JP2003241381A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】１６０ｎｍ以下、特にＦ₂エキシマレーザー光
（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジス
ト組成物を提供することであり、より具体的には１５７
ｎｍの光源使用時に十分な透明性を示し、感度及び解像
度に優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 【解決手段】（Ａ）主鎖にフッ素原子、側鎖に−ＮＨ−
を有する基を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用
によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、
及び、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発
生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジス
ト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、超ＬＳＩ、高容量
マイクロチップの製造などのマイクロリソグラフィープ
ロセスや、その他のフォトファブリケーションプロセス
に好適に用いられるポジ型レジスト組成物に関するもの
である。更に詳しくは、１６０ｎｍ以下の真空紫外光を
使用して高精細化したパターンを形成し得るポジ型レジ
スト組成物に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】集積回路はその集積度を益々高めてお
り、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては、クオ
ーターミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加
工が必要とされるようになってきた。パターンの微細化
を図る手段の一つとして、レジストのパターン形成の際
に使用される露光光源の短波長化が知られている。この
ことは光学系の解像度（線幅）Ｒを表すレイリーの式、 Ｒ＝ｋ・λ／ＮＡ （ここでλは露光光源の波長、ＮＡはレンズの開口数、
ｋはプロセス定数）で説明することができる。この式よ
り高解像度を達成する、即ちＲの値を小さくする為に
は、露光光源の波長λを短くすれば良いことがわかる。 【０００３】例えば６４Ｍビットまでの集積度の半導体
素子の製造には、現在まで高圧水銀灯のｉ線（３６５ｎ
ｍ）が光源として使用されてきた。この光源に対応する
ポジ型レジストとしては、ノボラック樹脂と感光物とし
てのナフトキノンジアジド化合物を含む組成物が、数多
く開発され、０．３μｍ程度までの線幅の加工において
は十分な成果をおさめてきた。また２５６Ｍビット以上
集積度の半導体素子の製造には、ｉ線に代わりＫｒＦエ
キシマレーザー光（２４８ｎｍ）が露光光源として採用
されてきた。更に１Ｇビット以上の集積度の半導体製造
を目的として、近年より短波長の光源であるＡｒＦエキ
シマレーザー光（１９３ｎｍ）の使用、更には０．１μ
ｍ以下のパターンを形成する為にＦ₂エキシマレーザー
光（１５７ｎｍ）の使用が検討されている。 【０００４】これら光源の短波長化に合わせ、レジスト
材料の構成成分及びその化合物構造も大きく変化してい
る。即ち従来のノボラック樹脂とナフトキノンジアジド
化合物を含むレジストでは、２４８ｎｍの遠紫外領域に
おける吸収が大きいため、光がレジスト底部まで十分に
到達しにくくなり、低感度でテーパー形状のパターンし
か得られなかった。このような問題を解決する為、２４
８ｎｍ領域での吸収の小さいポリ（ヒドロキシスチレ
ン）を基本骨格とし酸分解基で保護した樹脂を主成分と
して用い、遠紫外光の照射で酸を発生する化合物（光酸
発生剤）を組み合わせた組成物、所謂化学増幅型レジス
トが開発されるに至った。化学増幅型レジストは露光部
に発生した酸の触媒分解反応により、現像液に対する溶
解性を変化させる為、高感度で高解像度なパターンを形
成することができる。 【０００５】これらに有効な酸分解性樹脂及び光酸発生
剤については、Polym. Eng. Sci.,２３巻，１０１２頁
（１９８３）、ACS. Sym.,２４２巻，１１頁（１９８
４）、Macromolecules，２１巻，１４７５頁（１９８
８）、有機合成化学協会誌，４９巻，４３７頁（１９９
１）、「微細加工とレジスト」（共立出版、１９８７）
など、多くの論文、特許などで報告されている。またＡ
ｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を使用した場
合、芳香族基を有する化合物が本質的に１９３ｎｍ波長
領域に大きな吸収を有する為、上記化学増幅型レジスト
でも十分な性能は得られなかった。 【０００６】この問題に対し、ポリ（ヒドロキシスチレ
ン）を基本骨格とする酸分解性樹脂を、１９３ｎｍに吸
収を持たない脂環式構造をポリマーの主鎖又は側鎖に導
入した酸分解性樹脂に代え、化学増幅型レジストの改良
が図られている。これら脂環型の酸分解性樹脂について
は、例えば特開平４−３９６６５号、同７−２３４５１
１号、同９−７３１７３号、同７−１９９４６７号、同
８−２５９６２６号、同９−２２１５１９号、同１０−
１０７３９号、同９−２３０５９５号、同１０−１１１
５６９号、同１０−２１８９４７号、同１０−１５３８
６４号、ＷＯ−９７／３３１９８号等の明細書に記載さ
れている。 【０００７】更にＦ₂エキシマレーザー光（１５７ｎ
ｍ）に対しては、上記脂環型樹脂においても１５７ｎｍ
領域の吸収が大きく、目的とする０．１μｍ以下のパタ
ーンを得るには不十分であることが判明した。これに対
し、フッ素原子（パーフルオロ構造）を導入した樹脂が
１５７ｎｍに十分な透明性を有することがProc. SPIE.V
ol.3678. 13頁（1999）にて報告され、有効なフッ素樹
脂の構造がProc. SPIE.Vol.3999. 330頁（2000）、同35
7頁（2000）、同365頁（2000）、ＷＯ−００／１７７１
２号等に提案されるに至っている。しかしながら、これ
までのフッ素樹脂を含有するレジストは、透明性、感
度、解像力の諸特性を十分満足するものではなかった。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、１６０ｎｍ以下、特にＦ₂エキシマレーザー光（１
５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組
成物を提供することであり、より具体的には１５７ｎｍ
の光源使用時に十分な透明性を示し、感度及び解像度に
優れたポジ型レジスト組成物を提供することである。 【０００９】 【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、本発明の目的が以下の特
定の組成物を使用することで見事に達成されることを見
出し、本発明に到達した。即ち、本発明は下記構成であ
る。 【００１０】（１）（Ａ）式（Ｉ）で示される構造を含
有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が
増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線または放射線の照
射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とす
るポジ型レジスト組成物。 【００１１】 【化２】 【００１２】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、各々独立に、水素原
子、塩素原子、シアノ基、メチル基、フッ素原子又はフ
ッ素化アルキル基を表す。但し、Ｒ¹〜Ｒ³のうち少なく
とも１つはフッ素原子またはフッ素化アルキル基であ
る。Ｌ¹は単結合または２価の連結基を表す。Ｘは、−
（Ｃ＝Ｏ）−又は−ＳＯ₂−を表す。Ｒ⁴は、一価の有機
基を表す。 【００１３】そして、好ましい態様として以下の構成を
挙げることができる。 （２） 前記一般式（Ｉ）中のＲ¹〜Ｒ³のうち少なくと
も１つが、フッ素原子またはトリフルオロメチル基であ
ることを特徴とする、上記（１）に記載のポジ型レジス
ト組成物。 （３） 前記一般式（Ｉ）中のＲ⁴が、少なくとも１つ
のフッ素原子を含有することを特徴とする、上記（１）
または（２）に記載のポジ型レジスト組成物。 （４） 前記一般式（Ｉ）で表される樹脂が、更に下記
式（ＩＩ）および式（ＩＩＩＩ）で示される繰り返し単
位のうち少なくとも１つを含有することを特徴とする、
上記（１）〜（３）のいずれかに記載のポジ型レジスト
組成物。 【００１４】 【化３】 【００１５】Ｒ⁶及びＲ⁷は、各々独立に、水素原子、メ
チル基、ハロゲン原子、シアノ基又はトリフルオロメチ
ル基を表す。Ｌ²は、単結合または２価の連結基（但し
フェニレン基を除く）を表す。Ｄ¹は酸分解性基を表
す。 【００１６】 【化４】 【００１７】Ｒ⁸は、水素原子、メチル基又はハロゲン
原子を表す。Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、各々独立に、水素原子、
ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ
基、アシル基、アルキル基、シクロアルキル基又はアリ
ール基を表す。Ｄ²は酸分解性基を表す。 【００１８】（５）一般式〈ＩＩ〉又は（ＩＩＩ）にお
けるＤ¹又はＤ²の酸分解性基が下記一般式（ＩＶ）で表
される基であることを特徴とする上記（４）に記載のポ
ジ型レジスト組成物。 【化５】 【００１９】Ｚは、炭素原子とともに脂環基を構成する
原子団を表す。Ｒ¹¹は、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基又はアリール基を表す。 【００２０】（６） 活性光線または放射線の照射によ
り酸を発生する化合物が、活性光線または放射線の照射
によりフッ素原子を含む有機スルホン酸を発生させる化
合物であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいず
れかに記載のポジ型レジスト組成物。 （７）更に塩基性化合物を含有することを特徴とする上
記（１）〜（６）のいずれかに記載のポジ型レジスト組
成物。 （８）１５７ｎｍの波長を有する光により露光されるこ
とを特徴とする上記（１）〜（７）のいずれかに記載の
ポジ型レジスト組成物。 【００２１】 【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する化合物に
ついて詳細に説明する。 〔１〕上記式（Ｉ）で示される構造を含有し、酸の作用
によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂
（Ａ） 本発明で使用される樹脂は、上記式（Ｉ）で示される構
造を含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶
解度が増大する樹脂（Ａ）である。樹脂（Ａ）は、好ま
しくは上記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される繰
り返し単位を含有することが好ましい。一般式（Ｉ）に
おいて、Ｒ¹〜Ｒ³のフッ素化アルキル基のアルキル基と
しては、好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状も
しくは環状のアルキル基が挙げられ、フッ素原子の置換
位置はこれらの任意の位置であってもよい。アルキル基
は置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数１
〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、炭素
数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基等が挙げられる。なお、フッ素原子の置換
