JP2003240802A - Contact probe and its manufacturing method - Google Patents

Contact probe and its manufacturing method

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JP2003240802A JP2002035537A JP2002035537A JP2003240802A JP 2003240802 A JP2003240802 A JP 2003240802A JP 2002035537 A JP2002035537 A JP 2002035537A JP 2002035537 A JP2002035537 A JP 2002035537A JP 2003240802 A JP2003240802 A JP 2003240802A
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contact pin
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a shift of a pitch between contact pins in a contact probe and its manufacturing method. <P>SOLUTION: In this contact probe 11, a plurality of pattern wires 13 are stuck onto the surface of a film main body 12, and respective tip parts of the pattern wires serve as contact pins 15. A spring layer mounted to the back face of the film main body is protruded from the tip part of the film main body, while between the projection part of the spring layer and the contact pins, a pin supporting part 18 is arranged. The pin supporting part 18 is provided with a plurality of grooves 20a corresponding to pitches of the contact pins positioned on the contact pin side. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ICチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブとその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used as a probe pin, a socket pin, etc., and is incorporated in a probe card, a test socket, etc., and contacts each terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device, etc. to perform an electrical test. And a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ又はLCD(液晶表示体)の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ICチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。
2. Description of the Related Art Generally, a contact pin is used to make an electrical test by contacting each terminal of a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or an LCD (liquid crystal display). In recent years, along with the high integration and miniaturization of IC chips and the like, the contact pads, which are electrodes, have been made narrower in pitch, and there has been a demand for narrower pitch of contact pins. However, in the contact probe of the tungsten needle used as the contact pin, it is difficult to cope with the narrow pitch of many pins due to the limit of the diameter of the tungsten needle.

【0003】これに対して、例えば、特公平7−820
27号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が樹脂フィルム
から突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタ
クトプローブの技術が提案されている。この技術例で
は、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンとす
ることによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、複
雑な多数の部品を不要とするものである。
On the other hand, for example, Japanese Patent Publication No. 7-820
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 27-27 proposes a technique of a contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a resin film and each tip of these pattern wirings is arranged in a protruding state from the resin film to form a contact pin. In this technical example, by using the contact pins at the tips of the plurality of pattern wirings, the pitch of the multi-pins can be narrowed and a large number of complicated parts can be eliminated.

【0004】この技術に関して本出願人は、図12及び
図13に示すように、コンタクトピン5が荷重によって
変形したり損傷したりすることを防止するために、ピン
支持部8を介してコンタクトピン5を弾性支持するバネ
層6を有したコンタクトプローブ1を提案している。こ
のコンタクトプローブ1は、ピン支持部8としてシリコ
ンゴムの弾性体層9とセラミックスの非弾性体層10と
を有し、弾性体層9で荷重を吸収すると共に、非弾性体
層10で各コンタクトピン5に一定の荷重を加えること
ができる点で優れている。
With respect to this technique, the applicant of the present invention, as shown in FIGS. 12 and 13, uses contact pins 5 through a pin support portion 8 in order to prevent the contact pins 5 from being deformed or damaged by a load. A contact probe 1 having a spring layer 6 that elastically supports 5 is proposed. This contact probe 1 has an elastic body layer 9 made of silicon rubber and a non-elastic body layer 10 made of ceramics as a pin support portion 8. The elastic body layer 9 absorbs a load and each contact is made by the non-elastic body layer 10. It is excellent in that a constant load can be applied to the pin 5.

【0005】なお、このコンタクトプローブ1は、フィ
ルム本体2の片面にNi(ニッケル)またはNi合金で
形成されるパターン配線3を張り付けた構造となってお
り、パターン配線3の先端部がコンタクトピン5とされ
ている。そして、フィルム本体2は、ポリイミド樹脂フ
ィルム層2A上にCu(銅)、Ni等の金属フィルム層
2Bがグラウンドとして積層されて構成されている。ま
た、バネ層6は、接着剤7によってフィルム本体2に固
定されている。
The contact probe 1 has a structure in which a pattern wiring 3 made of Ni (nickel) or an Ni alloy is attached to one surface of a film body 2, and the tip of the pattern wiring 3 has a contact pin 5. It is said that. The film body 2 is configured by laminating a metal film layer 2B such as Cu (copper) or Ni on the polyimide resin film layer 2A as a ground. The spring layer 6 is fixed to the film body 2 with an adhesive 7.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】上記ピン支持部を有す
るバネ層を備えたコンタクトプローブでは、バネ層とフ
ィルム本体とを接着する際に、高温で圧縮加熱を行って
接着剤を硬化させて固定しているが、セラミックスの非
弾性体層とフィルム本体との熱膨張係数の違いにより固
定後に、図14に示すように、コンタクトピン間のピッ
チにずれが生じてしまう不都合があった。
In the contact probe provided with the spring layer having the above-mentioned pin supporting portion, when the spring layer and the film body are bonded together, compression heating is performed at a high temperature to cure the adhesive and fix it. However, due to the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic non-elastic layer and the film body, there is a disadvantage in that the pitch between the contact pins is deviated after fixing, as shown in FIG.

【0007】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、コンタクトピン間のピッチずれを防ぐことができ
るコンタクトプローブ及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a contact probe capable of preventing a pitch deviation between contact pins and a manufacturing method thereof.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
のコンタクトプローブは、複数のパターン配線がフィル
ム本体の表面上に被着され、これらパターン配線の各先
端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブであ
って、前記フィルム本体の裏面にバネ層が被着され、該
バネ層が前記フィルム本体の先端部から突出状態に配さ
れていると共に、前記バネ層の突出部と前記コンタクト
ピンとの間にピン支持部が設けられ、前記ピン支持部
は、前記コンタクトピン側に位置する面にコンタクトピ
ンのピッチに応じた複数の溝を有することを特徴とす
る。
The present invention has the following features to attain the object mentioned above. That is, the contact probe of the present invention is a contact probe in which a plurality of pattern wirings are deposited on the surface of the film body, and each tip of these pattern wirings serves as a contact pin, and a spring layer is provided on the back surface of the film body. Is attached, the spring layer is arranged in a protruding state from the tip end portion of the film body, and a pin supporting portion is provided between the protruding portion of the spring layer and the contact pin. The surface located on the contact pin side has a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins.

