JPH11307936A - 多層プリント配線板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コア基板に形成されるスルーホールを高密度
化することで、ビルドアップ層の層数を減らし得る多層
プリント配線板を提供する。 【解決手段】 表側のビルトアップ層９０Ａと裏側のビ
ルトアップ層９０Ｂとが、コア基板３０に形成されたス
ルーホール１６を介して接続されている。該スルーホー
ル１６には充填剤２２が充填され、該充填剤２２のスル
ーホール１６からの露出面を覆うように導体層２６ａが
形成されている。そして、該導体層２６ａに上層側のバ
イアホール６０が接続されている。ここで、導体層２６
ａを円形に形成することにより、スルーホール１６のラ
ンド形状を円形とし、コア基板に形成されるスルーホー
ルを高密度化することで、ビルドアップ層の層数を減ら
すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層プリント配
線板に関し、とくに、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互
に積層されたビルドアップ配線層が、コア基板の両面に
形成されてなる多層プリント配線板に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣチップを実装するパッケージ
基板は、電子工業の進歩に伴う電子機器の小型化あるい
は高速化に対応し、ファインパターンによる高密度化お
よび信頼性の高いものが求められている。このようなパ
ッケージ基板として、１９９７年．１月号の「表面実装
技術」やＰＣＴ／ＪＰ９６／０２６０８号には、多層コ
ア基板の両面にビルドアップ多層配線層が形成されたも
のが開示されている。

【０００３】上掲の従来技術に係るパッケージ基板で
は、多層コア基板内の導体層とビルドアップ配線層との
接続は、多層コア基板の表面にスルーホールから配線し
た内層パッドを設け、この内層パッドにバイアホールを
接続させて行っていた。即ち、図８（Ａ）に示すように
スルーホール２１６のランド２２６ａに上層へのバイア
ホール接続用の内層パッド２２６ｂを付加するか、或い
は、図８（Ｂ）に示すようにスルーホール２１６のラン
ド２２６ａに配線２２６ｃを介してバイアホール接続用
の内層パッド２２６ｂを連結していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８
（Ａ）又は図８（Ｂ）に示す従来技術のランド形状で
は、内層パッド相互の絶縁を保つためにスルーホール間
隔が７５０μｍを超えてしまい、これが、多層コア基板
へのスルーホールの形成数を制限していた。

【０００５】一方、パッケージ基板は、表面側の中央に
配設されたバンプにＩＣチップを載置し、裏側の全面に
形成されたバンプをマザーボードへ接続している。即
ち、パッケージ基板のビルドアップ配線層内では、各層
間樹脂絶縁層に形成される導体回路が基板の外周方向へ
引き回され、上記表面側の中央に配設されたバンプから
外周方向へ広がりながら裏面のバンプへ接続してる。

【０００６】また、パッケージ基板では、表面側のバン
プの数よりも裏面のバンプが多く形成されている。これ
は、裏面の複数のバンプからの配線が統合されながら表
面側のバンプへ接続されるためである。ここで、コア基
板の表側に形成されるビルドアップ配線層と、裏側に形
成されるビルドアップ配線層とで、同じペースで配線を
統合できることが、上層のビルドアップ配線層と下層の
ビルドアップ配線層との層数を等しく、即ち、層数を最
小にする上で望ましい。しかしながら、上述したように
多層コア基板に形成し得るスルーホールの数は制限され
る。このため、従来技術のパッケージ基板においては、
裏側のビルドアップ配線層において或る程度配線を統合
してから、多層コア基板のスルーホールを通して、表側
のビルドアップ配線層へ接続していた。即ち、表側のビ
ルドアップ配線層では、配線の密度が下がっているた
め、本来的に裏側のビルドアップ配線層と同じだけの層
数を必要としていない。しかし、表裏のビルドアップ配
線層の層数を異ならしめると、非対称性から反りが発生
するため、表裏の層数を同じにしていた。即ち、多層コ
ア基板に形成されるスルーホールの数が制限されるた
め、裏側のビルドアップ配線層の層数を増やさなければ
ならないのに加えて、該層数の増えた裏側と等しい層数
に表側のビルドアップ配線層を形成せねばならなかっ
た。

【０００７】即ち、従来技術の多層プリント配線板（パ
ッケージ基板）においては、ビルドアップ層の層数を増
やしている為、上下層の接続の信頼性が低下すると共
に、パッケージ基板のコストが上昇し、また、パッケー
ジ基板の厚みや重さが必要以上に大きくなってしまうと
いう問題があった。

【０００８】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、コア基
板に形成されるスルーホールを高密度化することで、ビ
ルドアップ層の層数を減らし得る多層プリント配線板を
提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、内層パッドを介してバイ
アホールとスルーホールを接続するのではなく、スルー
ホールを覆うように形成した導体層の上に直接バイアホ
ールを接続することを知見した。これにより、スルーホ
ールの形状を円形にでき、スルーホールの形成数を増や
すことができる。

【００１０】本発明の多層プリント配線板は、導体層を
有する多層コア基板の両面に、層間樹脂絶縁層と導体層
とが交互に積層されて各導体層間がバイアホールにて接
続されたビルドアップ配線層が形成されてなり、前記多
層コア基板には、ピッチ間隔が７００μｍ以下のスルー
ホールが複数形成され、そのスルーホールには充填剤が
充填されるとともに該充填剤のスルーホールからの露出
面を覆う導体層が形成されてなり、その導体層にはバイ
アホールが接続されていることを技術的特徴とする。な
お、本発明に係る上記多層プリント配線板において、ス
ルーホールに充填される充填剤は、金属粒子と、熱硬化
性または熱可塑性の樹脂からなることが好ましい。

