KR0183761B1 - 고체촬상소자 및 그 제조방법 - Google Patents
고체촬상소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0183761B1 KR0183761B1 KR1019950044907A KR19950044907A KR0183761B1 KR 0183761 B1 KR0183761 B1 KR 0183761B1 KR 1019950044907 A KR1019950044907 A KR 1019950044907A KR 19950044907 A KR19950044907 A KR 19950044907A KR 0183761 B1 KR0183761 B1 KR 0183761B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photodiode
- solid state
- image pickup
- pickup device
- state image
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 27
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 claims abstract description 3
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 claims abstract description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
고체촬상소자 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 제1광다이오드와 제1광다이오드 보다 전위 우물이 깊고 광감도가 낮은 제2광다이오드로 구성되는 수광부 및 제1광다이오드에 축적되는 전하를 전송소자가 전달하는 제1전달게이트와 제2광다이오드에 축척되는 전하를 전송소자로 전달하는 제2전달게이트로 구성되는 전달부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 넓은 다이나믹 범위를 가질 수 있다.
Description
제1도는 종래의 고체촬상소자의 수광부 및 전달부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
제2도는 종래의 고체촬상소자의 조도에 따른 출력을 나타내는 그래프이다.
제3도는 본 발명에 의한 고체촬상소자의 수광부 및 전달부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
제4도는 본 발명의 고체촬상소자를 구성하는 수광부와 전달부의 전위분포도이다.
제5도는 본 발명에 의한 고체촬상소자의 조도에 따른 출력을 나타내는 그래프이다.
본 발명은 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 수광부를 두 개의 광다이오드로 구성하는 고체촬상소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
전하결합소자(Charge Coupled Device)형 고체촬상소자는, 크게, 수광부, 전달부 및 출력부로 구성된다.
제1도는 종래의 고체촬상소자의 수광부 및 전달부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
수광부는 광다이오드(12)로 구성되고, 전달부는 전달게이트(18), 채널층(10) 및 제1 및 제2게이트전극(14 및 16)으로 구성된다.
광다이오드(12)는 외부 광원으로부터 광을 수광하여 이를 전하로 바꾸는 역할을 하고, 전달게이트(18)은 광다이오드(12)에 축적된 전하를 채널층(10)으로 전달하는 역할을 하며, 채널층(10)에 전달된 전하는 제1 및 제2게이트전극(14 및 16)에 인가되는 클럭펄스에 의해 일정방향으로 전송된다.
이때, 광다이오드(12)로 포화조도 이상의 광이 수광되면, 포화조도 이상으로 발생하는 전자는 오버플로우 드레인(OverFlow Drain : 이하 OFD라 칭함) 동작에 의해 기판으로 넘쳐서 채널층(10)으로 전달되는 출력은 항상 일정한 수준(포화 신호량)이 된다. 따라서, 포화 조도 이상의 광에 대해 동일한 출력을 내어, 포화 조도 이상의 정보를 채널층에 주지 않으므로 다이나믹 범위(dynamic range)가 제한을 받게 된다.
제2도는 종래의 고체촬상소자의 조도에 따른 출력을 나타내는 그래프이다.
상기 제2도의 그래프에 의하면, 광이 포화조도 이상으로 수광되더라도 포화신호량 이상의 신호는 채널층으로 전달되지 않는다는 것을 알 수 있다.
광다이오드의 용량을 높여 포화조도를 더 높이게 되면 전달게이트의 취급 능력에 제한을 받게 된다.
본 발명의 목적은 저조도에서는 급한 기울기를 갖는 출력으로 고감도를 나타내고, 고조도에서는 완만한 기울기를 갖는 출력으로 다이나믹 범위를 넓힐 수 있는 고체촬상소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 고체촬상소자를 제조하는 일 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 고체촬상소자는, 제1광다이오드와 상기 제1광다이오드보다 전위 우물이 깊고 광감도가 낮은 제2광다이오드로 구성되는 수광부; 및 상기 제1광다이오드에 축적되는 전하를 전송소자로 전달하는 제1전달게이트와 상기 제2광다이오드에 축척되는 전하를 전송소자로 전달하는 제2전달게이트로 구성되는 전달부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 고체촬상소자에 있어서, 상기 제2광다이오드에 도핑되어 있는 불순물이온의 농도는 상기 제1광다이오드에 도핑되어 있는 불순물이온의 농도보다 높은 것이 바람직하다.
