JP2003282395A - フォトリソグラフィーの露光方法 - Google Patents
フォトリソグラフィーの露光方法Info
- Publication number
- JP2003282395A JP2003282395A JP2002078396A JP2002078396A JP2003282395A JP 2003282395 A JP2003282395 A JP 2003282395A JP 2002078396 A JP2002078396 A JP 2002078396A JP 2002078396 A JP2002078396 A JP 2002078396A JP 2003282395 A JP2003282395 A JP 2003282395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- focus
- exposure
- dimension
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
露光を行い求めていた。この場合、経時変化でフォーカ
ス値がロット処理時に変化してしまう。 【解決手段】 所望のパターン寸法形成のためのベスト
フォーカス値算出方法は、過去露光で形成したパターン
である、フォーカスが変動してもほとんど寸法変動しな
い第1のパターンとフォーカスが変動すると寸法も変動
する第2のパターンを用い、第1のパターンと第2のパ
ターンの寸法差でこれから露光し、パターン形成する時
のフォーカスが前記ベストフォーカスから変動する度合
いを算出する工程と、ベストフォーカスに対するずれが
わかる第3のパターンを用いて、プラスフォーカスある
いはマイナスフォーカスに変動したかを判定する工程と
を備えている。
Description
露光パターンを、感光剤を塗布した薄膜基板上に投影光
学露光系を用いて露光するフォトリソグラフィーにおけ
るパターン形成方法に関するもので、特に形成されるパ
ターン寸法精度・重ね合せ精度が厳しく要求される半導
体装置の製造等に用いられているフォトリソグラフィー
で、目的の寸法・重ね合せ精度を得るための露光時間お
よび重ね合せ補正値を算出する方法に関するものであ
る。
(アライメント)方法は、ドライエッチング等で形成し
たパターンに対し、レティクルに形成されたパターンに
露光光を照射し、感光性組成物にレティクルパターンを
投影し形成するもので、補正方法はパイロット処理で算
出する場合と過去に処理したロットのデータを基に算出
している。ここで、過去処理したロットから求める場
合、使用するデータはドライエッチング等でパターンを
形成するのに使用した露光装置(以下、ステッパーと記
す)とその下層工程に重ね合せる工程に使用したステッ
パーとの組み合わせになっている必要がある。これは重
ね合せを行うステッパーの号機間差と重ね合せるそれぞ
れの工程のマスク差が発生しているためである。このよ
うな補正方法は、IBM社のPHALCON(PhotoAut
omated Logging and Control System)に代表されるフ
ィードバック方法がある。この補正方法として、ステッ
パーの号機間差および各マスク間差はそれぞれをリンク
させる必要がある。補正値は、以下の式(1)で算出さ
れる。
る)である。
タは、過去処理したロットの最新データあるいは数ロッ
トの平均値を用いる。
ーでパターンを形成する時のベストフォーカスは、テス
トプリントを実施し、ステッパーのベストフォーカスを
算出している。このテストプリントは、ある頻度で実施
される。
ターン寸法を決定する方法は、以下の式(2)で算出さ
れる。
処理したロットの寸法、Ltは寸法規格のセンター値、
Kは露光係数でプロセスと工程で決定されるものであ
る。
法は、半導体製造工程においてレジストパターン形成手
法として頻繁に用いられている。
て、重ね合せ精度およびレジストに形成されるパターン
寸法(以下、レジスト寸法と記す)に高い精度が要求さ
れる。しかし、従来のフォトリソグラフィー条件決定方
法において、以下の課題がある。まず、フォトリソグラ
フィーでは同一製品の同一工程では、複数マスクおよび
複数のステッパーを使用している。各マスクのパターン
形成位置は、基本的にレティクルに作成したステッパー
の基準マークに対して設計位置との差が0になるように
作成されるが、実際にはマスクパターン形成時に位置誤
差が発生する。しかし、従来の重ね合せ精度補正算出方
法にはこのマスク位置誤差が考慮されていないため、こ
のずれが重ね合せずれとして計測される。このため、重
ね合せ精度は、規格内であっても工程能力は規格を越え
ることがある。また、過去のロットデータから算出する
場合でもマスクの製造誤差データが無いため、同じ現象
が発生する。
ある頻度でテストプリントを実施しているために、テス
トプリントとテストプリント間にフォーカスが変動して
パターン寸法が規格を越える場合がある。つまり、従来
方法でのベストフォーカス値は、テスト露光を行い求め
ていた。この場合、テスト露光の実施直後は問題がない
が、経時変化でフォーカス値がロット処理時に変化して
いるのをリアルタイムに検出することができなかった。
課題がある。それは、フォトリソグラフィーでは、同一
プロセスにおいては、露光量算出でマスクパターンの設
