JP2003243824A - Flexible substrate for forming wiring, flexible wiring board, and method of manufacturing flexible wiring board - Google Patents

Flexible substrate for forming wiring, flexible wiring board, and method of manufacturing flexible wiring board

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JP2003243824A
JP2003243824A JP2002035185A JP2002035185A JP2003243824A JP 2003243824 A JP2003243824 A JP 2003243824A JP 2002035185 A JP2002035185 A JP 2002035185A JP 2002035185 A JP2002035185 A JP 2002035185A JP 2003243824 A JP2003243824 A JP 2003243824A
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wiring
layer
forming
flexible
thickness
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Japanese (ja)
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Kenji Edasawa
健二 枝澤
Shiro Ozaki
史郎 尾崎
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Casio Micronics Co Ltd
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Casio Micronics Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make variation hardly occur in the thickness of wiring that is reduced in thickness to about 8-18 μm so as to obtain a finer pitch at the time of manufacturing a flexible wiring board having a double-sided wiring structure. <P>SOLUTION: A flexible substrate for forming wiring is prepared by respectively laminating copper foil 31 and 32 having thicknesses of about 1-5 μm, releasable layers 32 and 35, and carrier copper foil 33 and 36 having thicknesses of about 18-50 μm upon both surfaces of a film substrate 21. Then the carrier copper foil 33 is removed together with the releasable layer 32 and upper and lower continuity holes are respectively formed through the copper foil 31 and film substrate 21 with a laser beam. After the through holes are formed, the carrier copper foil 36 is removed together with the releasable layer 35 and plated layers for forming wiring are formed on the upper surface of the copper foil 31 and the lower surface of the copper foil 34 including the insides of the continuity holes. Finally, wiring is respectively formed on both surfaces of the film substrate 21 by patterning the copper foil 31 and 34 and plated layers for forming wiring. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は配線形成用フレキ
シブル基板およびフレキシブル配線基板並びにフレキシ
ブル配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring-forming flexible substrate, a flexible wiring substrate, and a method for manufacturing the flexible wiring substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】フレキシブル配線基板には両面配線構造
のものがあり、携帯電話やパソコンなどの電子機器に組
み込まれている。しかるに、最近では、このような電子
機器の小型化や高性能化に伴い、両面配線構造のフレキ
シブル配線基板のファインピッチ化が要求されている。
2. Description of the Related Art Some flexible wiring boards have a double-sided wiring structure and are incorporated in electronic equipment such as mobile phones and personal computers. However, recently, with the miniaturization and high performance of such electronic devices, there is a demand for a fine pitch flexible wiring board having a double-sided wiring structure.

【0003】この要求に答えるため、フレキシブル配線
基板の配線の厚さを例えば8〜18μm程度と比較的薄
くしている。すなわち、ウェットエッチングにより形成
された配線の断面形状はほぼ台形形状となるが、配線の
厚さが8〜18μm程度と比較的薄いと、ファインピッ
チ化を図っても、互いに隣接する配線間でショートが発
生しないようにすることができる。
In order to meet this demand, the wiring thickness of the flexible wiring board is made relatively thin, for example, about 8 to 18 μm. That is, although the wiring formed by wet etching has a substantially trapezoidal cross-sectional shape, if the wiring has a relatively thin thickness of about 8 to 18 μm, even if a fine pitch is achieved, short-circuiting may occur between adjacent wirings. Can be prevented.

【0004】図19は従来のこのようなフレキシブル配
線基板の一例の一部の断面図を示したものである。この
フレキシブル配線基板は、ポリイミドなどからなるフィ
ルム基板1を備えている。フィルム基板1の上面には上
面側配線2が設けられ、下面には下面側配線3が設けら
れている。両配線2、3は、フィルム基板1の所定の箇
所に設けられた裁頭逆円錐状の上下導通用孔4内に設け
られた上下導通部5を介して導電接続されている。この
場合、図示の都合上、各配線2、3の側面は垂直として
いるが、実際には、後述の如く、ウェットエッチングに
より形成されるため、各配線2、3の断面形状は、フィ
ルム基板1側の辺の長さが対向する辺の長さよりも大き
いほぼ台形形状となる。
FIG. 19 is a partial sectional view of an example of such a conventional flexible wiring board. This flexible wiring board includes a film substrate 1 made of polyimide or the like. The upper surface side wiring 2 is provided on the upper surface of the film substrate 1, and the lower surface side wiring 3 is provided on the lower surface. The two wirings 2 and 3 are electrically connected to each other through a vertical conduction portion 5 provided in a vertical conical hole 4 for vertical conduction provided at a predetermined position of the film substrate 1. In this case, for convenience of illustration, the side surfaces of the wirings 2 and 3 are vertical, but in reality, since they are formed by wet etching as described later, the cross-sectional shapes of the wirings 2 and 3 are the same as those of the film substrate 1. It becomes a substantially trapezoidal shape in which the length of the side is larger than the length of the opposite side.

【0005】そして、上面側配線2は、フィルム基板1
上に設けられた第1の銅層2aとこの第1の銅層2a上
に設けられた第2の銅層2bとからなり、その表面には
保護めっき層6が設けられている。下面側配線3は、フ
ィルム基板1下に上下導通用孔4を覆うように設けられ
た銅層からなり、その表面には保護めっき層7が設けら
れている。
The upper wiring 2 is formed on the film substrate 1
It comprises a first copper layer 2a provided on top and a second copper layer 2b provided on this first copper layer 2a, and a protective plating layer 6 is provided on the surface thereof. The lower surface side wiring 3 is composed of a copper layer provided under the film substrate 1 so as to cover the vertical conduction hole 4, and a protective plating layer 7 is provided on the surface thereof.

【0006】上下導通部5は、上面側配線2の第2の銅
層2bから延出され、上下導通用孔4内に下面側配線3
に接続されて設けられた銅層からなり、その表面には、
上面側配線2の表面を覆う保護めっき層6から延出され
た保護めっき層8が設けられている。
The vertical conducting portion 5 extends from the second copper layer 2b of the upper surface side wiring 2, and is placed in the vertical conducting hole 4 in the lower surface side wiring 3.
It consists of a copper layer that is connected to the
A protective plating layer 8 extending from the protective plating layer 6 that covers the surface of the upper surface side wiring 2 is provided.

【0007】ここで、このフレキシブル配線基板の一部
の厚さの一例について説明する。フィルム基板1の厚さ
は25〜75μm程度である。上面側配線2の第1の銅
層2aの厚さは1〜5μm程度であり、第1と第2の銅
層2a、2bの合計厚さは8〜18μm程度である。下
面側配線3の厚さは8〜18μm程度である。
Here, an example of a partial thickness of the flexible wiring board will be described. The thickness of the film substrate 1 is about 25 to 75 μm. The thickness of the first copper layer 2a of the upper surface side wiring 2 is about 1 to 5 μm, and the total thickness of the first and second copper layers 2a and 2b is about 8 to 18 μm. The thickness of the lower surface side wiring 3 is about 8 to 18 μm.

【0008】次に、このフレキシブル配線基板の製造方
法の一例について説明する。まず、図20に示すよう
に、配線形成用フレキシブル基板として、ポリイミドな
どからなるフィルム基板1の上面および下面にそれぞれ
銅箔からなる上面側配線形成用層11および下面側配線
形成用層12が積層されたものを用意する。この場合、
フィルム基板1の厚さは25〜75μm程度である。両
配線形成用層11、12の厚さは8〜18μm程度であ
る。
Next, an example of a method of manufacturing this flexible wiring board will be described. First, as shown in FIG. 20, as a wiring forming flexible substrate, an upper surface side wiring forming layer 11 and a lower surface side wiring forming layer 12 made of copper foil are laminated on the upper surface and the lower surface of a film substrate 1 made of polyimide or the like. Prepare the prepared items. in this case,
The thickness of the film substrate 1 is about 25 to 75 μm. The thickness of both wiring forming layers 11 and 12 is about 8 to 18 μm.

【0009】次に、図21に示すように、上面側配線形
成用層11をハーフエッチングして、その厚さが1〜5
μm程度となるようにする。これは、次工程で、フィル
ム基板1に上下導通用孔を形成するときに、上面側配線
形成用層11に孔を開けることができるようにするため
である。なお、上面側配線形成用層11の厚さを初めか
ら1〜5μm程度としておくことが考えられるが、この
ような極めて薄い銅箔は現在の銅箔製造技術では製造す
ることができない。
Next, as shown in FIG. 21, the upper surface side wiring forming layer 11 is half-etched to a thickness of 1-5.
Set to about μm. This is so that the holes can be formed in the upper surface side wiring forming layer 11 when the holes for vertical conduction are formed in the film substrate 1 in the next step. Although it is conceivable to set the thickness of the upper surface side wiring forming layer 11 to about 1 to 5 μm from the beginning, such an extremely thin copper foil cannot be manufactured by the current copper foil manufacturing technology.

【0010】次に、図22に示すように、UVレーザや
CO2レーザなどのレーザを上面側から照射することに
より、上面側配線形成用層11の所定の箇所に孔13を
開け、この孔13下におけるフィルム基板1に裁頭逆円
錐状の上下導通用孔4を形成する。次に、デスミア処理
を行う。
Next, as shown in FIG. 22, by irradiating a laser such as a UV laser or a CO 2 laser from the upper surface side, a hole 13 is opened at a predetermined position of the upper surface side wiring forming layer 11, and this hole 13 is formed. The upper and lower conduction holes 4 having a truncated conical shape are formed in the film substrate 1 below. Next, desmear processing is performed.

【0011】ところで、上面側配線形成用層11の厚さ
が1〜5μm程度と極めて薄いので、上面側配線形成用
層11にはレーザの熱エネルギにより孔13が形成され
るが、下面側配線形成用層12の厚さは8〜18μm程
度と比較的厚いので、それ自体の放熱作用により、下面
側配線形成用層12には孔は形成されない。従って、こ
の状態では、上下導通用孔4の下側は下面側配線形成用
層12によっ覆われている。
By the way, since the thickness of the upper surface side wiring forming layer 11 is extremely thin, about 1 to 5 μm, the holes 13 are formed in the upper surface side wiring forming layer 11 by the thermal energy of the laser, but the lower surface side wiring is formed. Since the thickness of the formation layer 12 is relatively large, about 8 to 18 μm, no holes are formed in the lower surface side wiring formation layer 12 due to its own heat dissipation effect. Therefore, in this state, the lower side of the vertical conduction hole 4 is covered with the lower surface side wiring forming layer 12.

【0012】次に、図23に示すように、下面側配線形
成用層12の下面にドライフィルムからなる保護層14
を積層する。保護層14の役目については後で説明す
る。次に、銅の無電解めっきを行うことにより、上下導
通用孔4内を含む上面側配線形成用層11の上面に上面
側配線形成用めっき層15を形成する。
Next, as shown in FIG. 23, a protective layer 14 made of a dry film is formed on the lower surface of the lower surface side wiring forming layer 12.
Are stacked. The role of the protective layer 14 will be described later. Next, by performing electroless plating of copper, the upper surface side wiring forming plating layer 15 is formed on the upper surface of the upper surface side wiring forming layer 11 including the inside of the vertical conduction hole 4.

【0013】この場合、上面側配線形成用層11と上面
側配線形成用めっき層15との合計厚さが、ハーフエッ
チング前の元の上面側配線形成用層11の厚さとほぼ同
じで8〜18μm程度となるようにする。また、下面側
配線形成用層12の下面には、保護層14の存在によ
り、めっき層は形成されない。そして、この後、保護層
14を剥離する。
In this case, the total thickness of the upper surface side wiring forming layer 11 and the upper surface side wiring forming plating layer 15 is substantially the same as the thickness of the original upper surface side wiring forming layer 11 before half-etching. It should be about 18 μm. In addition, the plating layer is not formed on the lower surface of the lower surface side wiring forming layer 12 due to the presence of the protective layer 14. Then, after this, the protective layer 14 is peeled off.

【0014】次に、図24に示すように、上面側配線形
成用めっき層15の上面の所定の箇所にドライフィルム
からなる上面側レジスパターン16を形成するととも
に、下面側配線形成用層12の下面の所定の箇所に同じ
くドライフィルムからなる下面側レジスパターン17を
形成する。この状態では、上下導通用孔4内に形成され
た上面側配線形成用めっき層15の表面側は上面側レジ
スパターン16によって覆われている。
Next, as shown in FIG. 24, the upper surface side resist pattern 16 made of a dry film is formed at a predetermined position on the upper surface of the upper surface side wiring forming plating layer 15 and the lower surface side wiring forming layer 12 is formed. A lower surface side resist pattern 17 also made of a dry film is formed at a predetermined position on the lower surface. In this state, the upper surface side resist pattern 16 covers the surface side of the upper surface side wiring forming plating layer 15 formed in the vertical conduction hole 4.

【0015】次に、図25に示すように、上面側レジス
パターン16をマスクとして上面側配線形成用めっき層
15および上面側配線形成用層11をウェットエッチン
グすると、上面側レジスパターン16下に第1と第2の
銅層2a、2bからなる上面側配線2が形成され、また
上下導通用孔4内に上下導通部5が形成される。また、
下面側レジスパターン17をマスクとして下面側配線形
成用層12をウェットエッチングすると、下面側レジス
パターン17上に下面側配線3が形成される。この場
合、両配線2、3の厚さは8〜18μm程度と比較的薄
くなっている。
Next, as shown in FIG. 25, the upper surface side resist pattern 16 is used as a mask to wet-etch the upper surface side wire forming plating layer 15 and the upper surface side wire forming layer 11 to form a layer below the upper surface side resist pattern 16. The upper surface side wiring 2 including the first and second copper layers 2a and 2b is formed, and the vertical conduction portion 5 is formed in the vertical conduction hole 4. Also,
When the lower surface side wiring forming layer 12 is wet-etched using the lower surface side resist pattern 17 as a mask, the lower surface side wiring 3 is formed on the lower surface side resist pattern 17. In this case, the thickness of both wirings 2 and 3 is relatively thin, about 8 to 18 μm.

【0016】次に、両レジスパターン16、17を剥離
する。次に、図19に示すように、両配線2、3および
上下導通部5の各表面に無電解めっきにより錫、銀、金
などからなる保護めっき層6、7、8を形成する。かく
して、図19に示すフレキシブル配線基板が得られる。
Next, both resist patterns 16 and 17 are peeled off. Next, as shown in FIG. 19, protective plating layers 6, 7, and 8 made of tin, silver, gold, or the like are formed on the surfaces of the wirings 2 and 3 and the upper and lower conducting portions 5 by electroless plating. Thus, the flexible wiring board shown in FIG. 19 is obtained.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のフレキシブル配線基板の製造方法では、上面側配線
2の第1の銅層2aを厚さ8〜18μm程度の銅箔から
なる上面側配線形成用層11をハーフエッチングして形
成しているが、ハーフエッチングによる厚さの制御が困
難であるので、上面側配線2の厚さにバラツキが生じや
すく、厚くなりすぎた場合には、ウェットエッチングに
より形成された上面側配線2の断面形状がほぼ台形形状
となるため、ファインピッチ化を図ると、互いに隣接す
る上面側配線2間でショートが発生することがあるとい
う問題があった。そこで、この発明は、配線の厚さにバ
ラツキが生じにくいようにすることができる構造および
方法を提供することを目的とする。
However, in the above-mentioned conventional method for manufacturing a flexible wiring board, the first copper layer 2a of the upper surface side wiring 2 is for forming the upper surface side wiring formed of a copper foil having a thickness of about 8 to 18 μm. Although the layer 11 is formed by half-etching, it is difficult to control the thickness by half-etching. Therefore, the thickness of the upper surface side wiring 2 is likely to vary. Since the formed upper surface side wiring 2 has a substantially trapezoidal cross-sectional shape, there is a problem that a short circuit may occur between the upper surface side wirings 2 adjacent to each other when a fine pitch is achieved. Therefore, it is an object of the present invention to provide a structure and a method capable of preventing variations in wiring thickness from occurring.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明に
係る配線形成用フレキシブル基板は、フィルム基板の一
の面に配線形成用層、剥離層およびキャリア層が積層さ
れていることを特徴とする配線形成用フレキシブル基
板。請求項2に記載の発明に係る配線形成用フレキシブ
ル基板は、請求項1に記載の発明において、前記配線形
成用層および前記キャリア層は銅箔からなることを特徴
とするものである。請求項3に記載の発明に係る配線形
成用フレキシブル基板は、請求項1に記載の発明におい
て、前記配線形成用層は銅箔からなり、前記キャリア層
は樹脂フィルムからなることを特徴とするものである。
請求項4に記載の発明に係る配線形成用フレキシブル基
板は、請求項2または3に記載の発明において、前記配
線形成用層の厚さは8μm未満であることを特徴とする
ものである。請求項5に記載の発明に係る配線形成用フ
レキシブル基板は、請求項1に記載の発明において、前
記フィルム基板の他の面に他方の配線形成用層、他方の
剥離層および他方のキャリア層が積層されていることを
特徴とするものである。請求項6に記載の発明に係る配
線形成用フレキシブル基板は、請求項5に記載の発明に
おいて、前記両配線形成用層および前記両キャリア層は
銅箔からなることを特徴とするものである。請求項7に
記載の発明に係る配線形成用フレキシブル基板は、請求
項5に記載の発明において、前記両配線形成用層および
前記他方のキャリア層は銅箔からなり、前記一の面側の
キャリア層は樹脂フィルムからなることを特徴とするも
のである。請求項8に記載の発明に係る配線形成用フレ
キシブル基板は、請求項6または7に記載の発明におい
て、前記両配線形成用層の厚さは1〜5μm程度である
ことを特徴とするものである。請求項9に記載の発明に
係る配線形成用フレキシブル基板は、請求項6または7
に記載の発明において、前記一の面側の配線形成用層の
厚さは1〜5μm程度であり、前記他方の配線形成用層
の厚さは8〜18μm程度であることを特徴とするもの
である。請求項10に記載の発明に係る配線形成用フレ
キシブル基板は、フィルム基板の一の面に一方の配線形
成用層が積層され、前記フィルム基板の他の面に他方の
配線形成用層、剥離層およびキャリア層が積層されてい
ることを特徴とするものである。請求項11に記載の発
明に係る配線形成用フレキシブル基板は、請求項10に
記載の発明において、前記両配線形成用層および前記キ
ャリア層は銅箔からなることを特徴とするものである。
請求項12に記載の発明に係る配線形成用フレキシブル
基板は、請求項11に記載の発明において、前記一方の
配線形成用層の厚さは8〜18μm程度であり、前記他
方の配線形成用層の厚さは1〜5μm程度であることを
特徴とするものである。請求項13に記載の発明に係る
配線形成用フレキシブル基板は、請求項11に記載の発
明において、前記両配線形成用層の厚さは8〜18μm
程度であることを特徴とするものである。請求項14に
記載の発明に係る配線形成用フレキシブル基板は、フィ
ルム基板の一の面に厚さ8μm未満の銅箔からなる配線
が設けられていることを特徴とするものである。請求項
15に記載の発明に係るフレキシブル配線基板は、上下
導通用孔を有するフィルム基板と、該フィルム基板の一
の面に設けられた金属箔からなる第1の配線層と金属め
っき層からなる第2の配線層とからなる2層構造の一方
の配線と、前記フィルム基板の他の面に前記上下導通用
孔を覆うように設けられた金属箔からなる第1の配線層
と金属めっき層からなる第2の配線層とからなる2層構
造の他方の配線と、前記一方の配線の第2の配線層から
延出され、前記フィルム基板の上下導通用孔内に前記他
方の配線の第1の配線層に接続されて設けられた金属め
っき層からなる上下導通部とを具備することを特徴とす
るものである。請求項16に記載の発明に係るフレキシ
ブル配線基板は、請求項15に記載の発明において、前
記両配線の厚さは8〜18μm程度であることを特徴と
するものである。請求項17に記載の発明に係るフレキ
シブル配線基板は、請求項16に記載の発明において、
前記両第1の配線層の厚さは1〜5μm程度であること
を特徴とするものである。請求項18に記載の発明に係
るフレキシブル配線基板は、上下導通用孔を有するフィ
ルム基板と、該フィルム基板の一の面に設けられた金属
箔からなる第1の配線層と金属めっき層からなる第2の
配線層とからなる2層構造の一方の配線と、前記フィル
ム基板の他の面に前記上下導通用孔を覆うように設けら
れた金属箔からなる他方の配線と、前記一方の配線の第
2の配線層から延出され、前記フィルム基板の上下導通
用孔内に前記他方の配線に接続されて設けられた金属め
っき層からなる上下導通部とを具備することを特徴とす
るものである。請求項19に記載の発明に係るフレキシ
ブル配線基板は、請求項18に記載の発明において、前
記両配線の厚さは8〜18μm程度であることを特徴と
するものである。請求項20に記載の発明に係るフレキ
シブル配線基板は、請求項19に記載の発明において、
前記第1の配線層の厚さは1〜5μm程度であることを
特徴とするものである。請求項21に記載の発明に係る
フレキシブル配線基板の製造方法は、フィルム基板の一
の面に配線形成用層、剥離層およびキャリア層が積層さ
れてなる配線形成用フレキシブル基板のうち、前記キャ
リア層を前記剥離層と共に剥離し、前記配線形成用層を
パターニングして配線を形成することを特徴とするもの
である。請求項22に記載の発明に係るフレキシブル配
線基板の製造方法は、請求項21に記載の発明におい
て、前記配線形成用層および前記キャリア層は銅箔から
なることを特徴とするものである。請求項23に記載の
発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、請求項
21に記載の発明において、前記配線形成用層は銅箔か
らなり、前記キャリア層は樹脂フィルムからなることを
特徴とするものである。請求項24に記載の発明に係る
フレキシブル配線基板の製造方法は、請求項22または
23に記載の発明において、前記配線形成用層の厚さは
1〜5μm程度であることを特徴とするものである。請
求項25に記載の発明に係るフレキシブル配線基板の製
造方法は、フィルム基板の一の面に一方の配線形成用
層、一方の剥離層および一方のキャリア層が積層され、
前記フィルム基板の他の面に他方の配線形成用層、他方
の剥離層および他方のキャリア層が積層されてなる配線
形成用フレキシブル基板のうち、前記一方のキャリア層
を前記一方の剥離層と共に剥離し、前記一方の配線形成
用層および前記フィルム基板に上下導通用孔を形成する
ことを特徴とするものである。請求項26に記載の発明
に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、請求項25
に記載の発明において、前記上下導通用孔を形成した後
に前記他方のキャリア層を前記他方の剥離層と共に剥離
し、前記上下導通用孔内を含む前記一方の配線形成用層
の表面に上下導通部を含む一方の配線形成用めっき層を
形成し、且つ、前記他方の配線形成用層の表面に他方の
配線形成用めっき層を形成し、前記両配線形成用層およ
び前記両配線形成用めっき層をパターニングして前記フ
ィルム基板の両面にそれぞれ2層構造の配線を形成する
ことを特徴とするものである。請求項27に記載の発明
に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、請求項25
に記載の発明において、前記上下導通用孔を形成した後
に前記他方のキャリア層を前記他方の剥離層と共に剥離
し、前記上下導通用孔内を含む前記一方の配線形成用層
の表面にめっき層からなる上下導通部を含む一方の配線
層を形成し、且つ、前記他方の配線形成用層の表面にめ
っき層からなる他方の配線層を形成し、前記両配線層下
に前記両配線形成用層からなる配線層を形成して前記フ
ィルム基板の両面にそれぞれ2層構造の配線を形成する
することを特徴とするものである。請求項28に記載の
発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、請求項
25に記載の発明において、前記上下導通用孔を形成し
た後に前記上下導通用孔内を含む前記一方の配線形成用
層の表面に上下導通部を含む一方の配線形成用めっき層
を形成し、且つ、前記他方のキャリア層の表面にめっき
層を形成し、前記他方のキャリア層およびその表面に形
成された前記めっき層を前記他方の剥離層と共に剥離
し、前記一方の配線形成用層と前記一方の配線形成用め
っき層および前記他方の配線形成用層をパターニングし
て前記フィルム基板の一の面および他の面にそれぞれ2
層構造の配線および1層構造の配線を形成することを特
徴とするものである。請求項29に記載の発明に係るフ
レキシブル配線基板の製造方法は、請求項26〜28の
いずれかに記載の発明において、前記両配線形成用層お
よび前記両キャリア層は銅箔からなり、前記両めっき層
は銅めっき層からなることを特徴とするものである。請
求項30に記載の発明に係るフレキシブル配線基板の製
造方法は、請求項26〜28のいずれかに記載の発明に
おいて、前記両配線形成用層および前記他方のキャリア
層は銅箔からなり、前記一方のキャリア層は樹脂フィル
ムからなることを特徴とするものである。請求項31に
記載の発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、
請求項29または30に記載の発明において、前記両配
線の厚さは8〜18μm程度であることを特徴とするも
のである。請求項32に記載の発明に係るフレキシブル
配線基板の製造方法は、請求項31に記載の発明におい
て、前記一方の配線形成用層の厚さは1〜5μm程度で
あることを特徴とするものである。請求項33に記載の
発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、フィル
ム基板の一の面に厚さ8〜18μm程度の銅箔からなる
一方の配線形成用層が積層され、前記フィルム基板の他
の面に銅箔からなる他方の配線形成用層、剥離層および
銅箔からなるキャリア層が積層されてなる配線形成用フ
レキシブル基板のうち、前記一方の配線形成用層をハー
フエッチングしてその厚さを1〜5μm程度とし、この
ハーフエッチングされた一方の配線形成用層および前記
フィルム基板に上下導通用孔を形成することを特徴とす
るものである。請求項34に記載の発明に係るフレキシ
ブル配線基板の製造方法は、請求項33に記載の発明に
おいて、前記上下導通用孔を形成した後に前記キャリア
層を前記剥離層と共に剥離し、前記上下導通用孔内を含
む前記一方の配線形成用層の表面に銅めっき層からなる
上下導通部を含む一方の配線形成用めっき層を形成し、
且つ、前記他方の配線形成用層の表面に銅めっき層から
なる他方の配線形成用めっき層を形成し、前記両配線形
成用層および前記両配線形成用めっき層をパターニング
して前記フィルム基板の両面にそれぞれ2層構造の配線
を形成することを特徴とするものである。請求項35に
記載の発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、
請求項33に記載の発明において、前記上下導通用孔を
形成した後に前記キャリア層を前記剥離層と共に剥離
し、前記上下導通用孔内を含む前記一方の配線形成用層
の表面に銅めっき層からなる上下導通部を含む一方の配
線層を形成し、且つ、前記他方の配線形成用層の表面に
銅めっき層からなる他方の配線層を形成し、前記両配線
層下に前記両配線形成用層からなる配線層を形成して前
記フィルム基板の両面にそれぞれ2層構造の配線を形成
することを特徴とするものである。請求項36に記載の
発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、請求項
33に記載の発明において、前記上下導通用孔を形成し
た後に前記上下導通用孔内を含む前記一方の配線形成用
層の表面に銅めっき層からなる上下導通部を含む一方の
配線形成用めっき層を形成し、且つ、前記他方のキャリ
ア層の表面に銅めっき層を形成し、前記他方のキャリア
層およびその表面に形成された前記銅めっき層を前記剥
離層と共に剥離し、前記一方の配線形成用層と前記一方
の配線形成用めっき層および前記他方の配線形成用層を
パターニングして前記フィルム基板の一の面および他の
面にそれぞれ2層構造の配線および1層構造の配線を形
成することを特徴とするものである。請求項37に記載
の発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、請求
項34〜36のいずれかに記載の発明において、前記両
配線の厚さは8〜18μm程度であることを特徴とする
ものである。請求項38に記載の発明に係るフレキシブ
ル配線基板の製造方法は、請求項37に記載の発明にお
いて、前記他方の配線形成用層の厚さは1〜5μm程度
であることを特徴とするものである。請求項39に記載
の発明に係るフレキシブル配線基板の製造方法は、請求
項25または33に記載の発明において、前記一方の配
線形成用層および前記フィルム基板への上下導通用孔の
形成は、レーザの照射により行うことを特徴とするもの
である。そして、この発明によれば、配線形成用フレキ
シブル基板として、フィルム基板に配線形成用層、剥離
層およびキャリア層が積層されたものを用い、キャリア
層を剥離層と共に剥離すると、ハーフエッチングによら
ないで、フィルム基板に配線形成用層のみが残存され、
従ってこの残存された配線形成用層の厚さにバラツキが
生じにくいようにすることができ、ひいては配線の厚さ
にバラツキが生じにくいようにすることができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a wiring-forming flexible substrate in which a wiring-forming layer, a release layer and a carrier layer are laminated on one surface of a film substrate. Flexible substrate for wiring formation. According to a second aspect of the invention, there is provided a wiring-forming flexible substrate according to the first aspect, wherein the wiring-forming layer and the carrier layer are made of copper foil. A flexible substrate for wiring formation according to the invention of claim 3 is characterized in that, in the invention of claim 1, the wiring formation layer is made of copper foil, and the carrier layer is made of a resin film. Is.
A flexible substrate for wiring formation according to a fourth aspect of the present invention is the flexible substrate according to the second or third aspect, wherein the thickness of the wiring formation layer is less than 8 μm. According to a fifth aspect of the present invention, in the wiring formation flexible substrate in the first aspect, the other wiring formation layer, the other release layer, and the other carrier layer are provided on the other surface of the film substrate. It is characterized by being laminated. According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a wiring forming flexible substrate in the fifth aspect, wherein the both wiring forming layers and the two carrier layers are made of copper foil. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a wiring forming flexible substrate according to the fifth aspect, wherein the both wiring forming layers and the other carrier layer are made of copper foil. The layer is characterized by comprising a resin film. The flexible substrate for wiring formation according to the invention of claim 8 is characterized in that, in the invention of claim 6 or 7, the thickness of both of the wiring formation layers is about 1 to 5 μm. is there. The flexible substrate for wiring formation according to the invention described in claim 9 is the flexible substrate according to claim 6 or 7.
In the invention described in (3), the thickness of the wiring forming layer on the one surface side is about 1 to 5 μm, and the thickness of the other wiring forming layer is about 8 to 18 μm. Is. The wiring forming flexible substrate according to the invention of claim 10, wherein one wiring forming layer is laminated on one surface of the film substrate, and the other wiring forming layer and a peeling layer are formed on the other surface of the film substrate. And a carrier layer is laminated. According to an eleventh aspect of the invention, there is provided a wiring-forming flexible substrate according to the tenth aspect of the invention, wherein the both wiring-forming layers and the carrier layer are made of copper foil.
According to a twelfth aspect of the present invention, in the wiring formation flexible substrate according to the eleventh aspect of the present invention, the one wiring formation layer has a thickness of about 8 to 18 μm, and the other wiring formation layer. Is about 1 to 5 μm in thickness. According to a thirteenth aspect of the present invention, in the wiring formation flexible substrate according to the eleventh aspect, the thickness of the both wiring formation layers is 8 to 18 μm.
It is characterized by being a degree. According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a wiring-forming flexible substrate in which one surface of the film substrate is provided with a wiring made of copper foil having a thickness of less than 8 μm. A flexible wiring board according to the invention of claim 15 comprises a film substrate having holes for vertical conduction, a first wiring layer made of a metal foil provided on one surface of the film substrate, and a metal plating layer. One wiring having a two-layer structure including a second wiring layer, and a first wiring layer and a metal plating layer made of a metal foil provided on the other surface of the film substrate so as to cover the vertical conduction hole. The other wiring of the two-layer structure consisting of the second wiring layer and the second wiring layer of the one wiring, and the second wiring of the other wiring is extended in the vertical conduction hole of the film substrate. It is characterized in that it is provided with an up-and-down conduction part composed of a metal plating layer provided so as to be connected to one wiring layer. A flexible wiring board according to a sixteenth aspect of the present invention is the flexible wiring board according to the fifteenth aspect of the present invention, wherein the thickness of the both wirings is about 8 to 18 μm. The flexible wiring board according to the invention of claim 17 is the same as the invention of claim 16,
The thickness of both the first wiring layers is about 1 to 5 μm. The flexible wiring board according to the invention of claim 18 comprises a film substrate having vertical conduction holes, a first wiring layer made of a metal foil provided on one surface of the film substrate, and a metal plating layer. One wiring having a two-layer structure including a second wiring layer, the other wiring made of a metal foil provided on the other surface of the film substrate so as to cover the vertical conduction hole, and the one wiring And a vertical conduction part formed of a metal plating layer extending from the second wiring layer and provided in the vertical conduction hole of the film substrate and connected to the other wiring. Is. A flexible wiring board according to a nineteenth aspect of the present invention is the flexible wiring board according to the eighteenth aspect, wherein the thickness of the both wirings is about 8 to 18 μm. The flexible wiring board according to the invention of claim 20 is the same as the invention of claim 19,
The thickness of the first wiring layer is about 1 to 5 μm. The method for producing a flexible wiring board according to the invention of claim 21, wherein the carrier layer is a flexible wiring forming board in which a wiring forming layer, a release layer and a carrier layer are laminated on one surface of a film substrate. Is peeled off together with the peeling layer, and the wiring forming layer is patterned to form a wiring. According to a twenty-second aspect of the invention, there is provided a method of manufacturing a flexible wiring board according to the twenty-first aspect, wherein the wiring forming layer and the carrier layer are made of copper foil. The method for manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 23 is characterized in that, in the invention of claim 21, the wiring forming layer is made of copper foil, and the carrier layer is made of a resin film. It is a thing. The method of manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 24 is characterized in that, in the invention of claim 22 or 23, the thickness of the wiring forming layer is about 1 to 5 μm. is there. The method for manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 25, wherein one wiring forming layer, one peeling layer and one carrier layer are laminated on one surface of the film substrate,
Of the wiring forming flexible substrate in which the other wiring forming layer, the other peeling layer and the other carrier layer are laminated on the other surface of the film substrate, the one carrier layer is peeled together with the one peeling layer. The vertical wiring holes are formed in the one wiring forming layer and the film substrate. A method of manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 26 is the method of claim 25.
In the invention according to claim 1, after forming the vertical conduction hole, the other carrier layer is peeled off together with the other peeling layer, and the vertical conduction is performed on the surface of the one wiring forming layer including the inside of the vertical conduction hole. Forming one wiring forming plating layer including a portion, and forming the other wiring forming plating layer on the surface of the other wiring forming layer, the both wiring forming layer and the both wiring forming plating The layer is patterned to form a wiring having a two-layer structure on both surfaces of the film substrate. The method for manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 27,
In the invention described in, the other carrier layer is peeled off together with the other peeling layer after forming the vertical conduction hole, and a plating layer is formed on the surface of the one wiring forming layer including the inside of the vertical conduction hole. Forming one wiring layer including a vertical conducting portion, and forming another wiring layer made of a plating layer on the surface of the other wiring forming layer, and forming both wiring layers under the both wiring layers. It is characterized in that a wiring layer composed of layers is formed to form a wiring having a two-layer structure on both surfaces of the film substrate. The method for manufacturing a flexible wiring board according to the invention described in claim 28 is the invention according to claim 25, wherein the one wiring forming layer includes the inside of the vertical conduction hole after forming the vertical conduction hole. Forming one wiring formation plating layer including a vertical conduction portion on the surface of, and forming a plating layer on the surface of the other carrier layer, the other carrier layer and the plating layer formed on the surface On the one surface and the other surface of the film substrate by patterning the one wiring forming layer, the one wiring forming plating layer, and the other wiring forming layer together with the other peeling layer. 2 each
It is characterized in that a wiring having a layer structure and a wiring having a one-layer structure are formed. A method for manufacturing a flexible wiring board according to a twenty-ninth aspect of the present invention is the method according to any one of the twenty-sixth to twenty-eighth aspects, wherein the both wiring forming layers and the both carrier layers are made of copper foil. The plated layer is composed of a copper plated layer. A method for manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 30 is the invention according to any one of claims 26 to 28, wherein the both wiring forming layers and the other carrier layer are made of copper foil, One of the carrier layers is made of a resin film. A method for manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 31,
The invention according to claim 29 or 30 is characterized in that the thickness of the both wirings is about 8 to 18 μm. A method of manufacturing a flexible wiring board according to a thirty-second aspect of the present invention is characterized in that, in the thirty-first aspect of the present invention, the one wiring forming layer has a thickness of about 1 to 5 μm. is there. The method for manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 33, wherein one wiring forming layer made of a copper foil having a thickness of about 8 to 18 μm is laminated on one surface of the film substrate, Of the wiring forming flexible substrate in which the other wiring forming layer made of a copper foil, a release layer and a carrier layer made of a copper foil are laminated on the surface of the one side, the one wiring forming layer is half-etched to obtain the thickness thereof. The thickness is set to about 1 to 5 μm, and a hole for vertical conduction is formed in the half-etched one wiring forming layer and the film substrate. A method of manufacturing a flexible wiring board according to a thirty-fourth aspect of the invention is the method of the thirty-third aspect of the invention, in which the carrier layer is peeled off together with the peeling layer after the vertical conduction hole is formed. On the surface of the one wiring forming layer including the inside of the hole, to form one wiring forming plating layer including a vertical conduction portion made of a copper plating layer,
And, the other wiring forming plating layer formed of a copper plating layer is formed on the surface of the other wiring forming layer, and the both wiring forming layers and the both wiring forming plating layers are patterned to form the film substrate. It is characterized in that a wiring having a two-layer structure is formed on each of both surfaces. A method of manufacturing a flexible wiring board according to the invention of claim 35,
34. The invention according to claim 33, wherein after forming the hole for vertical conduction, the carrier layer is peeled off together with the peeling layer, and a copper plating layer is formed on the surface of the one wiring forming layer including the inside of the hole for vertical conduction. Forming one wiring layer including a vertical conductive portion, and forming the other wiring layer made of a copper plating layer on the surface of the other wiring forming layer, and forming the both wiring layers under the both wiring layers. It is characterized in that a wiring layer composed of a working layer is formed to form a wiring having a two-layer structure on both surfaces of the film substrate. The method for manufacturing a flexible wiring board according to a thirty-sixth aspect of the present invention is the method for manufacturing a flexible wiring board according to the thirty-third aspect, wherein the one wiring forming layer includes the inside of the vertical conduction hole after forming the vertical conduction hole. To form one wiring forming plating layer including a vertical conduction portion consisting of a copper plating layer on the surface of, and forming a copper plating layer on the surface of the other carrier layer, on the other carrier layer and its surface The formed copper plating layer is peeled off together with the peeling layer, and the one wiring forming layer, the one wiring forming plating layer, and the other wiring forming layer are patterned to form one surface of the film substrate. And a wiring having a two-layer structure and a wiring having a one-layer structure are formed on the other surfaces, respectively. A method of manufacturing a flexible wiring board according to a thirty-seventh aspect of the present invention is characterized in that, in the invention according to any one of the thirty-fourth to thirty-sixth aspects, the thickness of the both wirings is about 8 to 18 μm. Is. According to a thirty-eighth aspect of the present invention, the method of manufacturing a flexible wiring board according to the thirty-seventh aspect is characterized in that the other wiring forming layer has a thickness of about 1 to 5 μm. is there. The method for manufacturing a flexible wiring board according to a thirty-ninth aspect of the invention is the method according to the twenty-fifth or thirty-third aspect, in which the one wiring formation layer and the vertical conduction hole in the film substrate are formed by laser It is characterized in that it is performed by irradiation of. According to the present invention, as the flexible substrate for wiring formation, a film substrate on which a wiring formation layer, a peeling layer and a carrier layer are laminated is used, and when the carrier layer is peeled together with the peeling layer, it does not depend on half etching. So, only the wiring formation layer remains on the film substrate,
Therefore, it is possible to prevent variations in the thickness of the remaining wiring forming layer, and thus to prevent variations in the thickness of the wiring.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】(第1実施形態)図1はこの発明
の第1実施形態としてのフレキシブル配線基板の要部の
断面図を示したものである。このフレキシブル配線基板
は、ポリイミドなどからなるフィルム基板21を備えて
いる。フィルム基板21の上面には上面側配線22が設
けられ、下面には下面側配線23が設けられている。両
配線22、23は、フィルム基板21の所定の箇所に設
けられた裁頭逆円錐状の上下導通用孔24内に設けられ
た上下導通部25を介して導電接続されている。この場
合も、図示の都合上、各配線22、23の側面は垂直と
しているが、実際には、後述の如く、ウェットエッチン
グにより形成されるため、各配線22、23の断面形状
はほぼ台形形状となる(以下の同様な図においても、同
様である。)。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) FIG. 1 is a sectional view of a main part of a flexible wiring board according to a first embodiment of the present invention. This flexible wiring board includes a film substrate 21 made of polyimide or the like. The upper surface wiring 22 is provided on the upper surface of the film substrate 21, and the lower surface wiring 23 is provided on the lower surface. The two wirings 22 and 23 are electrically connected to each other via a vertical conduction portion 25 provided in a truncated conical hole 24 for vertical conduction provided at a predetermined position of the film substrate 21. Also in this case, for convenience of illustration, the side surfaces of the wirings 22 and 23 are vertical, but in reality, since they are formed by wet etching as described later, the cross-sectional shapes of the wirings 22 and 23 are substantially trapezoidal. (The same applies to the following similar drawings.)

【0020】そして、上面側配線22は、フィルム基板
21上に設けられた第1の銅層22aとこの第1の銅層
22a上に設けられた第2の銅層22bとからなり、そ
の表面には保護めっき層26が設けられている。下面側
配線23は、フィルム基板21下に上下導通部25を覆
うように設けられた第1の銅層23aとこの第1の銅層
23a下に設けられた第2の銅層23bとからなり、そ
の表面には保護めっき層27が設けられている。
The upper wiring 22 is composed of a first copper layer 22a provided on the film substrate 21 and a second copper layer 22b provided on the first copper layer 22a. A protective plating layer 26 is provided on the. The lower surface side wiring 23 is composed of a first copper layer 23a provided under the film substrate 21 so as to cover the vertical conduction portion 25, and a second copper layer 23b provided under the first copper layer 23a. A protective plating layer 27 is provided on the surface thereof.

【0021】上下導通部25は、上面側配線22の第2
の銅層22bから延出され、上下導通用孔24内に下面
側配線23の第1の銅層23aに接続されて設けられた
銅層からなり、その表面には、上面側配線22の表面を
覆う保護めっき層26から延出された保護めっき層28
が設けられている。
The vertical conducting portion 25 is connected to the second wiring of the upper surface side wiring 22.
From the copper layer 22b, and is provided in the vertical conduction hole 24 so as to be connected to the first copper layer 23a of the lower surface side wiring 23, and the surface thereof is the surface of the upper surface side wiring 22. Protective plating layer 28 extending from protective plating layer 26
Is provided.

【0022】ここで、このフレキシブル配線基板の一部
の厚さの一例について説明する。フィルム基板21の厚
さは25〜75μm程度である。上面側配線22の第1
の銅層22aの厚さは1〜5μm程度であり、第1と第
2の銅層22a、22bの合計厚さは8〜18μm程度
である。下面側配線23の第1の銅層23aの厚さは1
〜5μm程度であり、第1と第2の銅層23a、23b
の合計厚さは8〜18μm程度である。
Here, an example of a partial thickness of the flexible wiring board will be described. The film substrate 21 has a thickness of about 25 to 75 μm. First of the upper surface side wiring 22
The thickness of the copper layer 22a is about 1 to 5 μm, and the total thickness of the first and second copper layers 22a and 22b is about 8 to 18 μm. The thickness of the first copper layer 23a of the lower surface side wiring 23 is 1
About 5 μm, and the first and second copper layers 23a, 23b
Has a total thickness of about 8 to 18 μm.

【0023】次に、このフレキシブル配線基板の製造方
法の一例について説明する。まず、図2に示すように、
配線形成用フレキシブル基板として、ポリイミドなどか
らなるフィルム基板21の上面に銅箔からなる上面側配
線形成用層31、亜鉛、ニッケル、コバルト、クロムな
どの無機系金属からなる剥離層32および銅箔からなる
上面側キャリア層33がこの順で積層され、フィルム基
板21の下面に銅箔からなる下面側配線形成用層34、
亜鉛、ニッケル、コバルト、クロムなどの無機系金属か
らなる剥離層35および銅箔からなる下面側キャリア層
36がこの順で積層されたものを用意する。
Next, an example of a method of manufacturing this flexible wiring board will be described. First, as shown in FIG.
As a wiring-forming flexible substrate, an upper surface side wiring-forming layer 31 made of a copper foil, a release layer 32 made of an inorganic metal such as zinc, nickel, cobalt, or chromium and a copper foil are formed on the upper surface of a film substrate 21 made of polyimide or the like. And a lower surface side wiring layer 34 made of copper foil on the lower surface of the film substrate 21.
A release layer 35 made of an inorganic metal such as zinc, nickel, cobalt, and chromium and a lower surface side carrier layer 36 made of a copper foil are laminated in this order.

【0024】この場合、フィルム基板21の厚さは25
〜75μm程度である。両配線形成用層31、34の厚
さは1〜5μm程度である。両キャリア層33、36の
厚さは18〜50μm程度である。ところで、厚さ1〜
5μm程度の極めて薄い銅箔からなる配線形成用層3
1、34単体は、現在の銅箔製造技術では製造すること
ができない。
In this case, the film substrate 21 has a thickness of 25.
It is about 75 μm. The thickness of both wiring forming layers 31 and 34 is about 1 to 5 μm. The thickness of both carrier layers 33 and 36 is about 18 to 50 μm. By the way, thickness 1
Wiring forming layer 3 made of an extremely thin copper foil of about 5 μm
The 1, 34 simple substance cannot be manufactured by the current copper foil manufacturing technology.

【0025】しかし、厚さ18〜50μm程度の銅箔か
らなるキャリア層33、36の一の面に電解めっき、無
電解めっき、スパッタリングなどにより亜鉛、ニッケ
ル、コバルト、クロムなどの無機系金属からなる薄い剥
離層32、35を形成し、この剥離層32、35の一の
面に電解めっきまたは無電解めっきにより厚さ1〜5μ
m程度の銅箔からなる配線形成用層31、34を形成す
ることはできる。
However, one surface of the carrier layers 33 and 36 made of copper foil having a thickness of about 18 to 50 μm is made of an inorganic metal such as zinc, nickel, cobalt or chromium by electrolytic plating, electroless plating, sputtering or the like. Thin release layers 32 and 35 are formed, and one surface of the release layers 32 and 35 is electroplated or electroless plated to a thickness of 1 to 5 μm.
It is possible to form the wiring forming layers 31 and 34 made of copper foil of about m.

【0026】そして、このようなキャリア層33、36
付きの配線形成用層31、34をフィルム基板21の上
面および下面に積層すると、図2に示すものが得られ
る。積層方法としては、例えば、下面側キャリア層36
付きの下面側配線形成用層34の上面にフィルム基板2
1を形成するためのポリイミドワニスを塗布し、この塗
布されたポリイミドワニスの上面に上面側キャリア層3
3付きの上面側配線形成用層31を直に貼り付ける。ま
た、ポリイミド接着剤を用いて接着するようにしてもよ
い。
Then, such carrier layers 33, 36
By laminating the wiring forming layers 31 and 34 with the marks on the upper surface and the lower surface of the film substrate 21, the one shown in FIG. 2 is obtained. As a stacking method, for example, the lower surface side carrier layer 36
The film substrate 2 is provided on the upper surface of the wiring forming layer 34 on the lower surface side.
1. The polyimide varnish for forming 1 is applied, and the upper surface side carrier layer 3 is formed on the upper surface of the applied polyimide varnish.
The upper surface side wiring forming layer 31 with 3 is directly attached. Alternatively, the bonding may be performed using a polyimide adhesive.

【0027】次に、剥離層32と上面側配線形成用層3
1との間の密着力が上面側配線形成用層31とフィルム
基板21との間の接着力よりも弱いので、上面側キャリ
ア層33を剥離層32と共に剥離すると、図3に示すよ
うになる。この状態では、フィルム基板21の上面には
上面側配線形成用層31のみが積層され、その厚さは1
〜5μm程度であり、従来のハーフエッチングと異な
り、その厚さにバラツキが生じにくいようにすることが
できる。
Next, the peeling layer 32 and the upper surface side wiring forming layer 3 are formed.
Since the adhesive force between the upper surface side wiring layer 31 and the film substrate 21 is weaker than the adhesive force between the upper surface side wiring forming layer 31 and the film substrate 21, the upper surface side carrier layer 33 is peeled together with the peeling layer 32 as shown in FIG. . In this state, only the upper surface side wiring forming layer 31 is laminated on the upper surface of the film substrate 21, and the thickness thereof is 1
The thickness is about 5 μm, and unlike the conventional half etching, it is possible to prevent variations in the thickness thereof.

【0028】また、フィルム基板21の上面に厚さ1〜
5μm程度と極めて薄い上面側配線形成用層31のみを
残存させるのは、次工程で、フィルム基板21に上下導
通用孔を形成するときに、上面側配線形成用層31に孔
を開けることができるようにするためである。
In addition, the thickness of 1 to 1 is formed on the upper surface of the film substrate 21.
The reason why only the upper surface side wiring forming layer 31 having an extremely thin thickness of about 5 μm is left is to make a hole in the upper surface side wiring forming layer 31 when the vertical conduction hole is formed in the film substrate 21 in the next step. This is so that it can be done.

【0029】次に、図4に示すように、UVレーザやC
O2レーザなどのレーザを上面側から照射することによ
り、上面側配線形成用層31の所定の箇所に孔37を開
け、この孔37下におけるフィルム基板21に上下導通
用孔24を形成する。この場合、レーザの熱エネルギに
よりフィルム基板21が等方的に蒸発して除去されるた
め、上下導通用孔24は裁頭逆円錐状となる。次に、デ
スミア処理を行う。
Next, as shown in FIG. 4, a UV laser and C
By irradiating a laser such as an O 2 laser from the upper surface side, a hole 37 is opened at a predetermined position in the upper surface side wiring forming layer 31, and a vertical conduction hole 24 is formed in the film substrate 21 under the hole 37. In this case, since the film substrate 21 is isotropically evaporated and removed by the thermal energy of the laser, the vertical conduction hole 24 has a truncated conical shape. Next, desmear processing is performed.

【0030】ところで、上面側配線形成用層31の厚さ
が1〜5μm程度と極めて薄いので、上面側配線形成用
層31にはレーザの熱エネルギにより孔37が形成され
るが、下面側配線形成用層34および下面側キャリア層
36の合計厚さは19〜55μm程度と比較的厚いの
で、それ自体の放熱作用により、下面側配線形成用層3
4には孔は形成されない。従って、この状態では、上下
導通用孔24の下側は下面側配線形成用層34によって
覆われている。
By the way, since the thickness of the upper surface side wiring forming layer 31 is extremely thin, about 1 to 5 μm, holes 37 are formed in the upper surface side wiring forming layer 31 by the thermal energy of the laser, but the lower surface side wiring is formed. Since the total thickness of the forming layer 34 and the lower surface side carrier layer 36 is relatively thick, about 19 to 55 μm, the lower surface side wiring forming layer 3 is formed by its own heat dissipation action.
No holes are formed in 4. Therefore, in this state, the lower side of the vertical conduction hole 24 is covered with the lower surface side wiring forming layer 34.

【0031】次に、下面側キャリア層36を剥離層35
と共に剥離する。次に、図5に示すように、銅の無電解
めっきまたは無電解めっきと電解めっきを行うことによ
り、上下導通用孔24内を含む上面側配線形成用層31
の上面に上面側配線形成用めっき層38を形成するとと
もに、下面側配線形成用層34の下面に下面側配線形成
用めっき層39を形成する。
Next, the lower surface side carrier layer 36 is separated from the release layer 35.
Peel with. Next, as shown in FIG. 5, electroless plating of copper or electroless plating and electrolytic plating is performed to form the upper surface side wiring forming layer 31 including the inside of the vertical conduction hole 24.
The upper surface side wiring forming plating layer 38 is formed on the upper surface of the above, and the lower surface side wiring forming plating layer 39 is formed on the lower surface of the lower surface side wiring forming layer 34.

【0032】なお、図4に示すものをカーボン溶液やバ
ラジウム溶液中に浸漬してその両面にカーボン層やバラ
ジウム層を形成し、その両面を銅エッチング液でライト
エッチングして銅と共にその表面に形成されたカーボン
層やバラジウム層を除去し、フィルム基板21の上下導
通用孔24の内面のみにカーボン層やバラジウム層を残
存させ、この後、電解めっきを行うようにしてもよい。
The one shown in FIG. 4 is immersed in a carbon solution or a palladium solution to form a carbon layer or a palladium layer on both surfaces thereof, and both surfaces thereof are light-etched with a copper etching solution to be formed on the surface together with copper. It is also possible to remove the formed carbon layer and the palladium layer, leave the carbon layer and the palladium layer only on the inner surfaces of the vertical conduction holes 24 of the film substrate 21, and then perform electrolytic plating.

【0033】いずれにしても、上面側配線形成用層31
と上面側配線形成用めっき層38との合計厚さが8〜1
8μm程度となるようにする。また、下面側配線形成用
層34と下面側配線形成用めっき層39との合計厚さが
同じく8〜18μm程度となるようにする。
In any case, the upper surface side wiring forming layer 31 is formed.
And the total thickness of the upper surface side wiring forming plating layer 38 is 8 to 1
It should be about 8 μm. Further, the total thickness of the lower surface side wiring forming layer 34 and the lower surface side wiring forming plating layer 39 is set to about 8 to 18 μm.

【0034】次に、図6に示すように、上面側配線形成
用めっき層38の上面の所定の箇所にドライフィルムか
らなる上面側レジスパターン40を形成するとともに、
下面側配線形成用めっき層39の下面の所定の箇所に同
じくドライフィルムからなる下面側レジスパターン41
を形成する。この状態では、上下導通用孔24内に形成
された配線形成用めっき層38の表面は上面側レジスパ
ターン40によって覆われている。
Next, as shown in FIG. 6, an upper surface side resist pattern 40 made of a dry film is formed at a predetermined position on the upper surface of the upper surface side wiring forming plating layer 38, and
A lower surface side resist pattern 41 also made of a dry film is formed at a predetermined position on the lower surface of the lower surface side wiring forming plating layer 39.
To form. In this state, the surface of the wiring forming plating layer 38 formed in the vertical conduction hole 24 is covered with the upper surface side resist pattern 40.

【0035】次に、図7に示すように、上面側レジスパ
ターン40をマスクとして上面側配線形成用めっき層3
8および上面側配線形成用層31をウェットエッチング
すると、上面側レジスパターン40下に第1と第2の銅
層22a、22bからなる上面側配線22が形成され、
また上下導通用孔24内に上下導通部25が形成され
る。
Next, as shown in FIG. 7, the upper surface side resist pattern 40 is used as a mask to form the upper surface side wiring forming plating layer 3.
8 and the upper surface side wiring forming layer 31 are wet-etched to form the upper surface side wiring 22 including the first and second copper layers 22a and 22b under the upper surface side resist pattern 40,
Further, a vertical conduction portion 25 is formed in the vertical conduction hole 24.

【0036】また、下面側レジスパターン41をマスク
として下面側配線形成用めっき層39および下面側配線
形成用層34をウェットエッチングすると、下面側レジ
スパターン41上に第1と第2の銅層23a、23bか
らなる下面側配線23が形成される。
Further, when the lower surface side wiring forming plating layer 39 and the lower surface side wiring forming layer 34 are wet-etched using the lower surface side resist pattern 41 as a mask, the first and second copper layers 23a are formed on the lower surface side resist pattern 41. , 23b are formed on the lower surface side wiring 23.

【0037】この場合、両配線22、23の厚さは8〜
18μm程度と比較的薄いが、両配線22、23の第1
の銅層22a、23aが厚さ1〜5μm程度の銅箔から
なるので、従来のハーフエッチングにより形成する場合
と比較して、配線22、23の厚さにバラツキが生じに
くいようにすることができる。
In this case, the thickness of both wirings 22 and 23 is 8 to.
It is relatively thin, about 18 μm, but the first of both wirings 22 and 23
Since the copper layers 22a and 23a are made of a copper foil having a thickness of about 1 to 5 μm, it is possible to prevent variations in the thickness of the wirings 22 and 23 as compared with the case of forming by conventional half etching. it can.

【0038】次に、両レジスパターン40、41を剥離
する。次に、図1に示すように、両配線22、23およ
び上下導通部25の各表面に無電解めっきにより錫、
銀、金などからなる保護めっき層26、27、28を形
成する。かくして、図1に示すフレキシブル配線基板が
得られる。
Next, both resist patterns 40 and 41 are peeled off. Next, as shown in FIG. 1, tin is formed by electroless plating on each surface of the wirings 22, 23 and the upper and lower conducting portions 25.
The protective plating layers 26, 27, 28 made of silver, gold or the like are formed. Thus, the flexible wiring board shown in FIG. 1 is obtained.

【0039】(第2実施形態)次に、この発明の第2実
施形態として、図1に示すフレキシブル配線基板の製造
方法の他の例について説明する。この場合、図4に示す
工程までは上記第1実施形態の場合と同じである。すな
わち、UVレーザやCO2レーザなどのレーザを照射す
ることにより、上面側配線形成用層31の所定の箇所に
孔37を開け、この孔37下におけるフィルム基板21
に上下導通用孔24を形成し、次いでデスミア処理を行
う。次に、下面側キャリア層36を剥離層35と共に剥
離する。
(Second Embodiment) Next, as a second embodiment of the present invention, another example of the method for manufacturing the flexible wiring board shown in FIG. 1 will be described. In this case, the steps up to the step shown in FIG. 4 are the same as those in the first embodiment. That is, by irradiating a laser such as a UV laser or a CO 2 laser, a hole 37 is opened at a predetermined position of the upper surface side wiring forming layer 31, and the film substrate 21 under the hole 37.
A vertical conduction hole 24 is formed in the upper surface and then desmear processing is performed. Next, the lower surface side carrier layer 36 is peeled off together with the peeling layer 35.

【0040】次に、図8に示すように、上面側配線形成
用層31の上面の所定の箇所にドライフィルムからなる
上面側レジスパターン51を形成するとともに、下面側
配線形成用層32の下面の所定の箇所に同じくドライフ
ィルムからなる下面側レジスパターン52を形成する。
Next, as shown in FIG. 8, an upper surface side resist pattern 51 made of a dry film is formed at a predetermined position on the upper surface of the upper surface side wiring forming layer 31, and a lower surface of the lower surface side wiring forming layer 32 is formed. A lower surface side resist pattern 52 which is also made of a dry film is formed at a predetermined position.

【0041】次に、銅の無電解めっきまたは無電解めっ
きと電解めっきを行うことにより、上下導通用孔24内
を含む上面側配線形成用層31の上面において上面側レ
ジスパターン51によって覆われていない領域に第2の
銅層22bおよび上下導通部25を形成するとともに、
下面側配線形成用層34の下面において上面側レジスパ
ターン51によって覆われていない領域に第2の銅層2
3bを形成する。この場合、両第2の銅層22b、23
bの厚さが8〜18μm程度あるいはそれよりもやや厚
くなるようにする。
Next, electroless plating of copper or electroless plating and electrolytic plating is performed to cover the upper surface side wiring forming layer 31 including the upper and lower conduction holes 24 with the upper surface side resist pattern 51. The second copper layer 22b and the vertical conducting portion 25 are formed in the non-existing region,
The second copper layer 2 is formed on the lower surface of the lower surface side wiring forming layer 34 in a region not covered by the upper surface side resist pattern 51.
3b is formed. In this case, both second copper layers 22b, 23
The thickness of b is set to about 8 to 18 μm or slightly thicker than that.

【0042】次に、両レジスパターン51、52を剥離
すると、図9に示すようになる。次に、両配線形成用層
31、34をパターニングするために、ライトエッチン
グを行うと、図10に示すように、第2の銅層22a下
に第1の銅層22bが形成されるとともに、第2の銅層
23a上に第1の銅層23bが形成される。この場合、
第2の銅層22a、23aの各表面は第1の銅層22
b、23bの厚さに相当する分だけエッチングされる。
そして、この状態における第1の銅層22b、23bと
第2の銅層22a、23aとの各合計厚さは8〜18μ
m程度となる。
Next, when the two resist patterns 51 and 52 are peeled off, it becomes as shown in FIG. Next, when light etching is performed to pattern both wiring forming layers 31 and 34, a first copper layer 22b is formed under the second copper layer 22a, as shown in FIG. The first copper layer 23b is formed on the second copper layer 23a. in this case,
The surfaces of the second copper layers 22a and 23a are the same as the first copper layer 22.
Etching is performed by an amount corresponding to the thickness of b and 23b.
The total thickness of the first copper layers 22b and 23b and the second copper layers 22a and 23a in this state is 8 to 18 μm.
It will be about m.

【0043】次に、図1に示すように、両配線22、2
3および上下導通部25の各表面に無電解めっきにより
錫、銀、金などからなる保護めっき層26、27、28
を形成する。かくして、図1に示すフレキシブル配線基
板が得られる。
Next, as shown in FIG.
3 and the respective surfaces of the upper and lower conducting portions 25 by electroless plating, the protective plating layers 26, 27, 28 made of tin, silver, gold or the like.
To form. Thus, the flexible wiring board shown in FIG. 1 is obtained.

【0044】ところで、この場合も、両配線22、23
の厚さは8〜18μm程度と比較的薄いが、両配線2
2、23の第1の銅層22a、23aが厚さ1〜5μm
程度の銅箔からなるので、従来のハーフエッチングによ
り形成する場合と比較して、配線22、23の厚さにバ
ラツキが生じにくいようにすることができる。
By the way, also in this case, both wirings 22 and 23 are
Is relatively thin, about 8-18 μm, but both wirings 2
The first and second copper layers 22a and 23a of 2 and 23 have a thickness of 1 to 5 μm.
Since the copper foil is formed to a certain extent, it is possible to make the thicknesses of the wirings 22 and 23 less likely to vary as compared with the case of forming by conventional half etching.

【0045】(第3実施形態)図11はこの発明の第3
実施形態としてのフレキシブル配線基板の要部の断面図
を示したものである。この図において、図1と同一名称
部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。
このフレキシブル配線基板において、図1に示す場合と
異なる点は、下面側配線23が厚さ8〜18μm程度の
銅層からなっていることである。
(Third Embodiment) FIG. 11 shows a third embodiment of the present invention.
1 is a cross-sectional view of a main part of a flexible wiring board as an embodiment. In this figure, the same reference numerals are given to the same names as those in FIG. 1, and the description thereof will be omitted as appropriate.
This flexible wiring board is different from the case shown in FIG. 1 in that the lower surface side wiring 23 is made of a copper layer having a thickness of about 8 to 18 μm.

【0046】次に、このフレキシブル配線基板の製造方
法の一例について説明する。まず、図12に示すよう
に、ポリイミドなどからなるフィルム基板21の上面に
銅箔からなる上面側配線形成用層31、無機系金属から
なる剥離層32および銅箔からなる上面側キャリア層3
3がこの順で積層され、フィルム基板21の下面に銅箔
からなる下面側配線形成用層34、無機系金属からなる
剥離層35および銅箔からなる下面側キャリア層36が
この順で積層されたものを用意する。
Next, an example of a method of manufacturing this flexible wiring board will be described. First, as shown in FIG. 12, an upper surface side wiring forming layer 31 made of a copper foil, a release layer 32 made of an inorganic metal and an upper surface side carrier layer 3 made of a copper foil are formed on an upper surface of a film substrate 21 made of polyimide or the like.
3 is laminated in this order, and a lower surface side wiring forming layer 34 made of a copper foil, a release layer 35 made of an inorganic metal, and a lower surface side carrier layer 36 made of a copper foil are laminated in this order on the lower surface of the film substrate 21. Prepare the items.

【0047】この場合、フィルム基板21の厚さは25
〜75μm程度である。上面側配線形成用層31の厚さ
は1〜5μm程度である。上面側キャリア層33の厚さ
は18〜50μm程度である。下面側配線形成用層34
の厚さは8〜18μm程度である。下面側キャリア層3
6の厚さは12〜50μm程度である。
In this case, the film substrate 21 has a thickness of 25.
It is about 75 μm. The thickness of the upper surface side wiring forming layer 31 is about 1 to 5 μm. The thickness of the upper surface side carrier layer 33 is about 18 to 50 μm. Lower surface side wiring forming layer 34
Has a thickness of about 8 to 18 μm. Lower carrier layer 3
The thickness of 6 is about 12 to 50 μm.

【0048】次に、上面側キャリア層33を剥離層32
と共に剥離すると、図13に示すようになる。この状態
では、フィルム基板21の上面には厚さ1〜5μm程度
と極めて薄い上面側配線形成用層31のみが積層されて
いる。次に、図14に示すように、UVレーザやCO2
レーザなどのレーザを照射することにより、上面側配線
形成用層31の所定の箇所に孔37を開け、この孔37
下におけるフィルム基板21に上下導通用孔24を形成
する。次に、デスミア処理を行う。
Next, the carrier layer 33 on the upper surface side is separated from the release layer 32.
When it is peeled off together, it becomes as shown in FIG. In this state, only the upper surface side wiring forming layer 31 having an extremely thin thickness of about 1 to 5 μm is laminated on the upper surface of the film substrate 21. Next, as shown in FIG. 14, UV laser and CO2
By irradiating a laser such as a laser, a hole 37 is opened at a predetermined position of the upper surface side wiring forming layer 31, and the hole 37 is formed.
A vertical conduction hole 24 is formed in the lower film substrate 21. Next, desmear processing is performed.

【0049】次に、図15に示すように、銅の無電解め
っきまたは無電解めっきと無電解めっきを行うことによ
り、上下導通用孔24内を含む上面側配線形成用層31
の上面に上面側配線形成用めっき層38を形成するとと
もに、下面側キャリア層36の下面にめっき層61を形
成する。次に、下面側キャリア層36およびめっき層6
1を剥離層35と共に剥離する。この状態では、フィル
ム基板21の下面には厚さ8〜18μm程度の下面側配
線形成用層34のみが残存される。
Next, as shown in FIG. 15, electroless plating of copper or electroless plating and electroless plating are performed to form an upper surface side wiring forming layer 31 including the inside of the vertical conduction hole 24.
The upper surface side wiring forming plating layer 38 is formed on the upper surface of the above, and the plating layer 61 is formed on the lower surface of the lower surface side carrier layer 36. Next, the lower surface side carrier layer 36 and the plating layer 6
1 is peeled off together with the peeling layer 35. In this state, only the lower surface side wiring forming layer 34 having a thickness of about 8 to 18 μm remains on the lower surface of the film substrate 21.

【0050】以下、上記第1実施形態の場合の図6、図
7、図1に示す各工程を順次経ると、図11に示すフレ
キシブル配線基板が得られる。このようにして得られた
フレキシブル配線基板では、フィルム基板21の下面に
形成された下面側配線23が厚さ8〜18μm程度の銅
箔をパターニングしたものからなっているので、その厚
さのバラツキを極めて小さくすることができる。
Thereafter, the flexible wiring board shown in FIG. 11 is obtained by sequentially performing the steps shown in FIGS. 6, 7, and 1 in the case of the first embodiment. In the flexible wiring board thus obtained, since the lower surface side wiring 23 formed on the lower surface of the film substrate 21 is formed by patterning a copper foil having a thickness of about 8 to 18 μm, variations in the thickness are caused. Can be extremely small.

【0051】(その他の実施形態)なお、上記各実施形
態では、上面側キャリア層33として銅箔を用いた場合
について説明したが、これに限らず、樹脂フィルムなど
を用いるようにしてもよい。すなわち、下面側キャリア
層36はレーザの熱エネルギをそれ自体で放熱する必要
があるが、上面側キャリア層33はキャリア層としての
み機能すればよいので、樹脂フィルムなどで形成しても
何ら支障はない。
Other Embodiments In each of the above embodiments, the case where the copper foil is used as the upper surface side carrier layer 33 has been described, but the present invention is not limited to this, and a resin film or the like may be used. That is, the lower surface side carrier layer 36 needs to radiate the heat energy of the laser by itself, but the upper surface side carrier layer 33 has only to function as a carrier layer, and therefore, there is no problem even if it is formed of a resin film or the like. Absent.

【0052】また、上記各実施形態では、上面側配線2
2の第1の銅層22aを厚さ1〜5μm程度の銅箔から
なる上面側配線形成用層31によって形成した場合につ
いて説明したが、これに限らず、従来の場合と同様に、
厚さ8〜18μm程度の銅箔からなる上面側配線形成用
層をハーフエッチングして、厚さ1〜5μm程度の銅箔
からなる上面側配線形成用層を形成するようにしてもよ
い。
In each of the above embodiments, the upper surface side wiring 2
The case where the second first copper layer 22a is formed by the upper surface side wiring forming layer 31 made of a copper foil having a thickness of about 1 to 5 μm has been described, but the present invention is not limited to this, and similar to the conventional case,
The upper surface side wiring forming layer made of a copper foil having a thickness of about 8 to 18 μm may be half-etched to form the upper surface side wiring forming layer made of a copper foil having a thickness of about 1 to 5 μm.

【0053】すなわち、図1に対応するフレキシブル配
線基板を製造する場合には、まず、図16に示すよう
に、配線形成用フレキシブル基板として、厚さ25〜7
5μm程度のフィルム基板21の上面に厚さ8〜18μ
m程度の銅箔からなる上面側配線形成用層31のみが積
層され、フィルム基板21の下面に厚さ1〜5μm程度
の銅箔からなる下面側配線形成用層34、剥離層35お
よび厚さ18〜50μm程度の銅箔からなる下面側キャ
リア層36が積層されたものを用意する。
That is, in the case of manufacturing the flexible wiring board corresponding to FIG. 1, first, as shown in FIG.
8 to 18 μm thick on the upper surface of the film substrate 21 of about 5 μm
Only the upper surface side wiring forming layer 31 made of a copper foil having a thickness of about m is laminated, and the lower surface side wiring forming layer 34 made of a copper foil having a thickness of about 1 to 5 μm, the peeling layer 35 and the thickness are formed on the lower surface of the film substrate 21. Prepared is one in which a lower surface side carrier layer 36 made of a copper foil having a thickness of about 18 to 50 μm is laminated.

【0054】図11に対応するフレキシブル配線基板を
製造する場合には、まず、図17に示すように、配線形
成用フレキシブル基板として、厚さ25〜75μm程度
のフィルム基板21の上面に厚さ8〜18μm程度の銅
箔からなる上面側配線形成用層31のみが積層され、フ
ィルム基板21の下面に厚さ8〜18μm程度の銅箔か
らなる下面側配線形成用層34、剥離層35および厚さ
12〜50μm程度の銅箔からなる下面側キャリア層3
6が積層されたものを用意する。
In the case of manufacturing a flexible wiring board corresponding to FIG. 11, first, as shown in FIG. 17, as a wiring forming flexible board, a thickness of 8 to 8 is formed on the upper surface of a film substrate 21 having a thickness of about 25 to 75 μm. Only the upper surface side wiring forming layer 31 made of a copper foil having a thickness of about 18 μm is laminated, and the lower surface side wiring forming layer 34 made of a copper foil having a thickness of about 8 to 18 μm, the peeling layer 35 and the thickness are formed on the lower surface of the film substrate 21. Bottom side carrier layer 3 made of copper foil having a thickness of about 12 to 50 μm
Prepare a stack of 6.

【0055】そして、いずれの場合も、厚さ8〜18μ
m程度の銅箔からなる上面側配線形成用層31をハーフ
エッチングして、厚さ1〜5μm程度の銅箔からなる上
面側配線形成用層を形成する。以下、上記各実施形態の
場合と同様の工程を経ると、図1あるいは図11に対応
するフレキシブル配線基板を得ることができる。
In any case, the thickness is 8-18 μm.
The upper surface side wiring forming layer 31 made of a copper foil having a thickness of about m is half-etched to form an upper surface side wiring forming layer made of a copper foil having a thickness of about 1 to 5 μm. The flexible wiring board corresponding to FIG. 1 or FIG. 11 can be obtained through the same steps as those in the above embodiments.

【0056】ただし、いずれの場合も、厚さ8〜18μ
m程度の銅箔からなる上面側配線形成用層31をハーフ
エッチングするので、従来と同様の問題があることは否
めない。しかし、ハーフエッチング後の厚さ1〜5μm
程度の銅箔からなる上面側配線形成用層およびフィルム
基板に孔および上下導通用孔を形成し、デスミア処理を
行った後に、従来のような保護層積層工程を経ることな
く、直ちに、めっき工程へと移行することができる。
However, in any case, the thickness is 8 to 18 μm.
Since the upper surface side wiring forming layer 31 made of copper foil of about m is half-etched, it cannot be denied that there is a problem similar to the conventional one. However, the thickness after half etching is 1 to 5 μm.
After forming holes and holes for vertical conduction in the upper surface side wiring forming layer and the film substrate made of copper foil and performing desmear treatment, immediately without performing the conventional protective layer laminating step, the plating step Can be moved to.

【0057】すなわち、保護層用のドライフィルムは、
通常、その両面にキャリアフィルムと保護フィルムが積
層された3層構造として市販されている。そして、通
常、ラミネータの加熱圧着ローラで、キャリアフィルム
を剥がしながら、ドライフィルムを保護フィルムと共に
基板表面に熱圧着させ、この後に、保護フィルムを剥が
すことになる。この3層構造のフィルムをフィルム基板
21に貼り付ける工程は大変難しく生産性が悪く且つ歩
留まりも悪い。
That is, the dry film for the protective layer is
Usually, it is commercially available as a three-layer structure in which a carrier film and a protective film are laminated on both sides thereof. Then, usually, the dry film is thermocompression-bonded to the surface of the substrate together with the protective film while the carrier film is being peeled off by the thermocompression-bonding roller of the laminator, and then the protective film is peeled off. The process of sticking the film having the three-layer structure to the film substrate 21 is very difficult, resulting in poor productivity and poor yield.

【0058】これに対して、図16および図17に示す
如く、フィルム基板21の下面に下面側配線形成用層3
4、剥離層35および下面側キャリア層36が積層され
たものを貼り付ける作業は簡単で生産性がよい。また、
フィルム基板21から下面側キャリア層36と共に剥離
層35を剥がす工程も何ら困難性はなく、総合して、従
来の方法よりも効率がよい。従って、このような保護層
積層工程を省略することができる、図16および図17
に示す方法は従来よりも高い生産効率とすることができ
るという効果を奏する。この保護層積層工程の省略は、
上記各実施形態の場合も同様である。
On the other hand, as shown in FIGS. 16 and 17, the lower surface side wiring forming layer 3 is formed on the lower surface of the film substrate 21.
4. The operation of attaching the laminated layer of the peeling layer 35 and the lower surface side carrier layer 36 is simple and has high productivity. Also,
The step of peeling the peeling layer 35 together with the lower surface side carrier layer 36 from the film substrate 21 is not difficult at all, and is more efficient than the conventional method as a whole. Therefore, it is possible to omit such a protective layer laminating step.
The method shown in 1) has the effect of achieving higher production efficiency than in the past. Omission of this protective layer lamination step is
The same applies to the above embodiments.

【0059】さらに、上記説明では、この発明を両面配
線構造のフレキシブル配線基板に適用した場合について
説明したが、これに限らず、片面配線構造のフレキシブ
ル配線基板にも適用可能である。例えば、図2を参照し
て説明すると、まず、配線形成用フレキシブル基板とし
て、厚さ25〜75μm程度のフィルム基板21の上面
のみに厚さ1〜5μm程度の銅箔からなる配線形成用層
31、剥離層32および厚さ18〜50μm程度の銅箔
からなるキャリア層33が積層されたものを用意する。
Further, in the above description, the case where the present invention is applied to the flexible wiring board having the double-sided wiring structure has been described, but the present invention is not limited to this and can be applied to the flexible wiring board having the single-sided wiring structure. For example, referring to FIG. 2, first, as a wiring forming flexible substrate, a wiring forming layer 31 made of a copper foil having a thickness of about 1 to 5 μm only on the upper surface of a film substrate 21 having a thickness of about 25 to 75 μm. A laminate is prepared in which the release layer 32 and the carrier layer 33 made of a copper foil having a thickness of about 18 to 50 μm are laminated.

【0060】そして、キャリア層33を剥離層32と共
に剥離し、配線形成用層31をパターニングすると、図
18に示すように、厚さ1〜5μm程度の銅箔のみから
なる配線22Aが形成され、次いでその表面に保護めっ
き層26を形成する。この場合、配線22Aの厚さを1
〜5μm程度と極めて薄くすることができる上、ハーフ
エッチングによらないので、配線22Aの厚さにバラツ
キが生じにくいようにすることができる。なお、配線2
2Aの厚さは1μm以上で8μm未満であってもよい。
Then, the carrier layer 33 is peeled off together with the peeling layer 32, and the wiring forming layer 31 is patterned to form wirings 22A made of only copper foil having a thickness of about 1 to 5 μm, as shown in FIG. Next, the protective plating layer 26 is formed on the surface. In this case, the thickness of the wiring 22A is 1
The thickness can be made extremely thin to about 5 μm, and since half etching is not used, it is possible to prevent variations in the thickness of the wiring 22A. Wiring 2
The thickness of 2A may be 1 μm or more and less than 8 μm.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、配線形成用フレキシブル基板として、フィルム基板
に配線形成用層、剥離層およびキャリア層が積層された
ものを用い、キャリア層を剥離層と共に剥離すると、ハ
ーフエッチングによらないで、フィルム基板に配線形成
用層のみが残存され、従ってこの残存された配線形成用
層の厚さにバラツキが生じにくいようにすることがで
き、ひいては配線の厚さにバラツキが生じにくいように
することができる。
As described above, according to the present invention, as the flexible substrate for wiring formation, the one in which the wiring formation layer, the peeling layer and the carrier layer are laminated on the film substrate is used. When peeled together, only the wiring forming layer is left on the film substrate without using half-etching. Therefore, it is possible to prevent variations in the thickness of the remaining wiring forming layer from occurring, and by extension It is possible to prevent variations in thickness from occurring.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1実施形態としてのフレキシブル
配線基板の要部の断面図。
FIG. 1 is a sectional view of a main part of a flexible wiring board as a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すフレキシブル配線基板の製造に際
し、当初用意したものの断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of an item initially prepared when manufacturing the flexible wiring board shown in FIG.

【図3】図2に続く工程の断面図。FIG. 3 is a sectional view of a step following FIG. 2;

【図4】図3に続く工程の断面図。FIG. 4 is a sectional view of a step following FIG. 3;

【図5】図4に続く工程の断面図。5 is a sectional view of a step following FIG. 4; FIG.

【図6】図5に続く工程の断面図。FIG. 6 is a sectional view of a step following FIG. 5;

【図7】図6に続く工程の断面図。FIG. 7 is a sectional view of a step following FIG. 6;

【図8】この発明の第2実施形態としてのフレキシブル
配線基板の製造に際し、所定の工程の断面図。
FIG. 8 is a sectional view of a predetermined process in manufacturing the flexible wiring board according to the second embodiment of the present invention.

【図9】図8に続く工程の断面図。9 is a sectional view of a step following FIG. 8;

【図10】図9に続く工程の断面図。FIG. 10 is a sectional view of a step following FIG. 9;

【図11】この発明の第3実施形態としてのフレキシブ
ル配線基板の要部の断面図。
FIG. 11 is a sectional view of an essential part of a flexible wiring board according to a third embodiment of the present invention.

【図12】図11に示すフレキシブル配線基板の製造に
際し、当初用意したものの断面図。
FIG. 12 is a cross-sectional view of an initially prepared item in manufacturing the flexible wiring board shown in FIG.

【図13】図12に続く工程の断面図。FIG. 13 is a sectional view of a step following FIG. 12;

【図14】図13に続く工程の断面図。FIG. 14 is a sectional view of a step following FIG. 13;

【図15】図14に続く工程の断面図。FIG. 15 is a sectional view of a step following FIG. 14;

【図16】図1に示すフレキシブル配線基板の他の製造
に際し、当初用意したものの断面図。
16 is a cross-sectional view of an initially prepared item in another production of the flexible wiring board shown in FIG.

【図17】図11に示すフレキシブル配線基板の他の製
造に際し、当初用意したものの断面図。
FIG. 17 is a cross-sectional view of an initially prepared item in another production of the flexible wiring board shown in FIG.

【図18】この発明を片面配線構造のフレキシブル配線
板に適用した場合の一例を説明するために示す断面図。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of the case where the present invention is applied to a flexible wiring board having a single-sided wiring structure.

【図19】従来のフレキシブル配線基板の一例の一部の
断面図。
FIG. 19 is a partial cross-sectional view of an example of a conventional flexible wiring board.

【図20】図19に示すフレキシブル配線基板の製造に
際し、当初用意したものの断面図。
FIG. 20 is a cross-sectional view of an initially prepared item in manufacturing the flexible wiring board shown in FIG.

【図21】図20に続く工程の断面図。21 is a sectional view of a step following FIG. 20. FIG.

【図22】図21に続く工程の断面図。22 is a sectional view of a step following FIG. 21. FIG.

【図23】図22に続く工程の断面図。23 is a sectional view of a step following FIG. 22. FIG.

【図24】図23に続く工程の断面図。24 is a sectional view of a step following FIG. 23.

【図25】図24に続く工程の断面図。25 is a sectional view of a step following FIG. 24. FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 フィルム基板 22 上面側配線 22a 第1の銅層 22b 第2の銅層 23 下面側配線 23a 第1の銅層 23b 第2の銅層 24 上下導通用孔 25 上下導通部 26、27、28 保護めっき層 21 film substrate 22 Top side wiring 22a First copper layer 22b Second copper layer 23 Bottom surface wiring 23a First copper layer 23b Second copper layer 24 Vertical conduction hole 25 Vertical conduction part 26, 27, 28 Protective plating layer

Claims (39)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フィルム基板の一の面に配線形成用層、
剥離層およびキャリア層が積層されていることを特徴と
する配線形成用フレキシブル基板。
1. A wiring forming layer on one surface of a film substrate,
A flexible substrate for forming a wiring, wherein a peeling layer and a carrier layer are laminated.
【請求項2】 請求項1に記載の発明において、前記配
線形成用層および前記キャリア層は銅箔からなることを
特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
2. The wiring formation flexible substrate according to claim 1, wherein the wiring formation layer and the carrier layer are made of copper foil.
【請求項3】 請求項1に記載の発明において、前記配
線形成用層は銅箔からなり、前記キャリア層は樹脂フィ
ルムからなることを特徴とする配線形成用フレキシブル
基板。
3. The wiring forming flexible substrate according to claim 1, wherein the wiring forming layer is made of copper foil, and the carrier layer is made of a resin film.
【請求項4】 請求項2または3に記載の発明におい
て、前記配線形成用層の厚さは8μm未満であることを
特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
4. The wiring formation flexible substrate according to claim 2 or 3, wherein the wiring formation layer has a thickness of less than 8 μm.
【請求項5】 請求項1に記載の発明において、前記フ
ィルム基板の他の面に他方の配線形成用層、他方の剥離
層および他方のキャリア層が積層されていることを特徴
とする配線形成用フレキシブル基板。
5. The wiring formation according to claim 1, wherein the other wiring forming layer, the other peeling layer, and the other carrier layer are laminated on the other surface of the film substrate. Flexible substrate.
【請求項6】 請求項5に記載の発明において、前記両
配線形成用層および前記両キャリア層は銅箔からなるこ
とを特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
6. The wiring-forming flexible substrate according to claim 5, wherein the both wiring-forming layers and the both carrier layers are made of copper foil.
【請求項7】 請求項5に記載の発明において、前記両
配線形成用層および前記他方のキャリア層は銅箔からな
り、前記一の面側のキャリア層は樹脂フィルムからなる
ことを特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
7. The invention according to claim 5, wherein the both wiring forming layers and the other carrier layer are made of copper foil, and the one surface side carrier layer is made of a resin film. Flexible substrate for wiring formation.
【請求項8】 請求項6または7に記載の発明におい
て、前記両配線形成用層の厚さは1〜5μm程度である
ことを特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
8. The flexible substrate for wiring formation according to claim 6 or 7, wherein the thickness of the both wiring formation layers is about 1 to 5 μm.
【請求項9】 請求項6または7に記載の発明におい
て、前記一の面側の配線形成用層の厚さは1〜5μm程
度であり、前記他方の配線形成用層の厚さは8〜18μ
m程度であることを特徴とする配線形成用フレキシブル
基板。
9. The invention according to claim 6 or 7, wherein the wiring forming layer on the one surface side has a thickness of about 1 to 5 μm, and the other wiring forming layer has a thickness of 8 to 5 μm. 18μ
A flexible substrate for wiring formation, which is about m.
【請求項10】 フィルム基板の一の面に一方の配線形
成用層が積層され、前記フィルム基板の他の面に他方の
配線形成用層、剥離層およびキャリア層が積層されてい
ることを特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
10. One of the wiring forming layers is laminated on one surface of the film substrate, and the other wiring forming layer, a release layer and a carrier layer are laminated on the other surface of the film substrate. Flexible substrate for wiring formation.
【請求項11】 請求項10に記載の発明において、前
記両配線形成用層および前記キャリア層は銅箔からなる
ことを特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
11. The flexible board for wiring formation according to claim 10, wherein the both wiring formation layers and the carrier layer are made of copper foil.
【請求項12】 請求項11に記載の発明において、前
記一方の配線形成用層の厚さは8〜18μm程度であ
り、前記他方の配線形成用層の厚さは1〜5μm程度で
あることを特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
12. The invention according to claim 11, wherein the one wiring forming layer has a thickness of about 8 to 18 μm, and the other wiring forming layer has a thickness of about 1 to 5 μm. A flexible substrate for wiring formation, characterized by:
【請求項13】 請求項11に記載の発明において、前
記両配線形成用層の厚さは8〜18μm程度であること
を特徴とする配線形成用フレキシブル基板。
13. The flexible board for wiring formation according to claim 11, wherein the both wiring formation layers have a thickness of about 8 to 18 μm.
【請求項14】 フィルム基板の一の面に厚さ8μm未
満の銅箔からなる配線が設けられていることを特徴とす
る配線形成用フレキシブル基板。
14. A wiring-forming flexible substrate, wherein a wiring made of a copper foil having a thickness of less than 8 μm is provided on one surface of the film substrate.
【請求項15】 上下導通用孔を有するフィルム基板
と、該フィルム基板の一の面に設けられた金属箔からな
る第1の配線層と金属めっき層からなる第2の配線層と
からなる一方の配線と、前記フィルム基板の他の面に前
記上下導通用孔を覆うように設けられた金属箔からなる
第1の配線層と金属めっき層からなる第2の配線層とか
らなる他方の配線と、前記一方の配線の第2の配線層か
ら延出され、前記フィルム基板の上下導通用孔内に前記
他方の配線の第1の配線層に接続されて設けられた金属
めっき層からなる上下導通部とを具備することを特徴と
するフレキシブル配線基板。
15. One of a film substrate having a hole for vertical conduction, a first wiring layer made of a metal foil and a second wiring layer made of a metal plating layer provided on one surface of the film substrate. And the other wiring comprising the first wiring layer made of a metal foil and the second wiring layer made of a metal plating layer provided on the other surface of the film substrate so as to cover the vertical conduction hole. And a metal plating layer extending from the second wiring layer of the one wiring and connected to the first wiring layer of the other wiring in the vertical conduction hole of the film substrate. A flexible wiring board comprising a conductive portion.
【請求項16】 請求項15に記載の発明において、前
記両配線の厚さは8〜18μm程度であることを特徴と
するフレキシブル配線基板。
16. The flexible wiring board according to claim 15, wherein the thickness of the both wirings is about 8 to 18 μm.
【請求項17】 請求項16に記載の発明において、前
記両第1の配線層の厚さは1〜5μm程度であることを
特徴とするフレキシブル配線基板。
17. The flexible wiring board according to claim 16, wherein the first wiring layers have a thickness of about 1 to 5 μm.
【請求項18】 上下導通用孔を有するフィルム基板
と、該フィルム基板の一の面に設けられた金属箔からな
る第1の配線層と金属めっき層からなる第2の配線層と
からなる一方の配線と、前記フィルム基板の他の面に前
記上下導通用孔を覆うように設けられた金属箔からなる
他方の配線と、前記一方の配線の第2の配線層から延出
され、前記フィルム基板の上下導通用孔内に前記他方の
配線に接続されて設けられた金属めっき層からなる上下
導通部とを具備することを特徴とするフレキシブル配線
基板。
18. One of a film substrate having vertical conduction holes, a first wiring layer made of a metal foil and a second wiring layer made of a metal plating layer, which are provided on one surface of the film substrate. Wiring, the other wiring made of a metal foil provided on the other surface of the film substrate so as to cover the vertical conduction hole, and the second wiring layer of the one wiring, the film extending from the second wiring layer. A flexible wiring board, comprising: a vertical conduction part formed of a metal plating layer provided in the vertical conduction hole of the substrate so as to be connected to the other wiring.
【請求項19】 請求項18に記載の発明において、前
記両配線の厚さは8〜18μm程度であることを特徴と
するフレキシブル配線基板。
19. The flexible wiring board according to claim 18, wherein the thickness of the both wirings is about 8 to 18 μm.
【請求項20】 請求項19に記載の発明において、前
記第1の配線層の厚さは1〜5μm程度であることを特
徴とするフレキシブル配線基板。
20. The flexible wiring board according to claim 19, wherein the first wiring layer has a thickness of about 1 to 5 μm.
【請求項21】 フィルム基板の一の面に配線形成用
層、剥離層およびキャリア層が積層されてなる配線形成
用フレキシブル基板のうち、前記キャリア層を前記剥離
層と共に剥離し、前記配線形成用層をパターニングして
配線を形成することを特徴とするフレキシブル配線基板
の製造方法。
21. A wiring forming flexible substrate comprising a wiring forming layer, a peeling layer and a carrier layer laminated on one surface of a film substrate, wherein the carrier layer is peeled together with the peeling layer to form the wiring. A method for manufacturing a flexible wiring board, which comprises patterning layers to form wiring.
【請求項22】 請求項21に記載の発明において、前
記配線形成用層および前記キャリア層は銅箔からなるこ
とを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
22. The method of manufacturing a flexible wiring board according to claim 21, wherein the wiring forming layer and the carrier layer are made of copper foil.
【請求項23】 請求項21に記載の発明において、前
記配線形成用層は銅箔からなり、前記キャリア層は樹脂
フィルムからなることを特徴とするフレキシブル配線基
板の製造方法。
23. The method of manufacturing a flexible wiring board according to claim 21, wherein the wiring forming layer is made of copper foil, and the carrier layer is made of a resin film.
【請求項24】 請求項22または23に記載の発明に
おいて、前記配線形成用層の厚さは1〜5μm程度であ
ることを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
24. The method of manufacturing a flexible wiring board according to claim 22 or 23, wherein the wiring forming layer has a thickness of about 1 to 5 μm.
【請求項25】 フィルム基板の一の面に一方の配線形
成用層、一方の剥離層および一方のキャリア層が積層さ
れ、前記フィルム基板の他の面に他方の配線形成用層、
他方の剥離層および他方のキャリア層が積層されてなる
配線形成用フレキシブル基板のうち、前記一方のキャリ
ア層を前記一方の剥離層と共に剥離し、前記一方の配線
形成用層および前記フィルム基板に上下導通用孔を形成
することを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方
法。
25. One wiring forming layer, one peeling layer and one carrier layer are laminated on one surface of the film substrate, and the other wiring forming layer is formed on the other surface of the film substrate.
Of the wiring-forming flexible substrate in which the other peeling layer and the other carrier layer are laminated, the one carrier layer is peeled off together with the one peeling layer, and the one wiring forming layer and the film substrate are vertically stacked. A method for manufacturing a flexible wiring board, comprising forming a hole for conduction.
【請求項26】 請求項25に記載の発明において、前
記上下導通用孔を形成した後に前記他方のキャリア層を
前記他方の剥離層と共に剥離し、前記上下導通用孔内を
含む前記一方の配線形成用層の表面に上下導通部を含む
一方の配線形成用めっき層を形成し、且つ、前記他方の
配線形成用層の表面に他方の配線形成用めっき層を形成
し、前記両配線形成用層および前記両配線形成用めっき
層をパターニングして前記フィルム基板の両面にそれぞ
れ2層構造の配線を形成することを特徴とするフレキシ
ブル配線基板の製造方法。
26. The invention according to claim 25, wherein after forming the hole for vertical conduction, the other carrier layer is peeled together with the other peeling layer, and the one wiring including the inside of the hole for vertical conduction. One wiring forming plating layer including a vertical conduction portion is formed on the surface of the forming layer, and the other wiring forming plating layer is formed on the surface of the other wiring forming layer. A method for manufacturing a flexible wiring board, characterized in that a layer and a wiring layer for forming both wirings are patterned to form wirings having a two-layer structure on both surfaces of the film substrate.
【請求項27】 請求項25に記載の発明において、前
記上下導通用孔を形成した後に前記他方のキャリア層を
前記他方の剥離層と共に剥離し、前記上下導通用孔内を
含む前記一方の配線形成用層の表面にめっき層からなる
上下導通部を含む一方の配線層を形成し、且つ、前記他
方の配線形成用層の表面にめっき層からなる他方の配線
層を形成し、前記両配線層下に前記両配線形成用層から
なる配線層を形成して前記フィルム基板の両面にそれぞ
れ2層構造の配線を形成するすることを特徴とするフレ
キシブル配線基板の製造方法。
27. The wiring according to claim 25, wherein the other carrier layer is peeled together with the other peeling layer after the vertical conduction hole is formed, and the one wiring includes the inside of the vertical conduction hole. One wiring layer including a vertical conduction portion formed of a plating layer is formed on the surface of the formation layer, and the other wiring layer formed of the plating layer is formed on the surface of the other wiring formation layer, and both wirings are formed. A method of manufacturing a flexible wiring board, characterized in that a wiring layer composed of the both wiring forming layers is formed under the layer, and wiring having a two-layer structure is formed on both surfaces of the film substrate.
【請求項28】 請求項25に記載の発明において、前
記上下導通用孔を形成した後に前記上下導通用孔内を含
む前記一方の配線形成用層の表面に上下導通部を含む一
方の配線形成用めっき層を形成し、且つ、前記他方のキ
ャリア層の表面にめっき層を形成し、前記他方のキャリ
ア層およびその表面に形成された前記めっき層を前記他
方の剥離層と共に剥離し、前記一方の配線形成用層と前
記一方の配線形成用めっき層および前記他方の配線形成
用層をパターニングして前記フィルム基板の一の面およ
び他の面にそれぞれ2層構造の配線および1層構造の配
線を形成することを特徴とするフレキシブル配線基板の
製造方法。
28. The invention according to claim 25, wherein after forming the vertical conduction hole, one wiring formation including a vertical conduction portion is formed on the surface of the one wiring formation layer including the inside of the vertical conduction hole. Forming a plating layer for, and forming a plating layer on the surface of the other carrier layer, peeling the plating layer formed on the other carrier layer and the surface together with the other peeling layer, the one Wiring forming layer, the one wiring forming plating layer, and the other wiring forming layer are patterned to form a two-layer structure wiring and a one-layer structure wiring on one surface and the other surface of the film substrate, respectively. A method for manufacturing a flexible wiring board, comprising:
【請求項29】 請求項26〜28のいずれかに記載の
発明において、前記両配線形成用層および前記両キャリ
ア層は銅箔からなり、前記両めっき層は銅めっき層から
なることを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方
法。
29. The invention according to any one of claims 26 to 28, wherein the wiring forming layers and the carrier layers are made of copper foil, and the plating layers are made of copper. Flexible wiring board manufacturing method.
【請求項30】 請求項26〜28のいずれかに記載の
発明において、前記両配線形成用層および前記他方のキ
ャリア層は銅箔からなり、前記一方のキャリア層は樹脂
フィルムからなることを特徴とするフレキシブル配線基
板の製造方法。
30. The invention according to any one of claims 26 to 28, wherein the both wiring forming layers and the other carrier layer are made of copper foil, and the one carrier layer is made of a resin film. Flexible wiring board manufacturing method.
【請求項31】 請求項29または30に記載の発明に
おいて、前記両配線の厚さは8〜18μm程度であるこ
とを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
31. The method for manufacturing a flexible wiring board according to claim 29 or 30, wherein the thickness of the both wirings is about 8 to 18 μm.
【請求項32】 請求項31に記載の発明において、前
記一方の配線形成用層の厚さは1〜5μm程度であるこ
とを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
32. The method of manufacturing a flexible wiring board according to claim 31, wherein the one wiring forming layer has a thickness of about 1 to 5 μm.
【請求項33】 フィルム基板の一の面に厚さ8〜18
μm程度の銅箔からなる一方の配線形成用層が積層さ
れ、前記フィルム基板の他の面に銅箔からなる他方の配
線形成用層、剥離層および銅箔からなるキャリア層が積
層されてなる配線形成用フレキシブル基板のうち、前記
一方の配線形成用層をハーフエッチングしてその厚さを
1〜5μm程度とし、このハーフエッチングされた一方
の配線形成用層および前記フィルム基板に上下導通用孔
を形成することを特徴とするフレキシブル配線基板の製
造方法。
33. A thickness of 8 to 18 on one surface of a film substrate.
One wiring forming layer made of copper foil of about μm is laminated, and the other wiring forming layer made of copper foil, a release layer and a carrier layer made of copper foil are laminated on the other surface of the film substrate. Of the wiring forming flexible substrate, the one wiring forming layer is half-etched to a thickness of about 1 to 5 μm, and the half-etched one wiring forming layer and the film substrate are provided with holes for vertical conduction. A method for manufacturing a flexible wiring board, comprising:
【請求項34】 請求項33に記載の発明において、前
記上下導通用孔を形成した後に前記キャリア層を前記剥
離層と共に剥離し、前記上下導通用孔内を含む前記一方
の配線形成用層の表面に銅めっき層からなる上下導通部
を含む一方の配線形成用めっき層を形成し、且つ、前記
他方の配線形成用層の表面に銅めっき層からなる他方の
配線形成用めっき層を形成し、前記両配線形成用層およ
び前記両配線形成用めっき層をパターニングして前記フ
ィルム基板の両面にそれぞれ2層構造の配線を形成する
ことを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
34. The invention according to claim 33, wherein the carrier layer is peeled off together with the release layer after the vertical conduction hole is formed, and the one wiring formation layer including the inside of the vertical conduction hole is formed. Forming one wiring forming plating layer including a vertical conduction part made of a copper plating layer on the surface, and forming the other wiring forming plating layer made of a copper plating layer on the surface of the other wiring forming layer. A method for manufacturing a flexible wiring board, wherein the both wiring forming layers and the both wiring forming plating layers are patterned to form wirings having a two-layer structure on both surfaces of the film substrate.
【請求項35】 請求項33に記載の発明において、前
記上下導通用孔を形成した後に前記キャリア層を前記剥
離層と共に剥離し、前記上下導通用孔内を含む前記一方
の配線形成用層の表面に銅めっき層からなる上下導通部
を含む一方の配線層を形成し、且つ、前記他方の配線形
成用層の表面に銅めっき層からなる他方の配線層を形成
し、前記両配線層下に前記両配線形成用層からなる配線
層を形成して前記フィルム基板の両面にそれぞれ2層構
造の配線を形成することを特徴とするフレキシブル配線
基板の製造方法。
35. The invention according to claim 33, wherein the carrier layer is peeled off together with the peeling layer after the vertical conduction hole is formed, and the one wiring formation layer including the inside of the vertical conduction hole is formed. One wiring layer including a vertical conduction part made of a copper plating layer is formed on the surface, and the other wiring layer made of a copper plating layer is formed on the surface of the other wiring forming layer. A method of manufacturing a flexible wiring board, characterized in that a wiring layer composed of the both wiring forming layers is formed on the both sides, and wiring having a two-layer structure is formed on both surfaces of the film substrate.
【請求項36】 請求項33に記載の発明において、前
記上下導通用孔を形成した後に前記上下導通用孔内を含
む前記一方の配線形成用層の表面に銅めっき層からなる
上下導通部を含む一方の配線形成用めっき層を形成し、
且つ、前記他方のキャリア層の表面に銅めっき層を形成
し、前記他方のキャリア層およびその表面に形成された
前記銅めっき層を前記剥離層と共に剥離し、前記一方の
配線形成用層と前記一方の配線形成用めっき層および前
記他方の配線形成用層をパターニングして前記フィルム
基板の一の面および他の面にそれぞれ2層構造の配線お
よび1層構造の配線を形成することを特徴とするフレキ
シブル配線基板の製造方法。
36. In the invention according to claim 33, after forming the vertical conduction hole, a vertical conduction portion made of a copper plating layer is formed on the surface of the one wiring formation layer including the inside of the vertical conduction hole. Forming one wiring formation plating layer including
And, forming a copper plating layer on the surface of the other carrier layer, peeling the other carrier layer and the copper plating layer formed on the surface together with the peeling layer, the one wiring forming layer and the One wiring forming plating layer and the other wiring forming layer are patterned to form a two-layer structure wiring and a one-layer structure wiring on one surface and the other surface of the film substrate, respectively. Flexible wiring board manufacturing method.
【請求項37】 請求項34〜36のいずれかに記載の
発明において、前記両配線の厚さは8〜18μm程度で
あることを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方
法。
37. The method of manufacturing a flexible wiring board according to any one of claims 34 to 36, wherein the thickness of both of the wirings is about 8 to 18 μm.
【請求項38】 請求項37に記載の発明において、前
記他方の配線形成用層の厚さは1〜5μm程度であるこ
とを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
38. The method of manufacturing a flexible wiring board according to claim 37, wherein the other wiring forming layer has a thickness of about 1 to 5 μm.
【請求項39】 請求項25または33に記載の発明に
おいて、前記一方の配線形成用層および前記フィルム基
板への上下導通用孔の形成は、レーザの照射により行う
ことを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
39. The flexible wiring board according to claim 25 or 33, wherein the formation of the vertical conduction hole in the one wiring formation layer and the film substrate is performed by laser irradiation. Manufacturing method.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008078487A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Samsung Electro Mech Co Ltd Method of manufacturing copper clad laminate for vop
JP2009088022A (en) * 2007-09-27 2009-04-23 Kyocera Corp Wiring board, and manufacturing method therefor, and electronic device
JPWO2007111268A1 (en) * 2006-03-24 2009-08-13 宇部興産株式会社 Method for producing copper wiring polyimide film and copper wiring polyimide film
JP2010199530A (en) * 2008-11-14 2010-09-09 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Printed circuit board, and manufacturing method thereof
US7807215B2 (en) 2006-09-21 2010-10-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing copper-clad laminate for VOP application
KR101138537B1 (en) 2010-12-13 2012-04-25 주식회사 심텍 Method for opening laser mask of ultra thin core and printed-circuit-board fabricated using the same
US8227710B2 (en) 2006-12-22 2012-07-24 Tdk Corporation Wiring structure of printed wiring board and method for manufacturing the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2007111268A1 (en) * 2006-03-24 2009-08-13 宇部興産株式会社 Method for producing copper wiring polyimide film and copper wiring polyimide film
US7807215B2 (en) 2006-09-21 2010-10-05 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing copper-clad laminate for VOP application
JP2008078487A (en) * 2006-09-22 2008-04-03 Samsung Electro Mech Co Ltd Method of manufacturing copper clad laminate for vop
US8227710B2 (en) 2006-12-22 2012-07-24 Tdk Corporation Wiring structure of printed wiring board and method for manufacturing the same
JP2009088022A (en) * 2007-09-27 2009-04-23 Kyocera Corp Wiring board, and manufacturing method therefor, and electronic device
JP2010199530A (en) * 2008-11-14 2010-09-09 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Printed circuit board, and manufacturing method thereof
KR101138537B1 (en) 2010-12-13 2012-04-25 주식회사 심텍 Method for opening laser mask of ultra thin core and printed-circuit-board fabricated using the same

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