【0009】このコンタクトプローブでは、ピン支持部
が、コンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンの
ピッチに応じた複数の溝を有するので、熱膨張差などに
よりコンタクトピン間のピッチが変化しようとしても、
コンタクトピンが溝内に拘束されてピッチが広がってず
れることを防ぐことができる。
In this contact probe, since the pin support portion has a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins on the surface located on the contact pin side, even if the pitch between the contact pins changes due to a difference in thermal expansion or the like. ,
It is possible to prevent the contact pins from being constrained in the groove and widening the pitch to be displaced.

【0010】本発明のコンタクトプローブの製造方法
は、複数のパターン配線がフィルム本体の表面上に被着
され、これらパターン配線の各先端部がコンタクトピン
とされるコンタクトプローブの製造方法であって、前記
複数のパターン配線を前記フィルム本体の表面上に被着
してこれらパターン配線の各先端部をコンタクトピンと
するコンタクトピン形成工程と、前記フィルム本体の裏
面にバネ層を被着するバネ層被着工程と、ピン支持部を
フィルム本体の先端部から突出状態に配すると共に前記
バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの間に接着剤で
被着した後に該接着剤を加熱硬化させるピン固定工程と
を有し、前記ピン支持部には、前記コンタクトピン側に
位置する面に前記ピン固定工程の加熱硬化前にコンタク
トピンのピッチに応じた複数の溝を形成しておくことを
特徴とする。
A method of manufacturing a contact probe according to the present invention is a method of manufacturing a contact probe in which a plurality of pattern wirings are deposited on the surface of a film body, and the tip ends of these pattern wirings serve as contact pins. Contact pin forming step of depositing a plurality of pattern wirings on the front surface of the film body and using the tip ends of these pattern wirings as contact pins; and spring layer attaching step of depositing a spring layer on the back surface of the film body. And a pin fixing step of arranging the pin support portion in a protruding state from the front end portion of the film main body and applying heat between the protruding portion of the spring layer and the contact pin with an adhesive and then curing the adhesive by heat. The pin supporting portion has a surface located on the contact pin side, which corresponds to the pitch of the contact pins before heat curing in the pin fixing step. And a plurality of previously formed a groove.

【0011】このコンタクトプローブの製造方法では、
ピン支持部のコンタクトピン側に位置する面に、ピン固
定工程の加熱硬化前にコンタクトピンのピッチに応じた
複数の溝を形成しておくので、ピン固定工程において、
加熱によるピン支持部とフィルム本体との熱膨張差が生
じても、コンタクトピンが溝内に規制された状態で固定
される。したがって、ピン支持部固定時にピン間のピッ
チずれが生じることを防ぐことができる。
In this method of manufacturing a contact probe,
Since a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins are formed on the surface of the pin support portion located on the contact pin side before heat curing in the pin fixing step, in the pin fixing step,
Even if a difference in thermal expansion occurs between the pin support portion and the film body due to heating, the contact pin is fixed in the groove in a regulated state. Therefore, it is possible to prevent a pitch deviation between the pins when fixing the pin support portion.

【0012】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記ピン支持部の各溝内に、前記コンタクトピンが複数本
ずつ配される技術が採用される。すなわち、このコンタ
クトプローブでは、ピン支持部の各溝内にコンタクトピ
ンが複数本ずつ配されることにより、ピン一つ配する場
合の溝よりも溝幅を広げることができ、溝の加工がし易
いと共に、組み立て作業性が向上する。なお、溝は、こ
のように複数本のピンが配される溝幅であっても、コン
タクトピン間のピッチに応じて形成されていればよい。
Further, the contact probe of the present invention employs a technique in which a plurality of contact pins are arranged in each groove of the pin support portion. That is, in this contact probe, by arranging a plurality of contact pins in each groove of the pin support portion, it is possible to widen the groove width as compared with the groove in which one pin is arranged, and the groove is not processed. It is easy and improves the assembly workability. Even if the groove has a groove width in which a plurality of pins are arranged in this way, it may be formed according to the pitch between the contact pins.

【0013】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記溝の底面が、前記コンタクトピンの基端側から先端側
に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成されている
技術が採用される。また、本発明のコンタクトプローブ
の製造方法は、前記溝の底面を、前記コンタクトピンの
基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させ
て形成しておく技術が採用される。
Further, the contact probe of the present invention employs a technique in which the bottom surface of the groove is formed so as to be inclined toward the contact pin side from the base end side to the tip end side of the contact pin. Further, the method of manufacturing the contact probe of the present invention employs a technique of forming the bottom surface of the groove by inclining toward the contact pin side from the base end side to the tip end side of the contact pin.

【0014】すなわち、これらのコンタクトプローブ及
びコンタクトプローブの製造方法では、溝の底面がコン
タクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン
側に傾斜して形成されることにより、底面が傾斜面とな
って溝内に配されたコンタクトピンの先端が外側に向け
て折り曲げられる。これによって、コンタクトピンの電
極への接触角をより大きく設定することができる。
That is, in these contact probes and the method for manufacturing the contact probes, the bottom surface of the groove is formed so as to be inclined toward the contact pin side from the base end side of the contact pin toward the tip end side, so that the bottom surface is an inclined surface. The tip of the contact pin arranged in the groove is bent outward. As a result, the contact angle of the contact pin with the electrode can be set larger.

【0015】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記溝と前記コンタクトピンとの間に弾性体層が設けられ
ていることが好ましい。すなわち、このコンタクトプロ
ーブでは、溝とコンタクトピンとの間に弾性体層が設け
られているので、弾性体層によりコンタクトピンに加わ
る荷重を吸収することができる。
In the contact probe of the present invention, it is preferable that an elastic layer is provided between the groove and the contact pin. That is, in this contact probe, since the elastic layer is provided between the groove and the contact pin, the load applied to the contact pin can be absorbed by the elastic layer.