計寸法と実際に形成された寸法差のデータ(△L=L−
L0)は入力されているが、品種によりマスクのCr面
積(ウェハー上に残るレジスト面積と同じこと)に起因
する補正はなされていない。このため、同じプロセスで
ありながら品種の違いで露光量が異なり、露光量算出は
品種毎に実施しなければならない。
ォトリソグラフィーの露光方法において、高い重ね合せ
精度を算出する方法、ベストフォーカスの変動をフィー
ドバックする方法および目標とする寸法に対し精度の高
いレジスト寸法を得ることができる露光量算出法を提供
することを目的とする。また、この方法を提供すること
で、半導体製品の歩留りを向上させることを目的とす
る。
に、本発明は以下の工程で構成されている。まず、重ね
合せ精度補正方法に関して、過去のロットデータで計測
された重ね合せ精度補正量に対し、その時使用した第1
のマスクの位置誤差量および重ね合せマークを形成した
マスクの位置誤差量を算出し、これから露光する工程の
マスクの位置誤差量を用いて新たな重ね合せ補正量を求
める。
て、フォーカスが変動した場合、レジスト寸法が変化し
にくいパターン、例えばラインとスペースのパターン
(以下、ライン&スペースパターンと記す)と、レジス
ト寸法が変化するパターン、例えば孤立ラインか孤立ス
ペースとを形成する工程と、フォーカスがプラス(以
下、+と記す)かマイナス(以下、−と記す)のどちら
に変化したのかが判断できるパターン、例えば孤立のド
ットかコンタクトホールを形成する工程とを持つ。
変化しにくいパターンと変化するパターンの寸法差から
フォーカス変動値を算出する。さらに、フォーカスの変
動が+か−かを判断できるパターンを用いて上記の算出
からフォーカス変動を求める。
フォーカスが変動した時に+フォーカス時および−フォ
ーカス時にレジストパターンボトムとトップ寸法の挙動
が異なる2種類のパターンを用いて寸法差から求める。
ここでは、孤立ラインパターンのレジストのボトムとト
ップの寸法差と、孤立スペースパターンのレジストのボ
トムとトップの寸法差の関係からベストフォーカス値変
化量を算出する方法である。
されたロットの露光量と、過去の露光でレジストに形成
されたパターン寸法をその露光を用いたマスクのCr面
積で補正した値を入れることで露光量を算出する。
正方法の一実施形態について図面を用いて説明する。図
1に、本発明を実施するための重ね合せ精度補正システ
ムの構成図を示す。重ね合せ精度補正システムは、過去
に処理したロットの重ね合せ精度と補正の各データを保
存するデータ保存部1と、アライメントマーク形成工程
のマスクの位置誤差データ2と、これから重ね合せる工
程のマスクの位置誤差データ3と、演算部4と、入力部
5とから各要素で構成されている。そして、演算部4に
はデータ保存部1に保存されたデータ、位置誤差データ
2、位置誤差データ3および入力部5からのデータが入
力・演算され、演算部4での演算結果は、露光装置6に
出力される。そして、露光/現像されたロットの重ね合
せ精度測定機7で測定されたデータは、接続されている
データ保存部1に入力される。
スク位置合せマークからの誤差で、オフセットとローテ
ィショーンおよび倍率成分で表される。これらの誤差成
分には、マスク作成時のEB露光装置の誤差が乗ってい
る。そして、入力部5は、フォトリソグラフィー工程に
関する条件および処理ロットに関するデータを入力する
ものである。さらに、演算部4は、各マスク位置誤差デ
ータ2、3と、入力部5および過去処理したロットの重
ね合せ精度と補正の各データのデータ保存部1から送ら
れたデータとを演算処理し、演算データにより露光装置
6に指示するとともに、そのロットの重ね合せ精度の測
定データをデータ保存部1に記憶させる。
ステムは、以下のように稼働させる。第一に、これから
合せる工程のマスク位置誤差3を入力部5に登録する。
この時入力するマスク位置誤差2の項目は、ステッパー
のレティクルアライメントマークを原点にしてオフセッ
トとローティショーンのエラー成分である。例えば、表
1に示すような状態で、各マスクの情報がデータ保存部
1に記憶される。
スクのID(NO.)がnにおけるマスク位置誤差成分
である、オフセットXn、Yn、ローティショーンRn、
倍率補正Mnに分類されて保管される。ここで、オフセ
ットとは、X/Y軸方向の重ね合せエラー量で、ローテ
ィショーンとはステッパーのショットにおける回転軸の
重ね合せエラー量で、倍率補正とはステッパーのショッ
トにおける縮小・拡大の重ね合せエラー量で示される。
度とそのロットに使用した重ね合せ補正データをデータ
保存部1にロット処理とともに自動入力させる。この時
のデータは、オフセット、ローティショーン、倍率の補
正入力および測定値である。これらのロットデータは、
演算部4に送られ、例えばオフセットに関して、表2に
示すような状態で各ロット(各製品)毎にデータ保存部
1に保管される。
いは製品NO.)毎に、使用したマスクのIDがmと、
そのマスクのオフセット値Xn、Yn、そのとき露光処理
をしたステッパー号機での補正データXc、Yc、実施し
た補正に対する測定データXme、Ymeである。
部4で新たな重ね合せ補正データを算出する。まず、入
力部5から露光処理を行うロットの製品名/番号n+
1、使用するマスク番号mを入力する。演算部4では、
入力されたデータをデータ保存部1に保存するととも
に、そのデータをもとにデータ保存部1を検索する。そ
して、マスク情報(表1)からは、使用するマスクのマ
スク番号mに関する情報を引き出し、ロット/製品情報
(表2)からは、同じプロセスの最新ロット(製品)m
に関する情報を引き出す。演算部4では、引き出した各
情報をもとに、新たな重ね合せ精度補正データを算出す
る。
精度補正値の算出方法を図2のフローチャートに従って
説明する。演算部4では、表1、2で示した各値を下記
式(3)に導入して新たな重ね合せ精度補正値を算出す
る。
正データと測定した前処理ロットnの重ね合せ精度デー
タから、第一の重ね合せ精度補正値を算出する(ST
1)。次に、前処理ロットnのマスク位置誤差(オフセ
ット、ローティショーン、倍率の各項目)と、今回使用
する処理ロット(n+1)のマスクmの位置誤差(オフ
セット、ローティショーン、倍率の各項目)からマスク
に起因する重ね合せ精度誤差を算出する(ST2)。そ
して、最後に上記第一の重ね合せ精度補正値と第二のマ
スク起因による第二の重ね合せ精度誤差から新たな重ね
合せ精度補正値を算出する(ST3)。また、過去のロ
ット(製品)に関するデータは、過去処理したロット
(製品)の最新データあるいは、その製品の数ロットの
平均値を用いる。
法で算出した補正値を用いて、フォトリソグラフィー処
理を行った結果を示す。ここでは、重ね合せ精度補正項
目の一つであるオフセット値についての結果を示す。各
ロット処理には、同じプロセスの製品を5品種選択して
行った。これは、5つのマスクIDが存在することと同
じである。
正値を用いた場合のオフセット値の変動を図3に示す。
この図で示したように、オフセット値の変動はX値、Y
値とも±30nmの範囲内に収めることができた。これ
は、図4の従来の重ね合せ精度補正方法で算出した補正
値を用いた場合と比較すると重ね合せ精度(オフセット
値)は約1/2以下になることがわかる。
方法についての一実施形態を以下に説明する。
ォーカス算出システムの構成およびベストフォーカス算
出方法のフローチャートを示す。図5(a)において、
ベストフォーカス算出システムは、第1と第2のレジス
トパターンのフォーカス値の測定データ12、第3のレ
ジストパターンのトップとボトムのフォーカス値の測定
データ13、入力部5、演算部4、データ保存部11の
各要素で構成されている。そして、演算部4で各要素が
それぞれ接続し、演算部4が露光装置6に接続してい
る。
算出方法を説明する。
後、フォーカスの変化に対し、各種レジストパターンの
寸法を測定する。第1のレジストパターンはフォーカス
が変動した場合、レジスト寸法が変化しにくいパターン
であるライン&スペースパターンであり、その測定デー
タLdを収集する。また、第2のレジストパターンは、
フォーカスが変動した場合、レジスト寸法が変化するパ
ターンである孤立ラインであり、その測定データLiを
収集する。ここで使用したパターン寸法は、それぞれ
0.25μmである(ST4)。図6に測定データL
d、Liのフォーカス特性を示し、フォーカス値を変化
させた時のそれぞれの測長したレジストパターン寸法を
示している。この図からデフォーカスすると、それぞれ
のレジストパターンのパターン寸法差が拡大することが
判る。
Li|からベストフォーカス値からのずれ量のデータを
求める(ST5)。図7にフォーカス値が変化した時の
第1のパターンと第2のパターンの寸法差との関係を示
している。データ保存部11に、上記データを保存させ
る。
か−のどちらに変化したのかが判断できるパターンであ
る孤立のドットを形成し、このレジストパターンのトッ
プ寸法とボトム寸法をそれぞれ測定する。そして、フォ
ーカス値の変動が、+か−かを判断する(ST6)。図
8に、フォーカスが変動した時の第3のパターンのトッ
プ寸法とボトム寸法の寸法差データをプロットしたもの
を示す。図8から、−フォーカスの場合はトップとボト
ムの寸法差はほとんど見られないが、+フォーカスにな
ると寸法差が顕著に現れる。データ保存部11に上記デ
ータを保存させる。
たデータとステップST6の工程で格納されたデータか
ら、このロット(製品)の入力フォーカス値からの変
動、新たなベストフォーカス値を算出する(ST7)。
ここで、新たなベストフォーカス値の算出方法を図5
(b)のフローチャートに従って説明する。演算部4で
は、n番目のロットに入力されたベストフォーカス値に
対し、ステップST4〜7の工程で算出したフォーカス
の変化値を次ロットである(n+1)番目のロットにフ
ィードバックを行い、露光装置6に(n+1)番目のロ
ット処理時に新たなベストフォーカス値として処理され
る。(n+1)番目のロットのベストフォーカス値を求
める算出式を以下式(4)に示す。
をフィードバックして処理した時の各ロット(製品)の
ベストフォーカス値のシミュレーショントレンドおよび
この時パターン形成し、測定したステッパーのベストフ
ォーカス値トレンド(20ロット)の結果を図9に示
す。この時使用したデバイスは0.25μmルールのゲ
ート形成工程で、使用ステッパーはNSR−2205E
X12B(ニコン製)を用いた。この図から、前ロット
(製品)のフォーカス値データを用い、新たなベストフ
ォーカス値を算出することでロット(製品)間のベスト
