CN110226221A - 直接转换化合物半导体探测器的激光辅助焊料接合 - Google Patents

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迈克尔·约翰逊
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Finland Detection Technology Ltd By Share Ltd
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Abstract

在实施例中，一种方法包括：在包括两个表面的读出集成电路IC的第一表面上配置直接转换化合物半导体传感器，所述两个表面中的每个表面上均包括焊料材料；使用红外激光照射焊料材料，以使读出IC上的焊料材料熔化并在读出IC与直接转换化合物半导体传感器之间形成焊接点；在读出IC的包含焊料材料的第二表面上配置基板；并且用红外激光照射第二表面的焊料材料以使读出IC上的焊料材料熔化并且将读出IC与基板电连接。在其他实施例中，讨论了高频辐射探测器和成像装置。

Description

直接转换化合物半导体探测器的激光辅助焊料接合
背景技术
高频辐射探测器有许多应用。它们可以用于例如高能辐射例如X射线检测和放射性物质的辐射中。X射线探测器用于医疗和安全应用，以及放射性电子辐射检测器用于安全和军事应用。现有不同种类的探测器，例如闪烁器、气体放电探测器和也被称为直接转换探测器的固态探测器。拥有固态探测器的优点在于它们可以提供容易使用、更长的生命周期、更小的尺寸、更高的分辨率和灵敏度，以及像基于气体放电的探测器可能无法实现的移动能力。然而，固态探测器可能难以组装。常用的半导体例如硅和锗当被用作高频辐射探测器时需要冷却机构才能工作。包括直接转换化合物半导体材料例如碲化镉(CdTe)和碲锌镉(CdZnTe)的高频探测器可以在室温下工作。
发明内容
提供此发明内容以用简化的形式介绍以下在具体实施方式部分进一步描述的一些概念。此发明内容并非用于确定所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不用于限定所要求保护主题的范围。
本发明目的在于提供直接转化化合物半导体探测器的激光辅助焊接接合。上述目的通过独立权利要求的特征实现。在从属权利要求中描述了一些实施例。在一实施例中，一种方法包括：在包括两个表面的读出集成电路(Integrated Circuit，IC)的第一表面上配置直接转换化合物半导体传感器，所述两个表面中的每个表面上包括焊料材料；使用红外激光照射焊料材料，以使读出IC上的焊料材料熔化并在读出IC与直接转换化合物半导体传感器之间形成焊接点；在读出IC的包含焊料材料的第二表面上配置基板；并且用红外激光照射第二表面的焊料材料以使读出IC上的焊料材料熔化并且将读出IC与基板电连接。
在其他实施例中，讨论了高频辐射探测器和成像装置。
许多伴随的特征会变得更容易理解因为通过参考以下详细描述以及结合附图它们会变得更好理解。
附图说明
本描述可以根据以下对说明书附图的详细描述被更好的理解，在附图中：
图1示出了根据一实施例的用于焊接直接转换化合物半导体传感器、集成电路和基板的方法的示意性流程图；
图2示出了根据一实施例的独立直接转换化合物半导体探测器的部件的示意图；
图3示出了根据一实施例的配置直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路的步骤的示意图；
图4示出了根据一实施例的配置直接转换化合物半导体探测器的基板的步骤的示意图；
图5示出了根据另一实施例的配置直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路的示意图；
