JP2003283012A - 光増幅装置およびその製造方法、光増幅装置を用いた光源装置、光源装置を用いた光治療装置、並びに光源装置を用いた露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光スイッチング機能を一体に有して成る光増
幅装置を得る。 【解決手段】 光増幅装置１は、ガラス基板２に所定の
断面形状を有して入口部４ａから出口部４ｂまで繋がっ
て延びる光増幅導波路３を設けて構成され、光増幅導波
路３の後部に、導波路型の光スイッチ部５を設けて構成
される。このような構成とすれば、光増幅装置自体が光
スイッチを有するため、スイッチング素子や変調器を別
途設ける必要がなく、光増幅装置を用いて構成される装
置の構造を簡単にでき、且つ製造コストを低減させるこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光源からの
光等のような照射光を増幅するための光増幅装置および
その製造方法に関する。本発明はまた、この光増幅装置
を用いた光源装置、この光源装置を用いた光治療装置お
よび露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザ等のレーザ光源から発生し
た単一波長の赤外光又は可視光を増幅させる手段として
光ファイバー増幅器、光導波路増幅器がある。これは、
エルビウム（Ｅｒ）等の希土類元素を添加した増幅用光
ファイバー、増幅用光導波路に励起光を供給し、添加さ
れた希土類元素を励起することによって希土類元素の外
殻電子のエネルギー準位について反転分布を形成し、上
記光ファイバーもしくは光導波路に入射された光を増幅
させるものである。このように構成された光ファイバー
増幅器、光導波路増幅器はレーザ光源と組み合わされて
種々の光学関連装置の光源として用いられている。例え
ば、近眼、乱視等の治療を行う光（レーザ光）治療装置
等に所定の照射光を供給する光源装置として利用した
り、ウエハ上にフォトリソグラフィ技術を用いる半導体
製造用の露光装置の光源装置として利用したりすること
が実用化されつつある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような光治療装置
や半導体露光装置等においては、照射光の供給制御（ス
イッチング制御）を行ったり、供給先の切換制御を行っ
たりすることが要求されることが多く、例えば、未公開
ではあるが特願２００１−０３６２５６号において光源
装置の出射端側に繋げてスイッチング素子や変調器を設
けてこれらの要求に対応している。しかしながら、この
ようにスイッチング素子や変調器を別途設ける必要があ
り、装置構造の複雑化、製造コストの上昇という問題が
あった。

【０００４】本発明はこのような問題に鑑みたもので、
光スイッチング機能を一体に有して成る光増幅装置を提
供することを目的とする。本発明はまた、このような光
増幅装置を用いて構成される光源装置を提供することを
目的とし、さらに、この光源装置を用いて構成される露
光装置や、光治療装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】このような目的達成のた
め、本発明に係る光増幅装置は、ガラス基板に所定の断
面形状を有して入口部から出口部まで繋がって延びる光
増幅導波路を設けて構成され、光増幅導波路の後部に、
導波路型の光スイッチを設けて構成される。このような
構成とすれば、光増幅装置自体が光スイッチを有するた
め、スイッチング素子や変調器を別途設ける必要がな
く、光増幅装置を用いて構成される装置の構造を簡単に
でき、且つ製造コストを低減させることができる。

【０００６】なお、光増幅導波路の後部に隣接且つ並行
して延びる第２光導波路をガラス基板に形成し、光スイ
ッチにより、入口部から光増幅導波路に入射されて増幅
された光信号を光増幅導波路の後部もしくは第２光導波
路に振り分けて流す制御を行うように構成するのが好ま
しい。このとき、光スイッチを、光増幅導波路の後部お
よび第２光導波路が所定間隔をおいて近接する部分に設
けられて、熱光学効果、電気光学効果もしくは音響光学
効果を用いて光増幅導波路に入射された光信号を光増幅
導波路の後部もしくは第２光導波路に振り分けて流す制
御を行う方向性結合器型スイッチから構成することがで
きる。

【０００７】本発明に係る光増幅装置の製造方法におい
ては、希土類を添加したガラス基板の表面に、一端部か
ら他端側に所定の幅を有して延びる第１開口と、この第
１開口の他端部近傍において第１開口に隣接且つ並行し
て他端側に延びる第２開口とを設けて膜を形成し、ガラ
ス基板を一価のイオンを含む中性塩を融点以上に加熱し
て作った溶液中に所定時間浸して、ガラス基板の表面に
おける第１および第２開口に位置する部分に光導波路と
なる二本の高屈折率領域を形成し、膜をガラス基板から
除去し、ガラス基板に電界を加えて二本の高屈折領域を
ガラス基板の内部に埋め込んで光増幅導波路および第２
導波路を形成し、光増幅導波路の後部および第２導波路
の上方におけるガラス基板の表面に、フォトリソグラフ
ィ技術を用いて熱光学効果、電気光学効果もしくは音響
光学効果用の素子を形成して方向性結合器型スイッチを
構成して作られる。

【０００８】もう一つの本発明に係る光増幅装置の製造
方法においては、ガラス基板の表面に、一端部から他端
側に所定の幅を有して延びる第１開口と、この第１開口
の他端部近傍において第１開口に隣接且つ並行して他端
側に延びる第２開口とを設けて膜を形成し、膜が形成さ
れたガラス基板における第１および第２開口の部分にイ
オン注入法によって希土類をドープし、ガラス基板を一
価のイオンを含む中性塩を融点以上に加熱して作った溶
液中に所定時間浸して、ガラス基板の表面における第１
および第２開口に位置する部分に光導波路となる二本の
高屈折率領域を形成し、膜をガラス基板から除去し、ガ
ラス基板に電界を加えて二本の高屈折領域をガラス基板
の内部に埋め込んで光増幅導波路および第２導波路を形
成し、光増幅導波路の後部および第２導波路の上方にお
けるガラス基板の表面に、フォトリソグラフィ技術を用
いて熱光学効果、電気光学効果もしくは音響光学効果用
の素子を形成して方向性結合器型スイッチを構成して作
られる。

