JP2003258322A - 熱電変換材料用硫化ランタン焼結体およびその製造方法 - Google Patents
熱電変換材料用硫化ランタン焼結体およびその製造方法Info
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- JP2003258322A JP2003258322A JP2002056559A JP2002056559A JP2003258322A JP 2003258322 A JP2003258322 A JP 2003258322A JP 2002056559 A JP2002056559 A JP 2002056559A JP 2002056559 A JP2002056559 A JP 2002056559A JP 2003258322 A JP2003258322 A JP 2003258322A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きなゼーベック係数を持ち、電気伝導性を
付加することで、大きな性能指数を有する熱電変換素子
用材料の開発。 【構成】β型硫化ランタン粉末と金属パラジウム粒を混
合して焼結した結晶構造がβ型を主成分とし、微量のγ
型成分を有する硫化ランタン焼結体であって、１〜５質
量％の金属パラジウムを含有し、比抵抗が１００ｋΩ・
ｃｍ以下であることを特徴とする硫化ランタン焼結体。
不純物としての酸素含有量が１．１重量％以下の高純度
β型硫化ランタン粉末と粒径が１０μｍ以下の金属パラ
ジウム粒を混合し、常温において、２５ＭＰａ以上の圧
力で圧縮成型した後、１２００℃から１５００℃の温度
範囲で、真空中または不活性ガス中で３０分以上焼成す
ることによって製造できる。
付加することで、大きな性能指数を有する熱電変換素子
用材料の開発。 【構成】β型硫化ランタン粉末と金属パラジウム粒を混
合して焼結した結晶構造がβ型を主成分とし、微量のγ
型成分を有する硫化ランタン焼結体であって、１〜５質
量％の金属パラジウムを含有し、比抵抗が１００ｋΩ・
ｃｍ以下であることを特徴とする硫化ランタン焼結体。
不純物としての酸素含有量が１．１重量％以下の高純度
β型硫化ランタン粉末と粒径が１０μｍ以下の金属パラ
ジウム粒を混合し、常温において、２５ＭＰａ以上の圧
力で圧縮成型した後、１２００℃から１５００℃の温度
範囲で、真空中または不活性ガス中で３０分以上焼成す
ることによって製造できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、熱電変換材
料として有用な、比抵抗が小さく大きな熱起電力を有す
る硫化ランタン焼結体およびその製造方法に関する。
料として有用な、比抵抗が小さく大きな熱起電力を有す
る硫化ランタン焼結体およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱電変換材料の応用は、多岐に亘ってい
る。熱エネルギーを電気エネルギーに変換するクリーン
エネルギー源としての利用が最も期待されるところであ
るが、ペルチェ効果を利用するものとして小型冷凍器、
放熱板、恒温槽、電熱用等が考えられ、また実現されて
いる。
る。熱エネルギーを電気エネルギーに変換するクリーン
エネルギー源としての利用が最も期待されるところであ
るが、ペルチェ効果を利用するものとして小型冷凍器、
放熱板、恒温槽、電熱用等が考えられ、また実現されて
いる。
【０００３】熱起電力は、２種の電気伝導体を接合した
とき２接点間の温度差ΔＴにより発生する電圧Ｖで、そ
れらの間にはＶ＝αΔＴの関係がある。このαのことを
ゼーベック係数という。この熱起電力を利用して、熱エ
ネルギーを電気エネルギーに変換する際に、熱電材料の
有効性を示す指標として、電気伝導度σ、熱伝導度κを
使って、式、Ｚ＝α2 σ／κ、で示される性能指数Ｚが
用いられている。このＺの値の大きい材料ほど優れた熱
電材料となる。
とき２接点間の温度差ΔＴにより発生する電圧Ｖで、そ
れらの間にはＶ＝αΔＴの関係がある。このαのことを
