JP2003324247A - 光発生装置、光増幅器及び光通信システム - Google Patents

光発生装置、光増幅器及び光通信システム

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JP2003324247A
JP2003324247A JP2003054631A JP2003054631A JP2003324247A JP 2003324247 A JP2003324247 A JP 2003324247A JP 2003054631 A JP2003054631 A JP 2003054631A JP 2003054631 A JP2003054631 A JP 2003054631A JP 2003324247 A JP2003324247 A JP 2003324247A
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Japan
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light
wavelength
optical
light source
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JP2003054631A
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Inventor
Mototaka Kadoi
素貴 角井
Toshiaki Okuno
俊明 奥野
Masayuki Nishimura
正幸 西村
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で安価な光発生装置等を提供する。 【解決手段】 光増幅器(100)では、変更信号源(111)か
ら出力された変更信号は、光源(113)又は駆動回路(112)
へ入力する。この変更信号に基づいて、光源(113)から
出力される光の波長が変更される。波長変更されて光源
(113)から出力された光は、励起光として励起光発生装
置(110)から出力され、光合分波器(130)を経て光ファイ
バ(120)へ逆方向より供給される。そして、励起光が供
給された光ファイバ(120)では、信号光がラマン増幅さ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、信号光増幅のた
めの励起光を発生する励起光発生装置に適した光発生装
置、該光発生装置を含む光増幅器、該光増幅器を利用し
た制御方法、及び該光増幅器を含む光通信システムに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】光通信システムは、信号光を光ファイバ
伝送路に伝送させることで、大容量の情報を高速に送受
信することができる。この光通信システムにおいて、光
ファイバ伝送路を信号光が伝搬する際に損失を被ること
から、この損失を補償するために、信号光を増幅する光
増幅器が利用される。このような光増幅器としては、希
土類元素(例えばEr元素)が添加された光ファイバが
光増幅媒体として適用された希土類元素添加光ファイバ
増幅器や、光増幅媒体における誘導ラマン散乱現象を利
用するラマン増幅器が知られている。そのうち、ラマン
増幅器は、光通信システムの雑音特性や非線形光学現象
の改善に有効であることから、近年では注目されてい
る。
【0003】このようなラマン増幅器は、例えば、文献
1「S. Kado, et al., "Broadbandflat-noise Raman am
plifier using low-noise bi-directionally pumping s
ources", ECOC'2001, Postdeadline papers, pp.38-39
(2001)」に記載されている。この文献1に記載されたラ
マン増幅器1では、光増幅媒体である光ファイバに対し
て、信号光の伝搬方向と同一方向に伝搬する3チャネル
の励起光が供給されるとともに、信号光の伝搬方向と逆
の方向に伝搬する5チャネルの励起光が供給される。こ
のように、光増幅媒体に対して複数チャネルの励起光が
供給されることで、光増幅媒体における信号光増幅の利
得スペクトルの広帯域化及び平坦化が図られている。こ
のような広帯域の利得スペクトルを有する光増幅器は、
複数の信号光を多重化して伝送する波長分割多重(WD
M: Wavelength Division Multiplexing)光通信システ
ムに適している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】発明者らは、従来の光
増幅器等を検討した結果、以下のような課題を発見し
た。すなわち、上述のように複数チャネルの励起光が光
増幅媒体に供給される光増幅器では多くの励起光源が必
要となる。換言すれば、光増幅媒体に対して順方向にN
1チャネルの励起光が供給されるとともに、光増幅媒体
に対して逆方向にN2チャネルの励起光が供給される場
合、少なくとも(N1+N2)個の励起光源が必要となる。
そのため、励起光を発生する励起光発生装置は、大型化
するとともに高価になる。
【0005】なお、励起光源として一般に利用される半
導体レーザ光源は、通常、発振波長が1チャネルのみで
ある。半導体レーザ光源は、同時に2チャネルのレーザ
光を発振することも可能ではあるが、レーザ発振閾値付
近のみで可能であるので、励起光として利用するために
は必要かつ十分なパワーのレーザ光を発振することがで
きない(例えば、文献2「M. Brunner, at al., "Conti
nuous-Wave Dual-Wavelength Lasing in a Two-Section
Vertical-Cavity Laser", IEEE Photonics Technology
Letters, Vol.12, No.10, pp.1316-1318 (2000)」を参
照)。
【0006】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたものであり、励起光発生装置に適した、
小型かつ安価な光発生装置、該光発生装置を励起光発生
装置として利用する光増幅器、該光増幅器を利用した制
御方法、及び該光増幅器を含む光通信システムを提供す
ることを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光発生装
置は、出力光の波長が可変である光源と、該光源から出
力される光又は該光源内の光の波長を変更する変更手段
とを備える。特に、この変更手段は、光源からの光の波
長を、時間経過とともに繰り返し変更することを特徴と
している。これにより、当該光発生装置は、変更手段に
より波長が変更された波長変更光を出力する。
【0008】なお、分布定数型ラマン増幅システムにお
いて、実効的な雑音特性を達成するためには、上記光源
から出力される光の、所定期間に亘るトータルパワーの
平均値は、88mW以上、好ましくは150mW以上で
あるのがよい。また、トータル出力において高い安定性
を実現し、SBS(誘導ブリルアン散乱:StimulatedBr
illouin Scattering)を効果的に抑制するため、該出力
光は、2以上の縦モードを含むのが好ましい。さらに、
出力光の波長の経時変化に相当する波長変更パターンを
安価な記憶装置に格納させておくことにより、容易に繰
り返し変更が可能になる。この場合、変更手段は上記光