본 발명의 고체촬상소자에 있어서, 상기 제2광다이오드는 상기 제1광다이오드 보다 작은 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 의한 고체촬상소자의 제조방법은, 제1광다이오드와 상기 제1광다이오드 보다 전위 우물이 깊고 광감도가 낮은 제2광다이오드로 구성되는 수광부와 상기 제1광다이오드에 축적되는 전하는 전송소자로 전달하는 제1전달게이트와 상기 제2광다이오드에 축척되는 전하는 전송소자로 전달하는 제2전달게이트로 구성되는 전달부를 갖는 고체촬상소자에 있어서, 그 촛점이 상기 제1광다이오드에 맞춰지도록 마이크로 렌즈를 형성하는 특징으로 한다.
본 발명에 의한 고체촬상소자의 제조방법에 있어서, 상기 제2광다이오드는 상기 제1광다이오드에 도핑되어 있는 불순물이온의 농도보다 더 높은 농도를 갖는 불순물이온을 도핑하는 것에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 고체촬상소자의 제조방법에 있어서, 상기 제2광다이오드는 상기 제1광다이오드 보다 작도록 형성되는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의한 고체촬상소자 및 그 제조방법에 의하면, 포화조도 이상에서도 저감된 감도로 빛의 세기에 따라 증가하는 출력을 냄으로써 다이나믹 범위를 넓힐 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 더욱 자세하게 설명하고자 한다.
제3도는 본 발명에 의한 고체촬상소자의 수광부 및 전달부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
본 발명에 의한 고체촬상소자는, 종래와 같이, 크게, 수광부, 전달부 및 출력부로 구성된다. 상기 제3도에서는 출력부는 도시되지 않았다.
[수광부]
제1광다이오드(22) 및 상기 제1광다이오드(22) 보다 전위 우물이 깊고 단위 면적당 수광량이 적은 구조로 된 제2광다이오드(24)로 구성된다.
상기 제2광다이오드(24)는 상기 제1광다이오드(22)에 비해 면적이 작고, 그 내부에 도핑되어 있는 불순물의 농도는 상기 제1광다이오드(22)의 농도 보다 크다.
온-칩(on-chip)형 마이크로 렌즈의 촛점은 상기 제1광다이오드(22)에 맞춰서 제2광다이오드(24)에 입사되는 광량이 상기 제1광다이오드(22)에 입사되는 광량 보다 작도록 한다.
[전달부]
상기 제1광다이오드(22)에 축적된 전하를 채널층(20)으로 전달하는 제1전달게이트(30a), 상기 제2광다이오드(24)에 축적된 전하를 채널층(20)으로 전달하는 제2전달게이트(30b), 상기 두 개의 전달게이트로부터 전달된 전하는 전송하는 채널층(20) 및 상기 전하의 전송을 위해 클럭펄스가 가해지는 제1 및 제2게이트전극(26 및 28)로 구성된다.
이하, 본 발명에 의한 고체촬상소자의 동작원리를 설명하고자 한다.
경우 1. 포화조도로 보다 적은 조도의 광이 입사될 때
제4도는 본 발명의 고체촬상소자를 구성하는 수광부와 전달부의 전위분포도로서, 포화조도 보다 적은 고도의 광이 입사될 때의 전위분포를 보여준다.
상기 제4도에 있어서, a는 제1광다이오드(제3도의 도면부호 22)에서의 전위우물을, b는 제2광다이오드(제3도의 도면부호 24)에서의 전위우물을, 그리고 c 제1 및 제2전달게이트(30a 및 30b)에서의 전위우물을 나타낸다.
제2광다이오드(24)에서 전하가 발생해도 상기 제2광다이오드의 전위우물(b)의 깊이가 제2전달게이트(30b)의 온(ON) 상태의 전위(Vs)보다 낮아 전하는 제2전달게이트를 통과하지 못한다. 즉, 필드 쉬프트(field shift)를 해도 제2광다이오드(24)에서는 전혀 신호가 나오지 않게 되는 이른바 이미지 랙(image lag) 현상이 되어 출력신호에 기여하지 못한다.
제2광다이오드(24)에 축적된 전하는 OFD의 전자 셔터(shutter) 동작에 의해 매 필드마다 제거된다. 따라서 출력은 제1광다이오드(22) 발생한 전하만이 기여하게 된다(제5도의 f 참조).
경우 2. 포화조도 보다 많은 조도의 광이 입사될 때
제1광다이오드(22)는 포화되어 포화신호량을 출력한다 (제5도의 b 참조). 즉, 제1광다이오드(22)에서는 포화신호량 이상의 정보가 출력되지 않는다. 그러나, 제2광다이오드(24)에서는 전하가 계속 발생하여 제2광다이오드(24)의 전위우물의 깊이가 제2전달게이트(30b)의 온 상태의 전위보다 얕게 되도록 한다.
필드-쉬프트를 할 때에는, 전달게이트의 온 상태의 전위 보다 깊은 곳의 전위우물에 축적된 전하는 그대로 제2광다이오드(24)에 남아서 나중에 OFD로 배출되고, 그 초과분만 전달게이트를 통해 채널층(20)에 전달된다. 이러한 초과분의 전하는 포화조도 이상에서의 조도에 대한 정보를 나타내게 된다.
따라서, 채널층(20)에 전달되는 전체 신호량은 제1광다이오드(22)에서 발생한 포화 신호량과 제2광다이오드(24)에서 전달된 포화조도 초과분이 더해지게 된다 (제5도의 a 참조).
제5도는 본 발명에 의한 고체촬상소자의 조도에 따른 출력을 나타내는 그래프이다.
a는 채널층(20)에 실제로 전달되는 전하를, b는 제1광다이오드(22)에서 포화된 전하를, c는 제2광다이오드(24)에서 발생한 전하를, d는 제2광다이오드(24)에서 전달된 전하를, e는 제2광다이오드(24)에서 남겨지는 전하를 그리고 f는 제1광다이오드(22)에서 발생하여 채널층(20)으로 전달되는 전하를 나타낸다.
따라서, 본 발명에 의한 고체촬상소자 및 그 제조방법에 의하면, 제2광다이오드의 수광량이 적기 때문에 포화조도 이상에서는 조도에 따른 출력의 기울기가 줄어들어서 전달단의 용량을 초과하지 않고도 높은 조도에 대한 정보를 나타낼 수 있으므로 넓은 다이나믹 범위를 가질 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 실시 가능함은 명백하다.
Claims (4)
- 제1광다이오드와, 상기 제1광다이오드와 분리되어 있고 상기 제1광다이오드 보다 전위 우물이 깊고 광감도가 낮은 제2광다이오드로 구성되어 있는 수광부 ; 및 상기 제1광다이오드에 축적되는 전하를 전송소자로 전달하는 제1전달게이트와, 상기 제2광다이오드에 축적되는 전하를 전송소자로 전달하는 제2전달게이트로 구성되는 전달부를 구비하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제2광다이오드에 도핑되어 있는 불순물이온의 농도는 상기 제1광다이오드에 도핑되어 있는 불순물이온의 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제2광다이오드는 상기 제1광다이오드 보다 작은 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
- 제1항에 있어서, 그 촛점이 상기 제1광다이오드에 맞춰지도록 형성된 마이크로 렌즈를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950044907A KR0183761B1 (ko) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
JP8316407A JPH09181976A (ja) | 1995-11-29 | 1996-11-27 | 固体撮像素子 |
US08/758,045 US5714753A (en) | 1995-11-29 | 1996-11-27 | Solid state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950044907A KR0183761B1 (ko) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970030868A KR970030868A (ko) | 1997-06-26 |
KR0183761B1 true KR0183761B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19436549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950044907A KR0183761B1 (ko) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5714753A (ko) |
JP (1) | JPH09181976A (ko) |
KR (1) | KR0183761B1 (ko) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3440722B2 (ja) * | 1996-09-20 | 2003-08-25 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラ |
US7199410B2 (en) * | 1999-12-14 | 2007-04-03 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Pixel structure with improved charge transfer |
US6815791B1 (en) * | 1997-02-10 | 2004-11-09 | Fillfactory | Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes |
US6972794B1 (en) * | 1999-06-15 | 2005-12-06 | Micron Technology, Inc. | Dual sensitivity image sensor |
US6809768B1 (en) * | 2000-02-14 | 2004-10-26 | Foveon, Inc. | Double slope pixel sensor and array |
US7623168B2 (en) * | 2000-07-13 | 2009-11-24 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus to extend the effective dynamic range of an image sensing device |
US6909461B1 (en) * | 2000-07-13 | 2005-06-21 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus to extend the effective dynamic range of an image sensing device |
JP4050906B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2008-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
US6777661B2 (en) * | 2002-03-15 | 2004-08-17 | Eastman Kodak Company | Interlined charge-coupled device having an extended dynamic range |
JP2004048561A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 撮像装置及び測光装置 |
US7489352B2 (en) * | 2002-11-15 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (APS) |
JP4264251B2 (ja) * | 2002-12-09 | 2009-05-13 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその動作方法 |
JP4051701B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2008-02-27 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像素子の欠陥画素補正方法及び撮影装置 |
US7430011B2 (en) * | 2003-01-22 | 2008-09-30 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor having dual automatic exposure control |
