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(en)
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2002-12-25 |
2007-05-15 |
Jsr Corporation |
Onium salt compound and radiation-sensitive resin composition
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JP4810862B2
(ja)
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2005-04-11 |
2011-11-09 |
Ｊｓｒ株式会社 |
オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
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JP4770244B2
(ja)
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2005-04-11 |
2011-09-14 |
Ｊｓｒ株式会社 |
オニウム塩、それを用いた感放射線性酸発生剤及びポジ型感放射線性樹脂組成物
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JP2009029848A
(ja)
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2007-07-24 |
2009-02-12 |
Mitsubishi Rayon Co Ltd |
重合体及びその製造方法、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法
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JP5544130B2
(ja)
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2009-09-01 |
2014-07-09 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法
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JP5557625B2
(ja)
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2010-06-30 |
2014-07-23 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
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EP2580624A4
(en)
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2010-12-24 |
2014-07-30 |
Fujifilm Corp |
RESIN COMPOSITION SENSITIVE TO ACTINIC RAYS OR ACTINIC IRRADIATION, FILM SENSITIVE TO ACTINIC RADIATION OR IRRADIATION MANUFACTURED THEREFROM, AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE COMPOSITION
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JP5618815B2
(ja)
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2010-12-24 |
2014-11-05 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
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JP5277304B2
(ja)
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2010-12-24 |
2013-08-28 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
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JP6007793B2
(ja)
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2011-01-21 |
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三菱瓦斯化学株式会社 |
低分子化合物、感放射線性組成物、およびレジストパターン形成方法
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JP5746907B2
(ja)
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2011-04-28 |
2015-07-08 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びに該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法
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JP5593277B2
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2011-06-30 |
2014-09-17 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法
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JP6539760B2
(ja)
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2012-12-26 |
2019-07-03 |
東京応化工業株式会社 |
化合物
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JP6088827B2
(ja)
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2013-01-10 |
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富士フイルム株式会社 |
ネガ型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びにレジスト膜を備えたマスクブランクス
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JP6313604B2
(ja)
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2014-02-05 |
2018-04-18 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
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WO2016072169A1
(ja)
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2014-11-07 |
2016-05-12 |
富士フイルム株式会社 |
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
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JP6571177B2
(ja)
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2015-05-14 |
2019-09-04 |
富士フイルム株式会社 |
パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物
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WO2023127692A1
(ja)
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2021-12-28 |
2023-07-06 |
東京応化工業株式会社 |
レジスト組成物、及び、レジストパターン形成方法
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