JP2003266777A - マルチビーム光源装置及びこのマルチビーム光源装置を備えた光走査装置 - Google Patents

マルチビーム光源装置及びこのマルチビーム光源装置を備えた光走査装置

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JP2003266777A
JP2003266777A JP2002075836A JP2002075836A JP2003266777A JP 2003266777 A JP2003266777 A JP 2003266777A JP 2002075836 A JP2002075836 A JP 2002075836A JP 2002075836 A JP2002075836 A JP 2002075836A JP 2003266777 A JP2003266777 A JP 2003266777A
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semiconductor laser
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light
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JP2002075836A
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Katsuyuki Yanagisawa
勝之 柳沢
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レーザアレイの各発光点位置の誤差を
小さくし、良質な画質を得ることができるマルチビーム
光源装置及びこれを備えた光走査装置を得る。 【解決手段】 半導体レーザ保持体16を用いて、一つ
の半導体レーザ12を位置決めした後、位置決めされた
半導体レーザ12の発光素子34の位置に対して光軸方
向に沿って相対的に、半導体レーザ14を調整すること
で、半導体レーザ12の発光素子34と半導体レーザ1
4の発光素子34との光軸方向の位置を一致させること
ができる。このため、発光素子34と発光素子36との
光軸方向の位置ずれを小さくすることができ、レーザビ
ームのWaist位置の深度ずれをなくし、複数のレー
ザビーム間で感光体上でのビーム径を一致させることが
できるので、良好な画質を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザビームプリン
タやデジタル複写機等の画像形成装置の走査光学系に使
用されるマルチビーム光源装置およびこのマルチビーム
光源装置を備えた光走査装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、画像記録に用いられる光走査
装置において、記録速度を上げる手段として、複数のレ
ーザビームを同時に書き込む装置が開発されており、例
えば特開平11−242170号公報では、複数の発光
素子が配設された半導体レーザアレイを利用した光走査
装置が示されている。
【0003】また、特開2000−75226号公報で
は、複数の発光素子を近接させた状態で、複数のレーザ
ビームを同時に書き込む方式の光走査装置が示されてお
り、何れも光偏向器の回転速度を上げることなく記録速
度又は、記録密度を向上させる目的を達成している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
11−242170号公報で示された例では、1つの半
導体レーザアレイから出射される複数のレーザビームの
波長は、製造過程のバラツキによりそれぞれ異なってし
まう場合があり、異なる波長のレーザビームで共通の光
学系を通過させ感光体上を走査すると、図5に示すよう
に、走査幅(L1、L2)が違ってしまうという不具合が
発生する。
【0005】また、図6(A)に示すように、半導体レ
ーザアレイ100製造過程のバラツキにより発生する発
光素子103、105の光軸方向の誤差tの影響は、図
6(B)に示すように、レーザビームのWaist位置
の深度ずれとなって現れ、感光体(図示省略)上でビー
ム径が一致せず、良好な画質が得られ難くなってしま
う。
【0006】さらに、図7(A)、(B)に示すように
(なお、図7(A)は平面図であり、図7(B)は
(A)の右側面図である)、発光素子103、105の
位置は、半導体レーザアレイ100の製造上の理由によ
