JP2003332482A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップを内蔵する配線基板において、固
定用樹脂にクラック等の不具合が生じるのを抑制し、ま
た、固定用樹脂の密着性を向上させるなど、信頼性の高
い配線基板及び配線基板の製造方法を提供すること。 【解決手段】 配線基板１０１は、コア基板（基板本
体）１０５と、その基板主面１０５ａと基板裏面１０５
ｂとの間を貫通する貫通孔からなる収容部１４１と、こ
の収容部１４１内に内蔵されたＩＣチップＩＣ２と、こ
のＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に固定する固定用
樹脂１４７とを備える。そして、収容部１４１の内面１
４１ｓに、カップリング剤により形成された被膜１４２
を有し、固定用樹脂１４７がこの被膜１４２を介して収
容部１４１に固着している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップを有す
る配線基板及び配線基板の製造方法に関し、特に、基板
本体に設けられた収容部内にＩＣチップが内蔵された配
線基板及び配線基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、配線基板の高密度化及び高性能化
の要請に伴って、基板本体内にＩＣチップを内蔵した配
線基板が提案されている。例えば、図１１に簡略化した
断面図を示す配線基板９０１は、その中心にコア基板
（基板本体）９０５を有し、その基板主面９０５ａ側及
び基板裏面９０５ｂ側には、複数の配線層９０７，９０
９，９１１，９１３，９１５，９１７と絶縁層９２１，
９２３，９２５，９２７，９２９，９３１からなるビル
ドアップ層が積層されている。そして、配線基板９０１
の主面９０１ａ上及び裏面９０１ｂ上には、複数のチッ
プコンデンサＣＣ１がそれぞれ実装されている。また、
コア基板９０５には、その基板主面９０５ａと基板裏面
９０５ｂとの間を貫通する貫通孔からなる収容部９４１
が形成されている。そして、その中には、ＩＣチップＩ
Ｃ１が配置され、固定用樹脂９４７により固定されてい
る。ＩＣチップＩＣ１のＩＣ端子ＩＣ１ｔは、基板裏面
９０５ｂに形成された配線層９１３に接続している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな配線基板９０１では、固定用樹脂９４７は、収容部
９４１に直に固着し、また、ＩＣチップＩＣ１も固定用
樹脂９４７に直に固着している。このように固定用樹脂
９４７が収容部９４１に直に固着していると、例えば、
配線基板９０１の製造過程においてコア基板９０５にし
み込んだ水分が、コア基板９０５を通じて固定用樹脂９
４７に浸透する場合がある。そうすると、固定用樹脂９
４７は加水分解などを生じてそれ自体が変質し、固定用
樹脂９４７の露出面を研磨する際に、強度不足により固
定用樹脂９４７の一部が剥離したり、あるいは、ビルド
アップ層を形成した後、熱サイクル試験などの信頼性試
験を受けた際に、固定用樹脂９４７にクラックを生じる
ことがある。その結果、ＩＣチップＩＣ１の気密性が低
下すると共に、ビルドアップ層等に悪影響を及ぼすこと
がある。また、固定用樹脂９４７を収容部９４１に直に
固着すると、これらの間で密着不良が生じやすく、熱サ
イクル試験などの信頼性試験を受けた際に固定用樹脂９
４７にクラックを生じることにより、上記と同様の問題
が生じ得る。また、ＩＣチップＩＣ１を固定用樹脂９４
７に直に固着する場合も、これらの間で密着不良を生じ
やすく、熱サイクル試験などの信頼性試験を受けた際に
固定用樹脂９４７にクラックを生じることにより、上記
と同様の問題が生じ得る。例えば、ＩＣチップＩＣ１の
ＩＣ端子ＩＣ１ｔと配線層９１３との間で接続不良や断
線などの不具合を招くことがある。

【０００４】本発明は、かかる現状に鑑みてなされたも
のであって、ＩＣチップを内蔵する配線基板において、
固定用樹脂にクラック等の不具合が生じるのを抑制し、
また、固定用樹脂の密着性を向上させるなど、信頼性の
高い配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、基板主面と基板裏面とを有する基板本体と、上
記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または上
記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる収
容部と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記
ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を
備える配線基板であって、上記基板本体における少なく
とも上記収容部の内面に、カップリング剤により形成さ
れた被膜を有し、上記固定用樹脂が上記被膜を介して上
記収容部に固着している配線基板である。

【０００６】本発明によれば、基板本体における少なく
とも収容部の内面に、カップリング剤により形成された
被膜を有する。そして、ＩＣチップを内蔵、固定するた
めの固定用樹脂がこの被膜を介して収容部に固着してい
る。このような被膜が介在すれば、基板本体から固定用
樹脂に水分が浸透しにくくなるため、固定用樹脂は変質
しにくく、固定用樹脂に剥離やクラックが生じにくくな
る。また、被膜を介することにより固定用樹脂と収容部
との密着性が向上し、固定用樹脂にクラックが生じにく
くなる。このため、ＩＣチップを収容部に気密性をもっ
て内蔵できると共に、基板本体上に設けるビルドアップ
層の形成にも支障を来さなくなる。従って、熱サイクル
試験などを受けても信頼性が高く、高性能化の要請に十
分に応えることが可能な配線基板とすることができる。

【０００７】なお、上記被膜は、厚さ約０．５μｍ以下
（但し０は含まず）であるのが望ましい。厚さを０．５
μｍ以下としたのは、これよりも厚くなると、この被膜
の表面にゼリー状の固まりが生じ、当該被膜による防水
作用や密着性が低下するためである。さらには、上記被
膜は、厚さ約０．２μｍ以下（但し０は含まず）である
のが望ましい。これにより、被膜の表面にゼリー状の固
まりがより生じにくくなり、より一層の密着性が得られ
るためである。また、上記被膜は、収容部の内面だけで
なく、基板本体の基板主面や基板裏面に形成されていて
もよい。なお、収容部の内面とは、収容部が貫通孔の場
合はその側面を、収容部が凹部の場合はその側面と底面
を指す。基板本体には、単層の絶縁層からなる形態の
他、複数の絶縁層とその層間に配置された導体層とから
なる多層基板とした形態なども含まれる。

【０００８】さらに、上記の配線基板であって、前記カ
ップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウ
ム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少な
くともいずれかからなる配線基板とすると良い。

【０００９】本発明によれば、カップリング剤は、チタ
ン系（チタネート系）カップリング剤、アルミニウム系
（アルミネート系）カップリング剤及びシラン系カップ
リング剤の少なくともいずれかからなる。このようなカ
ップリング剤により形成した被膜が介在すれば、収容部
と固定用樹脂との界面における水分不透過性及び両者の
結合を、一層確実にすることができる。

【００１０】チタン系カップリング剤には、γ−アミノ
プロピルトリメトキシチタン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシチタン、γ−アミノプロピルジメトキシメチル
チタン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシチタ
ン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシチタン、γ
−グリシドキシプロピルジメトキシメチルチタンなどが
含まれるが、これらに限るものではない。また、アルミ
ニウム系カップリング剤には、γ−アミノプロピルトリ
メトキシアルミニウム、γ−アミノプロピルトリエトキ
シアルミニウム、γ−アミノプロピルジメトキシメチル
アルミニウム、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
アルミニウム、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシ
アルミニウム、γ−グリシドキシプロピルジメトキシメ
チルアルミニウムなどが含まれるが、これらに限るもの
ではない。さらに、シラン系カップリング剤には、γ−
グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシ
ドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシ
プロピルジメトキシメチルシラン、γ−メルカブトプロ
ピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリ
メトキシシラン、γ−メルカブトプロピルジメトキシメ
チルシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプ
ロピルジメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメ
トキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラ
ン、Ｎ−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメ
トキシシラン、Ｎ一β−アミノエチル−γ−アミノプロ
ピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β−アミノエチル−
γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ
クロルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシ
シラン、γ−クロロプロピロルトリメトキシシラン、へ
キシルトリメトキシシランなどが含まれるが、これらに
限るものではない。

