JP2003298204A - 部品の実装構造 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストがかからず寄生容量を低減できる
高周波部品の実装構造を提供する。 【解決手段】 部品の実装構造において、金属ベース
と、裏面が金属ベースに接着され、表面に第１配線パタ
ーンが形成された第１基板と、第２配線パターンが形成
され、該第２配線パターンが第１配線パターンに接続さ
れるように裏面が第１基板の表面に接触して実装された
第２基板と、第２基板の表面に第２配線パターンと接続
されるよう実装された部品とを具備して構成する。
高周波部品の実装構造を提供する。 【解決手段】 部品の実装構造において、金属ベース
と、裏面が金属ベースに接着され、表面に第１配線パタ
ーンが形成された第１基板と、第２配線パターンが形成
され、該第２配線パターンが第１配線パターンに接続さ
れるように裏面が第１基板の表面に接触して実装された
第２基板と、第２基板の表面に第２配線パターンと接続
されるよう実装された部品とを具備して構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波部品等の部
品を実装した基板の実装構造に関する。
品を実装した基板の実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】通信の高速化に伴い高周波部品が無線装
置の送信機の増幅回路に使用される。増幅回路では、利
得を大きくするためにアンプが多段に縦続されて、構成
される。このアンプへの入力信号に直流成分が含まれる
と、破損等の不具合が発生するために、一定周波数以下
の低周波数成分をコンデンサによりカットして、高周波
信号のみをアンプに入力するようにしている。コンデン
サ等の高周波部品は、基板に半田付け等により実装され
て、その入出力部が基板上に形成された配線パターンに
接続される。このとき、高周波部品の入出力部は基板上
に形成された配線パターンに接続される。
置の送信機の増幅回路に使用される。増幅回路では、利
得を大きくするためにアンプが多段に縦続されて、構成
される。このアンプへの入力信号に直流成分が含まれる
と、破損等の不具合が発生するために、一定周波数以下
の低周波数成分をコンデンサによりカットして、高周波
信号のみをアンプに入力するようにしている。コンデン
サ等の高周波部品は、基板に半田付け等により実装され
て、その入出力部が基板上に形成された配線パターンに
接続される。このとき、高周波部品の入出力部は基板上
に形成された配線パターンに接続される。
【０００３】図２３は高周波領域における基板に形成さ
れる配線パターンからなる伝送路の等価回路図である。
図２３に示すように、伝送路は、寄生抵抗Ｒと寄生イン
ダクタＬ、基板とグラウンド間に形成される寄生コンダ
クタンスＧ及び寄生容量Ｃから構成される回路と等価で
ある。
れる配線パターンからなる伝送路の等価回路図である。
図２３に示すように、伝送路は、寄生抵抗Ｒと寄生イン
ダクタＬ、基板とグラウンド間に形成される寄生コンダ
クタンスＧ及び寄生容量Ｃから構成される回路と等価で
ある。
【０００４】この等価回路の伝搬定数γは式（１）で表
される。
される。
【０００５】
γ＝α＋ｊβ＝（Ｒ＋ｊωＬ）1/2×（Ｇ＋ｊωＣ） ・・・（１）
但し、α：減衰定数、β：位相定数、ω：信号角速度
よって、減衰量は、寄生インダクタと寄生容量で周波数
による減衰量が決まり、周波数が高くなるほど、減衰量
が大きくなるため、高周波信号の減衰量を低減する工夫
が必要となってくる。減衰量を低減させるには寄生容量
Ｃを減らすことが良いのが分かる。寄生容量Ｃは基板上
に形成された配線パターン／基板誘電体／グラウンドと
なる金属ベースである。
による減衰量が決まり、周波数が高くなるほど、減衰量
が大きくなるため、高周波信号の減衰量を低減する工夫
が必要となってくる。減衰量を低減させるには寄生容量
Ｃを減らすことが良いのが分かる。寄生容量Ｃは基板上
に形成された配線パターン／基板誘電体／グラウンドと
なる金属ベースである。
【０００６】図２４は従来の高周波部品の実装構造を示
す図であり、図２４（ａ）は斜視図、図２４（ｂ）は正
面図である。図２４に示すように、金属ベース１上に基
板２が接着されている。基板２上に配線パターン３が形
成されており、配線パターン３に接続されてコンデンサ
等の高周波部品４が基板２上に実装されている。金属ベ
ース１は通常接地されている。ここで、配線パターン３
とその下方の接地面の金属ベース３との間に寄生容量が
発生する。
す図であり、図２４（ａ）は斜視図、図２４（ｂ）は正
面図である。図２４に示すように、金属ベース１上に基
板２が接着されている。基板２上に配線パターン３が形
成されており、配線パターン３に接続されてコンデンサ
等の高周波部品４が基板２上に実装されている。金属ベ
ース１は通常接地されている。ここで、配線パターン３
とその下方の接地面の金属ベース３との間に寄生容量が
発生する。
【０００７】寄生容量Ｃは次式（２）で表される。
【０００８】
Ｃ＝εｗ／ｈ ・・・（２）
但し、ε：基板２の誘電体率、ｗ：配線パターン３のパ
ターン幅、ｈ：基板２の誘電体厚 図２５は寄生容量を説明するための図であり、図２５
（ａ）は正面図、図２５（ｂ）は側面図、図２５（ｃ）
は平面図である。図２５に示すように配線パターン３
は、伝送路の特性インピーダンスが５０Ωとなるよう
に、配線幅ｗ０が０．３８ｍｍである。ところが、高周
波部品４が大きくなると、その幅が配線幅ｗ０を越えて
しまうため、高周波部品４が搭載される配線パターン３
ａの幅ｗがｗ０よりも大きくなってしまう。例えば、高
周波部品４がコンデンサ部品であるとき、３ＫＨｚ帯域
の直流成分をカットする１μＦのコンデンサでは、幅が
０．８ｍｍ、３０ＫＨｚ帯域の直流成分をカットする
０．１μＦのコンデンサでは、幅が０．５ｍｍ程度とな
って、配線パターン幅ｗ０よりも大きくなってしまう。
ターン幅、ｈ：基板２の誘電体厚 図２５は寄生容量を説明するための図であり、図２５
（ａ）は正面図、図２５（ｂ）は側面図、図２５（ｃ）
は平面図である。図２５に示すように配線パターン３
は、伝送路の特性インピーダンスが５０Ωとなるよう
に、配線幅ｗ０が０．３８ｍｍである。ところが、高周
波部品４が大きくなると、その幅が配線幅ｗ０を越えて
しまうため、高周波部品４が搭載される配線パターン３
ａの幅ｗがｗ０よりも大きくなってしまう。例えば、高
周波部品４がコンデンサ部品であるとき、３ＫＨｚ帯域
の直流成分をカットする１μＦのコンデンサでは、幅が
０．８ｍｍ、３０ＫＨｚ帯域の直流成分をカットする
０．１μＦのコンデンサでは、幅が０．５ｍｍ程度とな
って、配線パターン幅ｗ０よりも大きくなってしまう。
【０００９】式（２）に示すように配線パターン幅ｗが
大きくなると、寄生容量Ｃが大きくなり、減衰量が、周
波数が大きくなるにつれて大きくなるという問題点があ
った。そこで、従来、図２４に示すように、高周波部品
４の直下の金属ベース１を削り取って空洞部５とするこ
とにより誘電率を下げて寄生容量Ｃを低減している。
大きくなると、寄生容量Ｃが大きくなり、減衰量が、周
波数が大きくなるにつれて大きくなるという問題点があ
った。そこで、従来、図２４に示すように、高周波部品
４の直下の金属ベース１を削り取って空洞部５とするこ
とにより誘電率を下げて寄生容量Ｃを低減している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
実装構造では、以下の問題点があった。第１に空洞部５
は金属ベース１を削り取ることにより作製するため、そ
の工数が大きく、コストがかかる。第２に高周波部品は
電気特性に応じた種々のサイズがあるため、そのサイズ
を変える場合は、基板２を変更する必要がある。つま
り、高周波部品のサイズに応じた様々なサイズの空洞部
を作製する必要があり、工数が大きい。第３に高周波部
品の電気特性や空洞部のサイズは製造バラツキがあるた
め、特性調整を行うべく、空洞部のサイズの調整を行わ
なければならない。このとき、(i)高周波部品４を基板
から取り去ること、(ii)基板２から金属ベース１を剥が
すこと、(iii)金属ベース１を更に削る若しくは空洞部
５を金属で埋める等をすること、(iv)基板２に金属ベー
ス１の接着、(v)基板２に高周波部品４を半田付けの作
業が必要となり、特性調整が容易にできないという問題
があった。
実装構造では、以下の問題点があった。第１に空洞部５
は金属ベース１を削り取ることにより作製するため、そ
の工数が大きく、コストがかかる。第２に高周波部品は
電気特性に応じた種々のサイズがあるため、そのサイズ
を変える場合は、基板２を変更する必要がある。つま
り、高周波部品のサイズに応じた様々なサイズの空洞部
を作製する必要があり、工数が大きい。第３に高周波部
品の電気特性や空洞部のサイズは製造バラツキがあるた
め、特性調整を行うべく、空洞部のサイズの調整を行わ
なければならない。このとき、(i)高周波部品４を基板
から取り去ること、(ii)基板２から金属ベース１を剥が
すこと、(iii)金属ベース１を更に削る若しくは空洞部
５を金属で埋める等をすること、(iv)基板２に金属ベー
ス１の接着、(v)基板２に高周波部品４を半田付けの作
業が必要となり、特性調整が容易にできないという問題
があった。
【００１１】本発明の目的は、不要な寄生容量を小さく
し、作業工数が低減する部品の実装構造を提供すること
である。
し、作業工数が低減する部品の実装構造を提供すること
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の一側面によれ
ば、部品の実装構造であって、金属ベースと、裏面が前
記金属ベースに接着され、表面に第１配線パターンが形
成された第１基板と、第２配線パターンが形成され、該
第２配線パターンが前記第１配線パターンに接続される
ように裏面が前記第１基板の表面に接触して実装された
第２基板と、前記第２基板の表面に前記第２配線パター
ンと接続されるよう実装された部品とを具備したことを
特徴とする部品の実装構造が提供される。
ば、部品の実装構造であって、金属ベースと、裏面が前
記金属ベースに接着され、表面に第１配線パターンが形
成された第１基板と、第２配線パターンが形成され、該
第２配線パターンが前記第１配線パターンに接続される
ように裏面が前記第１基板の表面に接触して実装された
第２基板と、前記第２基板の表面に前記第２配線パター
ンと接続されるよう実装された部品とを具備したことを
特徴とする部品の実装構造が提供される。
【００１３】本発明の他の側面によれば、部品の実装構
造であって、金属ベースと、裏面に前記金属ベースが接
着され、表面に第１配線パターンが形成された第１基板
と、第２配線パターンが形成され、側面が前記第１基板
に接触し、前記第２配線パターンが前記第１配線パター
ンに接続されるよう実装された第２基板と、前記第２基
板の表面に前記第２配線パターンと接続されるよう実装
された部品とを具備したことを特徴とする部品の実装構
造が提供される。
造であって、金属ベースと、裏面に前記金属ベースが接
着され、表面に第１配線パターンが形成された第１基板
と、第２配線パターンが形成され、側面が前記第１基板
に接触し、前記第２配線パターンが前記第１配線パター
ンに接続されるよう実装された第２基板と、前記第２基
板の表面に前記第２配線パターンと接続されるよう実装
された部品とを具備したことを特徴とする部品の実装構
造が提供される。
【００１４】更に本発明の他の側面によれば、部品の実
装構造であって、金属ベースと、裏面が前記金属ベース
に接着され、表面に第１配線パターンが形成された第１
基板と、第２配線パターン及び該第２パターンに接続さ
れ電子部品として機能する膜が形成され、前記第２配線
パターンが前記第１配線パターンに接続されるように裏
面が前記第１基板の表面に接触して実装された第２基板
と、第３配線パターンが形成され、該第３配線パターン
がビアホールを通して前記第２配線パターンに接続され
るように裏面が前記第２基板の表面に接触して実装され
た第３基板と、前記第３基板の表面に前記第３配線パタ
ーンと接続されるよう実装された部品とを具備したこと
を特徴とする部品の実装構造が提供される。
装構造であって、金属ベースと、裏面が前記金属ベース
に接着され、表面に第１配線パターンが形成された第１
基板と、第２配線パターン及び該第２パターンに接続さ
れ電子部品として機能する膜が形成され、前記第２配線
パターンが前記第１配線パターンに接続されるように裏
面が前記第１基板の表面に接触して実装された第２基板
と、第３配線パターンが形成され、該第３配線パターン
がビアホールを通して前記第２配線パターンに接続され
るように裏面が前記第２基板の表面に接触して実装され
た第３基板と、前記第３基板の表面に前記第３配線パタ
ーンと接続されるよう実装された部品とを具備したこと
を特徴とする部品の実装構造が提供される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の説明をする前
に本発明の原理の説明をする。図１は本発明の第１原理
図であり、図１（ａ）が斜視図、図１（ｂ）が断面図で
ある。図１に示すように、金属ベース１０の上面に接着
剤により主基板１２が接着されている。主基板１２に
は、特性インピーダンス５０Ωの配線パターン１４が形
成されている。主基板１２上には別基板１６が半田等に
より実装されている。別基板１６の側面及び上面には、
配線パターン１８が形成されている。配線パターン１８
は、高周波部品２０と接続するためのものであり、高周
波部品２０のサイズが大きい場合、高周波部品２０と接
続される部分の配線パターン１８の幅は特性インピーダ
ンス５０Ωの配線パターン１４の幅よりも大きなものと
なっている。配線パターン１８は、主基板１２上の配線
パターン１４と半田等により接続される。
に本発明の原理の説明をする。図１は本発明の第１原理
図であり、図１（ａ）が斜視図、図１（ｂ）が断面図で
ある。図１に示すように、金属ベース１０の上面に接着
剤により主基板１２が接着されている。主基板１２に
は、特性インピーダンス５０Ωの配線パターン１４が形
成されている。主基板１２上には別基板１６が半田等に
より実装されている。別基板１６の側面及び上面には、
配線パターン１８が形成されている。配線パターン１８
は、高周波部品２０と接続するためのものであり、高周
波部品２０のサイズが大きい場合、高周波部品２０と接
続される部分の配線パターン１８の幅は特性インピーダ
ンス５０Ωの配線パターン１４の幅よりも大きなものと
なっている。配線パターン１８は、主基板１２上の配線
パターン１４と半田等により接続される。
【００１６】図２は図１の実装構造の寄生容量を示す図
であり、図２（ａ）は正面断面図、図２（ｂ）はＢ−Ｂ
線断面図である。図２に示すように、高周波部品２０が
搭載される別基板１６上の配線パターン１８と金属ベー
ス１０間に形成される寄生容量Ｃ１は次式（３）で表さ
れる。
であり、図２（ａ）は正面断面図、図２（ｂ）はＢ−Ｂ
線断面図である。図２に示すように、高周波部品２０が
搭載される別基板１６上の配線パターン１８と金属ベー
ス１０間に形成される寄生容量Ｃ１は次式（３）で表さ
れる。
【００１７】
Ｃ１＝εｗ／ｈ１ ・・・（３）
但し、ε：主基板１２、別基板１６の誘電率、ｗ：配線
パターン１８の高周波部品２０と接続するパターンの
幅、ｈ１：別基板１６上の配線パターン１８と金属ベー
ス１０との間の距離である。
パターン１８の高周波部品２０と接続するパターンの
幅、ｈ１：別基板１６上の配線パターン１８と金属ベー
ス１０との間の距離である。
【００１８】このとき、ｈ１＞ｈであるため、寄生容量
Ｃ１が小さくなる。このように、高周波部品２０を別基
板１８に実装し、別基板１８を主基板１２上に実装する
ことにより、高周波部品２０と接続する配線幅ｗが広く
なる配線パターン１８と金属ベース１０との間の距離ｈ
１が長くなり寄生容量Ｃ１を小さくできる。
Ｃ１が小さくなる。このように、高周波部品２０を別基
板１８に実装し、別基板１８を主基板１２上に実装する
ことにより、高周波部品２０と接続する配線幅ｗが広く
なる配線パターン１８と金属ベース１０との間の距離ｈ
１が長くなり寄生容量Ｃ１を小さくできる。
【００１９】図３は本発明の第２原理図であり、図３
（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は正面図、図３（ｃ）はＤ
−Ｄ線断面図である。図３に示すように、金属ベース２
２の表面に主基板２４が接着されている。主基板２４上
に第１配線パターン２５が形成されている。別基板２６
の表面上に第２配線パターン２７ａが形成され、側面に
第２配線パターン２７ｂが形成されている。高周波部品
２８が第２配線パターン２７ａに接続されるように実装
されている。別基板２６が主基板２４上に垂直に実装さ
れている。
（ａ）は斜視図、図３（ｂ）は正面図、図３（ｃ）はＤ
−Ｄ線断面図である。図３に示すように、金属ベース２
２の表面に主基板２４が接着されている。主基板２４上
に第１配線パターン２５が形成されている。別基板２６
の表面上に第２配線パターン２７ａが形成され、側面に
第２配線パターン２７ｂが形成されている。高周波部品
２８が第２配線パターン２７ａに接続されるように実装
されている。別基板２６が主基板２４上に垂直に実装さ
れている。
【００２０】金属ベース２２に対向する配線パターン２
７ａ，２７ｂと金属ベース２２間に形成される寄生容量
Ｃ２は次式（４）で表される。
７ａ，２７ｂと金属ベース２２間に形成される寄生容量
Ｃ２は次式（４）で表される。
【００２１】
Ｃ２＝ε（ｗ０＋ｗ２）／ｈ２ ・・・（４）
但し、ε：主基板２４の誘電率、ｗ０：別基板２６の厚
み、ｗ２：配線パターン２７ａの厚み、ｈ２：別基板２
４と金属ベース２２との間の距離である。
み、ｗ２：配線パターン２７ａの厚み、ｈ２：別基板２
４と金属ベース２２との間の距離である。
【００２２】このとき、ｗ０＋ｗ２＜ｗ（第２配線パタ
ーン２７ａの幅）であるため、寄生容量Ｃ２が小さくな
る。このように、高周波部品２８を別基板２６に実装
し、別基板２６を主基板２４上に垂直にすることによ
り、寄生容量Ｃ２を小さくできる。しかも、金属ベース
２２と第２配線パターン２７ａ，２７ｂ間の寄生容量
は、主基板２４と第２配線パターン２７ａ，２７ｂとの
接触面積が非常に小さいことから更に小さくなる。
ーン２７ａの幅）であるため、寄生容量Ｃ２が小さくな
る。このように、高周波部品２８を別基板２６に実装
し、別基板２６を主基板２４上に垂直にすることによ
り、寄生容量Ｃ２を小さくできる。しかも、金属ベース
２２と第２配線パターン２７ａ，２７ｂ間の寄生容量
は、主基板２４と第２配線パターン２７ａ，２７ｂとの
接触面積が非常に小さいことから更に小さくなる。
【００２３】第１実施形態
図４は本発明の第１実施形態による部品実装構造を示す
図であり、第１原理を適用したものである。図５は図４
中の主基板３２の構造を示す図である。図６は図４中の
別基板３６の構造を示す図であり、図６（ａ）は別基板
３６の表面図、図６（ｂ）は別基板３６の裏面図であ
る。図４に示すように、金属ベース３０上に主基板３２
が導電性接着剤により接着されている。図５に示すよう
に、主基板３２上には配線パターン３４ａ，３４ｂが形
成されている。配線パターン３４は特性インピーダンス
５０Ωの配線幅０．３８ｍｍのものである。主基板３２
のサイズは、実装される高周波部品４０の種類に応じた
ものである。配線パターン３４の幅は実装される高周波
部品４０の種類によらずに一定である。
図であり、第１原理を適用したものである。図５は図４
中の主基板３２の構造を示す図である。図６は図４中の
別基板３６の構造を示す図であり、図６（ａ）は別基板
３６の表面図、図６（ｂ）は別基板３６の裏面図であ
る。図４に示すように、金属ベース３０上に主基板３２
が導電性接着剤により接着されている。図５に示すよう
に、主基板３２上には配線パターン３４ａ，３４ｂが形
成されている。配線パターン３４は特性インピーダンス
５０Ωの配線幅０．３８ｍｍのものである。主基板３２
のサイズは、実装される高周波部品４０の種類に応じた
ものである。配線パターン３４の幅は実装される高周波
部品４０の種類によらずに一定である。
【００２４】図６（ａ）に示すように、別基板３６の表
面５０に配線パターン３８ａ，３８ｂが形成されてい
る。配線パターン３８ａ，３８ｂは、高周波部品４０を
実装するためのパターンであり、高周波部品４０の幅が
広いことから、高周波部品４０が接続される部分の配線
幅（例えば、０．５ｍｍ）は特性インピーダンス５０Ω
の配線幅よりも広くなっている（０．５ｍｍ以上）。図
６（ｂ）に示すように、別基板３６の裏面５２の配線パ
ターン３８ｃ，３８ｄは、主基板３２の配線パターン３
４ａ，３４ｂが接続されるものであり、そのパターン幅
は、配線パターン３４ａ，３４ｂと同じ０．３８ｍｍと
している。図６（ａ），（ｂ）に示すように、主基板３
６の側面５４の配線パターン３８ｅ，３８ｆは表面５０
の配線パターン３８ａ，３８ｂ及び裏面５２の配線パタ
ーン３８ｃ，３８ｄを接続するものである。配線パター
ン３８ｅ，３８ｆは、側面に形成された半円柱状（半径
０．１５ｍｍ）の開口部に側面メタライズにより形成さ
れている。別基板３６は、表面及び裏面に別基板３６の
ものと同じ配線パターンが複数個形成された大きな基板
にビアホールを開口し、その開口部をメタライズし切断
するすることにより作製されたものである。このよう
に、別基板３６は簡単な工程により作製されている。
面５０に配線パターン３８ａ，３８ｂが形成されてい
る。配線パターン３８ａ，３８ｂは、高周波部品４０を
実装するためのパターンであり、高周波部品４０の幅が
広いことから、高周波部品４０が接続される部分の配線
幅（例えば、０．５ｍｍ）は特性インピーダンス５０Ω
の配線幅よりも広くなっている（０．５ｍｍ以上）。図
６（ｂ）に示すように、別基板３６の裏面５２の配線パ
ターン３８ｃ，３８ｄは、主基板３２の配線パターン３
４ａ，３４ｂが接続されるものであり、そのパターン幅
は、配線パターン３４ａ，３４ｂと同じ０．３８ｍｍと
している。図６（ａ），（ｂ）に示すように、主基板３
６の側面５４の配線パターン３８ｅ，３８ｆは表面５０
の配線パターン３８ａ，３８ｂ及び裏面５２の配線パタ
ーン３８ｃ，３８ｄを接続するものである。配線パター
ン３８ｅ，３８ｆは、側面に形成された半円柱状（半径
０．１５ｍｍ）の開口部に側面メタライズにより形成さ
れている。別基板３６は、表面及び裏面に別基板３６の
ものと同じ配線パターンが複数個形成された大きな基板
にビアホールを開口し、その開口部をメタライズし切断
するすることにより作製されたものである。このよう
に、別基板３６は簡単な工程により作製されている。
【００２５】図４に示すように、高周波部品４０が別基
板３６の表面に形成された配線パターン３８ａ，３８ｂ
と半田等により端子（電極）が接続されて実装されてい
る。高周波部品４０は、コンデンサ、コイル、抵抗等の
部品である。例えば、高周波部品４０がコンデンサであ
る場合、容量が１μＦ以下のもので使用されるとき、高
周波部品４０の幅が０．５ｍｍ以上となる。
板３６の表面に形成された配線パターン３８ａ，３８ｂ
と半田等により端子（電極）が接続されて実装されてい
る。高周波部品４０は、コンデンサ、コイル、抵抗等の
部品である。例えば、高周波部品４０がコンデンサであ
る場合、容量が１μＦ以下のもので使用されるとき、高
周波部品４０の幅が０．５ｍｍ以上となる。
【００２６】図７は効果説明図であり、横軸が周波数
（ＧＨｚ）、縦軸が挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）であ
る。発明品は図４に示す実装構造のものであり、高周波
部品４０としてコンデンサを使用したものであり、従来
品は基板にコンデンサが実装された構造のものである。
図７に示すように、高周波部品４０を別基板３６に実装
して、幅の広いパターンを含む配線パターン３８ａ，３
８ｂと金属ベース３０間の距離を大きくしたので、周波
数が大きくなっても、挿入損失が大きくならず、従来品
と比較して、その効果が明瞭に分かる。
（ＧＨｚ）、縦軸が挿入損失（Ｓ２１）（ｄＢ）であ
る。発明品は図４に示す実装構造のものであり、高周波
部品４０としてコンデンサを使用したものであり、従来
品は基板にコンデンサが実装された構造のものである。
図７に示すように、高周波部品４０を別基板３６に実装
して、幅の広いパターンを含む配線パターン３８ａ，３
８ｂと金属ベース３０間の距離を大きくしたので、周波
数が大きくなっても、挿入損失が大きくならず、従来品
と比較して、その効果が明瞭に分かる。
【００２７】挿入ロス等の高周波部品の電気特性が測定
されるが、製造バラツキ等により所望の電気特性を得る
ことができない場合がある。この場合は、高周波部品４
０を別基板３６から剥がして、他の別基板に実装して、
特性を測定すれば済むので、特性の調整が容易にでき
る。また、高周波部品４０のサイズを変える場合にも、
基板３２及び別基板３６を他のものにすればよいので、
簡単である。
されるが、製造バラツキ等により所望の電気特性を得る
ことができない場合がある。この場合は、高周波部品４
０を別基板３６から剥がして、他の別基板に実装して、
特性を測定すれば済むので、特性の調整が容易にでき
る。また、高周波部品４０のサイズを変える場合にも、
基板３２及び別基板３６を他のものにすればよいので、
簡単である。
【００２８】以上説明した第１実施形態によれば、次の
効果が得られる。寄生容量が低減された高周波部品実装
構造の基板を容易に作製することができる。また、高周
波部品のサイズ変更や特性調整にコストをかけることな
く対応できる。
効果が得られる。寄生容量が低減された高周波部品実装
構造の基板を容易に作製することができる。また、高周
波部品のサイズ変更や特性調整にコストをかけることな
く対応できる。
【００２９】第２実施形態
図８は本発明の第２実施形態による高周波部品の実装構
造を示す図であり、第２原理を適用したものである。図
８に示すように、金属ベース７０上に主基板７２が導電
性接着剤により接着されている。主基板７２上には配線
パターン７４ａ，７４ｂが形成されている。金属ベース
７０及び主基板７２は、図４中の金属ベース３０及び主
基板３２と実質的に同一である。配線パターン７４ａ，
７４ｂは、特性インピーダンス５０Ωの配線幅０．３８
ｍｍのものである。
造を示す図であり、第２原理を適用したものである。図
８に示すように、金属ベース７０上に主基板７２が導電
性接着剤により接着されている。主基板７２上には配線
パターン７４ａ，７４ｂが形成されている。金属ベース
７０及び主基板７２は、図４中の金属ベース３０及び主
基板３２と実質的に同一である。配線パターン７４ａ，
７４ｂは、特性インピーダンス５０Ωの配線幅０．３８
ｍｍのものである。
【００３０】別基板７６の表面に配線パターン７８ａ，
７８ｂが形成され、側面に配線パターン７８ｃ，７８ｄ
が形成されている。配線パターン７８ａ，７８ｂに接続
されるように高周波部品８０が実装されている。配線パ
ターン７８ａ，７８ｂのパターン幅は高周波部品８０と
接続するために、配線パターン７４ａ，７４ｂの幅より
も長くなっている。配線パターン７８ｃ，７８ｄは側面
メタライズにより全面に形成されている。
７８ｂが形成され、側面に配線パターン７８ｃ，７８ｄ
が形成されている。配線パターン７８ａ，７８ｂに接続
されるように高周波部品８０が実装されている。配線パ
ターン７８ａ，７８ｂのパターン幅は高周波部品８０と
接続するために、配線パターン７４ａ，７４ｂの幅より
も長くなっている。配線パターン７８ｃ，７８ｄは側面
メタライズにより全面に形成されている。
【００３１】別基板７６は、配線パターン７８ｃ，７８
ｄが形成された側面に垂直な側面が主基板７２と接触
し、配線パターン７８ｃ，７８ｄと配線パターン７４
ａ，７４ｂが接続されるように、主基板７２に垂直に実
装されている。配線パターン７８ｃ，７８ｄの幅が特性
インピーダンス５０Ωの０．３８ｍｍとなるように別基
板７６の厚みを０．３８ｍｍとしている。図８に示すよ
うに、金属ベース７０に対向する別基板７６の配線パタ
ーン７８ａ〜７８ｄは、その厚み部分のみであることか
ら寄生容量を低減することができる。以上説明した第２
実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果がある上
に、更に寄生容量を低減することができる。
ｄが形成された側面に垂直な側面が主基板７２と接触
し、配線パターン７８ｃ，７８ｄと配線パターン７４
ａ，７４ｂが接続されるように、主基板７２に垂直に実
装されている。配線パターン７８ｃ，７８ｄの幅が特性
インピーダンス５０Ωの０．３８ｍｍとなるように別基
板７６の厚みを０．３８ｍｍとしている。図８に示すよ
うに、金属ベース７０に対向する別基板７６の配線パタ
ーン７８ａ〜７８ｄは、その厚み部分のみであることか
ら寄生容量を低減することができる。以上説明した第２
実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果がある上
に、更に寄生容量を低減することができる。
【００３２】第３実施形態
図９は本発明の第３実施形態による高周波部品の実装構
造を示す図である。図９に示すように、金属ベース９０
上に主基板９２が導電接着剤により接着されている。主
基板９２上には配線パターン９４ａ，９４ｂが形成され
ている。別基板９６の表面に配線パターン９８ａ，９８
ｂ、図示しないが裏面に配線パターン及び側面に配線パ
ターン９８ｃ，９８ｄが形成されている。別基板９６上
に配線パターン９８ａ，９８ｂに接続されるＳｉＯ2膜
−コンデンサ１００が形成されている。このように、高
周波部品を実装する場合だけなく別基板上にＳｉＯ2膜
−コンデンサを形成した構造とした場合にも、第１実施
形態と同様の効果を得ることができる。尚、ＳｉＯ2膜
−コンデンサ１００の容量上の制約等により、ＳｉＯ2
膜−コンデンサ１００の幅が大きくなるような場合に特
に効果的である。
造を示す図である。図９に示すように、金属ベース９０
上に主基板９２が導電接着剤により接着されている。主
基板９２上には配線パターン９４ａ，９４ｂが形成され
ている。別基板９６の表面に配線パターン９８ａ，９８
ｂ、図示しないが裏面に配線パターン及び側面に配線パ
ターン９８ｃ，９８ｄが形成されている。別基板９６上
に配線パターン９８ａ，９８ｂに接続されるＳｉＯ2膜
−コンデンサ１００が形成されている。このように、高
周波部品を実装する場合だけなく別基板上にＳｉＯ2膜
−コンデンサを形成した構造とした場合にも、第１実施
形態と同様の効果を得ることができる。尚、ＳｉＯ2膜
−コンデンサ１００の容量上の制約等により、ＳｉＯ2
膜−コンデンサ１００の幅が大きくなるような場合に特
に効果的である。
【００３３】第４実施形態
図１０は本発明の第４実施形態による実装構造を示す図
である。図１０に示すように、金属ベース１１０上に主
基板１１２が導電接着剤により接着されている。主基板
１１２上には配線パターン１１４ａ，１１４ｂが形成さ
れている。別基板１１６の表面に配線パターン１１８
ａ，１１８ｂ、図示しないが裏面に配線パターン及び側
面に配線パターン１１８ｃ，１１８ｄが形成されてい
る。別基板１１６上に配線パターン１１８ａ，１１８ｂ
に接続される抵抗膜１２０が形成されている。このよう
に、高周波部品を実装する場合だけなく別基板上に抵抗
膜１２０を形成した構造とした場合にも、第１実施形態
と同様の効果を得ることができる。尚、抵抗膜１２０の
抵抗値の制約等により、抵抗膜１２０の幅が大きくなる
ような場合に特に効果的である。
である。図１０に示すように、金属ベース１１０上に主
基板１１２が導電接着剤により接着されている。主基板
１１２上には配線パターン１１４ａ，１１４ｂが形成さ
れている。別基板１１６の表面に配線パターン１１８
ａ，１１８ｂ、図示しないが裏面に配線パターン及び側
面に配線パターン１１８ｃ，１１８ｄが形成されてい
る。別基板１１６上に配線パターン１１８ａ，１１８ｂ
に接続される抵抗膜１２０が形成されている。このよう
に、高周波部品を実装する場合だけなく別基板上に抵抗
膜１２０を形成した構造とした場合にも、第１実施形態
と同様の効果を得ることができる。尚、抵抗膜１２０の
抵抗値の制約等により、抵抗膜１２０の幅が大きくなる
ような場合に特に効果的である。
【００３４】第５実施形態
図１１は本発明の第５実施形態による高周波部品の実装
構造を示す図である。図１１に示すように、この実装構
造は、第２実施形態の実装構造を高周波部品を直列接続
して使用する場合に適用したものであり、金属ベース１
４０、金属ベース１４０上に、配線パターン１４４ａ，
１４４ｂが形成された主基板１４２、及び別基板１４６
から構成される。別基板１４６の表面に配線パターン１
４８ａ，１４８ｂ，１４８ｃが形成され、側面に配線パ
ターン１４８ｄ，１４８ｅが形成されている。高周波部
品１５０ａ，１５０ｂが配線パターン１４８ａ，１４８
ｂ，１４８ｃに接続されるように実装されたコンデンサ
等である。尚、直列接続する高周波部品１５０ａ，１５
０ｂの数は２個に限らず必要に応じて増やすことができ
る。別基板１４６は、配線パターン１４８ｄ，１４８ｅ
が形成された側面に垂直な側面が主基板１４２と接触
し、配線パターン１４４ａ，１４４ｂと配線パターン１
４８ｄ，１４８ｅが接続されるように、主基板１４２に
垂直に実装されている。このように、高周波部品１５０
ａ，１５０ｂが直列に接続された場合においても、第２
実施形態と同様の効果が得られる。
構造を示す図である。図１１に示すように、この実装構
造は、第２実施形態の実装構造を高周波部品を直列接続
して使用する場合に適用したものであり、金属ベース１
４０、金属ベース１４０上に、配線パターン１４４ａ，
１４４ｂが形成された主基板１４２、及び別基板１４６
から構成される。別基板１４６の表面に配線パターン１
４８ａ，１４８ｂ，１４８ｃが形成され、側面に配線パ
ターン１４８ｄ，１４８ｅが形成されている。高周波部
品１５０ａ，１５０ｂが配線パターン１４８ａ，１４８
ｂ，１４８ｃに接続されるように実装されたコンデンサ
等である。尚、直列接続する高周波部品１５０ａ，１５
０ｂの数は２個に限らず必要に応じて増やすことができ
る。別基板１４６は、配線パターン１４８ｄ，１４８ｅ
が形成された側面に垂直な側面が主基板１４２と接触
し、配線パターン１４４ａ，１４４ｂと配線パターン１
４８ｄ，１４８ｅが接続されるように、主基板１４２に
垂直に実装されている。このように、高周波部品１５０
ａ，１５０ｂが直列に接続された場合においても、第２
実施形態と同様の効果が得られる。
【００３５】第６実施形態
図１２は本発明の第６実施形態による実装構造を示す図
である。図１２に示すように、この実装構造は、第２実
施形態の実装構造を高周波部品を直列接続して使用する
場合に適用したものであり、金属ベース１６０、金属ベ
ース１６０上に、配線パターン１６４ａ，１６４ｂが形
成された主基板１６２、及び別基板１６６から構成され
る。別基板１６６の表面に配線パターン１６８ａ，１６
８ｂ、裏面に配線パターン１６８ｃ，１６８ｄが形成さ
れ、側面に配線パターン１６８ｅ，１６８ｆが形成さ
れ、表面の配線パターン１６８ｂと裏面の配線パターン
１６８ｄが接続されるようにビアホール１７２に接続さ
れている。高周波部品１７０ａは配線パターン１６８
ａ，１６８ｂに接続されるように別基板１６６の表面に
実装されたコンデンサ等であり、高周波部品１７０ｂは
配線パターン１６８ｃ，１６８ｄに接続されるように別
基板１６６が実装されたコンデンサ等であり、ビアホー
ル１７２を通して、高周波部品１７０ａ，１７０ｂが直
列に接続されている。尚、直列接続する高周波部品１７
０ａ，１７ｂの数は２個に限らず必要に応じて表面や裏
面に増やすことができる。別基板１６６は、配線パター
ン１６８ｅ，１６８ｆが形成された側面に垂直な側面が
主基板１６２と接触し、配線パターン１６４ａ，１６４
ｂと配線パターン１６８ｅ，１４８ｆが接続されるよう
に、主基板１６２に垂直に実装されている。このよう
に、高周波部品１６０ａ，１６０ｂが直列に接続された
場合においても、第２実施形態と同様の効果が得られ
る。
である。図１２に示すように、この実装構造は、第２実
施形態の実装構造を高周波部品を直列接続して使用する
場合に適用したものであり、金属ベース１６０、金属ベ
ース１６０上に、配線パターン１６４ａ，１６４ｂが形
成された主基板１６２、及び別基板１６６から構成され
る。別基板１６６の表面に配線パターン１６８ａ，１６
８ｂ、裏面に配線パターン１６８ｃ，１６８ｄが形成さ
れ、側面に配線パターン１６８ｅ，１６８ｆが形成さ
れ、表面の配線パターン１６８ｂと裏面の配線パターン
１６８ｄが接続されるようにビアホール１７２に接続さ
れている。高周波部品１７０ａは配線パターン１６８
ａ，１６８ｂに接続されるように別基板１６６の表面に
実装されたコンデンサ等であり、高周波部品１７０ｂは
配線パターン１６８ｃ，１６８ｄに接続されるように別
基板１６６が実装されたコンデンサ等であり、ビアホー
ル１７２を通して、高周波部品１７０ａ，１７０ｂが直
列に接続されている。尚、直列接続する高周波部品１７
０ａ，１７ｂの数は２個に限らず必要に応じて表面や裏
面に増やすことができる。別基板１６６は、配線パター
ン１６８ｅ，１６８ｆが形成された側面に垂直な側面が
主基板１６２と接触し、配線パターン１６４ａ，１６４
ｂと配線パターン１６８ｅ，１４８ｆが接続されるよう
に、主基板１６２に垂直に実装されている。このよう
に、高周波部品１６０ａ，１６０ｂが直列に接続された
場合においても、第２実施形態と同様の効果が得られ
る。
【００３６】第７実施形態
図１３は本発明の第７実施形態による実装構造を示す図
である。図１３に示すように、この実装構造は、第１実
施形態の実装構造を高周波部品を並列接続して使用する
場合に適用したものであり、金属ベース１８０、金属ベ
ース１８０上に、配線パターン１８４ａ，１８４ｂが形
成された主基板１８２、及び別基板１８６から構成され
る。別基板１８６の表面に配線パターン１８８ａ，１８
８ｂ、裏面に図示しない配線パターンが形成され、側面
に配線パターン１８８ｅ，１６８ｆが形成されている。
高周波部品１９０ａ，１９０ｂは配線パターン１８８
ａ，１６８ｂに接続されるように別基板１８６の表面に
実装されたコンデンサ等であり、並列に接続されてい
る。尚、並列接続する高周波部品１９０ａ，１９０ｂの
数は２個に限らず必要に応じて増やすことができる。別
基板１８６は、別基板１８６の裏面の配線パターンと配
線パターン１８４ａ，１８４ｂが接続されるように、主
基板１８２に実装されている。この場合、高周波部品１
９０ａ，１９０ｂを並列に並べて配線パターン１８８
ａ，１８８ｂに接続されるように実装するので、配線パ
ターン１８８ａ，１８８ｂの幅が広くなるが、このよう
な場合に、第１実施形態と同様の効果が顕著に得られ
る。
である。図１３に示すように、この実装構造は、第１実
施形態の実装構造を高周波部品を並列接続して使用する
場合に適用したものであり、金属ベース１８０、金属ベ
ース１８０上に、配線パターン１８４ａ，１８４ｂが形
成された主基板１８２、及び別基板１８６から構成され
る。別基板１８６の表面に配線パターン１８８ａ，１８
８ｂ、裏面に図示しない配線パターンが形成され、側面
に配線パターン１８８ｅ，１６８ｆが形成されている。
高周波部品１９０ａ，１９０ｂは配線パターン１８８
ａ，１６８ｂに接続されるように別基板１８６の表面に
実装されたコンデンサ等であり、並列に接続されてい
る。尚、並列接続する高周波部品１９０ａ，１９０ｂの
数は２個に限らず必要に応じて増やすことができる。別
基板１８６は、別基板１８６の裏面の配線パターンと配
線パターン１８４ａ，１８４ｂが接続されるように、主
基板１８２に実装されている。この場合、高周波部品１
９０ａ，１９０ｂを並列に並べて配線パターン１８８
ａ，１８８ｂに接続されるように実装するので、配線パ
ターン１８８ａ，１８８ｂの幅が広くなるが、このよう
な場合に、第１実施形態と同様の効果が顕著に得られ
る。
【００３７】第８実施形態
図１４は本発明の第８実施形態による実装構造を示す図
である。図１４に示すように、この実装構造は、第２実
施形態の実装構造を高周波部品を並列接続して使用する
場合に適用したものであり、金属ベース２００、金属ベ
ース２００上に、配線パターン２０４ａ，２０４ｂが形
成された主基板２０２、及び別基板２０６から構成され
る。別基板２０６の表面に配線パターン２０８ａ，２０
８ｂ、側面に配線パターン２０８ｃ，２０８ｄが形成さ
れている。高周波部品２１０ａ，２１０ｂは配線パター
ン２０８ａ，２０８ｂに接続されるように別基板２０６
に並列に実装されたコンデンサ等である。尚、並列接続
する高周波部品２１０ａ，２１０ｂの数は２個に限らず
必要に応じて増やすことができる。別基板２０６は、配
線パターン２０８ｃ，２０８ｃが形成された側面に垂直
な側面が主基板２０２と接触し、配線パターン２０４
ａ，２０４ｂと配線パターン２０８ｃ，２０８ｄが接続
されるように、主基板２０２に垂直に実装されている。
この場合、高周波部品２１０ａ，２１０ｂを並列に並べ
て配線パターン２０８ａ，２０８ｂに接続されるように
実装するので、配線パターン２０８ａ，２０８ｂの幅が
広くなるが、このような場合に、第２実施形態と同様の
効果が顕著に得られる。
である。図１４に示すように、この実装構造は、第２実
施形態の実装構造を高周波部品を並列接続して使用する
場合に適用したものであり、金属ベース２００、金属ベ
ース２００上に、配線パターン２０４ａ，２０４ｂが形
成された主基板２０２、及び別基板２０６から構成され
る。別基板２０６の表面に配線パターン２０８ａ，２０
８ｂ、側面に配線パターン２０８ｃ，２０８ｄが形成さ
れている。高周波部品２１０ａ，２１０ｂは配線パター
ン２０８ａ，２０８ｂに接続されるように別基板２０６
に並列に実装されたコンデンサ等である。尚、並列接続
する高周波部品２１０ａ，２１０ｂの数は２個に限らず
必要に応じて増やすことができる。別基板２０６は、配
線パターン２０８ｃ，２０８ｃが形成された側面に垂直
な側面が主基板２０２と接触し、配線パターン２０４
ａ，２０４ｂと配線パターン２０８ｃ，２０８ｄが接続
されるように、主基板２０２に垂直に実装されている。
この場合、高周波部品２１０ａ，２１０ｂを並列に並べ
て配線パターン２０８ａ，２０８ｂに接続されるように
実装するので、配線パターン２０８ａ，２０８ｂの幅が
広くなるが、このような場合に、第２実施形態と同様の
効果が顕著に得られる。
【００３８】第９実施形態
図１５は本発明の第９実施形態による高周波部品の実装
構造を示す図である。図１５に示すように、この実装構
造は、第１実施形態の実装構造の別基板に多層基板を用
いたものであり、金属ベース２２０、金属ベース２２０
上に、配線パターン２２４ａ，２２４ｂが形成された主
基板２２２、第１別基板２２６及び第２別基板２３０か
ら構成される。図１６は１５中の別基板２２６，２３０
の実装構造を示す図である。第１別基板２２６の表面に
配線パターン２２８ａ，２２８ｂ，２２８ｃ，２２８ｄ
が形成され、裏面に図示しない配線パターンが形成さ
れ、側面に配線パターン２２８ｅ，２２８ｆが配線パタ
ーン２２８ｃ，２２８ｄに接続されて形成されている。
構造を示す図である。図１５に示すように、この実装構
造は、第１実施形態の実装構造の別基板に多層基板を用
いたものであり、金属ベース２２０、金属ベース２２０
上に、配線パターン２２４ａ，２２４ｂが形成された主
基板２２２、第１別基板２２６及び第２別基板２３０か
ら構成される。図１６は１５中の別基板２２６，２３０
の実装構造を示す図である。第１別基板２２６の表面に
配線パターン２２８ａ，２２８ｂ，２２８ｃ，２２８ｄ
が形成され、裏面に図示しない配線パターンが形成さ
れ、側面に配線パターン２２８ｅ，２２８ｆが配線パタ
ーン２２８ｃ，２２８ｄに接続されて形成されている。
【００３９】膜抵抗２４０が配線パターン２２８ａ，２
２８ｂに接続されるように第１別基板２２６の表面に形
成されている。尚、膜抵抗２４０はＳｉＯ2膜コンデン
サ等であっても良い。第２別基板２３０の表面に配線パ
ターン２３２ａ，２３２ｂが形成され、裏面に図示しな
い配線パターンが形成され、側面に配線パターン２３２
ｅ，２３２ｆが形成されている。高周波部品２３４は配
線パターン２３２ａ，２３２ｂに接続されるように第２
別基板２３０の表面に実装されている。第２別基板２３
０は裏面の配線パターンが第１別基板２２２の表面の配
線パターン２２８ｃ，２２８ｄに接続され、高周波部品
２３４が第１基板２２２の表面の膜抵抗２４０に配線パ
ターン２２８ａ，２２８ｂ、及びビアホール２４２を通
して並列接続されるように第１別基板２２２の表面に実
装されている。このように、膜抵抗２４０と高周波部品
２３４を並列に接続する場合においても、第１実施形態
と同様の効果が得られる。
２８ｂに接続されるように第１別基板２２６の表面に形
成されている。尚、膜抵抗２４０はＳｉＯ2膜コンデン
サ等であっても良い。第２別基板２３０の表面に配線パ
ターン２３２ａ，２３２ｂが形成され、裏面に図示しな
い配線パターンが形成され、側面に配線パターン２３２
ｅ，２３２ｆが形成されている。高周波部品２３４は配
線パターン２３２ａ，２３２ｂに接続されるように第２
別基板２３０の表面に実装されている。第２別基板２３
０は裏面の配線パターンが第１別基板２２２の表面の配
線パターン２２８ｃ，２２８ｄに接続され、高周波部品
２３４が第１基板２２２の表面の膜抵抗２４０に配線パ
ターン２２８ａ，２２８ｂ、及びビアホール２４２を通
して並列接続されるように第１別基板２２２の表面に実
装されている。このように、膜抵抗２４０と高周波部品
２３４を並列に接続する場合においても、第１実施形態
と同様の効果が得られる。
【００４０】第１０実施形態
図１７は本発明の第１０実施形態による高周波部品の実
装構造を示す図である。図１７に示すように、この実装
構造は、第１実施形態の実装構造の別基板を調整用基板
に重ね合わせて用いたものであり、金属ベース２６０、
金属ベース２６０上に、配線パターン２６４ａ，２６４
ｂが形成された主基板２６２、調整用基板２６６、及び
別基板２７０を含んでいる。図１８は図１７中の調整用
基板２６６及び別基板２７０を示す図である。図１８に
示すように、調整用基板２６６の表面に配線パターン２
６８ａ，２６８ｂが形成され、裏面に図示しない配線パ
ターンが形成され、側面に配線パターン２６８ｅ，２６
８ｆが形成されている。調整用基板２６６は、高周波部
品２７４が主基板２６２に実装された状態で電気特性が
所望となるように調整するための基板である。調整用基
板２６６は、高周波部品２７４の各種類、例えば、コン
デンサであれば使用する各容量について、厚みに少しず
つバリエーションのある調整用基板から選択されたもの
である。調整用基板２６６を用いるのは、特性調整のた
めに、調整用基板２６６のみを剥がして、別の調整用基
板を用いるだけで済み、高周波部品２７４を別基板から
剥がし、他の別基板へ取り付けを行う必要がないからで
ある。
装構造を示す図である。図１７に示すように、この実装
構造は、第１実施形態の実装構造の別基板を調整用基板
に重ね合わせて用いたものであり、金属ベース２６０、
金属ベース２６０上に、配線パターン２６４ａ，２６４
ｂが形成された主基板２６２、調整用基板２６６、及び
別基板２７０を含んでいる。図１８は図１７中の調整用
基板２６６及び別基板２７０を示す図である。図１８に
示すように、調整用基板２６６の表面に配線パターン２
６８ａ，２６８ｂが形成され、裏面に図示しない配線パ
ターンが形成され、側面に配線パターン２６８ｅ，２６
８ｆが形成されている。調整用基板２６６は、高周波部
品２７４が主基板２６２に実装された状態で電気特性が
所望となるように調整するための基板である。調整用基
板２６６は、高周波部品２７４の各種類、例えば、コン
デンサであれば使用する各容量について、厚みに少しず
つバリエーションのある調整用基板から選択されたもの
である。調整用基板２６６を用いるのは、特性調整のた
めに、調整用基板２６６のみを剥がして、別の調整用基
板を用いるだけで済み、高周波部品２７４を別基板から
剥がし、他の別基板へ取り付けを行う必要がないからで
ある。
【００４１】別基板２７０は表面に配線パターン２７２
ａ，２７２ｂが形成され、裏面に図示しない配線パター
ンが形成され、側面に配線パターン２７２ｅ，２７２ｆ
が形成されている。高周波部品２７４は配線パターン２
６２ａ，２７２ｂに接続されるように別基板２７０に実
装されている。別基板２７０は裏面の配線パターンが調
整用基板２６６の配線パターン２６８ａ，２６８ｂに接
続されるように調整基用板基板２６６上に実装されてい
る。調整用基板２６６は裏面の配線パターンが主基板２
６２の表面の配線配線パターン２６４ａ，２６４ｂに接
続されるように主基板２６２上に実装されている。高周
波部品２７４の電気特性を実測したとき、調整の必要が
あれば、調整用基板２６６を剥がして、別の調整用基板
を取り付けるだけで良いので、調整がより簡単に行うこ
とができる。このように、本実施形態によれば、第１実
施形態と同様の効果が得られる上に調整が更に容易にな
る。
ａ，２７２ｂが形成され、裏面に図示しない配線パター
ンが形成され、側面に配線パターン２７２ｅ，２７２ｆ
が形成されている。高周波部品２７４は配線パターン２
６２ａ，２７２ｂに接続されるように別基板２７０に実
装されている。別基板２７０は裏面の配線パターンが調
整用基板２６６の配線パターン２６８ａ，２６８ｂに接
続されるように調整基用板基板２６６上に実装されてい
る。調整用基板２６６は裏面の配線パターンが主基板２
６２の表面の配線配線パターン２６４ａ，２６４ｂに接
続されるように主基板２６２上に実装されている。高周
波部品２７４の電気特性を実測したとき、調整の必要が
あれば、調整用基板２６６を剥がして、別の調整用基板
を取り付けるだけで良いので、調整がより簡単に行うこ
とができる。このように、本実施形態によれば、第１実
施形態と同様の効果が得られる上に調整が更に容易にな
る。
【００４２】第１１実施形態
図１９は本発明の第１１実施形態による実装構造を示す
図である。図１９に示すように、この実装構造は、第１
０実施形態の調整用基板の中央を削りとったものであ
る。図２０は図１９中の調整用基板３０６及び別基板３
１０を示す図である。図２０に示すように、調整用基板
３０６の中央部３２０が削り取られている。中央部３２
０の上方には、別基板３１０上に形成された配線パター
ン３１２ａ，３１２ｂが位置する。このように、配線パ
ターン３１２ａ，３１２ｂの下方の調整用基板３０６を
空洞としてので、寄生容量を更に小さくできる。以上説
明したように、本実施形態では、第１０実施形態の効果
に加えて、寄生容量を更に小さくできる。
図である。図１９に示すように、この実装構造は、第１
０実施形態の調整用基板の中央を削りとったものであ
る。図２０は図１９中の調整用基板３０６及び別基板３
１０を示す図である。図２０に示すように、調整用基板
３０６の中央部３２０が削り取られている。中央部３２
０の上方には、別基板３１０上に形成された配線パター
ン３１２ａ，３１２ｂが位置する。このように、配線パ
ターン３１２ａ，３１２ｂの下方の調整用基板３０６を
空洞としてので、寄生容量を更に小さくできる。以上説
明したように、本実施形態では、第１０実施形態の効果
に加えて、寄生容量を更に小さくできる。
【００４３】第１２実施形態
図２１は本発明の第１２実施形態による実装構造を示す
図である。図２１に示すように、この実装構造は、第１
実施形態の実装構造の別基板上に一体的に重ね合わされ
た複数の高周波部品を実装したものであり、金属ベース
３３０、金属ベース３３０上に、配線パターン３３４が
形成された主基板３３２、及び別基板３３６を含んでい
る。別基板３３６の表面に配線パターン３３８ａ，３３
８ｂが形成され、図示しない裏面に配線パターンが形成
され、側面に配線パターン３３８ｅ，３３８ｄが形成さ
れている。別基板３３６上に並列に接続された高周波部
品３４０，３４２のどちらか一方を下にして高周波部品
が配線パターン２２８ａ，３３８ｂに接続されるように
実装されている。尚、高周波部品は３個以上であっても
良い。本実施形態では、高周波部品３４０，３４２のサ
イズが異なるコンデンサを使用し、サイズの小さい高周
波部品３４０を配線パターン３３８ａ，３３８ｂと接続
するようにしているが、サイズの大きいコンデンサを配
線パターン３３８に接続すると配線パターン３３８ａ，
３３８ｂが長くなり寄生インダクタが増大するからであ
る。このように、並列に一体的に接続された高周波部品
３４０，３４２を基板に実装する場合においても、第１
実施形態と同様の効果が得られる。
図である。図２１に示すように、この実装構造は、第１
実施形態の実装構造の別基板上に一体的に重ね合わされ
た複数の高周波部品を実装したものであり、金属ベース
３３０、金属ベース３３０上に、配線パターン３３４が
形成された主基板３３２、及び別基板３３６を含んでい
る。別基板３３６の表面に配線パターン３３８ａ，３３
８ｂが形成され、図示しない裏面に配線パターンが形成
され、側面に配線パターン３３８ｅ，３３８ｄが形成さ
れている。別基板３３６上に並列に接続された高周波部
品３４０，３４２のどちらか一方を下にして高周波部品
が配線パターン２２８ａ，３３８ｂに接続されるように
実装されている。尚、高周波部品は３個以上であっても
良い。本実施形態では、高周波部品３４０，３４２のサ
イズが異なるコンデンサを使用し、サイズの小さい高周
波部品３４０を配線パターン３３８ａ，３３８ｂと接続
するようにしているが、サイズの大きいコンデンサを配
線パターン３３８に接続すると配線パターン３３８ａ，
３３８ｂが長くなり寄生インダクタが増大するからであ
る。このように、並列に一体的に接続された高周波部品
３４０，３４２を基板に実装する場合においても、第１
実施形態と同様の効果が得られる。
【００４４】第１３実施形態
図２２は本発明の第１３実施形態による実装構造を示す
図である。図２２に示すように、この実装構造は、第１
実施形態の実装構造の別基板に更に別基板を重ねて高周
波部品を直列接続する構造であり、金属ベース３５０、
金属ベース３５０上に、配線パターン３５４ａ，３５４
ｂが形成された主基板３５２、第１別基板３５６及び第
２別基板３６０を含んでいる。第１別基板３５６の表面
に配線パターン３５８ａ，３５８ｂ，３５８ｃが形成さ
れ、図示しない裏面に配線パターンが形成され、側面に
配線パターン３５８ｇ，３５８ｈが形成されている。高
周波部品３５９が配線パターン３５８ａ，３５８ｂに接
続されるように実装されている。第２別基板３６０の表
面に配線パターン３６２ａ，３６２ｂが形成され、図示
しない裏面に配線パターンが形成され、側面に配線パタ
ーン３６２ｅ，３６２ｆが形成されている。
図である。図２２に示すように、この実装構造は、第１
実施形態の実装構造の別基板に更に別基板を重ねて高周
波部品を直列接続する構造であり、金属ベース３５０、
金属ベース３５０上に、配線パターン３５４ａ，３５４
ｂが形成された主基板３５２、第１別基板３５６及び第
２別基板３６０を含んでいる。第１別基板３５６の表面
に配線パターン３５８ａ，３５８ｂ，３５８ｃが形成さ
れ、図示しない裏面に配線パターンが形成され、側面に
配線パターン３５８ｇ，３５８ｈが形成されている。高
周波部品３５９が配線パターン３５８ａ，３５８ｂに接
続されるように実装されている。第２別基板３６０の表
面に配線パターン３６２ａ，３６２ｂが形成され、図示
しない裏面に配線パターンが形成され、側面に配線パタ
ーン３６２ｅ，３６２ｆが形成されている。
【００４５】高周波部品３６４が第２別基板３６０の表
面の配線パターン３６２ａ，３６２ｂに接続されるよう
に実装されている。第２別基板３６０の裏面の配線パタ
ーンが第１別基板３５６の表面の配線パターン３５８
ｂ，３５８ｃに接続されるように実装され、高周波部品
３５９，３６４が直列に接続されている。ここでは、高
周波部品３５９，３６４はコンデンサであり、第１別基
板３５６に実装される高周波部品３５９が第２別基板３
６０に実装される高周波部品３６４より小さいものとし
ている。このように、直列に接続された高周波部品３６
４を第１別基板３５６上に実装された第２別基板３６０
に実装することによって、金属ベース３５０に対向する
配線パターン３６２ａ，３６２ｂの距離が長くなり第１
実施形態と同様に寄生コンデンサの容量を低減すること
ができる。
面の配線パターン３６２ａ，３６２ｂに接続されるよう
に実装されている。第２別基板３６０の裏面の配線パタ
ーンが第１別基板３５６の表面の配線パターン３５８
ｂ，３５８ｃに接続されるように実装され、高周波部品
３５９，３６４が直列に接続されている。ここでは、高
周波部品３５９，３６４はコンデンサであり、第１別基
板３５６に実装される高周波部品３５９が第２別基板３
６０に実装される高周波部品３６４より小さいものとし
ている。このように、直列に接続された高周波部品３６
４を第１別基板３５６上に実装された第２別基板３６０
に実装することによって、金属ベース３５０に対向する
配線パターン３６２ａ，３６２ｂの距離が長くなり第１
実施形態と同様に寄生コンデンサの容量を低減すること
ができる。
【００４６】本発明は以下の付記を含むものである。
【００４７】（付記１） 部品の実装構造であって、金
属ベースと、裏面が前記金属ベースに接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターンが形成され、該第２配線パターンが前記第１配線
パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の表面
に接触して実装された第２基板と、前記第２基板の表面
に前記第２配線パターンと接続されるよう実装された部
品と、を具備したことを特徴とする部品の実装構造。
属ベースと、裏面が前記金属ベースに接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターンが形成され、該第２配線パターンが前記第１配線
パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の表面
に接触して実装された第２基板と、前記第２基板の表面
に前記第２配線パターンと接続されるよう実装された部
品と、を具備したことを特徴とする部品の実装構造。
【００４８】（付記２） 部品の実装構造であって、金
属ベースと、裏面に前記金属ベースが接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターンが形成され、側面が前記第１基板に接触し、前記
第２配線パターンが前記第１配線パターンに接続される
よう実装された第２基板と、前記第２基板の表面に前記
第２配線パターンと接続されるよう実装された部品と、
を具備したことを特徴とする部品の実装構造。
属ベースと、裏面に前記金属ベースが接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターンが形成され、側面が前記第１基板に接触し、前記
第２配線パターンが前記第１配線パターンに接続される
よう実装された第２基板と、前記第２基板の表面に前記
第２配線パターンと接続されるよう実装された部品と、
を具備したことを特徴とする部品の実装構造。
【００４９】（付記３） 部品の実装構造であって、金
属ベースと、裏面が前記金属ベースに接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターン及び該第２パターンに接続され電子部品として機
能する膜が形成され、前記第２配線パターンが前記第１
配線パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の
表面に接触して実装された第２基板と、第３配線パター
ンが形成され、該第３配線パターンがビアホールを通し
て前記第２配線パターンに接続されるように裏面が前記
第２基板の表面に接触して実装された第３基板と、前記
第３基板の表面に前記第３配線パターンと接続されるよ
う実装された部品と、を具備したことを特徴とする部品
の実装構造。
属ベースと、裏面が前記金属ベースに接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターン及び該第２パターンに接続され電子部品として機
能する膜が形成され、前記第２配線パターンが前記第１
配線パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の
表面に接触して実装された第２基板と、第３配線パター
ンが形成され、該第３配線パターンがビアホールを通し
て前記第２配線パターンに接続されるように裏面が前記
第２基板の表面に接触して実装された第３基板と、前記
第３基板の表面に前記第３配線パターンと接続されるよ
う実装された部品と、を具備したことを特徴とする部品
の実装構造。
【００５０】（付記４） 部品の実装構造であって、金
属ベースと、裏面に前記金属ベースが接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターン及び該第２パターンに接続され電子部品として機
能する膜が形成され、前記第２配線パターンが前記第１
配線パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の
表面に接触して実装された第２基板と、第３配線パター
ンが形成され、該第３配線パターンがビアホールを通し
て前記第２配線パターンに接続されるように裏面が前記
第２基板の表面に接触して実装された第３基板と、前記
第３基板の表面上に前記第３配線パターンと接続される
よう実装された部品と、を具備したことを特徴とする部
品の実装構造。
属ベースと、裏面に前記金属ベースが接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターン及び該第２パターンに接続され電子部品として機
能する膜が形成され、前記第２配線パターンが前記第１
配線パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の
表面に接触して実装された第２基板と、第３配線パター
ンが形成され、該第３配線パターンがビアホールを通し
て前記第２配線パターンに接続されるように裏面が前記
第２基板の表面に接触して実装された第３基板と、前記
第３基板の表面上に前記第３配線パターンと接続される
よう実装された部品と、を具備したことを特徴とする部
品の実装構造。
【００５１】（付記５） 部品の実装構造であって、金
属ベースと、裏面が前記金属ベースに接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターンが形成され、該第２配線パターンが前記第１配線
パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の表面
に接触して実装された第２基板と、第３配線パターンが
形成され、該第３配線パターンが前記第２配線パターン
に接続されるように裏面が前記第２基板の表面に接触し
て実装された第３基板と、前記第３基板の表面上に前記
第３配線パターンと接続されるよう実装された部品と、
を具備したことを特徴とする部品の実装構造。
属ベースと、裏面が前記金属ベースに接着され、表面に
第１配線パターンが形成された第１基板と、第２配線パ
ターンが形成され、該第２配線パターンが前記第１配線
パターンに接続されるように裏面が前記第１基板の表面
に接触して実装された第２基板と、第３配線パターンが
形成され、該第３配線パターンが前記第２配線パターン
に接続されるように裏面が前記第２基板の表面に接触し
て実装された第３基板と、前記第３基板の表面上に前記
第３配線パターンと接続されるよう実装された部品と、
を具備したことを特徴とする部品の実装構造。
【００５２】（付記６） 前記第２配線パターンは前記
第２基板の表面及び裏面に形成され、半円筒状に開口さ
れた側面に形成された金属を通して表面と裏面が接続さ
れ、裏面の第２配線パターンと前記第１配線パターンが
接続されていることを特徴とする付記１記載の部品の実
装構造。
第２基板の表面及び裏面に形成され、半円筒状に開口さ
れた側面に形成された金属を通して表面と裏面が接続さ
れ、裏面の第２配線パターンと前記第１配線パターンが
接続されていることを特徴とする付記１記載の部品の実
装構造。
【００５３】（付記７） 前記部品が接続される部分の
前記第２配線パターンの幅は前記第１配線パターンの幅
よりも広いことを特徴とする請求項１記載の部品の実装
構造。
前記第２配線パターンの幅は前記第１配線パターンの幅
よりも広いことを特徴とする請求項１記載の部品の実装
構造。
【００５４】（付記８） 前記部品は複数個が前記第２
配線パターンを通して直列に実装されていることを特徴
とする付記１記載の部品の実装構造。
配線パターンを通して直列に実装されていることを特徴
とする付記１記載の部品の実装構造。
【００５５】（付記９） 前記第２配線パターンは、前
記第２基板の表面及び裏面にビアホールを介して接続さ
れるように形成され、前記部品は表面及び裏面の第２配
線パターン上にそれぞれ実装されていることを特徴とす
る付記２記載の部品の実装構造。
記第２基板の表面及び裏面にビアホールを介して接続さ
れるように形成され、前記部品は表面及び裏面の第２配
線パターン上にそれぞれ実装されていることを特徴とす
る付記２記載の部品の実装構造。
【００５６】（付記１０） 前記部品は複数個が前記第
２配線パターン上に並列に実装されていることを特徴と
する付記１記載の部品の実装構造。
２配線パターン上に並列に実装されていることを特徴と
する付記１記載の部品の実装構造。
【００５７】（付記１１） 前記部品は複数個が前記第
２配線パターン上に並列に実装されていることを特徴と
する付記２記載の部品の実装構造。
２配線パターン上に並列に実装されていることを特徴と
する付記２記載の部品の実装構造。
【００５８】（付記１２） 前記部品が接続される前記
第３配線パターンの直下の前記第２基板が空洞部となっ
ていることを特徴とする付記５記載の部品の実装構造。
第３配線パターンの直下の前記第２基板が空洞部となっ
ていることを特徴とする付記５記載の部品の実装構造。
【００５９】（付記１３） 前記部品は複数個が並列に
接続されて一体化されていることを特徴とする付記１記
載の部品の実装構造。
接続されて一体化されていることを特徴とする付記１記
載の部品の実装構造。
【００６０】（付記１４） 第３配線パターンが形成さ
れ、第３配線パターンが前記第２配線パターンに接続さ
れるように裏面が前記第１基板の一部の表面に接触して
実装された第３基板と、前記第３基板の表面上に前記第
３配線パターンと接続されるよう実装された第２部品と
を更に具備したことを特徴とする請求項１記載の部品の
実装構造。
れ、第３配線パターンが前記第２配線パターンに接続さ
れるように裏面が前記第１基板の一部の表面に接触して
実装された第３基板と、前記第３基板の表面上に前記第
３配線パターンと接続されるよう実装された第２部品と
を更に具備したことを特徴とする請求項１記載の部品の
実装構造。
【００６１】
【発明の効果】以上説明した発明によれば、従来の実装
構造のように、誘電体基板を搭載する面を削る必要かな
いた安価に高周波部品を実装した基板を作製することが
できる。
構造のように、誘電体基板を搭載する面を削る必要かな
いた安価に高周波部品を実装した基板を作製することが
できる。
【図１】本発明の第１原理図である。
【図２】図１の寄生容量説明図である。
【図３】本発明の第２原理図である。
【図４】本発明の第１実施形態による高周波部品の実装
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図５】図４中の主基板を示す図である。
【図６】図４中の別基板を示す図である。
【図７】本発明の効果説明図である。
【図８】本発明の第２実施形態による高周波部品の実装
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態による高周波部品の実装
構造を示す図である。
構造を示す図である。
【図１０】本発明の第４実施形態による高周波部品の実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図１１】本発明の第５実施形態による高周波部品の実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図１２】本発明の第６実施形態による高周波部品の実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図１３】本発明の第７実施形態による高周波部品の実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図１４】本発明の第８実施形態による高周波部品の実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図１５】本発明の第９実施形態による高周波部品の実
装構造を示す図である。
装構造を示す図である。
【図１６】図１５中の別基板の構造を示す図である。
【図１７】本発明の第１０実施形態による高周波部品の
実装構造を示す図である。
実装構造を示す図である。
【図１８】図１７中の別基板の構造を示す図である。
【図１９】本発明の第１１実施形態による高周波部品の
実装構造を示す図である。
実装構造を示す図である。
【図２０】図１９中の別基板の構造を示す図である。
【図２１】本発明の第１２実施形態による高周波部品の
実装構造を示す図である。
実装構造を示す図である。
【図２２】本発明の第１３実施形態による高周波部品の
実装構造を示す図である。
実装構造を示す図である。
【図２３】伝送路の等価回路を示す図である。
【図２４】従来の高周波部品の実装構造を示す図であ
る。
る。
【図２５】寄生容量を説明する図である。
１０ 金属ベース
１２ 第１基板
１４ 第１配線パターン
１６ 第２基板
１８ 第２配線パターン
２０ 部品
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｋ 1/16 Ｈ０５Ｋ 1/16 Ｅ ５Ｊ０１１
(72)発明者 佐久間 勝美
北海道札幌市北区北七条西四丁目３番地１
富士通東日本ディジタル・テクノロジ株
式会社内
(72)発明者 清野 武博
北海道札幌市北区北七条西四丁目３番地１
富士通東日本ディジタル・テクノロジ株
式会社内
(72)発明者 増田 圭司
北海道札幌市北区北七条西四丁目３番地１
富士通東日本ディジタル・テクノロジ株
式会社内
(72)発明者 菅田 章彦
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 4E351 BB01 BB03 BB05 BB48 DD45
GG07 GG20
5E317 AA04 AA22 GG11 GG16
5E336 AA04 BB03 BB05 BC36 CC31
CC52 CC53 EE01 GG11 GG30
5E338 AA01 AA02 AA03 BB01 BB19
BB25 BB65 CC02 CC06 CD12
CD23 EE14 EE32
5E344 AA01 AA08 AA23 BB02 BB03
BB06 BB14 BB15 CC05 CC11
CC25 DD02 EE08 EE21
5J011 CA12 CA14
Claims (5)
- 【請求項１】 部品の実装構造であって、 金属ベースと、 裏面が前記金属ベースに接着され、表面に第１配線パタ
ーンが形成された第１基板と、 第２配線パターンが形成され、該第２配線パターンが前
記第１配線パターンに接続されるように裏面が前記第１
基板の表面に接触して実装された第２基板と、 前記第２基板の表面に前記第２配線パターンと接続され
るよう実装された部品と、 を具備したことを特徴とする部品の実装構造。 - 【請求項２】 部品の実装構造であって、 金属ベースと、 裏面に前記金属ベースが接着され、表面に第１配線パタ
ーンが形成された第１基板と、 第２配線パターンが形成され、側面が前記第１基板に接
触し、前記第２配線パターンが前記第１配線パターンに
接続されるよう実装された第２基板と、 前記第２基板の表面に前記第２配線パターンと接続され
るよう実装された部品と、 を具備したことを特徴とする部品の実装構造。 - 【請求項３】 部品の実装構造であって、 金属ベースと、 裏面が前記金属ベースに接着され、表面に第１配線パタ
ーンが形成された第１基板と、 第２配線パターン及び該第２パターンに接続され電子部
品として機能する膜が形成され、前記第２配線パターン
が前記第１配線パターンに接続されるように裏面が前記
第１基板の表面に接触して実装された第２基板と、 第３配線パターンが形成され、該第３配線パターンがビ
アホールを通して前記第２配線パターンに接続されるよ
うに裏面が前記第２基板の表面に接触して実装された第
３基板と、 前記第３基板の表面に前記第３配線パターンと接続され
るよう実装された部品と、 を具備したことを特徴とする部品の実装構造。 - 【請求項４】 部品の実装構造であって、 金属ベースと、 裏面に前記金属ベースが接着され、表面に第１配線パタ
ーンが形成された第１基板と、 第２配線パターン及び該第２パターンに接続され電子部
品として機能する膜が形成され、前記第２配線パターン
が前記第１配線パターンに接続されるように裏面が前記
第１基板の表面に接触して実装された第２基板と、 第３配線パターンが形成され、該第３配線パターンがビ
アホールを通して前記第２配線パターンに接続されるよ
うに裏面が前記第２基板の表面に接触して実装された第
３基板と、 前記第３基板の表面上に前記第３配線パターンと接続さ
れるよう実装された部品と、 を具備したことを特徴とする部品の実装構造。 - 【請求項５】 部品の実装構造であって、 金属ベースと、 裏面が前記金属ベースに接着され、表面に第１配線パタ
ーンが形成された第１基板と、 第２配線パターンが形成され、該第２配線パターンが前
記第１配線パターンに接続されるように裏面が前記第１
基板の表面に接触して実装された第２基板と、 第３配線パターンが形成され、該第３配線パターンが前
記第２配線パターンに接続されるように裏面が前記第２
基板の表面に接触して実装された第３基板と、 前記第３基板の表面上に前記第３配線パターンと接続さ
れるよう実装された部品と、 を具備したことを特徴とする部品の実装構造。
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|---|---|---|---|
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| US10/278,446 US20030186569A1 (en) | 2002-03-29 | 2002-10-23 | . Component mounting structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002093633A JP2003298204A (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 部品の実装構造 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003298204A true JP2003298204A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=28449666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002093633A Withdrawn JP2003298204A (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 部品の実装構造 |
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|---|---|
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| JP2007165755A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
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| WO2010140318A1 (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | 株式会社日立製作所 | 電子装置、および、雑音電流測定方法 |
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-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002093633A patent/JP2003298204A/ja not_active Withdrawn
- 2002-10-23 US US10/278,446 patent/US20030186569A1/en not_active Abandoned
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|---|---|---|---|
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