JP3899530B2 - 液晶性化合物および液晶組成物 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は新規な液晶性化合物およびこれを含むＴＦＴ用に好適な液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ネマチック液晶組成物は種々の表示用途、例えば時計、電卓、ワープロ、コンピュータ端末、テレビなどのディスプレイ用の材料として広く用いられている。ネマチック液晶組成物を用いた液晶表示素子の駆動方式には、主にツイステッドネマチック（以下、ＴＮと略す）、スーパーツイステッドネマチック（以下、ＳＴＮと略す）、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）の３種類の方式がある。中でもＴＦＴ方式は表示能力が優れており、テレビや大型カラーディスプレイに用いられ、最も用途の拡大が見込まれている。
【０００３】
ＴＦＴ用液晶性化合物に要求される特性として、１）広い温度範囲においてネマチック液晶相を呈すること、２）大きな誘電率異方性値（以下、Δεと略す）を有すること、３）大きな複屈折率（以下、Δｎと略す）を有すること、４）低い粘性を有すること、５）化学的に安定であり、高い電圧保持率を持つこと、が挙げられる。これら諸特性を満たすために種々の化合物が提案されている。
【０００４】
高い電圧保持率を持つ化合物としてフッ素原子を含む化合物が優れており、従来よりかかる液晶性化合物の探索が盛んに行なわれている。例えば分子末端に３，４−ジフルオロベンゼン骨格を有する化合物（ＤＥ３０４２３９１）、さらに大きなΔεを目指した３，４，５−トリフルオロベンゼン骨格を有する化合物（ＵＳＰ５０３２３１３）が知られているが、これらは透明点がきわめて低く不適当である。
【０００５】
また分子末端にトリフルオロメチル基、トリフルオロメチルオキシ基、ジフルオロメチルオキシ基を導入した化合物（ＤＥ４０２７８４０）も知られているが、やはり透明点が低い上Δｎが小さいという欠点があった。
また近年、分子末端に１，１，２，２−テトラフルオロエチルオキシ基を持つ化合物（ＤＥ４１４２５１９）や２，２，２−トリフルオロエチルオキシ基を持つ化合物（ＷＯ９３／３１１３）が報告されているが、これらの化合物はいずれも透明点が低い上充分大きなΔεとΔｎを有さないという欠点があり特性上不十分である。
【０００６】
より大きなΔεの発現を目指してより大きな双極子モーメントを持つシアノ基を導入した例も報告されているが（特開昭６２−１０３０５７、６３−２１６８５８）、この場合には、粘性が大きくなる上に電圧保持率が低下するため、ＴＦＴ用液晶性化合物として使用することが不可能であった。
これらの先行技術に記載の化合物は、いずれも環成分としてベンゼン環および／またはシクロヘキサン環のみを含むものであり、シクロヘキセン環を含むものはほとんど例がない。その理由は、シクロヘキセン環を持つ化合物が種々の環境因子（水分、熱、空気、光、電気等）により重合、分解等を起こしやすく、不安定なためと考えられる（例えば、ＵＳＰ４４０５４８８）。
【０００７】
唯一安定なシクロヘキセン環を持つ化合物として、特願平２−９０１９０（ＵＳＰ５０６４５６５）に記載の化合物があるが、充分大きなΔεを示さずＴＦＴ用液晶化合物としては不適であった。
また、ＥＰ３３４９１１はシクロヘキセン環を含む一般式で示される化合物を請求しているが、その具体的化合物についてはこれを支持する実施例や特性を示唆する記述を一切示していない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、広い温度範囲においてネマチック液晶相を呈するとともに、大きなΔεとΔｎおよび低い粘度を有し、かつ高い電圧保持率を持つことが可能な液晶性化合物ならびにこれを含むＴＦＴ用に好適な液晶組成物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願で特許請求される発明は以下のとおりである。（１）一般式（１）
【００１０】
【化８】
【００１１】
（式中、Ｒ1 は１〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、１〜１１個の炭素原子を有するアルコキシ基、または２〜１１個の炭素原子を有するアルケニル基であり、Ｘ、Ｚは水素原子、フッ素原子または塩素原子を示し、Ｙは炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基またはペルフルオロアルキルオキシ基を示し、この基中における１つまたは２つのフッ素原子は水素原子に置換されてもよく、Ａ、Ｂ、Ｃはそれらの１つがシクロヘキセン環であり、他はシクロヘキサン環およびベンゼン環からなる群から選ばれ、これらの環はフッ素原子で置換されていてもよく、ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ独立に０または１であるが、ｍ＝０のときｌ＝０であり、ｍ＝１、ｎ＝０のときＡまたはＢがシクロヘキセン環であり、ｍ＝０、ｎ＝１のときＡまたはＣがシクロヘキセン環であり、そしてｍ＝０、ｎ＝０のときＡがシクロヘキセン環であるが、Ｃは
【化２】
であることはない。）で示される液晶性化合物。
（２）Ｙがトリフルオロメチル基である（１）記載の液晶性化合物。
（３）Ｙがトリフルオロメチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（４）Ｙがジフルオロメチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（５）Ｙが１，１，２，２−テトラフルオロエチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（６）Ｙが１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロピルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（７）Ｙがペンタフルオロエチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（８）（１）から（７）のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１成分以上含む２成分以上からなる液晶組成物。
（９）第一成分として、（１）から（７）のいずれかに記載の化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、下記の一般式（２）、（３）および（４）
【００１２】
【化９】
【００１３】
（式中、Ｒ2 は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｚ’はＦまたはＣｌを示し、Ｑ1 およびＱ2 は各々独立してＨまたはＦを示し、ｒは１または２を示し、Ｚ1 およびＺ2 は各々独立して−ＣＨ2 ＣＨ2 −または共有結合を示す。）からなる群から選択される１種またはそれ以上の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
（１０）第一成分として、（１）から（７）のいずれかに記載の化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、下記の一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）
【００１４】
【化１０】
【００１５】
（式中、Ｒ3 は炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、該各基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。Ｚ3 は−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｑ3 はＨまたはＦを示し、Ｄはシクロヘキサン環、ベンゼン環または１，３−ジオキサン環を示し、ｓは０または１を示す。）
【００１６】
【化１１】
【００１７】
（式中、Ｒ4 は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、該基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｑ4 はＨまたはＦを示し、ｋは０または１を示す。）
【００１８】
【化１２】
【００１９】
（式中、Ｒ5 は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、該基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｅはシクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｑ5 はＨまたはＦを示し、Ｚ4 は−ＣＯＯ−または共有結合を示し、ｈは０または１を示す。）
【００２０】
【化１３】
【００２１】
（式中、Ｒ6 およびＲ7 は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基、アルキルオキシ基またはアルキルオキシメチル基を示し、該各基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｌはシクロヘキサン環、ピリミジン環またはベンゼン環を示し、Ｇはシクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｚ5 は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −または共有結合を示す。）
【００２２】
【化１４】
【００２３】
（式中、Ｒ8 は炭素数１〜１０のアルキル基またはアルキルオキシ基を示し、Ｒ9 は炭素１〜１０のアルキル基、アルキルオキシ基またはアルキルオキシメチル基を示し、該各基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｍはシクロヘキサン環またはピリミジン環を示し、ＪおよびＫは各々独立してシクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｚ6 は−ＣＯＯ−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −または共有結合を示し、Ｚ7 は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｑ6 はＨまたはＦを示す。）からなる群から選択される１種またはそれ以上の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
（１１）（１）から（７）のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１成分以上含む２成分以上からなる液晶組成物を使用して構成した液晶表示素子。
（１２）（８）から（１０）のいずれかに記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【００２４】
本発明の一般式（１）で示される液晶性化合物はいずれも優れた液晶特性を持つが、このうち特に優れた特性、すなわち広い温度範囲においてネマチック液晶相を呈し、大きなΔεとΔｎおよび低い粘度を有し、かつ高い電圧保持率をもつ液晶性化合物は、次に挙げる（１−１）〜（１−２５）である。
【００２５】
【化１５】
【００２６】
【化１６】
【００２７】
【化１７】
【００２８】
（式中、Ｒ1 、Ｘ、Ｙ、Ｚは前記と同一の意味を示し、Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 、Ｔ4 はそれぞれ独立にフッ素原子または塩素原子を示す。）
これらのなかでも、置換基Ｙが下記から選ばれるものが特に好ましい特性を発現する。
−ＣＦ3 −ＯＣＦ3
−ＣＦ2 Ｈ −ＯＣＦ2 Ｈ
−ＣＦ2 ＣＦ2 Ｈ −ＯＣＦ2 ＣＦ2 Ｈ
−ＣＦ2 ＣＦ3 −ＯＣＦ2 ＣＦ3
−ＣＦ2 ＣＦＨＣＦ3 −ＯＣＦ2 ＣＦＨＣＦ3
本発明の一般式（１）で示される化合物はいずれも優れた特性を持つ液晶組成物の構成成分となりうるが、特に高い透明点を持つ組成物を必要とする場合には３環系化合物や４環系化合物を、逆に低めの透明点を持つ組成物を必要とするときには２環系化合物を選択して用いることが好ましい。（１）式に示す本発明の化合物はいずれも大きなΔεを示すが、特に大きなΔεが必要な場合には、該式中のＸ、Ｚ、Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 およびＴ4 のうちの少なくとも１つ以上をフッ素原子あるいは塩素原子とすることが好ましい。また、大きなΔｎが必要な場合にはベンゼン環を多く含む化合物とすることが好ましい。本発明の化合物は粘性を上げる置換基例のシアノ基等を有していないのでいずれも低粘性であるが、さらに低い粘性を必要とする場合にはシクロヘキサン環を多く含む化合物とすることが好ましい。このように、本発明によれば（１）式中のＸ、Ｚ、Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 およびＴ4 ならびに環骨格を適当に選択することによって、必要な物性値を持つ化合物を任意に得ることができる。
【００２９】
本発明の一般式（１）で示される化合物は、シクロヘキサノン誘導体に種々のグリニヤル試薬を作用させて得られるアルコール体を脱水反応に付すことによって製造される。
【００３０】
【化１８】
【００３１】
（上記において、Ｈａｌは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示し、Ｒ1 、ｌ、ｎ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｃは前記と同一の意味を示す。）
すなわち（１）式においてＢがシクロヘキセン環である化合物（１ａ）は、シクロヘキサノン誘導体（１０）に２−置換エチルハライド（１１）より調製されるグリニヤル試薬を作用させてアルコール体（１２）とし、次いで脱水することによりこれを製造することができる。なお、上記（１２）の製造において、グリニヤル試薬の代わりに２−置換エチルリチウムを使用してもよい。上記の脱水反応は酸性触媒の存在下で容易に進行する。用いる酸性触媒としては、硫酸、塩酸等の鉱酸、パラートルエンスルホン酸等のスルホン酸類やその塩、アンバーリスト等の酸性イオン交換樹脂が広く適する。また、化合物（１ａ）は（１２）の３級水酸基を一旦メシル基、トシル基、ハロゲン等の脱離基に変換したのち、水酸化ナトリウム、水素化ナトリウム、ＤＢＵ等の塩基で処理することにより、あるいは（１０）に（１１）から調製されたグリニヤル試薬を作用させたのち反応系内を酸性条件にすることにより、（１２）を単離することなく製造することもできる。
【００３２】
出発原料の（１０）は、化合物（１３）を市販の１，４−シクロヘキサンジオン モノエチレンケタール（１４）に作用させて（１５）としたのち、脱水、還元、脱保護することによって得ることができる。該脱水反応は前記と同様にして行なえばよい。また還元反応は水素雰囲気下、パラジウム炭素、白金炭素、ラネーニッケル等の触媒の存在下に行ない得る。さらに脱保護反応は酸性条件下、好ましくはギ酸中で（１７）を加熱することにより容易に行ない得る。グリニヤル試薬の調製に用いられる（１１）は、化合物（１８）を増炭反応に付すことにより得られるアルコール体（１９）を、種々のハロゲン化剤でハロゲン化することによって製造される。該ハロゲン化剤としては、臭化水素、臭化水素酸、三臭化リン、塩化チオニル等を好適に示すことができる。増炭反応はこれが可能な既知の手法に従えばよいが、エチレンオキシドを用いる方法が最も簡便であり好ましい。