【０００９】さらに異なる本発明に係る光増幅装置の製
造方法においては、シリコン基板の表面に酸水素バーナ
ーによって下部クラッド層を堆積形成し、下部クラッド
層の表面に酸水素バーナーによって希土類および燐等を
添加した高屈折率のコア層を堆積形成し、下部クラッド
層およびコア層が形成されたシリコン基板を加熱して下
部クラッド層およびコア層を透明化し、コア層の表面に
一端部から他端側に所定の幅を有して延びる第１レジス
ト層と第１レジスト層の他端部近傍において第１レジス
ト層に隣接且つ並行して他端側に延びる第２レジスト層
とを形成し、レジスト層をマスクとして反応性イオンエ
ッチング法によってレジスト層に覆われた部分以外のコ
ア層を除去し、レジスト層を除去して残された第１およ
び第２コア層を有する下部クラッド層の表面に酸水素バ
ーナーによって上部クラッド層を堆積形成し、上部クラ
ッド層が形成されたシリコン基板を加熱して上部クラッ
ド層も透明化し、第１コア層により形成される光増幅導
波路の後部および第２コア層により形成される第２導波
路の上方における上部クラッド層の表面に、フォトリソ
グラフィ技術を用いて熱光学効果、電気光学効果もしく
は音響光学効果用の素子を形成して方向性結合器型スイ
ッチを構成して作られる。

【００１０】本発明に係る光源装置は、上述した構成の
光増幅装置もしくは上述した製造方法により製造される
光増幅装置と、照射光を出射する照射光源と、励起光を
出射する励起光源と、照射光源から出射された照射光を
入口部から光増幅導波路内に導く照射光導入路と、励起
光源から出射された励起光を入口部から光増幅導波路内
に導く励起光導入路と、光スイッチの作動制御を行うス
イッチ作動制御装置とを備えて構成され、照射光導入路
および励起光導入路を介して光増幅導波路内に照射光お
よび励起光を導入し、励起光の作用により増幅された照
射光を、スイッチ作動制御装置による光スイッチの作動
制御に応じて光増幅導波路および第２導波路の出力端部
から振り分けて出射させるように構成される。

【００１１】なお、上記光源装置において、照射光源を
所定波長のレーザ光を出射するレーザ光源から構成する
ことができる。

【００１２】一方、本発明に係る光治療装置は、上述し
た構成の光源装置と、光源装置の出口部から出射される
照射光を所定波長の治療用照射光に変換する波長変換器
と、波長変換器により変換された照射光を治療部位に導
いて照射させる照射光学系とを備えて構成される。

【００１３】また、本発明に係る露光装置は、上述した
構成の光源装置と、この光源装置の出口部から出射され
る照射光を所定波長の照射光に変換する波長変換部と、
所定の露光パターンが設けられたフォトマスクを保持す
るマスク支持部と、露光対象物を保持する対象物保持部
と、光源装置の出口部から出射される照射光をマスク支
持部に保持されたフォトマスクに照射させる照明光学系
と、照明光学系を介してフォトマスクに照射されてここ
を通過した照射光を対象物保持部に保持された露光対象
物に照射させる投影光学系とを備えて構成される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について図面を参照して説明する。本発明の一実施形態
に係る光増幅装置１を図１に示しており、この光増幅装
置１は、希土類が添加されたガラス基板２の内部に、光
増幅作用を行う光導波路３と、光導波路３の後部に設け
られた光スイッチ部５と、光スイッチ部５により振り分
けられた光信号が出射される第１および第２出射導波路
６，７とを有して構成される。光導波路３はガラス基板
２の左端に開口する入口部４ａを有し、この入口部４ａ
から信号光を入射させるとともに励起光（ポンピング
光）を供給し、添加希土類（例えば、エルビウム等）を
励起させて信号光を増幅させる。このように光導波路３
内において増幅された信号光は、光スイッチ部５に入力
され、ここで第１および第２出射導波路６，７に振り分
けられ、これら第１および第２出射導波路６，７の右端
において開口する第１および第２出口部４ｂ，４ｃから
出射される。なお、これら光導波路３、第１および第２
出射導波路６，７はすべてシングルモードが保たれるよ
うに、屈折率、導波路幅（断面積）等が設定されてい
る。

【００１５】光スイッチ部５の構成を図２および図３に
詳しく示しており、上記光導波路３が光スイッチ部５に
おいて緩やかにＵ字状に曲げられて第１スイッチ導波路
５ａが形成されている。さらに、この第１スイッチ導波
路５ａと線対称となるＵ字状に形成された第２スイッチ
導波路５ｂが第１スイッチ導波路５ａと近接して（信号
光の波長の５倍ほどの間隔で）並行に延びて設けられて
いる。第１スイッチ導波路５ａは第１出射導波路６と繋
がり、第２スイッチ導波路５ｂは第２出射導波路７と繋
がる。そして、これら第１および第２スイッチ導波路５
ａ，５ｂの上方のガラス基板２の表面に第１および第２
ヒーター８ａ，８ｂが設けられており、これら第１およ
び第２ヒーター８ａ，８ｂがコントローラ９ａを介して
電源９ｂに繋がっている。

【００１６】このような構成の光スイッチ部５におい
て、第１および第２スイッチ導波路５ａ，５ｂと、第１
および第２ヒーター８ａ，８ｂにより、ガラス基板の熱
光学効果（ＴＯ）を用いた方向性結合器型光スイッチを
構成しており、コントローラ９ａにより第１および第２
ヒーター８ａ，８ｂへの印加電圧制御を行って、光導波
路３からの光信号を第１および第２出射導波路６，７に
振り分けて出射させる制御が行われる。

【００１７】この作動原理について説明する。第１およ
び第２スイッチ導波路５ａ，５ｂからなる二本のシング
ルモード導波路が近接した領域においては偶モードの電
界分布（図４（Ａ）参照）および奇モードの電界分布
（図４（Ｂ）参照）が存在し、これら両モードの伝搬定
数は異なる。このため、光スイッチ部５において第１お
よび第２スイッチ導波路５ａ，５ｂを光信号が伝搬され
るときに、これら二つの導波路５ａ，５ｂの間で光パワ
ーの移行が周期的に発生し、偶、奇両モードの位相差が
πになる距離では光パワーが１００％移行する。ガラス
基板の熱光学効果（ＴＯ）を用いた方向性結合器型光ス
イッチはこの現象を利用するもので、第１および第２ヒ
ーター８ａ，８ｂに印加する電圧を制御することによっ
て、第１スイッチ導波路５ａから第２スイッチ導波路５
ｂへの光パワーの移行を０〜１００％の間で任意に制御
できる。すなわち、光パワーの移行を０％にして第１出
射導波路６のみから光信号を出す状態から、光パワーの
移行を１００％行わせて第２出射導波路７のみから光信
号を出す状態まで、第１および第２出射導波路６，７か
らの出射光信号を任意に振り分け設定できる。