フォーカス値変動は、長期的に±0.1μm以内に収束
している。これに対し、ステッパーのベストフォーカス
値の変動は、長期的に±0.2μmは変化している。こ
れらの結果から、プロセス、工程毎にベストフォーカス
値を固定値でロット処理をした場合、寸法変化は図6か
ら20nm変化するが、本発明のベストフォーカス値算
出システムを使用すると寸法変化は10nmと約1/2
に低減できる。
値の算出方法についての実施形態を以下に説明する。
フォーカス算出フローチャートを示す。ここで、図11
にベストフォーカス値を算出するのに使用する2種類の
パターン(図11(a))とそのレジスト形状の模式図
(図11(b))を示す。図11(a)において、2種
類のパターンのフォーカス変動に対するパターン断面変
化のSEM写真を示しており、形状が異なることが判
る。ここでは、0.18μm幅の孤立ラインパターンと
0.24μm幅の孤立スペースパターンを用いている。
Lt、ボトム寸法Lbおよび孤立スパースパターンのトッ
プ寸法St、ボトム寸法Sbのデータを収集する(ST
8)。
カスを変化させた時のパターンのラインまたはスペース
のトップ寸法変化とボトム寸法変化を図12に示す。図
12から孤立ラインパターンのボトム寸法は、フォーカ
ス変化に対し、寸法変化が少なく、その他のパターンは
+フォーカス変化に対し、寸法が細る傾向がある。この
特徴を基に、寸法変動値NL、NSは、以下の式
(5)、(6)にノーマライズする。
のパターンのトップ寸法とボトム寸法の寸法差、LBFと
SBFはそれぞれのパターンのベストフォーカス値におけ
るトップ寸法とボトム寸法の寸法差、△Lと△Sはある
範囲でフォーカス値を変化させた時の寸法差LDとSD
の最大(MAX)−最小(MIN)を表している(ST
9)。
m変化した時に式(5)、(6)で求めた値を図13に
示す。図13から、フォーカス値が変化した時、寸法変
動値NLおよびNSで感知することが可能であることが
わかる。さらに、フォーカス変化をより、感知しやすい
係数を以下の式(7)で求める(ST10)。
動係数を図14に示す。図14からフォーカス変化に対
し、一次の係数で求めることができる。
方法を図10のフローチャートに従って説明する。n番
目のロットに入力されたベストフォーカス値に対し、式
(7)で求めたフォーカス変動係数を次ロットである
(n+1)番目のロットにフィードバックを行い、(n
+1)番目のロット処理時に新たなベストフォーカス値
を採用する。(n+1)番目のロットのベストフォーカ
ス値を求める算出式は、式(4)で行う(ST11)。
フォーカス値をフィードバックして処理した時の各ロッ
ト(製品)のベストフォーカス値のシミュレーショント
レンドおよびこのときパターン形成し、測定したステッ
パーのベストフォーカス値トレンド(20ロット)の結
果を図15に示す。この時使用したデバイスは0.18
μmルールのゲート工程形成工程で、使用したステッパ
ーはNSR−2205EX14C(ニコン製)を用い
た。図15から、前ロットのフォーカス値データを用
い、新たなベストフォーカス値を算出することでロット
間(製品)のベストフォーカス値変動は、長期的に±
0.1μm以内に収束している。これに対し、ステッパ
ーのベストフォーカス値の変動は、長期的に±0.2μ
mは変化している。これらの結果から、プロセス、工程
毎にベストフォーカス値を固定値でロット処理をした場
合、寸法変化は図6から20nm変化するが、本発明の
ベストフォーカス値算出システムを使用すると寸法変化
は10nmと約1/2に低減できる。
およびシステムを用いることで、従来ステッパーの号機
(ベストフォーカス値)差が±0.1μmあったのを±
0.05μm以下にすることが可能となった。その結
果、寸法ばらつきの機差を低減することができた。
一実施形態を以下に説明する。図16に本発明を実施す
るための露光量算出システムの構成図を示す。露光量算
出システムは、マスクのCr面積測定データ22、レジ
ストパターン寸法測定データ23、データ保存部21、
演算部4、入力部5の各要素で構成されている。そし
て、演算部4に各要素がそれぞれ接続し、演算部4に露
光装置6が接続している。
は、以下のように作動させる。まず、データ保存部21
に各製品(プロセス)のターゲットレジスト寸法(規格
の中心)Lc、露光量補正係数Ke、マスク面積補正係数
Kmを入力する。ここで、Keは各プロセスおよび各工程
で決まる係数である。次に、図17に示したマスクのC
r面積に対する寸法変化のデータをデータ保存部21に
保存する。図17から、マスクのCr面積に対し、露光
量が同じでもレジストパターン寸法が一次関数で表示で
きることがわかる。
種が異なる場合の露光量の算出手順を以下に示す。ま
ず、ロット番号nの露光量とマスクのCr面積データを
入力部5から入力する。第二に、ロット番号nの寸法測
定値Lnと露光量Enのデータから、マスクのCr面積が
同じ場合の露光量を算出する。第三に、Cr面積による
露光量補正を第二の工程で求めた露光量から新たな露光
補正量Enewを算出する。以下に、算出式(8)を示
す。
処理したロットの寸法、Lcは寸法規格のセンター値、
Kmはマスク面積に対する露光補正係数(プロセスと工
程で決まる値)、ACrはマスクのCr面積である。
露光量を用いて、フォトリソグラフィー処理のシミュレ
