JP2003252687A - セラミックスと金属の気密接合構造及び該構造を有する装置部品 - Google Patents
セラミックスと金属の気密接合構造及び該構造を有する装置部品Info
- Publication number
- JP2003252687A JP2003252687A JP2002052593A JP2002052593A JP2003252687A JP 2003252687 A JP2003252687 A JP 2003252687A JP 2002052593 A JP2002052593 A JP 2002052593A JP 2002052593 A JP2002052593 A JP 2002052593A JP 2003252687 A JP2003252687 A JP 2003252687A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- metal
- pipe
- ceramics
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 通常のＯ−リングでは耐えられない２００℃
を超えるような高温に曝される部分においても、大型の
セラミックス部材と金属の間を気密に接合することがで
きる、セラミックスと金属の気密接合構造を提供する。 【解決手段】 セラミックスのパイプＡとパイプＢで形
成された溝内に、Ｗリング２のような金属板の一端が挿
入され、その金属板の両平面と溝の間の空間にガラス３
が充填されることによって気密に接合されている。セラ
ミックスとガラスの熱膨張率の差が５×１０−６／℃以
下である。この気密接合構造は、半導体製造装置や液晶
製造装置のチャンバーで使用される部品等の大型の装置
部品への適用が可能である。
を超えるような高温に曝される部分においても、大型の
セラミックス部材と金属の間を気密に接合することがで
きる、セラミックスと金属の気密接合構造を提供する。 【解決手段】 セラミックスのパイプＡとパイプＢで形
成された溝内に、Ｗリング２のような金属板の一端が挿
入され、その金属板の両平面と溝の間の空間にガラス３
が充填されることによって気密に接合されている。セラ
ミックスとガラスの熱膨張率の差が５×１０−６／℃以
下である。この気密接合構造は、半導体製造装置や液晶
製造装置のチャンバーで使用される部品等の大型の装置
部品への適用が可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスと金
属の間を気密に接合する構造に関し、特に半導体又は液
晶製造装置においてＯ−リング等では耐えられない高温
に曝される部分での使用に適した気密接合構造に関する
ものである。
属の間を気密に接合する構造に関し、特に半導体又は液
晶製造装置においてＯ−リング等では耐えられない高温
に曝される部分での使用に適した気密接合構造に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ上でエッチングや成膜を
行う場合、反応制御性に優れた枚葉式の半導体製造装置
が一般に使用されている。半導体ウエハはセラミックス
製や金属製の保持体の表面上に載せて、そのまま静置し
たり、機械的に固定したり、又は保持体に内蔵した電極
に電圧を付加して静電力によってチャックしたりして、
保持体上に固定される。
行う場合、反応制御性に優れた枚葉式の半導体製造装置
が一般に使用されている。半導体ウエハはセラミックス
製や金属製の保持体の表面上に載せて、そのまま静置し
たり、機械的に固定したり、又は保持体に内蔵した電極
に電圧を付加して静電力によってチャックしたりして、
保持体上に固定される。
【０００３】保持された半導体ウエハは、ＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏ
ｎ）、プラズマＣＶＤ等により成膜され、あるいはプラ
ズマエッチング等によってエッチングされるが、その際
の成膜速度やエッチング速度を均一に維持するために温
度が厳密に制御される。その厳密な温度制御のために、
保持体に内蔵したヒータによって保持体を加熱し、その
表面からの伝熱によって半導体ウエハを加熱するように
なっている。尚、保持体は絶縁性で且つ耐食性の高い材
料、例えばセラミックス等で構成される必要がある。
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏ
ｎ）、プラズマＣＶＤ等により成膜され、あるいはプラ
ズマエッチング等によってエッチングされるが、その際
の成膜速度やエッチング速度を均一に維持するために温
度が厳密に制御される。その厳密な温度制御のために、
保持体に内蔵したヒータによって保持体を加熱し、その
表面からの伝熱によって半導体ウエハを加熱するように
なっている。尚、保持体は絶縁性で且つ耐食性の高い材
料、例えばセラミックス等で構成される必要がある。
【０００４】この反応を行う半導体製造装置のチャンバ
ーについては、高温下で反応ガスを流して圧力及び分圧
を厳密に制御する必要があるため、高温の箇所におい
て、大気圧、減圧あるいは真空状態を相互に完全に分離
する気密封止が要求される箇所が多い。
ーについては、高温下で反応ガスを流して圧力及び分圧
を厳密に制御する必要があるため、高温の箇所におい
て、大気圧、減圧あるいは真空状態を相互に完全に分離
する気密封止が要求される箇所が多い。
【０００５】その場合、１５０℃以下の箇所は耐熱性の
ゴムを用いたＯ−リングでの封止が可能であるが、それ
以上の高温となる箇所ではＯ−リング封止は難しい。そ
のため、１５０℃以上の高温となる箇所では、耐熱性材
料からなる部材を延長して封止箇所を低温部に移し、そ
こでＯ−リング封止を行っている。
ゴムを用いたＯ−リングでの封止が可能であるが、それ
以上の高温となる箇所ではＯ−リング封止は難しい。そ
のため、１５０℃以上の高温となる箇所では、耐熱性材
料からなる部材を延長して封止箇所を低温部に移し、そ
こでＯ−リング封止を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、Ｏ−リングに
よる気密封止は簡便且つ安価で信頼性も高いが、Ｏ−リ
ングにはゴムや樹脂が用いられるため、耐熱性の材料を
用いても耐熱温度は精々２００℃が上限である。ところ
が、半導体製造装置や液晶製造装置における成膜やエッ
チングは２００℃以上の反応温度が必要なことが多く、
中でも成膜に用いるＣＶＤやプラズマＣＶＤでは５００
〜８００℃という高温が用いられることが多い。
よる気密封止は簡便且つ安価で信頼性も高いが、Ｏ−リ
ングにはゴムや樹脂が用いられるため、耐熱性の材料を
用いても耐熱温度は精々２００℃が上限である。ところ
が、半導体製造装置や液晶製造装置における成膜やエッ
チングは２００℃以上の反応温度が必要なことが多く、
中でも成膜に用いるＣＶＤやプラズマＣＶＤでは５００
〜８００℃という高温が用いられることが多い。
【０００７】そのため、半導体製造装置や液晶製造装置
のチャンバーでは、Ｏ−リングで気密封止を行うことを
前提に設計を行うと、高温部から低温部まで耐熱素材を
延長して封止箇所を移し、且つその封止箇所を水冷して
２００℃以下に維持する必要がある。その結果、高温部
から低温部まで封止箇所を延長するための耐熱素材を内
部に収めるチャンバーは、非常に無駄な空間を残した大
型構造なものにならざるを得なかった。このような事情
