JP2003255051A - ２次元アレイ型放射線検出器 - Google Patents
２次元アレイ型放射線検出器Info
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- JP2003255051A JP2003255051A JP2002053072A JP2002053072A JP2003255051A JP 2003255051 A JP2003255051 A JP 2003255051A JP 2002053072 A JP2002053072 A JP 2002053072A JP 2002053072 A JP2002053072 A JP 2002053072A JP 2003255051 A JP2003255051 A JP 2003255051A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線フラットパネルディテクタに要求される
大面積で高密度な検出器を歩留り良く製作できる２次元
アレイ型放射線検出器を提供する。 【解決手段】 積層電気基板２上にスイッチング素子の
ＦＥＴ６と画素電極３とゲートバスライン１４とデータ
バスライン１５が行列状に形成され、ゲートバスライン
１４とデータバスライン１５が積層電気基板２の表面か
ら裏面に設けられたコネクタ２１に接続され、積層電気
基板２の上部にはＸ線変換層１が形成された検出器モジ
ュール１３が、ゲートドライバ部３２とデータ収集部３
３と制御部３４を周辺部に搭載し、コネクタ３５が設け
られた主基板３１に、上部から複数の検出器モジュール
１３をコネクタ２１、３５を介して接続し、大面積の２
次元アレイ型放射線検出器を製作する。
大面積で高密度な検出器を歩留り良く製作できる２次元
アレイ型放射線検出器を提供する。 【解決手段】 積層電気基板２上にスイッチング素子の
ＦＥＴ６と画素電極３とゲートバスライン１４とデータ
バスライン１５が行列状に形成され、ゲートバスライン
１４とデータバスライン１５が積層電気基板２の表面か
ら裏面に設けられたコネクタ２１に接続され、積層電気
基板２の上部にはＸ線変換層１が形成された検出器モジ
ュール１３が、ゲートドライバ部３２とデータ収集部３
３と制御部３４を周辺部に搭載し、コネクタ３５が設け
られた主基板３１に、上部から複数の検出器モジュール
１３をコネクタ２１、３５を介して接続し、大面積の２
次元アレイ型放射線検出器を製作する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、医療用の放射線
撮影装置に係わり、Ｘ線フラットパネルディテクタ、マ
ルチスライスＸ線ＣＴ装置、コーンビームＸ線ＣＴ装置
などに用いられる２次元アレイ型放射線検出器に関す
る。
撮影装置に係わり、Ｘ線フラットパネルディテクタ、マ
ルチスライスＸ線ＣＴ装置、コーンビームＸ線ＣＴ装置
などに用いられる２次元アレイ型放射線検出器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の２次元アレイ型放射線検出器は通
常Ｘ線を光に変換するＸ線変換膜と、その直下に行列状
に配置されたフォトダイオードアレイと、各フォトダイ
オードアレイに接続されたスイッチング素子によって構
成され、Ｘ線照射後、各スイッチング素子を順次ＯＮす
ることで各画素に蓄積された信号電荷を読み出してＸ線
画像を形成するタイプのものと、放射線に感応し入射線
量に対応した電荷信号を直接出力する半導体変換膜を有
し、その直下に行列状に配置された電極にスイッチング
素子が接続され、Ｘ線照射時に各スイッチング素子を順
次ＯＮすることで各画素に蓄積された電荷信号を読み出
し、Ｘ線画像を形成するタイプの２種類のものがある。
ここでは前者のタイプのものについて説明する。図４に
前者のタイプの２次元アレイ型放射線検出器の検出回路
を示す。この検出器はＸ線を光に変換するシンチレータ
４１が前面に一様に形成され、その裏側に光を電気信号
に変換する光電変換素子４３、例えばフォトダイオード
が規則正しくアレイ配置されている。そしてこの光電変
換素子４３と対にスイッチング素子、例えばＦＥＴ４６
が形成され各々のＦＥＴ４６のソース４５の端子が光電
変換素子４３に接続されている。そして各々のＦＥＴ４
６のゲート４７の端子が水平方向のゲートバスライン５
４に接続され、各々のＦＥＴ４６のドレイン４８の端子
が垂直方向のデータバスライン５５に接続されている。
２次元アレイ型放射線検出器の一画素５２は、シンチレ
ータ４１と光電変換素子４３とＦＥＴ４６で構成されて
いる。そして、制御部５１によってゲートドライバ部４
９とデータ収集部５０が制御され、ゲートドライバ部４
９からのパルス信号を水平方向に形成されたゲートバス
ライン５４を介して、ＦＥＴ４６のゲート４７に与え、
上方から下方に順次送り出し、光電変換素子４３に蓄積
している映像電荷信号をソース４５からドレイン４８に
読み出し、そして垂直方向に形成されたデータバスライ
ン５５からデータ収集部５０に送りこむ。そしてデータ
収集部５０から取込んだ映像データを外部に出力する。
図５に２次元アレイ型放射線検出器の断面構造を示す。
この検出器は基板４２上にシンチレータ４１と光電変換
素子４３とスイッチング素子（ａ‐Ｓｉ：ＨＦＥＴな
ど）を形成したものを示す。基板４２上にゲートバスラ
イン５４が形成され、そのゲートバスライン５４にＦＥ
Ｔ４６のゲート４７の電極が重ね合わされて形成され、
そしてスイッチング素子であるＦＥＴ４６が規則正しく
行列状に形成される。また、ＦＥＴ４６のドレイン４８
の電極に絶縁物５３上のデータバスライン５５が重ね合
わされて形成される。そして下層に配線されたゲートバ
スライン５４と上層に配線されたデータバスライン５５
とは絶縁物５３を挟んで空間的に直行している。次にＦ
ＥＴ４６のソース４５の電極上に光電変換素子４３が規
則正しく行列状に形成される。そしてその上部にシンチ
レータ４１が形成される。
常Ｘ線を光に変換するＸ線変換膜と、その直下に行列状
に配置されたフォトダイオードアレイと、各フォトダイ
オードアレイに接続されたスイッチング素子によって構
成され、Ｘ線照射後、各スイッチング素子を順次ＯＮす
ることで各画素に蓄積された信号電荷を読み出してＸ線
画像を形成するタイプのものと、放射線に感応し入射線
量に対応した電荷信号を直接出力する半導体変換膜を有
し、その直下に行列状に配置された電極にスイッチング
素子が接続され、Ｘ線照射時に各スイッチング素子を順
次ＯＮすることで各画素に蓄積された電荷信号を読み出
し、Ｘ線画像を形成するタイプの２種類のものがある。
ここでは前者のタイプのものについて説明する。図４に
前者のタイプの２次元アレイ型放射線検出器の検出回路