源からの光の波長を周期的に変更することになる。上記
波長変更光の最大波長と最小波長との差は、4nm以上
であるのが好ましい。また、上記波長変更光のスペクト
ルは、それぞれの中心波長が26nm以上離れた2つの
ピークを有するのが好ましい。
【0009】一方、この発明に係る光増幅器は、信号増
幅用の光増幅媒体と、励起光発生装置として上述の構造
を有する光発生装置(この発明に係る光発生装置)とを
備える。また、この発明に係る光通信システムは、上述
のような構造を有する光増幅器(この発明に係る光増幅
器)と、信号光を伝送するとともに該信号光増幅用の光
増幅媒体として機能する光ファイバ伝送路とを備える。
【0010】この発明によれば、光発生装置において、
変更手段により波長が時間経過とともに繰り返し変更さ
れた波長変更光は、励起光として光増幅媒体に供給され
る。そして、励起光が供給された光増幅媒体において信
号光が増幅される。このような励起光が光増幅媒体に供
給されることで、光源の個数を越えるチャネル数の励起
光が実効的に同時に光増幅媒体に供給されることと等価
になるので、小型で安価な光発生装置により所望の利得
スペクトルが容易に得られる。波長変更光の最大波長と
最小波長との差が4nm以上であれば、そのような波長
変更された励起光を光増幅媒体に供給することで利得ス
ペクトルを実効的に変化させることができる。また、光
源から出力される波長変更光のスペクトルがそれぞれの
中心波長が26nm以上離れた2つのピークを有してい
れば、この光増幅器は、Cバンド又はLバンドの信号光
を増幅するEr元素添加光ファイバ増幅器ととも好適に
用いられ得る。
【0011】また、この発明に係る光発生装置におい
て、上記光源はそれぞれが出力光の波長が可変であるN
個(Nは2以上の整数)の光源要素を含み、上記変更手
段が該N個の光源から出力される光又は該N個の光源内
の光の波長をそれぞれ変更してもよい。この場合、当該
光発生装置は、得られたN個の波長変更光を合波して出
力する光合波器を備える。上記N個の光源要素のうち選
択された2つの光源要素それぞれから出力される波長変
更光の波長の差は、4nm以上であるのが好ましい。ま
た、上記N個の光源要素のうち選択された2つの光源要
素それぞれから出力される波長変更光の波長範囲は、少
なくとも一部が互いに重なっているのが好ましい。
【0012】このように、各光源要素から出力された波
長変更光が光合波器により合波され、その合波光が励起
光として光増幅媒体に供給されてもよい。それぞれが光
源として機能する光源要素の個数が増えることで、光増
幅媒体における信号光増幅の利得スペクトル調整の自由
度が向上する。また、2つの光源要素それぞれから出力
される波長変更光の波長範囲の少なくとも一部が互いに
重なっていれば、N個の光源要素のうち何れかが故障し
た場合に備えた冗長構成となるので好ましい。
【0013】また、この発明に係る光発生装置におい
て、上記光源は、駆動電流が供給されることにより光を
発生する光活性層と該活性層を挟んだ光反射面と光出射
面とを有する半導体発光素子と、この半導体発光素子の
光出射面から出射された光のうち特定波長の光成分の一
部を反射させて、その反射光を半導体発光素子の光活性
層に帰還させる光帰還素子とを有してもよい。この場
合、上記変更手段は、光帰還素子における反射波長を時
間経過とともに繰り返し変更することにより、出力光の
波長を変更してもよい。上記光源は、駆動電流が供給さ
れることにより光を発生する光活性層を含む半導体発光
素子であってもよい。この場合、上記変更手段は、光源
に供給される駆動電流の大きさを時間経過とともに繰り
返し変更することにより、出力光の波長を変更してもよ
い。あるいは、上記光源は、駆動電流が供給されること
により光を発生する光活性層と、この光活性層を挟んで
設けられ特定波長の光を共振させる第1光帰還部と第2
帰還部とが、半導体基板上に集積化された半導体発光素
子であってもよい。この場合、上記変更手段は、第1光
帰還部及び第2光帰還部による共振波長を時間経過とと
もに繰り返し変更することにより、出力光の波長を変更
する。これらいずれの場合にも、波長変更された光を光
源より出力する上で好適である。
【0014】また、この発明に係る光発生装置におい
て、上記変更手段は、出力光の波長の経時変化に相当す
る波長変更パターンが可変であるのが好ましい。この場
合、光増幅器の上流側又は下流側のスパンロスが変動し
たときに、該波長変更パターンが調整されることで、光
増幅器から出力される信号光のスペクトルが所望のもの
に維持される。上記変更手段は、複数種類の波長変更パ
ターン切替を容易に可能にするよう、該複数種類の波長
変更パターンを格納する記録装置を含むのが好ましい。
【0015】また、この発明に係る光発生装置におい
て、上記変更手段は、光源から出力される光のパワーを
変更してもよい。この場合、波長だけでなく出力パワー
も変更されることで、光源からの出力が安定する。
【0016】この発明に係る光増幅器において、光増幅
媒体における信号光及び励起光それぞれの進行方向は互
いに逆であり、上記光発生装置から出力される励起光の
波長変更の周波数が、光増幅媒体の実効長を信号光が伝
搬する時間の逆数で与えられる周波数の10倍以上であ
るのが好ましい。あるいは、光増幅媒体における信号光
及び励起光それぞれの進行方向が互いに同一であり、上
記光発生装置から出力される励起光の波長変更の周波数
は、光増幅媒体の実効長、波長分散、及び信号光と励起
光との間の波長間隔により決定されるウォークオフ周波
数の10倍以上であるのが好ましい。これらの場合、光
増幅媒体のうち光増幅に有効な部分を信号光が伝搬する
過程で、その信号光は、波長変更に起因した複数チャネ
ルの励起光それぞれの寄与を十分に多く繰り返して受け
ることになるので、利得スペクトルが時間的に安定す
る。
【0017】この発明に係る光増幅器において、上記光
発生装置から出力される励起光の波長変更パターンは、
光増幅媒体からの出射時の信号光スペクトルが平坦とな
るように設定されるのが好ましい。この場合、良好な信
号光伝送品質を実現することができる。
【0018】この発明に係る光増幅器制御方法は、上述
のような構造を備えた光増幅器を用いて、該光増幅器の
前又は後のスパンロス変動を算出し、算出結果に基づい
て光増幅器の出力信号光スペクトルを所定のパターンに
制御する。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る光発生装
置、光増幅器、光増幅器制御方法及び光通信システムの
各実施形態を、図1〜図19を用いて詳細に説明する。
なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を
付し、重複する説明を省略する。
【0020】(第1実施形態)先ず、この発明に係る光
増幅器及び光発生装置(励起光発生装置)の第1実施形
態について説明する。図1は、第1実施形態に係る光増
幅器100の構造を示す図である。同図(a)は、光増
幅器100の構成を示し、同図(b)は、光増幅媒体で
ある光ファイバ120の各位置を伝搬している励起光の
波長をある時刻で見た様子を示す。この光増幅器100
は、励起光発生装置110、光ファイバ120及び光合
分波器130を備える。
【0021】光ファイバ120は、信号光を伝送すると
ともに、該信号光をラマン増幅する光増幅媒体として適
用されている。この光ファイバ120は、光通信システ
