JP2003264405A - 高周波伝送線路およびそれを用いた電子部品並びに電子装置 - Google Patents
高周波伝送線路およびそれを用いた電子部品並びに電子装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電磁界の漏れの少ない伝送線路を提供するこ
とである。また、これを用いた、高周波特性の良い、電
子部品または電子装置を提供することである。 【解決手段】 回路基板上に溝を掘り、その溝の表面に
導体膜を形成し、溝を誘電体で埋め、誘電体の上に金属
導体を形成し、上面から同様に導体膜を形成した溝を誘
電体で埋めたもので挟み込むことにより実現される。
とである。また、これを用いた、高周波特性の良い、電
子部品または電子装置を提供することである。 【解決手段】 回路基板上に溝を掘り、その溝の表面に
導体膜を形成し、溝を誘電体で埋め、誘電体の上に金属
導体を形成し、上面から同様に導体膜を形成した溝を誘
電体で埋めたもので挟み込むことにより実現される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波伝送線路、そ
れを用いた電子部品及び電子装置に係り、特に、高周波
伝送技術に関するものである。
れを用いた電子部品及び電子装置に係り、特に、高周波
伝送技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】回路基板や高周波の電気信号を伝送する
伝送線路として、従来、図２、図３、図４及び図５に示
すものが知られている。図２は従来のコプレーナ線路を
示す斜視図及び側面図であり、図２（ａ）はコプレーナ
線路の斜視図を、図２（ｂ）は側面図である。コプレー
ナ線路は図２に示すように信号導体２０１の両側にグラ
ウンド導体２０２を有し、その信号導体２０１とグラウ
ンド導体２０２の間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬す
る。
伝送線路として、従来、図２、図３、図４及び図５に示
すものが知られている。図２は従来のコプレーナ線路を
示す斜視図及び側面図であり、図２（ａ）はコプレーナ
線路の斜視図を、図２（ｂ）は側面図である。コプレー
ナ線路は図２に示すように信号導体２０１の両側にグラ
ウンド導体２０２を有し、その信号導体２０１とグラウ
ンド導体２０２の間に電磁界を閉じ込めて信号を伝搬す
る。
【０００３】図３は従来のマイクロストリップ線路の斜
視図及び側面図であり、図３（ａ）は斜視図を、図３
（ｂ）は側面図を示す。マイクロストリップ線路は、図
３に示すように信号導体３０１に対して誘電体３０２を
挟んで反対の面にグラウンド導体３０３を有し、その信
号導体３０１とグラウンド導体３０３の間に電磁界を閉
じ込めて信号を伝搬する。
視図及び側面図であり、図３（ａ）は斜視図を、図３
（ｂ）は側面図を示す。マイクロストリップ線路は、図
３に示すように信号導体３０１に対して誘電体３０２を
挟んで反対の面にグラウンド導体３０３を有し、その信
号導体３０１とグラウンド導体３０３の間に電磁界を閉
じ込めて信号を伝搬する。
【０００４】図４は従来のグラウンデッドコプレーナ線
路の斜視図及び側面図であり、図４（ａ）は斜視図を、
図４（ｂ）は側面図を示す。グラウンデッドコプレーナ
線路は、図４に示すように、信号導体４０１の両側に、
グラウンド導体４０２を有し、さらに誘電体４０３を挟
んだ反対側にもグラウンド導体４０４を有し、信号導体
４０１と３つのグラウンド導体４０２、４０４との間に
電磁界を閉じ込めて信号を伝搬する。また、グラウンデ
ッドコプレーナ線路では両側のグラウンド導体４０２と
グラウンド導体４０４の電位を一定にするために、グラ
ウンド導体４０２とグラウンド導体４０４の間にスルー
ホールを設け、電気的に接続することがある。
路の斜視図及び側面図であり、図４（ａ）は斜視図を、
図４（ｂ）は側面図を示す。グラウンデッドコプレーナ
線路は、図４に示すように、信号導体４０１の両側に、
グラウンド導体４０２を有し、さらに誘電体４０３を挟
んだ反対側にもグラウンド導体４０４を有し、信号導体
４０１と３つのグラウンド導体４０２、４０４との間に
電磁界を閉じ込めて信号を伝搬する。また、グラウンデ
ッドコプレーナ線路では両側のグラウンド導体４０２と
グラウンド導体４０４の電位を一定にするために、グラ
ウンド導体４０２とグラウンド導体４０４の間にスルー
ホールを設け、電気的に接続することがある。
【０００５】これらの伝送線路では、電磁界を信号導体
とグラウンド導体の間に閉じこめて信号を伝送する。回
路基板上では、製造の容易性や高集積性から、マイクロ
ストリップ線路、コプレーナ線路、グラウンデッドコプ
レーナ線路などが多く用いられている。しかしながら、
これらこれらの伝送線路では、いくつかの問題点が発生
する。
とグラウンド導体の間に閉じこめて信号を伝送する。回
路基板上では、製造の容易性や高集積性から、マイクロ
ストリップ線路、コプレーナ線路、グラウンデッドコプ
レーナ線路などが多く用いられている。しかしながら、
これらこれらの伝送線路では、いくつかの問題点が発生
する。
【０００６】図２のコプレーナ線路では高周波信号を伝