を示す。この検出器はＸ線を光に変換するシンチレータ
４１が前面に一様に形成され、その裏側に光を電気信号
に変換する光電変換素子４３、例えばフォトダイオード
が規則正しくアレイ配置されている。そしてこの光電変
換素子４３と対にスイッチング素子、例えばＦＥＴ４６
が形成され各々のＦＥＴ４６のソース４５の端子が光電
変換素子４３に接続されている。そして各々のＦＥＴ４
６のゲート４７の端子が水平方向のゲートバスライン５
４に接続され、各々のＦＥＴ４６のドレイン４８の端子
が垂直方向のデータバスライン５５に接続されている。
２次元アレイ型放射線検出器の一画素５２は、シンチレ
ータ４１と光電変換素子４３とＦＥＴ４６で構成されて
いる。そして、制御部５１によってゲートドライバ部４
９とデータ収集部５０が制御され、ゲートドライバ部４
９からのパルス信号を水平方向に形成されたゲートバス
ライン５４を介して、ＦＥＴ４６のゲート４７に与え、
上方から下方に順次送り出し、光電変換素子４３に蓄積
している映像電荷信号をソース４５からドレイン４８に
読み出し、そして垂直方向に形成されたデータバスライ
ン５５からデータ収集部５０に送りこむ。そしてデータ
収集部５０から取込んだ映像データを外部に出力する。
図５に２次元アレイ型放射線検出器の断面構造を示す。
この検出器は基板４２上にシンチレータ４１と光電変換
素子４３とスイッチング素子（ａ‐Ｓｉ：ＨＦＥＴな
ど）を形成したものを示す。基板４２上にゲートバスラ
イン５４が形成され、そのゲートバスライン５４にＦＥ
Ｔ４６のゲート４７の電極が重ね合わされて形成され、
そしてスイッチング素子であるＦＥＴ４６が規則正しく
行列状に形成される。また、ＦＥＴ４６のドレイン４８
の電極に絶縁物５３上のデータバスライン５５が重ね合
わされて形成される。そして下層に配線されたゲートバ
スライン５４と上層に配線されたデータバスライン５５
とは絶縁物５３を挟んで空間的に直行している。次にＦ
ＥＴ４６のソース４５の電極上に光電変換素子４３が規
則正しく行列状に形成される。そしてその上部にシンチ
レータ４１が形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の２次元アレイ型
放射線検出器は、以上のように構成されているが、この
２次元アレイ型放射線検出器をＸ線フラットパネルディ
テクタに適用しようとしたとき、検出器受光部の外形寸
法は、１辺が２３０ｍｍ〜４３０ｍｍの正方形であり、
マトリクスサイズは１５００×１５００〜２９００×２
９００にもなる。このような大面積で高密度な仕様の検
出器では、従来の２次元アレイ型放射線検出器のように
一枚ものでシンチレータ４１、光電変換素子４３、スイ
ッチング素子（ＦＥＴ４６）、ゲートバスライン５４及
びデータバスライン５５等を形成しようとすると、一画
素でも不良があると、製品として使用できなくなってし
まい、歩留りが悪くなるという問題がある。
放射線検出器は、以上のように構成されているが、この
２次元アレイ型放射線検出器をＸ線フラットパネルディ
テクタに適用しようとしたとき、検出器受光部の外形寸
法は、１辺が２３０ｍｍ〜４３０ｍｍの正方形であり、
マトリクスサイズは１５００×１５００〜２９００×２
９００にもなる。このような大面積で高密度な仕様の検
出器では、従来の２次元アレイ型放射線検出器のように
一枚ものでシンチレータ４１、光電変換素子４３、スイ
ッチング素子（ＦＥＴ４６）、ゲートバスライン５４及
びデータバスライン５５等を形成しようとすると、一画
素でも不良があると、製品として使用できなくなってし
まい、歩留りが悪くなるという問題がある。
【０００４】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであって、Ｘ線フラットパネルディテクタに要求さ
れているような大面積で高密度な検出器を、生産性を向
上させて製作できる２次元アレイ型放射線検出器を提供
することを目的とする。
ものであって、Ｘ線フラットパネルディテクタに要求さ
れているような大面積で高密度な検出器を、生産性を向
上させて製作できる２次元アレイ型放射線検出器を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の２次元アレイ型放射線検出器は、放射線に感応
し入射線量に対応した電気信号を出力するＸ線変換層
と、その直下に行列状に配置された画素電極と、各画素
電極に接続されたスイッチング素子と、信号読出し時に
ゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次Ｏ
Ｎするゲートドライバ部と、各画素に蓄積された電荷信
号をデータバスラインを介して読出すデータ収集部と、
前記ゲートドライバ部及びデータ収集部を制御する制御
部とから構成される２次元アレイ型放射線検出器におい
て、前記スイッチング素子と画素電極とゲートバスライ
ン及びデータバスラインが積層電気基板上にパターニン
グされ、その各ゲートバスライン及び各データバスライ
ンが前記積層電気基板の表面から電気的に裏面に設けら
れたコネクタに接続され、前記積層電気基板の上部に前
記Ｘ線変換層を形成した複数の検出器モジュールと、周
辺部に前記ゲートドライバ部とデータ収集部と制御部と
中央部に複数の前記検出器モジュールを搭載できるコネ
クタが対応して設けられた一つの主基板とを上下に重
ね、前記検出器モジュールを裏面から主基板にコネクタ
接続して一検出器を形成したものである。
本発明の２次元アレイ型放射線検出器は、放射線に感応
し入射線量に対応した電気信号を出力するＸ線変換層
と、その直下に行列状に配置された画素電極と、各画素
電極に接続されたスイッチング素子と、信号読出し時に
ゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次Ｏ
Ｎするゲートドライバ部と、各画素に蓄積された電荷信
号をデータバスラインを介して読出すデータ収集部と、
前記ゲートドライバ部及びデータ収集部を制御する制御
部とから構成される２次元アレイ型放射線検出器におい
て、前記スイッチング素子と画素電極とゲートバスライ
ン及びデータバスラインが積層電気基板上にパターニン
グされ、その各ゲートバスライン及び各データバスライ
ンが前記積層電気基板の表面から電気的に裏面に設けら
れたコネクタに接続され、前記積層電気基板の上部に前
記Ｘ線変換層を形成した複数の検出器モジュールと、周
辺部に前記ゲートドライバ部とデータ収集部と制御部と
中央部に複数の前記検出器モジュールを搭載できるコネ
クタが対応して設けられた一つの主基板とを上下に重
ね、前記検出器モジュールを裏面から主基板にコネクタ
接続して一検出器を形成したものである。
【０００６】また、本発明の２次元アレイ型放射線検出
