JP2003273369A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１の半導体層上に絶縁層を介して第２の半
導体層を積層してなる積層体と第２の半導体層に形成さ
れ力学量の印加に応じて変位可能な可動部とを備える半
導体装置の製造方法において、可動部がその周囲の部位
にスティッキングするのを抑制すること。 【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法では、ト
レンチ形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形
成工程におけるエッチング速度を速くしているため、保
護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスクと
して形成される保護膜の形成量を低減することができ
る。それによって、エッチング工程において、帯電した
酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイオンを可
動部２０の裏面側に当てたとしても、可動部２０の裏面
側には針状の突起が形成されず、可動部２０と酸化膜１
３とのスティッキングを抑制することができる。
導体層を積層してなる積層体と第２の半導体層に形成さ
れ力学量の印加に応じて変位可能な可動部とを備える半
導体装置の製造方法において、可動部がその周囲の部位
にスティッキングするのを抑制すること。 【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法では、ト
レンチ形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形
成工程におけるエッチング速度を速くしているため、保
護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスクと
して形成される保護膜の形成量を低減することができ
る。それによって、エッチング工程において、帯電した
酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイオンを可
動部２０の裏面側に当てたとしても、可動部２０の裏面
側には針状の突起が形成されず、可動部２０と酸化膜１
３とのスティッキングを抑制することができる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、第１の半導体層上
に絶縁層を介して第２の半導体層を積層してなる積層体
と第２の半導体層に形成され力学量の印加に応じて変位
可能な可動部とを備える半導体装置の製造方法に関す
る。 【０００２】 【従来技術】この種の半導体装置としては、例えば、特
開平１１−２７４１４２号公報に記載のものが提案され
ている。 【０００３】このものは、積層体として、第１の半導体
層上に絶縁層を介して第２の半導体層を積層してなるＳ
ＯＩ基板を用いたものである。 【０００４】そして、可動部を画定するためのトレンチ
を、ドライエッチングにより第２の半導体層の表面から
絶縁層に達するように形成した後に、更に、ドライエッ
チングを行い、トレンチの底部の横方向に位置する第２
の半導体層へ当てて、横方向に位置する第２の半導体層
を除去することにより、絶縁層から離間した第２の半導
体層としての可動部を形成するようにしている。 【０００５】このように、トレンチを形成した後に更に
ドライエッチングを行うと、トレンチの底部の絶縁層が
帯電する。 【０００６】すると、その帯電によって、ドライエッチ
ングのエッチングイオンが反発し、このエッチングイオ
ンは、トレンチの深さ方向から該深さ方向と直交する横
方向へ曲がり、トレンチの底部の横方向に位置する第２
の半導体層にエッチングイオンが当たる。 【０００７】そのため、トレンチの底部の横方向に位置
する第２の半導体層がエッチングされて除去され、可動
部が形成される。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の検討によれば、上記従来公報において、ドライエ
ッチングにてトレンチの底部の横方向に位置する第２の
半導体層を除去して可動部を形成する場合、図４に示さ
れるように、可動部２のうち絶縁層１Ｂに対向する部
位、即ち、可動部２の裏面側に針状の突起３が形成され
ることがある。 【０００９】通常、上記トレンチ４の底部の横方向に位
置する第２の半導体層１Ｃを除去して可動部２を形成す
るドライエッチングは、第２の半導体層１Ｃを除去する
エッチング工程とトレンチ４の内壁に保護膜を形成する
保護膜形成工程とを交互に繰り返している。 【００１０】そして、保護膜形成工程において、可動部
２の裏面側に形成された保護膜がマスクとなり、エッチ
ング工程において、帯電した絶縁層１Ｂの表面で跳ね返
されたエッチングイオンが可動部２の裏面側に当たるこ
とにより、可動部２の裏面側には針状の突起３が形成さ
れてしまう。 【００１１】このように、可動部２の裏面側に突起２が
形成されると、可動部２と絶縁層１Ｂとの距離が狭くな
ったり、経時変化により可動部２から突起３が剥がれ落
ちて可動電部２と絶縁層１Ｂとの間に挟まれるたりする
等により、当該対向間にて可動部２と絶縁層１Ｂとがス
ティッキング（付着）しやすくなる。 【００１２】そして、装置本来の機能に用いる可動部２
がスティッキングを起こすと、本来の可動部２の動きが
なされず、装置特性に悪影響を及ぼすことは明らかであ
る。 【００１３】そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、第１の半導体層上に絶縁層を介して第２の半導体層
を積層してなる積層体と第２の半導体層に形成され力学
量の印加に応じて変位可能な可動部とを備える半導体装
置の製造方法において、可動部がその周囲の部位にステ
ィッキングするのを抑制することにある。 【００１４】 【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
装置の製造方法は、第１の半導体層上に絶縁層を介して
第２の半導体層を積層してなる積層体と、第２の半導体
層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部と
を備える半導体装置の製造方法において、積層体を用意
し、第２の半導体層の表面から絶縁層に達するように、
可動部を画定するためのトレンチをエッチングにより形
成するトレンチ形成工程と、トレンチ形成工程を実行し
た後に、エッチングを行い、トレンチの底部の絶縁層の
表面を帯電させ、エッチングのイオンをトレンチの底部
の横方向に位置する第２の半導体層へ当てて当該横方向
に位置する第２の半導体層を除去することにより、可動
部を形成する可動部形成工程とを備え、トレンチ形成工
程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけ
るエッチング速度を速くしたことをことを特徴としてい
る。 【００１５】請求項１に記載の発明によれば、トレンチ
