JP3962264B2

JP3962264B2 - Contact probe and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP3962264B2
Application number: JP2002035537A
Authority: JP
Inventors: 光芳植木; 賢一伊藤; 厚松田; 治山田; 達雄杉山
Original assignee: ジェネシス・テクノロジー株式会社
Priority date: 2002-02-13
Filing date: 2002-02-13
Publication date: 2007-08-22
Anticipated expiration: 2022-02-13
Also published as: JP2003240802A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブピンやソケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デバイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコンタクトプローブとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが用いられている。
近年、ＩＣチップ等の高集積化および微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化が要望されている。
しかしながら、コンタクトピンとして用いられていたタングステン針のコンタクトプローブでは、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへの対応が困難になっていた。
【０００３】
これに対して、例えば、特公平７−８２０２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端が樹脂フィルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクトプローブの技術が提案されている。
この技術例では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンとすることによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、複雑な多数の部品を不要とするものである。
【０００４】
この技術に関して本出願人は、図１２及び図１３に示すように、コンタクトピン５が荷重によって変形したり損傷したりすることを防止するために、ピン支持部８を介してコンタクトピン５を弾性支持するバネ層６を有したコンタクトプローブ１を提案している。
このコンタクトプローブ１は、ピン支持部８としてシリコンゴムの弾性体層９とセラミックスの非弾性体層１０とを有し、弾性体層９で荷重を吸収すると共に、非弾性体層１０で各コンタクトピン５に一定の荷重を加えることができる点で優れている。
【０００５】
なお、このコンタクトプローブ１は、フィルム本体２の片面にＮｉ（ニッケル）またはＮｉ合金で形成されるパターン配線３を張り付けた構造となっており、パターン配線３の先端部がコンタクトピン５とされている。そして、フィルム本体２は、ポリイミド樹脂フィルム層２Ａ上にＣｕ（銅）、Ｎｉ等の金属フィルム層２Ｂがグラウンドとして積層されて構成されている。また、バネ層６は、接着剤７によってフィルム本体２に固定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記ピン支持部を有するバネ層を備えたコンタクトプローブでは、バネ層とフィルム本体とを接着する際に、高温で圧縮加熱を行って接着剤を硬化させて固定しているが、セラミックスの非弾性体層とフィルム本体との熱膨張係数の違いにより固定後に、図１４に示すように、コンタクトピン間のピッチにずれが生じてしまう不都合があった。
【０００７】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、コンタクトピン間のピッチずれを防ぐことができるコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のコンタクトプローブは、複数のパターン配線がフィルム本体の表面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブであって、前記フィルム本体の裏面にバネ層が被着され、該バネ層が前記フィルム本体の先端部から突出状態に配されていると共に、前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの間にピン支持部が設けられ、前記ピン支持部は、前記コンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を有し、前記溝の底面は、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜して形成され、前記溝の側壁の高さは、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このコンタクトプローブでは、ピン支持部が、コンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を有するので、熱膨張差などによりコンタクトピン間のピッチが変化しようとしても、コンタクトピンが溝内に拘束されてピッチが広がってずれることを防ぐことができる。
【００１０】