位置はこれらの置換基中の任意の位置であってもよい。
Ｒ¹〜Ｒ³の具体例としては、例えばトリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオ
ロエチル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロ
ピル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，３，３，
４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、ノナフルオロブ
チル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロシクロ
ヘキシル基、１Ｈ−１Ｈ−パーフルオロヘプチル基、パ
ーフルオロヘプチル基、１Ｈ−１Ｈ−パーフルオロオク
チル基、パーフルオロオクチル基、１Ｈ−１Ｈ−パーフ
ルオロノニル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロ
デシル基等が挙げられる。Ｒ¹〜Ｒ³としてはフッ素原子
もしくはトリフルオロメチル基が好ましい。Ｒ¹〜Ｒ³が
有するフッ素原子数としては、合計で好ましくは１〜３
０、特に好ましくは１〜２０である。 【００２２】Ｌ¹としての２価の連結基としては、例え
ば、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアル
キレン基、アリーレン基、または−Ｏ−ＣＯ−Ｒａ−、
−ＣＯ−Ｏ−Ｒｂ−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒｃ）−Ｒｄ−を挙
げることができる。Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは同一でも
異なっていてもよく、単結合、エーテル基、エステル
基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有して
いてもよい２価のアルキレン基、アルケニレン基、シク
ロアルキレン基、アリーレン基を表す。Ｒｃは水素原
子、置換基を有していても良いアルキル基、シクロアル
キル基、アラルキル基またはアリール基を表す。Ｌ¹と
しての２価の連結基は炭素数１〜２０が好ましく、１〜
１０がより好ましい。 【００２３】Ｒ⁴の一価の有機基としては、−Ｙ−Ｒ⁵で
表される基が好ましい。Ｙは、単結合、−（Ｃ＝Ｏ）−
又は−ＳＯ₂−を表す。Ｒ⁵は、アルキル基、シクロアル
キル基、アラルキル基又はアリール基を表す。 【００２４】式（Ｉ）において、Ｌ¹が単結合、Ｘが−
（Ｃ＝Ｏ）−が特に好ましい。 【００２５】Ｒ⁵のアルキル基としては、好ましくは炭
素数１〜１５の直鎖又は分岐のアルキル基が挙げられ
る。アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基と
しては炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のア
ルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ
基、ハロゲン原子、シアノ基等が挙げられる。シクロア
ルキル基は、単環又は多環のいずれであってもよく、好
ましくは炭素数３〜１５であり、例えばシクロプロピル
基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられ
る。これらシクロアルキル基は置換基を有していてもよ
く、置換基としては前記アルキル基への置換基として挙
げたものと同様である。アラルキル基もしくはアリール
基中のアリール基としては、好ましくは炭素数１〜２０
であり、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェ
ナンスリル基、ピレニル基等を挙げることができる。ア
リール基は置換基を有していてもよく、置換基としては
前記アルキル基への置換基として挙げたものと同様であ
る。また、アラルキル基中のアルキレン基としては、好
ましくは炭素数１〜５であり、例えばメチレン基、エチ
レン基、プロピレン基等を挙げることができる。アルキ
レン基は置換基を有していてもよく、置換基としては前
記アルキル基上の置換基として挙げたものと同様のもの
が挙げられる。Ｒ⁵の中に少なくとも１つのフッ素原子
が含有されていることが透明性の観点からより好まし
い。フッ素原子を含有する場合、フッ素原子の位置は任
意の位置でよい。 【００２６】Ｒ⁵の具体例としては、例えばメチル、エ
チル、ｎ−プロピル、ｓｅｃ−プロピル、ｎ−ブチル、
ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキ
シル、ノルボルニル、アダマンチル、フェニル、４−メ
チルフェニル、２−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２−ヒド
ロキシフェニル、３−メトキシフェニル、１−ナフチ
ル、２−ナフチル、フェニルエチル、フェニルプロピ
ル、２−ヒドロキシ−フェニルエチル等が挙げられる。
さらに、Ｒ⁵の中に少なくとも１つのフッ素原子を含有
する基の具体例としては、例えばトリフルオロメチル
基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオ
ロエチル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロ
ピル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，３，３，
４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、ノナフルオロブ
チル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロシクロ
ヘキシル基、１Ｈ−１Ｈ−パーフルオロヘプチル基、パ
ーフルオロヘプチル基、１Ｈ−１Ｈ−パーフルオロオク
チル基、パーフルオロオクチル基、１Ｈ−１Ｈ−パーフ
ルオロノニル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロ
デシル基、２，６−ジフルオロフェニル基、ペンタフル
オロフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、
４−（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ビス
（トリフルオロメチル）フェニル基、４−（トリフルオ
ロメトキシ）フェニル基等が挙げられる。 【００２７】一般式（ＩＩ）におけるＬ²の２価の連結
基としては、例えば、２価のアルキレン基、アルケニレ
ン基、シクロアルキレン基、または−Ｏ−ＣＯ−Ｒａ
−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒｂ−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒｃ）−Ｒｄ−
を挙げることができる。Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄは同一
でも異なっていてもよく、単結合、エーテル基、エステ
ル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有し
ていてもよい２価のアルキレン基、アルケニレン基、シ
クロアルキレン基、アリーレン基を表す。Ｒｃは水素原
子、置換基を有していても良いアルキル基、シクロアル
キル基、アラルキル基またはアリール基を表す。Ｌ²と
しての２価の連結基は炭素数１〜２０が好ましく、１〜
１０がより好ましい。 【００２８】式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）におけるＤ¹又
はＤ²の酸分解性基としては、例えば−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）
（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｏ
Ｒ₂₂）、−Ｏ−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、
−Ｏ−Ｃ（Ｒ₀₁）（Ｒ₀₂）ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）
（Ｒ₂₁）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−
ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（ＯＲ₂₂）等が挙げられ
る。Ｒ₀₁及びＲ₀₂は、各々独立に、水素原子、置換基を
有していても良いアルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ
₁₉〜Ｒ₂₂は、同じでも異なっていても良く、置換基を有
していても良い、アルキル基、シクロアルキル基、アル
ケニル基、アラルキル基もしくはアリール基を表す。Ｒ
₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁の内の２つ、又はＲ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₂の内
の２つが結合して環を形成しても良い。Ｒ ₂₂がアルキル
基又はアラルキル基の場合、アルキル基又はアラルキル
基中のメチレン基が酸素原子に置き換わっていてもよ
い。 【００２９】上記アルキル基としては、例えば炭素数１
〜８個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘ
キシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基を好ましく
挙げることができる。シクロアルキル基としては単環型
でも良く、多環型でも良い。単環型としては炭素数３〜
８個のものであって、例えばシクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シ
クロオクチル基を好ましく挙げることができる。多環型
としては炭素数６〜２０個のものであって、例えばアダ
マンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンフ
ァニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシ
クロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロス
タニル基等を好ましく挙げることができる。 【００３０】アルケニル基としては、例えば炭素数２〜
８個のアルケニル基であって、具体的には、ビニル基、
アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を好ましく
挙げることができる。 【００３１】アリール基としては、例えば炭素数６〜１
５個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、
トリル基、ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチ
ルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、９，１０−
ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができ
る。アラルキル基としては、例えば炭素数７〜１２個の
アラルキル基であって、具体的には、ベンジル基、フェ
ネチル基、ナフチルメチル基等を好ましく挙げることが
できる。 【００３２】Ｒ₁₉〜Ｒ₂₂の２つが結合して形成した環と
しては、例えば３〜８員環であり、具体的にはシクロプ
ロパン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、フラ
ン環、ピラン環、ジオキソノール環、１，３−ジオキソ
ラン環等が挙げられる。 【００３３】またこれらの基に置換される置換基として
