JP2003262963A - レジスト剥離剤及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板上に塗布されたフォトレジスト膜、または
基板上に塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に
残存するフォトレジスト層、あるいはフォトレジスト層
をエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジ
スト残査物等を低温でかつ短時間で容易に剥離でき、そ
の際種々の材料を全く腐食せずに微細加工が可能であ
り、高精度の回路配線を製造できるフォトレジスト剥離
剤を提供すること。 【解決手段】アルコキシメチルアミン構造を有する化合
物からなる剥離剤。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】リソグラフィー技術を利用す
る際に使用されるフォトレジストは、IC,LSIのような集
積回路、LCD、EL素子の様な表示機器、プリント基板、
微小機械、DNAチップ、マイクロプラント等広い分野使
用されている。本発明は、特に種々の基板等の物質表面
からフォトレジストを剥離するために使用するフォトレ
ジスト剥離剤に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、フォトレジスト除去にはアルカリ
性剥離剤が使用されている。例えば東京応化のTOK106は
アルカノールアミンとジメチルスルホキシド、EKC テク
ノロジーのEKC265はアルカノールアミン、ヒドロキシル
アミンとカテコールと水の溶液である。一般的にこれら
アルカリ化合物フォトレジスト剥離用組成物はフォトレ
ジスト剥離工程で使用されるが、近年、半導体素子や液
晶表示パネルのプロセスの微細化や短時間処理に対応す
るには能力が低く、更なる能力の向上が望まれている。
さらにヒドロキシルアミンは分解しやすい欠点を有して
いる。また、近年半導体集積回路や液晶表示装置の半導
体素子の材料として種々の材料が使用されており、種々
の基板を腐食しないフォトレジスト剥離剤が要求されて
いる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術における上記の如き、剥離剤の問題点を解決し、基
板上に塗布されたフォトレジスト膜、または基板上に塗
布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存するフ
ォトレジスト層、あるいはフォトレジスト層をエッチン
グ後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残査物
等を低温でかつ短時間で容易に剥離でき、その際種々の
材料を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高精度の
回路配線を製造できるフォトレジスト剥離剤及びその使
用方法を提供することである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明者等らは、前記目
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、アルコキシ
メチルアミン構造を有する化合物（以下、アルコキシメ
チルアミン化合物という）からなる剥離剤が、基板上に
塗布されたフォトレジスト膜をエッチング後に残存する
マスク形成されたフォトレジストおよびレジスト残査、
あるいはエッチング後にアッシングを行い残存するレジ
スト残査を容易に短時間で剥離でき、その際に配線材料
や絶縁膜等を全く腐食せずに微細加工が可能であり、高
精度の配線回路を可能にすることを見出し、本発明を完
成した。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明のレジスト剥離剤は、アル
コキシメチルアミン化合物の少なくとも1種を含有して
いる。アルコキシメチルアミン化合物は、＝N-CH2-OＲ
で示されるアルコキシメチルアミン構造を有する化合物
であり、具体例として、下記式(1)で示される化合物が
挙げられる。

【０００６】

【化２】 R¹=アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基,
アシル基、アルコキシアルキル基、またはアミノアルキ
ル基、R²=Ｈ,アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキ
ル基、アリール基、アリル基、アミノアルキル基、アル
コキシアルキル基、ヒドロキシ基、またはアミノ基R³=
Ｈ, アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキ基、アリ
ール基、アリル基、アルコキシアルキル基、アミノアル
キル基、ヒドロキシ基、またはアミノ基を示す。R²とR³
は、C1からC8の炭素原子を含む構造によって結合した環
状構造でも良い。

