JP2003298030A

JP2003298030A - 張り合わせ基板およびその製造方法

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Publication number: JP2003298030A
Application number: JP2002096195A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Oi; 浩之大井; Hitoshi Okuda; 仁奥田; Tomoko Onodera; 朋子小野寺
Original assignee: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2002-03-29
Filing date: 2002-03-29
Publication date: 2003-10-17

Abstract

(57)【要約】【課題】活性層の外周部の研磨ダレを抑制し、平坦度
が高まり、デバイス形成面積が拡大する張り合わせ基板
およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜１０ａ，３０ａで覆われ
た張り合わせウェーハ３０の活性層用ウェーハ１０のデ
バイス形成面を、外周部に段差がない状態で研削、研磨
し、薄膜の活性層１０Ａを得る。これにより、研磨時、
研磨布の圧力分布による研磨ダレが生じにくい。しか
も、外周部の若干の研磨ダレは、次工程のドライエッチ
ングで除去される。結果、活性層１０Ａの外周部の平坦
度が高まり、デバイス形成面積が拡大する。また、この
活性層１０Ａの外周部の除去に等方性エッチングのドラ
イエッチングを採用したので、活性層１０Ａの外周縁面
がなめらかになる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は張り合わせ基板お
よびその製造方法、詳しくは活性層用ウェーハの外周研
削工程が不要な張り合わせ基板およびその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】２枚のシリコンウェーハを張り合わせた
張り合わせ基板の一種として、張り合わせＳＯＩ基板が
知られている。これは、デバイス作製用の活性層用ウェ
ーハと、これを裏側から支持する支持基板用ウェーハと
の間に、厚さ数μｍの埋め込み酸化膜（シリコン酸化
膜）が埋め込まれた張り合わせＳＯＩ基板である。この
ような張り合わせＳＯＩ基板の製造方法の一種として、
活性層用ウェーハの外周部を研削する外周研削時に、そ
のウェーハ外周部を完全に削り取らず若干量を残してお
き、その後、この削り残し部分をアルカリ性エッチング
液によって除去し、次いでこの外周研削された活性層用
ウェーハに、表面研削および表面研磨を順次施す方法が
知られている。これは、外周研削による活性層用ウェー
ハの外周部の段差を小さくすることで、この段差の存在
によって表面研磨時に発生する研磨布の圧力分布（活性
層用ウェーハの中央部の研磨部分より、ウェーハ外周部
の研磨部分の方が圧力が大きくなる現象）を抑えるた
め、開発されたものである。

【０００３】以下、図３に基づき、従来の張り合わせＳ
ＯＩ基板の製造方法の工程を順次説明する。図３は、従
来手段に係る張り合わせＳＯＩ基板の製造方法を示すフ
ローシートである。すなわち、まずＣＺ法またはＦＺ法
により引き上げられた単結晶シリコンインゴットをスラ
イスし、研磨して、鏡面に仕上げられた２枚のシリコン
ウェーハ１０１，１０２を用意する（図３（ａ））。こ
のとき、必要に応じて研削工程を付加してもよい。この
うち、一方のシリコンウェーハである活性層用ウェーハ
１０１は、熱酸化炉に挿入して熱酸化処理され、その露
出面の全体に絶縁性のシリコン酸化膜１０１ａが形成さ
れる（図３（ｂ））。このとき、活性層用ウェーハ１０
１の代わりに支持基板用ウェーハ１０２を熱酸化処理
し、その露出面の全体に絶縁性のシリコン酸化膜を形成
してもよい。または、活性層用ウェーハ１０１と支持基
板用ウェーハ１０２との両方を熱酸化処理し、それぞれ
の露出面の全体に絶縁性のシリコン酸化膜を形成しても
よい。

