JP2003272929A - 平面トランス、多層基板およびスイッチング電源装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平面トランスの伝送効率を向上させ、且つ損
失を低減する。 【解決手段】 平面トランス１は、一次巻線と、平面的
に配置された導体によって形成された１ターンの第１の
二次巻線２１と、平面的に配置された導体によって形成
され、第１の二次巻線２１に対して絶縁層を介して重ね
合わされた１ターンの第２の二次巻線とを備えている。
第１の二次巻線２１の一端部には第１の出力端子部１５
が接続され、第２の二次巻線の一端部に第２の出力端子
部１６が接続され、第１の二次巻線２１の他端部および
第２の二次巻線の他端部には第３の出力端子部１７が接
続されている。第１の出力端子部１５と第２の出力端子
部１６は、両者の間に第３の出力端子部１７が配置され
ることなく、第１の二次巻線２１の面および第２の二次
巻線の面に平行な方向に沿って、互いに隣接するように
配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、センタータップを
有する平面トランス、平面トランスの少なくとも一部を
含む多層基板、および平面トランスを含むスイッチング
電源装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】スイッチング電源は、例えばＩＣ（集積
回路）を含むような種々の電子機器に使用されている。
絶縁型のスイッチング電源はトランスを含んでいる。近
年、ＩＣの集積度の増大に伴うＩＣの動作電圧の低下、
大電流化等により、スイッチング電源には小型化、高効
率化と共に大電流化が求められている。そのため、スイ
ッチング電源に使用されるトランスにも、小型化、伝送
効率の向上および損失の低減が求められている。最近
は、トランスの小型化のために、ワイヤーをボビンに巻
回して構成された巻線型コイルに代わって、プリントコ
イルや平面コイルが用いられるようになってきた。プリ
ントコイルは、例えば、それぞれ、両面にパターン化導
体よりなるコイルが形成された複数の両面プリント基板
を、絶縁層を介して積層して構成されたものである。ま
た、平面コイルは、例えば、コイル形状に打ち抜かれた
複数の薄い銅板を、絶縁層を介して積み重ねて構成され
たものである。更に、最近は、スイッチング電源におけ
るスイッチング周波数を高くして、トランスに用いられ
るコアにおける最大磁束密度を下げることによって、コ
アを小型化することも図られている。

【０００３】ところで、スイッチング電源における出力
電流の増大は、トランスにおいて、巻線による損失であ
る銅損を増大させる。また、スイッチング電源における
スイッチング周波数の上昇は、表皮効果の影響により、
トランスのコイルを構成する導体の交流抵抗の増大を引
き起こす。そのため、これも上記銅損を増大させる。更
に、スイッチング電源における出力電流の増大とスイッ
チング周波数の上昇は、トランスの二次巻線に接続され
るパターン化導体における損失も増大させる。

【０００４】トランスにおける銅損を低減させる技術と
して、特開平５−２２６１５５号公報には、コイルの巻
線の各ターン毎の部分の幅を、中心から遠ざかるに従っ
て増大させることによって、コイル全体の抵抗値を下げ
る技術が開示されている。また、特開平４−５８０８号
公報には、平面コイルの厚さを、この平面コイルを構成
する導体のスキンディプス（表皮効果による表皮の厚
さ）の〔π×０．４〕倍以上、〔π×０．６〕倍以下と
することによって、一次コイルと二次コイルとを含むコ
イル部の損失を低減する技術が開示されている。

【０００５】また、特開平４−７３９１１号公報には、
銅箔を用いた一次巻線および二次巻線を交互に配置した
高周波用トランスが開示されている。この高周波用トラ
ンスでは、電流の流れる方向が互いに逆になる一次巻線
と二次巻線とを交互に配置することで、近接効果の影響
が低減され、銅損が低減される。

【０００６】ところで、ＩＣの動作電圧の低下、大電流
化により、スイッチング電源では、出力の低電圧化およ
び大電流化が求められるようになってきた。そのため、
スイッチング電源に用いられるトランスでは、二次巻線
の巻数は少なくなり、１ターンとされることも多くなっ
てきた。

【０００７】例えば、特開平１１−３５４３４２号公報
には、２つの１ターンの低圧側コイルと、この２つの低
圧側コイルを挟むように配置された一対の高圧側コイル
とを有するトランスが開示されている。このトランスに
おいて、高圧側コイルは一次巻線に相当し、低圧側コイ
ルは二次巻線に相当する。この公報に示されたトランス
では、２つの低圧側コイルが直列に接続され、その接続
部はセンタータップととして外部の回路に接続されるよ
うになっている。また、２つの低圧側コイルにおいて、
センタータップとなる端部とは反対側の端部には、それ
ぞれ、外部の回路に接続される出力端子が設けられてい
る。また、センタータップには端子が接続され、この端
子は２つの出力端子の間に配置されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前述のように二次巻線
の巻数が少なくなると、二次巻線の巻線部分のみなら
ず、二次巻線をトランスの外部の回路へ接続するための
接続部分の構造が、トランス全体の特性に与える影響が
大きくなってくる。

【０００９】例えば、特開平１１−３５４３４２号公報
に示されたトランスでは、直列に接続された２つの低圧
側コイルは、２つの出力端子の間で２ターンの巻線を構
成するのが理想的である。しかしながら、このトランス
では、センタータップに接続された端子が２つの出力端
子の間に配置されているため、センタータップに接続さ
れた端子を配置するためのスペースの分だけ、２つの出
力端子の間の距離が大きくなっている。そのため、この
トランスでは、直列に接続された２つの低圧側コイルは
完全な２ターンの巻線を構成していない。その結果、こ
のトランスでは、２つの低圧側コイルにおいて、磁束の
漏れに起因する漏れインダクタンスが大きくなり、この
ことが、トランスの伝送効率を低下させるという問題点
がある。

【００１０】また、特開平１１−３５４３４２号公報に
示されたトランスでは、前述のように、２つの低圧側コ
イルは完全な２ターンの巻線を構成していない。そのた
め、このトランスでは、電流の流れる方向が互いに逆に
なる高圧側コイルと低圧側コイルとを積層しても、近接
効果の影響を十分に低減することができず、その結果、
トランスにおける損失を十分に低減することができない
という問題点がある。

【００１１】従来、特開平５−２２６１５５号公報や特
開平４−５８０８号公報や特開平４−７３９１１号公報
に示されるように、コイルの巻線部分における損失を低
減する技術は提案されていた。しかしながら、従来は、
トランスの二次巻線における接続部分の構造がトランス
の特性に与える影響については考慮されていなかった。

【００１２】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、伝送効率を向上でき、且つ損失を低
減できるようにした平面トランス、この平面トランスの
少なくとも一部を含む多層基板、および平面トランスを
含むスイッチング電源装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の平面トランス
は、一次巻線と、平面的に配置された導体によって形成
された第１の二次巻線と、第１の二次巻線に対して、第
１の二次巻線の厚さ方向に隣接するように配置された絶
縁層と、平面的に配置された導体によって形成され、第
１の二次巻線に対して絶縁層を介して重ね合わされた第
２の二次巻線と、第１の二次巻線の一端部に接続された
第１の端子部と、第２の二次巻線の一端部に接続された
第２の端子部と、第１の二次巻線の他端部および第２の
二次巻線の他端部に接続された第３の端子部とを備え、
第１の端子部と第２の端子部は、両者の間に第３の端子
部が配置されることなく、第１の二次巻線の面および第
２の二次巻線の面に平行な方向に沿って、互いに隣接す
るように配置されているものである。

【００１４】本発明の平面トランスでは、第１の端子部
と第２の端子部は、両者の間に第３の端子部が配置され
ることなく、第１の二次巻線の面および第２の二次巻線
の面に平行な方向に沿って、互いに隣接するように配置
されている。これにより、第１の端子部と第２の端子部
の間に第３の端子部が配置される場合に比べて、第１お
よび第２の二次巻線における漏れインダクタンスが小さ
くなると共に、平面トランスにおける損失が低減され
る。

【００１５】本発明の平面トランスにおいて、第３の端
子部は、第１の端子部および第２の端子部よりも、第１
の二次巻線および第２の二次巻線の内周部に近い位置に
配置されていてもよい。

【００１６】また、本発明の平面トランスにおいて、第
３の端子部は、第１の二次巻線の面および第２の二次巻
線の面に平行な方向に沿って、第２の端子部に隣接する
ように配置され、第２の二次巻線の一端部は、第１の端
子部および第２の端子部よりも、第１の二次巻線および
第２の二次巻線の内周部に近い位置に配置され、平面ト
ランスは、更に、第２の二次巻線の一端部と第２の端子
部とを接続する端子接続部を備えていてもよい。

【００１７】また、本発明の平面トランスは、厚さ方向
に積層された複数組の絶縁層、第１の二次巻線および第
２の二次巻線を備え、複数の第１の二次巻線同士は並列
に接続され、複数の第２の二次巻線同士は並列に接続さ
れていてもよい。

【００１８】本発明の多層基板は、本発明の平面トラン
スのうちの少なくとも第１の二次巻線、絶縁層、第２の
二次巻線、第１の端子部、第２の端子部および第３の端
子部を含み、スイッチング電源装置を構成するために用
いられるものである。本発明の多層基板は、複数の第１
の整流素子が搭載される複数の第１の整流素子搭載部
と、複数の第２の整流素子が搭載される複数の第２の整
流素子搭載部とを備え、第１の整流素子搭載部と第２の
整流素子搭載部は、多層基板の面に平行な方向に沿って
交互に配置されている。本発明の多層基板は、更に、複
数の第１の整流素子搭載部に搭載される複数の第１の整
流素子と第１の端子部とを接続するための第１の接続部
を含む第１の接続層と、複数の第２の整流素子搭載部に
搭載される複数の第２の整流素子と第２の端子部とを接
続するための第２の接続部を含む第２の接続層とを備え
ている。

【００１９】本発明の多層基板では、第１の端子部と第
２の端子部は、両者の間に第３の端子部が配置されるこ
となく、第１の二次巻線の面および第２の二次巻線の面
に平行な方向に沿って、互いに隣接するように配置され
ている。これにより、第１の端子部と第２の端子部の間
に第３の端子部が配置される場合に比べて、第１の接続
部および第２の接続部において、第１の接続部および第
２の接続部を流れる電流の交流成分の方向が一つの方向
のみとなる領域の長さが短くなる。その結果、第１の接
続部および第２の接続部における損失が低減される。