【００１８】なお、光スイッチ部５において、上記方向
性結合器型スイッチに代えてマッハ・ツェンダー型スイ
ッチ等を用いても良い。この場合、光スイッチ部５に接
続する出射導波路は一本だけ（例えば、第１出射導波路
６のみ）であり、その出射導波路から出射する光量の調
整が可能である。また、熱光学（ＴＯ）効果の他に、電
気光学（ＥＯ）効果、音響光学（ＡＯ）効果を利用して
も良い。

【００１９】次に、上記のような構成の光増幅器の製造
方法について以下に説明する。

【００２０】

【イオン交換法】イオン交換法により光増幅器を製造す
る方法について、図５〜図１０を参照して説明する。こ
の方法ではまず図５に示すように、Ｅｒ（エルビウム）
等の希土類を添加したガラス基板（フォスフェートガラ
ス、ＢＫ７ガラス、ソーダライムガラス等）１１の表面
に、半導体製造工程で用いられるフォトリソグラフィ技
術を用いて、上述した光導波路形状に合わせた二本の開
口１３，１４を設けて金属膜１２をパターニング形成す
る。一方の開口１３は、上述した光導波路３に対応する
第１開口１３ａと、第１スイッチ導波路５ａに対応する
第２開口１３ｂと、第１出射導波路６に対応する第３開
口１３ｃとが図示のようにガラス基板１１の表面の一端
側から他端側まで一本の線状に繋がって延びて形成され
る。また、もう一つの開口１４は、第２スイッチ導波路
５ｂに対応する第４開口１４ａと、第２出射導波路７に
対応する第５開口１４ｂとが一本の線状に繋がって延び
て形成される。

【００２１】次に、図６に示すように、Ａｇ等の一価の
イオンを含む中性塩を融点以上に加熱して溶かした溶液
１８に、上記のように金属膜１２をパターニング形成し
たガラス基板１１を所定時間浸す。これにより図７に示
すように、溶液１８に曝される開口１３，１４の部分に
おいて、ガラス表面近くでＮａイオンが一価の金属イオ
ンに置換されて導波路となる高屈折領域１５，１６（ハ
ッチングを施した領域）が形成される。次に、図８に示
すように金属膜１２を除去した後、図９に示すように上
下両面を電極１７ａ，１７ｂにより挟んで電界を加え
て、図１０に示すように高屈折領域１５，１６をガラス
基板１１の内部に埋め込めば、この高屈折領域１５，１
６が光導波路３、第１および第２スイッチ導波路５ａ，
５ｂ並びに第１および第２出射導波路６，７を形成する
ことができる。なお、このとき、溶液１８の濃度、温
度、浸漬時間（イオン交換時間）、印加電界等を適切に
設定することにより、各光導波路をシングルモードとな
るサイズにしている。

【００２２】この後、ガラス基板１１の表面における第
１および第２スイッチ導波路５ａ，５ｂの上方に、フォ
トリソグラフィ技術を用いてヒーター８ａ，８ｂや電極
を作成し、これらヒーター８ａ，８ｂをそれらの電極か
らコントローラ９ａに繋ぎ、さらにコントローラ９ａを
電源９ｂに繋げば図１〜図３に示した光増幅装置１の製
作が完了する。

【００２３】

【イオン交換法（その２）】上記の方法では、Ｅｒ等の
希土類を添加したガラス基板を用いているが、この方法
では通常のガラス基板を用い、光導波路を作る部分にの
みイオン注入方法を用いることによってＥｒ等の希土類
を選択的に添加する。すなわち、まず、通常のガラス基
板１１′（Ｅｒ等の希土類を添加していないガラス基
板）の表面に、フォトリソグラフィ技術等を用いて図５
に示すように導波路形状の開口１３，１４を有した金属
膜１２を形成する。そして、この開口１３，１４内に位
置するガラス基板１１′の表面にイオン注入方法によっ
てＥｒ等の希土類をドープさせる。なお、イオン注入は
半導体製造工程で一般的に用いられる技術であり、真空
中で原子、分子をイオン化し、数ＫｅＶから数ＭｅＶに
加速してガラス基板へ照射し添加する方法である。

【００２４】このイオン注入によって、開口１３，１４
に位置するガラス基板表面にＥｒがドープされるので、
この後、上記したイオン交換法と同一の処理、すなわ
ち、図６〜図１０に示すイオン交換法処理を行えば、上
述の光導波路を形成することができる。この後、ガラス
基板１１′の表面における第１および第２スイッチ導波
路５ａ，５ｂの上方に、フォトリソグラフィ技術を用い
てヒーター８ａ，８ｂや電極を作成し、コントローラ９
ａおよび電源９ｂに接続すれば、図１〜図３に示した光
増幅装置１の製作が完了する。

【００２５】

【火炎堆積法および反応性イオンエッチング法】上記光
増幅装置を、火炎堆積法と反応性イオンエッチング法を
用いても製作可能である（これについては、電子通信学
会論文誌Ｃ−Ｉ、ｖｏｌ．Ｊ７７−Ｃ−Ｉ、Ｎｏ．５、
ｐ．２１４−２２１、１９９４年参照）。火炎堆積法は
光ファイバーの製造方法である気相軸付け法（ＶＡＤ
法）を平面導波路に適用した方法で、酸水素バーナー中
にＳｉＣｌ₄等の原料ガスを流入させ、火炎中で酸化反
応を起こしてＳｉＯ₂微粒子等を基板状に堆積させる方
法である。

【００２６】本実施形態では、まず図１１に示すよう
に、シリコン基板（Ｓｉ基板）２１の表面に酸水素バー
ナー２８によって下部クラッド層２２を堆積形成し、次
に、図１２に示すように、酸水素バーナー２８によって
Ｅｒ（エルビウム）等の希土類とＰ（燐）等を添加した
屈折率の高いコア層２３を堆積させる。そしてこれを電
気炉中で千数百°Ｃに加熱して透明化する。次に、この
コア層２３の上にフォトリソグラフィ技術を用いて光導
波路の形状に対応するレジスト層（図５の二本の開口１
３，１４に対応する形状のレジスト層）を形成し、この
レジスト層をマスクとして反応性イオンエッチング法に
よってレジスト層に覆われた部分以外のコア層２３を除
去する。これにより、図１３に示すように下部クラッド
層２２の上に光導波路３、第１および第２スイッチ導波
路５ａ，５ｂ並びに第１および第２出射導波路６，７に
対応する形状のコア層からなる二本の導波路層２４，２
５が形成される。

【００２７】次に、再び酸水素バーナー２８を用いた火
炎堆積法によってこれら二本の導波路層２４，２５を覆
うように下部クラッド層２２の上に上部クラッド層２６
を堆積形成し、これを電気炉で加熱して透明化させれ
ば、上述の光導波路を形成することができる。この後、
ガラス基板１１の表面における第１および第２スイッチ
導波路５ａ，５ｂの上方に、フォトリソグラフィ技術を
用いてヒーター８ａ，８ｂや電極を作成し、コントロー
ラ９ａおよび電源９ｂに接続すれば、図１〜図３に示し
た光増幅装置１の製作が完了する。

【００２８】なお、以上説明した各製造方法において、
使用材料としては上述したガラスの他に、ニオブ酸リチ
ウムのような結晶も用いることができる。

【００２９】

【光源装置】次に、上記の構成の光増幅装置を用いて構
成される光源装置３０について図１５を参照して説明す
る。光源装置３０は、レーザ光を発生するレーザ光発生
部３１と、レーザ光発生部３１から発生されたレーザ光
を増幅するとともに光スイッチングを行う光増幅スイッ
チ部４０とから構成される。

【００３０】レーザ光発生部３１は、所望の波長で発振
するレーザ３２を有し、このレーザ３２は、例えば、発
振波長１．５４４μｍ、InGaAsP，ＤＦＢ半導体レーザ
をパルス駆動したものから構成される。レーザ光の発振
波長制御手段としては、例えば、レーザとしてＤＦＢ半
導体レーザを用いる場合には、ＤＦＢ半導体レーザの温
度制御を行うことにより達成することができ、この方法
により発振波長をさらに安定化して一定の波長に制御し
たり、あるいは出力波長を微調整することができる。

【００３１】この発振波長を所定の波長に制御する際の
フィードバック制御のモニター波長としては、ＤＦＢ半
導体レーザの発振波長で行う。この半導体レーザ３２に
おいては、その電流制御を行うことなどによりパルス発
振させるパルス制御手段３３を備えている。これによ
り、作り出すパルス光のパルス幅を０．５ｎｓ〜３ｎｓ
の範囲で制御可能であり、その繰り返し周波数を１００
ｋＨｚ以下の範囲（例えば、１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚ
の範囲）で制御可能である。本構成例では一例として、
パルス制御手段３３によりパルス幅１ｎｓ、繰り返し周
波数１００ｋＨｚのパルス光を作り出す。

【００３２】このようにして得たパルスレーザ光出力
が、光アイソレータ３４を通って光増幅スイッチ部４０
に導かれ、光増幅スイッチ部４０において増幅され、さ
らにスイッチング制御される。この光増幅スイッチ部４
０においては、まず、第１段光増幅スイッチ装置４１に
よる増幅が行われる。この第１段光増幅スイッチ装置４
１は上述した光増幅装置１により構成され、励起用の半
導体レーザ４１ａからの出力（励起光）が波長分割多重
化装置（Wavelength Division Multiplexer:ＷＤＭと称
する）４１ｂを通して入力され、光アイソレータ３４を
通って入力されるレーザ光の光増幅を行う。

【００３３】第１段光増幅スイッチ装置４１を構成する
光増幅装置１の二つの出射導波路６，７のうち、第１出
射導波路６が狭帯域フィルタ４２ａに繋がれ、第２出射
導波路７は閉塞されるか、外部に逃がされている。この
ため、上記のようにして増幅された第１段光増幅スイッ
チ装置４１の出力（レーザ光）は、光スイッチ部５のス
イッチング制御に応じて、狭帯域フィルタ４２ａおよび
光アイソレータ４２ｂを通って光スプリッタ４３に導か
れ、光スプリッタ４３により複数のチャンネルに並列分
割される。当然ながら、光スイッチ部５のスイッチング
制御により全ての光を第２出射導波路７に流して、狭帯
域フィルタ４２ａおよび光アイソレータ４２ｂを通って
光スプリッタ４３に流れる光を遮断することもできる。
なお、これら複数に分割された各チャンネル毎に第２段
光増幅スイッチ装置４５が接続されているが、図１５に
おいては、一つのチャンネルのみ代表して示している。

【００３４】なお、狭帯域フィルタ４２ａは、光増幅ス
イッチ装置４１で発生するＡＳＥ光をカットし、かつＤ
ＦＢ半導体レーザ３２の出力波長（波長幅は１ｐｍ程度
以下）を透過させることで、透過光の波長幅を実質的に
狭帯化するものである。これにより、ＡＳＥ光が後段の
光増幅スイッチ装置に入射してレーザ光の増幅利得を低
下させるのを防止することができる。ここで、狭帯域フ
ィルタはその透過波長幅が１ｐｍ程度であることが好ま
しいが、ＡＳＥ光の波長幅は数十ｎｍ程度であるので、
現時点で得られる透過波長幅が１００ｐｍ程度の狭帯域
フィルタを用いても実用上問題がない程度にＡＳＥ光を
カットすることができる。

【００３５】第２段光増幅スイッチ装置４５も上述した
光増幅装置１により構成され、励起用の半導体レーザ４
５ａからの出力（励起光）がＷＤＭ４５ｂを通して入力
され、第１段光増幅スイッチ装置４１により増幅された
出力光を更に増幅する。第２段光増幅スイッチ装置４５
を構成する光増幅装置１の二つの出射導波路６，７のう
ち、第１出射導波路６が狭帯域フィルタ４６ａに繋が
れ、第２出射導波路７は閉塞されるか、外部に逃がされ
ている。このため、第２段光増幅スイッチ装置４５の出
力（レーザ光）は、光スイッチ部５のスイッチング制御
に応じて、狭帯域フィルタ４６ａおよび光アイソレータ
４６ｂを通って出力端４７から出力される。ここでも、
光スイッチ部５のスイッチング制御により全ての光を第
２出射導波路７に流して、狭帯域フィルタ４６ａおよび
光アイソレータ４６ｂを通って出力端４７から出力され
る光を遮断することもできる。なお、出力端４７は複数
のチャンネル全てについて集められて束ねられ、まとま
って出力される。

【００３６】上述のように第１段および第２段光増幅ス
イッチ装置４１，４５はともに上述したように光スイッ
チ部５を有する光増幅装置１を用いて構成されているた
め、光スイッチ部５による光スイッチング制御が可能で
ある。この光スイッチング制御を、例えば、第１段光増
幅スイッチ装置４１の全てについて、第１および第２ヒ
ーター８ａ，８ｂの電圧印加制御を共通のコントローラ
９ａにより行うことができ、これにより、第１段光増幅
スイッチ装置４１により光スイッチング制御ができる。
第２段光増幅スイッチ装置４５についても同様な構成を
採用可能であり、このことから分かるように、本例の光
源装置３０によれば、第１段および第２段光増幅スイッ
チ装置４１，４５のいずれか一方もしくは両方により出
力端４７からの光信号の出射のスイッチング制御ができ
る。

【００３７】なお、以上の各実施形態では、戻り光の影
響を避けるため、各接続部に適宜アイソレータ等を挿入
し、また良好なＥＤＦＡ増幅特性を得るために狭帯域フ
ィルタを挿入する構成例を示した。但し、アイソレータ
又は狭帯域フィルターを配置する箇所、あるいはその数
は前述の実施形態に限定されるものではなく、例えば本
発明による光源装置の要求精度などに応じて適宜決定す
ればよく、アイソレータと狭帯域フィルターとの少なく
とも一方を一切設けないこともある。

【００３８】なお狭帯域フィルターは、所望の波長のみ
に対して高透過率が得られればよく、フィルターの透過
波長幅は１ｐｍ以下で十分である。このように狭帯域フ
ィルターを用いることにより、光増幅器で発生する自然
放出光ＡＳＥ（Amplified Spontaneous Emission）によ
るノイズを軽減でき、また、前段の光増幅器からのＡＳ
Ｅによる、基本波出力の増幅率低下を押さえることがで
きる。

【００３９】

【光治療装置】上述した構成の本発明に係る光源装置３
０を用いて構成される光治療装置について、図１６〜図
１８を参照して以下に説明する。この光治療装置５０
は、レーザ光を角膜に照射して表面のアブレーション
（ＰＲＫ: Photorefractive Keratectomy）あるいは切
開した角膜内部のアブレーション（ＬＡＳＩＫ: Laser
Intrastromal Keratomileusis）を行い、角膜の曲率も
しくは凹凸を矯正して近眼、乱視などの治療を行う装置
である。

【００４０】光治療装置５０は、図１６に示すように基
本的には、装置筐体５１内に、上述した光源装置３０
と、この光源装置３０により増幅されて出力されるレー
ザ光を所望の波長のレーザ光に変換する波長変換装置６
０と、波長変換装置６０により波長変換されたレーザ光
を眼球ＥＹの角膜ＨＣの表面（治療部位）に導いて照射
させる照射光学装置７０と、治療部位の観察を行う観察
光学装置８０とを備えて構成される。装置筐体５１のベ
ース部５２はＸ−Ｙ移動テーブル５３の上に配設されて
おり、Ｘ−Ｙ移動テーブル５３により装置筐体５１全体
が、図１６において矢印Ｘ方向すなわち図面左右方向
と、紙面に垂直なＹ方向とに移動させることが可能とな
っている。

【００４１】光源装置３０は上述したとおりの構成であ
り、その出力端４７から出力されるレーザ光が波長変換
装置６０内において所望の波長（この装置では、角膜治
療に適した波長１９３ｎｍであり、ＡｒＦエキシマレー
ザ光と同一波長）の治療用レーザ光に変換される。この
波長変換装置６０の構成を図１７に示しており、光源装
置３０の出力端４７から出射される所定波長（この実施
形態では、波長１．５４４μｍ）の基本波を、非線形光
学結晶を用いて８倍波（高調波）に波長変換して、Ａｒ
Ｆエキシマレーザと同じ波長である１９３ｎｍの紫外光
を発生する構成例を示している。出力端４７から出力さ
れる波長１．５４４μｍ（周波数ω）の基本波は、非線
形光学結晶６１，６２，６３を図中左から右に向かって
透過して出力される。なお、非線形光学結晶６１，６
２，６３の間には、図示のように集光レンズ６４，６５
が配設されている。

【００４２】これら基本波が非線形光学結晶６１を通る
際に、２次高調波発生により基本波の周波数ωの２倍、
すなわち周波数２ω（波長は１／２の７７２ｎｍ）の２
倍波が発生する。発生した２倍波は右方向へ進み、次の
非線形光学結晶６２に入射する。ここで再び第２次高調
波発生を行い、入射波の周波数２ωの２倍、すなわち基
本波に対し４倍の周波数４ω（波長は１／４の３８６ｎ
ｍ）をもつ４倍波が発生する。発生した４倍波はさらに
右の非線形光学結晶６３に進み、ここで再び第２次高調
波発生を行い、入射波の周波数４ωの２倍、すなわち基
本波に対し８倍の周波数８ωを有する８倍波（波長は１
／８の１９３ｎｍ）を発生する。

【００４３】前記波長変換に使用する非線形光学結晶と
しては、例えば基本波から２倍波への変換を行う非線形
光学結晶６１にはLiB₃O₅（ＬＢＯ）結晶を、２倍波から
４倍波への変換を行う非線形光学結晶６２にはLiB₃O
₅（ＬＢＯ）結晶を、４倍波から８倍波への変換を行う
非線形光学結晶６３にはSr₂Be₂B₂O₇（ＳＢＢＯ）結晶を
使用する。ここで、ＬＢＯ結晶を使用した基本波から２
倍波への変換には、波長変換のための位相整合にＬＢＯ
結晶の温度調節による方法、Non-Critical Phase Match
ing：ＮＣＰＭを使用する。ＮＣＰＭは、非線形光学結
晶内での基本波と第二高調波との角度ずれ(Walk-off)が
起こらないため高効率で２倍波への変換を可能にし、ま
た発生した２倍波はWalk-offによるビームの変形も受け
ないため有利である。

