JP2003257673A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ＥＬ素子において、発光層と電子輸送層
の間に界面が生じ、劣化の一因となっている。 【解決手段】 ホール輸送層１６の上に、赤色発光層２
２、緑色発光層２４、および青色発光層２６が形成さ
れ、さらに青色発光層２６の上にのみ電子輸送層２８が
形成される。赤色発光層２２と緑色発光層２４の厚さ
は、電子輸送層２８と青色発光層２６の厚さの和に等し
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、複数の有機エレク
トロルミネッセンス素子を備える有機エレクトロルミネ
ッセンス表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス表示装置
（以下、単に「有機ＥＬ表示装置」とも言う）は、現在
広く普及している液晶表示装置に代わる表示装置として
期待されており、実用化開発が進んでいる。特に薄膜ト
ランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）をスイッ
チング素子として備えるアクティブマトリックス型有機
ＥＬ表示装置は次世代平面表示装置の主役として考えら
れている。

【０００３】一般に、有機ＥＬ表示装置が備える有機Ｅ
Ｌ素子は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞ
れ電子とホールとを発光層に注入し、それらが発光層と
ホール輸送層との界面や界面付近の発光層内部で再結合
し、有機分子が励起状態となり、この有機分子が励起状
態から基底状態に戻るとき蛍光を発光する。

【０００４】ここで、発光層に用いる材料を選択するこ
とにより適当な色を発光する発光素子が得られる。ま
た、そのような発光素子を適当に選択することでカラー
表示装置が実現できる。一般に光の３原色である赤、
緑、および青色を発光する発光素子が開発され利用され
ている。

【０００５】図１は、一画素がそれぞれ赤、緑、および
青色を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子（以
下、単に「有機ＥＬ素子」ともいう）を備える有機ＥＬ
表示装置の、上記３色の画素領域の平面図の概略を示し
ている。左から順に、赤色の発光層を備える赤色画素Ｒ
ｐｉｘ、緑色の発光層を備える緑色画素Ｇｐｉｘ、およ
び青色の発光層を備える青色画素Ｂｐｉｘが設けられて
いる。

【０００６】一画素はゲート信号線５１とドレイン信号
線５２とに囲まれた領域に形成されている。両信号線の
左上の交点付近にはスイッチング素子である第一ＴＦＴ
１３０が、また中央付近には有機ＥＬ素子を駆動する第
２ＴＦＴが形成される。また、インジウム酸化スズ（In
dium Tin Oxide：ＩＴＯ）からなるホール注入電極１２
が形成される領域に有機ＥＬ素子が島状に形成される。

【０００７】図２は、赤、緑、および青色の３種類の発
光層を備える有機ＥＬ素子の一般的な断面図を模式的に
示している。これは、左から順に、図１に示した赤色画
素Ｒｐｉｘ、緑色画素Ｇｐｉｘ、および青色画素Ｂｐｉ
ｘの領域からなる。ガラス基板１０上にホール注入電極
１２、介在層１４、およびホール輸送層１６が順に形成
され、つづいて、赤、緑および青色をそれぞれ発光する
赤色発光層２２、緑色発光層２４、および青色発光層２
６がホール輸送層１６上のそれぞれの所定の領域に互い
が隣接するように形成される。

【０００８】つづいて、それら３種類の発光層上に共通
に電子輸送層２８、電子注入層３０、および電子注入電
極３２がこの順で形成される。一般に、有機ＥＬ表示装
置は複数の形成室を備えるマルチチャンバー型有機ＥＬ
製造装置にて真空蒸着法を用いて形成される。特に赤色
発光層２２、緑色発光層２４、および青色発光層２６を
形成する工程では、同一形成室にてマスク処理により所
望の色の発光層が順次選択的に形成される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、有機ＥＬ素
子は一般に経時変化による劣化が液晶などの光学素子と
比べ顕著である。この原因の一つは、電子輸送層や発光
層が水分子や酸素分子などの不純物に対して影響されや
すいことにある。つまり、電子輸送層や発光層を形成す
る有機物質が酸化したり各層の表面付近にバルクの結晶
が発生したりすることで、電子やホールの移動の障壁と
なり、結果として有機ＥＬ素子が劣化し所望の発光特性
を示さなくなる。

