜組
み合わせて使用してもよい。
化性、密着性、表面硬度を考慮すると、ジ又はトリビニ
ルエーテル化合物が好ましく、特にジビニルエーテル化
合物が好ましい。本発明では、上記ビニルエーテル化合
物の１種を単独で使用してもよいが、２種以上を適宜組
み合わせて使用してもよい。
【００６３】オキセタン化合物は、オキセタン環を有す
る化合物のことであり、特開２００１−２２０５２６、
同２００１−３１０９３７に紹介されているような公知
のあらゆるオキセタン化合物を使用出来る。
る化合物のことであり、特開２００１−２２０５２６、
同２００１−３１０９３７に紹介されているような公知
のあらゆるオキセタン化合物を使用出来る。
【００６４】オキセタン環を５個以上有する化合物を使
用すると、組成物の粘度が高くなるため、取扱いが困難
になったり、又組成物のガラス転移温度が高くなるた
め、得られる硬化物の粘着性が十分でなくなってしま
う。本発明で使用するオキセタン環を有する化合物は、
オキセタン環を１〜４個有する化合物が好ましい。
用すると、組成物の粘度が高くなるため、取扱いが困難
になったり、又組成物のガラス転移温度が高くなるた
め、得られる硬化物の粘着性が十分でなくなってしま
う。本発明で使用するオキセタン環を有する化合物は、
オキセタン環を１〜４個有する化合物が好ましい。
【００６５】１個のオキセタン環を有する化合物として
は、下記一般式（１）で示される化合物等が挙げられ
る。
は、下記一般式（１）で示される化合物等が挙げられ
る。
【００６６】
【化７】
【００６７】一般式（１）において、Ｒ1は水素原子、
メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭
素数１〜６個のアルキル基、炭素数１〜６個のフルオロ
アルキル基、アリル基、アリール基、フリル基又はチエ
ニル基である。Ｒ2は、メチル基、エチル基、プロピル
基或いはブチル基等の炭素数１〜６個のアルキル基、１
−プロペニル基、２−プロペニル基、２−メチル−１−
プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−ブ
テニル基、２−ブテニル基或いは３−ブテニル基等の炭
素数２〜６個のアルケニル基、フェニル基、ベンジル
基、フルオロベンジル基、メトキシベンジル基或いはフ
ェノキシエチル基等の芳香環を有する基、エチルカルボ
ニル基、プロピルカルボニル基或いはブチルカルボニル
基等の炭素数２〜６個のアルキルカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、プロポキシカルボニル基或いはブトキ
シカルボニル基等の炭素数２〜６個のアルコキシカルボ
ニル基、又はエチルカルバモイル基、プロピルカルバモ
イル基、ブチルカルバモイル基或いはペンチルカルバモ
イル基等の炭素数２〜６個のＮ−アルキルカルバモイル
基等である。
メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭
素数１〜６個のアルキル基、炭素数１〜６個のフルオロ
アルキル基、アリル基、アリール基、フリル基又はチエ
ニル基である。Ｒ2は、メチル基、エチル基、プロピル
基或いはブチル基等の炭素数１〜６個のアルキル基、１
−プロペニル基、２−プロペニル基、２−メチル−１−
プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−ブ
テニル基、２−ブテニル基或いは３−ブテニル基等の炭
素数２〜６個のアルケニル基、フェニル基、ベンジル
基、フルオロベンジル基、メトキシベンジル基或いはフ
ェノキシエチル基等の芳香環を有する基、エチルカルボ
ニル基、プロピルカルボニル基或いはブチルカルボニル
基等の炭素数２〜６個のアルキルカルボニル基、エトキ
シカルボニル基、プロポキシカルボニル基或いはブトキ
シカルボニル基等の炭素数２〜６個のアルコキシカルボ
ニル基、又はエチルカルバモイル基、プロピルカルバモ
イル基、ブチルカルバモイル基或いはペンチルカルバモ
イル基等の炭素数２〜６個のＮ−アルキルカルバモイル
基等である。
【００６８】本発明で使用するオキセタン化合物として
は、１個のオキセタン環を有する化合物を使用すること
が、得られる組成物が粘着性に優れ、低粘度で作業性に
優れるため、特に好ましい。
は、１個のオキセタン環を有する化合物を使用すること
が、得られる組成物が粘着性に優れ、低粘度で作業性に
優れるため、特に好ましい。
【００６９】次に、２個のオキセタン環を有する化合物
として、下記一般式（２）で示される化合物等が挙げら
れる。
として、下記一般式（２）で示される化合物等が挙げら
れる。
【００７０】
【化８】
【００７１】一般式（２）において、Ｒ1は前記一般式
（１）のＲ1と同義である。Ｒ3は、例えば、エチレン
基、プロピレン基或いはブチレン基等の線状或いは分枝
状アルキレン基、ポリ（エチレンオキシ）基或いはポリ
（プロピレンオキシ）基等の線状或いは分枝状ポリ（ア
ルキレンオキシ）基、プロペニレン基、メチルプロペニ
レン基或いはブテニレン基等の線状或いは分枝状不飽和
炭化水素基、カルボニル基、カルボニル基を含むアルキ
レン基、カルボキシル基を含むアルキレン基、又はカル
バモイル基を含むアルキレン基等である。
（１）のＲ1と同義である。Ｒ3は、例えば、エチレン
基、プロピレン基或いはブチレン基等の線状或いは分枝
状アルキレン基、ポリ（エチレンオキシ）基或いはポリ
（プロピレンオキシ）基等の線状或いは分枝状ポリ（ア
ルキレンオキシ）基、プロペニレン基、メチルプロペニ
レン基或いはブテニレン基等の線状或いは分枝状不飽和
炭化水素基、カルボニル基、カルボニル基を含むアルキ
レン基、カルボキシル基を含むアルキレン基、又はカル
バモイル基を含むアルキレン基等である。
【００７２】又、Ｒ3は下記一般式（３）、（４）及び
（５）で示される基から選択される多価基でもある。
（５）で示される基から選択される多価基でもある。
【００７３】
【化９】
【００７４】一般式（３）において、Ｒ4は水素原子、
メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭
素数１〜４個のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数１〜４個のア
ルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキル
カルボキシル基、カルボキシル基、又はカルバモイル基
である。
メチル基、エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭
素数１〜４個のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、
プロポキシ基或いはブトキシ基等の炭素数１〜４個のア
ルコキシ基、塩素原子或いは臭素原子等のハロゲン原
子、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、低級アルキル
カルボキシル基、カルボキシル基、又はカルバモイル基
である。
【００７５】
【化１０】
【００７６】一般式（４）において、Ｒ5は酸素原子、
硫黄原子、メチレン基、ＮＨ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｃ（Ｃ
Ｆ3）2又はＣ（ＣＨ3）2である。
硫黄原子、メチレン基、ＮＨ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｃ（Ｃ
Ｆ3）2又はＣ（ＣＨ3）2である。
【００７７】
【化１１】
【００７８】一般式（５）において、Ｒ6はメチル基、
エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数１〜４
個のアルキル基、又はアリール基である。ｎは０〜２０
００の整数である。Ｒ7はメチル基、エチル基、プロピ
ル基或いはブチル基等の炭素数１〜４個のアルキル基、
又はアリール基である。Ｒ7は下記一般式（６）で示さ
れる基から選択される基でもある。
エチル基、プロピル基或いはブチル基等の炭素数１〜４
個のアルキル基、又はアリール基である。ｎは０〜２０
００の整数である。Ｒ7はメチル基、エチル基、プロピ