【００１１】また、他の解決手段は、基板主面と基板裏
面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との
間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏
面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内
蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内
に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板の製造方法
であって、上記基板本体における少なくとも上記収容部
の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形成する工程
と、上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチ
ップを配置する工程と、上記ＩＣチップが配置された上
記収容部内に、上記固定用樹脂を充填し硬化させる工程
と、を備える配線基板の製造方法である。

【００１２】本発明によれば、基板本体における少なく
とも収容部の内面に、カップリング剤を用いて被膜を形
成する工程と、この被膜が形成された収容部内に、ＩＣ
チップを配置する工程と、ＩＣチップが配置された収容
部内に、固定用樹脂を充填し硬化させる工程とを備え
る。従って、配線基板の基板本体における少なくとも収
容部の内面には、被膜が形成され、固定用樹脂がこの被
膜を介して収容部に固着する。このため、基板本体（収
容部）と固定用樹脂との間において、前述したように、
水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従
って、ＩＣチップを収容部内に気密性をもって内蔵でき
ると共に、基板本体上にビルドアップ層を支障を来さす
ことなく確実かつ強固に形成することが可能となる。よ
って、熱サイクル試験などを受けても信頼性が高く、配
線の高密度化や高性能化の要請に十分に応える配線基板
を提供することが可能となる。

【００１３】なお、カップリング剤には、予め加水分解
処理や、更に進んで縮合反応をしておくのが望ましい。
これらの処理により、上記被膜をより短時間に形成する
ことができる。その上、固定用樹脂との密着力を一層向
上させることができ、また、上記被膜が高分子量化ある
いは３次元化するため、密着力の向上効果が長時間にわ
たって得られる。また、カップリング剤を分散させるた
めの分散媒には、一般に、水、エタノール、メタノー
ル、イソプロピルアルコールなどのアルコール類を単独
または混合して用いる。また、カップリング剤は、その
カップリング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましく
は１〜５wt％の濃度とすることが良い。

【００１４】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記カップリング剤として、チタン系カップリング
剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップ
リング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤
を用いる配線基板の製造方法の製造方法とすると良い。

【００１５】本発明によれば、前記のカップリング剤と
して、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップ
リング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいず
れかからなるカップリング剤を用いる。このようなカッ
プリング剤を使用すれば、基板本体（収容部）と固定用
樹脂との界面における両者の結合を一層強固に成さし
め、かつ、水分不透過性を確実に与えることが可能とな
る。なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カ
ップリング剤及びシラン系カップリング剤については、
前述した通りである。

【００１６】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子
中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt
％以下としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製
造方法とすると良い。

【００１７】本発明によれば、カップリング剤として、
分子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を
５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる。このよ
うなカップリング剤を使用すれば、水分が基板本体から
固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用樹脂の
変質や、それに起因する固定用樹脂の剥離及びクラック
の発生を確実に予防することができる。なお、有機官能
基に親水性を与える親水基には、例えば、ヒドロキシル
基、エポキシ基、カルボキシル基、無水カルボン酸、ア
ミノ基、スルホン基が挙げられる。このような親水基を
含む有機官能基を有するカップリング剤が上記のように
５wt％を越えると、水分が基板本体から固定用樹脂へ浸
透する可能性があるため、かかる範囲を除外したもので
ある。

【００１８】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子
中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０
wt％以上としてなるカップリング剤を用いる配線基板の
製造方法とすると良い。

【００１９】本発明によれば、前記カップリング剤とし
て、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング
剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる。
このようなカップリング剤を使用すれば、水分が基板本
体から固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用
樹脂の変質や、それに起因する固定用樹脂の剥離及びク
ラックの発生を確実に予防することができる。なお、疎
水性の有機官能基としては、例えば、上述の親水基を含
まないアルキル基、ハロゲン化アルキル基などが挙げら
れる。このような疎水性の有機官能基を有するカップリ
ング剤が上記のように２０wt％未満になると、やはり水
分が基板本体から固定用樹脂へ浸透可能となり始めるた
め、かかる範囲を除外したものである。

【００２０】また、他の解決手段は、基板主面と基板裏
面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との
間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏
面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内
蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内
に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板であって、
上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤により形成さ
れた被膜を有し、上記ＩＣチップが上記被膜を介して上
記固定用樹脂に固着している配線基板である。

【００２１】本発明によれば、ＩＣチップの表面に、カ
ップリング剤により形成された被膜を有する。そして、
ＩＣチップがこの被膜を介して固定用樹脂に固着してい
る。このような被膜が介在すれば、ＩＣチップと固定用
樹脂とは、ＩＣチップの表面の被膜と固定用樹脂とのカ
ップリング作用により、無機物であるＩＣチップの表面
とこれを埋設する有機物である固定用樹脂との密着性が
向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けても、
ＩＣチップを気密性を確保できると共に、ＩＣチップと
配線層との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が
得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十
分に応えることが可能な配線基板とすることができる。

【００２２】なお、上記被膜は、厚さ約０．５μｍ以下
（但し０は含まず）であるのが望ましい。厚さを０．５
μｍ以下としたのは、これよりも厚くなると、この被膜
の表面にゼリー状の固まりが生じ、当該被膜による密着
性などが低下するためである。さらには、上記被膜は、
厚さ約０．２μｍ以下（但し０は含まず）であるのが望
ましい。これにより、被膜の表面にゼリー状の固まりが
生じにくくなり、より一層の密着性が得られるためであ
る。また、基板本体には、前述したように、単層の絶縁
層からなるものの他、多層基板とした形態も含まれる。

【００２３】さらに、上記の配線基板であって、前記カ
ップリング剤は、チタン系カップリング剤、アルミニウ
ム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤の少な
くともいずれかからなる配線基板とすると良い。

【００２４】本発明によれば、カップリング剤は、チタ
ン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及
びシラン系カップリング剤の少なくともいずれかからな
る。このようなカップリング剤により形成した被膜が介
在すれば、ＩＣチップと固定用樹脂が一層確実に密着す
る。なお、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カ
ップリング剤及びシラン系カップリング剤については、
前述した通りである。

【００２５】また、他の解決手段は、基板主面と基板裏
面とを有する基板本体と、上記基板主面と基板裏面との
間を貫通する貫通孔または上記基板主面若しくは基板裏
面に開口する凹部からなる収容部と、上記収容部内に内
蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチップを上記収容部内
に固定する固定用樹脂と、を備える配線基板の製造方法
であって、上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を
用いて被膜を形成する工程と、上記被膜が形成された上
記ＩＣチップを、上記基板本体の収容部内に配置する工
程と、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上
記固定用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備える配線
基板の製造方法である。

【００２６】本発明によれば、ＩＣチップの表面に、カ
ップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、この被膜
が形成されたＩＣチップを、基板本体の収容部内に配置
する工程と、ＩＣチップが配置された収容部内に、固定
用樹脂を充填し硬化させる工程とを備える。従って、固
定用樹脂で固着した際、カップリング作用が働いて、Ｉ
Ｃチップの表面とこれを埋設する固定用樹脂との密着性
が向上する。その結果、熱サイクル試験などを受けて
も、ＩＣチップと内部の配線層との間で接続不良が生じ
にくく、安定した導通が得られる。従って、信頼性が高
く、高性能化の要請に十分に応えることが可能な配線基
板を提供することができる。

