JP2003286279A - ベンゾニトリル誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ベンゾニトリル誘導体及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003286279A JP2003286279A JP2002094767A JP2002094767A JP2003286279A JP 2003286279 A JP2003286279 A JP 2003286279A JP 2002094767 A JP2002094767 A JP 2002094767A JP 2002094767 A JP2002094767 A JP 2002094767A JP 2003286279 A JP2003286279 A JP 2003286279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- formula
- producing
- represented
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Heterocyclic Compounds That Contain Two Or More Ring Oxygen Atoms (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルケニル基を導入した2,6-ジフルオロ-4
-置換ベンゾニトリル誘導体を製造するための新しい中
間体を提供し、さらにその中間体化合物の簡便な製造方
法を提供すること。 【解決手段】 一般式(I) 【化１】 で表されるアセタール基を有するベンゾニトリル誘導
体、及びアセタール基を含有する4-置換-2,6-ジフルオ
ロベンゼン、4-置換-2,6-ジフルオロ安息香酸、4-置換-
2,6-ジフルオロベンズアルデヒド、4-置換-2,6-ジフル
オロ安息香酸、4-置換-2,6-ジフルオロフェノール等を
出発原料とする当該化合物の製造方法。
-置換ベンゾニトリル誘導体を製造するための新しい中
間体を提供し、さらにその中間体化合物の簡便な製造方
法を提供すること。 【解決手段】 一般式(I) 【化１】 で表されるアセタール基を有するベンゾニトリル誘導
体、及びアセタール基を含有する4-置換-2,6-ジフルオ
ロベンゼン、4-置換-2,6-ジフルオロ安息香酸、4-置換-
2,6-ジフルオロベンズアルデヒド、4-置換-2,6-ジフル
オロ安息香酸、4-置換-2,6-ジフルオロフェノール等を
出発原料とする当該化合物の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示材料等の電
子材料や機能性材料又は医農薬や香料、各種添加剤及び
それらの合成中間体として有用な、ベンゾニトリル誘導
体及びその製造方法に関する。
子材料や機能性材料又は医農薬や香料、各種添加剤及び
それらの合成中間体として有用な、ベンゾニトリル誘導
体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル
誘導体は電子材料や機能性材料又は医農薬や香料、各種
添加剤等の用途に有用であり、特にSTN型液晶表示材料
用の液晶化合物として、液晶組成物の駆動電圧の低減
や、応答時間の改善等に極めて有効であり、最近その需
要が特に増大している。一般に4-置換ベンゾニトリル誘
導体のような液晶化合物において分子の他端には鎖状基
が存在するが、これまで用いられている2,6-ジフルオロ
-4-置換ベンゾニトリル誘導体においては、鎖状基は直
鎖状アルキル基が主に用いられてきた。液晶化合物にお
いては鎖状基としてアルキル基に換えてアルケニル基を
導入することにより、その液晶性や粘性、急峻性等の諸
特性における改善が得られることが知られている(特開2
001-123171)。
誘導体は電子材料や機能性材料又は医農薬や香料、各種
添加剤等の用途に有用であり、特にSTN型液晶表示材料
用の液晶化合物として、液晶組成物の駆動電圧の低減
や、応答時間の改善等に極めて有効であり、最近その需
要が特に増大している。一般に4-置換ベンゾニトリル誘
導体のような液晶化合物において分子の他端には鎖状基
が存在するが、これまで用いられている2,6-ジフルオロ
-4-置換ベンゾニトリル誘導体においては、鎖状基は直
鎖状アルキル基が主に用いられてきた。液晶化合物にお
いては鎖状基としてアルキル基に換えてアルケニル基を
導入することにより、その液晶性や粘性、急峻性等の諸
特性における改善が得られることが知られている(特開2
001-123171)。
【０００３】従来2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリ
ル誘導体である液晶化合物は、アルケニル基を導入した
対応する3,5-ジフルオロベンゼン誘導体を中間体として
その4位にシアノ基を導入することによって製造された
が、この方法ではシクロヘキサン環の立体やアルケニル
基の二重結合に異性化の恐れがある等、必ずしも問題が
ないわけではなかった。このため、アルケニル基を導入
した2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体であ
る液晶化合物を製造するための、より有効な中間体及び
それを用いた効率的な製造方法の開発が望まれていた。
ル誘導体である液晶化合物は、アルケニル基を導入した
対応する3,5-ジフルオロベンゼン誘導体を中間体として
その4位にシアノ基を導入することによって製造された
が、この方法ではシクロヘキサン環の立体やアルケニル
基の二重結合に異性化の恐れがある等、必ずしも問題が
ないわけではなかった。このため、アルケニル基を導入
した2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体であ
る液晶化合物を製造するための、より有効な中間体及び
それを用いた効率的な製造方法の開発が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、アルケニル基を導入した2,6-ジフルオロ-4
-置換ベンゾニトリル誘導体を製造するための新しい中
間体を提供し、さらにその中間体化合物の簡便な製造方
法を提供することにある。
する課題は、アルケニル基を導入した2,6-ジフルオロ-4
-置換ベンゾニトリル誘導体を製造するための新しい中
間体を提供し、さらにその中間体化合物の簡便な製造方
法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために鋭意検討した結果、アセタール基を有する
2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体がアルケ
ニル基を導入した2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリ
ル誘導体の製造中間体として有用であることを見出し、
本発明を完成するに至った。
決するために鋭意検討した結果、アセタール基を有する
2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体がアルケ
ニル基を導入した2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリ
ル誘導体の製造中間体として有用であることを見出し、
本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明は一般式(I)
【化８】
(式中、Rは置換基を有していてもよい炭素原子数2〜4の
アルキレン基を表し、M及びNはそれぞれ独立的に単結
合、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH2O-、-O
CH2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CF2-、-CH2CH(CH3)-、-CH
(CH3)CH2-、-CH2CH2CH2CH2-、-OCH2CH2CH2-、又は-CH2C
H2CH2O-を表し、環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン
基、フッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基、又
はピリミジン-2,5-ジイル基を表し、nは0又は1を表
す。)で表されるベンゾニトリル誘導体を提供する。
アルキレン基を表し、M及びNはそれぞれ独立的に単結
合、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH2O-、-O