は、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒ
ドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するも
のや、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、沃素原子）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、チオエーテル基、
アシル基（アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基
等）、アシロキシ基（アセトキシ基、プロパノイルオキ
シ基、ベンゾイルオキシ基等）、アルコキシカルボニル
基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プ
ロポキシカルボニル基等）、シアノ基、ニトロ基等が挙
げられる。 【００３４】酸分解性基の好ましい具体例としては、ｔ
−ブチル基、ｔ−アミル基、１−アルキル−１−シクロ
ヘキシル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、２−
アダマンチル−２−プロピル基、２−（４−メチルシク
ロヘキシル）−２−プロピル基等の３級アルキル基のエ
ーテル基又はエステル基、１−アルコキシ−１−エトキ
シ基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基又はア
セタールエステル基、ｔ−アルキルカーボネート基、ｔ
−アルキルカルボニルメトキシ基等を挙げることがで
き、更に好ましくは、１−アルコキシ−１−エトキシ
基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基である。
アセタール基の場合、酸分解性が大きく、併用する酸発
生化合物の選択の幅が広がり、感度の向上、露光後加熱
までの経時での性能変動等の点で有効である。特に好ま
しくはアセタール基の１−アルコキシ成分として上記パ
ーフルオロアルキル基から由来するアルコキシ基を含有
するアセタール基である。この場合、短波の露光光（例
えばＦ₂エキシマレーザー光の１５７ｎｍ）での透過性
がいっそう向上させることができる。 【００３５】式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）におけるＤ¹及
びＤ²として、上記の−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）
（Ｒ₂₁）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（ＯＲ₂₂）、−Ｃ
ＯＯ−Ｃ（Ｒ ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｏ−ＣＯＯ−Ｃ
（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）が好ましい。 【００３６】更に、−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）で表
される基を有することが好ましく、−Ｃ（Ｒ₁₉）
（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）で表される基として、特に上記式（Ｉ
Ｖ）で表される基が好ましい。また、Ｒ₂₂は、上記式
（ＩＶ）で表される基であることが好ましい。 【００３７】Ｚは、炭素原子とともに脂環基を構成する
原子団を表す。Ｒ¹¹は、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基又はアリール基を表す。 【００３８】式（ＩＶ）におけるＺが形成する環として
は、例えば３〜８員環であり、具体的にはシクロプロパ
ン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、フラン
環、ピラン環、ジオキソノール環、１，３−ジオキソラ
ン環等が挙げられる。Ｚは単環又は多環の脂環式基を構
成する原子団を表し、形成される脂環式基としては、単
環型として炭素数３〜８個のものであって、例えばシク
ロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、
シクロへプチル基、シクロオクチル基を好ましく挙げる
ことができる。多環型としては炭素数６〜２０個のもの
であって、例えばアダマンチル基、ノルボルニル基、イ
ソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、
α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトシクロドデ
シル基、アンドロスタニル基等を好ましく挙げることが
できる。Ｒ¹¹のアルキル基、シクロアルキル基、アラル
キル基又はアリール基の各基としは、例えば以下の基を
挙げることができる。アルキル基としては、好ましくは
炭素数１〜１５の直鎖または分岐のアルキル基が挙げら
れる。アルキル基は置換基を有していてもよく、置換基
としては、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキ
シ基、ハロゲン原子、シアノ基等が挙げられる。シクロ
アルキル基は、単環であっても多環であってもよく、シ
クロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等
が挙げられる。これらシクロアルキル基は、置換基を有
していてもよく、置換基としては前記アルキル基の置換
基として挙げたものと同様のものが挙げられる。アラル
キル基もしくはアリール基中のアリール基としては、フ
ェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル
基、ピレニル基等の炭素数１〜２０のアリール基が挙げ
られる。アリール基は置換基を有していてもよく、置換
基としては前記アルキル基の置換基として挙げたものと
同様のものが挙げられる。また、アラルキル基中のアル
キレン基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン
基等の炭素数１〜５のものが挙げられる。アルキレン基
は置換基を有していてもよく、置換基としては前記アル
キル基の置換基として挙げたものと同様のものが挙げら
れる。 【００３９】一般式（ＩＩＩ）におけるＲ⁹及びＲ¹⁰と
してのアルコキシ基、アシル基中の炭化水素基は、好ま
しくは炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状の
アルキル基であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、シクロペンチル、シク
ロヘキシル等を挙げることができる。アルキル基として
は、好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状のアル
キル基であり、例えばメチル、エチルｎ−プロピル、ｉ
−プロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル等が挙げ
られる。シクロアルキル基としては、好ましくは炭素数
３〜１０であり、例えばシクロプロピル、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル等が挙げられる。アリール基として
は、好ましくは炭素数１〜１５であり、例えばフェニ
ル、ナフチル等が挙げられる。これらアルキル基、シク
ロアルキル基、アリール基は置換基を有していてもよ
く、置換基としては炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もし
くは環状のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、
ヒドロキシ基、ハロゲン原子、シアノ基等が挙げられ
る。 【００４０】以下に一般式（Ｉ）で表される基を有する
繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定される
ものではない。 【００４１】 【化６】【００４２】 【化７】【００４３】 【化８】【００４４】 【化９】【００４５】 【化１０】【００４６】 【化１１】【００４７】 【化１２】【００４８】 【化１３】 【００４９】 【化１４】【００５０】 【化１５】 【００５１】 【化１６】【００５２】 【化１７】 【００５３】 【化１８】【００５４】 【化１９】 【００５５】 【化２０】【００５６】 【化２１】 【００５７】 【化２２】【００５８】 【化２３】 【００５９】 【化２４】【００６０】 【化２５】 【００６１】 【化２６】【００６２】 【化２７】 【００６３】 【化２８】【００６４】 【化２９】【００６５】 【化３０】 【００６６】 【化３１】【００６７】一般式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）の繰り返し
単位の具体例を以下に挙げるが、これらに限定するもの
ではない。 【００６８】 【化３２】【００６９】 【化３３】 【００７０】 【化３４】【００７１】 【化３５】 【００７２】樹脂（Ａ）は、酸の作用により分解しアル
カリ可溶性を示す基（酸分解性基）を有する繰り返し単
位を含有する。酸分解性基は、上記式（Ｉ）で示される
構造を有する繰り返し単位、一般式（ＩＩ）〜（ＩＩ
Ｉ）で表される繰り返し単位が有していてもよいし、他
の繰り返し単位が有していてもよい。酸分解性基として
は、例えば−Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｏ−
Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（ＯＲ₂₂）、−Ｏ−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ
₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−Ｏ−Ｃ（Ｒ₀₁）（Ｒ₀₂）ＣＯ
Ｏ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−ＣＯＯ−Ｃ
（Ｒ ₁₉）（Ｒ₂₀）（Ｒ₂₁）、−ＣＯＯ−Ｃ（Ｒ₁₉）（Ｒ
₂₀）（ＯＲ₂₂）等が挙げられる。Ｒ₀₁及びＲ₀₂は、各々
独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基も
しくはアリール基を表す。Ｒ₁₉〜Ｒ₂₂は、同じでも異な
っていても良く、置換基を有していても良い、アルキル
基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基も
しくはアリール基を表す。Ｒ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₁の内の２
つ、又はＲ₁₉、Ｒ₂₀、Ｒ₂₂の内の２つが結合して環を形
成しても良い。 【００７３】上記アルキル基としては、例えば炭素数１
〜８個のアルキル基であって、具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘ
キシル基、2-エチルヘキシル基、オクチル基を好ましく
挙げることができる。シクロアルキル基としては単環型
でも良く、多環型でも良い。単環型としては炭素数３〜
８個のものであって、例えばシクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シ
クロオクチル基を好ましく挙げることができる。多環型
としては炭素数６〜２０個のものであって、例えばアダ
マンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンフ
ァニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシ
クロデカニル基、テトラシクロドデシル基、アンドロス
タニル基等を好ましく挙げることができる。 【００７４】アルケニル基としては、例えば炭素数２〜
８個のアルケニル基であって、具体的には、ビニル基、
アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を好ましく
挙げることができる。 【００７５】アリール基としては、例えば炭素数６〜１
５個のアリール基であって、具体的には、フェニル基、
トリル基、ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチ
ルフェニル基、ナフチル基、アントリル基、９，１０−
ジメトキシアントリル基等を好ましく挙げることができ
る。アラルキル基としては、例えば炭素数７〜１２個の
アラルキル基であって、具体的には、ベンジル基、フェ
ネチル基、ナフチルメチル基等を好ましく挙げることが
できる。 【００７６】Ｒ₁₉〜Ｒ₂₂の２つが結合して形成した環と
しては、例えば３〜８員環であり、具体的にはシクロプ
ロパン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、フラ
ン環、ピラン環、ジオキソノール環、１，３−ジオキソ
ラン環等が挙げられる。 【００７７】またこれらの基に置換される置換基として
は、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒ
ドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するも
のや、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原
子、沃素原子）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、チオエーテル基、
アシル基（アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基
等）、アシロキシ基（アセトキシ基、プロパノイルオキ
シ基、ベンゾイルオキシ基等）、アルコキシカルボニル
基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プ
ロポキシカルボニル基等）、シアノ基、ニトロ基等が挙
げられる。 【００７８】酸分解性基の好ましい具体例としては、ｔ
−ブチル基、ｔ−アミル基、１−アルキル−１−シクロ
ヘキシル基、２−アルキル−２−アダマンチル基、２−
アダマンチル−２−プロピル基、２−（４−メチルシク
ロヘキシル）−２−プロピル基等の３級アルキル基のエ
ーテル基又はエステル基、１−アルコキシ−１−エトキ
シ基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基又はア
セタールエステル基、ｔ−アルキルカーボネート基、ｔ
−アルキルカルボニルメトキシ基等を挙げることがで
き、更に好ましくは、１−アルコキシ−１−エトキシ
基、テトラヒドロピラニル基等のアセタール基である。
アセタール基の場合、酸分解性が大きく、併用する酸発
生化合物の選択の幅が広がり、感度の向上、露光後加熱
までの経時での性能変動等の点で有効である。特に好ま
しくはアセタール基の１−アルコキシ成分として上記パ
ーフルオロアルキル基から由来するアルコキシ基を含有
するアセタール基である。この場合、短波の露光光（例
えばＦ₂エキシマレーザー光の１５７ｎｍ）での透過性
がいっそう向上させることができる。 【００７９】本発明（Ａ）の樹脂は、上記のような繰り
返し構造単位以外にも、更に本発明のポジ型レジストの
性能を向上させる目的で、他の重合性モノマーを共重合
させても良い。 【００８０】使用することができる共重合モノマーとし
ては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外の
アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル
酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビ
ニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロ
トン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結
合を１個有する化合物である。 【００８１】具体的には、例えばアクリル酸エステル
類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１
０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、ア
クリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル
酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、クロルエチル
アクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，
２−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒ
ドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパ
ンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリ
レート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリル
アクリレート、など）アリールアクリレート（例えばフ
ェニルアクリレートなど）； 【００８２】メタクリル酸エステル類、例えば、アルキ
ル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好まし
い）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、
エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソ
プロピルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキ
シルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、
ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレー
ト、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメ
タクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、
５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２，２−ジメ
チル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメ
チロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリ
トールモノメタクリレート、グリシジルメタクリレー
ト、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリ
ルメタクリレートなど）、アリールメタクリレート（例
えば、フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレー
ト、ナフチルメタクリレートなど）； 【００８３】アクリルアミド類、例えば、アクリルアミ
ド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基として
は、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒ
ドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−ア
リールアクリルアミド（アリール基としては、例えばフ
ェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、
シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシ
フェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリ
ルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０の
もの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブ
チル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基などがあ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールアクリルアミド（アリール
基としては、例えばフェニル基などがある。）、Ｎ−メ
チル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエ
チル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミ
ドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど； 【００８４】メタクリルアミド類、例えば、メタクリル
アミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基と
しては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル
基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒド
ロキシエチル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ
−アリールメタクリルアミド（アリール基としては、フ
ェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリ
ルアミド（アルキル基としては、エチル基、プロピル
基、ブチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタ
クリルアミド（アリール基としては、フェニル基などが
ある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタクリ
ルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミ
ド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドなど；
アリル化合物、例えば、アリルエステル類（例えば、酢
酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウ
リン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリ
ル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリルな
ど）、アリルオキシエタノールなど； 【００８５】ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニ
ルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチ
ルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキ
シルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、
エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエ
ーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニル
エーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキ
シエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニル
エーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエ
チルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチル
ビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒド
ロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエ
ーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリル
エーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−
２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエ
ーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）； 【００８６】ビニルエステル類、例えば、ビニルブチレ
ート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテ
ート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビ
ニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジ
クロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニル
ブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニ
ルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−
フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシ
レート、安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安
息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ
酸ビニルなど； 【００８７】スチレン類、例えば、スチレン、アルキル
スチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレ
ン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルス
チレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキ
シルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレ
ン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフ
ルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセ
トキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例
えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルス
チレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン
（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、カルボ
キシスチレン、ビニルナフタレン； 【００８８】クロトン酸エステル類、例えば、クロトン
酸アルキル（例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘ
キシル、グリセリンモノクロトネートなど）；イタコン
酸ジアルキル類（例えば、イタコン酸ジメチル、イタコ
ン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなど）；マレイン酸
あるいはフマール酸のジアルキルエステル類（例えば、
ジメチルマレレート、ジブチルフマレートなど）等があ
る。その他、一般的には共重合可能である付加重合性不
飽和化合物であればよい。上記具体例で表される繰り返
し構造単位は、各々１種で使用しても良いし、複数を混
合して用いても良い。 【００８９】酸分解性樹脂において、各繰り返し単位の
含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現
像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらに
はレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、
感度等を調節するために適宜設定される。 【００９０】本発明の酸分解性樹脂（Ａ）中、一般式
（Ｉ）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し
単位中、１〜９９モル％が好ましく、より好ましくは３
〜９０モル％、更に好ましくは５〜８０モル％である。
一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位の含有量は、全
繰り返し単位中５〜６０モル％が好ましく、より好まし
くは１０〜５０モル％、更に好ましくは１５〜４５モル
％である。一般式（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の
含有量は、全繰り返し単位中５〜６０モル％が好まし
く、より好ましくは１０〜５０モル％、更に好ましくは
１５〜４５モル％である。酸分解性基を有する繰り返し
単位の含有量は、全繰り返し単位中３〜９０モル％が好
ましく、より好ましくは５〜８０モル％、更に好ましく
は１０〜７０モル％である。 【００９１】本発明に用いる酸分解性樹脂は、常法に従
って（例えばラジカル重合）合成することができる。例
えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括で
あるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応
じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、１，４−ジオ
キサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケ
トン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後
述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トのような、各種モノマーを溶解させ得る溶媒に溶解さ
せ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気
下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤（アゾ系開
始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を開始させ
る。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、
反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の
方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は２０重
量％以上であり、好ましくは３０重量％以上、さらに好
ましくは４０重量％以上である。反応温度は１０℃〜１
５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、さらに好
ましくは５０〜１００℃である。尚、モノマーによって
はアニオン重合を利用した場合に、より好適に合成でき
る重合法について、実験化学講座２８高分子合成、新実
験化学講座１９高分子化学に記載されている。 【００９２】上記繰り返し構造単位を有する本発明の樹
脂（Ａ）の好ましい分子量は、重量平均で１，０００〜
２００，０００であり、更に好ましくは３，０００〜２
０，０００の範囲で使用される。分子量分布は１〜１０
であり、好ましくは１〜３、更に好ましくは１〜２の範
囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、
解像度、レジスト形状、及びレジストパターンの側壁が
スムーズであり、ラフネス性に優れる。本発明の樹脂
（Ａ）の添加量は組成物の全固形分を基準として、５０
〜９９．５重量％、好ましくは６０〜９８重量％、更に
好ましくは６５〜９５重量％の範囲で使用される。 【００９３】［２］本発明（Ｂ）の活性光線又は放射線
の照射により、酸を発生する化合物（以下、酸発生剤と
呼ぶことがある。） 本発明で使用される活性光線又は放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物としては、光カチオン重合の
光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色
剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用され
ている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外
線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシ
マレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、
Ｘ線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合
物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することが
できる。 【００９４】また、その他の本発明に用いられる活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物として
は、たとえば S. I. Schlesinger, Photogr. Sci. En
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４８−３６２８１号、特開昭５５−３２０７０号、特開
昭６０−２３９７３６号、特開昭６１−１６９８３５
号、特開昭６１−１６９８３７号、特開昭６２−５８２
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１号、同０,３８８,３４３号、米国特許第３,９０１,７
１０号、同４,１８１,５３１号、特開昭６０−１９８５
３８号、特開昭５３−１３３０２２号等に記載の０−ニ
トロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA
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許第４,３７１,６０５号、同４,４３１,７７４ 号、特
開昭６４−１８１４３号、特開平２−２４５７５６号、
特開平３−１４０１０９号等に記載のイミノスルフォネ
−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化
合物、特開昭６１−１６６５４４号等に記載のジスルホ
ン化合物を挙げることができる。 【００９５】また、これらの活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主
鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、M. E. Woodho
useet al, J. Am. Chem. Soc., 104, 5586(1982)、S.
P. Pappas et al, J. Imaging Sci., 30(5), 218(198
6)、S. Kondo et al, Makromol. Chem., Rapid Commu
n., 9, 625(1988)、Y. Yamada et al, Makromol. Che
m., 152, 153, 163(1972)、J. V. Crivello et al, J.
Polymer Sci., Polymer Chem. Ed., 17, 3845(1979)、
米国特許第３,８４９,１３７号、獨国特許第３９１４４
０７、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４
８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１
４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６
２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号等に
記載の化合物を用いることができる。 【００９６】さらにV. N. R. Pillai, Synthesis, (1),
1(1980)、A. Abad et al, Tetrahedron Lett., (47)45
55(1971)、D. H. R. Barton et al, J. Chem. Soc.,
(C), 329(1970)、米国特許第３,７７９,７７８号、欧州
特許第１２６,７１２号等に記載の光により酸を発生す
る化合物も使用することができる。 【００９７】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられる
ものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ
２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。 【００９８】 【化３６】 【００９９】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
を示す。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的には
以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定され
るものではない。 【０１００】 【化３７】【０１０１】 【化３８】【０１０２】 【化３９】 【０１０３】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表される
スルホニウム塩。 【０１０４】 【化４０】 【０１０５】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基
としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキ
シル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メル
カプト基及びハロゲン原子が挙げられる。 【０１０６】Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好
ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８
のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい
置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８の
アルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、シクロアル
キル基、ニトロ基、カルボキシル基、メルカプト基、ヒ
ロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対し
ては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、ア
ルコシキカルボニル基である。 【０１０７】Ｚ^-はアニオンを表し、具体的には置換基
を有していても良いアルキルスルホン酸、シクロアルキ
ルスルホン酸、パーフルオロアルキルスルホン酸、アリ
ールスルホン酸（例えば置換基を有していても良いベン
ゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセン
スルホン酸）等の各アニオンが挙げられる。 【０１０８】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つ及
びＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。 【０１０９】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。 【０１１０】 【化４１】 【０１１１】 【化４２】 【０１１２】 【化４３】【０１１３】 【化４４】【０１１４】 【化４５】 【０１１５】 【化４６】 【０１１６】 【化４７】 【０１１７】 【化４８】【０１１８】 【化４９】【０１１９】 【化５０】 【０１２０】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えばJ. W. Knapcz
yk et al, J. Am. Chem. Soc., 91, 145(1969)、A. L.
Maycok et al, J. Org. Chem., 35, 2532,(1970)、E.
Goethas et al, Bull. Soc.Chem. Belg., 73, 546,(196
4)、H. M. Leicester、J. Ame. Chem. Soc., 51, 3587
(1929)、J. V. Crivello et al, J. Polym. Chem. Ed.,
18, 2677(1980)、米国特許第２,８０７,６４８号及び
同４,２４７,４７３号、特開昭５３−１０１３３１号等
に記載の方法により合成することができる。 【０１２１】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。 【０１２２】 【化５１】【０１２３】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。Ｒ ²⁰⁶は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。 【０１２４】 【化５２】 【０１２５】 【化５３】 【０１２６】 【化５４】【０１２７】 【化５５】 【０１２８】 【化５６】【０１２９】 【化５７】 【０１３０】（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表される
ジアゾジスルホン誘導体。 【０１３１】 【化５８】 【０１３２】ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換してもよいアリール基を表す。具体例
としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限
定されるものではない。 【０１３３】 【化５９】 【０１３４】（５）下記一般式（ＰＡＧ８）で表される
オキシムスルホネート誘導体。 【０１３５】 【化６０】 【０１３６】式中、Ｒ₂₀₇は置換もしくは未置換のアル
キル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基
を示す。Ｒ₂₀₈、Ｒ₂₀₉は置換もしくは未置換のアルキル
基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、シ
アノ基、もしくはアシル基を示す。Ｒ₂₀₈、Ｒ₂₀₉が結合
し、炭素環、もしくは酸素原子、窒素原子、又は硫黄原
子を有するヘテロ環を形成しても良い。具体例としては
以下に示す化合物が挙げられるが、これに限定されるも
のではない。 【０１３７】 【化６１】 【０１３８】本発明（Ｂ）の活性光線又は放射線の照射
により、酸を発生する化合物の添加量は、本発明の組成
物の全固形分を基準として、０．１〜２０重量％であ
り、好ましくは０．５から１０重量％、更に好ましくは
１〜７重量％である。またこれらの化合物は単独で使用
しても良く、複数を混合して使用しても良い。 【０１３９】［３］酸拡散抑制剤 本発明の組成物には、活性光線又は放射線の照射後、加
熱処理までの経時による性能変動（パターンのＴ−ｔｏ
ｐ形状形成、感度変動、パターン線幅変動等）や塗布後
の経時による性能変動、更には活性光線又は放射線の照
射後、加熱処理時の酸の過剰な拡散（解像度の劣化）を
防止する目的で、酸拡散抑制剤を添加することが好まし
い。酸拡散抑制剤としては、有機塩基性化合物であり、
例えば塩基性窒素を含有する有機塩基化合物であり、共
役酸のｐＫａ値で４以上の化合物が好ましく使用され
る。具体的には下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を挙げるこ
とができる。 【０１４０】 【化６２】 【０１４１】ここで、Ｒ²⁵⁰ 、Ｒ²⁵¹ 及びＲ²⁵² は、同
一でも異なってもよく、水素原子、炭素数１〜６個のア
ルキル基、炭素数１〜６個のアミノアルキル基、炭素数
１〜６個のヒドロキシアルキル基又は炭素数６〜２０個
の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで、Ｒ
²⁵¹とＲ²⁵²は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ
²⁵³ 、Ｒ²⁵⁴ 、Ｒ²⁵⁵ 及びＲ²⁵⁶ は、同一でも異なって
もよく、炭素数１〜６個のアルキル基を表す。更に好ま
しい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子
を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ま
しくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含
む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基
を有する化合物である。 【０１４２】好ましい具体例としては、置換もしくは未
置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジ
ン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置
換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未
置換のインダゾール、イミダゾール、置換もしくは未置
換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換
もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプ
リン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしく
は未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換も
しくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げら
れる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル
基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールア
ミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロ
キシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水
酸基、シアノ基である。 【０１４３】特に好ましい化合物として、グアニジン、
１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テト
ラメチルグアニジン、イミダゾール、２−メチルイミダ
ゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾ
ール、２−フェニルイミダゾール、４，５−ジフェニル
イミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾー
ル、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−ア
ミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメ
チルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２
−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチル
ピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミ
ノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリ
ジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピ
リジン、 【０１４４】３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−
（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエ
チル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テト
ラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−
イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジ
ン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、
５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、
ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジ
ン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６
−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラ
ゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエ
チル）モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定され
るものではない。これらの含窒素塩基性化合物は、単独
であるいは２種以上一緒に用いられる。 【０１４５】酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の
使用割合は、（酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モ
ル比）＝２．５〜３００であることが好ましい。該モル
比が２．５未満では低感度となり、解像力が低下する場
合があり、また、３００を越えると露光後加熱処理まで
の経時でレジストパターンの太りが大きくなり、解像力
も低下する場合がある。（酸発生剤）／（有機塩基性化
合物）（モル比）は、好ましくは５．０〜２００、更に
好ましくは７．０〜１５０である。 【０１４６】［４］フッ素系及び／又はシリコン系界面
活性剤 本発明のポジ型レジスト組成物には、フッ素系及び／又
はシリコン系界面活性剤を含有すること好ましい。すな
わち、本発明のポジ型レジスト組成物には、フッ素系界
面活性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素
原子の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは
２種以上を含有することが好ましい。これらフッ素系及
び/又はシリコン系界面活性剤の添加は、現像欠陥の抑
制及び塗布性の向上に効果を有する。 【０１４７】これらの界面活性剤として、例えば特開昭
６２−３６６６３号、特開昭６１−２２６７４６号、特
開昭６１−２２６７４５号、特開昭６２−１７０９５０
号、特開昭６３−３４５４０号、特開平７−２３０１６
５号、特開平８−６２８３４号、特開平９−５４４３２
号、特開平９−５９８８号、米国特許５４０５７２０
号、米国特許５３６０６９２号、米国特許５５２９８８
１号、米国特許５２９６３３０号、米国特許５４３６０
９８号、米国特許５５７６１４３号、米国特許５２９６
１４３号、米国特許５２９４５１１号、及び、米国特許
５８２４４５１号各公報記載の界面活性剤を挙げること
ができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることも
できる。このような市販の界面活性剤として、例えばエ
フトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２(新秋田
化成(株)製)、フロラードＦＣ４３０、４３１(住友スリ
ーエム(株)製)、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ
１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大日本インキ（株）製）、
アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ
１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭
硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカ
ル社製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活
性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマ
ーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン系
界面活性剤として用いることができる。 【０１４８】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の固形分を基準として、通常０．００１重量％〜２重量
％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％である。これ
らの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いく
つかの組み合わせで添加することもできる。 【０１４９】［５］溶剤 本発明の組成物は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かし
て支持体上に塗布する。ここで使用する溶媒としては、
エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペン
タノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチル
エチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メト
キシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メト
キシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチ
ル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸
プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラ
ン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して
使用する。 【０１５０】精密集積回路素子の製造などにおいてレジ
スト膜上へのパターン形成工程は、基板（例：シリコン
／二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透
明基板等）上に、本発明のポジ型レジスト組成物を塗布
し、次に活性光線又は放射線描画装置を用いて照射を行
い、加熱、現像、リンス、乾燥することにより良好なレ
ジストパターンを形成することができる。 【０１５１】本発明のポジ型レジスト組成物の現像液と
しては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、ア
ンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プ
ロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−
ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミ
ン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチル
エタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ル
アミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テ
トラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四
級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミ
ン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアル
コール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を
適当量添加して使用することもできる。これらの現像液
の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましく
は、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリン
である。 【０１５２】 【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明の内容がこれにより限定されるものでは
ない。 【０１５３】〔モノマー（１）の合成〕２−フルオロア
クリル酸１８．０１ｇ（０．２ｍｏｌ）をテトラヒドロ
フラン１００ｍｌに溶解し、−２０℃に冷却しながらク
ロロギ酸イソブチル２７．３１ｇ（０．２ｍｏｌ）とト
リエチルアミン２２．２６ｇ（０．２２ｍｏｌ）を３０
分かけて滴下した。滴下後、−２０℃で１時間攪拌して
から、２−アダマンタンアミン３０．２５ｇ（０．２ｍ
ｏｌ）のテトラヒドロフラン（４０ｍｌ）溶液とトリエ
チルアミン２２．２６ｇ（０．２２ｍｏｌ）を３０分か
けて滴下した。滴下後、室温でさらに２時間攪拌してか
ら反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌ中
に投入し、酢酸エチル１００ｍｌ加えて分液操作を行っ
た。有機層を硫酸マグネシウム２０ｇを用いて脱水、溶
媒を留去した後、生成物をシリカゲルクロマトグラフィ
ーにより精製し、モノマー（１）を３２．６ｇ得た（収
率７３％）。 【０１５４】〔モノマー（２）の合成〕アミンを変更す
る以外は同様の方法で下記モノマー（２）を得た。 【０１５５】〔モノマー（３）の合成〕 【０１５６】２−（トリフルオロメチル）アクリル酸２
８．０１ｇ（０．２ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１０
０ｍｌに溶解し、−２０℃に冷却しながらクロロギ酸イ
ソブチル２７．３１ｇ（０．２ｍｏｌ）とトリエチルア
ミン２２．２６ｇ（０．２２ｍｏｌ）を３０分かけて滴
下した。滴下後、−２０℃で１時間攪拌してから、トリ
フルオロメタンスルホンアミド２９．８２ｇ（０．２ｍ
ｏｌ）のテトラヒドロフラン（４０ｍｌ）溶液とトリエ
チルアミン２２．２６ｇ（０．２２ｍｏｌ）を３０分か
けて滴下した。滴下後、室温でさらに２時間攪拌してか
ら反応溶液を飽和塩化アンモニウム水溶液１００ｍｌ中
に投入し、酢酸エチル１００ｍｌ加えて分液操作を行っ
た。有機層を硫酸マグネシウム２０ｇを用いて脱水、溶
媒を留去した後、生成物をシリカゲルクロマトグラフィ
ーにより精製し、モノマー（３）を３０．３７ｇ得た
（収率５６％）。 【０１５７】〔モノマー（４）及び（５）の合成〕スル
ホンアミド又はアミンを変更する以外は、上記モノマー
（１）の合成方法と同様の方法で下記モノマー（４）及
び（５）を得た。 【０１５８】 【化６３】【０１５９】〔ポリマー（１）の合成〕２００ｍｌの三
口フラスコ反応溶液にテトラヒドロフラン２０ｇを加
え、反応系中を窒素置換した。反応系中に窒素を流しな
がら反応溶液を７０℃に加熱し、そこにモノマー(１)２
２．３３ｇ（０．１ｍｏｌ）、酸分解性モノマーとして
ｐ−ｔ−ブトキシスチレン（酸分解性モノマー（１））
１７．６３ｇ（０．１ｍｏｌ）、重合開始剤アゾイソブ
チロニトリル（ＡＩＢＮ）１．６４ｇのテトラヒドロフ
ラン（５０ｍｌ）溶液を１時間かけて滴下し、滴下後更
に７時間加熱した。その後室温まで冷却し、反応溶液を
メタノール１Ｌ中に滴下した。ろ過により粉体を取り出
して１００℃で減圧乾燥し、２１．１８ｇの粉体を得た
（収率５３％）。得られた粉体のゲルパーミエーション
クロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定による重量平均分子
量は７７００、分散度は１．５２であった。また、¹Ｈ
−ＮＭＲ及び¹³Ｃ−ＮＭＲ解析によるモノマー（１）／
ｐ−ｔ−ブトキシスチレンの組成比は５６／４４であっ
た。 【０１６０】〔ポリマー（２）〜（１０）の合成〕下記
表１に記載される通り、モノマーを変更する以外は同様
の方法で、ポリマー（２）〜(１０)を得た。ポリマー
（１）におけると同様に、重量平均分子量、分散度及び
モノマーと酸分解性モノマーの組成比を測定した。 【０１６１】 【表１】 【０１６２】尚、表１中、酸分解性モノマーは、それぞ
れ下記構造のモノマーを意味する。 【０１６３】 【化６４】【０１６４】〔評価〕 透過率の測定 ポリマー（１）〜(１０)並びに比較用ポリマー（１）及
び（２）各１．３６ｇをプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート８．５ｇに溶解し、０．１μｍの
テフロン（登録商標）フィルターでろ過した後、スピン
コーターによりフッ化カルシウムディスク上に塗布し、
１２０℃、５分間で加熱乾燥して膜厚０．１μｍの膜を
得た。これらの塗膜をActon CAMS-507スペクトロメータ
ーで吸収を測定し、１５７ｎｍにおける透過率を算出し
た。結果を表２に示す。 【０１６５】 【表２】 【０１６６】上記表２から、本発明の組成物を用いた塗
膜の透過率は１５７ｎｍに十分な透明性を有することが
分かる。尚、表２中、比較ポリマー（１）及び（２）は
以下のとおりである。 比較ポリマー（１）：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ
−ブトキシスチレン共重合体（組成比６３／３７）重量
平均分子量１２０００、分散度１．６７ 比較ポリマー（２）：２−メチル−２−アダマンチルア
クリレート／α−アクリロキシ−γ−ブチロラクトン共
重合体（組成比５４／４６）重量平均分子量９８００、
分散度１．６２ 【０１６７】画像形成性評価 ポリマー（１）〜(１０)並びに比較用ポリマー（１）及
び（２）各１．３６ｇとトリフェニルスルホニウムのノ
ナフルオロブタンスルホネート塩０．０２ｇをプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート８．５ｇに
溶解し、０．１μｍのテフロンフィルターでろ過した。
各試料溶液を、ヘキサメチルジシラザン処理を施したシ
リコンウエハー上にスピンコーターを用いて塗布し、１
２０℃で６０秒間加熱乾燥して０．１μｍのレジスト膜
を形成させた。このレジスト膜に対し、１５７nmのレ−
ザー露光・溶解挙動解析装置ＶＵＶＥＳ−４５００（リ
ソテック・ジャパン製）を用い、１５７nm露光による感
度、露光部／未露光部の溶解コントラスト、高露光領域
でのネガ化の有無を評価した。ここでいう感度とは、露
光後のウエハーを１３０℃で９０秒間加熱乾燥した後、
２．３８％テトラメチルアンモニウムとヒドロキシド水
溶液を用いて２３℃で６０秒間現像を行い、純水で３０
秒間リンスし乾燥した後、膜厚がゼロになる最小の露光
量を指す。ここでいう溶解コントラストとは、露光量−
溶解速度曲線の傾き（tanθ）を指す。結果を表３に示
す。 【０１６８】 【表３】 【０１６９】本発明の組成物は、表３に示される諸特性
に優れていることがわかる。 【０１７０】 【発明の効果】本発明により、１５７nmの短波長におい
ても十分な透過率を有し、高感度・高解像力のポジ型レ
ジスト組成物を提供できる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 漢那 慎一 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AB16 AC04 AC08 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB41 FA17

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】（Ａ）式（Ｉ）で示される繰り返し単位を
   含有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度
   が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線または放射線の
   照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴と
   するポジ型レジスト組成物。 【化１】 Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、各々独立に、水素原子、塩素原
   子、シアノ基、メチル基、フッ素原子又はフッ素化アル
   キル基を表す。但し、Ｒ¹〜Ｒ³のうち少なくとも１つは
   フッ素原子またはフッ素化アルキル基である。Ｌ¹は単
   結合または２価の連結基を表す。Ｘは、−（Ｃ＝Ｏ）−
   又は−ＳＯ₂−を表す。Ｒ⁴は、一価の有機基を表す。