形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程
におけるエッチング速度を速くしているため、可動部形
成工程において、可動部の裏面側に針状の突起が形成さ
れることを防止でき、可動部がその周囲の部位にスティ
ッキングするのを抑制することができる。 【００１６】 【発明の実施の形態】本実施形態は、半導体装置とし
て、差動容量式の半導体式加速度センサについて本発明
を適用したものである。 【００１７】図１は本実施形態の半導体式加速度センサ
Ｓ１の全体平面構造を示し、図２は図１中の一点鎖線Ｑ
１、Ｑ２、Ｑ３で示す各部分での断面構造を合成した状
態で表現した模式的な部分断面構造を示す図である。 【００１８】この半導体式加速度センサＳ１は、例え
ば、エアバック、ＡＢＳ、ＶＳＣなどの作動制御を行う
ための自動車用加速度センサやジャイロセンサなどに適
用することができる。 【００１９】半導体式加速度センサＳ１を構成する積層
体は、図２に示されるように、第１の半導体層としての
第１のシリコン層１１の上に絶縁層としての酸化膜１３
を介して第２の半導体層としての第２のシリコン層１２
を積層してなる矩形状のＳＯＩ（シリコンオンインシュ
レータ）基板１０である。 【００２０】また、図１に示されるように、第２のシリ
コン層１２には、トレンチ（溝）１４を形成することに
より、可動部２０及び固定部３０、４０よりなる櫛歯形
状を有する梁構造体が形成されている。 【００２１】可動部２０は、矩形状の重錘部２１と重錘
部２１の両端に形成されたバネ部２２とで構成されてお
り、このバネ部２２を介してアンカー部２３ａ及び２３
ｂに一体に連結されている。 【００２２】ここで、アンカー部２３ａ及び２３ｂは、
その直下に位置する酸化膜１３に固定されており（図２
参照）、両アンカー部２３ａ及び２３ｂの間に位置する
可動部２０（重錘部２１及びバネ部２２）は、その直下
に位置する酸化膜１３から離れて位置している。 【００２３】つまり、可動部２０は、酸化膜１３に固定
されたアンカー部２３ａ及び２３ｂの間にて、重錘部２
１及びバネ部２２が酸化膜１３上に懸架された形となっ
ている。 【００２４】また、バネ部２２は、２本の梁がその両端
で連結された矩形形状をなしており、梁の長手方向と直
交する方向に変位するバネ機能を有する。 【００２５】そして、このバネ部２２は、図１中の矢印
Ｘ方向の成分を含む加速度を受けたときに重錘部２１を
矢印Ｘ方向へ変位させるとともに、加速度の消失に応じ
て元の状態に復元させるようになっている。 【００２６】このように、可動部２０は、アンカー部２
３ａ及び２３ｂを固定点として、加速度の印加に応じて
上記矢印Ｘ方向へ変位可能になっている。 【００２７】また、重錘部２１は、バネ部２２の変位方
向（矢印Ｘ方向）と直交した方向にて、重錘部２１の両
側面から互いに反対方向へ一体的に櫛歯状に突出する複
数個の可動電極２４を備えている。尚、図１では、可動
電極２４は、重錘部２１の左側及び右側に各々３個ずつ
突出して形成されている。 【００２８】また、各可動電極２４は断面矩形の梁状に
形成されており、酸化膜１３から離れて（例えば、数μ
ｍ程度）位置している（図２参照）。 【００２９】このように、各可動電極２４は可動部２０
の一部として、バネ部２２及び重錘部２１と一体的に形
成され、重錘部２１とともにバネ部２２の変位方向へ変
位可能となっている。 【００３０】また、固定部３０、４０は、酸化膜１３に
おける対向辺部のうち、アンカー部２３ａ及び２３ｂが
支持されていないもう１組の対向辺部に支持されてい
る。 【００３１】ここで、固定部３０、４０は、重錘部２１
を挟んで２個設けられており、図１中の左側に位置する
第１の固定部３０と、図１中の右側に位置する第２の固
定部４０とよりなり、両固定部３０、４０は互いに電気
的に独立している。 【００３２】各固定部３０、４０は、配線部３１及び４
１と固定電極３２及び４２とを有した構成となってい
る。尚、配線部３１及び４１は、それぞれ、その直下に
位置する酸化膜１３に固定されて第１のシリコン層１１
に支持されている。 【００３３】固定電極３２及び４２は、バネ部の変位方
向（矢印Ｘ方向）と直交した方向にて、各配線部３１、
４１の側面から重錘部２１に向かって櫛歯状に突出し、
可動電極２４の櫛歯と噛み合うように配置されている。
尚、図１では、各固定電極３２、４２は、各配線部３
１、４１と一体的に３個ずつ設けられている。 【００３４】個々の固定電極３２及び４２は、断面矩形
の梁状に形成されており、配線部３１及び４１に片持ち
支持された状態で酸化膜１３から離れて（例えば、数μ
ｍ程度）位置している（図２参照）。 【００３５】そして、個々の固定電極３２及び４２は、
その側面が対応する個々の可動電極２４の側面と所定の
検出間隔を有して平行した状態で対向して配置されてい
る。 【００３６】また、各固定部３０、４０の各配線部３
１、４１上の所定領域には、それぞれワイヤボンディン
グ用の固定電極パッド３１ａ及び４１ａが形成されてお
り、一方のアンカー部２３ｂ上の所定領域には、ワイヤ
ボンディング用の可動電極パッド２０ａが形成されてい
る。尚、上記各電極パッド２０ａ、３１ａ、４１ａは、
例えばアルミニウムにより形成されている。 【００３７】また、図示しないが、本実施形態の半導体
式加速度センサＳ１は、第１のシリコン層１１の裏面
（酸化膜１３と反対側の面）側において、接着剤などを
介してパッケージに固定されている。 【００３８】このパッケージには、回路手段が収納され
ており、この回路手段と上記の各電極パッド２０ａ、３
１ａ、４１ａとは、金もしくはアルミニウムのワイヤボ
ンディングなどにより電気的に接続されている。 【００３９】このような構成において、第１の固定部３
０側の固定電極３２を第１の固定電極、第２の固定部４
０側の固定電極３４２を第２の固定電極とすると、第１
の固定電極３２と可動電極２４との検出間隔に第１の容
量ＣＳ１、第２の固定電極４２と可動電極２４との検出
間隔に第２の容量ＣＳ２が形成されている。 【００４０】そして、半導体式加速度センサＳ１に加速
度が印加されると、バネ部２２のバネ機能により、アン
カー部２３ａ及び２３ｂを支点として可動部２０全体が
一体的に矢印Ｘ方向へ変位し、可動電極２４の変位に応
じて上記検出間隔が変化し上記各容量ＣＳ１、ＣＳ２が
変化する。 【００４１】そして、可動電極２４と固定電極３２、４
２による差動容量（ＣＳ１−ＣＳ２）の変化に基づいて
印加加速度を検出するようになっている。 【００４２】次に、図３を参照して、本実施形態の半導
体式加速度センサＳ１の製造方法について説明する。
尚、この図３は、上記図２に対応した模式的断面にて、
本製造途中でのワークの状態を示す工程説明図である。 【００４３】まず、図３（ａ）に示されるように、第１
のシリコン層（第１の半導体層）１１の上に酸化膜（絶
縁層）１３を介して第２のシリコン層（第２の半導体
層）１２を積層してなるＳＯＩ基板（積層体）１０を用
意する。 【００４４】このＳＯＩ基板１０は、例えば、第１のシ
リコン層１１及び第２のシリコン層１２として表面の面