【００１０】本発明は、こうした認識にもとづきなされ
たものであり、その目的は有機ＥＬ素子の劣化を抑える
ことにある。また、別の目的は、劣化が少ない有機ＥＬ
素子の製造方法を提示することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明のある態様は、有
機ＥＬ表示装置に関する。この有機ＥＬ表示装置は、ホ
ール注入電極上にホール輸送層と、キレート金属錯体を
含む第一の発光層と、第一の発光層上に形成された電子
注入電極と、がこの順で積層されてなる第一の積層構造
と、ホール注入電極上に、ホール輸送層と、キレート金
属錯体を形成していない縮合多環芳香族を含む第二の発
光層と、電子輸送層と、電子注入電極と、がこの順で積
層されてなる第二の積層構造と、を備える。

【００１２】ここで、「第一の発光層上に形成された電
子注入電極」とは、第一の発光層上に直接電子注入電極
が形成されてもよいし、発光層と電子注入電極の間に介
在層が形成されてもよい。ただし、ここで言う「介在
層」とは、発光層への電子輸送性を主機能とする電子輸
送層は含まれず、電子注入電極から発光層への電子の注
入を容易にする電子注入層や、発光層の表面を保護する
ための保護層などを意味し、フッ化リチウムからなる層
を例示できる。また、同様に、ホール注入電極とホール
輸送層の間、ホール輸送層と発光層の間、第二の発光層
と電子輸送層の間、および電子輸送層と電子注入電極の
間に介在層が存在してもよい。

【００１３】有機ＥＬ素子が備える発光層は、一般にホ
ストと呼ばれる有機化合物からなる主材料に、蛍光性を
示すドーパントを添加するとことで所望の発光特性を示
す。ここで、「キレート金属錯体を含む第一の発光層」
とは、ホストにキレート金属錯体を使用していることを
意味する。一方、「キレート金属錯体を形成していない
縮合多環芳香族」とは、発光層のホストにキレート金属
錯体を使用していないことを意味する。ここでは、キレ
ート金属錯体からなるドーパントの添加や、キレート金
属錯体からなる電子輸送層よりの混入を原因とする発光
層におけるキレート金属錯体の存在は許容されるものと
する。また、キレート金属錯体を含まない縮合多環芳香
族を含む第二の発光層は一般に青色を発光する。

【００１４】また、発光層と電子輸送層は、一般に製造
プロセスの関係上、異なる形成室にて所定の基板上に形
成される。そのため基板が形成室を移動する際に発光層
と電子輸送層の間に界面が生じ、この界面が水分子や酸
素分子を吸着し、有機ＥＬ素子の劣化を進行させる。そ
こで、第一の発光層と電子輸送層を一体化し一つの層に
することで、それら二つの層の間に生じ有機ＥＬ素子の
性能に悪影響を及ぼす界面をなくし有機ＥＬ素子の劣化
を抑える。一般に、第一の発光層のホストが高い電子輸
送性を示す場合、発光層に電子輸送層の機能を持たせる
ことが可能である。

【００１５】また、第一の発光層はキレート金属錯体を
ホストとして所定のドーパントを含み、第二の積層構造
に形成される電子輸送層は前記キレート金属錯体と同一
であってもよい。

【００１６】また、第二の発光層上には、そのホストよ
り電子輸送性に優れたキレート金属錯体を電子輸送層と
して積層することで、電子の注入および移動を高める。
これにより、発光層における電子およびホールの再結合
効率が高まり、発光層の発光効率が向上する。以上の理
由により、第二の発光層と電子注入電極の間には電子輸
送層が必要となる。