ーション結果と従来の露光量算出システムで算出した露
光量を用いた時の寸法トレンドを図18に示す。ここで
は、0.25μmプロセスを用いて5品種(マスク)の
配線工程の寸法データを示している。使用ステッパー
は、NSR−2205EX12B(ニコン製)、レジス
トは信越化学製のSEPRシリーズを使用した。また、
使用したマスクのCr面積は、30%〜60%を用い
た。図18から、従来の露光量算出システムで露光量を
算出し、適用した場合、寸法公差は品種により20nm
発生するが、本発明の露光量算出システムを用いること
で寸法公差は10nm以下に抑えることができた。
法は、半導体製造工程において、レジストパターン形成
手法として頻繁に用いられている。
ベストフォーカス値の設定、露光量補正の設定のシステ
ムは、上記実施形態で示したものに限るものではない。
フォーカス算出方法および露光量算出方法によれば、フ
ォトリソグラフィー処理において、重ね合せ補正値の設
定、ベストフォーカス値の設定・露光量補正の設定がで
きる。このため、フォトリソグラフィーにおける重ね合
せ精度向上ならびにレジストパターン寸法精度向上が図
られ、半導体製造工程においては、製品の歩留りの向上
が期待できる。
フローチャート
合せ精度トレンドグラフ
合せ精度トレンドグラフ
とフローチャート
の特性図
の寸法差特性図
グラフ
ト
使用するパターン図
トム寸法変化の特性図
ペースの寸法変動値の特性図
変動係数の特性図
ドグラフ
性図
の特性図
Claims (7)
- 【請求項1】 ガラス基板上の被露光パターンを、感光
剤を塗布した薄膜基板上に投影光学露光系を用いて露光
するパターン形成において、過去露光でパターンを形成
した時の重ね合せ補正値と重ね合せ精度測定値から第一
の重ね合せ補正値を算出する工程と、前記過去露光で使
用したマスクの位置誤差値とこれから露光に使用するマ
スクの位置誤差値からマスク成分に起因する第二の重ね
合せ補正値を算出する工程と、第一および第二の重ね合
せ補正値からこれから処理するロットの新たな第三の重
ね合せ補正値を算出する工程を含むことを特徴とするフ
ォトリソグラフィーの露光方法。 - 【請求項2】 第一の重ね合せ補正値として、露光装置
とプロセスが同一である処理後ロットの重ね合せ補正値
と重ね合せ精度測定値を用いることを特徴とする請求項
1に記載のフォトリソグラフィーの露光方法。 - 【請求項3】 ガラス基板上の被露光パターンを、感光
剤を塗布した薄膜基板上に投影光学露光系を用いて露光
するパターン形成において、所望のパターン寸法を形成
するためのベストフォーカス条件を算出するのに際し、
過去露光で形成したパターンである、フォーカスが変動
してもほとんど寸法変動しない第1のパターンとフォー
カスが変動すると寸法も変動する第2のパターンを用
い、前記第1のパターンと前記第2のパターンの寸法差
でこれから露光し、パターン形成する時のフォーカスが
前記ベストフォーカスから変動する度合いを算出する工
程と、前記ベストフォーカスに対するずれがわかる第3
のパターンを用いて、プラスフォーカスあるいはマイナ
スフォーカスに変動したかを判定する工程とを備えたこ
とを特徴とするフォトリソグラフィーの露光方法。 - 【請求項4】 第1のパターンは密集パターン、あるい
はラインとスペースからなるパターンであり、第2のパ
ターンはラインあるいはスペースの孤立パターンであ
り、第3のパターンは孤立のドットあるいはコンタクト
パターンであることを特徴とする請求項3に記載のフォ
トリソグラフィーの露光方法。 - 【請求項5】 ガラス基板上の被露光パターンを、感光
剤を塗布した薄膜基板上に投影光学露光系を用いて露光
するパターン形成において、所望のパターン寸法を形成
するためのベストフォーカス条件を算出するのに際し、
過去形成した2種類のレジストパターンで、レジストボ
トム寸法とレジストトップ寸法の測定工程と、前記レジ
ストボトム寸法と前記レジストトップ寸法の寸法差を求
め、ベストフォーカス値に対するフォーカス値変動を算
出する工程とを備えたことを特徴とするフォトリソグラ
フィーの露光方法。 - 【請求項6】 2種類のパターンが、プラスフォーカス
時およびマイナスフォーカス時にレジストボトム寸法と
レジストトップ寸法の挙動が異なる孤立ラインパターン
と孤立スペースパターンであることを特徴とする請求項
5に記載のフォトリソグラフィーの露光方法。 - 【請求項7】 ガラス基板上の被露光パターンを、感光
剤を塗布した薄膜基板上に投影光学露光系を用いて露光
するパターン形成において、所望のパターン寸法を形成
するための露光時間を算出するのに際し、ロット処理時
に使用する前記ガラス基板上の被露光パターンの光が透
過しない部分の面積と光が透過する面積との比を基にロ
ット処理時の露光時間を設定することを特徴とするフォ
トリソグラフィーの露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002078396A JP3555613B2 (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | フォトリソグラフィーの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002078396A JP3555613B2 (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | フォトリソグラフィーの露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003282395A true JP2003282395A (ja) | 2003-10-03 |
JP3555613B2 JP3555613B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=29228365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002078396A Expired - Fee Related JP3555613B2 (ja) | 2002-03-20 | 2002-03-20 | フォトリソグラフィーの露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3555613B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007281456A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
KR100863027B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2008-10-10 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 전자선을 사용한 공정변동감시시스템 및 방법 |
JP2009267225A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Nec Electronics Corp | 位置合わせ装置、位置合わせ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009267226A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Nec Electronics Corp | 位置合わせ装置、位置合わせ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009277957A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Renesas Technology Corp | 半導体デバイスの製造方法および製造システム |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH065488A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nikon Corp | リソグラフィ方法及び該方法に用いられる露光装置 |
JPH09148229A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-06-06 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH09166416A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | レチクルパターンの相対的位置ずれ量計測方法およびレチクルパターンの相対的位置ずれ量計測装置 |
JPH1027736A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10154647A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Matsushita Electron Corp | パターン形成異常検出方法 |
JPH11102851A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正方法及び半導体装置の製造方法 |
JPH11288879A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-10-19 | Hitachi Ltd | 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JPH11307431A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH11340133A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Sony Corp | 重ね合わせ精度測定方法及び半導体製造装置 |
JP2000124125A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
JP2000294489A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Sony Corp | パターン重ね合わせ方法及び露光装置 |
JP2001257159A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 位置合わせ方法および位置合わせ制御システム |
