JP2003249733A

JP2003249733A - プリント配線板

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Publication number: JP2003249733A
Application number: JP2002047997A
Authority: JP
Inventors: Kimiteru Tagawa; 公照田川; Ichiro Nakayama; 一郎中山; Koichi Yabuuchi; 広一藪内; Yoshito Uehara; 義人上原
Original assignee: PURINTEKKU KK; Mitsui Chemicals Inc
Current assignee: PURINTEKKU KK; Mitsui Chemicals Inc
Priority date: 2002-02-25
Filing date: 2002-02-25
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】表層部の導電線路の高周波での減衰量が小さい
プリント配線板を提供する。【解決手段】誘電体層１１と誘電体層１１の表層部に設
けられた導電線路２０とを備えるプリント配線板１であ
って、導電線路２０が、下地のＣｕ配線と、Ａｌ、Ａｇ
およびＡｕからなる群より選ばれる１以上の金属からな
る表層部１６とを備える。また、誘電体層１１が、シリ
カ粒子と、ガラスクロスと、ポリブタジエン、ポリイソ
プレン、ブタジエンを含む共重合体およびイソプレンを
含む共重合体からなる群より選ばれる１以上の高分子
と、を含有する組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板に
関し、特に、電子機器の実装に用いられるプリント配線
板に関し、さらには、高速伝送性、高周波特性に優れた
プリント配線板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、インターネット、ＬＡＮ等のＩＴ
関連の技術革新に伴い、光通信、携帯電話等のデジタル
無線通信、デジタル衛星放送等の通信ネットワークが利
用されている。これらの通信では、多量のデータが送受
信される関係上、使用される電子機器に対し、周波数の
高周波化が求められることとなる。通信に利用される電
子機器は多岐に及び、ネットワークに使用される交換
機、ルーター、サーバー等、携帯電話等の無線関連で
は、基地局に使用されるアンテナ、アンプ等、衛星放送
の受信に使用されるＬＮＢ（ローノイズブロック）等が
挙げられる。これらの電子機器の高周波化に伴い、電子
機器に使用されるプリント配線板に対しても優れた高周
波特性が望まれている。

【０００３】従来、プリント配線板には、ガラスクロス
にエポキシ樹脂を含浸した材料（通称ＦＲ４、以下ＦＲ
４と記載する）が誘電体層として用いられてきた。ＦＲ
４の両面に銅箔を張り合わせた両面基材（通称コア材、
以下コア材と記載する）とＦＲ４の樹脂をＢステージの
状態としたもの（通称プリプレグ、以下プリプレグと記
載する）を基本材料として使用している。

【０００４】コア材を使用し、ＮＣ穴あけを行い、銅メ
ッキを行いスルーホールを形成する。その後、両面の導
電層の表面に感光性樹脂層を形成し、フォトマスクを使
用し、露光・現像・エッチング・剥離を行い回路パター
ン形成を行う。その後、配線部の酸化防止の為にソルダ
ーレジスト塗布、および端子部の酸化防止の為にＮｉ−
Ａｕメッキを行うプロセスにより製造される両面プリン
ト配線板が使用されている。

【０００５】また、コア材を使用し、両面に回路パター
ンを形成する。導電層の表面を黒化処理により酸化防止
皮膜を形成する。得られた基材をプリプレグを介して加
熱プレスにより加熱圧着し、多層シールド板を形成す
る。その後ＮＣ穴あけを行い、銅メッキを行いスルーホ
ールを形成する。その後、両面板同様に回路形成を行
い、外層部の配線部の酸化防止の為にソルダーレジスト
塗布および端子部の参加防止の為に、Ｎｉ−Ａｕメッキ
を行うプロセスにより製造される多層プリント配線板が
使用されている。

【０００６】このような方法により製造されるプリント
配線板は、電子機器への実装性、環境・薬品の耐久性、
機械的強度に優れていることから電子機器業界で広く用
いられている。

【０００７】しかしながら、このようなプリント配線板
は、１ＧＨｚ未満の低周波の電子機器では、導電線路の
減衰量も少なく、好適に使用可能であるが、１ＧＨｚ以
上の高周波の領域では、導電線路の減衰量が大きく、高
周波の電子機器に使用した場合、効率よく使用すること
が出来ないプリント配線板となっていた。

