JP2003243589A - ダイオード、ダイオード圧入方法、ダイオード装着方法、及びフィン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｓｉ素子の変形を抑制することを目的とす
る。 【解決手段】 円板状の底部を有するヒートシンクと底
部の一方の面に設けられ、交流電流を直流電流に変換す
る半導体ペレットとを備えているダイオードを放熱フィ
ンに設けられた貫通孔へ圧入するダイオード圧入方法に
おいて、底部の他方の面の外周部に主に荷重をかけてダ
イオードを貫通孔に圧入することを特徴としている。こ
のことにより、ヒートシンクの底部の外周部は、中心方
向に押される。そのため、ヒートシンクの底部の中央部
分は、反圧入方向に反力を受けるので、ヒートシンクの
底部は、反圧入方向の球状凸型に変形する。そのため、
半導体ペレットは、ヒートシンクの底部側に球状凸型に
変形し、半導体ペレットは、ヒートシンクの底部から変
形方向とは逆方向の反力を受ける。よって、半導体ペレ
ットの変形を抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フィンへ圧入する
ダイオード構造、及びその圧入方法に関するものであ
り、特に乗用車、及びトラック等に搭載される車両用交
流発電機の整流装置に用いて好適なものである。

【０００２】

【従来技術】従来、整流装置のフィンへのダイオード接
合方法として、特開平５−１１４６７８号公報に記載さ
れているように圧入によるものが知られている。ダイオ
ードをフィンへ圧入するには、圧入後にダイオードがフ
ィンから外れないようにするために、ダイオードのヒー
トシンクの外径を整流装置のフィンの貫通孔の内径より
も大きくし、圧入代を設ける必要がある。そのため、ダ
イオード圧入時に高荷重で印加せざるをえない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ダイオード
圧入時にダイオードのヒートシンクに加わる荷重が大き
くなると、ダイオードのヒートシンクの形状は、図１１
（ｃ）、及び図１２（ｃ）に示すように変形してＳｉ素
子の破壊の原因となる。このことを図に基づき説明す
る。

【０００４】（従来例１）図１１（ａ）は、ダイオード
の形状を示した図である。図１１（ｂ）は、整流装置の
フィンへのダイオード圧入時を示した図である。図１１
（ｃ）は、ダイオード圧入後のダイオードのヒートシン
クの形状を示した図である。

【０００５】図１１（ａ）に示すように、ダイオード１
は、ヒートシンク２０、Ｓｉ素子３０、応力緩衝板４
０、銅リード５０、及び半田６０，７０，８０等から構
成されている。

【０００６】ヒートシンク２０は、銅で形成され、有底
円筒状であり、ダイオード１による整流時に発生する熱
を整流装置のフィン１１０へ逃がす役割を果たすもので
ある。また、ヒートシンク２０には、半田付面９０、及
び押圧面１００が形成されている。半田付面９０には、
応力緩衝板４０、Ｓｉ素子３０、銅リード５０の順に積
層され、これらは、半田６０、７０、８０を介して接合
されている。押圧面１００は、半田付面９０の裏面であ
り、フィン１１０へのダイオード１圧入時に圧入棒１２
１により押圧される。

【０００７】Ｓｉ素子３０は、円板状であり、交流電流
を直流電流に変換するものである。なお、変換された直
流電流は、銅リード５０を介して車両のバッテリ等に伝
送される。

【０００８】応力緩衝板４０は、銅で形成されており、
ダイオード１圧入時、及びダイオード１による整流時に
おけるＳｉ素子３０の変形力を吸収するものである。

【０００９】また、ダイオード１のヒートシンク２０の
外径をフィン１１０に形成されている貫通孔１３０の内
径よりも大きくすることにより圧入代を設けている。

【００１０】そして、以上説明したダイオード１を図１
１（ｂ）に示すように、フィン１１０に形成されている
貫通孔１３０に設置し、先端面が平面である圧入棒１２
１により、圧入方向Ｂへ押圧面１００に荷重を印加し、
圧入する。

【００１１】ダイオード１圧入時、ヒートシンク２０の
底部に圧入代を設けているため、ヒートシンク２０の外
周部は、貫通孔１３０の内周壁から中心方向へ押され
る。さらに、圧入棒１２１の先端面は平面であるため、
ヒートシンク２０の押圧面１００には、全面に均等な荷
重がかかる。そのため、ヒートシンク２０の底部の中央
部分は、圧入方向Ｂへ大きな反力を受ける。

【００１２】このことにより、ダイオード１圧入後のヒ
ートシンク２０は、図１１（ｃ）に示すように、圧入方
向Ｂに凸型に変形する。

【００１３】（従来例２）次に、従来例２について説明
する。図１２（ａ）に示すように、ダイオード１は、ヒ
ートシンク２ａ、Ｓｉ素子３ａ、応力緩衝板４ａ、銅リ
ード５ａ、及び半田６ａ，７ａ，８ａ等から構成されて
いる。

【００１４】ヒートシンク２ａは、銅で形成され、ほぼ
円柱状であり、ダイオード１による整流時に発生する熱
を整流装置のフィン１１０へ逃がす役割を果たすもので
ある。また、ヒートシンク２ａには、半田付面９ａ、及
び押圧面１０ａが形成されている。半田付面９ａには、
応力緩衝板４ａ、Ｓｉ素子３ａ、銅リード５ａの順に積
層され、これらは、半田６ａ、７ａ、８ａを介して接合
されている。押圧面１０ａは、半田付面９ａの裏面であ
り、ダイオード１圧入時に圧入棒１２１により押圧され
る。

【００１５】Ｓｉ素子３ａ、応力緩衝板４ａ、及び銅リ
ード５ａは、従来例１と同様のものである。

【００１６】また、ダイオード１のヒートシンク２ａの
外径をフィン１１０に形成されている貫通孔１３０の内
径よりも大きくすることにより圧入代を設けている。

【００１７】そして、以上説明したダイオード１を図１
１（ｂ）に示すように、貫通孔１３０に設置し、先端面
が平面である圧入棒１２１により、圧入方向Ｂへ押圧面
１０ａに荷重を印加し、圧入する。

【００１８】ダイオード１圧入時、ヒートシンク２ａに
圧入代を設けているため、ヒートシンク２ａの外周部
は、貫通孔１３０の内周壁から中心方向へ押される。さ
らに、圧入棒１２１の先端面は平面であるため、ヒート
シンク２ａの押圧面１０ａには、全面に均等な荷重がか
かる。そのため、ヒートシンク２ａの中央部分は、圧入
方向Ｂへ大きな反力を受ける。

【００１９】このことにより、ダイオード１圧入後のヒ
ートシンク２ａは、図１１（ｃ）に示すように、圧入方
向Ｂに凸型に変形する。

【００２０】以上説明したように、整流装置のフィンへ
のダイオード圧入後、ダイオードのヒートシンクは、圧
入方向に凸型に変形するため、Ｓｉ素子は、ダイオード
のヒートシンクとは逆側に凹型に変形する。このことに
より、Ｓｉ素子の変形方向には、ダイオードのヒートシ
ンクのような硬い材質が設けられていないため、Ｓｉ素
子には、変形方向とは逆方向の反力を受けない。そのた
め、Ｓｉ素子の変形を抑制できない。これにより、Ｓｉ
素子の破壊が発生する場合がある。また、ダイオード圧
入時にＳｉ素子の破壊が発生しなくても、ダイオードに
よる整流時にＳｉ素子には、発熱により圧入方向の内部
応力が発生するため、変形量が増大して破壊に至る場合
もある。

【００２１】いずれの時にＳｉ素子が破壊するにして
も、ダイオード圧入時にダイオードのヒートシンクが圧
入方向に凸型に変形することにより、Ｓｉ素子は、ダイ
オードのヒートシンクとは逆側に凹型に変形することで
Ｓｉ素子の変形を抑制できないことが大きな原因であ
る。

【００２２】本発明は、上記問題に鑑みなされたもので
あり、Ｓｉ素子の変形を抑制することを目的とする。

【００２３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１では、円板状の底部を有するヒートシンク
と底部の一方の面に設けられ、交流電流を直流電流に変
換する半導体ペレットとを備えているダイオードを放熱
フィンに設けられた貫通孔へ圧入するダイオード圧入方
法において、底部の他方の面の外周部に主に荷重をかけ
てダイオードを貫通孔に圧入することを特徴としてい
る。

【００２４】このことにより、ヒートシンクの底部の外
周部は、中心方向に押される。そのため、ヒートシンク
の底部の中央部分は、反圧入方向に反力を受けるので、
ヒートシンクの底部は、反圧入方向の球状凸型に変形す
る。そのため、半導体ペレットは、ヒートシンクの底部
側に球状凸型に変形し、半導体ペレットは、ヒートシン
クの底部から変形方向とは逆方向の反力を受ける。よっ
て、半導体ペレットの変形を抑制することができる。

【００２５】また、請求項２では、円板状の底部を有す
るヒートシンクと底部の一方の面に設けられ、交流電流
を直流電流に変換する半導体ペレットとを備えているダ
イオードを放熱フィンに設けられた貫通孔へ圧入するダ
イオード圧入方法において、底部の他方の面は、球状凸
型に形成されており、他方の面にほぼ均等に荷重をかけ
てダイオードを貫通孔に圧入することを特徴としてい
る。また、請求項４では、円板状の底部を有するヒート
シンクと底部の一方の面に設けられ、交流電流を直流電
流に変換する半導体ペレットとを備えているダイオード
において、底部の他方の面は、球状凸型に形成されてい
ることを特徴としている。

【００２６】これらのことにより、ダイオード圧入時に
ヒートシンクの底部の他方の面と圧入治具の先端面とが
ほぼ全域で接触する。そのため、ヒートシンクの底部に
は、ほぼ均等な荷重がかかる。また、ヒートシンクの外
周部は、中心方向へ押される。そのため、ヒートシンク
の底部の中央部分は、反圧入方向へ反力を受けるので、
ヒートシンクの底部は、圧入方向へ変形しない。そのた
め、半導体ペレットも同様に圧入方向へ変形せず、半導
体ペレットは、ヒートシンクの底部から変形方向とは逆
方向の反力を受ける。よって、請求項１と同様の効果を
得ることができる。

【００２７】また、請求項３では、ダイオードの貫通孔
への圧入は、先端が球状凹型に形成されている圧入治具
により行われることを特徴としている。

【００２８】このことにより、ヒートシンクの底部の外
周部にかかる荷重をヒートシンクの底部の中央部分にか
かる荷重よりも大きくすることができる。また、ヒート
シンクの底部が球状凸型で形成されている場合、ヒート
シンクの底部にほぼ均等な荷重をかけることができる。

【００２９】また、請求項５では、円板状の底部を有す
るヒートシンクと、交流電流を直流電流に変換する半導
体ペレットと、半導体ペレットの変形力を吸収する応力
緩衝板とを備え、底部の一方の面に第１の半田、応力緩
衝板、第２の半田、半導体ペレットがこの順序で積層さ
れているダイオードにおいて、第２の半田の半導体ペレ
ットとの接合面、もしくは応力緩衝板の第２の半田との
接合面は、球状凹型に形成されていることを特徴として
いる。

【００３０】第２の半田の半導体ペレットとの接合面が
球状凹型に形成されている場合、ダイオード組付け時に
半導体ペレットは、第２の半田との接合面に沿って変形
する。そして、ダイオード圧入時、ヒートシンクの底部
は、圧入方向に凸型に変形するため、第１の半田、及び
応力緩衝板も同様に圧入方向に凸型に変形する。そし
て、第２の半田の応力緩衝板との接合面は、変形した応
力緩衝板に沿って変形するため、第２の半田の半導体ペ
レットとの接合面は、平面状になる。これにより、半導
体ペレットの変形を小さくすることができる。

【００３１】また、応力緩衝板の第２の半田との接合面
が球状凹型に形成されている場合、ダイオード組付け時
に第２の半田は、応力緩衝板との接合面に沿って変形す
る。これにより、半導体ペレットも同様に第２の半田と
の接合面に沿って変形する。そして、ダイオード圧入
時、ヒートシンクの底部は、圧入方向に凸型に変形する
ため、第１の半田も同様に圧入方向に凸型に変形する。
そして、第１の半田の応力緩衝板との接合面は、変形し
た第１の半田に沿って変形するため、応力緩衝板の第２
の半田との接合面は、平面状になる。これにより、第２
の半田の半導体ペレットとの接合面は、平面状になる。
そのため、半導体ペレットの変形を小さくすることがで
きる。

【００３２】また、請求項６では、円板状の底部、及び
底部の一方の面側に形成される周壁部を有するヒートシ
ンクと、周壁部に包囲され、交流電流を直流電流に変換
する半導体ペレットとを備えているダイオードにおい
て、周壁部は、底部からの突出方向に熱膨張係数が異な
る第１の周壁部、及び第２の周壁部をこの順に有し、且
つ第２の周壁部の熱膨張係数は、第１の周壁部の熱膨張
係数よりも大きいことを特徴としている。