【００２０】本発明の多層基板において、第３の端子部
は、第１の二次巻線の面および第２の二次巻線の面に平
行な方向に沿って、第２の端子部に隣接するように配置
され、第２の二次巻線の一端部は、第１の端子部および
第２の端子部よりも、第１の二次巻線および第２の二次
巻線の内周部に近い位置に配置され、多層基板は、更
に、第２の二次巻線の一端部と第２の端子部とを接続す
る端子接続部を備えていてもよい。

【００２１】また、本発明の多層基板は、厚さ方向に積
層された複数組の絶縁層、第１の二次巻線および第２の
二次巻線を備え、複数の第１の二次巻線同士は並列に接
続され、複数の第２の二次巻線同士は並列に接続されて
いてもよい。

【００２２】また、本発明の多層基板において、第１の
接続層と第２の接続層は、多層基板の厚さ方向に交互に
配置されていてもよい。

【００２３】本発明のスイッチング電源装置は、本発明
の平面トランスと、入力直流電圧を交流電圧に変換し、
この交流電圧を平面トランスの一次巻線に供給するスイ
ッチング回路と、平面トランスの第１の二次巻線および
第２の二次巻線より出力される交流電圧を整流する整流
回路とを備え、整流回路は、第１の端子部に接続される
複数の第１の整流素子と、第２の端子部に接続される複
数の第２の整流素子とを含むものである。

【００２４】また、本発明のスイッチング電源装置は、
平面トランスのうちの少なくとも第１の二次巻線、絶縁
層、第２の二次巻線、第１の端子部、第２の端子部およ
び第３の端子部を含む多層基板を備えている。多層基板
は、複数の第１の整流素子が搭載される複数の第１の整
流素子搭載部と、複数の第２の整流素子が搭載される複
数の第２の整流素子搭載部とを有し、第１の整流素子搭
載部と第２の整流素子搭載部は、多層基板の面に平行な
方向に沿って交互に配置されている。多層基板は、更
に、複数の第１の整流素子搭載部に搭載される複数の第
１の整流素子と第１の端子部とを接続するための第１の
接続部を含む第１の接続層と、複数の第２の整流素子搭
載部に搭載される複数の第２の整流素子と第２の端子部
とを接続するための第２の接続部を含む第２の接続層と
を有している。

【００２５】本発明のスイッチング電源装置において、
第３の端子部は、第１の二次巻線の面および第２の二次
巻線の面に平行な方向に沿って、第２の端子部に隣接す
るように配置され、第２の二次巻線の一端部は、第１の
端子部および第２の端子部よりも、第１の二次巻線およ
び第２の二次巻線の内周部に近い位置に配置され、多層
基板は、更に、第２の二次巻線の一端部と第２の端子部
とを接続する端子接続部を有していてもよい。

【００２６】また、本発明のスイッチング電源装置にお
いて、多層基板は、厚さ方向に積層された複数組の絶縁
層、第１の二次巻線および第２の二次巻線を有し、複数
の第１の二次巻線同士は並列に接続され、複数の第２の
二次巻線同士は並列に接続されていてもよい。

【００２７】また、本発明のスイッチング電源装置にお
いて、第１の接続層と第２の接続層は、多層基板の厚さ
方向に交互に配置されていてもよい。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。 ［第１の実施の形態］始めに、図１および図２を参照し
て、本発明の第１の実施の形態に係る平面トランスの構
成の概略について説明する。図１は本実施の形態に係る
平面トランスの平面図、図２は本実施の形態に係る平面
トランスの正面図である。

【００２９】本実施の形態に係る平面トランス１は、そ
れぞれ平面的に配置された導体によって形成された一次
巻線と二次巻線とを備えている。また、平面トランス１
は、複数の導体層と複数の絶縁層が交互に積層されて構
成された積層体１０と、この積層体１０に装着されたＥ
型のコア２Ａ，２Ｂとを備えている。積層体１０の中央
部には、積層体１０を厚さ方向に貫通する孔１０ａが形
成されている。コア２Ａ，２Ｂは、中央の凸部同士が孔
１０ａを通って突き合わされるように配置されている。

【００３０】積層体１０は端子領域１１，１２を有して
いる。端子領域１１，１２は、互いに反対側の位置に配
置され、且つコア２Ａ，２Ｂの外側に配置されている。
端子領域１１には一次巻線に接続された入力端子部１
３，１４が設けられている。入力端子部１３，１４は、
それぞれスルーホール１３ａ，１４ａを有している。ス
ルーホール１３ａ，１４ａには、それぞれ導体からなる
端子部材１３ｂ，１４ｂが挿入されている。端子領域１
２には二次巻線に接続された第１の出力端子部１５、第
２の出力端子部１６および第３の出力端子部１７が設け
られている。

【００３１】第１の出力端子部１５と第２の出力端子部
１６は、積層体１０の面に平行な方向に沿って、互いに
隣接するように配置されている。第３の出力端子部１７
は、出力端子部１５，１６よりも、積層体１０の孔１０
ａに近い位置に配置されている。出力端子部１５，１
６，１７は、それぞれスルーホール１５ａ，１６ａ，１
７ａを有している。スルーホール１５ａ，１６ａには、
それぞれ導体からなる端子部材１５ｂ，１６ｂが挿入さ
れている。スルーホール１７ａには、導体からなるバス
バー１７ｂが挿入されている。コア２Ａ，２Ｂは、第３
の出力端子部１７の上側および下を覆わない形状になっ
ている。

【００３２】積層体１０は、Ｓ１１層、Ｓ１２層、Ｐ１
１層、Ｐ１２層の４種類の導体層と、隣接する導体層の
間に配置された絶縁層３０とを有している。４種類の導
体層は、それぞれ箔状を含む平板状の導体によって形成
されている。

【００３３】図３はＳ１１層とその下の絶縁層３０とを
示す平面図、図４はＳ１２層とその下の絶縁層３０とを
示す平面図、図５はＰ１１層とその下の絶縁層３０とを
示す平面図、図６はＰ１２層とその下の絶縁層３０とを
示す平面図である。

【００３４】図３に示したように、Ｓ１１層は、平面的
に配置された導体によって形成された１ターンの第１の
二次巻線２１と、それぞれスルーホール１３ａ，１４
ａ，１６ａに接続された端子層３３，３４，３６を有し
ている。第１の二次巻線２１の一端部は、スルーホール
１５ａを有する第１の出力端子部１５に接続されてい
る。第１の二次巻線２１の他端部は、スルーホール１７
ａを有する第３の出力端子部１７に接続されている。第
１の二次巻線２１は、一端部から他端部にかけて反時計
回り方向に巻回されている。

【００３５】図４に示したように、Ｓ１２層は、平面的
に配置された導体によって形成された１ターンの第２の
二次巻線２２と、それぞれスルーホール１３ａ，１４
ａ，１５ａに接続された端子層３３，３４，３５を有し
ている。第２の二次巻線２２の一端部は、スルーホール
１６ａを有する第２の出力端子部１６に接続されてい
る。第２の二次巻線２２の他端部は、スルーホール１７
ａを有する第３の出力端子部１７に接続されていると共
に、スルーホール１７ａを介して第１の二次巻線２１の
他端部に接続されている。このようにして、第１の二次
巻線２１と第２の二次巻線２２は直列に接続されてい
る。第１の二次巻線２１と第２の二次巻線２２の接続部
はセンタータップとなる。第２の二次巻線２２は、一端
部から他端部にかけて時計回り方向に巻回されている。

【００３６】図５に示したように、Ｐ１１層は、平面的
に配置された導体によって形成された２ターンの巻線２
３と、それぞれスルーホール１３ａ，１５ａ，１６ａに
接続された端子層３３，３５，３６を有している。巻線
２３の一端部は、スルーホール１４ａを有する入力端子
部１４に接続されている。巻線２３の内側の１ターン分
の巻線部分における両端部の位置には、スルーホール２
５，２６が設けられている。巻線２３は、内側の端部か
ら外側の端部にかけて時計回り方向に巻回されている。

【００３７】図６に示したように、Ｐ１２層は、平面的
に配置された導体によって形成された２ターンの巻線２
４と、それぞれスルーホール１４ａ，１５ａ，１６ａに
接続された端子層３４，３５，３６を有している。巻線
２４の一端部は、スルーホール１３ａを有する入力端子
部１３に接続されている。巻線２４の内側の１ターン分
の巻線部分における両端部は、それぞれスルーホール２
５，２６に接続されている。巻線２４は、内側の端部か
ら外側の端部にかけて反時計回り方向に巻回されてい
る。

【００３８】後で説明するように、Ｐ１１層とＰ１２層
は、１つの絶縁層３０を介して隣接するように配置され
る。スルーホール２５，２６は、Ｐ１１層とＰ１２層の
間に配置された絶縁層３０にのみ形成されている。

【００３９】巻線２３の内側の１ターン分の巻線部分と
巻線２４の内側の１ターン分の巻線部分は、スルーホー
ル２５，２６によって並列に接続されている。従って、
巻線２３，２４によって３ターンの一次巻線が構成され
ている。

【００４０】積層体１０は１２層の導体層を有してい
る。この１２層の導体層を、積層体１０の一方の面側か
ら順に、第１層、第２層、第３層、…、第１１層、第１
２層と呼ぶ。図３に示したＳ１１層は第１層、第５層お
よび第９層に用いられている。図４に示したＳ１２層は
第４層、第８層および第１２層に用いられている。図５
に示したＰ１１層は第２層、第６層および第１０層に用
いられている。図６に示したＰ１２層は第３層、第７層
および第１１層に用いられている。このような配置によ
り、電流の流れる方向が互いに逆になる一次巻線と二次
巻線が厚さ方向に交互に配置されることになる。これに
より、近接効果の影響を低減することができる。

【００４１】本実施の形態では、第１の二次巻線２１お
よび第２の二次巻線２２と、これらの間の絶縁層３０
は、３組設けられている。３つの第１の二次巻線２１同
士はスルーホール１５ａ，１７ａを介して並列に接続さ
れ、３つの第２の二次巻線２２同士はスルーホール１６
ａ，１７ａを介して並列に接続されている。

【００４２】各導体層は、例えば、絶縁基板の両面に導
体層が形成された両面プリント基板における各導体層を
エッチングすることによって形成してもよいし、導体板
を打ち抜いて形成してもよい。また、各導体層は、スパ
ッタ法等の薄膜形成技術によって形成してもよい。

【００４３】以上説明したように、本実施の形態では、
第１の二次巻線２１と第２の二次巻線２２は、絶縁層３
０を介して重ね合わされている。第１の二次巻線２１の
一端部には第１の出力端子部１５が接続され、第２の二
次巻線２２の一端部には第２の出力端子部１６が接続さ
れている。第１の二次巻線２１の他端部および第２の二
次巻線２２の他端部は、第３の出力端子部１７に接続さ
れている。

【００４４】図１に示したように、第１の出力端子部１
５と第２の出力端子部１６は、両者の間に第３の出力端
子部１７が配置されることなく、第１の二次巻線２１の
面および第２の二次巻線２２の面に平行な方向に沿っ
て、互いに隣接するように配置されている。第３の出力
端子部１７は、第１の出力端子部１５および第２の出力
端子部１６よりも、第１の二次巻線２１および第２の二
次巻線２２の内周部に近い位置に配置されている。

【００４５】本実施の形態によれば、第１の出力端子部
１５と第２の出力端子部１６の間に第３の出力端子部１
７が配置される場合に比べて、第１の出力端子部１５と
第２の出力端子部１６の間の距離を短くすることができ
る。従って、本実施の形態によれば、第１の二次巻線２
１と第２の二次巻線２２とで、完全に近い２ターンの巻
線を形成することができる。その結果、本実施の形態に
よれば、第１の二次巻線２１および第２の二次巻線２２
における漏れインダクタンスを小さくすることができ
る。これにより、本実施の形態によれば、トランス１に
おける伝送効率を向上させることができる。

【００４６】また、本実施の形態によれば、第１の二次
巻線２１と第２の二次巻線２２とで、完全に近い２ター
ンの巻線を形成することができる。従って、本実施の形
態によれば、電流の流れる方向が互いに逆になる一次巻
線と二次巻線とを交互に配置することによって、近接効
果の影響を十分に低減することが可能になる。これによ
り、本実施の形態によれば、高周波電流に対するトラン
ス１の交流抵抗を低減して、トランス１における損失を
低減することができる。

【００４７】［第２の実施の形態］次に、図７および図
８を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る平面ト
ランスの構成の概略について説明する。図７は本実施の
形態に係る平面トランスの平面図、図８は本実施の形態
に係る平面トランスの正面図である。

【００４８】本実施の形態に係る平面トランス４１は、
それぞれ平面的に配置された導体によって形成された一
次巻線と二次巻線とを備えている。また、平面トランス
４１は、複数の導体層と複数の絶縁層が交互に積層され
て構成された積層体５０と、この積層体５０に装着され
たＥ型のコア４２Ａ，４２Ｂとを備えている。積層体５
０の中央部には、積層体５０を厚さ方向に貫通する孔５
０ａが形成されている。コア４２Ａ，４２Ｂは、中央の
凸部同士が孔５０ａを通って突き合わされるように配置
されている。

【００４９】積層体５０は端子領域５１，５２を有して
いる。端子領域５１，５２は、互いに反対側の位置に配
置され、且つコア４２Ａ，４２Ｂの外側に配置されてい
る。端子領域５１には一次巻線に接続された入力端子部
５３，５４が設けられている。入力端子部５３，５４
は、それぞれスルーホール５３ａ，５４ａを有してい
る。スルーホール５３ａ，５４ａには、それぞれ導体か
らなる端子部材５３ｂ，５４ｂが挿入されている。端子
領域５２には二次巻線に接続された第１の出力端子部５
５、第２の出力端子部５６および第３の出力端子部５７
が設けられている。

【００５０】第１の出力端子部５５と第２の出力端子部
５６は、積層体５０の面に平行な方向に沿って、互いに
隣接するように配置されている。第３の出力端子部５７
は、第２の出力端子部５６における第１の出力端子部５
５とは反対側に配置されている。出力端子部５５，５
６，５７は、それぞれスルーホール５５ａ，５６ａ，５
７ａを有している。スルーホール５５ａ，５６ａ，５７
ａには、それぞれ導体からなる端子部材５５ｂ，５６
ｂ，５７ｂが挿入されている。

【００５１】積層体５０は、Ｓ２１層、Ｓ２２層、Ｐ２
１層、Ｐ２２層の４種類の導体層と、隣接する導体層の
間に配置された絶縁層７０とを有している。４種類の導
体層は、それぞれ箔状を含む平板状の導体によって形成
されている。

【００５２】図９はＳ２１層とその下の絶縁層７０とを
示す平面図、図１０はＳ２２層とその下の絶縁層７０と
を示す平面図、図１１はＰ２１層とその下の絶縁層７０
とを示す平面図、図１２はＰ２２層とその下の絶縁層７
０とを示す平面図である。

【００５３】図９に示したように、Ｓ２１層は、平面的
に配置された導体によって形成された１ターンの第１の
二次巻線６１と、それぞれスルーホール５３ａ，５４ａ
に接続された端子層７３，７４と、スルーホール５６ａ
に接続された端子接続部６７を有している。第１の二次
巻線６１の一端部は、スルーホール５５ａを有する第１
の出力端子部５５に接続されている。第１の二次巻線６
１の他端部は、スルーホール５７ａを有する第３の端子
部５７に接続されている。第１の二次巻線６１は、一端
部から他端部にかけて反時計回り方向に巻回されてい
る。端子接続部６７は、スルーホール５６ａが配置され
た位置から孔５０ａの近傍にかけて形成されている。端
子接続部６７における孔５０ａの近傍の位置には、スル
ーホール６８が設けられている。このスルーホール６８
は、積層体５０を貫通するように形成されている。

【００５４】図１０に示したように、Ｓ２２層は、平面
的に配置された導体によって形成された１ターンの第２
の二次巻線６２と、それぞれスルーホール５３ａ，５４
ａ，５５ａ，５６ａに接続された端子層７３，７４，７
５，７６を有している。第２の二次巻線６２の一端部
は、スルーホール６８に接続され、このスルーホール６
８を介して、図９に示した端子接続部６７に接続されて
いる。端子接続部６７はスルーホール５６ａを有する第
２の出力端子部５６に接続されている。従って、第２の
二次巻線６２の一端部は、スルーホール６８および端子
接続部６７を介して第２の出力端子部５６に接続されて
いる。第２の二次巻線６２の他端部は、スルーホール５
７ａを有する第３の端子部５７に接続されていると共
に、スルーホール５７ａを介して第１の二次巻線６１の
他端部に接続されている。このようにして、第１の二次
巻線６１と第２の二次巻線６２は直列に接続されてい
る。第２の二次巻線６２は、一端部から他端部にかけて
時計回り方向に巻回されている。

【００５５】図１１に示したように、Ｐ２１層は、平面
的に配置された導体によって形成された２ターンの巻線
６３と、それぞれスルーホール５３ａ，５５ａ，５６
ａ，５７ａに接続された端子層７３，７５，７６，７７
を有している。巻線６３の一端部は、スルーホール５４
ａを有する入力端子部５４に接続されている。巻線６３
の内側の１ターン分の巻線部分における両端部の位置に
は、スルーホール６５，６６が設けられている。巻線６
３は、内側の端部から外側の端部にかけて時計回り方向
に巻回されている。

【００５６】図１２に示したように、Ｐ２２層は、平面
的に配置された導体によって形成された２ターンの巻線
６４と、それぞれスルーホール５４ａ，５５ａ，５６ａ
に接続された端子層７４，７５，７６を有している。巻
線６４の一端部は、スルーホール５３ａを有する入力端
子部５３に接続されている。巻線６４の内側の１ターン
分の巻線部分における両端部は、それぞれスルーホール
６５，６６に接続されている。巻線６４は、内側の端部
から外側の端部にかけて反時計回り方向に巻回されてい
る。

【００５７】後で説明するように、Ｐ２１層とＰ２２層
は、１つの絶縁層７０を介して隣接するように配置され
る。スルーホール６５，６６は、Ｐ２１層とＰ２２層の
間に配置された絶縁層７０にのみ形成されている。

【００５８】巻線６３の内側の１ターン分の巻線部分と
巻線６４の内側の１ターン分の巻線部分は、スルーホー
ル６５，６６によって並列に接続されている。従って、
巻線６３，６４によって３ターンの一次巻線が構成され
ている。

【００５９】積層体５０は１２層の導体層を有してい
る。この１２層の導体層を、積層体５０の一方の面側か
ら順に、第１層、第２層、第３層、…、第１１層、第１
２層と呼ぶ。図９に示したＳ２１層は第１層、第５層お
よび第９層に用いられている。図１０に示したＳ２２層
は第４層、第８層および第１２層に用いられている。図
１１に示したＰ２１層は第２層、第６層および第１０層
に用いられている。図１２に示したＰ２２層は第３層、
第７層および第１１層に用いられている。

【００６０】従って、本実施の形態では、第１の二次巻
線６１および第２の二次巻線６２と、これらの間の絶縁
層７０は、３組設けられている。３つの第１の二次巻線
６１同士はスルーホール５５ａ，５７ａを介して並列に
接続され、３つの第２の二次巻線６２同士はスルーホー
ル５６ａ，５７ａを介して並列に接続されている。

【００６１】各導体層は、例えば、絶縁基板の両面に導
体層が形成された両面プリント基板における各導体層を
エッチングすることによって形成してもよいし、導体板
を打ち抜いて形成してもよい。また、各導体層は、スパ
ッタ法等の薄膜形成技術によって形成してもよい。

【００６２】以上説明したように、本実施の形態では、
第１の二次巻線６１と第２の二次巻線６２は、絶縁層７
０を介して重ね合わされている。第１の二次巻線６１の
一端部には第１の出力端子部５５が接続され、第２の二
次巻線６２の一端部には第２の出力端子部５６が接続さ
れている。第１の二次巻線６１の他端部および第２の二
次巻線６２の他端部は第３の端子部５７に接続されてい
る。