【０００４】次いで、この活性層用ウェーハ１０１と、
他方のシリコンウェーハである支持基板用ウェーハ１０
２とを常温で重ね合わせて張り合わせウェーハ１０３を
作製する。これにより、２枚のウェーハ１０１，１０２
の間に埋め込み酸化膜１０１ｂが現出される。その後、
この張り合わせウェーハ１０３に所定の張り合わせ熱処
理を施す（図３（ｃ））。その結果、張り合わせウェー
ハ１０３の露出面全体にシリコン酸化膜１０３ａが形成
される。このとき、活性層用ウェーハ１０１は、あらか
じめシリコン酸化膜１０１ａにより覆われているので、
この張り合わせ熱処理の熱により酸化膜が成長して厚く
なる。図３（ｃ）では、便宜上、活性層用ウェーハ１０
１の酸化膜を、シリコン酸化膜１０１ａとシリコン酸化
膜１０３ａとに分離した状態で図示する。次に、互いに
面取りされた両ウェーハ１０１，１０２の外周部形状に
起因した張り合わせ不良領域を除去するため、活性層用
ウェーハ１０１の外周部が研削される（図３（ｄ））。
この外周研削は、張り合わせ界面付近までに止められ
る。その結果、ウェーハ外周部に若干量の削り残し部分
１０１ｃが現出される。

【０００５】この削り残し部分１０１ｃは、続くアルカ
リエッチ工程で除去される（図３（ｅ））。すなわち、
張り合わせウェーハ１０３が、アルカリ性エッチング液
と接触し、削り残し部分１０１ｃが溶失される。こうし
て、支持基板用ウェーハ１０２の張り合わせ側の面の外
周部が露出される。以下、この部分をテラス部という。
その後、このテラス部に残ったシリコン酸化膜１０１
ａ，１０３ａの削り残し部分が必要に応じて除去され
る。次に、活性層用ウェーハ１０１の表面を研削し、さ
らに鏡面研磨することで、活性層１０１Ａがその裏面側
から支持基板用ウェーハ１０２により支持された張り合
わせＳＯＩ基板が作製される（図３（ｆ））。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、この従来の
張り合わせＳＯＩ基板の製造方法にあっては、図３
（ｆ）に示す鏡面研磨工程において、活性層用ウェーハ
１０１の露出面は、その鏡面研磨されるウェーハ表面
（デバイス形成面）と、外周研削されたウェーハ外周部
との間に段差が生じることになる。そのため、例えば図
示しないバッチ式のワックス研磨時において、複数枚の
張り合わせウェーハ１０３をキャリアプレートにワック
ス貼着し、各活性層用ウェーハ１０１の表面を鏡面研磨
するとき、活性層用ウェーハ１０１が押し付けられる研
磨布の圧力分布によって、ウェーハ外周部に研磨ダレが
発生しやすかった。この圧力分布により、活性層１０１
Ａの外周部がダレてしまい、活性層１０１Ａの外周部の
厚さの精度が低下し、さらにはこの活性層１０１Ａのデ
バイス形成面積も縮小していた。前記研磨方法として
は、そのほか、枚葉式のワックス研磨、ウェーハ保持孔
付きのテンプレートと水に浸したバックパッドとを利用
するワックスレス研磨（枚葉式またはバッチ式）を採用
してもよい。さらには、真空ポンプによる負圧力を利用
して張り合わせウェーハ１０３を研磨ヘッドに真空吸着
した研磨（枚葉式またはバッチ式）を採用してもよい。

【０００７】また、活性層１０１Ａの外周縁面は、ＯＦ
（オリエンテーションフラット）またはノッチを基準に
して周方向に向かって９０度の倍数（９０度、１８０
度、２７０度）の付近以外、結晶方位は均一ではない。
具体的には、例えばデバイス形成面が（１００）面の活
性層１０１Ａによると、ＯＦまたはノッチに対して９０
度の倍数の部分は［０１１］の結晶方位となるものの、
その他の部分は結晶方位が不揃いである。そのため、活
性層１０１Ａの外周部を、ＫＯＨなどのアルカリ性エッ
チング液で異方性エッチングすると、この活性層１０１
Ａの外周縁面のうち、その層周方向の結晶方位が均一で
ない領域に、インデント（ノコギリ歯状のギザギザ）が
発生していた。

【０００８】

【発明の目的】この発明は、活性層の外周部の研磨ダレ
を抑制し、ウェーハの平坦度を高めることができ、活性
層のデバイス形成面積の拡大を図ることができ、しかも
製造工程数を削減することができる張り合わせ基板およ
びその製造方法を提供することを、その目的としてい
る。また、この発明は、活性層の外周縁面をその全周に
わたってなめらかにすることができる張り合わせ基板の
製造方法を提供することを、その目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、活性層と、これを裏面側から支持する支持基板用ウ
ェーハとが張り合わされた張り合わせ基板において、前
記活性層の外周部のデバイス形成面が、前記支持基板用
ウェーハの張り合わせ面と略平行な張り合わせ基板であ
る。

【００１０】張り合わせ基板としては、例えば活性層と
支持基板用ウェーハとの間に埋め込み酸化膜が介在され
た張り合わせＳＯＩ基板を採用することができる。その
ほか、活性層と支持基板用ウェーハとを、直接、張り合
わせた基板でもよい。酸化膜により覆われるのは活性層
用ウェーハ、支持基板用ウェーハのいずれでもよい。ま
たは、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの両方
でもよい。酸化膜の形成方法は限定されない。例えば、
ドライ酸化、ウェット酸化などを採用することができ
る。活性層の外周部のデバイス形成面が、支持基板用ウ
ェーハの張り合わせ面と略平行であるとは、活性層の外
周部が外方に向かうほど徐々に薄くなる現象であるダレ
が発生していない状態をいう。活性層用ウェーハおよび
支持基板用ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハ
などを採用することができる。酸化膜としては、例えば
シリコン酸化膜などが挙げられる。

【００１１】請求項２に記載の発明は、活性層と、これ
を裏面側から支持する支持基板用ウェーハとが張り合わ
された張り合わせ基板において、前記活性層の外周縁か
ら支持基板用ウェーハの外周縁までの間のウェーハ半径
方向の長さが、１５０〜１０００μｍの張り合わせ基板
である。この活性層の外周縁から支持基板用ウェーハの
外周縁までの範囲は、前記テラス部となる。好ましいテ
ラス部のウェーハ半径方向の長さは２００〜９００μｍ
である。１５０μｍ未満では、活性層用ウェーハと支持
基板用ウェーハとの張り合わせ不良域を十分に除去する
ことができないおそれがある。しかも、表面研磨後、こ
の活性層の外周部をエッチング除去しても、研磨時に発
生した研磨ダレを十分に除去できない可能性がある。ま
た、１０００μｍを超えると、活性層のデバイス形成面
が小さくなる。

【００１２】請求項３に記載の発明は、活性層と、これ
を裏面側から支持する支持基板用ウェーハとが張り合わ
された張り合わせ基板において、前記活性層の外周縁面
が、該活性層のデバイス形成面に対して略直角に形成さ
れている張り合わせ基板である。活性層の外周縁面が、
活性層のデバイス形成面に対して略直角であるとは、活
性層の外周部がテーパ形状ではなく、断面が略直角な層
端面となっていることを意味する。

【００１３】請求項４に記載の発明は、活性層用ウェー
ハと支持基板用ウェーハとを張り合わせる工程と、この
張り合わせウェーハの張り合わせ強度を増強する熱処理
工程と、この張り合わせ強度を増強した張り合わせウェ
ーハの活性層用ウェーハ側に表面研削および表面研磨を
順次施し、該活性層用ウェーハを減厚して活性層とする
工程と、この活性層のデバイス形成面に、その外周部を
除いて保護膜を形成する工程と、この活性層の露出され
た外周部をエッチングする工程と、この活性層から保護
膜を除去する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法
である。活性層用ウェーハおよび支持基板用ウェーハの
張り合わせは、例えば常温により両ウェーハを重ね合わ
せた後、張り合わせ熱処理することで行われる。この張
り合わせ熱処理の加熱温度は８００℃以上、例えば１１
００℃である。張り合わせ熱処理の時間は、例えば２時
間である。熱酸化炉内の雰囲気ガスには酸素などが用い
られる。

【００１４】また、活性層用ウェーハを表面研削する際
には、例えば表面研削砥石による研削が行われる。ま
た、活性層用ウェーハの表面研磨には、各種の研磨装置
が利用される。表面研削の条件および表面研磨の条件
は、それぞれ公知の条件でよい。例えば、表面研削の場
合には＃３６０〜＃２０００番のレジノイド研削砥石を
用いて、ウェーハ残厚が１０〜６０μｍになるまで研削
される。また、表面研磨の場合には、例えばバッチ式の
研磨装置の研磨ヘッドに装着されたキャリアプレート
に、表面研削された張り合わせウェーハを装着し、研磨
液を供給しながら、活性層用ウェーハの研削面を研磨定
盤上の研磨布に押しつけて研磨する。研磨量は４〜４０
μｍである。活性層の厚さは限定されない。例えば厚膜
の活性層の場合には２０〜５０μｍ、好ましくは３０μ
ｍ以下である。また、薄膜の活性層の場合には１〜２０
μｍである。保護膜としては、例えばネガ型またはポジ
型のレジスト膜を採用することができる。エッチング後
の保護膜の除去には、例えば硫酸などの溶剤による除去
を採用することができる。そのほか、プラズマを使った
バレル型アッシャ、ダウンフロー型アッシャなどのプラ
ズマアッシングでもよい。さらには、オゾンを使ったオ
ゾン分解アッシングなどでもよい。

【００１５】エッチングの種類は限定されない。例えば
ＨＦ，ＨＮ₃，ＣＨ₃ＣＯＯＨ，Ｈ₂Ｏ₂，リン酸の混酸液
などを使用する酸エッチングを採用することができる。
そのほか、各種のドライエッチングを採用することがで
きる。また、ウエットエッチングおよびドライエッチン
グは、それぞれ深さ方向のエッチング速度と垂直方向の
エッチング速度とが略等しい等方性エッチングでもよい
し、深さ方向のエッチング速度が、垂直方向のエッチン
グ速度より大きい異方性エッチングでもよい。エッチン
グ後、活性層の外周に残存する酸化膜の除去方法として
は、例えばシリコン酸化膜の場合、ＨＦ洗浄液によるＨ
Ｆ洗浄などが採用される。

【００１６】請求項５に記載の発明は、前記エッチング
がドライエッチングである請求項４に記載の張り合わせ
基板の製造方法である。ドライエッチングとしては、例
えばエッチング室内に反応性ガスを導入し、紫外線、可
視光などをガスまたはウェーハに照射して活性種を発生
させ、エッチングする光励起エッチングを採用すること
ができる。または、反応性ガスプラズマを利用し、主と
して中性活性種の作用によりエッチングが進行するプラ
ズマエッチングを採用することができる。さらには、反
応性ガスプラズマを利用し、ウェーハをエッチング室に
設置された電極上に載置してエッチングする反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ：ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥ
ｔｃｈｉｎｇ）などを採用することができる。

【００１７】

【作用】この発明によれば、酸化膜により覆われた張り
合わせウェーハにおいて、活性層用ウェーハのデバイス
形成面を表面研削、表面研磨して減厚し、薄膜の活性層
を作製する。このときの表面研磨は、活性層用ウェーハ
の外周面に段差が存在しない状態で行われるため、研磨
時に研磨布の圧力分布がほとんど発生せず、研磨ダレは
生じにくい。しかも、活性層用ウェーハの外周部に若干
発生する研磨ダレは、その後の外周部エッチング工程で
除去されるので、結果として得られる張り合わせ基板の
活性層領域を、外周縁付近まで平坦化することができ
る。これにより、大きなデバイス形成面積を確保するこ
とができる。しかも、従来法では必要であった活性層用
ウェーハの外周研削が不要となるので、製造工程数を削
減することもできる。こうして作製された張り合わせ基
板は、活性層の外周部のデバイス形成面が、支持基板用
ウェーハの張り合わせ面と略平行になる。また、活性層
の外周縁から支持基板用ウェーハの外周縁までの間のウ
ェーハ半径方向の長さが、従来の２０００μｍ前後に対
して１５０〜１０００μｍと短い張り合わせ基板とな
る。さらには、ドライエッチングの場合、殊にイオンに
よる物理的スパッタリングが支配的なドライエッチング
の場合には、活性層の外周縁が、支持基板用ウェーハの
張り合わせ面に対して略直角な張り合わせ基板となる。

【００１８】特に、請求項５の発明によれば、活性層の
外周部を、従来のように異方性エッチングとなるアルカ
リエッチングではなく、等方性エッチングとなるドライ
エッチングをするので、活性層の外周縁面のうち、ＯＦ
またはノッチを基準にして、その周方向に向かって９０
度の倍数以外の領域、すなわち結晶方位が均一ではない
領域でも、異方性エッチングに起因するインデントが発
生しない。そのため、活性層の外周縁面をその全周にわ
たってなめらかにすることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。図１は、この発明の一実施例に係る
張り合わせＳＯＩ基板の製造方法を示すフローシートで
ある。図２は、この発明の一実施例に係る半導体ウェー
ハの製造方法に用いられるプラズマエッチング装置の模
式図である。図１に示すように、まずＣＺ法により単結
晶シリコンインゴットの引き上げ、その後、この得られ
た単結晶シリコンインゴットに、ブロック切断、スライ
ス、面取り、鏡面研磨などを施すことで、鏡面仕上げの
活性層用ウェーハ１０を用意する。一方、この活性層用
ウェーハ１０と同じ製法により、同じ厚さ、同一口径の
鏡面仕上げの支持基板用ウェーハ２０を用意する（図１
（ａ））。このうち、活性層用ウェーハ１０は、熱酸化
炉に挿入して熱酸化処理し、その露出面の全体が絶縁性
のシリコン酸化膜１０ａにより覆われる（図１
（ｂ））。

【００２０】その後、両ウェーハ１０，２０の鏡面同士
をクリーンルームの室温下で重ね合わせる（図１
（ｃ））。これにより、張り合わせウェーハ３０が形成
される。この張り合わせにより、活性層用ウェーハ１０
と支持基板用ウェーハ２０との間に介在されたシリコン
酸化膜１０ａの部分が埋め込み酸化膜１０ｂとなる。そ
の後、張り合わせウェーハ３０を、張り合わせ用の熱酸
化炉の石英反応管に挿入し、酸素ガス雰囲気で張り合わ
せ熱処理する。その結果、張り合わせウェーハ３０の露
出面全体がシリコン酸化膜３０ａにより覆われる。よっ
て、活性層用ウェーハ１０の酸化膜厚は厚くなる。この
ときの張り合わせ温度は１１００℃，熱処理時間は２時
間である（同じく図１（ｃ））。

【００２１】次いで、超音波照射によるボイド検査を行
う。それから、良品の張り合わせウェーハ３０について
は、活性層用ウェーハ１０がそのデバイス形成面側から
＃３６０〜＃１５００番のレジノイド研削砥石により厚
さ５００〜６５０μｍだけ表面研削される（図１
（ｄ））。加工後、活性層用ウェーハ１０の残厚は１０
〜６０μｍ程度となる。表面研削後、この活性層用ウェ
ーハ１０の研削面を鏡面研磨して活性層１０Ａを作製す
る。具体的には、図示しない枚葉式またはバッチ式の研
磨装置に装着されたキャリアプレートに、表面研削され
た張り合わせウェーハ３０を装着し、この活性層用ウェ
ーハ１０の研削面を研磨定盤上の研磨布に押しつけ、鏡
面研磨する。ここでの研磨量は５〜１０μｍ程度であ
る。その際、従来の活性層用ウェーハであれば、研磨布
の圧力分布によってウェーハ外周部に研磨ダレが発生す
るおそれがある。しかしながら、ここでは活性層用ウェ
ーハ１０の外周部に段差が存在しないため、ウェーハ外
周部の研磨ダレが抑制される。また、この外周部に存在
する若干の研磨ダレは、次工程のドライエッチにより除
去される。そして、活性層１０Ａの研磨面に、所定のス
クリーンを用いて、ウェーハ外周部（テラス部分）だけ
を露出させ、ハロゲンランプを光源とした露光で、ネガ
型のレジスト膜１２を形成する（図１（ｅ））。

【００２２】次に、この張り合わせウェーハ３０を、図
２に示すプラズマエッチング装置５０の炉内に挿入し、
露出した活性層１０Ａの外周部にプラズマ化学エッチン
グを施す（図１（ｆ））。すなわち、このプラズマエッ
チング装置５０は、高周波電源５１を使用し、エッチン
グガス（例えばＣＦ₄，ＣＨＦ₃，Ａｒの混合ガス）を１
０〜１０００ｃｃ／分でエッチング反応炉内に流しなが
ら、この炉内に配置された断面が下向きコの字形のプラ
ズマ発生電極５２と、張り合わせウェーハ３０の静電チ
ャックを兼用するチャック兼用電極５３との間に、周波
数１３．５６ＭＨｚ、電力１００〜１５００ワットの高
周波電圧を連続的に印加する。これにより、プラズマ発
生電極５２の内部空間で、エッチングガスが励起されて
プラズマ５４が発生する。このエッチングガスがプラズ
マ発生電極５２に達したとき、プラズマ５４のエネルギ
を受けて化学的に活性化する。

【００２３】その後、プラズマ５４により励起されたラ
ジカル種５５が、供給管５６からこのシリコンウェーハ
Ｗの所定位置へと順次供給される。その結果、プラズマ
領域下のシリコンが、１〜２０μｍ／分のエッチングレ
ート、エッチング量１〜５０μｍで、前記活性層用ウェ
ーハ１０の外周部をエッチングする。このように、ここ
ではエッチングとして、従来の異方性エッチングとなる
アルカリエッチングではなく、等方性エッチングとなる
プラズマアシストエッチングを採用している。その結
果、活性層１０Ａの外周縁面のうち、ＯＦまたはノッチ
を基準にして、その周方向に向かって９０度の倍数以外
の領域、すなわち結晶方位が均一ではない領域でも、異
方性エッチングに起因するインデントが発生しない。よ
って、活性層１０Ａの外周縁面をその全周にわたってな
めらかにすることができる。

【００２４】次いで、このレジスト膜１２を硫酸溶液に
浸漬して除去する（同じく図１（ｇ））。こうして、活
性層１０Ａの外周部の露出面が支持基板用ウェーハ２０
の張り合わせ面と略平行で、テラス部のウェーハ半径方
向の長さが１５０〜１０００μｍと短く、しかも活性層
１０Ａの外周縁面が、デバイス形成面に対して略直交し
た張り合わせＳＯＩ基板が得られる。その結果、活性層
１０Ａのデバイス形成面積が拡大される。このように作
製された張り合わせＳＯＩ基板は、その後、洗浄され、
ウェーハケースなどに梱包されてから、デバイスメーカ
に出荷される。

【００２５】

【発明の効果】この発明によれば、酸化膜付きの活性層
用ウェーハのデバイス形成面を表面研磨するとき、活性
層用ウェーハの外周面に段差が存在しない状態で行うた
め、研磨時の研磨布の圧力分布による研磨ダレが生じに
くい。これにより、活性層の平坦度が高まり、大きなデ
バイス形成面積を確保することができる。しかも、従来
法では必須であった活性層用ウェーハの外周研削工程が
不要になり、製造工程数の削減が図れる。

【００２６】特に、請求項５の発明によると、活性層の
外周部のエッチングにドライエッチングを採用したの
で、活性層の外周縁面をその全周にわたってなめらかに
仕上げることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係る張り合わせＳＯＩ基
板の製造方法を示すフローシートである。

【図２】この発明の一実施例に係る半導体ウェーハの製
造方法に用いられるプラズマエッチング装置の模式図で
ある。

【図３】従来手段に係る張り合わせＳＯＩ基板の製造方
法を示すフローシートである。

【符号の説明】

１０活性層用ウェーハ、１０Ａ活性層、１０ａ，３０ａシリコン酸化膜、１０ｂ埋め込み酸化膜、１２レジスト膜（保護膜）、２０支持基板用ウェーハ、３０張り合わせウェーハ。

フロントページの続き (72)発明者小野寺朋子東京都港区芝浦一丁目２番１号三菱住友シリコン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】活性層と、これを裏面側から支持する支
持基板用ウェーハとが張り合わされた張り合わせ基板に
おいて、前記活性層の外周部のデバイス形成面が、前記支持基板
用ウェーハの張り合わせ面と略平行な張り合わせ基板。
【請求項２】活性層と、これを裏面側から支持する支
持基板用ウェーハとが張り合わされた張り合わせ基板に
おいて、前記活性層の外周縁から支持基板用ウェーハの外周縁ま
での間のウェーハ半径方向の長さが、１５０〜１０００
μｍである張り合わせ基板。
【請求項３】活性層と、これを裏面側から支持する支
持基板用ウェーハとが張り合わされた張り合わせ基板に
おいて、前記活性層の外周縁面が、該活性層のデバイス形成面に
対して略直角に形成されている張り合わせ基板。
【請求項４】活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハ
とを張り合わせる工程と、この張り合わせウェーハの張り合わせ強度を増強する熱
処理工程と、この張り合わせ強度を増強した張り合わせウェーハの活
性層用ウェーハ側に表面研削および表面研磨を順次施
し、該活性層用ウェーハを減厚して活性層とする工程
と、この活性層のデバイス形成面に、その外周部を除いて保
護膜を形成する工程と、この活性層の露出された外周部をエッチングする工程
と、この活性層から保護膜を除去する工程とを備えた張り合
わせ基板の製造方法。
【請求項５】前記エッチングがドライエッチングであ
る請求項４に記載の張り合わせ基板の製造方法。