本発明のコンタクトプローブの製造方法は、複数のパターン配線がフィルム本体の表面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、前記複数のパターン配線を前記フィルム本体の表面上に被着してこれらパターン配線の各先端部をコンタクトピンとするコンタクトピン形成工程と、前記フィルム本体の裏面にバネ層を被着するバネ層被着工程と、ピン支持部をフィルム本体の先端部から突出状態に配すると共に前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの間に接着剤で被着した後に該接着剤を加熱硬化させるピン固定工程とを有し、前記ピン支持部には、前記コンタクトピン側に位置する面に前記ピン固定工程の加熱硬化前にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を形成しておくことと、前記溝の底面を、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成しておくことと、前記溝の側壁の高さを、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成しておくこととを特徴とする。
【００１１】
このコンタクトプローブの製造方法では、ピン支持部のコンタクトピン側に位置する面に、ピン固定工程の加熱硬化前にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を形成しておくので、ピン固定工程において、加熱によるピン支持部とフィルム本体との熱膨張差が生じても、コンタクトピンが溝内に規制された状態で固定される。したがって、ピン支持部固定時にピン間のピッチずれが生じることを防ぐことができる。
【００１２】
また、本発明のコンタクトプローブは、前記ピン支持部の各溝内に、前記コンタクトピンが複数本ずつ配される技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブでは、ピン支持部の各溝内にコンタクトピンが複数本ずつ配されることにより、ピン一つ配する場合の溝よりも溝幅を広げることができ、溝の加工がし易いと共に、組み立て作業性が向上する。なお、溝は、このように複数本のピンが配される溝幅であっても、コンタクトピン間のピッチに応じて形成されていればよい。
【００１３】
また、本発明のコンタクトプローブは、前記溝の底面が、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成されている技術が採用される。また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝の底面を、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成しておく技術が採用される。
また、本発明のコンタクトプローブは、前記溝の側壁の高さが、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成されている技術が採用される。また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝の側壁の高さを、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成しておく技術が採用される。
【００１４】
すなわち、これらのコンタクトプローブ及びコンタクトプローブの製造方法では、溝の底面がコンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜して形成されることにより、底面が傾斜面となって溝内に配されたコンタクトピンの先端が外側に向けて折り曲げられる。これによって、コンタクトピンの電極への接触角をより大きく設定することができる。
【００１５】
また、本発明のコンタクトプローブは、前記溝と前記コンタクトピンとの間に弾性体層が設けられていることが好ましい。すなわち、このコンタクトプローブでは、溝とコンタクトピンとの間に弾性体層が設けられているので、弾性体層によりコンタクトピンに加わる荷重を吸収することができる。
【００１６】
また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝を、前記コンタクトピン側に位置する面にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレーザ加工で形成する技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブの製造方法では、コンタクトピン側に位置する面にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレーザ加工で溝を形成することにより、複数の溝を同時に加工できると共に、より高精度なかつ微細な溝加工を行うことができる。
【００１７】
また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝を、ダイシングブレードによる機械加工で形成する技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブの製造方法では、ダイシングブレードによる機械加工で溝を形成するので、溝及び底面が傾斜面になっている溝の加工において、より高精度かつ微細な溝加工を行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第１実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。
これらの図にあって、符号１１はコンタクトプローブ、１２はフィルム本体、１３はパターン配線を示している。
【００１９】
本実施形態のコンタクトプローブは、ＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したもので、そのコンタクトピンが下方に向けて傾斜させられてプローブ装置に支持されるタイプである。
このコンタクトプローブ１１は、図１および図２に示すように、例えば、ポリイミド等の樹脂フィルム層１２ＡとＣｕ（銅）等の金属フィルム層１２Ｂとの２層構造とされて、略ホームベース形状をなすフィルム本体１２において、そのフィルム本体１２の表面（樹脂フィルム層１２Ａ側であって、図１及び図２におけるフィルム本体１２の下面）に、Ｎｉ基合金等からなる複数のパターン配線１３が接着剤１４により被着されていて、それら各パターン配線１３の先端がコンタクトピン１５とされている。
【００２０】
そして、フィルム本体１２の裏面（図１及び図２におけるフィルム本体１２の上面）には、バネ層１６が被着されていて、このバネ層１６はコンタクトピン１５の裏面と対向する位置まで突出させられている。また、バネ層１６は、例えばＪＩＳＧ４８０１に規定されるＳＵＰ材等のようなバネ鋼よりなる薄板（例えば、約２００μｍ程度の厚さ）で構成され、図２に示すように、フィルム本体１２の裏面側に位置する金属フィルム層１２Ｂに、液状もしくはシート状の接着剤１７によって被着されることにより、その先端の突出部１６Ａがフィルム本体１２の先端部からコンタクトピン１５の裏面と対向する位置まで突出した状態となっている。この場合、本実施形態におけるコンタクトピン１５は、例えば、厚さ及び幅が約５０μｍ程度の大きさであって、フィルム本体１２の先端部からコンタクトピン１５の先端までの長さが約５５０μｍ程度とされ、バネ層１６の突出部１６Ａもそれに対応した長さとされている。
【００２１】
また、バネ層１６とコンタクトピン１５の裏面との間に位置する空間にはピン支持部１８が介設されていて、このピン支持部１８は、図１及び図２に示すように、バネ層１６の突出部１６Ａとコンタクトピン１５との間に介設されて収縮可能な弾性体層としてのシリコンゴム１９と、そのシリコンゴム１９中に埋設された非弾性体層としてのセラミックス部材２０とからなる構成とされている。なお、この非弾性体層を構成するセラミックス部材２０は、窒化ケイ素あるいは窒化アルミ等からなるものである。
【００２２】
さらに、セラミックス部材２０は、図３及び図４に示すように、コンタクトピン１５側に位置する面に各コンタクトピン１５が配される複数の溝２０ａを有している。すなわち、コンタクトピン１５間のピッチＰに合わせて溝２０ａが形成されており、各コンタクトピン１５が溝２０ａ内にはめ込まれた状態で固定されている。
【００２３】
また、本実施形態においては、例えば、バネ層１６の突出部１６Ａとコンタクトピン１５の裏面とは、約１６５〜２００μｍ程度の距離を介して位置し、そのバネ層１６の突出部１６Ａとコンタクトピン１５の裏面との間の空間に充填されたシリコンゴム１９中に、約１３０〜１４０μｍ程度の厚さのセラミックス部材２０が埋設されている。
【００２４】
しかも、セラミックス部材２０とバネ層１６とが、約２５ミクロン程度の距離を介して離間すると共に、セラミックス部材２０とコンタクトピン１５の裏面とが、約１０〜２０μｍ程度の距離を介して離間しており、これらコンタクトピン１５とセラミックス部材２０との間の隙間、及びセラミックス部材２０とバネ層１６の突出部１６Ａとの間の隙間には、シリコンゴム１９が充填されている。なお、セラミックス部材２０とフィルム本体１２の先端面との間には、図２に示すように、例えば、約５０μｍ程度の隙間を介して離間していると共に、同じくシリコンゴム１９が充填されている。
【００２５】
つまり、シリコンゴム１９は、図２及び図３に示すように、コンタクトピン１５の裏面とセラミックス部材２０との間に配置される第１層１９Ａ（コンタクトピン１５側に位置する弾性体層）と、セラミックス部材２０とバネ層１６の突出部１６Ａとの間に配置される第２層１９Ｂ（バネ層１６の突出部１６Ａ側に位置する弾性体層）との間に位置する連通部１９Ｃによって、第１層１９Ａと第２層１９Ｂとが連通させられている。すなわち、セラミックス部材２０がシリコンゴム１９の第１層１９Ａと第２層１９Ｂとの間に挟まれるように配置されており、セラミックス部材２０とフィルム本体１２との間に位置するシリコンゴム１９の連通部１９Ｃによって組立誤差を吸収し得るようにしている。
【００２６】
また、ピン支持部１８を構成するシリコンゴム１９とセラミックス部材２０は、コンタクトプローブ１１による電気的テストに際し、コンタクトピン１５と半導体チップ等のパッド（又はバンプ）との接続を確認するための装置から、コンタクトピン１５周辺に向けて光が照射されるが、その光を吸収し得るように黒色に彩色されていることが好ましい。
【００２７】
このコンタクトプローブ１１は、例えば図５に示すように、マウンティングベース５０５やトップクランプ５０６、ボトムクランプ５０７等のメカニカルパーツに組み込まれることにより、プリント基板５０８に位置決めされて取り付けられてプローブ装置とされる。そして、この取付状態においてコンタクトプローブ１１は、図６に示すように、その先端の上記コンタクトピン１５が下方に向くように傾斜させられて支持されており、各コンタクトピン１５の先端が例えば半導体チップ５０９の上面周辺部に設けられた電極端子としてのパッド（またはバンプ）５０９ａにそれぞれ接触させられることにより、上記パターン配線１３およびプリント基板５０８の配線を介してこの半導体チップ５０９等の電気的テストが行われる。
【００２８】
次に、本実施形態のコンタクトプローブ１１の製造方法について、以下に説明する。
【００２９】
〔溝形成工程〕
まず、上記セラミックス部材２０のコンタクトピン１５側に位置する面に、図４に示すように、後述するピン固定工程の加熱硬化前に各コンタクトピン１５が配される複数の溝２０ａを予め形成しておく。
この際、ピン支持部１８のコンタクトピン１５側に位置する面に細溝加工機（ダイサー等）のダイシングブレードで機械加工を施して溝２０ａを形成する方法や、コンタクトピン１５側に位置する面にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレーザ加工を施して溝２０ａを形成する方法などを用いる。なお、上記レーザ加工によれば、複数の溝を同時に加工できると共に、高精度かつ微細な加工が可能である。また、上記ダイシングブレードによる機械加工によれば、溝及び底面が傾斜面になっている溝の加工において、レーザ加工等に比べてより高精度かつ微細な溝加工を行うことができる。
