JPH11354871A - 光ファイバ増幅器 - Google Patents
光ファイバ増幅器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号光源と励起光源とを一体化した光ファイ
バ増幅器を提供する。 【解決手段】 広いスペクトラムを有する発光素子であ
るファブリペロ型半導体レーザ素子１と、このファブリ
ペロ型半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の、光
ファイバ増幅器にて増幅可能な信号光領域の波長のみを
反射するような回折格子を有したファイバグレーティン
グ２と、信号光と同じ波長域での高いアイソレーション
を有しているインラインアイソレータ３と、信号光を誘
導増幅する光ファイバ４とを具備して構成される。本構
成の光ファイバ増幅器は、信号光を送信する信号光源８
と信号光を励起する励起光源９とが同一のファブリペロ
型半導体レーザ素子１で構成される。従って、同一の発
光素子からの信号光を誘導増幅することができることに
より、光ファイバの小型化、低価格化、ＮＦ特性の向上
化が可能となる。
バ増幅器を提供する。 【解決手段】 広いスペクトラムを有する発光素子であ
るファブリペロ型半導体レーザ素子１と、このファブリ
ペロ型半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の、光
ファイバ増幅器にて増幅可能な信号光領域の波長のみを
反射するような回折格子を有したファイバグレーティン
グ２と、信号光と同じ波長域での高いアイソレーション
を有しているインラインアイソレータ３と、信号光を誘
導増幅する光ファイバ４とを具備して構成される。本構
成の光ファイバ増幅器は、信号光を送信する信号光源８
と信号光を励起する励起光源９とが同一のファブリペロ
型半導体レーザ素子１で構成される。従って、同一の発
光素子からの信号光を誘導増幅することができることに
より、光ファイバの小型化、低価格化、ＮＦ特性の向上
化が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信号光源および励
起光源が一体型の光ファイバ増幅器に関する。
起光源が一体型の光ファイバ増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ファイバ増幅器は、一般に信号
光を発生する信号光源と励起光を発生する励起光源と
を、それぞれ別個に設けている。
光を発生する信号光源と励起光を発生する励起光源と
を、それぞれ別個に設けている。
【０００３】図３は、従来例１としての光ファイバ増幅
器の構成例を示す回路構成ブロック図である。本従来例
１の光ファイバ増幅器は、インラインアイソレータ３
と、希土類ドープ光ファイバ４と、外部変調器５と、波
長合波カプラ７と、信号光源８と、励起光源９とにより
構成される。
器の構成例を示す回路構成ブロック図である。本従来例
１の光ファイバ増幅器は、インラインアイソレータ３
と、希土類ドープ光ファイバ４と、外部変調器５と、波
長合波カプラ７と、信号光源８と、励起光源９とにより
構成される。
【０００４】図３においては、信号光を発生する信号光
源と励起光を発生する励起光源は別々であり、それぞれ
が別の場所に配置されている。信号光源８から発生した
信号光と励起光源９から発生した励起光とは、波長合波
カプラ７で合波され、インラインアイソレータ４と希土
類ドープ光ファイバ４を経て、外部変調器５へ入射され
ている。
源と励起光を発生する励起光源は別々であり、それぞれ
が別の場所に配置されている。信号光源８から発生した
信号光と励起光源９から発生した励起光とは、波長合波
カプラ７で合波され、インラインアイソレータ４と希土
類ドープ光ファイバ４を経て、外部変調器５へ入射され
ている。
【０００５】従来例２として示される特開平９−１６０
０８５号公報の「光ファイバ増幅器」は、２つの独立し
た光ファイバ増幅器を備え、２段構成あるいは独立した
２方向伝送の光ファイバ増幅装置として構成されてい
る。本従来例２においては、励起効率を向上させ、励起
光源の低電流化、利得の向上、高出力化を図っている。
０８５号公報の「光ファイバ増幅器」は、２つの独立し
た光ファイバ増幅器を備え、２段構成あるいは独立した
２方向伝送の光ファイバ増幅装置として構成されてい
る。本従来例２においては、励起効率を向上させ、励起
光源の低電流化、利得の向上、高出力化を図っている。
【０００６】従来例３として示される特開平９−２２２
６２１号公報の「光ファイバ増幅装置」は、入力信号光
のパワーを受光する機能を有する複合光部品を光ファイ
バ増幅器の入力側に設けている。また、励起光を信号光
と逆方向に伝搬させる励起機構を有した構成としてい
る。
６２１号公報の「光ファイバ増幅装置」は、入力信号光
のパワーを受光する機能を有する複合光部品を光ファイ
バ増幅器の入力側に設けている。また、励起光を信号光
と逆方向に伝搬させる励起機構を有した構成としてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術においては、信号光源と励起光源とが別々であ
るためコスト高になり、また、別々に配置する収納スペ
ースを必要とするため、光ファイバ増幅器全体が大きく
なる等の問題点がある。
従来技術においては、信号光源と励起光源とが別々であ
るためコスト高になり、また、別々に配置する収納スペ
ースを必要とするため、光ファイバ増幅器全体が大きく
なる等の問題点がある。
【０００８】本発明は、信号光源と励起光源とを一体化
した光ファイバ増幅器を提供することを目的とする。
した光ファイバ増幅器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、信号光を送信する信号光源
と信号光を励起する励起光源とを有する光ファイバ増幅
器において、広いスペクトラムを備える発光素子と、発
光素子の波長域から長波長側の、光ファイバ増幅器にて
増幅可能な信号光領域の波長のみを反射するような回折
格子を有したファイバグレーティングと、信号光と同じ
波長域での高いアイソレーションを備えているインライ
ンアイソレータと、信号光を誘導増幅する光ファイバと
を有し、信号光源と励起光源とが同一の発光素子で構成
されていることを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、信号光を送信する信号光源
と信号光を励起する励起光源とを有する光ファイバ増幅
器において、広いスペクトラムを備える発光素子と、発
光素子の波長域から長波長側の、光ファイバ増幅器にて
増幅可能な信号光領域の波長のみを反射するような回折
格子を有したファイバグレーティングと、信号光と同じ
波長域での高いアイソレーションを備えているインライ
ンアイソレータと、信号光を誘導増幅する光ファイバと
を有し、信号光源と励起光源とが同一の発光素子で構成
されていることを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、発光素子は、ファブリペロ型半導体レーザ
素子であることを特徴とする。
明において、発光素子は、ファブリペロ型半導体レーザ
素子であることを特徴とする。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、ファブリペロ型半導体レーザ素子は、１．
４８μｍ帯での発振波長特性を有し、発振光が１．４８
μｍ帯の広いスペクトラムを有することを特徴とする。
明において、ファブリペロ型半導体レーザ素子は、１．
４８μｍ帯での発振波長特性を有し、発振光が１．４８
μｍ帯の広いスペクトラムを有することを特徴とする。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項１から３の
いずれか１項に記載の発明において、光ファイバは、希
土類ドープ光ファイバであることを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、光ファイバは、希
土類ドープ光ファイバであることを特徴とする。
【００１３】請求項５記載の発明は、請求項４記載の発
明において、希土類ドープ光ファイバは、ホストガラス
としての石英ガラスまたはフッ化物ガラスに希土類を添
加して構成される光ファイバであることを特徴とする。
明において、希土類ドープ光ファイバは、ホストガラス
としての石英ガラスまたはフッ化物ガラスに希土類を添
加して構成される光ファイバであることを特徴とする。
【００１４】請求項６記載の発明は、請求項１から５の
いずれか１項に記載の発明において、光ファイバ増幅器
は、信号光を送信する１．５５μｍ帯の信号光源モジュ
ールと、希土類ドープ光ファイバを励起する１．４８μ
ｍ帯の励起光源とが、一体化されたモジュールとして構
成されていることを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、光ファイバ増幅器
は、信号光を送信する１．５５μｍ帯の信号光源モジュ
ールと、希土類ドープ光ファイバを励起する１．４８μ
ｍ帯の励起光源とが、一体化されたモジュールとして構
成されていることを特徴とする。
【００１５】請求項７記載の発明は、請求項１から６の
いずれか１項に記載の発明において、光ファイバ増幅器
は、信号光を変調する外部変調器を有して構成されてい
ることを特徴とする。
いずれか１項に記載の発明において、光ファイバ増幅器
は、信号光を変調する外部変調器を有して構成されてい
ることを特徴とする。
【００１６】請求項８記載の発明は、請求項７記載の発
明において、外部変調器は、光ファイバの後段に配置さ
れ、光ファイバにて増幅された信号光を変調することを
特徴とする。
明において、外部変調器は、光ファイバの後段に配置さ
れ、光ファイバにて増幅された信号光を変調することを
特徴とする。
【００１７】請求項９記載の発明は、請求項７記載の発
明において、光ファイバ増幅器は、ファイバグレーティ
ングとインラインアイソレータとの間に外部変調器が配
置され、外部変調器の前段に波長分波カプラと後段に波
長合波カプラとを有し、波長分波カプラと波長合波カプ
ラとの間が外部変調器の迂回回路で連結され、迂回回路
により波長分波カプラで分波された分波光が波長合波カ
プラにおいて合波されるように構成されていることを特
徴とする。
明において、光ファイバ増幅器は、ファイバグレーティ
ングとインラインアイソレータとの間に外部変調器が配
置され、外部変調器の前段に波長分波カプラと後段に波
長合波カプラとを有し、波長分波カプラと波長合波カプ
ラとの間が外部変調器の迂回回路で連結され、迂回回路
により波長分波カプラで分波された分波光が波長合波カ
プラにおいて合波されるように構成されていることを特
徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による光ファイバ増幅器の実施の形態を詳細に説明す
る。図１および図２を参照すると、本発明の光ファイバ
増幅器の実施形態が示されている。図１は、本発明の第
１の実施形態の光ファイバ増幅器、図２は、本発明の第
２の実施形態の光ファイバ増幅器をそれぞれ示してい
る。
による光ファイバ増幅器の実施の形態を詳細に説明す
る。図１および図２を参照すると、本発明の光ファイバ
増幅器の実施形態が示されている。図１は、本発明の第
１の実施形態の光ファイバ増幅器、図２は、本発明の第
２の実施形態の光ファイバ増幅器をそれぞれ示してい
る。
【００１９】図１において、本発明の第１の実施形態で
ある光ファイバ増幅器は、ファブリペロ型半導体レーザ
素子１と、ファイバグレーティング２と、インラインア
イソレータ３と、希土類ドープ光ファイバ４と、外部変
調器５とを有して構成されている。上記の各部により構
成される本実施形態の光ファイバ増幅器は、信号光を送
信する１．５５μｍ帯の信号光源モジュールと、希土類
ドープ光ファイバを励起する１．４８μｍ帯の励起光源
とが一体化されたモジュールとして構成される。
ある光ファイバ増幅器は、ファブリペロ型半導体レーザ
素子１と、ファイバグレーティング２と、インラインア
イソレータ３と、希土類ドープ光ファイバ４と、外部変
調器５とを有して構成されている。上記の各部により構
成される本実施形態の光ファイバ増幅器は、信号光を送
信する１．５５μｍ帯の信号光源モジュールと、希土類
ドープ光ファイバを励起する１．４８μｍ帯の励起光源
とが一体化されたモジュールとして構成される。
【００２０】各構成部のファブリペロ型半導体レーザ素
子１は、インジウムＩｎ、ガリウムＧａ、ヒ素Ａｓ、リ
ンＰ等の結晶を利用した１．４８μｍ帯での発振波長特
性を有している。従って、このファブリペロ型半導体レ
ーザ素子１による発振光は、１．４８μｍ帯で広いスペ
クトラムを有する。
子１は、インジウムＩｎ、ガリウムＧａ、ヒ素Ａｓ、リ
ンＰ等の結晶を利用した１．４８μｍ帯での発振波長特
性を有している。従って、このファブリペロ型半導体レ
ーザ素子１による発振光は、１．４８μｍ帯で広いスペ
クトラムを有する。
【００２１】ファイバグレーティング２は、ファブリペ
ロ型半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の光ファ
イバ増幅器で増幅可能な信号光領域の波長１．５μｍ帯
の回折格子を有して構成される。このファイバグレーテ
ィング２は、紫外光誘起屈折率変化を用いて、ファイバ
コア中にブラッグ回折格子を形成した狭帯域のファイバ
グレーティングであり、回折格子の波長として、ファブ
リペロ型半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の光
ファイバ増幅器で増幅可能な信号光領域の波長帯を有し
ている。また、反射率としては、０．１〜５０％、特に
２〜１０％を有している。なお、ファイバグレーティン
グ２の半値幅としては、ファブリペロ型半導体レーザ素
子１を狭帯域に発振させたい任意の半値幅で設定する。
ロ型半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の光ファ
イバ増幅器で増幅可能な信号光領域の波長１．５μｍ帯
の回折格子を有して構成される。このファイバグレーテ
ィング２は、紫外光誘起屈折率変化を用いて、ファイバ
コア中にブラッグ回折格子を形成した狭帯域のファイバ
グレーティングであり、回折格子の波長として、ファブ
リペロ型半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の光
ファイバ増幅器で増幅可能な信号光領域の波長帯を有し
ている。また、反射率としては、０．１〜５０％、特に
２〜１０％を有している。なお、ファイバグレーティン
グ２の半値幅としては、ファブリペロ型半導体レーザ素
子１を狭帯域に発振させたい任意の半値幅で設定する。
【００２２】インラインアイソレータ３は、ファラデー
回転子等を利用したインラインアイソレータであり、信
号光と同じ波長域での高いアイソレーションを有してい
る。
回転子等を利用したインラインアイソレータであり、信
号光と同じ波長域での高いアイソレーションを有してい
る。
【００２３】希土類ドープ光ファイバ４は、ホストガラ
スとしての石英ガラス、フッ化物ガラスに、エルビウム
Ｅｒ、ネオジムＮｄ等の希土類を添加し、ガラス中に添
加された希土類イオンが励起光である１．４８μｍ帯の
光により活性化し、反転分布を形成する。このことによ
り、１．５μｍ帯の信号光を誘導増幅する。
スとしての石英ガラス、フッ化物ガラスに、エルビウム
Ｅｒ、ネオジムＮｄ等の希土類を添加し、ガラス中に添
加された希土類イオンが励起光である１．４８μｍ帯の
光により活性化し、反転分布を形成する。このことによ
り、１．５μｍ帯の信号光を誘導増幅する。
【００２４】また、外部変調器５は、電気光学効果など
の効果を利用したＥＡ変調器、ＬＮ変調器等、あるい
は、音響光学効果などの効果を利用したＡＯ変調器等で
ある。
の効果を利用したＥＡ変調器、ＬＮ変調器等、あるい
は、音響光学効果などの効果を利用したＡＯ変調器等で
ある。
【００２５】以上の各構成部により構成された光ファイ
バ増幅器において、ファブリペロ型半導体レーザ素子１
と波長帯の離れたファイバグレーティング２との間で外
部共振器が形成される。この共振により、ファイバグレ
ーティング２の回折格子の波長、つまりファブリペロ型
半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の、光ファイ
バ増幅器で増幅可能な信号光領域の波長１．５μｍ帯で
狭帯域発振させることができる。
バ増幅器において、ファブリペロ型半導体レーザ素子１
と波長帯の離れたファイバグレーティング２との間で外
部共振器が形成される。この共振により、ファイバグレ
ーティング２の回折格子の波長、つまりファブリペロ型
半導体レーザ素子１の波長域から長波長側の、光ファイ
バ増幅器で増幅可能な信号光領域の波長１．５μｍ帯で
狭帯域発振させることができる。
【００２６】上述した通り、ファブリペロ型半導体レー
ザ素子１とファイバグレーティング２の回折格子波長と
は、約３０ｎｍ以上離れている。このため、ファイバグ
レーティング２でファブリペロ型半導体レーザ素子１単
体の波長をすべて引き込むことができず、ファブリペロ
型半導体レーザ素子１単体での波長域でも発振する。従
って、光ファイバからは、ファイバグレーティング２で
決定される波長とファブリペロ型半導体レーザ素子１の
波長の二波長が取り出される。本実施形態では、この二
つの波長を光ファイバ増幅器の信号光と励起光として使
用する。
ザ素子１とファイバグレーティング２の回折格子波長と
は、約３０ｎｍ以上離れている。このため、ファイバグ
レーティング２でファブリペロ型半導体レーザ素子１単
体の波長をすべて引き込むことができず、ファブリペロ
型半導体レーザ素子１単体での波長域でも発振する。従
って、光ファイバからは、ファイバグレーティング２で
決定される波長とファブリペロ型半導体レーザ素子１の
波長の二波長が取り出される。本実施形態では、この二
つの波長を光ファイバ増幅器の信号光と励起光として使
用する。
【００２７】図１を参照すると、本実施形態の光ファイ
バ増幅器は、信号光と励起光を同じファブリペロ型半導
体レーザ素子１から取り出し、取り出した信号光を希土
類ドープ光ファイバ４で増幅させた後、外部変調器５で
変調処理を行う。
バ増幅器は、信号光と励起光を同じファブリペロ型半導
体レーザ素子１から取り出し、取り出した信号光を希土
類ドープ光ファイバ４で増幅させた後、外部変調器５で
変調処理を行う。
【００２８】次に、図１に示される本発明の第１の実施
形態における動作について添付図面を参照して説明す
る。ファブリペロ型半導体レーザ素子１から出射した光
は、ブラッグ回折格子を形成したファイバグレーティン
グ２を有する光ファイバに集光され、このファイバグレ
ーティング２で一部の光が反射され、ファブリペロ型半
導体レーザ素子１の後面と外部共振器を形成する。この
外部共振器により、発振波長幅５０ｎｍ（４０ｄＢダウ
ン幅）以上と広いファブリペロ型半導体レーザ素子１の
波長範囲のうち、ファイバグレーティング２の回折格子
で決定される任意の波長のみを、例えば、半値幅１ｎｍ
以下で狭帯域発振させることが可能である。
形態における動作について添付図面を参照して説明す
る。ファブリペロ型半導体レーザ素子１から出射した光
は、ブラッグ回折格子を形成したファイバグレーティン
グ２を有する光ファイバに集光され、このファイバグレ
ーティング２で一部の光が反射され、ファブリペロ型半
導体レーザ素子１の後面と外部共振器を形成する。この
外部共振器により、発振波長幅５０ｎｍ（４０ｄＢダウ
ン幅）以上と広いファブリペロ型半導体レーザ素子１の
波長範囲のうち、ファイバグレーティング２の回折格子
で決定される任意の波長のみを、例えば、半値幅１ｎｍ
以下で狭帯域発振させることが可能である。
【００２９】ここで上述した通り、ファブリペロ型半導
体レーザ素子１とファイバグレーティング２の回折格子
波長とは、数１０ｎｍ離れている。このため、ファブリ
ペロ型半導体レーザ素子１の波長の全てをファイバグレ
ーティング２で決定される波長に引き込むことができな
い。この結果として、ファブリペロ型半導体レーザ素子
１の単体の波長とファイバグレーティング２で決定され
る任意の二波長をファイバ出力として取り出すことがで
きる。
体レーザ素子１とファイバグレーティング２の回折格子
波長とは、数１０ｎｍ離れている。このため、ファブリ
ペロ型半導体レーザ素子１の波長の全てをファイバグレ
ーティング２で決定される波長に引き込むことができな
い。この結果として、ファブリペロ型半導体レーザ素子
１の単体の波長とファイバグレーティング２で決定され
る任意の二波長をファイバ出力として取り出すことがで
きる。
【００３０】二波長の光は、インラインアイソレータ３
を通って、希土類ドープ光ファイバ４に入射され、希土
類ドープ光ファイバ４内で１．５μｍ帯の信号光は、
１．４８μｍ励起光の誘導放出によって増幅される。増
幅された信号光は、外部変調器５で高周波に変調され、
不図示の光ファイバ端から取り出される。また、希土類
ドープ光ファイバ４で発生したＡＳＥ（自然放出光）
は、インラインアイソレータ３によりファブリペロ型半
導体レーザ素子１に入るのを防いでいる。
を通って、希土類ドープ光ファイバ４に入射され、希土
類ドープ光ファイバ４内で１．５μｍ帯の信号光は、
１．４８μｍ励起光の誘導放出によって増幅される。増
幅された信号光は、外部変調器５で高周波に変調され、
不図示の光ファイバ端から取り出される。また、希土類
ドープ光ファイバ４で発生したＡＳＥ（自然放出光）
は、インラインアイソレータ３によりファブリペロ型半
導体レーザ素子１に入るのを防いでいる。
【００３１】本発明の第１の実施形態による第一の効果
は、光ファイバ増幅器を小型化できる点である。その理
由は、従来信号光源と励起光源とを別々に配置する必要
があったが、それを一体化したからである。
は、光ファイバ増幅器を小型化できる点である。その理
由は、従来信号光源と励起光源とを別々に配置する必要
があったが、それを一体化したからである。
【００３２】また、本発明の第１の実施形態による第二
の効果は、安価な光ファイバ増幅器を提供できる点であ
る。その理由は、信号光源と励起光源が一体であり、し
かも従来必要であった信号光と励起光を合波させる波長
合波カプラが不要だからである。
の効果は、安価な光ファイバ増幅器を提供できる点であ
る。その理由は、信号光源と励起光源が一体であり、し
かも従来必要であった信号光と励起光を合波させる波長
合波カプラが不要だからである。
【００３３】さらに、本発明の第１の実施形態による第
三の効果は、光ファイバ増幅器のＮＦ（雑音指数）を小
さくできる点である。その理由は、波長合波カプラを必
要としないため、その損失がなくなるため、希土類ドー
プ光ファイバの前の入力段での損失を小さくできるから
である。
三の効果は、光ファイバ増幅器のＮＦ（雑音指数）を小
さくできる点である。その理由は、波長合波カプラを必
要としないため、その損失がなくなるため、希土類ドー
プ光ファイバの前の入力段での損失を小さくできるから
である。
【００３４】次に、本発明の第２の実施形態について添
付図面を参照して説明する。図２において、本発明の第
２の実施形態の光ファイバ増幅器は、ファブリペロ型半
導体レーザ素子１と、ファイバグレーティング２と、波
長分波カプラ６と、外部変調器５と、波長合波カプラ７
と、インラインアイソレータ３と、希土類ドープ光ファ
イバ４とが順次直列接続されて構成される。さらに、波
長分波カプラ６と波長合波カプラ７との間が連結され、
波長分波カプラ６で分波された分波光が波長合波カプラ
７において合波される。
付図面を参照して説明する。図２において、本発明の第
２の実施形態の光ファイバ増幅器は、ファブリペロ型半
導体レーザ素子１と、ファイバグレーティング２と、波
長分波カプラ６と、外部変調器５と、波長合波カプラ７
と、インラインアイソレータ３と、希土類ドープ光ファ
イバ４とが順次直列接続されて構成される。さらに、波
長分波カプラ６と波長合波カプラ７との間が連結され、
波長分波カプラ６で分波された分波光が波長合波カプラ
７において合波される。
【００３５】次に、本発明の第２の実施形態では、ファ
イバグレーティング２からの出射光を波長分波カプラ６
で信号光と励起光に分離し、信号光のみを外部変調器５
で変調させる。その変調後、波長合波カプラ７で信号光
と励起光を合波させ、希土類ドープ光ファイバ４で信号
光を増幅する。
イバグレーティング２からの出射光を波長分波カプラ６
で信号光と励起光に分離し、信号光のみを外部変調器５
で変調させる。その変調後、波長合波カプラ７で信号光
と励起光を合波させ、希土類ドープ光ファイバ４で信号
光を増幅する。
【００３６】尚、上述の実施形態は本発明の好適な実施
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
の一例である。但し、これに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施
が可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上の説明より明かなように、本発明の
光ファイバ増幅器によれば、ファイバグレーティングに
より、広いスペクトラムを有する発光素子の波長域から
長波長側の、光ファイバ増幅器で増幅可能な信号光領域
の波長帯が発振される。また、発光素子とファイバグレ
ーティングの波長が数１０ｎｍ離れているため、発光素
子の波長全てがファイバグレーティングの回折波長に引
き込まれず、発光素子の波長域でも発振する。従って、
信号光源と励起光源とが同一の発光素子からの信号光を
誘導増幅することが可能となる。
光ファイバ増幅器によれば、ファイバグレーティングに
より、広いスペクトラムを有する発光素子の波長域から
長波長側の、光ファイバ増幅器で増幅可能な信号光領域
の波長帯が発振される。また、発光素子とファイバグレ
ーティングの波長が数１０ｎｍ離れているため、発光素
子の波長全てがファイバグレーティングの回折波長に引
き込まれず、発光素子の波長域でも発振する。従って、
信号光源と励起光源とが同一の発光素子からの信号光を
誘導増幅することが可能となる。
【図１】本発明の光ファイバ増幅器の第１の実施形態を
示す回路ブロック構成図である。
示す回路ブロック構成図である。
【図２】本発明の光ファイバ増幅器の第２の実施形態を
示す回路ブロック構成図である。
示す回路ブロック構成図である。
【図３】従来の回路構成例を示すブロック図である。
１ ファブリペロ型半導体レーザ素子 ２ ファイバグレーティング ３ インラインアイソレータ ４ 希土類ドープ光ファイバ ５ 外部変調器 ６ 波長分波カプラ ７ 波長合波カプラ ８ 信号光源 ９ 励起光源
Claims (9)
- 【請求項１】 信号光を送信する信号光源と前記信号光
を励起する励起光源とを有する光ファイバ増幅器におい
て、 広いスペクトラムを備える発光素子と、 該発光素子の波長域から長波長側の、光ファイバ増幅器
にて増幅可能な信号光領域の波長のみを反射するような
回折格子を有したファイバグレーティングと、 前記信号光と同じ波長域での高いアイソレーションを備
えているインラインアイソレータと、 前記信号光を誘導増幅する光ファイバとを有し、 前記信号光源と前記励起光源とが同一の前記発光素子で
構成されていることを特徴とする光ファイバ増幅器。 - 【請求項２】 前記発光素子は、ファブリペロ型半導体
レーザ素子であることを特徴とする請求項１記載の光フ
ァイバ増幅器。 - 【請求項３】 前記ファブリペロ型半導体レーザ素子
は、１．４８μｍ帯での発振波長特性を有し、 発振光が前記１．４８μｍ帯の広いスペクトラムを有す
ることを特徴とする請求項２記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項４】 前記光ファイバは、希土類ドープ光ファ
イバであることを特徴とする請求項１から３のいずれか
１項に記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項５】 前記希土類ドープ光ファイバは、ホスト
ガラスとしての石英ガラスまたはフッ化物ガラスに希土
類を添加して構成される光ファイバであることを特徴と
する請求項４記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項６】 前記光ファイバ増幅器は、前記信号光を
送信する１．５５μｍ帯の信号光源モジュールと、前記
希土類ドープ光ファイバを励起する１．４８μｍ帯の励
起光源とが、一体化されたモジュールとして構成されて
いることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に
記載の光ファイバ増幅器。 - 【請求項７】 前記光ファイバ増幅器は、前記信号光を
変調する外部変調器を有して構成されていることを特徴
とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光ファイ
バ増幅器。 - 【請求項８】 前記外部変調器は、前記光ファイバの後
段に配置され、該光ファイバにて増幅された前記信号光
を変調することを特徴とする請求項７記載の光ファイバ
増幅器。 - 【請求項９】 前記光ファイバ増幅器は、前記ファイバ
グレーティングとインラインアイソレータとの間に前記
外部変調器が配置され、 該外部変調器の前段に波長分波カプラと後段に波長合波
カプラとをさらに有し、 前記波長分波カプラと前記波長合波カプラとの間が前記
外部変調器の迂回回路で連結され、該迂回回路により前
記波長分波カプラで分波された分波光が前記波長合波カ
プラにおいて合波されるように構成されていることを特
徴とする請求項７記載の光ファイバ増幅器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10159105A JP3097662B2 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 光ファイバ増幅器 |
| US09/326,707 US6252701B1 (en) | 1998-06-08 | 1999-06-07 | Optical fiber amplifier |
| EP99304480A EP0964486B1 (en) | 1998-06-08 | 1999-06-08 | Optical fiber amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10159105A JP3097662B2 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 光ファイバ増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354871A true JPH11354871A (ja) | 1999-12-24 |
| JP3097662B2 JP3097662B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=15686362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10159105A Expired - Fee Related JP3097662B2 (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 光ファイバ増幅器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6252701B1 (ja) |
| EP (1) | EP0964486B1 (ja) |
| JP (1) | JP3097662B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010062012A1 (ko) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | 한국광기술원 | 펌프 광원의 손상을 방지하기 위한 인라인 아이솔레이터를 갖는 광섬유 레이저 |
| JP2014112705A (ja) * | 2006-05-11 | 2014-06-19 | Spi Lasers Uk Ltd | 光放射を提供する装置 |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR20050060674A (ko) * | 2003-12-17 | 2005-06-22 | 삼성전자주식회사 | 직접 펌핑 구조의 광대역 광원 |
| KR20140092214A (ko) * | 2013-01-15 | 2014-07-23 | 오므론 가부시키가이샤 | 레이저 발진기 |
| US10794998B2 (en) * | 2015-06-29 | 2020-10-06 | University Corporation For Atmospheric Research | Diode laser based high spectral resolution lidar |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2928149B2 (ja) | 1995-12-14 | 1999-08-03 | 日本電気株式会社 | 光ファイバ増幅装置 |
| JPH09222621A (ja) | 1996-02-19 | 1997-08-26 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ増幅装置 |
| US6058128A (en) * | 1996-03-25 | 2000-05-02 | Sdl, Inc. | Apparatus for providing a stabilized laser source |
| US5659644A (en) * | 1996-06-07 | 1997-08-19 | Lucent Technologies Inc. | Fiber light source with multimode fiber coupler |
| US6130899A (en) * | 1996-12-12 | 2000-10-10 | Nortel Networks Corporation | Laser assembly |
| US5892781A (en) * | 1997-09-02 | 1999-04-06 | E-Tek Dynamics, Inc. | High output fiber amplifier/lasers for fiberoptic networks |
-
1998
- 1998-06-08 JP JP10159105A patent/JP3097662B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-06-07 US US09/326,707 patent/US6252701B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-08 EP EP99304480A patent/EP0964486B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014112705A (ja) * | 2006-05-11 | 2014-06-19 | Spi Lasers Uk Ltd | 光放射を提供する装置 |
| WO2010062012A1 (ko) * | 2008-11-27 | 2010-06-03 | 한국광기술원 | 펌프 광원의 손상을 방지하기 위한 인라인 아이솔레이터를 갖는 광섬유 레이저 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0964486B1 (en) | 2004-01-07 |
| JP3097662B2 (ja) | 2000-10-10 |
| US6252701B1 (en) | 2001-06-26 |
| EP0964486A3 (en) | 2001-07-25 |
| EP0964486A2 (en) | 1999-12-15 |
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