方位が（１００）面のシリコン単結晶を使用し、両シリ
コン層１１、１２が、膜厚１μｍ程度のシリコン酸化膜
（ＳｉＯ2）よりなる酸化膜１３を介して貼り合わされ
たものを採用することができる。 【００４５】さらに、Ａｌ（アルミニウム）を例えば１
μｍ程度蒸着し、フォト、エッチングを行い信号取り出
しのための電極パッド２０ａ、３１ａ、４１ａを形成す
る。尚、図３（ａ）中に電極パッド２０ａは図示されて
いない。 【００４６】続いて、図３（ｂ）に示されるように、酸
化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件でエッチン
グを行い、開口幅の広い第１のトレンチ（バネ部２２と
可動電極２４を画定するトレンチ）１４ａを、第２のシ
リコン層１２の表面から酸化膜１３に達するように形成
し、さらに、図３（ｃ）に示されるように、同様なエッ
チング条件でエッチングを行い、最も開口幅の狭い第２
のトレンチ（バネ部２２の枠中空部を画定するトレン
チ）１４ｂを、第２のシリコン層１２の表面から酸化膜
１３に達するように形成する（トレンチ形成工程）。
尚、この酸化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件
で行うエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発
振によって実現することができる。 【００４７】それにより、可動部２０及び固定部３０、
４０を画定するためのトレンチ１４を、第２のシリコン
層１２の表面から酸化膜１３に達するように形成するこ
とができる。 【００４８】具体的に説明すると、第２のシリコン層１
２の表面に、櫛歯形状を有する梁構造体２０、３０、４
０に対応したパターンを形成するマスク材５０を、フォ
トリソグラフ技術を用いてレジストなどにより形成し、
プラズマエッチングなどのドライエッチングにより垂直
に酸化膜１３までトレンチ形状を形成する。 【００４９】ドライエッチングとしては、ＣＦ4やＳＦ6
などのエッチングガスを用いたＩＣＰ（誘電結合型プラ
ズマ）や、上記と同様なエッチングガスを用いたＲＩＥ
（リアクティブイオンエッチング）などのエッチング方
法を採用することができる。 【００５０】続いて、図３（ｄ）に示されるように、上
記トレンチ形成工程の後、トレンチ１４の底部の酸化膜
１３の表面が帯電するとともに、トレンチ形成工程にお
けるエッチング速度よりも早いエッチング速度であるエ
ッチング条件でドライエッチングを行い、可動電極２４
を含む重錘部２１及びバネ部２２が酸化膜１３からリリ
ースされた可動部２０を形成する（可動部形成工程）。
尚、この酸化膜１３の表面が帯電するエッチング条件で
行うエッチングは、高周波ＲＦ電源を用いた連続発振に
よって実現することができる。 【００５１】また、この可動部形成工程では、固定部３
０、４０のうち固定電極３２、４２が酸化膜１３からリ
リースされる。 【００５２】尚、図３（ｄ）には、可動部２０のうちの
可動部２４、アンカー部２３ｂ、バネ部２２、固定部３
０、４０のうちの配線部３１、４１及び第２の固定電極
４２が示されている。 【００５３】この可動部形成工程のドライエッチングに
より、エッチングイオン（ＣＦ4やＳＦ6などがプラズマ
化したもの）によって、トレンチ１４の底部の酸化膜１
３表面が帯電する（通常は正に帯電する）。 【００５４】すると、帯電した酸化膜１３表面でエッチ
ングイオンが反発力を受けて、図３（ｃ）中の矢印Ｙ方
向に示されるように、横方向に曲げられる。 【００５５】それにより、図３（ｄ）に示されるよう
に、エッチングイオンがトレンチ１４の底部の横方向
（矢印Ｙ方向）に位置する第２のシリコン層１２へ当た
り、この横方向（矢印Ｙ方向）に位置する第２のシリコ
ン層１２がエッチングされて除去される。 【００５６】そして、酸化膜１３から浮いた状態の可動
部２０及び固定電極３２、４２が形成され、その後、エ
ッチングによりマスク材５０を除去することによって、
上記図１及び図２に示されるような半導体式加速度セン
サＳ１が完成する。 【００５７】このように、本実施形態では、トレンチ形
成工程は酸化膜１３の表面を帯電させないエッチング条
件でエッチングを行い、可動部形成工程は酸化膜１３の
表面を帯電させるエッチング条件でエッチングを行うこ
とを特徴としている。 【００５８】それによって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）
に示されるようなトレンチ形成工程において、最も開口
幅の狭い第２のトレンチ１４ｂが酸化膜１３に達するま
でのエッチング時間を、トレンチエッチングの全体のエ
ッチング時間に設定したとしても、トレンチ形成工程は
酸化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件でエッチ
ングを行っているため、開口幅の広い第１のトレンチ１
４ａにおいて、その底部がサイドエッチングされるノッ
チ現象の発生を防止することができる。 【００５９】その結果、図３（ｄ）に示されるように、
トレンチ形成工程後に、酸化膜１３の表面が帯電するエ
ッチング条件でエッチングを行い、可動電極２４を含む
重錘部２１及びバネ部２２及び固定電極３２、４２を酸
化膜１３からリリースする可動部形成工程を行ったとし
ても、バネ部２２における枠中空部側と可動電極２４と
で、トレンチ角度や酸化膜１３との間隔がばらつくこと
はない。 【００６０】よって、バネ部２２の加工ばらつきを低減
することができ、均一なバネ機能を得ることができるた
め、安定したセンサ特性を発揮することができる。 【００６１】尚、上記トレンチ形成工程は、全く酸化膜
１３の表面が帯電しないエッチング条件でなくとも、少
なくとも、バネ部２２にノッチ現象が発生しない程度の
エッチング条件にすればよいものである。 【００６２】ところで、上記可動部形成工程におけるド
ライエッチングは、第２のシリコン層１２を除去するエ
ッチング工程とトレンチ１４の内壁に保護膜を形成する
保護膜形成工程とを交互に繰り返しているが、この保護
膜形成工程において、可動部２０の裏面側に形成された
保護膜がマスクとなり、エッチング工程において、帯電
した酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイオン
が可動部２０の裏面側（酸化膜１３に対向する部位）に
当たることにより、可動部２０の裏面側には針状の突起
が形成されてしまう。 【００６３】そして、可動部２０の裏面側に突起が形成
されると、対向する可動部２０と酸化膜１３との距離が
狭くなったり、経時変化により可動部２０から突起が剥
がれ落ちて可動電部２０と酸化膜１３との間に挟まれる
たりする等により、当該対向間にて可動部２０と酸化膜
１３がスティッキング（付着）しやすくなる。 【００６４】このように、装置本来の機能に用いる可動
部２０がスティッキングを起こすと、可動部２０の変位
特性の変動や可動電極２４と固定電極３２、４２との対
向面積の変化（検出容量の変化）を生じるなど、センサ
の特性に悪影響を及ぼす。 【００６５】そこで、本実施形態では、トレンチ形成工
程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけ
るエッチング速度を速くしていることを特徴としてい
る。 【００６６】上述のように、可動部形成工程におけるド
ライエッチングは、第２のシリコン層１２を除去するエ
ッチング工程とトレンチ１４の内壁に保護膜を形成する
保護膜形成工程とを交互に繰り返しているが、可動部形
成工程におけるエッチング速度を速くしたことにより、
保護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスク
として形成される保護膜の形成量を低減することができ
る。 【００６７】それによって、エッチング工程において、
帯電した酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイ
オンを可動部２０の裏面側に当てたとしても、可動部２
０の裏面側には針状の突起が形成されず、可動部２０と
酸化膜１３とのスティッキングを抑制することができ
る。 【００６８】ここで、本発明者等の検討によれば、トレ
ンチ形成工程では異方性を持たせるために積極的に保護
膜を形成するような条件でエッチングしているため、垂
直なトレンチ１４を形成するトレンチ形成工程のエッチ
ング速度で可動部形成工程を行うと、ドライエッチング
における保護膜の形成量が多くなってしまい、可動部２
０の裏面には針状の突起が形成されることが分かってい
る。 【００６９】そのため、トレンチ形成工程で垂直なトレ
ンチ１４を形成するとともに、可動部形成工程で可動部
２０の裏面に針状の突起が形成されることを防止するた
めには、可動部形成工程におけるエッチング速度をトレ
ンチ形成工程におけるエッチング速度よりも速くする必
要がある。 【００７０】ここで、上記トレンチ形成工程における酸
化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件及び上記可
動部形成工程における酸化膜１３の表面が帯電するエッ
チング条件については、米国特許第６，１８７，６８５
号に記載の方法を用いることができる。この公報に記載
の内容を以下に示す。 【００７１】まず、エッチング時に印加される周波数を
５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以下に設定した場
合、ドライエッチングの際に供給されるエッチングイオ
ンと電子のうち、帯電を中和させる電子は電界方向に追
従して進行方向が変化するが、エッチングイオンの進行
方向は変化しないため、トレンチ底部には電子よりもエ
ッチングイオンが多量に供給され、酸化膜の表面を帯電
させることができる。 【００７２】そして、エッチング時に印加される周波数
を５ＭＨｚ以下、望ましくは６００Ｈｚ以下に設定した
場合、電子の進行方向だけでなく、エッチングイオンの
進行方向も電界方向に追従して変化するため、トレンチ
底部にはエッチングイオンと電子がほぼ同量供給され、
この供給された電子により酸化膜の表面の帯電を緩和す
ることができる。尚、この酸化膜の表面の帯電を緩和す
るエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振に
よって実現している。 【００７３】よって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示す
トレンチ形成工程においては、エッチング時に印加され
る周波数を５ＭＨｚ以下、望ましくは６００Ｈｚ以下に
設定すると、酸化膜１３の表面が帯電しないエッチング
を実現することができ、図３（ｄ）に示す可動部形成工
程においては、エッチング時に印加される周波数を５Ｍ
Ｈｚ以上、望ましくは１０Ｈｚ以下に設定すると、酸化
膜１３の表面が帯電するエッチングを実現することがで
きる。 【００７４】尚、本発明は、上記実施形態に限られるも
のではなく、様々な態様に適用可能である。 【００７５】例えば、上記実施形態では、本発明を加速
度センサに適用したが、これに限られるものではなく、
角速度センサや圧力センサなどの半導体装置に適用する
ことができる。 【００７６】また、固定電極３２、４２は、酸化膜１３
からリリースされず酸化膜１３とつながった状態でも良
い。例えば、固定電極３２、４２における梁の幅を可動
電極２４よりも広くして、可動部形成工程のドライエッ
チング終了時に、固定電極に酸化膜１３と接続された残
し部を形成されるようにすれば良い。
に絶縁層を介して第２の半導体層を積層してなる積層体
と第２の半導体層に形成され力学量の印加に応じて変位
可能な可動部とを備える半導体装置の製造方法に関す
る。 【０００２】 【従来技術】この種の半導体装置としては、例えば、特
開平１１−２７４１４２号公報に記載のものが提案され
ている。 【０００３】このものは、積層体として、第１の半導体
層上に絶縁層を介して第２の半導体層を積層してなるＳ
ＯＩ基板を用いたものである。 【０００４】そして、可動部を画定するためのトレンチ
を、ドライエッチングにより第２の半導体層の表面から
絶縁層に達するように形成した後に、更に、ドライエッ
チングを行い、トレンチの底部の横方向に位置する第２
の半導体層へ当てて、横方向に位置する第２の半導体層
を除去することにより、絶縁層から離間した第２の半導
体層としての可動部を形成するようにしている。 【０００５】このように、トレンチを形成した後に更に
ドライエッチングを行うと、トレンチの底部の絶縁層が
帯電する。 【０００６】すると、その帯電によって、ドライエッチ
ングのエッチングイオンが反発し、このエッチングイオ
ンは、トレンチの深さ方向から該深さ方向と直交する横
方向へ曲がり、トレンチの底部の横方向に位置する第２
の半導体層にエッチングイオンが当たる。 【０００７】そのため、トレンチの底部の横方向に位置
する第２の半導体層がエッチングされて除去され、可動
部が形成される。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等の検討によれば、上記従来公報において、ドライエ
ッチングにてトレンチの底部の横方向に位置する第２の
半導体層を除去して可動部を形成する場合、図４に示さ
れるように、可動部２のうち絶縁層１Ｂに対向する部
位、即ち、可動部２の裏面側に針状の突起３が形成され
ることがある。 【０００９】通常、上記トレンチ４の底部の横方向に位
置する第２の半導体層１Ｃを除去して可動部２を形成す
るドライエッチングは、第２の半導体層１Ｃを除去する
エッチング工程とトレンチ４の内壁に保護膜を形成する
保護膜形成工程とを交互に繰り返している。 【００１０】そして、保護膜形成工程において、可動部
２の裏面側に形成された保護膜がマスクとなり、エッチ
ング工程において、帯電した絶縁層１Ｂの表面で跳ね返
されたエッチングイオンが可動部２の裏面側に当たるこ
とにより、可動部２の裏面側には針状の突起３が形成さ
れてしまう。 【００１１】このように、可動部２の裏面側に突起２が
形成されると、可動部２と絶縁層１Ｂとの距離が狭くな
ったり、経時変化により可動部２から突起３が剥がれ落