【００２７】なお、カップリング剤には、前述したよう
に、予め加水分解処理や、更に進んで縮合反応をしてお
くのが望ましい。また、カップリング剤は、前述したよ
うに、分散媒により希釈して使用するのが好ましい。

【００２８】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記カップリング剤として、チタン系カップリング
剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップ
リング剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤
を用いる配線基板の製造方法とすると良い。

【００２９】本発明によれば、前記のカップリング剤と
して、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップ
リング剤及びシラン系カップリング剤の少なくともいず
れかからなるカップリング剤を用いる。このようなカッ
プリング剤を使用すれば、前記カップリング作用を一層
確実に生じさせ、ＩＣチップと固定用樹脂を一層確実に
密着させることができる。なお、チタン系カップリング
剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップ
リング剤については、前述した通りである。

【００３０】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子
中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt
％以下としてなるカップリング剤を用いる配線基板の製
造方法とすると良い。

【００３１】本発明によれば、前記のカップリング剤と
して、分子中に親水性の有機官能基を有するカップリン
グ剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用いる。
このようなカップリング剤を使用すれば、被膜にはポリ
イミドのような吸湿性の成分が少ないため、被膜を介し
て水分が固定用樹脂に一層浸透しにくくなる。このた
め、かかる固定用樹脂自体が加水分解してカルボン酸な
どに変質したり、これに起因する固定用樹脂の剥離及び
クラックの発生を確実に予防することができる。しか
も、被膜の吸水性が低い（防水性が高い）ため、ＩＣチ
ップのＩＣ端子の溶出（マイグレーション）を防止し、
かつ、ＩＣ端子間における短絡を防ぐこともできる。な
お、親水基については、前述した通りである。

【００３２】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
の製造方法であって、前記カップリング剤として、分子
中に疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０
wt％以上としてなるカップリング剤を用いる配線基板の
製造方法とすると良い。

【００３３】本発明によれば、前記カップリング剤とし
て、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング
剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いる。
このようなカップリング剤を使用すれば、被膜を介して
水分が固定用樹脂に一層浸透しにくくなるため、固定用
樹脂の変質や、これによる固定用樹脂の剥離及びクラッ
クの発生を確実に予防することができる。その上、ＩＣ
チップのＩＣ端子の溶出（マイグレーション）を防止
し、かつ、ＩＣ端子間における短絡を防ぐこともでき
る。なお、疎水性の有機官能基については、前述した通
りである。

【００３４】

【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態１
の配線基板１０１の簡略化した断面図を図１に示す。こ
の配線基板１０１は、コア基板（基板本体）１０５と、
その基板主面１０５ａ側及び基板裏面１０５ｂ側に形成
された配線層１０７，１０９，１１１，１１３，１１
５，１１７及び絶縁層１２１，１２３，１２５，１２
７，１２９，１３１からなるビルドアップ層とを有する
多層配線基板である。

【００３５】コア基板１０５は、平面視略矩形（平面視
略正方形）で厚さ約０．８ｍｍのビスマレイミド・トリ
アジン（ＢＴ）樹脂からなり、その中央部をパンチング
することにより、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂ
との間を貫通し平面視略矩形（平面視略正方形）で一辺
が約１２ｍｍの貫通孔からなる収容部１４１が穿孔され
ている。この収容部１４１の内面１４１ｓ（４つの側
面）には、厚さ約０．１μｍのカップリング剤により形
成された被膜１４２が被覆されている。このカップリン
グ剤には、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カ
ップリング剤及びシラン系カップリング剤の少なくとも
いずれかからなるものが用いられる。また、分子中に親
水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下
としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有す
るカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップリン
グ剤が用いられる。シラン系カップリング剤の混合物を
用いる場合、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメ
トキシシランとへキシルトリメトキシシランとの混合物
（重量比１：２０）を用いる。この場合、親水性の有機
官能基を有するカップリング剤は約４．８wt％で、疎水
性の有機官能基を有するカップリング剤は約９５．２wt
％となる。このようなカップリング剤により形成された
被膜１４２があると、収容部１４１と後述する固定用樹
脂１４７との密着性が高められ、かつ、収容部１４１と
固定用樹脂１４７との間の防水性も高められる。

【００３６】被膜１４２が被覆された収容部１４１に
は、ＩＣチップＩＣ２が内蔵され、シリカフィラーなど
の無機フィラーを含むエポキシ系の樹脂エポキシ樹脂等
からなる固定用樹脂１４７により固定されている。即
ち、固定用樹脂１４７は、収容部１４１の内面１４１ｓ
の被膜１４２を介して収容部１４１に固着している。Ｉ
ＣチップＩＣ２は、ＩＣ端子ＩＣ２ｔが配置された端子
面ＩＣ２ｍを基板裏面１０５ｂ側に向けてコア基板１０
５内に内蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面に
も、厚さ約０．１μｍのカップリング剤により形成され
た被膜１４６が被覆されている。従って、ＩＣチップＩ
Ｃ２は、この被膜１４６を介して固定用樹脂１４７に固
着している。このカップリング剤も、チタン系カップリ
ング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カ
ップリング剤の少なくともいずれかからなるものが用い
られる。また、分子中に親水性の有機官能基を有するカ
ップリング剤を５wt％以下としてなり、かつ、分子中に
疎水性の有機官能基を有するカップリング剤を２０wt％
以上としてなるカップリング剤が用いられる。シラン系
カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、上記と
同様に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
とへキシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：
２０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有す
るカップリング剤は約４．８wt％で、疎水性の有機官能
基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。こ
のようなカップリング剤により形成された被膜１４６が
あると、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との密着
性が高められ、かつ、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１
４７との間の防水性も高められる。

【００３７】また、収容部１４１の周囲には、基板主面
１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間を貫通するスルーホ
ール１４３が多数形成され、各スルーホール１４３に
は、Ｃｕメッキからなるスルーホール導体１４４及びエ
ポキシ樹脂等からなる充填用樹脂１４５が形成されてい
る。なお、この充填樹脂１４５に替えて、多量の金属粉
末を含んだ導電性樹脂や、微量の金属粉末を含んだ非導
電性樹脂などを用いてもよい。

【００３８】コア基板１０５の基板主面１０５ａ上に
は、Ｃｕメッキからなり、スルーホール導体１４４と接
続する配線層１０７と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１
２１とが形成されている。この絶縁層１２１の所定の位
置には、配線層１０７に接続するフィルドビア導体１５
１が多数形成されている。同様にして、絶縁層１２１上
には、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５１と
接続する配線層１０９と、エポキシ樹脂からなる絶縁層
１２３とが形成されている。この絶縁層１２３の所定の
位置にも、配線層１０９に接続するフィルドビア導体１
５３が多数形成されている。さらに、絶縁層１２３上に
は、Ｃｕメッキからなり、フィルドビア導体１５３と接
続する配線層１１１と、エポキシ樹脂からなるソルダー
レジスト層（絶縁層）１２５とが形成されている。そし
て、この配線層１１１上には、ソルダーレジスト層１２
５を貫通し配線基板１０１の主面１０１ａよりも高く突
出するハンダバンプ（図示しない）が複数形成されてい
る。これらのハンダバンプは、追って主面１０１ａ上に
搭載されるチップコンデンサ（電子部品）（図示しな
い）の端子と個別に接続される。

