JP2003252965A - 電子輸送性材料、その製造方法及びその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】安定性、加工性、電子輸送性に優れる高分子か
らなる電子輸送性材料及びそれを用いた発光強度が高く
長寿命の有機エレクトロルミネッセント素子を提供す
る。 【解決の手段】電子親和力が大きくＮ型半導体となりや
すい、ニトロピリジン骨格を含む高分子からなる電子輸
送性材料を有機エレクトロルミネッセント素子に用い
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子親和力が大きく
Ｎ型半導体となりやすい高分子からなる電子輸送性材料
に関する。また本発明は該電子輸送材料を得るための効
果的な製造法に関する。さらに本発明は該電子輸送性材
料を用いた発光効率が高く、長時間発光が可能な発光素
子及びその製造方法に関する。またさらに本発明は該電
子輸送性材料を用いた効率が高く、耐久性がすぐれ、オ
ゾン発生が少なく環境への影響の少ない有機光導電体材
料に関する。

【０００２】

【従来の技術】主鎖にπ共役二重結合を有するπ共役系
高分子には電子供与性物質添加により酸化され正孔が電
気伝導の主役を演じるＰ型有機導電体と電子受容性物質
添加により還元され電子が電気伝導の主役を演じるＮ型
有機導電体とがある。前者の例としては、ポリ（２，５
―チエニレン）、ポリ（２，５−ピロリレン）、ポリパ
ラフェニレンビニレン等数多くあるが、後者の例は極め
て少ない。電子伝導体となりうるｎ型有機半導体は、有
機ＥＬ素子や有機光導電体電極等の電子輸送層やその他
広範な用途として利用でき、その開発が切望されてい
る。シンセティックメタルズ、２５巻、１０３〜１０７
頁（１９８８年）に記載されているポリ（２，５−ピリ
ジンジイル）は、パイ電子共役系高分子として電子吸引
性のピリジン骨格を繰り返しとする数少ないｎ型有機導
電体のひとつである。しかしながら、ピリジンは電子吸
引性が弱く安定なｎ型としては不十分であった。

【０００３】Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ， Ｖｏ
ｌ． ３２， Ｎｏ．１１， ｐｐ９９１−９９４（２
０００）には、ポリ（２，５−ピリジンジイル）にニト
ロ基を導入した例が報告されているが、その電子輸送性
や電子輸送性材料としての応用は何ら説明されていな
い。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、安定性、加
工性、電子輸送性に優れる高分子からなる電子輸送性材
料及びその製造方法を提供すること、該電子輸送性材料
を用いた発光強度が高く、長寿命の発光素子及びその製
造方法を提供すること、及び該電子輸送性を用いたオゾ
ン発生の少ない有機光導電体材料を提供することを目的
とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題に
鑑み鋭意検討した結果、ピリジン骨格にニトロ基を導入
したピリジン系高分子は、その電子吸引性が増加し、安
定なＮ型半導体になりやすく、電子輸送性材料として好
適であることを見いだした。

【０００６】さらに本発明者らは前記ニトロ基導入ピリ
ジン系高分子を電子輸送性材料に用いることにより、発
光強度が高く、長寿命の発光素子が得られることを見い
だした。

【０００７】さらに本発明者らは前記ニトロ基導入ピリ
ジン系高分子を電子輸送性材料に用いることにより、オ
ゾン発生が少なく環境負荷の少ない有機光導電体材料が
得られることを見いだした。すなわち、本発明は、 [１] 下記の一般式（１）

【０００８】

【化４】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³は置換基を示し、該置換基の
少なくとも一つはニトロ基であり、残りは水素原子；ヘ
テロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキ
ル基；ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下
のエステル基；炭素数２以上２０以下のアルケニル基；
炭素数２以上２０以下のアルキニル基；または置換を有
してもよいアリール基；炭素数１以上２０以下のカルボ
ン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構
造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数。）で表さ
れるニトロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子を
含むことを特徴とする電子輸送性材料。 [２]電子輸送性材料が、電子受容性物質を含む前項１に
記載の電子輸送性材料。

【０００９】[３]下記の一般式（２）

【化５】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³は置換基を示し、該置換基の
少なくとも一つはニトロ基であり、残りは水素原子；ヘ
テロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキ
ル基；ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下
のエステル基；炭素数２以上２０以下のアルケニル基；
炭素数２以上２０以下のアルキニル基；または置換を有
してもよいアリール基；炭素数１以上２０以下のカルボ
ン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構
造を有するものでもよい。Ｘは水素またはハロゲンを表
す。）で表されるニトロピリジン化合物を還元性触媒を
用いて重合することを特徴とする前項１または２に記載
の電子輸送性材料の製造方法。 [４]下記の一般式（３）

【化６】 （式中、Ｒ⁴ 〜 Ｒ⁹は置換基を示し、該置換基の少なく
とも一つはニトロ基であり、残りは水素原子；ヘテロ原
子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基；
ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエス
テル基；炭素数２以上２０以下のアルケニル基；炭素数
２以上２０以下のアルキニル基；または置換を有しても
よいアリール基；炭素数１以上２０以下のカルボン酸基
を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有
するものでもよい。Ｙは水素またはハロゲンを表す。）
で表されるニトロビピリジン化合物を還元性触媒を用い
て重合することを特徴とする前項１記載の電子輸送性材
料の製造方法。

【００１０】[５]前項１または２に記載の電子輸送性材
料を用いることを特徴とする発光素子。 [６]前項１または２に記載の電子輸送性材料を用いるこ
とを特徴とする光導電体材料。

【００１１】[７]発光材料との溶液とした前項１または
２に記載の電子輸送材料を、電極またはホール輸送層上
で重合し、溶媒を除去し、成膜することを特徴とする前
項５に記載の発光素子の製造方法。