【００４４】このようにして波長変換装置６０において
波長変換されて出力される波長１９３ｎｍのレーザ光
（ＡｒＦエキシマレーザ光の波長と同一となるレーザ
光）を、眼球ＥＹの角膜ＨＣの表面に導いてここに照射
させる照射光学装置７０および観察光学装置８０につい
て、説明する。なお、光源装置３０においては、固体レ
ーザを１．５１μｍ〜１．５９μｍの範囲内に発振波長
を持つＤＦＢ半導体レーザもしくはファイバーレーザか
ら構成しているので、波長変換装置６０により、固体レ
ーザからの上記波長のレーザ光は、１８９ｎｍ〜１９９
ｎｍの範囲内となる８倍高調波を有したレーザ光に変換
されて出力される。このようにこのレーザ光はＡｒＦエ
キシマレーザ光と略同一の波長のレーザ光であるが、そ
のパルス発振の繰り返し周波数は１００ｋＨｚと非常に
高いものとなっている。

【００４５】この照射光学装置７０および観察光学装置
８０の構成を図１８に示している。照射光学装置７０
は、上記光源装置３０からの光を波長変換装置６０によ
り波長変換して得られた波長１９３ｎｍのレーザ光を細
いビーム状に集光する集光レンズ７１と、このように集
光されたビーム状レーザ光を反射させて治療対象となる
眼球ＥＹの角膜ＨＣの表面に照射させるダイクロイック
・ミラー７２とを有して構成される。これにより、角膜
ＨＣの表面にレーザ光がスポット光として照射され、こ
の部分の蒸散を行わせる。このとき、Ｘ−Ｙ移動テーブ
ル５３により、装置筐体５１全体をＸ方向およびＹ方向
に移動させて角膜ＨＣの表面上に照射されるレーザ光ス
ポットを走査移動させ、角膜表面のアブレーションを行
い、近視、乱視、遠視等の治療を行う。

【００４６】このような治療は、眼科医等の術者が観察
光学装置８０を介して目視観察しながらＸ−Ｙ移動テー
ブル５３の作動を制御して行われる。この観察光学装置
８０は、治療対象となる眼球ＥＹの角膜ＨＣの表面を照
明する照明ランプ８５と、照明ランプ８５により照明さ
れた角膜ＨＣからの光をダイクロイック・ミラー７２を
透過して受ける対物レンズ８１と、対物レンズ８１から
の光を反射させるプリズム８２と、この光を受ける接眼
レンズ８３とから構成され、接眼レンズ８３を通して角
膜ＨＣの拡大像を観察できるようになっている。

【００４７】上記のようにして治療を行うときに、角膜
ＨＣの表面にレーザ光を照射するときのオンオフスイッ
チング制御は、上述したように、光源装置３０における
第１段および第２段光増幅スイッチ装置４１，４５を構
成する光増幅装置１の光スイッチ部５の作動制御により
可能である。このため、光源装置３０の出力端や、波長
変換装置６０の出力端にスイッチング素子や変調器を設
ける必要がなく、光治療装置５０の構成を簡単にでき、
その製造コストを低減することができる。

【００４８】

【露光装置】次に、上述した光源装置３０を用いて構成
され、半導体製造工程の一つであるフォトリソグラフィ
工程で使用される露光装置１００について、図１９を参
照して説明する。光リソグラフィ工程で使用される露光
装置は、原理的には写真製版と同じであり、フォトマス
ク（レチクル）上に精密に描かれたデバイスパターン
を、フォトレジストを塗布した半導体ウエハーやガラス
基板などの上に光学的に投影して転写する。この露光装
置１００は、上述した光照射置３０と、波長変換装置１
０１と、照明光学系１０２と、フォトマスク（レチク
ル）１１０を支持するマスク支持台１０３と、投影光学
系１０４と、半導体ウエハ１１５を載置保持する載置台
１０５と、載置台１０５を水平移動させる駆動装置１０
６とを備えて構成される。

【００４９】この露光装置１００においては、上述した
とおりの光源装置３０の出力端４７から出力されるレー
ザ光が波長変換装置１０１に入力され、ここで半導体ウ
エハ１１５の露光に必要とされる波長のレーザ光に波長
変換される。このように波長変換されたレーザ光は、複
数のレンズから構成される照明光学系１０２に入力さ
れ、ここを通ってマスク支持台１０３に支持されたフォ
トマスク１１０の全面に照射される。このように照射さ
れてフォトマスク１１０を通過した光は、フォトマスク
１００に描かれたデバイスパターンの像を有しており、
この光が投影光学系１０４を介して載置台１０５に載置
された半導体ウエハ１１５の所定位置に照射される。こ
のとき、投影光学系１０４によりフォトマスク１１０の
デバイスパターンの像が半導体ウエハ１１５の上に縮小
されて結像露光される。

【００５０】この露光装置１００において、半導体ウエ
ハ１１５の表面にフォトマスク１１０のパターン像を露
光させるための露光光の照射制御は、上述したように、
光源装置３０における第１段および第２段光増幅スイッ
チ装置４１，４５を構成する光増幅装置１の光スイッチ
部５の作動制御により行われる。このため、光源装置３
０の出力端や、波長変換装置１０１の出力端にスイッチ
ング素子や変調器を設ける必要がなく、露光装置１００
の構成を簡単にでき、その製造コストを低減することが
できる。

【００５１】

【その他変形例】以上の説明において、光増幅装置１は
二本の出射導波路６，７を有し、光スイッチ部５におい
てこれら二本の出射導波路６，７への光信号のスイッチ
ング制御を行うように構成しているが、二本以上の導波
路を設けるとともに光スイッチ部においてこれら複数の
導波路への光信号のスイッチング制御を行うように構成
することもできる。また、上述した光増幅装置１の製造
方法では、光増幅用の光導波路３と、光スイッチ部５
と、出射導波路６，７とを一つのガラス基板上に製造し
ているが、光増幅用の光導波路と光スイッチ部および出
射導波路とをそれぞれ別々のガラス基板上に製造したの
ち、両者を結合させて光増幅装置を製造しても良い。

【００５２】また、上記光治療装置５０および露光装置
１００においては、増幅スイッチ装置を構成する光増幅
装置１の二つの出射導波路６，７の内の一方の導波路６
のみを用い、他方の導波路７から出射される光は利用し
ないようになっているが、この他方の導波路７の光も利
用するようにしても良い。例えば、第１出射導波路６か
らの光を光治療装置に用い、第２出射導波路７からの光
を露光装置に用い、各装置への光の供給を光スイッチ部
のスイッチング制御により行うような構成が考えられ
る。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明係る光増幅
装置によれば、ガラス基板に設けられた光増幅導波路の
後部に、導波路型の光スイッチを設けているので、スイ
ッチング素子や変調器を別途設ける必要がなく、光増幅
装置を用いて構成される装置の構造を簡単にでき、且つ
製造コストを低減させることができる。

【００５４】本発明に係る光増幅装置の製造方法によれ
ば、いずれの方法によっても、導波路型の光スイッチを
備えた光増幅装置を簡単に製造できる。

【００５５】本発明に係る光源装置は、光スイッチ部を
有する光増幅装置を用いて構成されているため、光スイ
ッチ部による光スイッチング制御が可能である。

【００５６】本発明に係る光治療装置は、光源装置の出
射端や波長変換器の出力端にスイッチング素子や変調器
を設ける必要がなく、光治療装置の構成を簡単にでき、
その製造コストを低減することができる。

【００５７】本発明に係る露光装置も、光源装置の出射
端や波長変換器の出力端にスイッチング素子や変調器を
設ける必要がなく、露光装置の構成を簡単にでき、その
製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る光増幅装置を示す平面
図である。

【図２】上記光増幅装置の光スイッチ部を拡大して示す
平面図である。

【図３】上記光増幅装置の光スイッチ部を図１の矢印II
I−IIIに沿って拡大して示す断面図である。

【図４】上記光増幅装置の光スイッチ部における信号の
電界モードの説明図である。

【図５】イオン交換法による本発明の光増幅装置の製造
工程を示す説明図である。

【図６】イオン交換法による本発明の光増幅装置の製造
工程を示す説明図である。

【図７】イオン交換法による本発明の光増幅装置の製造
工程を示す説明図である。

【図８】イオン交換法による本発明の光増幅装置の製造
工程を示す説明図である。

【図９】イオン交換法による本発明の光増幅装置の製造
工程を示す説明図である。

【図１０】イオン交換法による本発明の光増幅装置の製
造工程を示す説明図である。

【図１１】火炎堆積法および反応性イオンエッチング法
による本発明の光増幅装置の製造工程を示す説明図であ
る。

【図１２】火炎堆積法および反応性イオンエッチング法
による本発明の光増幅装置の製造工程を示す説明図であ
る。

【図１３】火炎堆積法および反応性イオンエッチング法
による本発明の光増幅装置の製造工程を示す説明図であ
る。

【図１４】火炎堆積法および反応性イオンエッチング法
による本発明の光増幅装置の製造工程を示す説明図であ
る。

【図１５】本発明に係る光源装置の構成を示す概略図で
ある。

【図１６】本発明に係る光治療装置の構成を示す概略図
である。

【図１７】上記光治療装置を構成する波長変換装置の構
成を示す概略図である。

【図１８】上記光治療装置を構成する照射光学装置およ
び観察光学装置の構成を示す概略図である。

【図１９】本発明に係る露光装置の構成を示す概略図で
ある。

【符号の説明】

１ 光増幅装置 ２，１１，１１′ ガラス基板 ３ 光導波路 ４ａ 入口部 ４ｂ 出口部 ５ 光スイッチ部 ５ａ，５ｂ 第１および第２スイッチ導波路 ６，７ 第１および第２出射導波路 ８ａ，８ｂ 第１および第２ヒーター １２ 金属膜 １３，１４ 第１および第２開口 １５，１６ 高屈折領域 １７ａ，１７ｂ 電極 ２１ シリコン基板 ２２ 下部クラッド層 ２３ コア層 ２４，２５ 導波路層 ２６ 上部クラッド層 ３０ 光源装置 ３１ レーザ光発生部 ４０ 光増幅スイッチ部 ５０ 光治療装置 ６０ 波長変換装置 ７０ 照射光学装置 ８０ 観察光学装置 １００ 露光装置 １０１ 波長変換装置 １０２ 照明光学系 １０３ マスク支持台 １０４ 投影光学系 １１０フォトマスク（レチクル） １１５ 半導体ウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０５ Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ ５Ｆ０７２ ５２１ Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｚ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｍ Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５Ｂ Ｆターム(参考） 2H047 KA04 KA12 KB04 MA05 NA08 PA04 PA05 PA13 QA03 QA04 TA01 TA11 TA41 2H079 AA02 AA04 AA06 AA12 BA01 BA03 CA05 DA18 EA04 EA05 EB27 JA05 2H097 BA10 CA06 CA07 CA17 GB00 LA10 2K002 AB04 BA06 BA12 BA13 DA07 DA08 EA08 EB01 HA02 HA10 HA11 5F046 CA03 DA01 5F072 AB09 AK07 KK12 KK30 MM04 PP07 QQ02 RR01 RR05 SS06 YY01 YY09

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板に所定の断面形状を有して入
   口部から出口部まで繋がって延びる光増幅導波路を設け
   て構成される光増幅装置において、 前記光増幅導波路の後部に、導波路型の光スイッチを設
   けたことを特徴とする光増幅装置。
2. 【請求項２】 前記光増幅導波路の後部において、これ
   に隣接且つ並行して延びる第２光導波路が前記ガラス基
   板に形成されており、 前記光スイッチが前記入口部から前記光増幅導波路に入
   射されて増幅された光信号を前記光増幅導波路の後部も
   しくは前記第２光導波路に振り分けて流す制御を行うこ
   とを特徴とする請求項１に記載の光増幅装置。
3. 【請求項３】 前記光スイッチが、 前記光増幅導波路の後部および前記第２光導波路が所定
   間隔をおいて近接する部分に設けられて、熱光学効果、
   電気光学効果もしくは音響光学効果を用いて前記光増幅
   導波路に入射された光信号を前記光増幅導波路の後部も
   しくは前記第２光導波路に振り分けて流す制御を行う方
   向性結合器型スイッチからなることを特徴とする請求項
   ２に記載の光増幅装置。
4. 【請求項４】 前記光スイッチがマッハツェンダー型ス
   イッチであることを特徴とする請求項１に記載の光増幅
   装置。
5. 【請求項５】 希土類を添加したガラス基板の表面に、
   一端部から他端側に所定の幅を有して延びる第１開口
   と、前記第１開口の前記他端部近傍において前記第１開
   口に隣接且つ並行して前記他端側に延びる第２開口とを
   設けて膜を形成し、 前記ガラス基板を、一価のイオンを含む中性塩を融点以
   上に加熱して作った溶液中に所定時間浸して、前記ガラ
   ス基板の表面における前記第１および前記第２開口に位
   置する部分に光導波路となる二本の高屈折率領域を形成
   し、 前記膜を前記ガラス基板から除去し、 前記ガラス基板に電界を加えて前記二本の高屈折領域を
   前記ガラス基板の内部に埋め込んで光増幅導波路および
   第２導波路を形成し、 前記光増幅導波路の後部および前記第２導波路の上方に
   おける前記ガラス基板の表面に、フォトリソグラフィ技
   術を用いて熱光学効果、電気光学効果もしくは音響光学
   効果用の素子を形成して方向性結合器型スイッチを構成
   して作られることを特徴とする光増幅装置の製造方法。
6. 【請求項６】 ガラス基板の表面に、一端部から他端側
   に所定の幅を有して延びる第１開口と、前記第１開口の
   前記他端部近傍において前記第１開口に隣接且つ並行し
   て前記他端側に延びる第２開口とを設けて膜を形成し、 前記膜が形成された前記ガラス基板における前記第１お
   よび前記第２開口の部分に、イオン注入法によって希土
   類をドープし、 前記ガラス基板を、一価のイオンを含む中性塩を融点以
   上に加熱して作った溶液中に所定時間浸して、前記ガラ
   ス基板の表面における前記第１および前記第２開口に位
   置する部分に光導波路となる二本の高屈折率領域を形成
   し、 前記膜を前記ガラス基板から除去し、 前記ガラス基板に電界を加えて前記二本の高屈折領域を
   前記ガラス基板の内部に埋め込んで光増幅導波路および
   第２導波路を形成し、 前記光増幅導波路の後部および前記第２導波路の上方に
   おける前記ガラス基板の表面に、フォトリソグラフィ技
   術を用いて熱光学効果、電気光学効果もしくは音響光学
   効果用の素子を形成して方向性結合器型スイッチを構成
   して作られることを特徴とする光増幅装置の製造方法。
7. 【請求項７】 シリコン基板の表面に酸水素バーナーに
   よって下部クラッド層を堆積形成し、 前記下部クラッド層の表面に酸水素バーナーによって希
   土類および燐等を添加した高屈折率のコア層を堆積形成
   し、 前記下部クラッド層および前記コア層が形成された前記
   シリコン基板を加熱して前記下部クラッド層および前記
   コア層を透明化し、 前記コア層の表面に、一端部から他端側に所定の幅を有
   して延びる第１レジスト層と、前記第１レジスト層の前
   記他端部近傍において前記第１レジスト層に隣接且つ並
   行して前記他端側に延びる第２レジスト層とを形成し、 前記レジスト層をマスクとして反応性イオンエッチング
   法によって前記レジスト層に覆われた部分以外のコア層
   を除去し、 前記レジスト層を除去して残された第１および第２コア
   層を有する前記下部クラッド層の表面に酸水素バーナー
   によって上部クラッド層を堆積形成し、 前記上部クラッド層が形成された前記シリコン基板を加
   熱して前記上部クラッド層も透明化し、 前記第１コア層により形成される光増幅導波路の後部お
   よび前記第２コア層により形成される第２導波路の上方
   における前記上部クラッド層の表面に、フォトリソグラ
   フィ技術を用いて熱光学効果、電気光学効果もしくは音
   響光学効果用の素子を形成して方向性結合器型スイッチ
   を構成して作られることを特徴とする光増幅装置の製造
   方法。
8. 【請求項８】 請求項２もしくは３に記載の光増幅装置
   と、 照射光を出射する照射光源と、 励起光を出射する励起光源と、 前記照射光源から出射された照射光を前記入口部から前
   記光増幅導波路内に導く照射光導入路と、 前記励起光源から出射された励起光を前記入口部から前
   記光増幅導波路内に導く励起光導入路と、 前記光スイッチの作動制御を行うスイッチ作動制御装置
   とを備え、 前記照射光導入路および前記励起光導入路を介して前記
   光増幅導波路内に照射光および励起光を導入し、前記励
   起光の作用により増幅された前記照射光を、前記スイッ
   チ作動制御装置による前記光スイッチの作動制御に応じ
   て前記光増幅導波路および前記第２導波路の出力端部か
   ら振り分けて出射させるように構成されたことを特徴と
   する光源装置。
9. 【請求項９】 請求項５〜７のいずれかに記載の製造方
   法により製造された光増幅装置と、 照射光を出射する照射光源と、 励起光を出射する励起光源と、 前記照射光源から出射された照射光を前記入口部から前
   記光増幅導波路内に導く照射光導入路と、 前記励起光源から出射された励起光を前記入口部から前
   記光増幅導波路内に導く励起光導入路と、 前記光スイッチの作動制御を行うスイッチ作動制御装置
   とを備え、 前記照射光導入路および前記励起光導入路を介して前記
   光増幅導波路内に照射光および励起光を導入し、前記励
   起光の作用により増幅された前記照射光を、前記スイッ
   チ作動制御装置による前記光スイッチの作動制御に応じ
   て前記光増幅導波路および前記第２導波路の出力端部か
   ら振り分けて出射させるように構成されたことを特徴と
   する光源装置。
10. 【請求項１０】 前記照射光源が所定波長のレーザ光を
    出射するレーザ光源からなることを特徴とする請求項８
    もしくは９に記載の光源装置。
11. 【請求項１１】 請求項８〜１０のいずれかに記載の光
    源装置と、 前記光源装置の前記出口部から出射される照射光を所定
    波長の治療用照射光に変換する波長変換器と、 前記波長変換器により変換された前記照射光を治療部位
    に導いて照射させる照射光学系とを備えて構成されるこ
    とを特徴とする光治療装置。
12. 【請求項１２】 請求項８〜１０のいずれかに記載の光
    源装置と、 前記光源装置の前記出口部から出射される照射光を所定
    波長の照射光に変換する波長変換器と、 所定の露光パターンが設けられたフォトマスクを保持す
    るマスク支持部と、 露光対象物を保持する対象物保持部と、 前記光源装置の前記出口部から出射されて前記波長変換
    器により変換された照射光を前記マスク支持部に保持さ
    れたフォトマスクに照射させる照明光学系と、 前記照明光学系を介して前記フォトマスクに照射されて
    ここを通過した照射光を前記対象物保持部に保持された
    露光対象物に照射させる投影光学系とを備えて構成され
    ることを特徴とする露光装置。