CH2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CF2-、-CH2CH(CH3)-、-CH
(CH3)CH2-、-CH2CH2CH2CH2-、-OCH2CH2CH2-、又は-CH2C
H2CH2O-を表し、環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン
基、フッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基、又
はピリミジン-2,5-ジイル基を表し、nは0又は1を表
す。)で表されるベンゾニトリル誘導体を提供する。
【０００７】また、本発明は以下に示す一般式(I)で表
される化合物の製造法を提供する。
される化合物の製造法を提供する。
【０００８】(製造方法1)
一般式(II)
【化９】
(式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表されるベンズアルデヒド誘導体をヒ
ドロキシルアミン又はその水和物又はその塩と反応させ
て一般式(III)
意味を表す。)で表されるベンズアルデヒド誘導体をヒ
ドロキシルアミン又はその水和物又はその塩と反応させ
て一般式(III)
【化１０】
(式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表されるオキシムとし、次いで脱水反
応させることを特徴とする一般式(I)の製造方法。
意味を表す。)で表されるオキシムとし、次いで脱水反
応させることを特徴とする一般式(I)の製造方法。
【０００９】(製造方法2)一般式(II)の化合物を酸化剤
の存在下にアンモニアと反応させることを特徴とする一
般式(I)の製造方法。
の存在下にアンモニアと反応させることを特徴とする一
般式(I)の製造方法。
【００１０】(製造方法3)
一般式(IV)
【化１１】
(式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表される化合物をアルキルリチウムで
リチオ化した後、ホルミル化剤と反応させることにより
一般式(II)の化合物得た後、ヒドロキシルアミン又はそ
の水和物又はその塩と反応させて一般式(III)で表され
るオキシムとし、次いで脱水反応させることを特徴とす
る一般式(I)の製造方法。
意味を表す。)で表される化合物をアルキルリチウムで
リチオ化した後、ホルミル化剤と反応させることにより
一般式(II)の化合物得た後、ヒドロキシルアミン又はそ
の水和物又はその塩と反応させて一般式(III)で表され
るオキシムとし、次いで脱水反応させることを特徴とす
る一般式(I)の製造方法。
【００１１】(製造方法4)
一般式(V)
【化１２】
(式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表される安息香酸誘導体を酸アミドに
導いた後、脱水することを特徴とする一般式(I)の製造
方法。
意味を表す。)で表される安息香酸誘導体を酸アミドに
導いた後、脱水することを特徴とする一般式(I)の製造
方法。
【００１２】(製造方法5)一般式(IV)で表される化合物
をアルキルリチウムでリチオ化した後、二酸化炭素と反
応させることにより一般式(V)の安息香酸誘導体とし、
酸アミドに導いた後、脱水することを特徴とする一般式
(I)の製造方法。
をアルキルリチウムでリチオ化した後、二酸化炭素と反
応させることにより一般式(V)の安息香酸誘導体とし、
酸アミドに導いた後、脱水することを特徴とする一般式
(I)の製造方法。
【００１３】(製造方法6)
一般式(VI)
【化１３】
(式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表し、Xはヨウ素又は臭素原子を表す。)で表され
るハロゲン化ベンゼン誘導体にシアン化銅(I)を反応さ
せることを特徴とする一般式(I)の製造方法。
意味を表し、Xはヨウ素又は臭素原子を表す。)で表され
るハロゲン化ベンゼン誘導体にシアン化銅(I)を反応さ
せることを特徴とする一般式(I)の製造方法。
【００１４】(製造方法7)一般式(IV)で表される化合物
をアルキルリチウムでリチオ化した後、ヨウ素又は臭素
と反応させることにより一般式(VI)のハロゲン化ベンゼ
ン誘導体とし、これにシアン化銅(I)を反応させること
を特徴とする一般式(I)の製造方法。
をアルキルリチウムでリチオ化した後、ヨウ素又は臭素
と反応させることにより一般式(VI)のハロゲン化ベンゼ
ン誘導体とし、これにシアン化銅(I)を反応させること
を特徴とする一般式(I)の製造方法。
【００１５】(製造方法8)
一般式(VII)
【化１４】
(式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表し、Qは炭素原子数7以下のアルキル基、パーフ
ルオロアルキル基又はアリール基を表す。)で表される
スルホン酸エステルに触媒存在下にシアン化金属を反応
させることを特徴とする一般式(I)の製造方法。
意味を表し、Qは炭素原子数7以下のアルキル基、パーフ
ルオロアルキル基又はアリール基を表す。)で表される
スルホン酸エステルに触媒存在下にシアン化金属を反応
させることを特徴とする一般式(I)の製造方法。
【００１６】
【発明の実施の形態】一般式(I)において、Rは置換基を
有していてもよい炭素原子数2〜4のアルキレン基を表
す。置換基としては、アルケニル基を有する2,6-ジフル
オロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体製造上の反応工程で
不活性な基であれば特に制限はないが、低級アルキル基
又はアリール基又は無置換であることが好ましい。アル
キレンの主鎖としては炭素原子数が2又は3が好ましく、
Qとして-CH2CH2CH2-又は-CH2CH2-が好ましい。
有していてもよい炭素原子数2〜4のアルキレン基を表
す。置換基としては、アルケニル基を有する2,6-ジフル
オロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体製造上の反応工程で
不活性な基であれば特に制限はないが、低級アルキル基
又はアリール基又は無置換であることが好ましい。アル
キレンの主鎖としては炭素原子数が2又は3が好ましく、
Qとして-CH2CH2CH2-又は-CH2CH2-が好ましい。
【００１７】M及びNはそれぞれ独立的に単結合、-CH2CH
2-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2
O-、-OCF2-、-CF2CF2-、-CH2CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-、
-CH2CH2CH2CH2-、-OCH2CH2CH2-、又は-CH2CH2CH2O-を表
すが、単結合又は-CH2CH2-が好ましく、単結合が特に好
ましい。
2-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2
O-、-OCF2-、-CF2CF2-、-CH2CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-、
-CH2CH2CH2CH2-、-OCH2CH2CH2-、又は-CH2CH2CH2O-を表
すが、単結合又は-CH2CH2-が好ましく、単結合が特に好
ましい。
【００１８】環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン基、
フッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基、又はピ
リミジン-2、5-ジイル基を表すが、トランス-1,4-シク
ロヘキシレン基又はフッ素置換されていてもよい1,4-フ
ェニレン基が好ましく、トランス-1,4-シクロヘキシレ
ン基又はフ1,4-フェニレン基又は2-フルオロ-1,4-フェ
ニレン基がさらに好ましく、トランス-1,4-シクロヘキ
シレン基が特に好ましい。nは0又は1を表すが特にn＝0
が好ましい。
フッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基、又はピ
リミジン-2、5-ジイル基を表すが、トランス-1,4-シク
ロヘキシレン基又はフッ素置換されていてもよい1,4-フ
ェニレン基が好ましく、トランス-1,4-シクロヘキシレ
ン基又はフ1,4-フェニレン基又は2-フルオロ-1,4-フェ
ニレン基がさらに好ましく、トランス-1,4-シクロヘキ
シレン基が特に好ましい。nは0又は1を表すが特にn＝0
が好ましい。
【００１９】本発明の一般式(I)の化合物は具体的には
以下の(I-1)〜(I-3)で表される化合物が好ましく、(I-