【００３３】
次に、（１）式においてＣがシクロヘキセン環である化合物（１ｂ）は、シクロヘキサンノン誘導体（２１）に２−置換エチルハライド（２０）から調製されるグリニヤル試薬を作用させてアルコール体（２２）とし、次いで脱水することによりこれを製造することができる。
【００３４】
【化１９】
【００３５】
（上記において、Ｒ1 、ｌ、ｍ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｂ、Ｈａｌは前記と同一の意味を示す。）
なお、上記（２２）の製造において、グリニヤル試薬の代わりに２−置換エチルリチウムを使用してもよい。上記の脱水反応は前記と同様にして行なえばよい。出発原料の（２１）は、フェニルマグネシウムハライド（２３）に市販の１，４−シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（１４）を作用させて（２４）としたのち、前記（１０）の製造の場合と同様にして脱水、還元および脱保護反応を行なうことにより得ることができる。
【００３６】
なお、前記のいずれの製造方法においても、式中のＹが水素原子を含む場合には、この水素の反応性は高いのでこれらの製造方法を適用することができない。この場合には以下の方法が適する。
【００３７】
【化２０】
【００３８】
（上記において、Ｂｎはベンジル基を示し、ｐは０〜２の整数を示し、Ｒ1 、ｌ、ｍ、ｎ、Ｘ、Ｚ、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｓは前記と同一の意味を示す。）
すなわち、Ｙがベンジルエーテルである化合物（２７）をあらかじめ得、これを脱ベンジルエーテル化して水酸基を有する化合物（２８）としたのち、このフェノール性の水酸基にフルオロアルキル基を導入することによって（１ｃ）式の化合物を製造することができる。この場合、保護基としてベンジルエーテル以外の保護基、例えばトリメチルシリルエーテル等のシリルエーテル類やメトキシメチルエーテル等のアセタール類などを用いても構わない。（２８）へのフルオロアルキル基の導入は、塩基性条件下に種々の含フッ素化合物を作用させることによって行なえる。
【００３９】
このようにして得られる本発明の化合物（１）はいずれも大きなΔεとΔｎを示し、シクロヘキセン環を含むにもかかわらず化学的に安定であるため高い電圧保持率を持つ上、種々の液晶化合物と容易に混合するのでネマチック液晶組成物、特に電気光学素子に適したネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れている。
【００４０】
本発明により提供される液晶組成物は、一般式（１）で示される化合物を少なくとも一つ以上含む成分（Ａ）のみでもよいが、これに加え、第二成分として既述した一般式（２）、（３）および（４）からなる群から選ばれる１種および／またはそれ以上の化合物または一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）からなる群から選ばれる１種またはそれ以上の化合物を混合したものが好ましく、さらに目的に応じてΔε≧５である化合物群（Ｂ）、｜Δε｜＜５である化合物群（Ｃ）、特に８０℃以上の透明点を持つ化合物群（Ｄ）、それ以外の化合物群（Ｅ）から任意に選択された化合物を混合することもできる。
【００４１】
上記第二成分のうち、一般式（２）に含まれる化合物の好適例として、次の（２−１）〜（２−１２）を挙げることができる。
【００４２】
【化２１】
【００４３】
【化２２】
【００４４】
（Ｒ2 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（３）に含まれる化合物の好適例として、次の（３−１）〜（３−１８）を挙げることができる。
【００４５】
【化２３】
【００４６】
【化２４】
【００４７】
【化２５】
【００４８】
（Ｒ2 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（４）に含まれる化合物の好適例として、次の（４−１）〜（４−１８）を挙げることができる。
【００４９】
【化２６】
【００５０】
【化２７】
【００５１】
【化２８】
【００５２】
（Ｒ2 は前記と同一の意味を示す。）
これらの一般式（２）〜（４）で表わされる化合物は誘電率異方性が正の化合物であり、熱的安定性や化学的安定性が非常に優れている。従って、特に高信頼性下に高い電圧保持率や大きな比抵抗値が要求されるＴＦＴ（ＡＭ−ＬＣＤ）用の液晶組成物を調整する場合に、不可欠な化合物である。
【００５３】
該化合物の使用量は、ＴＦＴ用の液晶組成物を調整する場合、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、その際には、一般式（５）〜（９）で表わされる化合物を一部含有してもよい。なお、ＳＴＮ表示方式または通常のＴＮ表示方式用の液晶組成物を調整する場合にも、一般式（２）〜（４）で表わされる化合物を使用することができる。
【００５４】
次に、前記第二成分のうち、一般式（５）に含まれる化合物の好適例として、次の（５−１）〜（５−１７）を挙げることができる。
【００５５】
【化２９】
【００５６】
【化３０】
【００５７】
【化３１】
【００５８】
（Ｒ3 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（６）に含まれる化合物の好適例として、次の（６−１）〜（６−３）を挙げることができる。
【００５９】
【化３２】
【００６０】
（Ｒ4 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（７）に含まれる化合物の好適例として、次の（７−１）〜（７−９）を挙げることができる。
【００６１】
【化３３】
【００６２】
【化３４】
【００６３】
（Ｒ5 は前記と同一の意味を示す。）
これらの一般式（５）〜（７）で表わされる化合物は、誘電率異方性が正かつその値が大きいので、特に液晶組成物のしきい値電圧を小さくする目的で使用し得る。また、粘度調整やΔｎ調整の他、透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的、さらには急峻性を改良する目的で使用することもできる。
【００６４】
第二成分のうち、一般式（８）に含まれる化合物の好適例として、次の（８−１）〜（８−６）を挙げることができる。
【００６５】
【化３５】
【００６６】
（Ｒ6 、Ｒ7 はそれぞれ前記と同一の意味を示す。）
さらに、第二成分のうち、一般式（９）に含まれる化合物の好適例として、次の（９−１）〜（９−１０）を挙げることができる。
【００６７】
【化３６】
【００６８】
【化３７】
【００６９】
（Ｒ8 、Ｒ9 はそれぞれ前記と同一意味を示す。）
これらの一般式（８）および（９）で表わされる化合物は、誘電率異方性が負または弱い正の化合物である。そのうち、一般式（８）の化合物は、主として液晶組成物の粘度低下および／またはΔｎ調整の目的で使用し得る。また、一般式（９）の化合物は、透明点を高くする等のネマティックレンジを広げる目的および／またはΔｎ調整の目的で使用し得る。
【００７０】
第二成分のうち、前記一般式（５）〜（９）で表わされる化合物は、特にＳＴＮ表示方式や通常のＴＮ表示方式用の液晶組成物を調整する場合に、不可欠な化合物である。
該化合物の使用量は、通常のＴＮ表示方式やＳＴＮ表示方式用の液晶組成物を調整する場合には、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、その際には、一般式（２）〜（４）で表わされる化合物を一部使用してもよい。
【００７１】
次に、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および／または（Ｅ）は目的に応じて液晶組成物に加えられるが、それらに含まれる化合物例を示すと次のとおりである。
まず、（Ｂ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｂ１）〜（Ｂ１３）を挙げることができる。
【００７２】
【化３８】
【００７３】
（上記において、Ｒａは炭素数１〜１０のアルキル基またはアルケニル基を示すが、それらの中の１つないし隣接しない２つ以上の炭素原子は酸素原子によって置き換えられてもよい。）
また、（Ｃ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｃ１）〜（Ｃ３４）を挙げることができる。
【００７４】
【化３９】
【００７５】
【化４０】
【００７６】
【化４１】
【００７７】
（上記において、Ｒａ、Ｒａ’はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基またはアルケニル基を示すが、それらの中の１つないし隣接しない２つ以上の炭素原子は酸素原子によって置き換えられてもよい。）
また、（Ｄ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｄ１）〜（Ｄ５７）を挙げることができる。
【００７８】
【化４２】
【００７９】
【化４３】
【００８０】
【化４４】
【００８１】
【化４５】
【００８２】
【化４６】
【００８３】
【化４７】
【００８４】
（上記において、Ｒａ、Ｒａ’は前記と同一の意味を示す。）
また、（Ｅ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｅ１）〜（Ｅ１８）を挙げることができる。
【００８５】
【化４８】
【００８６】
【化４９】
【００８７】
（上記において、Ｒａは前記と同一の意味を示す。）
本発明に係る液晶組成物は一般式（１）で示される化合物の１種以上を０．１〜９９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。
該液晶組成物をＴＦＴ液晶表示素子に用いることによって、急峻性や視野角を改善できる。また（１）式の化合物は低粘性化合物であるので、これを用いた液晶表示素子の応答速度は改善される。
【００８８】
本発明に係る液晶組成物は、それ自体公知の方法、例えば種々の成分を高温度下に混合し、互いに溶解させる方法等により一般に調製される。また、必要により適当な添加物を加えることによって意図する用途に応じた改良がなされ、最適化される。このような添加物は当業者によく知られており、文献等に詳細に記載されている。通常、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（reverse twist）を防ぐといった効果を有するキラルドープ材（chiral dopant）などが添加される。
【００８９】
本発明の化合物を含有する液晶組成物例として以下のものを示すことができる。なお、化合物No. は後述の実施例中に示されるそれと同一である。
【００９０】
組成例１
【化５０】
【００９１】
組成例２
【化５１】
【００９２】
組成例３
【化５２】
【００９３】
組成例４
【化５３】
【００９４】
組成例５
【化５４】
【００９５】
組成例６
【化５５】
【００９６】
組成例７
【化５６】
【００９７】
組成例８
【化５７】
【００９８】
組成例９
【化５８】
【００９９】
組成例１０
【化５９】
【０１００】
組成例１１
【化６０】
【０１０１】
組成例１２
【化６１】
【０１０２】
組成例１３
【化６２】
【０１０３】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。実施例中、シクロヘキサン環と二重結合は全てトランス体を示す。またＣｒは結晶、Ｓはスメクチック相、Ｎはネマチック相、Ｉｓｏは等方性液体を示し、相転移点の単位は全て℃である。
【０１０４】
実施例１
１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（Ｒ1 ＝Ｃ5 Ｈ11−、Ａ＝シクロヘキサン環、ｌ＝０、ｍ、ｎ＝１、Ｂ＝シクロヘキセン環、Ｃ＝ベンゼン環、Ｘ、Ｚ＝水素原子、Ｙ＝ＣＦ3 、化合物No. ３）の製造
（第一段）
乾燥マグネシウム５．４ｇ（０．２２２ｍｏｌ）、ジエチルエーテル１０ｍｌの混合物に４−トリフルオロメチルブロモベンゼン５０ｇ（０．２２２ｍｏｌ）のジエチルエーテル２５０ｍｌ溶液を滴下し、室温で２時間攪拌して茶褐色の均一溶液を得た。この溶液に、エチレンオキシド２９．３ｇ（０．６７ｍｏｌ）を一度に加えて（自然に発熱し還流した）一時間攪拌した。反応物を２００ｍｌの６Ｎ塩酸に投入したのち２００ｍｌの酢酸エチルで２回抽出した。得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで食塩水で洗浄したのち、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別したのち減圧下に溶媒を留去して得た赤色油状物を減圧蒸留に付し、無色油状の２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルアルコール１９．０ｇを得た。Ｂ．ｐ：８６〜９１℃（４ｍｍＨｇ）。収率４５％。
【０１０５】
（第二段）
第一段で得た２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルアルコール１９．０ｇ、４７％臭化水素酸６０ｍｌ、キシレン７０ｍｌの混合物を、水を除去しながら１１時間加熱還流した。得られた液を１００ｍｌの飽和炭酸水素ナトリウムに投入して有機層を水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下に溶媒を留去し、得られた残査を減圧蒸留に付して無色油状の２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルブロミド８．４３ｇを得た。Ｂ．ｐ：６６．５〜７０℃（２ｍｍＨｇ）。収率３３％。
【０１０６】
（第三段）
乾燥マグネシウム０．７７ｇ（０．０３２ｍｏｌ）、第二段で得た２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルブロミド８．０ｇ（０．０３２ｍｏｌ）、ジエチルエーテル４０ｍｌの混合物を封管反応器中、６０℃で１時間加熱して灰色均一溶液を得た。この溶液を４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノン７．９ｇ（０．０３２ｍｏｌ）のジエチルエーテル３０ｍｌ溶液に加え、室温で３時間攪拌した。反応物を５０ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入したのち酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を食塩水で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下で溶媒を留去し、淡黄色油状の１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール１１．４ｇを得た。このものにトルエン５０ｍｌ、アンバーリスト０．７ｇを加え、反応により生成した水を除去しながら１時間加熱還流した。放冷後１００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗したのち、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去した。得られた残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：ヘプタン）に付したのち、２０ｍｌのエタノールより２回再結晶して４．１ｇの１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセンを得た。収率３２％。