【００１２】[８]前項５に記載の発光素子を用い画素を
構成したことを特徴とする画像表示装置。 [９]前項５に記載の発光素子を用いたことを特徴とする
照明装置。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明についてより詳細に
説明する。 １．ニトロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子 本発明の電子輸送材料は、一般式（１）で表されるニト
ロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子からなるこ
とを特徴とする。

【００１４】

【化７】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³は置換基を示し、該置換基の
少なくとも一つはニトロ基であり、残りは水素原子；ヘ
テロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキ
ル基；ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下
のエステル基；炭素数２以上２０以下のアルケニル基；
炭素数２以上２０以下のアルキニル基；または置換基を
有してもよいアリール基；炭素数１以上２０以下のカル
ボン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの
構造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数。）

【００１５】本発明の「ニトロピリジン骨格の二価基を
主鎖に含む高分子」とは、高分子主鎖の少なくとも一部
にニトロピリジン骨格を含むものであればよく、いかな
る化学構造の形態であってもよい。

【００１６】本発明の一般式（１）で表されるＲ¹，
Ｒ²，Ｒ³は、それぞれ独立に少なくとも一つはニトロ基
（例えば、トリニトロ置換体でもよい）であり、残りは
水素原子；ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０
以下のアルキル基；ヘテロ原子を有してもよい炭素数１
以上２０以下のエステル基；炭素数２以上２０以下のア
ルケニル基；炭素数２以上２０以下のアルキニル基；ま
たは置換を有してもよいアリール基；炭素数１以上２０
以下のカルボン酸基を表す。これらの置換基は、直鎖
状、分岐状または環状のいずれの構造を有するものでも
よい。ここでいう「それぞれ独立に」とは、Ｒ¹，Ｒ²，
Ｒ³のいずれもが独立であると言うことのみならず、高
分子主鎖のそれぞれ独立したニトロピリジン骨格におい
ても独立であることを示している。すなわち、例えばニ
トロピリジン主鎖の任意のＲ^α（αは１、２、３）がメ
チル基である場合、他のニトロピリジン骨格の相似の位
置であるＲ^αではメチル基でも良いしメチル基以外の他
の官能基であっても良いことを示している。従って、一
つの高分子にｍ個のニトロピリジン骨格が存在する場
合、任意のＲ^αはｍ個のニトロピリジン骨格において各
々独立の官能基であることを示している。

【００１７】一般式（１）におけるＲ¹，Ｒ²，Ｒ³とし
て、ニトロ基以外の具体例としては、水素原子、メチル
基、トリフルオロメチル基、エチル基等のアルキル基、
エテニル基、２−プロペニル基、１，３−ブタジエニル
基、４−メトキシー２−ブテニル基等のアルケニル基、
エチニル基、２−プロピニル基等のアルキニル基、フェ
ニル基、チエニル基、ピロリル基、４−メトキシフェニ
ル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル
基、３―メチルチエニル基等のアリール基、フッ素、塩
素等のハロゲン基、カルボン酸基、カルボン酸エステル
基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基等を挙げるこ
とができる。好ましくは水素原子、メチル基、トリフル
オロメチル基、フェニル基、３−トリフリオロメチルフ
ェニル基、ナフチル基、フッ素、カルボン酸基、カルボ
ン酸エステル基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基
であり、より好ましくは水素原子、メチル基、トリフル
オロメチル基、フェニル基、ナフチル基、フッ素、スル
ホン酸基、スルホン酸エステル基である。

【００１８】本発明の一般式（１）で表されるニトロピ
リジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子の具体例として
は、Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ， Ｖｏｌ． ３
２，Ｎｏ．１１， ｐｐ９９１−９９４（２０００）に
記載のポリ（３−ニトロ−ピリジン−２，５−ジイル）
以外に、ポリ（４−メチル−３−ニトロ−ピリジン−
２，６−ジイル）、ポリ（４−メチル−６−トリフルオ
ロメチル−３−ニトロ−ピリジン−２，５−ジイル）等
を挙げることができるが、これらに限定されるものでは
ない。側鎖にメチル等のアルキルを導入すると、ニトロ
ピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子の電子吸引性
は若干低下するが、溶媒への可溶性が増し、加工性が改
善される。また側鎖にトリフルオロメチル等のフルオロ
アルキルを導入すると、ニトロピリジン骨格の二価基を
主鎖に含む高分子の電子吸引性及び溶媒への可溶性が増
し、加工性も改善される。

【００１９】本発明の一般式（１）で表されるニトロピ
リジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子のニトロピリジ
ン骨格は、核磁気共鳴スペクトル（以下、ＮＭＲと略
す。）、赤外スペクトル（以下、ＩＲと略す。）、元素
分析、質量分析法（以下、ＭＳと略す。）等の方法で分
析、同定することが可能である。

【００２０】本発明の発光素子より、洗浄等の方法によ
り一般式（１）で表されるニトロピリジン骨格の二価基
を主鎖に含む高分子を分離し、さらに熱重量分析−質量
分析法（以下、ＴＧ−ＭＳと略す）で分解物の構造から
ニトロピリジン骨格を同定、元素分析で元素の組成比を
定量、ＮＭＲ、ＩＲで結合状態を同定等の方法でニトロ
ピリジン骨格を同定することが可能である（Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ， Ｖｏｌ． ３２， Ｎｏ．１
１， ｐｐ９９１−９９４（２０００））。

【００２１】本発明の一般式（１）で表されるニトロピ
リジン骨格の二価基を主鎖に含む重合体の分子量は、例
えばゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、
ＧＰＣと略す。）等の液体クロマトグラフィーにより測
定することができる。具体的には、例えば、ジメチルホ
ルムアミド等の溶媒に溶解し、ＧＰＣにより測定するこ
とができる（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｊｏｕｒｎａｌ， Ｖｏ
ｌ． ３２， Ｎｏ．１１， ｐｐ９９１−９９４（２
０００））。