り規格化されてしまうため、通常の光学系で使用する場
合、画像形成装置(図示省略)の書込み密度と光学倍率
により、発光素子103、105はいわゆる主走査方向
と略平行に並べられた位置関係で使用される。
【0007】この場合、図7(C)に示すように、発光
素子103、105の接合面103A、105Aは、主
走査方向と略平行となり、出射されるレーザビームは、
図7(D)に示すように、一般的に縦長のレーザビーム
が重なりあった状態となるが、倒れ補正光学系の場合、
主走査方向に横長な開口107を設けるため、出射光量
を有効に使うことが難しいという問題が発生する。
【0008】一方、特開2000−75226号公報で
示された例では、図8に示すように、半導体レーザ11
0、112の光偏向器120への入射角が異なってお
り、感光体124上の走査幅は同一でも、走査位置が異
なってしまう。
【0009】このため、複数のレーザビームL3、L4
共通に使える領域(L)が狭くなってしまい、光偏向器
120やfθレンズ122などを大型化する必要があ
り、コストが上昇する。光偏向器120を大型化する
と、光偏向器120の負荷が大きくなり、騒音の増大、
消費電力の増大による発熱量が高まり、結果的に光偏向
器120の軸受の寿命が短くなるなどの問題が発生す
る。
【0010】また、シリンドリカルレンズ118を通過
後の光学部品は共通ではあるが、コリメートレンズ11
4、116は半導体レーザ110、112の数だけ必要
となるため、レンズ精度のバラツキの影響は避けられ
ず、それぞれ調整が必要となる。
【0011】このため、図示はしないが、コリメートレ
ンズをできるだけ近接させるため、コリメートレンズ保
持用のホルダーを用いて、直接コリメートレンズを保持
し、コリメートレンズの位置調整ができるようにしてい
るが、コリメートレンズの位置決めを行った後、接着剤
が硬化するまでその位置を維持しなければならないた
め、非常に高価な生産設備を必要とする。
【0012】さらに、コリメートレンズを並べて配置す
るため、発光素子の間隔は、少なくとも10mm程度は
必要となってしまう。このため、発光素子の間隔が、熱
変形によりその影響を受けてしまうという問題も有して
いる。
【0013】本発明は上記事実を考慮し、半導体レーザ
アレイの各発光点位置の誤差を小さくし、また、良質な
画質を得ることができるマルチビーム光源装置及びこの
マルチビーム光源装置を備えた光走査装置を得ることを
目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明で
は、複数の光源を一体的に保持する保持体が備えられて
いる。この保持体には調整手段が設けられており、複数
の光源の発光点位置を光源の光軸方向に沿って相対的に
調整可能としている。
【0015】これにより、一つの光源の発光点位置を位
置決めした後、位置決めされた光源の発光点位置に対し
て光源の光軸方向に沿って相対的に、他の光源の発光点
位置を調整することで、複数の光源の光軸方向に沿って
発光点位置を正確にそろえることができる。
【0016】このため、発光点位置の光軸方向の誤差を
小さくすることができ、レーザビームのウエスト位置の
深度ずれをなくし、複数のレーザビーム間でビーム径も
揃い、良好な画質を得ることができる。また、光源を波
長によって選択的に組み合わせることで、光源の波長差
による走査幅のバラツキを防止することができる。
【0017】請求項2に記載の発明では、光源のフレー
ムからはフランジが張り出している。一方、保持体には
光源の光軸方向に沿って溝部が形成されており、この溝
部にフランジが圧入される。
【0018】このように、保持体に対して光源を圧入し
て位置調整を行うことで、位置調整を行うために駆動装
置等を必要としないため、低コストで実現できる。ま
た、部品点数を最小限に抑えることができるため、生産
時の精度のバラツキも小さくなり、結果的に効果の維持
性も高い。
【0019】請求項3に記載の発明では、複数の光源の
発光部の接合面を平行にしている。これにより、レーザ
ビームの広がり角が広い方向を各レーザビームで同一に
することができるため、光学部品の反射角による光量比
を全てのレーザビームで略同一とすることができ、良好
な画質を得ることができる。
【0020】請求項4に記載の発明では、光源を発光素
子開放型半導体レーザとし、発光部の接合面を主走査方
向と略直交する方向にしている。光源を発光素子開放型
半導体レーザとすることで、発光部を対向させた状態で
半導体レーザを保持体に位置決めさせることができ、発