ちて可動電部２と絶縁層１Ｂとの間に挟まれるたりする
等により、当該対向間にて可動部２と絶縁層１Ｂとがス
ティッキング（付着）しやすくなる。 【００１２】そして、装置本来の機能に用いる可動部２
がスティッキングを起こすと、本来の可動部２の動きが
なされず、装置特性に悪影響を及ぼすことは明らかであ
る。 【００１３】そこで、本発明の目的は、上記問題点に鑑
み、第１の半導体層上に絶縁層を介して第２の半導体層
を積層してなる積層体と第２の半導体層に形成され力学
量の印加に応じて変位可能な可動部とを備える半導体装
置の製造方法において、可動部がその周囲の部位にステ
ィッキングするのを抑制することにある。 【００１４】 【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体
装置の製造方法は、第１の半導体層上に絶縁層を介して
第２の半導体層を積層してなる積層体と、第２の半導体
層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部と
を備える半導体装置の製造方法において、積層体を用意
し、第２の半導体層の表面から絶縁層に達するように、
可動部を画定するためのトレンチをエッチングにより形
成するトレンチ形成工程と、トレンチ形成工程を実行し
た後に、エッチングを行い、トレンチの底部の絶縁層の
表面を帯電させ、エッチングのイオンをトレンチの底部
の横方向に位置する第２の半導体層へ当てて当該横方向
に位置する第２の半導体層を除去することにより、可動
部を形成する可動部形成工程とを備え、トレンチ形成工
程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけ
るエッチング速度を速くしたことをことを特徴としてい
る。 【００１５】請求項１に記載の発明によれば、トレンチ
形成工程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程
におけるエッチング速度を速くしているため、可動部形
成工程において、可動部の裏面側に針状の突起が形成さ
れることを防止でき、可動部がその周囲の部位にスティ
ッキングするのを抑制することができる。 【００１６】 【発明の実施の形態】本実施形態は、半導体装置とし
て、差動容量式の半導体式加速度センサについて本発明
を適用したものである。 【００１７】図１は本実施形態の半導体式加速度センサ
Ｓ１の全体平面構造を示し、図２は図１中の一点鎖線Ｑ
１、Ｑ２、Ｑ３で示す各部分での断面構造を合成した状
態で表現した模式的な部分断面構造を示す図である。 【００１８】この半導体式加速度センサＳ１は、例え
ば、エアバック、ＡＢＳ、ＶＳＣなどの作動制御を行う
ための自動車用加速度センサやジャイロセンサなどに適
用することができる。 【００１９】半導体式加速度センサＳ１を構成する積層
体は、図２に示されるように、第１の半導体層としての
第１のシリコン層１１の上に絶縁層としての酸化膜１３
を介して第２の半導体層としての第２のシリコン層１２
を積層してなる矩形状のＳＯＩ（シリコンオンインシュ
レータ）基板１０である。 【００２０】また、図１に示されるように、第２のシリ
コン層１２には、トレンチ（溝）１４を形成することに
より、可動部２０及び固定部３０、４０よりなる櫛歯形
状を有する梁構造体が形成されている。 【００２１】可動部２０は、矩形状の重錘部２１と重錘
部２１の両端に形成されたバネ部２２とで構成されてお
り、このバネ部２２を介してアンカー部２３ａ及び２３
ｂに一体に連結されている。 【００２２】ここで、アンカー部２３ａ及び２３ｂは、
その直下に位置する酸化膜１３に固定されており（図２
参照）、両アンカー部２３ａ及び２３ｂの間に位置する
可動部２０（重錘部２１及びバネ部２２）は、その直下
に位置する酸化膜１３から離れて位置している。 【００２３】つまり、可動部２０は、酸化膜１３に固定
されたアンカー部２３ａ及び２３ｂの間にて、重錘部２
１及びバネ部２２が酸化膜１３上に懸架された形となっ
ている。 【００２４】また、バネ部２２は、２本の梁がその両端
で連結された矩形形状をなしており、梁の長手方向と直
交する方向に変位するバネ機能を有する。 【００２５】そして、このバネ部２２は、図１中の矢印
Ｘ方向の成分を含む加速度を受けたときに重錘部２１を
矢印Ｘ方向へ変位させるとともに、加速度の消失に応じ
て元の状態に復元させるようになっている。 【００２６】このように、可動部２０は、アンカー部２
３ａ及び２３ｂを固定点として、加速度の印加に応じて
上記矢印Ｘ方向へ変位可能になっている。 【００２７】また、重錘部２１は、バネ部２２の変位方
向（矢印Ｘ方向）と直交した方向にて、重錘部２１の両
側面から互いに反対方向へ一体的に櫛歯状に突出する複
数個の可動電極２４を備えている。尚、図１では、可動
電極２４は、重錘部２１の左側及び右側に各々３個ずつ
突出して形成されている。 【００２８】また、各可動電極２４は断面矩形の梁状に
形成されており、酸化膜１３から離れて（例えば、数μ
ｍ程度）位置している（図２参照）。 【００２９】このように、各可動電極２４は可動部２０
の一部として、バネ部２２及び重錘部２１と一体的に形
成され、重錘部２１とともにバネ部２２の変位方向へ変
位可能となっている。 【００３０】また、固定部３０、４０は、酸化膜１３に
おける対向辺部のうち、アンカー部２３ａ及び２３ｂが
支持されていないもう１組の対向辺部に支持されてい
る。 【００３１】ここで、固定部３０、４０は、重錘部２１
を挟んで２個設けられており、図１中の左側に位置する
第１の固定部３０と、図１中の右側に位置する第２の固
定部４０とよりなり、両固定部３０、４０は互いに電気
的に独立している。 【００３２】各固定部３０、４０は、配線部３１及び４
１と固定電極３２及び４２とを有した構成となってい
る。尚、配線部３１及び４１は、それぞれ、その直下に
位置する酸化膜１３に固定されて第１のシリコン層１１
に支持されている。 【００３３】固定電極３２及び４２は、バネ部の変位方
向（矢印Ｘ方向）と直交した方向にて、各配線部３１、
４１の側面から重錘部２１に向かって櫛歯状に突出し、
可動電極２４の櫛歯と噛み合うように配置されている。
尚、図１では、各固定電極３２、４２は、各配線部３
１、４１と一体的に３個ずつ設けられている。 【００３４】個々の固定電極３２及び４２は、断面矩形
の梁状に形成されており、配線部３１及び４１に片持ち
支持された状態で酸化膜１３から離れて（例えば、数μ
ｍ程度）位置している（図２参照）。 【００３５】そして、個々の固定電極３２及び４２は、
その側面が対応する個々の可動電極２４の側面と所定の
検出間隔を有して平行した状態で対向して配置されてい
る。 【００３６】また、各固定部３０、４０の各配線部３
１、４１上の所定領域には、それぞれワイヤボンディン
グ用の固定電極パッド３１ａ及び４１ａが形成されてお
り、一方のアンカー部２３ｂ上の所定領域には、ワイヤ
ボンディング用の可動電極パッド２０ａが形成されてい
る。尚、上記各電極パッド２０ａ、３１ａ、４１ａは、
例えばアルミニウムにより形成されている。 【００３７】また、図示しないが、本実施形態の半導体
式加速度センサＳ１は、第１のシリコン層１１の裏面
（酸化膜１３と反対側の面）側において、接着剤などを
介してパッケージに固定されている。 【００３８】このパッケージには、回路手段が収納され
ており、この回路手段と上記の各電極パッド２０ａ、３
１ａ、４１ａとは、金もしくはアルミニウムのワイヤボ
ンディングなどにより電気的に接続されている。 【００３９】このような構成において、第１の固定部３
０側の固定電極３２を第１の固定電極、第２の固定部４
０側の固定電極３４２を第２の固定電極とすると、第１
の固定電極３２と可動電極２４との検出間隔に第１の容
量ＣＳ１、第２の固定電極４２と可動電極２４との検出
間隔に第２の容量ＣＳ２が形成されている。 【００４０】そして、半導体式加速度センサＳ１に加速
度が印加されると、バネ部２２のバネ機能により、アン
カー部２３ａ及び２３ｂを支点として可動部２０全体が
一体的に矢印Ｘ方向へ変位し、可動電極２４の変位に応
じて上記検出間隔が変化し上記各容量ＣＳ１、ＣＳ２が
変化する。 【００４１】そして、可動電極２４と固定電極３２、４
２による差動容量（ＣＳ１−ＣＳ２）の変化に基づいて
印加加速度を検出するようになっている。 【００４２】次に、図３を参照して、本実施形態の半導
体式加速度センサＳ１の製造方法について説明する。
尚、この図３は、上記図２に対応した模式的断面にて、
本製造途中でのワークの状態を示す工程説明図である。 【００４３】まず、図３（ａ）に示されるように、第１
のシリコン層（第１の半導体層）１１の上に酸化膜（絶
縁層）１３を介して第２のシリコン層（第２の半導体
層）１２を積層してなるＳＯＩ基板（積層体）１０を用
意する。 【００４４】このＳＯＩ基板１０は、例えば、第１のシ
リコン層１１及び第２のシリコン層１２として表面の面
方位が（１００）面のシリコン単結晶を使用し、両シリ
コン層１１、１２が、膜厚１μｍ程度のシリコン酸化膜
（ＳｉＯ2）よりなる酸化膜１３を介して貼り合わされ
たものを採用することができる。 【００４５】さらに、Ａｌ（アルミニウム）を例えば１
μｍ程度蒸着し、フォト、エッチングを行い信号取り出
しのための電極パッド２０ａ、３１ａ、４１ａを形成す
る。尚、図３（ａ）中に電極パッド２０ａは図示されて
いない。 【００４６】続いて、図３（ｂ）に示されるように、酸
化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件でエッチン
グを行い、開口幅の広い第１のトレンチ（バネ部２２と
可動電極２４を画定するトレンチ）１４ａを、第２のシ
リコン層１２の表面から酸化膜１３に達するように形成
し、さらに、図３（ｃ）に示されるように、同様なエッ
チング条件でエッチングを行い、最も開口幅の狭い第２
のトレンチ（バネ部２２の枠中空部を画定するトレン
チ）１４ｂを、第２のシリコン層１２の表面から酸化膜
１３に達するように形成する（トレンチ形成工程）。
尚、この酸化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件
で行うエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発
振によって実現することができる。 【００４７】それにより、可動部２０及び固定部３０、
４０を画定するためのトレンチ１４を、第２のシリコン
層１２の表面から酸化膜１３に達するように形成するこ
とができる。 【００４８】具体的に説明すると、第２のシリコン層１
２の表面に、櫛歯形状を有する梁構造体２０、３０、４
０に対応したパターンを形成するマスク材５０を、フォ
トリソグラフ技術を用いてレジストなどにより形成し、
プラズマエッチングなどのドライエッチングにより垂直
に酸化膜１３までトレンチ形状を形成する。 【００４９】ドライエッチングとしては、ＣＦ4やＳＦ6
などのエッチングガスを用いたＩＣＰ（誘電結合型プラ
ズマ）や、上記と同様なエッチングガスを用いたＲＩＥ
（リアクティブイオンエッチング）などのエッチング方
法を採用することができる。 【００５０】続いて、図３（ｄ）に示されるように、上
記トレンチ形成工程の後、トレンチ１４の底部の酸化膜
１３の表面が帯電するとともに、トレンチ形成工程にお
けるエッチング速度よりも早いエッチング速度であるエ
ッチング条件でドライエッチングを行い、可動電極２４
を含む重錘部２１及びバネ部２２が酸化膜１３からリリ
ースされた可動部２０を形成する（可動部形成工程）。
尚、この酸化膜１３の表面が帯電するエッチング条件で
行うエッチングは、高周波ＲＦ電源を用いた連続発振に
よって実現することができる。 【００５１】また、この可動部形成工程では、固定部３
０、４０のうち固定電極３２、４２が酸化膜１３からリ
リースされる。 【００５２】尚、図３（ｄ）には、可動部２０のうちの
可動部２４、アンカー部２３ｂ、バネ部２２、固定部３
０、４０のうちの配線部３１、４１及び第２の固定電極
４２が示されている。 【００５３】この可動部形成工程のドライエッチングに
より、エッチングイオン（ＣＦ4やＳＦ6などがプラズマ
化したもの）によって、トレンチ１４の底部の酸化膜１
３表面が帯電する（通常は正に帯電する）。 【００５４】すると、帯電した酸化膜１３表面でエッチ
ングイオンが反発力を受けて、図３（ｃ）中の矢印Ｙ方
向に示されるように、横方向に曲げられる。 【００５５】それにより、図３（ｄ）に示されるよう
に、エッチングイオンがトレンチ１４の底部の横方向
（矢印Ｙ方向）に位置する第２のシリコン層１２へ当た
り、この横方向（矢印Ｙ方向）に位置する第２のシリコ
ン層１２がエッチングされて除去される。 【００５６】そして、酸化膜１３から浮いた状態の可動
部２０及び固定電極３２、４２が形成され、その後、エ
ッチングによりマスク材５０を除去することによって、
上記図１及び図２に示されるような半導体式加速度セン
サＳ１が完成する。 【００５７】このように、本実施形態では、トレンチ形
成工程は酸化膜１３の表面を帯電させないエッチング条
件でエッチングを行い、可動部形成工程は酸化膜１３の
表面を帯電させるエッチング条件でエッチングを行うこ
とを特徴としている。 【００５８】それによって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）
に示されるようなトレンチ形成工程において、最も開口
幅の狭い第２のトレンチ１４ｂが酸化膜１３に達するま
でのエッチング時間を、トレンチエッチングの全体のエ
ッチング時間に設定したとしても、トレンチ形成工程は
酸化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件でエッチ
ングを行っているため、開口幅の広い第１のトレンチ１
４ａにおいて、その底部がサイドエッチングされるノッ
チ現象の発生を防止することができる。 【００５９】その結果、図３（ｄ）に示されるように、
トレンチ形成工程後に、酸化膜１３の表面が帯電するエ
ッチング条件でエッチングを行い、可動電極２４を含む
重錘部２１及びバネ部２２及び固定電極３２、４２を酸
化膜１３からリリースする可動部形成工程を行ったとし
ても、バネ部２２における枠中空部側と可動電極２４と
で、トレンチ角度や酸化膜１３との間隔がばらつくこと
はない。 【００６０】よって、バネ部２２の加工ばらつきを低減
することができ、均一なバネ機能を得ることができるた
め、安定したセンサ特性を発揮することができる。 【００６１】尚、上記トレンチ形成工程は、全く酸化膜
１３の表面が帯電しないエッチング条件でなくとも、少
なくとも、バネ部２２にノッチ現象が発生しない程度の
エッチング条件にすればよいものである。 【００６２】ところで、上記可動部形成工程におけるド
ライエッチングは、第２のシリコン層１２を除去するエ
ッチング工程とトレンチ１４の内壁に保護膜を形成する
保護膜形成工程とを交互に繰り返しているが、この保護
膜形成工程において、可動部２０の裏面側に形成された
保護膜がマスクとなり、エッチング工程において、帯電
した酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイオン
が可動部２０の裏面側（酸化膜１３に対向する部位）に
当たることにより、可動部２０の裏面側には針状の突起
が形成されてしまう。 【００６３】そして、可動部２０の裏面側に突起が形成
されると、対向する可動部２０と酸化膜１３との距離が
狭くなったり、経時変化により可動部２０から突起が剥
がれ落ちて可動電部２０と酸化膜１３との間に挟まれる
たりする等により、当該対向間にて可動部２０と酸化膜
１３がスティッキング（付着）しやすくなる。 【００６４】このように、装置本来の機能に用いる可動
部２０がスティッキングを起こすと、可動部２０の変位
特性の変動や可動電極２４と固定電極３２、４２との対
向面積の変化（検出容量の変化）を生じるなど、センサ
の特性に悪影響を及ぼす。 【００６５】そこで、本実施形態では、トレンチ形成工
程におけるエッチング速度よりも可動部形成工程におけ
るエッチング速度を速くしていることを特徴としてい
る。 【００６６】上述のように、可動部形成工程におけるド
ライエッチングは、第２のシリコン層１２を除去するエ
ッチング工程とトレンチ１４の内壁に保護膜を形成する
保護膜形成工程とを交互に繰り返しているが、可動部形
成工程におけるエッチング速度を速くしたことにより、
保護膜形成工程において、可動部２０の裏面側にマスク
として形成される保護膜の形成量を低減することができ
る。 【００６７】それによって、エッチング工程において、
帯電した酸化膜１３の表面で跳ね返されたエッチングイ
オンを可動部２０の裏面側に当てたとしても、可動部２
０の裏面側には針状の突起が形成されず、可動部２０と
酸化膜１３とのスティッキングを抑制することができ
る。 【００６８】ここで、本発明者等の検討によれば、トレ
ンチ形成工程では異方性を持たせるために積極的に保護
膜を形成するような条件でエッチングしているため、垂
直なトレンチ１４を形成するトレンチ形成工程のエッチ
ング速度で可動部形成工程を行うと、ドライエッチング
における保護膜の形成量が多くなってしまい、可動部２
０の裏面には針状の突起が形成されることが分かってい
る。 【００６９】そのため、トレンチ形成工程で垂直なトレ
ンチ１４を形成するとともに、可動部形成工程で可動部
２０の裏面に針状の突起が形成されることを防止するた
めには、可動部形成工程におけるエッチング速度をトレ
ンチ形成工程におけるエッチング速度よりも速くする必
要がある。 【００７０】ここで、上記トレンチ形成工程における酸
化膜１３の表面が帯電しないエッチング条件及び上記可
動部形成工程における酸化膜１３の表面が帯電するエッ
チング条件については、米国特許第６，１８７，６８５
号に記載の方法を用いることができる。この公報に記載
の内容を以下に示す。 【００７１】まず、エッチング時に印加される周波数を
５ＭＨｚ以上、望ましくは１０ＭＨｚ以下に設定した場
合、ドライエッチングの際に供給されるエッチングイオ
ンと電子のうち、帯電を中和させる電子は電界方向に追
従して進行方向が変化するが、エッチングイオンの進行
方向は変化しないため、トレンチ底部には電子よりもエ
ッチングイオンが多量に供給され、酸化膜の表面を帯電
させることができる。 【００７２】そして、エッチング時に印加される周波数
を５ＭＨｚ以下、望ましくは６００Ｈｚ以下に設定した
場合、電子の進行方向だけでなく、エッチングイオンの
進行方向も電界方向に追従して変化するため、トレンチ
底部にはエッチングイオンと電子がほぼ同量供給され、
この供給された電子により酸化膜の表面の帯電を緩和す
ることができる。尚、この酸化膜の表面の帯電を緩和す
るエッチングは、低周波ＲＦ電源を用いたパルス発振に
よって実現している。 【００７３】よって、図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示す
トレンチ形成工程においては、エッチング時に印加され
る周波数を５ＭＨｚ以下、望ましくは６００Ｈｚ以下に
設定すると、酸化膜１３の表面が帯電しないエッチング
を実現することができ、図３（ｄ）に示す可動部形成工
程においては、エッチング時に印加される周波数を５Ｍ
Ｈｚ以上、望ましくは１０Ｈｚ以下に設定すると、酸化
膜１３の表面が帯電するエッチングを実現することがで
きる。 【００７４】尚、本発明は、上記実施形態に限られるも
のではなく、様々な態様に適用可能である。 【００７５】例えば、上記実施形態では、本発明を加速
度センサに適用したが、これに限られるものではなく、
角速度センサや圧力センサなどの半導体装置に適用する
ことができる。 【００７６】また、固定電極３２、４２は、酸化膜１３
からリリースされず酸化膜１３とつながった状態でも良
い。例えば、固定電極３２、４２における梁の幅を可動
電極２４よりも広くして、可動部形成工程のドライエッ
チング終了時に、固定電極に酸化膜１３と接続された残
し部を形成されるようにすれば良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体式加速度セン
サの全体平面構成を示す図である。 【図２】図１に示す半導体式加速度センサの模式的な部
分断面図である。 【図３】（ａ）から（ｅ）は、本発明の一実施形態の半
導体式加速度センサの製造方法を示す工程説明図であ
る。 【図４】従来の半導体式加速度センサにおける・・・を
示す図である。 【符号の説明】 Ｓ１…半導体式加速度センサ、 １０…ＳＯＩ基板（積層体）、 １１…第１のシリコン層（第１の半導体層）、 １２…第２のシリコン層（第２の半導体層）、 １３…酸化膜（絶縁層）、 １４…トレンチ、 １４ａ…第１のトレンチ、 １４ｂ…第２のトレンチ、 ２０…可動部、 ２０ａ…可動電極パッド、 ２１…重錘部、 ２２…バネ部、 ２３ａ、２３ｂ…アンカー部、 ２４…可動電極、 ３０…第１の固定部、 ３１、４１…配線部、 ３１ａ、４１ａ…固定電極パッド、 ３２…第１の固定電極、 ４０…第２の固定部、 ４２…第２の固定電極、 ５０…マスク材、 ＣＳ１…第１の容量、 ＣＳ２…第２の容量。
サの全体平面構成を示す図である。 【図２】図１に示す半導体式加速度センサの模式的な部
分断面図である。 【図３】（ａ）から（ｅ）は、本発明の一実施形態の半
導体式加速度センサの製造方法を示す工程説明図であ
る。 【図４】従来の半導体式加速度センサにおける・・・を
示す図である。 【符号の説明】 Ｓ１…半導体式加速度センサ、 １０…ＳＯＩ基板（積層体）、 １１…第１のシリコン層（第１の半導体層）、 １２…第２のシリコン層（第２の半導体層）、 １３…酸化膜（絶縁層）、 １４…トレンチ、 １４ａ…第１のトレンチ、 １４ｂ…第２のトレンチ、 ２０…可動部、 ２０ａ…可動電極パッド、 ２１…重錘部、 ２２…バネ部、 ２３ａ、２３ｂ…アンカー部、 ２４…可動電極、 ３０…第１の固定部、 ３１、４１…配線部、 ３１ａ、４１ａ…固定電極パッド、 ３２…第１の固定電極、 ４０…第２の固定部、 ４２…第２の固定電極、 ５０…マスク材、 ＣＳ１…第１の容量、 ＣＳ２…第２の容量。
フロントページの続き
(72)発明者 加納 一彦
愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会
社デンソー内
Ｆターム(参考） 4M112 AA02 BA07 CA21 CA22 CA24
CA25 DA03 DA15 DA18 EA03
EA06 EA11 FA20
5F004 AA03 BA04 BA20 DA01 DA18
DB01 EB08
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１の半導体層上に絶縁層を介して第２
の半導体層を積層してなる積層体と、前記第２の半導体
層に形成され力学量の印加に応じて変位可能な可動部と
を備える半導体装置の製造方法において、 前記積層体を用意し、前記第２の半導体層の表面から前
記絶縁層に達するように、前記可動部を画定するための
トレンチをエッチングにより形成するトレンチ形成工程
と、 前記トレンチ形成工程を実行した後に、エッチングを行
い、前記トレンチの底部の前記絶縁層の表面を帯電さ
せ、前記エッチングのイオンを前記トレンチの底部の横
方向に位置する前記第２の半導体層へ当てて当該横方向
に位置する前記第２の半導体層を除去することにより、
前記可動部を形成する可動部形成工程とを備え、 前記トレンチ形成工程におけるエッチング速度よりも前
記可動部形成工程におけるエッチング速度を速くしたこ
とをことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073960A JP2003273369A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
| US10/384,562 US6713403B2 (en) | 2002-03-18 | 2003-03-11 | Method for manufacturing semiconductor device |
| DE10310813A DE10310813A1 (de) | 2002-03-18 | 2003-03-12 | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073960A JP2003273369A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273369A true JP2003273369A (ja) | 2003-09-26 |
| JP2003273369A5 JP2003273369A5 (ja) | 2005-03-17 |
Family
ID=27800364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002073960A Pending JP2003273369A (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2003273369A (ja) |
| DE (1) | DE10310813A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4117450B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2008-07-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
| US7524767B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-04-28 | Delphi Technologies, Inc. | Method for manufacturing a micro-electro-mechanical structure |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2757941B1 (fr) | 1996-12-30 | 1999-01-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un element suspendu dans une structure micro-usinee |
| US6187685B1 (en) * | 1997-08-01 | 2001-02-13 | Surface Technology Systems Limited | Method and apparatus for etching a substrate |
| JP3307328B2 (ja) | 1998-05-11 | 2002-07-24 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサ |
| US6399516B1 (en) | 1998-10-30 | 2002-06-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Plasma etch techniques for fabricating silicon structures from a substrate |
-
2002
- 2002-03-18 JP JP2002073960A patent/JP2003273369A/ja active Pending
-
2003
- 2003-03-11 US US10/384,562 patent/US6713403B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-12 DE DE10310813A patent/DE10310813A1/de not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6713403B2 (en) | 2004-03-30 |
| DE10310813A1 (de) | 2003-10-02 |
| US20030176006A1 (en) | 2003-09-18 |
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