JP2003303860A - 半導体チップ搭載用テープキャリア基材及びその製造方法 - Google Patents
半導体チップ搭載用テープキャリア基材及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003303860A JP2003303860A JP2002109173A JP2002109173A JP2003303860A JP 2003303860 A JP2003303860 A JP 2003303860A JP 2002109173 A JP2002109173 A JP 2002109173A JP 2002109173 A JP2002109173 A JP 2002109173A JP 2003303860 A JP2003303860 A JP 2003303860A
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- JP
- Japan
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- tape carrier
- mounting
- semiconductor chip
- manufacturing
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- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】銅めっきによって形成した銅層表面を研磨する
ことで、突起の無い半導体チップ搭載用テープキャリア
基材とその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ搭載用テープキャリア基材
を、ポリイミドフィルムに導電性のある被膜を形成し、
その上に湿式銅めっきを片面、または両面に施し、その
後、物理的に銅表面を研磨し、更にその銅表面に化学研
磨を行うことで製造する。
ことで、突起の無い半導体チップ搭載用テープキャリア
基材とその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ搭載用テープキャリア基材
を、ポリイミドフィルムに導電性のある被膜を形成し、
その上に湿式銅めっきを片面、または両面に施し、その
後、物理的に銅表面を研磨し、更にその銅表面に化学研
磨を行うことで製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｔ−ＣＳＰやＴ−
ＢＧＡ，ＣＯＦなどに使われる半導体チップ搭載用テー
プキャリア基材の製造方法、およびその方法によって製
造された基材で製造された半導体チップ搭載用テープキ
ャリアを使った半導体装置に関する。
ＢＧＡ，ＣＯＦなどに使われる半導体チップ搭載用テー
プキャリア基材の製造方法、およびその方法によって製
造された基材で製造された半導体チップ搭載用テープキ
ャリアを使った半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体チップ搭載用テープキャ
リアの部材として多く用いられる銅／ポリイミドや、銅
／ポリイミド／銅の構造を持った基材の製造において、
ポリイミド表面にスパッタリングによりクロム等の導電
層を形成し、その上に銅めっきによって銅層を成長させ
ることで、半導体チップ搭載用テープキャリア基材が作
られてきた。
リアの部材として多く用いられる銅／ポリイミドや、銅
／ポリイミド／銅の構造を持った基材の製造において、
ポリイミド表面にスパッタリングによりクロム等の導電
層を形成し、その上に銅めっきによって銅層を成長させ
ることで、半導体チップ搭載用テープキャリア基材が作
られてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この様な製造方法で
は、銅めっきにて銅層を成長させる際、大きさ数μｍ〜
２００μｍ、高さ０．５μｍ〜１０μｍの突起が発生
し、フラットな銅めっき面が得られないという問題があ
った。
は、銅めっきにて銅層を成長させる際、大きさ数μｍ〜
２００μｍ、高さ０．５μｍ〜１０μｍの突起が発生
し、フラットな銅めっき面が得られないという問題があ
った。
【０００４】突起発生の原因は、銅めっき液中のパーテ
ィクル（ほこりや、金属粉）等の影響で、銅層中に異物
または銅粉が混入してしまうことに起因する場合や、ポ
リイミドフィルムの製造中に混入される０．１〜数μｍ
φ無機フィラーまたはその擬縮体がポリイミド表面に現
れることで、ポリイミドフィルム表面が凸状になり、導
電層や銅めっき層もその凸形状に追従してしまい、突起
となって半導体チップ搭載用テープキャリア表面にも現
れてしまうことに起因する。
ィクル（ほこりや、金属粉）等の影響で、銅層中に異物
または銅粉が混入してしまうことに起因する場合や、ポ
リイミドフィルムの製造中に混入される０．１〜数μｍ
φ無機フィラーまたはその擬縮体がポリイミド表面に現
れることで、ポリイミドフィルム表面が凸状になり、導
電層や銅めっき層もその凸形状に追従してしまい、突起
となって半導体チップ搭載用テープキャリア表面にも現
れてしまうことに起因する。
【０００５】このような突起を減少させるには、銅めっ
き液のフィルタリング（目の細かいフィルターを用い
る）効果等をアップさせることで、銅めっき液中のパー
ティクルを減少させる方法があるが、銅めっき液中のパ
ーティクルを完全に除去することは困難であるため、突
起発生を撲滅することは困難であり、またフィラーある
いはその擬集体についても、ポリイミド製造過程におい
て混入しないことで突起の発生を低減することが可能で
あるが、フィラーの混入されていないポリイミドフィル
ムを用いると、基材製造の際に強度が損なわれ、搬送性
が悪くなってしまう等の問題があった。
き液のフィルタリング（目の細かいフィルターを用い
る）効果等をアップさせることで、銅めっき液中のパー
ティクルを減少させる方法があるが、銅めっき液中のパ
ーティクルを完全に除去することは困難であるため、突
起発生を撲滅することは困難であり、またフィラーある
いはその擬集体についても、ポリイミド製造過程におい
て混入しないことで突起の発生を低減することが可能で
あるが、フィラーの混入されていないポリイミドフィル
ムを用いると、基材製造の際に強度が損なわれ、搬送性
が悪くなってしまう等の問題があった。
【０００６】そして、従来の技術で製造された半導体チ
ップ搭載用テープキャリア基材には突起が表面に存在
し、さらにその基材を用いフォトファブリケーション技
術により加工された半導体チップ搭載用キャリア表面に
も突起は存在する。その突起がワイヤーボンディングさ
れる場所にあった場合、凸形状がボンディングの際の妨
げとなり、ボンディングワイヤーとキャリア基材間の接
続不良を起こりやすいという、半導体装置の生産性を悪
くし、かつ信頼性を下げる不具合があった。
ップ搭載用テープキャリア基材には突起が表面に存在
し、さらにその基材を用いフォトファブリケーション技
術により加工された半導体チップ搭載用キャリア表面に
も突起は存在する。その突起がワイヤーボンディングさ
れる場所にあった場合、凸形状がボンディングの際の妨
げとなり、ボンディングワイヤーとキャリア基材間の接
続不良を起こりやすいという、半導体装置の生産性を悪
くし、かつ信頼性を下げる不具合があった。
【０００７】したがって、本発明の目的は、銅めっきに
よって形成した銅層表面を研磨することで、突起の無い
半導体チップ搭載用テープキャリア基材とその製造方法
を提供することにある。
よって形成した銅層表面を研磨することで、突起の無い
半導体チップ搭載用テープキャリア基材とその製造方法
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、半導体チップ搭載用テープキャリア基材の両面、
あるいは片面の銅層表面を物理、化学研磨することによ
って突起を除去することと、研磨された基材を半導体装
置に用いることを特徴とする製造方法、および使用方法
である。
明は、半導体チップ搭載用テープキャリア基材の両面、
あるいは片面の銅層表面を物理、化学研磨することによ
って突起を除去することと、研磨された基材を半導体装
置に用いることを特徴とする製造方法、および使用方法
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】半導体チップ搭載用テープキャリ
ア基材の製造方法において、ポリイミド両面あるいは片
面にスパッタリングによりクロムの導電層を形成した
後、湿式銅めっきにて銅層を成長させる。その後、めっ
きされた銅表面を＃６００以上のシリコンカーバイトや
酸化アルミニウム砥粒をボンドに混ぜ焼結させた表面を
持つ筒状砥石により０．１μｍ〜６μｍ銅厚が均一にな
るように物理的に研削する。この研削の際、＃６００未
満の砥石を使用すると、請求項３，６に記した銅表面粗
さ及び基材伸縮を得られないことが確認されている。更
にその銅表面に化学研磨を行うことで、銅表面上に残っ
た研削粉を排除することで、突起の無い銅表面を作り出
すことができる。
ア基材の製造方法において、ポリイミド両面あるいは片
面にスパッタリングによりクロムの導電層を形成した
後、湿式銅めっきにて銅層を成長させる。その後、めっ
きされた銅表面を＃６００以上のシリコンカーバイトや
酸化アルミニウム砥粒をボンドに混ぜ焼結させた表面を
持つ筒状砥石により０．１μｍ〜６μｍ銅厚が均一にな
るように物理的に研削する。この研削の際、＃６００未
満の砥石を使用すると、請求項３，６に記した銅表面粗
さ及び基材伸縮を得られないことが確認されている。更
にその銅表面に化学研磨を行うことで、銅表面上に残っ
た研削粉を排除することで、突起の無い銅表面を作り出
すことができる。
【００１０】上記方法で製造した基材を用いて、半導体
チップ搭載用テープキャリアを製造する。
チップ搭載用テープキャリアを製造する。
【００１１】
【実施例】次に、本発明に係る半導体チップ搭載用テー
プキャリアの実施例を比較例とともに詳細に説明する。
プキャリアの実施例を比較例とともに詳細に説明する。
【００１２】（実施例）半導体チップ搭載用テープキャ
リア基材として、リール状のポリイミド両面にクロムの
導電層をコーティング、さらに両面に厚さ１５〜１８μ
ｍの銅めっきを施した後、＃１５００のシリコンカーバ
イト砥粒をボンドに混ぜて焼結した筒状砥石によりリー
ル搬送方向と同じ向きに回転させ物理研磨し、さらに酸
系の薬液にて銅表面を化学研磨した基材を用いて、フォ
トファブリケーション技術により片面に回路となる配
線、反対面に半導体装置を搭載するためのポリイミド構
造を持った半導体チップ搭載用テープキャリアを製造し
た。
リア基材として、リール状のポリイミド両面にクロムの
導電層をコーティング、さらに両面に厚さ１５〜１８μ
ｍの銅めっきを施した後、＃１５００のシリコンカーバ
イト砥粒をボンドに混ぜて焼結した筒状砥石によりリー
ル搬送方向と同じ向きに回転させ物理研磨し、さらに酸
系の薬液にて銅表面を化学研磨した基材を用いて、フォ
トファブリケーション技術により片面に回路となる配
線、反対面に半導体装置を搭載するためのポリイミド構
造を持った半導体チップ搭載用テープキャリアを製造し
た。
【００１３】（比較例）また実施例の製造過程における
物理、化学的研磨のみを行わない方法で半導体チップ搭
載用テープキャリアを製造した。即ち、半導体チップ搭
載用テープキャリアの製造方法、条件は、前述の点を除
いては、実施例、比較例ともに同じ条件で製造した。
物理、化学的研磨のみを行わない方法で半導体チップ搭
載用テープキャリアを製造した。即ち、半導体チップ搭
載用テープキャリアの製造方法、条件は、前述の点を除
いては、実施例、比較例ともに同じ条件で製造した。
【００１４】比較例での半導体チップ搭載用テープキャ
リア銅表面を顕微鏡観察した結果、高さ０．５μｍ以上
の突起は「０．３４個／ｃｍ2」であった。
リア銅表面を顕微鏡観察した結果、高さ０．５μｍ以上
の突起は「０．３４個／ｃｍ2」であった。
【００１５】次に、実施例の半導体チップ搭載用テープ
キャリア銅表面を比較例と同一条件で顕微鏡観察した結
果、高さ０．５μｍ以上の突起は「０．００個／ｃｍ2」
と、なくなっていた。
キャリア銅表面を比較例と同一条件で顕微鏡観察した結
果、高さ０．５μｍ以上の突起は「０．００個／ｃｍ2」
と、なくなっていた。
【００１６】また、下記の表１からは、実施例、比較例
の製造過程において、導体除去される前後の基材伸縮
を、予め測定された孔間隔を再測定することで求めた基
材伸縮の結果であるが、ともに０．０６％以下に押さえ
られていることが分かる。
の製造過程において、導体除去される前後の基材伸縮
を、予め測定された孔間隔を再測定することで求めた基
材伸縮の結果であるが、ともに０．０６％以下に押さえ
られていることが分かる。
【００１７】
【表１】
【００１８】そして、下記の表２からは、研磨を行った
半導体チップ搭載用テープキャリアのボンディング性に
ついて研磨なし品と比較すると、ワイヤーと基材間の接
着強度は上がり、標準偏差も小さくなっていることが確
認でき、研磨なし品よりも優れていることが分かる。
半導体チップ搭載用テープキャリアのボンディング性に
ついて研磨なし品と比較すると、ワイヤーと基材間の接
着強度は上がり、標準偏差も小さくなっていることが確
認でき、研磨なし品よりも優れていることが分かる。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】本発明は前述のように、半導体チップ搭
載用テープキャリア基材の製造において研磨を導入する
ことで突起を無くし、半導体チップ搭載時のワイヤーボ
ンディング不良を起こさず、信頼性を高めた、半導体チ
ップ搭載用テープキャリアが得られる。
載用テープキャリア基材の製造において研磨を導入する
ことで突起を無くし、半導体チップ搭載時のワイヤーボ
ンディング不良を起こさず、信頼性を高めた、半導体チ
ップ搭載用テープキャリアが得られる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 清水 康也
東京都青梅市末広町１−６−１ 住友金属
鉱山株式会社電子事業本部内
(72)発明者 神田 栄三郎
東京都青梅市末広町１−６−１ 住友金属
鉱山株式会社電子事業本部内
Ｆターム(参考） 5F044 MM03 MM04 MM48
Claims (11)
- 【請求項１】ポリイミドフィルムに導電性のある被膜を
形成し、その上に湿式銅めっきを片面、または両面に施
し、その後、物理的に銅表面を研磨し、更にその銅表面
に化学研磨を行うことで製造されることを特徴とする半
導体チップ搭載用テープキャリア基材。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体チップ搭載用テープ
キャリア基材において、導電性の被膜がスパッタリング
により形成されることを特徴とする半導体チップ搭載用
テープキャリア基材。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体チップ搭載用テープ
キャリア基材において、物理研磨と化学研磨で銅表面粗
さをＲａ＝０．１〜１．０μｍの範囲内に仕上げること
を特徴とする半導体チップ搭載用テープキャリア基材。 - 【請求項４】請求項３記載の半導体チップ搭載用テープ
キャリア基材において、物理的研磨は、＃６００以上の
シリコンカーバイトまたは酸化アルミニウム砥粒をボン
ドに混ぜ焼結させた表面を持つ筒状砥石で行うことを特
徴する半導体チップ搭載用テープキャリア基材。 - 【請求項５】請求項１記載の半導体チップ搭載用テープ
キャリア基材において、銅表面に高さ０．５μｍ以上の
突起が無いことを特徴とする半導体チップ搭載用テープ
キャリア基材。 - 【請求項６】請求項１記載の半導体チップ搭載用テープ
キャリア基材において、フォトファブリケーション技術
により導体除去される前後の基材伸縮を、単位長さあた
り０．０６％以下に抑えることを特徴とした半導体チッ
プ搭載用テープキャリア基材。 - 【請求項７】ポリイミドフィルムに導電性のある被膜を
形成し、その上に湿式銅めっきを片面、または両面に施
し、その後、物理的に銅表面を研磨し、更にその銅表面
に化学研磨を行うことを特徴とする半導体チップ搭載用
テープキャリア基材の製造方法。 - 【請求項８】請求項１記載の製造方法において、導電性
の被膜をスパッタリングにより形成することを特徴とす
る製造方法。 - 【請求項９】請求項７記載の製造方法において、物理研
磨と化学研磨で銅表面粗さをＲａ＝０．１〜１．０μｍ
の範囲内に仕上げることを特徴とする製造方法。 - 【請求項１０】請求項７記載の製造方法において、物理
的研磨は、＃６００以上のシリコンカーバイトまたは酸
化アルミニウム砥粒をボンドに混ぜ焼結させた表面を持
つ筒状砥石で行うことを特徴する製造方法。 - 【請求項１１】請求項１記載の製造方法において、銅表
面に高さ０．５μｍ以上の突起が無いことを特徴とする
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002109173A JP2003303860A (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | 半導体チップ搭載用テープキャリア基材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002109173A JP2003303860A (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | 半導体チップ搭載用テープキャリア基材及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003303860A true JP2003303860A (ja) | 2003-10-24 |
Family
ID=29392708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002109173A Pending JP2003303860A (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | 半導体チップ搭載用テープキャリア基材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003303860A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059439A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Shindo Denshi Kogyo Kk | フレキシブル配線板用の導体積層フィルムおよびフレキシブル配線板、ならびにそれらの製造方法 |
| JP2007242790A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-11 JP JP2002109173A patent/JP2003303860A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059439A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Shindo Denshi Kogyo Kk | フレキシブル配線板用の導体積層フィルムおよびフレキシブル配線板、ならびにそれらの製造方法 |
| JP2007242790A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 |
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