JP2003309211A - 高周波用半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号線の特性インピーダンスの変動を抑制し
て特性の安定化を図る。 【解決手段】 中央部に矩形窓が形成され、かつ周縁部
に沿ってパッケージピン用の複数の貫通部が形成された
基板２０と、この基板の各貫通部内に設けられた複数の
パッケージピン２３と、基板の上面における矩形窓位置
を含みかつ周縁部の貫通部位置を含まない部分を覆うメ
タル層２４と、このメタル層の上面における矩形窓位置
を含まない部分を一様に覆う誘電体３１と、メタル層の
上面における矩形窓に対応する位置に搭載され複数の信
号端子が形成された半導体チップ２５と、誘電体の上面
における各信号端子の近傍位置と対応するパッケージピ
ンの近傍位置との間に形成され、一端がパッケージピン
に接続された複数の信号線路２８と、半導体チップの各
信号端子と対応する信号線路とを接続する複数のワイヤ
３０とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内部に半導体チッ
プが組込まれた半導体装置に係わり、特に、数１００Ｍ
Hz以上で動作する高周波用の半導体チップが組込まれた
高周波用半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】多数の信号端子を有する小型に形成され
た半導体チップにおいては、信号端子は稠密配置されて
いるので、この半導体チップを直接回路基板（ＰＣ基
板）に装着して、各信号端子に配線することができな
い。そこで、この半導体チップを一定以上の大きさを有
した半導体装置内に組込み、半導体チップの各信号端子
と、半導体装置の周縁部に沿って設けられた複数のパッ
ケージピンとを信号線（伝送線路）で接続する。そし
て、この半導体装置を回路基板（ＰＣ基板）に装着し
て、各パッケージピンに配線する。

【０００３】このような構成の半導体装置において、例
えば、数１００ＭHz以上で動作する高周波用の半導体チ
ップが組込まれた場合に最も重要なことは、半導体装置
の出力端子であるパッケージピンから半導体チップ側を
みた特性インピーダンスが例えば５０Ω等の予め定めら
れた値に一致させることである。具体的には、たとえ半
導体チップの信号端子での特性インピーダンスが５０Ω
であったとしても、パッケージピンでの特性インピーダ
ンスが５０Ωから大きく変化する場合がある。特性イン
ピーダンスが５０Ωから大きく変化すると、パッケージ
ピンから出力される高周波信号の信号レベルが大きく変
動する。

【０００４】この要因は、半導体装置内における半導体
チップの信号端子からパッケージピンまでの信号線（伝
送線路）の形成時に金属パターンの加工精度により特性
インピーダンスが大きく左右されるからである。特に、
信号線（伝送線路）を通流する信号の周波数が高くなる
と、特性インピーダンスの変動が大きくなる。

【０００５】また、近年、半導体チップの高速化や高出
力化に伴って、半導体チップの発熱量が増大し、半導体
チップの温度が上昇する傾向がある。したがって、半導
体装置内における半導体チップが発する熱を効率的に発
散させて、半導体チップの温度上昇を抑制する必要があ
る。

【０００６】そこで、この特性インピーダンスの変動を
抑制するとともに半導体チップの温度上昇を抑制する半
導体装置が提唱されている（特許第３１２６５０３号公
報）。

【０００７】図７（ａ）はこの提唱された半導体装置の
断面模式図であり、図７（ｂ）はこの半導体装置を下方
から見た下面図である。セラミックからなる薄板１の中
央に穿設されたキャビティ２内に半導体チップ３が固定
されている。薄板１は導体ヴィア１ａを挟んで内側と外
側とに分離されている。半導体チップ３の各信号端子か
ら出力される高周波信号はワイヤ６で内側の薄板１の上
面に放射状に形成された各内部信号線路４、導体ヴィア
１ａ、及び外側の薄板１の下面に放射状に形成された各
外部信号線路５を介して外部に導かれる。

【０００８】図７（ｂ）の下面図にも示すように、薄板
１の下面及び外側の薄板１の下面における各外部信号線
路５以外の部分にはグランド（接地）用メタライズ層７
が形成されている。さらに、半導体チップ３の下面に
は、この半導体チップ３で発生した熱を放熱するヒート
シンク８が取付けられている。さらに、外部からの埃や
湿気等の侵入を防止するためのキャップ９が、ニッケル
メッキのメタライズ層で形成されたシール層９ａを介し
て取付られている。そして、この半導体装置を回路基板
１０に取付ける場合、回路基板１０の上面に形成された
凹部１１内にヒートシンク８が収納されるように設定す
る。

【０００９】このような半導体装置においては、図７
（ｂ）の下面図に示すように、放射状に形成された外部
信号線路５と、この外部信号線路５と所定間隔を開けて
グランド用メタライズ層７が存在するので、外部信号線
路５はほぼ全域に亘って良好なグランデッドコプレナー
線路を形成する。その結果、この外部信号線路５の特性
インピーダンスを、その外部信号線路５のほぼ全長に亘
って５０Ω等に一致させることができる。さらに、ヒー
トシンク８を設けているので、半導体チップ３で発生し
た熱を効率的に放熱できる。

【００１０】図８に、特性インピーダンスの変動を抑制
するとともに半導体チップの温度上昇を抑制する別の半
導体装置の例を示す（特開平１１―１７６９８６号公
報）。

【００１１】基板１２に形成された凹部１３の中央部に
穿設された矩形窓内に、半導体チップ３が固定されてい
る。半導体チップ３の各信号端子から出力される高周波
信号はワイヤ６で凹部１３の内面に放射状に形成された
信号線１４を介してこの半導体装置の外部へ導かれる。
基板１２の上面の半導体チップ３以外の部分には全面に
亘ってグランド層（接地層）１５が形成されている。さ
らに、このグランド層１５が形成された基板１２の上面
全面に亘って、半導体チップ３で発生した熱を放熱する
ヒートシンク８が取付けられている。

【００１２】このような半導体装置においては、グラン
ド層１５が存在するので、凹部１３の内面に放射状に形
成された信号線１４における特性インピーダンスを例え
ば５０Ωに安定化させることができる。さらに、ヒート
シンク８を設けているので、半導体チップ３で発生した
熱を効率的に放熱できる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７、
図８に示した各半導体装置においてもまだ改良すべき次
のような課題があった。

【００１４】すなわち、図７に示す半導体装置において
は、ヒートシンク８が設けられているので半導体チップ
３で発生した熱を効率的に放熱することができるが、こ
のヒートシンク８は、半導体装置の下面から下方に凸設
されているので、この半導体装置を回路基板１０に取付
けるために、回路基板１０に凹部１１を形成する必要が
あり、別途回路基板１０を加工する必要がある。

【００１５】さらに、薄板１は導体ヴィア１ａを挟んで
内側と外側とに分離され、半導体チップ３の各信号端子
から出力される高周波信号はワイヤ６で内側の薄板１の
上面に形成された各内部信号線路４、導体ヴィア１ａ、
及び外側の薄板１の下面に放射状に形成された各外部信
号線路５へ導かれる。したがって、信号経路が複雑にな
り、半導体装置全体が複雑化する問題がある。また、導
体ヴィア１ａでのインピーダンス整合を考慮しなければ
ならない。

【００１６】一方、図８に示す半導体装置においては、
ヒートシンク８及びグランド層１５が回路基板１０に対
して反対側に取付けられており、ヒートシンク８及びグ
ランド層１５が回路基板１０と大きく離間しているの
で、このヒートシンク８及びグランド層１５により、半
導体チップ３内部の雑音を低減する効果が期待できな
い。

【００１７】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、ヒートシンクの機能をも有したメタル層を
採用することにより、信号線の特性インピーダンスの変
動を抑制でき、かつ半導体チップから発する熱を効率的
に回路基板側へ放熱でき、さらに装置の薄型化を図るこ
とができる高周波用半導体装置を提供することを目的と
する。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解消するため
に、本発明の高周波用半導体装置は、中央部に矩形窓が
形成され、かつ周縁部に沿ってパッケージピン用の複数
の貫通部が形成された基板と、この基板の各貫通部内に
設けられた複数のパッケージピンと、基板の上面におけ
る中央部の矩形窓位置を含みかつ周縁部の貫通部位置を
含まない部分を覆うメタル層と、このメタル層の上面に
おける中央部の矩形窓位置を含まない部分を一様に覆う
所定の厚みを有した誘電体と、メタル層の上面における
矩形窓に対応する位置に搭載され、少なくとも上面に複
数の信号端子が形成された半導体チップと、誘電体の上
面における各信号端子の近傍位置と対応するパッケージ
ピンの近傍位置との間に形成され、一端が対応するパッ
ケージピンに接続された複数の信号線路と、半導体チッ
プの各信号端子と対応する信号線路とを接続する複数の
ワイヤとを備えている。

【００１９】このように構成された高周波用半導体装置
においては、半導体チップは基板の中央に形成された矩
形窓内に固定され、この半導体チップの下面は基板の上
面を覆うメタル層が接触している。このメタル層の半導
体チップが接触している部分の下面は高周波用半導体装
置の下面に露出しているので、この高周波用半導体装置
を回路基板に取付けた場合に、メタル層が回路基板に当
接する。その結果、半導体チップで発熱した熱はメタル
層を介して回路基板側に効率的に放熱される。したがっ
て、このメタル層は半導体チップに対するヒートシンク
を兼ねる。

【００２０】メタル層は基板の上面のほぼ全域に亘って
形成されているので、このメタル層の上面に所定の厚み
を有した誘電体を介して対向配置された信号線路の特性
インピーダンスは、この信号線路の全長に亘って例えば
５０Ω等の一定値になる。したがって、この高周波用半
導体装置のパッケージピンを介して半導体チップに対し
て入出力される高周波信号の信号レベルの安定性を確保
できる。

【００２１】また、メタル層は半導体チップに対するヒ
ートシンクを兼ねるので、高周波用半導体装置の小型化
を図ることができる。

【００２２】また、別の発明の高周波半導体装置は、中
央部に矩形窓が形成され、かつ周縁部に沿ってパッケー
ジピン用の複数の貫通部が形成された基板と、この基板
の各貫通部内に設けられた複数のパッケージピンと、基
板の上面における中央部の矩形窓位置を含みかつ周縁部
の貫通部位置を含まない部分を覆うメタル層と、このメ
タル層の上面における中央部の矩形窓位置を含まない部
分を一様に覆う所定の厚みを有した誘電体と、メタル層
の上面における矩形窓に対応する位置に搭載され、上面
に複数の信号端子及び複数の接地端子が形成された半導
体チップと、誘電体の上面における各接地端子の近傍位
置と対応するパッケージピンの近傍位置との間に形成さ
れ、一端が対応するパッケージピンに接続された複数の
接地線路と、誘電体の上面における各信号端子の近傍位
置と対応するパッケージピンの近傍位置との間に形成さ
れ、一端が対応するパッケージピンに接続され、かつ隣
接する接地線路との間でグランデッドコプレナー線路を
形成する複数の信号線路と、半導体チップの各信号端子
及び各接地端子と対応する信号線路及び接地線路とをそ
れぞれ接続する複数のワイヤとを備えている。

【００２３】このような構成の高周波半導体装置におい
ては、メタル層の上面に、所定厚みを有した誘電体を介
して対向配置された信号線路の他に、同一構成の接地線
路が形成されている。そして、互いに隣接する信号線路
と接地線路とで良好なグランデッドコプレナー線路を形
成する。信号線路と接地線路は誘電体を介してメタル層
に対向しているので、グランデッドコプレナー線路を形
成する信号線路と接地線路との間の特性インピーダンス
は、このグランデッドコプレナー線路の全長に亘って例
えば５０Ω等の一定値になる。したがって、上述した発
明の高周波半導体装置とほぼ同様の作用効果を奏するこ
とが可能である。

【００２４】さらに、別の発明は、上述したグランデッ
ドコプレナー線路を採用した高周波半導体装置におい
て、各接地線路とこの各接地線路に対して誘電体を介し
て対向するメタル層とは導体で接続されている。

【００２５】このように、接地線路をメタル層に接続す
ることによって、高周波信号のより一層の安定性を図る
ことができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態を図面
を用いて説明する。 （第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係わる
高周波用半導体装置の上面図であり、図２（ａ）は下面
図であり、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）は断面図である。こ
の第１実施形態の高周波用半導体装置には、グランデッ
ドコプレナー線路が組込まれている。

【００２７】ほぼ正方形に形成されたプラスチック製の
基板２０の中央部には矩形窓２１が形成され、周縁部に
沿ってパッケージピン用の複数の方形の貫通部２２が穿
設されている。この各貫通部２２に導体からなるパッケ
ージピン２３が封入されている。この基板２０の上面に
おける矩形窓２１位置を含みかつ貫通部２２が形成され
た周縁部を含まない部分には導体のメタル層２４が形成
されている。

【００２８】図２（ｂ）は、基板２０の中央部を取り除
いた時の半導体装置の下面図である。このように、メタ
ル層２４は、周縁部を除いた基板２０のほぼ全面に亘っ
て形成されている。また、図２（ａ）、図３に示すよう
に、メタル層２４は基板２０の矩形窓２１を介して高周
波用半導体装置の下面に露出されている。なお、基板２
０に対するメタル層２４の形成はメッキ手法等で実施さ
れる。

【００２９】このメタル層２４の上面における矩形窓２
１に対応する位置を含まない部分には、この部分を一様
に覆う所定の厚みを有した誘電体３１が形成されてい
る。

【００３０】さらに、メタル層２４の上面における、誘
電体３１が形成されていない、矩形窓２１に対応する位
置に半導体チップ２５が取付けられている。この半導体
チップ２５の上面の周縁に信号端子２６と接地端子２７
とが交互に設けられている。この信号端子２６と接地端
子２７は半導体チップ２５の上面の全周に亘って設けら
れている。

【００３１】各信号端子２６とこの各信号端子２６に対
応する各パッケージピン２３とはワイヤ３０及び信号線
路２８を介して接続されている。一方、各接地端子２７
と対応する各パッケージピン２３とはワイヤ３０及び接
地線路２９を介して接続されている。なお、図１におい
ては、信号線路２８及び接地線路２９は、その一部しか
示していないが、半導体チップ２５の上面に形成された
各信号端子２６と各接地端子２７から周縁の各パッケー
ジピン２３に対して放射状に設けられている。

【００３２】図３（ａ）は図１に示す高周波半導体装置
における各信号線路２８に沿って切断した場合の断面図
である。メタル層２４の上面に所定厚みを有した誘電体
３１が存在し、この誘電体３１の上面に、各信号端子２
６の近傍位置と対応するパッケージピン２３の近傍位置
とを接続する前述した信号線路２８が形成されている。

【００３３】信号線路２８の一端はワイヤ３０を介して
半導体チップ２５の信号端子２６に接続され、信号線路
２８の他端は直接パッケージピン２３に接続されてい
る。なお、信号線路２８及びパッケージピン２３はメタ
ル層２４に接していない。半導体チップ２５、ワイヤ３
０、信号線路２８、パッケージピン２３は、外部から埃
や湿気が侵入して構成部材を劣化させるのを抑制した
り、隣接するワイヤ３０どうしが接触するのを防止する
ために樹脂３２で覆われている。

【００３４】図３（ｂ）は図１に示す高周波半導体装置
における各接地線路２９に沿って切断した場合の断面図
である。メタル層２４の上面に所定厚みを有した誘電体
３１が存在し、この誘電体３１の上面に、各接地端子２
７の近傍位置と対応するパッケージピン２３の近傍位置
とを接続する前述した接地線路２９が形成されている。

【００３５】接地線路２９の一端はワイヤ３０を介して
半導体チップ２５の接地端子２７に接続され、接地線路
２９の他端は直接パッケージピン２３に接続されてい
る。

【００３６】なお、接地線路２９の一端は半導体チップ
２５の接地端子２７に接続されるとともにメタル層２４
にも接続されている。さらに、接地線路２９の他端はパ
ッケージピン２３に接続されるとともにメタル層２４の
縁に接続されている。また、半導体チップ２５、ワイヤ
３０、接地線路２９、パッケージピン２３は、外部から
埃や湿気が侵入して構成部材を劣化させるのを抑制した
り、隣接するワイヤ３０どうしが接触するのを防止する
ために樹脂３２で覆われている。

【００３７】図３（ｃ）は図１に示す高周波半導体装置
における信号線路２８と接地線路２９との中間部分に沿
って切断した場合の断面図である。信号線路２８及び接
地線路２９が形成されていないので、誘電体３１の上面
が露出している。この中間部分においても、樹脂３２で
覆われている。

【００３８】なお、樹脂３２は、高周波半導体装置の上
面を共通に覆う。なお、図示していないが、樹脂３２で
覆われた高周波半導体装置の上面はケースで蓋される。

【００３９】図４は、図１に示す高周波半導体装置を回
路基板（ＰＣ基板）３３に装着した状態を示す断面模式
図である。この高周波半導体装置の下面に露出したメタ
ル層２４の下面と回路基板３３上に印刷配線された接地
導体に対して半田３４を介して固定される。各パッケー
ジピン２３の下面は回路基板３３上に印刷配線された信
号導体に対して半田３５を介して接続される。

【００４０】このように構成された第１実施形態の高周
波半導体装置においては、メタル層２４の上面に所定の
厚みを有した誘電体３１を介して対向配置された信号線
路２８と、同じくメタル層２４の上面に所定の厚みを有
した誘電体３１を介して対向配置された接地線路２９と
が、図１に示すように、所定間隔を有して交互に形成さ
れている。したがって、互いに隣接する信号線路２８と
接地線路２９とで良好なグランデッドコプレナー線路を
形成する。

【００４１】信号線路２８と接地線路２９とはそれぞれ
誘電体３１を介して基板２０の上面を共通に覆うメタル
層２４に対向しているので、グランデッドコプレナー線
路を形成する信号線路２８と接地線路２９との間の特性
インピーダンスは、このグランデッドコプレナー線路の
全長に亘ってほぼ一定値になる。具体的には、信号線路
２８と接地線路２９との下方に位置するメタル層２４の
厚み、誘電体３１の厚み、信号線路２８と接地線路２９
との間隔、信号線路２８と接地線路２９の幅等をエッチ
ングにより又はメッキ厚さにより調整して、信号線路２
８と接地線路２９との間の特性インピーダンスを５０Ω
等に設定させている。

【００４２】なお、メタル層２４の上面を覆う誘電体３
１として、低誘電率の有機材料を使用することで、誘電
損失を低減でき、より高周波の信号をこの高周波用半導
体装置に入出力することが可能となる。

【００４３】このように、信号線路２８と接地線路２９
との下方にメタル層２４を配設することによって、信号
線路２８と接地線路２９との間の特性インピーダンスは
外部からの影響をうけることなく、高い精度で一定値に
維持できる。

【００４４】さらに、この第１実施形態の高周波用半導
体装置においては、各接地線路２９と、この各接地線路
２９に対して誘電体３１を介して対向するメタル層２４
とは導体で接続されているので、高周波信号のより一層
の安定性を図ることができる。

【００４５】さらに、基板２０のほぼ全面を覆うメタル
層２４は、半導体チップ２５内部の不要な雑音を外部に
除去できるとともに、接地線路２９で発生する雑音を外
部に除去できる。

【００４６】また、半導体チップ２５の下面は基板２０
の上面を覆うメタル層２４が接触している。このメタル
層２４の半導体チップ２５が接触している部分の下面は
高周波用半導体装置の下面に露出しているので、図４に
示すように、この高周波用半導体装置を回路基板３３に
取付けた場合に、メタル層２４が回路基板３３に当接す
る。その結果、半導体チップ２５で発熱した熱はメタル
層２４を介して回路基板３３側に効率的に放熱される。

【００４７】したがって、このメタル層２４は半導体チ
ップ２５に対するヒートシンクを兼ねるので、ヒートシ
ンクを別途設けた図７、図８に示す従来の半導体装置に
比較して、高周波用半導体装置の小型化を図ることがで
きる。

【００４８】（第２実施形態）図５は本発明の第２実施
形態に係わる高周波用半導体装置の上面図であり、図６
（ａ）（ｂ）は断面図である。なお、図１、図３（ａ）
（ｂ）（ｃ）に示す第１実施形態の高周波用半導体装置
と同一部分には同一符号を付して重複する部分の詳細説
明を省略する。この第２実施形態の高周波用半導体装置
には、マイクロストリップ線路が組込まれている。

【００４９】この第２実施形態の高周波用半導体装置に
組込まれる半導体チップ２５ａにおいては、上面に複数
の信号端子２６が所定間隔を開けて全周に亘って配列さ
れている。したがって、基板２０の周縁部に配設された
大部分のパッケージピンは信号端子２６に対応するパッ
ケージピン２３である。

【００５０】各信号端子２６と対応する各パッケージピ
ン２３とはワイヤ３０及び信号線路２８を介して接続さ
れている。

【００５１】図６（ａ）は図５に示す第２実施形態の高
周波半導体装置における各信号線路２８に沿って切断し
た場合の断面図である。この断面図は、図３（ａ）に示
した第１実施形態の高周波半導体装置における各信号線
路２８に沿って切断した場合の断面図と同一であるの
で、説明を省略する。

【００５２】図６（ｂ）は図５に示す第２実施形態の高
周波半導体装置における信号線路２８及び対応するパッ
ケージピン２３以外の部分を切断した場合の断面図であ
る。信号線路２８が形成されていないので、誘電体３１
の上面が露出している。

【００５３】このように構成された第２実施形態の高周
波半導体装置においては、半導体チップ２５ａの各信号
端子２６と周縁部の対応する各パッケージピン２３とを
接続する信号線路２８は、自己の信号線路２８と誘電体
３１を挟んで対向する、接地端子２７に接続されたメタ
ル層２４との間で、良好なマイクロストリップ線路を構
成する。この場合、対向するメタル層２４は、高周波半
導体装置の基板２０全体を覆うので、信号線路２８の特
性インピーダンスは大きく変動しない。

【００５４】したがって、この信号線路２８の特性イン
ピーダンスは、このマイクロストリップ線路の全長に亘
ってほぼ一定値になる。具体的には、信号線路２８の下
方に位置するメタル層２４の厚み、誘電体３１の厚み、
信号線路２８とメタル層２４との間隔、信号線路２８の
幅等をエッチングにより又はメッキ厚さにより調整し
て、信号線路２８の特性インピーダンスを５０Ω等に設
定させている。

【００５５】したがって、この第２実施形態の高周波用
半導体装置のパッケージピン２３を介して半導体チップ
２５ａに対して入出力される高周波信号の信号レベルの
安定性を確保できる。

【００５６】また、前述した第１実施形態の高周波用半
導体装置と同様に、メタル層２４は半導体チップ２５ａ
に対するヒートシンクを兼ねるので、高周波用半導体装
置の小型化を図ることができる。

【００５７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波用
半導体装置においては、ほぼ装置全体を覆う基板の上面
に形成されたメタル層に対して、半導体チップで発生し
た熱を放熱するヒートシンクの機能をも付加している。
したがって、メタル層の存在により信号線の特性インピ
ーダンスの変動を抑制でき、かつ半導体チップから発す
る熱を効率的に回路基板側へ放熱でき、さらに半導体装
置の薄型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係わる高周波用半導体
装置の上面図

【図２】同第１実施形態の高周波用半導体装置の下面図
及び基板中央部を取り除いた時の下面図

【図３】同第１実施形態の高周波用半導体装置の断面図

【図４】同第１実施形態の高周波用半導体装置を回路基
板に装着した状態を示す断面図

【図５】本発明の第２実施形態に係わる高周波用半導体
装置の上面図

【図６】同第２実施形態の高周波用半導体装置の断面図

【図７】従来の半導体装置の断面図及び下面図

【図８】別の従来の半導体装置の断面図

【符号の説明】

２０…基板 ２１…矩形窓 ２２…貫通部 ２３…パッケージピン ２４…メタル層 ２５、２５ａ…半導体チップ ２６…信号端子 ２７…接地端子 ２８…信号線路 ２９…接地線路 ３０…ワイヤ ３１…誘電体 ３２…樹脂 ３３…回路基板 ３４…半田

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 健吾 神奈川県相模原市相模大野８丁目10番６号 株式会社ファイ・マイクロテック内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中央部に矩形窓が形成され、かつ周縁部
   に沿ってパッケージピン用の複数の貫通部が形成された
   基板（２０）と、 この基板の各貫通部内に設けられた複数のパッケージピ
   ン（２３）と、 前記基板の上面における前記中央部の矩形窓位置を含み
   かつ周縁部の貫通部位置を含まない部分を覆うメタル層
   （２４）と、 このメタル層の上面における前記中央部の矩形窓位置を
   含まない部分を一様に覆う所定の厚みを有した誘電体
   （３１）と、 前記メタル層の上面における前記矩形窓に対応する位置
   に搭載され、少なくとも上面に複数の信号端子（２６）
   が形成された半導体チップ（２５、２５ａ）と、 前記誘電体の上面における前記各信号端子の近傍位置と
   対応するパッケージピンの近傍位置との間に形成され、
   一端が前記対応するパッケージピンに接続された複数の
   信号線路（２８）と、 前記半導体チップの各信号端子と対応する信号線路とを
   接続する複数のワイヤ（３０）とを備えた高周波用半導
   体装置。
2. 【請求項２】 中央部に矩形窓が形成され、かつ周縁部
   に沿ってパッケージピン用の複数の貫通部が形成された
   基板（２０）と、 この基板の各貫通部内に設けられた複数のパッケージピ
   ン（２３）と、 前記基板の上面における前記中央部の矩形窓位置を含み
   かつ周縁部の貫通部位置を含まない部分を覆うメタル層
   （２４）と、 このメタル層の上面における前記中央部の矩形窓位置を
   含まない部分を一様に覆う所定の厚みを有した誘電体
   （３１）と、 前記メタル層の上面における前記矩形窓に対応する位置
   に搭載され、上面に複数の信号端子（２６）及び複数の
   接地端子（２７）が形成された半導体チップ（２５）
   と、 前記誘電体の上面における前記各接地端子の近傍位置と
   対応するパッケージピンの近傍位置との間に形成され、
   一端が前記対応するパッケージピンに接続された複数の
   接地線路（２９）と、 前記誘電体の上面における前記各信号端子の近傍位置と
   対応するパッケージピンの近傍位置との間に形成され、
   一端が前記対応するパッケージピンに接続され、かつ隣
   接する接地線路との間でグランデッドコプレナー線路を
   形成する複数の信号線路（２８）と、 前記半導体チップの各信号端子及び各接地端子と対応す
   る信号線路及び接地線路とをそれぞれ接続する複数のワ
   イヤ（３０）とを備えた高周波用半導体装置。
3. 【請求項３】 前記各接地線路とこの各接地線路に対し
   て誘電体を介して対向するメタル層とを導体で接続した
   ことを特徴とする請求項２記載の高周波用半導体装置。