【００１７】また、第二の発光層のようにホストがキレ
ート金属錯体を形成していない縮合多環芳香族である場
合、発光層の表面にバルクの結晶が析出しやすく有機Ｅ
Ｌ素子の積層構造を破壊することがある。言い換える
と、第二の発光層は、その表面に存在する分子が動きや
すく結晶析出に通じる相転移を起こしやすい。そこで、
第二の発光層の上に電子輸送層を積層することで、上述
の分子の動きを抑制し、結果的にバルクの結晶の析出を
抑制する。

【００１８】また、キレート金属錯体の金属イオンが周
期律表２族または３族に属してもよい。周期律表２属に
属する金属として、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム
（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）などを例示でき、また周期律表
３族に属する金属として、アルミニウム（Ａｌ）、ガリ
ウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などを例示できる。

【００１９】また、キレート金属錯体がアルミキノリン
錯体（Ａｌｑ３）、またはビス（ベンゾキノリノラト）
ベリリウム錯体（ＢｅＢｑ２）であってもよい。特にＡ
ｌｑ３、またはＢｅＢｑ２が発光層のホストに用いられ
る構造は、その特性の安定性と発光効率がよいことが知
られている。また、発光層のホストがＡｌｑ３である場
合、その電子輸送性が十分満足できるレベルであり、電
子輸送層としての機能を持たせることができる。ここ
で、第一の発光層のホストをＡｌｑ３とする場合、電子
輸送層を省き、発光層の膜厚を本来備える電子輸送層の
膜厚を考慮した厚さにする。こうすることで、従来、発
光層と電子輸送層の間に発生し有機ＥＬ素子の性能に悪
影響を及ぼした界面をなくすことができる。つまり、そ
の界面に起因した有機ＥＬ素子の劣化をなくすことがで
きる。

【００２０】

【化１】

【００２１】

【化２】

【００２２】また、電子輸送層がＡｌｑ３からなっても
よい。また、第二の発光層の縮合多環芳香族が、アント
ラセン及びその誘導体であってもよい。また、第１の発
光層と電子注入電極の間、および第２の発光層と電子注
入電極の間にフッ化リチウム層が形成されてもよい。フ
ッ化リチウム層は、電子輸送層がない場合は電子注入電
極から発光層への電子の注入を容易にするために設けら
れる。

【００２３】本発明の別の態様は、有機ＥＬ表示装置の
製造方法に関する。この製造方法は、ガラス基板上にホ
ール注入電極およびホール輸送層をこの順で形成後、ホ
ール輸送層上の所定の領域にキレート金属錯体を含む第
一の発光層を形成する工程と、ホール輸送層上の残りの
所定の領域にキレート金属錯体を形成していない縮合多
環芳香族を含む第二の発光層と、電子輸送層をこの順で
形成する工程と、これら二つの工程を終了後、第一の発
光層と電子輸送層の上に電子注入電極を形成する工程と
を含む。また、第一の発光層と電子輸送層の上には、電
子注入電極を形成するに先だち、電子注入層や保護膜な
どの介在層を形成してもよい。電子注入層の材料とし
て、フッ化リチウムや酸化マグネシウムを例示できる。

【００２４】一般に、ホール輸送層の形成後、同一形成
室内で赤、緑、および青色に対応する発光層がそれぞれ
ホール輸送層上の所定の領域にマスクを用いて選択的に
形成される。発光層が形成された基板はさらに別の形成
室へ移動され、そこで発光層の上に電子輸送層が形成さ
れる。この製造方法では、形成室間の移動時に発光層と
電子輸送層との間に界面が発生する。また、３種類の発
光層が同一形成室内で形成されるため発光層のドーパン
トとして使用される材料のクロスコンタミネーションが
起こり製品の歩留りを下げることがある。

