JP2003309085A - デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器 - Google Patents
デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器Info
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液滴吐出装置を用いて基板上に異なる形態の
パターンそれぞれを混在して形成する際、安定した吐出
動作を維持し、所望の精度でパターンを形成できるデバ
イスの製造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】基板Ｐ上に、複数の第１ビットからなる第
１ビットマップＢＭ１と、第１ビットと異なる大きさの
複数の第２ビットからなる第２ビットマップＢＭ２とを
設定し、液滴吐出装置を用いて、第１ビットマップＢＭ
１に対する吐出動作と、第２ビットマップＢＭ２に対す
る吐出動作とをそれぞれ独立して行う。
パターンそれぞれを混在して形成する際、安定した吐出
動作を維持し、所望の精度でパターンを形成できるデバ
イスの製造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】基板Ｐ上に、複数の第１ビットからなる第
１ビットマップＢＭ１と、第１ビットと異なる大きさの
複数の第２ビットからなる第２ビットマップＢＭ２とを
設定し、液滴吐出装置を用いて、第１ビットマップＢＭ
１に対する吐出動作と、第２ビットマップＢＭ２に対す
る吐出動作とをそれぞれ独立して行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液滴吐出装置を用
いて基板上にパターンを形成するデバイスの製造方法及
びデバイス製造装置、並びにデバイス及び電子機器に関
するものである。
いて基板上にパターンを形成するデバイスの製造方法及
びデバイス製造装置、並びにデバイス及び電子機器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体集積回路など微細な配
線パターンを有するデバイスの製造方法としてフォトリ
ソグラフィー法が多用されているが、特開平１１−２７
４６７１号公報、特開２０００−２１６３３０号公報な
どに開示されているように、液滴吐出方式を用いたデバ
イスの製造方法が注目されている。上記公報に開示され
ている技術は、パターン形成面にパターン形成用材料を
含んだ液体材料を液滴吐出ヘッドから吐出することによ
り基板上に材料を配置し、配線パターンを形成するもの
であり、少量多種生産に対応可能である点などにおいて
大変有効である。
線パターンを有するデバイスの製造方法としてフォトリ
ソグラフィー法が多用されているが、特開平１１−２７
４６７１号公報、特開２０００−２１６３３０号公報な
どに開示されているように、液滴吐出方式を用いたデバ
イスの製造方法が注目されている。上記公報に開示され
ている技術は、パターン形成面にパターン形成用材料を
含んだ液体材料を液滴吐出ヘッドから吐出することによ
り基板上に材料を配置し、配線パターンを形成するもの
であり、少量多種生産に対応可能である点などにおいて
大変有効である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、デバイスに
形成される配線パターンにおいて、例えば直線パターン
とこの直線パターンに傾斜する傾斜線パターンとが混在
していたり、あるいは異なる線幅を有する配線パターン
が混在していたりする。これら異なる形態の配線パター
ンを同一の吐出条件で液滴吐出装置で形成しようとする
と、所望のパターン精度が得られなくなる場合がある。
例えば、直線パターンを形成する際に粗いドットで吐出
動作を行っても直線パターンは所望のパターン精度で形
成できるが、直線パターンを形成したときと同じドット
で傾斜線パターンを形成しようとすると、傾斜線パター
ンの縁部が階段状となって所望の形状を得ることができ
ず、デバイス性能を低下させてしまうといった問題が生
じる。
形成される配線パターンにおいて、例えば直線パターン
とこの直線パターンに傾斜する傾斜線パターンとが混在
していたり、あるいは異なる線幅を有する配線パターン
が混在していたりする。これら異なる形態の配線パター
ンを同一の吐出条件で液滴吐出装置で形成しようとする
と、所望のパターン精度が得られなくなる場合がある。
例えば、直線パターンを形成する際に粗いドットで吐出
動作を行っても直線パターンは所望のパターン精度で形
成できるが、直線パターンを形成したときと同じドット
で傾斜線パターンを形成しようとすると、傾斜線パター
ンの縁部が階段状となって所望の形状を得ることができ
ず、デバイス性能を低下させてしまうといった問題が生
じる。
【０００４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、液滴吐出装置を用いて基板上に異なる形態のパ
ターンそれぞれを混在して形成する際、安定した吐出動
作を維持し、所望の精度でパターンを形成できるデバイ
スの製造方法及び製造装置を提供することを目的とす
る。
もので、液滴吐出装置を用いて基板上に異なる形態のパ
ターンそれぞれを混在して形成する際、安定した吐出動
作を維持し、所望の精度でパターンを形成できるデバイ
スの製造方法及び製造装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明のデバイスの製造方法は、格子状の複数の単
位領域を設定し、前記単位領域のそれぞれに対して液滴
吐出装置より液体材料からなる液滴を吐出し、基板上に
所定のパターンを形成する工程を有するデバイスの製造
方法において、複数の第１の単位領域からなる第１のエ
リアを設定した前記基板上に前記液滴吐出装置により第
１の吐出動作を行う工程と、前記第１の単位領域とは異
なる大きさの複数の第２の単位領域からなる第２のエリ
アを設定した前記基板上に前記液滴吐出装置により第２
の吐出動作を行う工程と、を有し、前記第１の吐出動作
により第１の方向に延在する第１パターンを形成し、前
記第２の吐出動作により前記第１の方向に対して異なる
方向に延在する第２パターンを形成することを特徴とす
る。
め、本発明のデバイスの製造方法は、格子状の複数の単
位領域を設定し、前記単位領域のそれぞれに対して液滴
吐出装置より液体材料からなる液滴を吐出し、基板上に
所定のパターンを形成する工程を有するデバイスの製造
方法において、複数の第１の単位領域からなる第１のエ
リアを設定した前記基板上に前記液滴吐出装置により第
１の吐出動作を行う工程と、前記第１の単位領域とは異
なる大きさの複数の第２の単位領域からなる第２のエリ
アを設定した前記基板上に前記液滴吐出装置により第２
の吐出動作を行う工程と、を有し、前記第１の吐出動作
により第１の方向に延在する第１パターンを形成し、前
記第２の吐出動作により前記第１の方向に対して異なる
方向に延在する第２パターンを形成することを特徴とす
る。
【０００６】また、本発明のデバイス製造装置は、基板
上に液体材料の液滴を吐出する液滴吐出装置を備えたデ
バイス製造装置において、前記基板上に、格子状の複数
の第１の単位領域からなる第１のエリアと、前記第１の
単位領域とは異なる大きさの格子状の複数の第２の単位
領域からなる第２のエリアとを設定し、前記第１のエリ
アに対する第１の吐出動作と、前記第２のエリアに対す
る第２の吐出動作とをそれぞれ独立して行うように前記
液滴吐出装置の吐出動作を制御する制御装置を備えるこ
とを特徴とする。
上に液体材料の液滴を吐出する液滴吐出装置を備えたデ
バイス製造装置において、前記基板上に、格子状の複数
の第１の単位領域からなる第１のエリアと、前記第１の
単位領域とは異なる大きさの格子状の複数の第２の単位
領域からなる第２のエリアとを設定し、前記第１のエリ
アに対する第１の吐出動作と、前記第２のエリアに対す
る第２の吐出動作とをそれぞれ独立して行うように前記
液滴吐出装置の吐出動作を制御する制御装置を備えるこ
とを特徴とする。
【０００７】本発明によれば、形態の異なるパターン毎
に、液滴を吐出するための単位領域（ビット）を有する
エリア（ビットマップ）をそれぞれ設定し、これら異な
るパターン毎に液滴吐出動作（パターン描画動作）をそ
れぞれ独立して行うようにしたので、それぞれのパター
ンに最適な吐出条件でパターンを形成するための吐出動
作を行うことができる。したがって、異なる形態のパタ
ーン形成に際し、安定した吐出動作を維持し所望の精度
を有するパターンを形成することができる。
に、液滴を吐出するための単位領域（ビット）を有する
エリア（ビットマップ）をそれぞれ設定し、これら異な
るパターン毎に液滴吐出動作（パターン描画動作）をそ
れぞれ独立して行うようにしたので、それぞれのパター
ンに最適な吐出条件でパターンを形成するための吐出動
作を行うことができる。したがって、異なる形態のパタ
ーン形成に際し、安定した吐出動作を維持し所望の精度
を有するパターンを形成することができる。
【０００８】本発明のデバイスの製造方法において、前
記液滴吐出装置と前記基板とを所定方向に相対移動しつ