【００６３】図７に示したように、第１の出力端子部５
５と第２の出力端子部５６は、両者の間に第３の出力端
子部５７が配置されることなく、第１の二次巻線６１の
面および第２の二次巻線６２の面に平行な方向に沿っ
て、互いに隣接するように配置されている。第３の出力
端子部５７は、第１の二次巻線６１の面および第２の二
次巻線６２の面に平行な方向に沿って、第２の出力端子
部５６に隣接するように配置されている。また、第２の
二次巻線６２の一端部は、第１の出力端子部５５および
第２の出力端子部５６よりも、第１の二次巻線６１およ
び第２の二次巻線６２の内周部に近い位置に配置されて
いる。第２の二次巻線６２の一端部と第２の出力端子部
５６とは、第１の二次巻線６１と同一平面上に配置され
た端子接続部６７によって接続されている。

【００６４】本実施の形態では、第３の出力端子部５７
が第２の出力端子部５６に隣接するように配置されてい
るので、第１の実施の形態に比べて、第３の出力端子部
５７に対する他の回路の接続が容易になる。本実施の形
態におけるその他の作用および効果は、第１の実施の形
態と同様である。

【００６５】ここで、第１の実施の形態に係る平面トラ
ンスおよび第２の実施の形態に係る平面トランスとの比
較のための比較例を挙げる。この比較例の平面トランス
の構成について、図１３ないし図１７を参照して説明す
る。

【００６６】図１３は比較例のトランスの平面図であ
る。比較例の平面トランス１０１は、それぞれ平面的に
配置された導体によって形成された一次巻線と二次巻線
とを備えている。また、比較例の平面トランス１０１
は、複数の導体層と複数の絶縁層が交互に積層されて構
成された積層体１１０と、この積層体１１０に装着され
た２つのＥ型のコア１０２とを備えている。積層体１１
０の中央部には、積層体１１０を厚さ方向に貫通する孔
１１０ａが形成されている。２つのコア１０２は、中央
の凸部同士が孔１１０ａを通って突き合わされるように
配置されている。

【００６７】積層体１１０は端子領域１１１，１１２を
有している。端子領域１１１，１１２は、互いに反対側
の位置に配置され、且つコア１０２の外側に配置されて
いる。端子領域１１１には一次巻線に接続された入力端
子部１１３，１１４が設けられている。入力端子部１１
３，１１４は、それぞれスルーホール１１３ａ，１１４
ａを有している。端子領域１１２には二次巻線に接続さ
れた第１の出力端子部１１５、第２の出力端子部１１６
および第３の出力端子部１１７が設けられている。

【００６８】第３の出力端子部１１７は、出力端子部１
１５，１１６の間に配置されている。出力端子部１１
５，１１６，１１７は、それぞれスルーホール１１５
ａ，１１６ａ，１１７ａを有している。

【００６９】積層体１１０は、Ｓ３１層、Ｓ３２層、Ｐ
３１層、Ｐ３２層の４種類の導体層と、隣接する導体層
の間に配置された絶縁層１３０とを有している。４種類
の導体層は、それぞれ箔状を含む平板状の導体によって
形成されている。

【００７０】図１４はＳ３１層とその下の絶縁層１３０
とを示す平面図、図１５はＳ３２層とその下の絶縁層１
３０とを示す平面図、図１６はＰ３１層とその下の絶縁
層１３０とを示す平面図、図１７はＰ３２層とその下の
絶縁層１３０とを示す平面図である。

【００７１】図１４に示したように、Ｓ３１層は、１タ
ーンの第１の二次巻線１２１と、それぞれスルーホール
１１３ａ，１１４ａ，１１６ａに接続された端子層１３
３，１３４，１３６を有している。第１の二次巻線１２
１の一端部は、スルーホール１１５ａを有する第１の出
力端子部１１５に接続されている。第１の二次巻線１２
１の他端部は、スルーホール１１７ａを有する第３の出
力端子部１１７に接続されている。第１の二次巻線１２
１は、一端部から他端部にかけて反時計回り方向に巻回
されている。

【００７２】図１５に示したように、Ｓ３２層は、平面
的に配置された導体によって形成された１ターンの第２
の二次巻線１２２と、それぞれスルーホール１１３ａ，
１１４ａ，１１５ａに接続された端子層１３３，１３
４，１３５を有している。第２の二次巻線１２２の一端
部は、スルーホール１１６ａに接続され、このスルーホ
ール１１６ａを介して第２の出力端子部１１６に接続さ
れている。第２の二次巻線１２２の他端部は、スルーホ
ール１１７ａを有する第３の出力端子部１１７に接続さ
れていると共に、このスルーホール１１７ａを介して第
１の二次巻線１２１の他端部に接続されている。このよ
うにして、第１の二次巻線１２１と第２の二次巻線１２
２は直列に接続されている。第２の二次巻線１２２は、
一端部から他端部にかけて時計回り方向に巻回されてい
る。

【００７３】図１６に示したように、Ｐ３１層は、平面
的に配置された導体によって形成された２ターンの巻線
１２３と、それぞれスルーホール１１３ａ，１１５ａ，
１１６ａ，１１７ａに接続された端子層１３３，１３
５，１３６，１３７を有している。巻線１２３の一端部
は、スルーホール１１４ａを有する入力端子部１１４に
接続されている。巻線１２３の内側の１ターン分の巻線
部分における両端部の位置には、スルーホール１２５，
１２６が設けられている。巻線１２３は、内側の端部か
ら外側の端部にかけて時計回り方向に巻回されている。

【００７４】図１７に示したように、Ｐ３２層は、平面
的に配置された導体によって形成された２ターンの巻線
１２４と、それぞれスルーホール１１４ａ，１１５ａ，
１１６ａ，１１７ａに接続された端子層１３４，１３
５，１３６，１３７を有している。巻線１２４の一端部
は、スルーホール１１３ａを有する入力端子部１１３に
接続されている。巻線１２４の内側の１ターン分の巻線
部分における両端部は、スルーホール１２５，１２６に
接続されている。巻線１２４は、内側の端部から外側の
端部にかけて反時計回り方向に巻回されている。

【００７５】Ｐ３１層とＰ３２層は、１つの絶縁層１３
０を介して隣接するように配置される。スルーホール１
２５，１２６は、Ｐ３１層とＰ３２層の間に配置された
絶縁層１３０にのみ形成されている。

【００７６】巻線１２３の内側の１ターン分の巻線部分
と巻線１２４の内側の１ターン分の巻線部分は、スルー
ホール１２５，１２６によって並列に接続されている。
従って、巻線１２３，１２４によって３ターンの一次巻
線が構成されている。

【００７７】積層体１１０は１２層の導体層を有してい
る。この１２層の導体層を、積層体１１０の一方の面側
から順に、第１層、第２層、第３層、…、第１１層、第
１２層と呼ぶ。図１４に示したＳ３１層は第１層、第５
層および第９層に用いられている。図１５に示したＳ３
２層は第４層、第８層および第１２層に用いられてい
る。図１６に示したＰ３１層は第２層、第６層および第
１０層に用いられている。図１７に示したＰ３２層は第
３層、第７層および第１１層に用いられている。

【００７８】次に、第１の実施の形態に係る平面トラン
スと第２の実施の形態に係る平面トランスと比較例の平
面トランスとで、トランスの特性を測定した結果を示
す。ここでは、周波数２００ｋＨｚにおける一次巻線の
端子間のインダクタンスＬｐ（２００ｋＨｚ）と、周波
数２００ｋＨｚにおけるトランスの漏れインダクタンス
Ｌｌｅａｋ（２００ｋＨｚ）と、周波数２００ｋＨｚに
おける一次巻線側から見たトランスの交流抵抗値Ｒａｃ
（２００ｋＨｚ）、周波数６００ｋＨｚにおける一次巻
線側から見たトランスの交流抵抗値を測定した。なお、
この測定の際には、コア２Ａ，２Ｂ，４２Ａ，４２Ｂ，
１０２として、フェライトコアを用いた。測定結果を以
下の表に示す。

【００７９】

【表１】

【００８０】この測定結果では、第１の実施の形態に係
る平面トランスおよび第２の実施の形態に係る平面トラ
ンスでは、比較例の平面トランスと比較して、漏れイン
ダクタンスがそれぞれ２３．４％、１６．１％減少して
おり、また、交流抵抗値も２００ｋＨｚにおいてはそれ
ぞれ１０．５％、９．２％減少しており、６００ｋＨｚ
においてはそれぞれ１４．４％、１０．３％減少してい
る。

【００８１】この測定結果から、第１の実施の形態に係
る平面トランスおよび第２の実施の形態に係る平面トラ
ンスでは、比較例の平面トランスと比較して、漏れイン
ダクタンスが小さく、結合がよいことから、伝送効率が
向上することが分かる。また、第１の実施の形態に係る
平面トランスおよび第２の実施の形態に係る平面トラン
スでは、比較例の平面トランスと比較して、周波数２０
０ｋＨｚおよび周波数６００ｋＨｚにおける交流抵抗が
小さいことから、高周波電流が流れる巻線における損失
が小さくなることが分かる。

【００８２】［第３の実施の形態］次に、本発明の第３
の実施の形態に係る多層基板およびスイッチング電源装
置について説明する。まず、図１８を参照して、本実施
の形態に係るスイッチング電源装置の回路構成の一例に
ついて説明する。図１８に示した例では、スイッチング
電源装置は、直流電圧を入力する入力端子２０１ａ，２
０１ｂと、この入力端子２０１ａ，２０１ｂより入力さ
れる直流電圧を交流電圧に変換するスイッチング回路２
０２と、このスイッチング回路２０２によって変換され
た後の交流電圧を伝送する平面トランス２０３と、この
平面トランス２０３によって出力される交流電圧を整流
して、直流電圧に変換する整流平滑回路２０４と、この
整流平滑回路２０４より出力される直流電圧を外部の装
置に対して出力するための出力端子２０５ａ，２０５ｂ
とを備えている。整流平滑回路２０４は、本発明におけ
る整流回路を含んでいる。

【００８３】平面トランス２０３は、一次巻線２６０
と、それぞれ１ターンの２つの二次巻線２６１，２６２
とを備えている。一次巻線２６０の各端部には入力端子
部２５３，２５４が設けられている。二次巻線２６１の
一端部には第１の出力端子部２５５が設けられ、二次巻
線２６２の一端部には第２の出力端子部２５６が設けら
れている。２つの二次巻線２６１，２６２の他端部同士
は接続され、両者の接続部はセンタータップとなる。ま
た、このセンタータップには、第３の出力端子部２５７
が接続されている。