播する場合、左右のグラウンド導体の電位を一定に保て
ないことがあり、伝送特性を悪化させる原因となる。こ
れを避けるために図４のグラウンデットコプレーナ線路
でグラウンド導体４０２とグラウンド導体４０４をスル
ーホールにより電気的に接続している。また、これらの
伝送線路では、その電磁界のごく一部を外部に放射して
しまう。この電磁界が原因で、他の電子機器に悪影響を
及ぼす。また、筐体中で反射を繰り返し、空洞共振が起
こるなどの問題が懸念されている。また、これらの伝送
線路ではスルーホールによって電位を一定に保つことが
一般に行われているが、誘電体４０３の材料によって
は、スルーホールを開けることが困難であったり、不可
能であったりする。このような材料としてはＳｉ基板等
が挙げられる。また、実装スペースの問題により、スル
ーホールを設ける余裕が無い場合がある。このような場
合、左右のグラウンド導体の電位を一定に保つことが困
難である。
播する場合、左右のグラウンド導体の電位を一定に保て
ないことがあり、伝送特性を悪化させる原因となる。こ
れを避けるために図４のグラウンデットコプレーナ線路
でグラウンド導体４０２とグラウンド導体４０４をスル
ーホールにより電気的に接続している。また、これらの
伝送線路では、その電磁界のごく一部を外部に放射して
しまう。この電磁界が原因で、他の電子機器に悪影響を
及ぼす。また、筐体中で反射を繰り返し、空洞共振が起
こるなどの問題が懸念されている。また、これらの伝送
線路ではスルーホールによって電位を一定に保つことが
一般に行われているが、誘電体４０３の材料によって
は、スルーホールを開けることが困難であったり、不可
能であったりする。このような材料としてはＳｉ基板等
が挙げられる。また、実装スペースの問題により、スル
ーホールを設ける余裕が無い場合がある。このような場
合、左右のグラウンド導体の電位を一定に保つことが困
難である。
【０００７】このように電磁界をごく微量ながら外部に
放射する伝送線路に対し、電磁界を外部に漏らさない伝
送線路として図５に示すような同軸構造があげられる。
図５は従来の同軸線路の斜視図である。同軸構造の伝送
線路は内導体５０１と外導体５０３とその間を埋める誘
電体５０２からなる。同軸構造の伝送線路では電磁界を
内導体と外導体の間に閉じこめて信号を伝送するため、
電磁界が外部に漏れる心配が無い。
放射する伝送線路に対し、電磁界を外部に漏らさない伝
送線路として図５に示すような同軸構造があげられる。
図５は従来の同軸線路の斜視図である。同軸構造の伝送
線路は内導体５０１と外導体５０３とその間を埋める誘
電体５０２からなる。同軸構造の伝送線路では電磁界を
内導体と外導体の間に閉じこめて信号を伝送するため、
電磁界が外部に漏れる心配が無い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】信号導体の両端に設け
られたグラウンド導体間の電位を一定に保つためにスル
ーホールを設ける場合には、スルーホールを設ける分コ
スト増につながる。また、スルーホールを設けることが
できない誘電体材料を用いる場合には、信号導体の両端
に設けられたグラウンド導体間の電位を一定に保つこと
は困難である。
られたグラウンド導体間の電位を一定に保つためにスル
ーホールを設ける場合には、スルーホールを設ける分コ
スト増につながる。また、スルーホールを設けることが
できない誘電体材料を用いる場合には、信号導体の両端
に設けられたグラウンド導体間の電位を一定に保つこと
は困難である。
【０００９】図５に示す同軸構図の伝送線路において
は、外径が円筒形に構成されているために平板状のＩＣ
等に接続する場合、互いに形状が異なるため、接続後は
大きなスペースが必要となる。
は、外径が円筒形に構成されているために平板状のＩＣ
等に接続する場合、互いに形状が異なるため、接続後は
大きなスペースが必要となる。
【００１０】本発明の目的は、上記従来技術の問題点を
解決し、スルーホールを設けることなくグラウンド電位
を一定に保ち、伝送特性を向上させることができる伝送
線路を提供することにある。本発明の他の目的は、上記
従来技術の問題点を解決し、電磁界の漏れの少ない伝送
線路を提供することである。また、本発明の他の目的
は、これを用いた、電磁界の漏れの少ない、電子部品ま
たは電子装置を提供することである。
解決し、スルーホールを設けることなくグラウンド電位
を一定に保ち、伝送特性を向上させることができる伝送
線路を提供することにある。本発明の他の目的は、上記
従来技術の問題点を解決し、電磁界の漏れの少ない伝送
線路を提供することである。また、本発明の他の目的
は、これを用いた、電磁界の漏れの少ない、電子部品ま
たは電子装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、回路基板上に溝を掘り、その溝の表面に導体膜
を形成し、溝を誘電体で埋め、誘電体の上に金属膜を形
成する。また、この伝送線路において、該溝の表面に形
成された該導体膜に連続して該溝の両側に導体膜を設け
る。
ために、回路基板上に溝を掘り、その溝の表面に導体膜
を形成し、溝を誘電体で埋め、誘電体の上に金属膜を形
