JP2003324091A

JP2003324091A - 電解加工方法及び装置

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Publication number: JP2003324091A
Application number: JP2002126400A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Saito; 孝行斉藤; Kaoru Yamada; かおる山田; Tsukuru Suzuki; 作鈴木; Michihiko Shirakashi; 充彦白樫; Itsuki Obata; 厳貴小畠; Hozumi Yasuda; 穂積安田
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2002-04-26
Filing date: 2002-04-26
Publication date: 2003-11-14
Anticipated expiration: 2022-04-26
Also published as: JP3833139B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の方法では除去加工が困難であったルテ
ニウム膜を、電気化学的作用によって、薬液濃度が薄く
ても速い速度で除去加工できるようにする。【解決手段】陽極としたルテニウム膜と陰極とした加
工電極２２とを所定の間隔をおいて配置し、ルテニウム
膜と加工電極２２との間にハロゲン化物を含む電解液１
５を供給しながらルテニウム膜と加工電極２２との間に
電圧を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気化学的加工方
法及び装置に係り、特に、半導体ウエハ等の基板の外周
部（べベル部乃至エッジ部）や裏面、その他の部分に成
膜ないし付着した不要なルテニウム膜をエッチング除去
するのに使用される電解加工方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、あらゆる機器の構成要素において
微細化かつ高精度化が進み、サブミクロン領域での物作
りが一般的となるにつれて、加工法自体が材料の特性に
与える影響は益々大きくなっている。このような状況下
においては、従来の機械加工のように、工具が被加工物
を物理的に破壊しながら除去していく加工法では、加工
によって被加工物に多くの欠陥を生み出してしまうた
め、被加工物の特性が劣化する。従って、いかに材料の
特性を損なうことなく加工を行うことができるかが問題
となってくる。

【０００３】この問題を解決する手段として開発された
特殊加工法に、化学研磨や電解加工、電解研磨がある。
これらの加工法は、従来の物理的な加工とは対照的に、
化学的溶解反応を起こすことによって、除去加工等を行
うものである。従って、塑性変形による加工変質層や転
位等の欠陥は発生せず、前述の材料の特性を損なわずに
加工を行うといった課題が達成される。

【０００４】近年、半導体基板上に高誘電率材料ないし
強誘電体を用いたキャパシタを形成する際の電極材料と
して、白金属の金属ないしその酸化物が候補に上がって
いる。なかでもルテニウムは成膜性が良好であり、パタ
ーニングのための加工性も良好であることから、実現性
の高い材料として検討が進んでいる。

【０００５】ルテニウム膜を成膜する方法としては、ス
パッタリングやＣＶＤといった方法があるが、いずれに
しても、外周部を含む基板の表面全面にルテニウム膜を
成膜するようにしている。このため、基板外周部にもル
テニウム膜が成膜され、かつ裏面にも不可抗力的にルテ
ニウム汚染が生じる。

【０００６】ここで、回路形成部以外の基板の外周部及
び裏面に成膜ないし付着したルテニウムは不要であるば
かりでなく、その後の基板の搬送、保管及び各種処理工
程において、クロスコンタミネーションの原因となり、
例えば、誘電体の性能を低下させることも起こり得る。
従って、ルテニウム膜の成膜工程やルテニウム膜に対し
て何らかの処理を行った後で、これらを完全に除去して
おく必要がある。更に、例えば、キャパシタの電極材料
としてルテニウムを使用した場合には、回路形成部に成
膜したルテニウム膜の一部を除去する工程が必要とな
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】例えば、半導体ウエハ
等の基板上に成膜されたルテニウム膜の除去は、一般的
には、化学エッチング加工によって行われる。しかし、
ルテニウムそのものが極めて安定であり、硫酸や王水な
どのエッチング剤でもエッチングできないため、ルテニ
ウムを一般的なエッチング加工によって除去する際に
は、種々の薬液が使用される。しかし、薬液による化学
エッチングでは、時間がかかることや、後洗浄を十分に
行う必要があるばかりでなく、廃液処理のための負荷が
大きい等の課題がある。

【０００８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、従来の方法では除去加工が困難であったルテニウム
膜を、電気化学的作用によって、薬液濃度が薄くても速
い速度で除去加工できるようにした電解加工方法及び装
置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、陽極としたルテニウム膜と陰極とした加工電極とを
所定の間隔をおいて配置し、前記ルテニウム膜と前記加
工電極との間にハロゲン化物を含む電解液を供給しなが
ら前記ルテニウム膜と前記加工電極との間に電圧を印加
することを特徴とする電解加工方法である。

【００１０】例えば、ハロゲン化物を含む電解液として
塩酸を用い、この電解液（塩酸）をルテニウム膜と加工
電極との間に供給しながら、ルテニウム膜と加工電極と
の間に電圧を印加してルテニウム膜の電解エッチングを
行うと、ルテニウム膜で発生する次亜塩素酸等の酸化性
物質との反応によるルテニウム膜の除去も同時に行わ
れ、これにより、これまで除去が困難であったルテニウ
ム膜の効率的な除去加工が可能となる。

【００１１】請求項２に記載の発明は、前記ルテニウム
膜と前記加工電極とを相対運動させることを特徴とする
請求項１記載の電解加工方法である。これにより、ルテ
ニウム膜の電解エッチングを効率的に行うことができ
る。

【００１２】請求項３に記載の発明は、前記ハロゲン化
物は、塩素、臭素、沃素から選ばれたハロゲンによる一
種以上の化合物であることを特徴とする請求項１または
２記載の電解加工方法である。例えば、ＨＣｌやＨＢｒ
Ｏ_３のようなハロゲン化水素酸、ＮａＣｌＯやＫＣｌＯ
などの次亜ハロゲン酸アルカリ塩の水溶液、ＮａＣｌや
ＫＣｌのような中性塩の水溶液を電解液として使用する
ことができる。

【００１３】請求項４に記載の発明は、ルテニウム膜を
有する基板を保持する基板ホルダと、前記ルテニウム膜
に給電する給電電極と、前記ルテニウム膜と所定の間隔
をおいて配置された加工電極と、前記ルテニウム膜と前
記加工電極との間にハロゲン化物を含む電解液を供給す
る電解液供給部と、前記給電電極に正電位を前記加工電
極に負電位を印加する電源とを有することを特徴とする
電解加工装置である。

【００１４】請求項５に記載の発明は、前記基板ホルダ
と前記加工電極とを相対運動させる駆動機構を有するこ
とを特徴とする請求項４記載の電解加工装置である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施の形
態の電解加工装置の概要を示す。この電解加工装置１０
は、例えば基板Ｗの表面の外周部に成膜乃至付着した余
分なルテニウム膜６（図３参照）をエッチング除去する
ようにしたもので、表面を上向き（フェースアップ）に
して基板Ｗを吸着保持する回転自在な基板ホルダ１２
と、ハロゲン化物を含む電解液１５を被加工部に供給す
る電解液供給ノズル（電解液供給部）２５と、加工後に
電解液１５が飛散しないように電解液１５を保持する加
工チャンバ１６とを有している。この加工チャンバ１６
の側部には、内部の電解液１５を排出するための排水口
１８が設けられている。なお、基板の保持の向きは、下
向き（フェースダウン）や垂直にしてもよく、電解加工
の目的により適宜選択すればよい。また、加工チャンバ
１６にハロゲン化物を含む電解液１５を保持し、この電
解液１５中に基板ホルダ１２で保持した基板Ｗを浸漬さ
せてもよい。

【００１６】基板ホルダ１２で保持した基板Ｗの外周部
上方に位置し、この基板Ｗの表面に接触乃至近接して、
基板Ｗの表面のルテニウム膜に給電する給電電極２０が
配置されている。更に、基板ホルダ１２で保持した基板
Ｗの外周部上方に位置し、この基板Ｗの表面と所定の間
隔を置いた位置に加工電極２２が配置されている。ま
た、この加工電極２２の表面（下面）と基板Ｗの被加工
部であるルテニウム膜との間に、例えば、ハロゲン化物
を含んだ電解液１５を供給する電解液供給ノズル２５の
他に、加工後の基板表面を洗浄するための超純水を供給
する超純水供給ノズル２６が配置されている。

【００１７】そして、直流電源２８の陽極を給電電極２
０に、陰極を加工電極２２にそれぞれ接続し、これによ
って、基板Ｗの表面のルテニウム膜を陽極となし、加工
電極２２を陰極となして、加工電極２２と対面し電解液
１５が供給されている部位をエッチング除去するように
なっている。

【００１８】ハロゲン化物を溶解させる溶媒としては、
例えば、水またはアルコール類、アセトニトリル、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の有機溶媒
が使用できる。加工するルテニウム膜の用途、加工後に
必要となる洗浄、表面状態等により適宜選択すればよ
い。半導体製造に使われる基板に対しては不純物の汚染
を極力避けるために、純水を使用することが好ましく、
超純水を使用することが更に好ましい。