は半導体製造装置だけでなく、液晶製造装置においても
同様であった。
のチャンバーでは、Ｏ−リングで気密封止を行うことを
前提に設計を行うと、高温部から低温部まで耐熱素材を
延長して封止箇所を移し、且つその封止箇所を水冷して
２００℃以下に維持する必要がある。その結果、高温部
から低温部まで封止箇所を延長するための耐熱素材を内
部に収めるチャンバーは、非常に無駄な空間を残した大
型構造なものにならざるを得なかった。このような事情
は半導体製造装置だけでなく、液晶製造装置においても
同様であった。
【０００８】例えば、ウエハや液晶のような被処理物を
保持して加熱する保持体は、保持部を５００〜８００℃
に加熱する必要があるが、このような高温ではＯ−リン
グ封止が不可能である。そこで、保持体に耐熱素材から
なる３００ｍｍ程度の長いシャフトの一端を取付け、シ
ャフトの他端を水冷して２００℃以下になる箇所でＯ−
リング封止を行っていた。尚、このシャフト内には、保
持部に内蔵したヒータに系外から電力を供給する引き出
し線が収納されることが多い。
保持して加熱する保持体は、保持部を５００〜８００℃
に加熱する必要があるが、このような高温ではＯ−リン
グ封止が不可能である。そこで、保持体に耐熱素材から
なる３００ｍｍ程度の長いシャフトの一端を取付け、シ
ャフトの他端を水冷して２００℃以下になる箇所でＯ−
リング封止を行っていた。尚、このシャフト内には、保
持部に内蔵したヒータに系外から電力を供給する引き出
し線が収納されることが多い。
【０００９】そこで、半導体製造装置や液晶製造装置に
おいては、そのチャンバーを小型化するために、Ｏ−リ
ング封止が可能な２００℃よりも遥かに高温の箇所にお
いて、信頼性の高い気密封止を行う技術が求められてい
た。この場合に必要とされる気密状態は、Ｈｅリークで
少なくとも１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満であり、更に望
ましくは１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓ未満が求められてい
る。
おいては、そのチャンバーを小型化するために、Ｏ−リ
ング封止が可能な２００℃よりも遥かに高温の箇所にお
いて、信頼性の高い気密封止を行う技術が求められてい
た。この場合に必要とされる気密状態は、Ｈｅリークで
少なくとも１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満であり、更に望
ましくは１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓ未満が求められてい
る。
【００１０】一般に、電子部品においては、セラミック
スと金属端子を接合したり、気密封止したりすることが
行われている。具体的には、セラミックスをＷメタライ
ズした後にＮｉメッキやＡｕメッキして、Ａｇ−Ｃｕ系
のロウ材でロウ付けしたり、Ｔｉ−Ｃｕ−Ａｇ等の活性
金属を用いて接合したりして、セラミックスと金属を気
密封止している。しかし、半導体製造装置や液晶製造装
置においては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕは極微量でも製品に対
する不純物としても嫌われるため、封止用の材料として
も全く使用することは許されない。
スと金属端子を接合したり、気密封止したりすることが
行われている。具体的には、セラミックスをＷメタライ
ズした後にＮｉメッキやＡｕメッキして、Ａｇ−Ｃｕ系
のロウ材でロウ付けしたり、Ｔｉ−Ｃｕ−Ａｇ等の活性
金属を用いて接合したりして、セラミックスと金属を気
密封止している。しかし、半導体製造装置や液晶製造装
置においては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕは極微量でも製品に対
する不純物としても嫌われるため、封止用の材料として
も全く使用することは許されない。
【００１１】また、ガラス封止も用いられ、セラミック
スと金属の接合部をガラスで肉盛りしたり又はメニスカ
スを形成したりして接合がなされていた。しかしなが
ら、このようなガラス封止は、電子部品のような精々数
ｍｍのリードフレーム接合や、数ｍｍ角程度のパッケー
ジ封止が限界であった。しかも、半導体製造装置や液晶
製造装置のチャンバーでは腐食ガスに対してガラスが剥
き出しになるため、ガラス封止の耐久性に問題があっ
た。
スと金属の接合部をガラスで肉盛りしたり又はメニスカ
スを形成したりして接合がなされていた。しかしなが
ら、このようなガラス封止は、電子部品のような精々数
ｍｍのリードフレーム接合や、数ｍｍ角程度のパッケー
ジ封止が限界であった。しかも、半導体製造装置や液晶
製造装置のチャンバーでは腐食ガスに対してガラスが剥
き出しになるため、ガラス封止の耐久性に問題があっ
た。
【００１２】本発明は、このような従来の事情に鑑み、
Ｏ−リングでは耐えられない２００℃を超えるような高
温に曝される部分においても、セラミックスと金属の間
を気密に接合することができ、特に半導体製造装置や液
晶製造装置のチャンバーで使用される部品等の大型の装
置部品への適用が可能な、セラミックスと金属の気密接
合構造を提供することを目的とする。
Ｏ−リングでは耐えられない２００℃を超えるような高
温に曝される部分においても、セラミックスと金属の間
を気密に接合することができ、特に半導体製造装置や液
晶製造装置のチャンバーで使用される部品等の大型の装
置部品への適用が可能な、セラミックスと金属の気密接
合構造を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供するセラミックスと金属の気密接合構
造は、セラミックス部材に形成された溝内に金属板の一
端が挿入され、金属板の挿入部の少なくとも一部を包み
込むように溝内にガラスが充填されることによって、セ
ラミックス部材と金属板との間が気密に接合されている
ことを特徴とするものである。
め、本発明が提供するセラミックスと金属の気密接合構
造は、セラミックス部材に形成された溝内に金属板の一
端が挿入され、金属板の挿入部の少なくとも一部を包み
込むように溝内にガラスが充填されることによって、セ
ラミックス部材と金属板との間が気密に接合されている
ことを特徴とするものである。
【００１４】また、本発明は、上記セラミックスと金属
の気密接合構造において、前記セラミックスとガラスの
熱膨張率の差が５×１０−６／℃以下であることを特徴
とするものである。
の気密接合構造において、前記セラミックスとガラスの
熱膨張率の差が５×１０−６／℃以下であることを特徴
とするものである。
【００１５】更に、本発明においては、前記ガラスが結
晶化ガラスであることを特徴とする。前記セラミックス
部材は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
酸化アルミニウムから選ばれた材料で構成されることを
特徴とする。前記金属板は、タングステン若しくはモリ
ブデン、又はそれらの金属にメッキ処理を施した材料で
構成されることを特徴とする。
晶化ガラスであることを特徴とする。前記セラミックス
部材は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、
酸化アルミニウムから選ばれた材料で構成されることを
特徴とする。前記金属板は、タングステン若しくはモリ
ブデン、又はそれらの金属にメッキ処理を施した材料で
構成されることを特徴とする。
【００１６】本発明は、上記したセラミックスと金属の
気密接合構造を有することを特徴とする半導体製造装置
用又は液晶製造装置用の部品を提供するものである。
気密接合構造を有することを特徴とする半導体製造装置
用又は液晶製造装置用の部品を提供するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】半導体製造装置や液晶製造装置等
に用いることが可能な大型部品について、高温における
高信頼性の気密接合を行う場合、わずか一箇所でのリー
クも許されない。従って、小さな電子部品の接続の場合
と同様に、大型のセラミックス部材に金属板の端部を重
ねてガラスをその部分に肉盛りしたり、セラミックス部
材に金属板の端を垂直にあてがってガラスでメニスカス
を形成したりして接合しても、信頼性の高い気密接合を
得ることは難しい。
に用いることが可能な大型部品について、高温における
高信頼性の気密接合を行う場合、わずか一箇所でのリー
クも許されない。従って、小さな電子部品の接続の場合
と同様に、大型のセラミックス部材に金属板の端部を重
ねてガラスをその部分に肉盛りしたり、セラミックス部
材に金属板の端を垂直にあてがってガラスでメニスカス
を形成したりして接合しても、信頼性の高い気密接合を
得ることは難しい。
【００１８】本発明においては、大型のセラミックス部
材に溝を形成し、その溝の空間に金属板の一端を挿入す
ると共に、金属板の挿入部の少なくとも一部が、好まし
くは両平面、更には両側面や端面を含めた全表面が包み
込まれるように、溝の中をガラスで充填することによっ
て、信頼性の高い気密接合が達成できる。
材に溝を形成し、その溝の空間に金属板の一端を挿入す
ると共に、金属板の挿入部の少なくとも一部が、好まし
くは両平面、更には両側面や端面を含めた全表面が包み
込まれるように、溝の中をガラスで充填することによっ
て、信頼性の高い気密接合が達成できる。
【００１９】セラミックス部材に金属板の端を重ねてガ
ラスを肉盛りした場合は、金属板に押し付けの力が働い
たときはセラミックスの反作用で耐えることができる
が、引っ張りの力が働いたときには、肉盛りされている
全面ではなく、金属板とガラスの接合端部のラインに引
き剥がしの力が集中するため、その部分から徐々にガラ
スにクラックが導入されて容易に破壊が進行する。
ラスを肉盛りした場合は、金属板に押し付けの力が働い
たときはセラミックスの反作用で耐えることができる
が、引っ張りの力が働いたときには、肉盛りされている
全面ではなく、金属板とガラスの接合端部のラインに引
き剥がしの力が集中するため、その部分から徐々にガラ
スにクラックが導入されて容易に破壊が進行する。
【００２０】また、セラミックス部材に金属板の端を垂
直にあてがって、ガラスでメニスカスを形成して接合し
た場合は、金属板の平面に対して水平方向の応力には比
較的強いが、垂直方向の力が加わったときには、ガラス
のメニスカス端部の金属と接しているラインに引き剥が
しの力が集中するため、その部分から徐々にガラスにク
ラックが導入されて容易に破壊が進行する。
直にあてがって、ガラスでメニスカスを形成して接合し
た場合は、金属板の平面に対して水平方向の応力には比
較的強いが、垂直方向の力が加わったときには、ガラス
のメニスカス端部の金属と接しているラインに引き剥が
しの力が集中するため、その部分から徐々にガラスにク
ラックが導入されて容易に破壊が進行する。
【００２１】これに対して、本発明による気密接合の場
合には、金属板の平面に対し水平方向の応力が働いたと
きには、挿入された金属板のガラスで包み込まれた全面
で応力を受けるため破壊を受け難い。また、垂直方向に
応力が掛かっても、その力は金属板の反対側にあるガラ
スと溝を形成しているセラミックスで受ける。ガラスや
セラミックスは、引っ張り応力や引き剥がしの応力には
弱く容易にクラックが進展しやすいが、圧縮応力に対し
ては一般に一桁以上高い強度を示す。このような作用に
よって、信頼性の高い気密接合が得られるものと考えら
れる。
合には、金属板の平面に対し水平方向の応力が働いたと
きには、挿入された金属板のガラスで包み込まれた全面
で応力を受けるため破壊を受け難い。また、垂直方向に
応力が掛かっても、その力は金属板の反対側にあるガラ
スと溝を形成しているセラミックスで受ける。ガラスや
セラミックスは、引っ張り応力や引き剥がしの応力には
弱く容易にクラックが進展しやすいが、圧縮応力に対し
ては一般に一桁以上高い強度を示す。このような作用に
よって、信頼性の高い気密接合が得られるものと考えら
れる。
【００２２】セラミックス部材やガラスは接合後の冷却
過程で熱収縮するが、その熱収縮量の差が大きいとガラ
スやセラミックスに掛かる熱応力が増大し、ガラスにク
ラックが入りやすくなる。熱収縮量の差による熱応力を
抑制して、気密封止の信頼性を高めるため、使用するセ
ラミックスとガラスの熱膨張率の差を５×１０−６／℃
以下とすることが好ましい。
過程で熱収縮するが、その熱収縮量の差が大きいとガラ
スやセラミックスに掛かる熱応力が増大し、ガラスにク
ラックが入りやすくなる。熱収縮量の差による熱応力を
抑制して、気密封止の信頼性を高めるため、使用するセ
ラミックスとガラスの熱膨張率の差を５×１０−６／℃
以下とすることが好ましい。
【００２３】接合に用いるガラスとしては、従来から電
子部品等においてセラミックスや金属の接合に使用され
ている材料であって良いが、ガラスの強度を上げて更に
信頼性を上げるためには、結晶化ガラスを用いることが
好ましい。
子部品等においてセラミックスや金属の接合に使用され
ている材料であって良いが、ガラスの強度を上げて更に
信頼性を上げるためには、結晶化ガラスを用いることが
好ましい。
【００２４】セラミックス部材を構成するセラミックス
としては、耐熱性、耐食性、耐酸化性等を考慮すると、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アル
ミニウムから選ばれた材料であることが好ましい。
としては、耐熱性、耐食性、耐酸化性等を考慮すると、
窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アル
ミニウムから選ばれた材料であることが好ましい。
【００２５】金属板としては、耐熱性の高いこと、ガラ
スやセラミックスとの熱膨張率の差が小さいことが必要
であり、この点を考慮するとタングステン、モリブデン
であることが望ましい。また、耐食性や耐酸化性を高め
るために、それらの金属板にニッケル等のメッキ処理を
施すことが好ましい。
スやセラミックスとの熱膨張率の差が小さいことが必要
であり、この点を考慮するとタングステン、モリブデン
であることが望ましい。また、耐食性や耐酸化性を高め
るために、それらの金属板にニッケル等のメッキ処理を
施すことが好ましい。
【００２６】本発明の気密接合は、各種の大型の装置部
品に適用することができ、中でも半導体製造装置や液晶
製造装置等に用いる大型部品、例えば半導体ウエハを保
持するセラミックス製の保持体に適用して、反応チャン
バーとの間の気密封止を行うことができる。
品に適用することができ、中でも半導体製造装置や液晶
製造装置等に用いる大型部品、例えば半導体ウエハを保
持するセラミックス製の保持体に適用して、反応チャン
バーとの間の気密封止を行うことができる。
【００２７】
【実施例】実施例１
窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤として０.５重量％
のイットリア（Ｙ２Ｏ ３）とバインダを添加して分散混
合した後、スプレードライにより造粒した。この造粒粉
末を冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により成形加工して、
焼結後の寸法が、外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ
５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍ
ｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢになるように成形した。こ
れらの成形体を温度８００℃の窒素ガス気流中で脱脂
し、温度１９００℃で６時間焼結した。得られた焼結体
パイプＡ、Ｂの両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
のイットリア（Ｙ２Ｏ ３）とバインダを添加して分散混
合した後、スプレードライにより造粒した。この造粒粉
末を冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により成形加工して、
焼結後の寸法が、外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ
５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍ
ｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢになるように成形した。こ
れらの成形体を温度８００℃の窒素ガス気流中で脱脂
し、温度１９００℃で６時間焼結した。得られた焼結体
パイプＡ、Ｂの両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
【００２８】次に、図１に示すように、パイプＡの一端
を外径９０ｍｍに研摩し、この一端小径部１に外径２０
０ｍｍ、内径９０ｍｍ、厚み１ｍｍのドーナツ状のＷリ
ング２を挿入し後、更にパイプＢを差し込んだ。その
際、図２に示すように、パイプＡとパイプＢの間に形成
された溝の中に、Ｗリング２の両平面を包み込むように
ガラス粉末を充填して９００℃で溶融させ、ガラス３に
より封止した。使用したガラスは、軟化点が８５０℃
で、熱膨張率が４.５×１０−６／℃である。尚、窒化
アルミニウムの熱膨張率は４.５×１０−６／℃であ
り、カラスとの熱膨張率の差はゼロである。
を外径９０ｍｍに研摩し、この一端小径部１に外径２０
０ｍｍ、内径９０ｍｍ、厚み１ｍｍのドーナツ状のＷリ
ング２を挿入し後、更にパイプＢを差し込んだ。その
際、図２に示すように、パイプＡとパイプＢの間に形成
された溝の中に、Ｗリング２の両平面を包み込むように
ガラス粉末を充填して９００℃で溶融させ、ガラス３に
より封止した。使用したガラスは、軟化点が８５０℃
で、熱膨張率が４.５×１０−６／℃である。尚、窒化
アルミニウムの熱膨張率は４.５×１０−６／℃であ
り、カラスとの熱膨張率の差はゼロである。
【００２９】このようにして得られた部品の接合部につ
いて、８００℃に加熱した状態で気密試験を実施したと
ころ、Ｈｅリーク量は２.４×１０−１０Ｐａ・ｍ３／
ｓで、目標の１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成でき、
全く問題無かった。
いて、８００℃に加熱した状態で気密試験を実施したと
ころ、Ｈｅリーク量は２.４×１０−１０Ｐａ・ｍ３／
ｓで、目標の１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成でき、
全く問題無かった。
【００３０】比較例１
図３に示すように、実施例１と同じ方法で外径１００ｍ
ｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍの窒化アルミニウム製
のパイプＡを作製し、このパイプＡの一端部に外径２０
０ｍｍ、内径１００ｍｍ、厚み１ｍｍのドーナツ状のＷ
リング２を差し込んだ。次に、図４に示すように、実施
例１と同じガラス粉末を用い、９００℃で接合部にガラ
ス３ａのメニスカスを形成して封止した。
ｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍの窒化アルミニウム製
のパイプＡを作製し、このパイプＡの一端部に外径２０
０ｍｍ、内径１００ｍｍ、厚み１ｍｍのドーナツ状のＷ
リング２を差し込んだ。次に、図４に示すように、実施
例１と同じガラス粉末を用い、９００℃で接合部にガラ
ス３ａのメニスカスを形成して封止した。
【００３１】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は２.０×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓであり、目標の
１０ −８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成できなかった。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は２.０×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓであり、目標の
１０ −８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成できなかった。
【００３２】比較例２
図５に示すように、実施例１と同じ方法で外径１００ｍ
ｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍの窒化アルミニウム製
のパイプＡを作製し、このパイプＡの一端部に外径２０
０ｍｍ、内径１００ｍｍ、厚み１ｍｍのドーナツ状で、
内周縁に内径１００ｍｍの円筒部５を直角方向に形成し
たＭｏリング４を差し込んだ。次に、図６に示すよう
に、実施例１と同じガラス粉末を用いて肉盛りし、９０
０℃で溶融させて封止した。
ｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍの窒化アルミニウム製
のパイプＡを作製し、このパイプＡの一端部に外径２０
０ｍｍ、内径１００ｍｍ、厚み１ｍｍのドーナツ状で、
内周縁に内径１００ｍｍの円筒部５を直角方向に形成し
たＭｏリング４を差し込んだ。次に、図６に示すよう
に、実施例１と同じガラス粉末を用いて肉盛りし、９０
０℃で溶融させて封止した。
【００３３】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.５×１０−７Ｐａ・ｍ３／ｓであり、目標の
１０ −８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成できなかった。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.５×１０−７Ｐａ・ｍ３／ｓであり、目標の
１０ −８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成できなかった。
【００３４】実施例２
実施例１と同じ方法で、外径１００ｍｍ、内径８０ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして７.０×１０−６／℃の熱膨張率のガラ