【００３０】
〔コンタクトピン形成工程〕
一方、マスク技術を用いてメッキ処理により支持金属板上に形成された複数のパターン配線１３を、フィルム本体１２の表面上に接着剤１４で被着する。このとき、パターン配線１３の各先端部をフィルム本体１２から突出させてコンタクトピン１５となるように被着しておく。その後、支持金属板からパターン配線１３をフィルム本体１２と共に剥離させて、パターン配線１３とフィルム本体１２とからなる構成としておく。
【００３１】
〔バネ層被着工程及びピン固定工程〕
次に、図７に示すように、コンタクトピン１５の裏面側に、シリコンゴム１９を塗布するとともに、そのシリコンゴム１９中にセラミックス部材２０を埋設させ、さらにそのセラミックス部材２０の上部にもシリコンゴム１９を塗布して、シリコンゴム１９及びフィルム本体１２の裏面にバネ層１６を被着させることにより、コンタクトピン１５の裏面とバネ層１６の突出部１６Ａとの間にシリコンゴム１９及びセラミックス部材２０を介設する。そして、この状態でシリコンゴム１９を加熱硬化させると、そのシリコンゴム１９がコンタクトピン１５の裏面に接着されると共に、バネ層１６の突出部１６Ａとも接着される。
【００３２】
この工程において上記加熱硬化を行う前に、セラミックス部材２０の溝２０ａ内に各コンタクトピン１５が配されるように位置を調整し、この状態で、シリコンゴム１９を硬化させてバネ層１６とピン支持部１８とコンタクトピン１５とを互いに固定する。この際、加熱によってセラミックス部材２０とフィルム本体１２との間に熱膨張差が生じても、コンタクトピン１５が溝２０ａに拘束されているので、シリコンゴム１９が硬化しても、コンタクトピン１５間のピッチがずれることを防ぐことができる。
【００３３】
なお、フィルム本体１２の金属フィルム層１２Ｂとバネ層１６との間は、例えば、液状もしくはシート状の接着剤１７の厚さを変更することによってその厚さが適宜調整される。
また、シリコンゴム１９が流動性をもっているので、コンタクトピン１５の裏面側から各コンタクトピン１５同士の隙間にも入り込むが、その入り込んだシリコンゴム１９の不要な部分をレーザ加工等によって除去することにより、シリコンゴム１９の第１層１９Ａの下面側を揃えておく。
【００３４】
このように、コンタクトピン１５の裏面側にセラミックス部材２０を埋設したシリコンゴム１９を塗布し、さらに、その上にバネ層１６を被着すると、コンタクトピン１５の裏面とバネ層１６の突出部１６Ａとの間にセラミックス部材２０を埋設したシリコンゴム１９が接着されることとなり、コンタクトプローブ１１が作製される。
【００３５】
本実施形態では、ピン支持部１８のセラミックス部材２０が、コンタクトピン１５側に位置する面に各コンタクトピン１５が配される複数の溝２０ａを有するので、熱膨張差などによりコンタクトピン１５間のピッチが変化しようとしても、コンタクトピン１５が溝２０ａ内に拘束されてピッチが広がってずれることを防ぐことができる。
【００３６】
また、ピン支持部１８は、シリコンゴム１９中にセラミックス部材２０が埋設された構成とされているので、単にシリコンゴム１９のみを介設しただけの場合と異なり、コンタクトピン１５に作用した荷重をセラミックス部材２０を介してバネ層１６の突出部１６Ａに確実に伝えることができるとともに、コンタクトピン１５に一定の荷重をかけることができるので、バネ層１６のコンタクトピン１５に対する押さえを確実に行うことでき、コンタクト性を良好に維持できる。
しかも、バネ層１６が弾性変形し、かつピン支持部１８が収縮することにより、コンタクトピン１５をパッド（またはバンプ）により強く押し付けて針圧を高めることができるので、コンタクトピン１５だけで針圧を与える場合よりも安定したコンタクト性を確保できるという利点も得ることができる。
【００３７】
次に、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第２実施形態を、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００３８】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では一つの溝２０ａ内に一本のコンタクトピン１５が配されているのに対し、第２実施形態では、図８及び図９に示すように、ピン支持部１１８のセラミックス部材１２０に形成された各溝１２０ａ内に、コンタクトピン１５が複数本ずつ配される点である。なお、本実施形態では、コンタクトピン１５が２本ずつ溝１２０ａ内に配されている。
すなわち、本実施形態では、セラミックス部材１２０の各溝１２０ａ内にコンタクトピン１５が複数本ずつ配されることにより、ピン一つ配する場合の溝よりも溝幅を広げることができ、溝の加工がし易いと共に、組み立て作業性が向上する。
【００３９】
次に、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第３実施形態を、図１０を参照しながら説明する。
【００４０】
第３実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、溝２０ａの底面がパターン配線１３と平行な面とされているのに対し、第３実施形態では、図１０に示すように、ピン支持部２１８のセラミックス部材２２０に形成された溝２２０ａの底面は、コンタクトピン１５の基端側から先端側に向けてコンタクトピン１５側に傾斜して形成されている点である。
【００４１】
すなわち、本実施形態では、溝２２０ａの底面がコンタクトピン１５の基端側から先端側に向けてコンタクトピン１５側に傾斜し、パターン配線１３に対して傾斜した面とされていることにより、底面が傾斜面となって溝２２０ａ内に配されたコンタクトピン１５の先端が外側に向けて折り曲げられる。これによって、コンタクトピン１５の電極（パッド又はバンプ）への接触角をより大きく設定することができる。