【００２２】本発明の一般式（１）で表されるニトロピ
リジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子の分子量として
は、特に制限はない。モノマー単位の繰り返し数が２以
上であれば、使用可能である。本発明の一般式（１）で
表されるニトロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分
子を電子輸送層として成膜する場合に、溶媒に溶解して
塗布する方法や真空蒸着により塗布する方法を行うが、
その場合、分子量が高すぎると溶媒に溶けにくくなった
り、蒸着できない場合がある。一方、分子量が高いほ
ど、成膜後の膜強度や均一性が優れており、分子量とし
てはその加工性、用途等によって使い分けることが好ま
しい。一般的にはＧＰＣによる分子量測定での質量平均
分子量で１０００以上のものが用いられる。

【００２３】２．ニトロピリジン骨格の二価基を主鎖に
含む高分子の合成法、及びその原料 ２−１．合成法 本発明の一般式（１）で表されるニトロピリジン骨格の
二価基を主鎖に含む高分子の合成法は特に限定されな
い。例えば、合成法としては、一般式（２）で表される
ニトロピリジン構造を有する化合物の２つのＸが水素、
または臭素等のハロゲンである化合物を単独でもしくは
他の２つ以上の水素、またはハロゲンを有する化合物と
の共存下でＣｕやＮｉ等の金属を含む触媒で重合もしく
は共重合する方法が挙げられる。このようなニトロピリ
ジン構造を有する化合物としては、３−ニトロピリジ
ン、３−ニトロ−２，５−ジブロモ−ピリジン、４−エ
チル−３−ニトロ−２，５−ジクロルピリジン、４−ト
リフルオロメチル−ニトロ−２，６−イオド−ピリジン
等が挙げられる。

【００２４】触媒としては銅粉、Ｃｕ１価錯体、Ｎｉ０
価錯体等の還元性触媒が挙げられる。この中で銅粉はコ
スト的に有利で好ましい。また、他の合成法の例として
は、一般式（３）で表されるニトロビピリジン構造を有
する化合物の２つのＹが水素、またはブロム基等のハロ
ゲンである化合物を単独でもしくは他の２つ以上の水
素、またはハロゲンを有する化合物との共存下でＣｕや
Ｎｉ等の金属を含む触媒で重合もしくは共重合する方法
が挙げられる。このようなニトロビピリジン構造を有す
る化合物としては、５−ニトロ−ビピリジン、５，８−
ジニトロ−３，１０−ジブロモ−ビピリジン、４−エチ
ル−５，８−ジニトロ−３，１１−ジイオド−ビピリジ
ン、４−トリフルオロメチル−５，８ジニトロ−３，１
０−ジイオド−ピリジン等が挙げられる。

【００２５】触媒としては銅粉、Ｃｕ１価錯体、Ｎｉ０
価錯体等の還元性触媒が挙げられる。この中で銅粉はコ
スト的に有利で好ましい。

【００２６】３．発光素子 次に、前記一般式（１）で表されるニトロピリジン骨格
の二価基を主鎖に含む高分子を用いた本発明の発光素子
について説明する。図１は本発明の発光素子構成の一例
を示す断面図であり、透明基板上に設けた陽極と陰極の
間にホール輸送層、発光層、電子輸送層を順次設けたも
のである。また、本発明の発光素子構成は図１の例のみ
に限定されず、陽極と陰極の間に順次、１）ホール輸送
層／発光層、２）発光層／電子輸送層、のいずれかを設
けたものでもよく、更には３）ホール輸送材料、発光材
料、電子輸送材料を含む層、４）ホール輸送材料、発光
材料を含む層、５）発光材料、電子輸送材料を含む層、
６）発光材料の単独層、のいずれかの層を一層設けるだ
けでもよい。また、図１に示した発光層は１層である
が、２つ以上の発光層が直接あるいは他層を間に挟んで
積層されていてもよい。

【００２７】３−１．電子輸送材料 本発明の発光素子においては、前記電子輸送材料に一般
式（１）で表されるニトロピリジン骨格の二価基を主鎖
に含む高分子を用いることを特徴とする。一般式（１）
で表されるニトロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高
分子を成膜する方法は特に限定しない。例えば、（Ａ）
発光体層の上にニトロピリジン骨格を含む高分子の溶液
を塗布し溶媒を揮発除去する方法や、（Ｂ）発光体層の
上に一般式（１）で表されるニトロピリジン骨格の二価
基を主鎖に含む高分子を抵抗加熱等による真空蒸着で成
膜する方法、（Ｃ）発光体層の上に一般式（１）で表さ
れるニトロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子の
モノマーを塗布、成膜後に、モノマーを重合する方法が
挙げられる。これらの方法は多層構造素子を作成する場
合に好適である。また、発光材料や電子輸送材料、ホー
ル輸送材料の混合単層素子を作成する方法もプロセス上
有利である。例えば、（Ｄ）一般式（１）で表されるニ
トロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子からなる
電子輸送材料と発光材料やホール輸送材料を混合した溶
液を調製し、電極上に塗布後、溶媒を揮発除去する方法
や、（Ｅ）一般式（１）で表されるニトロピリジン骨格
の二価基を主鎖に含む高分子のモノマーと発光材料やホ
ール輸送材料を混合した溶液を調製し、電極上に塗布
後、モノマーを重合し、溶媒を揮発除去する方法が挙げ
られる。前記の重合体溶液やモノマー溶液を塗布する方
法も特に限定されない。例えば、印刷法やインクジェッ
ト、スピンコート等、種々の方法が挙げられる。電子輸
送層の厚さは、電子輸送層の導電率にもよるので一概に
限定はできないが、１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１
０ｎｍ〜３μｍが更に好ましく、１０ｎｍ〜１μｍが特
に好ましい。