图6示出了根据一实施例的在读出集成电路上配置焊料球的示意图；
图7示出了根据一实施例的配置直接转换化合物半导体探测器的基板的步骤的示意图；以及
图8示出了根据一些实施例组装的完整的直接转换化合物半导体探测器的一部分的横截面图。
相同的附图标记用于指示附图中相似部件。
具体实施方式
以下结合附图提供的详细说明意在作为对实施例的说明，而并非用于表示构建和使用实施例的唯一形式。然而，可以通过不同的实施例实现相同或等同的功能和结构。
根据实施例，接合过程可以使用具有红外(IR)激光的接合工具完成。IR激光的辐射可以从探测器组件的顶部或底部发出。探测器组件包括例如直接转换化合物半导体传感器、读出IC和基板的部件。短脉冲激光束可以在比如不到一秒的时间内，加热和回流组件的各部件之间的焊料合金点。直接转换化合物半导体材料对于IR波长通常基本上是透明的，因此具有低吸收，使得当使用IR激光进行加热时对材料产生低热负荷。IR激光主要加热探测器的各部件之间非常局部的焊料合金材料并且是在非常短的时间内，从而减少了对直接转换化合物半导体材料的热负荷和对探测器其他部分的热负荷。与典型的物质回流或热压缩过程相比可以显著降低热负荷。本实施例使得能够使用电子工业标准高温焊料合金例如SAC合金作为焊料材料，该合金具有以下有利之处：可用于全自动设备；即使是小间距也是可商购的标准金属合金球；标准设备和合金具有成本效益。例如在一些实施例中，焊料材料可具有高于150摄氏度的熔点。该焊料材料可以包括如标准无铅焊料或者共晶SnPb焊料的焊料材料。
尽管实施例在此处会被描述和示为与用于检测X射线的直接转换化合物半导体探测器关联地实现，但这只是高频辐射探测器的示例而并非限制。如本领域技术人员可以理解的，本实施例适用于各种不同类型的高频辐射探测器，所述各种不同类型的高频辐射探测器为例如用于探测伽马射线、用于X射线、用于X射线断层摄影、用于安全X射线扫描仪等，所述各种不同类型的高频辐射探测器包括例如基于碲化镉(CdTe)或碲锌镉(CdZnTe)的各种类型的直接转换化合物半导体传感器。
制造本文所描述的瓦件的操作可以以任何合适的顺序进行，或者在适当的情况下同时进行。例如直接转换化合物半导体传感器和读出ID可以首先通过IR激光器接合。可选的，上述过程也可以由IR激光器接合读出IC和基板开始。此外，当组件是垂直设置而并非通常的水平设置的情况下，IR激光可以从下方或者底部发出，例如向上或者向下发出到要被制造的组件，或者侧向发出。
图1示出了根据一实施例的组装直接转换化合物半导体传感器的方法的示意性流程图。所述方法包括步骤20、步骤21、步骤22和步骤23。
在步骤20中，将直接转换化合物半导体传感器(化合物半导体传感器)配置在读出集成电路(IC)上。直接转换化合物半导体传感器由直接转换化合物半导体例如碲化镉(CdTe)或碲锌镉(CdZnTe)制成，以及直接转换化合物半导体传感器包括顶表面和底表面。直接转换化合物半导体传感器被配置为将从其顶表面上入射的高频辐射例如X射线转换成可通过导电点例如其底表面上的焊盘传输的电信号。读出集成电路(IC)有两个表面，顶表面和底表面。根据一实施例，读出IC可以是硬件可编程逻辑器件例如现场可编程逻辑门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、片上系统(SOC)、复合可编程逻辑器件(CPLD)等。读出IC的顶表面具有可以设置焊料材料的电连接点。如此布置的焊料材料的间距以及下面的连接点与直接转换化合物半导体传感器的底表面上的导电焊盘的间距相匹配。完成直接转换化合物半导体传感器的放置使得直接转换化合物半导体传感器的底表面上的导电焊盘接触读出IC上的焊料材料。直接转换化合物半导体传感器和读出IC可以通过施加物理力来接合。然而，对于一些实施例，这可以不是必须的。施加的物理力足够大到至少可以暂时接合焊料材料和直接转换化合物半导体传感器底表面上的导电焊盘。读出IC具有将来自直接转换化合物半导体传感器的电信号转换为数字形式所必须的电路，增加包括例如信号在平面坐标系中的位置的信息。此外，读出IC在其底表面上还具有电连接点，通过所述电连接点，数字化信号和相关信息可以与其他的电路通信。这些电连接可以通过顶表面到底表面的硅通孔与读出IC的电路连接。根据一实施例，焊料球可以在步骤1之前或者步骤2之后配置在读出IC底部的连接点上。