ル基或いはブチル基等の炭素数１〜４個のアルキル基、
又はアリール基である。Ｒ7は下記一般式（６）で示さ
れる基から選択される基でもある。
【００７９】
【化１２】
【００８０】一般式（６）において、Ｒ8は、メチル
基、エチル基、プロピル基及びブチル基等の炭素数１〜
４個のアルキル基、又はアリール基である。ｍは０〜１
００の整数である。
基、エチル基、プロピル基及びブチル基等の炭素数１〜
４個のアルキル基、又はアリール基である。ｍは０〜１
００の整数である。
【００８１】２個のオキセタン環を有する化合物の具体
例としては、下記化合物等が挙げられる。
例としては、下記化合物等が挙げられる。
【００８２】
【化１３】
【００８３】例示化合物１は、前記一般式（２）におい
て、Ｒ1がエチル基、Ｒ3がカルボキシル基である化合物
である。又、例示化合物２は、前記一般式（２）におい
て、Ｒ1がエチル基、Ｒ3が前記一般式（５）でＲ6及び
Ｒ7がメチル基、ｎが１である化合物である。
て、Ｒ1がエチル基、Ｒ3がカルボキシル基である化合物
である。又、例示化合物２は、前記一般式（２）におい
て、Ｒ1がエチル基、Ｒ3が前記一般式（５）でＲ6及び
Ｒ7がメチル基、ｎが１である化合物である。
【００８４】２個のオキセタン環を有する化合物では、
上記した化合物以外の好ましい例として、下記一般式
（７）で示される化合物がある。一般式（７）におい
て、Ｒ1は、前記一般式（１）のＲ1と同義である。
上記した化合物以外の好ましい例として、下記一般式
（７）で示される化合物がある。一般式（７）におい
て、Ｒ1は、前記一般式（１）のＲ1と同義である。
【００８５】
【化１４】
【００８６】又、３〜４個のオキセタン環を有する化合
物としては、下記一般式（８）で示される化合物等が挙
げられる。
物としては、下記一般式（８）で示される化合物等が挙
げられる。
【００８７】
【化１５】
【００８８】一般式（８）において、Ｒ1は、前記一般
式（１）におけるＲ1と同義である。Ｒ9としては、例え
ば、下記Ａ〜Ｃで示される基等の炭素数１〜１２の分枝
状アルキレン基、下記Ｄで示される基等の分枝状ポリ
（アルキレンオキシ）基又は下記Ｅで示される基等の分
枝状ポリシロキシ基等が挙げられる。ｊは、３又は４で
ある。
式（１）におけるＲ1と同義である。Ｒ9としては、例え
ば、下記Ａ〜Ｃで示される基等の炭素数１〜１２の分枝
状アルキレン基、下記Ｄで示される基等の分枝状ポリ
（アルキレンオキシ）基又は下記Ｅで示される基等の分
枝状ポリシロキシ基等が挙げられる。ｊは、３又は４で
ある。
【００８９】
【化１６】
【００９０】上記Ａにおいて、Ｒ10はメチル基、エチル
基又はプロピル基等の低級アルキル基である。又、上記
Ｄにおいて、ｐは１〜１０の整数である。
基又はプロピル基等の低級アルキル基である。又、上記
Ｄにおいて、ｐは１〜１０の整数である。
【００９１】３〜４個のオキセタン環を有する化合物の
一例としては、例示化合物３が挙げられる。
一例としては、例示化合物３が挙げられる。
【００９２】
【化１７】
【００９３】更に、上記説明した以外の１〜４個のオキ
セタン環を有する化合物の例としては、下記一般式
（９）で示される化合物が挙げられる。
セタン環を有する化合物の例としては、下記一般式
（９）で示される化合物が挙げられる。
【００９４】
【化１８】
【００９５】一般式（９）において、Ｒ8は一般式
（６）のＲ8と同義である。Ｒ11はメチル基、エチル
基、プロピル基又はブチル基等の炭素数１〜４のアルキ
ル基又はトリアルキルシリル基であり、ｒは１〜４であ
る。
（６）のＲ8と同義である。Ｒ11はメチル基、エチル
基、プロピル基又はブチル基等の炭素数１〜４のアルキ
ル基又はトリアルキルシリル基であり、ｒは１〜４であ
る。
【００９６】本発明で使用するオキセタン化合物の好ま
しい具体例としては、以下に示す化合物がある。
しい具体例としては、以下に示す化合物がある。
【００９７】
【化１９】
【００９８】上記オキセタン環を有する化合物の製造方
法は特に限定されず、従来知られた方法に従えばよく、
例えばパティソン（Ｄ．Ｂ．Ｐａｔｔｉｓｏｎ，Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，３４５５，７９（１９５
７））が開示している、ジオールからのオキセタン環合
成法等がある。又、これら以外にも、分子量１０００〜
５０００程度の高分子量を有する１〜４個のオキセタン
環を有する化合物も挙げられる。これらの例として、例
えば以下の化合物が挙げられる。
法は特に限定されず、従来知られた方法に従えばよく、
例えばパティソン（Ｄ．Ｂ．Ｐａｔｔｉｓｏｎ，Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，３４５５，７９（１９５
７））が開示している、ジオールからのオキセタン環合
成法等がある。又、これら以外にも、分子量１０００〜
５０００程度の高分子量を有する１〜４個のオキセタン
環を有する化合物も挙げられる。これらの例として、例
えば以下の化合物が挙げられる。
【００９９】
【化２０】
【０１００】本発明においては、インク吐出時の環境
（温度、湿度）による吐出性のバラツキを更に軽減する
目的で、少なくとも１種のオキセタン環を１個含有する
オキセタン化合物と、少なくとも１種のオキセタン環を
複数含有するオキセタン化合物を併用することが好まし
い。
（温度、湿度）による吐出性のバラツキを更に軽減する
目的で、少なくとも１種のオキセタン環を１個含有する
オキセタン化合物と、少なくとも１種のオキセタン環を
複数含有するオキセタン化合物を併用することが好まし
い。
【０１０１】本発明においては、インクが硬化する際の
記録材料の収縮を抑える目的で、光重合性化合物として
少なくとも１種のオキセタン化合物と、エポキシ化合物
及びビニルエーテル化合物から選ばれる少なくとも１種
の化合物とを含有することが好ましい。
記録材料の収縮を抑える目的で、光重合性化合物として
少なくとも１種のオキセタン化合物と、エポキシ化合物
及びビニルエーテル化合物から選ばれる少なくとも１種
の化合物とを含有することが好ましい。
【０１０２】インク組成物を着色する場合は、色材を添
加する。色材としては、重合性化合物の主成分に溶解又
は分散出来る色材が使用出来るが、耐候性の点で顔料が
好ましい。顔料としては以下のものが使用出来るが、こ
れに限られる訳ではない。Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙ
ｅｌｌｏｗ−１，３，１２，１３，１４，１７，８１，
８３，８７，９５，１０９，４２、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅ
ｎｔ Ｏｒａｎｇｅ−１６，３６，３８、Ｃ．Ｉ Ｐｉ
ｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ−５，２２，３８，４８：１，４
８：２，４８：４，４９：１，５３：１，５７：１，６
３：１，１４４，１４６，１８５，１０１、Ｃ．Ｉ Ｐ
ｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ−１９，２３、Ｃ．Ｉ Ｐ
ｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ−１５：１，１５：３，１５：
４，１８，６０，２７，２９、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｇｒｅｅｎ−７，３６、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｗ
ｈｉｔｅ−６，１８，２１、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｂｌａｃｋ−７ 又、本発明において、プラスチックフィルムのような透
明基材での色の隠蔽性を上げる為に、使用するインクの
少なくとも１つに白インクを用いることが好ましい。特
に、軟包装印刷、ラベル印刷においては、白インクを用
いることが好ましいが、吐出量が多くなるため、前述し
た吐出安定性、記録材料のカール・皺の発生の観点か
ら、自ずと使用量に関しては制限がある。
加する。色材としては、重合性化合物の主成分に溶解又
は分散出来る色材が使用出来るが、耐候性の点で顔料が
好ましい。顔料としては以下のものが使用出来るが、こ
れに限られる訳ではない。Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙ
ｅｌｌｏｗ−１，３，１２，１３，１４，１７，８１，
８３，８７，９５，１０９，４２、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅ
ｎｔ Ｏｒａｎｇｅ−１６，３６，３８、Ｃ．Ｉ Ｐｉ
ｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ−５，２２，３８，４８：１，４
８：２，４８：４，４９：１，５３：１，５７：１，６
３：１，１４４，１４６，１８５，１０１、Ｃ．Ｉ Ｐ
ｉｇｍｅｎｔ Ｖｉｏｌｅｔ−１９，２３、Ｃ．Ｉ Ｐ
ｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ−１５：１，１５：３，１５：
４，１８，６０，２７，２９、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｇｒｅｅｎ−７，３６、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ Ｗ
ｈｉｔｅ−６，１８，２１、Ｃ．Ｉ Ｐｉｇｍｅｎｔ
Ｂｌａｃｋ−７ 又、本発明において、プラスチックフィルムのような透
明基材での色の隠蔽性を上げる為に、使用するインクの
少なくとも１つに白インクを用いることが好ましい。特
に、軟包装印刷、ラベル印刷においては、白インクを用
いることが好ましいが、吐出量が多くなるため、前述し
た吐出安定性、記録材料のカール・皺の発生の観点か
ら、自ずと使用量に関しては制限がある。
【０１０３】上記顔料の分散には、例えば、ボールミ
ル、サンドミル、アトライター、ロールミル、アジテー
タ、ヘンシェルミキサ、コロイドミル、超音波ホモジナ
イザー、パールミル、湿式ジェットミル、ペイントシェ
ーカー等を用いることが出来る。又、顔料の分散を行う
際に、分散剤を添加することも可能である。分散剤とし
ては、高分子分散剤を用いることが好ましく、高分子分
散剤としてはＡｖｅｃｉａ社のＳｏｌｓｐｅｒｓｅシリ
ーズが挙げられる。又、分散助剤として、各種顔料に応
じたシナージストを用いることも可能である。これらの
分散剤及び分散助剤は、顔料１００質量％に対し、１〜
５０質量％添加することが好ましい。分散媒体は、溶剤
又は重合性化合物を用いて行うが、本発明に用いる照射
線硬化型インクでは、インク着弾直後に反応・硬化させ
るため、無溶剤であることが好ましい。溶剤が硬化画像
に残ってしまうと、耐溶剤性の劣化、残留する溶剤のＶ
ＯＣの問題が生じる。よって、分散媒体は溶剤では無く
重合性化合物、その中でも最も粘度の低いモノマーを選
択することが分散適性上好ましい。
ル、サンドミル、アトライター、ロールミル、アジテー
タ、ヘンシェルミキサ、コロイドミル、超音波ホモジナ
イザー、パールミル、湿式ジェットミル、ペイントシェ
ーカー等を用いることが出来る。又、顔料の分散を行う
際に、分散剤を添加することも可能である。分散剤とし
ては、高分子分散剤を用いることが好ましく、高分子分
散剤としてはＡｖｅｃｉａ社のＳｏｌｓｐｅｒｓｅシリ
ーズが挙げられる。又、分散助剤として、各種顔料に応
じたシナージストを用いることも可能である。これらの
分散剤及び分散助剤は、顔料１００質量％に対し、１〜
５０質量％添加することが好ましい。分散媒体は、溶剤
又は重合性化合物を用いて行うが、本発明に用いる照射
線硬化型インクでは、インク着弾直後に反応・硬化させ
るため、無溶剤であることが好ましい。溶剤が硬化画像
に残ってしまうと、耐溶剤性の劣化、残留する溶剤のＶ
ＯＣの問題が生じる。よって、分散媒体は溶剤では無く
重合性化合物、その中でも最も粘度の低いモノマーを選
択することが分散適性上好ましい。
【０１０４】顔料の分散は、顔料粒子の平均粒径を０．
０８〜０．５μｍとすることが好ましく、最大粒径は
０．３〜１０μｍ、好ましくは０．３〜３μｍとなるよ
う、顔料、分散剤、分散媒体の選定、分散条件、ろ過条
件を適宜設定する。この粒径管理によって、ヘッドノズ
ルの詰まりを抑制し、インクの保存安定性、インク透明
性及び硬化感度を維持することが出来る。
０８〜０．５μｍとすることが好ましく、最大粒径は
０．３〜１０μｍ、好ましくは０．３〜３μｍとなるよ
う、顔料、分散剤、分散媒体の選定、分散条件、ろ過条
件を適宜設定する。この粒径管理によって、ヘッドノズ
ルの詰まりを抑制し、インクの保存安定性、インク透明
性及び硬化感度を維持することが出来る。
【０１０５】本発明に係るインクにおいては、色材濃度
としては、インク全体の１質量％乃至１０質量％である
ことが好ましい。
としては、インク全体の１質量％乃至１０質量％である
ことが好ましい。
【０１０６】本発明に係るインクには、上記説明した以
外に様々な添加剤を用いることが出来る。例えば、イン
ク組成物の保存性を高めるため、重合禁止剤を２００〜
２００００ｐｐｍ添加することが出来る。紫外線硬化型
のインクは、加熱、低粘度化して射出することが好まし
いので、熱重合によるヘッド詰まりを防ぐためにも重合
禁止剤を入れることが好ましい。この他にも、必要に応
じて、界面活性剤、レベリング添加剤、マット剤、膜物
性を調整するためのポリエステル系樹脂、ポリウレタン
系樹脂、ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ゴム系樹脂、
ワックス類を添加することが出来る。記録媒体との密着
性を改善するため、極微量の有機溶剤を添加することも
有効である。この場合、耐溶剤性やＶＯＣの問題が起こ
らない範囲での添加が有効であり、その使用量は０．１
〜５％の範囲であり、好ましくは０．１〜３％である。
又、ラジカル重合性モノマーと開始剤を組み合わせ、ラ
ジカル・カチオンのハイブリッド型硬化インクとするこ
とも可能である。
外に様々な添加剤を用いることが出来る。例えば、イン
ク組成物の保存性を高めるため、重合禁止剤を２００〜
２００００ｐｐｍ添加することが出来る。紫外線硬化型
のインクは、加熱、低粘度化して射出することが好まし
いので、熱重合によるヘッド詰まりを防ぐためにも重合
禁止剤を入れることが好ましい。この他にも、必要に応
じて、界面活性剤、レベリング添加剤、マット剤、膜物
性を調整するためのポリエステル系樹脂、ポリウレタン
系樹脂、ビニル系樹脂、アクリル系樹脂、ゴム系樹脂、
ワックス類を添加することが出来る。記録媒体との密着
性を改善するため、極微量の有機溶剤を添加することも
有効である。この場合、耐溶剤性やＶＯＣの問題が起こ
らない範囲での添加が有効であり、その使用量は０．１
〜５％の範囲であり、好ましくは０．１〜３％である。
又、ラジカル重合性モノマーと開始剤を組み合わせ、ラ
ジカル・カチオンのハイブリッド型硬化インクとするこ
とも可能である。
【０１０７】本発明の画像形成方法においては、インク
組成物をインクジェット記録方式により記録材料上に吐
出、描画し、次いで紫外線などの活性光線を照射してイ
ンクを硬化させる。
組成物をインクジェット記録方式により記録材料上に吐
出、描画し、次いで紫外線などの活性光線を照射してイ
ンクを硬化させる。
【０１０８】本発明では、記録材料上にインクが着弾
し、活性光線を照射して硬化した後の総インク膜厚が２
〜２０μｍであることが好ましい。スクリーン印刷分野
の活性光線硬化型インクジェット記録では、総インク膜
厚が２０μｍを越えているのが現状であるが、記録材料
が薄いプラスチック材料であることが多い軟包装印刷分
野では、前述した記録材料のカール・皺の問題でだけで
なく、印刷物全体のこし・質感が変わってしまうという
問題が有るため、過剰な膜厚のインク吐出は好ましくな
い。
し、活性光線を照射して硬化した後の総インク膜厚が２
〜２０μｍであることが好ましい。スクリーン印刷分野
の活性光線硬化型インクジェット記録では、総インク膜
厚が２０μｍを越えているのが現状であるが、記録材料
が薄いプラスチック材料であることが多い軟包装印刷分
野では、前述した記録材料のカール・皺の問題でだけで
なく、印刷物全体のこし・質感が変わってしまうという