1)の化合物が特に好ましい。
以下の(I-1)〜(I-3)で表される化合物が好ましく、(I-
1)の化合物が特に好ましい。
【化１５】
【００２０】本発明の一般式(I)で表される2,6-ジフル
オロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体の製造方法は以下に
示す形態により実施することが好ましい。
オロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体の製造方法は以下に
示す形態により実施することが好ましい。
【００２１】(製造方法1)一般式(II)で表されるベンズ
アルデヒド誘導体をヒドロキシルアミン又はその水和物
又はその塩と反応させて一般式(III)で表されるオキシ
ムを得る。反応は通常溶媒の存在下に実施される。溶媒
はヒドロキシルアミンやアルデヒドに対する反応性がな
い限りにおいて特に制限はないが、ヘキサン、トルエン
等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン(THF)、ジイ
ソプロピルエーテル(IPE)、ジメトキシエタン(DME)等の
エーテル系溶媒、ジクロロメタン等の塩素系溶媒、メタ
ノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸
等のカルボン酸系溶媒あるいはこれらの混合物等が好ま
しく用いることができる。これらの溶媒は(II)の化合物
に対し、質量比で1〜100倍、好ましくは5〜20倍使用さ
れる。反応は室温から加熱下、あるいは冷却下に実施さ
れるが、通常は0℃〜100℃の範囲が好ましく、室温から
溶媒の還流温度の範囲内がより好ましい。
アルデヒド誘導体をヒドロキシルアミン又はその水和物
又はその塩と反応させて一般式(III)で表されるオキシ
ムを得る。反応は通常溶媒の存在下に実施される。溶媒
はヒドロキシルアミンやアルデヒドに対する反応性がな
い限りにおいて特に制限はないが、ヘキサン、トルエン
等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン(THF)、ジイ
ソプロピルエーテル(IPE)、ジメトキシエタン(DME)等の
エーテル系溶媒、ジクロロメタン等の塩素系溶媒、メタ
ノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸
等のカルボン酸系溶媒あるいはこれらの混合物等が好ま
しく用いることができる。これらの溶媒は(II)の化合物
に対し、質量比で1〜100倍、好ましくは5〜20倍使用さ
れる。反応は室温から加熱下、あるいは冷却下に実施さ
れるが、通常は0℃〜100℃の範囲が好ましく、室温から
溶媒の還流温度の範囲内がより好ましい。
【００２２】得られた(III)の化合物を脱水反応させる
ことにより(I)の2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル
誘導体を製造する。脱水剤あるいは脱水触媒としては無
水酢酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸等の酸無水
物、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の酸
類、ベンゼンスルホン酸クロリド、クロロ蟻酸フェニル
等の酸塩化物、ピリジン、トリエチルアミン等の塩基
類、蟻酸ナトリウム等の塩類、四塩化チタン等のルイス
酸(通常ピリジンやトリエチルアミン等と併用される)、
ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)、1,1'-ジカルボ
ニルジイミダゾール等のカルボジイミド類、トリフェニ
ルホスフィン等のホスフィン類(通常四塩化炭素と併用
される)、二酸化セレン、酸化水銀(II)等の金属酸化
物、オルト蟻酸エチル等のオルトエステル類、フェニル
イソシアナート等のイソシアナート類、4-アミノ-1,2,4
-トリアゾール等のN-アミノ複素環類等を用いることが
できるが、以上の中で、無水酢酸等の酸無水物が好まし
く、無水酢酸が特に好ましい。無水酢酸は(III)のオキ
シム調製時にあらかじめ系内に存在させておくことによ
り、(III)を単離することなく1バッチで(I)の2,6-ジフ
ルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体を製造することが
できる。
ことにより(I)の2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル
誘導体を製造する。脱水剤あるいは脱水触媒としては無
水酢酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸等の酸無水
物、p-トルエンスルホン酸、トリフルオロ酢酸等の酸
類、ベンゼンスルホン酸クロリド、クロロ蟻酸フェニル
等の酸塩化物、ピリジン、トリエチルアミン等の塩基
類、蟻酸ナトリウム等の塩類、四塩化チタン等のルイス
酸(通常ピリジンやトリエチルアミン等と併用される)、
ジシクロヘキシルカルボジイミド(DCC)、1,1'-ジカルボ
ニルジイミダゾール等のカルボジイミド類、トリフェニ
ルホスフィン等のホスフィン類(通常四塩化炭素と併用
される)、二酸化セレン、酸化水銀(II)等の金属酸化
物、オルト蟻酸エチル等のオルトエステル類、フェニル
イソシアナート等のイソシアナート類、4-アミノ-1,2,4
-トリアゾール等のN-アミノ複素環類等を用いることが
できるが、以上の中で、無水酢酸等の酸無水物が好まし
く、無水酢酸が特に好ましい。無水酢酸は(III)のオキ
シム調製時にあらかじめ系内に存在させておくことによ
り、(III)を単離することなく1バッチで(I)の2,6-ジフ
ルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体を製造することが
できる。
【００２３】(製造方法2)一般式(II)のベンズアルデヒ
ド誘導体を酸化剤存在下にアンモニアと反応させること
により(I)の2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導
体を製造する。酸化剤としては過酸化ニッケル、二酸化
マンガン等の金属酸化物、四酢酸鉛等の金属塩、酸素
(通常金属塩が併用される)等を用いることができるが、
二酸化マンガンが特に好ましい。反応は脱水剤を併用す
ることも好ましい。脱水剤としては硫酸ナトリウム等の
塩類の他、使用する酸化剤に対して不活性である限り特
に制限はない。上記の製法1及び製法2において、使用す
る反応剤あるいは反応条件によっては一般式(I)、(II)
あるいは(III)の化合物における脱アセタール化が進行
する場合もある。脱アセタール化が生じても次工程に支
障のない場合もあるが、必要に応じて再アセタール化を
実施することも好ましい。再アセタール化は一般式
(I)、(II)あるいは(III)のRに応じて、即ちRが-CH2CH2-
を表す場合には酸触媒存在下にエチレングリコールを反
応させればよい。
ド誘導体を酸化剤存在下にアンモニアと反応させること
により(I)の2,6-ジフルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導
体を製造する。酸化剤としては過酸化ニッケル、二酸化
マンガン等の金属酸化物、四酢酸鉛等の金属塩、酸素
(通常金属塩が併用される)等を用いることができるが、
二酸化マンガンが特に好ましい。反応は脱水剤を併用す
ることも好ましい。脱水剤としては硫酸ナトリウム等の
塩類の他、使用する酸化剤に対して不活性である限り特
に制限はない。上記の製法1及び製法2において、使用す
る反応剤あるいは反応条件によっては一般式(I)、(II)
あるいは(III)の化合物における脱アセタール化が進行
する場合もある。脱アセタール化が生じても次工程に支
障のない場合もあるが、必要に応じて再アセタール化を
実施することも好ましい。再アセタール化は一般式
(I)、(II)あるいは(III)のRに応じて、即ちRが-CH2CH2-
を表す場合には酸触媒存在下にエチレングリコールを反
応させればよい。
【００２４】(製造方法3)一般式(IV)で表される3,5-ジ
フルオロベンゼン誘導体のアルキルリチウムによるリチ
オ化は0℃以下に冷却して実施されるが、生成するフェ
ニルリチウム誘導体の分解を防ぐためには-30℃以下が
好ましく、-80℃以下の低温では反応が遅くなるので-30
〜-80℃が好ましい。アルキルリチウムとしてはn-ブチ
ルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、メ
チルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム等を
あげることができるが、入手の容易さや操作性からn-ブ
チルリチウム、メチルリチウムが好ましく、n-ブチルリ
チウムがさらに好ましい。また、アルキルリチウムに換
えて、リチウムジイソプロピルアミド等のリチウムアミ
ドを使用することも可能である。反応は溶媒中で実施さ
れるが、反応溶媒としてはTHF、IPE、DME等のエーテル
系溶媒、ヘキサン、トルエン等の炭化水素系溶媒、及び
これらの混合溶媒が好ましく、特にTHFが好ましい。
フルオロベンゼン誘導体のアルキルリチウムによるリチ
オ化は0℃以下に冷却して実施されるが、生成するフェ
ニルリチウム誘導体の分解を防ぐためには-30℃以下が
好ましく、-80℃以下の低温では反応が遅くなるので-30
〜-80℃が好ましい。アルキルリチウムとしてはn-ブチ
ルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、メ
チルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム等を
あげることができるが、入手の容易さや操作性からn-ブ
チルリチウム、メチルリチウムが好ましく、n-ブチルリ
チウムがさらに好ましい。また、アルキルリチウムに換
えて、リチウムジイソプロピルアミド等のリチウムアミ
ドを使用することも可能である。反応は溶媒中で実施さ
れるが、反応溶媒としてはTHF、IPE、DME等のエーテル
系溶媒、ヘキサン、トルエン等の炭化水素系溶媒、及び
これらの混合溶媒が好ましく、特にTHFが好ましい。
【００２５】ホルミル化は同様に0℃以下に冷却して実
施されるが、フェニルリチウム誘導体の分解を防ぐため
には-30℃以下が好ましく、-80℃以下の低温では反応が
遅くなるので-30〜-80℃が好ましい。ホルミル化剤とし
てはN,N-ジメチルホルムアミド(DMF)等のホルムアミド
類、オルト蟻酸エチル等のオルトエステル類等を用いる
ことができるが、ホルムアミド類特にDMFが好ましい。
一般式(II)で表される化合物を得た後は製造方法1と同
様にして、一般式(I)で表される化合物を得る。
施されるが、フェニルリチウム誘導体の分解を防ぐため
には-30℃以下が好ましく、-80℃以下の低温では反応が
遅くなるので-30〜-80℃が好ましい。ホルミル化剤とし
てはN,N-ジメチルホルムアミド(DMF)等のホルムアミド
類、オルト蟻酸エチル等のオルトエステル類等を用いる
ことができるが、ホルムアミド類特にDMFが好ましい。
一般式(II)で表される化合物を得た後は製造方法1と同
様にして、一般式(I)で表される化合物を得る。
【００２６】(製造方法4)一般式(V)で表される安息香酸
誘導体のアミド化は、例えばカルボン酸を塩化チオニル
等の塩素化剤で酸塩化物とした後、アンモニアあるいは
その塩と反応させることにより実施される。あるいは直
接カルボン酸にアンモニアを反応させることも可能であ
る。アミドの脱水は脱水剤存在下に容易に実施できる。
脱水剤としては塩化チオニル、五塩化リン、オキシ塩化
リン等の無機酸の酸塩化物(ピリジン等の塩基の共存が
好ましい場合もある)、塩化p-トルエンスルホニル、ホ
スゲン等の有機酸塩化物(ピリジン等の塩基の共存が好
ましい場合もある)、五酸化リン、ポリリン酸、ポリリ
ン酸のエステル類等のリン酸誘導体、無水酢酸等の酸無
水物、DCC、1,1'-ジカルボニルジイミダゾール等のカル
ボジイミド類等を使用することができ、塩化チオニル、
ポリリン酸あるいはそのエステル類は特に好ましい。
誘導体のアミド化は、例えばカルボン酸を塩化チオニル
等の塩素化剤で酸塩化物とした後、アンモニアあるいは
その塩と反応させることにより実施される。あるいは直
接カルボン酸にアンモニアを反応させることも可能であ
る。アミドの脱水は脱水剤存在下に容易に実施できる。
脱水剤としては塩化チオニル、五塩化リン、オキシ塩化
リン等の無機酸の酸塩化物(ピリジン等の塩基の共存が
好ましい場合もある)、塩化p-トルエンスルホニル、ホ
スゲン等の有機酸塩化物(ピリジン等の塩基の共存が好
ましい場合もある)、五酸化リン、ポリリン酸、ポリリ
ン酸のエステル類等のリン酸誘導体、無水酢酸等の酸無
水物、DCC、1,1'-ジカルボニルジイミダゾール等のカル
ボジイミド類等を使用することができ、塩化チオニル、
ポリリン酸あるいはそのエステル類は特に好ましい。
【００２７】(製造方法5)一般式(IV)で表される3,5-ジ
フルオロベンゼン誘導体のアルキルリチウムによるリチ
オ化は0℃以下に冷却して実施されるが、生成するフェ
ニルリチウム誘導体の分解を防ぐためには-30℃以下が
好ましく、-80℃以下の低温では反応が遅くなるので-30
〜-80℃が好ましい。アルキルリチウムとしてはn-ブチ
ルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、メ
チルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム等を
あげることができるが、入手の容易さや操作性からn-ブ
チルリチウム、メチルリチウムが好ましく、n-ブチルリ
チウムがさらに好ましい。また、アルキルリチウムに換
えて、リチウムジイソプロピルアミド等のリチウムアミ
ドを使用することも可能である。
フルオロベンゼン誘導体のアルキルリチウムによるリチ
オ化は0℃以下に冷却して実施されるが、生成するフェ
ニルリチウム誘導体の分解を防ぐためには-30℃以下が
好ましく、-80℃以下の低温では反応が遅くなるので-30
〜-80℃が好ましい。アルキルリチウムとしてはn-ブチ
ルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、メ
チルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム等を
あげることができるが、入手の容易さや操作性からn-ブ
チルリチウム、メチルリチウムが好ましく、n-ブチルリ
チウムがさらに好ましい。また、アルキルリチウムに換
えて、リチウムジイソプロピルアミド等のリチウムアミ
ドを使用することも可能である。
【００２８】反応は溶媒中で実施されるが、反応溶媒と
してはTHF、IPE、DME等のエーテル系溶媒、ヘキサン、
トルエン等の炭化水素系溶媒、及びこれらの混合溶媒が
好ましく、特にTHFが好ましい。得られたフェニルリチ
ウム反応剤に二酸化炭素を反応させるが、通常は-30〜-
80℃の温度範囲で二酸化炭素を吹き込むか、ドライアイ
スを加えることにより一般式(V)で表される化合物を得
る。一般式(V)で表される化合物を得た後は製造方法4と
同様にして、一般式(I)で表される化合物を得る。本方
法においても、必要に応じて再アセタール化を実施する
ことも好ましい。
してはTHF、IPE、DME等のエーテル系溶媒、ヘキサン、
トルエン等の炭化水素系溶媒、及びこれらの混合溶媒が
好ましく、特にTHFが好ましい。得られたフェニルリチ
ウム反応剤に二酸化炭素を反応させるが、通常は-30〜-
80℃の温度範囲で二酸化炭素を吹き込むか、ドライアイ
スを加えることにより一般式(V)で表される化合物を得
る。一般式(V)で表される化合物を得た後は製造方法4と
同様にして、一般式(I)で表される化合物を得る。本方
法においても、必要に応じて再アセタール化を実施する
ことも好ましい。
【００２９】(製造方法6)本製造方法における出発物質
である一般式(VI)で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体
において、Xはヨウ素又は臭素原子を表すが、ヨウ素が
より好ましい。
である一般式(VI)で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体
において、Xはヨウ素又は臭素原子を表すが、ヨウ素が
より好ましい。
【００３０】(製造方法7)一般式(IV)で表される3,5-ジ
フルオロベンゼン誘導体のアルキルリチウムによるリチ
オ化は0℃以下に冷却して実施されるが、生成するフェ
ニルリチウム誘導体の分解を防ぐためには-30℃以下が
好ましく、-80℃以下の低温では反応が遅くなるので-30
〜-80℃が好ましい。アルキルリチウムとしてはn-ブチ
ルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、メ
チルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム等を
あげることができるが、入手の容易さや操作性からn-ブ
チルリチウム、メチルリチウムが好ましく、n-ブチルリ
チウムがさらに好ましい。また、アルキルリチウムに換
えて、リチウムジイソプロピルアミド等のリチウムアミ
ドを使用することも可能である。反応は溶媒中で実施さ