步骤21包括用红外(IR)激光在短时间内持续照射直接转换化合物半导体传感器和读出IC之间的焊料材料。选择IR激光的波长以使直接转换化合物半导体传感器和/或读出IC对所述波长透明。IR激光打开的持续时间取决于直接转换化合物半导体传感器和读出IC之间的焊料的熔点。激光照射焊料材料足够长时间来加热和熔化焊料材料，焊料材料在冷却和凝固后在直接转换化合物半导体传感器底表面上的连接焊盘和读出IC的顶表面上的连接焊盘之间形成电连接。
根据一实施例，IR激光可以从读出IC底表面照射到焊料材料上，使得IR在照射焊料材料之前穿过读出IC。
根据另一实施例，IR激光可以从直接转换化合物半导体传感器顶表面照射到焊料材料上，使得IR在照射焊料材料之前穿过直接转换化合物半导体传感器。
步骤22包括：在读出IC的底侧上配置基板材料，该基板材料具有与读出IC的底表面上的焊料球对应的电连接焊盘，将焊盘与焊料球匹配。基板可以包括将读出IC中的数字信号连接和传输到处理电路例如用于图像形成所需的电路和布线。该配置还可以包括借助于物理力将在步骤21中形成的读出IC和传感器与所述基板接合。
步骤23可以包括用IR激光持续照射读出IC与基板之间的焊料球足够长时间，以熔化焊料材料，从而在读出IC的底表面上的连接焊盘与基板材料上的连接焊盘之间形成电连接。
根据一实施例，IR激光可以被配置为照射读出IC和基板材料之间的焊料材料，使得激光首先穿过基板材料，例如，IR激光可以被定位成面向基板材料的底表面。
根据另一实施例，IR激光可以被配置为照射读出IC和基板材料之间的焊料材料，使IR激光在到达焊料材料之前穿过读出IC，例如，IR激光可以被定位成面向直接转换化合物半导体传感器的顶表面的位置。
根据又一实施例，对直接转换化合物半导体传感器和基板材料与读出IC的配置、接合和使用IR辐射的照射的顺序可以随着照射IR辐射的方向而变化。
根据一实施例，诸如焊料合金的焊料材料可以被IR激光加热到预设温度。
所述温度可以被监测并且被快速反馈回路通过IR激光来调节。
图2示出了根据实施例的独立直接转换化合物半导体传感器探测器100的部件。独立直接转换化合物半导体传感器包括直接转换化合物半导体传感器101、读出IC 105和基板材料111。直接转换化合物半导体传感器101在其底表面上包括例如以导电焊盘(图2中未示出)的形式的电连连接点以传输由入射高频辐射产生的电信号。读出IC 105包括两个表面，顶表面被配置为与直接转换化合物半导体传感器101的底表面接口连接，以及读出IC105的底表面被配置为与基板材料111接口连接。读出IC 105包括配置在其顶表面的例如以小间距焊料球的形式的焊料材料103。这些焊料材料103被定位在读出IC 105的电连接点的顶部，所述电连接点被配置为接收来自直接转换化合物半导体传感器101的电信号。读出IC105包括被配置为将来自直接转换化合物半导体传感器101的电信号转换为数字形式的电路，该数字形式可以包括附加信息，例如，信号在X-Y坐标平面中的位置。读出IC 105的底表面包括配置用于将用于进一步处理的数字信号传输给基板层111的电连接点。读出IC 105的底表面可以包括再分布层，在该再分布层中，电连接点通过穿过硅通孔和导电金属层连接至读出层中的电路。在读出IC 105的底部的电连接点上，可以配置包括球栅阵列107的焊料材料。基板材料111的表面上的电连接点对应读出IC 105的底表面上的电连接点。这些连接点可以包括连接到布线和电路的电焊盘109，所述布线和电路转发从读出IC 105接收的数字信号用作进一步处理。
