JP2003297751A5 - - Google Patents
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003018377A JP4312466B2 (ja) | 2002-01-28 | 2003-01-28 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002-19286 | 2002-01-28 | ||
JP2002019286 | 2002-01-28 | ||
JP2002-27381 | 2002-02-04 | ||
JP2002027381 | 2002-02-04 | ||
JP2003018377A JP4312466B2 (ja) | 2002-01-28 | 2003-01-28 | 半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005198205A Division JP2005340852A (ja) | 2002-01-28 | 2005-07-07 | 半導体装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003297751A JP2003297751A (ja) | 2003-10-17 |
JP2003297751A5 true JP2003297751A5 (fr) | 2006-03-09 |
JP4312466B2 JP4312466B2 (ja) | 2009-08-12 |
Family
ID=29407496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003018377A Expired - Fee Related JP4312466B2 (ja) | 2002-01-28 | 2003-01-28 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4312466B2 (fr) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006066908A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US7700463B2 (en) | 2005-09-02 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR102103913B1 (ko) * | 2012-01-10 | 2020-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP6781872B2 (ja) | 2016-07-20 | 2020-11-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5886717A (ja) * | 1981-11-18 | 1983-05-24 | Nec Corp | 単結晶シリコン膜形成法 |
JPH02143417A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3150840B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2001-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3216861B2 (ja) * | 1995-04-10 | 2001-10-09 | シャープ株式会社 | 多結晶シリコン膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH11121753A (ja) * | 1997-10-14 | 1999-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000068520A (ja) * | 1997-12-17 | 2000-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜、その製造方法、および製造装置、ならびに半導体素子、およびその製造方法 |
JP2000183351A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP3897965B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2007-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザー装置及びレーザーアニール方法 |
JP4836333B2 (ja) * | 2000-01-28 | 2011-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2001274433A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Japan Steel Works Ltd:The | シリコン膜の結晶化方法及び多結晶シリコン膜の製造方法並びに多結晶シリコン膜を用いたディバイス |
JP5057613B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
JP4683761B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
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2003
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