れるが、反応溶媒としてはTHF、IPE、DME等のエーテル
系溶媒、ヘキサン、トルエン等の炭化水素系溶媒、及び
これらの混合溶媒が好ましく、特にTHFが好ましい。得
られたフェニルリチウム反応剤にヨウ素あるいは臭素を
反応させることにより一般式(VI)で表されるハロゲン化
ベンゼン誘導体を得ることができる。
フルオロベンゼン誘導体のアルキルリチウムによるリチ
オ化は0℃以下に冷却して実施されるが、生成するフェ
ニルリチウム誘導体の分解を防ぐためには-30℃以下が
好ましく、-80℃以下の低温では反応が遅くなるので-30
〜-80℃が好ましい。アルキルリチウムとしてはn-ブチ
ルリチウム、s-ブチルリチウム、t-ブチルリチウム、メ
チルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム等を
あげることができるが、入手の容易さや操作性からn-ブ
チルリチウム、メチルリチウムが好ましく、n-ブチルリ
チウムがさらに好ましい。また、アルキルリチウムに換
えて、リチウムジイソプロピルアミド等のリチウムアミ
ドを使用することも可能である。反応は溶媒中で実施さ
れるが、反応溶媒としてはTHF、IPE、DME等のエーテル
系溶媒、ヘキサン、トルエン等の炭化水素系溶媒、及び
これらの混合溶媒が好ましく、特にTHFが好ましい。得
られたフェニルリチウム反応剤にヨウ素あるいは臭素を
反応させることにより一般式(VI)で表されるハロゲン化
ベンゼン誘導体を得ることができる。
【００３１】(製造方法8)本製造方法における出発物質
である一般式(VII)で表されるスルホン酸エステル誘導
体において、Qは炭素原子数7以下のアルキル基、パーフ
ルオロアルキル基又はアリール基を表すが、フェニル
基、4-メチルフェニル基、メチル基、トリフルオロメチ
ル基が好ましく、トリフルオロメチル基が特に好まし
い。反応触媒としては遷移金属の塩及び錯体を使用する
ことが好ましく、ニッケル(II)錯体、パラジウム(II)錯
体、パラジウム(II)塩、パラジウム(0)錯体がより好ま
しく、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(0)等のパラジウム(0)錯体が特に好ましい。
である一般式(VII)で表されるスルホン酸エステル誘導
体において、Qは炭素原子数7以下のアルキル基、パーフ
ルオロアルキル基又はアリール基を表すが、フェニル
基、4-メチルフェニル基、メチル基、トリフルオロメチ
ル基が好ましく、トリフルオロメチル基が特に好まし
い。反応触媒としては遷移金属の塩及び錯体を使用する
ことが好ましく、ニッケル(II)錯体、パラジウム(II)錯
体、パラジウム(II)塩、パラジウム(0)錯体がより好ま
しく、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム
(0)等のパラジウム(0)錯体が特に好ましい。
【００３２】一般式(I)の化合物を中間体として一般式
(A)
(A)
【化１６】
(式中、Alkenylは炭素原子数2〜20のアルケニル基を表
し、M、N、環A及びnは一般式(I)におけると同じ意味を
表す。)で表される、アルケニル基を導入した2,6-ジフ
ルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体を効率的に製造す
ることができる。
し、M、N、環A及びnは一般式(I)におけると同じ意味を
表す。)で表される、アルケニル基を導入した2,6-ジフ
ルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体を効率的に製造す
ることができる。
【００３３】すなわち、一般式(I)の化合物を酸で処理
することにより脱アセタール化させて一般式(XI)
することにより脱アセタール化させて一般式(XI)
【化１７】
(式中、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ意味
を表す。)で表されるシクロヘキサノン誘導体を得るこ
とができる。この(XI)に式(XIIa)
を表す。)で表されるシクロヘキサノン誘導体を得るこ
とができる。この(XI)に式(XIIa)
【００３４】
【化１８】
のウィッティヒ反応剤を反応させ、酸処理の後、シクロ
ヘキサン環をトランスに異性化させて一般式(XIII-0)
ヘキサン環をトランスに異性化させて一般式(XIII-0)
【化１９】
(式中、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ意味
を表す。)で表されるシクロヘキサンカルバルデヒドを
得ることができる。
を表す。)で表されるシクロヘキサンカルバルデヒドを
得ることができる。
【００３５】この操作をさらにm回繰り返すことにより
一般式(XIII-m)
一般式(XIII-m)
【化２０】
(式中、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ意味
を表し、mは0以上の整数を表す。)の化合物を得ること
ができる。
を表し、mは0以上の整数を表す。)の化合物を得ること
ができる。
【００３６】この化合物に一般式(XIIb)
【化２１】
(式中、R'は水素又は炭素原子数1〜18のアルキル基を表
す。)を反応させることにより一般式(B)
す。)を反応させることにより一般式(B)
【００３７】
【化２２】
(式中、R'及びmは前述の意味を表す。)で表されるアル
ケニル基を導入することができる。ここでR'がアルキル
基の場合得られたアルケニル基の二重結合は通常(Z)配
置であるが、ベンゼンスルフィン酸やヨウ素等により所
望の(E)体に異性化させることができる。
ケニル基を導入することができる。ここでR'がアルキル
基の場合得られたアルケニル基の二重結合は通常(Z)配
置であるが、ベンゼンスルフィン酸やヨウ素等により所
望の(E)体に異性化させることができる。
【００３８】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００３９】(実施例1) 4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノ
フェニル)シクロヘキサノンエチレンアセタール(I-1)の
製造(製造方法1及び製造方法3) 1-a) 4-(3,5-ジフルオロフェニル)シクロヘキサノンエ
チレンアセタール(この化合物は3,5-ジフルオロ-1-ブロ
モベンゼンから調製したグリニヤール反応剤をシクロヘ
キサン-1,4-ジオンモノエチレンアセタールと反応さ
せ、酸触媒存在下の脱水後、二重結合を接触還元するこ
とにより得た。)25.8gの110mLのテトラヒドロフラン(TH
F)溶液を窒素雰囲気下で-55℃に冷却した。これにn-ブ
チルリチウム(1.57Mヘキサン溶液)67.9mLを1時間で滴下
しフェニルリチウム誘導体を調製した。30分攪拌後、N,
N-ジメチルホルムアミド(DMF)8.9gのTHF40mL溶液を-55
℃で滴下した。-55℃で1時間攪拌後、0℃まで昇温さ
せ、水次いで少量の10％塩酸を加え、酢酸エチルで抽出
した。水、及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウ
ムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して4-(3,5-ジフルオ
ロ-4-ホルミルフェニル)シクロヘキサノンエチレンアセ
タール28.1gを得た。1-b) 得られた化合物の全量を酢
酸100mLに溶解し、ヒドロキシルアミン塩酸塩10.0g及び
酢酸ナトリウム(無水)7.5gを加え3時間加熱還流させ
た。これに無水酢酸24gを加えさらに3時間攪拌させた。
氷水中に反応液を加え、析出した結晶を濾取し、水で洗
浄した後、トルエン100mLに溶解した。飽和食塩水で洗
浄後、エチレングリコール6.3g及びp-トルエンスルホン
酸1.0gを加え、共沸する水を除去しながら水の溜出がみ
られなくなるまで加熱還流させた。室温まで放冷後、
水、飽和重曹水、水、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を溜去して得られた粗
生成物をヘキサンから再結晶させて4-(3,5-ジフルオロ-
4-シアノフェニル)シクロヘキサノンエチレンアセター
ルの白色結晶21.2gを得た。
フェニル)シクロヘキサノンエチレンアセタール(I-1)の
製造(製造方法1及び製造方法3) 1-a) 4-(3,5-ジフルオロフェニル)シクロヘキサノンエ
チレンアセタール(この化合物は3,5-ジフルオロ-1-ブロ
モベンゼンから調製したグリニヤール反応剤をシクロヘ
キサン-1,4-ジオンモノエチレンアセタールと反応さ
せ、酸触媒存在下の脱水後、二重結合を接触還元するこ