問題が有るため、過剰な膜厚のインク吐出は好ましくな
い。
【０１０９】本発明において「総インク膜厚」とは記録
材料に描画されたインクの膜厚の最大値を意味し、単色
でも、それ以外の２色重ね（２次色）、３色重ね、４色
重ね（白インクベース）のインクジェット記録方式で記
録を行った場合でも総インク膜厚の意味するところは同
様である。
材料に描画されたインクの膜厚の最大値を意味し、単色
でも、それ以外の２色重ね（２次色）、３色重ね、４色
重ね（白インクベース）のインクジェット記録方式で記
録を行った場合でも総インク膜厚の意味するところは同
様である。
【０１１０】インクの吐出条件としては、記録ヘッド及
びインクを３５〜１００℃の温度範囲内に加熱し、吐出
することが吐出安定性の点で好ましい。活性光線硬化型
インクは温度変動による粘度変動幅が大きく、粘度変動
はそのまま液滴サイズ、液滴射出速度に大きく影響を与
え、画質劣化を起こすため、インク温度を上げながらそ
の温度を一定に保つことが必要である。インク温度の制
御幅としては、設定温度±５℃、好ましくは設定温度±
２℃、更に好ましくは設定温度±１℃である。
びインクを３５〜１００℃の温度範囲内に加熱し、吐出
することが吐出安定性の点で好ましい。活性光線硬化型
インクは温度変動による粘度変動幅が大きく、粘度変動
はそのまま液滴サイズ、液滴射出速度に大きく影響を与
え、画質劣化を起こすため、インク温度を上げながらそ
の温度を一定に保つことが必要である。インク温度の制
御幅としては、設定温度±５℃、好ましくは設定温度±
２℃、更に好ましくは設定温度±１℃である。
【０１１１】又本発明では、各ノズルより吐出する液滴
量は、１回の吐出当たり２〜１５ｐｌであることが好ま
しい。
量は、１回の吐出当たり２〜１５ｐｌであることが好ま
しい。
【０１１２】本発明の画像記録方法においては、発生光
線の照射条件として、インク着弾後０．００１〜２．０
秒の間に活性光線が照射されることが好ましく、より好
ましくは０．００１〜１．０秒である。高精細な画像を
形成するためには、照射タイミングが出来るだけ早いこ
とが特に重要となる。
線の照射条件として、インク着弾後０．００１〜２．０
秒の間に活性光線が照射されることが好ましく、より好
ましくは０．００１〜１．０秒である。高精細な画像を
形成するためには、照射タイミングが出来るだけ早いこ
とが特に重要となる。
【０１１３】活性光線の照射方法として、その基本的な
方法が特開昭６０−１３２７６７号に開示されている。
これによると、ヘッドユニットの両側に光源を設け、シ
ャトル方式でヘッドと光源を走査する。照射は、インク
着弾後、一定時間を置いて行われることになる。更に、
駆動を伴わない別光源によって硬化を完了させる。米国
特許第６，１４５，９７９号では、照射方法として、光
ファイバーを用いた方法や、コリメートされた光源をヘ
ッドユニット側面に設けた鏡面に当て、記録部へＵＶ光
を照射する方法が開示されている。本発明の画像形成方
法においては、これらの何れの照射方法も採用すること
が出来る。
方法が特開昭６０−１３２７６７号に開示されている。
これによると、ヘッドユニットの両側に光源を設け、シ
ャトル方式でヘッドと光源を走査する。照射は、インク
着弾後、一定時間を置いて行われることになる。更に、
駆動を伴わない別光源によって硬化を完了させる。米国
特許第６，１４５，９７９号では、照射方法として、光
ファイバーを用いた方法や、コリメートされた光源をヘ
ッドユニット側面に設けた鏡面に当て、記録部へＵＶ光
を照射する方法が開示されている。本発明の画像形成方
法においては、これらの何れの照射方法も採用すること
が出来る。
【０１１４】本発明では、インクを射出・着弾した後、
活性光線を照射した以降にインク及び基材を加熱しない
ことが好ましい。「インク及び基材を加熱しない」と
は、ヒーター、赤外線等を使って加熱しないということ
であり、インク及び基材を４０℃以下に保つことが好ま
しい。
活性光線を照射した以降にインク及び基材を加熱しない
ことが好ましい。「インク及び基材を加熱しない」と
は、ヒーター、赤外線等を使って加熱しないということ
であり、インク及び基材を４０℃以下に保つことが好ま
しい。
【０１１５】特に、軟包装印刷、ラベル印刷分野におい
ては、上述した記録材料の皺の問題、吐出安定性の問題
から、活性光線硬化型インクジェット記録が実用化され
るまでには至っていなかったが、本発明は、それらの分
野でも十分に使用し得る画像形成方法を提示するもので
ある。
ては、上述した記録材料の皺の問題、吐出安定性の問題
から、活性光線硬化型インクジェット記録が実用化され
るまでには至っていなかったが、本発明は、それらの分
野でも十分に使用し得る画像形成方法を提示するもので
ある。
【０１１６】又、活性光線の照射を２段階に分け、まず
インク着弾後０．００１〜２．０秒の間に前述の方法で
活性光線を照射し、かつ、全印字終了後、更に活性光線
を照射する方法も好ましい態様の１つである。活性光線
の照射を２段階に分けることで、よりインク硬化の際に
起こる記録材料の収縮を抑えることが可能となる。
インク着弾後０．００１〜２．０秒の間に前述の方法で
活性光線を照射し、かつ、全印字終了後、更に活性光線
を照射する方法も好ましい態様の１つである。活性光線
の照射を２段階に分けることで、よりインク硬化の際に
起こる記録材料の収縮を抑えることが可能となる。
【０１１７】本発明では、硬化に有効な波長域における
最高照度が０．１以上５０ｍＷ／ｃｍ2未満の低照度の
活性光線を用いることが好ましい。従来、ＵＶインクジ
ェット方式では、インク着弾後のドット広がり、滲みを
抑制のために、硬化に有効な波長域における最高照度が
５０ｍＷ／ｃｍ2を超える高照度の光源が用いられるの
が通常であった。しかしながら、これらの光源を用いる
と、特にシュリンクラベルなどでは記録材料の収縮があ
まりにも大きく、実質上使用できないのが現状であっ
た。本発明では、酸増殖剤を用いることで、硬化に有効
な波長域における最高照度が０．１以上５０ｍＷ／ｃｍ
2未満の低照度の活性光線を用いても、高精細な画像を
形成でき、かつ、記録材料の収縮もない。
最高照度が０．１以上５０ｍＷ／ｃｍ2未満の低照度の
活性光線を用いることが好ましい。従来、ＵＶインクジ
ェット方式では、インク着弾後のドット広がり、滲みを
抑制のために、硬化に有効な波長域における最高照度が
５０ｍＷ／ｃｍ2を超える高照度の光源が用いられるの
が通常であった。しかしながら、これらの光源を用いる
と、特にシュリンクラベルなどでは記録材料の収縮があ
まりにも大きく、実質上使用できないのが現状であっ
た。本発明では、酸増殖剤を用いることで、硬化に有効
な波長域における最高照度が０．１以上５０ｍＷ／ｃｍ
2未満の低照度の活性光線を用いても、高精細な画像を
形成でき、かつ、記録材料の収縮もない。
【０１１８】活性光線照射で用いる光源の例としては、
低圧水銀ランプ、ＵＶレーザー、キセノンフラッシュラ
ンプ、捕虫灯、ブラックライト、殺菌灯、冷陰極管、Ｌ
ＥＤをなどがあるが、これらに限定されない。
低圧水銀ランプ、ＵＶレーザー、キセノンフラッシュラ
ンプ、捕虫灯、ブラックライト、殺菌灯、冷陰極管、Ｌ
ＥＤをなどがあるが、これらに限定されない。
【０１１９】又、本発明では、硬化に有効な波長域にお
ける最高照度が５０〜３０００ｍＷ／ｃｍ2の活性光線
を用いることも有効である。従来のＵＶインクジェット
記録に用いられる高照度の光源であるが、上述のように
記録材料の収縮課題が有り、軟包装印刷・ラベル印刷分
野では実質ＵＶインクジェット記録は使用されていなか
った。本発明の構成では、この問題は解消され、従来使
われている高照度の光源を用いても、各種プラスチック
フィルムへの高精細画像の形成が可能となる。光源の例
としては、例えば、高圧水銀ランプ、メタルハライドラ
ンプ、無電極ＵＶランプなどが有るが、これらに限定さ
れない。
ける最高照度が５０〜３０００ｍＷ／ｃｍ2の活性光線
を用いることも有効である。従来のＵＶインクジェット
記録に用いられる高照度の光源であるが、上述のように
記録材料の収縮課題が有り、軟包装印刷・ラベル印刷分
野では実質ＵＶインクジェット記録は使用されていなか
った。本発明の構成では、この問題は解消され、従来使
われている高照度の光源を用いても、各種プラスチック
フィルムへの高精細画像の形成が可能となる。光源の例
としては、例えば、高圧水銀ランプ、メタルハライドラ
ンプ、無電極ＵＶランプなどが有るが、これらに限定さ
れない。
【０１２０】本発明で用いることの出来る記録材料とし
ては、通常の非コート紙、コート紙などの他、いわゆる
軟包装に用いられる各種非吸収性のプラスチック及びそ
のフィルムを用いることができ、各種プラスチックフィ
ルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタ
レート）フィルム、ＯＰＳ（延伸ポリスチレン）フィル
ム、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）フィルム、ＯＮｙ
（延伸ナイロン）フィルム、ＰＶＣ（ポリビニルクロラ
イド）フィルム、ＰＥフィルム、ＴＡＣフィルムを挙げ
ることが出来る。その他のプラスチックとしては、ポリ
カーボネート、アクリル樹脂、ＡＢＳ、ポリアセター
ル、ＰＶＡ、ゴム類などが使用出来る。又、金属類や、
ガラス類にも適用可能である。これらの記録材料の中で
も、特に熱でシュリンク可能な、ＰＥＴフィルム、ＯＰ
Ｓフィルム、ＯＰＰフィルム、ＯＮｙフィルム、ＰＶＣ
フィルムへ画像を形成する場合に本発明の構成は有効と
なる。これらの基材は、インクの硬化収縮、硬化反応時
の発熱などにより、フィルムのカール、変形が生じやす
いばかりでなく、インク膜が基材の収縮に追従し難い。
ては、通常の非コート紙、コート紙などの他、いわゆる
軟包装に用いられる各種非吸収性のプラスチック及びそ
のフィルムを用いることができ、各種プラスチックフィ
ルムとしては、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタ
レート）フィルム、ＯＰＳ（延伸ポリスチレン）フィル
ム、ＯＰＰ（延伸ポリプロピレン）フィルム、ＯＮｙ
（延伸ナイロン）フィルム、ＰＶＣ（ポリビニルクロラ
イド）フィルム、ＰＥフィルム、ＴＡＣフィルムを挙げ
ることが出来る。その他のプラスチックとしては、ポリ
カーボネート、アクリル樹脂、ＡＢＳ、ポリアセター
ル、ＰＶＡ、ゴム類などが使用出来る。又、金属類や、
ガラス類にも適用可能である。これらの記録材料の中で
も、特に熱でシュリンク可能な、ＰＥＴフィルム、ＯＰ
Ｓフィルム、ＯＰＰフィルム、ＯＮｙフィルム、ＰＶＣ
フィルムへ画像を形成する場合に本発明の構成は有効と
なる。これらの基材は、インクの硬化収縮、硬化反応時
の発熱などにより、フィルムのカール、変形が生じやす
いばかりでなく、インク膜が基材の収縮に追従し難い。
【０１２１】これら、各種プラスチックフィルムの表面
エネルギーは大きく異なり、記録材料によってインク着
弾後のドット径が変わってしまうことが従来から問題と
なっていた。本発明によれば、表面エネルギーの低いＯ
ＰＰフィルム、ＯＰＳフィルムや表面エネルギーの比較
的大きいＰＥＴまでを含む、表面エネルギーが３５〜６
０ｄｙｎ／ｃｍの広範囲の記録材料に良好な高精細な画
像を形成出来る。
エネルギーは大きく異なり、記録材料によってインク着
弾後のドット径が変わってしまうことが従来から問題と
なっていた。本発明によれば、表面エネルギーの低いＯ
ＰＰフィルム、ＯＰＳフィルムや表面エネルギーの比較
的大きいＰＥＴまでを含む、表面エネルギーが３５〜６
０ｄｙｎ／ｃｍの広範囲の記録材料に良好な高精細な画
像を形成出来る。
【０１２２】本発明において、包装の費用や生産コスト
等の記録材料のコスト、プリントの作製効率、各種のサ
イズのプリントに対応出来る等の点で、長尺（ウェブ）
な記録材料を使用する方が有利である。
等の記録材料のコスト、プリントの作製効率、各種のサ
イズのプリントに対応出来る等の点で、長尺（ウェブ）
な記録材料を使用する方が有利である。
【０１２３】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明の実施態様はこれらの例に限定されるも
のではない。
するが、本発明の実施態様はこれらの例に限定されるも
のではない。
【０１２４】実施例１
《インク組成物の調製》表１〜４に記載の構成からなる
インク組成物を調製した。
インク組成物を調製した。
【０１２５】インク組成物１（表１）、インク組成物２
（表２）、インク組成物３（表３）、インク組成物４
（表４）
（表２）、インク組成物３（表３）、インク組成物４
（表４）
【０１２６】
【表１】
【０１２７】
【表２】
【０１２８】
【表３】
【０１２９】
【表４】
【０１３０】表１〜４に記載の各化合物の詳細は、以下
の通りである。 Ｋ：濃ブラックインク、Ｃ：濃シアンインク、Ｍ：濃マ
ゼンタインク Ｙ：濃イエローインク、Ｌｋ：淡ブラックインク、Ｌ
ｃ：淡シアンインク Ｌｍ：淡マゼンタインク、Ｌｙ：淡イエローインク 色材１：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌａｃｋ−７ 色材２：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ−１５：３ 色材３：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ−５７：１ 色材４：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ−１３ ・光重合性化合物１（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０２１Ｐ：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物２（ビニルエーテル）：ＲＡＰＩ−Ｃ
ＵＲＥ ＤＶＥ−３：アイエスピー・ジャパン社製 ・光重合性化合物３（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
１２（東亜合成） ・光重合性化合物４（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０８１：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物５（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
２１（東亜合成） ・酸増殖剤１：下記構造式 ・酸増殖剤２：下記構造式 ・酸増殖剤３：下記構造式 ・光酸発生剤１：下記構造式 ・光酸発生剤２：下記構造式 ・光酸発生剤３：ＢＢＩ１０２（みどり化学） ・熱酸発生剤１：４−ヒドロキシフェニルベンジルメチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート ・熱酸発生剤２：３−ベンジルチアゾリウムヘキサフル
オロアンチモネート ・熱酸発生剤３：サンエイドＳＩ−Ｌ８５（三新化学工
業社） ・開始剤助剤：ジエチルチオキサントン
の通りである。 Ｋ：濃ブラックインク、Ｃ：濃シアンインク、Ｍ：濃マ
ゼンタインク Ｙ：濃イエローインク、Ｌｋ：淡ブラックインク、Ｌ
ｃ：淡シアンインク Ｌｍ：淡マゼンタインク、Ｌｙ：淡イエローインク 色材１：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌａｃｋ−７ 色材２：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ−１５：３ 色材３：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ−５７：１ 色材４：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ−１３ ・光重合性化合物１（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０２１Ｐ：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物２（ビニルエーテル）：ＲＡＰＩ−Ｃ
ＵＲＥ ＤＶＥ−３：アイエスピー・ジャパン社製 ・光重合性化合物３（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
１２（東亜合成） ・光重合性化合物４（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０８１：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物５（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
２１（東亜合成） ・酸増殖剤１：下記構造式 ・酸増殖剤２：下記構造式 ・酸増殖剤３：下記構造式 ・光酸発生剤１：下記構造式 ・光酸発生剤２：下記構造式 ・光酸発生剤３：ＢＢＩ１０２（みどり化学） ・熱酸発生剤１：４−ヒドロキシフェニルベンジルメチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート ・熱酸発生剤２：３−ベンジルチアゾリウムヘキサフル
オロアンチモネート ・熱酸発生剤３：サンエイドＳＩ−Ｌ８５（三新化学工
業社） ・開始剤助剤：ジエチルチオキサントン
【０１３１】
【化２１】
【０１３２】《インクジェット画像形成方法》ピエゾ型
インクジェットノズルを備えたインクジェット記録装置
に、上記調製した各インク組成物セットを装填し、表５
に記載の表面エネルギーを有する記録材料（巾６００ｍ
ｍ、長さ１０００ｍの長尺な記録材料）へ下記の各画像
記録を連続して行った。インク供給系は、インクタン
ク、供給パイプ、ヘッド直前の前室インクタンク、フィ
ルター付き配管、ピエゾヘッドからなり、前室タンクか
らヘッド部分まで断熱して５０℃の加温を行った。ピエ
ゾヘッドは、２〜１５ｐｌのマルチサイズドットを７２
０×７２０ｄｐｉの解像度で吐出出来るよう駆動して、
各インクを連続吐出した。着弾した後、０．２秒後に表
５に記載の照射条件で硬化処理を行った。記録後、総イ
ンク膜厚を測定したところ、２．３〜１３μｍの範囲で
あった。尚、本発明でいうｄｐｉとは、２．５４ｃｍ当
たりのドット数を表す。
インクジェットノズルを備えたインクジェット記録装置
に、上記調製した各インク組成物セットを装填し、表５
に記載の表面エネルギーを有する記録材料（巾６００ｍ
ｍ、長さ１０００ｍの長尺な記録材料）へ下記の各画像
記録を連続して行った。インク供給系は、インクタン
ク、供給パイプ、ヘッド直前の前室インクタンク、フィ
ルター付き配管、ピエゾヘッドからなり、前室タンクか
らヘッド部分まで断熱して５０℃の加温を行った。ピエ
ゾヘッドは、２〜１５ｐｌのマルチサイズドットを７２
０×７２０ｄｐｉの解像度で吐出出来るよう駆動して、
各インクを連続吐出した。着弾した後、０．２秒後に表
５に記載の照射条件で硬化処理を行った。記録後、総イ
ンク膜厚を測定したところ、２．３〜１３μｍの範囲で
あった。尚、本発明でいうｄｐｉとは、２．５４ｃｍ当
たりのドット数を表す。
【０１３３】
【表５】
【０１３４】表５に記載の照射光源の詳細は、以下の通
りである。 （１）照射条件 照射光源１：無電極ＵＶランプ（フュージョンＵＶシス
テムズ・ジャパン社製Ｆ４５０シリーズ） 照射光源２：１２０Ｗ／ｃｍメタルハライドランプ（日
本電池社製 ＭＡＬ４００ＮＬ） 照射光源３：８０Ｗ／ｃｍ高圧水銀ランプ（日本電池社
製 ＨＮ−６４ＮＬ） （２）照射タイミング 全ての照射をインク着弾後、０．２秒後に行った。 （３）照射方法 記録ヘッド両横から、線光源照射を行った。 （４）記録材料面上の最高照度とそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長で、照度を５５０ｍＷ／ｃｍ2
（照射光源３）、６５０ｍＷ／ｃｍ2（照射光源２）及
び７００ｍＷ／ｃｍ2（照射光源１）に変更して照射を
行った。 （５）露光エネルギーとそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長で、露光エネルギーを１３０ｍ
Ｊ／ｃｍ2（照射光源３）、１８０Ｊ／ｃｍ2（照射光源
２）、２００ｍＪ／ｃｍ2（照射光源１）に変更して照
射を行った。 《インクジェット記録画像の評価》上記画像形成により
記録した各画像について、下記の各評価を行った。尚、
各評価は連続吐出した画像記録の１０ｍ後の試料、１０
０ｍ後の試料及び５００ｍ後の試料について行った。
又、評価は温度２３℃／湿度４０％でそれぞれ行った。
得られた各評価結果を表６に示す。 （文字品質）ＹＭＣＫ各色目標濃度で６ポイントＭＳ明
朝体文字を印字し、文字のガサツキをルーペで拡大評価
した。
りである。 （１）照射条件 照射光源１：無電極ＵＶランプ（フュージョンＵＶシス
テムズ・ジャパン社製Ｆ４５０シリーズ） 照射光源２：１２０Ｗ／ｃｍメタルハライドランプ（日
本電池社製 ＭＡＬ４００ＮＬ） 照射光源３：８０Ｗ／ｃｍ高圧水銀ランプ（日本電池社
製 ＨＮ−６４ＮＬ） （２）照射タイミング 全ての照射をインク着弾後、０．２秒後に行った。 （３）照射方法 記録ヘッド両横から、線光源照射を行った。 （４）記録材料面上の最高照度とそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長で、照度を５５０ｍＷ／ｃｍ2
（照射光源３）、６５０ｍＷ／ｃｍ2（照射光源２）及
び７００ｍＷ／ｃｍ2（照射光源１）に変更して照射を
行った。 （５）露光エネルギーとそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長で、露光エネルギーを１３０ｍ
Ｊ／ｃｍ2（照射光源３）、１８０Ｊ／ｃｍ2（照射光源
２）、２００ｍＪ／ｃｍ2（照射光源１）に変更して照
射を行った。 《インクジェット記録画像の評価》上記画像形成により
記録した各画像について、下記の各評価を行った。尚、
各評価は連続吐出した画像記録の１０ｍ後の試料、１０
０ｍ後の試料及び５００ｍ後の試料について行った。
又、評価は温度２３℃／湿度４０％でそれぞれ行った。
得られた各評価結果を表６に示す。 （文字品質）ＹＭＣＫ各色目標濃度で６ポイントＭＳ明
朝体文字を印字し、文字のガサツキをルーペで拡大評価
した。
【０１３５】
◎・・・ガサツキなし
○・・・僅かにガサツキが見える
△・・・ガサツキが見えるが、文字として判別出来、ギ
リギリ使えるレベル ×・・・ガサツキが酷く、文字がかすれていて使えない
レベル （色混じり（滲み））隣り合う各色ドットをルーペで拡
大し、滲み具合を目視評価した。
リギリ使えるレベル ×・・・ガサツキが酷く、文字がかすれていて使えない
レベル （色混じり（滲み））隣り合う各色ドットをルーペで拡
大し、滲み具合を目視評価した。
【０１３６】◎・・・隣り合うドット形状が真円を保
ち、滲みがない ○・・・隣り合うドット形状はほぼ真円を保ち、ほとん
ど滲みがない △・・・隣り合うドットが少し滲んでいてドット形状が
少し崩れているが、ギリギリ使えるレベル ×・・・隣り合うドットが滲んで混じり合っており、使
用出来ないレベル （印刷物の皺、カールの評価）１０ｍ、１００ｍ及び５
００ｍ印刷した直後に、各印刷物について、照射・硬化
により皺やカールが発生していないかを目視観察し、下
記の評価基準に則り評価した。
ち、滲みがない ○・・・隣り合うドット形状はほぼ真円を保ち、ほとん
ど滲みがない △・・・隣り合うドットが少し滲んでいてドット形状が
少し崩れているが、ギリギリ使えるレベル ×・・・隣り合うドットが滲んで混じり合っており、使
用出来ないレベル （印刷物の皺、カールの評価）１０ｍ、１００ｍ及び５
００ｍ印刷した直後に、各印刷物について、照射・硬化
により皺やカールが発生していないかを目視観察し、下
記の評価基準に則り評価した。
【０１３７】
○・・・皺やカールの発生が無く、良好である
△・・・やや皺やカールの発生が認められるが、実用上
許容の範囲にある ×・・・印刷物に強い皺やカールが認められ、実用上問
題となる
許容の範囲にある ×・・・印刷物に強い皺やカールが認められ、実用上問
題となる
【０１３８】
【表６】
【０１３９】表６から明らかなように、本発明に係るイ
ンク組成物セットを用いた画像記録方法は、あらゆる記
録材料に対して、文字品質に優れ、色混じりの発生もな
く、高精細な画像を記録することができ、かつ印刷物の
皺やカールの発生が無いことが分かる。
ンク組成物セットを用いた画像記録方法は、あらゆる記
録材料に対して、文字品質に優れ、色混じりの発生もな
く、高精細な画像を記録することができ、かつ印刷物の
皺やカールの発生が無いことが分かる。
【０１４０】実施例２
《インク組成物の調製》表７〜１０に記載の構成からな
るインク組成物セットを調製した。
るインク組成物セットを調製した。
【０１４１】インク組成物５（表７）、インク組成物６
（表８）、インク組成物７（表９）、インク組成物８
（表１０）
（表８）、インク組成物７（表９）、インク組成物８
（表１０）
【０１４２】
【表７】
【０１４３】
【表８】
【０１４４】
【表９】
【０１４５】
【表１０】
【０１４６】表７〜１０に記載の各化合物の詳細は、以
下の通りである。 Ｗ：白色インク 色材１：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌａｃｋ−７ 色材２：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ−１５：３ 色材３：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ−５７：１ 色材４：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ−１３ 色材５：酸化チタン（アナターゼ型 平均粒径０．２０
μｍ） ・光重合性化合物１（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０２１Ｐ：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物３（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
１２（東亜合成）イエスピー・ジャパン社製 ・光重合性化合物４（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０８１：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物５（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
２１（東亜合成） ・酸増殖剤１：上記構造式 ・酸増殖剤２：上記構造式 ・酸増殖剤３：上記構造式 ・光酸発生剤４：ＳＰ１５２（旭電化化学工業） ・光酸発生剤５：下記構造式 ・光酸発生剤６：下記構造式 ・熱酸発生剤４：サンエイドＳＩ−６０（三新化学工業
社 ６０℃以上の加熱で酸発生） ・熱酸発生剤５：サンエイドＳＩ−８０（三新化学工業
社 ８０℃以上の加熱で酸発生） ・熱酸発生剤６：サンエイドＳＩ−１００（三新化学工
業社 １００℃以上の加熱で酸発生） ・開始剤助剤：ジエチルチオキサントン
下の通りである。 Ｗ：白色インク 色材１：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌａｃｋ−７ 色材２：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｂｌｕｅ−１５：３ 色材３：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｒｅｄ−５７：１ 色材４：Ｃ．Ｉ．ｐｉｇｍｅｎｔ Ｙｅｌｌｏｗ−１３ 色材５：酸化チタン（アナターゼ型 平均粒径０．２０
μｍ） ・光重合性化合物１（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０２１Ｐ：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物３（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
１２（東亜合成）イエスピー・ジャパン社製 ・光重合性化合物４（エポキシ化合物）：セロキサイド
２０８１：ダイセル化学工業社製 ・光重合性化合物５（オキセタン化合物）：ＯＸＴ−２
２１（東亜合成） ・酸増殖剤１：上記構造式 ・酸増殖剤２：上記構造式 ・酸増殖剤３：上記構造式 ・光酸発生剤４：ＳＰ１５２（旭電化化学工業） ・光酸発生剤５：下記構造式 ・光酸発生剤６：下記構造式 ・熱酸発生剤４：サンエイドＳＩ−６０（三新化学工業
社 ６０℃以上の加熱で酸発生） ・熱酸発生剤５：サンエイドＳＩ−８０（三新化学工業
社 ８０℃以上の加熱で酸発生） ・熱酸発生剤６：サンエイドＳＩ−１００（三新化学工
業社 １００℃以上の加熱で酸発生） ・開始剤助剤：ジエチルチオキサントン
【０１４７】
【化２２】
【０１４８】《インクジェット画像形成方法》ピエゾ型
インクジェットノズルを備えたインクジェット記録装置
に、上記調製した各インク組成物セットを装填し、表１
１に記載の表面エネルギーを有する記録材料（巾６００
ｍｍ、長さ１０００ｍの長尺な記録材料）へ下記の各画
像記録を連続して行った。インク供給系は、インクタン
ク、供給パイプ、ヘッド直前の前室インクタンク、フィ
ルター付き配管、ピエゾヘッドからなり、前室タンクか
らヘッド部分まで断熱して７０℃の加温を行った。ピエ
ゾヘッドは、２〜１５ｐｌのマルチサイズドットを７２
０×７２０ｄｐｉの解像度で吐出出来るよう駆動して、
各インクを連続吐出した。着弾した後、０．１５秒後
に、表１１に記載の照射条件により硬化処理を行った。
記録後、総インク膜厚を測定したところ、実施例１に比
較して白インクを用いたため厚くなり、２．３〜１９．
６μｍの範囲であった。
インクジェットノズルを備えたインクジェット記録装置
に、上記調製した各インク組成物セットを装填し、表１
１に記載の表面エネルギーを有する記録材料（巾６００
ｍｍ、長さ１０００ｍの長尺な記録材料）へ下記の各画
像記録を連続して行った。インク供給系は、インクタン
ク、供給パイプ、ヘッド直前の前室インクタンク、フィ
ルター付き配管、ピエゾヘッドからなり、前室タンクか
らヘッド部分まで断熱して７０℃の加温を行った。ピエ
ゾヘッドは、２〜１５ｐｌのマルチサイズドットを７２
０×７２０ｄｐｉの解像度で吐出出来るよう駆動して、
各インクを連続吐出した。着弾した後、０．１５秒後
に、表１１に記載の照射条件により硬化処理を行った。
記録後、総インク膜厚を測定したところ、実施例１に比
較して白インクを用いたため厚くなり、２．３〜１９．
６μｍの範囲であった。
【０１４９】
【表１１】
【０１５０】表１１に記載の照射光源の詳細は、以下の
通りである。 （１）照射光源 照射光源４：冷陰極管（ハイベック社製） 照射光源５：ＬＥＤ（日亜化学工業） 照射光源６：ブラックライト（ニッポ電気社製） （２）照射タイミング 着弾後、０．１５秒後に照射を行った。 （３）照射の仕方 記録ヘッド両横から、照射光源４は線光源８本づつ、照
射光源５は２０個づつ、照射光源６は線光源３本づつで
照射を行った。 （４）記録材料面上の最高照度とそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長にて、照度を２．５ｍＷ／ｃｍ
2（照射光源５）、１０ｍＷ／ｃｍ2（照射光源６）、１
５ｍＷ／ｃｍ2（照射光源４）で照射を行った。 （５）露光エネルギーとそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長にて、露光エネルギーを２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2（照射光源５）、４０ｍＪ／ｃｍ2（照射光源
６）、６０ｍＪ／ｃｍ2（照射光源４）で照射を行っ
た。 《インクジェット記録画像の評価》上記画像形成方法で
記録した各画像について、連続吐出した画像記録の１０
ｍ後の試料、１００ｍ後の試料及び５００ｍ後の試料に
ついて、実施例１に記載の方法に準じて、文字品質、色
混じり及び印刷物の皺、カールの評価を行った。得られ
た結果を表１２に示す。
通りである。 （１）照射光源 照射光源４：冷陰極管（ハイベック社製） 照射光源５：ＬＥＤ（日亜化学工業） 照射光源６：ブラックライト（ニッポ電気社製） （２）照射タイミング 着弾後、０．１５秒後に照射を行った。 （３）照射の仕方 記録ヘッド両横から、照射光源４は線光源８本づつ、照
射光源５は２０個づつ、照射光源６は線光源３本づつで
照射を行った。 （４）記録材料面上の最高照度とそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長にて、照度を２．５ｍＷ／ｃｍ
2（照射光源５）、１０ｍＷ／ｃｍ2（照射光源６）、１
５ｍＷ／ｃｍ2（照射光源４）で照射を行った。 （５）露光エネルギーとそのピーク波長 ３６５ｎｍのピーク波長にて、露光エネルギーを２０ｍ
Ｊ／ｃｍ2（照射光源５）、４０ｍＪ／ｃｍ2（照射光源
６）、６０ｍＪ／ｃｍ2（照射光源４）で照射を行っ
た。 《インクジェット記録画像の評価》上記画像形成方法で
記録した各画像について、連続吐出した画像記録の１０
ｍ後の試料、１００ｍ後の試料及び５００ｍ後の試料に
ついて、実施例１に記載の方法に準じて、文字品質、色
混じり及び印刷物の皺、カールの評価を行った。得られ
た結果を表１２に示す。
【０１５１】
【表１２】
【０１５２】表１２から明らかなように、実施例１の結
果と同様、本発明に係るインク組成物セットを用いた画
像記録方法は、あらゆる記録材料に対して、文字品質に
優れ、色混じりの発生もなく、高精細な画像を記録する
ことができ、かつ印刷物の皺やカールの発生が無いこと
が分かる。
果と同様、本発明に係るインク組成物セットを用いた画
像記録方法は、あらゆる記録材料に対して、文字品質に
優れ、色混じりの発生もなく、高精細な画像を記録する
ことができ、かつ印刷物の皺やカールの発生が無いこと
が分かる。
【０１５３】
【発明の効果】本発明によれば、あらゆる記録材料に対
し、文字品質に優れ、色混じりの発生がなく、高精細な
画像を記録することができ、かつ印刷物の皺やカールの
発生が無いインクジェット記録方法による画像形成が可
能となるなど、顕著に優れた効果を奏する。
し、文字品質に優れ、色混じりの発生がなく、高精細な
画像を記録することができ、かつ印刷物の皺やカールの
発生が無いインクジェット記録方法による画像形成が可
能となるなど、顕著に優れた効果を奏する。
Claims (16)
- 【請求項１】 選択的にインク滴を吐出制御可能なノズ
ルを少なくとも１つ有する記録ヘッドで活性光線により
硬化するインクを記録材料上に吐出する画像形成方法で
あって、前記インクが光酸発生剤と熱酸発生剤を含有す
ることを特徴とする画像形成方法。 - 【請求項２】 前記インクが着弾した後、０．００１〜
２．０秒の間に活性光線を照射することを特徴とする請
求項１に記載の画像形成方法。 - 【請求項３】 前記インクが着弾し、活性光線を照射し
た以降にインク及び基材を加熱しないことを特徴とする
請求項１又は２に記載の画像形成方法。 - 【請求項４】 前記インクが着弾し、活性光線を照射し
て硬化した後の総インク膜厚が２〜２０μｍであること
を特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の画像形
成方法。 - 【請求項５】 前記記録ヘッドの各ノズルより吐出する
インク液滴量が、一回の吐出当たり２〜１５ｐｌである
ことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の画
像形成方法。 - 【請求項６】 前記インクの少なくとも１色が白インク
であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記
載の画像形成方法。 - 【請求項７】 前記インクの少なくとも１色がオキセタ
ン化合物と、エポキシ化合物又はビニルエーテル化合物
とを含有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１
項に記載の画像形成方法。 - 【請求項８】 前記熱酸発生剤が、４０〜２００℃の温
度範囲内で酸を発生することを特徴とする請求項１〜７
の何れか１項に記載の画像形成方法。 - 【請求項９】 前記光酸発生剤が、紫外線によって酸を
発生することを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に
記載の画像形成方法。 - 【請求項１０】 非吸収性記録材料を用いて、請求項１
〜９の何れか１項に記載の画像形成方法により作製した
ことを特徴とする印刷物。 - 【請求項１１】 前記非吸収性記録材料の表面エネルギ
ーが、３５〜６０ｄｙｎ／ｃｍであることを特徴とする
請求項１０に記載の印刷物。 - 【請求項１２】 請求項１〜９の何れか１項に記載の画
像形成方法で用いる記録装置において、活性光線がイン
クを硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が０．１
以上５０ｍＷ／ｃｍ2未満であることを特徴とする記録
装置。 - 【請求項１３】 請求項１０又は１１に記載の最終印刷
物の作製に用いる記録装置において、活性光線がインク
を硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が０．１以
上５０ｍＷ／ｃｍ2未満であることを特徴とする記録装
置。 - 【請求項１４】 請求項１〜９の何れか１項に記載の画
像形成方法で用いる記録装置において、活性光線がイン
クを硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が５０〜
３０００ｍＷ／ｃｍ2であることを特徴とする記録装
置。 - 【請求項１５】 請求項１０又は１１に記載の最終印刷
物の作製に用いる記録装置において、活性光線がインク
を硬化するのに有効な波長域でのピーク照度が５０〜３
０００ｍＷ／ｃｍ2であることを特徴とする記録装置。 - 【請求項１６】 記録ヘッド及びインクを３５〜１００
℃の温度範囲内に加熱してインクを吐出することを特徴
とする請求項１２〜１５の何れか１項に記載の記録装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002149096A JP2003335041A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 画像形成方法、印刷物及び記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002149096A JP2003335041A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 画像形成方法、印刷物及び記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003335041A true JP2003335041A (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=29706357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002149096A Pending JP2003335041A (ja) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | 画像形成方法、印刷物及び記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003335041A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019214673A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 三洋化成工業株式会社 | 活性エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物 |
-
2002
- 2002-05-23 JP JP2002149096A patent/JP2003335041A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019214673A (ja) * | 2018-06-13 | 2019-12-19 | 三洋化成工業株式会社 | 活性エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物 |
| JP7089409B2 (ja) | 2018-06-13 | 2022-06-22 | 三洋化成工業株式会社 | 活性エネルギー線硬化性組成物及びその硬化物 |
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