JP2003298041A - インターライン電荷結合素子 - Google Patents

インターライン電荷結合素子

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高レベルの光を捉え、デバイスのダイナミッ
クレンジを拡大する。 【解決手段】 画素20ごとに設けられたマイクロレン
ズ70にて入射光をフォトダイオード30上に合焦す
る。また、マイクロレンズ70間の間隙80を通過した
入射光が垂直CCD40に受光される。垂直CCD40
はフォトダイオード30に対して感度が低く、フォトダ
イオードが飽和してもまだ飽和しない。垂直CCD40
によって高強度の光に対する飽和レベルを高めることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イメージセンサの
分野に関し、より詳細には高レベルの光を捉える垂直電
荷結合素子と低レベルの光を捉えるフォトダイオードと
を有し、ダイナミックレンジを拡大するイメージセンサ
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般的なインターラインCCD(電荷結
合素子)は、入射光を捉え、捉えた像を表す電子を生成
する複数の感光領域を含む。CCDは、当業界では周知
のように、この感光領域にそれぞれ隣接して設けられ、
感光領域で生成された電子を受け取り、この電子を他の
回路に搬送する複数の電荷結合素子をさらに含む。複数
の金属遮蔽層がこの複数の電荷結合素子をそれぞれ被覆
し、電荷結合素子が入射光にさらされるのを防ぐ。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】現在知られ、かつ利用
されているインターラインCCDは納得のいくものでは
あるが、改良は常に望ましい。これに関し、感光領域が
飽和した際に失われる高レベルの光を捉えることが望ま
しい場合がある。
【0004】したがって、上記の改良を含むインターラ
インCCDが望まれている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
一つ以上解決することを目的とする。簡単に要約する
と、本発明の一態様によれば、イメージセンサであっ
て、光に対して第1の感度を有して第1感度領域を形成
する複数の感光領域と、前記感光領域にそれぞれ隣接
し、光に対して第2の感度を有して第2感度領域を形成
し、該第2感度領域は前記第1感度領域より光に対して
感度が低く、前記第1感度領域の飽和後に飽和する、複
数の電荷結合素子と、前記第1感度領域から前記第2の
感度領域への電子の移動を可能にする第1の転送機構
と、をそれぞれが備える複数の画素と、前記複数の電荷
結合素子を通過して電子を移動させる第2の転送機構
と、を備えるイメージセンサが提供される。
【0006】本発明の、上記及び他の態様、目的、特徴
及び効果は、以下の好ましい実施形態の詳細な説明及び
請求の範囲により、さらに添付の図面を参照してより明
らかに理解される。
【0007】
【発明の実施の形態】図1及び図2を参照すると、本発
明のインターライン電荷結合素子(CCD)10の一部
を表す平面図が示される。インターラインCCD10
は、複数の画素20を含む。各画素20は、入射光を集
光するフォトダイオード30を含み、この入射光が、捉
えた像を表す電子に変換される。各画素20は、フォト
ダイオード30にそれぞれ隣接して設けらる複数の垂直
CCD40を含み、これらの垂直CCD40は、フォト
ダイオード30から電子を受取り、他の周知の回路に搬
送する。トランスファーゲート45が、この電子をフォ
トダイオード30から垂直CCD40に転送する。
【0008】2相CCDの場合、2つのゲート50が垂
直CCD40を実質的に覆って配置される。これらの垂
直CCDは、所定の順序でクロックに従って、電子を他
の周知の回路に送る。当業者であれば、当業界で周知の
ように、他の設計的な選択として2つより多いゲート5
0を使用できることが理解できるであろう。
【0009】図3には、図1及び図2には示されていな
い種々の要素を含む、本発明のインターラインCCD1
0が示されている。すなわち、カラーフィルタアレイ6
0が画素20を覆って設けられ、これは光が通過するフ
ィルタに応じて、異なる色内容をフォトダイオードに与
える。例えば、ベイヤー配列では、アレイ60はレッ
ド、グリーン、ブルー(RGB)の所定のパタン及び色
内容を有する。複数のマイクロレンズがそれぞれフォト
ダイオード30に対して所定の並びに配置され、入射光
を各フォトダイオード30に集束させる。製造時の制限
により、マイクロレンズ70間には必然的に間隙80が
生じる。よって、マイクロレンズ70によって捉えられ
ない光はこの間隙80、カラーフィルタ60、ゲート5
0を通過し、最終的に各垂直CCD40に達する。CC
D40は、隣接するフォトダイオード30ほど速くは飽
和しないので、結果として、CCD40が高レベルの光
を捉え、フォトダイオードが低レベルの光を捉える。C
CD40に蓄積された電荷は、フォトダイオード30に
蓄積された電荷がCCD40に転送される前に読み出さ
れる。その後、CCD40に転送された電荷も読み出さ
れる。
【0010】垂直CCD40に蓄積した電荷を、フォト
ダイオード30から垂直CCD40への電荷の転送に先
立って読み出すことにより、各画素に対して2つの情報
を得ることができる。垂直CCD40は利用できる光の
一部のみを受光するので、垂直CCD40を使用して、
隣接するフォトダイオード30が飽和する点を超える
「高レベルの光」を回収することができ、デバイスのダ
イナミックレンジが事実上拡大する。
【0011】図4を参照すると、上記のインターライン
CCD10は、任意の適当な撮像装置90に使用でき
る。この撮像装置90は、例えばディジタルカメラなど
でもよいがこれに限定されない。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、高レベルの光を電荷結
合素子によって捉えることにより、イメージセンサのダ
イナミックレンジを拡大することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のインターラインCCDの平面図であ
り、紙面手前の部分(マイクロレンズ及びカラーフィル
タアレイ)は明瞭に示されていない。
【図2】 図1のインターラインCCDの正面断面図で
ある。
【図3】 インターラインCCDと上方部分(マイクロ
レンズ及びカラーフィルタアレイ)のいずれをも示す正
面断面図である。
【図4】 インターラインCCDが使用できる撮像装置
を示す図である。
【符号の説明】
10 インターラインCCD、20 画素、30 フォ
トダイオード、40垂直CCD、45 トランスファゲ
ート、50 ゲート、60 カラーフィルタアレイ、7
0 マイクロレンズ、80 間隙、90 撮像装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリストファー パークス アメリカ合衆国 ニューヨーク ロチェス ター ケンタッキー クロッシング 113 Fターム(参考) 4M118 AA02 AB01 BA13 CA03 CA08 DB09 FA06 FA33 GC08 GD04 5C024 CX43 EX43 GX03 GY04

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 イメージセンサであって、 (a1)光に対して第1の感度を有し、第1感度領域を
    形成する複数の感光領域と、 (a2)それぞれが、前記感光領域に隣接し、光に対し
    て第2の感度を有して第2感度領域を形成し、該第2感
    度領域は前記第1感度領域より光に対して感度が低く、
    前記第1感度領域の飽和後に飽和する、複数の電荷結合
    素子と、 (a3)前記第1の感度領域から前記第2の感度領域へ
    の電子の移動を可能にする第1の転送機構と、 をそれぞれが備える(a)複数の画素と、 (b)前記複数の電荷結合素子を通過して電子を移動さ
    せる第2の転送機構と、 を備えるイメージセンサ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載のイメージセンサであっ
    て、複数のマイクロレンズをさらに備え、該複数のマイ
    クロレンズは、第1焦点が前記第1感度領域上にあり、
    前記マイクロレンズ間の領域が前記第2感度領域上に位
    置し、前記レンズにより集束されない光が前記第2感度
    領域に達するように配置されている、イメージセンサ。
  3. 【請求項3】 画像を撮影する撮像装置であって、 (i)光に対して第1の感度を有して第1感度領域を形
    成する複数の感光領域と、 (ii)それぞれが、前記感光領域に隣接し、光に対し
    て第2の感度を有して第2感度領域を形成し、該第2感
    度領域は前記第1感度領域より光に対して感度が低く、
    前記第1感度領域の飽和後に飽和する、複数の電荷結合
    素子と、 (iii)前記第1の感度領域から前記第2の感度領域
    への電子の移動を可能にする第1の転送機構と、 をそれぞれが備える(a1)複数の画素と、 (a2)前記複数の電荷結合素子を通過して電子を移動
    させる第2の転送機構と、 を含む(a)イメージセンサを備える撮像装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019097839A1 (ja) * 2017-11-15 2020-12-03 株式会社カネカ 光電変換素子および光電変換装置

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6909554B2 (en) * 2000-12-27 2005-06-21 Finisar Corporation Wafer integration of micro-optics
JP4136611B2 (ja) * 2002-11-07 2008-08-20 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
JP4264251B2 (ja) * 2002-12-09 2009-05-13 富士フイルム株式会社 固体撮像装置とその動作方法
US7105793B2 (en) * 2003-07-02 2006-09-12 Micron Technology, Inc. CMOS pixels for ALC and CDS and methods of forming the same
US20050109916A1 (en) * 2003-11-21 2005-05-26 Eastman Kodak Company Large pixel micro-lens
JP2005268356A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像素子
US7276720B2 (en) * 2004-07-19 2007-10-02 Helicos Biosciences Corporation Apparatus and methods for analyzing samples
US20060012793A1 (en) * 2004-07-19 2006-01-19 Helicos Biosciences Corporation Apparatus and methods for analyzing samples
JP4882224B2 (ja) * 2004-11-26 2012-02-22 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US20060286566A1 (en) * 2005-02-03 2006-12-21 Helicos Biosciences Corporation Detecting apparent mutations in nucleic acid sequences
JP5584982B2 (ja) * 2009-02-09 2014-09-10 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
US7964840B2 (en) * 2008-06-19 2011-06-21 Omnivision Technologies, Inc. High dynamic range image sensor including polarizer and microlens
US20100149379A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-17 Summa Joseph R Image sensor with three-dimensional interconnect and ccd
JP5422362B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-19 株式会社東芝 固体撮像装置
US20130258144A1 (en) * 2012-03-28 2013-10-03 Omnivision Technologies, Inc. System, apparatus and method for dark current correction

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175471A (ja) 1991-12-26 1993-07-13 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP3273080B2 (ja) * 1992-10-30 2002-04-08 シャープ株式会社 固体撮像装置
KR0183761B1 (ko) * 1995-11-29 1999-03-20 김광호 고체촬상소자 및 그 제조방법
JPH09252107A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Sony Corp 固体撮像装置
JP2917920B2 (ja) * 1996-06-27 1999-07-12 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JPH10270672A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sony Corp 固体撮像素子
JP4384288B2 (ja) * 1999-05-27 2009-12-16 オリンパス株式会社 焦点検出装置
US6433326B1 (en) * 1999-07-14 2002-08-13 Sarnoff Corporation CMOS/CCD line transfer imager with low dark current

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019097839A1 (ja) * 2017-11-15 2020-12-03 株式会社カネカ 光電変換素子および光電変換装置
JP7163307B2 (ja) 2017-11-15 2022-10-31 株式会社カネカ 光電変換素子および光電変換装置

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