【０００８】更に詳細には、該従来のプリント配線板の
表層部の導電線路の減衰率は、４５ＭＨｚ以上、２６Ｇ
Ｈｚ以下の周波数範囲で、０．０５ｄＢ／ｃｍ・ＧＨｚ
程度であり、１ＧＨｚ未満の周波数で使用した場合は、
例えば１０ｃｍの配線長で５００ＭＨｚの周波数では、
０．２５ｄＢ程度の減衰量である良好な伝送特性が得ら
れるが、１ＧＨｚ以上の周波数、例えば、１０ｃmの配
線長で１０ＧＨｚの周波数では、５ｄＢの大きな減衰が
あり、信号の伝送の低下を改善する必要性があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、表層部の導電線路の高周波での減衰量が小さい
プリント配線板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、本発明者ら
が、プリント配線板の材料、プリント配線板の製造方法
等につき、高周波の伝送特性の測定により鋭意研究した
結果、得られた成果である。

【００１１】本発明によれば、誘電体層と前記誘電体層
の表層部に設けられた導電線路とを備えるプリント配線
板であって、前記導電線路が、下地のＣｕ配線と、Ａ
ｌ、ＡｇおよびＡｕからなる群より選ばれる１以上の金
属からなる表層部とを備え、Ｎｉ層を備えていないこと
を特徴とするプリント配線板が提供される。

【００１２】好ましくは、前記誘電体層が、シリカ粒子
と、ガラスクロスと、ポリブタジエン、ポリイソプレ
ン、ブタジエンを含む共重合体およびイソプレンを含む
共重合体からなる群より選ばれる１以上の高分子とを含
有する組成物である。

【００１３】ポリブタジエン、ポリイソプレン、ブタジ
エンを含む共重合体およびイソプレンを含む共重合体か
らなる群より選ばれる１以上の高分子は、樹脂全体を基
準として、５０重量％以上、好ましくは７０重量％以
上、更に好ましくは９０重量％以上である。また、シリ
カ粒子を、誘電体層全体を基準として５〜６０体積％、
ガラスクロスを、誘電体層全体を基準として１０〜４０
体積％含有する組成物が好ましく使用できる。

【００１４】なお、ポリブタジエン、ポリイソプレン、
ブタジエンを含む共重合体およびイソプレンを含む共重
合体からなる群より選ばれる１以上の高分子は、好まし
くは、ポリブタジエンおよびポリイソプレンの少なくと
も一つと、ブタジエンを含む共重合体およびイソプレン
を含む共重合体の少なくとも一つとを含有する。

【００１５】また、ポリブタジエン、ポリイソプレン、
ブタジエンを含む共重合体およびイソプレンを含む共重
合体からなる群より選ばれる１以上の高分子として、
１，２−ポリブタジエン、ポリイソプレン、スチレン−
ブタジエン−スチレンブロックコポリマーおよびスチレ
ン−イソプレン−スチレンブロックコポリマーからなる
群より選ばれる１以上の高分子が好ましく選択される。

【００１６】また、好ましくは、前記表層部の導電線路
が、周波数４５ＭＨｚ以上２６ＧＨｚ以下の範囲で、減
衰率が０．００８ｄＢ／ｃｍ・ＧＨｚ以上０．０１２ｄ
Ｂ／ｃｍ・ＧＨｚ以下の導電線路である。０．０１２ｄ
Ｂ／ｃｍ・ＧＨｚを超える減衰率では、１ＧＨｚ以上の
高周波の伝送特性が低下してしまい電子機器の性能が低
下する。

【００１７】また、好ましくは、前記導電線路に接触す
る前記誘電体層が、周波数２．４ＧＨｚ以上６０ＧＨｚ
以下の範囲で、誘電率が３．０、誘電正接が０．００１
以上、誘電率が４．０、誘電正接が０．００５以下であ
る。誘電率４．０、誘電正接０．００５を超える範囲で
は、高周波の伝送特性が低下してしまい電子機器の特性
が低下する。

【００１８】また、好ましくは、前記導電線路の表層部
に有機防錆剤が被覆されている。

【００１９】本発明の好ましい形態を更に詳細に説明す
る。本発明の表層部の導電線路の形態のは制限はない
が、単純なマイクロストリップ線路またはコプレナーマ
イクロストリップ線路が好ましい。導体厚みおよび幅
は、インピーダンス値から決定されるが、厚み１μｍ以
上２００μｍ以下、幅１μｍ以上１０ｍｍ以下が好まし
い。厚み５μｍ以上１００μｍ以下、幅５μｍ以上２０
００μｍ以下が更に好ましい。幅、厚み１μｍ未満で
は、プリント配線板の加工が困難であり、厚み２００μ
ｍ、幅１０ｍｍを超える場合は実用的な意味がない。

【００２０】導電線路の表層部には、ソルダーレジスト
等の樹脂層を形成することは好ましくない。導電線路上
に誘電率の高い誘電体層が形成され、導電線路の電送特
性が低下することになる。

【００２１】導電線路に接合した表層部の誘電体層の厚
みは、インピーダンス値から決定されるが、１０μｍ以
上２０００μｍ以下が好ましい。１０μｍ未満は、製造
困難であり、２０００μｍを超える厚みは実用上意味が
ない。誘電体層に隣接する導電線路の反対面には、グラ
ンドの導体層を形成することが好ましい。また、コプレ
ナーマイクロストリップ線路の場合、および必要に応
じ、導電線路側に導電線路部以外にグランド層を設けた
場合は、スルーホールにより導電線路側のグランド層と
反対面のグランド層との接合を行うことが好ましい。ス
ルーホールの数は、１個／ｃｍ^２以上１０００個／ｃｍ
^２以下が好ましい。１個／ｃｍ^２以下では、導電線路の
伝送特性が低下し、１０００個／ｃｍ^２を超える数はプ
リント配線板での加工が困難である。グランド層の厚み
は、１μｍ以上、２０００μｍ以下が好ましい。１μｍ
以下は、製造が困難であり、２０００μｍ超える厚みは
実用上意味がない。

【００２２】

【発明の実施の形態】初めに、両面板の製造方法に従い
本発明の実施の形態を説明する。内面が誘電体層で両面
に導電層を有する基材（コア材）を用意する。誘電体層
は、周波数２．４ＧＨｚ以上６０ＧＨｚ以下の範囲で誘
電率３．０、誘電正接が０．００１以上、誘電率４．０
以下、誘電正接が０．００３以下の範囲であり、少なく
とも、酸化珪素粒子と、ガラスクロスと、ポリブタジエ
ン、ポリイソプレン、ブタジエンを含む共重合体および
イソプレンを含む共重合体からなる群より選ばれる１以
上の高分子とを含有する組成物である。また使用する導
電層は銅箔を使用することが好ましい。ＮＣ穴あけを行
った後、銅箔の表面に、Ｃｒ，Ｚｎ，Ｃｏ等の金属によ
り防錆処理がほどこされていることから、導電層表面を
塩酸により部分除去（通称ソフトエッチング、以下ソ
フトエッチングと記載する）して、これらＣｒ，Ｚｎ，
Ｃｏ等の金属を除去することが好ましい。ＮＣ穴あけの
数は、グランド層の接続部では、１個／ｃｍ^２以上、１
０００個／ｃｍ^２以下行うことが好ましい。次いで無電
解銅メッキ、電解銅メッキを行いスルーホールを形成す
る。銅メッキ厚みは、スルーホールでの断線を防止する
目的から、５μｍ以上、１００μｍ以下が好ましい。

【００２３】次いで回路形成の工程を行う。銅メッキを
行った該基材の両面に感光性樹脂を形成する。感光性樹
脂の形成方法は、感光性フィルム（通称ドライフィル
ム、以下ドライフィルムと記載する）をラミネ−タで張
り合わせる方法が好ましい。また、感光性樹脂液（通
称、液状パターンレジスト、以下液状パターンレジスト
と記載する）を塗布・乾燥して形成する方法も好まし
い。得られた基材をフォトマスクを使用して、露光機に
より感光性樹脂に回路形成パターンを露光し、感光性樹
脂を硬化する。ホトマスクとしては、銀塩写真印刷のマ
スクフィルムが好ましい。また、ガラスマスクも好まし
い。得られた基材をエッチングラインを通して、現像・
エッチング・樹脂剥離を行い導体層の回路形成すること
が好ましい。

【００２４】回路形成パターンとしては、少なくとも、
導電線路部とグランド部とを形成する。導電線路部とし
ては、マイクロストリップ線路乃至コプレナーマイクロ
ストリップ線路を形成することが好ましい。導電線路
は、入力信号に対する電圧定在波比（ＶＳＷＲ：Voltag
e Standing Wave Ratio）を低下するために、インピー
ダンス整合した配線幅、配線厚みに加工することが好ま
しい。ＶＳＷＲの範囲は、１．０１以上、１．２０以下
が好ましい。またインピーダンス整合精度としては、好
ましくは±１０％以内、更に好ましくは±５％以内、更
に好ましくは±２．５％以内とする。コプレナーマイク
ロストリップ線路のグランド層やマイクロストリップ線
路の場合の導電線路面にあるグランド層は、裏面のグラ
ンド層とスルーホールにより電気的に接続することが好
ましい。スルーホールの数は、周波数により変化する
が、１個／ｃｍ^２以上、１０００個／ｃｍ^２以下が好ま
しい。

【００２５】該回路を形成した基材に銅箔の酸化防止を
目的とした表面処理を実施する。導電線路の表層は、非
磁性金属の表面処理を行うことが必要である。金属とし
ては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕが好ましい。表面処理する金属
の厚みは、１ｎｍ以上、２０μｍ以下が好ましい。得ら
れた金属表面にレジストインク樹脂等の樹脂層を形成す
ることは好ましくない。しかしながら、酸化防止の強化
の為に、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の有機物の防錆皮
膜を形成することは好ましい。有機物の防錆材として
は、ロジン系防錆剤、イミダゾール系防錆剤が好まし
い。表面処理の実施方法に制限はないが、各金属の表面
処理手法を述べる。Ａｌの表面処理方法としては、導電
線路部以外をマスキングし、蒸着により表面処理を行う
ことが好ましい。Ａｇの表面処理方法としては、Ａｇメ
ッキ処理する方法が好ましい。また、Ａｕの表面処理方
法としては、無電解金メッキ、電解金メッキが好まし
い。

【００２６】次いで、多層板製造方法に従い本発明の実
施の形態を述べる。両面板と同様にコア材を用意する。
内層部の回路形成を両面板同様に実施する。外層の反対
面の配線パターンとしてグランド層を形成する。ついで
内層の表面処理を行う。内層の表面処理は、黒化処理、
黒化還元処理、マイクロエッチング処理、ＮＢＤ処理が
好ましい。ついで、プリプレグを使用し加熱プレスを行
い多層基材を作成する。プリプレグには、制限はない
が、ＦＲ−４、低誘電ガラスエポキシ樹脂が好ましい。
ついで、ＮＣ穴あけ行う。ＮＣ穴あけ数は、グランド部
の接続部では、１個／ｃｍ^２以上、１０００個／ｃｍ以
下が好ましい。ＮＣ穴あけを行った後、銅箔表面をソフ
トエッチングすることが好ましい。次いで無電解銅メッ
キ、電解銅メッキを行いスルーホールを形成する。銅メ
ッキの厚みは、５μｍ以上、１００μｍ以下が好まし
い。

【００２７】次いで外層の回路形成を行う。回路形成パ
ターンとしては、少なくとも、導電線路部を形成する。
導電線路部として、マイクロストリップ線路乃至コプレ
ナーマイクロストリップ線路を形成することが好まし
い。導電線路は、入力信号に対する電圧定在波比（ＶＳ
ＷＲ：Voltage Standing Wave Ratio）を低下するため
に、インピーダンス整合した配線幅、配線厚みに加工す
ることが好ましい。ＶＳＷＲの範囲は、１．０１以上、
１．２０以下が好ましい。またインピーダンス整合精度
としては、好ましくは±１０％以内、更に好ましくは±
５％以内、更に好ましくは±２．５％以内とする。コプ
レナーマイクロストリップ線路のグランド層やマイクロ
ストリップ線路の場合の導電線路面にあるグランド層
は、裏面のグランド層とスルーホールにより電気的に接
続することが好ましい。スルーホールの数は、周波数に
より変化するが、１個／ｃｍ^２以上、１０００個／ｃｍ
^２以下が好ましい。

【００２８】該回路を形成した基材に銅箔の酸化防止を
目的とした表面処理を実施する。導電線路の表層は、非
磁性金属の表面処理を行うことが必要である。金属とし
ては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕが好ましい。表面処理する金属
の厚みは、１ｎｍ以上、２０μｍ以下が好ましい。得ら
れた金属表面にレジストインク樹脂等の樹脂層を形成す
ることは好ましくない。しかしながら、酸化防止の強化
の為に、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の有機物の防錆皮
膜を形成することは好ましい。有機物の防錆剤として
は、ロジン系防錆剤、イミダゾール系防錆剤が好まし
い。表面処理の実施方法に制限はないが、各金属の表面
処理手法を述べる。Ａｌの表面処理方法としては、導電
線路部以外をマスキングし、蒸着により表面処理を行う
ことが好ましい。Ａｇの表面処理方法としては、Ａｇメ
ッキ処理する方法が好ましい。また、Ａｕの表面処理方
法としては、無電解金メッキ、電解金メッキが好まし
い。

【００２９】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
する。（実施例１）図１に示すように、板厚み０．５１ｍｍ、
基板サイズ４５７ｍｍ×６０９ｍｍ、銅箔厚み１８μｍ
のコア材を用意した。誘電体層１１の誘電率は、２．４
ＧＨｚ，４．０ＧＨｚ，１２ＧＨｚ，２４ＧＨｚ，６０
ＧＨｚで３．６、誘電正接は、２．４ＧＨｚ，４．０Ｇ
Ｈｚ，１２ＧＨｚ，２４ＧＨｚ，６０ＧＨｚで０．００
２〜０．００４である。測定方法として、２．４、４．
０、１２、２４ＧＨｚは空洞共振器法、６０ＧＨｚは、
進行波共振法で行った。また誘電体層１１としては、シ
リカ粒子５０体積％、ガラスクロス２５体積％、熱硬化
性樹脂２５体積％を含有する組成物で、熱硬化性樹脂
中、１，２−ポリブタジエンを７０重量％含有するもの
である。これに、スチレン−ブタジエン−スチレンブロ
ックポリマーを含有している。

【００３０】この基板に対しＮＣドリルにより穴あけを
行った。穴径は０．３ｍｍで、穴数はグランド部の接続
に使用するスルーホール用として、１０〜２０個／ｃｍ
^２であった。穴あけ後、バフ研磨、ソフトエッチングを
行った後、無電解銅メッキ、電解銅メッキによりスルー
ホール１４に銅メッキ１５を実施した。メッキの厚み
は、平均で２０μｍであった。メッキ後、バフ研磨を行
い、ラミネ−タでドライフィルム（サンフォートＡＱ−
３０５８：旭化成製）をラミネートした。その後、フォ
トマスクフィルムを使用し、ＵＶ露光機により露光し
た。エッチングラインを使用して、現像、エッチング、
樹脂剥離を行い回路形成した。回路パターンは、導電線
路をマイクロストリップライン２０とし、配線幅１１７
０μｍ、配線長２００ｍｍとし、反対面は、グランド部
１３とした。また、マイクロストリップライン２０が設
けられた導電線路面にもグランド部１２を設けた。回路
形成した基板の表面処理として、Ａｇメッキ１６を０．
２μｍ行った。Ａｇメッキは、スターリングプロセス
（ＭａｃＤｅｒｍｉｄ社）による置換銀メッキで実施し
た。出来たプリント配線板１のマイクロストリップライ
ンのインピーダンスを測定した結果、５０．５Ωであっ
た。計算により電圧低在波比（ＶＳＷＲ）を求めた結
果、１．０２であり、予想される反射ロスは０．９％と
低い値であった。出来たプリント配線板１を、信号発生
器、ネットワークアナライザーを使用して、４５ＭＨｚ
〜２６．５ＧＨｚの伝送特性を測定した結果、減衰率
が、０．０１０ｄＢ／ｃｍ・ＧＨｚであり良好な特性が
得られた。

【００３１】（参考例）実施例１同様のコア材を２枚用
意した。内層のグランド部の回路形成後、内層の表面処
理、マイクロエッチング処理（ＮＢＤ処理：エバラ製作
所製）を実施した。次いで、ＦＲ４の厚み０．１ｍｍの
プリプレグを使用して、熱板プレスにより熱圧着して４
層基材を作成した。０．３ｍｍのＮＣ穴あけを行った
後、バフ研磨、マイクロエッチング処理を行った。グラ
ンド部の接続に使用するスルーホールは、１０〜２０個
／ｃｍ^２であった。実施例１同様にスルーホールの銅メ
ッキを行い、また、外層のパターンを形成した。回路パ
ターンは、マイクロストリップラインとし、配線幅１１
７０μｍ、配線長２００ｍｍとした。金属の表面処理は
せず金属表面はＣｕとした。防錆剤としてイミダゾール
系（タフエースII、四国化成製）を使用した。出来たプ
リント配線板のマイクロストリップラインのインピーダ
ンスを測定した結果、第１層の導電線路が、５０．５Ω
で第４層の導電線路が、４９．５Ωであった。計算によ
り電圧低在波比（ＶＳＷＲ）を求めた結果、１．０２、
１．０２であり、予想される反射は、０．９％と０．９
％で低い値であった。できたプリント配線板を信号発生
器、スペクトラムアナライザーで伝送特性を測定した結
果、０．００９ｄＢ／ｃｍ・ＧＨｚであり、良好な特性
が得られた。

【００３２】（実施例２、３）表面処理をそれぞれＡｌ
蒸着、Ａｕメッキとした以外は、参考例と同様に製造し
た。得られた測定結果を表１に示す。

【００３３】（比較例１）実施例２と同様の回路形成し
た。得られたプリント配線板の導電線路の表面にＮｉ−
Ａｕメッキを実施した。Ｎｉのメッキ厚みは、８μｍで
あり、Ａｕのメッキメッキ厚みを０．０３μｍとした。
実施例１と同様に伝送特性を測定した結果、減衰率は、
０．０１３ｄＢ／ｃｍ・ＧＨｚであり、減衰率が大きい
結果となった。

【００３４】（実施例４）図２に示すように、導電線路
をコプレナーマイクロストリップラインとし、マイクロ
ストリップライン２０の配線幅を１１５０μｍ、隣接す
るグランド層２１までの距離を１１５０μｍとした以外
は実施例１と同様の方法で行った。導電線路の伝送特性
を測定した結果、減衰率は、０．００９ｄＢ／ｃｍ・Ｇ
Ｈｚであり、コプレナーストリップラインでも良好な結
果が得られた。

【００３５】以上の結果を表１にまとめて示す。

【表１】このことから、従来用いられているＮｉをなくすことに
より、減衰率を下げることができることがわかった。ま
た、下地のＣｕの酸化を防ぐためにＡｌ、Ａｇ、Ａｕの
いずれかを表層に設ける必要がある。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、表層部の導電線路の高
周波での減衰量が小さいプリント配線板が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１のプリント配線板を説明する
ための概略縦断面図である。

【図２】本発明の実施例５のプリント配線板を説明する
ための概略縦断面図である。

【符号の説明】

１…プリント配線板１１…誘電体層１２、１３…グランド部１４…スルーホール１５…銅メッキ１６…メッキ２０…マイクロストリップライン２１…グランド層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中山一郎神奈川県厚木市戸室五丁目32番１号株式会社プリンテック内 (72)発明者藪内広一千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三井化学株式会社内 (72)発明者上原義人千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三井化学株式会社内Ｆターム(参考） 4E351 AA02 AA06 BB01 BB23 BB24 BB29 BB35 CC06 DD04 DD05 DD06 DD10 GG07 5E314 AA21 BB06 BB10 BB11 BB12 CC01 DD08 FF05 FF17 GG01 5J014 AA02 CA02 CA33 CA53

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】誘電体層と前記誘電体層の表層部に設けら
れた導電線路とを備えるプリント配線板であって、前記導電線路が、下地のＣｕ配線と、Ａｌ、Ａｇおよび
Ａｕからなる群より選ばれる１以上の金属からなる表層
部とを備え、Ｎｉ層を備えていないことを特徴とするプ
リント配線板。
【請求項２】前記誘電体層が、シリカ粒子と、ガラスク
ロスと、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ブタジエン
を含む共重合体およびイソプレンを含む共重合体からな
る群より選ばれる１以上の高分子と、を含有する組成物
であることを特徴とする請求項１記載のプリント配線
板。
【請求項３】前記表層部の導電線路が、周波数４５ＭＨ
ｚ以上２６ＧＨｚ以下の範囲で、減衰率が０．００８ｄ
Ｂ／ｃｍ・ＧＨｚ以上０．０１２ｄＢ／ｃｍ・ＧＨｚ以
下の導電線路であることを特徴とする請求項１または２
記載のプリント配線板。
【請求項４】前記導電線路に接触する前記誘電体層が、
周波数２．４ＧＨｚ以上６０ＧＨｚ以下の範囲で、誘電
率が３．０、誘電正接が０．００１以上、誘電率が４．
０、誘電正接が０．００５以下であることを特徴とする
請求項１乃至３のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項５】前記導電線路の表層部に有機防錆剤が被覆
されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
に記載のプリント配線板。