【００１１】本発明の多層プリント配線板は、コア基板
に設けたスルーホールに充填剤が充填され、さらに、こ
の充填剤のスルーホールからの露出面を覆う導体層が形
成され、この導体層にバイアホールを接続させること
で、ビルドアップ配線層とスルーホールの接続を行う構
造とした点に特徴がある。このような本発明の構成によ
れば、スルーホール直上の領域を内層パッドとして機能
せしめることでデッドスペースが無くなり、しかも、ス
ルーホールからバイアホールに接続するための内層パッ
ドを配線する必要もないので、スルーホールのランド形
状を真円とすることができる。その結果、多層コア基板
中に設けられるスルーホールの配置密度が向上し、スル
ーホール数を増やすことができ、このスルーホールを介
して裏側のビルドアップ配線層の信号線を表面のビルド
アップ層に接続できるのである。

【００１２】それゆえ、導体回路の基板の外周への引き
回しを表面、裏面の両方のビルドアップ層で行うことが
できる。また、上述したように多層プリント配線板で
は、裏面の複数のバンプからの配線が統合されながら表
面側のバンプへ接続されるが、スルーホールを必要な密
度で形成することで、表側及び裏側に形成されるビルド
アップ配線層で同じペースで配線の統合を行えるため、
表側及び裏側に形成されるビルドアップ配線層の層数を
減らすことができるのである。前記スルーホールのピッ
チは７００μｍ以下が必要である。７００μｍ以下とす
ることにより、スルーホール数を？？？（個／基板）以
上にすることができ、信号線を確実に表面から裏面のビ
ルドアップ層へ接続できる。

【００１３】このような本発明の多層プリント配線板に
おいて、コア基板は多層化されていてもよい。この多層
コア基板は、導体層とプリプレグとを交互に積層して形
成される。例えば、ガラス繊維やアラミド繊維の布ある
いは不織布に樹脂を含浸させてＢステージとしたプリプ
レグを、銅箔や回路基板と交互に積層し、次いで、加熱
プレスして一体化することにより形成される。

【００１４】本発明の多層プリント配線板でスルーホー
ルに充填される充填剤は、金属粒子、熱硬化性の樹脂お
よび硬化剤からなるか、あるいは金属粒子および熱可塑
性の樹脂からなることが好ましく、必要に応じて溶剤を
添加してもよい。このような充填剤は、金属粒子が含ま
れていると、その表面を研磨することにより金属粒子が
露出し、この露出した金属粒子を介してその上に形成さ
れる導体層のめっき膜と一体化するため、ＰＣＴ（pres
sure cooker test）のような過酷な高温多湿条件下でも
導体層との界面で剥離が発生しにくくなる。また、この
充填剤は、壁面に金属膜が形成されたスルーホールに充
填されるので、金属イオンのマイグレーションが発生し
ない。

【００１５】金属粒子としては、銅、金、銀、アルミニ
ウム、ニッケル、チタン、クロム、すず／鉛、パラジウ
ム、プラチナなどが使用できる。なお、この金属粒子の
粒子径は、０．１〜５０μｍがよい。この理由は、０．
１μｍ未満であると、銅表面が酸化して樹脂に対する濡
れ性が悪くなり、一方、５０μｍを超えると、印刷性が
悪くなるからである。また、この金属粒子の配合量は、
全体量に対して３０〜９０ｗｔ％がよい。この理由は、
３０ｗｔ％より少ないと、フタめっきの密着性が悪くな
り、一方、９０ｗｔ％を超えると、印刷性が悪化するか
らである。

【００１６】使用される樹脂としては、ビスフェノール
Ａ型、ビスフェノールＦ型などのエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ビスマレイミドトリア
ジン（ＢＴ）樹脂、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＰＳ、ＰＥＮ、
ＰＥＳ、ナイロン、アラミド、ＰＥＥＫ、ＰＥＫＫ、Ｐ
ＥＴなどを使用できる。硬化剤としては、イミダゾール
系、フェノール系、アミン系などの硬化剤を使用でき
る。

【００１７】溶剤としては、ＮＭＰ（ノルマルメチルピ
ロリドン）、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチル
エーテル）、グリセリン、水、１一又は２−又は３−の
シクロヘキサノール、シクロへキサノン、メチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、ブタノール、プロパノールなどが使用できる。

【００１８】この充填剤は、非導電性であることが望ま
しい。非導電性の方が硬化収縮が小さく、導体層やバイ
アホールとの剥離が起こりにくいからである。

【００１９】本発明の多層プリント配線板では、充填剤
が充填されたスルーホールの内壁導体表面に粗化層が形
成されていることが望ましい。スルーホール内壁の導体
表面に粗化層が形成されるのは、充填剤とスルーホール
とが粗化層を介して密着し隙間が発生しないからであ
る。もし、充填剤とスルーホールとの間に空隙が存在す
ると、その直上に電解めっきで形成される導体層は、平
坦なものとならなかったり、空隙中の空気が熱膨張して
クラックや剥離を引き起こしたりし、また一方で、空隙
に水が溜まってマイグレーションやクラックの原因とな
ったりする。この点、粗化層が形成されているとこのよ
うな不良発生を防止することができる。

【００２０】また、本発明において、充填剤のスルーホ
ールからの露出面を覆う導体層の表面には、スルーホー
ル内壁の導体表面に形成した粗化層と同様の粗化層が形
成されていることが有利である。この理由は、粗化層に
より層間樹脂絶縁層やバイアホールとの密着性を改善す
ることができるからである。特に、導体層の側面に粗化
層が形成されていると、導体層側面と層間樹脂絶縁層と
の密着不足によってこれらの界面を起点として層間樹脂
絶縁層に向けて発生するクラックを抑制することができ
る。