【００２８】本発明では前記一般式（１）で表されるニ
トロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子に他の電
子輸送材料を混合及び／または積層して用いても良い。
用いることのできる他の電子輸送材料としては、Ａｌｑ
₃（トリスアルミニウムキノリノール）などのキノリノ
ール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリア
ゾール誘導体などの既知の電子輸送材料が使用できる
が、特にこれらに限定されることはない。

【００２９】前記の電子輸送材料はそれぞれ単独で電子
輸送層を形成するほかに、高分子材料をバインダとして
各層を形成することもできる。これに使用される高分子
材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボ
ネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレン
オキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定され
るものではない。

【００３０】３−２．発光材料 発光材料としては、例えば、スチルベン構造等の共役系
構造を有する化合物、アルミニウムキノリウム錯体等の
軽金属錯体や遷移金属錯体等があげられるが、安定性、
設計自由性等の面で金属錯体が好ましい。

【００３１】本発明の発光素子に用いられる発光材料に
おいては、さらに励起三重項状態からの発光あるいは励
起三重項状態を経由する発光、いわゆる燐光発光物質を
発光部位に有する化合物が好ましい。燐光発光物質は、
励起三重項状態の量子効率の値として０．１以上が好ま
しく、更に好ましくは０．３以上であり、より一層好ま
しくは０．５以上である。尚、これらの励起三重項状態
の量子効率が高い化合物は、例えば“Ｈａｎｄｂｏｏｋ
ｏｆ Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｓｅｃｏｎｄ
Ｅｄｉｔｉｏｎ（Ｓｔｅｖｅｎ Ｌ． Ｍｕｒｏｖほ
か著，Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ Ｉｎｃ．，１９９
３）などから選ぶことができる。

【００３２】本発明の好ましい発光材料の励起三重項状
態からの発光あるいは励起三重項状態を経由する燐光発
光部位としてはイリジウムや白金等の金属錯体構造及び
これらの誘導体があげられる。燐光性金属錯体構造は励
起三重項状態が高温でも比較的安定であり好ましい。

【００３３】前記の燐光性金属錯体構造に使用される遷
移金属としては、周期表において第１遷移元素系列は原
子番号２１のＳｃから原子番号３０のＺｎまでを、第２
遷移元素系列は原子番号３９のＹから原子番号４８のＣ
ｄまでを、第３遷移元素系列は原子番号７２のＨｆから
原子番号８０のＨｇまでを含める。また前記の励起三重
項状態を経由して発光する燐光性金属錯体構造の他の具
体的な例としては希土類金属錯体構造を例示することが
できるが、何らこれに限定されるものではない。この希
土類金属錯体構造に使用される希土類金属としては、周
期表において原子番号５７のＬａから原子番号７１のＬ
ｕまでを含める。

【００３４】上述した金属錯体構造に使用される配位子
の構造としては、アセチルアセトナート、２，２’−ビ
ピリジン、４，４’−ジメチル−２，２’−ビピリジ
ン、１，１０−フェナントロリン、２−フェニルピリジ
ン、ポルフィリン、フタロシアニン、ピリミジン、キノ
リン及び／またはこれらの誘導体などを例示することが
できるが、何らこれらに限定されるものではない。これ
らの配位子は、１つの錯体について１種類または複数種
類が配位される。また、前記の錯体化合物として二核錯
体構造あるいは多核錯体構造や、２種類以上の錯体の複
錯体構造を使用することもできる。

【００３５】前記の発光体層に用いられる発光材料はそ
れぞれ単独で各層を形成するほかに、高分子材料をバイ
ンダとして各層を形成することもできる。これに使用さ
れる高分子材料としては、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリ
フェニレンオキサイドなどを例示できるが、特にこれら
に限定されるものではない。

【００３６】発光体層の厚さは一概に限定はできない
が、１０ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１０ｎｍ〜３μｍ
が更に好ましく１０ｎｍ〜１μｍが特に好ましい。

【００３７】前記の発光層に用いられる発光材料の成膜
方法は、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ
リング法、コーティング法などを用いることが可能で、
これらに特に限定されることはないが、低分子化合物に
場合は主として抵抗加熱蒸着および電子ビーム蒸着が用
いられ、高分子材料の場合は主に溶液塗布法が用いられ
る。

【００３８】３−３．ホール輸送材料 本発明の発光素子にホール輸送材料も用いることもでき
る。発光材料にホール輸送機能がない場合は特にホール
輸送材料を用いることにより、発光効率の向上、駆動電
圧の低下等、素子の性能向上が図れる。用いるホール輸
送材料に特に制限はなく、発光材料やキノキサリン構造
を有する重合体からなる電子輸送材料との組み合わせで
適したものを選べばよい。

【００３９】ホール輸送材料としては、低分子化合物と
して、フタロシアニン類、金属フタロシアニン類、ナフ
タロシアニン類、金属ナフタロシアニン類、ビスアゾ化
合物類、トリスアゾ化合物類、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジメ
チル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−
ビフェニル−４，４’ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，
４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，
４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）
トリフェニルアミン）等のトリフェニルアミン誘導体
類、ジフェニル類、ナフタレン類、アントラセン類の多
環芳香族類、ベンゾキノン、アントラキノン等の芳香族
キノン類が挙げられる。また高分子化合物として、前記
低分子化合物の重合体以外にポリアニリン、ポリチオフ
ェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリピロー
ル、ポリパラフェニレンビニレン及びこれらの誘導体に
代表されるｐ型導電性高分子、ポリカルバゾール及び誘
導体、ポリシラン及び誘導体、ポリシロキサン及び誘導
体等が挙げられる。これらのホール輸送材料は単独でも
用いられるが、異なるホール輸送材料と混合または積層
して用いてもよい。ホール輸送層の厚さは、ホール輸送
層の導電率にもよるので一概に限定はできないが、１０
ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１０ｎｍ〜３μｍが更に好
ましく、１０ｎｍ〜１μｍが特に好ましい。