ゼーベック係数という。この熱起電力を利用して、熱エ
ネルギーを電気エネルギーに変換する際に、熱電材料の
有効性を示す指標として、電気伝導度σ、熱伝導度κを
使って、式、Ｚ＝α2 σ／κ、で示される性能指数Ｚが
用いられている。このＺの値の大きい材料ほど優れた熱
電材料となる。
【０００４】既に報告され、または利用されている熱電
材料は多く、現在最も大きい性能指数が得られているの
はＢｉ−Ｔｅ系の物質で、約３×１０-3（／Ｋ）の値を
示しているが、それらの物質のゼーベック係数の値は、
約２００（μＶ／Ｋ）程度である（「実用新素材技術便
覧」通産資料調査会、１９９６、９０４）。
材料は多く、現在最も大きい性能指数が得られているの
はＢｉ−Ｔｅ系の物質で、約３×１０-3（／Ｋ）の値を
示しているが、それらの物質のゼーベック係数の値は、
約２００（μＶ／Ｋ）程度である（「実用新素材技術便
覧」通産資料調査会、１９９６、９０４）。
【０００５】希土類元素の硫化物は、大きなゼーベック
係数を持ち、ランタノイド三二硫化物の中でもＬａから
Ｎｄまでの硫化物は、低温安定相である斜方晶のα相か
ら正方晶のβ相、さらに、高温安定相である立方晶Ｔｈ
3 Ｐ4 型のγ相へと不可逆変態し、特に、Ｌａ2 Ｓ
3 は、３７３Ｋで＋３５４μｖ・ｄｅｇ-1、Ｃｅ2 Ｓ3
は、３７３Ｋで＋５７４μｖ・ｄｅｇ-1のゼーべック係
数を有する熱電材料であることが報告されている（ゲ・
ヴェ・サムソノフ他：「硫化物便覧」、日・ソ通信社、
１９７４、ｐ１０８）。
係数を持ち、ランタノイド三二硫化物の中でもＬａから
Ｎｄまでの硫化物は、低温安定相である斜方晶のα相か
ら正方晶のβ相、さらに、高温安定相である立方晶Ｔｈ
3 Ｐ4 型のγ相へと不可逆変態し、特に、Ｌａ2 Ｓ
3 は、３７３Ｋで＋３５４μｖ・ｄｅｇ-1、Ｃｅ2 Ｓ3
は、３７３Ｋで＋５７４μｖ・ｄｅｇ-1のゼーべック係
数を有する熱電材料であることが報告されている（ゲ・
ヴェ・サムソノフ他：「硫化物便覧」、日・ソ通信社、
１９７４、ｐ１０８）。
【０００６】また、硫化ランタンＬａ3-x Ｓ4 およびＬ
ａ−Ａ−Ｓ系（ＡはＣａまたはＢａ）において、最大
２．９×１０-4（／Ｋ）の性能指数が得られたことが報
告されている（勝山 茂他「熱電変換シンポジウム´９
９論文集」、１９９９、５６）。しかし、そこで報告さ
れているゼーベック係数は最大値で約１００（μＶ／
Ｋ）である。
ａ−Ａ−Ｓ系（ＡはＣａまたはＢａ）において、最大
２．９×１０-4（／Ｋ）の性能指数が得られたことが報
告されている（勝山 茂他「熱電変換シンポジウム´９
９論文集」、１９９９、５６）。しかし、そこで報告さ
れているゼーベック係数は最大値で約１００（μＶ／
Ｋ）である。
【０００７】本発明者らは、ランタン硫化物系において
従来報告されていたゼーベック係数よりも約一桁大きい
ゼーベック係数を有する物質を見出し、特許出願した
（特開２００１−３３５３６７号公報）。この物質は、
組成がＬａ2 Ｓ3 で示され、結晶構造がβとγの混合相
からなり、ゼーベック係数がγ単相のときより大きい値
を有することを特徴とする硫化ランタン焼結体であり、
ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上の
値を有する。
従来報告されていたゼーベック係数よりも約一桁大きい
ゼーベック係数を有する物質を見出し、特許出願した
（特開２００１−３３５３６７号公報）。この物質は、
組成がＬａ2 Ｓ3 で示され、結晶構造がβとγの混合相
からなり、ゼーベック係数がγ単相のときより大きい値
を有することを特徴とする硫化ランタン焼結体であり、
ゼーベック係数が６０℃で１０００（μＶ／Ｋ）以上の
値を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】熱電変換材料の上述の
性能指数Ｚを求める式において、３種の物理的性質がそ
の値を決定しているが、ゼーベック係数αの値は２乗で
Ｚの値を大きくすることから、このα値の大きな物質が
より優れた熱電材料となり得る。本発明者が先に発明し
た上記の硫化ランタン焼結体は、大きなゼーベック係数
αを持ち、高い性能指数Ｚを持つ材料であるが、電気抵
抗が大きく、性能指数の値も小さかった。
性能指数Ｚを求める式において、３種の物理的性質がそ
の値を決定しているが、ゼーベック係数αの値は２乗で
Ｚの値を大きくすることから、このα値の大きな物質が
より優れた熱電材料となり得る。本発明者が先に発明し
た上記の硫化ランタン焼結体は、大きなゼーベック係数
αを持ち、高い性能指数Ｚを持つ材料であるが、電気抵
抗が大きく、性能指数の値も小さかった。
【０００９】熱電変換材料は、放熱板として電子機器の
冷却、センサー等、その応用範囲は広く、地球上に限ら
ず、人工衛星においても存在する温度差を電気エネルギ
ーとして利用することは、究極のクリーンエネルギー源
であり、地球環境の悪化を考えるとき、その開発は急務
である。
冷却、センサー等、その応用範囲は広く、地球上に限ら
ず、人工衛星においても存在する温度差を電気エネルギ
ーとして利用することは、究極のクリーンエネルギー源
であり、地球環境の悪化を考えるとき、その開発は急務
である。
【００１０】熱電変換素子を利用したクリーンエネルギ
ーの実用化が実現すれば、その効果は非常に大きい。ま
た、放熱板等への応用はＩＣの集積度緻密化による発熱
問題を解決し、小型化、高集積化等この方面での一層の
進展が期待される。そこで、本発明は、大きなゼーベッ
ク係数を持ち、電気伝導性を付加することで、比抵抗が
小さく大きな性能指数を有する熱電変換素子用材料を開
発することを目的とする。
ーの実用化が実現すれば、その効果は非常に大きい。ま
た、放熱板等への応用はＩＣの集積度緻密化による発熱
問題を解決し、小型化、高集積化等この方面での一層の
進展が期待される。そこで、本発明は、大きなゼーベッ
ク係数を持ち、電気伝導性を付加することで、比抵抗が
小さく大きな性能指数を有する熱電変換素子用材料を開
発することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々の金
属元素の添加により電気伝導度の改善を検討した結果、
パラジウム金属の添加によって、上記の課題が解決でき
ることを見出した。
属元素の添加により電気伝導度の改善を検討した結果、
パラジウム金属の添加によって、上記の課題が解決でき
ることを見出した。
【００１２】すなわち、本発明は、β型硫化ランタン粉
末と金属パラジウム粒を混合して焼結した結晶構造がβ
型を主成分とし、微量のγ型成分を有する硫化ランタン
焼結体であって、１〜５質量％の金属パラジウムを含有
し、比抵抗が１００ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴と
する熱電変換材料用硫化ランタン焼結体である。
末と金属パラジウム粒を混合して焼結した結晶構造がβ
型を主成分とし、微量のγ型成分を有する硫化ランタン
焼結体であって、１〜５質量％の金属パラジウムを含有
し、比抵抗が１００ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴と
する熱電変換材料用硫化ランタン焼結体である。
【００１３】硫化ランタン焼結体中のパラジウム金属の
含有量に関しては、少ないと電気抵抗が大きく、多いと
電気抵抗は低くなるが、ゼーベック係数が小さくなり、
性能指数も減少する。パラジウムは、硫化ランタンのβ
相からγ相への転移温度とされている約１３００℃以上
の融点を持ち、硫黄と化合物を作らない。
含有量に関しては、少ないと電気抵抗が大きく、多いと
電気抵抗は低くなるが、ゼーベック係数が小さくなり、
性能指数も減少する。パラジウムは、硫化ランタンのβ
相からγ相への転移温度とされている約１３００℃以上
の融点を持ち、硫黄と化合物を作らない。
【００１４】また、本発明は、不純物としての酸素含有
量が１．１重量％以下の高純度β型硫化ランタン粉末と
粒径が１０μｍ以下の金属パラジウム粒を混合し、常温
において、２５ＭＰａ以上の圧力で圧縮成型した後、１
