JP2003324094A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. プラズマ処理室と、
   前記プラズマ処理室内に設置される被処理基体を支持する基体支持手段と、
   前記プラズマ処理室内にガスを導入するガス導入手段と、
   前記プラズマ処理室内を排気する排気手段と、
   前記プラズマ処理室にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段とを含み、
   前記マイクロ波導入手段は、
   Ｈ面に所定の間隔で穿孔されて設けられたスロットを有し、入力側無終端環状導波路と出力側無終端環状導波路との２層の積層構造で形成され、
   前記入力側無終端環状導波路と前記出力側無終端環状導波路との間に設けられた放射状もしくは円弧状の導波路結合スロットと、
   前記出力側無終端環状導波路と前記プラズマ処理室との間に設けられた放射状もしくは円弧状の出力側スロットとを備えており、
   前記導波路結合スロットは、前記入力側無終端環状導波路の周方向の中心に配置されていることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
2. 前記入力側無終端環状導波路の１周長に対する前記入力側無終端環状導波路内のマイクロ波長の倍率が奇数の場合はＨ分岐を用い、偶数の場合はＥ分岐を用いてマイクロ波を２分配し、前記入力側無終端環状導波路に１８０度間隔で２個設けられた導入口から前記２分配したマイクロ波を導入することを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
3. 前記入力側無終端環状導波路の内断面は、前記入力側無終端環状導波路にマイクロ波を導入する為の矩形導波管の内断面と同一寸法であることを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
4. 前記導波路結合スロットの中心半径が前記入力側無終端環状導波路の中心半径と等しいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
5. 前記出力側無終端環状導波路の中心半径ｒ_g1が前記出力側スロットの中心半径と等しく、さらに、隣接する出力側スロット間に励起される表面定在波の腹の数をｎ₁、表面波の波長をλ_s、前記出力側無終端環状導波路の１周長に対する前記出力側無終端環状導波路内のマイクロ波長の倍率をｎ_gとすると、
   ｒ_g1＝ｎ₁λ_s／[２tan[(π／２ｎ_g)][１＋cos(π／ｎ_g)]]
   であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
6. 前記出力側スロットの長さｌ_s1は、前記出力側無終端環状導波路内のマイクロ波長をλ_g1とすると、
   ｌ_s1＝λ_g1／４
   であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
7. プラズマ処理室と、
   前記プラズマ処理室にマイクロ波を導入し、Ｈ面に所定の間隔で穿孔されて設けられたスロットを有する無終端環状導波路を２層に積層した構造を備えるマイクロ波導入手段とを有するマイクロ波プラズマ処理装置に用いるプラズマ処理方法であって、
   前記プラズマ処理室内に基体を支持する基体支持工程と、
   前記プラズマ処理室内を排気する排気工程と、
   前記プラズマ処理室内にガスを導入するガス導入工程と、
   前記プラズマ処理室内を所定の圧力に保持する圧力保持工程と、
   前記マイクロ波導入手段から前記プラズマ処理室にマイクロ波を導入してプラズマを発生させ、前記基体を処理する基体処理工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
8. 前記マイクロ波導入手段は、入力側無終端環状導波路と出力側無終端環状導波路との２層の積層構造で形成され、
   前記入力側無終端環状導波路と前記出力側無終端環状導波路との間に設けられた導波路結合スロットと、
   前記出力側無終端環状導波路と前記プラズマ処理室との間に設けられた出力側スロットとを備え、
   前記導波路結合スロットは、前記入力側無終端環状導波路の環状半径の中心に形成されていることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理方法。
9. 前記基体処理工程がエッチング工程、アッシング工程、ＣＶＤ工程、ドーピング工程、酸化工程もしくは窒化工程であることを特徴とする請求項７または８に記載のプラズマ処理方法。
10. 請求項７〜９のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法により処理された基体から作製されたことを特徴とする電子部品。