Ｃｒ−Ｓ点７０．７℃、Ｓ−Ｎ点８１．５℃、Ｎ−Ｉｓｏ点８８．５℃。
1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ（ｐｐｍ）：７．３８（ｄｄ、４Ｈ）、５．４０（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．６７（ｔ、２Ｈ）、２．３１−０．８１（ｍ、３０Ｈ）ＭＳ：４０６（Ｍ+ ）
【０１０７】
実施例２
１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（Ｒ1 ＝Ｃ5 Ｈ11−、Ａ＝シクロヘキサン環、ｌ＝０、ｍ、ｎ＝１、Ｂ＝シクロヘキセン環、Ｃ＝ベンゼン環、Ｘ、Ｚ＝水素原子、Ｙ＝−ＯＣＦ3 、化合物No. ９の製造
４−トリフルオロメチルブロモベンゼンの代わりに４−トリフルオロメチルオキシブロモベンゼンを用いる以外は実施例１と同様にして製造した２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチルブロミド１０．０ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＨＦ５０ｍｌの混合物を封管反応器中９０℃で４０分間加熱し、黄色均一溶液を得た。この溶液を４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノン９．２７ｇ（０．０３７ｍｏｌ）のＴＨＦ４０ｍｌ溶液に加え、室温で２時間攪拌した。反応物を５０ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、次いで酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を食塩水で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下に溶媒を留去し、淡黄色油状の１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール１９．７ｇを得た。このものにトルエン５０ｍｌ、アンバーリスト０．９ｇを加え、生成した水を除去しながら１時間加熱還流した。放冷後１００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗したのち、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：ヘプタン）に付したのち、１０ｍｌのエタノールと１ｍｌのベンゼンの混合溶媒より２回再結晶し、１．０ｇの１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセンを得た。収率６％。
Ｃｒ−Ｓ点４１．０℃、Ｓ−Ｎ点６１．４℃、Ｎ−Ｉｓｏ９５．８℃。
1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ（ｐｐｍ）：７．１４（ｓ、４Ｈ）、５．３９（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．７０（ｔ、２Ｈ）、２．２８−０．８１（ｍ、３０Ｈ）
ＭＳ：４２２（Ｍ+ ）
【０１０８】
実施例３
１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（Ｒ1 ＝Ｃ3 Ｈ7 −、Ａ＝シクロヘキサン環、ｌ、ｍ＝０、ｎ＝１、Ｃシクロヘキセン環、Ｘ、Ｚ＝水素原子、Ｙ＝−ＯＣＦ3 、化合物No. ４３）の製造。
（第一段）
乾燥マグネシウム１１．１ｇ（０．４６ｍｏｌ）、ＴＨＦ５０ｍｌの混合物に４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン１００ｇ（０．４１ｍｏｌ）のＴＨＦ５００ｍｌ溶液を滴下したのち室温で２時間攪拌し、赤色均一溶液を得た。この溶液に、０℃以下で１，４−シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール７８ｇ（０．５ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍｌ溶液を加え、室温で一晩攪拌した。得られた液を４００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、次いで５００ｍｌのトルエンで抽出した。得られた有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去し、赤色油状の（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノール−４−オン エチレンケタール１３８ｇを得た。このものにトルエン５００ｍｌ、アンバーリスト７ｇを加え、生成した水を除去しながら３時間加熱還流した。放冷後５００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：トルエン）に付したのち３０ｍｌのエタノールより再結晶し、４３．３ｇの（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン−４−オン エチレンケタールを得た。融点５３．９〜５５．５℃。
【０１０９】
（第二段）
第一段で得た（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン−４−オン エチレンケタール４３．３ｇ（０．１４４ｍｏｌ）、エタノール２００ｍｌ、酢酸エチル５０ｍｌ、パラジウム炭素２ｇの混合物を水素雰囲気下、室温で１０時間攪拌した。その際、３．５９Ｌの水素が消費された。反応液から触媒を濾別し、次いで減圧下に溶媒を留去して４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン エチレンケタール４３．５ｇを得た。融点４１．２℃。これにギ酸２５０ｍｌを加え、次いで２．５時間加熱還流した。反応物を水に投入し、次いでトルエン４００ｍｌと酢酸エチル１００ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、次いで減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：トルエン）に付し、４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン２０．７ｇを得た。収率４７％。
【０１１０】
（第三段）
乾燥マグネシウム０．５２ｇ（０．０２１ｍｏｌ）、ＴＨＦ１ｍｌの混合物に２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチルブロミド５．０ｇ（０．０２１ｍｏｌ）のＴＨＦ２５ｍｌ溶液を滴下したのち室温で１時間攪拌し、灰色均一溶液を得た。この溶液に、０℃以下で第二段で得た４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン４．５４ｇ（０．０１７５ｍｏｌ）のＴＨＦ２５ｍｌ溶液を加え、室温で３時間攪拌した。反応物を５０ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、次いでトルエン１００ｍｌと酢酸エチル５０ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下に溶媒を留去し、７．９ｇの油状の１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノールを得た。このものにトルエン４０ｍｌ、アンバーリスト３ｇを加え、生成した水を除去しながら４時間加熱還流した。放冷後１００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別したのち減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：ヘプタン）に付したのち４ｍｌのエタノールより２回再結晶し、１．２６ｇの１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセンを得た。収率１８％。
Ｃｒ−Ｎ点５１．３℃、Ｎ−Ｉｓｏ点６２．２℃。
1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ（ｐｐｍ）：７．３０−７．０６（ｍ、４Ｈ）、５．４８（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．７３（ｍ、１Ｈ）、２．２５−０．７９（ｍ、２７Ｈ）
ＭＳ：３９４（Ｍ+ ）
実施例１から３および発明の詳細な説明の欄における記述を基に次の化合物を製造することができる。なお、各化合物中には、実施例１、２および３で得られた化合物No. ３、化合物No. ９および化合物No. ４３についても合わせ示した。また、各化合物はパラメータにより表示した。
【０１１１】
【化６３】
【０１１２】
【化６４】
【０１１３】
【化６５】
【０１１４】
【化６６】
【０１１５】
【化６７】
【０１１６】
実施例４（使用例１）
次の組成からなる液晶組成物Ａ1 を母液晶として調製した。
【０１１７】
【化６８】
【０１１８】
この組成物Ａ1 の物性値は次の通りであった。
透明点：１００．２℃、Δｎ：０．０９３、Δε：５．１、２０℃での粘度η：２４．５ｍＰａｓ、セル厚８．８μｍ下でのしきい値電圧：２．１５Ｖ。
次に、この組成物Ａ1 ８０％に１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（実施例３で得られた化合物No. ４３）２０％を添加して組成物Ｂ1 を調製し、その物性値を求めたところ次の通りであった。なお、カッコ内の値は算出した外挿値であり、このことは後記の実施例においても同じである。
【０１１９】
透明点：９２．４（６１．２）℃、Δｎ：０．０９２（０．０８８）、Δε：４．９（４．１）、２０℃での粘度η：２３．９（１８．３）ｃＰ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．２７Ｖ。
【０１２０】
実施例５（使用例２）
次の組成からなる液晶組成物Ａ2 を母液晶として調製した。
【０１２１】
【化６９】
【０１２２】
この組成物Ａ2 の物性値は次の通りであった。
透明点：７２．４℃、Δｎ：０．１３７、Δε：１１．０、２０℃での粘度η：２７．０ｍＰａｓ、セル厚９．０μｍ下でのしきい値電圧１．７８Ｖ。
次に、この組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（実施例１で得られた化合物No. ３）１５％を添加して組成物Ｂ2 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２３】
透明点：７２．１（７０．４）℃、Δｎ：０．１３０（０．０９０）、Δε：１０．６（８．３）、２０℃での粘度η：２６．５（２３．７）ｍＰａｓ、セル厚８．８μｍ下でのしきい値電圧：１．７５Ｖ。
【０１２４】
実施例６（使用例３）
実施例５で用いられた組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（実施例２で得られた化合物No. ９）１５％を添加して組成物Ｂ3 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２５】
透明点：７１．３（６５．１）℃、Δｎ：０．１２３（０．０４４）、Δε：１０．０（４．３）、２０℃での粘度η：３８．３（１０２．３）ｍＰａｓ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．６８Ｖ。
【０１２６】
実施例７（使用例４）
前記組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ４３）１５％を添加して組成物Ｂ4 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２７】
透明点：６９．２（５１．１）℃、Δｎ：０．１２８（０．０７７）、Δε：１０．２（５．７）、２０℃での粘度η：２４．７（１１．７）ｍＰａｓ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．７６Ｖ。
【０１２８】
実施例８（使用例５）
前記組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−メチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ５６）１５％を添加して組成物Ｂ5 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２９】
透明点：６８．０（４３．１）℃、Δｎ：０．１３５（０．１２４、Δε：１０．９（１０．３）、２０℃での粘度η：２９．２（４１．７）ｍＰａｓ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．６２Ｖ。
【０１３０】
実施例９（使用例６）
前記組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ６１）１５％を添加して組成物Ｂ6 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１３１】
透明点：６９．０（１６３．６）℃、Δｎ：０．１１９（０．１１９）、Δε：１０．３（８．０）、セル厚８．９μｍ下でのしきい値電圧：１．７４Ｖ。
【０１３２】
実施例１０（使用例７）
実施例４で用いられた組成物Ａ1 ８０％に１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ４３）を２０％混合して組成物Ｂ7 を調製した。この組成物Ｂ7 の各温度における電圧保持率を測定したところ下表のとおりであった。
【０１３３】
【化７０】
【０１３４】
なお、同表には比較例１として化合物No. ４３に代え、１，２，３−トリフルオロ−５−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）ベンゼンを混合した場合についても合わせ示した。
比較例２〜４
化合物No. ３の化合物に代え、下記表の比較例２、比較例３または比較例４に示す化合物をそれぞれ添加する以外は実施例５と同様にして組成物を調製し、同様にして物性値（外挿値）を求めた。
【０１３５】
結果を実施例５の結果とともに下表に示す。
【０１３６】
【化７１】
【０１３７】
実施例５と比較例２の比較から、両者はＮ−Ｉ点については同じであるが、粘度については前者が低く、Δｎ、Δεおよびしきい値電圧Ｖ10については後者の方が低くなっていること、換言すれば前者はＴＦＴ用の特性を好ましく保ちながら粘性の上昇を抑制し得ることを示している。