【０００７】特に式(1)のR¹がアルキル基、ヒドロキシ
アルキル基、またはアルコキシアルキル基であるアルコ
キシメチルアミン化合物が容易に入手、製造でき好まし
い。さらにはアルコキシメチルアミン化合物の沸点が40
℃以上であることが好ましい。これより沸点が低いと組
成変化しやすい。本発明のアルコキシメチルアミン構造
は分子内に1つ以上有していればよく、多くのアルコキ
シメチルアミン構造を有していても何ら差し支えない。
また、使用するアルコキシメチルアミン化合物は無機酸
や有機酸との塩の形で使用しても良い。本発明に使用さ
れるアルコキシメチルアミンの具体的な例は、（ブトキ
シメチル）ジエチルアミン、(メトキシメチル)ジエチル
アミン、（メトキシメチル）ジメチルアミン、（ブトキ
シメチル）ジメチルアミン、（イソブトキシメチル）ジ
メチルアミン、N-（メトキシメチル）モルホリン、N-
（ブトキシメチル）モルホリン、N-（メトキシメチル）
ピペリジン、N-（ブトキシメチル）ピペリジン、ジ（メ
トキシメチル）アミノエタン、ジ（メトキシメチル）ア
ミノメタン、ジ（ブトキシメチル）アミノエタン、ジ
（ブトキシメチル）アミノメタン、ジ（メトキシメチ
ル）アミノエタノール、ジ（ブトキシメチル）アミノエ
タノール、ジ（メトキシメチル）アミノエトキシエタノ
ール、ジ（ブトキシメチル）アミノエトキシエタノー
ル、ジ（メトキシメチル）アミノエトキシメタン、メチ
ル（メトキシメチル）アミノエタン、メチル（メトキシ
メチル）アミノエタノール、メチル（ブトキシメチル）
アミノエタノール、ジ（メトキシメチル）アミノプロパ
ノール、ジ（ブトキシメチル）アミノプロパノール、ジ
（メトキシメチル）アミノイソプロパノール、ジ（ブト
キシメチル）アミノイソプロパノール、N,N-ジ（メトキ
シメチル）-N'N'-ジメチルエチレンジアミン、N,N'-ジ
（メトキシメチル）ピペラジン、ジ（ブトキシメチル）
ピペラジン、（メトキシメチル）ジエタノールアミン、
（ヒドロキシエチルオキシメチル）ジエチルアミン等が
あげられる。本発明においてアルコキシメチルアミン化
合物は上記の化合物に限定されず、アルコキシメチルア
ミン構造を少なくとも分子内に1つ以上有していればよ
い。

【０００８】本発明のレジスト剥離剤には、アルカリ化
合物を添加しても良い。本発明に使用されるアルカリ化
合物の具体例として以下の化合物が挙げられる。 メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、
イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチ
ルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ペン
チルアミン、２−アミノペンタン、３−アミノペンタ
ン、１−アミノ−２−メチルブタン、２−アミノ−２−
メチルブタン、３−アミノ−２−メチルブタン、４−ア
ミノ−２−メチルブタン、ヘキシルアミン、５−アミノ
−２−メチルペンタン、ヘプチルアミン、オクチルアミ
ン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、
ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミ
ン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタ
デシルアミン、オクタデシルアミン等の第一アルキルア
ミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルア
ミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、ジイソ
ブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジ−ｔ−ブ
チルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジ
ヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、
ジデシルアミン、メチルエチルアミン、メチルプロピル
アミン、メチルイソプロピルアミン、メチルブチルアミ
ン、メチルイソブチルアミン、 メチル−ｓｅｃ−ブチ
ルアミン、メチル−ｔ−ブチルアミン、メチルアミルア
ミン、メチルイソアミルアミン、エチルプロピルアミ
ン、エチルイソプロピルアミン、エチルブチルアミン、
エチルイソブチルアミン、エチル−ｓｅｃ−ブチルアミ
ン、エチルアミン、エチルイソアミルアミン、プロピル
ブチルアミン、プロピルイソブチルアミン等の第二アル
キルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ト
リプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルア
ミン、ジメチルエチルアミン、メチルジエチルアミン、
メチルジプロピルアミン等の第三アルキルアミン。 エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ
−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールア
ミン、Ｎ−ブチエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、イソプロパノールアミン、Ｎ−メチルイソプロパノ
ールアミン、Ｎ−エチルイソプロパノールアミン、Ｎ−
プロピルイソプロパノールアミン、２−アミノプロパン
−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノ−プロパン−１
−オール、Ｎ−エチル−２−アミノ−プロパン−１−オ
ール、１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−メチル−
１−アミノプロパン−３−オール、Ｎ−エチル−１−ア
ミノプロパン−３−オール、１−アミノブタン−２−オ
ール、Ｎ−メチル−１−アミノブタン−２−オール、Ｎ
−エチル−１−アミノブタン−２オール、２−アミノブ
タン−１−オール、Ｎ−メチル−２−アミノブタン−１
−オール、Ｎ−エチル−２−アミノブタン−１−オー
ル、 ３−アミノブタン−１−オール、Ｎ−メチル−３
−アミノブタン−１−オール、Ｎ−エチル−３−アミノ
ブタン−１−オール、１−アミノブタン−４−オール、
Ｎ−メチル１−アミノブタン−４−オール、Ｎ−エチル
−１−アミノブタン−４−オール、１−アミノ−２−メ
チルプロパン−２−オール、２−アミノ−２−メチルプ
ロパン−１−オール、１−アミノペンタン−４−オー
ル、２−アミノ−４−メチルペンタン−１−オール、２
−アミノヘキサン−１−オール、３−アミノヘプタン−
４−オール、１−アミノオクタン−２−オール、５−ア
ミノオクタン−４−オール、１−アミノプパン−２，３
−ジオール、２−アミノプロパン−１，３−ジオール、
トリス（オキシメチル）アミノメタン、１，２−ジアミ
ノプロパン−３−オール、１，３−ジアミノプロパン−
２−オール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等
のアルカノールアミン。 エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレ
ンジアミン、テトラメチレンジアミン、１，３−ジアミ
ノブタン、２，３−ジアミノブタン、ペンタメチレンジ
アミン、２，４−ジアミノペンタン、ヘキサメチレンジ
アミン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジア
ミン、ノナメチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、トリメチル
エチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，
Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、トリエチルエチレンジ
アミン、 １，２，３−トリアミノプロパン、ヒドラジ
ン、トリス（２−アミノエチル）アミン、テトラ（アミ
ノメチル）メタン、ジエチレントリアミン、トリエチレ
ンテトラミン、テトラエチルペンタミン、ヘプタエチレ
ンオクタミン、ノナエチレンデカミン、ジアザビシクロ
ウンデセン等のポリアミン。 ヒドロキシルアミン、N-メチルヒドロキシルアミン、
N-エチルヒドロキシルアミン、N, N-ジエチルヒドロキ
シルアミン、O-メチルヒドロキシルアミン等のヒドロキ
シルアミン。 ピロール、２−メチルピロール、３−メチルピロー
ル、２−エチルピロール、３−エチルピロール、２，３
−ジメチルピロール、２，４ジメチルピロール、３，４
−ジメチルピロール、２，３，４−トリメチルピロー
ル、２，３，５−トリメチルピロール、２−ピロリン、
３−ピロリン、ピロリジン、２−メチルピロリジン、３
−メチルピロリジン、ピラゾール、イミダゾール、１，
２，３−トリアゾール、１，２，３，４−テトラゾー
ル、ピペリジン、２−ピペコリン、３−ピペコリン、４
−ピペコリン、 ２−４ルペチジン、２，６−ルペチジ
ン、３，５−ルペチジン、ピペラジン、２−メチルピペ
ラジン、２，５−ジメチルピペラジン、２，６−メチル
ピペラジン、モルホリン等の環式アミン。 テトラエチルアンモニウムハイドロキサイト、テトラ
プロピルアンモニウムハイドロキサイト、テトラブチル
アンモニウムハイドロキサイト、コリンハイドロキサイ
ト、アセチルコリンハイドロキサイト等の四級アンモニ
ウム。 アルコキシメチルアミンもアルカリであり、アルカリ
化合物として使用してもなんら問題がない。 本発明に使用されるアミンは上記のアミンに限定されな
く、アルカリ化合物であれば何ら制約されない。

【０００９】上記アミン類の中で好ましくは、メチルア
ミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、
エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−
エチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、イソプ
ロパノールアミン、2-（2-アミノエトキシ）エタノー
ル、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブチレン
ジアミン、ジエチレントリアミン、ピペラジン、および
モルホリンである。これらのアルカリは単独、もしくは
複数組み合わせて使用される。

【００１０】本発明のレジスト剥離剤には、有機溶剤を
添加することができる。この有機溶剤は上記のアルコキ
シメチルアミン化合物と混和可能であればよく、特に制
限がない。好ましくは水溶性有機溶剤である。例として
はエチレングリコール、エチレングリコールモノエチル
エーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジ
エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレンゴ
リコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモ
ノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレン
グリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエー
テル系溶剤、ホルムアミド、モノメチルホルムアミド、
ジメチルホルムアミド、モノエチルホルムアミド、ジエ
チルホルムアミド、アセトアミド、モノメチルアセトア
ミド、ジメチルアセトアミド、モノエチルアセトアミ
ド、ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ
−エチルピロリドン等のアミド系溶剤、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロパノール、エチレング
リコール、プロピレングリコール等のアルコール系溶
剤、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶剤、ジ
メチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロ
キシスルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン系
溶剤、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，
３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソ
プロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン
系溶剤、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン等の
ラクトン系溶剤等があげられる。これらの中でジメチル
スルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアルド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチル
エーテル、プロピレングリコールは入手しやすく、沸点
も高く使用しやすい。

【００１１】本発明のレジスト剥離剤には、防食剤が使
用できる。防食剤の種類としては芳香族ヒドロキシ化合
物、糖アルコール化合物、トリアゾール化合物、キレー
ト化合物があげられる。

【００１２】芳香族ヒドロキシ化合物としては、具体的
にフェノール、クレゾール、キシレノール、ピロカテコ
ール、t-ブチルカテコール、レゾルシノール、ヒドロキ
ノン、ピロガロール、 １，２，４−ベンゼントリオー
ル、サリチルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアル
コール、ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒド
ロキシフェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノール、
ｍ−アミノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレ
ゾルシノール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキ
シ安息香酸、２，４−ジヒドロキ安息香酸、２，５−ジ
ヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、
３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸等があげられ
る。糖アルコールとしてはソルビトール、キシリトー
ル、パラチニット等が例としてあげられる。されにはベ
ンゾトリアゾール、アミノトリアゾール、アミノテトラ
ゾール等のトリゾール系化合物が防食剤として上げられ
る。キレート化合物としては1,2-プロパンジアミンテト
ラメチレンホスホン酸、ヒドロキシエタンホスホン酸等
の燐酸系、エチレンジアミンテトラアセティックアシッ
ド、ジヒドロキシエチルグリシン、ニトリロトリアセテ
ィックアシッド、シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石
酸等のカルボン酸系、ビビリジン、テトラフェニルポル
フィリン、フェナントロリン、2,3-ピリジンジオール等
のアミン系、ジメチルグリオキシム、ジフェニルグリオ
キシム等のオキシム系、フェニルアセチレン、２，５−
ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール等のアセチレン系防
食剤等が挙げられるこれらの化合物の単独、又は２種以
上を組み合わせて配合できる。

【００１３】アルカリ化合物は0.001〜99.999重量％、
アルコキシメチルアミン化合物は0.001〜100重量％で使
用するのが好ましい。アルコキシメチルアミン化合物は
アルカリとして働くことができ、アルコキシメチルアミ
ン化合物のみでもレジスト剥離に使用する事ができる。
有機溶剤の使用には特に制限がないが、組成物の粘度、
比重もしくはエッチング、アッシング条件等を勘案して
濃度を決定すればよい。使用する場合には99重量％以下
の任意の濃度で使用することができる。本発明の組成物
において防食剤の添加量に規定はないが、30重量％以
下、好ましくは15重量％以下である。

【００１４】本発明における水の使用は限定がないがエ
ッチング、アッシング条件等を勘案して濃度を決定すれ
ばよい。多くは50重量％以下の範囲で使用される。アル
コキシメチルアミン化合物がレジストの剥離に有効であ
る理由は明らかではないが、以下のように予想してい
る。アルコキシメチルアミン化合物がレジストに付加す
る。これによりレジストの溶解度が上昇し、レジスト剥
離が容易になる。アルカリ化合物が存在する際にはレジ
ストの分解、溶解の能力が付加され能力の向上が生じ
る。本発明のレジスト剥離剤を使用して、レジストを剥
離して半導体素子を製造する際の温度は通常は常温〜15
0℃の範囲であるが、特に70℃以下の低い温度で剥離す
ることができ、材料へのアタックを考慮するとできるだ
け低い温度で実施するのが好ましい。本発明に使用され
る基板としては、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリ
コン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、銅及び銅合
金、アルミニウム、アルミニウム合金、金、白金、銀、
チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タングス
テン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化
物、クロム合金、ITO（インジュウムースズ酸化物）等
の半導体配線材料あるいはガリウム−砒素、ガリウム−
リン、インジウム−リン等の化合物半導体、ストロンチ
ウム-ビスマス-タンタル等の誘電体材料、さらにＬＣＤ
のガラス基板等が使用される。