光点間隔を充分近接させることが可能となる。
【0021】このため、温度上昇による保持体の熱変形
により発光点間隔に影響を及ぼすことはない。また、発
光点間隔を充分近接させることで、複数の発光点で一つ
のコリメートレンズを共有させることができる。
【0022】さらに、発光部の接合面を主走査方向と略
直交する方向にすることで、レーザビームの広がり角が
広い方向を偏向方向と平行にすることができるので、有
効走査幅を単一のレーザビームの時とほぼ同等に利用す
ることができる。このため、光学絞りの開口による光量
低下を最小限に留めることができる。
【0023】請求項5に記載の発明では、光走査装置に
請求項1〜4の何れかに記載のマルチビーム光源装置を
備えている。これにより、走査幅のバラツキが小さい、
良好な画質を得ることができる。
【0024】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係るマルチ
ビーム光源装置について説明する。
【0025】図1及び図2(A)、(B)には、マルチ
ビーム光源装置10(図3参照)に備えられた発光素子
開放型半導体レーザ12、14(以下、「半導体レーザ
12、14」という)及び半導体レーザ12、14が保
持される半導体レーザ保持体16が示されている(な
お、図2(A)は半導体レーザ保持体16の裏面図であ
り、図2(B)は半導体レーザ保持体16の縦断面図で
ある)。
【0026】半導体レーザ保持体16は、略矩形状を成
しており、中央部には略直方体状の半導体レーザ収容部
18が形成されている。この半導体レーザ収容部18の
上面16A側の周縁からは、外壁を環状にしたリブ20
が立設しており、半導体レーザ収容部18の内壁には、
一対の溝部22、24が対面してそれぞれ形成されてい
る。
【0027】溝部22は半導体レーザ保持体16の上面
16Aに対して直交する方向に、半導体レーザ保持体1
6の裏面16Bからリブ20の先端面に架けて形成され
ており、溝部24は溝部22に対して平行に、半導体レ
ーザ保持体16の裏面16Bから所定の位置まで形成さ
れ、溝部22よりも短くなっている。
【0028】一方、半導体レーザ12、14は、半導体
レーザ収容部18内に収容可能となっており、直方体に
形成されたフレーム26、28をそれぞれ備えている。
このフレーム26、28の後端には、3本のリード3
0、32がそれぞれ半田付けされており、フレーム2
6、28の先端中央部には、表面26A、28A側に発
光素子34、36(後述する)がそれぞれ配設され、大
気中に露出している(いわゆる発光素子開放型)。さら
に、フレーム26、28の両側面側からは、フランジ部
38、40がそれぞれ張り出している。
【0029】ここで、半導体レーザ収容部18の溝部2
2、24が形成された内壁の離間距離は、フレーム2
6、28が挿通可能な幅となっており、溝部22及び溝
部24には、フランジ部38及びフランジ部40が係合
可能となっている。溝部22及び溝部24の幅は、フラ
ンジ部38及びフランジ部40の肉厚と略同一にしてい
る。
【0030】次に、マルチビーム光源装置の組立・調整
方法について説明する。
【0031】図1及び図2(B)に示す半導体レーザ1
2のフレーム26の表面26Aを、次に半導体レーザ収
容部18内へ収容させる半導体レーザ14と対面可能と
なる向きにした状態で、フレーム26の先端側を半導体
レーザ保持体16の裏面16B側から挿入し、フランジ
部38を溝部24へ係合させる。
【0032】ここで、溝部24の幅は、フランジ部38
の肉厚と略同一であるため、半導体レーザ12のフラン
ジ部38を溝部24内へ圧入する。また、この溝部24
は、半導体レーザ保持体16の裏面16Bから所定の位
置までしか形成されていないため、フランジ部38が溝
部22の奥壁へ当接するまで半導体レーザ12を移動さ
せ、半導体レーザ12を半導体レーザ収容部18内で固
定させる。
【0033】次に、半導体レーザ14のフレーム28の
表面28Aの向きを、既に半導体レーザ収容部18内へ
収容された半導体レーザ12のフレーム26の表面26
Aと対面可能な向きに合わせ、半導体レーザ12の表面
26Aに配設された発光素子34と半導体レーザ14の
表面28Aに配設された発光素子36とが対面可能とな
るようにする。
【0034】この状態で、半導体レーザ14のフレーム
28の先端側を半導体レーザ保持体16の裏面16B側
から挿入し、フランジ部40を溝部22へ係合させる。
ここで、溝部22の幅は、フランジ部40の肉厚と略同
一であるため、半導体レーザ14のフランジ部40を溝
部22内へ圧入する。また、溝部22は半導体レーザ保
持体16の裏面16Bからリブ20の先端面に架けて形
成されているため、半導体レーザ14の移動量は溝部2
2の間でフリーとなっている。
【0035】このため、図示しない光学顕微鏡やCCD
カメラなど非接触の状態で発光素子34、36の位置を
検出できる装置によって、半導体レーザ12の発光素子
34を観察しながら半導体レーザ14を移動させて、発
光素子36と発光素子34とのレーザビームの光軸方向
の位置が一致したら、半導体レーザ14を移動停止して
半導体レーザ14を固定する。
【0036】半導体レーザ14が固定されると、図3
(A)、(B)に示すように(なお、図3(A)はマル
チビーム光源装置10の裏面図を示し、図3(B)はマ
ルチビーム光源装置10の縦断面図を示している)、略
平板状の半導体レーザ駆動回路基板42に形成されたリ
ード挿通用孔部35内に半導体レーザ12、14のリー
ド30、32をそれぞれ挿通し、半導体レーザ駆動回路
基板固定ネジ44で固定した後、リード30、32を半
導体レーザ駆動回路基板42にそれぞれ半田付けして固
定する。
【0037】この状態で、半導体レーザ12、14は、
図4(A)、(B)に示すように(なお、図4(A)は
平面図であり、図4(B)は(A)の右側面図であ
る)、発光素子34と発光素子36とが互いに対面して
配置される。図4(C)には、発光素子34、36を拡
大した図が示されており、PN接合の接合面34A、3
6Aが互いに平行となるようにしている。
【0038】ところで、図3に示すように、コリメート
レンズ46を保持するコリメートレンズ保持体48は、
略矩形状を成しており、コリメートレンズ保持体48の
上面16A側の中央には、略円筒状の保持壁50が突設
している。
【0039】この保持壁50内には、保持壁50の基部
側に略直方体状の半導体レーザアレイ収容部52が設け
られ、保持壁50の先端側に略円柱状のコリメートレン
ズ収容部54が設けられている。このコリメートレンズ
収容部54には、一つのコリメートレンズ46及び光学
絞り56とが組み込まれたレンズ鏡筒58が仮止めされ
る(なお、光学絞り56はコリメートレンズ46の近傍
にある必要はない)。
【0040】一方、半導体レーザアレイ収容部52に
は、半導体レーザ保持体16の半導体レーザ収容部18
が収容可能となっており、半導体レーザアレイ収容部5
2内に半導体レーザ収容部18を収容させた状態で、半
導体レーザ保持体16の上面16Aとコリメートレンズ
保持体48の裏面48Bとが面接可能となっている。
【0041】半導体レーザ保持体16の上面16Aとコ
リメートレンズ保持体48の裏面48Bとを面接させた
状態で、半導体レーザ駆動回路基板42と半導体レーザ
保持体16とコリメートレンズ保持体48とを、半導体
レーザ保持体固定ネジ60で仮止めする。
【0042】この状態で、半導体レーザ保持体16を半
導体レーザ12、14のレーザビームの出射方向と直交
する方向で移動させ、半導体レーザ12、14とコリメ
ートレンズ46のアライメント調整を行った後、半導体
レーザ保持体16を半導体レーザ保持体固定ネジ60で
固定する。そして、レンズ鏡筒58をレーザ出射方向に
沿って移動させ、フォーカス調整を行った後、レンズ鏡
筒58を接着剤又はネジなどで固定する。
【0043】以上のようにして、組み立てられたマルチ
ビーム光源装置10を光学箱62に取付ける。光学箱6
2にはコリメートレンズ保持体48が嵌合可能な円形の
開口部62Aが形成されており、開口部62A内へコリ
メートレンズ保持体48を嵌合させるとき、マルチビー
ム光源装置10を矢印θ方向に回転調整して、感光体
(図示省略)上の2本のビーム間隔を微調整し、コリメ
ートレンズ保持体固定ネジ63でマルチビーム光源装置
10を光学箱62に固定させる。
【0044】このとき、半導体レーザ12、14の発光
素子34、36の接合面34A、36Aは、感光体上に
潜像が形成される方向(いわゆる主走査方向)に対して
略直交する方向となるように配置されるようにする。
【0045】なお、本形態では、アライメント調整及び
フォーカス調整を、マルチビーム光源装置10の組立と
並行して行ったが、マルチビーム光源装置10を光学箱
62に仮組した状態で、図示しないシリンドリカルレン
ズ等の光学部品を通過させたレーザビームを感光体に相
当する位置で観察しながらアライメント調整及びフォー
カス調整を行うことも勿論可能である。
【0046】また、半導体レーザ12、14を発光させ