成する。また、この伝送線路において、該溝の表面に形
成された該導体膜に連続して該溝の両側に導体膜を設け
る。
【００１２】また、本発明の伝送線路は、回路基板上に
溝を掘り、その溝の表面に導体膜を形成し、溝を誘電体
で埋め、誘電体の上に金属導体を形成し、上面から同様
に導体膜を形成した溝を誘電体で埋めたもので挟み込む
ことにより実現される。
溝を掘り、その溝の表面に導体膜を形成し、溝を誘電体
で埋め、誘電体の上に金属導体を形成し、上面から同様
に導体膜を形成した溝を誘電体で埋めたもので挟み込む
ことにより実現される。
【００１３】これにより、電位を一定にするためにスル
ーホールを設ける必要が無くなった。また、電磁界を溝
の内部に閉じこめた状態で信号を伝送でき、電磁界を外
部に漏らすことなく信号を伝送できる。
ーホールを設ける必要が無くなった。また、電磁界を溝
の内部に閉じこめた状態で信号を伝送でき、電磁界を外
部に漏らすことなく信号を伝送できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、幾
つかの実施例を用い、図を参照して説明する。図１は本
発明による高周波伝送線路の一実施例を示す斜視図であ
る。本実施例の伝送線路は、図１に示すように、基板１
０１ａ、基板１０１ｂにそれぞれＶ字状の溝１０４ａ、
１０４ｂを設け、Ｖ字状の溝１０４ａ、１０４ｂを設け
た基板１０１ａ、１０１ｂの表面に金属膜１０２ａ、１
０２ｂを形成する。また、金属膜１０２ａ、１０２ｂが
形成された溝１０４ａ、１０４ｂに誘電体樹脂１０３
ａ、１０３ｂが充填される。このように、本実施例の高
周波伝送線路は、溝１０４ａ、１０４ｂに金属膜１０２
ａ、１０２ｂが形成され、更に溝１０４ａ、１０４ｂに
誘電体樹脂１０３が充填された２個の基体１０５ａ、１
０５ｂを用意し、その２個の基体１０５ａ、１０５ｂ
で、信号導体１０６を挟み込む構造になっている。即
ち、基体１０５ａ、１０５ｂの一方の基体の誘電体樹脂
の中央部に信号導体１０６を配置し、他方の基体を重ね
合わせ、両基体１０５ａ、１０５ｂの誘電体樹脂１０３
ａ、１０３ｂで信号導体を挟み込むことによって構成さ
れる。なお、金属膜１０２ａ、１０２ｂはグランド導体
として作用する。
つかの実施例を用い、図を参照して説明する。図１は本
発明による高周波伝送線路の一実施例を示す斜視図であ
る。本実施例の伝送線路は、図１に示すように、基板１
０１ａ、基板１０１ｂにそれぞれＶ字状の溝１０４ａ、
１０４ｂを設け、Ｖ字状の溝１０４ａ、１０４ｂを設け
た基板１０１ａ、１０１ｂの表面に金属膜１０２ａ、１
０２ｂを形成する。また、金属膜１０２ａ、１０２ｂが
形成された溝１０４ａ、１０４ｂに誘電体樹脂１０３
ａ、１０３ｂが充填される。このように、本実施例の高
周波伝送線路は、溝１０４ａ、１０４ｂに金属膜１０２
ａ、１０２ｂが形成され、更に溝１０４ａ、１０４ｂに
誘電体樹脂１０３が充填された２個の基体１０５ａ、１
０５ｂを用意し、その２個の基体１０５ａ、１０５ｂ
で、信号導体１０６を挟み込む構造になっている。即
ち、基体１０５ａ、１０５ｂの一方の基体の誘電体樹脂
の中央部に信号導体１０６を配置し、他方の基体を重ね
合わせ、両基体１０５ａ、１０５ｂの誘電体樹脂１０３
ａ、１０３ｂで信号導体を挟み込むことによって構成さ
れる。なお、金属膜１０２ａ、１０２ｂはグランド導体
として作用する。
【００１５】本実施例を用いることによって、回路基板
上に容易にグラウンド導体で囲まれた伝送線路を形成す
ることができ、電磁界の漏れの少ない伝送線路を形成す
ることができる。
上に容易にグラウンド導体で囲まれた伝送線路を形成す
ることができ、電磁界の漏れの少ない伝送線路を形成す
ることができる。
【００１６】以下、図６を用いて、本発明による高周波
伝送線路の製造工程について説明する。図６は本発明に
よる高周波伝送線路の製造工程を説明するための断面図
である。図６（ａ）に示すように、基板１０１ｂを準備
し、図６（ｂ）に示すように、基板１０１ｂにＶ字の溝
１０４ｂを形成する。この溝の形成方法としては、ドリ
ルによる溝の形成、レーザによる溝の形成、エッチング
による溝の形成などが挙げられる。次に、図６（ｃ）に
示すように、Ｖ字の溝１０４ｂを含む基板１０１ｂの表
面にメタライズを行い、金属膜１０２ｂを形成する。メ
タライズの方法としては、メッキ、蒸着などが挙げられ
る。次に、図６（ｄ）に示すように、Ｖ字の溝１０４ｂ
の金属膜１０２ｂ上に誘電体樹脂１０３ｂを埋めること
によって、一方の基体１０５ｂが構成される。樹脂とし
ては、ガラスエポキシ樹脂などが挙げられる。次に、図
６（ｅ）に示すように、その誘電体樹脂１０３ｂの上に
信号導体１０６を形成する。これにより、左右のグラウ
ンド導体の電位を一定に保ち、伝送特性の良い伝送線路
を形成することができる。スルーホールを設けることが
困難な基板であっても、この構造を用いることができ
る。
伝送線路の製造工程について説明する。図６は本発明に
よる高周波伝送線路の製造工程を説明するための断面図
である。図６（ａ）に示すように、基板１０１ｂを準備
し、図６（ｂ）に示すように、基板１０１ｂにＶ字の溝
１０４ｂを形成する。この溝の形成方法としては、ドリ
ルによる溝の形成、レーザによる溝の形成、エッチング
による溝の形成などが挙げられる。次に、図６（ｃ）に
示すように、Ｖ字の溝１０４ｂを含む基板１０１ｂの表
面にメタライズを行い、金属膜１０２ｂを形成する。メ
タライズの方法としては、メッキ、蒸着などが挙げられ
る。次に、図６（ｄ）に示すように、Ｖ字の溝１０４ｂ
の金属膜１０２ｂ上に誘電体樹脂１０３ｂを埋めること
によって、一方の基体１０５ｂが構成される。樹脂とし
ては、ガラスエポキシ樹脂などが挙げられる。次に、図
６（ｅ）に示すように、その誘電体樹脂１０３ｂの上に
信号導体１０６を形成する。これにより、左右のグラウ
ンド導体の電位を一定に保ち、伝送特性の良い伝送線路
を形成することができる。スルーホールを設けることが
困難な基板であっても、この構造を用いることができ
る。
【００１７】信号導体１０６の形成方法としては、メッ
キ、蒸着、エッチングなどが挙げられる。最後に、図６
（ｆ）に示すように、図６（ｅ）のように構成された他
の基体１０５ａを基体１０５ｂ上に重ね合わせ、誘電体
樹脂１０３ａ、１０３ｂ間に信号導体１０６を挟み込む
ことによって、信号導体１０６の周りを導体１０２ａ、
１０２ｂで囲んだ高周波伝送線路を構成することができ
る。
キ、蒸着、エッチングなどが挙げられる。最後に、図６
（ｆ）に示すように、図６（ｅ）のように構成された他
の基体１０５ａを基体１０５ｂ上に重ね合わせ、誘電体
樹脂１０３ａ、１０３ｂ間に信号導体１０６を挟み込む
ことによって、信号導体１０６の周りを導体１０２ａ、
１０２ｂで囲んだ高周波伝送線路を構成することができ
る。
【００１８】Ｖ字の溝１０４ａ、１０４ｂを精度良く形
成する方法として、シリコンのエッチング速度の異方性
を用いる方法がある。即ちシリコンの結晶方位の違いに
よってエッチング速度が異なることを利用することによ
って、製造精度を上げ、効率良くＶ字溝を形成すること
ができる。
成する方法として、シリコンのエッチング速度の異方性
を用いる方法がある。即ちシリコンの結晶方位の違いに
よってエッチング速度が異なることを利用することによ
って、製造精度を上げ、効率良くＶ字溝を形成すること
ができる。
【００１９】図７は本発明による高周波伝送線路とＩＣ
との接続構造を示す斜視図である。図に示すように、一
方の基体をせり出した形状にしてＩＣと接続している。
例えば、高周波伝送線路の上側基体１０５ａの一部をカ
ットし、下側基体１０５ｂの金属膜１０２ｂが誘電体１
０３ｂの両側に露出させ、誘電体１０３ｂの中心に信号
導体１０６を露出させる。両側の金属膜１０２ｂをそれ
ぞれボンディングワイヤ７０６ａ、７０６ｃを用いてＩ
Ｃ７０５のグランド電極７０７ａ、７０７ｂに接続して
いる。また、信号導体１０６をボンディングワイヤ７０
６ｂを用いてＩＣ７０５の信号電極７０８に接続してい
る。本実施例によると、ＩＣとの接続、又は他の伝送線
路との接続を容易にできる。本実施例では、ボンディン
グワイヤ７０６による接続方法を示した。ＩＣの裏面に
はんだボールがあるＢＧＡ（ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｌ
ｌｅｙ）タイプのＩＣの場合、ボンディングワイヤ等を
解することなく、そのまま接続することもできる。
との接続構造を示す斜視図である。図に示すように、一
方の基体をせり出した形状にしてＩＣと接続している。
例えば、高周波伝送線路の上側基体１０５ａの一部をカ
ットし、下側基体１０５ｂの金属膜１０２ｂが誘電体１
０３ｂの両側に露出させ、誘電体１０３ｂの中心に信号
導体１０６を露出させる。両側の金属膜１０２ｂをそれ
ぞれボンディングワイヤ７０６ａ、７０６ｃを用いてＩ
Ｃ７０５のグランド電極７０７ａ、７０７ｂに接続して
いる。また、信号導体１０６をボンディングワイヤ７０
６ｂを用いてＩＣ７０５の信号電極７０８に接続してい
る。本実施例によると、ＩＣとの接続、又は他の伝送線
路との接続を容易にできる。本実施例では、ボンディン
グワイヤ７０６による接続方法を示した。ＩＣの裏面に
はんだボールがあるＢＧＡ（ｂａｌｌ ｇｒｉｄ ａｌ
ｌｅｙ）タイプのＩＣの場合、ボンディングワイヤ等を
解することなく、そのまま接続することもできる。
【００２０】また、マイクロストリップ構造の伝送線路
などでは、信号導体が複数あった場合、それぞれの伝送
線路間でクロストークが起きる心配があったが、本実施
例では伝送線路が完全に閉じた形状になるため、他の伝
送線路とのカップリングが小さく、クロストークも小さ
くできる。
などでは、信号導体が複数あった場合、それぞれの伝送
線路間でクロストークが起きる心配があったが、本実施
例では伝送線路が完全に閉じた形状になるため、他の伝
送線路とのカップリングが小さく、クロストークも小さ
くできる。
【００２１】本発明による伝送線路では、溝の形状は、
Ｖ字の溝に限るものでは無く、他の形状でもよい。図８
は本発明による高周波伝送線路の他の実施例を示す斜視
図であり、図に示すように、基板８０１ａ、８０１ｂに
は台形の溝８０４ａ、８０４ｂが設けられ、他は同様に
形成された例が示されている。なお、８０２ａ、８０２
ｂは金属膜、８０３ａ、８０３ｂは誘電体である。