とにより得た。)25.8gの110mLのテトラヒドロフラン(TH
F)溶液を窒素雰囲気下で-55℃に冷却した。これにn-ブ
チルリチウム(1.57Mヘキサン溶液)67.9mLを1時間で滴下
しフェニルリチウム誘導体を調製した。30分攪拌後、N,
N-ジメチルホルムアミド(DMF)8.9gのTHF40mL溶液を-55
℃で滴下した。-55℃で1時間攪拌後、0℃まで昇温さ
せ、水次いで少量の10％塩酸を加え、酢酸エチルで抽出
した。水、及び飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウ
ムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して4-(3,5-ジフルオ
ロ-4-ホルミルフェニル)シクロヘキサノンエチレンアセ
タール28.1gを得た。1-b) 得られた化合物の全量を酢
酸100mLに溶解し、ヒドロキシルアミン塩酸塩10.0g及び
酢酸ナトリウム(無水)7.5gを加え3時間加熱還流させ
た。これに無水酢酸24gを加えさらに3時間攪拌させた。
氷水中に反応液を加え、析出した結晶を濾取し、水で洗
浄した後、トルエン100mLに溶解した。飽和食塩水で洗
浄後、エチレングリコール6.3g及びp-トルエンスルホン
酸1.0gを加え、共沸する水を除去しながら水の溜出がみ
られなくなるまで加熱還流させた。室温まで放冷後、
水、飽和重曹水、水、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を溜去して得られた粗
生成物をヘキサンから再結晶させて4-(3,5-ジフルオロ-
4-シアノフェニル)シクロヘキサノンエチレンアセター
ルの白色結晶21.2gを得た。
【００４０】(実施例2) 4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノ
フェニル)シクロヘキサノンエチレンアセタール(I-1)の
製造(製造方法4及び製造法5) 2-a) 実施例1と同様にして調製したフェニルリチウム
誘導体に、DMFに換えて、粉砕したドライアイス8.8gを
ゆっくり加え、以下同様に反応させた。同様に後処理し
て2,6-ジフルオロ-4-(4,4-エチレンジオキシシクロヘキ
シル)安息香酸29.7gを得た。 2-b) この全量をジクロロメタン100mLに溶解し、塩化
チオニル23.2g及びピリジン1mLを加え、1時間加熱還流
させた。溶媒及び過剰の塩化チオニルを溜去後、再度ジ
クロロメタンに溶解し、30％アンモニア水を加えよく攪
拌させた。有機層を水で洗浄後、溶媒を溜去して得られ
た粗結晶をメタノールから再結晶させて、2,6-ジフルオ
ロ-4-(4,4-エチレンジオキシシクロヘキシル)ベンズア
ミド26.7gを得た。 2-c) この全量をトルエン100mLに溶解し、オキシ塩化
リン20mLを加え、3時間60℃で加熱攪拌させた。室温ま
で放冷後、氷水にあけ、トルエン層を水、飽和重曹水、
水、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。溶媒を溜去して得られた粗生成物をヘキサンか
ら再結晶させて4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニル)
シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色結晶19.2g
を得た。
フェニル)シクロヘキサノンエチレンアセタール(I-1)の
製造(製造方法4及び製造法5) 2-a) 実施例1と同様にして調製したフェニルリチウム
誘導体に、DMFに換えて、粉砕したドライアイス8.8gを
ゆっくり加え、以下同様に反応させた。同様に後処理し
て2,6-ジフルオロ-4-(4,4-エチレンジオキシシクロヘキ
シル)安息香酸29.7gを得た。 2-b) この全量をジクロロメタン100mLに溶解し、塩化
チオニル23.2g及びピリジン1mLを加え、1時間加熱還流
させた。溶媒及び過剰の塩化チオニルを溜去後、再度ジ
クロロメタンに溶解し、30％アンモニア水を加えよく攪
拌させた。有機層を水で洗浄後、溶媒を溜去して得られ
た粗結晶をメタノールから再結晶させて、2,6-ジフルオ
ロ-4-(4,4-エチレンジオキシシクロヘキシル)ベンズア
ミド26.7gを得た。 2-c) この全量をトルエン100mLに溶解し、オキシ塩化
リン20mLを加え、3時間60℃で加熱攪拌させた。室温ま
で放冷後、氷水にあけ、トルエン層を水、飽和重曹水、
水、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。溶媒を溜去して得られた粗生成物をヘキサンか
ら再結晶させて4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニル)
シクロヘキサノンエチレンアセタールの白色結晶19.2g
を得た。
【００４１】(実施例3) トランス-4'-(3,5-ジフルオロ
-4-シアノフェニル)ビシクロヘキサン-4-オンエチレン
アセタール(I-3)の製造(製造方法8) トランス-4'-(3,5-ジフルオロ-4-トリフルオロメタンス
ルホニルオキシフェニル)ビシクロヘキサン-4-オンエチ
レンアセタール9.3gを40mLのTHFに溶解し、1.1gのシア
ン化ナトリウム及び400mgのテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウム(0)を加え、8時間加熱還流させ
た。室温まで放冷後、トルエンを加え、有機層を水、飽
和食塩水で洗浄した。溶媒を溜去して得られた粗生成物
をヘキサンから再結晶させてトランス-4'-(3,5-ジフル
オロ-4-シアノフェニル)ビシクロヘキサン-4-オンエチ
レンアセタールの白色結晶4.4gを得た。
-4-シアノフェニル)ビシクロヘキサン-4-オンエチレン
アセタール(I-3)の製造(製造方法8) トランス-4'-(3,5-ジフルオロ-4-トリフルオロメタンス
ルホニルオキシフェニル)ビシクロヘキサン-4-オンエチ
レンアセタール9.3gを40mLのTHFに溶解し、1.1gのシア
ン化ナトリウム及び400mgのテトラキス(トリフェニルホ
スフィン)パラジウム(0)を加え、8時間加熱還流させ
た。室温まで放冷後、トルエンを加え、有機層を水、飽
和食塩水で洗浄した。溶媒を溜去して得られた粗生成物
をヘキサンから再結晶させてトランス-4'-(3,5-ジフル
オロ-4-シアノフェニル)ビシクロヘキサン-4-オンエチ
レンアセタールの白色結晶4.4gを得た。
【００４２】(応用例) 4-(トランス-4-ビニルシクロヘ
キシル)-2,6-ジフルオロベンゾニトリルの合成 実施例1で得られた4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニ
ル)シクロヘキサノンエチレンアセタール2.83gをトルエ
ン10mLに溶解し、蟻酸5mLを加え、60℃で4時間加熱攪拌
させた。放冷後、トルエン層を分離し、水、飽和重曹
水、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱
水後、溶媒を溜去して4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェ
ニル)シクロヘキサノン2.03gを得た。
キシル)-2,6-ジフルオロベンゾニトリルの合成 実施例1で得られた4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニ
ル)シクロヘキサノンエチレンアセタール2.83gをトルエ
ン10mLに溶解し、蟻酸5mLを加え、60℃で4時間加熱攪拌
させた。放冷後、トルエン層を分離し、水、飽和重曹
水、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱
水後、溶媒を溜去して4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェ
ニル)シクロヘキサノン2.03gを得た。
【００４３】トルエン及びTHFの混合溶媒中、4.50gの塩
化トリフェニルメトキシメチルホスホニウムと1.52gのt
-ブトキシカリウムから調製したウィッティヒ反応剤中
に、上記の4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニル)シク
ロヘキサノン2.03gのTHF溶液を氷冷下に滴下し、反応さ
せた。水及びヘキサンを加え、ヘキサン層中の不溶物を
濾別した後、メタノール／水の混合溶媒で洗浄した。溶
媒を溜去後、THFに再度溶解し、10％塩酸を加えて室温
で攪拌した。ヘキサンで抽出後、水で洗浄し、溶媒を溜
去させ、メタノールに溶解した。10％水酸化ナトリウム