てコリメートレンズ46などの光学素子を通過させ、レ
ーザビームのWaist位置を観察しながら半導体レー
ザ14を移動させて、半導体レーザ12の発光素子34
との相対位置を調整することもできる。
【0047】次に、マルチビーム光源装置及びこれを備
えた光走査装置の作用について説明する。
【0048】図1に示すように、一つの半導体レーザ1
2を位置決めした後、位置決めされた半導体レーザ12
の発光素子34の位置に対して光軸方向に沿って相対的
に、半導体レーザ14を調整することで、半導体レーザ
12の発光素子34と半導体レーザ14の発光素子34
との光軸方向の位置を一致させることができる。
【0049】このため、発光素子34と発光素子36と
の光軸方向の位置ずれを小さくすることができ、レーザ
ビームのWaist位置の深度ずれをなくし、複数のレ
ーザビーム間で感光体(図示省略)上でのビーム径を一
致させることができるので、良好な画質を得ることがで
きる。
【0050】ここで、使用する半導体レーザ12、14
は予め発振波長を選別しておき、互いに近似する波長の
ものを選択的に組み合わせることで、半導体レーザ1
2、14で波長差をなくし、走査幅のバラツキを防止す
ることができる。
【0051】また、半導体レーザ保持体16に対して半
導体レーザ12、14を圧入して位置調整を行うこと
で、位置調整を行うために駆動装置等を必要としないた
め、低コストで実現できる。また、部品点数を最小限に
抑えることができるため、生産時の精度のバラツキも小
さくなり、結果的に効果の維持性も高い。
【0052】さらに、図4(C)に示すように、半導体
レーザ12、14の発光素子34、36のPN接合の接
合面34A、36Aを互いに平行となるようにすること
で、レーザビームの広がり角が広い方向を各レーザビー
ムで同一にすることができるため、光学部品の反射角に
よる光量比を全てのレーザビームで略同一とすることが
でき、良好な画質を得ることができる。
【0053】また、発光素子34、36の接合面34
A、36Aの方向を主走査方向と略直交する方向とする
ことで、図4(D)に示すように、レーザビームの広が
り角が広い方向を偏向方向と平行にすることができるの
で、有効走査幅を単一のレーザビームの時とほぼ同等に
利用することができる。このため、光学絞り56の開口
56Aによる光量低下を最小限に留めることができる。
【0054】また、発光素子開放型の半導体レーザ1
2、14を用いることで、図8に示すように、缶タイプ
の半導体レーザ110、112を並べる場合と異なり、
図4(B)に示すように、発光素子34、36を直接対
向させることができ、この状態で半導体レーザ12、1
4を半導体レーザ保持体16に位置決めさせることで、
発光素子34、36同士を充分近接させることが可能と
なる。
【0055】このため、温度上昇による半導体レーザ保
持体16の熱変形により発光素子34、36の離間距離
に影響を及ぼすことはない。また、発光素子34、36
同士を充分近接させることで、図3(B)に示すよう
に、複数の発光素子34、36で一つのコリメートレン
ズ46を共有させることができる。
【0056】
【発明の効果】本発明は、上記構成としたので、請求項
1に記載の発明では、複数の光源の光軸方向に沿って発
光点位置を正確にそろえることができるため、発光点位
置の光軸方向の誤差を小さくすることができ、レーザビ
ームのウエスト位置の深度ずれをなくし、複数のレーザ
ビーム間でビーム径も一致し、良好な画質を得ることが
できる。また、光源を波長によって選択的に組み合わせ
ることで、光源の波長差による走査幅のバラツキを防止
することができる。
【0057】請求項2に記載の発明では、保持体に対し
て光源を圧入して位置調整を行うことで、位置調整を行
うために駆動装置等を必要としないため、低コストで実
現できる。また、部品点数を最小限に抑えることができ
るため、生産時の精度のバラツキも小さくなり、結果的
に効果の維持性も高い。
【0058】請求項3に記載の発明では、レーザビーム
の広がり角が広い方向を各レーザビームで同一にするこ
とができるため、光学部品の反射角による光量比を全て
のレーザビームで略同一とすることができ、良好な画質
を得ることができる。
【0059】請求項4に記載の発明では、光源を発光素
子開放型半導体レーザとすることで、発光部を対向させ
た状態で半導体レーザを保持体に位置決めさせることが
でき、発光点間隔を充分近接させることが可能となるた
め、温度上昇による保持体の熱変形により発光点間隔に