つ前記吐出動作を行い、前記第１の吐出動作を第１の移
動時に行い、前記第２の吐出動作を前記第１の移動とは
別の第２の移動時に行う構成が採用される。これによ
り、液滴吐出装置に対して基板を走査しつつ、第１の走
査吐出時において第１パターンを形成し、第２の走査吐
出時において第２パターンを形成することができる。
記液滴吐出装置と前記基板とを所定方向に相対移動しつ
つ前記吐出動作を行い、前記第１の吐出動作を第１の移
動時に行い、前記第２の吐出動作を前記第１の移動とは
別の第２の移動時に行う構成が採用される。これによ
り、液滴吐出装置に対して基板を走査しつつ、第１の走
査吐出時において第１パターンを形成し、第２の走査吐
出時において第２パターンを形成することができる。
【０００９】本発明のデバイスの製造方法において、前
記第２パターンを形成するための第２の単位領域の大き
さは、前記第１パターンを形成するための第１の単位領
域より小さく設定されている構成が採用される。これに
より、第２パターンは細かいビット（ドット）で形成さ
れるので、例えば第２パターンが傾斜線パターンである
場合、この傾斜線パターンの縁部が例えば階段状など異
常な形状で形成される不都合の発生を抑えることができ
る。
記第２パターンを形成するための第２の単位領域の大き
さは、前記第１パターンを形成するための第１の単位領
域より小さく設定されている構成が採用される。これに
より、第２パターンは細かいビット（ドット）で形成さ
れるので、例えば第２パターンが傾斜線パターンである
場合、この傾斜線パターンの縁部が例えば階段状など異
常な形状で形成される不都合の発生を抑えることができ
る。
【００１０】本発明のデバイスの製造方法において、前
記第１の吐出動作で第１パターンを形成し、前記第２の
吐出動作で前記第１パターンに接続する第２パターンを
形成する際、前記基板上に形成された前記第１パターン
に対して離れた位置から接近する方向に向かって前記第
２の吐出動作を行う構成が採用される。これにより、第
１パターンと第２パターンとの接続部が異常な形状とな
ってしまう不都合の発生を抑えることができる。
記第１の吐出動作で第１パターンを形成し、前記第２の
吐出動作で前記第１パターンに接続する第２パターンを
形成する際、前記基板上に形成された前記第１パターン
に対して離れた位置から接近する方向に向かって前記第
２の吐出動作を行う構成が採用される。これにより、第
１パターンと第２パターンとの接続部が異常な形状とな
ってしまう不都合の発生を抑えることができる。
【００１１】本発明のデバイスの製造方法は、基板上に
液滴吐出装置より液体材料の液滴を吐出し、前記基板上
に配線パターンを形成する工程を有するデバイスの製造
方法において、前記基板上に、第１の線幅を有する第１
の配線パターンを形成する第１の工程と、前記第１の線
幅とは異なる幅の第２の線幅を有する第２の配線パター
ンを形成する第２の工程とを有し、前記第１の工程にお
ける前記液滴吐出装置による吐出動作と、前記前記第２
の工程における前記液滴吐出装置による吐出動作とをそ
れぞれ独立して行うことを特徴とする。
液滴吐出装置より液体材料の液滴を吐出し、前記基板上
に配線パターンを形成する工程を有するデバイスの製造
方法において、前記基板上に、第１の線幅を有する第１
の配線パターンを形成する第１の工程と、前記第１の線
幅とは異なる幅の第２の線幅を有する第２の配線パター
ンを形成する第２の工程とを有し、前記第１の工程にお
ける前記液滴吐出装置による吐出動作と、前記前記第２
の工程における前記液滴吐出装置による吐出動作とをそ
れぞれ独立して行うことを特徴とする。
【００１２】また、本発明のデバイス製造装置は、基板
上に液体材料の液滴を吐出する液滴吐出装置を備えたデ
バイス製造装置において、前記基板上に、第１の線幅を
有する第１の配線パターンと、前記第１の線幅とは異な
る幅の第２の線幅を有する第２の配線パターンとを形成
する際、前記第１の配線パターンを形成するための第１
の吐出動作と、前記第２の配線パターンを形成するため
の第２の吐出動作とをそれぞれ独立して行うように前記
液滴吐出装置の吐出動作を制御する制御装置を備えるこ
とを特徴とする。
上に液体材料の液滴を吐出する液滴吐出装置を備えたデ
バイス製造装置において、前記基板上に、第１の線幅を
有する第１の配線パターンと、前記第１の線幅とは異な
る幅の第２の線幅を有する第２の配線パターンとを形成
する際、前記第１の配線パターンを形成するための第１
の吐出動作と、前記第２の配線パターンを形成するため
の第２の吐出動作とをそれぞれ独立して行うように前記
液滴吐出装置の吐出動作を制御する制御装置を備えるこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明によれば、線幅の異なる配線パター
ン毎に、吐出条件をそれぞれ独立して設定し、液滴吐出
動作（パターン描画動作）を行うようにしたので、それ
ぞれのパターンに最適な吐出条件でパターンを形成する
ための吐出動作を行うことができる。したがって、異な
る線幅のパターン形成に際し、安定した吐出動作を維持
し所望の精度を有するパターンを形成することができ
る。
ン毎に、吐出条件をそれぞれ独立して設定し、液滴吐出
動作（パターン描画動作）を行うようにしたので、それ
ぞれのパターンに最適な吐出条件でパターンを形成する
ための吐出動作を行うことができる。したがって、異な
る線幅のパターン形成に際し、安定した吐出動作を維持
し所望の精度を有するパターンを形成することができ
る。
【００１４】本発明のデバイスの製造方法において、前
記第１の工程における前記吐出動作で吐出する液滴の１
滴当たりの量と、前記第２の工程における前記吐出動作
で吐出する液滴の１滴当たりの量とを異なる値に設定す
る構成が採用される。これにより、最適な液滴量で異な
る線幅を有する配線パターンを形成できる。
記第１の工程における前記吐出動作で吐出する液滴の１
滴当たりの量と、前記第２の工程における前記吐出動作
で吐出する液滴の１滴当たりの量とを異なる値に設定す
る構成が採用される。これにより、最適な液滴量で異な
る線幅を有する配線パターンを形成できる。
【００１５】本発明のデバイスの製造方法において、前
記液滴吐出装置と前記基板とを所定方向に相対移動しつ
つ前記吐出動作を行い、前記第１の工程における前記吐
出動作を第１の移動時に行い、前記第２の工程における
前記吐出動作を前記第１の移動とは別の第２の移動時に
行う構成が採用される。これにより、液滴吐出装置に対
して基板を走査しつつ、第１の走査吐出時において第１
の配線パターンを形成し、第２の走査吐出時において第
２の配線パターンを形成することができる。
記液滴吐出装置と前記基板とを所定方向に相対移動しつ
つ前記吐出動作を行い、前記第１の工程における前記吐
出動作を第１の移動時に行い、前記第２の工程における
前記吐出動作を前記第１の移動とは別の第２の移動時に
行う構成が採用される。これにより、液滴吐出装置に対
して基板を走査しつつ、第１の走査吐出時において第１
の配線パターンを形成し、第２の走査吐出時において第
２の配線パターンを形成することができる。
【００１６】本発明のデバイスの製造方法において、前
記液体材料は、導電性微粒子を含む液状体によってなる
構成が採用される。これにより、導電性パターンを形成
できる。
記液体材料は、導電性微粒子を含む液状体によってなる
構成が採用される。これにより、導電性パターンを形成
できる。
【００１７】本発明のデバイスは、上記記載のデバイス
製造装置で製造されたことを特徴とする。本発明によれ
ば、所望のパターン精度を有するパターンを備えたデバ
イスが提供される。
製造装置で製造されたことを特徴とする。本発明によれ
ば、所望のパターン精度を有するパターンを備えたデバ
イスが提供される。
【００１８】本発明の電子機器は、上記記載のデバイス
を備えたことを特徴とする。本発明によれば、優れたデ
バイス性能を有する電子機器が提供される。
を備えたことを特徴とする。本発明によれば、優れたデ
バイス性能を有する電子機器が提供される。
【００１９】ここで、液滴吐出装置の液滴吐出方式とし
ては、圧電体素子の体積変化により液体材料（流動体）
を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加
により急激に蒸気が発生することにより液体材料を吐出
させる方式であってもよい。
ては、圧電体素子の体積変化により液体材料（流動体）
を吐出させるピエゾジェット方式であっても、熱の印加
により急激に蒸気が発生することにより液体材料を吐出
させる方式であってもよい。
【００２０】液体材料とは、液滴吐出ヘッドのノズルか
ら吐出可能（滴下可能）な粘度を備えた媒体をいう。水
性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出
可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質
が混入していても全体として流動体であればよい。ま
た、液体材料に含まれる材料は融点以上に加熱されて溶
解されたものでも、溶媒中に微粒子として攪拌されたも
のでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料