器は、放射線に感応し入射線量に対応した電気信号を出
力するＸ線変換層と、その直下に行列状に配置された画
素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子
と、信号読出し時にゲートバスラインを介して各スイッ
チング素子を順次ＯＮするゲートドライバ部と、各画素
に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読出
すデータ収集部と、前記ゲートドライバ部及びデータ収
集部を制御する制御部とから構成される２次元アレイ型
放射線検出器において、前記スイッチング素子と画素電
極とゲートバスライン及びデータバスラインが積層電気
基板上にパターニングされ、その各ゲートバスライン及
び各データバスラインが前記積層電気基板の表面から電
気的に裏面に設けられた導通部に接続され、前記積層電
気基板の上部に前記Ｘ線変換層を形成した複数の検出器
モジュールと、周辺部に前記ゲートドライバ部とデータ
収集部と制御部と中央部に複数の前記検出器モジュール
を搭載できる導通部が対応して設けられた一つの主基板
とを上下に重ね、前記検出器モジュールを裏面から主基
板に前記導通部ではんだバンプ接続して一検出器を形成
したものである。
器は、放射線に感応し入射線量に対応した電気信号を出
力するＸ線変換層と、その直下に行列状に配置された画
素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子
と、信号読出し時にゲートバスラインを介して各スイッ
チング素子を順次ＯＮするゲートドライバ部と、各画素
に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して読出
すデータ収集部と、前記ゲートドライバ部及びデータ収
集部を制御する制御部とから構成される２次元アレイ型
放射線検出器において、前記スイッチング素子と画素電
極とゲートバスライン及びデータバスラインが積層電気
基板上にパターニングされ、その各ゲートバスライン及
び各データバスラインが前記積層電気基板の表面から電
気的に裏面に設けられた導通部に接続され、前記積層電
気基板の上部に前記Ｘ線変換層を形成した複数の検出器
モジュールと、周辺部に前記ゲートドライバ部とデータ
収集部と制御部と中央部に複数の前記検出器モジュール
を搭載できる導通部が対応して設けられた一つの主基板
とを上下に重ね、前記検出器モジュールを裏面から主基
板に前記導通部ではんだバンプ接続して一検出器を形成
したものである。
【０００７】また、請求項３に記載された２次元アレイ
型放射線検出器は、前記積層電気基板として積層セラミ
ック基板を用いたものである。
型放射線検出器は、前記積層電気基板として積層セラミ
ック基板を用いたものである。
【０００８】また、請求項４に記載された２次元アレイ
型放射線検出器は、前記放射線に感応し入射線量に対応
した電気信号を出力するＸ線変換層を、ＣｄＴｅ、Ｃｄ
ＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結晶からなる板で
構成したものである。
型放射線検出器は、前記放射線に感応し入射線量に対応
した電気信号を出力するＸ線変換層を、ＣｄＴｅ、Ｃｄ
ＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結晶からなる板で
構成したものである。
【０００９】また、請求項５に記載された２次元アレイ
型放射線検出器は、前記放射線に感応し入射線量に対応
した電気信号を出力するＸ線変換層を、ＣｄＴｅ、Ｃｄ
ＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結晶を蒸着基板に
真空蒸着法により形成し、蒸着基板と共にダイシングを
行ない切出された板を前記積層電気基板に貼付け検出器
モジュールとして構成したものである。
型放射線検出器は、前記放射線に感応し入射線量に対応
した電気信号を出力するＸ線変換層を、ＣｄＴｅ、Ｃｄ
ＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結晶を蒸着基板に
真空蒸着法により形成し、蒸着基板と共にダイシングを
行ない切出された板を前記積層電気基板に貼付け検出器
モジュールとして構成したものである。
【００１０】本発明の２次元アレイ型放射線検出器は、
上記のように形成されており、スイッチング素子と画素
電極とゲートバスライン及びデータバスラインがモジュ
ール単位の積層電気基板上にパターニングされ、その上
部にＸ線変換層が形成されて、各ゲートバスライン及び
各データバスラインが電気的に積層電気基板表面から裏
面に設けられたコネクタもしくは導通部に接続され、複
数のモジュール単位の検出器を裏面からコネクタ、もし
くは、はんだハンプを介して、ゲートドライバ部、デー
タ収集部、制御部を周辺に搭載した主基板に接続するこ
とにより、大面積で高密度な一検出器を形成している。
そのため、各モジュールは面積が小さく歩留りが良く製
作でき、信頼性の高い２次元アレイ型放射線検出器を提
供することができる。また、積層電気基板に積層セラミ
ック基板を用い、表側と裏側とのプリント配線の上下導
通を確実にして、信頼性の高いものに製作することがで
きる。また、放射線に感応し入射線量に対応した電気信
号を出力するＸ線変換層を、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅか
らなる半導体単結晶又は多結晶からなる板を用い、積層
電気基板上のアクティブマトリックス基板上にセットし
て、一検出器モジュールを製作することができる。ま
た、Ｘ線変換層をＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅからなる半導
体単結晶又は多結晶を、蒸着基板上に真空蒸着法により
形成し、その後、蒸着基板と共にダイシングを行ない、
切出された板を積層電気基板上にはんだバンプなどによ
り隙間なく配置して、検出器モジュールとして使用する
ことができる。上記のように複数の検出器モジュール
を、コネクタもしくははんだハンプを介して、ゲートド
ライバ部、データ収集部、制御部を周辺に搭載した一つ
の主基板に接続することで、Ｘ線フラットパネルディテ
クタに要求される大面積で高密度な検出器を歩留り良く
製作することができる。
上記のように形成されており、スイッチング素子と画素
電極とゲートバスライン及びデータバスラインがモジュ
ール単位の積層電気基板上にパターニングされ、その上
部にＸ線変換層が形成されて、各ゲートバスライン及び
各データバスラインが電気的に積層電気基板表面から裏
面に設けられたコネクタもしくは導通部に接続され、複
数のモジュール単位の検出器を裏面からコネクタ、もし
くは、はんだハンプを介して、ゲートドライバ部、デー
タ収集部、制御部を周辺に搭載した主基板に接続するこ
とにより、大面積で高密度な一検出器を形成している。
そのため、各モジュールは面積が小さく歩留りが良く製
作でき、信頼性の高い２次元アレイ型放射線検出器を提
供することができる。また、積層電気基板に積層セラミ
ック基板を用い、表側と裏側とのプリント配線の上下導
通を確実にして、信頼性の高いものに製作することがで
きる。また、放射線に感応し入射線量に対応した電気信
号を出力するＸ線変換層を、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅか
らなる半導体単結晶又は多結晶からなる板を用い、積層
電気基板上のアクティブマトリックス基板上にセットし
て、一検出器モジュールを製作することができる。ま
た、Ｘ線変換層をＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅからなる半導
体単結晶又は多結晶を、蒸着基板上に真空蒸着法により
形成し、その後、蒸着基板と共にダイシングを行ない、
切出された板を積層電気基板上にはんだバンプなどによ
り隙間なく配置して、検出器モジュールとして使用する
ことができる。上記のように複数の検出器モジュール
を、コネクタもしくははんだハンプを介して、ゲートド
ライバ部、データ収集部、制御部を周辺に搭載した一つ
の主基板に接続することで、Ｘ線フラットパネルディテ
クタに要求される大面積で高密度な検出器を歩留り良く
製作することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の２次元アレイ型放射線検
出器の一実施例を、図１、図２、図３を参照しながら説
明する。図１は本発明の２次元アレイ型放射線検出器の
検出器モジュール１３と主基板３１の組立て工程を示す
図である。図２は検出器モジュール１３の積層電気基板
２の（ａ）上面図と（ｂ）裏面図を示す。図３は主基板
３１の上面図を示す。本２次元アレイ型放射線検出器
は、放射線に感応し入射Ｘ線に対応した電気信号を出力
するＸ線変換層１を前面に有し、その後部にアクティブ
マトリックスの積層電気基板２を備え、その裏面にコネ
クタ２１を有する複数の検出器モジュール１３と、周辺
部にゲートドライバ部３２とデータ収集部３３と制御部
３４を搭載し中央部にコネクタ２１に対応してコネクタ
３５を搭載した主基板３１とから構成される。
出器の一実施例を、図１、図２、図３を参照しながら説
明する。図１は本発明の２次元アレイ型放射線検出器の
検出器モジュール１３と主基板３１の組立て工程を示す
図である。図２は検出器モジュール１３の積層電気基板
２の（ａ）上面図と（ｂ）裏面図を示す。図３は主基板
３１の上面図を示す。本２次元アレイ型放射線検出器
は、放射線に感応し入射Ｘ線に対応した電気信号を出力
するＸ線変換層１を前面に有し、その後部にアクティブ
マトリックスの積層電気基板２を備え、その裏面にコネ
クタ２１を有する複数の検出器モジュール１３と、周辺
部にゲートドライバ部３２とデータ収集部３３と制御部
３４を搭載し中央部にコネクタ２１に対応してコネクタ
３５を搭載した主基板３１とから構成される。
【００１２】本２次元アレイ型放射線検出器と従来の放
射線検出器と異なるところは、従来の２次元アレイ型放
射線検出器が、図４および図５に示すように、製造工程
で一つの基板４２の上面に行列状に配置され接続された
画素５２の電極とＦＥＴ４６とゲートバスライン５４と
データバスライン５５がパターニングされ、その上部に
Ｘ線変換層（シンチレータ４１と光電変換素子４３）が
形成され、同じ基板４２上の周辺部にゲートドライバ部
４９、データ収集部５０、制御部５１が搭載されている
が、本発明の２次元アレイ型放射線検出器の製造工程
は、ＦＥＴ６と画素電極３とゲートバスライン１４とデ
ータバスライン１５が上面にパターニングされ、裏面に
ゲートバスライン１４とデータバスライン１５に導通し
たコネクタ２１を有するアクティブマトリックスの積層
電気基板２上にＸ線変換層１が形成された検出器モジュ
ール１３を複数個準備し、周辺部にゲートドライバ部３
２とデータ収集部と制御部３４が搭載されている一つの
大きな主基板３１に、コネクタ３５を介してコネクタ接
続される点にある。
射線検出器と異なるところは、従来の２次元アレイ型放
射線検出器が、図４および図５に示すように、製造工程
で一つの基板４２の上面に行列状に配置され接続された
画素５２の電極とＦＥＴ４６とゲートバスライン５４と
データバスライン５５がパターニングされ、その上部に
Ｘ線変換層（シンチレータ４１と光電変換素子４３）が
形成され、同じ基板４２上の周辺部にゲートドライバ部
４９、データ収集部５０、制御部５１が搭載されている
が、本発明の２次元アレイ型放射線検出器の製造工程
は、ＦＥＴ６と画素電極３とゲートバスライン１４とデ
ータバスライン１５が上面にパターニングされ、裏面に
ゲートバスライン１４とデータバスライン１５に導通し
たコネクタ２１を有するアクティブマトリックスの積層
電気基板２上にＸ線変換層１が形成された検出器モジュ
ール１３を複数個準備し、周辺部にゲートドライバ部３
２とデータ収集部と制御部３４が搭載されている一つの
大きな主基板３１に、コネクタ３５を介してコネクタ接
続される点にある。
【００１３】検出器モジュール１３は、上面に上部電極
１ａを有したＸ線変換層１と、その後部に行列状に配置
された画素電極３とスイッチング素子のＦＥＴ６とゲー
ト開放用のゲートバスライン１４と読出用のデータバス
ライン１５が上面にパターニング形成され、裏面にゲー
トバスライン１４及びデータバスライン１５と導通され
たコネクタ２１が搭載された積層電気基板２とから構成
される。Ｘ線変換層１は、放射線に感応し入射線量に対
応した電気信号を出力するＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなど
の半導体単結晶または多結晶からなる板状のものが用い
られる。Ｘ線変換層１は、上部電極１ａと画素電極３間
に電圧が印加され、Ｘ線エネルギーが吸収されると、そ
れに応じて正孔と電子が発生し、画素電極３に電子が集
められる。Ｘ線変換層１の直下には画素電極３が行列状
に規則正しくアレイ配置されており、画素電極３と対に
スイッチング素子のＦＥＴ６が形成され、各々のＦＥＴ
６のソース５の端子が画素電極３に接続されている。そ
して各々のＦＥＴ６のゲート７の端子が水平方向のゲー
トバスライン１４に接続され、各々のＦＥＴ６のドレイ
ン８の端子が垂直方向のデータバスライン１５に接続さ
れている。そして、積層電気基板２上でパターニングさ