Ｖ字の溝に限るものでは無く、他の形状でもよい。図８
は本発明による高周波伝送線路の他の実施例を示す斜視
図であり、図に示すように、基板８０１ａ、８０１ｂに
は台形の溝８０４ａ、８０４ｂが設けられ、他は同様に
形成された例が示されている。なお、８０２ａ、８０２
ｂは金属膜、８０３ａ、８０３ｂは誘電体である。
【００２２】図９は本発明による高周波伝送線路の更に
他の実施例を示す斜視図であり、図に示すように、基板
９０１ａ、９０１ｂには半円形の溝９０４ａ、９０４ｂ
が設けられ、他は同様に形成された例が示されている。
なお、９０２ａ、９０２ｂは金属膜、９０３ａ、９０３
ｂは誘電体である。
他の実施例を示す斜視図であり、図に示すように、基板
９０１ａ、９０１ｂには半円形の溝９０４ａ、９０４ｂ
が設けられ、他は同様に形成された例が示されている。
なお、９０２ａ、９０２ｂは金属膜、９０３ａ、９０３
ｂは誘電体である。
【００２３】本発明では、図８に示すように台形でもよ
く、また、図９に示すように半円形、その他Ｕ字等の曲
面形でもよい。
く、また、図９に示すように半円形、その他Ｕ字等の曲
面形でもよい。
【００２４】また、本発明においては、金属膜は必ずし
も基板の幅一杯に広げる必要は無い。図１０は本発明の
更に多の例を示す側面図であり、図１と同じ構成要素に
は同一の符号を付けてその説明を省略する。図におい
て、金属膜１００２ａ、１００２ｂは基板１０１ａ、１
０１ｂの幅よりも少し狭められている。
も基板の幅一杯に広げる必要は無い。図１０は本発明の
更に多の例を示す側面図であり、図１と同じ構成要素に
は同一の符号を付けてその説明を省略する。図におい
て、金属膜１００２ａ、１００２ｂは基板１０１ａ、１
０１ｂの幅よりも少し狭められている。
【００２５】今までの実施例では、一つの基板に溝が１
個設けられ、また、溝に埋め込まれた誘電体上に１個の
信号導体を設けていたが、複数の信号導体を設けても良
い。図１１を用いて２本の信号導体を設けたれを示す
が、信号導体の数は必要に応じて何本設けても良い。図
１１は本発明による高周波伝送線路の更に他の実施例を
示す側面図であり、基板１１０１ａには第１、第２の溝
１０４ａ、１０４ｃが設けら、基板１１０１ｂには第
１、第２の溝１０４ｂ、１０４ｄが設けら、基板１１０
１ａ、１１０１ｂの表面には、金属膜１１０２ａ、１１
０２ｂが形成される。また、溝１０４ａ〜１０４ｄには
誘電体１０３ａ〜１０３ｄが設けられ、基板１１０１
ａ、１１０１ｂの誘電体１０３ａと誘電体１０３ｂの
間、誘電体１０３ｃと誘電体１０３ｄの間にはそれぞれ
信号導体１０６ａ、１０６ｂが挟み込まれている。この
ようにして、複数の信号導体を設けることができる。
個設けられ、また、溝に埋め込まれた誘電体上に１個の
信号導体を設けていたが、複数の信号導体を設けても良
い。図１１を用いて２本の信号導体を設けたれを示す
が、信号導体の数は必要に応じて何本設けても良い。図
１１は本発明による高周波伝送線路の更に他の実施例を
示す側面図であり、基板１１０１ａには第１、第２の溝
１０４ａ、１０４ｃが設けら、基板１１０１ｂには第
１、第２の溝１０４ｂ、１０４ｄが設けら、基板１１０
１ａ、１１０１ｂの表面には、金属膜１１０２ａ、１１
０２ｂが形成される。また、溝１０４ａ〜１０４ｄには
誘電体１０３ａ〜１０３ｄが設けられ、基板１１０１
ａ、１１０１ｂの誘電体１０３ａと誘電体１０３ｂの
間、誘電体１０３ｃと誘電体１０３ｄの間にはそれぞれ
信号導体１０６ａ、１０６ｂが挟み込まれている。この
ようにして、複数の信号導体を設けることができる。
【００２６】図１２は本発明による高周波伝送線路の更
に他の実施例を示す側面図である。図において、金属膜
は信号導体１０６ａと信号導体１０６ｂの間で切断さ
れ、導通されていない。即ち、金属膜１２０２ａと金属
膜１２０２ｃは切断されており、電気的に導通していな
い。また、金属膜１２０２ｂと金属膜１２０２ｄは切断
されており、電気的に導通していない。本実施例に示す
高周波伝送線路では、例えば信号導体１０６ａに高速の
信号を伝送し、信号導体１０６ｂに低速の信号を伝送す
る場合、金属膜１２０２ａと金属膜１２０２ｃが接続さ
れており、金属膜１２０２ｂと金属膜１２０２ｄが接続
されている場合には、高速の信号によるノイズが信号導
体１０６ｂの信号に影響を及ぼす。よって、この場合に
は、図１２に示すように、金属膜１２０２ａと金属膜１
２０２ｃの間を絶縁し、金属膜１２０２ｂと金属膜１２
０２ｄの間を絶縁することによってノイズによる影響を
防ぐことができる。逆に、両方の信号導体１０６ａ、１
０６ｂに高速の信号を伝送する場合にはグランド電位を
安定させるために、図１１に示す金属膜１１０２ａ、１
１０２ｂのように、一体化されているほうがよい。
に他の実施例を示す側面図である。図において、金属膜
は信号導体１０６ａと信号導体１０６ｂの間で切断さ
れ、導通されていない。即ち、金属膜１２０２ａと金属
膜１２０２ｃは切断されており、電気的に導通していな
い。また、金属膜１２０２ｂと金属膜１２０２ｄは切断
されており、電気的に導通していない。本実施例に示す
高周波伝送線路では、例えば信号導体１０６ａに高速の
信号を伝送し、信号導体１０６ｂに低速の信号を伝送す
る場合、金属膜１２０２ａと金属膜１２０２ｃが接続さ
れており、金属膜１２０２ｂと金属膜１２０２ｄが接続
されている場合には、高速の信号によるノイズが信号導
体１０６ｂの信号に影響を及ぼす。よって、この場合に
は、図１２に示すように、金属膜１２０２ａと金属膜１
２０２ｃの間を絶縁し、金属膜１２０２ｂと金属膜１２
０２ｄの間を絶縁することによってノイズによる影響を
防ぐことができる。逆に、両方の信号導体１０６ａ、１
０６ｂに高速の信号を伝送する場合にはグランド電位を
安定させるために、図１１に示す金属膜１１０２ａ、１
１０２ｂのように、一体化されているほうがよい。
【００２７】本発明は高周波信号を伝搬する装置とし
て、光モジュールの高速信号伝送基板や、パーソナルコ
ンピュータ、携帯端末、通信機器などに適用できる。
て、光モジュールの高速信号伝送基板や、パーソナルコ
ンピュータ、携帯端末、通信機器などに適用できる。
【００２８】本実施例では、基板上の伝送線路の例を示
したが、本発明はこれに限られるものではない。ＬＳＩ
チップ内の伝送線路において本発明を利用することで、
より高周波特性の良いＬＳＩを作製可能となる。その
他、基板間を接続するフレキシブルケーブル等にも適用
可能である。
したが、本発明はこれに限られるものではない。ＬＳＩ
チップ内の伝送線路において本発明を利用することで、
より高周波特性の良いＬＳＩを作製可能となる。その
他、基板間を接続するフレキシブルケーブル等にも適用
可能である。
【００２９】以上述べたように、本発明によれば、図６
（ｅ）に示す構成とすることにより、スルーホールを設
けることなく、信号導体の両側のグラウンド導体の電位
を一定に保つことができるため、スルーホールが設けら
れない誘電体材料を利用することができる。さらに、本
発明によれば電磁界の漏洩が少ない伝送線路を実現する
ことができる。
（ｅ）に示す構成とすることにより、スルーホールを設
けることなく、信号導体の両側のグラウンド導体の電位
を一定に保つことができるため、スルーホールが設けら
れない誘電体材料を利用することができる。さらに、本
発明によれば電磁界の漏洩が少ない伝送線路を実現する
ことができる。
【００３０】即ち、本発明によれば、回路基板上に溝を
掘り、その溝の表面に導体膜を形成し、溝を誘電体で埋
め、誘電体の上に金属膜を形成し、該溝の表面に形成さ
れた該導体膜に連続して該溝の両側に導体膜を設けてい
る。これによって、信号導体の両側のグラウンド導体の
電位を一定に保つことができる。
掘り、その溝の表面に導体膜を形成し、溝を誘電体で埋
め、誘電体の上に金属膜を形成し、該溝の表面に形成さ
れた該導体膜に連続して該溝の両側に導体膜を設けてい
る。これによって、信号導体の両側のグラウンド導体の
電位を一定に保つことができる。
【００３１】また、回路基板上に溝を掘り、その溝の表
面に導体膜を形成し、溝を誘電体で埋め、誘電体の上に
金属導体を形成し、上面から同様に導体膜を形成した溝
を誘電体で埋めたものでは挟み込むことにより、電磁界
を溝の内部に閉じこめた状態で信号を伝送でき、電磁界
を外部に漏らすことなく信号を伝送できる。
面に導体膜を形成し、溝を誘電体で埋め、誘電体の上に
金属導体を形成し、上面から同様に導体膜を形成した溝
を誘電体で埋めたものでは挟み込むことにより、電磁界
を溝の内部に閉じこめた状態で信号を伝送でき、電磁界
を外部に漏らすことなく信号を伝送できる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、信
号導体の両側のグラウンド導体の電位を一定に保つこと
ができる。また、電磁界を溝の内部に閉じこめた状態で
信号を伝送でき、電磁界の漏洩を少なくして信号を伝送
できる。
号導体の両側のグラウンド導体の電位を一定に保つこと
ができる。また、電磁界を溝の内部に閉じこめた状態で
信号を伝送でき、電磁界の漏洩を少なくして信号を伝送
できる。
【図１】本発明による高周波伝送線路の一実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】従来のコプレーナ線路を示す斜視図及び側面図
である。従来の伝送線路の例（コプレーナ線路）
である。従来の伝送線路の例（コプレーナ線路）
【図３】従来のマイクロストリップ線路の斜視図及び側
面図である。
面図である。
【図４】従来のグラウンデッドコプレーナ線路の斜視図
及び側面図である。
及び側面図である。
【図５】従来の同軸線路の斜視図である。
【図６】本発明による高周波伝送線路の製造工程を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
【図７】本発明による高周波伝送線路とＩＣとの接続構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図８】本発明による高周波伝送線路の他の実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図９】本発明による高周波伝送線路の更に他の実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図１０】本発明の更に多の例を示す側面図である。
【図１１】本発明による高周波伝送線路の更に他の実施
例を示す側面図である。
例を示す側面図である。
【図１２】本発明による高周波伝送線路の更に他の実施
例を示す側面図である。
例を示す側面図である。
１０１ａ、１０１ｂ…基板、１０４ａ、１０４ｂ…溝、
１０２ａ、１０２ｂ…金属膜、１０３ａ、１０３ｂ…誘
電体樹脂、１０５ａ、１０５ｂ…基体、１０６…信号導
体、７０６ａ、７０６ｂ、７０６ｃ、…ボンディングワ
イヤ。
１０２ａ、１０２ｂ…金属膜、１０３ａ、１０３ｂ…誘
電体樹脂、１０５ａ、１０５ｂ…基体、１０６…信号導
体、７０６ａ、７０６ｂ、７０６ｃ、…ボンディングワ
イヤ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 上坂 晃一
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株
式会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】回路基板上に形成される伝送線路におい
て、溝が設けられた基板と、該溝の表面に形成された導
体膜と、該溝の導体膜上に設けられ、該溝を埋める誘電
体と、該誘電体上に設けられた信号導体とを有する事を
特徴とする伝送線路。 - 【請求項２】請求項１記載の伝送線路において、該溝の
表面に形成された該導体膜に連続して該溝の両側に導体
膜を設けることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項３】溝が設けられた基板、該基板の該溝を含む
表面に設けられグランド電極を構成する導体膜、該溝部
分の該導体膜上に設けられた誘電体を有する第１の基体
と、他の溝が設けられた他の基板、該他の基板の該他の
溝を含む表面に設けられグランド電極を構成する他の導
体膜、該他の溝部分の該他の導体膜上に設けられた他の
誘電体を有する第２の基体と、信号導体とを備え、該信
号導体を該第１の基体の誘電体と該第２の基体の誘電体
の間に狭持するように構成された伝送線路。 - 【請求項４】請求項３に記載の伝送線路において、該第
１の基体又は第２の基体のいずれか一方がせり出した構
造とし、該せり出した基体の導体膜と該導体を露出させ
ることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項５】請求項１乃至４記載の伝送線路において、
該溝は多角形、半円形やＵ字形などの曲面形のいずれで
あることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項６】請求項１の伝送線路において、該基板に複
数の溝と信号導体を設けることを特徴とする伝送線路。 - 【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載の伝送線
路を有することを特徴とする電子部品。 - 【請求項８】請求項１乃至６のいずれかに記載の伝送線
路を有することを特徴とする電子装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063431A JP2003264405A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 高周波伝送線路およびそれを用いた電子部品並びに電子装置 |
| US10/222,186 US20030169133A1 (en) | 2002-03-08 | 2002-08-15 | High frequency transmission line, electronic parts and electronic apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002063431A JP2003264405A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 高周波伝送線路およびそれを用いた電子部品並びに電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003264405A true JP2003264405A (ja) | 2003-09-19 |
Family
ID=27784926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002063431A Withdrawn JP2003264405A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 高周波伝送線路およびそれを用いた電子部品並びに電子装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030169133A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003264405A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US20070154157A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Horine Bryce D | Quasi-waveguide printed circuit board structure |
| US7480435B2 (en) * | 2005-12-30 | 2009-01-20 | Intel Corporation | Embedded waveguide printed circuit board structure |
| US7851709B2 (en) * | 2006-03-22 | 2010-12-14 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Multi-layer circuit board having ground shielding walls |
| SG172511A1 (en) * | 2010-01-04 | 2011-07-28 | Sony Corp | A waveguide |
| CN101998763B (zh) * | 2010-09-02 | 2013-01-16 | 华为技术有限公司 | 裸芯片与印制电路板的连接结构及印制电路板、通信设备 |
| SG11201602499TA (en) * | 2013-10-07 | 2016-04-28 | Koninkl Philips Nv | Precision batch production method for manufacturing ferrite rods |
| US9664852B1 (en) * | 2016-09-30 | 2017-05-30 | Nanya Technology Corporation | Optical waveguide having several dielectric layers and at least one metal cladding layer |
| CN108289368B (zh) * | 2017-01-09 | 2020-07-24 | 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 | 高频信号传输结构及其制作方法 |
| DE102018108955A1 (de) * | 2018-04-16 | 2019-10-17 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Signalleitung |
| CN108878020B (zh) * | 2018-05-31 | 2019-11-26 | 维沃移动通信有限公司 | 一种信号传输线和终端设备 |
| CN111224203B (zh) * | 2020-01-13 | 2021-12-07 | 上海迈铸半导体科技有限公司 | 一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构 |
| CN113497129B (zh) * | 2020-04-07 | 2023-12-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法 |
| CN115922258B (zh) * | 2023-02-07 | 2023-05-09 | 河南工学院 | 一种太赫兹金属镀层空芯矩形波导腔体铸、铣一体化成型制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0534854B1 (en) * | 1991-09-24 | 1997-12-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film |
| US6569757B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-05-27 | Philips Electronics North America Corporation | Methods for forming co-axial interconnect lines in a CMOS process for high speed applications |
| JP4215495B2 (ja) * | 2002-01-10 | 2009-01-28 | 三洋電機株式会社 | 配線構造およびその製造方法ならびに配線構造を備えた半導体装置と配線基板 |
-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002063431A patent/JP2003264405A/ja not_active Withdrawn
- 2002-08-15 US US10/222,186 patent/US20030169133A1/en not_active Abandoned
Also Published As
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|---|---|
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