【００８４】スイッチング回路２０２は、入力端子２０
１ａ，２０１ｂの間に設けられたキャパシタ２１１と、
一端が入力端子２０１ａに接続され、他端が平面トラン
ス２０３の入力端子部２５４に接続されたキャパシタ２
１２と、一端が入力端子２０１ｂに接続され、他端が平
面トランス２０３の入力端子部２５４に接続されたキャ
パシタ２１３と、入力端子２０１ａと平面トランス２０
３の入力端子部２５３との間に設けられたスイッチ２１
４と、入力端子２０１ｂと平面トランス２０３の入力端
子部２５３との間に設けられたスイッチ２１５とを有し
ている。

【００８５】整流平滑回路２０４は、カソードが平面ト
ランス２０３の第１の出力端子部２５５に接続され、ア
ノードが出力端子２０５ｂに接続された第１の整流素子
（ダイオード）２２１と、カソードが平面トランス２０
３の第２の出力端子部２５６に接続され、アノードが出
力端子２０５ｂに接続された第２の整流素子（ダイオー
ド）２２２と、平面トランス２０３の第３の出力端子部
２５７と出力端子２０５ａとの間に設けられたチョーク
コイル２２３と、出力端子２０５ａ，２０５ｂの間に設
けられたキャパシタ２２４とを有している。

【００８６】後で詳しく説明するが、第１の整流素子２
２１は３個設けられ、これらは並列に接続されている。
同様に、第２の整流素子２２２も３個設けられ、これら
は並列に接続されている。

【００８７】図１８に示したスイッチング電源装置で
は、スイッチング回路２０２において、スイッチ２１
４，２１５の一方がオンのときに他方がオフになるよう
に、スイッチ２１４，２１５のオン、オフが繰り返され
る。これにより、スイッチング回路２０２によって、入
力端子２０１ａ，２０１ｂに入力された直流電圧が交流
電圧に変換されて、平面トランス２０３の一次巻線２６
０に供給される。この交流電圧は、平面トランス２０３
によって伝送されて、二次巻線２６１，２６２より出力
される。二次巻線２６１，２６２より出力された交流電
圧は、整流平滑回路２０４によって全波整流され、更に
平滑化されて直流電圧に変換される。この直流電圧は、
出力端子２０５ａ，２０５ｂより出力される。

【００８８】次に、図１９ないし図２２を参照して、本
実施の形態に係る多層基板２５０について説明する。こ
の多層基板２５０は、平面トランス２０３のうちの少な
くとも第１の二次巻線２６１、絶縁層、第２の二次巻線
２６２、第１の出力端子部２５５、第２の出力端子部２
５６および第３の出力端子部２５７を含む。ここでは、
多層基板２５０は、一次巻線２６０および入力端子部２
５３，２５４も含むものとする。また、多層基板には、
第２の実施の形態におけるＥ型のコア４２Ａ，４２Ｂが
装着される。

【００８９】本実施の形態に係る多層基板２５０は、Ｓ
４１層、Ｓ４２層、Ｐ４１層、Ｐ４２層の４種類の導体
層と、隣接する導体層の間に配置された絶縁層とを有し
ている。４種類の導体層は、それぞれ箔状を含む平板状
の導体によって形成されている。

【００９０】図１９はＳ４１層とその下の絶縁層２７０
とを示す平面図、図２０はＰ４１層とその下の絶縁層２
７０とを示す平面図、図２１はＰ４２層とその下の絶縁
層２７０とを示す平面図、図２２はＳ４２層とその下の
絶縁層２７０とを示す平面図である。Ｓ４１層は多層基
板２５０の最上層に用いられるため、図１９は多層基板
２５０の平面図でもある。

【００９１】図１９に示したように、本実施の形態に係
る多層基板２５０には、第２の実施の形態におけるＥ型
のコア４２Ａ，４２Ｂの中央の凸部が挿入される孔２５
０ａと、コア４２Ａ，４２Ｂの両側の凸部が挿入される
孔２５０ｂ，２５０ｃが設けられている。これらの孔２
５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃは多層基板２５０を厚さ方
向に貫通している。

【００９２】また、図１９に示したように、多層基板２
５０には、第１の出力端子部２５５、第２の出力端子部
２５６および第３の出力端子部２５７が設けられてい
る。第１の出力端子部２５５と第２の出力端子部２５６
は、多層基板２５０の面に平行な方向に沿って、互いに
隣接するように配置されている。第３の出力端子部２５
７は、第２の出力端子部２５６における第１の出力端子
部２５５とは反対側に配置されている。出力端子部２５
５，２５６，２５７は、それぞれスルーホール２５５
ａ，２５６ａ，２５７ａを有している。

【００９３】また、図１９に示したように、多層基板２
５０は、３つの第１の整流素子２２１が搭載される３つ
の第１の整流素子搭載部２８１と、３つの第２の整流素
子２２２が搭載される３つの第２の整流素子搭載部２８
２とを備えている。これらの第１の整流素子搭載部２８
１と第２の整流素子搭載部２８２は、多層基板２５０の
面に平行な方向に沿って交互に配置されている。

【００９４】また、図１９に示したように、Ｓ４１層
は、平面的に配置された導体によって形成された１ター
ンの第１の二次巻線２６１と、スルーホール２５６ａに
接続された端子接続部２６７を有している。第１の二次
巻線２６１の一端部は、スルーホール２５５ａを有する
第１の出力端子部２５５に接続されている。第１の二次
巻線２６１の他端部は、スルーホール２５７ａを有する
第３の出力端子部２５７に接続されている。第１の二次
巻線２６１は、一端部から他端部にかけて反時計回り方
向に巻回されている。端子接続部２６７は、スルーホー
ル２５６ａが配置された位置から孔２５０ａの近傍にか
けて形成されている。端子接続部２６７における孔２５
０ａの近傍の位置には、スルーホール２６８が設けられ
ている。このスルーホール２６８は、多層基板２５０を
貫通するように形成されている。

【００９５】Ｓ４１層は、更に、３つの第１の整流素子
搭載部２８１に搭載される３つの第１の整流素子２２１
と第１の出力端子部２５５とを接続するための第１の接
続部２９１を有している。第１の接続部２９１は、くし
形に形成されている。第１の接続部２９１において、第
１の整流素子搭載部２８１の近傍の位置には、スルーホ
ール２９３が設けられている。このスルーホール２９３
は第１の接続部２９１に接続されている。第１の接続部
２９１と第２の整流素子搭載部２８２の間の位置には、
スルーホール２９４が設けられている。このスルーホー
ル２９４は第１の接続部２９１に接続されていない。

【００９６】図２０に示したように、Ｐ４１層は、平面
的に配置された導体によって形成された２ターンの巻線
２６３を有している。巻線２６３の一端部は、図２０で
は図示しない入力端子部２５４に接続されている。巻線
２６３の内側の１ターン分の巻線部分における両端部の
位置には、スルーホール２６５，２６６が設けられてい
る。巻線２６３は、内側の端部から外側の端部にかけて
時計回り方向に巻回されている。

【００９７】Ｐ４１層は、更に、３つの第２の整流素子
搭載部２８２に搭載される３つの第２の整流素子２２２
とスルーホール２５６ａとを接続するための第２の接続
部２９２を有している。第２の接続部２９２は、くし形
に形成されている。スルーホール２９４は第２の接続部
２９２に接続されている。スルーホール２９３は第２の
接続部２９２に接続されていない。

【００９８】図２１に示したように、Ｐ４２層は、平面
的に配置された導体によって形成された２ターンの巻線
２６４を有している。巻線２６４の一端部は、図２１で
は図示しない入力端子部２５３に接続されている。巻線
２６４の内側の１ターン分の巻線部分における両端部
は、スルーホール２６５，２６６に接続されている。巻
線２６４は、内側の端部から外側の端部にかけて反時計
回り方向に巻回されている。

【００９９】Ｐ４２層は、更に、３つの第１の整流素子
搭載部２８１に搭載される３つの第１の整流素子２２１
とスルーホール２５５ａとを接続するための第１の接続
部２９１を有している。スルーホール２９３は第１の接
続部２９１に接続されている。スルーホール２９４は第
１の接続部２９１に接続されていない。

【０１００】後で説明するように、Ｐ４１層とＰ４２層
は、１つの絶縁層２７０を介して隣接するように配置さ
れる。スルーホール２６５，２６６は、Ｐ４１層とＰ４
２層の間に配置された絶縁層２７０にのみ形成されてい
る。

【０１０１】巻線２６３の内側の１ターン分の巻線部分
と巻線２６４の内側の１ターン分の巻線部分は、スルー
ホール２６５，２６６によって並列に接続されている。
従って、巻線２６３，２６４によって３ターンの一次巻
線２６０が構成されている。

【０１０２】図２２に示したように、Ｓ４２層は、平面
的に配置された導体によって形成された１ターンの第２
の二次巻線２６２を有している。第２の二次巻線２６２
の一端部は、スルーホール２６８に接続され、このスル
ーホール２６８を介して、図１９に示した端子接続部２
６７に接続されている。端子接続部２６７は、スルーホ
ール２５６ａを介して、Ｓ４２層における第２の出力端
子部２５６に接続されている。従って、第２の二次巻線
２６２の一端部は、スルーホール２６８、端子接続部２
６７およびスルーホール２５６ａを介して、第２の出力
端子部２５６に接続されている。第２の二次巻線２６２
の他端部は、スルーホール２５７ａを有する第３の出力
端子部２５７に接続されている。このようにして、第１
の二次巻線２６１と第２の二次巻線２６２は、第３の出
力端子部２５７を介して直列に接続されている。第２の
二次巻線２６２は、一端部から他端部にかけて時計回り
方向に巻回されている。

【０１０３】Ｓ４２層は、更に、３つの第２の整流素子
搭載部２８２に搭載される３つの第２の整流素子２２２
と第２の出力端子部２５６とを接続するための第２の接
続部２９２を有している。スルーホール２９４は第２の
接続部２９２に接続されている。スルーホール２９３は
第２の接続部２９２に接続されていない。

【０１０４】多層基板２５０は１２層の導体層を有して
いる。この１２層の導体層を、多層基板２５０の上面側
から順に、第１層、第２層、第３層、…、第１１層、第
１２層と呼ぶ。図１９に示したＳ４１層は第１層、第５
層および第９層に用いられている。図２０に示したＰ４
１層は第２層、第６層および第１０層に用いられてい
る。図２１に示したＰ４２層は第３層、第７層および第
１１層に用いられている。図２２に示したＳ４２層は第
４層、第８層および第１２層に用いられている。

【０１０５】従って、本実施の形態では、第１の二次巻
線２６１および第２の二次巻線２６２と、これらの間の
絶縁層２７０は、３組設けられている。３つの第１の二
次巻線２６１同士はスルーホール２５５ａ，２５７ａを
介して並列に接続され、３つの第２の二次巻線２６２同
士はスルーホール２５６ａ，２５７ａを介して並列に接
続されている。

【０１０６】本実施の形態に係る多層基板２５０では、
第２の実施の形態に係る平面トランス４１と同様に、第
１の二次巻線２６１と第２の二次巻線２６２は、絶縁層
２７０を介して重ね合わされている。第１の二次巻線２
６１の一端部には第１の出力端子部２５５が設けられ、
第２の二次巻線２６２の一端部には第２の出力端子部２
５６が設けられている。第１の二次巻線２６１の他端部
および第２の二次巻線２６２の他端部は第３の出力端子
部２５７に接続されている。

【０１０７】図１９に示したように、第１の出力端子部
２５５と第２の出力端子部２５６は、両者の間に第３の
出力端子部２５７が配置されることなく、第１の二次巻
線２６１の面および第２の二次巻線２６２の面に平行な
方向に沿って、互いに隣接するように配置されている。
第３の出力端子部２５７は、第１の二次巻線２６１の面
および第２の二次巻線２６２の面に平行な方向に沿っ
て、第２の出力端子部２５６に隣接するように配置され
ている。また、第２の二次巻線２６２の一端部は、第１
の出力端子部２５５および第２の出力端子部２５６より
も、第１の二次巻線２６１および第２の二次巻線２６２
の内周部に近い位置に配置されている。第２の二次巻線
２６２の一端部と第２の出力端子部２５６とは、第１の
二次巻線２６１と同一平面上に配置された端子接続部２
６７によって接続されている。

【０１０８】また、本実施の形態に係る多層基板２５０
は、３つの第１の整流素子２２１が搭載される３つの第
１の整流素子搭載部２８１と、３つの第２の整流素子２
２２が搭載される３つの第２の整流素子搭載部２８２と
を備えている。これらの第１の整流素子搭載部２８１と
第２の整流素子搭載部２８２は、多層基板２５０の面に
平行な方向に沿って交互に配置されている。

【０１０９】また、図１９に示したＳ４１層および図２
１に示したＰ４２層は、３つの第１の整流素子搭載部２
８１に搭載される３つの第１の整流素子２２１と第１の
出力端子部２５５とを接続するための第１の接続部２９
１を含んでいる。以下、Ｓ４１層およびＰ４２層を、第
１の接続層とも言う。また、図２０に示したＰ４１層お
よび図２２に示したＳ４２層は、３つの第２の整流素子
搭載部２８２に搭載される３つの第２の整流素子２２２
と第２の出力端子部２５６とを接続するための第２の接
続部２９２を含んでいる。以下、Ｐ４１層およびＳ４２
層を、第２の接続層とも言う。第１の接続層と第２の接
続層は、多層基板２５０の厚さ方向に交互に配置されて
いる。

【０１１０】以下、本実施の形態における第１の出力端
子部２５５、第２の出力端子部２５６および第３の出力
端子部２５７の配置と、第１の接続層および第２の接続
層の配置とに基づく作用、効果について説明する。

【０１１１】まず、本実施の形態に係る多層基板との比
較のための比較例を挙げる。この比較例の多層基板の構
成について、図２３ないし図２６を参照して説明する。
比較例の多層基板は、本実施の形態におけるＳ４１層、
Ｓ４２層、Ｐ４１層、Ｐ４２層に対応するＳ５１層、Ｓ
５２層、Ｐ５１層、Ｐ５２層の４種類の導体層と、隣接
する導体層の間に配置された絶縁層とを有している。

【０１１２】図２３はＳ５１層とその下の絶縁層３７０
とを示す平面図、図２４はＰ５１層とその下の絶縁層３
７０とを示す平面図、図２５はＰ５２層とその下の絶縁
層３７０とを示す平面図、図２６はＳ５２層とその下の
絶縁層３７０とを示す平面図である。

【０１１３】図２３に示したように、比較例の多層基板
には、本実施の形態における第１の出力端子部２５５、
第２の出力端子部２５６、第３の出力端子部２５７に対
応する第１の出力端子部３５５、第２の出力端子部３５
６、第３の出力端子部３５７が設けられている。ただ
し、比較例の多層基板では、第３の出力端子部３５７
は、第１の出力端子部３５５と第２の出力端子部３５６
との間に配置されている。

【０１１４】また、図２３に示したように、比較例の多
層基板は、本実施の形態と同様に、３つの第１の整流素
子２２１が搭載される３つの第１の整流素子搭載部２８
１と、３つの第２の整流素子２２２が搭載される３つの
第２の整流素子搭載部２８２とを備えている。

【０１１５】図２３に示したように、Ｓ５１層は、平面
的に配置された導体によって形成された１ターンの第１
の二次巻線３６１を有している。第１の二次巻線３６１
の一端部は第１の出力端子部３５５に接続され、他端部
は第３の出力端子部３５７に接続されている。Ｓ５１層
は、更に、３つの第１の整流素子搭載部２８１に搭載さ
れる３つの第１の整流素子２２１と第１の出力端子部３
５５とを接続するための第１の接続部３９１を有してい
る。この第１の接続部３９１の形状は、本実施の形態に
おける第１の接続部２９１と同様である。

【０１１６】図２４に示したように、Ｐ５１層は、本実
施の形態における巻線２６３とほぼ同様の形状の巻線３
６３を有している。Ｐ５１層は、更に、３つの第２の整
流素子搭載部２８２に搭載される３つの第２の整流素子
２２２と第２の出力端子部３５６とを接続するための第
２の接続部３９２を有している。

【０１１７】図２５に示したように、Ｐ５２層は、本実
施の形態における巻線２６４とほぼ同様の形状の巻線３
６４を有している。Ｐ５２層は、更に、３つの第１の整
流素子搭載部２８１に搭載される３つの第１の整流素子
２２１と第１の出力端子部３５５とを接続するための第
１の接続部３９１を有している。

【０１１８】図２６に示したように、Ｓ５２層は、平面
的に配置された導体によって形成された１ターンの第２
の二次巻線３６２を有している。第２の二次巻線３６２
の一端部は第２の出力端子部３５６に接続され、他端部
は第３の出力端子部３５７に接続されている。Ｓ５２層
は、更に、３つの第２の整流素子搭載部２８２に搭載さ
れる３つの第２の整流素子２２２と第２の出力端子部３
５６とを接続するための第２の接続部３９２を有してい
る。

【０１１９】ここで、図２７および図２８を参照して、
本実施の形態に係る多層基板における第１の接続部２９
１および第２の接続部２９２と、比較例の多層基板にお
ける第１の接続部３９１および第２の接続部３９２とに
ついて、それらを流れる電流の交流成分の方向について
考える。

【０１２０】図２７は、本実施の形態に係る多層基板に
おける第１の接続部２９１および第２の接続部２９２を
流れる各電流の交流成分の方向を示す説明図である。図
２７中の（ａ）は、第１の接続部２９１のうち、第１の
出力端子部２５５と図２７において最も上に配置された
第１の整流素子２２１との間で流れる電流の交流成分の
方向を示している。また、図２７中の（ｂ）は、第２の
接続部２９２のうち、第２の出力端子部２５６と図２７
において最も上に配置された第２の整流素子２２２との
間で流れる電流の交流成分の方向を示している。なお、
（ａ）と（ｂ）は、ある同一の時点における電流の交流
成分の方向を表わしている。

【０１２１】第１の接続部２９１および第２の接続部２
９２において、第１の出力端子部２５５の近傍位置から
第２の整流素子２２２の近傍位置までの領域Ａ１では、
交互に配置された接続部２９１，２９２を流れる各電流
の交流成分の方向は、互いに逆方向になる。これに対
し、第１の接続部２９１および第２の接続部２９２にお
いて、第１の出力端子部２５５の近傍位置から第２の出
力端子部２５６の近傍位置までの領域Ａ２では、接続部
２９１，２９２を流れる電流の交流成分の方向は一つの
方向しか存在しない。

【０１２２】領域Ａ１では、第１の接続部２９１を流れ
る電流が発生する磁界と第２の接続部２９２を流れる電
流が発生する磁界とが互いに打ち消されるため、表皮効
果および近接効果の影響が低減され、その結果、交流抵
抗が低減され、損失も低減される。しかし、領域Ａ２で
は、電流の交流成分の方向が一つの方向しか存在しない
ので、表皮効果および近接効果の影響が大きく、その結
果、交流抵抗が大きく、損失も大きくなる。

【０１２３】図２８は、比較例の多層基板における第１
の接続部３９１および第２の接続部３９２を流れる各電
流の交流成分の方向を示す説明図である。図２８中の
（ａ）は、第１の接続部３９１のうち、第１の出力端子
部３５５と図２８において最も上に配置された第１の整
流素子２２１との間で流れる電流の交流成分の方向を示
している。また、図２８中の（ｂ）は、第２の接続部３
９２のうち、第２の出力端子部３５６と図２８において
最も上に配置された第２の整流素子２２２との間で流れ
る電流の交流成分の方向を示している。なお、（ａ）と
（ｂ）は、ある同一の時点における電流の交流成分の方
向を表わしている。

【０１２４】第１の接続部３９１および第２の接続部３
９２において、第１の出力端子部３５５の近傍位置から
第２の整流素子２２２の近傍位置までの領域Ａ１では、
交互に配置された接続部３９１，３９２を流れる各電流
の交流成分の方向は、互いに逆方向になる。これに対
し、第１の接続部３９１および第２の接続部３９２にお
いて、第１の出力端子部３５５の近傍位置から第２の出
力端子部３５６の近傍位置までの領域Ａ２では、接続部
３９１，３９２を流れる電流の交流成分の方向は一つの
方向しか存在しない。

【０１２５】前述のように、領域Ａ１では、表皮効果お
よび近接効果の影響が低減され、その結果、交流抵抗お
よび損失が低減される。しかし、領域Ａ２では、表皮効
果および近接効果の影響が大きく、その結果、交流抵抗
および損失が大きくなる。

【０１２６】図２７と図２８を比較すると分かるよう
に、本実施の形態に係る多層基板における領域Ａ２の電
流通過方向の長さは、比較例の多層基板における領域Ａ
２の電流通過方向の長さよりも短くなる。従って、本実
施の形態によれば、スイッチング電源装置において、平
面トランス２０３と整流素子２２１，２２２との間の接
続部２９１，２９２における交流抵抗および損失を低減
することができる。

【０１２７】ここで、絶縁層を介して積層された複数の
導体層における電流の方向と交流抵抗との関係を調べた
解析結果について説明する。この解析では、幅３ｍｍ、
厚さ０．１ｍｍの銅箔よりなる導体層を１２層重ねて構
成された積層体をモデルとし、有限要素法による磁場解
析により電流分布を求めて損失を計算し、積層体全体の
交流抵抗を求め、更に、直流抵抗値（Ｒｄｃ）と交流抵
抗値（Ｒａｃ）との比（Ｒａｃ／Ｒｄｃ）を解析した。
また、この解析では、１２層の全ての導体層に対して同
一方向の電流を流した場合と、１２層の導体層に対して
交互に逆方向の電流を流した場合とを比較している。図
２９に解析結果を示す。図２９において、横軸は交流電
流の周波数、縦軸はＲａｃ／Ｒｄｃである。また、図２
９において、破線は、１２層の全ての導体層に対して同
一方向の電流を流したときの解析結果を示し、実線は、
１２層の導体層に対して交互に逆方向の電流を流したと
きの解析結果を示している。

【０１２８】図２９から分かるように、１２層の全ての
導体層に対して同一方向の電流を流した場合には、周波
数が高くなるほど、表皮効果および近接効果の影響によ
り、積層体全体における表面近傍にしか電流が流れなく
なる。その結果、周波数が高いほど交流抵抗値が増加す
る。これに対し、１２層の導体層に対して交互に逆方向
の電流を流した場合には、表皮効果および近接効果の影
響が小さくなり、その結果、交流抵抗値が低減される。

【０１２９】上記の解析結果によれば、例えば、直流抵
抗値（Ｒｄｃ）と周波数２００ｋＨｚの交流電流に対す
る交流抵抗値（Ｒａｃ）との比（Ｒａｃ／Ｒｄｃ）は、
１２層の全ての導体層に対して同一方向の電流を流した
場合には３．９０となるのに対し、１２層の導体層に対
して交互に逆方向の電流を流した場合には１．０３とな
る。また、例えば、直流抵抗値（Ｒｄｃ）と周波数６０
０ｋＨｚの交流電流に対する交流抵抗値（Ｒａｃ）との
比（Ｒａｃ／Ｒｄｃ）は、１２層の全ての導体層に対し
て同一方向の電流を流した場合には６．１２となるのに
対し、１２層の導体層に対して交互に逆方向の電流を流
した場合には１．０６となる。

【０１３０】以上の解析結果から、図２７および図２８
における領域Ａ１では交流抵抗値が小さく、領域Ａ２で
は交流抵抗値が大きくなることが分かる。本実施の形態
によれば、第３の出力端子部が２つの出力端子部の間に
配置される場合に比べて、領域Ａ２の電流通過方向の長
さを短くすることができる。その結果、本実施の形態に
よれば、第１の接続部２９１および第２の接続部２９２
における交流抵抗値を低減して、第１の接続部２９１お
よび第２の接続部２９２における損失を低減することが
できる。

【０１３１】また、本実施の形態では、第１の接続部２
９１と第２の接続部２９２を厚さ方向に交互に配置して
いる。これにより、効果的に表皮効果および近接効果の
影響を低減することができる。しかし、例えば、隣接す
る複数（例えば２つ）の第１の接続部２９１の組と、隣
接する複数（例えば２つ）の第２の接続部２９２の組と
を交互に配置してもよい。この場合にも、表皮効果およ
び近接効果の影響を低減して、第１の接続部２９１およ
び第２の接続部２９２における損失を低減することが可
能である。

【０１３２】本実施の形態におけるその他の作用および
効果は、第１の実施の形態と同様である。

【０１３３】［第４の実施の形態］次に、図３０ないし
図３３を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る多
層基板およびスイッチング電源装置について説明する。
本実施の形態に係る多層基板３００は、第３の実施の形
態における多層基板２５０に、第３の出力端子部２５７
に接続された導体部を加えた構成になっている。本実施
の形態に係るスイッチング電源装置の構成は、多層基板
の構成の相違を除いて、第３の実施の形態にかかるスイ
ッチング電源装置と同様である。

【０１３４】本実施の形態に係る多層基板３００は、Ｓ
６１層、Ｓ６２層、Ｐ６１層、Ｐ６２層の４種類の導体
層と、隣接する導体層の間に配置された絶縁層とを有し
ている。４種類の導体層は、それぞれ箔状を含む平板状
の導体によって形成されている。

【０１３５】図３０はＳ６１層とその下の絶縁層２７０
とを示す平面図、図３１はＰ６１層とその下の絶縁層２
７０とを示す平面図、図３２はＰ６２層とその下の絶縁
層２７０とを示す平面図、図３３はＳ６２層とその下の
絶縁層２７０とを示す平面図である。Ｓ６１層は多層基
板３００の最上層に用いられるため、図３０は多層基板
３００の平面図でもある。

【０１３６】図３０に示したように、Ｓ６１層は、図１
９に示したＳ４１層の構成に、第３の出力端子部２５７
に接続された導体部２５８を加えた構成になっている。

【０１３７】図３１に示したように、Ｐ６１層は、図２
０に示したＰ４１層の構成に、第３の出力端子部２５７
に接続された導体部２５８を加えた構成になっている。

【０１３８】図３２に示したように、Ｐ６２層は、図２
１に示したＰ４２層の構成に、第３の出力端子部２５７
に接続された導体部２５８を加えた構成になっている。

【０１３９】図３３に示したように、Ｓ６２層は、図２
２に示したＳ４２層の構成に、第３の出力端子部２５７
に接続された導体部２５８を加えた構成になっている。

【０１４０】上記の各導体部２５８は、第１の接続部２
９１および第２の接続部２９２を迂回するように配置さ
れている。この導体部２５８には、例えば図１８に示し
たスイッチ電源装置におけるチョークコイル２２３を接
続したり、整流平滑回路の構成によっては出力端子等を
接続したりすることが可能である。

【０１４１】図２３ないし図２６に示した比較例の多層
基板では、第３の出力端子部３５７が、第１の出力端子
部３５５、第２の出力端子部３５６、第１の接続部３９
１および第２の接続部３９２によって囲まれた位置に配
置されている。そのため、この多層基板では、第３の出
力端子部３５７にスイッチング電源装置のチョークコイ
ルや出力端子等を接続する場合、これらを、多層基板に
形成された導体部を用いて接続することができない。そ
のため、この多層基板では、例えば、第３の出力端子部
３５７に設けられたスルーホールにバスバーを挿入し、
このバスバーにチョークコイルや出力端子等を接続する
ことになる。その結果、スイッチング電源装置の構造が
複雑になる。

【０１４２】これに対し、本実施の形態では、多層基板
３００に設けられた導体部２５８を用いて、第３の出力
端子部２５７にチョークコイルや出力端子等を接続する
ことが可能になる。従って、本実施の形態によれば、ス
イッチング電源装置の構造を簡単になる。

【０１４３】本実施の形態におけるその他の構成、作用
および効果は、第３の実施の形態と同様である。

【０１４４】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、種々の変更が可能である。例えば、第３および第
４の実施の形態では、第１の整流素子２２１と第２の整
流素子２２２をそれぞれ３個ずつとしたが、これらはそ
れぞれ複数であればよい。

【０１４５】

【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし４の
いずれかに記載の平面トランスは、第１の二次巻線およ
び第２の二次巻線と、第１の二次巻線の一端部に接続さ
れた第１の端子部と、第２の二次巻線の一端部に接続さ
れた第２の端子部と、第１の二次巻線の他端部および第
２の二次巻線の他端部に接続された第３の端子部とを備
えている。第１の端子部と第２の端子部は、両者の間に
第３の端子部が配置されることなく、第１の二次巻線の
面および第２の二次巻線の面に平行な方向に沿って、互
いに隣接するように配置されている。これにより、第１
の二次巻線および第２の二次巻線における漏れインダク
タンスおよび平面トランスにおける損失が低減される。
従って、本発明によれば、平面トランスにおける伝送効
率を向上させ、且つ損失を低減することができるという
効果を奏する。

【０１４６】また、請求項５ないし８のいずれかに記載
の多層基板、もしくは請求項９ないし１２のいずれかに
記載のスイッチング電源装置は、上記平面トランスと同
様の特徴を有している。従って、本発明によれば、上記
平面トランスと同様の効果を奏する。また、本発明の多
層基板、もしくは本発明のスイッチング電源装置におけ
る多層基板は、複数の第１の整流素子が搭載される複数
の第１の整流素子搭載部と、複数の第２の整流素子が搭
載される複数の第２の整流素子搭載部とを備え、第１の
整流素子搭載部と第２の整流素子搭載部は、多層基板の
面に平行な方向に沿って交互に配置されている。多層基
板は、更に、複数の第１の整流素子搭載部に搭載される
複数の第１の整流素子と第１の端子部とを接続するため
の第１の接続部を含む第１の接続層と、複数の第２の整
流素子搭載部に搭載される複数の第２の整流素子と第２
の端子部とを接続するための第２の接続部を含む第２の
接続層とを備えている。本発明によれば、第１の端子部
と第２の端子部の間に第３の端子部が配置される場合に
比べて、第１の接続部および第２の接続部において、第
１の接続部および第２の接続部を流れる電流の交流成分
の方向が一つの方向のみとなる領域の長さが短くなる。
従って、本発明によれば、第１の接続部および第２の接
続部における損失を低減することができるという効果を
奏する。

【０１４７】また、請求項８記載の多層基板または請求
項１２記載のスイッチング電源装置によれば、第１の接
続層と第２の接続層が、多層基板の厚さ方向に交互に配
置されているので、第１の接続部および第２の接続部に
おける損失をより一層低減することができるという効果
を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る平面トランス
の平面図である。

【図２】図１に示した平面トランスの正面図である。

【図３】図１に示した平面トランスにおけるＳ１１層と
その下の絶縁層とを示す平面図である。

【図４】図１に示した平面トランスにおけるＳ１２層と
その下の絶縁層とを示す平面図である。

【図５】図１に示した平面トランスにおけるＰ１１層と
その下の絶縁層とを示す平面図である。

【図６】図１に示した平面トランスにおけるＰ１２層と
その下の絶縁層とを示す平面図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る平面トランス
の平面図である。

【図８】図７に示した平面トランスの正面図である。

【図９】図７に示した平面トランスにおけるＳ２１層と
その下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１０】図７に示した平面トランスにおけるＳ２２層
とその下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１１】図７に示した平面トランスにおけるＰ２１層
とその下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１２】図７に示した平面トランスにおけるＰ２２層
とその下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１３】比較例の平面トランスの平面図である。

【図１４】図１３に示した平面トランスにおけるＳ３１
層とその下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１５】図１３に示した平面トランスにおけるＳ３２
層とその下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１６】図１３に示した平面トランスにおけるＰ３１
層とその下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１７】図１３に示した平面トランスにおけるＰ３２
層とその下の絶縁層とを示す平面図である。

【図１８】本発明の第３の実施の形態に係るスイッチン
グ電源装置の回路構成の一例を示す回路図である。

【図１９】本発明の第３の実施の形態に係る多層基板に
おけるＳ４１層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【図２０】本発明の第３の実施の形態に係る多層基板に
おけるＰ４１層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【図２１】本発明の第３の実施の形態に係る多層基板に
おけるＰ４２層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【図２２】本発明の第３の実施の形態に係る多層基板に
おけるＳ４２層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【図２３】比較例の多層基板におけるＳ５１層とその下
の絶縁層とを示す平面図である。

【図２４】比較例の多層基板におけるＰ５１層とその下
の絶縁層とを示す平面図である。

【図２５】比較例の多層基板におけるＰ５２層とその下
の絶縁層とを示す平面図である。

【図２６】比較例の多層基板におけるＳ５２層とその下
の絶縁層とを示す平面図である。

【図２７】本発明の第３の実施の形態に係る多層基板に
おける第１の接続部および第２の接続部を流れる各電流
の交流成分の方向を示す説明図である。

【図２８】比較例の多層基板における第１の接続部およ
び第２の接続部を流れる各電流の交流成分の方向を示す
説明図である。

【図２９】絶縁層を介して積層された複数の導体層にお
ける電流の方向と交流抵抗との関係を調べた解析結果を
示す特性図である。

【図３０】本発明の第４の実施の形態に係る多層基板に
おけるＳ６１層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【図３１】本発明の第４の実施の形態に係る多層基板に
おけるＰ６１層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【図３２】本発明の第４の実施の形態に係る多層基板に
おけるＰ６２層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【図３３】本発明の第４の実施の形態に係る多層基板に
おけるＳ６２層とその下の絶縁層とを示す平面図であ
る。

【符号の説明】

１…平面トランス、２Ａ，２Ｂ…コア、１０…積層体、
１３，１４…入力端子部、１５…第１の出力端子部、１
６…第２の出力端子部、１７…第３の出力端子部、２１
…第１の二次巻線、２２…第２の二次巻線、２３，２４
…巻線。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一次巻線と、 平面的に配置された導体によって形成された第１の二次
   巻線と、 前記第１の二次巻線に対して、第１の二次巻線の厚さ方
   向に隣接するように配置された絶縁層と、 平面的に配置された導体によって形成され、前記第１の
   二次巻線に対して前記絶縁層を介して重ね合わされた第
   ２の二次巻線と、 前記第１の二次巻線の一端部に接続された第１の端子部
   と、 前記第２の二次巻線の一端部に接続された第２の端子部
   と、 前記第１の二次巻線の他端部および第２の二次巻線の他
   端部に接続された第３の端子部とを備え、 前記第１の端子部と第２の端子部は、両者の間に前記第
   ３の端子部が配置されることなく、前記第１の二次巻線
   の面および第２の二次巻線の面に平行な方向に沿って、
   互いに隣接するように配置されていることを特徴とする
   平面トランス。
2. 【請求項２】 前記第３の端子部は、前記第１の端子部
   および第２の端子部よりも、前記第１の二次巻線および
   第２の二次巻線の内周部に近い位置に配置されているこ
   とを特徴とする請求項１記載の平面トランス。
3. 【請求項３】 前記第３の端子部は、前記第１の二次巻
   線の面および第２の二次巻線の面に平行な方向に沿っ
   て、前記第２の端子部に隣接するように配置され、 前記第２の二次巻線の一端部は、前記第１の端子部およ
   び第２の端子部よりも、前記第１の二次巻線および第２
   の二次巻線の内周部に近い位置に配置され、 更に、前記第２の二次巻線の一端部と前記第２の端子部
   とを接続する端子接続部を備えたことを特徴とする請求
   項１記載の平面トランス。
4. 【請求項４】 厚さ方向に積層された複数組の絶縁層、
   第１の二次巻線および第２の二次巻線を備え、複数の第
   １の二次巻線同士は並列に接続され、複数の第２の二次
   巻線同士は並列に接続されていることを特徴とする請求
   項１ないし３のいずれかに記載の平面トランス。
5. 【請求項５】 請求項１記載の平面トランスのうちの少
   なくとも前記第１の二次巻線、絶縁層、第２の二次巻
   線、第１の端子部、第２の端子部および第３の端子部を
   含み、スイッチング電源装置を構成するために用いられ
   る多層基板であって、 複数の第１の整流素子が搭載される複数の第１の整流素
   子搭載部と、複数の第２の整流素子が搭載される複数の
   第２の整流素子搭載部とを備え、前記第１の整流素子搭
   載部と第２の整流素子搭載部は、多層基板の面に平行な
   方向に沿って交互に配置され、 更に、複数の前記第１の整流素子搭載部に搭載される複
   数の第１の整流素子と前記第１の端子部とを接続するた
   めの第１の接続部を含む第１の接続層と、複数の前記第
   ２の整流素子搭載部に搭載される複数の第２の整流素子
   と前記第２の端子部とを接続するための第２の接続部を
   含む第２の接続層とを備えたことを特徴とする多層基
   板。
6. 【請求項６】 前記第３の端子部は、前記第１の二次巻
   線の面および第２の二次巻線の面に平行な方向に沿っ
   て、前記第２の端子部に隣接するように配置され、 前記第２の二次巻線の一端部は、前記第１の端子部およ
   び第２の端子部よりも、前記第１の二次巻線および第２
   の二次巻線の内周部に近い位置に配置され、 更に、前記第２の二次巻線の一端部と前記第２の端子部
   とを接続する端子接続部を備えたことを特徴とする請求
   項５記載の多層基板。
7. 【請求項７】 厚さ方向に積層された複数組の絶縁層、
   第１の二次巻線および第２の二次巻線を備え、複数の第
   １の二次巻線同士は並列に接続され、複数の第２の二次
   巻線同士は並列に接続されていることを特徴とする請求
   項５または６記載の多層基板。
8. 【請求項８】 前記第１の接続層と第２の接続層は、多
   層基板の厚さ方向に交互に配置されていることを特徴と
   する請求項５ないし７のいずれかに記載の多層基板。
9. 【請求項９】 請求項１記載の平面トランスと、入力直
   流電圧を交流電圧に変換し、この交流電圧を前記平面ト
   ランスの一次巻線に供給するスイッチング回路と、前記
   平面トランスの第１の二次巻線および第２の二次巻線よ
   り出力される交流電圧を整流する整流回路とを備え、前
   記整流回路は、前記第１の端子部に接続される複数の第
   １の整流素子と、前記第２の端子部に接続される複数の
   第２の整流素子とを含むスイッチング電源装置であっ
   て、 前記平面トランスのうちの少なくとも前記第１の二次巻
   線、絶縁層、第２の二次巻線、第１の端子部、第２の端
   子部および第３の端子部を含む多層基板を備え、 前記多層基板は、複数の前記第１の整流素子が搭載され
   る複数の第１の整流素子搭載部と、複数の前記第２の整
   流素子が搭載される複数の第２の整流素子搭載部とを有
   し、前記第１の整流素子搭載部と第２の整流素子搭載部
   は、多層基板の面に平行な方向に沿って交互に配置さ
   れ、 前記多層基板は、更に、複数の前記第１の整流素子搭載
   部に搭載される複数の第１の整流素子と前記第１の端子
   部とを接続するための第１の接続部を含む第１の接続層
   と、複数の前記第２の整流素子搭載部に搭載される複数
   の第２の整流素子と前記第２の端子部とを接続するため
   の第２の接続部を含む第２の接続層とを有することを特
   徴とするスイッチング電源装置。
10. 【請求項１０】 前記第３の端子部は、前記第１の二次
    巻線の面および第２の二次巻線の面に平行な方向に沿っ
    て、前記第２の端子部に隣接するように配置され、 前記第２の二次巻線の一端部は、前記第１の端子部およ
    び第２の端子部よりも、前記第１の二次巻線および第２
    の二次巻線の内周部に近い位置に配置され、 前記多層基板は、更に、前記第２の二次巻線の一端部と
    前記第２の端子部とを接続する端子接続部を有すること
    を特徴とする請求項９記載のスイッチング電源装置。
11. 【請求項１１】 前記多層基板は、厚さ方向に積層され
    た複数組の絶縁層、第１の二次巻線および第２の二次巻
    線を有し、複数の第１の二次巻線同士は並列に接続さ
    れ、複数の第２の二次巻線同士は並列に接続されている
    ことを特徴とする請求項９または１０記載のスイッチン
    グ電源装置。
12. 【請求項１２】 前記第１の接続層と第２の接続層は、
    多層基板の厚さ方向に交互に配置されていることを特徴
    とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のスイッチ
    ング電源装置。