【００２５】上述の通りキレート金属錯体をホストとす
る発光層とキレート金属錯体からなる電子輸送層は、発
光層として一体化することができるので、ホール輸送層
を形成後、赤色の発光層、緑色の発光層、および青色の
発光層と電子輸送層を形成する形成室をそれぞれ分ける
ことで、赤色と緑色の発光層の上にそれぞれ形成された
電子輸送層との間に発生していた界面をなくすことがで
きる。また、上述のドーパントのクロスコンタミネーシ
ョンを避けることができる。

【００２６】以上、本発明によれば、発光層のホストと
電子輸送層がキレート金属錯体からなる場合、電子輸送
層を省き、その機能を発光層に持たせることができる。
これにより従来第一の発光層と電子輸送層の間に発生し
有機ＥＬ素子の性能に悪影響を及ぼしていた界面の発生
が抑えられる。

【００２７】

【発明の実施の形態】本実施の形態では、複数の有機Ｅ
Ｌ素子を備える有機ＥＬ表示装置において、ホストがア
ルミキノリン錯体である赤色および緑色の発光層の上に
設けられていた電子輸送層を省き、それぞれの発光層に
電子輸送層の機能を持たせ、ホストがアルミキノリン錯
体を含まない縮合多環芳香族である青色の発光層の上に
のみ電子輸送層を形成する。

【００２８】図３は、本実施の形態に係る有機ＥＬ素子
を備える画素の断面図を模式的に示している。ガラス基
板１０上にホール注入電極１２、フッ化炭素からなる介
在層１４、およびホール輸送層１６が順に形成される。

【００２９】ホール注入電極１２として、ＩＴＯや酸化
スズ（ＳｎＯ_２）や酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）を例
示できる。一般には、ホール注入効率や表面抵抗の低さ
からＩＴＯが使用される。また、ホール輸送層１６の材
料として、N,N’-ジ（ナフタレン-１-イル）-N,N’-ジ
フェニル-ベンジジン（N,N'-Di（naphthalene-１-yl）-
N,N'-diphenyl-benzidine：ＮＰＢ）や4,4’,4’’-ト
リス(3-メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルア
ミン（4,4’,4’’-tris(3-methylphenylphenylamino)t
riphenylamine：ＭＴＤＡＴＡ）や、N,N’-ジフェニル-
N,N’-ジ（3-メチルフェニル）-1,1’-ビフェニル-4,
4’-ジアミン（N,N’-diphenyl-N,N’-di（3-methylphe
nyl）-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine：ＴＰＤ）などを
例示できる。

【００３０】

【化３】

【００３１】

【化４】

【００３２】

【化５】

【００３３】つづいて、赤、緑、および青色をそれぞれ
発光する赤色発光層２２、緑色発光層２４、および青色
発光層２６が、ホール輸送層１６上のそれぞれの所定の
領域に互いが隣接するように形成される。

【００３４】赤色発光層２２および緑色発光層２４は、
Ａｌｑ３やＢｅＢｑ２などのキレート金属錯体をホスト
として、ルブレンや、特開２００２−３８１４０号公報
に開示されているＤＣＪＴＢや、キナクリドン（Quinac
ridone）およびその誘導体などのような微量のドーパン
トが添加される。一方、青色発光層２６は、特開２００
２−２５７７０号公報に開示されているtert-ブチル置
換ジナフチルアントラセン（ＴＢＡＤＮ）などのアント
ラセン誘導体である縮合多環芳香族の化合物をホストと
して、特開２００２−２５７７０号公報に開示されてい
るtert-ブチル置換ペリレン（ＴＢＰ）などのドーパン
トが添加される。

【００３５】

【化６】

【００３６】

【化７】

【００３７】

【化８】

【００３８】

【化９】

【００３９】さらに、青色発光層２６上にのみ電子輸送
層２８が形成される。ここで、電子輸送層２８の材料と
して、Ａｌｑ３を例示できる。一般に、電子輸送層２８
の材料として、高い電子輸送性、大きな電子親和力、お
よび高いガラス転移温度の３種類の特性が求められ、そ
の特性の安定性からＡｌｑ３が電子輸送層２８の材料と
して用いられることが多い。

【００４０】赤色発光層２２および緑色発光層２４のホ
ストであるＡｌｑ３等のキレート金属錯体は、電子輸送
層２８の材料としても使用されるように高い電子輸送性
を示す。したがって、キレート金属錯体をホストとする
発光層は電子輸送層の機能を果たすことができる。一
方、青色発光層２６のホストは、電子輸送層２８の材料
と比べ電子輸送性が低い。したがって、青色発光層２６
の上には電子輸送層２８が形成される。

【００４１】青色発光層２６上に設けられた電子輸送層
２８、赤色発光層２２、および緑色発光層２４上に共通
に電子注入層３０、および電子注入電極３２がこの順で
形成される。ここで、電子注入電極３２の材料として、
Ｌｉを微量に含むアルミニウム合金（ＡｌＬｉ）やマグ
ネシウムインジウム合金（ＭｇＩｎ）、マグネシウム銀
合金（ＭｇＡｇ）などが例示できる。さらに電子注入電
極３２として有機層に接する側にフッ化リチウムの層と
その上にアルミニウムによる層が形成される２層構造の
電極も例示できる。

【００４２】ここで、図１の従来例で示した断面図と異
なる点について説明する。図１では、赤色発光層２２、
緑色発光層２４および青色発光層２６の上に電子輸送層
２８が共通に形成された。本実施の形態では、電子輸送
層２８は青色発光層２６の上にのみ形成され、赤色発光
層２２および緑色発光層２４の上には電子輸送層２８は
形成されない。ただし、本実施の形態における赤色発光
層２２および緑色発光層２４の厚さは、青色発光層２６
と電子輸送層２８の厚さの和と等しいが、これに限る趣
旨ではない。

【００４３】図４は、上述の構造を持つ有機ＥＬ素子の
製造工程を模式的に示した図である。ただし、ここでは
ＴＦＴを形成する工程は省略する。

【００４４】まず、図４（ａ）に示すように、ガラス基
板１０上に、ホール注入電極１２、フッ化炭素からなる
介在層１４、およびホール輸送層１６をこの順で形成す
る。つづいて、図４（ｂ）に示すように、ホール輸送層
１６上の所定の領域に赤色発光層２２を形成し、同様に
図４（ｃ）に示すように、ホール輸送層１６上の所定の
領域に緑色発光層２４を赤色発光層２２と同じ厚さで形
成する。その後、図４（ｄ）に示すように、ホール輸送
層１６上の所定の領域に青色発光層２６を赤色発光層２
２および緑色発光層２４の１／２の厚さで形成する。次
に、緑色発光層２４上に電子輸送層２８を形成し、青色
発光層２６と電子輸送層２８を合わせた厚さを赤色発光
層２２、および緑色発光層２４の厚さと等しくする。

【００４５】その後、赤色発光層２２、緑色発光層２
４、電子輸送層２８の上に共通に電子注入層３０および
電子注入電極３２を順に形成し、図３に示す構造とな
る。ここで、赤色発光層２２、緑色発光層２４、および
青色発光層２６と電子輸送層２８を形成する三種類の工
程は、異なる形成室にて行われる。

【００４６】

【実施例】以下、本発明を実施例をもとに詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例
に限定されない。本実施例では、アクティブマトリック
ス型有機ＥＬ表示装置に本実施の形態の構造の有機ＥＬ
素子を適用した。図５は、図１の表示装置のＡ−Ａ断面
を示している。本発明に特徴的な点は、発光層と電子輸
送層の積層構成にある、したがってこれらの構成以外
は、既知の技術で実現できるので説明を一部省略する。

【００４７】ガラス基板１０上に能動層１１が形成さ
れ、さらにその能動層１１に有機ＥＬ素子を駆動するに
必要な第二ＴＦＴ１４０が形成される。その上に、絶縁
膜１３、第一平坦化層１５が形成され、さらにその上に
透明なＩＴＯからなるホール注入電極１２が形成され、
さらに絶縁性の第二平坦化層１８が形成される。これが
有機ＥＬ素子が形成されるＴＦＴ基板である。ここで、
第二平坦化層１８はホール注入電極１２の全面に形成さ
れるのではなく、第二ＴＦＴ１４０が形成される領域の
上方にそれを覆うよう、かつ第二平坦化層１８の形状が
原因でホール注入電極１２や後述の各膜層が断線しない
形状で局所的に形成される。

【００４８】次に、ホール注入電極１２および第二平坦
化層１８を覆うように介在層１４が形成される。その上
には、赤色発光層２２、緑色発光層２４、青色発光層２
６が所定の領域に形成される。

【００４９】ここで、赤色発光層２２は、Ａｌｑ３をホ
ストとして２％のＤＣＪＴＢと１０％のルブレンがドー
プされている。また、緑色発光層２４は、Ａｌｑ３をホ
ストとして１％のキナクリドン誘導体と、１０％のＴＢ
ＡＤＮとがドープされている。また、青色発光層２６
は、ＴＢＡＤＮをホストとして２％のＴＢＰがドープさ
れている。また、赤色発光層２２と緑色発光層２４の膜
厚は、それぞれ７５ｎｍであり、青色発光層２６の膜厚
は３７．５ｎｍである。青色発光層２６の上にはさらに
電子輸送層２８が膜厚３７．５ｎｍで形成されている。

【００５０】さらに電子輸送層２８、赤色発光層２２、
および緑色発光層２４上には共通にフッ化リチウムから
なる電子注入層３０が１ｎｍの厚さで形成され、さらに
その上に電子注入電極３２が形成される。

【００５１】（比較例）上記の構成による、従来例と本
実施例の比較結果を表１に示す。従来例の有機ＥＬ素子
は、赤色発光層２２および緑色発光層２４の膜厚を３
７．５ｎｍとし、それらの上に形成される電子輸送層２
８の膜厚も３７．５ｎｍとした。

【００５２】

【表１】

【００５３】緑色の有機ＥＬ素子に関しては、発光効率
は５．９ｃｄ／Ａから６．０ｃｄ／Ａへ若干向上し、寿
命は２０００時間から３０００時間へ１．５倍に向上し
た。ここで、初期輝度を８００ｃｄ／ｍ^２とし、輝度が
半減した時点で寿命としている。また、赤色の有機ＥＬ
素子に関しては、発光効率は、２．１ｃｄ／Ａから２．
３ｃｄ／Ａへ向上し、寿命は１０００時間から１５００
時間へ、これも同様に１．５倍に向上した。ここで、初
期輝度を５００ｃｄ／ｍ^２とし、これも輝度が半減した
時点で寿命としている。

【００５４】緑色および赤色の有機ＥＬ素子は、従来例
の電子輸送層を持つ構造と比較し、電子輸送層を持たな
い場合、特にその寿命に著しい向上が見られる。これ
は、発光層と電子輸送層の間に生じる界面をなくすこと
で劣化の進行を抑えることができたと想定される。

【００５５】以上、実施例によれば、従来、赤色発光層
２２と緑色発光層２４の上にそれぞれ形成されていた電
子輸送層２８をなくすことで、赤色発光層２２と電子輸
送層２８、および緑色発光層２４と青色発光層２６の間
に発生した界面を除くことができる。この界面は、水分
子や酸素分子を吸着し有機ＥＬ素子の劣化を進める要因
であった。発光層と電子輸送層の間に生じていた界面を
なくすことで赤色発光層２２と緑色発光層２４は劣化の
少ない安定した発光特性を示すことができる。

【００５６】また、この積層構造の有機ＥＬ素子を実現
するために、マルチチャンバー型有機ＥＬ製造装置にお
いて赤色発光層２２、緑色発光層２４、および青色発光
層２６と電子輸送層２８を形成する工程をそれぞれ異な
る３種類の形成室にて行う。これにより、従来の３種類
の発光層を同一形成室で形成した際にみられた有機ＥＬ
素子を形成する材料のクロスコンタミネーションを回避
できる。

【００５７】

【発明の効果】本発明によれば、発光層と電子輸送層と
の間に発生し有機ＥＬ素子の性能に悪影響を及ぼしてい
た界面の発生を抑制でき、その界面に起因する有機ＥＬ
素子の劣化を抑制できる。また、別の観点では、所望の
色を発光する複数の有機ＥＬ素子を形成する際に見られ
た有機層の材料のクロスコンタミネーションが回避でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置
の平面図であり、特に赤、緑、および青色の３画素の領
域を示した図である。

【図２】 従来例の、一般的な赤、緑、および青色を発
光する３種類の発光層を備える有機ＥＬ素子からなる構
造を模式的に示した断面図である。

【図３】 本実施の形態に係る、赤、緑、および青色を
発光する３種類の発光層を備える有機ＥＬ素子からなる
構造を模式的に示す断面図である。

【図４】 本実施の形態に係る、赤、緑、青色を発光す
る３種類の発光層を備える有機ＥＬ素子の製造工程を示
した図である。

【図５】 本実施の形態に係る、赤、緑、および青色を
発光する３種類の発光層を備える有機ＥＬ素子からなる
構造がアクティブマトリックス表示装置に適用された際
の構造を示した断面図である。

【符号の説明】

１０ ガラス基板、 １４ 介在層、 １６ ホール輸
送層、 １８ 第二平坦化層、 ２２ 赤色発光層、
２４ 緑色発光層、 ２６ 青色発光層、 ２８ 電子
輸送層、 ３０ 電子注入層、 ３２ 電子注入電極。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホール注入電極上にホール輸送層と、キ
   レート金属錯体を含む第一の発光層と、第一の発光層上
   に形成された電子注入電極と、がこの順で積層されてな
   る第一の積層構造と、 ホール注入電極上に、ホール輸送層と、キレート金属錯
   体を形成していない縮合多環芳香族を含む第二の発光層
   と、電子輸送層と、電子注入電極と、がこの順で積層さ
   れてなる第二の積層構造と、を備えたことを特徴とする
   有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 【請求項２】 前記第一の発光層はキレート金属錯体を
   ホストとして所定のドーパントを含み、前記第二の積層
   構造に形成される電子輸送層は前記キレート金属錯体と
   同一であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレ
   クトロルミネッセンス表示装置。
3. 【請求項３】 前記キレート金属錯体の金属イオンが周
   期律表２族または３族に属することを特徴とする請求項
   １または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示
   装置。
4. 【請求項４】 前記キレート金属錯体がアルミキノリン
   錯体、またはビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯
   体であることを特徴とする請求項３に記載の有機エレク
   トロルミネッセンス表示装置。
5. 【請求項５】 前記電子輸送層がアルミキノリン錯体か
   らなることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記
   載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 【請求項６】 前記第二の発光層の縮合多環芳香族が、
   アントラセン及びその誘導体であることを特徴とする請
   求項１から５のいずれかに記載の記載の有機エレクトロ
   ルミネッセンス表示装置。
7. 【請求項７】 前記第一の発光層と前記電子注入電極の
   間、および前記第二の発光層と前記電子注入電極の間に
   フッ化リチウム層が形成されたことを特徴とする請求項
   １から６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセ
   ンス表示装置。
8. 【請求項８】 基板上にホール注入電極およびホール輸
   送層をこの順で形成した後、 前記ホール輸送層上の所定の領域にキレート金属錯体を
   含む第一の発光層を形成する工程と、 前記ホール輸送層上の所定の領域にキレート金属錯体を
   形成していない縮合多環芳香族を含む第二の発光層と、
   電子輸送層をこの順で形成する工程と、 前記二つの工程を終了後、前記第一の発光層と前記電子
   輸送層の上に電子注入電極を共通に形成する工程と、 を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
   表示装置の製造方法。