【0016】また、本発明のコンタクトプローブの製造
方法は、前記溝を、前記コンタクトピン側に位置する面
にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を
照射するレーザ加工で形成する技術が採用される。すな
わち、このコンタクトプローブの製造方法では、コンタ
クトピン側に位置する面にマスクを施してマスクされて
いない部分にレーザ光を照射するレーザ加工で溝を形成
することにより、複数の溝を同時に加工できると共に、
より高精度なかつ微細な溝加工を行うことができる。
In the method of manufacturing the contact probe of the present invention, there is a technique of forming the groove by laser processing in which a mask is applied to a surface located on the contact pin side and a non-masked portion is irradiated with laser light. Adopted. That is, in this method of manufacturing a contact probe, a plurality of grooves can be simultaneously processed by forming a groove on the surface located on the contact pin side by laser processing and irradiating the unmasked portion with laser light. With
Higher precision and fine groove processing can be performed.

【0017】また、本発明のコンタクトプローブの製造
方法は、前記溝を、ダイシングブレードによる機械加工
で形成する技術が採用される。すなわち、このコンタク
トプローブの製造方法では、ダイシングブレードによる
機械加工で溝を形成するので、溝及び底面が傾斜面にな
っている溝の加工において、より高精度かつ微細な溝加
工を行うことができる。
The contact probe manufacturing method of the present invention employs a technique of forming the groove by machining with a dicing blade. That is, in this method of manufacturing a contact probe, since the groove is formed by machining with a dicing blade, it is possible to perform more precise and fine groove processing in processing the groove and the groove whose bottom surface is an inclined surface. .

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブとその製造方法の第1実施形態を、図1から図4
を参照しながら説明する。これらの図にあって、符号1
1はコンタクトプローブ、12はフィルム本体、13は
パターン配線を示している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A contact probe according to a first embodiment of the present invention and a method for manufacturing the same will be described below with reference to FIGS.
Will be described with reference to. In these figures, reference numeral 1
Reference numeral 1 is a contact probe, 12 is a film body, and 13 is a pattern wiring.

【0019】本実施形態のコンタクトプローブは、IC
用プローブとして所定形状に切り出したもので、そのコ
ンタクトピンが下方に向けて傾斜させられてプローブ装
置に支持されるタイプである。このコンタクトプローブ
11は、図1および図2に示すように、例えば、ポリイ
ミド等の樹脂フィルム層12AとCu(銅)等の金属フ
ィルム層12Bとの2層構造とされて、略ホームベース
形状をなすフィルム本体12において、そのフィルム本
体12の表面(樹脂フィルム層12A側であって、図1
及び図2におけるフィルム本体12の下面)に、Ni基
合金等からなる複数のパターン配線13が接着剤14に
より被着されていて、それら各パターン配線13の先端
がコンタクトピン15とされている。
The contact probe of this embodiment is an IC
It is a type that is cut out in a predetermined shape as a probe for use, and its contact pin is tilted downward and supported by the probe device. As shown in FIGS. 1 and 2, the contact probe 11 has, for example, a two-layer structure including a resin film layer 12A made of polyimide or the like and a metal film layer 12B made of Cu (copper) or the like, and has a substantially home-base shape. In the eggplant film body 12, the surface of the film body 12 (on the resin film layer 12A side, as shown in FIG.
Also, a plurality of pattern wirings 13 made of a Ni-based alloy or the like are adhered to the lower surface of the film body 12 in FIG. 2 with an adhesive agent 14, and the tip ends of each of the pattern wirings 13 serve as contact pins 15.

【0020】そして、フィルム本体12の裏面(図1及
び図2におけるフィルム本体12の上面)には、バネ層
16が被着されていて、このバネ層16はコンタクトピ
ン15の裏面と対向する位置まで突出させられている。
また、バネ層16は、例えばJIS G 4801に規
定されるSUP材等のようなバネ鋼よりなる薄板(例え
ば、約200μm程度の厚さ)で構成され、図2に示す
ように、フィルム本体12の裏面側に位置する金属フィ
ルム層12Bに、液状もしくはシート状の接着剤17に
よって被着されることにより、その先端の突出部16A
がフィルム本体12の先端部からコンタクトピン15の
裏面と対向する位置まで突出した状態となっている。こ
の場合、本実施形態におけるコンタクトピン15は、例
えば、厚さ及び幅が約50μm程度の大きさであって、
フィルム本体12の先端部からコンタクトピン15の先
端までの長さが約550μm程度とされ、バネ層16の
突出部16Aもそれに対応した長さとされている。
A spring layer 16 is attached to the back surface of the film body 12 (the upper surface of the film body 12 in FIGS. 1 and 2), and the spring layer 16 is located at a position facing the back surface of the contact pin 15. Is projected to.
The spring layer 16 is composed of a thin plate (for example, a thickness of about 200 μm) made of spring steel such as SUP material defined in JIS G 4801. As shown in FIG. The metal film layer 12B located on the back surface side of the substrate is adhered to the metal film layer 12B with a liquid or sheet-like adhesive agent 17, so that the protruding portion 16A at the tip thereof is
Is projected from the tip of the film body 12 to a position facing the back surface of the contact pin 15. In this case, the contact pin 15 in this embodiment has, for example, a thickness and a width of about 50 μm,
The length from the tip of the film body 12 to the tip of the contact pin 15 is about 550 μm, and the protrusion 16A of the spring layer 16 has a length corresponding thereto.

【0021】また、バネ層16とコンタクトピン15の
裏面との間に位置する空間にはピン支持部18が介設さ
れていて、このピン支持部18は、図1及び図2に示す
ように、バネ層16の突出部16Aとコンタクトピン1
5との間に介設されて収縮可能な弾性体層としてのシリ
コンゴム19と、そのシリコンゴム19中に埋設された
非弾性体層としてのセラミックス部材20とからなる構
成とされている。なお、この非弾性体層を構成するセラ
ミックス部材20は、窒化ケイ素あるいは窒化アルミ等
からなるものである。
Further, a pin support portion 18 is provided in a space located between the spring layer 16 and the back surface of the contact pin 15, and the pin support portion 18 is, as shown in FIGS. , The protruding portion 16A of the spring layer 16 and the contact pin 1
5 is interposed between the silicone rubber 19 and the elastic member, and the ceramic member 20 is embedded in the silicon rubber 19 and serves as the inelastic member layer. The ceramic member 20 that constitutes this non-elastic layer is made of silicon nitride, aluminum nitride, or the like.