水溶液を加え、室温で攪拌した。析出した結晶を集め、
水及び冷メタノールで洗浄してトランス-4-(3,5-ジフル
オロ-4-シアノフェニル)シクロヘキサンカルバルデヒド
1.94gを得た。
化トリフェニルメトキシメチルホスホニウムと1.52gのt
-ブトキシカリウムから調製したウィッティヒ反応剤中
に、上記の4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニル)シク
ロヘキサノン2.03gのTHF溶液を氷冷下に滴下し、反応さ
せた。水及びヘキサンを加え、ヘキサン層中の不溶物を
濾別した後、メタノール／水の混合溶媒で洗浄した。溶
媒を溜去後、THFに再度溶解し、10％塩酸を加えて室温
で攪拌した。ヘキサンで抽出後、水で洗浄し、溶媒を溜
去させ、メタノールに溶解した。10％水酸化ナトリウム
水溶液を加え、室温で攪拌した。析出した結晶を集め、
水及び冷メタノールで洗浄してトランス-4-(3,5-ジフル
オロ-4-シアノフェニル)シクロヘキサンカルバルデヒド
1.94gを得た。
【００４４】トルエン及びTHFの混合溶媒中、3.25gの臭
化メチルトリフェニルホスホニウムと1.05gのt-ブトキ
シカリウムから調製したウィッティヒ反応剤中に、上記
のトランス-4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニル)シク
ロヘキサンカルバルデヒド1.94gのTHF溶液を氷冷下に滴
下し、反応させた。室温で塩酸を加えて中和し、ヘキサ
ンで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を溜去した後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(ヘキサン)で精製し、さらにメタノールから再結
晶させて、4-(トランス-4-ビニルシクロヘキシル)-2,6-
ジフルオロベンゾニトリルの白色結晶1.54g(総収率68
％)を得た。融点39.5℃。
化メチルトリフェニルホスホニウムと1.05gのt-ブトキ
シカリウムから調製したウィッティヒ反応剤中に、上記
のトランス-4-(3,5-ジフルオロ-4-シアノフェニル)シク
ロヘキサンカルバルデヒド1.94gのTHF溶液を氷冷下に滴
下し、反応させた。室温で塩酸を加えて中和し、ヘキサ
ンで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ
た。溶媒を溜去した後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィー(ヘキサン)で精製し、さらにメタノールから再結
晶させて、4-(トランス-4-ビニルシクロヘキシル)-2,6-
ジフルオロベンゾニトリルの白色結晶1.54g(総収率68
％)を得た。融点39.5℃。
【００４５】
【発明の効果】本発明はアルケニル基を含有する2,6-ジ
フルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体の重要な中間体
である化合物を提供し、またこの化合物の効率的な製造
法を提供することが可能となった。
フルオロ-4-置換ベンゾニトリル誘導体の重要な中間体
である化合物を提供し、またこの化合物の効率的な製造
法を提供することが可能となった。
Claims (20)
- 【請求項１】 一般式(I) 【化１】 (式中、Rは置換基を有していてもよい炭素原子数2〜4の
アルキレン基を表し、M及びNはそれぞれ独立的に単結
合、-CH2CH2-、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH2O-、-O
CH2-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2CF2-、-CH2CH(CH3)-、-CH
(CH3)CH2-、-CH2CH2CH2CH2-、-OCH2CH2CH2-、又は-CH2C
H2CH2O-を表し、環Aはトランス-1,4-シクロヘキシレン
基、フッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基、又
はピリミジン-2,5-ジイル基を表し、nは0又は1を表
す。)で表されるベンゾニトリル誘導体。 - 【請求項２】 一般式(I)において環Aがトランス-1,4-
シクロヘキシレン基又はフッ素置換されていてもよい1,
4-フェニレン基を表し、Nが単結合を表す、請求項1記載
のベンゾニトリル誘導体。 - 【請求項３】 一般式(I)においてnが0を表す、請求項1
記載のベンゾニトリル誘導体。 - 【請求項４】 一般式(I)においてMが単結合を表す、請
求項3記載のベンゾニトリル誘導体。 - 【請求項５】 一般式(I)においてRが-CH2CH2-又は-CH2
CH2CH2-を表す請求項1〜4の何れかに記載のベンゾニト
リル誘導体。 - 【請求項６】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル誘
導体の製造方法であって、一般式(II) 【化２】 (式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表されるベンズアルデヒド誘導体をヒ
ドロキシルアミン又はその水和物又はその塩と反応させ
て一般式(III) 【化３】 (式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表されるオキシムとし、次いで脱水反
応させることを特徴とする当該方法。 - 【請求項７】 一般式(III)の脱水を無水酢酸存在下に
行う請求項6記載の製造方法。 - 【請求項８】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル誘
導体の製造方法であって、一般式(II)のベンズアルデヒ
ド誘導体を酸化剤存在下にアンモニアと反応させること
を特徴とする当該方法。 - 【請求項９】 酸化剤が二酸化マンガンである請求項8
記載の製造方法。 - 【請求項１０】 再アセタール化工程を含む請求項6〜9
の何れかに記載の製造方法。 - 【請求項１１】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル
誘導体の製造方法であって、一般式(IV) 【化４】 (式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表される化合物をアルキルリチウムで
リチオ化した後、ホルミル化剤と反応させることにより
一般式(II)で表されるベンズアルデヒド誘導体とし、こ
れをヒドロキシルアミン又はその水和物又はその塩と反
応させて一般式(III)で表されるオキシムとし、次いで
脱水反応させることを特徴とする当該方法。 - 【請求項１２】 一般式(III)の脱水を無水酢酸存在下
に行う請求項11記載の製造方法。 - 【請求項１３】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル
誘導体の製造方法であって、一般式(V) 【化５】 (式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表す。)で表される安息香酸誘導体を酸アミドに
導いた後、脱水することを特徴とする当該方法。 - 【請求項１４】 再アセタール化工程を含む請求項13記
載の製造方法。 - 【請求項１５】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル
誘導体の製造方法であって、一般式(IV)で表される化合
物をアルキルリチウムでリチオ化した後、二酸化炭素と
反応させることにより一般式(V)の安息香酸誘導体と
し、酸アミドに導いた後、脱水することを特徴とする当
該方法。 - 【請求項１６】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル
誘導体の製造方法であって、一般式(VI) 【化６】 (式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表し、Xはヨウ素又は臭素原子を表す。)で表され
るハロゲン化ベンゼン誘導体にシアン化銅(I)を反応さ
せることを特徴とする当該方法。 - 【請求項１７】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル
誘導体の製造方法であって、一般式(IV)で表される化合
物をアルキルリチウムでリチオ化した後、ヨウ素又は臭
素と反応させることにより一般式(VI)のハロゲン化ベン
ゼン誘導体とし、これにシアン化銅(I)を反応させるこ
とを特徴とする当該方法。 - 【請求項１８】 一般式(I)で表されるベンゾニトリル
誘導体の製造方法であって、一般式(VII) 【化７】 (式中、R、M、N、環A及びnは一般式(I)のおけると同じ
意味を表し、Qは炭素原子数7以下のアルキル基、パーフ
ルオロアルキル基又はアリール基を表す。)で表される
スルホン酸エステルに触媒存在下にシアン化金属を反応
させることを特徴とする当該方法。 - 【請求項１９】 一般式(VII)においてQがトリフルオロ
メチル基を表す請求項18記載の製造方法。 - 【請求項２０】 触媒がパラジウム又はニッケルの塩又
は錯体である請求項19記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002094767A JP4300450B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | ベンゾニトリル誘導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002094767A JP4300450B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | ベンゾニトリル誘導体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003286279A true JP2003286279A (ja) | 2003-10-10 |
| JP4300450B2 JP4300450B2 (ja) | 2009-07-22 |
Family
ID=29238596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002094767A Expired - Fee Related JP4300450B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | ベンゾニトリル誘導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4300450B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010073714A1 (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 日本曹達株式会社 | 有機リチウム化合物の製造方法および置換芳香族化合物の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002094767A patent/JP4300450B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010073714A1 (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-01 | 日本曹達株式会社 | 有機リチウム化合物の製造方法および置換芳香族化合物の製造方法 |
| US8871970B2 (en) | 2008-12-25 | 2014-10-28 | Nippon Soda Co., Ltd. | Process for producing organolithium compound and process for producing substituted aromatic compound |
| US9133098B2 (en) | 2008-12-25 | 2015-09-15 | Nippon Soda Co., Ltd. | Process for producing organolithium compound and process for producing substituted aromatic compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4300450B2 (ja) | 2009-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4970340B2 (ja) | Ｃｆ２ｏブリッジを有する化合物の製造方法 | |
| EP0331091B1 (en) | Cyclohexene derivatives | |
| JP3902802B2 (ja) | ジエン化合物及び液晶媒質 | |
| JPS6059948B2 (ja) | ジフエニルエタン核を含む式を有する液晶材料 | |
| EP0044759A1 (fr) | Cristal liquide smectique de type A présentant une anisotropie diélectrique positive | |
| JP2004538244A (ja) | 環状フッ素化カルボン酸オルトエステルおよび相応する化合物を合成するための方法 | |
| KR100266245B1 (ko) | 사이클로헥산 유도체 및 이를 함유하는 액정 조성물 | |
| JP3326821B2 (ja) | ２−フルオロベンゾニトリル誘導体 | |
| JP3632702B2 (ja) | １，７，８−トリフルオロ−２−ナフトール及びこれを用いた液晶化合物の製造方法 | |
| JP4300450B2 (ja) | ベンゾニトリル誘導体及びその製造方法 | |
| JPH05286872A (ja) | シス−１，４−置換２−ブテン誘導体 | |
| JP4329306B2 (ja) | ベンゾニトリル誘導体及びその製造方法 | |
| JP3692430B2 (ja) | ４−（２−シクロヘキシルプロピル）ベンゼン誘導体 | |
| JP3783247B2 (ja) | １，２−ジシクロヘキシルプロパン誘導体 | |
| JPH06313170A (ja) | フェニルビシクロヘキサン誘導体 | |
| JP3899530B2 (ja) | 液晶性化合物および液晶組成物 | |
| JP2000001463A (ja) | ４−シアノベンゼン誘導体の製造方法 | |
| JPS6183190A (ja) | ２−（４′−置換フエニル）−５−アルキル−１，３，２−ジオキサボリナン化合物，その製造法及びそれを含有する液晶組成物 | |
| TWI332494B (en) | Process for the preparation of naphthalene derivatives | |
| JP4496770B2 (ja) | １−ハロゲノ−２−アルコキシナフタレン誘導体およびその製造方法 | |
| JP3632778B2 (ja) | （２−シクロヘキシル）プロピルベンゼン誘導体 | |
| JP2001294541A (ja) | トラン誘導体の製造方法 | |
| JP2003146932A (ja) | 置換フルオロ芳香族化合物、これらの化合物の製造方法およびそれらの使用 | |
| JP3579726B2 (ja) | 共役エンイン誘導体および液晶組成物 | |
| JPH0776536A (ja) | ハロゲン化ビニル誘導体およびこれを原料とする液晶化合物の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050322 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050627 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090116 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090326 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090408 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120501 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4300450 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120501 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120501 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130501 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130501 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140501 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |