JP2003293137A - 化学気相成長用原料及び該原料を用いた薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 タンタル化合物とチタニウム化合物との混合
物からなる化学気相成長用原料、及び該化学気相成長用
原料を用いた化学気相成長用法によるチタニウム原子を
添加した酸化タンタル薄膜の製造方法を提供すること。 【解決手段】 下記一般式（I）で表されるタンタル化
合物、下記一般式（II）で表されるチタニウム化合物及
び必要に応じて用いられる有機溶媒からなり、上記タン
タル化合物と上記チタニウム化合物との熱酸化分解温度
の差が絶対値で５０℃未満である化学気相成長用原料。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特定の組成物から
なる化学気相成長（以下、ＣＶＤと記載することもあ
る）用原料及び該ＣＶＤ用原料を用いた特定の薄膜の製
造方法に関し、詳しくは、特定の構造を有するタンタル
化合物及びチタニウム化合物を必須成分として含有する
ＣＶＤ用原料及び該ＣＶＤ用原料を用いたＣＶＤ法によ
るチタニウム原子が添加された酸化タンタル薄膜の製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】酸化タ
ンタルは、比較的高い誘電率を有するので、コンデンサ
やメモリ等のキャパシタ、ゲート等の半導体、電子部品
に応用されている。この酸化タンタルにチタニウム原子
を添加すると誘電率が飛躍的に向上することが、ＮＡＴ
ＵＲＥ・ＶＯＬ３７７ ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ １９９５
に報告されており、チタニウム原子を添加した酸化タン
タルは、更なる高集積化に対応できる薄膜材料として期
待されている。

【０００３】薄膜の製造方法としては、火焔堆積法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法、塗布熱分解
法やゾルゲル法等のＭＯＤ法が挙げられるが、組成制御
性、段差被覆性に優れること、量産化に適すること、ハ
イブリッド集積が可能である等多くの長所を有している
ので、化学気相成長法が最適な製造プロセスである。チ
タニウムを添加した酸化タンタルのＣＶＤ法について
は、米国特許６２２１７１２号明細書で報告されてい
る。

【０００４】上記のＣＶＤ法は、タンタル化合物とチタ
ニウム化合物とを個別に供給する方法であり、原料供給
系が２系列になること、組成制御が困難であること等の
問題を有している。

【０００５】金属供給源化合物を混合した組成物を原料
にしたＣＶＤ法による多成分系の薄膜の製造は、特開平
１０−１１４７８１号公報、特開２００１−２００３６
７号公報、特開２００１−２３４３４３号公報等に報告
されているが、チタニウム原子を添加した酸化タンタル
薄膜の製造について、ＣＶＤ用原料に適合するものはな
かった。

【０００６】従って、本発明の目的は、タンタル化合物
とチタニウム化合物との混合物からなるＣＶＤ用原料、
及び該ＣＶＤ用原料を用いたＣＶＤ法によるチタニウム
原子を添加した酸化タンタル薄膜の製造方法を提供する
ことにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく検討を重ねた結果、特定の構造を各々有す
るタンタル化合物及びチタニウム化合物からなり、且つ
両者の熱酸化分解挙動が類似するものの組み合わせであ
るＣＶＤ用原料が、組成制御性に優れることを知見し、
本発明に到達した。

【０００８】即ち、本発明は、下記一般式（Ｉ）で表さ
れるタンタル化合物、下記一般式（II）で表されるチタ
ニウム化合物及び必要に応じて用いられる有機溶媒から
なり、上記タンタル化合物と上記チタニウム化合物との
熱酸化分解温度の差が絶対値で５０℃未満である化学気
相成長用原料、及び該化学気相成長用原料を用いた化学
気相成長法によるチタニウム原子が添加された酸化タン
タル薄膜の製造方法に関する。

【０００９】

【化２】

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。

【００１１】本発明に係る上記一般式（Ｉ）で表される
タンタル化合物は、公知の化合物であり、これらは、特
開平０７−５８８３５号公報、特開平８−２６０１５１
号公報、特開平０８−４６２５９号公報、ＷＯ９６０８
５８７、特開平１３−２４７９６６号公報等で報告され
ている。

【００１２】また、本発明に係る上記一般式（II）で表
されるチタニウム化合物は、公知の化合物であり、これ
らは、特開平５−２７１２５３号公報、特開平９−４０
６８３号公報、特開平１０−７２４７５号公報、特開平
１０−１１４７８１号公報、特開平１１−１９９５９１
号公報、特開平１１−２５５７８４号公報等で報告され
ている。

【００１３】上記一般式（Ｉ）及び（II）において、Ｒ
ａ、Ｒａ'、Ｒｂ及びＲｂ’で表される各々独立に鎖中
に酸素原子を含んでもよい炭素数１〜１０のアルキル基
は、配位子であるβ−ジケトン化合物由来の基であり、
Ｒｃ及びＲｃ’で表される各々独立に鎖中に酸素原子を
含んでもよい炭素数１〜１０のアルキル基は、アルコー
ル化合物由来の基である。これらのアルキル基として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、イソブチル、第二ブチル、第三ブチル、アミル、イ
ソアミル、第三アミル、１，１−ジメチルプロピル、
１，１−ジメチルブチル、ヘキシル、２−ヘキシル、３
−ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、２−ヘプチ
ル、３−ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘプチル、１−
メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、イソオクチル、
第三オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、イソノニ
ル、デシル、メトキシメチル、１−メトキシエチル、１
−メトキシ−１−メチルエチル、２−メトキシエチル、
２−メトキシ−１−メチルエチル、２−メトキシ−１，
１−ジメチルエチル、２−プロポキシ−１，１−ジメチ
ルエチル、３−メトキシ−１，１−ジメチルプロピル、
（２−メトキシエトキシ）メチル、１−（２−メトキシ
エトキシ）エチル、１−（２−メトキシエトキシ）−１
−メチルエチル、２−（２−メトキシエトキシ）エチ
ル、２−（２−メトキシエトキシ）−１−メチルエチ
ル、２−（２−メトキシエトキシ）−１，１−ジメチル
エチル等が挙げられる。また、Ｒｂで表される炭素数１
〜１０のアルコキシ基は、配位子化合物であるβ−ケト
エステル化合物由来の基であり、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、第二ブトキ
シ、イソブトキシ、第三ブトキシ、アミロキシ、オクト
キシ等が挙げられる。

【００１４】Ｒｄ及びＲｄ’で表される炭素数２〜１０
の分岐してもよいアルキレン基とは、グリコールにより
与えられる基であり、該グリコールとしては、例えば、
１，２−エタンジオール、１，２−プロパンジオール、
１，３−プロパンジオール、１，３−ブタンジオール、
２，４−ヘキサンジオール、２，２−ジメチル−１，３
−プロパンジオール、２，２−ジエチル−１，３−プロ
パンジオール、２，２−ジエチル−１，３−ブタンジオ
ール、２−エチル−２−ブチル−１，３−プロパンジオ
ール、２，４−ペンタンジオール、２−メチル−１，３
−プロパンジオール、１−メチル−２，４−ペンタンジ
オール等が挙げられる。これらの中でも、金属元素とと
もに五員環若しくは六員環を形成するジオール又はそれ
らのアルキル基置換体から与えられる基が金属化合物の
安定性が大きいので好ましく、金属元素とともに六員環
を形成するジオールがより好ましい。

【００１５】上記の一般式（Ｉ）で表されるタンタル化
合物の具体例としては、以下に示す化合物Ｎｏ．１〜Ｎ
ｏ．１４が挙げられる。

【００１６】

【化３】

【００１７】上記の一般式（II）で表されるチタニウム
化合物の具体例としては、以下に示す化合物Ｎｏ．１５
〜Ｎｏ．３９が挙げられる。

【００１８】

【化４】

【００１９】

【化５】

【００２０】本発明に係る上記のタンタル化合物及びチ
タニウム化合物において、その製造方法は、特に制限を
受けることはなく、一般に公知の方法を用いることがで
きる。例えば、塩化物と、配位子化合物である該当する
β−ジケトン化合物、アルコール又はジオール化合物と
をナトリウム、アンモニア等の塩基の存在下で反応させ
て製造してもよく、メトキシド、イソプロポキシド、第
三ブトキシド等の低級アルコキシドと、該当する配位子
化合物との交換反応により製造してもよい。

【００２１】交換反応による製造方法としては、例え
ば、低級アルコキシドと該当する配位子化合物（β−ジ
ケトン化合物とアルコール化合物又はβ−ジケトン化合
物とジオール化合物）との交換反応を一括で行う方法、
低級アルコキシドとアルコール化合物又はジオール化合
物との交換を行い、更に得られた中間体アルコキシドと
β−ジケトン化合物との交換反応を行う方法、低級アル
コキシドとβ−ジケトン化合物との交換反応を行い、そ
の後で残ったアルコキシ基とアルコール化合物又はジオ
ール化合物との交換反応を行う方法等が挙げられる。

【００２２】本発明の化学気相成長用原料とは、上記の
タンタル化合物及びチタニウム化合物の熱酸化分解温度
の差が絶対値で５０℃未満の組み合わせによる混合物及
び必要に応じて用いられる有機溶媒からなる。

【００２３】上記の熱酸化分解温度とは、タンタル化合
物又はチタニウム化合物と酸素等の酸化性のガスとが反
応し、金属酸化物が生成する温度である。化合物によっ
ては、多段階の反応を経て金属酸化物に至るものがある
が、気体状態の化合物が加熱された基体上又はその基体
付近で酸化分解されて固体膜として堆積するＣＶＤの機
構上、気相から固相になる第一段目の熱酸化分解温度が
重要である。タンタル化合物とチタニウム化合物との熱
酸化分解温度の差の絶対値が５０℃以上であると、得ら
れる薄膜組成において、熱酸化分解温度の低い方の金属
元素が極端に不足する。

【００２４】上記の熱酸化分解温度は、例えば、酸素中
での示差熱分析、ＴＧ−ＭＳ、熱分解ガスクロマトグラ
フ、ＴＧ−ＩＲ、加熱ＦＴ−ＩＲ等により測定できる。

【００２５】本発明に係る上記のタンタル化合物とチタ
ニウム化合物との具体的な組み合わせとしては、後述の
実施例に詳細に記載するが、例えば、タンタル化合物が
上記化合物Ｎｏ．２の場合は、チタニウム化合物は、上
記化合物Ｎｏ．１６、３１、３４、３７又は３８であ
り、タンタル化合物が上記化合物Ｎｏ．６の場合は、チ
タニウム化合物は、上記化合物Ｎｏ．１６、１８、２
３、２５、３１又は３５であり、タンタル化合物が上記
化合物Ｎｏ．１３の場合は、チタニウム化合物は、上記
化合物Ｎｏ．１６、１８、２３、２５、３１又は３５で
ある。

【００２６】上記の組み合わせとしては、タンタル化合
物が上記一般式（Ｉ）のＲｃが炭素数１〜４のアルキル
基であり、ｍが５であるもの、即ちペンタアルコキシタ
ンタルであるものが入手も容易で低コストであるので、
これを用いたものが好ましく、上記化合物Ｎｏ．２であ
るペンタエトキシタンタルを用いたものがより好まし
い。

【００２７】本発明の化学気相成長用原料において、タ
ンタル化合物とチタニウム化合物との組成比は特に限定
されず、所望の薄膜組成を与える範囲で設定されるもの
である。例えば、高誘電体キャパシタ用のチタニウム原
子が添加された酸化タンタル薄膜において、比誘電率の
最も大きくなる薄膜組成であるモル比Ｔａ：Ｔｉ＝９
２：８を与えるためには、本発明の化学気相成長用原料
中のタンタル化合物とチタニウム化合物との組成比は、
モル比において９９：１〜５０：５０、好ましくは９
９：１〜７０：３０、より好ましくは９５：５〜７０：
３０（Ｔａ：Ｔｉ）である。

【００２８】また、本発明に係る必要に応じて用いられ
る有機溶媒は、タンタル化合物とチタニウム化合物との
混合物からなる本発明の化学気相成長用原料がＣＶＤプ
ロセスにおいて必要な流動性を有していない場合に用い
られるものである。該有機溶媒としては、特に制限を受
けることはなく周知一般の有機溶媒を用いることがで
き、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノー
ル、ｎ−ブタノール等のアルコール類；酢酸エチル、酢
酸ブチル、酢酸メトキシエチル等の酢酸エステル類、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル
等のエーテルアルコール類；テトラヒドロフラン、エチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチル
エーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類；メチルブ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、エチルブチルケ
トン、ジプロピルケトン、ジイソブチルケトン、メチル
アミルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサ
ノン等のケトン類；ヘキサン、シクロヘキサン、メチル
シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、１−シア
ノプロパン、１−シアノブタン、１−シアノヘキサン、
シアノシクロヘキサン、シアノベンゼン、１，３−ジシ
アノプロパン、１，４−ジシアノブタン、１，６−ジシ
アノヘキサン、１，４−ジシアノシクロヘキサン、１，
４−ジシアノベンゼン等のシアノ基を有する炭化水素
類、ピリジン、ルチジンが挙げられ、これらは、溶質の
溶解性、使用温度と沸点、引火点の関係等によって適宜
選択される。

【００２９】有機溶媒を用いる場合のタンタル化合物及
びチタニウム化合物（金属源化合物）の濃度について
は、特に制限を受けずに安定した溶液を提供できる範囲
であれば、いかなる濃度を用いてもよく、原料の輸送
量、膜製造時の成膜速度等により適宜選択される。該濃
度が０．０５ｍｏｌ／リットルより小さいと金属源供給
性が低下し、成膜速度が小さくなる場合があり、０．５
ｍｏｌ／リットルを超えると原料の流動性が悪くなる、
析出等のトラブルが発生しやすくなる場合があるので
０．０５〜０．５ｍｏｌ／リットルの範囲が好ましい。

【００３０】また、本発明のＣＶＤ用原料は、必要に応
じて金属源化合物の安定性を付与するため求核性試薬を
含有してもよい。該求核性試薬としては、グライム、ジ
グライム、トリグライム、テトラグライム等のエチレン
グリコールエーテル類、１８−クラウン−６、ジシクロ
ヘキシル−１８−クラウン−６、２４−クラウン−８、
ジシクロヘキシル−２４−クラウン−８、ジベンゾ−２
４−クラウン−８等のクラウンエーテル類、エチレンジ
アミン、Ｎ,Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ジ
エチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、１，
１，４，７，７−ペンタメチルジエチレントリアミン、
１，１，４，７，１０，１０−ヘキサメチルトリエチレ
ンテトラミン等のポリアミン類、サイクラム、サイクレ
ン等の環状ポリアミン類、アセト酢酸メチル、アセト酢
酸エチル、アセト酢酸−２−メトキシエチル等のβ−ケ
トエステル類又はβ−ジケトン類が挙げられ、これら求
核性試薬（安定剤）の使用量は、金属源化合物１モルに
対して０．１〜１０モルの範囲で使用され、好ましくは
１〜４モルの範囲で使用される。

【００３１】本発明のチタニウム原子が添加された酸化
タンタル薄膜の製造方法とは、上記の本発明の化学気相
成長用原料を用いた化学気相成長（ＣＶＤ）法によるも
のである。ＣＶＤ法とは、気化させた原料と必要に応じ
て用いられる反応性ガスを基板上に導入し、次いで、原
料を基板上で分解及び／又は反応させてセラミックスを
基板上に成長、堆積させる方法を指す。本発明の薄膜の
製造方法は、原料の輸送供給方法、堆積方法、製造条
件、製造装置等については、特に制限を受けるものでは
ない。

【００３２】上記の必要に応じて用いられる反応性ガス
としては、例えば、酸素、オゾン、二酸化窒素、一酸化
窒素、水蒸気等が挙げられる。

【００３３】上記の輸送供給方法としては、ＣＶＤ用原
料を原料容器中で加熱及び／又は減圧することにより気
化させ、必要に応じて用いられるアルゴン、窒素、ヘリ
ウム等のキャリアガスと共に堆積反応部へと導入する気
体輸送法、ＣＶＤ用原料を液体又は溶液の状態で気化室
まで輸送し、気化室で加熱及び／又は減圧することによ
り気化させて、堆積反応部へと導入する液体輸送法が挙
げられる。本発明の薄膜の製造方法としては、タンタル
化合物とチタニウム化合物との反応による揮発特性の変
化の影響を受けない液体輸送法が好ましい。

【００３４】また、上記の堆積方法としては、原料ガス
又は原料ガスと反応性ガスを熱のみにより反応させセラ
ミックスを堆積させる熱ＣＶＤ，熱とプラズマを使用す
るプラズマＣＶＤ、熱と光を使用する光ＣＶＤ、熱、光
及びプラズマを使用する光プラズマＣＶＤ、ＣＶＤの堆
積反応を素過程に分け、分子レベルで段階的に堆積を行
うＡＬ（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ）−ＣＶＤが挙げら
れる。

【００３５】また、上記の製造条件としては、反応温度
（基板温度）、反応圧力、堆積速度等が挙げられる。反
応温度については、ＣＶＤ用原料である金属源化合物が
充分に反応する温度である２００℃以上が好ましく、３
５０〜８００℃がより好ましい。また、反応圧力は、熱
ＣＶＤ、光ＣＶＤの場合、大気圧〜１０Ｐａが好まし
く、プラズマを使用する場合は、１０〜２０００Ｐａが
好ましい。また、堆積速度は、原料の供給条件（気化温
度、気化圧力、溶液供給量）、反応温度、反応圧力によ
りコントロールすることが出来る。堆積速度は、大きい
と得られる薄膜の比誘電率やリーク電流等の電気的な特
性が悪化する場合があり、小さいと生産性に問題を生じ
る場合があるので、０．１〜５００ｎｍ／分が好まし
く、１〜１００ｎｍ／分がより好ましい。

【００３６】また、本発明の薄膜の製造方法において
は、薄膜堆積の後に、より良好な電気特性を得るために
アニール処理を行ってもよく、段差埋め込みが必要な場
合には、リフロー工程を設けてもよい。この場合の温度
は、６００〜１２００℃であり、７００〜１０００℃が
好ましい。

【００３７】

【実施例】以下、評価例、実施例及び比較例をもって本
発明を更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は以
下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。

【００３８】［評価例］タンタル化合物とチタニウム化
合物について、酸素１００ｍｌ／分気流下、３０℃から
１０℃／分の昇温速度での示差熱分析によってそれぞれ
の熱酸化分解温度を測定した。熱酸化分解温度は、ＤＴ
Ａ曲線で最初に現れた揮発による変化以外の発熱又は吸
熱ピークのトップ温度から読み取った。結果を以下に示
す。 （結果１）タンタル化合物 化合物Ｎｏ．２；３１０℃、化合物Ｎｏ．６；２３０
℃、化合物Ｎｏ．１３；２３１℃。 （結果２）チタニウム化合物 化合物Ｎｏ．１６；２７２℃、化合物Ｎｏ．１８；２２
５℃、化合物Ｎｏ．２３；２２８℃、化合物Ｎｏ．２
５；２３８℃、化合物Ｎｏ．３１；２６６℃、化合物Ｎ
ｏ．３４；２８１℃、化合物Ｎｏ．３５；２５１℃、化
合物Ｎｏ．３７；２９９℃、化合物Ｎｏ．３８；３０９
℃。

【００３９】上記の結果より、熱酸化分解温度の差が絶
対値で５０℃未満のものについて、表１に纏めた。な
お、熱酸化分解温度の差は、タンタル化合物の熱酸化分
解温度からチタニウム化合物の熱酸化分解温度を引いた
値で示した。つまり、この値がプラスであることは、タ
ンタル化合物の熱酸化分解温度が高いことを表し、マイ
ナスの場合は、チタニウム化合物の熱酸化分解温度が高
いことを表す。以下の表２及び表３でも同様である。

【００４０】

【表１】

【００４１】［実施例１］化合物Ｎｏ．２と化合物Ｎ
ｏ．１６とを表２に記載の配合で混合して得たＣＶＤ用
原料を用いて、図１に示すＣＶＤ装置により、以下の条
件でチタニウムが添加された酸化タンタル薄膜を製造し
た。得られた薄膜について、タンタル金属含有量とチタ
ニウム金属含有量の測定を蛍光Ｘ線により行い、薄膜組
成モル比を求めた。結果を表２に示す。 （成膜条件）気化室温度：１７０℃、原料流量：２０ｍ
ｇ／分、酸素ガス流量：１４０ｓｃｃｍ、反応圧力：６
７０Ｐａ、反応時間：５〜６０分、基板温度：４５０℃

【００４２】［比較例］化合物Ｎｏ．２と化合物Ｎｏ．
１８とを表２に記載の配合で混合して得たＣＶＤ用原料
を用いて、図１に示すＣＶＤ装置により、実施例１と同
様の条件でチタニウムが添加された酸化タンタル薄膜を
製造した。得られた薄膜について、実施例１と同様にタ
ンタル金属含有量とチタニウム金属含有量の測定を行
い、薄膜組成モル比を求めた。結果を表２に示す。

【００４３】

【表２】

【００４４】［実施例２］表３に記載の配合によるＣＶ
Ｄ用原料を用いて、図１に示すＣＶＤ装置により、実施
例１と同様の条件でチタニウムが添加された酸化タンタ
ル薄膜を製造した。得られた薄膜について、実施例１と
同様にタンタル金属含有量とチタニウム金属含有量の測
定を行い、薄膜組成モル比を求めた。結果を表３に示
す。

【００４５】

【表３】

【００４６】

【発明の効果】タンタル化合物とチタニウム化合物との
混合物及び必要に応じて用いられる有機溶媒からなる本
発明のＣＶＣ用原料を用いることで、チタニウム原子を
添加した酸化タンタル薄膜のＣＶＤ法による簡便な製造
方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の薄膜の製造方法に用いられる
ＣＶＤ装置の一例を示す概要図である。

フロントページの続き (72)発明者 山田 直樹 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内 (72)発明者 桜井 淳 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭電 化工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA17 BA18 BA42 FA01 JA06 JA10 5F058 BA20 BC03 BF02

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（I）で表されるタンタル化
   合物、下記一般式（II）で表されるチタニウム化合物及
   び必要に応じて用いられる有機溶媒からなり、上記タン
   タル化合物と上記チタニウム化合物との熱酸化分解温度
   の差が絶対値で５０℃未満である化学気相成長用原料。 【化１】
2. 【請求項２】 上記タンタル化合物と上記チタニウム化
   合物との組成比がモル比において９９：１〜５０：５０
   （Ｔａ：Ｔｉ）である請求項１に記載の化学気相成長用
   原料。
3. 【請求項３】 上記一般式（Ｉ）のＲｃが炭素数１〜４
   のアルキル基であり、ｍが５である請求項１又は２に記
   載の化学気相成長用原料。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の化学気
   相成長用原料を用いた化学気相成長法によるチタニウム
   原子が添加された酸化タンタル薄膜の製造方法。