【0022】さらに、セラミックス部材20は、図3及
び図4に示すように、コンタクトピン15側に位置する
面に各コンタクトピン15が配される複数の溝20aを
有している。すなわち、コンタクトピン15間のピッチ
Pに合わせて溝20aが形成されており、各コンタクト
ピン15が溝20a内にはめ込まれた状態で固定されて
いる。
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, the ceramic member 20 has a plurality of grooves 20a in which the contact pins 15 are arranged on the surface located on the contact pin 15 side. That is, the grooves 20a are formed in accordance with the pitch P between the contact pins 15, and each contact pin 15 is fixed in a state of being fitted into the groove 20a.

【0023】また、本実施形態においては、例えば、バ
ネ層16の突出部16Aとコンタクトピン15の裏面と
は、約165〜200μm程度の距離を介して位置し、
そのバネ層16の突出部16Aとコンタクトピン15の
裏面との間の空間に充填されたシリコンゴム19中に、
約130〜140μm程度の厚さのセラミックス部材2
0が埋設されている。
Further, in the present embodiment, for example, the protruding portion 16A of the spring layer 16 and the back surface of the contact pin 15 are located with a distance of about 165 to 200 μm,
In the silicone rubber 19 filled in the space between the protruding portion 16A of the spring layer 16 and the back surface of the contact pin 15,
Ceramic member 2 having a thickness of about 130 to 140 μm
0 is buried.

【0024】しかも、セラミックス部材20とバネ層1
6とが、約25ミクロン程度の距離を介して離間すると
共に、セラミックス部材20とコンタクトピン15の裏
面とが、約10〜20μm程度の距離を介して離間して
おり、これらコンタクトピン15とセラミックス部材2
0との間の隙間、及びセラミックス部材20とバネ層1
6の突出部16Aとの間の隙間には、シリコンゴム19
が充填されている。なお、セラミックス部材20とフィ
ルム本体12の先端面との間には、図2に示すように、
例えば、約50μm程度の隙間を介して離間していると
共に、同じくシリコンゴム19が充填されている。
Moreover, the ceramic member 20 and the spring layer 1
6 is separated from each other by a distance of about 25 μm, and the ceramic member 20 and the back surface of the contact pin 15 are separated from each other by a distance of about 10 to 20 μm. Member 2
0, the gap between the ceramic member 20 and the spring layer 1
In the gap between the protruding portion 16A of 6 and the silicone rubber 19
Is filled. Between the ceramic member 20 and the tip surface of the film body 12, as shown in FIG.
For example, they are separated by a gap of about 50 μm and are also filled with silicone rubber 19.

【0025】つまり、シリコンゴム19は、図2及び図
3に示すように、コンタクトピン15の裏面とセラミッ
クス部材20との間に配置される第1層19A(コンタ
クトピン15側に位置する弾性体層)と、セラミックス
部材20とバネ層16の突出部16Aとの間に配置され
る第2層19B(バネ層16の突出部16A側に位置す
る弾性体層)との間に位置する連通部19Cによって、
第1層19Aと第2層19Bとが連通させられている。
すなわち、セラミックス部材20がシリコンゴム19の
第1層19Aと第2層19Bとの間に挟まれるように配
置されており、セラミックス部材20とフィルム本体1
2との間に位置するシリコンゴム19の連通部19Cに
よって組立誤差を吸収し得るようにしている。
That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the silicon rubber 19 is the first layer 19A (elastic body located on the contact pin 15 side) arranged between the back surface of the contact pin 15 and the ceramic member 20. Layer) and a second layer 19B (an elastic layer located on the side of the protruding portion 16A of the spring layer 16) arranged between the ceramic member 20 and the protruding portion 16A of the spring layer 16 and a communicating portion. By 19C,
The first layer 19A and the second layer 19B are in communication with each other.
That is, the ceramic member 20 is arranged so as to be sandwiched between the first layer 19A and the second layer 19B of the silicon rubber 19, and the ceramic member 20 and the film body 1 are arranged.
An assembling error can be absorbed by the communicating portion 19C of the silicone rubber 19 located between the two.

【0026】また、ピン支持部18を構成するシリコン
ゴム19とセラミックス部材20は、コンタクトプロー
ブ11による電気的テストに際し、コンタクトピン15
と半導体チップ等のパッド(又はバンプ)との接続を確
認するための装置から、コンタクトピン15周辺に向け
て光が照射されるが、その光を吸収し得るように黒色に
彩色されていることが好ましい。
Further, the silicon rubber 19 and the ceramic member 20 constituting the pin support portion 18 are subjected to an electrical test by the contact probe 11, and the contact pin 15
A device for confirming the connection between a pad and a pad (or bump) of a semiconductor chip or the like emits light toward the periphery of the contact pin 15, but it is colored black so that the light can be absorbed. Is preferred.

【0027】このコンタクトプローブ11は、例えば図
5に示すように、マウンティングベース505やトップ
クランプ506、ボトムクランプ507等のメカニカル
パーツに組み込まれることにより、プリント基板508
に位置決めされて取り付けられてプローブ装置とされ
る。そして、この取付状態においてコンタクトプローブ
11は、図6に示すように、その先端の上記コンタクト
ピン15が下方に向くように傾斜させられて支持されて
おり、各コンタクトピン15の先端が例えば半導体チッ
プ509の上面周辺部に設けられた電極端子としてのパ
ッド(またはバンプ)509aにそれぞれ接触させられ
ることにより、上記パターン配線13およびプリント基
板508の配線を介してこの半導体チップ509等の電
気的テストが行われる。
The contact probe 11 is incorporated into mechanical parts such as a mounting base 505, a top clamp 506, and a bottom clamp 507, as shown in FIG.
The probe device is positioned and attached to. In this attached state, the contact probe 11 is supported by being tilted so that the contact pin 15 at its tip faces downward as shown in FIG. 6, and the tip of each contact pin 15 is, for example, a semiconductor chip. The pads (or bumps) 509a as electrode terminals provided on the peripheral portion of the upper surface of the semiconductor chip 509 are brought into contact with each other, so that an electrical test of the semiconductor chip 509 and the like can be performed via the pattern wiring 13 and the wiring of the printed board 508. Done.

【0028】次に、本実施形態のコンタクトプローブ1
1の製造方法について、以下に説明する。
Next, the contact probe 1 of this embodiment
The manufacturing method of No. 1 will be described below.

【0029】〔溝形成工程〕まず、上記セラミックス部
材20のコンタクトピン15側に位置する面に、図4に
示すように、後述するピン固定工程の加熱硬化前に各コ
ンタクトピン15が配される複数の溝20aを予め形成
しておく。この際、ピン支持部18のコンタクトピン1
5側に位置する面に細溝加工機(ダイサー等)のダイシ
ングブレードで機械加工を施して溝20aを形成する方
法や、コンタクトピン15側に位置する面にマスクを施
してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレー
ザ加工を施して溝20aを形成する方法などを用いる。
なお、上記レーザ加工によれば、複数の溝を同時に加工
できると共に、高精度かつ微細な加工が可能である。ま
た、上記ダイシングブレードによる機械加工によれば、
溝及び底面が傾斜面になっている溝の加工において、レ
ーザ加工等に比べてより高精度かつ微細な溝加工を行う
ことができる。
[Groove Forming Step] First, as shown in FIG. 4, each contact pin 15 is arranged on the surface of the ceramic member 20 located on the contact pin 15 side before heat curing in a pin fixing step described later. The plurality of grooves 20a are formed in advance. At this time, the contact pin 1 of the pin support portion 18
A method in which the surface located on the 5 side is machined with a dicing blade of a fine groove processing machine (such as a dicer) to form the groove 20a, or a surface located on the contact pin 15 side is masked and unmasked. A method of forming a groove 20a by performing laser processing for irradiating a laser beam on the above is used.
According to the laser processing, a plurality of grooves can be processed at the same time, and highly precise and fine processing is possible. Further, according to the machining with the dicing blade,
In the processing of the groove and the groove in which the bottom surface is an inclined surface, it is possible to perform the groove processing with higher accuracy and fineness as compared with laser processing or the like.

【0030】〔コンタクトピン形成工程〕一方、マスク
技術を用いてメッキ処理により支持金属板上に形成され
た複数のパターン配線13を、フィルム本体12の表面
上に接着剤14で被着する。このとき、パターン配線1
3の各先端部をフィルム本体12から突出させてコンタ
クトピン15となるように被着しておく。その後、支持
金属板からパターン配線13をフィルム本体12と共に
剥離させて、パターン配線13とフィルム本体12とか
らなる構成としておく。
[Contact Pin Forming Step] On the other hand, a plurality of pattern wirings 13 formed on a supporting metal plate by plating using a mask technique are adhered to the surface of the film body 12 with an adhesive 14. At this time, the pattern wiring 1
Each tip of 3 is projected from the film main body 12 and attached so as to become the contact pin 15. After that, the pattern wiring 13 is peeled off from the supporting metal plate together with the film body 12, so that the pattern wiring 13 and the film body 12 are formed.

【0031】〔バネ層被着工程及びピン固定工程〕次
に、図7に示すように、コンタクトピン15の裏面側
に、シリコンゴム19を塗布するとともに、そのシリコ
ンゴム19中にセラミックス部材20を埋設させ、さら
にそのセラミックス部材20の上部にもシリコンゴム1
9を塗布して、シリコンゴム19及びフィルム本体12
の裏面にバネ層16を被着させることにより、コンタク
トピン15の裏面とバネ層16の突出部16Aとの間に
シリコンゴム19及びセラミックス部材20を介設す
る。そして、この状態でシリコンゴム19を加熱硬化さ
せると、そのシリコンゴム19がコンタクトピン15の
裏面に接着されると共に、バネ層16の突出部16Aと
も接着される。
[Spring Layer Adhering Step and Pin Fixing Step] Next, as shown in FIG. 7, silicon rubber 19 is applied to the back surface side of the contact pin 15, and the ceramic member 20 is placed in the silicon rubber 19. Silicon rubber 1 is also embedded in the ceramic member 20.
9 is applied, and the silicone rubber 19 and the film body 12
By depositing the spring layer 16 on the back surface of the above, the silicon rubber 19 and the ceramic member 20 are provided between the back surface of the contact pin 15 and the protruding portion 16A of the spring layer 16. Then, when the silicone rubber 19 is heated and cured in this state, the silicone rubber 19 is adhered to the back surface of the contact pin 15 and also to the protruding portion 16A of the spring layer 16.

【0032】この工程において上記加熱硬化を行う前
に、セラミックス部材20の溝20a内に各コンタクト
ピン15が配されるように位置を調整し、この状態で、
シリコンゴム19を硬化させてバネ層16とピン支持部
18とコンタクトピン15とを互いに固定する。この
際、加熱によってセラミックス部材20とフィルム本体
12との間に熱膨張差が生じても、コンタクトピン15
が溝20aに拘束されているので、シリコンゴム19が
硬化しても、コンタクトピン15間のピッチがずれるこ
とを防ぐことができる。
In this step, the position is adjusted so that each contact pin 15 is arranged in the groove 20a of the ceramic member 20 before the above-mentioned heat curing, and in this state,
The silicone rubber 19 is hardened to fix the spring layer 16, the pin support 18 and the contact pin 15 to each other. At this time, even if a difference in thermal expansion occurs between the ceramic member 20 and the film body 12 due to heating, the contact pin 15
Are held in the grooves 20a, the pitch between the contact pins 15 can be prevented from shifting even if the silicone rubber 19 hardens.

【0033】なお、フィルム本体12の金属フィルム層
12Bとバネ層16との間は、例えば、液状もしくはシ
ート状の接着剤17の厚さを変更することによってその
厚さが適宜調整される。また、シリコンゴム19が流動
性をもっているので、コンタクトピン15の裏面側から
各コンタクトピン15同士の隙間にも入り込むが、その
入り込んだシリコンゴム19の不要な部分をレーザ加工
等によって除去することにより、シリコンゴム19の第
1層19Aの下面側を揃えておく。
The thickness between the metal film layer 12B of the film body 12 and the spring layer 16 is appropriately adjusted by changing the thickness of the liquid or sheet adhesive 17, for example. Further, since the silicone rubber 19 has fluidity, it enters into the gaps between the contact pins 15 from the back surface side of the contact pins 15, but by removing unnecessary portions of the entered silicone rubber 19 by laser processing or the like. , The lower surface side of the first layer 19A of the silicon rubber 19 is aligned.

【0034】このように、コンタクトピン15の裏面側
にセラミックス部材20を埋設したシリコンゴム19を
塗布し、さらに、その上にバネ層16を被着すると、コ
ンタクトピン15の裏面とバネ層16の突出部16Aと
の間にセラミックス部材20を埋設したシリコンゴム1
9が接着されることとなり、コンタクトプローブ11が
作製される。
As described above, when the silicon rubber 19 in which the ceramic member 20 is embedded is applied to the back surface of the contact pin 15 and the spring layer 16 is further applied thereon, the back surface of the contact pin 15 and the spring layer 16 are formed. Silicon rubber 1 in which ceramic member 20 is embedded between protrusion 16A
9 is bonded, and the contact probe 11 is manufactured.

【0035】本実施形態では、ピン支持部18のセラミ
ックス部材20が、コンタクトピン15側に位置する面
に各コンタクトピン15が配される複数の溝20aを有
するので、熱膨張差などによりコンタクトピン15間の
ピッチが変化しようとしても、コンタクトピン15が溝
20a内に拘束されてピッチが広がってずれることを防
ぐことができる。
In the present embodiment, the ceramic member 20 of the pin support portion 18 has the plurality of grooves 20a in which the contact pins 15 are arranged on the surface located on the contact pin 15 side. Even if the pitch between the holes 15 changes, the contact pin 15 can be prevented from being constrained in the groove 20a and widening the pitch.

【0036】また、ピン支持部18は、シリコンゴム1
9中にセラミックス部材20が埋設された構成とされて
いるので、単にシリコンゴム19のみを介設しただけの
場合と異なり、コンタクトピン15に作用した荷重をセ
ラミックス部材20を介してバネ層16の突出部16A
に確実に伝えることができるとともに、コンタクトピン
15に一定の荷重をかけることができるので、バネ層1
6のコンタクトピン15に対する押さえを確実に行うこ
とでき、コンタクト性を良好に維持できる。しかも、バ
ネ層16が弾性変形し、かつピン支持部18が収縮する
ことにより、コンタクトピン15をパッド(またはバン
プ)により強く押し付けて針圧を高めることができるの
で、コンタクトピン15だけで針圧を与える場合よりも
安定したコンタクト性を確保できるという利点も得るこ
とができる。
The pin support portion 18 is made of silicone rubber 1.
Since the ceramic member 20 is embedded in the spring 9, the load applied to the contact pin 15 is applied to the spring layer 16 via the ceramic member 20 unlike the case where only the silicon rubber 19 is interposed. Projection 16A
Can be reliably transmitted to the spring layer 1 and a constant load can be applied to the contact pin 15.
The contact pin 15 of No. 6 can be surely pressed, and the contact property can be favorably maintained. Moreover, since the spring layer 16 is elastically deformed and the pin support portion 18 is contracted, the contact pin 15 can be strongly pressed against the pad (or bump) to increase the needle pressure, so that the contact pin 15 alone is used. It is also possible to obtain an advantage that a stable contact property can be secured as compared with the case of giving.

【0037】次に、本発明に係るコンタクトプローブと
その製造方法の第2実施形態を、図8及び図9を参照し
ながら説明する。
Next, a second embodiment of the contact probe and method for manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

【0038】第2実施形態と第1実施形態との異なる点
は、第1実施形態では一つの溝20a内に一本のコンタ
クトピン15が配されているのに対し、第2実施形態で
は、図8及び図9に示すように、ピン支持部118のセ
ラミックス部材120に形成された各溝120a内に、
コンタクトピン15が複数本ずつ配される点である。な
お、本実施形態では、コンタクトピン15が2本ずつ溝
120a内に配されている。すなわち、本実施形態で
は、セラミックス部材120の各溝120a内にコンタ
クトピン15が複数本ずつ配されることにより、ピン一
つ配する場合の溝よりも溝幅を広げることができ、溝の
加工がし易いと共に、組み立て作業性が向上する。
The difference between the second embodiment and the first embodiment is that in the first embodiment, one contact pin 15 is arranged in one groove 20a, whereas in the second embodiment, one contact pin 15 is arranged. As shown in FIGS. 8 and 9, in each groove 120a formed in the ceramic member 120 of the pin support 118,
The point is that a plurality of contact pins 15 are arranged. In this embodiment, two contact pins 15 are arranged in the groove 120a. That is, in the present embodiment, by disposing a plurality of contact pins 15 in each groove 120a of the ceramic member 120, the groove width can be made wider than the groove when one pin is arranged. It is easy to remove and the assembly workability is improved.

【0039】次に、本発明に係るコンタクトプローブと
その製造方法の第3実施形態を、図10を参照しながら
説明する。
Next, a third embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0040】第3実施形態と第1実施形態との異なる点
は、第1実施形態では、溝20aの底面がパターン配線
13と平行な面とされているのに対し、第3実施形態で
は、図10に示すように、ピン支持部218のセラミッ
クス部材220に形成された溝220aの底面は、コン
タクトピン15の基端側から先端側に向けてコンタクト
ピン15側に傾斜して形成されている点である。
The difference between the third embodiment and the first embodiment is that in the first embodiment, the bottom surface of the groove 20a is a surface parallel to the pattern wiring 13, whereas in the third embodiment, As shown in FIG. 10, the bottom surface of the groove 220a formed in the ceramic member 220 of the pin support portion 218 is formed to be inclined toward the contact pin 15 side from the base end side to the tip end side of the contact pin 15. It is a point.

【0041】すなわち、本実施形態では、溝220aの
底面がコンタクトピン15の基端側から先端側に向けて
コンタクトピン15側に傾斜し、パターン配線13に対
して傾斜した面とされていることにより、底面が傾斜面
となって溝220a内に配されたコンタクトピン15の
先端が外側に向けて折り曲げられる。これによって、コ
ンタクトピン15の電極(パッド又はバンプ)への接触
角をより大きく設定することができる。
That is, in the present embodiment, the bottom surface of the groove 220a is a surface inclined from the base end side of the contact pin 15 toward the contact pin 15 side toward the tip end side and inclined with respect to the pattern wiring 13. As a result, the bottom surface becomes an inclined surface, and the tip of the contact pin 15 disposed in the groove 220a is bent outward. Thereby, the contact angle of the contact pin 15 to the electrode (pad or bump) can be set larger.

【0042】次に、本発明に係るコンタクトプローブと
その製造方法の第4実施形態を、図11を参照しながら
説明する。
Next, a fourth embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0043】第4実施形態と第1実施形態との異なる点
は、第1実施形態では、ピン支持部18がバネ層16と
別体に設けられているのに対し、第4実施形態では、図
11に示すように、ピン支持部418がバネ層416の
突出部416Aに一体に予め形成されている点である。
すなわち、本実施形態では、セラミックス部材を用い
ず、バネ層416の突出部416A自体に溝416Bを
形成しておき、この溝416B内にコンタクトピン15
を配している。したがって、本実施形態では、部品点数
の削減及び組立作業の簡略化を図ることができる。
The difference between the fourth embodiment and the first embodiment is that in the first embodiment, the pin support portion 18 is provided separately from the spring layer 16, whereas in the fourth embodiment, As shown in FIG. 11, the pin support portion 418 is integrally formed in advance with the protrusion 416A of the spring layer 416.
That is, in this embodiment, a groove 416B is formed in the protrusion 416A itself of the spring layer 416 without using a ceramic member, and the contact pin 15 is formed in the groove 416B.
Are arranged. Therefore, in this embodiment, the number of parts can be reduced and the assembling work can be simplified.

【0044】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、第1から第3実施形態では、ピン支持部として、
シリコンゴムとセラミックス部材とで構成された例を示
したが、シリコンゴムに代えて収縮可能な他の弾性体層
であってもよく、またセラミックス部材に代えて他の非
弾性体層であってもよい。また、弾性体層である第1層
19Aは、必ずしも設ける必要はないが、溝とコンタク
トピンとの間に上記第1層のような弾性体層を設けてお
けば、弾性体層によりコンタクトピンに加わる荷重を吸
収することができる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, in the first to third embodiments, as the pin support portion,
Although an example constituted by silicon rubber and a ceramic member is shown, another elastic layer capable of contracting may be used instead of silicon rubber, and another non-elastic layer may be used instead of the ceramic member. Good. The first layer 19A, which is an elastic layer, does not necessarily have to be provided, but if an elastic layer such as the first layer is provided between the groove and the contact pin, the elastic layer serves as the contact pin. The applied load can be absorbed.

【0045】また、上記各実施形態においては、IC用
コンタクトプローブの製造方法に適用したが、他のもの
に採用しても構わない。例えば、ICチップを内側に保
持して保護し、ICチップのバーンインテスト用装置等
に搭載されるICチップテスト用ソケットに用いるコン
タクトプローブやLCDのテスト用プローブ装置用のコ
ンタクトプローブに適用してもよい。
Further, in each of the above-mentioned embodiments, the method is applied to the method of manufacturing the IC contact probe, but it may be applied to other methods. For example, the present invention may be applied to a contact probe used for an IC chip test socket mounted in an IC chip burn-in test device or the like or an LCD test probe device for protecting the IC chip by holding it inside. Good.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明のコンタクトプローブ及びコンタクト
プローブの製造方法によれば、ピン支持部のコンタクト
ピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた
複数の溝が形成されるので、熱膨張差などによりコンタ
クトピン間のピッチが変化しようとしても、コンタクト
ピンが溝内に拘束されてピッチが広がってずれることを
防ぐことができる。
The present invention has the following effects.
That is, according to the contact probe and the method for manufacturing the contact probe of the present invention, since a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins are formed on the surface of the pin support portion located on the contact pin side, there is a difference in thermal expansion. Even if the pitch between the contact pins changes, it is possible to prevent the contact pins from being constrained in the groove and widening the pitch and shifting.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第1実施形態において、コンタクトプローブを
示す要部斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a main part of a contact probe in a first embodiment of a contact probe and a method for manufacturing the same according to the present invention.

【図2】 図1のB−B線矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line BB of FIG.

【図3】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第1実施形態において、コンタクトプローブを
示すパターン配線側から見た要部平面図である。
FIG. 3 is a plan view of a principal part of the contact probe and the method for manufacturing the same according to the present invention as viewed from the pattern wiring side showing the contact probe.

【図4】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第1実施形態において、セラミックス部材を示
す要部斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a main part showing a ceramic member in the first embodiment of the contact probe and the method for manufacturing the same according to the present invention.

【図5】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第1実施形態において、コンタクトプローブが
装着されるプローブ装置の分解斜視図である。
FIG. 5 is an exploded perspective view of a probe device to which the contact probe is attached in the first embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.

【図6】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第1実施形態において、コンタクトプローブを
メカニカルパーツに組み込んだ状態を示す要部断面図で
ある。
FIG. 6 is a cross-sectional view of essential parts showing a state in which the contact probe is incorporated in a mechanical part in the first embodiment of the contact probe and the method for manufacturing the same according to the present invention.

【図7】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第1実施形態において、バネ層被着工程におけ
るバネ層の突出部、ピン支持部及びコンタクトピン等を
示す要部断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of essential parts showing a protruding portion of a spring layer, a pin support portion, a contact pin, and the like in a spring layer attaching step in the contact probe and the method for manufacturing the same according to the first embodiment of the present invention.

【図8】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第2実施形態において、コンタクトプローブを
示すパターン配線側から見た要部平面図である。
FIG. 8 is a plan view of a main part of the contact probe according to the second embodiment of the present invention as viewed from the pattern wiring side showing the contact probe.

【図9】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の第2実施形態において、セラミックス部材を示
す要部斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view of a main part showing a ceramic member in the second embodiment of the contact probe and the method for manufacturing the same according to the present invention.

【図10】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその
製造方法の第3実施形態において、コンタクトプローブ
を示す要部断面図である。
FIG. 10 is a fragmentary cross-sectional view showing a contact probe in the third embodiment of the contact probe and the method for manufacturing the same according to the present invention.

【図11】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその
製造方法の第4実施形態において、コンタクトプローブ
を示す要部断面図である。
FIG. 11 is a fragmentary cross-sectional view showing a contact probe in the fourth embodiment of the contact probe and the method for manufacturing the same according to the present invention.

【図12】 本発明に係る従来例のコンタクトプローブ
を示す要部斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view of relevant parts showing a conventional contact probe according to the present invention.

【図13】 図12のA−A線矢視断面図である。13 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図14】 本発明に係る従来例のコンタクトプローブ
を示すバネ層固定後のパターン配線側から見た要部平面
図である。
FIG. 14 is a plan view of an essential part of a contact probe of a conventional example according to the present invention, as viewed from the pattern wiring side after fixing a spring layer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 コンタクトプローブ 12 フィルム本体 12A 樹脂フィルム層 12B 金属フィルム層 13 パターン配線 15 コンタクトピン 16 バネ層 16A 突出部 17 接着剤 18 ピン支持部 19 シリコンゴム 20 セラミックス 20a 溝 11 Contact probe 12 film body 12A resin film layer 12B metal film layer 13 pattern wiring 15 contact pins 16 spring layers 16A protrusion 17 Adhesive 18 pin support 19 Silicon rubber 20 ceramics 20a groove

フロントページの続き (72)発明者 松田 厚 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 山田 治 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 杉山 達雄 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Fターム(参考) 2G003 AA00 AA07 AB01 AG04 2G011 AA17 AB01 AB06 AB07 AB08 AE03 AE22 AF07 2G132 AA00 AB01 AD01 AF02 4M106 AA01 BA01 DD04 Continued front page    (72) Atsushi Matsuda             Six of 12 techno parks, Sanda City, Hyogo Prefecture             Mitsubishi Materials Corporation Mita factory (72) Inventor Osamu Yamada             Six of 12 techno parks, Sanda City, Hyogo Prefecture             Mitsubishi Materials Corporation Mita factory (72) Inventor Tatsuo Sugiyama             Six of 12 techno parks, Sanda City, Hyogo Prefecture             Mitsubishi Materials Corporation Mita factory F-term (reference) 2G003 AA00 AA07 AB01 AG04                 2G011 AA17 AB01 AB06 AB07 AB08                       AE03 AE22 AF07                 2G132 AA00 AB01 AD01 AF02                 4M106 AA01 BA01 DD04

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のパターン配線がフィルム本体の表
面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコン
タクトピンとされるコンタクトプローブであって、 前記フィルム本体の裏面にバネ層が被着され、該バネ層
が前記フィルム本体の先端部から突出状態に配されてい
ると共に、前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンと
の間にピン支持部が設けられ、 前記ピン支持部は、前記コンタクトピン側に位置する面
にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を有するこ
とを特徴とするコンタクトプローブ。
1. A contact probe in which a plurality of pattern wirings are deposited on the surface of a film body, and each tip of these pattern wirings serves as a contact pin, wherein a spring layer is deposited on the back surface of the film body. The spring layer is arranged in a projecting state from the tip of the film body, and a pin supporting portion is provided between the projecting portion of the spring layer and the contact pin, and the pin supporting portion is the contact pin. A contact probe having a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins on the surface located on the side.
【請求項2】 請求項1記載のコンタクトプローブにお
いて、 前記ピン支持部の各溝内には、前記コンタクトピンが複
数本ずつ配されることを特徴とするコンタクトプロー
ブ。
2. The contact probe according to claim 1, wherein a plurality of the contact pins are arranged in each groove of the pin support portion.
【請求項3】 請求項1又は2記載のコンタクトプロー
ブにおいて、 前記溝の底面は、前記コンタクトピンの基端側から先端
側に向けてコンタクトピン側に傾斜して形成されている
ことを特徴とするコンタクトプローブ。
3. The contact probe according to claim 1, wherein the bottom surface of the groove is formed so as to be inclined toward the contact pin side from the base end side to the tip end side of the contact pin. Contact probe to do.
【請求項4】 請求項1から3のいずれかに記載のコン
タクトプローブにおいて、 前記溝と前記コンタクトピンとの間には、弾性体層が設
けられていることを特徴とするコンタクトプローブ。
4. The contact probe according to claim 1, wherein an elastic layer is provided between the groove and the contact pin.
【請求項5】 複数のパターン配線がフィルム本体の表
面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコン
タクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であ
って、 前記複数のパターン配線を前記フィルム本体の表面上に
被着してこれらパターン配線の各先端部をコンタクトピ
ンとするコンタクトピン形成工程と、 前記フィルム本体の裏面にバネ層を被着するバネ層被着
工程と、 ピン支持部をフィルム本体の先端部から突出状態に配す
ると共に前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの
間に接着剤で被着した後に該接着剤を加熱硬化させるピ
ン固定工程とを有し、 前記ピン支持部には、前記コンタクトピン側に位置する
面に前記ピン固定工程の加熱硬化前にコンタクトピンの
ピッチに応じた複数の溝を形成しておくことを特徴とす
るコンタクトプローブの製造方法。
5. A method of manufacturing a contact probe, wherein a plurality of pattern wirings are deposited on a surface of a film body, and each tip end of these pattern wirings serves as a contact pin. A contact pin forming step in which the tip ends of these pattern wirings are used as contact pins on the front surface of the film, a spring layer applying step in which a spring layer is applied to the back surface of the film body, and a pin supporting portion is formed in the film body. And a pin fixing step of heat-curing the adhesive after the adhesive is applied between the protruding portion of the spring layer and the contact pin, and the pin supporting portion is provided on the pin support portion. Is characterized in that a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins are formed on the surface located on the contact pin side before heat curing in the pin fixing step. Method of manufacturing a contact probe to be.
【請求項6】 請求項5に記載のコンタクトプローブの
製造方法において、 前記溝の底面を、前記コンタクトピンの基端側から先端
側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成しておく
ことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
6. The method of manufacturing a contact probe according to claim 5, wherein the bottom surface of the groove is formed so as to be inclined toward the contact pin side from the base end side to the tip end side of the contact pin. A method for manufacturing a characteristic contact probe.
【請求項7】 請求項5又は6に記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法において、 前記溝を、前記コンタクトピン側に位置する面にマスク
を施してマスクされていない部分にレーザ光を照射する
レーザ加工で形成することを特徴とするコンタクトプロ
ーブの製造方法。
7. The method of manufacturing a contact probe according to claim 5, wherein the groove is masked on a surface located on the contact pin side, and laser light is irradiated to an unmasked portion. A method of manufacturing a contact probe, comprising:
【請求項8】 請求項5又は6に記載のコンタクトプロ
ーブの製造方法において、 前記溝を、ダイシングブレードによる機械加工で形成す
ることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
8. The method for manufacturing a contact probe according to claim 5, wherein the groove is formed by machining with a dicing blade.
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