２００℃から１５００℃の温度範囲で、真空中または不
活性ガス中で３０分以上焼成することを特徴とする熱電
変換材料用硫化ランタン焼結体の製造方法である。
量が１．１重量％以下の高純度β型硫化ランタン粉末と
粒径が１０μｍ以下の金属パラジウム粒を混合し、常温
において、２５ＭＰａ以上の圧力で圧縮成型した後、１
２００℃から１５００℃の温度範囲で、真空中または不
活性ガス中で３０分以上焼成することを特徴とする熱電
変換材料用硫化ランタン焼結体の製造方法である。
【００１５】硫化ランタン粉末の酸素濃度が１．１重量
％を上回ると、γ相が生成せずに、電気的に絶縁体とな
ってしまう。金属パラジウム粒の粒径が１０μｍを超え
ると、パラジウムが偏析して、電気抵抗が１×１０６Ω
・ｃｍ以上に大きくなり、好ましくない。圧縮成型の圧
力が２５ＭＰａ未満では、焼結体はポーラスで電気抵抗
が１×１０６Ω・ｃｍ以上に大きくなり、不適当であ
る。圧力の上限は特に限定されないが、必要以上に大き
くする必要はなく、好ましくは１５０ＭＰａ程度以下と
する。
％を上回ると、γ相が生成せずに、電気的に絶縁体とな
ってしまう。金属パラジウム粒の粒径が１０μｍを超え
ると、パラジウムが偏析して、電気抵抗が１×１０６Ω
・ｃｍ以上に大きくなり、好ましくない。圧縮成型の圧
力が２５ＭＰａ未満では、焼結体はポーラスで電気抵抗
が１×１０６Ω・ｃｍ以上に大きくなり、不適当であ
る。圧力の上限は特に限定されないが、必要以上に大き
くする必要はなく、好ましくは１５０ＭＰａ程度以下と
する。
【００１６】焼成温度が１２００℃未満では、γ相が生
成せず、焼結体は電気的に絶縁体のままであり、１５０
０℃を超えると、β相が減少し、ゼーベック係数が小さ
くなり不適当である。焼成時間が３０分未満では、焼結
体のγ相の生成、または焼き固まりが十分でなく、不適
当である。焼成時間は長くても２時間程度まででよい。
このように、常圧焼結を採用することにより結晶構造が
β型を主成分とし、微量のγ型成分を有する硫化ランタ
ン焼結体が得られる。この方法により、焼結体の脆さや
電気的性質が改善され、比抵抗が１００ｋΩ・ｃｍ以下
を実現することができる。
成せず、焼結体は電気的に絶縁体のままであり、１５０
０℃を超えると、β相が減少し、ゼーベック係数が小さ
くなり不適当である。焼成時間が３０分未満では、焼結
体のγ相の生成、または焼き固まりが十分でなく、不適
当である。焼成時間は長くても２時間程度まででよい。
このように、常圧焼結を採用することにより結晶構造が
β型を主成分とし、微量のγ型成分を有する硫化ランタ
ン焼結体が得られる。この方法により、焼結体の脆さや
電気的性質が改善され、比抵抗が１００ｋΩ・ｃｍ以下
を実現することができる。
【００１７】本発明の硫化ランタン焼結体は、例えば、
温度差を利用したクリーンエネルギーの発電材料とし
て、宇宙船等での補助電源、熱電対温度計、ペルチェ効
果を利用した、電熱器、小型冷凍機、吸熱板、放熱板、
恒温槽などに利用される。
温度差を利用したクリーンエネルギーの発電材料とし
て、宇宙船等での補助電源、熱電対温度計、ペルチェ効
果を利用した、電熱器、小型冷凍機、吸熱板、放熱板、
恒温槽などに利用される。
【００１８】
【実施例】実施例１
純度９９．９９質量％、平均粒径１．７７μｍのＬａ２
Ｏ３粉末を石英ボートに乗せて電気炉内に挿入し、Ａｒ
雰囲気中で温度１０２３Ｋに加熱し、ＣＳ２溶液中から
気化させたＣＳ２ガスをＡｒ搬送ガスを用いて導入し、
８時間の硫化を行った。反応後の粉末はＭｇＯを内部標
準としたＸ線回折法によりβ相単相であることを確認し
た。組成については、希土類金属をキレート滴定法によ
り、また硫黄、炭素、酸素をLECO社製の同時分析装置に
より求めた。その結果、それらの組成はＬａ２．１３Ｓ
３Ｏ０．１３の値であった。なお炭素は検出限界以下で
あった。
Ｏ３粉末を石英ボートに乗せて電気炉内に挿入し、Ａｒ
雰囲気中で温度１０２３Ｋに加熱し、ＣＳ２溶液中から
気化させたＣＳ２ガスをＡｒ搬送ガスを用いて導入し、
８時間の硫化を行った。反応後の粉末はＭｇＯを内部標