このことは、ベンゼン環に実施例５に使用の化合物と同一のＣＦ3 基を有する比較例３に示す公知の化合物と比較例２と同一の２つのフッ素原子を有する比較例４に示す公知の化合物についての比較から教えられる事実、すなわち、粘度についてはＣＦ3 基を有する比較例３の化合物の方が高く、一方、Δｎ、Δεおよびしきい値電圧については２つのフッ素原子を有する比較例４の化合物の方が高いという事実とは逆の関係にあり、全く予期しえぬ結果となっている。
【０１３８】
本発明において、このような結果が得られるのは、本発明の化合物が分子中にシクロヘキセン環を有しており、これと種々の置換基との相互作用が好適に達成されるためと考えられる。
【０１３９】
実施例１１（使用例８）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメトキシフェニルエチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．９）３％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−プロピルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ９％
４’−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
４’−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
からなる液晶組成物Ｂ８を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：７５．４℃
Δｎ：０．０８０９
Δε：６．９
２０℃での粘度η：２３．４ｍＰａＳ
セル厚８．９μｍ下でのしきい値電圧：１．６５Ｖ
【０１４０】
実施例１２（使用例９）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−１，２−ジフルオロベンゼン １０％
４−（４−（２−（４−エチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ６％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルシクロヘキシル）−１−フルオロベンゼン ５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−４−フルオロビフェニル ５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
７％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
８％
からなる液晶組成物Ｂ９を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：６２．１℃
Δｎ：０．０８４７
Δε：４．８
２０℃での粘度η：２０．１ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．９２Ｖ
【０１４１】
実施例１３（使用例１０）
４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−１−（２−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．６１）５％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４’−（４−エチルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロビフェニル ５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロビフェニル ５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロビフェニル １０％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
４％
４’−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ５％
４’−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１０を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：９０．５℃
Δｎ：０．１０８５
Δε：６．４
２０℃での粘度η：２５．９ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．２１Ｖ
【０１４２】
実施例１４（使用例１１）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１０％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４−（２−（４−エチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １０％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １０％
４−フルオロフェニル＝４−ペンチルシクロヘキサンカルボキシラ−ト ５％
４−フルオロフェニル＝４−ヘプチルシクロヘキサンカルボキシラ−ト ４％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メチルベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−プロピルベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１１を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：８８．２℃
Δｎ：０．０８３３
Δε：５．３
２０℃での粘度η：２４．３ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．２０Ｖ
【０１４３】
実施例１５（使用例１２）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメトキシフェニルエチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．９）８％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１２％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ８％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ８％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ８％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロフェニルベンゼン ５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロフェニルベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−エチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ７％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ７％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ７％
からなる液晶組成物Ｂ１２を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：９７．７℃
Δｎ：０．０９９１
Δε：５．６
２０℃での粘度η：３２．２ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．４４Ｖ
【０１４４】
実施例１６（使用例１３）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１０％
４−（４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロベンゾニトリル ５％
４−（４−エチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（２−（２−フルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）エチニル）−１−エチルベンゼン ５％
４−（２−（２−フルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）エチニル）−１−プロピルベンゼン ５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）ベンゾニトリル ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）ベンゾニトリル ５％
４−フルオロフェニル＝４’−プロピルビシクロヘキサンカルボキシラ−ト ５％
４−フルオロフェニル＝４’−ペンチルビシクロヘキサンカルボキシラ−ト ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メトキシベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メチルベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−プロピルベンゼン ５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１３を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：１１１．６℃
Δｎ：０．１１９６
Δε：７．７
２０℃での粘度η：２７．８ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．０８Ｖ
【０１４５】
実施例１７（使用例１４）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）７％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）８％
４−（４−（３−ブテニル）シクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ９％
４−（４−メトキシメチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３％
２−（３，４−ジフルオロフェニル）−５−プロピルピリミジン ３％
４’−メトキシメチル−４−プロピルビシクロヘキサン ７％
４’−プロピル−４−ブチルビシクロヘキサン ８％
４−（２−（４−エチルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−プロピルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−ブチルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−ブチルフェニル）エチニル）−１−エトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−ペンチルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メトキシベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−フルオロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メチルベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−プロピルベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１４を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：７１．３℃
Δｎ：０．１２５６
Δε：６．４
２０℃での粘度η：１６．８ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．９８Ｖ
【０１４６】
実施例１８（使用例１５）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）３％
４−（４−（２−フルオロエチル）シクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．８）５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−プロピルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ９％
４’−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
４’−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
からなる液晶組成物Ｂ１５を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：７３．２℃
Δｎ：０．０８１１
Δε：６．０
２０℃での粘度η：２０．０ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．９９Ｖ
【０１４７】
【発明の効果】
本発明の化合物は、
１）大きなΔｎを持つ、
２）粘性が低い、
３）化学的に極めて安定で高い電圧保持率を有する、
４）高い透明点を保ちながら他の液晶性化合物との相溶性が極めて高いため、液晶組成物とした場合にネマチック液晶相の低下を引き起こさない。また、高い割合で組成物に混合し使用することができる、
５）Δεが極めて高いといった特性を有する。
【０１４８】
そのため、本発明の化合物を使用することによって、大きなΔｎを持ち、粘性が低く（電界の変化に対する応答速度の改善に有効）、高い電圧保持率を有し、かつ広い温度範囲でネマチック液晶相を示す液晶組成物を得ることができる。また、本発明の化合物はΔεが極めて高いので駆動電圧を低下せしめることができ、これを使用することによって特にＴＦＴ用に好適な液晶組成物を提供することができる。
【産業上の利用分野】
本発明は新規な液晶性化合物およびこれを含むＴＦＴ用に好適な液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ネマチック液晶組成物は種々の表示用途、例えば時計、電卓、ワープロ、コンピュータ端末、テレビなどのディスプレイ用の材料として広く用いられている。ネマチック液晶組成物を用いた液晶表示素子の駆動方式には、主にツイステッドネマチック（以下、ＴＮと略す）、スーパーツイステッドネマチック（以下、ＳＴＮと略す）、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略す）の３種類の方式がある。中でもＴＦＴ方式は表示能力が優れており、テレビや大型カラーディスプレイに用いられ、最も用途の拡大が見込まれている。
【０００３】