【００４２】
次に、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第４実施形態を、図１１を参照しながら説明する。
【００４３】
第４実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、ピン支持部１８がバネ層１６と別体に設けられているのに対し、第４実施形態では、図１１に示すように、ピン支持部４１８がバネ層４１６の突出部４１６Ａに一体に予め形成されている点である。すなわち、本実施形態では、セラミックス部材を用いず、バネ層４１６の突出部４１６Ａ自体に溝４１６Ｂを形成しておき、この溝４１６Ｂ内にコンタクトピン１５を配している。したがって、本実施形態では、部品点数の削減及び組立作業の簡略化を図ることができる。
【００４４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第１から第３実施形態では、ピン支持部として、シリコンゴムとセラミックス部材とで構成された例を示したが、シリコンゴムに代えて収縮可能な他の弾性体層であってもよく、またセラミックス部材に代えて他の非弾性体層であってもよい。
また、弾性体層である第１層１９Ａは、必ずしも設ける必要はないが、溝とコンタクトピンとの間に上記第１層のような弾性体層を設けておけば、弾性体層によりコンタクトピンに加わる荷重を吸収することができる。
【００４５】
また、上記各実施形態においては、ＩＣ用コンタクトプローブの製造方法に適用したが、他のものに採用しても構わない。例えば、ＩＣチップを内側に保持して保護し、ＩＣチップのバーンインテスト用装置等に搭載されるＩＣチップテスト用ソケットに用いるコンタクトプローブやＬＣＤのテスト用プローブ装置用のコンタクトプローブに適用してもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明のコンタクトプローブ及びコンタクトプローブの製造方法によれば、ピン支持部のコンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝が形成されるので、熱膨張差などによりコンタクトピン間のピッチが変化しようとしても、コンタクトピンが溝内に拘束されてピッチが広がってずれることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブを示す要部斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図３】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブを示すパターン配線側から見た要部平面図である。
【図４】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、セラミックス部材を示す要部斜視図である。
【図５】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブが装着されるプローブ装置の分解斜視図である。
【図６】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブをメカニカルパーツに組み込んだ状態を示す要部断面図である。
【図７】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、バネ層被着工程におけるバネ層の突出部、ピン支持部及びコンタクトピン等を示す要部断面図である。
【図８】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第２実施形態において、コンタクトプローブを示すパターン配線側から見た要部平面図である。
【図９】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第２実施形態において、セラミックス部材を示す要部斜視図である。
【図１０】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第３実施形態において、コンタクトプローブを示す要部断面図である。
【図１１】本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第４実施形態において、コンタクトプローブを示す要部断面図である。
【図１２】本発明に係る従来例のコンタクトプローブを示す要部斜視図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図１４】本発明に係る従来例のコンタクトプローブを示すバネ層固定後のパターン配線側から見た要部平面図である。
【符号の説明】
１１コンタクトプローブ
１２フィルム本体
１２Ａ樹脂フィルム層
１２Ｂ金属フィルム層
１３パターン配線
１５コンタクトピン
１６バネ層
１６Ａ突出部
１７接着剤
１８ピン支持部
１９シリコンゴム
２０セラミックス
２０ａ溝[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention is used as a probe pin, a socket pin, and the like, and is a contact probe that is incorporated in a probe card, a test socket, etc., and makes electrical tests by contacting each terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device, etc. Regarding the method.
[0002]
[Prior art]
In general, a contact pin is used to perform an electrical test by contacting each terminal of a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or an LCD (liquid crystal display).
In recent years, with the high integration and miniaturization of IC chips and the like, the pitch of contact pads, which are electrodes, has been reduced, and there has been a demand for a narrower pitch of contact pins.
However, with a tungsten needle contact probe used as a contact pin, it is difficult to cope with a narrow multi-pin pitch due to the limit of the diameter of the tungsten needle.
[0003]
On the other hand, for example, Japanese Patent Publication No. 7-82027 discloses a contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a resin film, and tips of these pattern wirings are arranged in a protruding state from the resin film. The technology has been proposed.
In this technical example, the tip portions of a plurality of pattern wirings are used as contact pins to reduce the pitch of the multi-pins and eliminate the need for many complicated parts.
[0004]
As shown in FIGS. 12 and 13, the applicant of the present technology elastically contacts the contact pin 5 via the pin support portion 8 in order to prevent the contact pin 5 from being deformed or damaged by a load. A contact probe 1 having a supporting spring layer 6 is proposed.
This contact probe 1 has an elastic body layer 9 made of silicon rubber and a non-elastic body layer 10 made of ceramics as a pin support portion 8. The elastic body layer 9 absorbs a load, and each contact is made by the inelastic body layer 10. This is excellent in that a constant load can be applied to the pin 5.
[0005]
The contact probe 1 has a structure in which a pattern wiring 3 formed of Ni (nickel) or Ni alloy is attached to one surface of the film body 2, and the tip of the pattern wiring 3 is used as a contact pin 5. Yes. And the film main body 2 is comprised by laminating | stacking metal film layer 2B, such as Cu (copper) and Ni, on the polyimide resin film layer 2A as a ground. The spring layer 6 is fixed to the film body 2 with an adhesive 7.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In the contact probe having the spring layer having the pin support portion, when the spring layer and the film body are bonded, the adhesive is cured by fixing at a high temperature to fix the spring layer. Due to the difference in thermal expansion coefficient between the body layer and the film body, there is a disadvantage that the pitch between the contact pins is shifted after fixing, as shown in FIG.
[0007]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a contact probe that can prevent pitch deviation between contact pins and a method for manufacturing the contact probe.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention employs the following configuration in order to solve the above problems. That is, the contact probe of the present invention is a contact probe in which a plurality of pattern wirings are deposited on the surface of the film body, and each tip portion of these pattern wirings is a contact pin, and a spring layer is formed on the back surface of the film body. And the spring layer is arranged in a protruding state from the tip of the film body, and a pin support portion is provided between the protruding portion of the spring layer and the contact pin. , have a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins on the surface located on the contact pin side, a bottom surface of the groove is inclined to the contact pin side toward the tip side from the base end side of the contact pin The height of the side wall of the groove is formed so as to decrease from the proximal end side to the distal end side of the contact pin .
[0009]
In this contact probe, the pin support portion has a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins on the surface located on the contact pin side. Therefore, even if the pitch between the contact pins changes due to a difference in thermal expansion or the like, the contact pins Is restrained in the groove, and the pitch can be prevented from spreading and shifting.