【００２１】このようなスルーホール内壁や導体層の表
面に形成される粗化層の厚さは、０．１〜１０μｍがよ
い。この理由は、厚すぎると層間ショートの原因とな
り、薄すぎると被着体との密着力が低くなるからであ
る。この粗化層としては、スルーホール内壁の導体ある
いは導体層の表面を、酸化（黒化）−還元処理して形成
したもの、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して
形成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金の
めっき処理にて形成したものがよい。

【００２２】これらの処理のうち、酸化（黒化）−還元
処理による方法では、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣ
ｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を酸
化浴（黒化浴）、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄
（６ｇ／ｌ）を還元浴とする。

【００２３】また、有機酸−第二銅錯体の混合水溶液を
用いた処理では、スプレーやバブリングなどの酸素共存
条件下で次のように作用し、導体回路である銅などの金
属箔を溶解させる。 Ｃｕ＋Ｃｕ（II）Ａn →２Ｃｕ（Ｉ）Ａn/２ ２Ｃｕ（Ｉ）Ａn/２十ｎ／４Ｏ₂ ＋ｎＡＨ（エアレーシ
ョン）→２Ｃｕ（II）Ａn ＋ｎ／２Ｈ₂ Ｏ Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配位数であ
る。

【００２４】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾ
ール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用す
る。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、２−メチ
ルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−エチル
−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾー
ル、２−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾ
ール類の第二銅錯体の含有量は、１〜１５重量％がよ
い。この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れる
からである。

【００２５】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カブロン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳
酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少
なくとも１種がよい。この有機酸の含有量は、０．１〜
３０重量％がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、か
つ溶解安定性を確保するためである。なお、発生した第
一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅
錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸
に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加
してもよい。

【００２６】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助する
ために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素
イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲン
イオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給で
きる。ハロゲンイオン量は、０．０１〜２０重量％がよ
い。この範囲内にあれば、形成された粗化層は層間樹脂
絶縁層との密着性に優れるからである。

【００２７】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸（必要に
応じてハロゲンイオン）を、水に溶解して調製する。

【００２８】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合
金のめっき処理では、硫酸銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッ
ケル０．１〜６．０ｇ／ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／
ｌ、次亜リン酸塩１０〜１００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４
０ｇ／ｌ、界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌからなる液
組成のめっき浴を用いることが望ましい。

【００２９】本発明において、ビルドアップ配線層で使
用される層間樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂、熱可
塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合
体を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポ
キシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性
ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）などが使用できる。
熟可塑性樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン
（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェ
ニレンスルフィド（ＰＰＳ）、熱可塑型ポリフェニレン
エーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥ
Ｓ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレン
スルフォン（ＰＰＥＳ）、４フッ化エチレン６フッ化プ
ロピレン共重合体（ＦＥＰ）、４フッ化エチレンパーフ
ロロアルコキシ共重合体（ＰＦＡ）、ポリエチレンナフ
タレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルエーテルケトン（Ｐ
ＥＥＫ）、ポリオレフィン系樹脂などが使用できる。熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体としては、エポキシ
樹脂−ＰＥＳ、エポキシ樹脂−ＰＳＦ、エポキシ樹脂一
ＰＰＳ、エポキシ樹脂−ＰＰＥＳなどが使用できる。

【００３０】本発明では、層間樹脂絶縁層としてガラス
クロス含浸樹脂複合体を用いることができる。このガラ
スクロス含浸樹脂複合体としては、ガラスクロス含浸エ
ポキシ、ガラスクロス含浸ビスマレイミドトリアジン、
ガラスクロス含浸ＰＴＦＥ、ガラスクロス含浸ＰＰＥ、
ガラスクロス含浸ポリイミドなどがある。

【００３１】また本発明において、層間樹脂絶縁層とし
ては、無電解めっき用接着剤を用いることができる。こ
の無電解めっき用接着剤としては、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理に
よって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性
樹脂中に分散されてなるものが最適である。この理由
は、酸や酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子
が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる
粗化面が形成できるからである。

【００３２】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が１０μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均
粒径が２〜１０μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
１０μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくと
も１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が０．１
〜０．８μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍ
を超え２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均
粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性樹脂粉末、から選ば
れるいずれか少なくとも１種を用いることが望ましい。
これらは、より複雑なアンカーを形成できるからであ
る。この無電解めっき用接着剤で使用される耐熱性樹脂
は、前述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂
と熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。

【００３３】本発明において、多層コア基板上に形成さ
れた導体層（スルーホールに充填された充填剤を覆うも
のを含む）と層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路
は、バイアホールで接続することができる。この場合、
バイアホールは、めっき膜や充填剤で充填してもよい。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の多層プリント配線
板について図を参照して説明する。図６は、本発明の実
施形態に係る多層プリント配線板の断面を示している。
多層コア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配線層
９０Ａ、９０Ｂが形成されている。該ビルトアップ層９
０Ａ、９０Ｂは、バイアホール６０及び導体回路５８の
形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０
及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０
とからなる。

【００３５】表面側には、ＩＣチップのバンプ（図示せ
ず）へ接続するための半田バンプ７６Ｕが形成され、裏
面側には、マザーボードのバンプ（図示せず）へ接続す
るための半田バンプ７６Ｕが形成されている。多層プリ
ント配線板内では、ＩＣチップへ接続する半田バンプ７
６Ｕからの導体回路が、基板の外周方向へ向けて配線さ
れ、マザーボード側へ接続する半田バンプ７６Ｄへ接続
されている。表側のビルトアップ層９０Ａと裏側のビル
トアップ層９０Ｂとは、コア基板３０に形成されたスル
ーホール１６を介して接続されている。

【００３６】即ち、該スルーホール１６には充填剤２２
が充填され、該充填剤２２のスルーホール１６からの露
出面を覆うように導体層２６ａが形成されている。そし
て、該導体層２６ａに、上層側のバイアホール６０が接
続され、該バイアホールに接続された導体回路５８に、
上層のバイアホール１６０が接続され、該バイアホール
１６０、或いは、バイアホール１６０へ接続された導体
回路１５８に半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄが形成されてい
る。

【００３７】図６に示す多層プリント配線板のコア基板
３０の平面図、即ち、図６中のＢ−Ｂ断面を図７に示
す。ここで、スルーホール１６内の充填剤の上側に形成
される導体層２６ａは、円形に形成され、図６を参照し
て上述したように該導体層２６ａへ直接バイアホール６
０が接続されている。このように接続することで、スル
ーホール１６直上の領域を図８（Ａ）及び図８（Ｂ）を
参照して上述した内層パッド２２６ｂとして機能せしめ
ることでデッドスペースを無くし、しかも、スルーホー
ル１６からバイアホール６０へ接続するための内層パッ
ド２２６ｂを付加しないので、スルーホール１６のラン
ド形状を円形とすることができる。その結果、多層コア
基板３０中に設けられるスルーホール１６の配置密度を
向上させることによりスルーホールの数を増やすことが
できる。

【００３８】それゆえ、導体回路の基板の外周への引き
回しを表面、裏面の両方のビルドアップ層９０Ａ、９０
Ｂで行うことができる。また、上述したように多層プリ
ント配線板では、裏面の複数のバンプからの配線が統合
されながら表面側のバンプへ接続されるが、スルーホー
ルを必要な密度で形成することで、表側及び裏側に形成
されるビルドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂで、同じペー
スで配線の統合を行える。これにより、表側及び裏側に
形成されるビルドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂの層数を
減らすことができる。

【００３９】図６中に示すコア基板３０では、スルーホ
ールのピッチは６００μｍであるが、ピッチは７００μ
ｍ以下にすることが望ましい。７００μｍ以下とするこ
とにより、スルーホール数を（個／基板）以上にするこ
とができ、信号線を確実に表面から裏面のビルドアップ
層へ接続できる。

【００４０】引き続き、図６に示す多層プリント配線板
を製造する方法について一例を挙げて具体的に説明す
る。なお、以下に述べる方法は、セミアディティブ法に
よる多層プリント配線板の製造方法に関するものである
が、本発明における多層プリント配線板の製造方法で
は、フルアディティブ法やマルチラミネーション法、ピ
ンラミネーション法を採用することができる。

【００４１】（１）コア基板３０の作製 コア基板は、プリプレグを積層して形成される。例え
ば、ガラス繊維やアラミド繊維の布あるいは不織布に、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリア
ジン樹脂、フッ素材脂（ポリテトラフルオロエチレン
等）等を含浸させてＢステージとしたプリプレグを積層
して、次いで、加熱プレスして一体化することにより形
成される。なお、コア基板上の回路基板としては、例え
ば両面銅張積層板の両面にエッチングレジストを設けて
エッチングすることにより銅パターンを設けたものを用
いることができる。

【００４２】（２）スルーホール１６の形成 ．多層コア基板にドリル等で貫通孔を空け、貫通孔の
壁面および基板表面に無電解めっきを施してスルーホー
ル１６を形成する。無電解めっきとしては銅めっきがよ
い。なお、基板表面が、フッ素樹脂のようにめっきのつ
きまわりが悪い樹脂である場合は、有機金属ナトリウム
からなる前処理剤（商品名：潤工社製：テトラエッ
チ）、プラズマ処理などの表面改質を行う。

【００４３】．次に、厚付けのために電解めっきを行
う。この電解めっきとしては銅めっきがよい。 ．そしてさらに、スルーホール内壁および電解めっき
膜表面を粗化処理して粗化層２０を設ける。この粗化層
には、黒化（酸化）−還元処理によるもの、有機酸と第
二銅錯体の混合水溶液をスプレー処理して形成したも
の、あるいは銅−ニッケル−リン針伏合金めっきによる
ものがある。

【００４４】（３）充填剤の充填 ．前記（２）で形成したスルーホール１６に、前述し
た構成の充填剤２２を充填する。具体的には、充填剤
は、スルーホール部分に開口を設けたマスクを載置した
基板上に、印刷法にて塗布することによりスルーホール
に充填させ、充填後、乾燥、硬化させる。

【００４５】この充填剤には、金属粒子と樹脂の密着力
を上げるために、シランカップリング剤などの金属表面
改質剤を添加してもよい。また、その他の添加剤とし
て、アクリル系消泡剤やシリコン系消泡剤などの消泡
剤、シリカやアルミナ、タルクなどの無機充填剤を添加
してもよい。また、金属粒子の表面には、シランカップ
リング剤を付着させてもよい。

【００４６】このような充填剤は、例えば、以下の条件
にて印刷される。即ち、テトロン製メッシュ板の印刷マ
スク板と４５℃の角スキージを用い、Ｃｕペースト粘
度：１２０Ｐａ・ｓ、スキージ速度：１３ｍｍ／ｓｅ
ｃ、スキージ押込み量：１ｍｍの条件で印刷する。

【００４７】．スルーホールからはみ出した充填剤お
よび基板の電解めっき膜表面の粗化層を研磨により除去
して、基板表面を平坦化する。研磨は、ベルトサンダー
やバフ研磨がよい。

【００４８】（４）導体層２６ａ（多層コア基板上の導
体回路と充填剤を覆う導体層）の形成 ．前記（３）で平坦化した基板の表面に触媒核を付与
した後、無電解めっきを施し、厚さ０．１〜５μｍ程度
の無電解めっき膜を形成し、さらに必要に応じて電解め
っきを施し、厚さ５〜２５μｍの電解めっき膜を設け
る。次に、めっき膜の表面に、感光性のドライフィルム
を加熱プレスによりラミネートし、パターンが描画され
たフォトマスクフィルム（ガラス製がよい）を載置し、
露光した後、現像液で現像してエッチングレジストを設
ける。そして、エッチングレジスト非形成部分の導体を
エッチング液で溶解除去することにより、導体回路部分
および充填剤２２を覆う導体層２６ａ部分を形成する。
そのエッチング液としては、硫酸−過酸化水素の水溶
液、過硫酸アンモニウムや過硫酸ナトリウム、過硫酸カ
リウムなどの過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄や塩化第二銅
の水溶液がよい。

【００４９】．そして、エッチングレジストを剥離し
て、独立した導体回路１４および導体層２６ａとした
後、その導体回路１４および導体層２６ａの表面に、粗
化層２７を形成する。導体回路１４および充填剤を覆う
導体層２６ａの表面に粗化層２７を形成すると、その導
体は、層間樹脂絶縁層との密着性に優れるので、導体回
路および充填剤を覆う導体層の側面と樹脂絶縁層との界
面を起点とするクラックが発生しない。また一方で、充
填剤を覆う導体層は、電気的に接続されるバイアホール
との密着性が改善される。この粗化層の形成方法は、前
述したとおりであり、黒化（酸化）−還元処理、針状合
金めっき、あるいはエッチングして形成する方法などが
ある。

【００５０】さらに、粗化後に、基板表面の導体層２６
ａに起因する凹凸を無くすため、導体回路間に樹脂２８
を塗布して充填し、これを硬化し、表面を導体が露出す
るまで研磨して平滑化してもよい。樹脂としては、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、イミダ
ゾール硬化剤および無機粒子からなる樹脂を使用するこ
とが望ましい。ビスフェノール型エポキシ樹脂は、粘度
が低く、塗布しやすいからである。また、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂は、溶剤を使用しなくてもよいた
め、加熱硬化時に溶剤が揮発することに起因するクラッ
クや剥離を防止でき、有利である。そしてさらに、研磨
後に導体層表面に粗化層を設けることが望ましい。

【００５１】なお、導体層の形成方法として、以下の工
程を採用することができる。即ち、前記（１）〜（３）
の工程を終えた基板にめっきレジストを形成し、次いで
レジスト非形成部分に電解めっきを施して導体回路およ
び導体層部分を形成し、これらの導体上に、ホウフッ化
スズ、ホウフッ化鉛、ホウフッ化水素酸、ペプトンから
なる電解半田めっき液を用いて半田めっき膜を形成した
後、めっきレジストを除去し、そのめっきレジスト下の
無電解めっき膜および銅箔をエッチング除去して独立パ
ターンを形成し、さらに、半田めっき膜をホウフッ酸水
溶液で溶解除去して導体層を形成する。

【００５２】（５）層間樹脂絶縁層５０、導体回路５８
及びバイアホール６０の形成 ．このようにして作製した配線基板の上に、層間樹脂
絶縁層を形成する。層間樹脂絶縁層５０としては、熱硬
化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂と熱可
塑性樹脂の複合体を使用できる。また、本発明では、層
間樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用
いることができる。層間樹脂絶縁層は、これらの樹脂の
未硬化液を塗布したり、フィルム状の樹脂を熱圧着して
ラミネートすることにより形成される。

【００５３】．次に、この層間樹脂絶縁層に被覆され
る下層の導体回路（スルーホール）との電気的接続を確
保するために層間樹脂絶縁層５０に開口を設ける。この
開口の穿孔は、層間樹脂絶縁層が感光性樹脂からなる場
合は、露光、現像処理にて行い、熱硬化性樹脂や熱可塑
性樹脂からなる場合は、レーザ光にて行う。このとき、
使用されるレーザ光としては、炭酸ガスレーザ、紫外線
レーザ、エキシマレーザなどがある。レーザ光にて孔空
けした場合は、デスミア処理を行ってもよい。このデス
ミア処理は、クロム酸、過マンガン酸塩などの水溶液か
らなる酸化剤を使用して行うことができ、また酸素プラ
ズマなどで処理してもよい。

【００５４】．開口を有する層間樹脂絶縁層５０を形
成した後、必要に応じてその表面を粗化する。上述した
無電解めっき用接着剤を層間樹脂絶縁層として使用した
場合は、表面を酸化剤で処理して耐熱性樹脂粒子のみを
選択的に除去して粗化する。また、熱硬化性樹脂や熱可
塑性樹脂を使用した場合でも、クロム酸、過マンガン酸
塩などの水溶液から選ばれる酸化剤による表面粗化処理
が有効である。なお、酸化剤では粗化されないフッ素樹
脂（ポリテトラフルオロエチレン等）などの樹脂の場合
は、プラズマ処理やテトラエッチなどにより表面を粗化
する。

【００５５】．次に、無電解めっき用の触媒核を付与
する。一般に触媒核は、パラジウム−スズコロイドであ
り、この溶液に基板を浸漬、乾燥、加熱処理して樹脂表
面に触媒核を固定する。また、金属核をＣＶＤ、スパッ
タ、プラズマにより樹脂表面に打ち込んで触媒核とする
ことができる。この場合、樹脂表面に金属核が埋め込ま
れることになり、この金属核を中心にめっきが析出して
導体回路が形成されるため、粗化しにくい樹脂やフッ素
樹脂（ポリテトラフルオロエチレン等）のように樹脂と
導体回路との密着が悪い樹脂でも、密着性を確保でき
る。この金属核としては、パラジウム、銀、金、白金、
チタン、銅およびニッケルから選ばれる少なくとも１種
以上がよい。なお、金属核の量は、２０μｇ／ｃｍ² 以
下がよい。この量を超えると金属核を除去しなければな
らないからである。

【００５６】．次に、層間樹脂絶縁層の表面に無電解
めっきを施し、全面に無電解めっき膜５２を形成する。
無電解めっき膜５２の厚みは０．１〜５μｍ、より望ま
しくは０．５〜３μｍである。 ．そして、無電解めっき膜上にめっきレジストを形成
する。めっきレジストは、前述のように感光性ドライフ
ィルムをラミネートして露光、現像処理して形成され
る。 ．さらに、電解めっきを行う。電解めっき膜５６は、
５〜３０μｍがよい。なお、図中では電解めっきにより
単に、厚付けを行っているが、バイアホールを形成する
凹部を電解めっき膜にて充填することが望ましい。 ．そしてさらに、めっきレジストを剥離した後、その
めっきレジスト下の無電解めっき膜をエッチングにて溶
解除去し、独立した導体回路５８及びバイアホール６０
を形成する。導体回路（バイアホールを含む）を形成す
る。エッチング液としては、硫酸−過酸化水素の水溶
液、過硫酸アンモニウムや過硫酸ナトリウム、過硫酸カ
リウムなどの過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄や塩化第二銅
の水溶液がよい。更に、同様にして層間樹脂絶縁層１５
０及びバイアホール１６０をもう１層形成する。

【００５７】

【実施例】以下、多層プリント配線板の製造工程の実施
例を、図１〜図５を参照して具体的に説明する。 （１）厚さ０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ
（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなるコア基板３
０の両面に１８μｍの銅箔１２がラミネートされている
銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ）参
照）。この両面にエッチングレジストを設け、硫酸−過
酸化水素水溶液でエッチング処理し、導体回路１４を有
するコア基板３０を得た（図１（Ｂ））。

【００５８】（２）次に、コア基板３０にピッチ間隔６
００μｍで直径３００μｍの貫通孔１６をドリルで削孔
し（図１（Ｃ）参照）、次いで、パラジウム−スズコロ
イドを付着させ、下記組成で無電解めっきを施して、基
板３０の全面に２μｍの無電解めっき膜１８を形成した
（図１（Ｄ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ２０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ３０ ｍｌ／ｌ ＮａＯＨ ４０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ ｍｇ／ｌ ＰＥＧ ０．１ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕７０℃の液温度で３０分

【００５９】（３）前記（２）で無電解銅めっき膜１８
からなる導体（スルーホール１６を含む）を形成した基
板３０を、水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ ＰＯ₄ （６
ｇ／ｌ）を酸化浴（黒化浴）、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を還元浴とする酸化還元
処理に供し、そのスルーホール１６を含む導体１８の全
表面に粗化層２０を設けた（図１（Ｅ）参照）。

【００６０】（４）次に、平均粒径１０μｍの銅粒子を
含む充填剤２２（タツタ電線製の非導電性穴埋め銅ペー
スト、商品名：ＤＤペースト）を、スルーホール１６へ
スクリーン印刷によって充填し、乾燥、硬化させた（図
２（Ｆ））。そして、導体１８上面の粗化層２０および
スルーホール１６からはみ出した充填剤２２を、＃６０
０のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサン
ダー研磨により除去し、さらにこのベルトサンダー研磨
による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、基板３０の
表面を平坦化した（図２（Ｇ）参照）。このようにし
て、スルーホール１６の内壁面と樹脂充填剤２２とが粗
化層２０を介して強固に密着した基板３０を得る。

【００６１】（５）前記（４）で平坦化した基板３０表
面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、前記
（２）の条件に従って無電解銅めっきを施すことによ
り、厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜２３を形成した
（図１（Ｈ）参照）。

【００６２】（６）ついで、以下の条件で電解銅めっき
を施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜２４を形成し、
導体回路１４となる部分の厚付け、およびスルーホール
１６に充填された充填剤２２を覆う導体層（円形のスル
ーホールランドとなる）２６ａとなる部分を形成した
（図２（Ｉ））。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 １８０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ² 時間 ３０分 温度 室温

【００６３】（７）導体回路１４および導体層２６ａと
なる部分を形成した基板３０の両面に、市販の感光性ド
ライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍ
Ｊ／ｃｍ² で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理
し、厚さ１５μｍのエッチングレジスト２５を形成した
（図２（Ｊ）参照）。

【００６４】（８）そして、エッチングレジスト２５を
形成してない部分のめっき膜２３，２４を、硫酸と過酸
化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、さ
らに、エッチングレジスト８を５％ＫＯＨで剥離除去し
て、独立した導体回路１４ａおよび充填剤２２を覆う導
体層２６ａを形成した（図３（Ｋ）参照）。

【００６５】（９）次に、導体回路１４ａおよび充填剤
２２を覆う導体層２６ａの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金か
らなる厚さ２．５μｍの粗化層（凹凸層）２７を形成
し、さらにこの粗化層２７の表面に厚さ０．３μｍのＳ
ｎ層を形成した（図３（Ｌ）参照、但し、Ｓｎ層につい
ては図示しない）。その形成方法は以下のようである。
即ち、基板３０を酸性脱脂してソフトエッチングし、次
いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理
して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫
酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエン酸１
５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３
１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる
無電解めっき浴にてめっきを施し、導体回路１４ａおよ
び充填剤２２を覆う導体層２６ａの表面にＣｕ−Ｎｉ−
Ｐ合金の粗化層２７を設けた。ついで、ホウフッ化スズ
０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度５
０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、
粗化層１０の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設けた
（Ｓｎ層については図示しない）。

【００６６】なお、工程（９）に代えて、導体回路１４
ａおよび充填剤２２を覆う導体層２６ａの表面にいわゆ
る黒化−還元層を形成し、導体回路間にビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂などの樹脂を充填し、表面研磨、さら
に（９）のめっきによりＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の粗化層を
形成してもよい。（図６に断面を示すパッケージ断面図
は、この工程を使用して製造している）

【００６７】（１０）基板表面を平滑化するための樹脂
充填剤を調整する。ここでは、ビスフェノールＦ型エポ
キシモノマー（油化シェル製、分子量３１０、ＹＬ９８
３Ｕ）１００重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成
製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６重量部を混合し、これらの混
合物に対し、表面にシランカップリング剤がコーティン
グされた平均粒径１．６μｍのＳｉＯ₂ 球状粒子（アド
マテック製、ＣＲＳ１１０１−ＣＥ、ここで、最大粒子
の大きさは後述する導体回路１４ａの厚み以下とする）
１７０重量部、消泡剤（サンノプコ製、ペレノールＳ
４）０．５重量部を混合し、３本ロールにて混練するこ
とにより、その混合物の粘度を２３±１℃で４５，００
０〜４９，０００ｃｐｓに調整して、樹脂充填剤を得
る。この樹脂充填剤は無溶剤である。もし溶剤入りの樹
脂充填剤を用いると、後工程において層間剤を塗布して
加熱・乾燥させる際に、樹脂充填剤の層から溶剤が揮発
して、樹脂充填剤の層と層間材との間で剥離が発生する
からである。

【００６８】（１１）上記（１０）で得た樹脂充填剤２
８を、基板３０の両面にロールコータを用いて塗布する
ことにより、上面の導体層２６ａ間に充填し、７０℃，
２０分間で乾燥させ、下面についても同様にして樹脂充
填剤３０を導体層２６ａ間あるいは導体回路１４ａ間に
充填し、７０℃，２０分間で乾燥させる（図３（Ｍ）参
照）。

【００６９】（１２）上記（１１）の処理を終えた基板
３０の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学
製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体層２６ａ
の表面や導体回路１４ａの表面に樹脂充填剤２８が残ら
ないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨に
よる傷を取り除くためのバフ研磨を行う（図３（Ｎ）参
照）。次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、
１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行っ
て樹脂充填剤２８を硬化させる。

【００７０】このようにして、導体層２６ａ、導体回路
１４ａの表面の粗化層２７を除去して基板両面を平滑化
することで、樹脂充填剤２８と導体層２６ａ、導体回路
１４ａの側面とが粗化層２７を介して強固に密着させ
る。

【００７１】（１３）上記（１２）の処理で露出した導
体層２６ａ、導体回路１４ａ上面に、厚さ２．５μｍの
Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）２９を形
成し、さらに、その粗化層２９の表面に厚さ０．３μｍ
のＳｎ層を設ける（図３（Ｏ）参照、但し、Ｓｎ層につ
いては図示しない）。その形成方法は以下のようであ
る。即ち、基板３０を酸性脱脂してソフトエッチング
し、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液
で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した
後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエ
ン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホ
ウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌ、ｐＨ＝９か
らなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路４
およびスルーホール９のランド上面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合
金の粗化層２９を形成する。ついで、ホウフッ化スズ
０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度５
０℃、ｐＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、
粗化層２９の表面に厚さ０．３μｍのＳｎ層を設ける
（Ｓｎ層については図示しない）。

【００７２】（１４）層間樹脂絶縁層を形成する無電解
めっき用接着剤Ａ、Ｂを以下の方法で調製した。 Ａ．上層の無電解めっき用接着剤の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を３５重量
部（固形分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製、ア
ロニックスＭ３１５）３．１５重量部、消泡剤（サンノ
プコ製、Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量
部を撹拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エ
ポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均
粒径１．０μｍのものを７．２重量部、平均粒径０．５
μｍのものを３．０９重量部、を混合した後、さらにＮ
ＭＰ３０重量部を添加し、ビーズミルで撹拌混合した。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、２Ｅ４ＭＺ−Ｃ
Ｎ）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュ
ア Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤（日本化薬製、Ｄ
ＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部、ＮＭＰ１．５重量部を撹拌
混合した。これらを混合して無電解めっき用接着剤組成
物Ａを調製した。

【００７３】Ｂ．下層の無電解めっき用接着剤の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量２５００）の２５％アクリル化物を３５重量
部（固形分８０％）、感光性モノマー（東亜合成製、ア
ロニックスＭ３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ
製、Ｓ−６５）０．５重量部、ＮＭＰを３．６重量部を
撹拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）１２重量部、エ
ポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均
粒径０．５μｍのものを１４．４９重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ２０重量部を添加し、ビーズミルで撹
拌混合した。

【００７４】．イミダゾール硬化剤（四国化成製、２
Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始剤（チバガイギー
製、イルガキュア Ｉ−９０７）２重量部、光増感剤
（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０．２重量部、ＮＭＰ
１．５重量部を撹拌混合した。これらを混合して下層の
無電解めっき用接着剤Ｂを調製した。

【００７５】（１５）基板の両面に、まず、前記（１
４）で調製したＢの無電解めっき用接着剤（粘度１．５
Ｐａ・ｓ）４４をロールコータを用いて塗布し、水平状
態で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行
い、次いで、Ａの無電解めっき用接着剤（粘度１．０Ｐ
ａ・ｓ）４６をロールコ一夕を用いて塗布し、水平状態
で２０分間放置してから、６０℃で３０分の乾燥を行
い、厚さ４０μｍの接着剤層５０を形成した（図４
（Ｐ）参照）。

【００７６】（１６）接着剤層５０を形成した基板の両
面に、８５μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィ
ルムを密着させ、超高圧水銀灯により５００ｍＪ／ｃｍ
² で露光した。これをＤＭＤＧ（ジエチレングリコール
ジメチルエーテル）溶液でスプレー現像することによ
り、接着剤層に８５μｍφのバイアホールとなる開口を
形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯により３０
００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、１００℃で１時間、その後
１５０℃で５時間の加熱処理をすることにより、フォト
マスクフィルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイ
アホール形成用開口４８）を有する厚さ３５μｍの層間
絶縁材層（接着剤層）５０を形成した（図４（Ｑ）参
照）。なお、バイアホールとなる開口には、スズめっき
層を部分的に露出させた。

【００７７】（１７）バイアホール形成用開口４８を形
成した基板を、クロム酸に２０分間浸漬し、接着剤層表
面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接
着剤層５０の表面をＲｍａｘ＝１〜５μｍ程度の深さで
粗化することで粗化面５１を形成し、その後、中和溶液
（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（図４
（Ｒ））。

【００７８】（１８）接着剤層表面の粗化（粗化深さ５
μｍ）を行った基板３０に対し、パラジウム触媒（アト
テック製）を付与することにより、接着剤層５０および
バイアホール用開口４８の表面に触媒核を付与した。

【００７９】（１９）前記（２）と同じ組成の無電解銅
めっき浴中に基板を浸漬して、粗化面５１全体に厚さ
０．６μｍの無電解銅めっき膜５２を形成した（図４
（Ｓ）参照）。このとき、無電解銅めっき膜５２は薄い
ために、この無電解めっき膜５２の表面には、接着剤層
５０の粗化面５１に追従した凹凸が観察された。

【００８０】（２０）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜５２に張り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ² で露光、０．８％炭酸ナトリウムで現
像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設けた
（図４（Ｔ）参照）。

【００８１】（２１）次いで、前記（６）の条件に従っ
て電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜
５６を形成した（図５（Ｕ）参照）。

【００８２】（２２）めっきレジスト５６を５％ＫＯＨ
で剥離除去した後、そのめっきレジスト５６下の無電解
めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング
処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅め
っき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバ
イアホール６０を形成する（図５（Ｖ））。引き続き、
該導体回路５８及びバイアホール６０の表面に粗化層６
２を形成して、片面３層の多層プリント配線板とした
（図５（Ｗ）参照）。なお、接着剤層５０の粗化面に残
っているＰｄをクロム酸（８００ｇ／ｌ）に１〜１０分
浸漬して除去した。

【００８３】（２３）（１５）〜（２２）の工程を繰り
返して、バイアホール１６０を有する層間樹脂絶縁層１
５０をさらに１層積層した（図５（Ｘ）。

【００８４】（２４）上記（２３）で得た配線板の両面
に、市販のソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで
塗布した。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分
間の乾燥処理を行った後、１０００ｍＪ／ｃｍ² の紫外
線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。そしてさらに、８
０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、
１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、パッド部分７１
が開口した（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層
（厚み２０μｍ）７０を形成した（図６参照）。

【００８５】（２５）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板３０を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ
／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０
分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっ
き層７２を形成した。さらに、その基板３０を、シアン
化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、
クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム
１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で
２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．
０３μｍの金めっき層７４を形成した。

【００８６】（２６）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることによりはんだバンプ７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造
した。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように本発明のプリント配
線板によれば、スルーホールを高密度化し、層数の少な
い基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る多層プリント配線板の製
造工程を示す図である。

【図２】本発明の実施例に係る多層プリント配線板の製
造工程を示す図である。

【図３】本発明の実施例に係る多層プリント配線板の製
造工程を示す図である。

【図４】本発明の実施例に係る多層プリント配線板の製
造工程を示す図である。

【図５】本発明の実施例に係る多層プリント配線板の製
造工程を示す図である。

【図６】本発明の実施例に係る多層プリント配線板を示
す断面図である。

【図７】図６に示す多層プリント配線板のＢ−Ｂ断面図
である。

【図８】従来技術に係るパッケージ基板の多層コア基板
の平面図である。

【符号の説明】

１４ 導体回路（導体層） １６ スルーホール ２２ 充填剤 ２６ａ 導体層 ３０ コア基板（多層コア基板） ５０ 層間樹脂絶縁層 ５８ 導体回路（導体層） ６０ バイアホール １５０ 層間樹脂絶縁層 １６０ バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 苅谷 隆 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
   され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルド
   アップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなる多層
   プリント配線板において、 前記コア基板に形成されたスルーホールには、充填剤が
   充填されるとともに該充填剤のスルーホールからの露出
   面を覆う導体層が形成されてなり、 その導体層にはバイアホールが接続されていることを特
   徴とする多層プリント配線板。
2. 【請求項２】 前記コア基板に形成されるスルーホール
   のピッチ間隔が７００μｍ以下であることを特徴とする
   請求項１に記載の多層プリント配線板。
3. 【請求項３】 前記コア基板の両面の前記ビルドアップ
   配線層において、導体層を構成する導体回路が基板の外
   周方向へ向けて配線されている請求項１又は２に記載の
   多層プリント配線板。