ＴＦＴ用液晶性化合物に要求される特性として、１）広い温度範囲においてネマチック液晶相を呈すること、２）大きな誘電率異方性値（以下、Δεと略す）を有すること、３）大きな複屈折率（以下、Δｎと略す）を有すること、４）低い粘性を有すること、５）化学的に安定であり、高い電圧保持率を持つこと、が挙げられる。これら諸特性を満たすために種々の化合物が提案されている。
【０００４】
高い電圧保持率を持つ化合物としてフッ素原子を含む化合物が優れており、従来よりかかる液晶性化合物の探索が盛んに行なわれている。例えば分子末端に３，４−ジフルオロベンゼン骨格を有する化合物（ＤＥ３０４２３９１）、さらに大きなΔεを目指した３，４，５−トリフルオロベンゼン骨格を有する化合物（ＵＳＰ５０３２３１３）が知られているが、これらは透明点がきわめて低く不適当である。
【０００５】
また分子末端にトリフルオロメチル基、トリフルオロメチルオキシ基、ジフルオロメチルオキシ基を導入した化合物（ＤＥ４０２７８４０）も知られているが、やはり透明点が低い上Δｎが小さいという欠点があった。
また近年、分子末端に１，１，２，２−テトラフルオロエチルオキシ基を持つ化合物（ＤＥ４１４２５１９）や２，２，２−トリフルオロエチルオキシ基を持つ化合物（ＷＯ９３／３１１３）が報告されているが、これらの化合物はいずれも透明点が低い上充分大きなΔεとΔｎを有さないという欠点があり特性上不十分である。
【０００６】
より大きなΔεの発現を目指してより大きな双極子モーメントを持つシアノ基を導入した例も報告されているが（特開昭６２−１０３０５７、６３−２１６８５８）、この場合には、粘性が大きくなる上に電圧保持率が低下するため、ＴＦＴ用液晶性化合物として使用することが不可能であった。
これらの先行技術に記載の化合物は、いずれも環成分としてベンゼン環および／またはシクロヘキサン環のみを含むものであり、シクロヘキセン環を含むものはほとんど例がない。その理由は、シクロヘキセン環を持つ化合物が種々の環境因子（水分、熱、空気、光、電気等）により重合、分解等を起こしやすく、不安定なためと考えられる（例えば、ＵＳＰ４４０５４８８）。
【０００７】
唯一安定なシクロヘキセン環を持つ化合物として、特願平２−９０１９０（ＵＳＰ５０６４５６５）に記載の化合物があるが、充分大きなΔεを示さずＴＦＴ用液晶化合物としては不適であった。
また、ＥＰ３３４９１１はシクロヘキセン環を含む一般式で示される化合物を請求しているが、その具体的化合物についてはこれを支持する実施例や特性を示唆する記述を一切示していない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、広い温度範囲においてネマチック液晶相を呈するとともに、大きなΔεとΔｎおよび低い粘度を有し、かつ高い電圧保持率を持つことが可能な液晶性化合物ならびにこれを含むＴＦＴ用に好適な液晶組成物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本願で特許請求される発明は以下のとおりである。（１）一般式（１）
【００１０】
【化８】
（式中、Ｒ1 は１〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、１〜１１個の炭素原子を有するアルコキシ基、または２〜１１個の炭素原子を有するアルケニル基であり、Ｘ、Ｚは水素原子、フッ素原子または塩素原子を示し、Ｙは炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基またはペルフルオロアルキルオキシ基を示し、この基中における１つまたは２つのフッ素原子は水素原子に置換されてもよく、Ａ、Ｂ、Ｃはそれらの１つがシクロヘキセン環であり、他はシクロヘキサン環およびベンゼン環からなる群から選ばれ、これらの環はフッ素原子で置換されていてもよく、ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ独立に０または１であるが、ｍ＝０のときｌ＝０であり、ｍ＝１、ｎ＝０のときＡまたはＢがシクロヘキセン環であり、ｍ＝０、ｎ＝１のときＡまたはＣがシクロヘキセン環であり、そしてｍ＝０、ｎ＝０のときＡがシクロヘキセン環であるが、Ｃは
【化２】
（２）Ｙがトリフルオロメチル基である（１）記載の液晶性化合物。
（３）Ｙがトリフルオロメチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（４）Ｙがジフルオロメチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（５）Ｙが１，１，２，２−テトラフルオロエチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（６）Ｙが１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロピルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（７）Ｙがペンタフルオロエチルオキシ基である（１）記載の液晶性化合物。
（８）（１）から（７）のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１成分以上含む２成分以上からなる液晶組成物。
（９）第一成分として、（１）から（７）のいずれかに記載の化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、下記の一般式（２）、（３）および（４）
【００１２】
【化９】
（式中、Ｒ2 は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｚ’はＦまたはＣｌを示し、Ｑ1 およびＱ2 は各々独立してＨまたはＦを示し、ｒは１または２を示し、Ｚ1 およびＺ2 は各々独立して−ＣＨ2 ＣＨ2 −または共有結合を示す。）からなる群から選択される１種またはそれ以上の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
（１０）第一成分として、（１）から（７）のいずれかに記載の化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、下記の一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）
【００１４】
【化１０】
（式中、Ｒ3 は炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数２〜１０のアルケニル基を示し、該各基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素原子に置換されることはない。Ｚ3 は−ＣＨ2 ＣＨ2 −、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｑ3 はＨまたはＦを示し、Ｄはシクロヘキサン環、ベンゼン環または１，３−ジオキサン環を示し、ｓは０または１を示す。）
【００１６】
【化１１】
（式中、Ｒ4 は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、該基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｑ4 はＨまたはＦを示し、ｋは０または１を示す。）
【００１８】
【化１２】
（式中、Ｒ5 は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、該基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｅはシクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｑ5 はＨまたはＦを示し、Ｚ4 は−ＣＯＯ−または共有結合を示し、ｈは０または１を示す。）
【００２０】
【化１３】
（式中、Ｒ6 およびＲ7 は各々独立して炭素数１〜１０のアルキル基、アルキルオキシ基またはアルキルオキシメチル基を示し、該各基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｌはシクロヘキサン環、ピリミジン環またはベンゼン環を示し、Ｇはシクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｚ5 は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −または共有結合を示す。）
【００２２】
【化１４】
（式中、Ｒ8 は炭素数１〜１０のアルキル基またはアルキルオキシ基を示し、Ｒ9 は炭素１〜１０のアルキル基、アルキルオキシ基またはアルキルオキシメチル基を示し、該各基中の末端を除く任意のメチレン基（−ＣＨ2 −）は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されてもよいが、２つ以上のメチレン基が連続して酸素によって置換されることはない。Ｍはシクロヘキサン環またはピリミジン環を示し、ＪおよびＫは各々独立してシクロヘキサン環またはベンゼン環を示し、Ｚ6 は−ＣＯＯ−、−ＣＨ2 ＣＨ2 −または共有結合を示し、Ｚ7 は−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−または共有結合を示し、Ｑ6 はＨまたはＦを示す。）からなる群から選択される１種またはそれ以上の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
（１１）（１）から（７）のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１成分以上含む２成分以上からなる液晶組成物を使用して構成した液晶表示素子。
（１２）（８）から（１０）のいずれかに記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【００２４】
本発明の一般式（１）で示される液晶性化合物はいずれも優れた液晶特性を持つが、このうち特に優れた特性、すなわち広い温度範囲においてネマチック液晶相を呈し、大きなΔεとΔｎおよび低い粘度を有し、かつ高い電圧保持率をもつ液晶性化合物は、次に挙げる（１−１）〜（１−２５）である。
【００２５】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
（式中、Ｒ1 、Ｘ、Ｙ、Ｚは前記と同一の意味を示し、Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 、Ｔ4 はそれぞれ独立にフッ素原子または塩素原子を示す。）
これらのなかでも、置換基Ｙが下記から選ばれるものが特に好ましい特性を発現する。
−ＣＦ3 −ＯＣＦ3
−ＣＦ2 Ｈ −ＯＣＦ2 Ｈ
−ＣＦ2 ＣＦ2 Ｈ −ＯＣＦ2 ＣＦ2 Ｈ
−ＣＦ2 ＣＦ3 −ＯＣＦ2 ＣＦ3
−ＣＦ2 ＣＦＨＣＦ3 −ＯＣＦ2 ＣＦＨＣＦ3
本発明の一般式（１）で示される化合物はいずれも優れた特性を持つ液晶組成物の構成成分となりうるが、特に高い透明点を持つ組成物を必要とする場合には３環系化合物や４環系化合物を、逆に低めの透明点を持つ組成物を必要とするときには２環系化合物を選択して用いることが好ましい。（１）式に示す本発明の化合物はいずれも大きなΔεを示すが、特に大きなΔεが必要な場合には、該式中のＸ、Ｚ、Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 およびＴ4 のうちの少なくとも１つ以上をフッ素原子あるいは塩素原子とすることが好ましい。また、大きなΔｎが必要な場合にはベンゼン環を多く含む化合物とすることが好ましい。本発明の化合物は粘性を上げる置換基例のシアノ基等を有していないのでいずれも低粘性であるが、さらに低い粘性を必要とする場合にはシクロヘキサン環を多く含む化合物とすることが好ましい。このように、本発明によれば（１）式中のＸ、Ｚ、Ｔ1 、Ｔ2 、Ｔ3 およびＴ4 ならびに環骨格を適当に選択することによって、必要な物性値を持つ化合物を任意に得ることができる。
【００２９】
本発明の一般式（１）で示される化合物は、シクロヘキサノン誘導体に種々のグリニヤル試薬を作用させて得られるアルコール体を脱水反応に付すことによって製造される。
【００３０】
【化１８】
（上記において、Ｈａｌは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示し、Ｒ1 、ｌ、ｎ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｃは前記と同一の意味を示す。）
すなわち（１）式においてＢがシクロヘキセン環である化合物（１ａ）は、シクロヘキサノン誘導体（１０）に２−置換エチルハライド（１１）より調製されるグリニヤル試薬を作用させてアルコール体（１２）とし、次いで脱水することによりこれを製造することができる。なお、上記（１２）の製造において、グリニヤル試薬の代わりに２−置換エチルリチウムを使用してもよい。上記の脱水反応は酸性触媒の存在下で容易に進行する。用いる酸性触媒としては、硫酸、塩酸等の鉱酸、パラートルエンスルホン酸等のスルホン酸類やその塩、アンバーリスト等の酸性イオン交換樹脂が広く適する。また、化合物（１ａ）は（１２）の３級水酸基を一旦メシル基、トシル基、ハロゲン等の脱離基に変換したのち、水酸化ナトリウム、水素化ナトリウム、ＤＢＵ等の塩基で処理することにより、あるいは（１０）に（１１）から調製されたグリニヤル試薬を作用させたのち反応系内を酸性条件にすることにより、（１２）を単離することなく製造することもできる。
【００３２】
出発原料の（１０）は、化合物（１３）を市販の１，４−シクロヘキサンジオン モノエチレンケタール（１４）に作用させて（１５）としたのち、脱水、還元、脱保護することによって得ることができる。該脱水反応は前記と同様にして行なえばよい。また還元反応は水素雰囲気下、パラジウム炭素、白金炭素、ラネーニッケル等の触媒の存在下に行ない得る。さらに脱保護反応は酸性条件下、好ましくはギ酸中で（１７）を加熱することにより容易に行ない得る。グリニヤル試薬の調製に用いられる（１１）は、化合物（１８）を増炭反応に付すことにより得られるアルコール体（１９）を、種々のハロゲン化剤でハロゲン化することによって製造される。該ハロゲン化剤としては、臭化水素、臭化水素酸、三臭化リン、塩化チオニル等を好適に示すことができる。増炭反応はこれが可能な既知の手法に従えばよいが、エチレンオキシドを用いる方法が最も簡便であり好ましい。
【００３３】
次に、（１）式においてＣがシクロヘキセン環である化合物（１ｂ）は、シクロヘキサンノン誘導体（２１）に２−置換エチルハライド（２０）から調製されるグリニヤル試薬を作用させてアルコール体（２２）とし、次いで脱水することによりこれを製造することができる。
【００３４】
【化１９】
（上記において、Ｒ1 、ｌ、ｍ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｂ、Ｈａｌは前記と同一の意味を示す。）
なお、上記（２２）の製造において、グリニヤル試薬の代わりに２−置換エチルリチウムを使用してもよい。上記の脱水反応は前記と同様にして行なえばよい。出発原料の（２１）は、フェニルマグネシウムハライド（２３）に市販の１，４−シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール（１４）を作用させて（２４）としたのち、前記（１０）の製造の場合と同様にして脱水、還元および脱保護反応を行なうことにより得ることができる。
【００３６】
なお、前記のいずれの製造方法においても、式中のＹが水素原子を含む場合には、この水素の反応性は高いのでこれらの製造方法を適用することができない。この場合には以下の方法が適する。
【００３７】
【化２０】
（上記において、Ｂｎはベンジル基を示し、ｐは０〜２の整数を示し、Ｒ1 、ｌ、ｍ、ｎ、Ｘ、Ｚ、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｓは前記と同一の意味を示す。）
すなわち、Ｙがベンジルエーテルである化合物（２７）をあらかじめ得、これを脱ベンジルエーテル化して水酸基を有する化合物（２８）としたのち、このフェノール性の水酸基にフルオロアルキル基を導入することによって（１ｃ）式の化合物を製造することができる。この場合、保護基としてベンジルエーテル以外の保護基、例えばトリメチルシリルエーテル等のシリルエーテル類やメトキシメチルエーテル等のアセタール類などを用いても構わない。（２８）へのフルオロアルキル基の導入は、塩基性条件下に種々の含フッ素化合物を作用させることによって行なえる。
【００３９】
このようにして得られる本発明の化合物（１）はいずれも大きなΔεとΔｎを示し、シクロヘキセン環を含むにもかかわらず化学的に安定であるため高い電圧保持率を持つ上、種々の液晶化合物と容易に混合するのでネマチック液晶組成物、特に電気光学素子に適したネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れている。
【００４０】
本発明により提供される液晶組成物は、一般式（１）で示される化合物を少なくとも一つ以上含む成分（Ａ）のみでもよいが、これに加え、第二成分として既述した一般式（２）、（３）および（４）からなる群から選ばれる１種および／またはそれ以上の化合物または一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）からなる群から選ばれる１種またはそれ以上の化合物を混合したものが好ましく、さらに目的に応じてΔε≧５である化合物群（Ｂ）、｜Δε｜＜５である化合物群（Ｃ）、特に８０℃以上の透明点を持つ化合物群（Ｄ）、それ以外の化合物群（Ｅ）から任意に選択された化合物を混合することもできる。
【００４１】
上記第二成分のうち、一般式（２）に含まれる化合物の好適例として、次の（２−１）〜（２−１２）を挙げることができる。
【００４２】
【化２１】
【化２２】
（Ｒ2 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（３）に含まれる化合物の好適例として、次の（３−１）〜（３−１８）を挙げることができる。
【００４５】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
（Ｒ2 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（４）に含まれる化合物の好適例として、次の（４−１）〜（４−１８）を挙げることができる。
【００４９】
【化２６】
【化２７】
【化２８】
（Ｒ2 は前記と同一の意味を示す。）
これらの一般式（２）〜（４）で表わされる化合物は誘電率異方性が正の化合物であり、熱的安定性や化学的安定性が非常に優れている。従って、特に高信頼性下に高い電圧保持率や大きな比抵抗値が要求されるＴＦＴ（ＡＭ−ＬＣＤ）用の液晶組成物を調整する場合に、不可欠な化合物である。
【００５３】
該化合物の使用量は、ＴＦＴ用の液晶組成物を調整する場合、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、その際には、一般式（５）〜（９）で表わされる化合物を一部含有してもよい。なお、ＳＴＮ表示方式または通常のＴＮ表示方式用の液晶組成物を調整する場合にも、一般式（２）〜（４）で表わされる化合物を使用することができる。
【００５４】
次に、前記第二成分のうち、一般式（５）に含まれる化合物の好適例として、次の（５−１）〜（５−１７）を挙げることができる。
【００５５】
【化２９】
【化３０】
【化３１】
（Ｒ3 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（６）に含まれる化合物の好適例として、次の（６−１）〜（６−３）を挙げることができる。
【００５９】
【化３２】
（Ｒ4 は前記と同一の意味を示す。）
第二成分のうち、一般式（７）に含まれる化合物の好適例として、次の（７−１）〜（７−９）を挙げることができる。
【００６１】
【化３３】
【化３４】
（Ｒ5 は前記と同一の意味を示す。）
これらの一般式（５）〜（７）で表わされる化合物は、誘電率異方性が正かつその値が大きいので、特に液晶組成物のしきい値電圧を小さくする目的で使用し得る。また、粘度調整やΔｎ調整の他、透明点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的、さらには急峻性を改良する目的で使用することもできる。
【００６４】
第二成分のうち、一般式（８）に含まれる化合物の好適例として、次の（８−１）〜（８−６）を挙げることができる。
【００６５】
【化３５】
（Ｒ6 、Ｒ7 はそれぞれ前記と同一の意味を示す。）
さらに、第二成分のうち、一般式（９）に含まれる化合物の好適例として、次の（９−１）〜（９−１０）を挙げることができる。
【００６７】
【化３６】
【化３７】
（Ｒ8 、Ｒ9 はそれぞれ前記と同一意味を示す。）
これらの一般式（８）および（９）で表わされる化合物は、誘電率異方性が負または弱い正の化合物である。そのうち、一般式（８）の化合物は、主として液晶組成物の粘度低下および／またはΔｎ調整の目的で使用し得る。また、一般式（９）の化合物は、透明点を高くする等のネマティックレンジを広げる目的および／またはΔｎ調整の目的で使用し得る。
【００７０】
第二成分のうち、前記一般式（５）〜（９）で表わされる化合物は、特にＳＴＮ表示方式や通常のＴＮ表示方式用の液晶組成物を調整する場合に、不可欠な化合物である。
該化合物の使用量は、通常のＴＮ表示方式やＳＴＮ表示方式用の液晶組成物を調整する場合には、液晶組成物の全重量に対して１〜９９重量％の範囲が適するが、好ましくは１０〜９７重量％、より好ましくは４０〜９５重量％である。また、その際には、一般式（２）〜（４）で表わされる化合物を一部使用してもよい。
【００７１】
次に、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）および／または（Ｅ）は目的に応じて液晶組成物に加えられるが、それらに含まれる化合物例を示すと次のとおりである。
まず、（Ｂ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｂ１）〜（Ｂ１３）を挙げることができる。
【００７２】
【化３８】
（上記において、Ｒａは炭素数１〜１０のアルキル基またはアルケニル基を示すが、それらの中の１つないし隣接しない２つ以上の炭素原子は酸素原子によって置き換えられてもよい。）
また、（Ｃ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｃ１）〜（Ｃ３４）を挙げることができる。
【００７４】
【化３９】
【化４０】
【化４１】
（上記において、Ｒａ、Ｒａ’はそれぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基またはアルケニル基を示すが、それらの中の１つないし隣接しない２つ以上の炭素原子は酸素原子によって置き換えられてもよい。）
また、（Ｄ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｄ１）〜（Ｄ５７）を挙げることができる。
【００７８】
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【化４６】
【化４７】
（上記において、Ｒａ、Ｒａ’は前記と同一の意味を示す。）
また、（Ｅ）に含まれる化合物の好適例としては次の（Ｅ１）〜（Ｅ１８）を挙げることができる。
【００８５】
【化４８】
【化４９】
（上記において、Ｒａは前記と同一の意味を示す。）
本発明に係る液晶組成物は一般式（１）で示される化合物の１種以上を０．１〜９９重量％の割合で含有することが、優良な特性を発現せしめるために好ましい。
該液晶組成物をＴＦＴ液晶表示素子に用いることによって、急峻性や視野角を改善できる。また（１）式の化合物は低粘性化合物であるので、これを用いた液晶表示素子の応答速度は改善される。
【００８８】
本発明に係る液晶組成物は、それ自体公知の方法、例えば種々の成分を高温度下に混合し、互いに溶解させる方法等により一般に調製される。また、必要により適当な添加物を加えることによって意図する用途に応じた改良がなされ、最適化される。このような添加物は当業者によく知られており、文献等に詳細に記載されている。通常、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（reverse twist）を防ぐといった効果を有するキラルドープ材（chiral dopant）などが添加される。
【００８９】
本発明の化合物を含有する液晶組成物例として以下のものを示すことができる。なお、化合物No. は後述の実施例中に示されるそれと同一である。
【００９０】
組成例１
【化５０】
組成例２
【化５１】
組成例３
【化５２】
組成例４
【化５３】
組成例５
【化５４】
組成例６
【化５５】
組成例７
【化５６】
組成例８
【化５７】
組成例９
【化５８】
組成例１０
【化５９】
組成例１１
【化６０】
組成例１２
【化６１】
組成例１３
【化６２】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。実施例中、シクロヘキサン環と二重結合は全てトランス体を示す。またＣｒは結晶、Ｓはスメクチック相、Ｎはネマチック相、Ｉｓｏは等方性液体を示し、相転移点の単位は全て℃である。
【０１０４】
実施例１
１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（Ｒ1 ＝Ｃ5 Ｈ11−、Ａ＝シクロヘキサン環、ｌ＝０、ｍ、ｎ＝１、Ｂ＝シクロヘキセン環、Ｃ＝ベンゼン環、Ｘ、Ｚ＝水素原子、Ｙ＝ＣＦ3 、化合物No. ３）の製造
（第一段）
乾燥マグネシウム５．４ｇ（０．２２２ｍｏｌ）、ジエチルエーテル１０ｍｌの混合物に４−トリフルオロメチルブロモベンゼン５０ｇ（０．２２２ｍｏｌ）のジエチルエーテル２５０ｍｌ溶液を滴下し、室温で２時間攪拌して茶褐色の均一溶液を得た。この溶液に、エチレンオキシド２９．３ｇ（０．６７ｍｏｌ）を一度に加えて（自然に発熱し還流した）一時間攪拌した。反応物を２００ｍｌの６Ｎ塩酸に投入したのち２００ｍｌの酢酸エチルで２回抽出した。得られた有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、次いで食塩水で洗浄したのち、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別したのち減圧下に溶媒を留去して得た赤色油状物を減圧蒸留に付し、無色油状の２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルアルコール１９．０ｇを得た。Ｂ．ｐ：８６〜９１℃（４ｍｍＨｇ）。収率４５％。
【０１０５】
（第二段）
第一段で得た２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルアルコール１９．０ｇ、４７％臭化水素酸６０ｍｌ、キシレン７０ｍｌの混合物を、水を除去しながら１１時間加熱還流した。得られた液を１００ｍｌの飽和炭酸水素ナトリウムに投入して有機層を水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下に溶媒を留去し、得られた残査を減圧蒸留に付して無色油状の２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルブロミド８．４３ｇを得た。Ｂ．ｐ：６６．５〜７０℃（２ｍｍＨｇ）。収率３３％。
【０１０６】
（第三段）
乾燥マグネシウム０．７７ｇ（０．０３２ｍｏｌ）、第二段で得た２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチルブロミド８．０ｇ（０．０３２ｍｏｌ）、ジエチルエーテル４０ｍｌの混合物を封管反応器中、６０℃で１時間加熱して灰色均一溶液を得た。この溶液を４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノン７．９ｇ（０．０３２ｍｏｌ）のジエチルエーテル３０ｍｌ溶液に加え、室温で３時間攪拌した。反応物を５０ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入したのち酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を食塩水で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下で溶媒を留去し、淡黄色油状の１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール１１．４ｇを得た。このものにトルエン５０ｍｌ、アンバーリスト０．７ｇを加え、反応により生成した水を除去しながら１時間加熱還流した。放冷後１００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗したのち、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去した。得られた残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：ヘプタン）に付したのち、２０ｍｌのエタノールより２回再結晶して４．１ｇの１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセンを得た。収率３２％。
Ｃｒ−Ｓ点７０．７℃、Ｓ−Ｎ点８１．５℃、Ｎ−Ｉｓｏ点８８．５℃。
1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ（ｐｐｍ）：７．３８（ｄｄ、４Ｈ）、５．４０（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．６７（ｔ、２Ｈ）、２．３１−０．８１（ｍ、３０Ｈ）ＭＳ：４０６（Ｍ+ ）
【０１０７】
実施例２
１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（Ｒ1 ＝Ｃ5 Ｈ11−、Ａ＝シクロヘキサン環、ｌ＝０、ｍ、ｎ＝１、Ｂ＝シクロヘキセン環、Ｃ＝ベンゼン環、Ｘ、Ｚ＝水素原子、Ｙ＝−ＯＣＦ3 、化合物No. ９の製造
４−トリフルオロメチルブロモベンゼンの代わりに４−トリフルオロメチルオキシブロモベンゼンを用いる以外は実施例１と同様にして製造した２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチルブロミド１０．０ｇ（０．０３７ｍｏｌ）、ＴＨＦ５０ｍｌの混合物を封管反応器中９０℃で４０分間加熱し、黄色均一溶液を得た。この溶液を４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノン９．２７ｇ（０．０３７ｍｏｌ）のＴＨＦ４０ｍｌ溶液に加え、室温で２時間攪拌した。反応物を５０ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、次いで酢酸エチル５０ｍｌで２回抽出した。得られた有機層を食塩水で洗浄し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下に溶媒を留去し、淡黄色油状の１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサノール１９．７ｇを得た。このものにトルエン５０ｍｌ、アンバーリスト０．９ｇを加え、生成した水を除去しながら１時間加熱還流した。放冷後１００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗したのち、無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：ヘプタン）に付したのち、１０ｍｌのエタノールと１ｍｌのベンゼンの混合溶媒より２回再結晶し、１．０ｇの１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセンを得た。収率６％。
Ｃｒ−Ｓ点４１．０℃、Ｓ−Ｎ点６１．４℃、Ｎ−Ｉｓｏ９５．８℃。
1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ（ｐｐｍ）：７．１４（ｓ、４Ｈ）、５．３９（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．７０（ｔ、２Ｈ）、２．２８−０．８１（ｍ、３０Ｈ）
ＭＳ：４２２（Ｍ+ ）
【０１０８】
実施例３
１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（Ｒ1 ＝Ｃ3 Ｈ7 −、Ａ＝シクロヘキサン環、ｌ、ｍ＝０、ｎ＝１、Ｃシクロヘキセン環、Ｘ、Ｚ＝水素原子、Ｙ＝−ＯＣＦ3 、化合物No. ４３）の製造。
（第一段）
乾燥マグネシウム１１．１ｇ（０．４６ｍｏｌ）、ＴＨＦ５０ｍｌの混合物に４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン１００ｇ（０．４１ｍｏｌ）のＴＨＦ５００ｍｌ溶液を滴下したのち室温で２時間攪拌し、赤色均一溶液を得た。この溶液に、０℃以下で１，４−シクロヘキサンジオンモノエチレンケタール７８ｇ（０．５ｍｏｌ）のＴＨＦ３００ｍｌ溶液を加え、室温で一晩攪拌した。得られた液を４００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、次いで５００ｍｌのトルエンで抽出した。得られた有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去し、赤色油状の（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノール−４−オン エチレンケタール１３８ｇを得た。このものにトルエン５００ｍｌ、アンバーリスト７ｇを加え、生成した水を除去しながら３時間加熱還流した。放冷後５００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：トルエン）に付したのち３０ｍｌのエタノールより再結晶し、４３．３ｇの（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン−４−オン エチレンケタールを得た。融点５３．９〜５５．５℃。
【０１０９】
（第二段）
第一段で得た（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン−４−オン エチレンケタール４３．３ｇ（０．１４４ｍｏｌ）、エタノール２００ｍｌ、酢酸エチル５０ｍｌ、パラジウム炭素２ｇの混合物を水素雰囲気下、室温で１０時間攪拌した。その際、３．５９Ｌの水素が消費された。反応液から触媒を濾別し、次いで減圧下に溶媒を留去して４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン エチレンケタール４３．５ｇを得た。融点４１．２℃。これにギ酸２５０ｍｌを加え、次いで２．５時間加熱還流した。反応物を水に投入し、次いでトルエン４００ｍｌと酢酸エチル１００ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別し、次いで減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：トルエン）に付し、４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン２０．７ｇを得た。収率４７％。
【０１１０】
（第三段）
乾燥マグネシウム０．５２ｇ（０．０２１ｍｏｌ）、ＴＨＦ１ｍｌの混合物に２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチルブロミド５．０ｇ（０．０２１ｍｏｌ）のＴＨＦ２５ｍｌ溶液を滴下したのち室温で１時間攪拌し、灰色均一溶液を得た。この溶液に、０℃以下で第二段で得た４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノン４．５４ｇ（０．０１７５ｍｏｌ）のＴＨＦ２５ｍｌ溶液を加え、室温で３時間攪拌した。反応物を５０ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、次いでトルエン１００ｍｌと酢酸エチル５０ｍｌの混合溶媒で抽出した。得られた有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを除去したのち減圧下に溶媒を留去し、７．９ｇの油状の１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキサノールを得た。このものにトルエン４０ｍｌ、アンバーリスト３ｇを加え、生成した水を除去しながら４時間加熱還流した。放冷後１００ｍｌの飽和塩化アンモニウム水溶液に投入し、分離有機層を２回水洗し、次いで無水硫酸マグネシウム上で乾燥した。無水硫酸マグネシウムを濾別したのち減圧下に溶媒を留去した。残査をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル、溶出液：ヘプタン）に付したのち４ｍｌのエタノールより２回再結晶し、１．２６ｇの１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセンを得た。収率１８％。
Ｃｒ−Ｎ点５１．３℃、Ｎ−Ｉｓｏ点６２．２℃。
1 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3 ）δ（ｐｐｍ）：７．３０−７．０６（ｍ、４Ｈ）、５．４８（ｂｒｓ、１Ｈ）、２．７３（ｍ、１Ｈ）、２．２５−０．７９（ｍ、２７Ｈ）
ＭＳ：３９４（Ｍ+ ）
実施例１から３および発明の詳細な説明の欄における記述を基に次の化合物を製造することができる。なお、各化合物中には、実施例１、２および３で得られた化合物No. ３、化合物No. ９および化合物No. ４３についても合わせ示した。また、各化合物はパラメータにより表示した。
【０１１１】
【化６３】
【化６４】
【化６５】
【化６６】
【化６７】
実施例４（使用例１）
次の組成からなる液晶組成物Ａ1 を母液晶として調製した。
【０１１７】
【化６８】
この組成物Ａ1 の物性値は次の通りであった。
透明点：１００．２℃、Δｎ：０．０９３、Δε：５．１、２０℃での粘度η：２４．５ｍＰａｓ、セル厚８．８μｍ下でのしきい値電圧：２．１５Ｖ。
次に、この組成物Ａ1 ８０％に１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（実施例３で得られた化合物No. ４３）２０％を添加して組成物Ｂ1 を調製し、その物性値を求めたところ次の通りであった。なお、カッコ内の値は算出した外挿値であり、このことは後記の実施例においても同じである。
【０１１９】
透明点：９２．４（６１．２）℃、Δｎ：０．０９２（０．０８８）、Δε：４．９（４．１）、２０℃での粘度η：２３．９（１８．３）ｃＰ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．２７Ｖ。
【０１２０】
実施例５（使用例２）
次の組成からなる液晶組成物Ａ2 を母液晶として調製した。
【０１２１】
【化６９】
この組成物Ａ2 の物性値は次の通りであった。
透明点：７２．４℃、Δｎ：０．１３７、Δε：１１．０、２０℃での粘度η：２７．０ｍＰａｓ、セル厚９．０μｍ下でのしきい値電圧１．７８Ｖ。
次に、この組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（実施例１で得られた化合物No. ３）１５％を添加して組成物Ｂ2 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２３】
透明点：７２．１（７０．４）℃、Δｎ：０．１３０（０．０９０）、Δε：１０．６（８．３）、２０℃での粘度η：２６．５（２３．７）ｍＰａｓ、セル厚８．８μｍ下でのしきい値電圧：１．７５Ｖ。
【０１２４】
実施例６（使用例３）
実施例５で用いられた組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−トリフルオロメチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキセン（実施例２で得られた化合物No. ９）１５％を添加して組成物Ｂ3 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２５】
透明点：７１．３（６５．１）℃、Δｎ：０．１２３（０．０４４）、Δε：１０．０（４．３）、２０℃での粘度η：３８．３（１０２．３）ｍＰａｓ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．６８Ｖ。
【０１２６】
実施例７（使用例４）
前記組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ４３）１５％を添加して組成物Ｂ4 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２７】
透明点：６９．２（５１．１）℃、Δｎ：０．１２８（０．０７７）、Δε：１０．２（５．７）、２０℃での粘度η：２４．７（１１．７）ｍＰａｓ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．７６Ｖ。
【０１２８】
実施例８（使用例５）
前記組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−メチルオキシフェニル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ５６）１５％を添加して組成物Ｂ5 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１２９】
透明点：６８．０（４３．１）℃、Δｎ：０．１３５（０．１２４、Δε：１０．９（１０．３）、２０℃での粘度η：２９．２（４１．７）ｍＰａｓ、セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．６２Ｖ。
【０１３０】
実施例９（使用例６）
前記組成物Ａ2 ８５％に１−（２−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ６１）１５％を添加して組成物Ｂ6 を調製し、その物性値を求めたところ次のとおりであった。
【０１３１】
透明点：６９．０（１６３．６）℃、Δｎ：０．１１９（０．１１９）、Δε：１０．３（８．０）、セル厚８．９μｍ下でのしきい値電圧：１．７４Ｖ。
【０１３２】
実施例１０（使用例７）
実施例４で用いられた組成物Ａ1 ８０％に１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル−４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）シクロヘキセン（化合物No. ４３）を２０％混合して組成物Ｂ7 を調製した。この組成物Ｂ7 の各温度における電圧保持率を測定したところ下表のとおりであった。
【０１３３】
【化７０】
なお、同表には比較例１として化合物No. ４３に代え、１，２，３−トリフルオロ−５−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）ベンゼンを混合した場合についても合わせ示した。
比較例２〜４
化合物No. ３の化合物に代え、下記表の比較例２、比較例３または比較例４に示す化合物をそれぞれ添加する以外は実施例５と同様にして組成物を調製し、同様にして物性値（外挿値）を求めた。
【０１３５】
結果を実施例５の結果とともに下表に示す。
【０１３６】
【化７１】
実施例５と比較例２の比較から、両者はＮ−Ｉ点については同じであるが、粘度については前者が低く、Δｎ、Δεおよびしきい値電圧Ｖ10については後者の方が低くなっていること、換言すれば前者はＴＦＴ用の特性を好ましく保ちながら粘性の上昇を抑制し得ることを示している。
このことは、ベンゼン環に実施例５に使用の化合物と同一のＣＦ3 基を有する比較例３に示す公知の化合物と比較例２と同一の２つのフッ素原子を有する比較例４に示す公知の化合物についての比較から教えられる事実、すなわち、粘度についてはＣＦ3 基を有する比較例３の化合物の方が高く、一方、Δｎ、Δεおよびしきい値電圧については２つのフッ素原子を有する比較例４の化合物の方が高いという事実とは逆の関係にあり、全く予期しえぬ結果となっている。
【０１３８】
本発明において、このような結果が得られるのは、本発明の化合物が分子中にシクロヘキセン環を有しており、これと種々の置換基との相互作用が好適に達成されるためと考えられる。
【０１３９】
実施例１１（使用例８）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメトキシフェニルエチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．９）３％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−プロピルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ９％
４’−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
４’−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
からなる液晶組成物Ｂ８を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：７５．４℃
Δｎ：０．０８０９
Δε：６．９
２０℃での粘度η：２３．４ｍＰａＳ
セル厚８．９μｍ下でのしきい値電圧：１．６５Ｖ
【０１４０】
実施例１２（使用例９）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−１，２−ジフルオロベンゼン １０％