根据一实施例，球栅阵列107的焊料材料可以配置在基板材料111上的对应的电连接点109上而不是读出IC 105的底侧。
根据一实施例，可以使用焊料喷射来配置读出IC 105顶表面和底表面上或者基板材料109的顶表面上的焊料材料103和107。例如在读出IC 105上面向传感器101可以有大约121个焊料凸块。
图3示出了根据实施例在读出IC 105上配置直接转换化合物半导体传感器101并且回流焊料以在两者之间形成电连接点的步骤的示意图。直接转换化合物半导体传感器101在其底表面上包括以电焊盘形式的电连接位点，该电连接位点被配置为传输和检测由高频入射产生的电信号。读出IC 105被配置为通过其顶表面上的电连接点接收这些信号、数字化所述信号以及通过其底表面上的电连接点转发。焊料材料103可以配置在读出IC105的顶表面，对应于读出IC105上的电连接点并且可以连接到直接转换化合物半导体传感器101底表面上的电连接点。焊料材料107也可以配置在读出IC 105的底表面上，对应读出IC105的底表面上的电连接点。直接转换化合物半导体传感器101被定位在读出IC 105的顶部，使得电连接点和焊料材料103匹配。接下来可以使用施加在直接转换化合物半导体传感器101与读出IC 105上的彼此抵靠的物理力接合传感器。要施加的物理力可以根据直接转换化合物半导体传感器101和读出IC 105的物理特性来选择，以使其不会在直接转换化合物半导体传感器101和读出IC105中产生应力和导致损坏。也可以选择要施加的物理力，使得焊料材料103和直接转换化合物半导体传感器101之间临时物理附接。然后，IR激光113被配置为照射焊料材料103，该IR激光113具有可以使直接转换化合物半导体传感器101和/或读出IC 105对其基本透明的频率。定时具有IR激光辐射113的照射使辐射时间可以足够长以熔化并且回流焊料材料103，但是也足够短以不对直接转换化合物半导体传感器101和读出IC 105引起热损坏。焊料材料103的回流在直接转换化合物半导体传感器101的底表面上电连接点与读出IC 105的顶表面上的电连接点之间形成电连接。
根据一实施例，IR辐射113可以入射到直接转换化合物半导体传感器101上并且可以穿过直接转换化合物半导体传感器101照射焊料材料103。在这样的实施例中，IR激光器(没有显示在图3中)可以被配置为垂直且面向直接转换化合物半导体传感器101。
根据一实施例，IR辐射113可以入射到读出IC 105上并且穿过读出IC 105照射焊料材料103。在这样的实施例中，IR激光器(没有显示在图3中)可以被配置为垂直且面向读出IC 105。
根据一实施例，焊料材料103或107可以使用喷射工艺配置在读出IC 105上，其中焊料喷射装置通过将焊料或者焊料膏分配在离散流中来将各个焊料凸块、点、带状线或者球放置在对应的电连接点上。根据一实施例，喷射装置可以使用IR激光来回流焊料。
图4示出了根据实施例的包括在基板111上根据图3的实施例组装的直接转换化合物半导体传感器101和读出IC 105的配置组件100的示意图。基板材料111具有配置为获取读出IC 105的输出并且将其转发用于例如进一步处理的电连接位点。包括图3的实施例中组装的直接转换化合物半导体传感器101和读出IC 105的组件102可以放置在基板材料111上，以使配置在读出IC 105底表面上的焊料材料107的球、带状线或块定位在基板材料111上的对应电连接点上。可以通过例如使用合适的物理力来接合组件102和基板材料111以固定组件102和基板材料。然后，来自IR激光器的IR激光辐射照射焊料材料111以回流焊料材料，从而在读出IC 105的底表面上电连接点和基板材料111的顶表面上的电连接点之间形成电连接。
根据一实施例，焊料材料107可以被配置在基板材料111上而不是读出IC105上。
根据一些实施例，基板材料111可以对IR激光辐射113基本透明，以及IR激光可以穿过基板材料111后照射焊料材料113。根据其他实施例，IR激光辐射113可以在照射焊料材料111之前穿过直接转换化合物半导体传感器101和读出IC 105。
图5、图6和图7示出了根据另一实施例组装直接转换化合物半导体探测器100的步骤。直接转换化合物半导体探测器100包括配置在读出IC 105上的直接转换化合物半导体传感器101，读出IC 105配置在基板材料111上。
参考图5，直接转换化合物半导体传感器101配置在读出IC 105的顶表面上。直接转换化合物半导体传感器101在其底侧具有电连接点以传输和检测对应高频入射的电信号。读出IC 105在其顶表面上包括：电连接点，该电连接点被配置用于接收来自直接转换化合物半导体传感器101的电信号；用于数字化接收到的电信号的电路和在底表面上用于传输数字化信号的电连接位点。在读出IC 105的顶表面上，可以例如通过喷射在电连接点上配置焊料材料103，例如块、球(sphere)、带状线或球(ball)。来自IR激光器(没有在图5、图6和图7中示出)的IR辐射113照射焊料材料103以回流焊料材料，使得在直接转换化合物半导体传感器101的底表面上的电连接点与读出IC 105的顶表面之间形成电连接。选择IR激光器的频率以使读出IC 105对其基本透明。选择IR辐射113的持续照射时间以使焊料材料103回流，但是不造成直接转换化合物半导体传感器101和读出IC 105的热损坏。
参考图6，可以翻转根据图5实施例组装的组件，以使读出IC 105的底表面在组件顶部。然后，喷射装置115在读出IC 105的底表面的电连接点上设置焊料材料103，例如焊料膏或者熔化焊料。
参考图7，在其顶表面上包括用于接收来自读出IC的数字信号的电连接点的基板材料111被配置在根据图5和图6的实施例组装的组件102的顶部，以使电连接点与读出IC上的焊料材料107的对应的球(ball)、带状线、或者块、或者球(sphere)匹配。然后，来自IR激光器的IR辐射113照射焊料材料107以使焊料材料回流并在基板材料111的顶表面的电连接点与读出IC 105的底表面上电连接点之间形成的电连接。
图8示出了图1至图8的实施例中组装的完整的独立直接转换化合物半导体探测器100的一部分的横截面图。独立直接转换化合物半导体探测器100包括：直接转换化合物半导体传感器101；读出IC 105；基板材料111；焊料材料103、107和硅通孔117；在直接转换化合物半导体传感器101、读出IC 105和基板材料111的电连接点上的用于分布的导电金属层121和导电焊盘119。
参考图8，直接转换化合物半导体传感器101配置在读出IC 105上，以及读出IC105配置在基板材料111上。在直接转换化合物半导体传感器101的底表面上、读出IC 105的顶表面和底表面以及基板层111的顶表面上的电连接点包括导电焊盘119。直接转换化合物半导体传感器101的底表面与读出IC 105的顶表面之间的对应导电焊盘经由通过IR辐射113回流的小间距焊料而彼此连接。读出IC 105包括用于数字化从直接转换化合物半导体传感器101接收的电信号的电路。电路通过穿过通孔117的硅与读出IC 105的底表面连接。在底表面或者读出IC上，连接需要通过例如读出IC 105的底部的导电材料121到连接垫119的层而重新分布。读出IC的底部的导电焊盘119通过焊料材料107与基板材料的顶表面上的对应导电焊盘电连接。焊料材料107可以是球栅阵列的形式。
在一些实施例中，焊料材料103和107可以具有高于150摄氏度的熔点。这可以包括标准无铅焊料或共晶SnPb焊料的焊料材料。
根据一实施例，多个直接转换化合物半导体传感器探测器100可以以网格布置以形成探测器阵列。成像装置可以包括这样的探测器阵列、高频辐射源例如X射线源和图像处理装置例如图像处理器。图像处理器可以包括运行图像专用处理软件或应用专用硬件或两者的结合的标准计算机。这种成像装置可以用于例如获得活体生物组织或诸如行李箱之类的非生物物品的X射线图像。
这里描述的方法和功能可以由有形存储介质上的机器可读形式例如以计算机程序的形式的软件执行，所述计算机程序包括当程序运行在被配置为控制必要制造设备例如机器人臂的计算机上时适用于执行本文任何方法的所有功能和步骤的计算机程序代码装置，以及计算机程序可以在计算机可读介质上实施。有形存储介质的示例包括计算机存储装置，该计算机存储装置包括计算机可读介质例如磁盘、拇指驱动器、存储器等。软件可以适用于在并行处理器或串行处理器上执行以使上述方法步骤可以以任何合适的顺序执行或者同时执行。
需要理解的是软件可以是有价值的，可独立交易的商品。软件意在包含可以运行在“哑”或标准硬件上或控制“哑”或标准硬件的软件，以执行所需的功能。软件还可以意在包括用于“描述”或定义硬件配置的软件，例如HDL(硬件描述语言)软件，如用于设计硅芯片、或用于配置通用可编程芯片以执行所需的功能。
本领域技术人员会意识到用于存储程序指令的存储设备可以分布在网络上。例如，远程计算机可以存储被描述成软件的处理的示例部分或者全部。本地或终端计算机可以访问远程计算机以及下载部分或者全部软件来运行程序。可选的，本地计算机可以下载所需的部分软件，或者在本地终端执行软件指令的一部分而在远程计算机(或计算机网络)上执行另一部分。可选的或者附加的，本文中描述的功能可以被一个或多个硬件逻辑组件至少一部分地执行。例如但不限于，可以使用的硬件逻辑组件的示例性类型包括现场可编程逻辑门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)、专用标准产品(ASSP)、片上系统(SOC)、复杂可编程逻辑器件(CPLD)等。
本文中给出的任何范围或设备值可以在不丧失所寻求效果时被延伸或改变。除非明确禁止，任何实施例也可以与另一实施例组合。
虽然已经以特定于结构特征和/或动作的语言描述了本主题，可以理解的是，所附权利要求中定义的主题不必限制于以上描述的具体特征或动作。相反，以上描述的具体特征和动作被公开为实现权利要求的实施例以及其他等同的特征和动作意在权利要求保护的范围之内。
根据一实施例，一种方法，包括：在包括两个表面的读出集成电路IC的第一表面上配置直接转换化合物半导体传感器，所述两个表面中的每个表面上均包括焊料材料；用红外激光器照射焊料材料以使读出IC上的焊料材料熔化并在读出IC和直接转换化合物半导体传感器之间形成焊接点；在读出IC的包含焊料材料的第二表面上配置基板；以及用红外激光器照射第二表面上的焊料材料以使读出IC上的焊料材料熔化并将读出IC与基板电连接。
作为以上的可选或补充，直接转换化合物半导体传感器配置在读出IC的第一表面上，以及红外激光器的辐射在到达读出IC第一表面上的焊料材料之前穿过直接转换化合物半导体传感器。作为上述实施例的可选或补充，基板配置在读出IC的第二表面上，以及红外激光器的辐射在到达读出IC第二表面上的焊料材料之前穿过基板。作为以上的可选或补充，直接转换化合物半导体传感器配置在读出IC的第一表面上，以及红外激光器的辐射在到达读出IC第一表面上的焊料材料之前穿过读出IC。作为以上的可选或补充，基板配置在读出IC第二表面上，以及红外激光器的辐射在到达读出IC第二表面之前穿过基板。作为以上的可选或补充，选择红外激光器的波长以使直接转换化合物半导体传感器对红外激光基本透明。作为上述的可选或补充，通过喷射将焊料材料配置在读出IC的两个表面上。作为以上的可选或补充，直接转换化合物半导体传感器通过接合配置在读出IC的第一表面上，其中接合包括将直接转换化合物半导体传感器放置在读出IC上以使配置在直接转换化合物半导体传感器底表面上的电接触点与读出IC的焊料材料相匹配，以及在直接转换化合物半导体传感器上施加物理力。作为以上的可选或补充，施加在直接转换化合物半导体传感器上的物理力在基本上垂直于读出IC的表面的0牛顿到100牛顿的范围内。作为以上的可选或补充，直接转换化合物半导体传感器包括碲化镉或碲锌镉。作为以上的可选或补充，焊料合金具有高于150摄氏度的熔点。
根据一实施例，计算机程序包括被配置为执行上文方法的程序代码的计算机程序，当计算机程序在计算机上执行时控制所需的硬件执行所述方法。
根据一实施例，一个高频辐射探测器，包括：直接转换化合物半导体传感器；包括第一表面和第二表面的读出集成电路IC，第一表面在其表面上配置有焊料合金以及第二表面包括焊料合金；以及具有网格阵列的基板；高频辐射探测器通过以下方式组装：在读出IC的第一表面上配置直接转换化合物半导体传感器；用红外激光器照射第一表面上的合金焊料以使配置在读出IC上的合金焊料熔化并在读出IC与直接转换化合物半导体传感器之间形成焊接点；在读出IC的第二表面上配置基板；以及用红外激光器照射第二表面上的焊料合金以使读出IC上配置的焊料合金熔化并将读出IC与基板电连接。
作为以上的可选或补充，直接转换化合物半导体传感器配置在读出IC的第一表面上以及红外激光器的辐射可以在到达读出IC的第一表面之前穿过直接转换化合物半导体传感器。作为以上的可选或补充，直接转换化合物半导体传感器配置在读出IC的第一表面上以及红外激光器的辐射在到达读出IC的第一表面上的焊料凸块之前穿过读出IC。
根据一实施例，成像装置包括辐射源、探测器阵列和图像处理器，其中探测器阵列包括根据上述描述以网格布置的探测器。
可以理解的是，上述描述的有益效果和优点可以涉及到一个实施例或者可以涉及多个实施例。实施例不限于解决上述任何或者全部陈述的问题的那些实施例或者具有任何或者全部陈述的有益效果或者优点的那些实施例。可以进一步理解的是，对“一个”项的引用指的是这些项中的一个或者多个项。
本文描述的方法的操作可以以任何合适的顺序进行，或者在适当的情况下同时进行。此外，在不脱离本文描述的主题思想和范围的情况下，可以从任何方法中删除任何独立块。上述描述的任何实施例可以与任何其他实施例的各方面结合以在不丢失所寻求效果的情况下形成另外的实施例。
术语“包括”在本文中用于表示包括方法、块或者元件，但是这样的块或者元件不包含排他的列表，以及方法或装置可以包含附加的块或元件。
可以理解的是上述描述仅以实施例的方式给出以及本领域技术人员可以做出各种修改。上述说明书、实施例以及数据提供了对结构的完整描述和对示例性实施例的使用。尽管上述已经以一定程度的特殊性或者参考一个或多个单独实施例描述各种实施例，本领域技术人员仍可以在不脱离本说明书思想和范围的情况下对公开的实施例进行各种修改。

Claims (15)

1.一种方法，包括：
在包括两个表面的读出集成电路IC的第一表面上配置直接转换化合物半导体传感器，所述两个表面中的每个表面上均包括焊料材料；
使用红外激光照射所述焊料材料以使所述读出IC上的所述焊料材料熔化并且在所述读出IC与所述直接转换化合物半导体传感器之间形成焊接点；
在所述读出IC的包括焊料材料的第二表面上配置基板；以及
使用所述红外激光照射所述第二表面的焊料材料以使所述读出IC上的所述焊料材料熔化并且电连接所述读出IC与所述基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述直接转换化合物半导体传感器被配置在所述读出IC的所述第一表面上并且所述红外激光的辐射在到达所述读出IC的所述第一表面上的所述焊料材料之前穿过所述直接转换化合物半导体传感器。
3.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，所述基板被配置在所述读出IC的所述第二表面上，并且所述红外激光的辐射在到达所述读出IC的所述第二表面上的所述焊料材料之前穿过所述基板。
4.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，所述直接转换化合物半导体传感器被配置在所述读出IC的所述第一表面上并且所述红外激光的辐射在到达所述读出IC的所述第一表面上的所述焊料材料之前穿过所述读出IC。
5.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，所述基板被配置在所述读出IC的所述第二表面上，并且所述红外激光的辐射在到达所述读出IC的所述第二表面上的所述焊料材料之前穿过所述基板。
6.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，选择所述红外激光的波长以使所述直接转换化合物半导体传感器对所述红外激光基本透明。
7.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，所述焊料材料通过喷射被配置在所述读出IC的所述两个表面上。
8.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，所述直接转换化合物半导体传感器通过接合被配置在所述读出IC的所述第一表面上，其中，所述接合包括将所述直接转换化合物半导体传感器放置到所述读出IC上以使被配置在所述直接转换化合物半导体传感器的底表面上的电连接点与所述读出IC的焊料材料匹配，并且在所述直接转换化合物半导体传感器上施加物理力。
9.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，施加到所述直接转换化合物半导体传感器上的所述物理力在基本上垂直于所述读出IC的表面的0牛顿到100牛顿的范围内。
10.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，所述直接转换化合物半导体传感器包括碲化镉或碲锌镉。
11.根据任意前述权利要求所述的方法，其中，所述焊料合金具有高于150摄氏度的熔点。
12.一种包括程序代码的计算机程序，所述程序代码被配置为当所述计算机程序在计算机上执行时进行根据权利要求1至10中任一项所述的方法，所述计算机控制执行所述方法所需的硬件。
13.一种高频辐射探测器，包括：直接转换化合物半导体传感器；包括第一表面和第二表面的读出集成电路IC，所述第一表面具有配置在所述第一表面上的焊料合金并且所述第二表面包括焊料合金；以及具有网格阵列的基板，所述高频辐射探测器由以下方式组装：
在所述读出IC的所述第一表面上配置所述直接转换化合物半导体传感器；
使用所述红外激光照射所述第一表面的所述焊料合金以使被配置在所述读出IC上的所述焊料合金熔化并且在所述读出IC与所述直接转换化合物半导体传感器之间形成焊接点；
在所述读出IC的所述第二表面上配置基板；以及
使用所述红外激光照射所述第二表面的焊料合金以使被配置在所述读出IC上的所述焊料合金熔化并且电连接所述读出IC与所述基板。
14.根据权利要求12所述的高频辐射探测器，其中，所述直接转换化合物半导体传感器被配置在所述读出IC的所述第一表面上并且所述红外激光的辐射在到达所述读出IC的所述第一表面上的所述熔接合金之前穿过所述直接转换化合物半导体传感器；或者
其中，所述直接转换化合物半导体传感器被配置在所述读出IC的所述第一表面上并且所述红外激光的辐射在到达所述读出IC的所述第一表面上的焊料凸块之前穿过所述读出IC。
15.一种成像装置，包括：辐射源、探测器阵列以及图像处理器，其中，所述探测器阵列包括以网格布置的根据权利要求13所述的探测器。
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