れた各行のゲートバスライン１４及び各列のデータバス
ライン１５には一箇所ずつ裏面へ導通するゲートバスラ
インパッド部１１及びデータバスラインパッド部１２が
設けられており、積層電気基板２の各層においてパター
ン配線を施すことにより、裏面ゲートパスラインパッド
部及び裏面データバスラインパッド部（図示せず）へ電
気的に導通している。そして、裏面ゲートバスラインパ
ッド部及び裏面データバスラインパッド部は、裏面に設
けられたコネクタ２１に接続される。主基板３１は、複
数の検出器モジュール１３をコネクタ接続できるように
コネクタ２１に対向した位置に設けられたコネクタ３５
と、周辺部に搭載されたゲートドライバ部３２とデータ
収集部３３と制御部３４とから構成される。そして、ゲ
ートドライバ部３２からのゲートバスライン１４ａ及び
データ収集部３３からのデータバスライン１５ａがコネ
クタ３５に接続されている。そして図３に示すように、
一検出器モジュール１３が点線で枠付けされた位置にコ
ネクタ３５とコネクタ２１を介してマウントされる。複
数の一検出器モジュール１３が主基板３１上に取付けら
れ、大きな面積の放射線検出器が形成される。
１ａを有したＸ線変換層１と、その後部に行列状に配置
された画素電極３とスイッチング素子のＦＥＴ６とゲー
ト開放用のゲートバスライン１４と読出用のデータバス
ライン１５が上面にパターニング形成され、裏面にゲー
トバスライン１４及びデータバスライン１５と導通され
たコネクタ２１が搭載された積層電気基板２とから構成
される。Ｘ線変換層１は、放射線に感応し入射線量に対
応した電気信号を出力するＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなど
の半導体単結晶または多結晶からなる板状のものが用い
られる。Ｘ線変換層１は、上部電極１ａと画素電極３間
に電圧が印加され、Ｘ線エネルギーが吸収されると、そ
れに応じて正孔と電子が発生し、画素電極３に電子が集
められる。Ｘ線変換層１の直下には画素電極３が行列状
に規則正しくアレイ配置されており、画素電極３と対に
スイッチング素子のＦＥＴ６が形成され、各々のＦＥＴ
６のソース５の端子が画素電極３に接続されている。そ
して各々のＦＥＴ６のゲート７の端子が水平方向のゲー
トバスライン１４に接続され、各々のＦＥＴ６のドレイ
ン８の端子が垂直方向のデータバスライン１５に接続さ
れている。そして、積層電気基板２上でパターニングさ
れた各行のゲートバスライン１４及び各列のデータバス
ライン１５には一箇所ずつ裏面へ導通するゲートバスラ
インパッド部１１及びデータバスラインパッド部１２が
設けられており、積層電気基板２の各層においてパター
ン配線を施すことにより、裏面ゲートパスラインパッド
部及び裏面データバスラインパッド部（図示せず）へ電
気的に導通している。そして、裏面ゲートバスラインパ
ッド部及び裏面データバスラインパッド部は、裏面に設
けられたコネクタ２１に接続される。主基板３１は、複
数の検出器モジュール１３をコネクタ接続できるように
コネクタ２１に対向した位置に設けられたコネクタ３５
と、周辺部に搭載されたゲートドライバ部３２とデータ
収集部３３と制御部３４とから構成される。そして、ゲ
ートドライバ部３２からのゲートバスライン１４ａ及び
データ収集部３３からのデータバスライン１５ａがコネ
クタ３５に接続されている。そして図３に示すように、
一検出器モジュール１３が点線で枠付けされた位置にコ
ネクタ３５とコネクタ２１を介してマウントされる。複
数の一検出器モジュール１３が主基板３１上に取付けら
れ、大きな面積の放射線検出器が形成される。
【００１４】積層電気基板２の表面のゲートバスライン
パッド部１１及びデータバスラインパッド部１２は、積
層電気基板２の各層においてパターン配線が施されるこ
とにより、裏面ゲートバスラインパッド部（図示せず）
及び裏面データバスラインパッド部（図示せず）へ電気
的に導通されている。このとき裏面ゲートバスラインパ
ッド部及び裏面データバスラインパッド部の並びは、ゲ
一トバスライン１４ａを介して各スイッチング素子を順
次ＯＮするゲートドライバ部３２と、各画素に蓄積され
た電荷信号をデータバスライン１５ａを介して読出すデ
ータ収集部３３と、前記両部を制御する制御部３４が搭
載された主基板３１上での各種配線の取りまわしがやり
易いようにパターニングされている。そして、積層電気
基板２の主基板３１との接続、取り外しを容易にするた
めに、裏面ゲートバスラインパッド部及び裏面データバ
スラインパッド部に接続されたコネクタ２１が積層電気
基板２側に搭載されている。
パッド部１１及びデータバスラインパッド部１２は、積
層電気基板２の各層においてパターン配線が施されるこ
とにより、裏面ゲートバスラインパッド部（図示せず）
及び裏面データバスラインパッド部（図示せず）へ電気
的に導通されている。このとき裏面ゲートバスラインパ
ッド部及び裏面データバスラインパッド部の並びは、ゲ
一トバスライン１４ａを介して各スイッチング素子を順
次ＯＮするゲートドライバ部３２と、各画素に蓄積され
た電荷信号をデータバスライン１５ａを介して読出すデ
ータ収集部３３と、前記両部を制御する制御部３４が搭
載された主基板３１上での各種配線の取りまわしがやり
易いようにパターニングされている。そして、積層電気
基板２の主基板３１との接続、取り外しを容易にするた
めに、裏面ゲートバスラインパッド部及び裏面データバ
スラインパッド部に接続されたコネクタ２１が積層電気
基板２側に搭載されている。
【００１５】一方、図３に示すように、主基板３１上に
は、各スイッチング素子を順次ＯＮするゲートドライバ
部３２、電荷信号を読み出すデータ収集部３３及び前記
両部を制御する制御部３４及び積層電気基板２との接続
を行うためのコネクタ３５が搭載されている。また、主
基板３１上では、電気接続された各検出器モジュール１
３のゲートバスライン１４とデータバスライン１５に対
して信号の中継がやり易いようにゲートバスライン１４
ａとデータバスライン１５ａの配線パターンが施されて
いる。そして主基板３１上に、複数個の検出器モジュー
ル１３をコネクタ３５上にコネクタ接続し、デッドスペ
ース無く配置することにより一つの検出器を形成し２次
元アレイ型放射線検出器を構成する。このようにして構
成された２次元アレイ型放射線検出器では最終的に、１
５００×１５００〜３０００×３０００などの高密度な
マトリックスサイズとなり、充分にＸ線フラットパネル
ディテクタに要求されているような大面積で高密度な仕
様を満足させることができる。
は、各スイッチング素子を順次ＯＮするゲートドライバ
部３２、電荷信号を読み出すデータ収集部３３及び前記
両部を制御する制御部３４及び積層電気基板２との接続
を行うためのコネクタ３５が搭載されている。また、主