ムにおいて中継区間に敷設された光ファイバ伝送路の一
部であってもよいし、また、コイル状に巻かれてモジュ
ール化されたものであってもよい。光合分波器130
は、励起光発生装置110から到達した励起光を光ファ
イバ120へ供給するとともに、光ファイバ120から
到達した信号光をさらに下流へ向けて出力する。
【0022】励起光発生装置110は、光ファイバ12
0へ供給されるべき励起光を発生するものであって、変
更信号源111、駆動回路112、光源113及びメモ
リ114を備える。光源113は、駆動回路112より
駆動電流が供給されることにより光を出力するものであ
り、その出力光の波長が可変である。変更信号源111
は、この光源113から出力される光の波長を変更する
ための変更信号を出力する。メモリ114には、予め複
数種類の波長変更パターンが格納されている。変更信号
源111は、メモリ114に格納されている波長変更パ
ターンのうちから予め決定された波長変更パターンに従
って変更信号を駆動回路112に出力する。
【0023】この光増幅器100では、変更信号111
から出力された変更信号は、光源113又は駆動回路1
12へ入力する。この変更信号に基づいて、光源113
から出力される光の波長が変更される。波長変更されて
光源113から出力された波長変更光は、励起光として
励起光発生装置110から出力され、光合分波器130
を経て光ファイバ120へ逆方向より供給される。そし
て、励起光が供給された光ファイバ120において、信
号光がラマン増幅される。
【0024】例えば、光ファイバ120の主材料が石英
系ガラスである場合、信号光(波長λs)はCバンド内
の複数チャネルを含み、励起光波長λpは信号光波長λs
より100nm程度短い。励起光発生装置110から出
力される励起光の波長λpは、1.45μm付近で変更
される。
【0025】図1において、励起光発生装置110から
出力される励起光は、波長λp1及び波長λp2のいずれか
の波長に変更される。すなわち、図2に示されたよう
に、励起光発生装置110から光ファイバ120へは、
波長λp1の励起光と波長λp2の励起光とが時間的に交互
に供給される。光ファイバ120の各位置を伝搬してい
る励起光の波長の様子をある時刻で見れば、図1(b)
に示されたように、波長λp1の励起光が伝搬している領
域と、波長λp2の励起光が伝搬している領域とが、光フ
ァイバ120の長手方向に沿って交互に存在することに
なる。
【0026】この光ファイバ120を伝搬する信号光
は、逆方向に進んでくる波長変更された励起光に起因し
た誘導ラマン散乱(SRS)現象に基づいてラマン増幅
される。光ファイバ120における信号光のラマン増幅
の利得スペクトルは、波長λp1の励起光及び波長λp2
励起光それぞれの寄与が総合されたものとなる。したが
って、この光増幅器100において、1つの光源113
から波長変更されて出力された励起光が光ファイバ12
0に供給されることで、実効的に同時に2波長の励起光
が光ファイバ120に供給されることと等価になるの
で、小型で安価な励起光発生装置110により所望の利
得スペクトルが容易に得られる。
【0027】なお、励起光発生装置110から出力され
る光のパワーが微弱すぎると、ラマン増幅用励起光とし
て利用することはできない。例えば、一般的な1.3μ
m波長帯に零分散波長を有する石英系シングルモードフ
ァイバ(SMF)が適用された陸上幹線系システムで広
く利用されている80km伝送路でのラマン増幅を考え
る。
【0028】分布ラマン増幅器のON−OFF利得をG
1、雑音特性(NF)をF1とする。さらに、分布ラマン
増幅のための励起光/信号光合波カプラ、アイソレー
タ、出力及び反射モニタ用分岐カプラなどの光部品の挿
入損失をL1とする。従来のEDFAの正味利得をG2
NFをF2とすると、ラマン増幅により実効的なNFで
あるFtが以下の式(1)で与えられる。
【0029】
【数1】
【0030】G2が十分大きく、F1が0dB、F2が6
dB一定、L1が1.5dB程度(各部品とも典型的な
挿入損失は0.5dB)と仮定すると、実効的なNFで
あるF tは、ON−OFF利得G1が1.9dB以下での
ラマン増幅において、従来のEDFAよりも悪化してし
まう。なお、上記挿入損失にはバラツキがあるが、その
範囲は±0.3dB程度であり、L1が2.4dBに達
する可能性は極めて低い。したがって、G1が2.8d
B(=1.9dB+0.9dB)以上であれば、挿入損
失が大きかったとしてもラマン増幅の効果は得られると
考えられる。
【0031】なお、ON−OFF利得G(dB)とSM
F出力端における励起光パワー(mW)との関係は、以
下の式(2)によって与えられる。
【0032】
【数2】
【0033】ここで、gR/Aeff、αpは、それぞれS
MF伝送路固有のラマン利得係数及び励起光波長域の挿
入損失である。仮に、もっとも多用されるCバンド信号
の増幅のため、励起光波長を1.45μmに設定する
と、αpは0.25dB/kmとなる。また、ラマン利
得係数は3.7E−4(1/W/m)である。その結
果、上記式(2)より、80kmのSMF伝送路におけ
る微分利得は、0.027dB/mWになる。したがっ
て、上記ON−OFF利得の値を実現するためには、最
低でも70mW(=1.9/0.027)、バラツキを
考慮しても111mW(=3/0.027)の励起光パ
ワーが必要になる。
【0034】励起光合波部が、偏波合成器(あるいはデ
ポラライザ)と波長合波器で構成された場合、その挿入
損失は最低でも1dB程度は存在するので、励起光光源
としては88mW、好ましくは150mW以上のパワー
が必要になる。
【0035】図3は、波長λp1と波長λp2との差Δλの
各値における利得スペクトルである。なお、図3におい
て、グラフG310は波長差Δλ=0nm(すなわち、
波長変更しない場合)、グラフG320は波長差Δλ=
2nm、グラフG330は波長差Δλ=3nm、グラフ
G340は波長差Δλ=4nm、グラフG350は波長
差Δλ=5nm及びグラフG360は波長差Δλ=6n
mそれぞれにおける利得スペクトルである。図4は、利
得スペクトルの帯域幅と波長差Δλとの関係を示すグラ
フである。なお、図4において、グラフG410はピー
ク値の83%における利得スペクトルの帯域幅を示し、
グラフG420はピーク値の70%における利得スペク
トルの帯域幅を示す。これらのグラフから判るように、
波長差Δλが小さいと、波長変更された励起光による利
得スペクトルは、波長変更されない単一波長の励起光に
よる利得スペクトルとの殆ど相違しない。波長変更され
た励起光を光ファイバ120に供給することで利得スペ
クトルを変化させるためには、波長差Δλが4nm以上
であるのが好ましい。
【0036】また、信号光のラマン増幅の利得スペクト
ルが時間的に安定するためには、光ファイバ120のう
ち有効にラマン増幅され得る部分を信号光が伝搬する過
程で、その信号光が、波長λp1の励起光及び波長λp2
励起光それぞれの寄与を、できりかぎり多く繰り返して
受けることが好ましい。すなわち、励起光発生装置11
0から出力される励起光の波長変更の周波数は、できる
かぎり高いことが好ましい。
【0037】図1に示されたように、信号光の伝搬方向
と逆の方向に伝搬する励起光が供給される場合、励起光
発生装置110から出力される励起光の波長変更の周波
数は、光ファイバ120の実効長を信号光が伝搬する時
間の逆数で与えられる周波数の10倍以上であるのが好
ましい。ここで、波長変更された励起光の時間平均波長
における光ファイバ120の伝送損失をαpとし、光フ
ァイバ120の物理的な長さをLとすると、光ファイバ
120の実効長Leffは、以下の式(3)で表される。
【0038】
【数3】
【0039】例えば、波長1.3μm付近に零分散波長
を有する標準的なシングルモード光ファイバが光ファイ
バ120として用いられ、励起光の時間平均波長を14
50nm、光ファイバ120の物理的な長さLを80k
mとすると、実効長Leffは17.9km程度であり、
この実効長Leffを信号光が伝搬するのに要する時間は
87μs程度である。したがって、励起光の波長変更の
周波数は、この時間87μsの逆数で与えられる周波数
の10倍以上、すなわち、115kHz以上であれば、
信号光のラマン増幅の利得スペクトルを時間的に安定さ
せる上で好ましい。
【0040】一方、信号光の伝搬方向と同一方向に伝搬
する励起光が供給される場合には、励起光発生装置11
0から出力される励起光の波長変更の周波数は、光ファ
イバ120の実効長、波長分散、及び信号光と励起光と
の間の波長間隔により決定されるウォークオフ周波数の
10倍以上であるのが好ましい。ここで、励起光及び信
号光それぞれのrms中心波長の中間値での波長分散値
をDとし、励起光のうちの最長波長と信号光のうちの最
短波長との間の波長間隔をΔλs-pとすると、ウォーク
オフ周波数fwは、以下の式(4)で表される。
【0041】
【数4】
【0042】例えば、波長1.3μm付近に零分散波長
を有する標準的なシングルモード光ファイバが光ファイ
バ120として用いられるものとし、励起光の時間平均
波長を1450nm、光ファイバ120の物理的な長さ
Lを80kmとすると、実効長Leffは17.9km程
度であり、波長分散値Dは11ps/nm/km程度で
ある。波長間隔Δλs-pを70nmとすると、ウォーク
オフ周波数fwは72MH程度である。したがって、励
起光の波長変更の周波数は、このウォークオフ周波数f
wの10倍以上、すなわち、720MHz以上であれ
ば、信号光のラマン増幅の利得スペクトルを時間的に安
定させる上で好ましい。
【0043】次に、励起光発生装置110に含まれる光
源113の好適な構成例について説明する。図5は、励
起光発生装置110に含まれる光源113の構成例を示
す断面図である。この図に示される光源113は、第1
光帰還部301、位相調整部302、光活性層303及
び第2光帰還部304が、第1クラッド層311と第2
クラッド層312とに挟まれて、半導体基板上に集積化
された半導体発光素子である。第1クラッド層311の
上面には電極321〜324が設けられ、第2クラッド
層312の下面には電極325が設けられている。位相
調整部302及び光活性層303は、第1光帰還部30
1と第2光帰還部304とに挟まれている。
【0044】第1光帰還部301は、第1クラッド層3
11との間の界面に超周期構造の回折格子が形成されて
おり、反射スペクトルが離散的な反射率ピーク波長を有
する。第1光帰還部301は、電極321と電極325
との間に流れる電流の大きさに応じて屈折率が変化し、
これにより反射率ピーク波長がシフトする。同様に、第
2光帰還部304は、第1クラッド層311との間の界
面に超周期構造の回折格子が形成されており、反射スペ
クトルが離散的な反射率ピーク波長を有する。第2光帰
還部304は、電極324と電極325との間に流れる
電流の大きさに応じて屈折率が変化し、これにより反射
率ピーク波長がシフトする。
【0045】電極323と電極325との間に駆動電流
が流れると、光活性層303は光を放出する。その光の
うち特定波長のものは、第1光帰還部301と第2光帰
還部304とからなる共振器により共振して、第2光帰
還部304より外部へ出力される。この光源113の第
2光帰還部304より外部へ出力される光の波長は、電
極321、324に供給される電流の大きさに応じた帰
還部301、304の反射スペクトルにより決定され、
また、電極322に供給される電流の大きさに応じた位
相調整部302の屈折率の変化により微調整される。変
更信号源111から出力される変更信号が、これらの各
電極に供給される電流の大きさを時間経過にともなって
繰り返し変更するよう、あるいは、第1光帰還部301
及び第2光帰還部304による共振波長を時間経過とと
もに繰り返し変更されることで、出力光の波長が変更さ
れる。出力光の波長変更の幅は100nm程度まで可能
である。また、この光源113は機械的な可動部を有し
ないので、出力光の波長変更の周波数は数百Mzまで可
能である。
【0046】図6は、励起光発生装置110に含まれる
光源113の他の構成例を示す断面図である。この図に
示された光源113は、半導体発光素子410、光帰還
素子420、レンズ430及び変更手段440を備え
る。半導体発光素子410は、光活性層411が第1ク
ラッド層412と第3クラッド層413とに挟まれてい
て、電極414と電極415との間に駆動電流が供給さ
れることにより光活性層411において光を発生する。
光活性層411の一方の側の光反射面416は、光を高
反射率で反射させる。光活性層411の他方の側の光出
射面417は、光を高透過率で透過させる。
【0047】光帰還素子420は、コア領域421とク
ラッド領域422とを含む光ファイバにおいてコア領域
421の長手方向に沿った一定範囲に亘って屈折率変更
による回折格子423が形成されている。この光帰還素
子420は、コア領域421を伝搬する光のうち特定波
長の光成分の一部をブラッグ反射させて、その反射光を
半導体発光素子410の光活性層411に帰還させる。
レンズ430は、半導体発光素子410の光出射面41
7より出射された光を集光して光帰還素子420の端面
424よりコア領域421へ入射させるとともに、光帰
還素子420の端面424より出射された光を集光して
半導体発光素子410の光出射面417より光活性層4
11へ入射させる。
【0048】この光源113では、半導体発光素子41
0の光反射面416と光帰還素子420の回折格子42
3とが外部共振器を構成しており、その共振波長は回折
格子423における反射波長により決定される。また、
回折格子423における反射波長は、変更手段440に
よる温度調整や張力付与により調整される。すなわち、
変更信号源111から出力される変更信号により変更手
段440が回折格子423の温度又は張力を変更し、そ
の結果、回折格子423における反射波長が変更され、
出力光の波長が変更される。
【0049】図7は、励起光発生装置110に含まれる
光源113の波長変更方式例を示すタイムチャートであ
る。この図に示されるように、光源113における出力
光の波長変更の方法としては、駆動電流が供給されるこ
とにより光を発生する光活性層を含む半導体発光素子を
光源113として用い、この光源113に供給される駆
動電流の大きさを変更することで、光源113から出力
される光の波長を変更してもよい。すなわち、半導体発
光素子である光源113は、供給される駆動電流が大き
いと、光活性層で放出される自然放出光のピーク波長が
長波長側にシフトする。このことを利用して、出力光の
波長を長波長側に変更したいときには駆動電流が大きく
され、出力光の波長を短波長側に変更したいときには駆
動電流が小さくされて(図7(a)参照)、これによ
り、光源113から出力される光の波長が変更される
(図7(b)参照)。
【0050】また、図6に示された光源113におい
て、温度調整や張力付与による回折格子423の反射波