【００３９】一方、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂ
上にも、Ｃｕメッキからなり、スルーホール導体１４４
やＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔと接続する配線
層１１３と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２７とが形
成されている。この絶縁層１２７の所定の位置には、配
線層１１３に接続するフィルドビア導体１５７が多数形
成されている。同様にして、絶縁層１２７上には、Ｃｕ
メッキからなり、フィルドビア導体１５７と接続する配
線層１１５と、エポキシ樹脂からなる絶縁層１２９とが
形成されている。この絶縁層１２９の所定の位置にも、
配線層１１５に接続するフィルドビア導体１５９が多数
形成されている。さらに、絶縁層１２９上には、Ｃｕメ
ッキからなり、フィルドビア導体１５９と接続する配線
層１１７と、エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層
（絶縁層）１３１とが形成されている。そして、この配
線層１１７上には、ソルダーレジスト層１３１を貫通し
配線基板１０１の裏面１０１ｂよりも高く突出するハン
ダバンプ１６１が複数形成されている。これらのハンダ
バンプ１６１は、追って裏面１０１ｂ上に搭載されるチ
ップコンデンサ（電子部品）ＣＣの端子と個別に接続さ
れる。また、この配線層１１７上には、ハンダにより複
数のピン（図示しない）が立設されている。これらのピ
ンは、この配線基板１０１自体を搭載するプリント基板
などのマザーボード（図示しない）との接続端子にな
る。

【００４０】尚、上述した配線層１０７，１０９，１１
１，１１３，１１５，１１７、絶縁層１２１，１２３，
１２５，１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビア
導体１５１，１５３，１５７，１５９は、公知のビルド
アップ技術(セミアディテイブ法、フルアディテイブ
法、サブトラクティブ法、フォトリソグラフイ技術、レ
ーザ加工によるビアホールの穿孔等)により形成され
る。

【００４１】このような配線基板１０１は、収容部１４
１の内面１４１ｓにカップリング剤により形成された被
膜１４２により、収容部１４１と固定用樹脂１４７との
間において、水分不透過性及び高い密着性が得られる。
特に、カップリング剤に、チタン系カップリング剤、ア
ルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング
剤の少なくともいずれかからなり、さらに、分子中に親
水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt％以下
としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基を有す
るカップリング剤を２０wt％以上としてなるものが用い
られるので、高い水分不透過性及び高い密着性が得られ
る。このため、スルーホール導体１４４や配線層１０
７，１１３等を形成する際におけるＣｕメッキ時のメッ
キ液中の水分や、収容部１４１の内面１４１ｓのデスミ
ア処理（例えば、過マンガン酸カリウム溶液による）時
の処理液中の水分がコア基板１０５に浸透しても、この
水分は、被膜１４２が介在することにより、固定用樹脂
１４７には浸透しない。

【００４２】この結果、固定用樹脂１４７の変質を防止
し、ＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に気密性をもっ
て内蔵できると共に、コア基板１０５上に設けるビルド
アップ層を支障を来すことなく確実かつ強固に形成でき
る。このため、配線基板１０１を高温高湿度環境下に置
く不飽和型超加速寿命試験（温度１３１℃、相対湿度８
５％、気圧２１３ｋＰａ＝２．１ａｔｍ、印加電圧１．
８Ｖの高温高湿度高気圧中での負荷試験、試験時間：１
００時間、以下ＨＡＳＴテストと称する）を行っても、
固定用樹脂１４７中のクラックや絶縁層間に隙間ができ
るデラミネーションの発生を確実に防止できる。従っ
て、この配線基板１０１は、ＨＡＳＴテストを受けても
信頼性が高く、配線の高密度化及び高性能化の要請に十
分に応えられる。

【００４３】また、この配線基板１０１は、ＩＣチップ
ＩＣ２の表面にカップリング剤により形成された被膜１
４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との
間においても、高い密着性及び水分不透過性が得られ
る。特に、カップリング剤に、チタン系カップリング
剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップ
リング剤の少なくともいずれかからなり、さらに、分子
中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５wt
％以下としてなり、かつ、分子中に疎水性の有機官能基
を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるもの
が用いられるので、高い水分不透過性及び高い密着性が
得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ
２ｔと配線層１１３との接続部分が断線しにくく、安定
した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行っ
ても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が
防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止する
こともできる。

【００４４】次いで、上記配線基板１０１の製造方法に
おける主要な工程について説明する。まず、図２に示す
ように、基板主面１０５ａ及び基板裏面１０５ｂを有す
る厚さ０．８ｍｍのＢＴ樹脂からなるコア基板１０５を
用意し、これにパンチングを施す。その結果、図３に示
すように、基板主面１０５ａと基板裏面１０５ｂとの間
を貫通し平面視略矩形状（平面視略正方形状）で一辺が
約１２ｍｍの貫通孔からなる収容部１４１が穿孔され
る。

【００４５】次に、図４に示すように、収容部１４１の
内面１４１ｓ（４つの側面）に、カップリング剤により
厚さ約０．１μｍの被膜１４２を形成する。具体的に
は、カップリング剤をエタノールに溶解したカップリン
グ処理液中に、収容部１４１が形成されたコア基板１０
５を浸漬し、浸漬後に１００℃で約１時間にわたり加熱
して乾燥することにより溶媒を除去する。その後、エタ
ノールによって洗浄し、所望の厚みの被膜を得る。さら
に、１２０℃で約１時間にわたり加熱することにより、
カップリング剤を硬化させる。なお、図４中に二点鎖線
で示すように、コア基板１０５の基板主面１０５ａと基
板裏面１０５ｂにも同時にカップリング剤による被膜を
形成しても良い。

【００４６】ここで、カップリング剤は、チタン系カッ
プリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン
系カップリング剤の少なくともいずれかからなり、親水
性の有機官能基を有するカップリング剤が５wt％以下
で、かつ、疎水性の有機官能基を有するカップリング剤
が２０wt％以上になるように予め設定されている。シラ
ン系カップリング剤の混合物を用いる場合、例えば、γ
一グリシドキシプロピルトリメトキシシランとヘキシル
トリメトキシシランとの混合物（重量比１：２０）を用
いる。この場合、親水性の有機官能基を有するカップリ
ング剤は約４．８wt％となり、疎水基の有機官能基を有
するカップリング剤は約９５．２wt％となる。なお、カ
ップリング剤を分散させるための分散媒には、例えば、
水、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール
などのアルコール類を単独または混合して用いる。ま
た、カップリング剤は、カップリング処理液中で、０．
５〜１０wt％、望ましくは１〜５wt％の濃度とすること
がよい。

【００４７】次に、図５に示すように、コア基板１０５
の基板裏面１０５ｂ側に、コア基板１０５を含むパネル
(多数個取りの基板)における多数のコア基板１０５に跨
って、テープＴを貼り付ける。このテープＴの粘着面
は、収容部１４１側に向いている。その後、収容部１４
１内にＩＣチップＩＣ２を図示しないチップマウンタに
より挿入し、かつ、ＩＣチップＩＣ２の端子面ＩＣ２ｍ
側を上記テープＴの粘着面に接着させる。

【００４８】配置するＩＣチップＩＣ２の表面には、予
めカップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１４６
を形成しておく。具体的には、上述したように、カップ
リング剤をエタノールに溶解したカップリング処理液中
に、ＩＣチップＩＣ２を浸漬し、浸漬後に１００℃で約
１時間にわたり加熱して乾燥することにより溶媒を除去
する。その後、エタノールによって洗浄し、所望の厚み
の被膜を得る。さらに、１２０℃で約１時間にわたり加
熱することにより、カップリング剤を硬化させる。