４−（４−（２−（４−エチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ６％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルシクロヘキシル）−１−フルオロベンゼン ５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−４−フルオロビフェニル ５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
７％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
８％
からなる液晶組成物Ｂ９を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：６２．１℃
Δｎ：０．０８４７
Δε：４．８
２０℃での粘度η：２０．１ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．９２Ｖ
【０１４１】
実施例１３（使用例１０）
４−（４−トリフルオロメトキシフェニル）−１−（２−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．６１）５％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４’−（４−エチルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロビフェニル ５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロビフェニル ５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４−ジフルオロビフェニル １０％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
４％
４’−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ５％
４’−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１０を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：９０．５℃
Δｎ：０．１０８５
Δε：６．４
２０℃での粘度η：２５．９ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．２１Ｖ
【０１４２】
実施例１４（使用例１１）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１０％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ７％
４−（４−（２−（４−エチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １０％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １０％
４−フルオロフェニル＝４−ペンチルシクロヘキサンカルボキシラ−ト ５％
４−フルオロフェニル＝４−ヘプチルシクロヘキサンカルボキシラ−ト ４％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル
５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メチルベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−プロピルベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１１を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：８８．２℃
Δｎ：０．０８３３
Δε：５．３
２０℃での粘度η：２４．３ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．２０Ｖ
【０１４３】
実施例１５（使用例１２）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメトキシフェニルエチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．９）８％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１２％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ８％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ８％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１−クロロベンゼン ８％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
５％
４’−（４−プロピルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロフェニルベンゼン ５％
４’−（４−ペンチルシクロヘキシル）−３，４，５−トリフルオロフェニルベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−エチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ７％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ７％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−２−フルオロ−１−クロロベンゼン ７％
からなる液晶組成物Ｂ１２を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：９７．７℃
Δｎ：０．０９９１
Δε：５．６
２０℃での粘度η：３２．２ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．４４Ｖ
【０１４４】
実施例１６（使用例１３）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）５％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）１０％
４−（４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロベンゾニトリル ５％
４−（４−エチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（２−（２−フルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）エチニル）−１−エチルベンゼン ５％
４−（２−（２−フルオロ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル）エチニル）−１−プロピルベンゼン ５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）ベンゾニトリル ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）ベンゾニトリル ５％
４−フルオロフェニル＝４’−プロピルビシクロヘキサンカルボキシラ−ト ５％
４−フルオロフェニル＝４’−ペンチルビシクロヘキサンカルボキシラ−ト ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メトキシベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メチルベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−プロピルベンゼン ５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１３を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：１１１．６℃
Δｎ：０．１１９６
Δε：７．７
２０℃での粘度η：２７．８ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：２．０８Ｖ
【０１４５】
実施例１７（使用例１４）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）７％
４−（４−トリフルオロメチルフェニル）−１−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．４０）８％
４−（４−（３−ブテニル）シクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（４−（３−ペンテニル）シクロヘキシル）ベンゾニトリル １０％
４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ９％
４−（４−メトキシメチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル ３％
２−（３，４−ジフルオロフェニル）−５−プロピルピリミジン ３％
４’−メトキシメチル−４−プロピルビシクロヘキサン ７％
４’−プロピル−４−ブチルビシクロヘキサン ８％
４−（２−（４−エチルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−プロピルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−ブチルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−ブチルフェニル）エチニル）−１−エトキシベンゼン ３％
４−（２−（４−ペンチルフェニル）エチニル）−１−メトキシベンゼン ３％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メトキシベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−フルオロベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−メチルベンゼン ５％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１−プロピルベンゼン ５％
からなる液晶組成物Ｂ１４を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：７１．３℃
Δｎ：０．１２５６
Δε：６．４
２０℃での粘度η：１６．８ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．９８Ｖ
【０１４６】
実施例１８（使用例１５）
４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメチルフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．３）３％
４−（４−（２−フルオロエチル）シクロヘキシル）−１−（２−（４−トリフルオロメトキシフェニル）エチル）シクロヘキセン（化合物Ｎｏ．８）５％
４−（４’−エチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２−ジフルオロベンゼン １２％
４−（４’−プロピルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン
６％
４−（４−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）シクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−プロピルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（２−（４’−ペンチルビシクロヘキシル）エチル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ５％
４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）−１，２，６−トリフルオロベンゼン ９％
４’−（２−（４−プロピルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
４’−（２−（４−ペンチルシクロヘキシル）エチル）−３，４，５−トリフルオロビフェニル ８％
からなる液晶組成物Ｂ１５を調製し、その物性値を測定したところ次の通りであった。
透明点：７３．２℃
Δｎ：０．０８１１
Δε：６．０
２０℃での粘度η：２０．０ｍＰａＳ
セル厚８．７μｍ下でのしきい値電圧：１．９９Ｖ
【０１４７】
【発明の効果】
本発明の化合物は、
１）大きなΔｎを持つ、
２）粘性が低い、
３）化学的に極めて安定で高い電圧保持率を有する、
４）高い透明点を保ちながら他の液晶性化合物との相溶性が極めて高いため、液晶組成物とした場合にネマチック液晶相の低下を引き起こさない。また、高い割合で組成物に混合し使用することができる、
５）Δεが極めて高いといった特性を有する。
【０１４８】
そのため、本発明の化合物を使用することによって、大きなΔｎを持ち、粘性が低く（電界の変化に対する応答速度の改善に有効）、高い電圧保持率を有し、かつ広い温度範囲でネマチック液晶相を示す液晶組成物を得ることができる。また、本発明の化合物はΔεが極めて高いので駆動電圧を低下せしめることができ、これを使用することによって特にＴＦＴ用に好適な液晶組成物を提供することができる。
Claims (12)
- 一般式
- Ｙがトリフルオロメチル基である請求項１に記載の液晶性化合物。
- Ｙがトリフルオロメチルオキシ基である請求項１に記載の液晶性化合物。
- Ｙがジフルオロメチルオキシ基である請求項１に記載の液晶性化合物。
- Ｙが１，１，２，２−テトラフルオロエチルオキシ基である請求項１に記載の液晶性化合物。
- Ｙが１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロピルオキシ基である請求項１に記載の液晶性化合物。
- Ｙがペンタフルオロエチルオキシ基である請求項１に記載の液晶性化合物。
- 請求項１から７のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１成分以上含む２成分以上からなる液晶組成物。
- 第一成分として、請求項１から７のいずれかに記載の化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、下記の一般式（２）、（３）および（４）
- 第一成分として、請求項１から７のいずれかに記載の化合物を少なくとも１種含有し、第二成分として、下記の一般式（５）、（６）、（７）、（８）および（９）
- 請求項１から７のいずれかに記載の液晶性化合物を少なくとも１成分以上含む２成分以上からなる液晶組成物を使用して構成した液晶表示素子。
- 請求項８から１０のいずれかに記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
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