JP4307862B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2009-08-05 | 富士フイルム株式会社 | 信号処理方法、信号処理回路、及び撮像装置 |
US7808022B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-10-05 | Cypress Semiconductor Corporation | Cross talk reduction |
US7750958B1 (en) | 2005-03-28 | 2010-07-06 | Cypress Semiconductor Corporation | Pixel structure |
DE102005049228B4 (de) * | 2005-10-14 | 2014-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Detektor mit einem Array von Photodioden |
WO2007083704A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | National University Corporation Shizuoka University | 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法 |
US20070285547A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Milligan Edward S | CMOS image sensor array optimization for both bright and low light conditions |
US7825966B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-11-02 | Omnivision Technologies, Inc. | High dynamic range sensor with blooming drain |
JP4954905B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2012-06-20 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置とその動作方法 |
US8476567B2 (en) | 2008-09-22 | 2013-07-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | Active pixel with precharging circuit |
GB201011640D0 (en) * | 2010-07-12 | 2010-08-25 | Univ Sheffield | Radiation detection and method |
GB201102478D0 (en) | 2011-02-11 | 2011-03-30 | Isdi Ltd | Radiation detector and method |
GB2525625B (en) | 2014-04-29 | 2017-05-31 | Isdi Ltd | Device and method |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5648654A (en) * | 1995-12-21 | 1997-07-15 | General Electric Company | Flat panel imaging device with patterned common electrode |
-
1995
- 1995-11-29 KR KR1019950044907A patent/KR0183761B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-11-27 US US08/758,045 patent/US5714753A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-11-27 JP JP8316407A patent/JPH09181976A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5714753A (en) | 1998-02-03 |
KR970030868A (ko) | 1997-06-26 |
JPH09181976A (ja) | 1997-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR0183761B1 (ko) | 고체촬상소자 및 그 제조방법 | |
KR970007711B1 (ko) | 오버-플로우 드레인(ofd)구조를 가지는 전하결합소자형 고체촬상장치 | |
US6555842B1 (en) | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer | |
US4498013A (en) | Solid state image sensor exhibiting reduced image smearing effects | |
US5532743A (en) | Solid-state image pickup device | |
JP5316606B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JPH10209422A (ja) | 固体画像センサ用の部分的ピン止めフォトダイオード | |
KR20060046795A (ko) | 고체 촬상소자 및 제작방법과 카메라 | |
US7781719B2 (en) | High sensitivity and high dynamic-range CMOS image sensor pixel structure with dynamic C-V characteristics | |
US6259124B1 (en) | Active pixel sensor with high fill factor blooming protection | |
US5614950A (en) | CCD image sensor and method of preventing a smear phenomenon in the sensor | |
KR101588907B1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
EP1857634B1 (en) | A variably responsive photosensor | |
KR100373342B1 (ko) | 전하 역류를 억제할 수 있는 이미지 센서 | |
KR20060075721A (ko) | 씨모스 이미지 센서의 포토다이오드 및 그 제조방법 | |
JPS59217358A (ja) | 電荷結合撮像デバイス | |
JPH03240379A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4867160B2 (ja) | 光電変換素子及び光電変換装置 | |
KR960001349B1 (ko) | 고체영상 픽업소자 | |
JP5544912B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
KR100263469B1 (ko) | 고체 촬상 소자의 제조 방법 | |
US7344911B2 (en) | CMOS image sensor and method for fabricating the same | |
JPH01500471A (ja) | ホトダイオードを用いたイメージセンサのための電子シャッタ | |
KR100783791B1 (ko) | 넓은 동적범위를 갖는 이미지센서 | |
KR100275126B1 (ko) | 온-트랜스퍼 포토다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121130 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131129 Year of fee payment: 16 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |