CN114995075A - 套刻误差的补偿方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种套刻误差的补偿方法，包括：S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，第二层图形至第N层图形依次叠在第一层图形上；S3：依次获取第二层至图形第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给第一曝光机，第一曝光机根据平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；S4：重复步骤S1~步骤S4。通过将叠在第一层图形上的第二层图形至第N层图形的套刻精度的平均值反馈给第一曝光机，在下一个产品曝光时，第一曝光机根据平均值对第一层图形的关键尺寸进行调整，从而减少第二层图形至第N层图形的套刻误差。

Description

套刻误差的补偿方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种套刻误差的补偿方法。
背景技术
隨着越先进的工艺演进，关键尺寸变得越来越小，必须引入更先进的曝光机。以65纳米和55纳米技术结点为例，所有关键层必须使用波长为193纳米的ArF曝光机，非关键层会使用波长为248纳米的KrF曝光机。在传统的半导体工艺流程中，第一层（AA层）都会使用较高端的193纳米的ArF曝光机，以获得更小的关键尺寸。后续的非关键层，从成本考量，会使用生产成本较低的248纳米的KrF曝光机。
光刻工艺中，曝光显影后存留在光刻胶上的图形(当层)必须与晶圆衬底上已有的图形(前层)对准，这样才能保证器件各部分之间连接正确。套刻是量测当层图形和前层图形的对准误差。对准误差太大是导致器件短路和断路的主要原因之一，它极大地影响器件的良率。在集成电路制造的流程中，有专门的设备通过测量晶圆上当层图形与前层图形之间的相对位置来确定套刻的误差(overlay)。晶圆上专门用来测量套刻误差的图形为套刻标识，这些图形在设计掩模时已经被放置在了指定的区域，通常是在曝光单元的边缘，也有改进后的套刻标识被放置在曝光单元中器件附近。套刻误差定量地描述了当层相对于前层沿X和Y方向的偏差，以及这种偏差在晶圆表面的分布，是检测光刻工艺好坏的一个关键指标，最理想的情况是当层与前层的图形完全对准，套刻误差为零。如果前层使用193纳米的ArF曝光机，当层使用248纳米的KrF曝光机，由于不同机型使用的棱镜和扫描平台不同，会出现套刻不匹配的现像，导致套刻精度比前层和当层同时使用248纳米的KrF曝光机的精度更差。
套刻误差主要来自棱镜和扫描平台，但248纳米的KrF曝光机只具备修正部分套刻误差的功能。在当层使用248纳米的KrF曝光机要对准前层使用193纳米的ArF曝光机时，由于248纳米的KrF曝光机的硬件限制，导致248纳米的KrF曝光机匹配193纳米的ArF曝光机的套刻精度变差而且无法修正。193纳米的ArF曝光机是高端的曝光机机型，自身硬件具备修正来自棱镜和扫描的套刻误差，但作为前层无法对当层248纳米的KrF曝光机做补偿修正。
发明内容
本发明的目的在于提供一种套刻误差的补偿方法，可以改善248纳米的KrF曝光机曝光后的套刻误差，从而提高套刻精度。
为了达到上述目的，本发明提供了一种套刻误差的补偿方法，包括：
S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；
S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，所述第二层图形至第N层图形依次叠在所述第一层图形上；
S3：依次获取第二层至图形第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给所述第一曝光机，在下一个产品曝光时，所述第一曝光机根据所述平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；以及
S4：重复步骤S1~步骤S4，直到所有产品完成曝光。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第一层图形包括第一套刻标识，所述第二层图形包括第二套刻标识，所述第N层图形包括第N套刻标识。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第一套刻标识的数量、第二套刻标识的数量和第N套刻标识的数量均至少为一个。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第一套刻标识、第二套刻标识和第N套刻标识均为矩形框。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第二层图形的套刻误差为第二套刻标识的位置与第一套刻标识的位置的偏差。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第N层图形的套刻误差为第N套刻标识的位置与第N-1套刻标识的位置的偏差。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，如果平均值显示第二套刻标识至第N套刻标识的整体向某个方向偏离，则向相反的方向调整所述第一层图形的关键尺寸。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第一曝光机的曝光精度大于所述第二曝光机的曝光精度。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第一曝光机为193纳米曝光机。
可选的，在所述的套刻误差的补偿方法中，所述第二曝光机为28纳米曝光机。
在本发明提供的套刻误差的补偿方法中，包括：S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，第二层图形至第N层图形依次叠在第一层图形上；S3：依次获取第二层至图形第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给第一曝光机，第一曝光机根据平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；S4：重复步骤S1~步骤S4。通过将叠在第一层图形上的第二层图形至第N层图形的套刻精度的平均值反馈给第一曝光机，在下一个产品曝光时，第一曝光机根据平均值对第一层图形的关键尺寸进行调整，从而减少第二层图形至第N层图形的套刻误差。
附图说明
图1是本发明实施例的套刻误差的补偿方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在下文中，术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。
请参照图1，本发明提供了一种套刻误差的补偿方法，包括：
S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；
S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，第二层图形至第N层图形依次叠在第一层图形上；
S3：依次获取第二层至图形第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给第一曝光机，在下一个产品曝光时，第一曝光机根据平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；以及
S4：重复步骤S1~步骤S4，直到所有产品完成曝光。其中，调整第一层图形的关键尺寸需要在下一个产品（同样的产品）曝光中调整图形，不断循环步骤S1~步骤S4，直到完成所有产品。不断循环不断反馈，可以不断提升精度。当然，在正式进行曝光生产之前，还可以通过实验获得第二层至第N层的套刻误差的平均值，正式进行曝光生产时，第一曝光机可以根据平均值调整第一层图形的关键尺寸。
进一步的，第一层图形包括第一套刻标识，第二层图形包括第二套刻标识，第N层图形包括第N套刻标识，自然的，第三层图形包括第三套刻标识，理论上，第一套刻标识、第二套刻标识、第三套刻标识……、第N套刻标识在同一位置，是最好的，即套刻误差为零时是最好的，因此但是由于每一层图形的条件不一样，甚至曝光机可能不一样，所以造成图形会出现误差，一旦误差太大，可能就会出现各种质量问题，因此，需要对套刻标识进行对准检测。一般地，第一套刻标识、第二套刻标识和第N套刻标识均为矩形框。进一步的，第一套刻标识的数量、第二套刻标识的数量和第N套刻标识的数量均至少为一个，本发明实施例可以将晶圆分为多个区域，每个区域分别进行曝光，因此，每个区域就设置有套刻标识，整个晶圆上就至少有一个套刻标识，套刻标识的具体数量根据实际情况而定。
进一步的，第二层图形的套刻误差为第二套刻标识的位置与第一套刻标识的位置的偏差。第N层图形的套刻误差为第N套刻标识的位置与第N-1套刻标识的位置的偏差。自然地，第三层图形的套刻误差为第三套刻标识与第二套刻标识的位置的偏差。
进一步的，如果平均值显示第二套刻标识至第N套刻标识的整体向某个方向偏离，则向相反的方向调整第一层图形的关键尺寸。假如，本发明实施例有四层图形，即N为5，则5层图形分别是第一层图形、第二层图形、第三层图形、第四层图形和第五层图形，而每一层图形又以具有一个套刻标识为例子，第一套刻标识在第一层光刻胶上具有位置信息，以二维为例，就在X坐标和Y坐标上分别具有一个数值，例如（3,3），第二套刻标识在第二层光刻胶上具有位置信息，以二维为例，就在X坐标和Y坐标上分别具有一个数值，例如（3.1,3.1），所以第二层的套刻误差为（0.1，0.1），依次求完第三层至第4层的套刻误差，假如第三层的套刻误差为（-0.1，0.1），第三层的套刻误差为（0.1，0），第三层的套刻误差为（0.1，0.1），则第二层至第五层的套刻误差的平均值为（0.05，0.75），则下一个产品的曝光中，第一曝光机进行第一层图形的曝光时，需要将关键尺寸调整，以补偿第二层至第五层的套刻误差，调整的方向必然是与套刻误差的平均值相反的方向，调整的幅度为平均值（0.05，0.75），即在X方向上调整-0.05，Y方向上调整-0.75，单位视具体情况而定，可以是nm。而正负方向是提前设定的，是相反的方向。如果晶圆上分为了多个区域，则每个区域单独进行调整，即，同一个区域第一曝光机根据第二层至第N层的套刻误差的平均值调整该区域的第一层图形的关键尺寸。
本发明实施例中，第一曝光机的曝光精度大于第二曝光机的曝光精度。其中，第一曝光机为193纳米曝光机，第二曝光机为248纳米曝光机。在本发明的其他实施例中，也可能使用其他型号的曝光机，但是本发明实施例的套刻误差的补偿方法主要适用于第一曝光机的曝光精度大于第二曝光机的曝光精度，并且第二曝光机无法调整当层套刻误差的情况。
综上，在本发明实施例提供的套刻误差的补偿方法中，包括：S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，第二层图形至第N层图形依次叠在第一层图形上；S3：依次获取第二层至图形第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给第一曝光机，第一曝光机根据平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；S4：重复步骤S1~步骤S4。通过将叠在第一层图形上的第二层图形至第N层图形的套刻精度的平均值反馈给第一曝光机，在下一个产品曝光时，第一曝光机根据平均值对第一层图形的关键尺寸进行调整，从而减少第二层图形至第N层图形的套刻误差。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种套刻误差的补偿方法，其特征在于，包括：
S1：使用第一曝光机对第一层图形进行曝光；
S2：使用第二曝光机依次对第二层图形至第N层图形进行曝光，所述第二层图形至第N层图形依次叠在所述第一层图形上；
S3：依次获取第二层至图形第N层图形的套刻误差，并将第二层图形至第N层图形的套刻误差的平均值反馈给所述第一曝光机，在下一个产品曝光时，所述第一曝光机根据所述平均值调整第一层图形的关键尺寸，其中，N为大于2的正整数；以及
S4：重复步骤S1~步骤S4，直到所有产品完成曝光。
2.如权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第一层图形包括第一套刻标识，所述第二层图形包括第二套刻标识，所述第N层图形包括第N套刻标识。
3.如权利要求2所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第一套刻标识的数量、第二套刻标识的数量和第N套刻标识的数量均至少为一个。
4.如权利要求2所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第一套刻标识、第二套刻标识和第N套刻标识均为矩形框。
5.如权利要求2所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第二层图形的套刻误差为第二套刻标识的位置与第一套刻标识的位置的偏差。
6.如权利要求2所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第N层图形的套刻误差为第N套刻标识的位置与第N-1套刻标识的位置的偏差。
7.如权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，如果平均值显示第二套刻标识至第N套刻标识的整体向某个方向偏离，则向相反的方向调整所述第一层图形的关键尺寸。
8.如权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第一曝光机的曝光精度大于所述第二曝光机的曝光精度。
9.如权利要求8所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第一曝光机为193纳米曝光机。
10.如权利要求8所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第二曝光机为28纳米曝光机。
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