【００４９】カップリング剤は、チタン系カップリング
剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップ
リング剤の少なくともいずれかからなり、親水性の有機
官能基を有するカップリング剤が５wt％以下で、かつ、
疎水性の有機官能基を有するカップリング剤が２０wt％
以上になるように予め設定されている。シラン系カップ
リング剤の混合物を用いる場合、例えば、上記と同様
に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとヘ
キシルトリメトキシシランとの混合物（重量比１：２
０）を用いる。この場合、親水性の有機官能基を有する
カップリング剤は約４．８wt％となり、疎水性の有機官
能基を有するカップリング剤は約９５．２wt％となる。
なお、カップリング剤を分散させための分散媒について
も、上記と同様に、例えば、水やアルコール類を単独ま
たは混合して用いる。また、カップリング剤は、カップ
リング処理液中で、０．５〜１０wt％、望ましくは１〜
５wt％の濃度とすることがよい。

【００５０】次に、図６に示すように、基板主面１０５
ａ側から収容部１４１内に、液状エポキシ樹脂からなる
固定用樹脂１４７を図示しないディスペンサを用いて充
填する。この固定用樹脂１４７には、例えば、ビスフェ
ノール型エポキシ樹脂が用いられ、必要に応じてシリカ
フィラーなどの無機フィラーや液状硬化剤が添加され
る。固定用樹脂１４７を収容部１４１内に充填した後、
このコア基板１０５を１１０〜１８０℃に加熱すること
により、エポキシ樹脂は硬化した樹脂となる。かかる固
定用樹脂１４７は、カップリング剤により形成された被
膜１４２を介して、コア基板１０５（収容部１４１）に
強固に固着する。しかも、この被膜１４２により、固定
用樹脂１４７とコア基板１０５との間で水分不透過性を
付与される。また、ＩＣチップＩＣ２は、カップリング
剤により形成された被膜１４６を介して、固定用樹脂１
４７に強固に固着する。しかも、この被膜１４６によ
り、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７との間で水分
不透過性を付与される。

【００５１】その後、固定用樹脂１４７の盛り上がった
露出面に対し、ベルトサンダによる研磨及びラップ研磨
による仕上げ研磨を施して平坦に整面する。この結果、
図７に示すように、基板主面１０５ａ側が平坦面とな
る。この際、カップリング剤により形成された被膜１４
２によってコア基板１０５に含まれる水分が固定用樹脂
１４７に入り込むことはなく、かかる固定用樹脂１４７
は変質していないため、研磨圧力を受けても固定用樹脂
１４７の一部が剥離することは殆ど生じない。なお、上
記テープＴを剥離し、基板裏面１０５ｂ側の固定用樹脂
１４７の露出面についても、同様に、研磨して整面し平
坦面としておくのが好ましい。

【００５２】この後は、公知のフォトリソグラフィー技
術等を利用して、コア基板１０５にスルーホール導体１
４４を形成すると共に、基板主面１０５ａ及び基板裏面
１０５ｂに配線層１０７，１１３を形成する。そしてさ
らに、絶縁層１２１，１２３，１２５，１２７，１２
９，１３１、配線層１０９，１１１，１１５，１１７、
及び、フィルドビア導体１５１，１５３，１５７，１５
９を公知のビルドアップ技術により形成する。これによ
り、上述した配線基板１０１を得ることができる。

【００５３】以上のような製造方法によれば、コア基板
１０５の収容部１４１の内面１４１ｓには、被膜１４２
が形成され、固定用樹脂１４７がこの被膜１４２を介し
て収容部１４１に固着する。このため、コア基板１０５
（収容部１４１）と固定用樹脂１４７との間において、
水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従
って、ＩＣチップＩＣ２を収容部１４１内に気密性をも
って内蔵できると共に、コア基板１０５上にビルドアッ
プ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成するこ
とが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けて
も信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十
分に応える配線基板を提供することが可能となる。

【００５４】特に、カップリング剤として、チタン系カ
ップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシラ
ン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカッ
プリング剤を用いるので、コア基板１０５（収容部１４
１）と固定用樹脂１４７との界面における両者の結合を
一層強固に成さしめ、かつ、水分不透過性を確実に与え
ることが可能となる。また、カップリング剤として、分
子中に親水性の有機官能基を有するカップリング剤を５
wt％以下としてなるカップリング剤を用いるので、水分
がコア基板１０５から固定用樹脂１４７に一層浸透しに
くくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、それに起因
する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実
に予防することができる。また、カップリング剤とし
て、分子中に疎水性の有機官能基を有するカップリング
剤を２０wt％以上としてなるカップリング剤を用いるの
で、水分がコア基板１０５から固定用樹脂１４７に一層
浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、そ
れに起因する固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発
生を確実に予防することができる。

【００５５】また、上記の製造方法によれば、固定用樹
脂１４７で固着した際、カップリング作用が働いて、Ｉ
ＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する固定用樹脂１４
７との密着性が向上する。その結果、熱サイクル試験な
どを受けても、ＩＣチップＩＣ２と内部の配線層１１３
との間で接続不良が生じにくく、安定した導通が得られ
る。従って、信頼性が高く、高性能化の要請に十分に応
えることが可能な配線基板を提供することができる。

【００５６】さらに、カップリング剤として、チタン系
カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤及びシ
ラン系カップリング剤の少なくともいずれかからなるカ
ップリング剤を用いるので、カップリング作用を一層確
実に生じさせ、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７を
一層確実に密着させることができる。また、カップリン
グ剤として、分子中に親水性の有機官能基を有するカッ
プリング剤を５wt％以下としてなるカップリング剤を用
いるので、被膜１４６にはポリイミドのような吸湿性の
成分が少ないため、水分が固定用樹脂１４７に一層浸透
しにくくなる。このため、かかる樹脂自体が加水分解し
てカルボン酸などに変質したり、これに起因する固定用
樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を確実に予防する
ことができる。しかも、被膜１４６の吸水性が低い（防
水性が高い）ため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２
ｔの溶出（マイグレーション）を防止し、かつ、ＩＣ端
子ＩＣ２ｔ間における短絡を防ぐこともできる。また、
カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能基を
有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカップ
リング剤を用いるので、水分が固定用樹脂１４７に一層
浸透しにくくなるため、固定用樹脂１４７の変質や、こ
れによる固定用樹脂１４７の剥離及びクラックの発生を
確実に予防することができる。その上、ＩＣチップＩＣ
のＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）を防止
し、かつ、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間における短絡を防ぐこと
もできる。

【００５７】（実施形態２）次いで、第２の実施の形態
について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分
の説明は、省略または簡略化する。本実施形態２の配線
基板２０１の簡略化した縦断面図を図８に示す。この配
線基板２０１のコア基板（基板本体）２０５には、その
基板裏面２０５ｂ側に開口し平面視略矩形状（平面視略
正方形状）で一辺が約１２ｍｍの凹部からなる収容部２
４１が、ルータ加工により形成されている。かかる収容
部２４１の内面２４１ｓ（各側面及び底面）には、前記
同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜２
４２が形成されている。

【００５８】そして、収容部２４１内には、前記同様の
ＩＣチップＩＣ２が端子面ＩＣ２ｍを基板裏面２０５ｂ
側に向けて配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂２４
７中に埋設されることにより、コア基板２０５に内蔵さ
れている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様
の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６
が形成されている。収容部２４１の周囲には、前記と同
様、スルーホール１４３にスルーホール導体１４４及び
充填用樹脂１４５が形成されている。

【００５９】コア基板２０５の基板主面２０５ａ上に
は、前記と同様に、配線層１０７，１０９，１１１、絶
縁層１２１，１２３，１２５、及び、フィルドビア導体
１５１，１５３などが形成されている。また、コア基板
２０５の基板裏面２０５ｂ上にも、前記と同様に、配線
層１１３，１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１
３１、及び、フィルドビア導体１５７，１５９などが形
成されている。

【００６０】このような配線基板２０１も、カップリン
グ剤により形成された被膜２４２により、コア基板２０
５と収容部２４１に充填された固定用樹脂２４７との間
において、高い水分不透過性及び高い密着性が得られ
る。このため、配線基板２０１の製造時に水分がコア基
板２０５に浸透しても、この被膜２４２により収容部２
４１内の固定用樹脂２４７には浸透しない。その結果、
ＩＣチップＩＣ２を収容部２４１内に気密性をもって内
蔵できると共に、コア基板２０５の基板主面２０５ａや
基板裏面２０５ｂにビルドアップ層を支障を来さすこと
なく確実かつ強固に形成される。このため、配線基板２
０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹脂２４７などの
クラックや絶縁層間のデラミネーションが生じにくくな
り、信頼性の高い配線基板とすることができる。従っ
て、この配線基板２０１は、信頼性が高いと共に、配線
の高密度化及び高性能化の要請に十分に応えることが可
能となる。

【００６１】また、カップリング剤により形成された被
膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂１４７
との間においても、高い密着性及び高い水分不透過性が
得られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ
２ｔと配線層１１３との接続部分が断線しにく、安定し
た導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試験を行って
も、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーション）が防
止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を防止するこ
ともできる。その他、上記実施形態１と同様な部分は、
同様な効果を奏する。

【００６２】次いで、上記配線基板２０１の製造方法に
おける主要な工程について説明する。まず、コア基板２
０５を用意し、ルータ加工により基板裏面２０５ｂ側に
開口する凹部からなる収容部２４１を形成する。次に、
前記と同様にして、収容部２４１の内面２４１ｓ（４つ
の側面と底面）に、カップリング剤により厚さ約０．１
μｍの被膜２４２を形成する。また、前記と同様にし
て、ＩＣチップＩＣ２の表面に、カップリング剤により
厚さ約０．１μｍの被膜１４６を形成する。

【００６３】次に、収容部２４１内にＩＣチップＩＣ２
を配置して、前記と同様の固定用樹脂２４７を充填し固
化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂２４７の
露出面を平坦に整面する。この後は、公知のフォトリソ
グラフィー技術等を利用して、スルーホール導体１４４
及び配線層１０７，１１３を形成し、さらに、絶縁層１
２１，１２３，１２５，１２７，１２９，１３１、配線
層１０９，１１１，１１５，１１７、及び、フィルドビ
ア導体１５１，１５３，１５７，１５９を形成する。こ
れにより、上述した配線基板２０１を得ることができ
る。

【００６４】このような製造方法においても、前記と同
様に、コア基板２０５の収容部２４１の内面２４１ｓに
は、被膜２４２が形成され、固定用樹脂２４７がこの被
膜２４２を介して収容部２４１に固着する。このため、
収容部２４１と固定用樹脂２４７との間において、高い
水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従
って、ＩＣチップＩＣ２を収容部２４１内に気密性をも
って内蔵できると共に、コア基板２０５上にビルドアッ
プ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成するこ
とが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けて
も信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十
分に応える配線基板を提供することが可能となる。

【００６５】また、上記の製造方法によれば、前記と同
様に、固定用樹脂２４７で固着した際、カップリング作
用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する
固定用樹脂２４７との密着性が向上する。その結果、熱
サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２と内部
の配線層１１３との間で接続不良が生じにくく、安定し
た導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能化の
要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供するこ
とができる。その他、上記実施形態１と同様な部分は、
同様な効果を奏する。

【００６６】（実施形態３）次いで、第３の実施の形態
について説明する。なお、上記各実施形態１，２のいず
れかと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態３の配線基板３０１の簡略化した縦断面図を図
９に示す。この配線基板３０１のコア基板（基板本体）
３０５には、その基板主面３０５ａ側に開口し平面視略
矩形状（平面視略正方形状）で一辺が約１２ｍｍの凹部
からなる収容部３４１が、ルータ加工により形成されて
いる。かかる収容部３４１の内面３１ｓ（各側面及び底
面）には、前記同様の厚さ約０．１μｍのカップリング
剤から形成された被膜３４２が被覆されている。

【００６７】そして、この収容部３４１内には、前記同
様のＩＣチップＩＣ２が端子面ＩＣ２ｍを基板裏面３０
５ｂ側に向けて配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂
３４７中に埋設されることにより、コア基板３０５に内
蔵されている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記
同様の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１
４６が形成されている。

【００６８】また、コア基板３０５のうち、収容部３４
１の底部には、収容部３４１の底面３４１ｔと基板裏面
３０５ｂとの間を貫通するスルーホール３４３が多数形
成され、各スルーホール３４３には、ＩＣチップＩＣ２
のＩＣ端子ＩＣ２ｔとそれぞれ接続するスルーホール導
体３４４が形成され、さらにその内部には、充填用樹脂
３４５が形成されている。また、この配線基板３０１
は、コア基板３０５の基板主面３０５ａ上にはビルドア
ップ層が形成されていない。一方、コア基板３０５の基
板裏面３０５ｂ上には、前記と同様に、配線層１１３，
１１５，１１７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及
び、フィルドビア導体１５７，１５９などのビルドアッ
プ層が形成されている。

【００６９】このような配線基板３０１も、カップリン
グ剤により形成された被膜３４２により、コア基板３０
５と収容部３４１に充填された固定用樹脂３４７との間
において、高い水分不透過性及び高い密着性が得られ
る。このため、配線基板３０１の製造時に水分がコア基
板３０５に浸透しても、この被膜３４２により収容部３
４１内の固定用樹脂３４７には浸透しない。その結果、
ＩＣチップＩＣ２を収容部３４１内に気密性をもって内
蔵できると共に、コア基板３０５の基板裏面３０５ｂに
ビルドアップ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に
形成される。このため、配線基板３０１をＨＡＳＴテス
トしても、固定用樹脂３４７のクラックや絶縁層間のデ
ラミネーションが生じにくくなり、信頼性の高い配線基
板とすることができる。従って、この配線基板３０１
は、信頼性が高いと共に、配線の高密度化及び高性能化
の要請に十分に応えることが可能となる。

【００７０】さらに、カップリング剤により形成された
被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂３４
７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得
られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２
ｔとスルーホール導体３４４との接続部分が断線しに
く、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試
験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーシ
ョン）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を
防止することもできる。その他、上記実施形態１等と同
様な部分は、同様な効果を奏する。

【００７１】次いで、上記配線基板３０１の製造方法に
おける主要な工程について説明する。まず、コア基板３
０５を用意し、ルータ加工により基板主面３０５ａ側に
開口する凹部からなる収容部３４１を形成する。その
後、収容部３４１の底部に公知の手法によりスルーホー
ル導体３４４等を形成する。次に、前記と同様にして、
収容部３４１の内面３４１ｓ（４つの側面と底面）に、
カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜３４２を
形成する。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２
の表面にも、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの
被膜１４６を形成する。

【００７２】次に、収容部３４１内にＩＣチップＩＣ２
を配置して、前記と同様の固定用樹脂３４７を充填し固
化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂３４７の
露出面を平坦に整面する。この後は、公知のフォトリソ
グラフィー技術等を利用して、絶縁層１２７，１２９，
１３１、配線層１１５，１１７、及び、フィルドビア導
体１５７，１５９を形成する。これにより、上述した配
線基板３０１を得ることができる。

【００７３】このような製造方法においても、前記と同
様に、コア基板３０５の収容部３４１の内面３４１ｓに
は、被膜３４２が形成され、固定用樹脂３４７がこの被
膜３４２を介して収容部３４１に固着する。このため、
収容部３４１と固定用樹脂３４７との間において、高い
水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従
って、ＩＣチップＩＣ２を収容部３４１内に気密性をも
って内蔵できると共に、コア基板３０５上にビルドアッ
プ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成するこ
とが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けて
も信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十
分に応える配線基板を提供することが可能となる。

【００７４】また、上記の製造方法によれば、前記と同
様に、固定用樹脂３４７で固着した際、カップリング作
用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する
固定用樹脂３４７との密着性が向上する。その結果、熱
サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２とスル
ーホール導体３４４との間で接続不良が生じにくく、安
定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能
化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供す
ることができる。その他、上記実施形態１等と同様な部
分は、同様な効果を奏する。

【００７５】（実施形態４）次いで、第４の実施形態に
ついて説明する。なお、上記各実施形態１〜３のいずれ
かと同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本実
施形態４の配線基板４０１の簡略化した縦断面図を図１
０に示す。この配線基板４０１のコア基板（基板本体）
４０５は、前記同様の材質からなり厚みが約２５０μｍ
で比較的薄肉の第１絶縁基板４０５ｅと、厚みが約５０
０μｍで比較的厚肉の第２絶縁基板４０５ｆとが積層さ
れた多層基板である。

【００７６】コア基板４０５の第２絶縁基板４０５ｆに
は、基板主面４０５ａ側に開口する前記同様の凹部から
なる収容部４４１が穿設されている。この収容部４４１
は、第２絶縁基板４０５ｆに予め穿孔した同じ寸法の貫
通孔を活用することによって形成したり、第１絶縁基板
４０５ｅと接着した後でルータ加工または切り欠き加工
により形成することができる。かかる収容部４４１の内
面４４１ｓ（各側面及び底面）にも、前記同様の厚さ約
０．１μｍのカップリング剤による被膜４４２が形成さ
れている。

【００７７】収容部４４１内には、前記同様のＩＣチッ
プＩＣ２が配置され、かつ、前記同様の固定用樹脂４４
７中に埋設されることにより、コア基板４０５に内蔵さ
れている。このＩＣチップＩＣ２の表面にも、前記同様
の厚さ約０．１μｍのカップリング剤による被膜１４６
が形成されている。コア基板４０５のうち、収容部４４
１の底部には、収容部４４１の底面４４１ｔと基板裏面
４０５ｂとの間を貫通する（第１絶縁基板４０５ｅを貫
通する）スルーホール３４３が多数形成され、各スルー
ホール３４３には、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２
ｔとそれぞれ接続するスルーホール導体３４４が形成さ
れ、さらにその内部には、充填用樹脂３４５が形成され
ている。

【００７８】また、この配線基板４０１は、コア基板４
０５の基板主面４０５ａ上にはビルドアップ層が形成さ
れていない。一方、コア基板４０５の基板裏面４０５ｂ
上には、前記と同様に、配線層１１３，１１５，１１
７、絶縁層１２７，１２９，１３１、及び、フィルドビ
ア導体１５７，１５９などのビルドアップ層が形成され
ている。

【００７９】このような配線基板４０１においても、カ
ップリング剤により形成された被膜４４２により、コア
基板４０５と収容部４４１に充填された固定用樹脂４４
７との間において、高い水分不透過性及び密着性が得ら
れる。このため、水分などがコア基板４０５に浸透して
も、この被膜４４２により収容部４４１内の固定用樹脂
４４７には浸透しない。その結果、ＩＣチップＩＣ２を
収容部４４１内に気密性をもって内蔵できると共に、コ
ア基板４０５の基板裏面４０５ｂにビルドアップ層を支
障を来さすことなく確実かつ強固に形成される。このた
め、配線基板４０１をＨＡＳＴテストしても、固定用樹
脂４４７のクラックや絶縁層間のデラミネーションが生
じにくくなり、信頼性の高い配線基板とすることができ
る。従って、この配線基板４０１は、信頼性が高いと共
に、配線の高密度化及び高性能化の要請に十分に応える
ことが可能となる。

【００８０】さらに、カップリング剤により形成された
被膜１４６により、ＩＣチップＩＣ２と固定用樹脂４４
７との間においても、高い密着性及び水分不透過性が得
られる。このため、ＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２
ｔとスルーホール導体３４４との接続部分が断線しに
く、安定した導通が得られる。また、上記のＨＡＳＴ試
験を行っても、ＩＣ端子ＩＣ２ｔの溶出（マイグレーシ
ョン）が防止され、また、ＩＣ端子ＩＣ２ｔ間の短絡を
防止することもできる。その他、上記実施形態１等と同
様な部分は、同様な効果を奏する。

【００８１】次いで、上記配線基板４０１の製造方法に
おける主要な工程について説明する。まず、第１絶縁基
板４０５ｅと第２絶縁基板４０５ｆを用意し、第２絶縁
基板４０５ｆに収容部４４１に相当する貫通孔を形成す
る。そして、第１絶縁基板４０５ｅと第２絶縁基板４０
５ｆを張り合わせてコア基板４０５とする。その後、収
容部４４１の底部に公知の手法によりスルーホール導体
３４４等を形成する。次に、前記と同様にして、収容部
４４１の内面４４１ｓ（４つの側面と底面）に、カップ
リング剤により厚さ約０．１μｍの被膜４４２を形成す
る。また、前記と同様にして、ＩＣチップＩＣ２の表面
にも、カップリング剤により厚さ約０．１μｍの被膜１
４６を形成する。

【００８２】次に、収容部４４１内にＩＣチップＩＣ２
を配置して、前記と同様の固定用樹脂４４７を充填し固
化させる。その後、前記と同様に、固定用樹脂４４７の
露出面を平坦に整面する。この後は、公知のフォトリソ
グラフィー技術等を利用して、絶縁層１２７，１２９，
１３１、配線層１１５，１１７、及び、フィルドビア導
体１５７，１５９を形成する。これにより、上述した配
線基板４０１を得ることができる。

【００８３】このような製造方法においても、前記と同
様に、コア基板４０５の収容部４４１の内面４４１ｓに
は、被膜４４２が形成され、固定用樹脂４４７がこの被
膜４４２を介して収容部４４１に固着する。このため、
収容部４４１と固定用樹脂４４７との間において、高い
水分不透過性となり、かつ、高い密着性が得られる。従
って、ＩＣチップＩＣ２を収容部４４１内に気密性をも
って内蔵できると共に、コア基板４０５上にビルドアッ
プ層を支障を来さすことなく確実かつ強固に形成するこ
とが可能となる。よって、熱サイクル試験などを受けて
も信頼性が高く、配線の高密度化や高性能化の要請に十
分に応える配線基板を提供することが可能となる。

【００８４】また、上記の製造方法によれば、前記と同
様に、固定用樹脂４４７で固着した際、カップリング作
用が働いて、ＩＣチップＩＣ２の表面とこれを埋設する
固定用樹脂４４７との密着性が向上する。その結果、熱
サイクル試験などを受けても、ＩＣチップＩＣ２とスル
ーホール導体３４４との間で接続不良が生じにくく、安
定した導通が得られる。従って、信頼性が高く、高性能
化の要請に十分に応えることが可能な配線基板を提供す
ることができる。その他、上記実施形態１等と同様な部
分は、同様な効果を奏する。

【００８５】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して
適用できることはいうまでもない。例えば、実施形態１
では、コア基板１０５のうち、基板主面１０５ａに絶縁
層１２１，１２３，１２５を積層し、基板裏面１０５ｂ
に絶縁層１２７，１２９，１３１を積層した両面積層タ
イプの配線基板１０１について、ＩＣチップＩＣ２を内
蔵させた例を示した。しかし、絶縁層をコア基板の片面
にのみ積層した配線基板、例えば、絶縁層１２１等を形
成することなく、コア基板１０５の基板裏面１０５ｂに
のみ絶縁層１２７，１２９，１３１を積層する片面積層
タイプの配線基板に、ＩＣチップＩＣ２内蔵させても良
い。

【００８６】また、上記各実施形態では、電子部品とし
てチップコンデンサＣＣを搭載するものを示したが、実
装する電子部品には、インダクタ、抵抗、フィルタ等の
受動部品や、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ
(ＬＮＡ)等の能動部品も含まれ、あるいはＳＡＷフィル
タ、ＬＣフィルタ、アンテナスイッチモジュール、カプ
ラ、ダイブレクサなどが含まれる。しかも、互いに異種
の電子部品同士を搭載することも可能である。

【００８７】また、コア基板などの材質は、前記ＢＴ樹
脂やガラス−エポキシ樹脂系の複合材料の他、同様の耐
熱性、機械強度、加工容易性などを有するガラス織布
や、グラス織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、またはＢＴ樹脂などの樹脂との複合材料で
あるガラス繊維樹脂系の材料を用いても良い。あるい
は、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料
や、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目横造のフ
ッ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた複合
材料などを用いることも可能である。

【００８８】また、絶縁層の材質は、エポキシ樹脂を主
成分とするもののほか、同様の耐熱性、パターン成形性
等を有するポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、あ
るいは、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造
のフツ素系樹脂にエポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた
複合材料などを用いることもできる。なお、絶縁層の形
成には、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほ
か、液状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用
いることもできる。また、絶縁層に混入するガラス布ま
たはガラスフィラーの組成は、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｑ
ガラス、Ｓガラスの何れか、またはこれらのうちの２種
類以上を併用したものとしても良い。

【００８９】また、前記配線層などの材質は、前記Ｃｕ
の他、Ａｇ、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕなどにしても良く、ある
いは、これら金属のメッキ膜を用いず、導電性樹脂を塗
布するなどの方法により形成しても良い。また、前記ビ
ア導体などは、ビアホール内を埋め尽くす形態のフィル
ドビアに限らず、ビアホールの断面形状に放った円錐形
状の形態としても良い。また、ビア導体同士の接続は、
各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるスタッガード
の形態でも良いし、途中で平面方向に延びる配線層が介
在する形態としても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１に係る配線基板の簡略化した縦断面
図である。

【図２】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
コア基板を示す説明図である。

【図３】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
コア基板に収容部を形成した様子を示す説明図である。

【図４】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
収容部の内面に被膜を形成した様子を示す説明図であ
る。

【図５】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
収容部内にＩＣチップを配置した様子を示す説明図であ
る。

【図６】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
収容部内に固定用樹脂を充填し硬化させた様子を示す説
明図である。

【図７】実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、
固定用樹脂の露出面等を平坦化した様子を示す説明図で
ある。

【図８】実施形態２に係る配線基板の簡略化した縦断面
図である。

【図９】実施形態３に係る配線基板の簡略化した縦断面
図である。

【図１０】実施形態４に係る配線基板の簡略化した縦断
面図である。

【図１１】従来技術に係る配線基板の簡略化した縦断面
図である。

【符号の説明】

１０１，２０１，３０１，４０１ 配線基板 １０５，２０５，３０５，４０５ コア基板（基板本
体） １０５ａ，２０５ａ，３０５ａ，４０５ａ 基板主面 １０５ｂ，２０５ｂ，３０５ｂ，４０５ｂ 基板裏面 １４１，２４１，３４１，４４１ 収容部 １４１ｓ，２４１ｓ，３４１ｓ，４４１ｓ （収容部
の）内面 １４２，２４２，３４２，４４２ （収容部の内面に
被覆された）被膜 １４６ （ＩＣチップの表面に被覆された）被膜 １４７，２４７，３４７，４４７ 固定用樹脂 ＩＣ２ ＩＣチップ

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板主面と基板裏面とを有する基板本体
   と、 上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または
   上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる
   収容部と、 上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記ＩＣチッ
   プを上記収容部内に固定する固定用樹脂と、を備える配
   線基板であって、 上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、
   カップリング剤により形成された被膜を有し、 上記固定用樹脂が上記被膜を介して上記収容部に固着し
   ている配線基板。
2. 【請求項２】請求項１に記載の配線基板であって、 前記カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アル
   ミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤
   の少なくともいずれかからなる配線基板。
3. 【請求項３】基板主面と基板裏面とを有する基板本体
   と、 上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または
   上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる
   収容部と、 上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、 上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂
   と、を備える配線基板の製造方法であって、 上記基板本体における少なくとも上記収容部の内面に、
   カップリング剤を用いて被膜を形成する工程と、 上記被膜が形成された上記収容部内に、上記ＩＣチップ
   を配置する工程と、 上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定
   用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備える配線基板の
   製造方法。
4. 【請求項４】請求項３に記載の配線基板の製造方法であ
   って、 前記カップリング剤として、チタン系カップリング剤、
   アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリン
   グ剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用
   いる配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】請求項３または請求項４に記載の配線基板
   の製造方法であって、 前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能
   基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカッ
   プリング剤を用いる配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】請求項３〜請求項５のいずれか一項に記載
   の配線基板の製造方法であって、 前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能
   基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカ
   ップリング剤を用いる配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】基板主面と基板裏面とを有する基板本体
   と、 上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または
   上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる
   収容部と、 上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、 上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂
   と、を備える配線基板であって、 上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤により形成さ
   れた被膜を有し、 上記ＩＣチップが上記被膜を介して上記固定用樹脂に固
   着している配線基板。
8. 【請求項８】請求項７に記載の配線基板であって、 前記カップリング剤は、チタン系カップリング剤、アル
   ミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリング剤
   の少なくともいずれかからなる配線基板。
9. 【請求項９】基板主面と基板裏面とを有する基板本体
   と、 上記基板主面と基板裏面との間を貫通する貫通孔または
   上記基板主面若しくは基板裏面に開口する凹部からなる
   収容部と、 上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、 上記ＩＣチップを上記収容部内に固定する固定用樹脂
   と、 を備える配線基板の製造方法であって、 上記ＩＣチップの表面に、カップリング剤を用いて被膜
   を形成する工程と、 上記被膜が形成された上記ＩＣチップを、上記基板本体
   の収容部内に配置する工程と、 上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、上記固定
   用樹脂を充填し硬化させる工程と、を備える配線基板の
   製造方法。
10. 【請求項１０】請求項９に記載の配線基板の製造方法で
    あって、 前記カップリング剤として、チタン系カップリング剤、
    アルミニウム系カップリング剤及びシラン系カップリン
    グ剤の少なくともいずれかからなるカップリング剤を用
    いる配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】請求項９または請求項１０に記載の配線
    基板の製造方法であって、 前記カップリング剤として、分子中に親水性の有機官能
    基を有するカップリング剤を５wt％以下としてなるカッ
    プリング剤を用いる配線基板の製造方法。
12. 【請求項１２】請求項９〜請求項１１のいずれか一項に
    記載の配線基板の製造方法であって、 前記カップリング剤として、分子中に疎水性の有機官能
    基を有するカップリング剤を２０wt％以上としてなるカ
    ップリング剤を用いる配線基板の製造方法。