【００３３】第２の周壁部の熱膨張係数は、第１の周壁
部の熱膨張係数よりも大きいため、ダイオードによる整
流時、第２の周壁部の熱膨張は、第１の周壁部の熱膨張
よりも大きくなる。そのため、第２の周壁部は、第１の
周壁部よりも中心方向に大きく変形するので、周壁部の
先端部の内径は、減少する。よって、ヒートシンクの底
部の中央部分は、反圧入方向に反力を受けるため、ヒー
トシンクの底部は、反圧入方向の球状凸型に変形し、半
導体ペレットは、ヒートシンクの底部側に球状凸型に変
形する。これにより、半導体ペレットは、ヒートシンク
の底部から変形方向とは逆方向の反力を受ける。よっ
て、半導体ペレットの変形を抑制することができる。

【００３４】また、請求項７では、円板状の底部、及び
底部の一方の面側に形成される周壁部を有するヒートシ
ンクと、周壁部に包囲され、且つ一方の面と半田を介し
て接合され、交流電流を直流電流に変換する半導体ペレ
ットと、半導体ペレットと半田を介して接合される銅リ
ードとを備えているダイオードにおいて、ヒートシンク
の熱膨張係数は、銅リードの熱膨張係数よりも大きいこ
とを特徴としている。

【００３５】ヒートシンクの熱膨張係数は、銅リードの
熱膨張係数よりも大きいため、ダイオードによる整流
時、ヒートシンクの熱膨張は、銅リードの熱膨張よりも
大きくなる。そのため、ヒートシンクの底部の中央部分
は、反圧入方向に反力を受けるので、ヒートシンクの底
部は、反圧入方向の球状凸型に変形し、半導体ペレット
は、ヒートシンクの底部側に球状凸型に変形する。これ
により、半導体ペレットは、ヒートシンクの底部から変
形方向とは逆方向の反力を受ける。よって、半導体ペレ
ットの変形を抑制することができる。

【００３６】また、請求項８では、円板状の底部、及び
底部の一方の面側に形成される周壁部を有するヒートシ
ンクと、周壁部に包囲され、交流電流を直流電流に変換
する半導体ペレットとを備えているダイオードにおい
て、ヒートシンクの熱膨張係数は、半導体ペレットの熱
膨張係数よりも大きいことを特徴としている。

【００３７】ヒートシンクの熱膨張係数は、半導体ペレ
ットの熱膨張係数よりも大きいため、ダイオードによる
整流時、ヒートシンクの熱膨張は、半導体ペレットの熱
膨張よりも大きくなる。そのため、ヒートシンクの底部
の中央部分は、反圧入方向に反力を受けるので、ヒート
シンクの底部は、反圧入方向の球状凸型に変形し、半導
体ペレットは、ヒートシンクの底部側に球状凸型に変形
する。これにより、半導体ペレットは、ヒートシンクの
底部から変形方向とは逆方向の反力を受ける。よって、
半導体ペレットの変形を抑制することができる。

【００３８】また、請求項９では、貫通孔が形成されて
いる放熱フィンにおいて、放熱フィンには、円板状の底
部を有するヒートシンク、及び底部の一方の面に交流電
流を直流電流に変換する半導体ペレットを備えたダイオ
ードを放熱フィンの一方側から他方側に圧入可能な貫通
孔が設けられ、且つ貫通孔の内径は、一方側から他方側
方向に漸減していることを特徴としている。

【００３９】ダイオード圧入時、ヒートシンクの外周部
は、貫通孔の内径が圧入方向に漸減しているため、貫通
孔の内周に沿って斜めに変形する。そのため、ヒートシ
ンクの底部の中央部分は、反圧入方向に反力を受けるの
で、ヒートシンクの底部は、反圧入方向の球状凸型に変
形し、半導体ペレットは、ヒートシンクの底部側に球状
凸型に変形する。これにより、半導体ペレットは、ヒー
トシンクの底部から変形方向とは逆方向の反力を受け
る。よって、半導体ペレットの変形を抑制することがで
きる。

【００４０】また、請求項１０では、貫通孔が形成され
ている放熱フィンにおいて、放熱フィンには、円板状の
底部を有するヒートシンク、及び底部の一方の面に交流
電流を直流電流に変換する半導体ペレットを備えたダイ
オードを放熱フィンの一方側から他方側に圧入可能な貫
通孔が設けられ、且つ放熱フィンは、一方側から他方側
方向に熱膨張係数が異なる第１の放熱フィン、及び第２
の放熱フィンの順に有し、且つ第２の放熱フィンの熱膨
張係数は、第１のフィンの熱膨張係数よりも大きいこと
を特徴としている。

【００４１】第２の放熱フィンの熱膨張係数は、第１の
放熱フィンの熱膨張係数よりも大きいため、ダイオード
による整流時、第２の放熱フィンの熱膨張は、第１の放
熱フィンの熱膨張よりも大きくなる。そのため、第２の
放熱フィンは、第１の放熱フィンよりも中心方向に大き
く変形するので、ヒートシンクの外周部は、変形した貫
通孔の内周に沿って変形する。そのため、ヒートシンク
の底部の中央部分は、反圧入方向に反力を受けるので、
ヒートシンクの底部は、反圧入方向の球状凸型に変形
し、半導体ペレットは、ヒートシンクの底部側に球状凸
型に変形する。これにより、半導体ペレットは、ヒート
シンクの底部から変形方向とは逆方向の反力を受ける。
よって、半導体ペレットの変形を抑制することができ
る。

【００４２】また、請求項１１では、円板状の底部、及
び底部の一方の面側に形成される周壁部を有するヒート
シンクと、周壁部に包囲され、交流電流を直流電流に変
換する半導体ペレットとを備えるダイオードを放熱フィ
ンに設けられた貫通孔へ装着するダイオード装着方法に
おいて、ダイオードは、貫通孔へ圧入され、その後、周
壁部の先端部の径を減少することを特徴としている。

【００４３】このことにより、ヒートシンクの底部の中
央部分は、反圧入方向に反力を受けるため、ヒートシン
クの底部は、反圧入方向の球状凸型に変形する。そのた
め、半導体ペレットは、ヒートシンクの底部側に球状凸
型に変形する。これにより、半導体ペレットは、ヒート
シンクの底部から変形方向とは逆方向の反力を受ける。
よって、半導体ペレットの変形を抑制することができ
る。

【００４４】また、請求項１２では、先端部の径の減少
は、かしめにより行われることを特徴としている。

【００４５】このことにより、周壁部の先端部の径は、
減少する。よって、請求項１１と同様の効果を得ること
ができる。

【００４６】また、請求項１３では、放熱フィンには、
貫通孔の近傍に他の貫通孔が設けられており、先端部の
径の減少は、テーパー状で形成されているかしめ棒を他
の貫通孔にダイオードの反圧入方向から圧入することに
より行われることを特徴としている。

【００４７】このことにより、貫通孔の内周は、他の貫
通孔にかしめ棒を圧入することにより、中心方向に力が
加わり、かしめ棒の側面に沿って変形する。そのため、
ヒートシンクの周壁部は、変形した貫通孔の内周に沿っ
て変形する。これにより、周壁部の先端部の径は、減少
する。よって、請求項１１と同様の効果を得ることがで
きる。

【００４８】また、請求項１４では、他の貫通孔は、周
方向にほぼ均等に少なくとも３つ、もしくは周方向全域
に設けられていることを特徴としている。

【００４９】このことにより、貫通孔の内周は、他の貫
通孔にかしめ棒を圧入することにより、径方向にほぼ同
心円状に変形する。そのため、ヒートシンクの底部は、
径方向にほぼ同心円状に変形する。これにより、半導体
ペレットも同様に径方向にほぼ同心円状に変形する。よ
って、半導体ペレットの耐久性を向上させることができ
る。

【００５０】

【発明の実施の形態】以下、図に示す実施形態について
説明する。

【００５１】（第１実施形態）図１（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図１（ｂ）は、整流装置のフィン１１０へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図１（ｃ）
は、本実施形態におけるダイオード１圧入後のダイオー
ド１のヒートシンク２０の形状を示した図である。

【００５２】図１（ａ）に示すダイオード１は、整流装
置に用いられるものである。そのダイオード１は、ヒー
トシンク２０、半導体ペレットであるＳｉ素子３０、応
力緩衝板４０、銅リード５０、及び半田６０，７０，８
０等から構成されている。

【００５３】ヒートシンク２０は、銅で形成され、有底
円筒状であり、ダイオード１による整流時に発生する熱
を整流装置のフィン１１０へ逃す役割を果たすものであ
る。

【００５４】また、ヒートシンク２０は、底部２０ａ、
及び周壁部２０ｂを有している。周壁部２０ｂは、ダイ
オード１を整流装置のフィン１１０に形成されている貫
通孔１３０に圧入した際、その貫通孔１３０の内周と嵌
合する。また、ヒートシンク２０の底部２０ａには、圧
入側に押圧面１００、及び押圧面１００の裏面に半田付
面９０が形成されている。ヒートシンク２０の周壁部２
０ｂは、底部２０ａの外周側に形成されていて、半田付
面９０側に突出している。

【００５５】半田付面９０には、圧入方向Ｂに応力緩衝
板４０、Ｓｉ素子３０、及び銅リード５０の順に積層さ
れており、これらは、半田６０、７０、８０を介して接
合されている。また、押圧面１００は、半田付面９０の
裏面であり、ダイオード１圧入時に圧入棒１２０により
押圧される。

【００５６】Ｓｉ素子３０は、ヒートシンク２０の周壁
部２０ｂに包囲され、円板状であり、交流電流を直流電
流に変換するものである。また、Ｓｉ素子３０により変
換された直流電流は、銅リード５０を介して車両のバッ
テリ等に伝送される。

【００５７】応力緩衝板４０は、Ｓｉ素子３０と同様に
円板状であり、銅で形成されている。また、応力緩衝板
４０は、ダイオード１圧入時、及びダイオードによる整
流時におけるＳｉ素子３０の変形力を吸収するものであ
る。

【００５８】また、図１（ｂ）に示す整流装置のフィン
１１０は、銅で形成されており、ダイオード１による整
流時に発生する熱をダイオード１のヒートシンク２０か
ら受け、その熱を放熱する役割を果たす。また、圧入治
具である圧入棒１２０は、ダイオード１の貫通孔への圧
入時に押圧面１００と接する先端面が球状凹型で形成さ
れている。

【００５９】また、ダイオード１のヒートシンク２０の
外径をフィン１１０に形成されている貫通孔１３０の内
径よりも大きくすることにより圧入代を設けている。

【００６０】そして、硬質金属からなるＳＫＤ−１１の
固定装置２にフィン１１０を挟み、フィン１１０に形成
されている貫通孔１３０に押圧面１００が圧入方向Ｂと
は逆方向を向くようにダイオード１を設置する。そし
て、圧入棒１２０の先端部と押圧面１００が接触するよ
うに圧入棒１２０を配し、ダイオード１の押圧面１００
に荷重を印加し、圧入方向Ｂにダイオード１を圧入す
る。

【００６１】この構成では、圧入棒１２０の先端面は、
圧入方向Ｂとは逆方向の球状凹型に形成しているため、
圧入棒１２０の先端面は、押圧面１００の外周部と主に
接触する。そのため、ヒートシンク２０の底部２０ａの
外周部にかかる荷重は、ヒートシンク２０の底部２０ａ
の中央部分にかかる荷重よりも大きくなる。また、ダイ
オード１の外径を貫通孔１３０の内径よりも大きくする
ことで圧入代を設けているため、ヒートシンク２０の周
壁部２０ｂは、中心方向へ押される。これにより、ヒー
トシンク２０の底部２０ａの中央部分は、圧入方向Ｂと
は逆方向へ大きな力を受けるため、ヒートシンク２０の
底部２０ａは、図１（ｃ）に示すように、圧入方向Ｂと
は逆方向の球状凸型に変形する。

【００６２】このことにより、Ｓｉ素子３０は、ヒート
シンク２０の底部２０ａ側に球状凸型に変形する。これ
により、Ｓｉ素子３０は、Ｓｉ素子３０よりも硬い材質
であるヒートシンク２０の底部２０ａから変形方向とは
逆方向の反力を受けるため、Ｓｉ素子３０の変形が抑制
される。よって、Ｓｉ素子３０の変形を小さくし、破壊
を発生し難くすることができる。

【００６３】なお、本実施形態でのダイオード１のヒー
トシンク２０は、有底円筒状で説明したが、ダイオード
１のヒートシンク２０が図１２のようにほぼ円柱状であ
っても同様の効果を得ることができる。

【００６４】（第２実施形態）図２（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図２（ｂ）は、整流装置のフィン１１０へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図２（ｃ）
は、本実施形態におけるのダイオード１圧入後のダイオ
ード１のヒートシンク２１の形状を示した図である。こ
こでは、第１実施形態と同様な箇所は省略し、相違する
箇所についてのみ説明する。

【００６５】図２（ａ）に示すように、本実施形態での
ヒートシンク２１の底部２１ａは、圧入方向Ｂとは逆方
向の球状凸型で形成している。ヒートシンク２１の底部
２１ａを球状凸型にすることにより、半田付面９１、及
び押圧面１０１の形状も圧入方向Ｂとは逆方向の球状凸
型になる。なお、ヒートシンク２１の底部２１ａ、及び
圧入棒１２０の先端面の曲面率は、ほぼ同じである。そ
のため、半田付面９１に配設される半田６１、応力緩衝
板４１、半田７１、Ｓｉ素子３１、半田８１、及び銅リ
ード５１の形状も半田付面９１に沿うように変形する。

【００６６】この構成により、ダイオード１圧入時、ヒ
ートシンク２１に形成されている押圧面１０１と圧入棒
１２０の先端面がほぼ全域に接触するため、ヒートシン
ク２１の底部２１ａには、ほぼ均等な荷重がかかる。ま
た、ダイオード１の外径を貫通孔１３０の内径よりも大
きくすることで圧入代を設けているため、ヒートシンク
２１の周壁部２１ｂは、中心方向へ押される。これによ
り、ヒートシンク２１の底部２１ａの中央部分は、圧入
方向Ｂとは逆方向に反力を受けるため、ヒートシンク２
１の底部２１ａは、図２（ｃ）に示すように、ほとんど
変形が起こらない。そのため、Ｓｉ素子３１も同様にほ
ぼ変形が起こらない。

【００６７】このことにより、Ｓｉ素子３１は、Ｓｉ素
子３０よりも硬い材質であるヒートシンク２１の底部２
１ａから変形方向とは逆方向の反力を受けるため、Ｓｉ
素子３０の変形が抑制される。よって、Ｓｉ素子３０の
変形を小さくし、破壊を発生し難くすることができる。

【００６８】なお、本実施形態でのダイオード１のヒー
トシンク２０は、有底円筒状で説明したが、ダイオード
１のヒートシンク２０が図１２のようにほぼ円柱状であ
っても同様の効果を得ることができる。

【００６９】（第３実施形態）図３（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図３（ｂ）は、整流装置のフィン１１１へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図３（ｃ）
は、本実施形態におけるのダイオード１圧入後のダイオ
ード１のヒートシンク２０の形状を示した図である。こ
こでは、第１実施形態と同様な箇所は省略し、相違する
箇所についてのみ説明する。

【００７０】図３（ｂ）に示すように、本実施形態での
整流装置のフィン１１１に形成されている貫通孔１３１
の内径は、圧入方向Ｂに漸減している。なお、貫通孔１
３１の挿入側の内径は、フィン貫通孔径Ａである。ま
た、圧入棒１２１の先端面は、平面で形成されている。

【００７１】この構成により、ダイオード１圧入時、ヒ
ートシンク２０の周壁部２０ｂは、貫通孔１３１の内径
が圧入方向Ｂに漸減しているため、貫通孔１３１の内周
に沿って斜めに変形する。そのため、ヒートシンク２０
の底部２０ａの中央部分は、圧入方向Ｂとは逆方向に反
力を受ける。これにより、ヒートシンク２０の底部２０
ａの中央部分は、圧入方向Ｂとは逆方向の大きな力を受
けるため、ヒートシンク２０の底部２０ａは、図３
（ｃ）に示すように、圧入方向Ｂとは逆方向の球状凸型
に変形する。

【００７２】このことにより、Ｓｉ素子３０は、ヒート
シンク２０の底部２０ａ側に球状凸型に変形する。これ
により、Ｓｉ素子３０は、Ｓｉ素子３０よりも硬い材質
であるヒートシンク２０の底部２０ａから変形方向とは
逆方向の反力を受けるため、Ｓｉ素子３０の変形が抑制
される。よって、Ｓｉ素子３０の変形を小さくし、破壊
を発生し難くすることができる。

【００７３】なお、本実施形態では、先端面が圧入方向
Ｂとは逆方向の球状凹型に形成している圧入棒１２０を
用いても同様の効果を得ることができる。また、本実施
形態でのダイオード１のヒートシンク２０は、有底円筒
状で説明したが、ダイオード１のヒートシンク２０が図
１２のようにほぼ円柱状であっても同様の効果を得るこ
とができる。

【００７４】（第４実施形態）図４（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図４（ｂ）は、整流装置のフィン１１０へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図４（ｃ）
は、本実施形態におけるのダイオード１圧入後のダイオ
ード１のヒートシンク２０のかしめ状態を示した図であ
る。ここでは、第１実施形態と同様な箇所は省略し、相
違する箇所についてのみ説明する。

【００７５】本実施形態では、ヒートシンク２０の周壁
部２０ｂの先端部が圧入方向Ｂのフィン１１０端部を突
出するようにダイオード１を圧入する。そして、その先
端部の径が小さくなるようにかしめ治具により、先端部
をかしめる。これにより、ヒートシンク２０の底部２０
ａの中央部分は、ダイオード１圧入時よりも圧入方向Ｂ
とは逆方向に大きい反力を受ける。そのため、ヒートシ
ンク２０の底部２０ａの形状は、ダイオード１圧入時よ
りも圧入方向Ｂとは逆方向の球状凸型に大きく変形す
る。

【００７６】このことにより、Ｓｉ素子３０は、ダイオ
ード１圧入時よりもヒートシンク２０の底部２０ａ側に
球状凸型に大きく変形する。これにより、Ｓｉ素子３０
は、Ｓｉ素子３０よりも硬い材質であるヒートシンク２
０の底部２０ａからダイオード１圧入時よりも変形方向
とは逆方向の大きい反力を受けるため、Ｓｉ素子３０の
変形が抑制される。よって、ダイオード１による整流時
におけるＳｉ素子３０の変形を小さくし、破壊をより発
生し難くすることができる。

【００７７】（第５実施形態）図５（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図５（ｂ）は、整流装置のフィン１１２へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図５（ｃ）
は、本実施形態におけるダイオード１圧入後、整流装置
のフィン１１２にかしめ棒４を圧入した時を示した図で
ある。ここでは、第１実施形態と同様な箇所は省略し、
相違する箇所についてのみ説明する。

【００７８】図５（ｂ）に示すように、本実施形態で
は、整流装置のフィン１１２に形成されている貫通孔１
３０の近傍に他の貫通孔であるかしめ棒挿入孔３が空け
られている。そのかしめ棒挿入孔３は、周方向に均等に
なるように少なくとも３つ、もしくは周方向全域に穴が
空けられている。

【００７９】かしめ棒挿入孔３に圧入されるかしめ棒４
は、フィン１１２より硬い材質で形成されている。ま
た、かしめ棒４は、フィン１１２の板厚よりも長く、先
端にいくに従って径が小さくなるようなテーパー状をし
ている。

【００８０】この構成により、ダイオード１圧入後、か
しめ棒４をかしめ棒挿入孔３に圧入方向Ｂとは逆方向に
圧入する。そして、貫通孔１３０の内周は、かしめ棒４
の側面に沿って斜めに変形する。そのため、ヒートシン
ク２０の周壁部２０ｂは、変形した貫通孔１３０の内周
から中心方向に押され、貫通孔１３０の内周に沿って斜
めに変形する。これにより、ヒートシンク２０の底部２
０ａの中央部分は、ダイオード１圧入時よりも圧入方向
Ｂとは逆方向に大きい反力を受けるため、ヒートシンク
２０の底部２０ａの形状は、ダイオード１圧入時よりも
圧入方向Ｂとは逆方向の球状凸型に大きく変形する。

【００８１】このことにより、Ｓｉ素子３０は、ダイオ
ード１圧入時よりもヒートシンク２０の底部２０ａ側に
球状凸型に大きく変形する。これにより、Ｓｉ素子３０
は、Ｓｉ素子３０よりも硬い材質であるヒートシンク２
０の底部２０ａからダイオード１圧入時よりも変形方向
とは逆方向の大きい反力を受けるため、Ｓｉ素子３０の
変形が抑制される。よって、ダイオード１による整流時
におけるＳｉ素子３０の変形を小さくし、破壊をより発
生し難くすることができる。

【００８２】（第６実施形態）図６（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図６（ｂ）は、整流装置のフィン１１０へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図６（ｃ）
は、本実施形態におけるの圧入後のダイオード１の形状
を示した図である。ここでは、第１実施形態と同様な箇
所は省略し、相違する箇所についてのみ説明する。

【００８３】図６（ａ）に示すように、Ｓｉ素子３２、
及び応力緩衝板４２との間には、これらを接合するため
に半田７２が用いられている。その半田７２は、中心部
分が薄くなるように圧入方向Ｂとは逆方向の球状凹型で
形成されている。これは、先端が丸い治具で半田７２を
圧入することで形成できる。また、図６（ｂ）に示すよ
うに、圧入棒１２１の先端は、従来と同じく平面で形成
されている。

【００８４】この構成により、ダイオード１の組み付け
時にＳｉ素子３２、及び銅リード５２は、球状凹型で形
成さている半田７２との接合面に沿って変形する。そし
て、ダイオード１を圧入後、ヒートシンク２０の底部２
０ａは、図６（ｃ）に示すように、圧入方向Ｂに凸型に
変形する。そのため、応力緩衝板４２もヒートシンク２
０の底部２０ａと同じように凸型に変形し、半田７２の
応力緩衝板４２との接合面は、変形した応力緩衝板４２
に沿って変形するので、半田７２のＳｉ素子３２との接
合面は、平面状になる。

【００８５】このことにより、Ｓｉ素子３２は、平面状
に変形するため、ほとんど内部応力が発生しない。その
ため、Ｓｉ素子３２の破壊を発生し難くすることができ
る。

【００８６】なお、本実施形態でのダイオード１のヒー
トシンク２０は、有底円筒状で説明したが、ダイオード
１のヒートシンク２０が図１２のようにほぼ円柱状であ
っても同様の効果を得ることができる。

【００８７】（第７実施形態）図７（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図７（ｂ）は、整流装置のフィン１１０へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図７（ｃ）
は、本実施形態におけるの圧入後のダイオード１の形状
を示した図である。ここでは、第６実施形態と同様な箇
所は省略し、相違する箇所についてのみ説明する。

【００８８】図７（ａ）に示すように、応力緩衝板４３
は、中心部分が薄くなるように圧入方向Ｂとは逆方向の
球状凹型で形成されている。これは、先端が丸い治具で
応力緩衝板４３を圧入することで形成できる。

【００８９】この構成により、ダイオード１の組み付け
時に半田７３、Ｓｉ素子３３、及び銅リード５３は、球
状凹部で形成されている応力緩衝板４との接合面に沿っ
て変形する。そして、ダイオード１を圧入後、ヒートシ
ンク２０の底部２０ａは、図７（ｃ）に示すように、圧
入方向Ｂに凸型に変形するため、半田７３も同様に凸型
に変形する。そして、応力緩衝板４３の半田７３との接
合面は、変形した半田７３に沿って変形するため、応力
緩衝板４３の半田７３との接合面は、平面状になる。

【００９０】このことにより、Ｓｉ素子３２は、平面状
に変形するため、ほとんど内部応力が発生しない。その
ため、Ｓｉ素子３２の破壊を発生し難くすることができ
る。

【００９１】なお、本実施形態でのダイオード１のヒー
トシンク２０は、有底円筒状で説明したが、ダイオード
１のヒートシンク２０が図１２のようにほぼ円柱状であ
っても同様の効果を得ることができる。

【００９２】（第８実施形態）図８（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図８（ｂ）は、整流装置のフィン１１３へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図８（ｃ）
は、本実施形態におけるダイオード１による整流時のダ
イオード１の形状を示した図である。ここでは、第１実
施形態と同様な箇所は省略し、相違する箇所についての
み説明する。

【００９３】図８（ｂ）に示すように、本実施形態で
は、整流装置のフィン１１３を熱膨張係数が異なる第１
のフィン１１３ａ、及び第２のフィン１１３ｂの二層に
分けて構成されている。第２のフィン１１３ｂは、第１
のフィン１１３ａよりも熱膨張係数が大きい材質を選択
する。なお、第１のフィン１１３ａと第２のフィン１１
３ｂは、熱処理により結合されている。また、フィン１
１３は、一体に形成されていて、熱加工することによ
り、熱膨張係数が異なるように分けてもよい。

【００９４】この構成により、ダイオード１による整流
時、熱膨張係数が大きい第２のフィン１０３ｂは、第１
のフィン１１３ａに比べて熱膨張が大きくなる。そのた
め、第２のフィン１１３ｂは、図８（ｃ）に示すよう
に、ダイオード１を圧入する貫通孔１３０の中心方向に
第１のフィン１１３ａよりも大きく変形する。これによ
り、ヒートシンク２０の周壁部２０ｂは、第１のフィン
１１３ａ、及び第２のフィン１１３ｂにより中心方向に
押されるため、周壁部２０ｂの先端部が中心方向に大き
く変形する。これにより、ヒートシンク２０の底部２０
ａの中央部分は、ダイオード１圧入時よりも圧入方向Ｂ
とは逆方向に大きい反力を受けるため、ヒートシンク２
０の底部２０ａの形状は、ダイオード１圧入時よりも圧
入方向Ｂとは逆方向の球状凸型に大きく変形する。

【００９５】このことにより、Ｓｉ素子３０は、ダイオ
ード１圧入時よりもヒートシンク２０の底部２０ａ側に
球状凸型に大きく変形する。これにより、Ｓｉ素子３０
は、Ｓｉ素子３０よりも硬い材質であるヒートシンク２
０の底部２０ａからダイオード１圧入時よりも変形方向
とは逆方向の大きい反力を受けるため、Ｓｉ素子３０の
変形が抑制される。よって、ダイオード１による整流時
におけるＳｉ素子３０の変形を小さくし、破壊をより発
生し難くすることができる。

【００９６】（第９実施形態）図９（ａ）は、本実施形
態におけるダイオード１の形状を示した図である。ま
た、図９（ｂ）は、整流装置のフィン１１０へのダイオ
ード１の圧入方法を示した図である。また、図９（ｃ）
は、本実施形態におけるダイオード１による整流時のダ
イオード１の形状を示した図である。ここでは、第８実
施形態と同様な箇所は省略し、相違する箇所についての
み説明する。

【００９７】図９（ａ）に示すように、本実施形態で
は、ヒートシンク２２の周壁部２２ｂは、熱膨張係数が
異なる第１の周壁部２２ｃ、及び第２の周壁部２２ｄの
二層に分けて構成されている。第２の周壁部２２ｄは、
第１の周壁部２２ｃよりも熱膨張係数が大きい材質を選
択する。また、第１の周壁部２２ｃと第２の周壁部２２
ｄは、熱処理により結合されている。なお、ヒートシン
ク２２の周壁部２２ｂは、一体に形成されていて、熱加
工することにより、熱膨張係数が異なるように分けても
よい。

【００９８】この構成により、ダイオード１による整流
時、熱膨張係数が大きい第２の周壁部２２ｄは、第１の
周壁部２２ｃに比べて熱膨張が大きくなる。そして、第
２の周壁部２２ｄの外周には、フィン１１０の内周を接
しているため、第２の周壁部２２ｄは、図９（ｃ）に示
すように、中心方向に第１の周壁部２２ｃよりも大きく
変形する。これにより、ヒートシンク２２の底部２２ａ
の中央部分は、ダイオード１圧入時よりも圧入方向Ｂと
は逆方向に大きい反力を受けるため、ヒートシンク２２
の底部２２ａの形状は、ダイオード１圧入時よりも圧入
方向Ｂとは逆方向に径が広がる球状凸型に大きく変形す
る。

【００９９】このことにより、Ｓｉ素子３０は、ダイオ
ード１圧入時よりもヒートシンク２０の底部２０ａ側に
球状凸型に大きく変形する。これにより、Ｓｉ素子３０
は、Ｓｉ素子３０よりも硬い材質であるヒートシンク２
０の底部２０ａからダイオード１圧入時よりも変形方向
とは逆方向の大きい反力を受けるため、Ｓｉ素子３０の
変形が抑制される。よって、ダイオード１による整流時
におけるＳｉ素子３０の変形を小さくし、破壊をより発
生し難くすることができる。

【０１００】（第１０実施形態）図１０（ａ）は、本実
施形態におけるダイオード１の形状を示した図である。
また、図１０（ｂ）は、整流装置のフィン１１０へのダ
イオード１の圧入方法を示した図である。また、図１０
（ｃ）は、本実施形態におけるダイオード１による整流
時のダイオード１の形状を示した図である。ここでは、
第１実施形態と同様な箇所は省略し、相違する箇所につ
いてのみ説明する。

【０１０１】本実施形態では、図１０（ａ）に示すダイ
オード１のヒートシンク２０の熱膨張係数を銅リード５
０の熱膨張係数よりも大きくしている。

【０１０２】この構成により、ダイオード１による整流
時、熱膨張係数が大きいダイオード１のヒートシンク２
０は、銅リード５０に比べて熱膨張が大きくなる。これ
により、ヒートシンク２０の底部２０ａの中央部分は、
圧入方向Ｂとは逆方向にダイオード圧入時よりも大きい
反力を受けるため、ヒートシンク２０の底部２０ａの形
状は、ダイオード１圧入時よりも図８（ｃ）に示すよう
に、圧入方向Ｂとは逆方向の球状凸型に大きく変形す
る。

【０１０３】このことにより、Ｓｉ素子３０は、ダイオ
ード１圧入時よりもヒートシンク２０の底部２０ａ側に
球状凸型に大きく変形する。これにより、Ｓｉ素子３０
は、Ｓｉ素子３０よりも硬い材質であるヒートシンク２
０の底部２０ａからダイオード１圧入時よりも変形方向
とは逆方向の大きい反力を受けるため、Ｓｉ素子３０の
変形が抑制される。よって、ダイオード１による整流時
におけるＳｉ素子３０の変形を小さくし、破壊をより発
生し難くすることができる。

【０１０４】なお、本実施形態では、ダイオード１のヒ
ートシンク２０の熱膨張係数をＳｉ素子３０の熱膨張係
数よりも大きく構成しても同様の効果を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図２】本発明の第２実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図３】本発明の第３実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図４】本発明の第４実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図５】本発明の第５実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図６】本発明の第６実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図７】本発明の第７実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図８】本発明の第８実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図９】本発明の第９実施形態に係るダイオード構造、
及びその圧入方法を示した図である。

【図１０】本発明の第１０実施形態に係るダイオード構
造、及びその圧入方法を示した図である。

【図１１】従来例１のダイオード構造、及びその圧入方
法を示した図である。

【図１２】従来例２のダイオード構造、及びその圧入方
法を示した図である。

【符号の説明】

１…ダイオード、 ２…固定装置、 ３…かしめ棒挿入孔、 ４…かしめ棒、 ２ａ、２ｂ、２０、２１、２２…ヒートシンク、 ３ａ、３ｂ、３０、３１、３２、３３…Ｓｉ素子、 ４ａ、４ｂ、４０、４１、４２、４３…応力緩衝板、 ５ａ、５ｂ、５０、５１、５２、５３…銅リード、 ６ａ、６ｂ、７ａ、７ｂ、８ａ、８ｂ、６０、６１、６
２、６３、７０、７１、７２、７３、８０、８１、８
２、８３…半田、 ９ａ、９ｂ、９０、９１…半田付面、 １０ａ、１０ｂ、１００、１０１…押圧面、 ２０ａ、２１ａ、２２ａ…底部、 ２０ｂ、２１ｂ、２２ｂ…周壁部、 ２２ｃ…第１の周壁部、 ２２ｄ…第２の周壁部、 １１０、１１１、１１２、１１３…フィン、 １１３ａ…第１のフィン、 １１３ｂ…第２のフィン、 １２０、１２１…圧入棒、 １３０、１３１…貫通孔、 Ａ…フィン貫通孔径、 Ｂ…圧入方向。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩澤 方浩 愛知県西尾市下羽角町岩谷14番地 株式会 社日本自動車部品総合研究所内 (72)発明者 金田 礼吉 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 片岡 滋和 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 村田 中人 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BA04 BA23 BB01 BC09

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 円板状の底部を有するヒートシンクと前
   記底部の一方の面に設けられ、交流電流を直流電流に変
   換する半導体ペレットとを備えているダイオードを放熱
   フィンに設けられた貫通孔へ圧入するダイオード圧入方
   法において、 前記底部の他方の面の外周部に主に荷重をかけて前記ダ
   イオードを前記貫通孔に圧入することを特徴とするダイ
   オード圧入方法。
2. 【請求項２】 円板状の底部を有するヒートシンクと前
   記底部の一方の面に設けられ、交流電流を直流電流に変
   換する半導体ペレットとを備えているダイオードを放熱
   フィンに設けられた貫通孔へ圧入するダイオード圧入方
   法において、 前記底部の他方の面は、球状凸型に形成されており、前
   記他方の面にほぼ均等に荷重をかけて前記ダイオードを
   前記貫通孔に圧入することを特徴とするダイオード圧入
   方法。
3. 【請求項３】 前記ダイオードの前記貫通孔への圧入
   は、先端が球状凹型に形成されている圧入治具により行
   われることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイオ
   ード圧入方法。
4. 【請求項４】 円板状の底部を有するヒートシンクと前
   記底部の一方の面に設けられ、交流電流を直流電流に変
   換する半導体ペレットとを備えているダイオードにおい
   て、 前記底部の他方の面は、球状凸型に形成されていること
   を特徴とするダイオード。
5. 【請求項５】 円板状の底部を有するヒートシンクと、 交流電流を直流電流に変換する半導体ペレットと、 前記半導体ペレットの変形力を吸収する応力緩衝板とを
   備え、 前記底部の一方の面に第１の半田、前記応力緩衝板、第
   ２の半田、前記半導体ペレットがこの順序で積層されて
   いるダイオードにおいて、 前記第２の半田の前記半導体ペレットとの接合面、もし
   くは前記応力緩衝板の前記第２の半田との接合面は、球
   状凹型に形成されていることを特徴とするダイオード。
6. 【請求項６】 円板状の底部、及び前記底部の一方の面
   側に形成される周壁部を有するヒートシンクと、 前記周壁部に包囲され、交流電流を直流電流に変換する
   半導体ペレットとを備えているダイオードにおいて、 前記周壁部は、前記底部からの突出方向に熱膨張係数が
   異なる第１の周壁部、及び第２の周壁部をこの順に有
   し、且つ前記第２の周壁部の熱膨張係数は、前記第１の
   周壁部の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とするダイ
   オード。
7. 【請求項７】 円板状の底部、及び前記底部の一方の面
   側に形成される周壁部を有するヒートシンクと、 前記周壁部に包囲され、且つ前記一方の面と半田を介し
   て接合され、交流電流を直流電流に変換する半導体ペレ
   ットと、 前記半導体ペレットと半田を介して接合される銅リード
   とを備えているダイオードにおいて、 前記ヒートシンクの熱膨張係数は、前記銅リードの熱膨
   張係数よりも大きいことを特徴とするダイオード。
8. 【請求項８】 円板状の底部、及び前記底部の一方の面
   側に形成される周壁部を有するヒートシンクと、 前記周壁部に包囲され、交流電流を直流電流に変換する
   半導体ペレットとを備えているダイオードにおいて、 前記ヒートシンクの熱膨張係数は、前記半導体ペレット
   の熱膨張係数よりも大きいことを特徴とするダイオー
   ド。
9. 【請求項９】 貫通孔が形成されている放熱フィンにお
   いて、 前記放熱フィンには、円板状の底部を有するヒートシン
   ク、及び前記底部の一方の面に交流電流を直流電流に変
   換する半導体ペレットを備えたダイオードを前記放熱フ
   ィンの一方側から他方側に圧入可能な前記貫通孔が設け
   られ、且つ前記貫通孔の内径は、前記一方側から前記他
   方側方向に漸減していることを特徴とする放熱フィン。
10. 【請求項１０】 貫通孔が形成されている放熱フィンに
    おいて、 前記放熱フィンには、円板状の底部を有するヒートシン
    ク、及び前記底部の一方の面に交流電流を直流電流に変
    換する半導体ペレットを備えたダイオードを前記放熱フ
    ィンの一方側から他方側に圧入可能な前記貫通孔が設け
    られ、 且つ前記放熱フィンは、前記一方側から前記他方側方向
    に熱膨張係数が異なる第１の放熱フィン、及び第２の放
    熱フィンの順に有し、且つ前記第２の放熱フィンの熱膨
    張係数は、前記第１のフィンの熱膨張係数よりも大きい
    ことを特徴とする放熱フィン。
11. 【請求項１１】 円板状の底部、及び前記底部の一方の
    面側に形成される周壁部を有するヒートシンクと、前記
    周壁部に包囲され、交流電流を直流電流に変換する半導
    体ペレットとを備えるダイオードを放熱フィンに設けら
    れた貫通孔へ装着するダイオード装着方法において、 前記ダイオードは、前記貫通孔へ圧入され、その後、前
    記周壁部の先端部の径を減少することを特徴とするダイ
    オード装着方法。
12. 【請求項１２】 前記先端部の径の減少は、かしめによ
    り行われることを特徴とする請求項１１に記載のダイオ
    ード装着方法。
13. 【請求項１３】 前記放熱フィンには、前記貫通孔の近
    傍に他の貫通孔が設けられており、前記先端部の径の減
    少は、テーパー状で形成されているかしめ棒を前記他の
    貫通孔に前記ダイオードの反圧入方向から圧入すること
    により行われることを特徴とする請求項１１又は１２に
    記載のダイオード装着方法。
14. 【請求項１４】 前記他の貫通孔は、周方向にほぼ均等
    に少なくとも３つ、もしくは周方向全域に設けられてい
    ることを特徴とする請求項１３に記載のダイオード装着
    方法。