を添加したものであってもよい。また、配線パターン
（電気回路）とは回路素子間の電気的な協働関係により
成り立つ部材であって、特定の電気的特徴や一定の電気
的特性を有するものである。また基板はフラット基板を
指す他、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン
形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチッ
ク、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有する
ものの表面であってもよい。
ら吐出可能（滴下可能）な粘度を備えた媒体をいう。水
性であると油性であるとを問わない。ノズル等から吐出
可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質
が混入していても全体として流動体であればよい。ま
た、液体材料に含まれる材料は融点以上に加熱されて溶
解されたものでも、溶媒中に微粒子として攪拌されたも
のでもよく、溶媒の他に染料や顔料その他の機能性材料
を添加したものであってもよい。また、配線パターン
（電気回路）とは回路素子間の電気的な協働関係により
成り立つ部材であって、特定の電気的特徴や一定の電気
的特性を有するものである。また基板はフラット基板を
指す他、曲面状の基板であってもよい。さらにパターン
形成面の硬度が硬い必要はなく、ガラスやプラスチッ
ク、金属以外に、フィルム、紙、ゴム等可撓性を有する
ものの表面であってもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のデバイスの製造方
法及びデバイス製造装置について説明する。図１は本発
明のデバイス製造装置の一実施形態を示す概略斜視図で
ある。本発明のデバイス製造装置は、液滴吐出ヘッドか
ら基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバ
イスを製造するインクジェット装置（液滴吐出装置）で
ある。
法及びデバイス製造装置について説明する。図１は本発
明のデバイス製造装置の一実施形態を示す概略斜視図で
ある。本発明のデバイス製造装置は、液滴吐出ヘッドか
ら基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバ
イスを製造するインクジェット装置（液滴吐出装置）で
ある。
【００２２】図１において、インクジェット装置ＩＪ
は、インクジェットヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、
Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ
７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５と
を備えている。
は、インクジェットヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、
Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ
７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５と
を備えている。
【００２３】ステージ７は、このインクジェット装置Ｉ
Ｊによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持
するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示
の固定機構を備えている。
Ｊによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持
するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示
の固定機構を備えている。
【００２４】インクジェットヘッド１は、複数の吐出ノ
ズルを備えたマルチノズルタイプのインクジェットヘッ
ドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複
数の吐出ノズルは、インクジェットヘッド１の下面にＹ
軸方向に並んで一定間隔で設けられている。インクジェ
ットヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持さ
れている基板Ｐに対して、例えば導電性微粒子を含むイ
ンク（液体材料）が吐出される。なお、ここで用いられ
る導電性微粒子は、例えば金、銀、銅、鉄、パラジウ
ム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒
子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用い
られる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させる
ために表面に有機物などをコーティングして使うことも
できる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーテ
ィング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機
溶剤やクエン酸等が挙げられる。
ズルを備えたマルチノズルタイプのインクジェットヘッ
ドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複
数の吐出ノズルは、インクジェットヘッド１の下面にＹ
軸方向に並んで一定間隔で設けられている。インクジェ
ットヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持さ
れている基板Ｐに対して、例えば導電性微粒子を含むイ
ンク（液体材料）が吐出される。なお、ここで用いられ
る導電性微粒子は、例えば金、銀、銅、鉄、パラジウ
ム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒
子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用い
られる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させる
ために表面に有機物などをコーティングして使うことも
できる。導電性微粒子の表面にコーティングするコーテ
ィング材としては、例えばキシレン、トルエン等の有機
溶剤やクエン酸等が挙げられる。
【００２５】Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モー
タ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッ
ピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向
の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転さ
せる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、インクジェット
ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
タ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッ
ピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向
の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転さ
せる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、インクジェット
ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
【００２６】Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動
かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向
駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はス
テッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸
方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向
に移動する。
かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向
駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はス
テッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸
方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向
に移動する。
【００２７】制御装置ＣＯＮＴは、インクジェットヘッ
ド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸
方向駆動モータ２にインクジェットヘッド１のＸ軸方向
の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モー
タ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パル
ス信号を供給する。
ド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ軸
方向駆動モータ２にインクジェットヘッド１のＸ軸方向
の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ軸方向駆動モー
タ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パル
ス信号を供給する。
【００２８】クリーニング機構８は、インクジェットヘ
ッド１をクリーニングするものである。クリーニング機
構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられ
ている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリ
ーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動す
る。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴによ
り制御される。
ッド１をクリーニングするものである。クリーニング機
構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられ
ている。このＹ軸方向の駆動モータの駆動により、クリ
ーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動す
る。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴによ
り制御される。
【００２９】ヒータ１５は、ここではランプアニールに
より基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布さ
れた液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。こ
のヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴ
により制御される。
より基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布さ
れた液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。こ
のヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴ
により制御される。
【００３０】本実施形態において、インクジェット装置
ＩＪは基板Ｐ上に配線パターンを形成する。したがっ
て、インクには、配線パターン形成用材料である導電性
微粒子（金属微粒子）が含まれている。インクは、金属
微粒子を所定の溶媒及びバインダー樹脂を用いてペース
ト化したものである。金属微粒子としては、本実施例で
は例えば、金、銀、銅、鉄等が挙げられる。金属微粒子
の粒径は５〜１００μｍであることが好ましく、可能な
限り小さい（例えば５〜７μｍ）ことが好ましい。イン
クジェットヘッド１から基板Ｐに吐出された液体材料
は、ヒータ１５で熱処理されることにより導電性膜に変
換（製膜）される。
ＩＪは基板Ｐ上に配線パターンを形成する。したがっ
て、インクには、配線パターン形成用材料である導電性
微粒子（金属微粒子）が含まれている。インクは、金属
微粒子を所定の溶媒及びバインダー樹脂を用いてペース
ト化したものである。金属微粒子としては、本実施例で
は例えば、金、銀、銅、鉄等が挙げられる。金属微粒子
の粒径は５〜１００μｍであることが好ましく、可能な
限り小さい（例えば５〜７μｍ）ことが好ましい。イン
クジェットヘッド１から基板Ｐに吐出された液体材料
は、ヒータ１５で熱処理されることにより導電性膜に変
換（製膜）される。
【００３１】インクジェット装置ＩＪは、インクジェッ
トヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に
走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以
下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向（所定方向）、
Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。した
がって、インクジェットヘッド１の吐出ノズルは、非走
査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられてい
る。なお、図１では、インクジェットヘッド１は、基板
Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、インクジ
ェットヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対
して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、
インクジェットヘッド１の角度を調整することで、ノズ
ル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐと
ノズル面との距離を任意に調節することが出来るように
してもよい。
トヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に
走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以
下の説明において、Ｘ軸方向を走査方向（所定方向）、
Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向を非走査方向とする。した
がって、インクジェットヘッド１の吐出ノズルは、非走
査方向であるＹ軸方向に一定間隔で並んで設けられてい
る。なお、図１では、インクジェットヘッド１は、基板
Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、インクジ
ェットヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対
して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、
インクジェットヘッド１の角度を調整することで、ノズ
ル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐと
ノズル面との距離を任意に調節することが出来るように
してもよい。
【００３２】次に、上述したインクジェット装置ＩＪを
用いて配線パターンを形成する方法について説明する。
以下の説明では、インクジェット装置ＩＪを用いてプラ
ズマ表示装置の配線パターンを形成する例について説明
する。
用いて配線パターンを形成する方法について説明する。
以下の説明では、インクジェット装置ＩＪを用いてプラ
ズマ表示装置の配線パターンを形成する例について説明
する。
【００３３】図２はプラズマ表示装置のブロック図の一
例を示す図である。図２において、プラズマ表示装置５
２は、マトリクス形式のカラー表示デバイスであるＡＣ
型のプラズマディスプレイパネル５１と、画面（スクリ
ーン）を構成する多数のセルを選択的に点灯させるため
の駆動ユニット５３とからなる。プラズマディスプレイ
パネル５１は、一対のサステイン電極Ｘｄ、Ｙｄが平行
配置された面放電形式のプラズマディスプレイパネルで
あり、各セルにサステイン電極Ｘｄ、Ｙｄとアドレス電
極Ａとが対応する３電極構造の電極マトリクスを有して
いる。サステイン電極Ｘｄ、Ｙｄは画面のライン方向
（水平方向）に延び、一方のサステイン電極Ｙｄはアド
レッシングに際してライン単位にセルを選択するための
スキャン電極として用いられる。アドレス電極Ａは列単
位にセルを選択するためのデータ電極であり、列方向
（垂直方向）に延びている。駆動ユニット５３は、コン
トローラ５４、フレームメモリ５５，Ｘドライバ回路５
６、Ｙドライバ回路５７、アドレスドライバ回路５８、
及び図示しない電源回路を有している。駆動ユニット５
３には外部装置から各ピクセルのＲＧＢの輝度レベル
（階調レベル）を示す多値の映像データＤＲ、ＤＧ、Ｄ
Ｂが、各種の同期信号とともに入力される。映像データ
ＤＲ、ＤＧ、ＤＢは、フレームメモリ５５に一旦格納さ
れた後、コントローラ５４により各色毎にサブフレーム
データＤｓｆに変換され、再びフレームメモリ５５に格
納される。サブフレームデータＤｓｆは、階調表示のた
めに１フレームを分割した各サブフレームにおけるセル
の点灯の要否を示す２値データの集合である。Ｘドライ
バ回路５６はサステイン電極Ｘｄに対する電圧印加を担
い、Ｙドライバ回路５７はサステイン電極Ｙｄに対する
電圧印加を担う。アドレスドライバ回路５８は、フレー
ムメモリ５５から転送されたサブフレームデータＤｓｆ
に応じて、アドレス電極Ａに選択的にアドレス電極を印
加する。
例を示す図である。図２において、プラズマ表示装置５
２は、マトリクス形式のカラー表示デバイスであるＡＣ
型のプラズマディスプレイパネル５１と、画面（スクリ
ーン）を構成する多数のセルを選択的に点灯させるため
の駆動ユニット５３とからなる。プラズマディスプレイ
パネル５１は、一対のサステイン電極Ｘｄ、Ｙｄが平行
配置された面放電形式のプラズマディスプレイパネルで
あり、各セルにサステイン電極Ｘｄ、Ｙｄとアドレス電
極Ａとが対応する３電極構造の電極マトリクスを有して
いる。サステイン電極Ｘｄ、Ｙｄは画面のライン方向
（水平方向）に延び、一方のサステイン電極Ｙｄはアド
レッシングに際してライン単位にセルを選択するための
スキャン電極として用いられる。アドレス電極Ａは列単
位にセルを選択するためのデータ電極であり、列方向
（垂直方向）に延びている。駆動ユニット５３は、コン
トローラ５４、フレームメモリ５５，Ｘドライバ回路５
６、Ｙドライバ回路５７、アドレスドライバ回路５８、
及び図示しない電源回路を有している。駆動ユニット５
３には外部装置から各ピクセルのＲＧＢの輝度レベル
（階調レベル）を示す多値の映像データＤＲ、ＤＧ、Ｄ
Ｂが、各種の同期信号とともに入力される。映像データ
ＤＲ、ＤＧ、ＤＢは、フレームメモリ５５に一旦格納さ
れた後、コントローラ５４により各色毎にサブフレーム
データＤｓｆに変換され、再びフレームメモリ５５に格
納される。サブフレームデータＤｓｆは、階調表示のた
めに１フレームを分割した各サブフレームにおけるセル
の点灯の要否を示す２値データの集合である。Ｘドライ
バ回路５６はサステイン電極Ｘｄに対する電圧印加を担
い、Ｙドライバ回路５７はサステイン電極Ｙｄに対する
電圧印加を担う。アドレスドライバ回路５８は、フレー
ムメモリ５５から転送されたサブフレームデータＤｓｆ
に応じて、アドレス電極Ａに選択的にアドレス電極を印
加する。
【００３４】図３は、図２に示したプラズマ表示装置の
配線のうちの一部を示した拡大模式図である。図３に示
す模式図において、基板Ｐ上には、Ｘ軸方向（第１の方
向）に延在する直線パターン（第１パターン）３１と、
この直線パターン３１に接続し、直線パターン３１の延
在方向に対して傾斜する（第１の方向に対して異なる）
方向（第２の方向）に延在する傾斜線パターン（第２パ
ターン）３２とが形成されている。傾斜線パターン３２
は、例えば図２におけるドライバ回路とサステイン電極
とを接続する引き出し線である。一方、直線パターン３
１は、例えばサステイン電極である。以下の説明では、
図３に示した直線パターン３１と傾斜線パターン３２と
を有する配線パターン３０を形成する場合の手順を例に
説明する。
配線のうちの一部を示した拡大模式図である。図３に示
す模式図において、基板Ｐ上には、Ｘ軸方向（第１の方
向）に延在する直線パターン（第１パターン）３１と、
この直線パターン３１に接続し、直線パターン３１の延
在方向に対して傾斜する（第１の方向に対して異なる）
方向（第２の方向）に延在する傾斜線パターン（第２パ
ターン）３２とが形成されている。傾斜線パターン３２
は、例えば図２におけるドライバ回路とサステイン電極
とを接続する引き出し線である。一方、直線パターン３
１は、例えばサステイン電極である。以下の説明では、
図３に示した直線パターン３１と傾斜線パターン３２と
を有する配線パターン３０を形成する場合の手順を例に
説明する。
【００３５】まず、インクジェット装置ＩＪの制御装置
ＣＯＮＴは、図４に示すように、基板Ｐ上に格子状の複
数のビット（単位領域）からなるビットマップを設定す
る。ここで、制御装置ＣＯＮＴは、直線パターン３１を
形成するために、所定の大きさＤ１を有する第１ビット
（第１の単位領域）からなる第１ビットマップ（第１の
エリア）ＢＭ１と、傾斜線パターン３２を形成するため
に、第１ビットとは異なる大きさＤ２を有する第２ビッ
ト（第２の単位領域）からなる第２ビットマップ（第２
のエリア）ＢＭ２とを基板Ｐ上に設定する。本実施形態
において、ビットは正方形状に設定されている。ここ
で、傾斜線パターン３２を形成するための第２ビットの
大きさＤ２は、直線パターン３１を形成するための第１
ビットの大きさＤ１より小さく設定されている。第２ビ
ットを第１ビットより細かく設定することにより、傾斜
線パターン３２を所望の形状に設定できる。すなわち、
図６（ａ）に示す模式図のように傾斜線パターンを第１
ビットで形成するより、図６（ｂ）に示す模式図のよう
に傾斜線パターンを第２ビットで形成するほうが、傾斜
線パターンの縁部が例えば階段状など異常な形状で形成
される不都合の発生を抑えることができる。
ＣＯＮＴは、図４に示すように、基板Ｐ上に格子状の複
数のビット（単位領域）からなるビットマップを設定す
る。ここで、制御装置ＣＯＮＴは、直線パターン３１を
形成するために、所定の大きさＤ１を有する第１ビット
（第１の単位領域）からなる第１ビットマップ（第１の
エリア）ＢＭ１と、傾斜線パターン３２を形成するため
に、第１ビットとは異なる大きさＤ２を有する第２ビッ
ト（第２の単位領域）からなる第２ビットマップ（第２
のエリア）ＢＭ２とを基板Ｐ上に設定する。本実施形態
において、ビットは正方形状に設定されている。ここ
で、傾斜線パターン３２を形成するための第２ビットの
大きさＤ２は、直線パターン３１を形成するための第１
ビットの大きさＤ１より小さく設定されている。第２ビ
ットを第１ビットより細かく設定することにより、傾斜
線パターン３２を所望の形状に設定できる。すなわち、
図６（ａ）に示す模式図のように傾斜線パターンを第１
ビットで形成するより、図６（ｂ）に示す模式図のよう
に傾斜線パターンを第２ビットで形成するほうが、傾斜
線パターンの縁部が例えば階段状など異常な形状で形成
される不都合の発生を抑えることができる。
【００３６】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、図５（ａ）
に示すように、基板Ｐ上に設定した第１ビットマップＢ
Ｍ１に基づいて、基板Ｐに対してＸ軸方向に走査しつ
つ、第１ビットマップＢＭ１の複数のビットのうち、所
定のビットに対する液滴の吐出動作（第１の吐出動作）
を行う。基板Ｐ上には、直線パターン３１が形成され
る。
に示すように、基板Ｐ上に設定した第１ビットマップＢ
Ｍ１に基づいて、基板Ｐに対してＸ軸方向に走査しつ
つ、第１ビットマップＢＭ１の複数のビットのうち、所
定のビットに対する液滴の吐出動作（第１の吐出動作）
を行う。基板Ｐ上には、直線パターン３１が形成され
る。
【００３７】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐに対
するビットマップの設定を変更する。すなわち、制御装
置ＣＯＮＴは、傾斜線パターン３２を形成するために、
図５（ｂ）に示すように、直線パターン３１に対して所
定位置に第２ビットマップＢＭ２を設定する。ここで、
基板Ｐ上には不図示のアライメントマークが形成されて
おり、インクジェット装置ＩＪには前記アライメントマ
ークを用いて基板Ｐの位置を検出するアライメント装置
が設けられている。制御装置ＣＯＮＴは、アライメント
装置を用いて基板Ｐの位置を検出し、この検出結果に基
づいて、直線パターン３１に対して第２ビットマップＢ
Ｍ２を所定位置に設定する。
するビットマップの設定を変更する。すなわち、制御装
置ＣＯＮＴは、傾斜線パターン３２を形成するために、
図５（ｂ）に示すように、直線パターン３１に対して所
定位置に第２ビットマップＢＭ２を設定する。ここで、
基板Ｐ上には不図示のアライメントマークが形成されて
おり、インクジェット装置ＩＪには前記アライメントマ
ークを用いて基板Ｐの位置を検出するアライメント装置
が設けられている。制御装置ＣＯＮＴは、アライメント
装置を用いて基板Ｐの位置を検出し、この検出結果に基
づいて、直線パターン３１に対して第２ビットマップＢ
Ｍ２を所定位置に設定する。
【００３８】制御装置ＣＯＮＴは、図５（ｂ）に示すよ
うに、基板Ｐ上に設定した第２ビットマップＢＭ２に基
づいて、基板Ｐに対してＸ軸方向に走査しつつ、第２ビ
ットマップＢＭ２の複数のビットのうち、所定のビット
に対する液滴の吐出動作（第２の吐出動作）を行う。基
板Ｐ上には、傾斜線パターン３２が形成される。ここ
で、第２ビットは第１ビットに対して小さい（細かい）
ビットであるため、制御装置ＣＯＮＴは、第２吐出動作
時において吐出する１滴当たりの液滴量を、第１吐出動
作時より小さく（少なく）設定する。また、制御装置Ｃ
ＯＮＴは、第２吐出動作時における吐出時間間隔を第１
吐出動作時より短く設定する（換言すれば、吐出周波数
を高くする）。あるいは、制御装置ＣＯＮＴは、第２の
吐出動作時におけるインクジェットヘッド１の走査速度
を第１の吐出動作時より遅く設定する。このように、制
御装置ＣＯＮＴは、直線パターン（第１パターン）３１
を形成するための第１の吐出動作と、傾斜線パターン
（第２パターン）３２を形成するための第２の吐出動作
とを、それぞれ異なる吐出条件（描画条件）に設定し、
それぞれ独立して行う。
うに、基板Ｐ上に設定した第２ビットマップＢＭ２に基
づいて、基板Ｐに対してＸ軸方向に走査しつつ、第２ビ
ットマップＢＭ２の複数のビットのうち、所定のビット
に対する液滴の吐出動作（第２の吐出動作）を行う。基
板Ｐ上には、傾斜線パターン３２が形成される。ここ
で、第２ビットは第１ビットに対して小さい（細かい）
ビットであるため、制御装置ＣＯＮＴは、第２吐出動作
時において吐出する１滴当たりの液滴量を、第１吐出動
作時より小さく（少なく）設定する。また、制御装置Ｃ
ＯＮＴは、第２吐出動作時における吐出時間間隔を第１
吐出動作時より短く設定する（換言すれば、吐出周波数
を高くする）。あるいは、制御装置ＣＯＮＴは、第２の
吐出動作時におけるインクジェットヘッド１の走査速度
を第１の吐出動作時より遅く設定する。このように、制
御装置ＣＯＮＴは、直線パターン（第１パターン）３１
を形成するための第１の吐出動作と、傾斜線パターン
（第２パターン）３２を形成するための第２の吐出動作
とを、それぞれ異なる吐出条件（描画条件）に設定し、
それぞれ独立して行う。
【００３９】ここで、第１の吐出動作で基板Ｐ上に直線
パターン３１を形成した後、第２の吐出動作で直線パタ
ーン３１に接続する傾斜線パターン３２を形成する際、
直線パターン３１に対して離れた位置から接近する方向
に向かって、すなわち−Ｘ側から＋Ｘ側に向かって第２
ビットに対して順次吐出を行い、直線パターン３１に傾
斜線パターン３２を接続するようにするとよい。これ
は、例えば、図７（ａ）に示す模式図のように、基板Ｐ
上に既に形成されている直線パターン３１に対して近い
位置から離れた位置に向かって順次吐出動作を行うと、
吐出した液滴が直線パターン３１に引き込まれる現象が
生じ、接続部の形状が歪み、図中、破線で示す傾斜線パ
ターンの目標形状と実際の形状とが異なる場合があるか
らである。しかしながら、図７（ｂ）に示す模式図のよ
うに、基板Ｐ上に既に形成されている直線パターン３１
に対して離れた位置から接近する方向に向かって液滴を
吐出することにより、接続部において吐出された液滴に
は、既に基板Ｐ上に形成されている傾斜線パターン３２
及び直線パターン３１の双方に引き込まれる力が作用す
るため、接続部の形状が大きく歪むといった不都合の発
生を回避することができる。
パターン３１を形成した後、第２の吐出動作で直線パタ
ーン３１に接続する傾斜線パターン３２を形成する際、
直線パターン３１に対して離れた位置から接近する方向
に向かって、すなわち−Ｘ側から＋Ｘ側に向かって第２
ビットに対して順次吐出を行い、直線パターン３１に傾
斜線パターン３２を接続するようにするとよい。これ
は、例えば、図７（ａ）に示す模式図のように、基板Ｐ
上に既に形成されている直線パターン３１に対して近い
位置から離れた位置に向かって順次吐出動作を行うと、
吐出した液滴が直線パターン３１に引き込まれる現象が
生じ、接続部の形状が歪み、図中、破線で示す傾斜線パ
ターンの目標形状と実際の形状とが異なる場合があるか
らである。しかしながら、図７（ｂ）に示す模式図のよ
うに、基板Ｐ上に既に形成されている直線パターン３１
に対して離れた位置から接近する方向に向かって液滴を
吐出することにより、接続部において吐出された液滴に
は、既に基板Ｐ上に形成されている傾斜線パターン３２
及び直線パターン３１の双方に引き込まれる力が作用す
るため、接続部の形状が大きく歪むといった不都合の発
生を回避することができる。
【００４０】以上説明したように、形態の異なるパター
ン毎に、液滴を吐出するためのビットマップをそれぞれ
設定し、これら異なるパターン毎に独立して液滴吐出動
作（パターン描画動作）を行うようにしたので、例えば
直線パターン３１を形成するための吐出動作を大きい
（粗い）ビットで且つ走査速度を高速に設定して行って
も、所定のパターン精度が得られるのでスループットを
向上でき、また、傾斜線パターン３２を形成するための
吐出動作を小さい（細かい）ビットで且つ液滴の１滴当
たりの量を少なくして吐出動作を行うことにより、高い
パターン精度が得られる。このように、本実施形態で
は、それぞれのパターンに最適な吐出条件でパターンを
形成するための吐出動作を行うことができ、安定した吐
出動作を維持しつつスループットを向上でき、所望の精
度を有するパターンを形成することができる。したがっ
て、断線などの不具合の発生を抑え、高性能なデバイス
を製造できる。
ン毎に、液滴を吐出するためのビットマップをそれぞれ
設定し、これら異なるパターン毎に独立して液滴吐出動
作（パターン描画動作）を行うようにしたので、例えば
直線パターン３１を形成するための吐出動作を大きい
（粗い）ビットで且つ走査速度を高速に設定して行って
も、所定のパターン精度が得られるのでスループットを
向上でき、また、傾斜線パターン３２を形成するための
吐出動作を小さい（細かい）ビットで且つ液滴の１滴当
たりの量を少なくして吐出動作を行うことにより、高い
パターン精度が得られる。このように、本実施形態で
は、それぞれのパターンに最適な吐出条件でパターンを
形成するための吐出動作を行うことができ、安定した吐
出動作を維持しつつスループットを向上でき、所望の精
度を有するパターンを形成することができる。したがっ
て、断線などの不具合の発生を抑え、高性能なデバイス
を製造できる。
【００４１】上記実施形態では、第１の吐出動作の後
に、第２の吐出動作を行うように説明したが、第１の吐
出動作後、基板Ｐ（直線パターン）に対して撥液処理及
び親液処理を含む表面処理を行ってから、第２の吐出動
作を行うようにしてもよい。こうすることにより、例え
ば直線パターン３１と傾斜線パターン３２との接続部に
おける形状を所望の形状にすることができる。更に、第
１の吐出動作後、図１に示したヒータ１５を用いて基板
Ｐ上の液滴をアニールした後、第２の吐出動作を行うこ
ともできるし、アニーリングを行わずに、第１の吐出動
作後、直ちに第２の吐出動作を行うようにしてもよい。
に、第２の吐出動作を行うように説明したが、第１の吐
出動作後、基板Ｐ（直線パターン）に対して撥液処理及
び親液処理を含む表面処理を行ってから、第２の吐出動
作を行うようにしてもよい。こうすることにより、例え
ば直線パターン３１と傾斜線パターン３２との接続部に
おける形状を所望の形状にすることができる。更に、第
１の吐出動作後、図１に示したヒータ１５を用いて基板
Ｐ上の液滴をアニールした後、第２の吐出動作を行うこ
ともできるし、アニーリングを行わずに、第１の吐出動
作後、直ちに第２の吐出動作を行うようにしてもよい。
【００４２】上記実施形態では、延在方向の異なる直線
パターン３１と傾斜線パターン３２とを形成する場合に
ついて説明したが、線幅の異なる第１の配線パターン及
び第２の配線パターンを形成する際も同様である。この
場合、制御装置ＣＯＮＴは、第１の配線パターンを形成
するための第１の吐出動作時において吐出する液滴の１
滴当たりの量と、第２の配線パターンを形成するための
第２の吐出動作時において吐出する液滴の１滴当たりの
量とを異なる値に設定して吐出動作を行う。例えば、第
１の配線パターンの線幅が第２の配線パターンに線幅に
対して太い場合、制御装置ＣＯＮＴは第１の吐出動作時
における液滴の１滴当たりの量を、第２の吐出動作時に
おける液滴の１滴当たりの量より多く設定する。あるい
は、走査方向（Ｘ軸方向）に延在する直線状の配線パタ
ーンを形成する際には、インクジェットヘッド１のうち
走査方向と交わる方向に並んで設けられた複数の吐出ノ
ズルの吐出間隔を調整することによっても、線幅調整を
行うことができる。
パターン３１と傾斜線パターン３２とを形成する場合に
ついて説明したが、線幅の異なる第１の配線パターン及
び第２の配線パターンを形成する際も同様である。この
場合、制御装置ＣＯＮＴは、第１の配線パターンを形成
するための第１の吐出動作時において吐出する液滴の１
滴当たりの量と、第２の配線パターンを形成するための
第２の吐出動作時において吐出する液滴の１滴当たりの
量とを異なる値に設定して吐出動作を行う。例えば、第
１の配線パターンの線幅が第２の配線パターンに線幅に
対して太い場合、制御装置ＣＯＮＴは第１の吐出動作時
における液滴の１滴当たりの量を、第２の吐出動作時に
おける液滴の１滴当たりの量より多く設定する。あるい
は、走査方向（Ｘ軸方向）に延在する直線状の配線パタ
ーンを形成する際には、インクジェットヘッド１のうち
走査方向と交わる方向に並んで設けられた複数の吐出ノ
ズルの吐出間隔を調整することによっても、線幅調整を
行うことができる。
【００４３】また、図８（ａ）に示す模式図のように、
基板Ｐ上に、はじめに太い線幅の配線パターン３３を形
成しておいてから、細い線幅の配線パターン３４を形成
するための吐出動作を行うと、吐出した液滴が太い線幅
の配線パターン３３に引き込まれる現象が生じ、接続部
の形状が歪み、図中、破線で示す傾斜線パターンの目標
形状と実際の形状とが異なるといった不都合が生じる場
合があるが、図８（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に、は
じめに細い線幅の配線パターン３４を形成しておいてか
ら、太い線幅の配線パターン３３を形成するための吐出
動作を行うことにより、細い線幅の配線パターン３４に
太い線幅の配線パターン３３を形成するための液滴が引
き込まれるといった現象が生じるおそれを低減すること
ができる。また、基板Ｐに細い線幅の配線パターン３４
を形成した後、基板Ｐ（配線パターン３４）に親液処理
（撥水性低下処理）を行ってから太い線幅の配線パター
ン３３を形成するための吐出動作を行うようにしてもよ
い。もちろん、基板Ｐに太い線幅の配線パターン３４を
形成した後、基板Ｐ（配線パターン３３）に撥液処理を
行ってから細い線幅の配線パターン３４を形成するため
の吐出動作を行うようにしてもよい。
基板Ｐ上に、はじめに太い線幅の配線パターン３３を形
成しておいてから、細い線幅の配線パターン３４を形成
するための吐出動作を行うと、吐出した液滴が太い線幅
の配線パターン３３に引き込まれる現象が生じ、接続部
の形状が歪み、図中、破線で示す傾斜線パターンの目標
形状と実際の形状とが異なるといった不都合が生じる場
合があるが、図８（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に、は
じめに細い線幅の配線パターン３４を形成しておいてか
ら、太い線幅の配線パターン３３を形成するための吐出
動作を行うことにより、細い線幅の配線パターン３４に
太い線幅の配線パターン３３を形成するための液滴が引
き込まれるといった現象が生じるおそれを低減すること
ができる。また、基板Ｐに細い線幅の配線パターン３４
を形成した後、基板Ｐ（配線パターン３４）に親液処理
（撥水性低下処理）を行ってから太い線幅の配線パター
ン３３を形成するための吐出動作を行うようにしてもよ
い。もちろん、基板Ｐに太い線幅の配線パターン３４を
形成した後、基板Ｐ（配線パターン３３）に撥液処理を
行ってから細い線幅の配線パターン３４を形成するため
の吐出動作を行うようにしてもよい。
【００４４】上記実施形態では、本発明のデバイスの製
造方法をプラズマ表示装置を製造する場合に適用した例
について説明したが、これに限らず、複数の形態を有す
る配線パターンを備えたデバイス、例えば、有機エレク
トロルミネッセンス装置に形成される配線パターンの製
造、あるいは液晶表示装置に形成される配線パターンの
製造に対してももちろん適用可能である。さらには、本
発明が適用できるデバイスは、これら液晶等の電気光学
装置に限られず、例えば導電膜配線が形成される回路基
板や、半導体の実装配線等、他のデバイス製造にも適用
が可能である。
造方法をプラズマ表示装置を製造する場合に適用した例
について説明したが、これに限らず、複数の形態を有す
る配線パターンを備えたデバイス、例えば、有機エレク
トロルミネッセンス装置に形成される配線パターンの製
造、あるいは液晶表示装置に形成される配線パターンの
製造に対してももちろん適用可能である。さらには、本
発明が適用できるデバイスは、これら液晶等の電気光学
装置に限られず、例えば導電膜配線が形成される回路基
板や、半導体の実装配線等、他のデバイス製造にも適用
が可能である。
【００４５】上記実施形態のデバイスの製造方法で製造
したプラズマ表示装置（デバイス）を備えた電子機器の
例について説明する。図９は、携帯電話の一例を示した
斜視図である。図９において、符号１０００は携帯電話
本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ表示装置を
用いた表示部を示している。
したプラズマ表示装置（デバイス）を備えた電子機器の
例について説明する。図９は、携帯電話の一例を示した
斜視図である。図９において、符号１０００は携帯電話
本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ表示装置を
用いた表示部を示している。
【００４６】図１０は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図１０において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ表示装置を
用いた表示部を示している。
た斜視図である。図１０において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の有機ＥＬ表示装置を
用いた表示部を示している。
【００４７】図１１は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた
表示部を示している。
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の有機ＥＬ表示装置を用いた
表示部を示している。
【００４８】図９〜図１１に示す電子機器は、上記実施
形態の表示装置を備えているので、表示品位に優れ、明
るい画面の表示部を備えた電子機器を実現できる。
形態の表示装置を備えているので、表示品位に優れ、明
るい画面の表示部を備えた電子機器を実現できる。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように、形態の異なるパタ
ーン毎にビットマップをそれぞれ設定し、これら異なる
パターン毎に独立してパターン描画動作を行うようにし
たので、それぞれのパターンに最適な吐出条件でパター
ンを形成するための吐出動作を行うことができる。した
がって、安定した吐出動作を維持しつつスループットを
向上でき、高性能なデバイスを製造できる。
ーン毎にビットマップをそれぞれ設定し、これら異なる
パターン毎に独立してパターン描画動作を行うようにし
たので、それぞれのパターンに最適な吐出条件でパター
ンを形成するための吐出動作を行うことができる。した
がって、安定した吐出動作を維持しつつスループットを
向上でき、高性能なデバイスを製造できる。
【図１】本発明のデバイス製造装置の一例を示す概略斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明のデバイスの製造方法が適用されるデバ
イスの一例であってプラズマ表示装置のブロック図であ
る。
イスの一例であってプラズマ表示装置のブロック図であ
る。
【図３】配線パターンの模式図である。
【図４】本発明のデバイスの製造方法を説明する図であ
って、基板上に設定されるビットマップを説明するため
の図である。
って、基板上に設定されるビットマップを説明するため
の図である。
【図５】本発明のデバイスの製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図６】ビットの大きさによる配線パターン形状の違い
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】本発明のデバイスの製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図８】本発明のデバイスの製造方法を説明する図であ
る。
る。
【図９】本発明のデバイスを備えた電子機器の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１０】本発明のデバイスを備えた電子機器の一例を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図１１】本発明のデバイスを備えた電子機器の一例を
示す説明図である。
示す説明図である。
１ インクジェットヘッド
３０ 配線パターン
３１ 直線パターン（第１パターン）
３２ 傾斜線パターン（第２パターン）
３３ 第１の配線パターン
３４ 第２の配線パターン
ＢＭ１ 第１ビットマップ（第１のエリア）
ＢＭ２ 第２ビットマップ（第２のエリア）
ＣＯＮＴ 制御装置
ＩＪ インクジェット装置（液滴吐出装置、デバイス
製造装置） Ｐ 基板
製造装置） Ｐ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｋ 3/10 Ｄ ５Ｅ３４３
// Ｈ０５Ｋ 3/10 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０１Ｚ ５Ｇ４３５
Ｆターム(参考） 2C056 FA15 FB05
3K007 AB18 DB03 FA00 GA00
4M104 BB04 BB05 BB07 BB08 BB09
BB36 DD22 DD51 DD80 HH14
5C027 AA02 AA10
5C040 FA10 GB03 GB12 GC19 JA13
LA05 LA17 MA23 MA24 MA26
5E343 BB23 BB24 BB25 BB44 BB48
BB60 BB72 DD15 FF05 GG11
GG20
5G435 AA17 BB01 BB05 BB06 BB11
BB12 HH12 KK05 LL04 LL07
LL08
Claims (12)
- 【請求項１】 格子状の複数の単位領域を設定し、前記
単位領域のそれぞれに対して液滴吐出装置より液体材料
からなる液滴を吐出し、基板上に所定のパターンを形成
する工程を有するデバイスの製造方法において、 複数の第１の単位領域からなる第１のエリアを設定した
前記基板上に前記液滴吐出装置により第１の吐出動作を
行う工程と、 前記第１の単位領域とは異なる大きさの複数の第２の単
位領域からなる第２のエリアを設定した前記基板上に前
記液滴吐出装置により第２の吐出動作を行う工程と、を
有し、 前記第１の吐出動作により第１の方向に延在する第１パ
ターンを形成し、 前記第２の吐出動作により前記第１の方向に対して異な
る方向に延在する第２パターンを形成することを特徴と
するデバイスの製造方法。 - 【請求項２】 前記液滴吐出装置と前記基板とを所定方
向に相対移動しつつ前記吐出動作を行い、 前記第１の吐出動作を第１の移動時に行い、前記第２の
吐出動作を前記第１の移動とは別の第２の移動時に行う
ことを特徴とする請求項１記載のデバイスの製造方法。 - 【請求項３】 前記第２パターンを形成するための第２
の単位領域の大きさは、前記第１パターンを形成するた
めの第１の単位領域より小さく設定されていることを特
徴とする請求項１又は２記載のデバイスの製造方法。 - 【請求項４】 前記第１の吐出動作で第１パターンを形
成し、前記第２の吐出動作で前記第１パターンに接続す
る第２パターンを形成する際、 前記基板上に形成された前記第１パターンに対して離れ
た位置から接近する方向に向かって前記第２の吐出動作
を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記
載のデバイスの製造方法。 - 【請求項５】 基板上に液滴吐出装置より液体材料の液
滴を吐出し、前記基板上に配線パターンを形成する工程
を有するデバイスの製造方法において、 前記基板上に、第１の線幅を有する第１の配線パターン
を形成する第１の工程と、 前記第１の線幅とは異なる幅の第２の線幅を有する第２
の配線パターンを形成する第２の工程とを有し、 前記第１の工程における前記液滴吐出装置による吐出動
作と、前記前記第２の工程における前記液滴吐出装置に
よる吐出動作とをそれぞれ独立して行うことを特徴とす
るデバイスの製造方法。 - 【請求項６】 前記第１の工程における前記吐出動作で
吐出する液滴の１滴当たりの量と、前記第２の工程にお
ける前記吐出動作で吐出する液滴の１滴当たりの量とを
異なる値に設定することを特徴とする請求項５記載のデ
バイスの製造方法。 - 【請求項７】 前記液滴吐出装置と前記基板とを所定方
向に相対移動しつつ前記吐出動作を行い、 前記第１の工程における前記吐出動作を第１の移動時に
行い、 前記第２の工程における前記吐出動作を前記第１の移動
とは別の第２の移動時に行うことを特徴とする請求項５
又は６記載のデバイスの製造方法。 - 【請求項８】 前記液体材料は、導電性微粒子を含む
液状体によってなることを特徴とする請求項１〜７のい
ずれか一項記載のデバイスの製造方法。 - 【請求項９】 基板上に液体材料の液滴を吐出する液滴
吐出装置を備えたデバイス製造装置において、 前記基板上に、格子状の複数の第１の単位領域からなる
第１のエリアと、前記第１の単位領域とは異なる大きさ
の格子状の複数の第２の単位領域からなる第２のエリア
とを設定し、 前記第１のエリアに対する第１の吐出動作と、前記第２
のエリアに対する第２の吐出動作とをそれぞれ独立して
行うように前記液滴吐出装置の吐出動作を制御する制御
装置を備えることを特徴とするデバイス製造装置。 - 【請求項１０】 基板上に液体材料の液滴を吐出する液
滴吐出装置を備えたデバイス製造装置において、 前記基板上に、第１の線幅を有する第１の配線パターン
と、前記第１の線幅とは異なる幅の第２の線幅を有する
第２の配線パターンとを形成する際、前記第１の配線パ
ターンを形成するための第１の吐出動作と、前記第２の
配線パターンを形成するための第２の吐出動作とをそれ
ぞれ独立して行うように前記液滴吐出装置の吐出動作を
制御する制御装置を備えることを特徴とするデバイス製
造装置。 - 【請求項１１】 請求項９又は請求項１０記載のデバイ
ス製造装置で製造されたことを特徴とするデバイス。 - 【請求項１２】 請求項１１記載のデバイスを備えたこ
とを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002113754A JP4182468B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002113754A JP4182468B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309085A true JP2003309085A (ja) | 2003-10-31 |
| JP4182468B2 JP4182468B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=29395847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002113754A Expired - Fee Related JP4182468B2 (ja) | 2002-04-16 | 2002-04-16 | デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4182468B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006221059A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Future Vision:Kk | 表示装置用基板およびこの表示装置用基板を用いた画像表示装置 |
| JP2008065012A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Future Vision:Kk | 液晶表示パネル |
| JP2011035426A (ja) * | 2004-11-30 | 2011-02-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8033648B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-10-11 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Pattern forming apparatus and pattern forming method |
| JP2018529218A (ja) * | 2015-07-03 | 2018-10-04 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | 極細配線を印刷する方法 |
| JPWO2021059324A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 |
-
2002
- 2002-04-16 JP JP2002113754A patent/JP4182468B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2006221059A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Future Vision:Kk | 表示装置用基板およびこの表示装置用基板を用いた画像表示装置 |
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| US8033648B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-10-11 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Pattern forming apparatus and pattern forming method |
| JP2018529218A (ja) * | 2015-07-03 | 2018-10-04 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | 極細配線を印刷する方法 |
| US11396610B2 (en) | 2015-07-03 | 2022-07-26 | National Research Council Of Canada | Method of printing ultranarrow line |
| JPWO2021059324A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | ||
| WO2021059324A1 (ja) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 画像処理装置、画像処理方法およびプログラム |
| JP7145341B2 (ja) | 2019-09-24 | 2022-09-30 | 株式会社Fuji | 画像処理装置、画像処理方法およびプログラム |
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