影響を及ぼすことはない。また、発光点間隔を充分近接
させることで、複数の発光点で一つのコリメートレンズ
を共有させることができる。
【0060】さらに、発光部の接合面を主走査方向と略
直交する方向にすることで、レーザビームの広がり角が
広い方向を偏向方向と平行にすることができるので、有
効走査幅を単一のレーザビームの時とほぼ同等に利用す
ることができる。このため、光学絞りの開口による光量
低下を最小限に留めることができる。
【0061】請求項5に記載の発明では、走査幅のバラ
ツキが小さい、良好な画質を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るマルチビーム光源装
置に備えられた半導体レーザ及び半導体レーザ保持体を
斜視図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るマルチビーム光源装
置に備えられた半導体レーザ保持体を示す図であり、
(A)は半導体レーザ保持体の裏面図を示し、(B)は
半導体レーザ保持体の縦断面図を示している。
【図3】本発明の実施の形態に係るマルチビーム光源装
置を示す図であり、(A)はマルチビーム光源装置の裏
面図を示し、(B)はマルチビーム光源装置の縦断面図
を示している。
【図4】本発明の実施の形態に係るマルチビーム光源装
置に備えられた半導体レーザを示す図であり、(A)は
平面図、(B)は(A)の右側面図を示し、(C)は発
光素子の接合面を示して、(D)はレーザビームの広が
り方向を示している。
【図5】従来のマルチビーム光源装置の問題点を示す説
明図である。
【図6】従来のマルチビーム光源装置に備えられた半導
体レーザを示す説明図であり、(A)は発光素子の位置
ずれを示す図であり、(B)は、レーザビームのWai
st位置の深度ずれを示す図である。
【図7】従来のマルチビーム光源装置に備えられた半導
体レーザを示す図であり、(A)は平面図、(B)は
(A)の右側面図を示し、(C)は発光素子の接合面を
示して、(D)はレーザビームの広がり方向を示してい
る。
【図8】従来のマルチビーム光源装置の問題点を示す説
明図である。
【符号の説明】
10 マルチビーム光源装置 12 半導体レーザ(光源) 14 半導体レーザ(光源) 16 半導体レーザ保持体(保持体) 22 溝部(調整手段) 24 溝部(調整手段) 34A 接合面 34 発光素子(発光部) 36 発光素子(発光部) 36A 接合面 38 フランジ部(調整手段) 40 フランジ部(調整手段)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 1/113 H04N 1/04 104A Fターム(参考) 2C362 AA07 AA10 AA43 AA48 2H045 AA01 BA22 BA32 CB01 CB33 DA02 5C051 AA02 CA07 DB30 DC05 DE22 5C072 AA03 CA06 DA02 HA02 HA06 HA13 HB01 XA05

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の光源と、前記複数の光源を一体的
    に保持する保持体と、を備え、 前記複数の光源の発光点位置を光源の光軸方向に沿って
    相対的に調整可能とする調整手段を設けたことを特徴と
    するマルチビーム光源装置。
  2. 【請求項2】 前記調整手段が、 前記光源のフレームから張り出すフランジと、 前記保持体に形成され、前記光源の光軸方向に沿って前
    記フランジが圧入される溝と、 で構成されたことを特徴とする請求項1に記載のマルチ
    ビーム光源装置。
  3. 【請求項3】 複数の光源の発光部の接合面を平行にし
    たことを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチビー
    ム光源装置。
  4. 【請求項4】 前記光源を発光素子開放型半導体レーザ
    とし、光源の発光部を対面させ、前記発光部の接合面を
    主走査方向と略直交する方向としたことを特徴とする請
    求項3に記載のマルチビーム光源装置。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4の何れかに記載のマルチビ
    ーム光源装置を備えた光走査装置。
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