JP2002050652A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Kyocera Corp | 電子部品 |
JP2002064046A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Hitachi Ltd | 露光方法およびそのシステム |
JP2003059813A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | 電子線を用いたプロセス変動監視システムおよび方法 |
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002078396A patent/JP3555613B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH065488A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Nikon Corp | リソグラフィ方法及び該方法に用いられる露光装置 |
JPH09148229A (ja) * | 1995-11-16 | 1997-06-06 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH09166416A (ja) * | 1995-12-13 | 1997-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | レチクルパターンの相対的位置ずれ量計測方法およびレチクルパターンの相対的位置ずれ量計測装置 |
JPH1027736A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH10154647A (ja) * | 1996-11-22 | 1998-06-09 | Matsushita Electron Corp | パターン形成異常検出方法 |
JPH11102851A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Mitsubishi Electric Corp | アライメント補正方法及び半導体装置の製造方法 |
JPH11288879A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-10-19 | Hitachi Ltd | 露光条件決定方法とその装置ならびに半導体装置の製造方法 |
JPH11307431A (ja) * | 1998-04-23 | 1999-11-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH11340133A (ja) * | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Sony Corp | 重ね合わせ精度測定方法及び半導体製造装置 |
JP2000124125A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
JP2000294489A (ja) * | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Sony Corp | パターン重ね合わせ方法及び露光装置 |
JP2001257159A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Hitachi Ltd | 位置合わせ方法および位置合わせ制御システム |
JP2002050652A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Kyocera Corp | 電子部品 |
JP2002064046A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Hitachi Ltd | 露光方法およびそのシステム |
JP2003059813A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Hitachi Ltd | 電子線を用いたプロセス変動監視システムおよび方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100863027B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2008-10-10 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 전자선을 사용한 공정변동감시시스템 및 방법 |
JP2007281456A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP4703594B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2011-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板の位置合わせおよび露光方法 |
JP2009267225A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Nec Electronics Corp | 位置合わせ装置、位置合わせ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009267226A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Nec Electronics Corp | 位置合わせ装置、位置合わせ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009277957A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Renesas Technology Corp | 半導体デバイスの製造方法および製造システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3555613B2 (ja) | 2004-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100668192B1 (ko) | 고수율의 레티클 형성 방법 | |
TW530361B (en) | Multi-layer registration control for photolithography processes | |
US7244533B2 (en) | Method of the adjustable matching map system in lithography | |
JP2003031477A (ja) | 半導体装置の製造方法およびシステム | |
JP2002064046A (ja) | 露光方法およびそのシステム | |
US7463333B2 (en) | Multi-exposure lithography system providing increased overlay accuracy | |
EP1470447B1 (en) | Photolithographic critical dimension control using reticle measurements | |
US20090276735A1 (en) | System and Method of Correcting Errors in SEM-Measurements | |
JP2003282395A (ja) | フォトリソグラフィーの露光方法 | |
TW200521631A (en) | Photolithographic parameter feed back system and control method | |
JPH08306610A (ja) | 走査露光方法および該方法を用いた回路素子製造方法 | |
US20100104962A1 (en) | Patterning method, exposure system, computer readable storage medium, and method of manufacturing device | |
US8057966B2 (en) | Manufacturing method of photomask for multiple exposure and semiconductor device manufacturing method using above photomask | |
US7687210B2 (en) | Space tolerance with stitching | |
TWI809696B (zh) | 微影圖案疊對校正方法、光罩圖案產生方法,及系統 | |
JP7426845B2 (ja) | 計測方法、露光方法、物品の製造方法、プログラム及び露光装置 | |
JP2008218594A (ja) | 露光方法 | |
JP2001358060A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10125589A (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
JP2001319858A (ja) | アライメントマーク位置計測方法、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 | |
JPH11325870A (ja) | 焦点位置計測方法 | |
JP2023070992A (ja) | 情報処理装置、リソグラフィ装置、情報処理方法、物品の製造方法、およびプログラム | |
CN114995075A (zh) | 套刻误差的补偿方法 | |
CN116868127A (zh) | 针对光刻设备的新型接口定义 | |
CN115576173A (zh) | 一种提高套刻精度的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040420 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040503 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |