JP2003283085A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JP2003283085A JP2003283085A JP2002085292A JP2002085292A JP2003283085A JP 2003283085 A JP2003283085 A JP 2003283085A JP 2002085292 A JP2002085292 A JP 2002085292A JP 2002085292 A JP2002085292 A JP 2002085292A JP 2003283085 A JP2003283085 A JP 2003283085A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板が高温に曝されると絶縁基板に貫通
した導電材とこの導電材に接続される導電層との電気的
接続が比較的短時間で損なわれることがあった。 【解決手段】 絶縁基板１１に両端の開口径が異なる異
径貫通孔１１ａを穿設し、絶縁基板１１の両面に前記異
径貫通孔１１ａと重合する導電層１２、１３を形成し、
この導電層１２上と前記異径貫通孔内に導電体１４を充
填して絶縁基板１１の両面の導電層１２、１３を電気的
に接続した配線基板において、上記絶縁基板１１の径小
開口端１１ｅ側の絶縁基板１１と導電層１３の間にスパ
ッタ膜または蒸着膜もしくはスパッタ膜または蒸着膜上
に無電解めっき膜を積層した下地導電層１２を形成した
ことを特徴とする。
した導電材とこの導電材に接続される導電層との電気的
接続が比較的短時間で損なわれることがあった。 【解決手段】 絶縁基板１１に両端の開口径が異なる異
径貫通孔１１ａを穿設し、絶縁基板１１の両面に前記異
径貫通孔１１ａと重合する導電層１２、１３を形成し、
この導電層１２上と前記異径貫通孔内に導電体１４を充
填して絶縁基板１１の両面の導電層１２、１３を電気的
に接続した配線基板において、上記絶縁基板１１の径小
開口端１１ｅ側の絶縁基板１１と導電層１３の間にスパ
ッタ膜または蒸着膜もしくはスパッタ膜または蒸着膜上
に無電解めっき膜を積層した下地導電層１２を形成した
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁基板の両面に形
成した導電層を異径貫通孔を通して電気的に接続した配
線基板に関する。
成した導電層を異径貫通孔を通して電気的に接続した配
線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子回路装置、例えば携帯電話やパーソ
ナルコンピュータは可搬性を良くするために小型、軽量
化され、また高機能化が要求されるものでは多機能の電
子部品を高集積化している。このように小型、軽量化、
高集積化に対応するため、配線基板上に半導体ペレット
やチップ部品を搭載して電気的に接続し、モジュール化
した電子部品が用いられている。
ナルコンピュータは可搬性を良くするために小型、軽量
化され、また高機能化が要求されるものでは多機能の電
子部品を高集積化している。このように小型、軽量化、
高集積化に対応するため、配線基板上に半導体ペレット
やチップ部品を搭載して電気的に接続し、モジュール化
した電子部品が用いられている。
【０００３】このような目的で用いられる配線基板の一
例を図８に示す。図において、１は耐熱性を有する絶縁
基板で、要部に貫通孔２が穿設されている。耐熱性を有
するものとしてセラミックや樹脂があるが、小型化と同
時に薄型化が要求されるものでは、可撓性を有する樹脂
基板が一般的に用いられ、一般的にポリイミド樹脂や液
晶ポリマ樹脂などの耐熱性樹脂が用いられる。３、４は
絶縁基板１の両面に形成された第１，第２導電層で、そ
れぞれの一部３ａ、４ａは貫通孔２を含む領域に重合し
て形成されている。５は貫通孔２内に充填された導電材
で、導電層３ａ、４ａを電気的に接続している。
例を図８に示す。図において、１は耐熱性を有する絶縁
基板で、要部に貫通孔２が穿設されている。耐熱性を有
するものとしてセラミックや樹脂があるが、小型化と同
時に薄型化が要求されるものでは、可撓性を有する樹脂
基板が一般的に用いられ、一般的にポリイミド樹脂や液
晶ポリマ樹脂などの耐熱性樹脂が用いられる。３、４は
絶縁基板１の両面に形成された第１，第２導電層で、そ
れぞれの一部３ａ、４ａは貫通孔２を含む領域に重合し
て形成されている。５は貫通孔２内に充填された導電材
で、導電層３ａ、４ａを電気的に接続している。
【０００４】一般的に絶縁基板の表面は導電層３、４の
機械的な接着力を高めるため粗面化される。さらにはス
パッタ法や蒸着法により絶縁基板上に導電材料の下地層
を形成したり、絶縁基板に直接的にめっきできるように
めっき触媒を付着させて無電解めっきによる下地層を形
成し、この下地層上に無電解めっきや電解めっきにより
導電層を形成している。
機械的な接着力を高めるため粗面化される。さらにはス
パッタ法や蒸着法により絶縁基板上に導電材料の下地層
を形成したり、絶縁基板に直接的にめっきできるように
めっき触媒を付着させて無電解めっきによる下地層を形
成し、この下地層上に無電解めっきや電解めっきにより
導電層を形成している。
【０００５】この配線基板６には図９に示すように第１
導電層３が形成された面側に半導体ペレット７やその他
のチップ部品８が搭載され、それぞれの電極７ａ、８ａ
が導電層３、３ａに電気的に接続され、電子部品中間構
体を形成する。この部品７、８の電極７ａ、８ａと導電
層３、３ａの接続は一般的に熱圧着法、超音波ボンディ
ング法、ホットスポット溶接法などの接続手段により接
続される。そして図１０に示すように絶縁基板１の他の
面側の導電層４に外部接続用の突起電極９が形成され
る。この突起電極９は一般的に半田を溶融し球状に形成
したもので、外部の印刷配線基板（図示せず）に対して
リフロー接続される。このような集積化された電子部品
１０は電子回路の主要部分を集積してモジュール化でき
るため、電子回路装置の小型、軽量化、高集積化に対応
出来る。
導電層３が形成された面側に半導体ペレット７やその他
のチップ部品８が搭載され、それぞれの電極７ａ、８ａ
が導電層３、３ａに電気的に接続され、電子部品中間構
体を形成する。この部品７、８の電極７ａ、８ａと導電
層３、３ａの接続は一般的に熱圧着法、超音波ボンディ
ング法、ホットスポット溶接法などの接続手段により接
続される。そして図１０に示すように絶縁基板１の他の
面側の導電層４に外部接続用の突起電極９が形成され
る。この突起電極９は一般的に半田を溶融し球状に形成
したもので、外部の印刷配線基板（図示せず）に対して
リフロー接続される。このような集積化された電子部品
１０は電子回路の主要部分を集積してモジュール化でき
るため、電子回路装置の小型、軽量化、高集積化に対応
出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで図８に示す配
線基板６に搭載される部品７は小型であるため電極７ａ
と導電層３との間の熱伸縮差はわずかであるが、突起電
極９の配列領域は部品７の面積より大きく、それにとも
なって突起電極９と導電層４との間の熱伸縮差は大きく
なる。特に部品７が電力用半導体ペレットのように動作
開始後の温度上昇が著しいものではオン・オフ動作の繰
返しにより上記ストレスが導電層４と絶縁基板１の間に
繰返しかかり導電層４が剥離し易いという問題があっ
た。
線基板６に搭載される部品７は小型であるため電極７ａ
と導電層３との間の熱伸縮差はわずかであるが、突起電
極９の配列領域は部品７の面積より大きく、それにとも
なって突起電極９と導電層４との間の熱伸縮差は大きく
なる。特に部品７が電力用半導体ペレットのように動作
開始後の温度上昇が著しいものではオン・オフ動作の繰
返しにより上記ストレスが導電層４と絶縁基板１の間に
繰返しかかり導電層４が剥離し易いという問題があっ
た。
【０００７】また無電解めっきにより導電層３、４を絶
縁基板１の表裏両面に一括して形成することができ作業
性が良好であるが、耐熱性を有する樹脂製絶縁基板１は
無電解めっきの密着性が劣り、特に４００℃を超える温
度にも耐えるポリイミド樹脂、例えばビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物とジアミンの縮重合体からなる超耐
熱性ポリイミド樹脂（商品名「ユーピレックス」宇部興
産株式会社）ではピール強度が３００ｇ／ｃｍ程度で接
着強度としては不充分で、上記剥離の問題が顕著であっ
た。
縁基板１の表裏両面に一括して形成することができ作業
性が良好であるが、耐熱性を有する樹脂製絶縁基板１は
無電解めっきの密着性が劣り、特に４００℃を超える温
度にも耐えるポリイミド樹脂、例えばビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物とジアミンの縮重合体からなる超耐
熱性ポリイミド樹脂（商品名「ユーピレックス」宇部興
産株式会社）ではピール強度が３００ｇ／ｃｍ程度で接
着強度としては不充分で、上記剥離の問題が顕著であっ
た。
【０００８】また絶縁基板１に蒸着やスパッタにより下
地層を形成し、この下地層上に電解めっきによる導電層
を積層することにより絶縁基板に対する導電層の密着強
度を高めることができるが、蒸着やスパッタによる下地
層は絶縁基板の両面に一括して形成できないという問題
もあった。
地層を形成し、この下地層上に電解めっきによる導電層
を積層することにより絶縁基板に対する導電層の密着強
度を高めることができるが、蒸着やスパッタによる下地
層は絶縁基板の両面に一括して形成できないという問題
もあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、絶縁基板に両端の開口
径が異なる異径貫通孔を穿設し、絶縁基板の両面に前記
異径貫通孔と重合する導電層を形成し、この導電層の形
成と同時に前記異径貫通孔内に導電体を充填して絶縁基
板の両面の導電層を電気的に接続した配線基板におい
て、上記絶縁基板の径小開口端側の絶縁基板と導電層の
間にスパッタまたは蒸着による下地導電層を形成したこ
とを特徴とする配線基板を提供する。
を目的として提案されたもので、絶縁基板に両端の開口
径が異なる異径貫通孔を穿設し、絶縁基板の両面に前記
異径貫通孔と重合する導電層を形成し、この導電層の形
成と同時に前記異径貫通孔内に導電体を充填して絶縁基
板の両面の導電層を電気的に接続した配線基板におい
て、上記絶縁基板の径小開口端側の絶縁基板と導電層の
間にスパッタまたは蒸着による下地導電層を形成したこ
とを特徴とする配線基板を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明による配線基板は絶縁基板
に穿設した異径貫通孔の径小開口端側と配線パターンを
構成する導電層の間にスパッタ膜または蒸着膜もしくは
スパッタ膜または蒸着膜上に無電解めっき膜を積層した
下地導電層を形成したことを特徴とするが、異径貫通孔
の径小開口端の直径は５〜３５μｍが最適である。また
下地導電層は、銅単体またはクロムもしくはチタンの層
またはこれらの層に銅の層を積層して形成する。また導
電層は無電解銅めっき層で形成し、その上に電解銅めっ
き層を形成することができる。
に穿設した異径貫通孔の径小開口端側と配線パターンを
構成する導電層の間にスパッタ膜または蒸着膜もしくは
スパッタ膜または蒸着膜上に無電解めっき膜を積層した
下地導電層を形成したことを特徴とするが、異径貫通孔
の径小開口端の直径は５〜３５μｍが最適である。また
下地導電層は、銅単体またはクロムもしくはチタンの層
またはこれらの層に銅の層を積層して形成する。また導
電層は無電解銅めっき層で形成し、その上に電解銅めっ
き層を形成することができる。
【００１１】また導電層の一部又は全部に電解または無
電解ニッケルめっき層を形成しニッケルめっき層上に電
解または無電解金めっき層を積層形成して外装すること
ができる。
電解ニッケルめっき層を形成しニッケルめっき層上に電
解または無電解金めっき層を積層形成して外装すること
ができる。
【００１２】絶縁基板の径大開口端側の表面はウェット
ブラスト法もしくは液体ホーニング法により表面粗度を
１〜５μｍとし、この粗面上に無電解めっきによる導電
層を形成する。この粗面化は多角形のアルミナ砥粒を水
に混合し、混合液の水圧及びエアー圧により噴出した砥
粒により粗面化することができる。
ブラスト法もしくは液体ホーニング法により表面粗度を
１〜５μｍとし、この粗面上に無電解めっきによる導電
層を形成する。この粗面化は多角形のアルミナ砥粒を水
に混合し、混合液の水圧及びエアー圧により噴出した砥
粒により粗面化することができる。
【００１３】絶縁基板としてポリイミド樹脂、液晶ポリ
マ樹脂などの無電解めっきの密着性が劣るフィルムを用
いることができる。
マ樹脂などの無電解めっきの密着性が劣るフィルムを用
いることができる。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１から説明する。
図において、１１は耐熱性を有する樹脂製絶縁基板で、
要部に両端の開口径が異なる異径貫通孔１１ａが穿設さ
れている。絶縁基板１１の一方の主面１１ｂに径大開口
端１１ｃを開口させ、この面１１ｂと貫通孔１１ａの漏
斗状内周面１１ｄを粗面加工している。１２は第１の導
電層で、貫通孔１１ａの径小開口端１１ｅが開口した絶
縁基板１１の他の面１１ｆの貫通孔１１ａを含む領域に
形成されている。この第１の導電層１２はスパッタまた
は蒸着により形成され、平坦な面１１ｆ上に密着形成さ
れている。１３は貫通孔１１ａの内周面１１ｄを含む絶
縁基板１１の一方の面１１ｂの粗面上に形成した無電解
めっきによる第２の導電層で、絶縁基板１１を無電解め
っき液に浸漬することにより、粗面上だけでなく第１の
導電層１２上にも積層形成される。１４は電解めっきに
より第２の導電層１３上を被覆した第３の導電層を示
す。この導電層１４は絶縁基板１１をめっき液に浸漬す
ることにより第１,第２の導電層１２、１３上を被覆
し、さらに貫通孔１１ａ内に充実される。
図において、１１は耐熱性を有する樹脂製絶縁基板で、
要部に両端の開口径が異なる異径貫通孔１１ａが穿設さ
れている。絶縁基板１１の一方の主面１１ｂに径大開口
端１１ｃを開口させ、この面１１ｂと貫通孔１１ａの漏
斗状内周面１１ｄを粗面加工している。１２は第１の導
電層で、貫通孔１１ａの径小開口端１１ｅが開口した絶
縁基板１１の他の面１１ｆの貫通孔１１ａを含む領域に
形成されている。この第１の導電層１２はスパッタまた
は蒸着により形成され、平坦な面１１ｆ上に密着形成さ
れている。１３は貫通孔１１ａの内周面１１ｄを含む絶
縁基板１１の一方の面１１ｂの粗面上に形成した無電解
めっきによる第２の導電層で、絶縁基板１１を無電解め
っき液に浸漬することにより、粗面上だけでなく第１の
導電層１２上にも積層形成される。１４は電解めっきに
より第２の導電層１３上を被覆した第３の導電層を示
す。この導電層１４は絶縁基板１１をめっき液に浸漬す
ることにより第１,第２の導電層１２、１３上を被覆
し、さらに貫通孔１１ａ内に充実される。
【００１５】この配線基板１５の製造方法の一例を以下
に説明する。先ず図２に示すように絶縁基板１１を用意
する。次に図３に示すように絶縁基板１１の他の面１１
ｆにスパッタまたは蒸着により下地導電層となる第１の
導電層１２を形成する。 そして図４に示すようにこの
絶縁基板１１に貫通孔１１ａを穿設する。この貫通孔１
１ａはエッチングやレーザ光により内周壁が傾斜し両端
の径が異なる異径の貫通孔とし、径小開口端が前記第１
の導電層１２を形成した面に開口させている。貫通孔１
１ａの開口径は絶縁基板１１の厚みとも関連し、径小側
開口端１１ｅの開口径を５μｍより小さくすると、後述
する粗面化処理で目詰まりして貫通孔１１ａ内周面１１
ｄの粗面化が不完全となり、３５μｍより大きくする
と、径大開口端の開口径が大きくなり過ぎて導電パター
ンを形成する上で障害となり貫通孔１１ａの容積が増大
し、めっき作業に時間を要するという問題もあるため、
径小開口径は５〜３５μｍが最適である。次に絶縁基板
１１は図５に示すように異径貫通孔１１ａの径大開口端
側の絶縁基板１１の面１１ｂをウエットブラストまたは
液体ホーニング法により粗面化する。多角状で粒径１０
〜１００μｍのアルミナ砥粒を水に５〜４０ボリウム％
分散させたスラリーを用い、このスラリーを１〜５Ｋｇ
／ｃｍ２に加圧し、さらに１〜６Ｋｇ／ｃｍ２に加圧さ
れた圧縮空気と混合させて絶縁基板１１上に高圧噴射さ
せる。これによりエポキシ樹脂などの絶縁基板では表面
粗度が１〜５μｍの粗面に加工される。そして図５に示
す処理が完了した絶縁基板１１を図示省略するがめっき
触媒に接触させめっき材料の析出を可能にする。この触
媒付与作業が完了した絶縁基板１１を無電解めっき液に
浸漬し、めっき処理し図６に示すように、絶縁基板１１
の両面に第２の導電層１３を形成する。これにより一方
の面１１ｂ側では、粗面上に第２の導電層１３が形成さ
れ、他の面１１ｆ側では第１の導電層１２上に第２の導
電層１３が積層形成される。さらに絶縁基板１１を電解
めっき液に浸漬してめっき処理し図７に示すように、絶
縁基板１１の両面の第１、第２の導電層１２、１３上に
第３の導電層１４を積層する。
に説明する。先ず図２に示すように絶縁基板１１を用意
する。次に図３に示すように絶縁基板１１の他の面１１
ｆにスパッタまたは蒸着により下地導電層となる第１の
導電層１２を形成する。 そして図４に示すようにこの
絶縁基板１１に貫通孔１１ａを穿設する。この貫通孔１
１ａはエッチングやレーザ光により内周壁が傾斜し両端
の径が異なる異径の貫通孔とし、径小開口端が前記第１
の導電層１２を形成した面に開口させている。貫通孔１
１ａの開口径は絶縁基板１１の厚みとも関連し、径小側
開口端１１ｅの開口径を５μｍより小さくすると、後述
する粗面化処理で目詰まりして貫通孔１１ａ内周面１１
ｄの粗面化が不完全となり、３５μｍより大きくする
と、径大開口端の開口径が大きくなり過ぎて導電パター
ンを形成する上で障害となり貫通孔１１ａの容積が増大
し、めっき作業に時間を要するという問題もあるため、
径小開口径は５〜３５μｍが最適である。次に絶縁基板
１１は図５に示すように異径貫通孔１１ａの径大開口端
側の絶縁基板１１の面１１ｂをウエットブラストまたは
液体ホーニング法により粗面化する。多角状で粒径１０
〜１００μｍのアルミナ砥粒を水に５〜４０ボリウム％
分散させたスラリーを用い、このスラリーを１〜５Ｋｇ
／ｃｍ２に加圧し、さらに１〜６Ｋｇ／ｃｍ２に加圧さ
れた圧縮空気と混合させて絶縁基板１１上に高圧噴射さ
せる。これによりエポキシ樹脂などの絶縁基板では表面
粗度が１〜５μｍの粗面に加工される。そして図５に示
す処理が完了した絶縁基板１１を図示省略するがめっき
触媒に接触させめっき材料の析出を可能にする。この触
媒付与作業が完了した絶縁基板１１を無電解めっき液に
浸漬し、めっき処理し図６に示すように、絶縁基板１１
の両面に第２の導電層１３を形成する。これにより一方
の面１１ｂ側では、粗面上に第２の導電層１３が形成さ
れ、他の面１１ｆ側では第１の導電層１２上に第２の導
電層１３が積層形成される。さらに絶縁基板１１を電解
めっき液に浸漬してめっき処理し図７に示すように、絶
縁基板１１の両面の第１、第２の導電層１２、１３上に
第３の導電層１４を積層する。
【００１６】このようにして両面に導電層を形成した絶
縁基板１１の表裏両面にめっきレジストを貼り付け、露
光プロセスにより所定の配線パターン部及び貫通孔を覆
うレジストを除去し、露出された配線パターン部及び貫
通孔の部分に導電層をめっき電源線として電解めっきに
より配線層及び貫通孔の導電層を形成し、さらにレジス
トを除去して露出した面に残留した導電層をエッチング
除去して配線の形成を完了して図１に示す配線基板１５
を得る。
縁基板１１の表裏両面にめっきレジストを貼り付け、露
光プロセスにより所定の配線パターン部及び貫通孔を覆
うレジストを除去し、露出された配線パターン部及び貫
通孔の部分に導電層をめっき電源線として電解めっきに
より配線層及び貫通孔の導電層を形成し、さらにレジス
トを除去して露出した面に残留した導電層をエッチング
除去して配線の形成を完了して図１に示す配線基板１５
を得る。
【００１７】この配線基板１５は異径貫通孔１１ａを形
成した絶縁基板１１の径大開口端１１ｃ側に絶縁基板１
１の面１１ｂから鈍角をなして貫通孔１１ａの内壁に連
続する粗面を形成し、無電解めっきによる第２の導電層
１３を形成し、しかもこの導電層１３は径大の開口端１
１ｃに充填された第３の導電層１４によって保持されて
いるため剥離しにくく、径小開口端１１ｅ側はスパッタ
等による下地導電層１２を形成し、この下地導電層１２
を第２の導電層１３と貫通孔１１ａを通した第３の導電
層１４によって２重に被覆したから、径小開口端１１ｅ
の開口面積が小さく、主面１１ｆと貫通孔１１ａ内壁の
なす角が鋭角であっても絶縁基板１１に対する密着性を
良好にできる。４００℃を超える温度に耐えるポリイミ
ド樹脂表面に直接、無電解めっきによる導電膜を形成し
てピール強度８００ｇ／ｃｍ以上の密着力が得られ、長
期間にわたって安定な信頼性の高い配線基板を実現する
ことができ、熱膨張、熱収縮が繰り返しかかるような接
続部の信頼性を高めることができる。また絶縁基板１１
の一方の面にスパッタや蒸着処理し、他の面に粗面化す
ればよいから製造が容易である。
成した絶縁基板１１の径大開口端１１ｃ側に絶縁基板１
１の面１１ｂから鈍角をなして貫通孔１１ａの内壁に連
続する粗面を形成し、無電解めっきによる第２の導電層
１３を形成し、しかもこの導電層１３は径大の開口端１
１ｃに充填された第３の導電層１４によって保持されて
いるため剥離しにくく、径小開口端１１ｅ側はスパッタ
等による下地導電層１２を形成し、この下地導電層１２
を第２の導電層１３と貫通孔１１ａを通した第３の導電
層１４によって２重に被覆したから、径小開口端１１ｅ
の開口面積が小さく、主面１１ｆと貫通孔１１ａ内壁の
なす角が鋭角であっても絶縁基板１１に対する密着性を
良好にできる。４００℃を超える温度に耐えるポリイミ
ド樹脂表面に直接、無電解めっきによる導電膜を形成し
てピール強度８００ｇ／ｃｍ以上の密着力が得られ、長
期間にわたって安定な信頼性の高い配線基板を実現する
ことができ、熱膨張、熱収縮が繰り返しかかるような接
続部の信頼性を高めることができる。また絶縁基板１１
の一方の面にスパッタや蒸着処理し、他の面に粗面化す
ればよいから製造が容易である。
【００１８】尚、絶縁基板１１の平坦面に蒸着又はスパ
ッタにより形成する第１の導電層１２は銅だけでなくク
ロム又はチタンでもよく、この層を下地層として銅をめ
っき被覆してもよい。また第２、第３の導電層１３、１
４は無電解めっきか電解めっきかの相異はあるが、いず
れも同じ金属、例えば導電性が良好な銅をめっきするこ
とができる。また本発明は、表面に直接、めっきによる
導電層の形成が困難で、導電層を形成できても良好な密
着性を得ることができなかったエポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、液晶ポリマ樹脂などの絶縁基板材料に適用する
ことができる。
ッタにより形成する第１の導電層１２は銅だけでなくク
ロム又はチタンでもよく、この層を下地層として銅をめ
っき被覆してもよい。また第２、第３の導電層１３、１
４は無電解めっきか電解めっきかの相異はあるが、いず
れも同じ金属、例えば導電性が良好な銅をめっきするこ
とができる。また本発明は、表面に直接、めっきによる
導電層の形成が困難で、導電層を形成できても良好な密
着性を得ることができなかったエポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂、液晶ポリマ樹脂などの絶縁基板材料に適用する
ことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、樹脂製絶
縁基板に対して導電層の密着強度を高め、製造が容易な
配線基板を実現することができる。
縁基板に対して導電層の密着強度を高め、製造が容易な
配線基板を実現することができる。
【図１】 本発明の実施例を示す配線基板の要部側断面
図
図
【図２】 図１配線基板の製造方法を示す絶縁基板の側
断面図
断面図
【図３】 一方の面に第１の導電層を形成した絶縁基板
の側断面図
の側断面図
【図４】 第１の導電層が形成された絶縁基板に異径貫
通孔を穿設した状態を示す側断面図
通孔を穿設した状態を示す側断面図
【図５】 図４に示す絶縁基板の他の面に粗面を形成し
た状態を示す側断面図
た状態を示す側断面図
【図６】 図５に示す絶縁基板の両面に第２の導電層を
形成した状態を示す側断面図
形成した状態を示す側断面図
【図７】 図６に示す絶縁基板の両面に第３の導電層を
形成した状態を示す側断面図
形成した状態を示す側断面図
【図８】 本発明の前提となる従来の配線基板の一例を
示す側断面図
示す側断面図
【図９】 図７配線基板を用いた電子部品中間構体を示
す側断面図
す側断面図
【図１０】 図８中間構体に突起電極を形成した電子部
品の側断面図
品の側断面図
１１ 絶縁基板
１１ａ 異径貫通孔
１１ｃ 径大開口端
１１ｅ 径小開口端
１２ 下地導電層
１３ 導電層
１４ 導電層
１５ 配線基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4E351 AA01 BB01 BB23 BB24 BB32
BB33 BB35 BB49 CC03 CC06
CC07 DD04 DD06 DD11 DD17
DD19 GG01 GG08
5E317 AA24 BB03 BB11 BB12 BB13
BB15 CC31 CC32 CC33 CC52
CD05 CD27 CD32 GG03
5E343 AA02 AA07 AA12 AA18 BB18
BB23 BB24 BB35 BB38 BB44
BB71 DD25 DD33 DD43 EE33
GG04
Claims (8)
- 【請求項１】絶縁基板に両端の開口径が異なる異径貫通
孔を穿設し、絶縁基板の両面に前記異径貫通孔と重合す
る導電層を形成し、この導電層の形成と同時に前記異径
貫通孔内に導電体を充填して絶縁基板の両面の導電層を
電気的に接続した配線基板において、上記絶縁基板の径
小開口端側の絶縁基板と導電層の間にスパッタまたは蒸
着による下地導電層を形成したことを特徴とする配線基
板。 - 【請求項２】径小開口端の大きさが直径５〜３５μｍで
あることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項３】下地導電層が、銅単体またはクロムもしく
はチタンの層またはこれらの層に銅の層を積層して形成
したことを特徴する請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項４】導電層が無電解銅めっき層であることを特
徴とする請求項１に記載の配線基板。 - 【請求項５】無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形
成したことを特徴とする請求項４に記載の配線基板。 - 【請求項６】導電層の一部又は全部に電解または無電解
ニッケルめっき層を形成しニッケルめっき層上に電解ま
たは無電解金めっき層を積層形成したことを特徴とする
請求項４に記載の配線基板。 - 【請求項７】絶縁基板の径大開口端側の表面をウェット
ブラスト法もしくは液体ホーニング法により表面粗度を
１〜５μｍとし、この粗面上に無電解めっきによる導電
層を形成したことを特徴とする請求項１に記載の配線基
板、 - 【請求項８】多角形のアルミナ砥粒を水に混合し、混合
液の水圧及びエアー圧により噴出した砥粒によりの粗面
化したことを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085292A JP2003283085A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002085292A JP2003283085A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283085A true JP2003283085A (ja) | 2003-10-03 |
Family
ID=29232307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002085292A Pending JP2003283085A (ja) | 2002-03-26 | 2002-03-26 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003283085A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1531658A1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-05-18 | Nitto Denko Corporation | Double sided wired circuit board |
| WO2006057175A1 (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 導電材充填スルーホール基板の製造方法 |
| JP2007317887A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Matsushita Electric Works Ltd | スルーホール電極の形成方法 |
| JP7358708B2 (ja) | 2022-03-10 | 2023-10-11 | 株式会社伸光製作所 | プリント配線板 |
-
2002
- 2002-03-26 JP JP2002085292A patent/JP2003283085A/ja active Pending
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| US8196298B2 (en) | 2004-11-24 | 2012-06-12 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for manufacturing electroconductive material-filled throughhole substrate |
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