基板３１上では、電気接続された各検出器モジュール１
３のゲートバスライン１４とデータバスライン１５に対
して信号の中継がやり易いようにゲートバスライン１４
ａとデータバスライン１５ａの配線パターンが施されて
いる。そして主基板３１上に、複数個の検出器モジュー
ル１３をコネクタ３５上にコネクタ接続し、デッドスペ
ース無く配置することにより一つの検出器を形成し２次
元アレイ型放射線検出器を構成する。このようにして構
成された２次元アレイ型放射線検出器では最終的に、１
５００×１５００〜３０００×３０００などの高密度な
マトリックスサイズとなり、充分にＸ線フラットパネル
ディテクタに要求されているような大面積で高密度な仕
様を満足させることができる。
【００１６】請求項２記載の２次元アレイ型放射線検出
器は、積層電気基板２と主基板３１との接続が、コネク
タ接続でなく、両導通部（図示せず）のパッド部同士の
はんだバンプ接続によるものである。積層電気基板２の
表面のゲートバスラインパッド部１１及びデータバスラ
インパッド部１２は、裏面ゲートバスラインパッド部
（図示せず）及び裏面データバスラインパッド部（図示
せず）へ電気的に導通され、積層電気基板２の主基板３
１との接続を容易にするために、裏面ゲートバスライン
パッド部及び裏面データバスラインパッド部に導通され
た導通部（図示せず）が積層電気基板２側に設けられて
いる。一方、主基板３１側にもそれに対応して導通部
（図示せず）が設けられ、両導通部のパッド部同士が、
はんだバンプなどにより直接接続され、デッドスペース
無く配置されて形成される。 はんだバンプ（Ｓｏｌｄ
ｅｒ ｂｕｍｐ）接合法は、半導体素子などの接合端子
部（はんだ付け個所）に、めっき法や蒸着などであらか
じめ必要量の微小な突起状はんだ塊を形成させておき、
これを加熱して溶融させる方法である。適用される加熱
方法によって、赤外線リフロー、レーザリフローなどと
呼ばれる。バンプとは突起を意味し、接合端子としての
役割と、リフローはんだ付けにおけるはんだの役割を果
たすもので、このはんだバンプはＣ４ボンディング（Ｃ
ｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃ
ｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）などに用いられる。
器は、積層電気基板２と主基板３１との接続が、コネク
タ接続でなく、両導通部（図示せず）のパッド部同士の
はんだバンプ接続によるものである。積層電気基板２の
表面のゲートバスラインパッド部１１及びデータバスラ
インパッド部１２は、裏面ゲートバスラインパッド部
（図示せず）及び裏面データバスラインパッド部（図示
せず）へ電気的に導通され、積層電気基板２の主基板３
１との接続を容易にするために、裏面ゲートバスライン
パッド部及び裏面データバスラインパッド部に導通され
た導通部（図示せず）が積層電気基板２側に設けられて
いる。一方、主基板３１側にもそれに対応して導通部
（図示せず）が設けられ、両導通部のパッド部同士が、
はんだバンプなどにより直接接続され、デッドスペース
無く配置されて形成される。 はんだバンプ（Ｓｏｌｄ
ｅｒ ｂｕｍｐ）接合法は、半導体素子などの接合端子
部（はんだ付け個所）に、めっき法や蒸着などであらか
じめ必要量の微小な突起状はんだ塊を形成させておき、
これを加熱して溶融させる方法である。適用される加熱
方法によって、赤外線リフロー、レーザリフローなどと
呼ばれる。バンプとは突起を意味し、接合端子としての
役割と、リフローはんだ付けにおけるはんだの役割を果
たすもので、このはんだバンプはＣ４ボンディング（Ｃ
ｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｃｏｌｌａｐｓｅ Ｃｈｉｐ Ｃ
ｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａ
ｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）などに用いられる。
【００１７】請求項３記載の２次元アレイ型放射線検出
器は、積層電気基板２に、積層セラミックス基板が用い
られる。積層セラミック基板は、高密度プリント配線に
適し寸法精度があり、絶縁性が高く、機械的に基板が反
ることなく、熱膨張係数が小さく、高密度の電気配線に
適する。この実施例では積層電気基板２のマトリックス
サイズは、説明のため簡単に６×６としているが、実際
には３００×３００〜５００×５００などの高密度なマ
トリックスサイズとなる。
器は、積層電気基板２に、積層セラミックス基板が用い
られる。積層セラミック基板は、高密度プリント配線に
適し寸法精度があり、絶縁性が高く、機械的に基板が反
ることなく、熱膨張係数が小さく、高密度の電気配線に
適する。この実施例では積層電気基板２のマトリックス
サイズは、説明のため簡単に６×６としているが、実際
には３００×３００〜５００×５００などの高密度なマ
トリックスサイズとなる。
【００１８】請求項４記載の２次元アレイ型放射線検出
器は、Ｘ線変換層１が、放射線に感応し入射線量に対応
した電気信号を出力するＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどの
半導体単結晶または多結晶からなる板状のものが用いら
れ、積層電気基板２上にはんだバンプなどで一画素ずつ
電気接続された状態でデッドスペース無く配置されてい
る。そしてＸ線変換層１は一枚ものであっても複数枚の
ものであっても良い。一枚の積層電気基板２上にこのＸ
線変換層１を形成したものが検出器モジュール１３とな
る。
器は、Ｘ線変換層１が、放射線に感応し入射線量に対応
した電気信号を出力するＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどの
半導体単結晶または多結晶からなる板状のものが用いら
れ、積層電気基板２上にはんだバンプなどで一画素ずつ
電気接続された状態でデッドスペース無く配置されてい
る。そしてＸ線変換層１は一枚ものであっても複数枚の
ものであっても良い。一枚の積層電気基板２上にこのＸ
線変換層１を形成したものが検出器モジュール１３とな
る。
【００１９】次に請求項５記載の２次元アレイ型放射線
検出器の実施例について説明する。本２次元アレイ型放
射線検出器は、Ｘ線変換層１の変形例を示すもので、放
射線に感応し入射線量に対応した電気信号を出力するＸ
線変換層１が、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどの半導体単
結晶または多結晶を、蒸着基板上に真空蒸着法により形
成される。真空蒸着法として、ヒータやボートに直接通
電し、発生する電熱を利用する抵抗加熱蒸着源や、アル
ミナやグラファイトのるつぼを高周波コイルの中に入れ
て高周波誘導加熱し、その中に入っている蒸着材を蒸着
する高周波加熱蒸着源や、るつぼに蒸着材を入れこれに
電子ビームを直接あてて加熱する電子ビーム蒸着源を用
いた何れの方法でもよい。そして、これらの蒸着源を用
いて容易に蒸着材の蒸着速度を圧力に応じて制御するこ
との出来るものを用いる。さらに、蒸着される基板の温
度を蒸着時に制御できる装置を用いる。その後、蒸着基
板と共にダイシングを行ない、所定の大きさに切出され
た板を積層電気基板２上に、はんだバンプなどで隙間無
く配置される。この場合、Ｘ線変換層１は一枚ものであ
っても複数枚のものであっても良い。この一枚の積層電
気基板２とＸ線変換層１とから構成されたものが検出器
モジュール１３となる。他部の構成については上記の実
施例と同じである。
検出器の実施例について説明する。本２次元アレイ型放
射線検出器は、Ｘ線変換層１の変形例を示すもので、放
射線に感応し入射線量に対応した電気信号を出力するＸ
線変換層１が、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどの半導体単
結晶または多結晶を、蒸着基板上に真空蒸着法により形
成される。真空蒸着法として、ヒータやボートに直接通
電し、発生する電熱を利用する抵抗加熱蒸着源や、アル
ミナやグラファイトのるつぼを高周波コイルの中に入れ
て高周波誘導加熱し、その中に入っている蒸着材を蒸着
する高周波加熱蒸着源や、るつぼに蒸着材を入れこれに
電子ビームを直接あてて加熱する電子ビーム蒸着源を用
いた何れの方法でもよい。そして、これらの蒸着源を用
いて容易に蒸着材の蒸着速度を圧力に応じて制御するこ
との出来るものを用いる。さらに、蒸着される基板の温
度を蒸着時に制御できる装置を用いる。その後、蒸着基
板と共にダイシングを行ない、所定の大きさに切出され
た板を積層電気基板２上に、はんだバンプなどで隙間無
く配置される。この場合、Ｘ線変換層１は一枚ものであ
っても複数枚のものであっても良い。この一枚の積層電
気基板２とＸ線変換層１とから構成されたものが検出器
モジュール１３となる。他部の構成については上記の実
施例と同じである。
【００２０】以上のように本発明の２次元アレイ型放射
線検出器は、モジュール単位の複数の検出器モジュール
１３と一つの主基板３１とで形成されており、複数の積
層電気基板２が裏面からコネクタ２１、３５、もしく
は、はんだバンプを介して主基板３１に接続されること
により、大面積で高密度な一検出器が形成されているた
め、各検出器モジュール１３は面積が小さく歩留りが良
く製作でき、信頼性の高い２次元アレイ型放射線検出器
を提供することができる。
線検出器は、モジュール単位の複数の検出器モジュール
１３と一つの主基板３１とで形成されており、複数の積
層電気基板２が裏面からコネクタ２１、３５、もしく
は、はんだバンプを介して主基板３１に接続されること
により、大面積で高密度な一検出器が形成されているた
め、各検出器モジュール１３は面積が小さく歩留りが良
く製作でき、信頼性の高い２次元アレイ型放射線検出器
を提供することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の２次元アレイ型放射線検出器
は、上記のように構成されており、Ｘ線変換層とスイッ
チング素子と画素電極とゲートバスライン及びデータバ
スラインを、積層電気基板上に形成された検出器モジュ
ールが、そのゲートバスライン及びデータバスラインが
電気的に積層電気基板の表面から裏面に設けられたコネ
クタもしくは導通部に接続されており、その検出器モジ
ュールを裏面からコネクタもしくははんだバンプを介し
て、ゲートドライバ部、データ収集部、制御部を周辺に
搭載した主基板に接続し、大面積で高密度な一検出器を
形成している。そのため、各検出器モジュールは面積が
小さく歩留りが良く製作でき、その検出器モジュールを
複数個、主基板に搭載接続することによって大きな信頼
性の高いＸ線フラットパネルディテクタを製作すること
ができる。また、積層電気基板に積層セラミック基板を
用いて上下導通を確実にし、高密度配線で信頼性の高い
ものにしている。また、Ｘ線変換層を、ＣｄＴｅ、Ｃｄ
ＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結晶からなる板を
用い、基板上にセットして一検出器モジュールを製作す
ることができ、また、Ｘ線変換層をＣｄＴｅ、ＣｄＺｎ
Ｔｅからなる半導体単結晶又は多結晶を蒸着基板に真空
蒸着法により形成し、その後、蒸着基板と共にダイシン
グを行ない、切出された板を積層電気基板２にはんだバ
ンプなどによって隙間なく配置し、検出器モジュールと
して使用することができる。そして、モジュール単位で
構成されているため、万が一故障しても、コネクタ接続
の場合、故障したモジュールのみを取りかえることで、
対応することができる。
は、上記のように構成されており、Ｘ線変換層とスイッ
チング素子と画素電極とゲートバスライン及びデータバ
スラインを、積層電気基板上に形成された検出器モジュ
ールが、そのゲートバスライン及びデータバスラインが
電気的に積層電気基板の表面から裏面に設けられたコネ
クタもしくは導通部に接続されており、その検出器モジ
ュールを裏面からコネクタもしくははんだバンプを介し
て、ゲートドライバ部、データ収集部、制御部を周辺に
搭載した主基板に接続し、大面積で高密度な一検出器を
形成している。そのため、各検出器モジュールは面積が
小さく歩留りが良く製作でき、その検出器モジュールを
複数個、主基板に搭載接続することによって大きな信頼
性の高いＸ線フラットパネルディテクタを製作すること
ができる。また、積層電気基板に積層セラミック基板を
用いて上下導通を確実にし、高密度配線で信頼性の高い
ものにしている。また、Ｘ線変換層を、ＣｄＴｅ、Ｃｄ
ＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結晶からなる板を
用い、基板上にセットして一検出器モジュールを製作す
ることができ、また、Ｘ線変換層をＣｄＴｅ、ＣｄＺｎ
Ｔｅからなる半導体単結晶又は多結晶を蒸着基板に真空
蒸着法により形成し、その後、蒸着基板と共にダイシン
グを行ない、切出された板を積層電気基板２にはんだバ
ンプなどによって隙間なく配置し、検出器モジュールと
して使用することができる。そして、モジュール単位で
構成されているため、万が一故障しても、コネクタ接続
の場合、故障したモジュールのみを取りかえることで、
対応することができる。
【図１】 本発明の２次元アレイ型放射線検出器の一実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図２】 本発明の２次元アレイ型放射線検出器の積層
電気基板の表裏の回路を示す図である。
電気基板の表裏の回路を示す図である。
【図３】 ２次元アレイ型放射線検出器の主基板の回路
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 従来の２次元アレイ型放射線検出器の回路を
示す図である。
示す図である。
【図５】 従来の２次元アレイ型放射線検出器の断面を
示す図である。
示す図である。
１…Ｘ線変換層
１ａ…上部電極
２…積層電気基板
３…画素電極
５、４５…ソース
６…ＦＥＴ
７、４７…ゲート
８、４８…ドレイン
９、４６…ＴＦＴ
１１…ゲートバスラインパッド部
１２…データバスラインパッド部
１３…検出器モジュール
１４、１４ａ、５４…ゲートバスライン
１５、１５ａ、５５…データバスライン
２１、３５…コネクタ
３１…主基板
３２、４９…ゲートドライバ部
３３、５０…データ収集部
３４、５１…制御部
４１…シンチレータ
４２…基板
４３…光電変換素子
５２…画素
５３…絶縁物
Claims (5)
- 【請求項１】放射線に感応し入射線量に対応した電気信
号を出力するＸ線変換層と、その直下に行列状に配置さ
れた画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング
素子と、信号読出し時にゲートバスラインを介して各ス
イッチング素子を順次ＯＮするゲートドライバ部と、各
画素に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して
読出すデータ収集部と、前記ゲートドライバ部及びデー
タ収集部を制御する制御部とから構成される２次元アレ
イ型放射線検出器において、前記スイッチング素子と画
素電極とゲートバスライン及びデータバスラインが積層
電気基板上にパターニングされ、その各ゲートバスライ
ン及び各データバスラインが前記積層電気基板の表面か
ら電気的に裏面に設けられたコネクタに接続され、前記
積層電気基板の上部に前記Ｘ線変換層を形成した複数の
検出器モジュールと、周辺部に前記ゲートドライバ部と
データ収集部と制御部と中央部に複数の前記検出器モジ
ュールを搭載できるコネクタが対応して設けられた一つ
の主基板とを上下に重ね、前記検出器モジュールを裏面
から主基板にコネクタ接続して一検出器を形成したこと
を特徴とする２次元アレイ型放射線検出器。 - 【請求項２】放射線に感応し入射線量に対応した電気信
号を出力するＸ線変換層と、その直下に行列状に配置さ
れた画素電極と、各画素電極に接続されたスイッチング
素子と、信号読出し時にゲートバスラインを介して各ス
イッチング素子を順次ＯＮするゲートドライバ部と、各
画素に蓄積された電荷信号をデータバスラインを介して
読出すデータ収集部と、前記ゲートドライバ部及びデー
タ収集部を制御する制御部とから構成される２次元アレ
イ型放射線検出器において、前記スイッチング素子と画
素電極とゲートバスライン及びデータバスラインが積層
電気基板上にパターニングされ、その各ゲートバスライ
ン及び各データバスラインが前記積層電気基板の表面か
ら電気的に裏面に設けられた導通部に接続され、前記積
層電気基板の上部に前記Ｘ線変換層を形成した複数の検
出器モジュールと、周辺部に前記ゲートドライバ部とデ
ータ収集部と制御部と中央部に複数の前記検出器モジュ
ールを搭載できる導通部が対応して設けられた一つの主
基板とを上下に重ね、前記検出器モジュールを裏面から
主基板に前記導通部ではんだバンプ接続して一検出器を
形成したことを特徴とする２次元アレイ型放射線検出
器。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載された２次
元アレイ型放射線検出器において、前記積層電気基板と
して積層セラミック基板を用いたことを特徴とする２次
元アレイ型放射線検出器。 - 【請求項４】請求項１または請求項２に記載された２次
元アレイ型放射線検出器において、前記放射線に感応し
入射線量に対応した電気信号を出力するＸ線変換層を、
ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結
晶からなる板で構成したことを特徴とする２次元アレイ
型放射線検出器。 - 【請求項５】請求項１または請求項２に記載された２次
元アレイ型放射線検出器において、前記放射線に感応し
入射線量に対応した電気信号を出力するＸ線変換層を、
ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅからなる半導体単結晶又は多結
晶を蒸着基板に真空蒸着法により形成し、蒸着基板と共
にダイシングを行ない切出された板を前記積層電気基板
に貼付けて検出器モジュールとして構成したことを特徴
とする２次元アレイ型放射線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002053072A JP2003255051A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | ２次元アレイ型放射線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002053072A JP2003255051A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | ２次元アレイ型放射線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003255051A true JP2003255051A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28664594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002053072A Pending JP2003255051A (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | ２次元アレイ型放射線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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2002
- 2002-02-28 JP JP2002053072A patent/JP2003255051A/ja active Pending
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