【００１９】また、ハロゲン化物は、その溶液を電解液
としたときに電気化学的相互作用によりルテニウム膜の
エッチング加工が進行し、かつ、電解中に生成した化合
物がルテニウムと反応し、反応物が電解液中に溶解する
か、または揮発して除去されるものであればいずれでも
よい。例えば、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩの水溶液のような
ハロゲン化水素酸、ＨＣｌＯ_３、ＨＢｒＯ_３、ＨＩ
Ｏ_３、ＨＣｌＯ、ＨＢｒＯ、ＨＩＯのようなハロゲンオ
キソ酸の水溶液、ＮａＣｌＯ_３、ＫＣｌＯ_３、ＮａＣｌ
Ｏ、ＫＣｌＯのようなハロゲンオキソ酸塩の水溶液、Ｎ
ａＣｌ、ＫＣｌのような中性塩の水溶液を電解液として
使用することができる。加工後のルテニウムの使用用途
と残留物質の影響、ルテニウムの膜厚、ルテニウムの下
地膜の特性等により適宜選択して使用すればよい。

【００２０】この電解加工装置１０において、先ず、基
板ホルダ１２で基板Ｗをフェースアップで吸着保持し、
電解液供給ノズル２５から基板Ｗと加工電極２２との間
に電解液１５を供給する。加工チャンバ１６の内部に溜
まった電解液１５は、排水口１８から系外に排出され
る。この状態で、基板ホルダ１２を基板Ｗと一体に回転
させつつ、直流電源２８の陽極を給電電極２０に、陰極
を加工電極２２にそれぞれ接続する。これにより、電気
化学反応によりルテニウム膜がエッチング除去されると
ともに、電解により生成したハロゲン化物とルテニウム
が化学反応し、ルテニウム膜のエッチング除去が進行す
る。加工後の表面は、超純水供給ノズル２６より供給さ
れる超純水により洗浄される。

【００２１】ハロゲン化物の濃度は、１ｍｇ／ｌ〜１０
ｇ／ｌ、好ましくは１００ｍｇ／ｌ〜１ｇ／ｌ程度であ
る。ハロゲン化物の種類、加工時間、加工面積、陽極と
したルテニウム膜と陰極とした加工電極との距離、電解
電圧等は、電解加工後の基板の表面状態や廃液処理の能
力等により適宜決めればよい。例えば、希薄濃度の電解
液を使用して電解電圧を高くすることで、薬液使用量を
削減することができ、電解液の濃度を高くすることで、
加工速度を速くすることができる。

【００２２】図２及び図３は、ベベルエッチング装置に
適用した、本発明の第２の実施の形態の電解加工装置を
示す。この電解加工装置（ベベルエッチング装置）は、
陰極とした加工電極と、ルテニウム膜を陽極とする給電
電極とを有し、加工電極は、基板の外周部の形状に沿っ
た溝部を有し、この溝部の内部に基板の外周部を位置さ
せて加工を施すことで、基板の外周部（ベベル部乃至エ
ッジ部）に成膜乃至付着したルテニウム膜を除去するこ
とができるようになっている。

【００２３】すなわち、この電解加工装置（ベベルエッ
チング装置）１４４は、例えば表面にルテニウム膜を成
膜した基板Ｗを上向き（フェースアップ）で吸着保持
し、モータ１５０の駆動に伴って回転する基板ホルダ１
５２と、電源１５４の陽極に接続され、基板Ｗの表面に
設けられたルテニウム膜６に接触して該ルテニウム膜６
を陽極とする給電電極１５６と、電源１５４の陰極に接
続され、モータ１５８の駆動に伴って回転（自転）する
円柱状の加工電極１６０を有している。この加工電極１
６０は、基板ホルダ１５２で保持した基板Ｗの側方に位
置して基板Ｗに接離自在に配置されている。そして、加
工電極１６０には、基板Ｗの外周部の形状に沿った断面
半円状の溝部１６０ａが設けられている。更に、この加
工電極１６０の近傍に位置して、この溝部１６０ａと該
溝部１６０ａ内に位置する基板Ｗの外周部との間に、ハ
ロゲン化物を含む電解液、例えば塩酸を供給するための
電解液供給ノズル１６５と、電解加工後の基板表面を洗
浄するために、純水または超純水を供給する純水供給部
としての純水供給ノズル１６４が配置されている。

【００２４】これにより、基板ホルダ１５２で保持した
基板Ｗの外周部を加工電極１６０の溝部１６０ａの内部
に位置させた状態で、基板ホルダ１５２を回転させて基
板Ｗを回転させ、同時に加工電極１６０を回転（自転）
させ、電解液供給ノズル１６５から加工電極１６０と基
板Ｗの外周部との間に電解液を供給しつつ、加工電極１
６０と給電電極１５６との間に所定の電圧を印加するこ
とで、基板Ｗの外周部（ベベル部乃至エッジ部）に成膜
乃至付着したルテニウムを電解加工によって除去するよ
うになっている。除去加工が終了した後、純水供給ノズ
ル１６４から加工後の部位に向けて純水または超純水を
供給して、加工後の基板表面を純水または超純水で洗浄
する。

【００２５】図４は、本発明の第３の実施の形態の電解
加工装置の概要を示す。この電解加工装置４０は、例え
ば基板Ｗの表面の外周部に成膜乃至付着した余分なルテ
ニウム膜６（図３参照）をエッチング除去するようにし
たもので、基板Ｗを垂直に吸着保持する回転自在な基板
ホルダ４２と、内部にハロゲン化物を含む電解液４４を
保持し、この電解液４４中に基板ホルダ１２で保持した
基板Ｗの下端外周部を浸漬させる加工チャンバ４６とを
有している。この加工チャンバ４６の側部には、加工チ
ャンバ４６内の電解液４４の一部を系外に排出して、こ
の電解液４４の液面のレベルを一定にする排水口４８が
設けられている。

【００２６】基板ホルダ４２で保持した基板Ｗの上端外
周部に位置し、この基板Ｗの表面に接触乃至近接して、
基板Ｗの表面のルテニウム膜に給電する給電電極５０が
配置されている。更に、加工チャンバ４６の内部に保持
した電解液４４に一部を浸漬させた加工電極５２が、基
板ホルダ４２で保持した基板Ｗの表面と所定の間隔をお
いて配置されている。また、加工チャンバ４６の上方に
位置して、この内部にハロゲン化物を有する電解液４４
を供給する電解液供給ノズル５４と、加工後の加工部位
を洗浄する超純水を供給する超純水供給ノズル５６が配
置されている。

【００２７】そして、直流電源５８の陽極を給電電極５
０に、陰極を加工電極５２にそれぞれ接続し、これによ
って、基板Ｗの表面のルテニウム膜を陽極となし、加工
電極５２を陰極となして、電解液４４に浸漬させた加工
電極２２と対面するルテニウム膜の部位をエッチング除
去するようになっている。

【００２８】この電解加工装置４０にあっては、基板ホ
ルダ４２で基板Ｗを垂直に吸着保持し、電解液供給ノズ
ル５４から加工チャンバ４６の内部に電解液４４を供給
して、加工チャンバ４６の内部に溜まった電解液４４の
一部を排水口４８から系外に排出しておく。この状態
で、給電電極５０を基板Ｗの表面に近接乃至接触させ、
加工電極５２をその一部を電解液４４に浸漬させ基板Ｗ
の表面に対峙させる。そして、基板ホルダ４２を基板Ｗ
と一体に回転させつつ、直流電源５８の陽極を給電電極
５０に、陰極を加工電極５２に接続にそれぞれ接続す
る。これにより、ハロゲン化物を有する電解液４４の電
解作用によって、ルテニウム膜の除去加工を行う。そし
て、超純水供給ノズル５６から加工後の部位に向けて超
純水を供給して、加工後の表面を超純水で洗浄する。

【００２９】図５及び図６は、本発明の第４の実施の形
態の電解加工装置６０を示す。この電解加工装置６０
は、水平方向に揺動自在な揺動アーム６２の自由端に垂
設されて基板Ｗを下向き（フェースダウン）に吸着保持
する基板ホルダ６４と、円板状で絶縁体からなり、扇状
の加工電極６６と給電電極６８とを該加工電極６６と給
電電極６８の表面（上面）を露出させて交互に埋設した
電極部７０とを上下に備えている。

【００３０】揺動アーム６２は、上下動用モータ７４の
駆動に伴ってボールねじ７６を介して上下動し、揺動用
モータ７８の駆動に伴って回転する揺動軸８０の上端に
連結されている。また、基板ホルダ６４は、揺動アーム
６２の自由端に取付けた自転用モータ８２に接続され、
この自転用モータ８２の駆動に伴って回転（自転）する
ようになっている。

【００３１】電極部７０は、中空モータ８４に直結さ
れ、この中空モータ８４の駆動に伴って回転（自転）す
るようになっている。電極部７０の中央部には、電極部
７０の上面にハロゲン化物を有する電解液７２を供給し
て該電極部７０の上面と基板ホルダ６４で保持した基板
Ｗとの間を該電解液７２で満たす電解液供給部としての
貫通孔７０ｂが設けられ、この貫通孔７０ｂは、中空モ
ータ８４の中空部の内部に延びる電解液供給管８７に接
続されている。同様に、電極部７０の中央部には、電極
部７０の上面に純水または超純水を供給する純水供給部
としての貫通孔７０ａが設けられ、この貫通孔７０ａ
は、中空モータ８４の中空部の内部に延びる純水供給管
８６に接続されている。

【００３２】そして、電極部７０の回転中心Ｏ_１と基板
ホルダ６４の回転中心Ｏ_２とを所定の距離ｄだけずら
し、電極部７０は回転中心Ｏ_１を中心に回転（自転）
し、基板ホルダ６４は回転中心Ｏ_２を中心に回転（自
転）するようにしている。また、スリップリング８８を
介して電源９０と加工電極６６および給電電極６８とを
電気的に接続している。更に、この例では、電極部７０
として、その直径が基板ホルダ６４の直径より一回り大
きく、電極部７０が回転中心Ｏ_１を中心に、基板ホルダ
６４が回転中心Ｏ_２を中心にそれぞれ回転（自転）して
も、基板ホルダ６４で保持した基板Ｗの全面を電極部７
０で覆う大きさのものを使用している。

【００３３】この電解加工装置６０にあっては、基板ホ
ルダ６４を介して基板Ｗを回転（自転）させ、同時に中
空モータ８４を駆動して電極部７０を回転（自転）させ
ながら、電極部７０の上面にハロゲン化物を有する電解
液７２を供給して該電極部７０の上面と基板ホルダ６４
で保持した基板Ｗとの間を該電解液７２で満たし、加工
電極６６と給電電極６８との間に所定の電圧を印加する
ことで、基板Ｗの表面を電解加工することができる。

【００３４】電極部７０の上方には、複数の供給口を有
し、電極部７０の長径方向に沿って延びて、電極部７０
の上面にハロゲン化物を有する電解液７２を供給する電
解液供給部としての電解液供給ノズル９１と、同じく、
電極部７０の上面に純水または超純水を供給する純水供
給部としての純水供給ノズル９２が配置されている。こ
れによって、電解液７２、或いは純水または超純水が電
極部７０の表裏面側から該電極部７０の上面に同時に供
給されるようになっている。

【００３５】この例では、電極部７０に複数の扇状の電
極板を円周方向に沿って配置し、この電極板にスリップ
リング８８を介して電源９０の陰極と陽極とを交互に接
続することで、電源９０の陰極と接続した電極板が加工
電極６６となり、陽極と接続した電極板が給電電極６８
となって、基板Ｗの表面ルテニウム膜が陽極となるよう
にしている。これは、ルテニウムにあっては、陰極と接
続した側に電解加工作用が生じるからである。

【００３６】このように、加工電極６６と給電電極６８
とを電極部７０の円周方向に沿って分割して交互に設け
ることで、基板のルテニウム膜（被加工物）への固定給
電部を不要となして、基板の全面加工が可能となる。さ
らに、パルス状もしくは交互に正負を変化させる（交
流）ことで、電解生成物を溶解させ、加工の繰り返しの
多重性によって平坦度を向上させることができる。

【００３７】この電解加工装置６０による電解加工にあ
っては、表面にルテニウム膜を形成した基板Ｗを基板ホ
ルダ６４で下向きに吸着保持し、揺動アーム６２を揺動
させて基板ホルダ６４を電極部７０の直上方の加工位置
まで移動させる。次に、上下動用のモータ７４を駆動し
て基板ホルダ６４を下降させ、この基板ホルダ６４で保
持した基板Ｗを電極部７０に近接させる。

【００３８】この状態で、電源９０を接続して加工電極
６６と給電電極６８との間に所定の電圧を印加しなが
ら、基板ホルダ６４と電極部７０とを共に回転させる。
そして、貫通孔７０ｂを通じて、電極部７０の下側から
該電極部７０の上面に電解液７２を、電解液供給ノズル
９１により電極部７０の上側から該電極部７０の上面に
電解液７２を同時に供給し、加工電極６６及び給電電極
６８と基板Ｗとの間に電解液７２を満たす。これによっ
て、基板Ｗのルテニウム膜を陽極となし、加工電極６６
に対面する基板Ｗに設けられたルテニウム膜の電解加工
を行う。

【００３９】電解加工終了後、電源９０の接続を切り、
貫通孔７０ａを通じて電極部７０の下側から純水または
超純水を、純水供給ノズル９２により電極部７０の上側
から純水または超純水をそれぞれ電極部７０の上面に供
給して加工後の基板表面を洗浄し、基板ホルダ６４と電
極部７０の回転を停止させ、しかる後、基板ホルダ６４
を上昇させて、加工後の基板を次工程に搬送する。

【００４０】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。

【００４１】（実施例１）図１に示す電解加工装置を使
用して、基板表面に成膜したルテニウム膜の除去加工を
行った。すなわち、ＴｉＮからなる下地膜の上にルテニ
ウム膜を成膜したウエハ（基板）を基板ホルダ１２に保
持し、ハロゲン化物を有する電解液１５として、塩酸
（ハロゲン化水素酸）及び塩化カリウム水溶液（ハロゲ
ン中性塩の水溶液）をそれぞれ使用し、電解電圧を６０
Ｖとして２分間の電解加工（エッチング）を行った。そ
の時のエッチング効果をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）で
評価した結果を図７に示す。この図７より、酸または中
性のハロゲン化物の水溶液によりルテニウム膜がエッチ
ングされていることが分かる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被加工物であるルテニウム膜に物理的な欠陥を与えて特
性を損なうことを防止しつつ、電気化学的作用によっ
て、例えば従来の一般的な除去加工に代わる電解加工等
を施して、ルテニウム膜の除去加工を行うことができ
る。しかも、希薄な濃度の薬液により、基板の表面の余
分な不純物の付着を減らし、除去加工後の洗浄工程を簡
略化できるばかりでなく、廃液処理の負荷を極めて小さ
くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の電解加工装置の概
略構成図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態の電解加工装置の概
略構成図である。

【図３】図２の要部を拡大して示す要部拡大断面図であ
る。

【図４】本発明の第３の実施の形態の電解加工装置の概
略構成図である。

【図５】本発明の第４の実施の形態の電解加工装置の概
略構成図である

【図６】図５の平面図である。

【図７】実施例１の結果を示すＸＰＳのナロースペクト
ル図である。

【符号の説明】

６ルテニウム膜１０，４０，６０，１４４電解加工装置１２、４２，６４，１５２基板ホルダ１５，４４，７２電解液１６，４６加工チャンバ２０，５０，６８，１５６給電電極２２，５２，６６，１６０加工電極２５，５４，９１，１６５電解液供給ノズル２６，５６，１６４超純水供給ノズル２８，５８，９０，１５４電源７０電極部７０ａ，７０ｂ貫通孔７８揺動用モータ８２自転用モータ８４中空モータ８６純水供給管８７電解液供給管８８スリップリング９２，１６４純水供給ノズル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者鈴木作神奈川県藤沢市本藤沢４丁目２番１号株式会社荏原総合研究所内 (72)発明者白樫充彦東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内 (72)発明者小畠厳貴東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内 (72)発明者安田穂積東京都大田区羽田旭町11番１号株式会社荏原製作所内Ｆターム(参考） 5F043 AA26 BB18 DD14 EE07 EE08 EE14 GG10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】陽極としたルテニウム膜と陰極とした加
工電極とを所定の間隔をおいて配置し、前記ルテニウム膜と前記加工電極との間にハロゲン化物
を含む電解液を供給しながら前記ルテニウム膜と前記加
工電極との間に電圧を印加することを特徴とする電解加
工方法。
【請求項２】前記ルテニウム膜と前記加工電極とを相
対運動させることを特徴とする請求項１記載の電解加工
方法。
【請求項３】前記ハロゲン化物は、塩素、臭素、沃素
から選ばれたハロゲンによる一種以上の化合物であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の電解加工方法。
【請求項４】ルテニウム膜を有する基板を保持する基
板ホルダと、前記ルテニウム膜に給電する給電電極と、前記ルテニウム膜と所定の間隔をおいて配置された加工
電極と、前記ルテニウム膜と前記加工電極との間にハロゲン化物
を含む電解液を供給する電解液供給部と、前記給電電極に正電位を前記加工電極に負電位を印加す
る電源とを有することを特徴とする電解加工装置。
【請求項５】前記基板ホルダと前記加工電極とを相対
運動させる駆動機構を有することを特徴とする請求項４
記載の電解加工装置。