【００１５】本発明のレジスト剥離剤を使用した半導体
素子の製造方法は、所定のパターンをレジストで形成さ
れた上記導電薄膜の不要部分をエッチング除去したの
ち、レジストを上述した剥離液で除去するものである
が、エッチング後、所望により灰化処理を行い、しかる
後にエッチングにより生じた残査を、上述した剥離液で
除去することもできる。ここで言う灰化処理（アッシン
グ）とは、例えば有機高分子よりなるレジストをプラズ
マ中で発生する酸素プラズマにより、燃焼反応でＣＯ，
ＣＯ₂として除去するものである。

【００１６】本発明のフォトレジスト剥離剤を使用した
後のリンス法としては、アルコールのような有機溶剤を
使用しても良く、あるいは、水でリンスを行っても良
く、特に制限はない。

【００１７】

【実施例】次に実施例により本発明を具体的に説明す
る。但し本発明はこれらの実施例により制限されるもの
ではない。

【００１８】実施例1〜9、比較例1, 2 次に実施例により本発明を具体的に説明する。但し本発
明はこれらの実施例により制限されるものではない。本
実施例は、タンタル/ガラスの構造を持つ基板にPFR−79
0のレジストを塗布後、現像を行った。その後フッ素化
合物によるドライエッチング工程を経て回路を形成し
た。この基板を使用して、レジスト剥離性の試験をし
た。組成液に前記の基板を40℃で浸積した。所定時間
後、基板を取り出し、水リンスした後窒素ガスでブロー
して乾燥後、光学顕微鏡で観察した。レジスト剥離に必
要な時間を測定した。以下の表1にその結果を示す。

【００１９】

【表１】

【００２０】実施例10 半導体素子を作るために、レジスト膜をマスクとしてド
ライエッチングを行い、Ａｌ合金（Ａｌ-Ｃｕ）配線体
を形成し、さらに酸素プラズマにより灰化処理を行っ
た。酸化膜上にバリアメタル、配線体であるＡｌ合金が
形成されその上にバリアメタルが形成されている。配線
の側壁から耳状のレジスト、配線の上にはスジ状のレジ
ストが残っている。この基板をエタノールアミン50重量
％、4-t-ブチルカテコール5重量％、（ブトキシメチ
ル）ジエチルアミン0.5重量％、ジエチレングリコール
モノブチルエーテル19.5重量％、水25重量％のレジスト
剥離剤に70℃15分で処理した。イソプロパノールでリン
スしたのち超純水でリンスして乾燥し、電子顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）で観察を行ったところ、レジスト残渣物は完全に
除去され、配線体に腐食は見られなかった。

【００２１】実施例11〜17、比較例3,4 表2にレジスト剥離液組成物を用いて実施例１0と同様に
処理評価した結果を示した。半導体装置を表２に示す組
成の剥離液に室温で所定時間浸漬した後、超純水でリン
スして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行った。
レジスト残渣の剥離状態と、アルミニウム配線体の腐食
状態についての評価を行った結果を表２に示す。なお、
ＳＥＭ観察によるレジスト剥離評価基準は次の通りであ
る。 A：完全に除去された。 B：少し残存物が認められた。 C：除去されていない。 配線体の腐蝕についての評価は以下の通りである。 A:腐蝕していない B:やや配線の表面にでこぼこがある。 C:腐蝕していた。

【００２２】

【表２】

【００２３】実施例18〜21、比較例5,6 本実施例は、薄層トランジスタ-を形成するためSiO₂上
に低温ポリシリコン(p-Si)の構造をもつガラス基板のレ
ジストを除去する試験を行った。図１に試験基板のポリ
シリコン露出部の断面図を示す。ガラス基板の上にSiO₂
をはさんで約400Åの厚みの低温ポリシリコンが形成さ
れている。その上に絶縁層があり、この上にレジストが
残っている。絶縁層の無い部分があり、レジスト剥離液
に直接触れる部分が存在する。レジスト剥離性の試験を
した。また、ポリシリコンの腐食性も同時に観察した。
組成液に前記の基板を40℃で浸積した。所定時間後、基
板を取り出し、水リンスした後窒素ガスでブロ-して乾
燥後、光学顕微鏡で観察した。レジスト剥離に必要な時
間を測定した。このときに腐食がないか同時に観察し
た。腐蝕は腐蝕無い=A, やや腐蝕＝B, ポリシリコン層
が腐蝕してなくなった＝C と評価した。以下の表3にそ
の結果を示す。

【００２４】

【表３】

【００２５】

【発明の効果】本発明のレジスト剥離液を使用すること
により、短時間でレジスト剥離を行うことができる。さ
らには配線材料等の腐食なく剥離することが出来る。ま
た、このレジスト剥離液の製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】SiO₂上に低温ポリシリコンの構造をもつガラス
基板のポリシリコン露出部の断面図を示したものであ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 寛史 東京都葛飾区新宿６丁目１番１号 三菱瓦 斯化学株式会社東京研究所内 (72)発明者 丸山 岳人 東京都葛飾区新宿６丁目１番１号 三菱瓦 斯化学株式会社東京研究所内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 LA03 5F046 MA02

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】アルコキシメチルアミン構造を持つ化合物
   を含有することを特徴とするレジスト剥離剤。
2. 【請求項２】アルコキシメチルアミン構造を持つ化合物
   が、式（1）で示される化合物であることを特徴とする
   請求項１記載のレジスト剥離剤。 【化１】 （R¹=アルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基,
   アシル基、アルコキシアルキル基、またはアミノアル
   キル基、R²=Ｈ,アルキル基、アシル基、ヒドロキシアル
   キル基、アリール基、アリル基、アミノアルキル基、ア
   ルコキシアルキル基、ヒドロキシ基、またはアミノ基、
   R³=Ｈ, アルキル基、アシル基、ヒドロキシアルキ基、
   アリール基、アリル基、アルコキシアルキル基、アミノ
   アルキル基、ヒドロキシ基、またはアミノ基を示す。R²
   とR³は、C1からC8の炭素原子を含む構造によって結合し
   た環状構造でも良い。）
3. 【請求項３】更に、アルカリ化合物を含有することを特
   徴とする請求項１または２記載のレジスト剥離剤。
4. 【請求項４】式（1）のR¹がアルキル基、ヒドロキシア
   ルキル基、またはアルコキシアルキル基である請求項２
   または３記載のレジスト剥離剤。
5. 【請求項５】アルカリ化合物がアルキルアミン、アルカ
   ノールアミン、ポリアミン、ヒドロキシルアミン、環式
   アミン、または四級アンモニウムである請求項３または
   ４記載のレジスト剥離剤。
6. 【請求項６】更に、有機溶剤を含有することを特徴とす
   る請求項１〜５何れか１項に記載のレジスト剥離剤。
7. 【請求項７】更に、防食剤を含有することを特徴する請
   求項１〜６何れか１項に記載のレジスト剥離剤。
8. 【請求項８】防食剤が芳香族ヒドロキシ化合物、糖アル
   コール化合物、トリアゾール化合物、またはキレート化
   合物であることを特徴とする請求項７に記載のレジスト
   剥離剤。
9. 【請求項９】更に、水を含有することを特徴とする請求
   項１〜８何れか１項に記載のレジスト剥離剤。
10. 【請求項１０】 アルカリ化合物が0.001〜99.999重量
    ％、アルコキシメチルアミン構造を持つ化合物が0.001
    〜99.999重量％である請求項３〜９何れか１項に記載の
    レジスト剥離剤。
11. 【請求項１１】半導体基板上または液晶用ガラス基板上
    に配線を形成する際に生成するレジストを、請求項１〜
    １０何れか１項に記載のレジスト剥離剤を用いて剥離・
    除去することを特徴とするレジスト剥離剤の使用方法。