準としたＸ線回折法によりβ相単相であることを確認し
た。組成については、希土類金属をキレート滴定法によ
り、また硫黄、炭素、酸素をLECO社製の同時分析装置に
より求めた。その結果、それらの組成はＬａ２．１３Ｓ
３Ｏ０．１３の値であった。なお炭素は検出限界以下で
あった。
【００１９】この粉末に、粒径が１．０μｍ以下のパラ
ジウム金属粒を１．７５質量％混合し、これらを六方晶
窒化ホウ素で内部を被覆した黒鉛ジグに入れ、常温で５
０ＭＰａの圧力を加えて圧縮成型した。この成型体を真
空中で１５００℃、１時間保持することで、焼成を行っ
た。この試料をＸ線回折法で測定した結果、β相が主
で、微量のγ型成分が認められた。ＳＥＭ−ＥＤＸによ
る局所分析の結果では、パラジウムは粒として存在して
いるものもあるが、硫化ランタンの粒界に沿っても存在
しており、これが電気的性質の変化をもたらしているも
のと推察される。この試料のゼーベック係数、比抵抗、
性能指数の値は、それぞれ１５７０（μＶ／Ｋ）、４１
ｋΩ・ｃｍ、０．１×１０−３であった。
ジウム金属粒を１．７５質量％混合し、これらを六方晶
窒化ホウ素で内部を被覆した黒鉛ジグに入れ、常温で５
０ＭＰａの圧力を加えて圧縮成型した。この成型体を真
空中で１５００℃、１時間保持することで、焼成を行っ
た。この試料をＸ線回折法で測定した結果、β相が主
で、微量のγ型成分が認められた。ＳＥＭ−ＥＤＸによ
る局所分析の結果では、パラジウムは粒として存在して
いるものもあるが、硫化ランタンの粒界に沿っても存在
しており、これが電気的性質の変化をもたらしているも
のと推察される。この試料のゼーベック係数、比抵抗、
性能指数の値は、それぞれ１５７０（μＶ／Ｋ）、４１
ｋΩ・ｃｍ、０．１×１０−３であった。
【００２０】実施例２
実施例１と同様の方法及び条件でパラジウム金属粒を３
質量％混合した試料を焼成した。この試料のゼーベック
係数、比抵抗、性能指数の値は、それぞれ９４０（μＶ
／Ｋ）、３．４４ｋΩ・ｃｍ、０．０４×１０−３であ
った。
質量％混合した試料を焼成した。この試料のゼーベック
係数、比抵抗、性能指数の値は、それぞれ９４０（μＶ
／Ｋ）、３．４４ｋΩ・ｃｍ、０．０４×１０−３であ
った。
【００２１】比較例１
実施例１と同じ条件で作製した硫化ランタン粉末を六方
晶窒化ホウ素で内部を被覆した黒鉛ジグに入れ、常温で
５０ＭＰａの圧力を加えて圧縮成型した。この成型体を
真空中で１５００℃、１時間保持することで、焼成を行
った。この試料をX線回折法で測定した結果、β相を主
とし、γ相を共存させた焼結体で、ゼーベック係数の値
はおよそ２０００（μＶ／Ｋ）、比抵抗は１×１０６Ω
・ｃｍであった。
晶窒化ホウ素で内部を被覆した黒鉛ジグに入れ、常温で
５０ＭＰａの圧力を加えて圧縮成型した。この成型体を
真空中で１５００℃、１時間保持することで、焼成を行
った。この試料をX線回折法で測定した結果、β相を主
とし、γ相を共存させた焼結体で、ゼーベック係数の値
はおよそ２０００（μＶ／Ｋ）、比抵抗は１×１０６Ω
・ｃｍであった。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 35/34 Ｈ０２Ｎ 11/00 Ａ
Ｈ０２Ｎ 11/00 Ｃ０１Ｆ 17/00 Ｅ
// Ｃ０１Ｆ 17/00 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｔ
(72)発明者 西村 聡之
茨城県つくば市竹園３−106−205
(72)発明者 平井 伸治
北海道室蘭市寿町１−13−13
(72)発明者 嶋影 和宜
北海道室蘭市水元町31−１−203
Ｆターム(参考） 4G030 AA55 AA61 BA01 BA12 BA21
CA04 GA11 GA22 GA24 GA27
4G076 AA03 AA18 AB03 AB16 BA38
DA30
4K018 AD20 DA21 KA32
Claims (2)
- 【請求項１】 β型硫化ランタン粉末と金属パラジウム
粒を混合して焼結した結晶構造がβ型を主成分とし、微
量のγ型成分を有する硫化ランタン焼結体であって、１
〜５質量％の金属パラジウムを含有し、比抵抗が１００
ｋΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする熱電変換材料用
硫化ランタン焼結体。 - 【請求項２】 不純物としての酸素含有量が１．１重量
％以下の高純度β型硫化ランタン粉末と粒径が１０μｍ
以下の金属パラジウム粒を混合し、常温において、２５
ＭＰａ以上の圧力で圧縮成型した後、１２００℃から１
５００℃の温度範囲で、真空中または不活性ガス中で３
０分以上焼成することを特徴とする熱電変換材料用硫化
ランタン焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002056559A JP3877060B2 (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 熱電変換材料用硫化ランタン焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002056559A JP3877060B2 (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 熱電変換材料用硫化ランタン焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258322A true JP2003258322A (ja) | 2003-09-12 |
| JP3877060B2 JP3877060B2 (ja) | 2007-02-07 |
Family
ID=28667089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002056559A Expired - Lifetime JP3877060B2 (ja) | 2002-03-01 | 2002-03-01 | 熱電変換材料用硫化ランタン焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3877060B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108480A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Japan Aerospace Exploration Agency | 自己発電型パネル |
| JP2019110181A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 国立大学法人室蘭工業大学 | 電磁波吸収粉末、電磁波吸収組成物、電磁波吸収体および塗料 |
-
2002
- 2002-03-01 JP JP2002056559A patent/JP3877060B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006108480A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Japan Aerospace Exploration Agency | 自己発電型パネル |
| JP2019110181A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 国立大学法人室蘭工業大学 | 電磁波吸収粉末、電磁波吸収組成物、電磁波吸収体および塗料 |
| JP7176714B2 (ja) | 2017-12-18 | 2022-11-22 | 国立大学法人室蘭工業大学 | 電磁波吸収粉末、電磁波吸収組成物、電磁波吸収体および塗料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3877060B2 (ja) | 2007-02-07 |
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