【００４０】またこれらのホール輸送材料はそれぞれ単
独で各層を形成するほかに、高分子材料をバインダとし
て各層を形成することもできる。これに使用される高分
子材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリカー
ボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレ
ンオキサイドなどを例示できるが、特にこれらに限定さ
れるものではない。

【００４１】前記のホール輸送材料の成膜方法は、抵抗
加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、コ
ーティング法などを用いることが可能で、これらに特に
限定されることはないが、低分子化合物に場合は主とし
て抵抗加熱蒸着および電子ビーム蒸着が用いられ、高分
子材料の場合は主に溶液塗布法が用いられる。

【００４２】３−４．陽極材料 本発明に係る発光素子の陽極材料としては、ＩＴＯ（酸
化インジウムスズ）、酸化錫、酸化亜鉛、ポリチオフェ
ン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性高分子な
どの既知の透明導電材料が使用できるが、特にこれらに
限定されることはない。この透明導電材料による電極の
表面抵抗は１〜５０Ω／□（オーム／スクエアー）であ
ることが好ましい。これらの陽極材料の成膜方法として
は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学反応
法、コーティング法などを用いることができるが、これ
らに特に限定されることはない。陽極の厚さは５０〜３
００ｎｍが好ましい。

【００４３】また、陽極とホール輸送層または陽極に隣
接して積層される有機層の間に、ホール注入に対する注
入障壁を緩和する目的でバッファ層が挿入されていても
よい。これには銅フタロシアニンなどの既知の材料が用
いられるが、特にこれに限定されることはない。

【００４４】３−５．陰極材料 本発明に係る発光素子の陰極材料としては、Ａｌ、Ｍｇ
Ａｇ合金、Ｃａなどのアルカリ土類金属、ＡｌＣａなど
のＡｌとアルカリ土類金属の合金などの既知の陰極材料
が使用できるが、特にこれらに限定されることはない。
これらの陰極材料の成膜方法としては、抵抗加熱蒸着
法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレ
ーティング法などを用いることができるが、これらに特
に限定されることはない。陰極の厚さは１０ｎｍ〜１μ
ｍが好ましく、３０〜７００ｎｍが更に好ましく、５０
〜５００ｎｍが特に好ましい。

【００４５】また、陰極と、電子輸送層または陰極に隣
接して積層される有機層との間に、電子注入効率を向上
させる目的で、厚さ０．１〜１０ｎｍの絶縁層が挿入さ
れていてもよい。この絶縁層としては、フッ化リチウ
ム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、アルミナ
などの既知の陰極材料が使用できるが、特にこれらに限
定されることはない。

【００４６】３−６．基板、応用例 本発明に係る発光素子の基板としては、発光材料の発光
波長に対して透明な絶縁性基板が使用でき、ガラスのほ
か、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やポリカー
ボネートを始めとする透明プラスチックなどの既知の材
料が使用できるが、特にこれらに限定されることはな
い。

【００４７】本発明の発光素子は、マトリックス方式、
セグメント方式などの既知の方法で画素を構成すること
ができ、例えば、画像表示装置として用いることができ
る。また、例えば、画素を形成せずにバックライト等の
照明装置として用いることもできる。

【００４８】

【実施例】以下に本発明について代表的な例を示し具体
的に説明する。尚これらは説明のための例示であって、
本発明はこれらに何ら制限されるものではない。

【００４９】＜測定装置及び測定条件＞ １）¹Ｈ−ＮＭＲ 日本電子（ＪＥＯＬ）製 ＪＮＭ ＥＸ２７０ ２７０Ｍｚ 溶媒：重クロロホルムまたは重ジメチルス
ルホシキド

【００５０】２）ＧＰＣ測定（分子量測定） カラム：Ｓｈｏｄｅｘ ＫＦ−Ｇ＋ＫＦ８０４Ｌ＋ＫＦ
８０２＋ＫＦ８０１ 溶離液：ヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ） 温度 ：４０℃ 検出器：ＲＩ（Ｓｈｏｄｅｘ ＲＩ−７１）

【００５１】３）元素分析装置 ＲＥＣ０社製 ＣＨＮＳ−９３２型

【００５２】４）ポリマー塗膜評価 実施例１〜３、比較例１で製造したＰＮＰｙ、ＰＭＮＰ
ｙ、ＰＭＴＮＰｙ、ＰＰｙの３質量％ＨＦＩＰ溶液を調
製した。これらをスピンコータで１×１ｃｍの白金箔上
に塗布後、ＨＦＩＰを蒸発除去させることにより、厚さ
約２００ｎｍの各ポリマー塗膜を白金箔上に成膜した。
これらポリマー／白金電極を作用極とし、対極を白金箔
（２×２ｃｍ）、銀電極を参照極として、０．５Ｍテト
ラエチルアンモニウムＢＦ₄／アセトニトリル溶液中
で、１ｍＶ／ｓｅｃの走査速度で、サイクリックボルタ
モグラムを行った。

【００５３】実施例１：ポリ（３−ニトロ−ピリジン−
２，５−ジイル）（ＰＮＰｙ）の合成反応は下記スキー
ムに従って実施した。

【化８】

【００５４】即ち、ＤＭＦ（含水量２００ｐｐｍ）６０
０ｃｃを加えた１Ｌのガラス製四口フラスコ（長さ４ｃ
ｍの撹拌はね及び冷却管付き）に、３−ニトロ−２，５
−ジブロモ−ピリジン（Ｍｗ２８０）２３．０ｇを溶解
し、Ｃｕ粉３７．０ｇを添加し、窒素雰囲気下、還流・
攪拌しながら１０時間反応させた。反応後の反応液を２
Lの冷水中に加えることにより得られた黄褐色沈殿を濾
過、塩酸洗浄、水洗浄、メタノール洗浄、乾燥後１２０
℃で１２時間、真空乾燥することにより、ポリ（３−ニ
トロ−ピリジン−２，５−ジイル）（ＰＮＰｙ）７．０
ｇの粉末を得た。

【００５５】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
から目的通りの構造と推定された。またヘキサフルオロ
イソプロパノール（ＨＦＩＰ）を溶離液としたＧＰＣか
らの質量平均分子量（質量平均）は１１０００であっ
た。ポリマー塗膜評価結果を表１示した。

【００５６】実施例２：ポリ（４−メチル−３−ニトロ
−ピリジン−２，６−ジイル） （ＰＭＮＰｙ）の合成 反応は下記スキームに従って実施した。

【化９】

【００５７】即ち、ＤＭＦ（含水量２００ｐｐｍ）６０
０ｃｃを加えた１Ｌのガラス製四口フラスコ（長さ４ｃ
ｍの撹拌はね及び冷却管付き）に、４−メチル−３−ニ
トロ−２，６−ジブロモ−ピリジン（Ｍｗ２９４）２
１．９ｇを溶解し、Ｃｕ粉３７．０ｇを添加し、窒素雰
囲気下、還流・攪拌しながら１５時間反応させた。反応
後の反応液を２Ｌの冷水中に加えることにより得られた
赤褐色沈殿を濾過、塩酸洗浄、水洗浄、メタノール洗
浄、乾燥後１２０℃で１２時間、真空乾燥することによ
り、ポリ（４−メチル−３−ニトロ−ピリジン−２，５
−ジイル）（ＰＭＮＰｙ）６．３ｇの粉末を得た。

【００５８】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
から目的通りの構造と推定された。またヘキサフルオロ
イソプロパノール（ＨＦＩＰ）を溶離液としたＧＰＣか
らの質量平均分子量（質量平均）は９８００であった。
ポリマー塗膜評価結果を表１示した。

【００５９】実施例３：ポリ（４−メチル−６−トリフ
ルオロメチル−３−ニトロ−ピリジン−２，５−ジイ
ル）（ＰＭＦＮＰｙ）の合成 反応は下記スキームに従って実施した。

【化１０】

【００６０】即ち、ＤＭＦ（含水量２００ｐｐｍ）６０
０ｃｃを加えた１Ｌのガラス製四口フラスコ（長さ４ｃ
ｍの撹拌はね及び冷却管付き）に、４−メチル−６−ト
リフルオロメチル−３−ニトロ−２，５−ジブロモ−ピ
リジン（Ｍｗ３３２）１４．８ｇを溶解し、Ｃｕ粉３
７．０ｇを添加し、窒素雰囲気下、還流・攪拌しながら
２０時間反応させることにより沈殿が得られた。この沈
殿を含む反応液を２Ｌの冷水中に加えることにより得ら
れた茶褐色沈殿を濾過、塩酸洗浄、水洗浄、メタノール
洗浄、乾燥後１２０℃で１２時間、真空乾燥することに
より、ポリ（４−メチル−６−トリフルオロメチル−３
−ニトロ−ピリジン−２，５−ジイル）（ＰＭＦＮＰ
ｙ）３．８ｇの粉末を得た。

【００６１】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
から目的通りの構造と推定された。またヘキサフルオロ
イソプロパノール（ＨＦＩＰ）を溶離液としたＧＰＣか
らの質量平均分子量（質量平均）は８７００であった。
ポリマー塗膜評価結果を表１示した。

【００６２】比較例１：ポリ（ピリジン−２，５−ジイ
ル）（ＰＰｙ）の合成 反応は下記スキームに従って、Ｃｈｅｍ． Ｌｅｔ
ｔ．，ｐｐ１５３（１９８８）と同様の方法で実施し
た。

【化１１】

【００６３】即ち、ＤＭＦ（含水量２００ｐｐｍ）６０
０ｃｃを加えた１Ｌのガラス製四口フラスコ（長さ４ｃ
ｍの撹拌はね及び冷却管付き）に、２，５−ジブロモ−
ピリジン（Ｍｗ２３５）５．０ｇを溶解し、ビスシクロ
オクタジエニルＮｉ（０価）錯体２０ｇ、２，２−ビピ
リジン１ｇを添加し、窒素雰囲気下、６０℃で攪拌しな
がら２０時間反応させた。得られた黄色沈殿を濾過、塩
酸洗浄、水洗浄、メタノール洗浄、乾燥後１２０℃で１
２時間、真空乾燥することにより、ポリ（ピリジン−
２，５−ジイル）１．２ｇの粉末を得た。

【００６４】この粉末の元素分析値及びＩＲスペクトル
から目的通りの構造と推定された。またヘキサフルオロ
イソプロパノール（ＨＦＩＰ）を溶離液としたＧＰＣか
らの質量平均分子量（質量平均）は１５０００であっ
た。ポリマー塗膜評価結果を表１示した。

【００６５】

【表１】 表１に示すごとく、各ポリマーのＮ型ドーピングによる
酸化還元ピークがみられた。

【００６６】以上、本発明のニトロピリジン系ポリマー
は比較例の非ニトロ系ＰＰｙに比較してＮ型ドーピング
での酸化還元ピークが高く、Ｎ型になりやすいことが証
明された。

【００６７】実施例４：燐光高分子用重合性化合物：Ｉ
ｒ（４−ＭＡ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ）の合成 常法に従い４−メトキシフェニルピリジン（４−ＭｅＯ
−ＰＰｙ）を合成した。即ち、下記スキーム３Ａに示す
ように、常法によりアルゴン気流下において４−ブロモ
アニソール２２．４ｇ（１２０ｍｍｏｌ）から脱水テト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）中でマグネシウム（Ｍｇ）
３．４ｇを用いて（４−メトキシフェニル）マグネシウ
ムブロマイドを合成し、これを２−ブロモピリジン１
５．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）と（１，２−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）エタン）ジクロロニッケル（ＩＩ）
（Ｎｉ（ｄｐｐｅ）Ｃｌ₂） １．８ｇの脱水ＴＨＦ溶
液に徐々に添加し、１時間還流した。反応液に５％塩酸
水溶液２５０ｍｌを加えた後、クロロホルムで洗浄し
た。水層を炭酸水素ナトリウムで中和した後、クロロホ
ルムで目的物を抽出し、有機層を減圧下に蒸留した。蒸
留物は室温で直ちに固化し、白色固体として２−（４−
メトキシフェニル）ピリジン（４−ＭｅＯ−ＰＰｙ）を
１５．１ｇ（８１．５ｍｍｏｌ）得た。同定はＣＨＮ元
素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行った。

【化１２】

【００６８】次いでこの４−ＭｅＯ−ＰＰｙのメトキシ
基を常法に従い加水分解した。即ち、下記スキームに示
すように、４−ＭｅＯ−ＰＰｙ １５．０ｇ（８０．１
ｍｍｏｌ）を濃塩酸中に溶解させ密閉容器中１３０℃で
４時間攪拌した。反応後、反応液を炭酸水素ナトリウム
水溶液で中和し、目的物をクロロホルムで抽出し、抽出
物をクロロホルム／ヘキサン溶液より結晶化させ、無色
の結晶として２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン
（４−ＨＯ−ＰＰｙ）１０．０ｇ（５８．５ｍｍｏｌ）
を得た。同定はＣＨＮ元素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行っ
た。

【化１３】 次いでこの４−ＨＯ−ＰＰｙを常法に従いヘキサクロロ
イリジウム酸ナトリウムｎ水和物（Ｎａ₃ＩｒＣｌ₆・ｎ
Ｈ₂Ｏ）と反応させてビス（μ−クロロ）テトラキス
（２−（４−ヒドロキシフェニル）ピリジン）ジイリジ
ウム（ＩＩＩ）（［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂Ｃ
ｌ］₂）を合成した。即ち、下記スキームに示すよう
に、Ｎａ₃ＩｒＣｌ₆・ｎＨ₂Ｏ １０．０ｇを２−エト
キシエタノールと水の３：１の混合溶媒４００ｍｌ中に
溶解させ、アルゴンガスを３０分間吹き込んだ後に、ア
ルゴン気流下で４−ＨＯ−ＰＰｙ ８．６ｇ（５０．２
ｍｍｏｌ）を加えて溶解させ、５時間還流した。反応
後、溶媒を留去し、エタノールより再結晶させ、赤橙色
の結晶として［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂Ｃｌ］₂
５．８８ｇ（５．１８ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ
元素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行った。

【化１４】

【００６９】次いでこの［Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂
Ｃｌ］₂を、常法に従いトリフルオロメチルスルホン酸
銀（Ｉ）（ＡｇＣＦ₃ＳＯ₃）の存在下に２−フェニルピ
リジン（ＰＰｙ）と反応させた。即ち、下記スキームに
示すように、アルゴン気流下にて［Ｉｒ（４−ＨＯ−Ｐ
Ｐｙ）₂Ｃｌ］₂ ３．９８ｇ（３．５ｍｍｏｌ）とＰＰ
ｙ １５．５ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）の脱水トルエン懸
濁液にＡｇＣＦ₃ＳＯ₃を１．９８ｇ加え、６時間還流し
た。反応液をシリカゲルカラムで精製した後、溶媒を留
去し、黄色粉末としてビス（２−（４−ヒドロキシフェ
ニル）ピリジン）（２−フェニルピリジン）イリジウム
（ＩＩＩ）（Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ））
２．２０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元
素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで行った。

【化１５】 次いで、下記スキームに示すように、アルゴン気流下に
て、Ｉｒ（４−ＨＯ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ） １．３７
ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、脱酸剤としてのトリエチルアミ
ン０．８１ｇ（８．０ｍｍｏｌ）の脱水ＴＨＦ溶液にメ
タクリル酸クロライド０．５０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を
加えて２０℃で５時間反応させた。反応液からトリエチ
ルアミンの塩酸塩を濾別し、濾液をシリカゲルカラムで
精製した後、溶媒を留去し、ビス（（２−（４−（２−
メタクリロイルオキシ）フェニル）ピリジン）（２−フ
ェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（４−Ｍ
Ａ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ））１．５５ｇ（１．８８ｍｍ
ｏｌ）を得た。同定はＣＨＮ元素分析、¹Ｈ−ＮＭＲで
行った。

【化１６】 実施例５〜７、比較例２〜４： 発光素子の作製、評価 実施例４で合成した燐光高分子用重合性化合物、Ｉｒ
（４−ＭＡ−ＰＰｙ）₂（ＰＰｙ）のヘキサフルオロイ
ソプロパノール（ＨＦＩＰ）の５ｗｔ％溶液をポリエチ
レンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ、バイエル社製）
が５０ｎｍの厚さで予め塗布成膜されたＩＴＯ陽極（ガ
ラス基板上にＩＴＯが塗布されたもの）上にスピンコー
ト法により５ｍｍ×５ｍｍの大きさに塗布後、窒素雰囲
気で６０℃加熱２時間行い、燐光高分子用重合性化合物
を架橋重合／６０℃３時間真空乾燥することにより、厚
さ約１００ｎｍの燐光性高分子層（Ｉｒ（４−ＭＡ−Ｐ
Ｐｙ） ₂（ＰＰｙ）架橋重合体）をＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ
陽極上に１２個成膜し、発光層を形成した。これらのう
ち８個の燐光性高分子／ＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極上に電
子輸送材料として実施例１〜３及び比較例１で合成した
ＰＮＰｙ、ＰＭＮＰｙ、ＰＭＦＰｙ、ＰＰｙの３ｗｔ％
溶液をスピンコ−トにより成膜後、６０℃３時間真空乾
燥することにより、各厚さ約５０ｎｍの電子輸送層を各
２個ずつ形成させた。また残り４個の燐光性高分子／Ｐ
ＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極のうち、電子輸送層を形成させな
いものを２個、電子輸送層としてＰＢＤ（２−（４−ｂ
ｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙ
ｌｐｈｅｎｙｌ）−１，３，４−ｏｘａｄｉａｚｏｌ）
を約５０ｎｍの厚さに真空蒸着により成膜したものを２
個、作成した。ついでこれら１０個の電子輸送層／燐光
性高分子／ＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極及び２個の燐光性高
分子／ＰＥＤＯＴ／ＩＴＯ電極の電子輸送層上（ない場
合は燐光性高分子上）に陰極としてＡｇ／Ｍｇを質量比
９／１で約１００ｎｍの厚さに成膜し、発光層、電子輸
送層のことなる６種の発光素子を各２個ずつ作製した。
これら素子をアルゴン雰囲気のグローブボックス中でリ
ード線をつけガラス容器内にアルゴン雰囲気で密閉し、
発光評価に用いた。

【００７０】発光輝度は電源として、（株）アドバンテ
スト社製 プログラマブル直流電圧／電流源 ＴＲ６１
４３を用い、実施例において得られた発光素子に電圧を
印加し、発光輝度を（株）トプコン社製 輝度計 ＢＭ
−８を用いて測定した。

【００７１】前記発光素子に直流電源を引加したとこ
ろ、発光開始電圧、１０Ｖでの初期輝度、その後１０Ｖ
で固定し連続発光させた場合の２４０時間後の輝度は表
２及び３の如くなった（各測定値は２個の平均値）。

【００７２】

【表２】

【００７３】

【表３】

【発明の効果】本発明のニトロピリジン骨格の二価基を
主鎖に含む高分子からなる電子輸送材料を用いることに
より、高輝度で耐久性のある発光素子及び有機光導電体
を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光素子の断面図の例である。

【符号の説明】 １ ガラス基板 ２ 陽極 ３ ホール輸送層 ４ 発光層 ５ 電子輸送層 ６ 陰極

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の一般式（１） 【化１】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³は置換基を示し、該置換基の
   少なくとも一つはニトロ基であり、残りは水素原子；ヘ
   テロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキ
   ル基；ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下
   のエステル基；炭素数２以上２０以下のアルケニル基；
   炭素数２以上２０以下のアルキニル基；または置換を有
   してもよいアリール基；炭素数１以上２０以下のカルボ
   ン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構
   造を有するものでもよい。ｎは１以上の整数。）で表さ
   れるニトロピリジン骨格の二価基を主鎖に含む高分子を
   含むことを特徴とする電子輸送性材料。
2. 【請求項２】電子輸送性材料が、電子受容性物質を含む
   請求項１に記載の電子輸送性材料。
3. 【請求項３】下記の一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³は置換基を示し、該置換基の
   少なくとも一つはニトロ基であり、残りは水素原子；ヘ
   テロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキ
   ル基；ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下
   のエステル基；炭素数２以上２０以下のアルケニル基；
   炭素数２以上２０以下のアルキニル基；または置換を有
   してもよいアリール基；炭素数１以上２０以下のカルボ
   ン酸基を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構
   造を有するものでもよい。Ｘは水素またはハロゲンを表
   す。）で表されるニトロピリジン化合物を触媒を用いて
   重合することを特徴とする請求項１または２に記載の電
   子輸送性材料の製造方法。
4. 【請求項４】下記の一般式（３） 【化３】 （式中、Ｒ⁴ 〜 Ｒ⁹は置換基を示し、該置換基の少なく
   とも一つはニトロ基であり、残りは水素原子；ヘテロ原
   子を有してもよい炭素数１以上２０以下のアルキル基；
   ヘテロ原子を有してもよい炭素数１以上２０以下のエス
   テル基；炭素数２以上２０以下のアルケニル基；炭素数
   ２以上２０以下のアルキニル基；または置換を有しても
   よいアリール基；炭素数１以上２０以下のカルボン酸基
   を表し、直鎖状、分岐状または環状のいずれの構造を有
   するものでもよい。Ｙは水素またはハロゲンを表す。）
   で表されるニトロビピリジン化合物を触媒を用いて重合
   することを特徴とする請求項１記載の電子輸送性材料の
   製造方法。
5. 【請求項５】請求項１または２に記載の電子輸送性材料
   を用いることを特徴とする発光素子。
6. 【請求項６】請求項１または２に記載の電子輸送性材料
   を用いることを特徴とする光導電体材料。
7. 【請求項７】発光材料との溶液とした請求項１または２
   に記載の電子輸送材料を、電極またはホール輸送層上で
   重合し、溶媒を除去し、成膜することを特徴とする請求
   項５に記載の発光素子の製造方法。
8. 【請求項８】請求項５に記載の発光素子を用い画素を構
   成したことを特徴とする画像表示装置。
9. 【請求項９】請求項５に記載の発光素子を用いたことを
   特徴とする照明装置。