長の変更と同期して、図7に示されたような駆動電流の
大きさの変更が行われてもよい。このように同期した波
長変更が行われることにより、光活性層411で放出さ
れる自然放出光のピーク波長と回折格子423の中心反
射波長とが互いに略一致すれば、発振が安定する。
【0051】図7に示された光源113の波長変更方式
では、駆動電流の大きさの変更により、励起光のパワー
も変更されることになる。そこで、このように励起光の
パワーも変更される場合、波長λp1の励起光が出力され
る時間比率をT1とし、波長λp2の励起光が出力される
時間比率をT2とすると、積P11及び積P22それぞ
れが一定となるように、時間比率T1、T2が設定される
のが好ましい。例えば図8に示されたように、波長変更
パターンAでは、波長λp1の励起光の時間比率T1が1
/7であってパワーP1がPであり、波長λp2の励起光
の時間比率T2が6/7であってパワーP1がPであると
する。一方、別の波長変更パターンBでは、波長λp1
励起光の時間比率T1が3/7であってパワーP1がP/
3であり、波長λp2の励起光の時間比率T2が4/7で
あってパワーP1が3P/2であるとする。このとき、
波長変更パターンA及びBのいずれの場合にも、波長λ
p1の励起光については積P11はP/7で一定であり、
また、波長λp2の励起光については積P22は6P/7
で一定である。
【0052】以上の説明では、励起光発生装置110か
ら出力される励起光として、交互に波長変更された波長
λp1の光及び波長λp2の光のいずれか出力される(図2
参照)。しかしながら、励起光発生装置110から出力
される励起光は、2チャネル間での変更に限られず、3
チャネル間以上で変更されてもよい。図9は、励起光発
生装置110から出力される励起光の波長の経時変化の
他の例の説明図である。この図に示された波長変更パタ
ーンでは、励起光発生装置110から出力される励起光
として、波長λp1の光、λp2の光及びλp3の光のいずれ
かが出力される。なお、図7及び図9に示されたよう
に、出力される励起光の波長を周期的に変更する場合、
発振器など簡易な電子回路で変更信号が得られるので好
ましい。図10は、2波長変更される励起光(G101
0)及び3波長変更される励起光(G1020)が光フ
ァイバ120に供給されたときの信号光増幅の利得スペ
クトルである。ここでは、2波長変更の場合(図2)の
出力される励起光の波長を1444nm及び1460n
mとした。また、3波長変更の場合(図9)の出力され
る励起光の波長を1444nm、1452nm及び14
60nmとした。この図から判るように、2波長変更の
場合より3波長変更の場合の方が、利得スペクトルは、
リップルが無い滑らかな形状になる。
【0053】(第2実施形態)次に、この発明に係る光
増幅器及び光発生装置(励起光発生装置)の第2実施形
態について説明する。図11は、第2実施形態に係る光
増幅器200の構造を示す図である。この光増幅器20
0は、励起光発生装置210、光ファイバ220、光合
分波器230、EDFA240a、EDFA240b、
光分岐器250、光パフォーマンスモニタ260、メモ
リ215を備える。
【0054】光ファイバ220は、信号光を伝送すると
ともに、該信号光をラマン増幅する光増幅媒体として機
能する。この光ファイバ220は、光通信システムにお
いて中継区間に敷設された光ファイバ伝送路の一部であ
ってもよいし、また、コイル状に巻かれてモジュール化
されたものであってもよい。また、この光ファイバ22
0は、信号光波長において負の波長分散を有しており、
一般に光ファイバ伝送路として用いられるシングルモー
ド光ファイバの正の波長分散を補償する。このような負
分散を有する光ファイバ220は、一般に、実効断面積
が小さいので、非線型光学現象の一種である誘導ラマン
散乱現象を生じさせる上で好ましい。光合分波器230
は、励起光発生装置210から到達した励起光を光ファ
イバ220へ供給するとともに、光ファイバ220から
到達した信号光を光分岐器250へ向けて出力する。
【0055】励起光発生装置210は、変更信号源21
1、駆動回路212a、212b、光源213a、21
3b、光合波器214及びメモリ215を備え、光ファ
イバ220へ供給されるべき励起光を発生する。光源2
13aは、駆動回路212aより駆動電流が供給される
ことにより光を出力するが、その出力光の波長が可変で
ある。同様に、光源213bは、駆動回路212bより
駆動電流が供給されることにより光を出力するが、その
出力光の波長が可変である。光合波器214は、これら
光源213a、213bそれぞれから出力された波長変
更光を合波して、その合波した光を励起光として出力す
る。変更信号源211は、これら光源213a、213
bそれぞれから出力される光の波長を変更するための変
更信号を出力する。メモリ215には、変更信号源21
1により参照される波長変更パターンが格納されてい
る。光源213a、213bそれぞれの構成及び波長変
更方式は、第1実施形態で既に説明したものと同様であ
る。
【0056】EDFA240aは光ファイバ220の前
段に設けられ、EDFA240bは光ファイバ220の
後段に設けられている。EDFA(Erbium-Doped Fiber
Amplifier)240a、240bそれぞれは、Er元素
が添加された光ファイバを光増幅媒体として用いる希土
類元素添加光ファイバ増幅器である。これらEDFA2
40a、240bそれぞれは、0.98μm波長帯の励
起光又は1.48μm波長帯の励起光が希土類元素添加
光ファイバに供給されることで、この希土類元素添加光
ファイバにおいてCバンド又はLバンドの信号光を増幅
することができる。
【0057】光分岐器250は、光ファイバ220とE
DFA240bとの間の信号光の経路上に設けられてお
り、光ファイバ220から出力された信号光の一部を分
岐して取り出し、その取り出した信号光を光パフォーマ
ンスモニタ260へ向けて出力する。光パフォーマンス
モニタ260は、光分岐器250より到達した信号光を
入力し、その信号光のスペクトルを測定して、その測定
結果を変更信号源211へ通知する。
【0058】この光増幅器200では、変更信号211
から出力された変更信号は、光源213a、213b又
は駆動回路212a、212bへ入力する。この変更信
号に基づいて、光源213a、213bそれぞれから出
力される光の波長が変更される。波長変更されて光源2
13a,213bそれぞれから出力された波長変更光
は、光合波器214により合波されて、励起光として励
起光発生装置210から出力され、光合分波器230を
経て光ファイバ220へ逆方向より供給される。そし
て、励起光が供給された光ファイバ220では、信号光
がラマン増幅される。
【0059】また、この光増幅器200において、信号
光は、前段のEDFA240a、中段の光ファイバ22
0及び後段のEDFA240bそれぞれにより増幅され
る。したがって、この光増幅器200全体における信号
光増幅の利得スペクトルは、EDFA240a、光ファ
イバ220及びEDFA240bそれぞれの利得スペク
トルを総合したスペクトルとなる。
【0060】さらに、この光増幅器200では、光ファ
イバ220より出力された信号光のスペクトルが光パフ
ォーマンスモニタ260により測定される。そして、こ
の測定結果に基づいて、励起光発生装置210より出力
される励起光の波長変更が制御される。これにより、光
ファイバ220における信号光のラマン増幅の利得スペ
クトルが所望のスペクトルとなり、また、光増幅器20
0全体の信号光増幅の利得スペクトルも所望のスペクト
ルとなる。
【0061】図12は、第2実施形態に係る光増幅器2
00の励起光発生装置210から出力される励起光の波
長の経時変化の説明するためのタイムチャートである。
励起光発生装置210の光源213aから光ファイバ2
20へは、波長λp1の励起光、波長λp2の励起光及び波
長λp3の励起光が時間経過とともに交互に供給される。
また、励起光発生装置210の光源213bから光ファ
イバ220へは、波長λp4の励起光及び波長λp5の励起
光が時間経過とともに交互に供給される。光ファイバ2
20の各位置を伝搬している励起光の波長の様子をある
時刻で見れば、波長λp1の励起光が伝搬している領域
と、波長λp2の励起光が伝搬している領域と、波長λp3
の励起光が伝搬している領域とが、光ファイバ220の
長手方向に沿って順に交互に存在することになる。同時
に、波長λp4の励起光が伝搬している領域と、波長λp5
の励起光が伝搬している領域とが、光ファイバ220の
長手方向に沿って順に交互に存在することになる。
【0062】この光ファイバ220を伝搬する信号光
は、逆方向に進んでくる波長変更された励起光に起因し
た誘導ラマン散乱現象に基づいてラマン増幅される。光
ファイバ220における信号光のラマン増幅の利得スペ
クトルは、波長λp1〜λp5それぞれの励起光の寄与が総
合されたスペクトルとなる。したがって、この光増幅器
200では、2つの光源213a、213bそれぞれか
ら波長変更された励起光が光ファイバ220に供給され
ることで、実効的に同時に5チャネルの励起光が光ファ
イバ220に供給されることと等価になるので、小型で
安価な励起光発生装置210により所望の利得スペクト
ルが容易に得られる。
【0063】図13は、第2実施形態に係る光増幅器2
00の光ファイバ220から出力される信号光のスペク
トルである。なお、図13において、グラフG1310
はスパンロス変動であり、グラフG1320は励起光波
長を変更しないときの信号スペクトル、グラフG133
0は図12に示された波長変更パターンCで励起光波長
を変更したときの信号スペクトル、グラフG1340は
図15に示された波長変更パターンDで励起光波長を変
更したときの信号スペクトルを、それぞれ示している。
図14は、第2実施形態に係る光増幅器200の励起光
発生装置210に含まれる光源213a、213bそれ
ぞれの波長変更方式例における各波長の励起光のパワー
を示す表である。図14には、光源213a、213b
それぞれから出力される励起光の波長が無変更である場
合、図12に示されたような波長変更パターンCである
場合、及び、図15に示されたような波長変更パターン
Dである場合それぞれについて、各波長の励起光のパワ
ー、各光源のパワー、及び、2光源のパワーの総計が示
されている。ここでは、光ファイバ220の長さを10
kmとした。光増幅器200に入力する信号光の波長域
は1528nm〜1564nmであり、信号波長帯域幅
が36nmであるとした。
【0064】波長変更が行われずに、光源213aから
出力される励起光が単一波長1430nmでパワー1
9.7dBmであって、光源213bから出力される励
起光が単一の波長1456nmでパワー18.0dBm
である場合、図13に示されたように、信号波長帯域に
おける光ファイバ220の出力信号光のスペクトルの偏
差は0.5dBp-pであった。
【0065】これに対して、波長変更パターンCでは、
光源213aから出力される励起光の波長が波長142
5nm(パワー16.7dBm、時間比率1/3)、波
長1433nm(パワー15.5dBm、時間比率1/
3)及び波長1441nm(パワー15.1dBm、時
間比率1/3)の3波長のいずれかに変更され、光源2
13bから出力される励起光の波長が波長1459nm
(パワー11.9dBm、時間比率1/3)及び波長1
467nm(パワー15.3dBm、時間比率2/3)
の2波長のいずれかに変更された(図12)。この場
合、図13に示されたように、信号波長帯域における光
ファイバ220の出力信号光のスペクトルの偏差は0.
2dBp-pまで低減された。
【0066】この波長変更パターンCの状態において、
光増幅器200の上流側の光ファイバ伝送路のスパンロ
スが2dBだけ増加したとすると、前段のEDFA24
0aの利得が大きくなり、このEDFA240aの利得
スペクトルが変動する。そして、これに伴い、図13に
示されたように、信号波長帯域における光ファイバ22
0の出力信号光のスペクトルの偏差は大きくなる。
【0067】そこで、このようなスパンロス増加が発生
した場合には、波長変更パターンCから波長変更パター
ンDに切り替えられる。波長変更パターンDでは、光源
213aから出力される励起光の波長が波長1433n
m(パワー16.0dBm、時間比率1/2)及び波長
1441nm(パワー16.6dBm、時間比率1/
2)の2波長のいずれかに変更され、光源213bから
出力される励起光の波長が波長1459nm(パワー1
0.1dBm、時間比率1/7)及び波長1467nm
(パワー18.1dBm、時間比率6/7)の2波長の
いずれかに変更された(図15)。このような変更を行
うことにより、図13に示されたように、信号波長帯域
における光ファイバ220の出力信号光のスペクトルの
偏差は0.3dBp-pまで低減された。
【0068】以上のような励起光発生装置210の各光
源から出力される励起光の波長変更方式は、光パフォー
マンスモニタ260により測定された信号光スペクトル
に基づいて帰還制御される。このようにすることによ
り、光ファイバ220から出力される信号光のスペクト
ルが信号波長帯域内で平坦に維持される。あるいは、光
増幅器200に入力する信号光のスペクトルが測定さ
れ、この測定結果に基づいて励起光の波長変更方式がフ
ィードフォワード制御されてもよい。あるいは、上流か
ら信号光とともに送られてくる監視光に基づいて得られ
たスパンロス変動に関する情報に基づいて、励起光の波
長変更方式が制御されてもよい。
【0069】また、光増幅器200より下流側でスパン
ロス増加があった場合には、後段のEDFA240bの
利得が大きくなり、このEDFA240bの利得スペク
トルが変動する。そして、これに伴い、光増幅器200
から出力される信号光のスペクトルの偏差が大きくな
る。この場合にも、波長変更パターンDが採用されるこ
とで、光ファイバ220の出力信号光のスペクトルの偏
差が大きくなっても、光増幅器200から出力される信
号光のスペクトルの偏差が平坦に維持され得る。
【0070】図14に示されたとおり、無変更、波長変
更パターンC及び波長変更パターンDそれぞれの場合
で、光源213a、213bそれぞれから光ファイバ2
20へ供給される励起光のパワーの総計は約22dBm
であり、励起光パワー総計の差は0.24dBp-pであ
った。また、個々の光源から光ファイバ220へ供給さ
れる励起光のパワーは、波長変更パターンC時に光源2
13aから光ファイバ220へ供給される励起光のパワ
ー20.6dBmが最大であった。光源213a、21
3bから光ファイバ220へ至るまでの損失(典型的に
は1.8dB程度)を勘案しても、現在流通している出
力パワー200mW(23dBm)級の半導体レーザ光
源により光源213a、213bは容易に実現可能であ
る。また、近年では出力パワーが300mW(=24.
7dBm)を越える半導体レーザ光源も存在するので、
図11中の光源213a、213bに替えて、1つの出
力パワー300mW級の光源を用いるだけでよい。後者
の場合には、1つの光源から出力される光が5波長に変
更されることになり、また、光合波器214が不要とな
るので、励起光発生装置210が更に小型・安価のもの
となる。
【0071】なお、一般に、実用化されているEDFA
が増幅し得る信号波長帯域幅は、Cバンド又はLバンド
における帯域幅36nmである。したがって、励起光発
生装置210から出力される波長変更光のスペクトル
は、それぞれの中心波長が26nm以上離れた2つのピ
ークを有しているのが好ましい。
【0072】なお、図15に示されたような複数種類の
波長変更パターンを実現する場合、図16に示されたよ
うに、予め複数種類の波長変更パターンをメモリ215
に格納しておき、ネットワーク監視システム500等の
外部からの信号で波長変更パターンを切り替えてもよ
い。特に、図13のような異常事態が発生する度に波長
変更パターンを計算するよりも制御回路の負荷が軽減さ
れる。
【0073】また、以上の説明では、光源213aから
出力される光の波長範囲λp1〜λp2と、光源213bか
ら出力される光の波長範囲λp3〜λp5とは、図17に示
されたとおり、互いに重なることはなかった。ここで、
図17(a)は波長範囲λp3〜λp5の波長変更パターン
を示し、図17(b)は各波長のパワースペクトルであ
る。図17(b)のパワースペクトルは、線スペクトル
のように示されているが、スペクトル幅Aが0〜2mm
の範囲であれば(図18(a)参照)、ラマン利得スペ
クトルの形状にはほとんど影響しない。したがって、上
記文献1に示されたように、狭い波長域に複数の縦モー
ドが存在してもよい(図18(b)参照)。この場合、
モードホップ雑音やSBSの回避に有効である。なお、
図19(a)に示されたように、光源213aから出力
される光の波長範囲λpa1〜λpa3と、光源213bから
出力される光の波長範囲λpb1〜λpb3とは、互いに一部
が重なっていてもよく、この場合には、図19(b)に
示されたような透過特性を有するインターリーバが光合
波器214として利用される。
【0074】図19(a)には、励起光発生装置210
から出力される励起光の時間平均スペクトルが示されて
おり、そのうち、実線のピークは光源213aから出力
される励起光スペクトルを示し、破線のピークは光源2
13bから出力される励起光スペクトルを示す。また、
図19(b)には、インターリーバとしての光合波器2
14の透過特性が示されており、そのうち実線は光源2
13aより入力した光の透過特性を示し、破線は光源2
13bより入力した光の透過特性を示す。このように、
インターリーバでは、光源213aより入力した光の透
過波長と、光源213bより入力した光の透過波長と
が、交互に現れる。
【0075】インターリーバが光合波器214として利
用されれば、光源213aから出力される光の波長範囲
λpa1〜λpa3と、光源213bから出力される光の波長
範囲λpb1〜λpb3とは、互いに一部が重なることができ
る。このような冗長構成とすれば、一方の光源213a
が故障した場合に、他方の光源213bのみでも信号光
を増幅するための励起光を出力することができる。
【0076】ただし、光源213a、213bそれぞれ
から出力される光の波長が全く重なってしまうことは励
起効率や消費電力の観点から好ましくない。すなわち、
光源213a、213bそれぞれが受け持つ利得帯域は
互いに異なることが消費電力やコストの点で好ましい。
そこで、光源213aから出力される各波長λpanの光
をパワーPanについて加重平均した平均波長λA、及
び、光源213bから出力される各波長λpbnの光をパ
ワーPbnについて加重平均した平均波長λBそれぞれ
を、以下の式(5a)、(5b)のように定義すると、
平均波長λAとλBとの差は4nm以上であるのが好まし
い。
【0077】
【数5】 なお、添え字nは各波長を識別するためのものであり、
Σは添え字nについての和を表し、演算子<*>は時間平
均を表す。
【0078】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、光発生
装置において変更手段により波長が変更された波長変更
光は、励起光として光増幅媒体に供給される。そして、
励起光が供給された光増幅媒体では、信号光が増幅され
る。このような励起光が光増幅媒体に供給されること
で、光源の個数を越えるチャネル数の励起光が実効的に
同時に光増幅媒体に供給されることと等価になるので、
小型で安価な光発生装置により所望の利得スペクトルが
容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明に係る光増幅器における第1実施形態
の構成を示す図である。
【図2】第1実施形態に係る光増幅器の励起光発生装置
から出力される励起光の波長の経時変化(波長変更パタ
ーン)を説明するためのタイムチャートである。
【図3】波長λp1と波長λp2との差Δλの各値における
利得スペクトルである。
【図4】利得スペクトルの帯域幅と波長差Δλとの関係
を示すグラフである。
【図5】励起光発生装置に含まれる光源の構成例を示す
断面図である。
【図6】励起光発生装置に含まれる光源の他の構成例を
示す断面図である。
【図7】励起光発生装置に含まれる光源の波長変更方式
例を説明するためのタイムチャートである。
【図8】励起光発生装置に含まれる光源の波長変更方式
例における各波長の励起光のパワーと時間比率との関係
を示す表である。
【図9】励起光発生装置から出力される励起光の波長の
経時変化(波長変更パターン)を説明するためのタイム
チャートである。
【図10】2波長変更及び3波長変更それぞれの励起光
が光ファイバに供給されたときの信号光増幅の利得スペ
クトルである。
【図11】この発明に係る光増幅器における第2実施形
態の構成を示す図である。
【図12】第2実施形態に係る光増幅器の励起光発生装
置から出力される励起光の波長の経時変化(波長変更パ
ターン)を説明するためのタイムチャートである。
【図13】第2実施形態に係る光増幅器の光ファイバか
ら出力される信号光のスペクトルである。
【図14】励起光発生装置に含まれる光源それぞれの波
長変更方式例における各波長の励起光のパワーを示す表
である。
【図15】第2実施形態に係る光増幅器の励起光発生装
置から出力される励起光の波長の経時変化(波長変更パ
ターン)の他の例を説明するためのタイムチャートであ
る。
【図16】第2実施形態に係る光増幅器の他の構成例を
示す図である。
【図17】励起光発生装置に含まれる光源それぞれから
出力される光の波長範囲を示す図及びパワースペクトル
である。
【図18】励起光発生装置に含まれる光源それぞれから
出力される光のスペクトルの詳細構造を示す図である。
【図19】励起光発生装置に含まれる光源それぞれから
出力される光の波長範囲の他の例を示す図である。
【符号の説明】
100…光増幅器、110…励起光発生装置、111…
変更信号源、112…駆動回路、113…光源、120
…光ファイバ、130…光合分波器、200…光増幅
器、210…励起光発生装置、211…変更信号源、2
12a、212b…駆動回路、213a、213b…光
源、214…光合波器、220…分散補償光ファイバ、
230…光合分波器、240a、240b…EDFA、
250…光分岐器、260…光パフォーマンスモニタ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01S 5/062 H01S 5/14 5/14 3/094 S H04B 10/16 H04B 9/00 E 10/17 J H04J 14/00 14/02 (72)発明者 西村 正幸 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 Fターム(参考) 2K002 AA02 AB30 BA04 DA10 EB13 GA07 HA23 5F072 AB07 AK06 JJ01 KK30 PP07 QQ07 YY17 5F073 AA65 AA67 AA89 AB28 BA09 GA24 5K102 AA16 AA53 AD01 MA03 MB05 MC03 PB15 PH14

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 出力光の波長が可変である光源と、該光
    源から出力される光又は該光源内の光の波長を時間経過
    とともに繰り返し変更する変更手段とを備え、前記変更
    手段により波長が変更された波長変更光を出力する光発
    生装置。
  2. 【請求項2】 前記光源から出力される光の、所定期間
    に亘るトータルパワーの平均値は、88mW以上である
    ことを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  3. 【請求項3】 前記光源から出力される光の、所定期間
    に亘るトータルパワーの平均値は、150mW以上であ
    ることを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  4. 【請求項4】 前記光源から出力される光の波長は、周
    期的に変更されることを特徴とする請求項1記載の光発
    生装置。
  5. 【請求項5】 前記光源から出力される光は、2以上の
    縦モードを含むことを特徴とする請求項1記載の光発生
    装置。
  6. 【請求項6】 前記波長変更光の最大波長と最小波長と
    の差は、4nm以上であることを特徴とする請求項1記
    載の光発生装置。
  7. 【請求項7】 前記波長変更光のスペクトルは、それぞ
    れの中心波長が26nm以上離れた2つのピークを有し
    ていることを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  8. 【請求項8】 前記光源は、それぞれが出力光の波長が
    可変であるN個(Nは2以上の整数)の光源要素を含
    み、 前記変更手段が前記N個の光源要素から出力される光又
    は該N個の光源要素内の光の波長を、それぞれ変更し、 前記N個の光源要素それぞれから出力された波長変更光
    を合波する光合波器を備えることを特徴とする請求項1
    記載の光発生装置。
  9. 【請求項9】 前記N個の光源要素のうちから選択され
    た2つの光源要素それぞれから出力される波長変更光の
    波長の差は、4nm以上であることを特徴とする請求項
    8記載の光発生装置。
  10. 【請求項10】 前記N個の光源要素のうちから選択さ
    れた2つの光源要素それぞれから出力される波長変更光
    の波長範囲は、互いに少なくとも一部が重なっているこ
    とを特徴とする請求項8記載の光発生装置。
  11. 【請求項11】 前記光源は、 駆動電流が供給されることにより光を発生する光活性層
    を挟んで光反射面と光出射面とを有する半導体発光素子
    と、 前記半導体発光素子の光出射面から出射された光のうち
    特定波長の光の一部を反射させて、その反射光を前記半
    導体発光素子の光活性層に帰還させる光帰還素子とを含
    み、 前記変更手段は、前記光帰還素子における反射波長を時
    間経過とともに繰り返し変更することにより、前記光源
    から出力される光又は該光源内の光の波長を変更するこ
    とを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  12. 【請求項12】 前記光源は、駆動電流が供給されるこ
    とにより光を発生する光活性層を有する半導体発光素子
    を含み、 前記変更手段は、前記光源に供給される駆動電流の大き
    さを時間経過とともに繰り返し変更することにより、前
    記光源から出力される光又は該光源内の光の波長を変更
    することを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  13. 【請求項13】 前記光源は、駆動電流が供給されるこ
    とにより光を発生する光活性層と、この光活性層を挟む
    よう設けられた、特定波長の光を共振させる第1光帰還
    部と第2帰還部とが、半導体基板上に集積化された半導
    体発光素子を含み、 前記変更手段は、前記第1光帰還部及び前記第2光帰還
    部による共振波長を時間経過とともに繰り返し変更する
    ことにより、前記光源から出力される光又は該光源内の
    光の波長を変更することを特徴とする請求項1記載の光
    発生装置。
  14. 【請求項14】 前記変更手段は、前記光源からの出力
    光の波長の経時変化に相当する波長変更パターンが可変
    であることを特徴とする請求項1記載の光発生装置。
  15. 【請求項15】 前記変更手段は、前記光源からの出力
    光のパワーを変更することを特徴とする請求項1記載の
    光発生装置。
  16. 【請求項16】 信号光を増幅する光増幅媒体と、 この光増幅媒体に供給されるべき波長変更された励起光
    を発生する、請求項1記載の光発生装置とを備えた光増
    幅器。
  17. 【請求項17】 前記光増幅媒体における前記信号光及
    び前記励起光それぞれの進行方向は互いに逆であり、 前記励起光発生装置から出力される励起光の波長変更の
    周波数は、前記光増幅媒体の実効長を前記信号光が伝搬
    する時間の逆数で与えられる周波数の10倍以上である
    ことを特徴とする請求項16記載の光増幅器。
  18. 【請求項18】 前記光増幅媒体における前記信号光及
    び前記励起光それぞれの進行方向は互いに同一であり、 前記励起光発生装置から出力される励起光の波長変更の
    周波数は、前記光増幅媒体の実効長、波長分散、及び前
    記信号光と前記励起光との間の波長間隔により決定され
    るウォークオフ周波数の10倍以上であることを特徴と
    する請求項16記載の光増幅器。
  19. 【請求項19】 前記光発生装置から出力される励起光
    の波長の経時変化に相当する波長変更パターンは、前記
    光増幅媒体からの出射時の信号光スペクトルが平坦とな
    るように設定されることを特徴とする請求項16記載の
    光増幅器。
  20. 【請求項20】 請求項16記載の光増幅器の前又は後
    のスパンロス変動を算出し、該算出結果に基づいて前記
    光増幅器の出力信号光スペクトルを所定形状に制御する
    光増幅器制御方法。
  21. 【請求項21】 伝搬してきた信号光を増幅する請求項
    16記載の光増幅器と、 前記信号光を伝送するとともに該信号光を増幅するため
    の光増幅媒体として機能する光ファイバ伝送路とを備え
    た光通信システム。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007524218A (ja) * 2003-12-24 2007-08-23 ピレリ・アンド・チ・ソチエタ・ペル・アツィオーニ チューナブル共鳴格子フィルタ
JP2011158907A (ja) * 2011-02-03 2011-08-18 Pgt Photonics Spa チューナブル共鳴格子フィルタ
US8891572B2 (en) 2009-05-27 2014-11-18 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device having reflecting and emitting surfaces

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