スを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化アル
ミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの熱
膨張率の差は２.５×１０−６／℃である。
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして７.０×１０−６／℃の熱膨張率のガラ
スを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化アル
ミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの熱
膨張率の差は２.５×１０−６／℃である。
【００３５】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は６.７×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成でき、全く問題無かっ
た。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は６.７×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成でき、全く問題無かっ
た。
【００３６】実施例３
実施例１と同じ方法で、外径１００ｍｍ、内径８０ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして９.０×１０−６／℃の熱膨張率のガラ
スを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化アル
ミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの熱
膨張率の差は４.５×１０−６／℃である。
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして９.０×１０−６／℃の熱膨張率のガラ
スを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化アル
ミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの熱
膨張率の差は４.５×１０−６／℃である。
【００３７】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は９.５×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成でき、全く問題無かっ
た。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は９.５×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成でき、全く問題無かっ
た。
【００３８】実施例４
実施例１と同じ方法で、外径１００ｍｍ、内径８０ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして１０.０×１０−６／℃の熱膨張率のガ
ラスを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化ア
ルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷ
リングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの
熱膨張率の差は５.５×１０−６／℃である。
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして１０.０×１０−６／℃の熱膨張率のガ
ラスを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化ア
ルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷ
リングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの
熱膨張率の差は５.５×１０−６／℃である。
【００３９】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.５×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１０
−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができた。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.５×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１０
−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができた。
【００４０】実施例５
実施例１と同じ方法で、外径１００ｍｍ、内径８０ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして１２.０×１０−６／℃の熱膨張率のガ
ラスを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化ア
ルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷ
リングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの
熱膨張率の差は７.５×１０−６／℃である。
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして１２.０×１０−６／℃の熱膨張率のガ
ラスを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒化ア
ルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷ
リングを封止した。尚、窒化アルミニウムとカラスとの
熱膨張率の差は７.５×１０−６／℃である。
【００４１】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は９.７×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１０
−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができた。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は９.７×１０−９Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１０
−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができた。
【００４２】実施例６
実施例１と同じ方法で、外径１００ｍｍ、内径８０ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして１２.０×１０−６／℃の熱膨張率の結
晶化ガラスを用いた以外は実施例１と同じ方法により、
窒化アルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝
内にＷリングを封止した。尚、窒化アルミニウムと結晶
化カラスとの熱膨張率の差は７.５×１０−６／℃であ
る。
ｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡと、外径１００ｍｍ、内径
９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパイプＢを作製した。封止用
のガラスとして１２.０×１０−６／℃の熱膨張率の結
晶化ガラスを用いた以外は実施例１と同じ方法により、
窒化アルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝
内にＷリングを封止した。尚、窒化アルミニウムと結晶
化カラスとの熱膨張率の差は７.５×１０−６／℃であ
る。
【００４３】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.６×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.６×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
【００４４】実施例７
窒化ケイ素粉末に、焼結助剤として３重量％のイットリ
ア（Ｙ２Ｏ３）と２重量％のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を
加え、更にバインダを添加して分散混合し、スプレード
ライにより造粒した。この造粒粉末の成形体を温度８０
０℃の窒素ガス気流中で脱脂し、窒素気流中において温
度１６５０℃で４時間焼結した。得られた焼結体パイプ
の両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
ア（Ｙ２Ｏ３）と２重量％のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を
加え、更にバインダを添加して分散混合し、スプレード
ライにより造粒した。この造粒粉末の成形体を温度８０
０℃の窒素ガス気流中で脱脂し、窒素気流中において温
度１６５０℃で４時間焼結した。得られた焼結体パイプ
の両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
【００４５】このようにして得られた窒化ケイ素製で、
外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍのパイプ
Ａと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０ｍｍの
パイプＢを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒
化ケイ素製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、窒化ケイ素の熱膨張率は３.５×
１０−６／℃であり、カラスとの熱膨張率の差は１×１
０−６／℃である。
外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍのパイプ
Ａと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０ｍｍの
パイプＢを用いた以外は実施例１と同じ方法により、窒
化ケイ素製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、窒化ケイ素の熱膨張率は３.５×
１０−６／℃であり、カラスとの熱膨張率の差は１×１
０−６／℃である。
【００４６】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は５.３×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
【００４７】実施例８
炭化ケイ素粉末に、焼結助剤として２重量％の炭化ホウ
素（Ｂ４Ｃ）と１重量％のカーボン（Ｃ）を加え、更に
バインダを添加して分散混合し、スプレードライにより
造粒した。この造粒粉末の成形体を温度８００℃のアル
ゴンガス気流中で脱脂し、アルゴンガス気流中において
温度２００℃で７時間燒結した。得られた焼結体パイプ
の両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
素（Ｂ４Ｃ）と１重量％のカーボン（Ｃ）を加え、更に
バインダを添加して分散混合し、スプレードライにより
造粒した。この造粒粉末の成形体を温度８００℃のアル
ゴンガス気流中で脱脂し、アルゴンガス気流中において
温度２００℃で７時間燒結した。得られた焼結体パイプ
の両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
【００４８】このようにして得られた炭化ケイ素製で、
外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍのパイプ
Ａと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０ｍｍの
パイプＢを用いた以外は実施例１と同じ方法により、炭
化ケイ素製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、炭化ケイ素の熱膨張率は３.５×
１０−６／℃であり、カラスとの熱膨張率の差は１×１
０−６／℃である。
外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍのパイプ
Ａと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０ｍｍの
パイプＢを用いた以外は実施例１と同じ方法により、炭
化ケイ素製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリ
ングを封止した。尚、炭化ケイ素の熱膨張率は３.５×
１０−６／℃であり、カラスとの熱膨張率の差は１×１
０−６／℃である。
【００４９】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は４.８×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は４.８×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
【００５０】実施例９
酸化アルミニウム粉末に、焼結助剤として２重量％のマ
グネシア（ＭｇＯ）を加え、更にバインダを添加して分
散混合して、スプレードライにより造粒した。この造粒
粉末の成形体を温度７００℃の大気ガス気流中で脱脂
し、大気中温度１５００℃で３時間焼結した。得られた
焼結体パイプの両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
グネシア（ＭｇＯ）を加え、更にバインダを添加して分
散混合して、スプレードライにより造粒した。この造粒
粉末の成形体を温度７００℃の大気ガス気流中で脱脂
し、大気中温度１５００℃で３時間焼結した。得られた
焼結体パイプの両端面をダイヤモンド砥粒で研磨した。
【００５１】このようにして得られた酸化アルミニウム
製で、外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍの
パイプＡと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０
ｍｍのパイプＢを用いた以外は実施例１と同じ方法によ
り、酸化アルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成し
た溝内にＷリングを封止した。尚、酸化アルミニウムの
熱膨張率は７.５×１０−６／℃であり、カラスとの熱
膨張率の差は３×１０ −６／℃である。
製で、外径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍの
パイプＡと、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０
ｍｍのパイプＢを用いた以外は実施例１と同じ方法によ
り、酸化アルミニウム製のパイプＡとパイプＢで形成し
た溝内にＷリングを封止した。尚、酸化アルミニウムの
熱膨張率は７.５×１０−６／℃であり、カラスとの熱
膨張率の差は３×１０ −６／℃である。
【００５２】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は８.８×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は８.８×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
【００５３】実施例１０
実施例１と同じ方法により、窒化アルミニウム製で、外
径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡ
と、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパ
イプＢを作製した。Ｗリングの表面にＮｉメッキを２μ
ｍ施した以外は実施例１と同じ方法により、窒化アルミ
ニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリン
グを封止した。
径１００ｍｍ、内径８０ｍｍ、長さ５０ｍｍのパイプＡ
と、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１０ｍｍのパ
イプＢを作製した。Ｗリングの表面にＮｉメッキを２μ
ｍ施した以外は実施例１と同じ方法により、窒化アルミ
ニウム製のパイプＡとパイプＢで形成した溝内にＷリン
グを封止した。
【００５４】得られた部品の接合部について、８００℃
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は１.５×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
に加熱した状態で気密試験を実施したところ、Ｈｅリー
ク量は１.５×１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓで、目標の１
０− ８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満を達成することができ、全く
問題無かった。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、Ｏ−リングでは耐えら
れない２００℃を超えるような高温に曝される部分にお
いても、大型のセラミックス部材と金属板の間で信頼性
の高い気密封止が得られる気密接合構造を提供すること
ができる。このセラミックスと金属の気密接合構造は、
大型の装置部品、特に半導体製造装置や液晶製造装置等
で使用される部品に適用することができる。
れない２００℃を超えるような高温に曝される部分にお
いても、大型のセラミックス部材と金属板の間で信頼性
の高い気密封止が得られる気密接合構造を提供すること
ができる。このセラミックスと金属の気密接合構造は、
大型の装置部品、特に半導体製造装置や液晶製造装置等
で使用される部品に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１による気密接合に用いる各部
材を示す要部の断面図である。
材を示す要部の断面図である。
【図２】本発明の実施例１による気密接合構造を示す要
部の断面図である。
部の断面図である。
【図３】比較例１の気密接合に用いる各部材を示す要部
の断面図である。
の断面図である。
【図４】比較例１による気密接合構造を示す要部の断面
図である。
図である。
【図５】比較例２による気密接合に用いる各部材を示す
要部の断面図である。
要部の断面図である。
【図６】比較例２による気密接合構造を示す要部の断面
図である。
図である。
Ａ、Ｂ パイプ
１ 一端小径部
２ Ｗリング
３、３ａ、３ｂ ガラス
４ Ｍｏリング
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 仲田 博彦
兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友
電気工業株式会社伊丹製作所内
Ｆターム(参考） 4G026 BA03 BA14 BA16 BA17 BB21
BC02 BD02 BF02 BF31 BG02
BG30 BH06
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミックス部材に形成された溝内に金
属板の一端が挿入され、金属板の挿入部の少なくとも一
部を包み込むように溝内にガラスが充填されることによ
って、セラミックス部材と金属板との間が気密に接合さ
れていることを特徴とするセラミックスと金属の気密接
合構造。 - 【請求項２】 前記セラミックスとガラスの熱膨張率の
差が５×１０−６／℃以下であることを特徴とする、請
求項１に記載のセラミックスと金属の気密接合構造。 - 【請求項３】 前記ガラスが結晶化ガラスであることを
特徴とする、請求項１又は２に記載のセラミックスと金
属の気密接合構造。 - 【請求項４】 前記セラミックス部材が窒化アルミニウ
ム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウムから選
ばれた材料で構成されることを特徴とする、請求項1〜
３のいずれかに記載のセラミックスと金属の気密接合構
造。 - 【請求項５】 前記金属板がタングステン若しくはモリ
ブデン、又はそれらの金属にメッキ処理を施した材料で
構成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか
に記載のセラミックスと金属の気密接合構造。 - 【請求項６】 請求項１〜５に記載の気密接合構造を有
することを特徴とする半導体製造装置用又は液晶製造装
置用の部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052593A JP3941542B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | セラミックスと金属の気密接合構造及び該構造を有する装置部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002052593A JP3941542B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | セラミックスと金属の気密接合構造及び該構造を有する装置部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003252687A true JP2003252687A (ja) | 2003-09-10 |
| JP3941542B2 JP3941542B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=28664246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002052593A Expired - Fee Related JP3941542B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | セラミックスと金属の気密接合構造及び該構造を有する装置部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3941542B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108010825A (zh) * | 2017-12-31 | 2018-05-08 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种陶瓷圆顶射频窗及磁控管 |
| JP2019023158A (ja) * | 2012-03-22 | 2019-02-14 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 長尺チューブ構造体 |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002052593A patent/JP3941542B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019023158A (ja) * | 2012-03-22 | 2019-02-14 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド | 長尺チューブ構造体 |
| CN108010825A (zh) * | 2017-12-31 | 2018-05-08 | 中国电子科技集团公司第十二研究所 | 一种陶瓷圆顶射频窗及磁控管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3941542B2 (ja) | 2007-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI308366B (ja) | ||
| JP3840990B2 (ja) | 半導体／液晶製造装置 | |
| JP2000044345A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装置 | |
| KR20190064679A (ko) | 금속 본딩된 보호 층을 갖는 기판 지지 조립체 | |
| JPH10273370A (ja) | 窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体、窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体の製造方法及び接合剤 | |
| JP2007051317A (ja) | 加熱装置 | |
| EP3371881B1 (en) | Electrostatic chuck for clamping in high temperature semiconductor processing and method of making the same | |
| TWI289321B (en) | Holding body for semiconductor manufacturing apparatus | |
| JPH11157953A (ja) | セラミックスと金属との構造体及びそれを用いた静電チャック装置 | |
| US7414823B2 (en) | Holder for use in semiconductor or liquid-crystal manufacturing device and semiconductor or liquid-crystal manufacturing device in which the holder is installed | |
| JP2008042140A (ja) | 静電チャック装置 | |
| TWI248130B (en) | Semiconductor or liquid crystal manufacturing apparatus | |
| JP2003289024A (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプターの支持部材 | |
| JP2003252687A (ja) | セラミックスと金属の気密接合構造及び該構造を有する装置部品 | |
| JP2006045059A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体、耐蝕性部材、金属埋設品および半導体保持装置 | |
| JP4446430B2 (ja) | 高圧放電灯用発光容器 | |
| JP3545866B2 (ja) | ウェハ保持装置 | |
| KR102406136B1 (ko) | 웨이퍼 유지체 | |
| JP4556389B2 (ja) | セラミックス−金属複合体の接合体及び接合方法ならびに該接合体を用いた半導体あるいは液晶製造装置 | |
| JP3861714B2 (ja) | セラミックスヒータ及び該ヒータを用いた半導体／液晶製造装置 | |
| JPH08162519A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| JP2006302884A (ja) | セラミックスヒータ及び該ヒータを用いた半導体／液晶製造装置 | |
| JPH11171659A (ja) | 窒化アルミニウム質セラミックスの接合方法 | |
| JP2007317756A (ja) | 半導体製造装置用ウエハ保持体とその製造方法及び半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20040720 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20061129 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070201 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070313 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20070326 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100413 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110413 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |