JP2001249144A - Contact probe, probe device and method for making contact probe - Google Patents

Contact probe, probe device and method for making contact probe

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JP2001249144A
JP2001249144A JP2000391667A JP2000391667A JP2001249144A JP 2001249144 A JP2001249144 A JP 2001249144A JP 2000391667 A JP2000391667 A JP 2000391667A JP 2000391667 A JP2000391667 A JP 2000391667A JP 2001249144 A JP2001249144 A JP 2001249144A
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JP
Japan
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contact
tip
probe
contact pin
film
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Pending
Application number
JP2000391667A
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Japanese (ja)
Inventor
Naoki Kato
直樹 加藤
Toshinori Ishii
利昇 石井
Isato Sasaki
勇人 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To match a contact probe with electrodes which are short in scrubbing direction and match the contact probe also with finer electrode pitches of the subject of inspection by facilitating positioning. SOLUTION: A plurality of pattern wires each coated with a film have contact pins at their respective ends projecting from the film, and a projection 44 which is brought into contact with the pad 18a of an IC chip is formed at the end of each contact pin.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ICチップ
やLCD(液晶表示体)等の被検査物の微細な電極にコ
ンタクトピンを接触させて回路試験等の電気的なテスト
を行うためのコンタクトプローブ及びプローブ装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact for performing an electrical test such as a circuit test by bringing a contact pin into contact with a fine electrode of an object to be inspected such as a semiconductor IC chip or an LCD (liquid crystal display). The present invention relates to a probe and a probe device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、プローブ装置は、ICチップや
LSI等の半導体チップ、またはLCD(液晶表示体)
等の各電極パッド(以下、パッドという)にコンタクト
プローブのコンタクトピンを押圧接触させ、プリント基
板を介してテスターに接続して電気的なテストに用いら
れる。コンタクトプローブ1は、例えば図17に示すよ
うにNi基合金等からなる複数本のパターン配線2…の
上に接着剤層を介してフィルム3が被着され、フィルム
3から突出するパターン配線2…の先端部はコンタクト
ピン2a…とされている。またフィルムの幅広の基部1
bには窓部4が形成され、この窓部4にはパターン配線
2…の引き出し配線部5…が設けられている。尚、フィ
ルム3はポリイミド等の樹脂フィルム層からなり、或い
はポリイミド等の樹脂フィルム層に銅箔等の金属フィル
ム層がグラウンドとして積層されたもの等でもよい。
2. Description of the Related Art Generally, a probe device is a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI, or an LCD (liquid crystal display).
The contact pins of the contact probe are pressed into contact with the respective electrode pads (hereinafter, referred to as pads), and are connected to a tester via a printed circuit board to be used for an electrical test. As shown in FIG. 17, the contact probe 1 has a film 3 attached on a plurality of pattern wirings 2 made of a Ni-based alloy or the like via an adhesive layer and projects from the film 3. Are formed as contact pins 2a. Also wide base 1 of the film
A window portion 4 is formed in b, and a lead-out wiring portion 5 for the pattern wiring 2 is provided in the window portion 4. The film 3 may be formed of a resin film layer of polyimide or the like, or may be a resin film layer of polyimide or the like and a metal film layer of copper foil or the like laminated as a ground.

【0003】このようなコンタクトプローブ1は図18
及び図19に示すようにマウンティングベースやトップ
クランプやボトムクランプ等のメカニカルパーツ7に組
み込まれてプローブ装置8とされ、コンタクトピン2a
…を半導体ICチップやLCD等のパッドやバンプ等の
微細な電極端子(図19ではICチップ18のパッド1
8a)に接触させることになる。即ち、図18及び図1
9に示すプローブ装置8において、円盤形状をなし中央
窓部10aを有するプリント基板10の上に、例えばト
ップクランプ11を取り付け、またコンタクトプローブ
1の先端部1aを両面テープ等でその下面に取り付けた
マウンティングベース12を、トップクランプ11にボ
ルト等で固定する。そしてボトムクランプ14でコンタ
クトプローブ1の基部1bを押さえつける。その際、プ
リント基板10とコンタクトプローブ1の基部1bは位
置決めピンによって相互の位置決めがなされる。これに
よって、コンタクトプローブ1の先端部1aがマウンテ
ィングベース12の下面で下方に向けた傾斜状態に保持
され、コンタクトプローブ1の基部1bにおいてパター
ン配線2…の引き出し配線部5…がボトムクランプ14
の弾性体15で窓部4を通してプリント基板10の下面
の電極16に押し付けられて接触状態に保持されること
になる。
Such a contact probe 1 is shown in FIG.
As shown in FIG. 19, the probe device 8 is incorporated in mechanical parts 7 such as a mounting base, a top clamp, and a bottom clamp to form a probe device 8 and a contact pin 2a.
.. Correspond to fine electrode terminals such as pads or bumps of a semiconductor IC chip or LCD (FIG. 19 shows pad 1 of IC chip 18).
8a). That is, FIG. 18 and FIG.
In the probe device 8 shown in FIG. 9, for example, a top clamp 11 is mounted on a printed circuit board 10 having a disk shape and having a central window 10a, and the tip 1a of the contact probe 1 is mounted on the lower surface thereof using a double-sided tape or the like. The mounting base 12 is fixed to the top clamp 11 with bolts or the like. Then, the base 1 b of the contact probe 1 is pressed by the bottom clamp 14. At this time, the printed circuit board 10 and the base 1b of the contact probe 1 are mutually positioned by the positioning pins. As a result, the tip portion 1a of the contact probe 1 is held in a downwardly inclined state on the lower surface of the mounting base 12, and the lead-out wiring portion 5 of the pattern wiring 2 at the base 1b of the contact probe 1
The elastic body 15 is pressed through the window 4 to the electrode 16 on the lower surface of the printed circuit board 10 to be kept in contact.

【0004】ところで、上述のコンタクトプローブ1の
各コンタクトピン2a…を含む各パターン配線2…はマ
スク露光技術を用いてフォトリソ・めっき法によって製
作されており、コンタクトピン2aの先端部20は図2
0に示されるように略半円弧の板状に形成される。ここ
で、コンタクトピン2aの先端部20はフィルム3に被
着される先端円弧状の上面21及び下面22と側面23
とで構成されている。また、パッド18aへのコンタク
ト時に接触抵抗を少なくするために、図20に示すよう
にコンタクトピン2a…の先端において下面22から側
面23の先端にかけて斜めに切り欠いて研磨された接触
面24を形成していた。
The pattern wirings 2 including the contact pins 2a of the contact probe 1 are manufactured by photolithography and plating using a mask exposure technique, and the tip 20 of the contact pins 2a is shown in FIG.
As shown by 0, it is formed in a substantially semicircular plate shape. Here, the distal end portion 20 of the contact pin 2 a is formed on the upper surface 21, the lower surface 22, and the side surface 23 of a circular arc shape to be adhered to the film 3.
It is composed of Also, in order to reduce the contact resistance when contacting the pad 18a, a polished contact surface 24 is formed by diagonally notching from the lower surface 22 to the distal end of the side surface 23 at the tips of the contact pins 2a as shown in FIG. Was.

【0005】ICチップ18のパッド18aにコンタク
トピン2aをコンタクトさせる際、例えばパッド18a
を水平に配置したとして、パッド18aに対するコンタ
クトピン2aの傾斜角度θを例えば20°前後に設定す
るようになっている。他方、アルミニウム合金や金など
で形成されるパッド18aの表面は空気中で酸化して薄
い酸化膜や吸着物で覆われているために、オーバードラ
イブをかけて図21に示すようにパッド18aの表面の
酸化膜や吸着物を先端部20の接触面24で擦り取り
(スクラブという)、内部のアルミニウムや金などの金
属を露出させて接触面24でコンタクトピン2aとの確
実な導通を図る必要がある。
When the contact pins 2a are brought into contact with the pads 18a of the IC chip 18, for example, the pads 18a
Are arranged horizontally, the inclination angle θ of the contact pin 2a with respect to the pad 18a is set to, for example, about 20 °. On the other hand, since the surface of the pad 18a formed of an aluminum alloy, gold, or the like is oxidized in the air and covered with a thin oxide film or an adsorbent, overdrive is applied to the pad 18a as shown in FIG. It is necessary to scrape the oxide film and the adsorbed material on the surface with the contact surface 24 of the tip portion 20 (referred to as scrubbing), to expose the metal such as aluminum and gold inside, and to ensure the conduction with the contact pin 2a at the contact surface 24. There is.

【0006】ここで、オーバードライブとは、パッド1
8aにコンタクトピン2aの先端を当接させた状態から
さらにパッド18aとコンタクトピン2aとを相対的に
接近させる操作のことである。この操作によってコンタ
クトピン2aがパッド18aに押圧されてパッド18a
に対する傾斜角度θを小さくする向きに湾曲するので、
コンタクトピン2aの先端がパッド18aの表面に沿っ
て移動し、パッド18aのスクラブを行う。なお、例え
ばオーバードライブによってパッド18aとコンタクト
ピン2aとを相対的に接近させた距離(オーバードライ
ブ量という)が同じである場合、コンタクトピン2aの
初期の傾斜角度θが小さいほど、コンタクトピン2aの
先端がパッド18aをこすってスクラブする長さ(スク
ラブ長という)が短くなる。
Here, the overdrive means the pad 1
This is an operation of further bringing the pad 18a and the contact pin 2a relatively closer from the state where the tip of the contact pin 2a is in contact with the contact pin 8a. By this operation, the contact pin 2a is pressed by the pad 18a and the pad 18a
Bend in a direction to reduce the inclination angle θ with respect to
The tip of the contact pin 2a moves along the surface of the pad 18a to scrub the pad 18a. For example, when the distance (referred to as an overdrive amount) at which the pad 18a and the contact pin 2a are relatively approached by overdrive is the same, the smaller the initial inclination angle θ of the contact pin 2a, the smaller the contact pin 2a. The length of the scrub by the tip rubbing the pad 18a (called the scrub length) is reduced.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のIC
チップ18の小型化に伴ってパッド18aの大きさも小
さくなっている。このため、コンタクトピン2aの傾斜
角度θが従来の大きさ(θ=20°)のまま、即ちオー
バードライブをかけた際にコンタクトピン2aの先端部
がパッド18aをこする長さ(スクラブ長)が従来の長
さのままでは、このように小型化したパッド18aに対
応することができず、場合によってはコンタクトピン2
aの先端がパッド18aから飛び出してしまう恐れがあ
る。
Incidentally, recent ICs
As the size of the chip 18 is reduced, the size of the pad 18a is also reduced. For this reason, the inclination angle θ of the contact pin 2a remains at the conventional size (θ = 20 °), that is, the length (scrub length) at which the tip end of the contact pin 2a rubs the pad 18a when overdrive is applied. However, if the conventional length is not used, it is impossible to cope with such a miniaturized pad 18a.
There is a possibility that the tip of a may protrude from the pad 18a.

【0008】しかし、コンタクトピン2aの傾斜角度を
小さくすると、コンタクトピン2aのパッド18aに対
する接触角度も小さくなってしまい、コンタクトピン2
aの先端をパッド18aに押し付ける力(針圧)が小さ
くなるので、コンタクトピン2aの先端部がパッド18
aの表面を滑る形となって良好なスクラブが行われなく
なる恐れがある。また、ICチップ18のパッド18a
には図21に示すようにその縁部にパッシベーション2
6と呼ばれる絶縁膜(絶縁部材)が設けられているもの
があり、パッシベーション26はパッド18aの表面よ
り高い位置まで隆起している。そのため、傾斜角度θを
小さくすると、スクラブをかけた際にコンタクトピン2
aがパッシベーション26に接触してパッシベーション
26を破損するおそれがあった。
However, when the inclination angle of the contact pin 2a is reduced, the contact angle of the contact pin 2a with respect to the pad 18a is also reduced.
a, the force (needle pressure) for pressing the tip of the contact pin 2a against the pad 18a is reduced.
There is a risk that good scrub may not be performed due to slipping on the surface of a. Also, the pad 18a of the IC chip 18
As shown in FIG. 21, passivation 2
In some cases, an insulating film (insulating member) referred to as No. 6 is provided, and the passivation 26 protrudes to a position higher than the surface of the pad 18a. Therefore, when the inclination angle θ is reduced, the contact pins 2
a may contact the passivation 26 and damage the passivation 26.

【0009】また、例えばICチップ18が略矩形形状
をなし、そのパッド18aがICチップ18の四辺に沿
って設けられている場合には、通常、ICチップ18の
各辺のそれぞれに対応させて四枚のコンタクトプローブ
1を用いることとなるが、各コンタクトプローブ毎にコ
ンタクトピンの先端を数μm以内の精度で位置合わせし
なければならないので、手間がかかるとともに、位置合
わせの精度を確保することが困難となる。そのため、例
えば上記したコンタクトプローブ1を少なくとも二枚、
それぞれコンタクトピン2aをICチップ18に向けて
ICチップ18を囲むように配置された状態で互いに連
結して、これらコンタクトプローブ1をそれぞれICチ
ップ18の各辺のパッド18aに対応するコンタクトプ
ローブ部として一体に形成することで、パッド18aに
対するコンタクトピン2aの位置合わせを容易にしたコ
ンタクトプローブが考えられている。
For example, when the IC chip 18 has a substantially rectangular shape and its pads 18a are provided along four sides of the IC chip 18, usually, the pads 18a correspond to each side of the IC chip 18, respectively. Although four contact probes 1 will be used, the tip of the contact pin must be aligned with accuracy within several μm for each contact probe, which is troublesome and secures the accuracy of alignment. Becomes difficult. Therefore, for example, at least two contact probes 1 described above,
The contact pins 2a are connected to each other with the contact pins 2a facing the IC chip 18 so as to surround the IC chip 18, and these contact probes 1 are used as contact probe portions corresponding to the pads 18a on each side of the IC chip 18, respectively. A contact probe has been considered which is formed integrally to facilitate alignment of the contact pin 2a with the pad 18a.

【0010】一方で、ICチップ18の小型化に伴っ
て、ICチップ18のコーナー部分において、隣り合う
辺に設けられるパッド18a間の距離も接近している。
このため、複数のコンタクトプローブ部を有するコンタ
クトプローブでは、プローブ装置8に装着した際に、隣
り合う二枚のコンタクトプローブ部において、ICチッ
プ18のコーナー部分のパッド18aと当接させられる
コンタクトピン2aの先端同士を接近して設ける必要が
ある。ここで、コンタクトプローブは、製造段階及びプ
ローブ装置8への取り付け作業時には、各コンタクトプ
ローブ部の先端部は傾斜されずに全体として平面のまま
扱われる。すると、従来の傾斜角度θで装着されると、
例えば二枚の隣り合うコンタクトプローブ部を平面上に
展開した際に、これらコンタクトプローブ部のコンタク
トピン2aが一部重なり合ってしまう可能性がある。
On the other hand, with the miniaturization of the IC chip 18, the distance between the pads 18a provided on adjacent sides in the corner portion of the IC chip 18 is also getting closer.
For this reason, in a contact probe having a plurality of contact probe portions, when attached to the probe device 8, the contact pins 2 a are brought into contact with the pads 18 a at the corners of the IC chip 18 in the two adjacent contact probe portions. Must be provided close to each other. Here, at the time of the manufacturing step and the work of attaching the contact probe to the probe device 8, the tip portion of each contact probe portion is handled as a whole without being inclined. Then, when mounted at the conventional inclination angle θ,
For example, when two adjacent contact probe portions are developed on a plane, the contact pins 2a of these contact probe portions may partially overlap.

【0011】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、スクラブ方向の長さの短い電極に対応できる
コンタクトプローブ及びプローブ装置を提供することを
目的とする。本発明の他の目的は、位置決めを容易にで
き、より微細な被検査物の電極ピッチに対応できること
である。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and has as its object to provide a contact probe and a probe device which can cope with an electrode having a short length in a scrub direction. Another object of the present invention is to facilitate positioning and to cope with a finer electrode pitch of a test object.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1記載の
コンタクトプローブは、フィルムが被着された複数のパ
ターン配線の各先端が前記フィルムから突出してコンタ
クトピンとされているコンタクトプローブにおいて、前
記コンタクトピンの先端部に突起部が設けられ、該突起
部の、前記コンタクトピンの先端部からの突出量Hが3
μm以上とされていることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a contact probe, wherein each tip of a plurality of pattern wirings on which a film is attached protrudes from the film to form contact pins. A projection is provided at the tip of the contact pin, and the amount of projection H of the projection from the tip of the contact pin is 3
μm or more.

【0013】このように構成されるコンタクトプローブ
は、コンタクトピンの先端部に突起部が設けられてお
り、突起部によって被検査物の電極のスクラブが良好に
行われるので、コンタクトピンの傾斜角度を小さくする
ことができる。これによって、オーバードライブ時のコ
ンタクトピンのスクラブ長を短くして、スクラブ方向の
長さの短い電極に対応することができる。また、突起部
が設けられることによってコンタクトピンの先端部以外
の部分が被検査物から離間されるので、コンタクトピン
の傾斜角度を小さくしても、例えば電極に設けられるパ
ッシベーションとコンタクトピンとの干渉を避けること
ができる。ここで、コンタクトピンに設けられる突起部
は、例えばコンタクトピンの先端部にめっき処理を施す
ことで形成したり、またボンディングによって形成して
もよい。この突起部の、コンタクトピンの先端部からの
突出量Hを3μmよりも小さくした場合には、オーバー
ドライブ時にコンタクトピンの突起部以外の部分が被検
査物に近づきすぎて、被検査物と接触してこれを破損さ
せてしまう恐れがある。このため、突起部の突出量H
は、3μm以上とされる。また、コンタクトピンの先端
部による被検査物のスクラブ長を小さくするために、突
起部はコンタクトピンの長手方向の幅が短く設定されて
いるので、突出量Hを100μmよりも大きくした場合
には、突起部の突出量Hが、突起部のコンタクトピンの
長手方向の幅よりも大きくなってしまう。コンタクトピ
ンは被検査物に対して傾斜した状態で当接するため、こ
のように突出量Hが大きすぎる場合には、スクラブ時に
受ける応力によって突起部が折れ曲がってしまう恐れが
ある。このため、突起部の突出量Hは、100μm以下
とすることが好ましい。
In the contact probe thus configured, a projection is provided at the tip of the contact pin, and the electrode of the object to be inspected is scrubbed satisfactorily by the projection. Can be smaller. Thereby, the scrub length of the contact pin at the time of overdrive can be reduced, and it is possible to cope with an electrode having a short length in the scrub direction. Also, since the projections provide a portion other than the tip of the contact pin apart from the object to be inspected, even if the inclination angle of the contact pin is reduced, for example, interference between the passivation provided on the electrode and the contact pin may be prevented. Can be avoided. Here, the projection provided on the contact pin may be formed, for example, by plating the tip of the contact pin, or may be formed by bonding. If the protrusion amount H of the protrusion from the tip of the contact pin is smaller than 3 μm, the portion other than the protrusion of the contact pin becomes too close to the test object during overdrive, and contacts the test object. And may damage it. For this reason, the protrusion amount H of the projection portion
Is 3 μm or more. In addition, in order to reduce the scrub length of the object to be inspected due to the tip of the contact pin, the protrusion has a short width in the longitudinal direction of the contact pin. Therefore, when the protrusion amount H is larger than 100 μm, The protrusion amount H of the protrusion becomes larger than the width of the protrusion in the longitudinal direction of the contact pin. Since the contact pin abuts against the object to be inspected in an inclined state, when the protrusion amount H is too large, the projection may be bent by the stress received during the scrub. For this reason, it is preferable that the protrusion amount H of the protrusion is 100 μm or less.

【0014】本発明の請求項2記載のコンタクトプロー
ブは、先端部がコンタクトピンをなす複数のパターン配
線に、前記先端部よりもさらに先端側まで突出させてフ
ィルムが被着され、前記パターン配線に、前記コンタク
トピンの先端部に隣接する部分を除いてマスクが施され
て、前記先端部に隣接する部分に、めっき処理によって
前記コンタクトピンよりも肉厚の厚い金属層が形成さ
れ、前記マスクが除去されて、前記コンタクトピンの先
端に、前記金属層からなる突起部が形成されてなること
を特徴とする。また、本発明の請求項3記載のコンタク
トプローブは、先端部がコンタクトピンをなす複数のパ
ターン配線に、接着剤を介して、前記先端部を含めてカ
バーするフィルムが被着され、前記パターン配線に、前
記コンタクトピンの先端部を除いてマスクが施されて、
前記コンタクトピンの先端部に、めっき処理によって金
属層が形成され、前記マスクが除去されて、前記金属層
が成形されて、前記コンタクトピンの先端に、前記金属
層からなる突起部が形成されてなることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a contact probe, wherein a film is attached to a plurality of pattern wirings each of which has a tip part forming a contact pin, so that the film protrudes further to the tip side than the tip part. A mask is applied except for a portion adjacent to the tip of the contact pin, and a metal layer thicker than the contact pin is formed in a portion adjacent to the tip by plating, and the mask is formed. It is characterized in that a protrusion made of the metal layer is formed at the tip of the contact pin after being removed. According to a third aspect of the present invention, in the contact probe, a film covering the plurality of pattern wirings, each of which has a tip portion forming a contact pin, including the tip portion is adhered to the plurality of pattern wirings via an adhesive. A mask is applied except for the tip of the contact pin,
At the tip of the contact pin, a metal layer is formed by a plating process, the mask is removed, the metal layer is molded, and a projection made of the metal layer is formed at the tip of the contact pin. It is characterized by becoming.

【0015】ここで、コンタクトピンをフィルムから突
出させたコンタクトプローブでは、コンタクトピンの先
端に、金等の金属をボンディングすることで突起部を形
成したり、コンタクトピンの先端のうち、突起部を形成
する部分以外の他の部分をマスクで覆い、この状態でめ
っき処理によってマスクで覆われていない部分に金属層
を形成することで突起部を形成することができる。しか
し、突起部をボンディングによって形成する場合、突起
部が比較的柔らかい金属である金等によって構成されて
おり、被検査物をスクラブする際や、コンタクトピンの
先端をクリーニングする際などに突起部が摩耗しやす
く、繰り返し使用することで突起部の効果が失われやす
い。また、突起部をめっき処理によって形成する場合、
コンタクトピンは全体が露出状態にあるため、単にめっ
き処理を施すと、コンタクトピンの先端に球状にめっき
金属が成長し、その成長の程度によっては隣接するコン
タクトピン同士が接触してしまう。このようなコンタク
トピン同士の接触を防止するには、突起部を形成する部
分以外の他の部分をマスクで覆ってからめっき処理を行
うことが好ましい。しかし、このような微細なコンタク
トピンにおいて突起部を形成する部分のみを露出させ、
かつこれ以外の他の部分をマスクで覆うことは容易では
なかった。これに対し、本発明の請求項2記載のコンタ
クトプローブでは、パターン配線に、コンタクトピンの
先端部よりもさらに先端側まで突出させてフィルムが被
着されており、パターン配線に、コンタクトピンの先端
部に隣接する部分を除いてマスクを施すことで、突起部
を形成する部分のみを露出させ、かつこれ以外の他の部
分を容易にマスクで覆うことができる。そして、先端部
に隣接する部分(マスクが施されていない部分)に、め
っき処理によってコンタクトピンよりも肉厚の厚い金属
層を形成して、マスクを除去することで、コンタクトピ
ンの先端に、金属層からなる突起部を形成することがで
きる。また、本発明の請求項3記載のコンタクトプロー
ブでは、コンタクトピンの先端部までフィルムが被着さ
れており、このフィルムが接着剤を介してパターン配線
に被着されていて、パターン配線間が接着剤によって充
填されている。そして、パターン配線に、コンタクトピ
ンの先端部を除いてマスクを施すことで、突起部を形成
する部分のみを露出させ、かつこれ以外の他の部分を容
易にマスク及び接着剤によって覆うことができる。これ
によって、マスク形状を単純な形状にすることができ
る。そして、マスクが施されていないコンタクトピンの
先端部に、めっき処理によって金属層を形成し、マスク
を除去して、金属層を成形することで、コンタクトピン
の先端に、金属層からなる突起部を形成することができ
る。突起部の成形は、例えばレーザー加工等によって不
要な部分を除去することで行うことができる。
Here, in the contact probe in which the contact pins protrude from the film, a protruding portion is formed by bonding a metal such as gold to the tip of the contact pin, or the protruding portion of the contact pin is formed. A portion other than the portion to be formed is covered with a mask, and a projection is formed by forming a metal layer on a portion not covered with the mask by plating in this state. However, when the protrusions are formed by bonding, the protrusions are made of a relatively soft metal such as gold, and the protrusions are used when scrubbing an object to be inspected or cleaning the tip of a contact pin. It is easy to wear, and the effect of the protruding part is easily lost by repeated use. When the projection is formed by plating,
Since the entire contact pin is in an exposed state, if a plating process is simply performed, a plating metal grows in a spherical shape at the tip of the contact pin, and depending on the degree of the growth, adjacent contact pins may come into contact with each other. In order to prevent such contact between the contact pins, it is preferable to perform plating after covering other portions than the portions where the projections are formed with a mask. However, in such a fine contact pin, only a portion where a protrusion is formed is exposed,
Moreover, it was not easy to cover other portions with a mask. On the other hand, in the contact probe according to claim 2 of the present invention, the film is applied to the pattern wiring so as to protrude further to the tip end than the tip end of the contact pin, and the tip of the contact pin is attached to the pattern wiring. By applying the mask except for the portion adjacent to the portion, only the portion where the protrusion is to be formed is exposed, and other portions other than the portion can be easily covered with the mask. Then, a metal layer thicker than the contact pins is formed in a portion adjacent to the tip portion (portion where the mask is not applied) by plating, and the mask is removed. A projection made of a metal layer can be formed. Further, in the contact probe according to the third aspect of the present invention, the film is attached to the tip of the contact pin, and the film is attached to the pattern wiring via an adhesive, and the pattern wiring is bonded. Filled with the agent. Then, by applying a mask to the pattern wiring except for the end portions of the contact pins, only the portion where the protrusion is formed is exposed, and the other portions can be easily covered with the mask and the adhesive. . Thereby, the mask shape can be made simple. Then, a metal layer is formed by plating on the tip of the contact pin that is not masked, the mask is removed, and the metal layer is formed. Can be formed. The projection can be formed by removing unnecessary portions by, for example, laser processing.

【0016】ここで、例えば被検査物上に異物が付着し
ていたり、被検査物が異形状をなしていた場合には、オ
ーバードライブ時にコンタクトピンが異物上や被検査物
の凸部上に乗り上げるなどするため、コンタクトピンに
過剰な応力が加わる。すると、コンタクトピンをフィル
ムから突出させたコンタクトプローブでは、この応力に
よってコンタクトピンの付け根部分が塑性変形してコン
タクトピンが反り返ってしまいやすく、次回のテストの
際に変形したコンタクトピンが被検査物に接触しなくな
ってしまう恐れがある。これに対し、本発明の請求項2
または3にかかるコンタクトプローブでは、コンタクト
ピンの先端部までフィルムが被着されており、コンタク
トピンがオーバードライブ時に応力を受けた場合には、
コンタクトピンは、フィルムによって支持されつつ、フ
ィルムとともに全体的にたわむこととなる。このため、
コンタクトピンに加わった応力が分散されて、局所的に
作用することがないので、コンタクトピンに塑性変形が
生じにくく、次回のテストの際にもコンタクトピンの接
触不良が生じにくい。
Here, for example, when a foreign substance is attached to the inspection object or the inspection object has an irregular shape, the contact pin is over the foreign object or the convex portion of the inspection object during overdrive. Excessive stress is applied to the contact pins due to riding up. Then, in the case of a contact probe with the contact pins protruding from the film, the base of the contact pins is plastically deformed due to this stress, and the contact pins are likely to be warped. There is a risk that contact will be lost. In contrast, claim 2 of the present invention
Or, in the contact probe according to 3, the film is applied to the tip of the contact pin, and when the contact pin receives stress during overdrive,
The contact pins will flex with the film as a whole while being supported by the film. For this reason,
Since the stress applied to the contact pins is not dispersed and acts locally, the contact pins are less likely to be plastically deformed, and the contact pins are less likely to have poor contact in the next test.

【0017】本発明の請求項4記載のコンタクトプロー
ブは、フィルムが被着された複数のパターン配線の各先
端が前記フィルムから突出してコンタクトピンとされて
いるコンタクトプローブであって、それぞれ一組の前記
パターン配線にそれぞれ前記フィルムが被着されてなる
複数のコンタクトプローブ部を有し、これら複数のコン
タクトプローブ部は、それぞれの組の前記コンタクトピ
ンを被検査物に向けて該被検査物を囲むように配置され
た状態で互いに連結され、前記コンタクトピンの先端部
には、突起部が設けられていることを特徴とする。
A contact probe according to a fourth aspect of the present invention is a contact probe in which the tips of a plurality of pattern wirings on which a film is adhered project from the film to form contact pins. A plurality of contact probe portions each having the film adhered to the pattern wiring, and the plurality of contact probe portions surround the object to be inspected by directing each set of the contact pins toward the object to be inspected. The contact pins are connected to each other in a state where they are arranged, and a protrusion is provided at a tip end of the contact pin.

【0018】このように構成されるコンタクトプローブ
は、コンタクトピンの先端部に突起部が設けられること
によって、コンタクトピン及びコンタクトプローブ部の
先端部の傾斜角度を小さくすることができるので、製造
時等に複数のコンタクトプローブ部を平面上に展開した
状態で、例えば隣り合う二枚のコンタクトプローブ部の
コンタクトピンを相互に接触しない位置で形成でき、し
かもプローブ装置に装着した際のコンタクトプローブ部
の先端部の傾斜角度を小さくすることで細密配列された
隣り合うパッドの列にそれぞれ接触させることができ
る。また、各コンタクトプローブ部が互いに連結されて
おり、これらを一括して取り扱うことができるので、従
来は被検査物の電極に対応して複数のコンタクトプロー
ブを個別に作成した上でそれぞれコンタクトピンと電極
との位置決めを行っていたのに対し、位置決め工程にお
ける手間を削減するとともに、コンタクトピンのピッチ
や高さを容易かつ高精度に位置決めすることができる。
ここで、このコンタクトプローブにおいて、隣り合う二
枚のコンタクトプローブ部は、それぞれの組のコンタク
トピンを互いに略直交させた状態で連結してもよく、こ
の場合には、ICチップにおいて一般的な形状である略
矩形形状のICチップに対応することができる。
In the contact probe configured as described above, since the projections are provided at the tip portions of the contact pins, the inclination angles of the contact pins and the tip portions of the contact probe portions can be reduced. In a state where a plurality of contact probe parts are spread out on a plane, for example, the contact pins of two adjacent contact probe parts can be formed at positions not in contact with each other, and furthermore, the tip of the contact probe part when attached to the probe device By making the inclination angle of the portion small, it is possible to contact each of the rows of closely arranged pads. In addition, since each contact probe section is connected to each other and can be handled collectively, conventionally, a plurality of contact probes are individually created corresponding to the electrodes of the inspection object, and then the contact pins and the electrodes are respectively formed. In contrast to the above-described positioning, it is possible to reduce the trouble in the positioning step and to easily and accurately position the pitch and the height of the contact pins.
Here, in this contact probe, two adjacent contact probe portions may be connected in a state where respective sets of contact pins are substantially orthogonal to each other, and in this case, a general shape of an IC chip is used. And a substantially rectangular IC chip.

【0019】本発明に係るプローブ装置は、フィルム上
に形成されたパターン配線の先端部がフィルムから突出
してコンタクトピンとされてなるコンタクトプローブ
が、メカニカルパーツに装着され、前記コンタクトピン
は被検査物に対して傾斜して当接させられるプローブ装
置において、前記コンタクトプローブは、前記コンタク
トピンの先端部に突起部が形成されており、前記コンタ
クトピンが、前記被検査物に対して10°以下の傾斜角
度で、前記突起部で当接させられることを特徴とする。
In the probe device according to the present invention, a contact probe in which a tip end of a pattern wiring formed on a film protrudes from the film to be a contact pin is mounted on a mechanical part, and the contact pin is attached to an object to be inspected. In the probe device, the contact probe is formed such that a protrusion is formed at a tip of the contact pin, and the contact pin is inclined at an angle of 10 ° or less with respect to the inspection object. The projection is abutted at an angle.

【0020】このように構成されるプローブ装置は、コ
ンタクトピンの先端部に突起部が設けられており、突起
部によって被検査物の電極のスクラブが良好に行われる
ので、コンタクトピンの傾斜角度を小さくすることがで
きる。これによって、オーバードライブ時のコンタクト
ピンのスクラブ長を短くして、スクラブ方向の長さの短
い電極に対応することができる。また、突起部が設けら
れることによってコンタクトピンの先端部以外の部分が
被検査物から離間されるので、コンタクトピンの傾斜角
度を小さくしても、例えば電極に設けられるパッシベー
ションとコンタクトピンとの干渉を避けることができ
る。ここで、コンタクトピンの傾斜角度が10°よりも
大きくなると、コンタクトピンのスクラブ長が長くなっ
て、スクラブ方向の長さの短い電極に対応することがで
きなくなってしまう。このため、コンタクトピンの傾斜
角度は、10°以下とされる。また、コンタクトピンの
傾斜角度が3°よりも小さいと、コンタクトピンの被検
査物の電極に対する接触角度も小さくなってしまい、コ
ンタクトピンの先端を電極に押し付ける力が小さくなる
ので、コンタクトピンの先端部が電極の表面を滑る形と
なって良好なスクラブが行われなくなる恐れが生じる。
また、コンタクトピンの先端以外の他の部分が被検査物
に干渉してしまう恐れが生じる。このため、コンタクト
ピンの傾斜角度は、3°以上とすることが好ましい。
In the probe device thus configured, a projection is provided at the tip of the contact pin, and the electrode of the object to be inspected is scrubbed satisfactorily by the projection. Can be smaller. Thereby, the scrub length of the contact pin at the time of overdrive can be shortened, and it is possible to cope with an electrode having a short length in the scrub direction. Also, since the projections provide a portion other than the tip of the contact pin apart from the object to be inspected, even if the inclination angle of the contact pin is reduced, for example, interference between the passivation provided on the electrode and the contact pin may be prevented. Can be avoided. Here, when the inclination angle of the contact pin is larger than 10 °, the scrub length of the contact pin becomes long, and it becomes impossible to cope with an electrode having a short length in the scrub direction. Therefore, the inclination angle of the contact pin is set to 10 ° or less. Further, if the inclination angle of the contact pin is smaller than 3 °, the contact angle of the contact pin with respect to the electrode of the inspection object also becomes small, and the force for pressing the tip of the contact pin against the electrode becomes small. There is a possibility that the portion slips on the surface of the electrode and good scrub is not performed.
Further, there is a possibility that other parts other than the tip of the contact pin may interfere with the inspection object. For this reason, it is preferable that the inclination angle of the contact pin be 3 ° or more.

【0021】本発明の請求項7記載のコンタクトプロー
ブの製造方法は、フィルム上に形成されたパターン配線
の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
の製造方法であって、前記パターン配線に、前記コンタ
クトピンの先端部に隣接する部分を除いてマスクを施し
て、前記先端部に隣接する部分に、前記コンタクトピン
よりも肉厚の厚い金属層をめっき処理により形成するめ
っき処理工程と、前記マスクを取り除いて、前記金属層
からなる突起部を露出させるマスク除去工程とを備えて
いることを特徴とする。このコンタクトプローブの製造
方法では、パターン配線に、コンタクトピンの先端部よ
りもさらに先端側まで突出させてフィルムが被着される
ので、パターン配線に、コンタクトピンの先端部に隣接
する部分を除いてマスクを施すことで、突起部を形成す
る部分のみを露出させ、かつこれ以外の他の部分を容易
にマスクで覆うことができる。そして、先端部に隣接す
る部分(マスクが施されていない部分)に、めっき処理
によってコンタクトピンよりも肉厚の厚い金属層を形成
して、マスクを除去することで、コンタクトピンの先端
に、金属層からなる突起部を形成することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a contact probe, wherein a tip portion of a pattern wiring formed on a film is used as a contact pin, wherein the pattern wiring includes the contact. Applying a mask except for a portion adjacent to the tip of the pin, and forming a metal layer thicker than the contact pin by plating on a portion adjacent to the tip, A mask removing step of removing the protrusions made of the metal layer to expose the protrusions. In this method for manufacturing a contact probe, a film is applied to the pattern wiring so as to protrude further to the tip side than the tip end of the contact pin, so that the pattern wiring excludes a portion adjacent to the tip end of the contact pin. By applying the mask, only the portion where the protrusion is formed can be exposed, and the other portions can be easily covered with the mask. Then, a metal layer thicker than the contact pins is formed in a portion adjacent to the tip portion (portion where the mask is not applied) by plating, and the mask is removed. A projection made of a metal layer can be formed.

【0022】また、本発明の請求項8記載のコンタクト
プローブの製造方法は、フィルム上に形成されたパター
ン配線の先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプ
ローブの製造方法であって、前記パターン配線に、前記
コンタクトピンの先端部を除いてマスクを施して、前記
コンタクトピンの先端部に、めっき処理により金属層を
形成するめっき処理工程と、前記マスクを取り除き、前
記金属層を成形して突起部を形成する突起部成形工程と
を備えていることを特徴とする。このコンタクトプロー
ブの製造方法では、コンタクトピンの先端部までフィル
ムが被着され、パターン配線にフィルムを被着するため
の接着剤によってパターン配線間が充填される。そし
て、パターン配線に、コンタクトピンの先端部を除いて
マスクを施すことで、突起部を形成する部分のみを露出
させ、かつこれ以外の他の部分を容易にマスク及び接着
剤によって覆うことができる。これによって、マスク形
状を単純な形状にすることができる。そして、マスクが
施されていない部分に、めっき処理によって金属層を形
成し、マスクを除去して、金属層を成形することで、コ
ンタクトピンの先端に、金属層からなる突起部を形成す
ることができる。ここで、突起部の成形は、例えばレー
ザー加工等によって不要な部分を除去することで行うこ
とができる。
According to a eighth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a contact probe, wherein a tip portion of a pattern wiring formed on a film is used as a contact pin. A mask is applied except for the tip of the contact pin, and a plating step of forming a metal layer by plating on the tip of the contact pin, removing the mask, forming the metal layer to form a protrusion. And forming a protrusion. In this method of manufacturing a contact probe, a film is applied to the tip of the contact pin, and the space between the pattern wirings is filled with an adhesive for applying the film to the pattern wirings. Then, by applying a mask to the pattern wiring except for the end portions of the contact pins, only the portion where the protrusion is formed is exposed, and the other portions can be easily covered with the mask and the adhesive. . Thereby, the mask shape can be made simple. Then, a metal layer is formed by plating on a portion where the mask is not applied, the mask is removed, and the metal layer is formed, thereby forming a protrusion made of the metal layer at the tip of the contact pin. Can be. Here, the protrusion can be formed by removing an unnecessary portion by, for example, laser processing.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】〔第一の実施の形態〕以下、本発
明の第一の実施の形態を図1から図8を用いて説明する
が、上述の従来技術と同一または同様の部分には同一の
符号を用いて説明する。図1はコンタクトプローブの先
端部の斜視図、図2は図1に示すコンタクトプローブの
全体のA−A線中央断面図、図3は実施の形態のコンタ
クトプローブのコンタクトピンを斜め下方からみた斜視
図、図4は実施の形態によるコンタクトピンをICチッ
プのパッドにコンタクトさせた状態を示す側面図であ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 8. Will be described using the same reference numerals. 1 is a perspective view of a tip portion of the contact probe, FIG. 2 is a cross-sectional view of the entire contact probe shown in FIG. 1, taken along line AA, and FIG. 3 is a perspective view of a contact pin of the contact probe according to the embodiment as viewed obliquely from below. FIG. 4 is a side view showing a state where the contact pins according to the embodiment are brought into contact with the pads of the IC chip.

【0024】本実施の形態のコンタクトプローブ31
は、図17に示すコンタクトプローブ1とほぼ同一構成
とされ、図1に示すように、Ni基合金等の金属で形成
されるパターン配線32を、ポリイミド等のフィルム3
3の片面に被着した構造となっている。パターン配線3
2の先端部は、フィルム33の先端部Faから突出して
コンタクトピン32aとされている。
Contact probe 31 of the present embodiment
Has substantially the same configuration as the contact probe 1 shown in FIG. 17, and as shown in FIG. 1, a pattern wiring 32 formed of a metal such as a Ni-based alloy is
3 is attached to one side. Pattern wiring 3
2 is formed as a contact pin 32 a protruding from the front end Fa of the film 33.

【0025】フィルム33は、図1及び図2に示すよう
にNi基合金層(第二の金属層)からなる複数本のパタ
ーン配線32…の上に図示しない接着剤層を介して被着
され、フィルム33から突出するパターン配線32…の
先端部はコンタクトピン32a…とされている。また図
2に示すように、フィルム33の幅広の基部Fbには窓
部4が形成され、この窓部4にはパターン配線32…の
引き出し配線部35…が設けられている。ここで、フィ
ルム33は、パターン配線32…が被着されたポリイミ
ド等の樹脂フィルム層36にCu、Ni、Ni基合金等
の金属フィルム層37がグラウンドとして積層されて構
成されているが、樹脂フィルム層36だけで構成されて
いてもよい。また、フィルム33には、例えばコンタク
トプローブ31を位置合わせ及び固定するための位置合
わせ孔を設け、この位置合わせ孔に位置決めピンを挿入
することでプローブ装置上での取付位置の位置合わせを
行うようにしてもよい。
As shown in FIGS. 1 and 2, the film 33 is applied on a plurality of pattern wirings 32 composed of a Ni-based alloy layer (second metal layer) via an adhesive layer (not shown). , Protruding from the film 33 are formed as contact pins 32a. As shown in FIG. 2, a window 4 is formed in the wide base Fb of the film 33, and the window 4 is provided with lead-out wiring portions 35 for the pattern wirings 32. Here, the film 33 is formed by laminating a metal film layer 37 of Cu, Ni, Ni-based alloy or the like as a ground on a resin film layer 36 of polyimide or the like on which the pattern wiring 32 is adhered. It may be constituted only by the film layer 36. Further, the film 33 is provided with a positioning hole for positioning and fixing the contact probe 31, for example, and a positioning pin is inserted into the positioning hole so that the mounting position on the probe device is positioned. It may be.

【0026】コンタクトピン32aは、その長手方向に
直交する断面が例えば略四角形状とされ、図2及び図3
に示すように、その先端部はフィルム33に被着される
面につながる面が上面41とされ、上面41に対向する
下面42と、上下面41、42間に設けられた側面43
とで構成されており、下面42には、ICチップ18の
パッド18aに接触させられ得る突起部44が形成され
ている。コンタクトピン32aの先端部は略半円板状と
されているために、側面43の先端部43aは略円柱周
面形状の凸曲面とされている。
The cross section orthogonal to the longitudinal direction of the contact pin 32a has, for example, a substantially rectangular shape.
As shown in the figure, the front end has a surface connected to the surface to be attached to the film 33 as an upper surface 41, a lower surface 42 facing the upper surface 41, and a side surface 43 provided between the upper and lower surfaces 41, 42.
The lower surface 42 is formed with a protrusion 44 that can be brought into contact with the pad 18a of the IC chip 18. Since the tip of the contact pin 32a has a substantially semi-disc shape, the tip 43a of the side surface 43 has a substantially cylindrical peripheral curved shape.

【0027】突起部44は、下面42にNi、Ni基合
金その他の金属がめっきされて形成されるものである。
そして、突起部44は、コンタクトピン32aの長手方
向の幅Wが、ICチップ18のパッド18aをスクラブ
した際に、図4に示すようにスクラブ方向のパッド18
a両端に位置するパッシベーション26A、26B(図
4において、パッシベーション26、26について便宜
的に符号26A、26Bを付与する)に対してコンタク
トピン32aが接触しない範囲で、最大スクラブ長の始
点(一点鎖線で示す状態)から終点(二点鎖線で示す状
態)までパッシベーション26に当接しない程度とされ
る。即ち、パッド18aのパッシベーション26で覆わ
れていない領域の長さL1が例えば45μmとすると、
幅Wは10μm以内であることが好ましい。また、下面
42からの突起部44の突出量Hは、突起部44をパッ
ド18aに当接させた際にコンタクトピン32aの突起
部44以外の部分がパッド18a及びパッシベーション
26と接触しない程度に確保されている。即ち、パッシ
ベーション26のパッド18aからの高さhが例えば5
μmとすると、突出量Hは3μm以上、望ましくは5μ
m以上とされる。この突起部44の突出量Hを3μmよ
りも小さくした場合には、オーバードライブ時にコンタ
クトピン32aの突起部44以外の部分がパッド18a
やパッシベーション26に近づきすぎて、パッド18a
やパッシベーション26と接触してこれを破損させてし
まう恐れがある。また、コンタクトピン32aの先端部
によるパッド18aのスクラブ長を小さくするために、
突起部44はコンタクトピン32aの長手方向の幅Wが
短く設定されているので、突出量Hを100μmよりも
大きくした場合には、突起部44の突出量Hが、突起部
44のコンタクトピン32aの長手方向の幅Wよりも大
きくなってしまう。コンタクトピン32aはパッド18
aに対して傾斜した状態で当接するため、このように突
出量Hが大きすぎる場合には、スクラブ時に受ける応力
によって突起部44が折れ曲がってしまう恐れがある。
このため、突起部44の突出量Hは、3μm以上とさ
れ、また好ましくは100μm以下とされる。
The projection 44 is formed by plating Ni, a Ni-based alloy or other metal on the lower surface 42.
When the width W of the contact pin 32a in the longitudinal direction is reduced by scrubbing the pad 18a of the IC chip 18, the protrusion 44 moves in the direction of the scrubbing pad 18a as shown in FIG.
a within the range in which the contact pins 32a do not contact the passivations 26A, 26B located at both ends (in FIG. 4, the symbols 26A, 26B are given to the passivations 26, 26 for convenience), the start point of the maximum scrub length (dashed-dotted line). ) To an end point (a state indicated by a two-dot chain line) so as not to come into contact with the passivation 26. That is, if the length L1 of the region of the pad 18a not covered with the passivation 26 is, for example, 45 μm,
The width W is preferably within 10 μm. Further, the protrusion amount H of the protrusion 44 from the lower surface 42 is ensured such that the portion other than the protrusion 44 of the contact pin 32a does not contact the pad 18a and the passivation 26 when the protrusion 44 is brought into contact with the pad 18a. Have been. That is, the height h of the passivation 26 from the pad 18a is, for example, 5
μm, the protrusion amount H is 3 μm or more, preferably 5 μm.
m or more. When the protrusion amount H of the protrusion 44 is smaller than 3 μm, the portion of the contact pin 32a other than the protrusion 44 during the overdrive is the pad 18a.
Too close to the passivation 26 and the pad 18a
Or it may be damaged by contact with the passivation 26. In order to reduce the scrub length of the pad 18a due to the tip of the contact pin 32a,
Since the width W of the protrusion 44 in the longitudinal direction of the contact pin 32a is set to be short, when the protrusion H is larger than 100 μm, the protrusion H of the protrusion 44 becomes smaller than the contact pin 32a of the protrusion 44. Becomes larger than the width W in the longitudinal direction. The contact pin 32a is the pad 18
When the protrusion amount H is too large, the protrusion 44 may be bent due to the stress received during the scrub.
For this reason, the protrusion amount H of the projection 44 is set to 3 μm or more, and preferably 100 μm or less.

【0028】尚、このようなコンタクトプローブ31を
製作するには、マスク露光技術を用いてフォトリソ・め
っき法等によって図17に示すコンタクトプローブ31
とほぼ同じ構成の原型を製作する。その後に、露出状態
のパターン配線32のうち、フィルム33から突出状態
とされたコンタクトピン32aにおいて、その先端部の
下面42(フィルム33とは反対側を向く面)を除いて
マスクを施す。この状態でコンタクトピン32aの先端
部のみに、Ni、またはNi基合金等のめっきを施す。
これによって、コンタクトピン32aの先端部におい
て、下面42側に突起部44が形成される。
In order to fabricate such a contact probe 31, a contact lithography / plating method using a mask exposure technique as shown in FIG.
Produce a prototype with almost the same configuration as. Thereafter, a mask is applied to the contact pins 32a of the exposed pattern wirings 32, which are protruded from the film 33, except for the lower surface 42 (the surface facing the side opposite to the film 33) at the tip. In this state, only the tip of the contact pin 32a is plated with Ni or a Ni-based alloy.
As a result, a protrusion 44 is formed on the lower surface 42 at the tip of the contact pin 32a.

【0029】ここで、第一の実施の形態では、コンタク
トピン32aの先端部に突起部44を形成する際に、下
面42の側方にもマスクを施すことで突起部44がコン
タクトピン32aの側方へはみ出さないようにしたが、
これに限られることなく、コンタクトピン32aの先端
部のうち、下面42に加えて側面43も露出させてもよ
く、また、先端部を上面41も含めて全面露出させても
構わない。この場合には、先端部において側面43や上
面41にもNi基合金等のめっきが施されて、先端部全
体に球状に突起部44が形成されるが、先端部の横幅が
パッド18aの横幅内に納まり、かつ隣接するコンタク
トピン32aの突起部44同士が接触しない程度であれ
ば構わない。
Here, in the first embodiment, when the projection 44 is formed at the tip of the contact pin 32a, a mask is also applied to the side of the lower surface 42 so that the projection 44 is I tried not to protrude to the side,
The present invention is not limited to this, and the side surface 43 may be exposed in addition to the lower surface 42 of the tip of the contact pin 32a, or the entire tip including the upper surface 41 may be exposed. In this case, the side surface 43 and the top surface 41 are also plated with a Ni-based alloy or the like at the tip end, and a spherical projection 44 is formed on the entire tip end. It does not matter if it is within such a range that the protrusions 44 of the adjacent contact pins 32a do not contact each other.

【0030】次に、本発明の第一の実施の形態のコンタ
クトプローブ31をIC用プローブとして採用し、メカ
ニカルパーツに組み込んで本発明に係るプローブ装置に
する際の組み込み方法について説明する。尚、第一の実
施の形態のプローブ装置において、上述した従来のプロ
ーブ装置8と同様の構成については、その説明を省略す
る。また、本発明に係るコンタクトプローブは、全体が
柔軟で曲げやすいためプローブ装置に組み込む際にフレ
キシブル基板として機能する。
Next, a method of incorporating the contact probe 31 of the first embodiment of the present invention into a probe device according to the present invention by adopting it as a probe for an IC and incorporating the probe into mechanical parts will be described. In the probe device according to the first embodiment, a description of the same configuration as the above-described conventional probe device 8 will be omitted. Further, the contact probe according to the present invention functions as a flexible substrate when incorporated in a probe device because the contact probe is entirely flexible and easily bent.

【0031】まず、コンタクトプローブ31を、マウン
ティングベース12に載置する。このときコンタクトプ
ローブ31は、フィルム33側をマウンティングベース
12に当接させて設けられる。そして、例えばフィルム
33に設けた位置合わせ孔に、マウンティングベース1
2に設けた位置決めピンを挿入することにより、コンタ
クトプローブ31のコンタクトピン32aとICチップ
18とを位置合わせする。ここで、コンタクトプローブ
31は、ICチップ18のパッド18aが形成される辺
の数に応じた枚数用いられる。
First, the contact probe 31 is placed on the mounting base 12. At this time, the contact probe 31 is provided with the film 33 side abutting on the mounting base 12. Then, for example, the mounting base 1 is inserted into an alignment hole provided in the film 33.
By inserting the positioning pins provided in 2, the contact pins 32 a of the contact probe 31 are aligned with the IC chip 18. Here, the number of the contact probes 31 is used according to the number of sides on which the pads 18a of the IC chip 18 are formed.

【0032】この状態で、従来と同様に、円盤形状をな
し中央窓部10aを有するプリント基板10の上にトッ
プクランプ11を取り付け、コンタクトプローブ31を
その下面12aに取り付けたマウンティングベース12
を、トップクランプ11にボルト等で固定する。そして
ボトムクランプ14でコンタクトプローブ31の基部F
bを押さえつける。これによって、図5のプローブ装置
の要部縦断面図に示すように、各コンタクトプローブ3
1の先端部Faが、そのコンタクトピン32aが突出さ
れる側の一部をマウンティングベース12から突出させ
かつマウンティングベース12の下面12aで下方に向
けた傾斜状態に保持され、各コンタクトプローブ31の
基部Fbにおいてパターン配線32…の引き出し配線部
5…がボトムクランプ14の弾性体15で窓部4を通し
てプリント基板10の下面の電極16に押し付けられて
接触状態に保持されることになる。
In this state, as in the conventional case, the top clamp 11 is mounted on the printed board 10 having a disk shape and having the center window 10a, and the mounting base 12 having the contact probe 31 mounted on the lower surface 12a.
Is fixed to the top clamp 11 with bolts or the like. Then, the base F of the contact probe 31 is
Hold down b. As a result, as shown in the vertical sectional view of the main part of the probe device of FIG.
The front end portion Fa of the contact probe 32 has a part on the side from which the contact pins 32a protrude protrude from the mounting base 12 and is held on the lower surface 12a of the mounting base 12 in a downwardly inclined state. In Fb, the lead-out wiring portions 5 of the pattern wirings 32 are pressed by the elastic body 15 of the bottom clamp 14 through the window portion 4 to the electrodes 16 on the lower surface of the printed circuit board 10 and are kept in contact.

【0033】ここで、本発明のプローブ装置において
は、マウンティングベース12の下面12aは、コンタ
クトプローブ31の基部Fbの位置する側からコンタク
トピン32aの位置する側に向けて漸次下側に傾斜して
設けられており、その傾斜角度θは約10°とされてい
る。そして、各コンタクトプローブ31は、その先端部
Faをマウンティングベース12の下面12aに当接さ
せることによって、基部Fbに対して約10°傾斜さ
れ、各コンタクトプローブ31の先端から突出されるコ
ンタクトピン32aも、基部Fbに対して約10°傾斜
される。即ち、被検査物であるICチップ18のパッド
18aにコンタクトピン32aをコンタクトさせる際、
例えばパッド18aを水平に配置したとして、パッド1
8aに対するコンタクトピン32aの傾斜角度θが約1
0°に設定される。また、本実施の形態では、マウンテ
ィングベース12の下面12aと各コンタクトプローブ
31との間に、各コンタクトプローブ31の先端部Fa
と同様に一部をマウンティングベース12から突出させ
て、例えば厚さ0.1mm程度の弾性体からなる薄板4
5が介装される。これは、フィルム33とパターン配線
32からなるコンタクトプローブ31だけでは柔らかす
ぎて、オーバードライブをかけた際にマウンティングベ
ース12から突出される部分がすぐに曲がってしまうこ
とがあるので、この部分を薄板45によって上面側から
支持することでバネ性をもたせ、コンタクトピン32a
の針圧を確保している。この薄板45としては例えば金
属板等が用いられる。なお、薄板45は、必ずしも装着
しなくてもよい。
Here, in the probe device of the present invention, the lower surface 12a of the mounting base 12 is gradually inclined downward from the side where the base Fb of the contact probe 31 is located toward the side where the contact pins 32a are located. The inclination angle θ is set to about 10 °. Each of the contact probes 31 is tilted by about 10 ° with respect to the base Fb by bringing its tip Fa into contact with the lower surface 12a of the mounting base 12, and the contact pins 32a protruding from the tip of each contact probe 31 are formed. Are also inclined by about 10 ° with respect to the base Fb. That is, when the contact pins 32a are brought into contact with the pads 18a of the IC chip 18, which is the inspection object,
For example, assuming that the pad 18a is arranged horizontally, the pad 1
8a is about 1
It is set to 0 °. Further, in the present embodiment, the front end Fa of each contact probe 31 is provided between the lower surface 12 a of the mounting base 12 and each contact probe 31.
A part of the thin plate 4 made of an elastic body having a thickness of about 0.1 mm is projected from the mounting base 12 in the same manner as
5 are interposed. This is because only the contact probe 31 composed of the film 33 and the pattern wiring 32 is too soft, and the portion protruding from the mounting base 12 may be bent immediately when overdrive is applied. 45 from the upper surface side to provide a spring property,
Needle pressure is secured. As the thin plate 45, for example, a metal plate or the like is used. Note that the thin plate 45 does not necessarily have to be attached.

【0034】本実施の形態によるコンタクトプローブ3
1及びコンタクトプローブ31を組み込んだプローブ装
置は、上述のように構成されており、次にその作用を説
明する。図4に示すように、コンタクトピン32aは、
ICチップ18のパッド18aに対する傾斜角度θが約
10°に設定されている。そして、コンタクトピン32
aの先端部の下面42には、前述したように突起部44
が形成されている。このとき、各コンタクトピン32a
は、突起部44がパッシベーション26A、26B間に
位置し、かつパッシベーション26Aに近接して非接触
の一点鎖線で示す状態にある(この位置を始点とす
る)。この状態から、オーバードライブをかけてコンタ
クトピン32aに対してパッド18aを相対移動させ
て、突起部44をパッド18a表面に押圧接触させつつ
スクラブをかければ、突起部44によってパッド18a
の表面(例えばアルミ酸化膜)を剥離させることができ
る。そして、コンタクトピン32aの突起部44が他方
のパッシベーション26Bに接触する直前の二点鎖線で
示す位置(終点となる)までスクラブさせる。
Contact probe 3 according to the present embodiment
The probe device incorporating the contact probe 1 and the contact probe 31 is configured as described above, and its operation will be described below. As shown in FIG. 4, the contact pin 32a
The inclination angle θ of the IC chip 18 with respect to the pad 18a is set to about 10 °. Then, the contact pin 32
As described above, the projection 44
Are formed. At this time, each contact pin 32a
Is in a state in which the protrusion 44 is located between the passivations 26A and 26B and is close to the passivation 26A and is indicated by a non-contact dashed line (this position is a starting point). From this state, if the pad 18a is relatively moved with respect to the contact pin 32a by applying overdrive and the protrusion 44 is pressed against the surface of the pad 18a and scrubbed, the pad 18a is moved by the protrusion 44.
(For example, an aluminum oxide film) can be peeled off. Then, the contact portion 32 is scrubbed to a position (an end point) indicated by a two-dot chain line immediately before the protrusion 44 of the contact pin 32a contacts the other passivation 26B.

【0035】上記スクラブの際に、コンタクトピン32
aは、先端部下面42に設けた突起部44によってIC
チップ18のパッド18aに当接し、パッド18aの表
面をスクラブする。このときコンタクトピン32aは、
突起部44が設けられていることによって先端部以外の
部分がパッド18aの表面から離間することになる。こ
れにより、コンタクトピン32aとパッシベーション2
6Aとの干渉が避けられて、パッシベーション26に損
傷を与えないようになっている。
At the time of the above scrub, the contact pins 32
a is an IC formed by a projection 44 provided on the lower surface 42 of the tip end.
The surface of the pad 18a is scrubbed by contacting the pad 18a of the chip 18. At this time, the contact pin 32a
The provision of the projections 44 causes portions other than the tip portion to be separated from the surface of the pad 18a. Thereby, the contact pin 32a and the passivation 2
6A is avoided, and the passivation 26 is not damaged.

【0036】このプローブ装置を用いてオーバードライ
ブをかけた場合のコンタクトピン32aのスクラブ動作
を、図6に模式的に示す。ここで、図6(a)は、実施
の形態によるコンタクトピンをICチップのパッドにコ
ンタクトさせた状態を示す側面図であり、図6(b)
は、(a)の状態からオーバードライブをかけた状態を
示す側面図である。ここで、図6に示すように、コンタ
クトピン32aのマウンティングベース12からの突出
量をL、初期状態におけるコンタクトピン32aのパッ
ド18aに対する傾斜角度をθとする。また、オーバー
ドライブ量ODは、パッド18aとコンタクトピン32
aが接触し始めた状態(図6(a)の状態)からパッド
18aがコンタクトピン32aを相対的に押圧した状態
で移動した量とする。また、図6から求めたコンタクト
ピン32aの傾斜角度毎のオーバードライブ量ODとコ
ンタクトピン32aのスクラブ長Sとの関係を、図7の
表及び図8のグラフに表す。ここで、図7に示す表の値
は、コンタクトピン32aのたわみやコンタクトピン3
2aとパッド18aとの摩擦を考慮しない場合の数値で
あって、ここで示すスクラブ長Sの値は、各オーバード
ライブ量ODに対する最大のスクラブ長を示している。
FIG. 6 schematically shows the scrubbing operation of the contact pin 32a when overdriving is performed using this probe device. Here, FIG. 6A is a side view showing a state where the contact pins according to the embodiment are brought into contact with the pads of the IC chip, and FIG.
FIG. 4 is a side view showing a state in which overdrive is applied from the state of FIG. Here, as shown in FIG. 6, the projection amount of the contact pin 32a from the mounting base 12 is L, and the inclination angle of the contact pin 32a with respect to the pad 18a in the initial state is θ. The overdrive amount OD is determined by the amount of the pad 18a and the contact pin 32
The amount that the pad 18a moves while the pad 18a relatively presses the contact pin 32a from the state where the contact a has started to contact (the state of FIG. 6A). The relationship between the overdrive amount OD for each inclination angle of the contact pin 32a and the scrub length S of the contact pin 32a obtained from FIG. 6 is shown in the table of FIG. 7 and the graph of FIG. Here, the values in the table shown in FIG.
This is a numerical value when friction between the pad 2a and the pad 18a is not considered, and the value of the scrub length S shown here indicates the maximum scrub length for each overdrive amount OD.

【0037】図7の表及び図8のグラフに示すように、
従来のコンタクトピン32aの傾斜角度(θ=20°)
の場合に対して、第一の実施の形態におけるコンタクト
ピン32aの傾斜角度(θ=10°)の場合のスクラブ
長はほぼ半分以下となる。これによって、従来に比べ、
パッド18aの大きさが半分程度になっても、スクラブ
を良好に行うことができる。また、コンタクトピン32
aの傾斜角度θが5°である場合についても示した。こ
の場合には、スクラブ長はθ=10°の場合の約半分、
即ちθ=20°の場合の約4分の1となる。ただしコン
タクトピン32aの傾斜角度を3°よりも小さくする
と、前記したようにスクラブ時に突起部44がパッド1
8a上を滑る形となってスクラブが良好に行われなくな
る恐れがあり、またコンタクトピンの先端以外の他の部
分が被検査物に干渉してしまう恐れが生じる。そして、
コンタクトピン32aの傾斜角度が10°よりも大きく
なると、コンタクトピン32aのスクラブ長が長くなっ
て、スクラブ方向の長さの短いパッド18aに対応する
ことができなくなってしまう。このため、コンタクトピ
ン32aの傾斜角度は、3°以上10°以下とされる。
また、コンタクトピン32aの適切な傾斜角度θは、パ
ッド18aの材質、またコンタクトピン32の突起部4
4の形状等の条件によっても変わるので、各条件に応じ
て適切な範囲に設定されることが望ましい。
As shown in the table of FIG. 7 and the graph of FIG.
Conventional contact pin 32a inclination angle (θ = 20 °)
In the case of (1), the scrub length in the case of the inclination angle (θ = 10 °) of the contact pin 32a in the first embodiment is almost half or less. As a result,
Even if the size of the pad 18a is reduced to about half, the scrub can be performed well. Also, the contact pins 32
The case where the inclination angle θ of a is 5 ° is also shown. In this case, the scrub length is about half that of θ = 10 °,
That is, it is about one-fourth of θ = 20 °. However, if the inclination angle of the contact pin 32a is smaller than 3 °, the protrusion 44
There is a possibility that the scrubbing may not be performed properly due to the shape slipping on the surface 8a, and there is a possibility that other parts than the tip of the contact pin may interfere with the inspection object. And
If the inclination angle of the contact pin 32a is larger than 10 °, the scrub length of the contact pin 32a becomes longer, and it becomes impossible to cope with the pad 18a having a shorter length in the scrub direction. For this reason, the inclination angle of the contact pin 32a is set to 3 ° or more and 10 ° or less.
The appropriate inclination angle θ of the contact pin 32a depends on the material of the pad 18a and the protrusion 4 of the contact pin 32.
Since it also changes depending on conditions such as the shape of No. 4, it is desirable to set an appropriate range according to each condition.

【0038】このように、第一の実施の形態のコンタク
トプローブ31及びプローブ装置によれば、コンタクト
ピン32aの先端部に突起部44を設けたことにより、
突起部44によってICチップ18のパッド18aのス
クラブが良好に行われるので、コンタクトピン32aの
傾斜角度を小さくすることができる。これによって、オ
ーバードライブ時のコンタクトピン32aのスクラブ長
Sを短くして、スクラブ方向の長さの短いパッド18a
に対応することができる。また、突起部44が設けられ
ることによってコンタクトピン32aの先端部以外の部
分がパッド18aから離間されるので、コンタクトピン
32aの傾斜角度を小さくしても、パッド18aに設け
られるパッシベーション26とコンタクトピン32aと
の干渉を避けることができる。
As described above, according to the contact probe 31 and the probe device of the first embodiment, the projection 44 is provided at the tip of the contact pin 32a.
Since the protrusions 44 scrub the pads 18a of the IC chip 18 satisfactorily, the inclination angle of the contact pins 32a can be reduced. Thereby, the scrub length S of the contact pin 32a at the time of overdrive is shortened, and the pad 18a having a short length in the scrub direction is reduced.
Can be handled. Further, since the projection 44 provides a portion other than the tip of the contact pin 32a apart from the pad 18a, even if the inclination angle of the contact pin 32a is reduced, the passivation 26 provided on the pad 18a and the contact pin 32a can be avoided.

【0039】〔第二の実施の形態〕次に、図9から図1
1を参照して、本発明の第二の実施の形態について説明
するが、本発明の第一の実施の形態と同一または同様の
部分には同一の符号を用いて説明する。図9は、第二の
実施の形態によるコンタクトプローブを示す断面図、図
10及び図11は、第二の実施の形態によるコンタクト
プローブの製造工程を示す図である。本実施の形態に示
すコンタクトプローブ46は、第一の実施の形態に示す
コンタクトプローブ31において、複数のパターン配線
32に、コンタクトピン32aをなす先端部よりもさら
に先端側まで突出させてフィルム33を被着したもので
ある。次に、図10、図11を参照してコンタクトプロ
ーブ46の作成工程について工程順に説明する。
[Second Embodiment] Next, FIGS.
The second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1, but the same or similar parts as those of the first embodiment of the present invention will be described using the same reference numerals. FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a contact probe according to the second embodiment, and FIGS. 10 and 11 are diagrams illustrating manufacturing steps of the contact probe according to the second embodiment. The contact probe 46 shown in the present embodiment is different from the contact probe 31 shown in the first embodiment in that the film 33 is formed by projecting the plurality of pattern wirings 32 further to the tip side than the tip part forming the contact pin 32a. It was attached. Next, with reference to FIGS. 10 and 11, the steps of forming the contact probe 46 will be described in the order of steps.

【0040】〔ベースメタル層形成工程(第一の金属層
形成工程)〕まず、図10(a)に示すように、ステン
レス製の支持金属板56の上に、Cu(銅)めっきによ
りベースメタル層(第一の金属層)57を形成する。
[Base Metal Layer Forming Step (First Metal Layer Forming Step)] First, as shown in FIG. 10A, a base metal is formed on a stainless steel supporting metal plate 56 by Cu (copper) plating. A layer (first metal layer) 57 is formed.

【0041】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
57の上にフォトレジスト層58を形成した後、図10
(b)に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層58に所定のパターンのフォトマスク59を施し
て露光し、図10(c)に示すように、フォトレジスト
層58を現像して前記パターン配線32となる部分を除
去して残存するフォトレジスト層(マスク)58に開口
部58aを形成する。
[Pattern Forming Step] After forming a photoresist layer 58 on this base metal layer 57, FIG.
As shown in FIG. 10B, a photomask 59 having a predetermined pattern is applied to the photoresist layer 58 by photolithography and exposed, and as shown in FIG. 10C, the photoresist layer 58 is developed and An opening 58a is formed in the remaining photoresist layer (mask) 58 after removing the portion to be the pattern wiring 32.

【0042】尚、本実施の形態では、フォトレジスト層
58をネガ型フォトレジストによって形成しているが、
ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部58aを
形成しても構わない。ここで、フォトレジスト層58を
ネガ型フォトレジストによって形成した場合、露光時に
光が当たったところが残存するので、残存するフォトレ
ジスト層58は、光が当たりやすい上面側よりも、光が
当たりにくい底面側の幅が狭くなる傾向にあり、開口部
58aは、上面側よりも底面側の幅が広くなりやすい。
一方、フォトレジスト層58をポジ型フォトレジストに
よって形成した場合、露光時に光が当たらなかったとこ
ろが残存するので、残存するフォトレジスト層58は、
光が当たりやすい上面側よりも、光が当たりにくい底面
側の幅が広くなる傾向にあり、開口部58aは、上面側
よりも底面側の幅が狭くなりやすい。すなわち、開口部
58aに形成されるパターン配線においてICチップ1
8のパッド18aに向く側の幅が狭くなりやすい。ま
た、本実施形態においては、前記フォトレジスト層58
が、本願請求項にいう「マスク」に相当する。但し、本
願請求項の「マスク」とは、本実施の形態のフォトレジ
スト層58のように、フォトマスク59を用いた露光・
現像工程を経て開口部58aが形成されるものに限定さ
れるわけではない。例えば、めっき処理される箇所に予
め開口部58aが形成された(すなわち、予め、図10
(c)の符号58で示す状態に形成されている)フィル
ム等でもよい。本願発明において、このようなフィルム
等を「マスク」として用いる場合には、本実施形態にお
けるパターン形成工程は不要である。
In this embodiment, the photoresist layer 58 is formed of a negative photoresist.
A desired opening 58a may be formed using a positive photoresist. Here, in the case where the photoresist layer 58 is formed of a negative type photoresist, a portion exposed to light at the time of exposure remains, so that the remaining photoresist layer 58 has a bottom surface which is hardly exposed to light than an upper surface side which is easily exposed to light. The width of the opening 58a tends to be narrower, and the width of the opening 58a is more likely to be wider on the bottom surface than on the upper surface.
On the other hand, in the case where the photoresist layer 58 is formed of a positive type photoresist, a portion not exposed to light at the time of exposure remains.
There is a tendency that the width of the bottom surface, on which light does not easily hit, is larger than that of the top surface, on which light easily hits. That is, in the pattern wiring formed in the opening 58a, the IC chip 1
8 tends to be narrower on the side facing the pad 18a. In the present embodiment, the photoresist layer 58
Corresponds to the “mask” in the claims of the present application. However, the term “mask” in the claims of the present application refers to an exposure / photomask using a photomask 59 like the photoresist layer 58 of the present embodiment.
The invention is not limited to the one in which the opening 58a is formed through the development process. For example, an opening 58a is formed in advance in a portion to be plated (that is, FIG.
A film or the like (formed in a state indicated by reference numeral 58 in (c)) may be used. In the present invention, when such a film or the like is used as a “mask”, the pattern forming step in the present embodiment is unnecessary.

【0043】〔第一のめっき処理工程〕そして、図10
(d)に示すように、前記開口部58aに前記パターン
配線32となるNi基合金層(第二の金属層)Nを電解
めっき処理により形成する。ここで、第二の金属層は、
Ni基合金に限らず、Niによって構成してもよい。上
記めっき処理の後、図10(e)に示すように、フォト
レジスト層58を除去する。
[First Plating Process] And FIG.
As shown in (d), a Ni-based alloy layer (second metal layer) N to be the pattern wiring 32 is formed in the opening 58a by electrolytic plating. Here, the second metal layer is
It is not limited to the Ni-based alloy, and may be made of Ni. After the plating, the photoresist layer 58 is removed as shown in FIG.

【0044】〔フィルム被着工程〕次に、図10(f)
に示すように、前記Ni基合金層Nの上に、図に示した
コンタクトピン32a(すなわち前記パターン配線32
の先端部)となる部分よりもさらに先端側まで突出させ
て、前記フィルム33を接着剤60により接着する。
[Film Adhering Step] Next, FIG.
As shown in FIG. 3, on the Ni-based alloy layer N, the contact pins 32a shown in FIG.
The film 33 is adhered with an adhesive 60 so as to protrude further to the distal end side than the portion which becomes the distal end portion of the film 33.

【0045】〔分離工程〕そして、図10(g)に示す
ように、フィルム33とパターン配線32とベースメタ
ル層57とからなる部分を、支持金属板56から分離さ
せた後、Cuエッチを経て、フィルム33にパターン配
線32のみを接着させた状態とする。
[Separation Step] Then, as shown in FIG. 10 (g), after the portion consisting of the film 33, the pattern wiring 32 and the base metal layer 57 is separated from the supporting metal plate 56, the portion is cut through Cu etching. Then, only the pattern wiring 32 is adhered to the film 33.

【0046】〔第二のめっき処理工程〕そして、パター
ン形成工程におけるフォトレジスト層58の形成作業と
同様の作業によって、図11(a)の平面図に示すよう
に、フィルム33においてパターン配線32と被着され
る側に、パターン配線32の先端部の先端側に隣接する
部分を除いてマスク61を施して、図11(b)の断面
図に示すように、マスク61が施されていない部分に、
コンタクトピン32aよりも肉厚の厚い第三の金属層M
をめっき処理により形成し、コンタクトピン32aの実
際の先端部と、突起部44とを形成する。第三の金属層
Mは、パターン配線32と同様、Ni、Ni基合金等に
よって構成される。ここで、マスク61を、コンタクト
ピン32a上にさらに50μmを越える厚みで形成する
ことは困難であるので、第三の金属層Mにおいて、コン
タクトピン32a上に位置する部分の厚み(すなわち突
起部44の突出量H)は、50μm以下とすることが好
ましい。また、パターン形成工程において、フォトレジ
スト層58をポジ型フォトレジストによって形成するこ
とによって、開口部58aに形成されるパターン配線に
おいてICチップ18のパッド18aに向く側の幅を狭
くした場合、第三の金属層MもICチップ18のパッド
18aに向く側の幅、すなわち突部44の幅を狭くする
ことができ、パッド18aへのコンタクト時に突部44
がパッド18aからはみ出しにくくなる。
[Second Plating Process] Then, as shown in the plan view of FIG. 11A, the pattern wiring 32 is formed on the film 33 by the same operation as the formation of the photoresist layer 58 in the pattern forming process. A mask 61 is applied to the side to be attached except for a portion adjacent to the tip end of the pattern wiring 32, and as shown in the cross-sectional view of FIG. To
Third metal layer M thicker than contact pin 32a
Is formed by plating to form the actual tip of the contact pin 32a and the projection 44. The third metal layer M is made of Ni, a Ni-based alloy, or the like, like the pattern wiring 32. Here, since it is difficult to form the mask 61 on the contact pins 32a with a thickness exceeding 50 μm, the thickness of the portion of the third metal layer M located on the contact pins 32a (ie, the protrusions 44). Is preferably 50 μm or less. In the pattern forming step, when the photoresist layer 58 is formed of a positive photoresist to reduce the width of the pattern wiring formed in the opening 58a on the side facing the pad 18a of the IC chip 18, the third Of the metal layer M of the IC chip 18 on the side facing the pad 18a, that is, the width of the protrusion 44, can be reduced.
Is hard to protrude from the pad 18a.

【0047】〔マスク除去工程〕そして、マスク61を
取り除いて、第三の金属層からなる突起部44を露出さ
せ、コンタクトプローブ46を完成させる。
[Mask Removal Step] Then, the mask 61 is removed to expose the projection 44 made of the third metal layer, and the contact probe 46 is completed.

【0048】このように構成されるコンタクトプローブ
46では、コンタクトピン32aの先端部までフィルム
33が被着されているので、プローブ装置8に組み込ん
でオーバードライブをかけてコンタクトピン32aに応
力が加わると、コンタクトピン32aは、フィルム33
によって支持されつつ、図9で二点鎖線で示すように、
フィルム33とともに全体的にたわむこととなる。この
ため、例えばパッド18a上に異物が付着していたり、
パッド18aが異形状をなしていて、オーバードライブ
時にこのパッド18aに接触したコンタクトピン32a
に過剰な応力が加わった場合にも、コンタクトピン32
aに加わった応力が分散されて、局所的に作用すること
がないので、コンタクトピン32aに塑性変形が生じに
くく、次回のテストの際にもコンタクトピン32aの接
触不良を生じにくくすることができる。
In the contact probe 46 configured as described above, since the film 33 is applied to the tip of the contact pin 32a, when the contact pin 32a is incorporated in the probe device 8 and overdriven to apply stress to the contact pin 32a. , The contact pins 32 a
As shown by the two-dot chain line in FIG.
It will bend as a whole with the film 33. For this reason, for example, foreign matter adheres to the pad 18a,
The pad 18a has an irregular shape, and the contact pin 32a which has contacted the pad 18a during overdrive.
When excessive stress is applied to the contact pins 32,
Since the stress applied to a is not dispersed and acts locally, the plastic deformation of the contact pin 32a is hardly generated, and the contact failure of the contact pin 32a is hardly generated in the next test. .

【0049】また、このコンタクトプローブの製造方法
によれば、パターン配線32に、コンタクトピン32a
の先端部よりもさらに先端側まで突出させてフィルム3
3が被着されるので、フィルム33においてパターン配
線32と被着される側に、先端部に隣接する部分を除い
てマスク61を施すことで、突起部44を形成する部分
以外の他の部分を容易にマスク61で覆うことができ、
製造工程を簡略化して、コンタクトプローブ46を容易
に製造することができる。
According to the method of manufacturing the contact probe, the contact pins 32a
Of the film 3
3 is applied, the mask 61 is applied to the side of the film 33 on which the pattern wiring 32 is applied, except for the portion adjacent to the front end portion, so that other portions other than the portion where the projection 44 is formed are provided. Can be easily covered with the mask 61,
The manufacturing process can be simplified, and the contact probe 46 can be easily manufactured.

【0050】〔第三の実施の形態〕次に、図12、図1
3を参照して、本発明の第三の実施の形態について説明
するが、本発明の第二の実施の形態と同一または同様の
部分には同一の符号を用いて説明する。図12及び図1
3は、第三の実施の形態によるコンタクトプローブの製
造工程を示す図である。本実施の形態にかかるコンタク
トプローブの製造方法は、第二の実施の形態に示すコン
タクトプローブ46とほぼ同様の構成からなるコンタク
トプローブ47を製造するためのものであって、第二の
実施の形態に示すコンタクトプローブの製造方法とは、
フィルム被着工程とそれ以降の各工程が異なっている。
次に、図12、図13を参照してコンタクトプローブ4
7の作成工程について、フィルム被着工程とそれ以降の
各工程を、工程順に説明する。
[Third Embodiment] Next, FIGS.
The third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3, but the same or similar parts as those of the second embodiment of the present invention will be described using the same reference numerals. FIG. 12 and FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing process of the contact probe according to the third embodiment. The method for manufacturing a contact probe according to the present embodiment is for manufacturing a contact probe 47 having substantially the same configuration as the contact probe 46 shown in the second embodiment. The manufacturing method of the contact probe shown in
The film deposition step and the subsequent steps are different.
Next, referring to FIG. 12 and FIG.
Regarding the forming step of No. 7, the film applying step and the subsequent steps will be described in the order of the steps.

【0051】〔フィルム被着工程〕本作成工程の前段の
作成工程(図10(d)に示す第一のめっき処理工程と
図10(e)に示すフォトレジスト層58の除去作業)
を終えた後、前記Ni基合金層Nの上であって、図に示
したコンタクトピン32a(すなわち前記パターン配線
32の先端部)となる部分よりもさらに先端側まで突出
させて、前記フィルム33を接着剤60により接着す
る。このとき、図12(a)に示すように、接着剤60
がフィルム33とパターン配線32間からはみ出るよう
に接着剤60の量を調整し、この接着剤60によってパ
ターン配線32間を充填する。
[Film Adhering Step] A forming step prior to the present forming step (first plating step shown in FIG. 10D and work of removing the photoresist layer 58 shown in FIG. 10E).
After that, the film 33 is projected on the Ni-based alloy layer N further to the tip side than the contact pin 32a (that is, the tip of the pattern wiring 32) shown in FIG. Are bonded by an adhesive 60. At this time, as shown in FIG.
The amount of the adhesive 60 is adjusted so as to protrude from between the film 33 and the pattern wiring 32, and the space between the pattern wirings 32 is filled with the adhesive 60.

【0052】〔分離工程〕そして、図12(b)に示す
ように、フィルム33とパターン配線32とベースメタ
ル層57とからなる部分を、支持金属板56から分離さ
せた後、Cuエッチを経て、フィルム33にパターン配
線32のみを接着させた状態とする。
[Separation Step] Then, as shown in FIG. 12 (b), after the portion consisting of the film 33, the pattern wiring 32 and the base metal layer 57 is separated from the supporting metal plate 56, the portion is separated by Cu etching. Then, only the pattern wiring 32 is adhered to the film 33.

【0053】〔第二のめっき処理工程〕そして、図12
(c)及び図13の平面図に示すように、フィルム33
においてパターン配線32と被着される側に、コンタク
トピン32aの先端部を除いてマスク61を施して、マ
スク61が施されていない部分に、Ni、Ni基合金等
の第三の金属層Mをめっき処理により形成する。ここ
で、パターン配線32間を充填している接着剤60もマ
スクの役割を果たすので、第三の金属層Mは、コンタク
トピン32aの先端部において露出された部分の周囲に
マッシュルーム状に成長する。
[Second Plating Process] And FIG.
As shown in FIG. 13C and the plan view of FIG.
A mask 61 is applied to the side of the substrate which is to be adhered to the pattern wiring 32 except for the tip of the contact pin 32a, and a third metal layer M such as Ni or a Ni-based alloy is applied to a portion where the mask 61 is not applied. Is formed by plating. Here, since the adhesive 60 filling the space between the pattern wirings 32 also serves as a mask, the third metal layer M grows in a mushroom shape around a portion exposed at the tip of the contact pin 32a. .

【0054】〔突起部成形工程〕そして、図12(d)
に示すように、マスク61を取り除いて、第三の金属層
Mのうち、隣接するパターン配線32間に張り出した部
分等の不要部分を、レーザー加工等によって切除するな
どして成形して突起部44を形成し、コンタクトプロー
ブ47を完成させる。ここで、第三の金属層Mのうち、
パターン配線32上からはみ出した部分の肉厚は薄いた
め、容易に除去することができる。なお、第三の金属層
Mの最大厚みが50μmよりも大きいと、第三の金属層
Mの不要部分の肉厚が厚くなって除去しにくくなるた
め、第三の金属層Mの最大厚み(すなわち突起部44の
突出量H)は、50μm以下とすることが好ましい。
[Protrusion Forming Step] Then, FIG.
As shown in FIG. 6, the mask 61 is removed, and unnecessary portions of the third metal layer M, such as portions that protrude between the adjacent pattern wirings 32, are cut out by laser processing or the like and formed to form protrusions. 44 is formed, and the contact probe 47 is completed. Here, of the third metal layer M,
Since the portion protruding from above the pattern wiring 32 is thin, it can be easily removed. If the maximum thickness of the third metal layer M is larger than 50 μm, the thickness of the unnecessary portion of the third metal layer M becomes too large to be easily removed, so that the maximum thickness of the third metal layer M ( That is, the protrusion amount H) of the protrusion 44 is preferably set to 50 μm or less.

【0055】このように構成されるコンタクトプローブ
の製造方法によれば、コンタクトピン32aの先端部ま
でフィルム33が被着され、コンタクトピン32a間が
接着剤60によって充填されるので、フィルム33にお
いてパターン配線32と被着される側に、先端部を除い
てマスク61を施すことで、突起部44を形成する部分
以外の他の部分を容易にマスク61及び接着剤60によ
って覆うことができる。これによって、マスク形状を単
純な形状にすることができ、製造工程をさらに簡略化し
て、コンタクトプローブ47を容易に製造することがで
きる。
According to the method of manufacturing the contact probe thus configured, the film 33 is applied to the tip of the contact pin 32a and the space between the contact pins 32a is filled with the adhesive 60. By applying the mask 61 to the side to be adhered to the wiring 32 except for the tip, the other portions other than the portion where the protrusion 44 is formed can be easily covered with the mask 61 and the adhesive 60. Thus, the mask shape can be made simple, the manufacturing process can be further simplified, and the contact probe 47 can be easily manufactured.

【0056】〔第四の実施の形態〕次に、図14から図
16を参照して、本発明の第四の実施の形態について説
明するが、本発明の第一の実施の形態と同一または同様
の部分には同一の符号を用いて説明する。図14は、第
二の実施の形態によるコンタクトプローブの全体を示す
平面図、図15は、このコンタクトプローブをプローブ
装置に装着した状態と平面上に展開した状態を模式的に
示す側面図、図16は本発明に係るプローブ装置に装着
した第四の実施の形態のコンタクトプローブにおいて、
隣り合う二枚のコンタクトプローブ部(後述)のコンタ
クトピンの先端同士、及びこれらコンタクトピンとIC
チップのパッドとの位置関係を示す要部平面図である。
ここで、第四の実施の形態では、ICチップは略正方形
状とされ、その各辺に沿ってパッドが設けられているも
のとする。
[Fourth Embodiment] Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 to 16, but the same or the same as the first embodiment of the present invention will be described. Similar parts will be described using the same reference numerals. FIG. 14 is a plan view showing the entire contact probe according to the second embodiment, and FIG. 15 is a side view schematically showing a state where the contact probe is mounted on a probe device and a state where the contact probe is developed on a plane. 16 is a contact probe of the fourth embodiment mounted on the probe device according to the present invention,
The tips of the contact pins of two adjacent contact probe portions (described later), and these contact pins and the IC
FIG. 3 is a plan view of a main part showing a positional relationship with a chip pad.
Here, in the fourth embodiment, the IC chip has a substantially square shape, and pads are provided along each side thereof.

【0057】コンタクトプローブ51は、第一の実施の
形態で示したコンタクトプローブ31を四枚連結してな
るもので、各コンタクトプローブ31を、第一のコンタ
クトプローブ部31a、第二のコンタクトプローブ部3
1b、第三のコンタクトプローブ部31c、第四のコン
タクトプローブ部31dとする。また、第一のコンタク
トプローブ部31aにおいてパターン配線32に被着さ
れるフィルムを第一のフィルム33aとし、同様に第
二、第三、第四のコンタクトプローブ部31b、31
c、31dのフィルムを第二、第三、第四のフィルム3
3b、33c、33dとする。そして、隣り合う各コン
タクトプローブ部は互いに略直交する方向に配置される
とともに、各フィルム33a、33b、33c、33d
で相互に連結されている。
The contact probe 51 is formed by connecting four contact probes 31 shown in the first embodiment. Each contact probe 31 is connected to a first contact probe section 31a and a second contact probe section. 3
1b, a third contact probe section 31c, and a fourth contact probe section 31d. Further, a film to be attached to the pattern wiring 32 in the first contact probe portion 31a is a first film 33a, and similarly, the second, third, and fourth contact probe portions 31b, 31
c, 31d films into second, third and fourth films 3
3b, 33c, and 33d. The adjacent contact probe portions are arranged in directions substantially orthogonal to each other, and each of the films 33a, 33b, 33c, 33d
Are interconnected.

【0058】これら第一〜第四のフィルム33a〜33
dは、それぞれコンタクトピン32aをICチップ18
の四辺の各パッド列に向け、ICチップ18を囲むよう
に配置された状態で、コンタクトピン32aが突出され
る辺以外の部分、本実施の形態では各フィルムの基部F
bで連結されて、一枚のフィルムとされている。これに
よって、第一〜第四のコンタクトプローブ部31a〜3
1dは、それぞれコンタクトピン32aがICチップ1
8の各辺に設けられるパッド18aと位置合わせされた
状態で連結される。また、各コンタクトプローブ部を一
括して取り扱うことができ、従来はICチップ18のパ
ッド18aに対応して複数のコンタクトプローブを個別
に作成した上でそれぞれコンタクトピンとパッド18a
との位置決めを行っていたのに対し、位置決め工程にお
ける手間を削減するとともに、コンタクトピン32aの
ピッチや高さを容易かつ高精度に位置決めすることがで
きる。
These first to fourth films 33a to 33
d indicates that the contact pins 32a are connected to the IC chip 18 respectively.
In the state arranged so as to surround the IC chip 18 toward the four pad rows on the four sides, the portion other than the side from which the contact pins 32a protrude, in the present embodiment, the base F of each film
b to form a single film. Thereby, the first to fourth contact probe sections 31a to 31a-3
1d indicates that the contact pin 32a is the IC chip 1
8 are connected in a state where they are aligned with the pads 18a provided on the respective sides. Further, each contact probe section can be handled collectively. Conventionally, a plurality of contact probes are individually prepared corresponding to the pads 18a of the IC chip 18, and then the contact pins and the pads 18a are respectively formed.
In contrast to the above-described positioning, it is possible to reduce the trouble in the positioning step and to easily and accurately position the pitch and the height of the contact pins 32a.

【0059】これら第一〜第四のコンタクトプローブ部
31a〜31dにおいて、各フィルム33a〜33d
は、先端部Fa同士は連結されずに独立しており、それ
ぞれ基部Fbに対して先端部Faを屈曲させることがで
きるようになっている。そして、各フィルム33a〜3
3dから突出されるコンタクトピン32aの先端部下面
42には、それぞれ突起部44が形成されている。これ
によって、第一の実施の形態のコンタクトプローブ31
と同様、コンタクトプローブ51の各コンタクトプロー
ブ部31a〜31dは、従来のコンタクトプローブに比
べて、各フィルム33a〜33dの先端部Fa及びコン
タクトピン32aの、ICチップ18のパッド18aに
対する傾斜角度を小さくすることができる。
In the first to fourth contact probe portions 31a to 31d, each of the films 33a to 33d
The tip portions Fa are independent of each other without being connected to each other, so that the tip portion Fa can be bent with respect to the base portion Fb. And each of the films 33a-3
Protrusions 44 are respectively formed on the lower surface 42 of the contact pin 32a protruding from 3d. Thereby, the contact probe 31 of the first embodiment
Similarly, the contact probe portions 31a to 31d of the contact probe 51 have a smaller inclination angle of the tip Fa of each of the films 33a to 33d and the contact pins 32a with respect to the pad 18a of the IC chip 18 as compared with the conventional contact probe. can do.

【0060】このコンタクトプローブ51は、各コンタ
クトプローブ部31a〜31dを、図5に示すコンタク
トプローブ31と同様にしてマウンティングベース12
の下面12aに取り付けられて、マウンティングベース
12ごと本発明に係るプローブ装置に装着される。ここ
で、本発明に係るプローブ装置においては、マウンティ
ングベース12の下面12aは、各コンタクトプローブ
部の基部Fbの位置する側からコンタクトピン32aの
位置する側に向けて漸次下側に傾斜して設けられ、その
傾斜角度θは約10°とされている。これによってコン
タクトプローブ51の各コンタクトプローブ部31a〜
31dは、それぞれフィルム33a〜33dの先端部F
aをマウンティングベース12の下面12aに当接され
ることによって基部Fbに対して約10°傾斜され、各
フィルム33a〜33dの先端から突出されるコンタク
トピン32aも、基部Fbに対して約10°傾斜され
る。また、各コンタクトプローブ部31a〜31dは、
図5、6に示すコンタクトプローブ31と同様に、先端
部Faのコンタクトピン32aが突出される側の一部を
マウンティングベース12から突出されている。ここ
で、マウンティングベース12の下面12aと各コンタ
クトプローブ部との間には、第一の実施の形態と同様
に、各コンタクトプローブ部の先端部Faと同様に一部
をマウンティングベース12から突出させて、弾性体か
らなる薄板45を介装することができる。
In the contact probe 51, each of the contact probe portions 31a to 31d is formed in the same manner as the contact probe 31 shown in FIG.
And the mounting base 12 is attached to the probe device according to the present invention. Here, in the probe device according to the present invention, the lower surface 12a of the mounting base 12 is provided so as to be gradually inclined downward from the side where the base Fb of each contact probe portion is located toward the side where the contact pins 32a are located. The inclination angle θ is about 10 °. Thereby, each contact probe part 31a-
31d is a front end F of each of the films 33a to 33d.
a is tilted about 10 ° with respect to the base Fb by abutting the lower surface 12a of the mounting base 12, and the contact pins 32a protruding from the tips of the films 33a to 33d are also about 10 ° with respect to the base Fb. Inclined. Further, each of the contact probe units 31a to 31d includes
Similar to the contact probe 31 shown in FIGS. 5 and 6, a part of the tip Fa on the side where the contact pin 32 a projects is protruded from the mounting base 12. Here, between the lower surface 12a of the mounting base 12 and each contact probe portion, a part of the contact probe portion protrudes from the mounting base 12 in the same manner as the first embodiment, as in the first embodiment. Thus, the thin plate 45 made of an elastic body can be interposed.

【0061】ここで図15に示すように、第一のコンタ
クトプローブ部31aにおいて、第一のフィルム33a
の基部Fbに対して傾斜される先端部Faの付け根から
コンタクトピン32aの先端までの長さをDとすると、
コンタクトプローブ51を平面上に展開した場合(図1
5で二点鎖線で示す状態にした場合)と、プローブ装置
に装着した場合(図15で実線で示す状態にした場合)
とでは、基部Fbに平行な方向のコンタクトプローブ部
31aの寸法差はD(1−cosθ)となる。この寸法
差をd1とすると、d1=D(1−cos10°)とな
り、cos10°=0.985(有効数字3桁で示し
た)であるので、寸法差d1は先端部Faの付け根から
コンタクトピン32aの先端までの長さDの約1.5%
である。
Here, as shown in FIG. 15, in the first contact probe portion 31a, the first film 33a
Let D be the length from the base of the tip end Fa inclined to the base Fb to the tip of the contact pin 32a.
When the contact probe 51 is developed on a plane (FIG. 1)
5 when the state is shown by a two-dot chain line) and when mounted on the probe device (when the state is shown by a solid line in FIG. 15).
In, the dimensional difference of the contact probe portion 31a in the direction parallel to the base Fb is D (1−cos θ). Assuming that this dimensional difference is d1, d1 = D (1-cos10 °) and cos10 ° = 0.885 (shown by three significant digits). Therefore, the dimensional difference d1 is determined from the base of the front end Fa to the contact pin. About 1.5% of the length D to the tip of 32a
It is.

【0062】また、第一のコンタクトプローブ部31a
において、コンタクトプローブ51を平面上に展開した
場合と、先端部Faを基部Fbに対して従来の傾斜角度
(θ=20°)傾斜させた場合(図15で一点鎖線で示
す状態にした場合)とでは、基部Fbに平行な方向のコ
ンタクトプローブ部31aの寸法差d2は、d2=D
(1−cos20°)となる。cos20°=0.94
0(有効数字3桁で示した)であるので、寸法差d2
は、先端部Faの付け根からコンタクトピン32aの先
端までの長さDの約6%である。そして他のコンタクト
プローブ部31b、31c、31dについても同様に、
コンタクトプローブ51を平面上に展開した場合とプロ
ーブ装置に装着した場合とでの基部Fbに平行な方向の
コンタクトプローブ部の寸法差d1は、先端部Faの付
け根からコンタクトピン32aの先端までの長さDの約
1.5%である。
The first contact probe section 31a
, The case where the contact probe 51 is unfolded on a plane, and the case where the tip Fa is inclined with respect to the base Fb by the conventional inclination angle (θ = 20 °) (the state shown by the dashed line in FIG. 15) , The dimensional difference d2 of the contact probe portion 31a in the direction parallel to the base Fb is d2 = D
(1−cos 20 °). cos20 ° = 0.94
0 (indicated by three significant digits), the dimension difference d2
Is about 6% of the length D from the base of the tip Fa to the tip of the contact pin 32a. Then, similarly for the other contact probe portions 31b, 31c, 31d,
The dimensional difference d1 of the contact probe portion in the direction parallel to the base portion Fb between the case where the contact probe 51 is developed on a plane and the case where the contact probe is mounted on the probe device is the length from the base of the tip portion Fa to the tip of the contact pin 32a. About 1.5% of D.

【0063】即ち、本発明に係るコンタクトプローブ5
1によれば、本発明に係るプローブ装置への装着前と装
着後とで、各コンタクトプローブ部31a〜31dの基
部Fbに平行な方向の寸法差、即ち図16において破線
で示す状態と実線で示す状態との寸法差を小さくするこ
とができる(図16ではコンタクトプローブ部31c、
31dのみ図示)。これにより、製造段階またはプロー
ブ装置への取り付け作業時等でコンタクトプローブ51
を平面上に展開した状態で、互いに略略直交して隣り合
う二枚のコンタクトプローブ部のコンタクトピン同士が
重なり合わないように若干のすきまをあけて製造でき、
しかもプローブ装置に装着した状態では傾斜角度θが小
さいために、細密配列された隣り合うパッド18aの列
にそれぞれ接触させることができる。
That is, the contact probe 5 according to the present invention
According to No. 1, the dimensional difference in the direction parallel to the base Fb of each of the contact probe portions 31a to 31d before and after mounting on the probe device according to the present invention, that is, the state shown by the broken line in FIG. It is possible to reduce the dimensional difference from the state shown in FIG.
31d only). This allows the contact probe 51 to be used at the manufacturing stage or at the time of attaching to the probe device.
Can be manufactured with a slight clearance so that the contact pins of two contact probe portions that are substantially orthogonal to each other and adjacent to each other do not overlap with each other,
In addition, since the inclination angle θ is small in a state where the pad 18a is mounted on the probe device, it can be brought into contact with each row of closely arranged pads 18a.

【0064】尚、上記第一、第四の実施の形態において
は、コンタクトピン32aに設けられる突起部44は、
コンタクトピン32aの先端部にめっきを施すことで形
成する以外にも、ボンディングによって形成することが
できる。また、第四の実施の形態では、ICチップ18
は略正方形形状とし、コンタクトプローブ51は、IC
チップ18の各辺に対応してコンタクトプローブ部を四
枚備えたものとした。しかし、これに限られることな
く、検査すべきICチップのパッドの配列に合わせて、
コンタクトプローブ部の向き及び数を変更することで、
多種多様なパッド配列にも対応可能である。ここで、第
四の実施の形態では、コンタクトプローブ51を、第一
の実施の形態で示したコンタクトプローブ31を複数枚
連結した構成としたが、これに限られることなく、コン
タクトプローブ51を、例えば第二の実施の形態で示し
たコンタクトプローブ46、または第三の実施の形態で
示したコンタクトプローブ47を複数枚連結した構成と
してもよい。
In the first and fourth embodiments, the projection 44 provided on the contact pin 32a is
The contact pins 32a can be formed by bonding, instead of being formed by plating. In the fourth embodiment, the IC chip 18
Is a substantially square shape, and the contact probe 51 is an IC
Four contact probe portions were provided corresponding to each side of the chip 18. However, without being limited to this, according to the arrangement of the pads of the IC chip to be inspected,
By changing the direction and number of contact probe parts,
A wide variety of pad arrangements can be supported. Here, in the fourth embodiment, the contact probe 51 has a configuration in which a plurality of contact probes 31 shown in the first embodiment are connected. However, the present invention is not limited to this. For example, the configuration may be such that a plurality of contact probes 46 shown in the second embodiment or a plurality of contact probes 47 shown in the third embodiment are connected.

【0065】[0065]

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
請求項1記載のコンタクトプローブによれば、コンタク
トピンの先端部に突起部が設けられており、突起部によ
って被検査物の電極のスクラブが良好に行われるので、
コンタクトピンの傾斜角度を小さくして、オーバードラ
イブ時のコンタクトピンによるスクラブ長を少なくし
て、スクラブ方向の長さの短い電極に対応することがで
きる。また、突起部が設けられることによってコンタク
トピンの先端部以外の部分が被検査物から離間されるの
で、コンタクトピンの傾斜角度を小さくしても、例えば
電極に設けられるパッシベーションとコンタクトピンと
の干渉を避けることができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained.
According to the contact probe of the first aspect, the projection is provided at the tip of the contact pin, and the electrode of the inspection object is scrubbed satisfactorily by the projection.
By reducing the inclination angle of the contact pin, the scrub length of the contact pin during overdrive can be reduced, and it is possible to cope with an electrode having a short length in the scrub direction. Also, since the projections provide a portion other than the tip of the contact pin apart from the object to be inspected, even if the inclination angle of the contact pin is reduced, for example, interference between the passivation provided on the electrode and the contact pin may be prevented. Can be avoided.

【0066】請求項2記載のコンタクトプローブによれ
ば、パターン配線に、コンタクトピンの先端部よりもさ
らに先端側まで突出させてフィルムが被着されているの
で、フィルムにおいてパターン配線と被着される側に、
先端部に隣接する部分を除いてマスクを施すことで、突
起部を形成する部分以外の他の部分を容易にマスクで覆
うことができ、コンタクトプローブの製造工程を簡略化
することができる。また、コンタクトピンの先端部まで
フィルムが被着されているので、プローブ装置に組み込
んでオーバードライブをかけて、コンタクトピンに応力
が加わると、コンタクトピンは、フィルムによって支持
されつつ、フィルムとともに全体的にたわむこととな
る。このため、例えば被検査物上に異物が付着していた
り、被検査物が異形状をなしていて、オーバードライブ
時にコンタクトピンに過剰な応力が加わった場合にも、
コンタクトピンに加わった応力が分散されて、局所的に
作用することがないので、コンタクトピンに塑性変形が
生じにくく、次回のテストの際にもコンタクトピンの接
触不良を生じにくくすることができる。
According to the second aspect of the present invention, since the film is attached to the pattern wiring so as to protrude further to the tip end than the tip end of the contact pin, the film is attached to the pattern wiring in the film. Beside
By applying the mask except for the portion adjacent to the tip portion, other portions other than the portion where the protrusion is formed can be easily covered with the mask, and the manufacturing process of the contact probe can be simplified. In addition, since the film is applied to the tip of the contact pin, when it is incorporated in the probe device and overdriven, and stress is applied to the contact pin, the contact pin is supported by the film, and the entire contact pin is supported together with the film. Will bend. For this reason, for example, when a foreign object is attached to the inspection object, or the inspection object has an irregular shape, and excessive stress is applied to the contact pin during overdrive,
Since the stress applied to the contact pins is not dispersed and acts locally, the contact pins are less likely to be plastically deformed, and the contact pins are less likely to have poor contact in the next test.

【0067】また、本発明の請求項3記載のコンタクト
プローブによれば、コンタクトピンの先端部までフィル
ムが被着され、パターン配線にフィルムを被着するため
の接着剤によってパターン配線間が充填されるので、フ
ィルムにおいてパターン配線と被着される側に、先端部
を除いてマスクを施すことで、突起部を形成する部分以
外の他の部分を容易にマスク及び接着剤によって覆うこ
とができる。これによって、マスク形状を単純な形状に
することができ、製造工程をさらに簡略化することがで
きる。
According to the contact probe of the third aspect of the present invention, the film is applied to the tip of the contact pin, and the space between the pattern wirings is filled with an adhesive for applying the film to the pattern wirings. Therefore, by applying a mask to the side of the film on which the pattern wiring is to be attached, except for the end portion, it is possible to easily cover other portions other than the portion where the projection is formed with the mask and the adhesive. Thereby, the mask shape can be made simple, and the manufacturing process can be further simplified.

【0068】請求項4記載のコンタクトプローブによれ
ば、コンタクトピンの先端部に突起部が設けられている
ので、コンタクトピンの傾斜角度を小さくすることがで
きる。これによって、製造時等に複数のコンタクトプロ
ーブ部を平面上に展開した状態で、例えば隣り合う二枚
のコンタクトプローブ部のコンタクトピンを相互に接触
しない位置で形成でき、しかもプローブ装置に装着した
際のコンタクトプローブ部の先端部の傾斜角度を小さく
することで細密配列された隣り合うパッドの列にそれぞ
れ接触させることができる。また、各コンタクトプロー
ブ部が連結されており、これらを一括して取り扱うこと
ができるので、従来は被検査物の電極に対応して複数の
コンタクトプローブを個別に作成した上でそれぞれコン
タクトピンと電極との位置決めを行っていたのに対し、
位置決め工程における手間を削減するとともに、コンタ
クトピンのピッチや高さを容易かつ高精度に位置決めす
ることができる。また、請求項5に記載のコンタクトプ
ローブのように、前記コンタクトプローブ部のうち、隣
り合う二枚のコンタクトプローブ部は、それぞれの組の
コンタクトピンを互いに略直交させた状態で連結しても
よく、この場合には、ICチップにおいて一般的な形状
である略矩形形状のICチップに対応することができ
る。
According to the contact probe of the fourth aspect, since the projection is provided at the tip of the contact pin, the inclination angle of the contact pin can be reduced. Thus, in a state where a plurality of contact probe portions are developed on a plane at the time of manufacturing or the like, for example, contact pins of two adjacent contact probe portions can be formed at positions not in contact with each other, and when the probe is mounted on a probe device. By reducing the inclination angle of the tip portion of the contact probe portion, it is possible to make contact with the rows of closely arranged pads. In addition, since each contact probe section is connected and can be handled collectively, conventionally, a plurality of contact probes are individually created corresponding to the electrodes of the inspection object, and then the contact pins and the electrodes are respectively formed. While positioning was done,
It is possible to reduce the trouble in the positioning step, and to easily and accurately position the pitch and height of the contact pins. Further, like the contact probe according to claim 5, two contact probe portions adjacent to each other among the contact probe portions may be connected in a state where respective sets of contact pins are substantially orthogonal to each other. In this case, an IC chip having a substantially rectangular shape, which is a general shape of an IC chip, can be used.

【0069】請求項6記載のプローブ装置によれば、コ
ンタクトピンの先端部に突起部が設けられているので、
コンタクトピンの傾斜角度を小さくしても、突起部によ
って被検査物の電極へのスクラブが良好に行われる。こ
れによって、コンタクトピンの傾斜角度を小さくするこ
とができ、オーバードライブ時のコンタクトピンによる
スクラブ長を少なくして、スクラブ方向の長さの短い電
極に対応することができる。また、突起部によってコン
タクトピンの先端部以外の部分が被検査物から離間され
るので、コンタクトピンの傾斜角度を小さくしても、例
えば電極に設けられるパッシベーションとコンタクトピ
ンの干渉を避けることができる。
According to the probe device of the sixth aspect, since the projection is provided at the tip of the contact pin,
Even if the angle of inclination of the contact pin is reduced, the protruding portion satisfactorily scrubs the inspection object to the electrode. Thus, the inclination angle of the contact pin can be reduced, the scrub length of the contact pin during overdrive can be reduced, and an electrode having a short length in the scrub direction can be accommodated. In addition, since portions other than the tip portion of the contact pin are separated from the object to be inspected by the protrusion, even if the inclination angle of the contact pin is reduced, for example, interference between the passivation provided on the electrode and the contact pin can be avoided. .

【0070】請求項7記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、パターン配線に、コンタクトピンの先端
部よりもさらに先端側まで突出させてフィルムが被着さ
れるので、フィルムにおいてパターン配線と被着される
側に、先端部に隣接する部分を除いてマスクを施すこと
で、突起部を形成する部分以外の他の部分を容易にマス
クで覆うことができ、製造工程を簡略化して、コンタク
トプローブを容易に製造することができる。
According to the method for manufacturing a contact probe according to the seventh aspect, the film is attached to the pattern wiring so as to protrude further to the tip end than the tip end of the contact pin. By applying a mask to the side of the contact probe except for the portion adjacent to the tip, it is possible to easily cover other portions other than the portion forming the protrusion with the mask, simplifying the manufacturing process, and Can be easily manufactured.

【0071】請求項8記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、コンタクトピンの先端部までフィルムが
被着され、パターン配線にフィルムを被着するための接
着剤によってパターン配線間が充填されるので、フィル
ムにおいてパターン配線と被着される側に、先端部を除
いてマスクを施すことで、突起部を形成する部分以外の
他の部分を容易にマスク及び接着剤によって覆うことが
できる。これによって、マスク形状を単純な形状にする
ことができ、製造工程をさらに簡略化して、コンタクト
プローブを容易に製造することができる。
According to the method of manufacturing a contact probe according to the eighth aspect, the film is applied to the tip of the contact pin, and the space between the pattern wirings is filled with the adhesive for applying the film to the pattern wirings. By applying a mask to the side of the film on which the pattern wiring is to be attached, except for the tip, other portions other than the portion where the protrusion is formed can be easily covered with the mask and the adhesive. Thus, the mask shape can be made simple, the manufacturing process can be further simplified, and the contact probe can be easily manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第一の実施の形態によるコンタクト
プローブの先端部の斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a distal end portion of a contact probe according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示すコンタクトプローブの全体のA−
A線中央断面図である。
FIG. 2 shows the entire A- of the contact probe shown in FIG.
FIG. 2 is a sectional view taken along the line A.

【図3】 本発明の第一の実施の形態のコンタクトプロ
ーブのコンタクトピンを斜め下方からみた斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view of a contact pin of the contact probe according to the first embodiment of the present invention as viewed obliquely from below.

【図4】 本発明の第一の実施の形態においてコンタク
トピンをICチップのパッドにコンタクトさせた状態を
示す側面図である。
FIG. 4 is a side view showing a state where a contact pin is in contact with a pad of an IC chip in the first embodiment of the present invention.

【図5】 本発明に係るプローブ装置の要部縦断面図で
ある。
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a main part of a probe device according to the present invention.

【図6】 本発明にかかるプローブ装置を用いてオーバ
ードライブをかけた場合のコンタクトピンのスクラブ動
作を模式的に示す側面図であって、(a)はコンタクト
ピンをICチップのパッドにコンタクトさせた状態を示
し、(b)は(a)の状態からオーバードライブをかけ
た状態を示している。
FIG. 6 is a side view schematically showing a scrubbing operation of a contact pin when overdriving is performed using the probe device according to the present invention, wherein (a) shows a state where the contact pin is brought into contact with a pad of an IC chip. (B) shows a state in which overdrive has been applied from the state of (a).

【図7】 図6から求めた、コンタクトピンの各傾斜角
度毎のオーバードライブ量とコンタクトピンのスクラブ
長との関係を示す表である。
FIG. 7 is a table showing the relationship between the overdrive amount for each inclination angle of the contact pin and the scrub length of the contact pin, obtained from FIG. 6;

【図8】 図6から求めた、コンタクトピンの各傾斜角
度毎のオーバードライブ量とコンタクトピンのスクラブ
長との関係を示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the amount of overdrive at each inclination angle of the contact pin and the scrub length of the contact pin, obtained from FIG.

【図9】 本発明の第二の実施の形態によるコンタクト
プローブを示す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view showing a contact probe according to a second embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の第二の実施の形態によるコンタク
トプローブの製造工程を示す図である。
FIG. 10 is a view showing a manufacturing process of the contact probe according to the second embodiment of the present invention.

【図11】 本発明の第二の実施の形態によるコンタク
トプローブの製造工程を示す図である。
FIG. 11 is a view showing a manufacturing process of the contact probe according to the second embodiment of the present invention.

【図12】 本発明の第三の実施の形態によるコンタク
トプローブの製造工程を示す図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a manufacturing process of the contact probe according to the third embodiment of the present invention.

【図13】 本発明の第三の実施の形態によるコンタク
トプローブの製造工程を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a manufacturing process of the contact probe according to the third embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の第四の実施の形態によるコンタク
トプローブの全体を示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view showing an entire contact probe according to a fourth embodiment of the present invention.

【図15】 本発明の第四の実施の形態によるコンタク
トプローブを本発明に係るプローブ装置に装着した状態
と平面上に展開した状態を模式的に示す側面図である。
FIG. 15 is a side view schematically showing a state where the contact probe according to the fourth embodiment of the present invention is mounted on the probe device according to the present invention and a state where the contact probe is developed on a plane.

【図16】 本発明に係るプローブ装置に装着した第四
の実施の形態のコンタクトプローブにおいて、隣り合う
コンタクトプローブ部のコンタクトピンの先端同士、及
びこれらコンタクトピンとICチップのパッドとの位置
関係を示す要部平面図である。
FIG. 16 shows the tips of the contact pins of the adjacent contact probe portions and the positional relationship between these contact pins and the pads of the IC chip in the contact probe of the fourth embodiment mounted on the probe device according to the present invention. It is a principal part top view.

【図17】 従来のコンタクトプローブの平面図であ
る。
FIG. 17 is a plan view of a conventional contact probe.

【図18】 従来のプローブ装置の分解斜視図である。FIG. 18 is an exploded perspective view of a conventional probe device.

【図19】 図18に示すプローブ装置の要部縦断面図
である。
19 is a vertical sectional view of a main part of the probe device shown in FIG. 18;

【図20】 従来のコンタクトプローブのコンタクトピ
ンを斜め下方からみた斜視図である。
FIG. 20 is a perspective view of a contact pin of a conventional contact probe viewed obliquely from below.

【図21】 従来のコンタクトピンとICチップのパッ
ドとの接触及びスクラブ状態を示す側面図である。
FIG. 21 is a side view showing a contact and a scrub state of a conventional contact pin and a pad of an IC chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7 メカニカルパーツ 8 プローブ
装置 18 ICチップ(被検査物) 18a パッ
ド(被検査物) 31、46、47、51 コンタクトプローブ 32 パターン配線 32a コン
タクトピン 33 フィルム 44 突起部 61 マスク 60 接着剤 M 第三の金属層
7 Mechanical parts 8 Probe device 18 IC chip (inspected object) 18a Pad (inspected object) 31, 46, 47, 51 Contact probe 32 Pattern wiring 32a Contact pin 33 Film 44 Projection 61 Mask 60 Adhesive M Third Metal layer

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フィルムが被着された複数のパターン配
線の各先端がコンタクトピンとされているコンタクトプ
ローブにおいて、 前記コンタクトピンの先端部に突起部が設けられ、 該突起部の、前記コンタクトピンの先端部からの突出量
Hが3μm以上とされていることを特徴とするコンタク
トプローブ。
1. A contact probe in which a tip of each of a plurality of pattern wirings on which a film is adhered is a contact pin, wherein a projection is provided at a tip of the contact pin; A contact probe characterized in that an amount of protrusion H from the tip is 3 μm or more.
【請求項2】 先端部がコンタクトピンをなす複数のパ
ターン配線に、前記先端部よりもさらに先端側まで突出
させてフィルムが被着され、 前記パターン配線に、前記コンタクトピンの先端部に隣
接する部分を除いてマスクが施されて、前記先端部に隣
接する部分に、めっき処理によって前記コンタクトピン
よりも肉厚の厚い金属層が形成され、 前記マスクが除去されて、前記コンタクトピンの先端
に、前記金属層からなる突起部が形成されてなることを
特徴とするコンタクトプローブ。
2. A film is applied to a plurality of pattern wirings each having a tip part forming a contact pin so as to protrude further to the tip side than the tip part, and the pattern wiring is adjacent to the tip part of the contact pin. A mask is applied except for the portion, a metal layer thicker than the contact pin is formed by plating on a portion adjacent to the tip portion, and the mask is removed, and the tip of the contact pin is removed. And a projection formed of the metal layer.
【請求項3】 先端部がコンタクトピンをなす複数のパ
ターン配線に、接着剤を介して、前記先端部を含めてカ
バーするフィルムが被着され、 前記パターン配線に、前記コンタクトピンの先端部を除
いてマスクが施されて、前記コンタクトピンの先端部
に、めっき処理によって金属層が形成され、 前記マスクが除去されて、前記金属層が成形されて、前
記コンタクトピンの先端に、前記金属層からなる突起部
が形成されてなることを特徴とするコンタクトプロー
ブ。
3. A plurality of pattern wirings, each of which forms a contact pin, is covered with a film covering the top of the contact pin via an adhesive. Except for applying a mask, a metal layer is formed by plating at the tip of the contact pin. The mask is removed, the metal layer is formed, and the metal layer is formed at the tip of the contact pin. A contact probe comprising a projection formed of:
【請求項4】 フィルムが被着された複数のパターン配
線の各先端が前記フィルムから突出してコンタクトピン
とされているコンタクトプローブであって、 それぞれ一組の前記パターン配線にそれぞれ前記フィル
ムが被着されてなる複数のコンタクトプローブ部を有
し、 これら複数のコンタクトプローブ部は、それぞれの組の
前記コンタクトピンを被検査物に向けて該被検査物を囲
むように配置された状態で互いに連結され、 前記コンタクトピンの先端部には、突起部が設けられて
いることを特徴とするコンタクトプローブ。
4. A contact probe in which each tip of a plurality of pattern wirings on which a film is adhered protrudes from the film to form contact pins, wherein the film is adhered to a pair of the pattern wirings, respectively. Having a plurality of contact probe portions, the plurality of contact probe portions are connected to each other in a state where the contact pins of the respective sets are arranged so as to surround the inspected object toward the inspected object, A contact probe, wherein a projection is provided at a tip of the contact pin.
【請求項5】 前記コンタクトプローブ部のうち、隣り
合う二枚のコンタクトプローブ部は、それぞれの組のコ
ンタクトピンが互いに略直交していることを特徴とする
請求項2記載のコンタクトプローブ。
5. The contact probe according to claim 2, wherein two adjacent contact probe portions of the contact probe portion have respective sets of contact pins substantially orthogonal to each other.
【請求項6】 フィルム上に形成されたパターン配線の
先端部がフィルムから突出してコンタクトピンとされて
なるコンタクトプローブが、メカニカルパーツに装着さ
れ、前記コンタクトピンは被検査物に対して傾斜して当
接させられるプローブ装置において、 前記コンタクトプローブは、前記コンタクトピンの先端
部に突起部が形成されており、 前記コンタクトピンが、前記被検査物に対して10°以
下の傾斜角度で、前記突起部で当接させられることを特
徴とするプローブ装置。
6. A contact probe in which a tip of a pattern wiring formed on a film protrudes from the film and serves as a contact pin is mounted on a mechanical part, and the contact pin is inclined with respect to an object to be inspected. In the probe device to be brought into contact with the contact probe, a projection is formed at a tip end of the contact pin, and the contact pin has an inclination angle of 10 ° or less with respect to the inspection object. A probe device characterized in that the probe device is brought into contact with the probe device.
【請求項7】 フィルム上に形成されたパターン配線の
先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの
製造方法であって、 前記パターン配線に、前記コンタクトピンの先端部に隣
接する部分を除いてマスクを施して、前記先端部に隣接
する部分に、前記コンタクトピンよりも肉厚の厚い金属
層をめっき処理により形成するめっき処理工程と、 前記マスクを取り除いて、前記金属層からなる突起部を
露出させるマスク除去工程とを備えていることを特徴と
するコンタクトプローブの製造方法。
7. A method for manufacturing a contact probe, wherein a tip of a pattern wiring formed on a film is used as a contact pin, wherein a mask is formed on the pattern wiring except for a portion adjacent to the tip of the contact pin. A plating process of forming a metal layer thicker than the contact pins by plating in a portion adjacent to the tip portion, and removing the mask to expose the protrusions made of the metal layer. A method for manufacturing a contact probe, comprising: a mask removing step.
【請求項8】 フィルム上に形成されたパターン配線の
先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの
製造方法であって、 前記パターン配線に、前記コンタクトピンの先端部を除
いてマスクを施して、前記コンタクトピンの先端部に、
めっき処理により金属層を形成するめっき処理工程と、 前記マスクを取り除き、前記金属層を成形して突起部を
形成する突起部成形工程とを備えていることを特徴とす
るコンタクトプローブの製造方法。
8. A method for manufacturing a contact probe, wherein a tip of a pattern wiring formed on a film is used as a contact pin, wherein a mask is applied to the pattern wiring except for a tip of the contact pin. At the tip of the contact pin,
A method for manufacturing a contact probe, comprising: a plating step of forming a metal layer by plating; and a projection forming step of forming the projection by removing the mask and forming the metal layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2008120587A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Advantest Corporation Contactor, probe card, and method of manufacturing contactor
JP2013200256A (en) * 2012-03-26 2013-10-03 Micronics Japan Co Ltd Probe device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008120587A1 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Advantest Corporation Contactor, probe card, and method of manufacturing contactor
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