[0010]
The method for manufacturing a contact probe of the present invention is a method for manufacturing a contact probe in which a plurality of pattern wirings are deposited on the surface of a film body, and each tip portion of these pattern wirings is used as a contact pin. A contact pin forming step in which wiring is deposited on the surface of the film body and each tip portion of the pattern wiring is used as a contact pin; a spring layer deposition step in which a spring layer is deposited on the back surface of the film body; A pin fixing step in which the support portion is arranged in a protruding state from the tip portion of the film main body and the adhesive is heat-cured after being applied with an adhesive between the protruding portion of the spring layer and the contact pin; The pin support portion has a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins on the surface located on the contact pin side before heat curing in the pin fixing step. And By forming the bottom surface of the groove, and that to be formed to be inclined to the contact pin side toward the tip side from the base end side of the contact pin, the height of the side walls of said groove, said The contact pin is formed so as to become lower from the proximal end side toward the distal end side .
[0011]
In this contact probe manufacturing method, a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins are formed on the surface of the pin support portion located on the contact pin side before heat curing in the pin fixing step. Even if a difference in thermal expansion occurs between the pin support portion and the film body due to heating, the contact pin is fixed in a state of being regulated in the groove. Therefore, it is possible to prevent the pitch deviation between the pins from occurring when the pin support portion is fixed.
[0012]
Further, the contact probe of the present invention employs a technique in which a plurality of contact pins are arranged in each groove of the pin support portion. That is, in this contact probe, a plurality of contact pins are arranged in each groove of the pin support portion, so that the groove width can be wider than the groove in the case of arranging one pin, and the groove is processed. It is easy and the assembly workability is improved. Note that the grooves may be formed according to the pitch between the contact pins even if the groove width is such that a plurality of pins are arranged in this way.
[0013]
The contact probe of the present invention employs a technique in which the bottom surface of the groove is formed to be inclined toward the contact pin side from the proximal end side to the distal end side of the contact pin. The contact probe manufacturing method of the present invention employs a technique in which the bottom surface of the groove is formed to be inclined toward the contact pin side from the proximal end side to the distal end side of the contact pin.
Further, the contact probe of the present invention employs a technique in which the height of the side wall of the groove is reduced from the proximal end side to the distal end side of the contact pin . The contact probe manufacturing method of the present invention employs a technique in which the height of the side wall of the groove is formed so as to decrease from the proximal end side to the distal end side of the contact pin .
[0014]
That is, in these contact probes and contact probe manufacturing methods, the bottom surface of the groove is inclined toward the contact pin side from the proximal end side to the distal end side of the contact pin, so that the bottom surface becomes an inclined surface. The front end of the contact pin arranged in the groove is bent outward. As a result, the contact angle of the contact pin with the electrode can be set larger.
[0015]
In the contact probe of the present invention, it is preferable that an elastic layer is provided between the groove and the contact pin. That is, in this contact probe, since the elastic body layer is provided between the groove and the contact pin, the load applied to the contact pin by the elastic body layer can be absorbed.
[0016]
In addition, the contact probe manufacturing method of the present invention employs a technique in which the groove is formed by laser processing in which a surface positioned on the contact pin side is masked and a non-masked portion is irradiated with laser light. . In other words, in this contact probe manufacturing method, a plurality of grooves can be simultaneously processed by forming a groove by laser processing that irradiates a laser beam to a portion that is not masked by applying a mask to the surface located on the contact pin side. At the same time, more precise and fine groove processing can be performed.
[0017]
The contact probe manufacturing method of the present invention employs a technique for forming the groove by machining with a dicing blade. That is, in this contact probe manufacturing method, the grooves are formed by machining with a dicing blade, so that the grooves with the inclined surfaces of the grooves and the bottom surface can be processed with higher accuracy and finer grooves. .
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a first embodiment of a contact probe and a manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to FIGS.
In these drawings, reference numeral 11 denotes a contact probe, 12 denotes a film body, and 13 denotes a pattern wiring.
[0019]
The contact probe of this embodiment is a type that is cut out in a predetermined shape as an IC probe, and is a type in which the contact pin is inclined downward and supported by the probe device.
As shown in FIGS. 1 and 2, the contact probe 11 has a two-layer structure of a resin film layer 12A such as polyimide and a metal film layer 12B such as Cu (copper), and has a substantially home base shape. In the formed film body 12, a plurality of pattern wirings 13 made of Ni-based alloy or the like are adhesive on the surface of the film body 12 (on the resin film layer 12 </ b> A side and the lower surface of the film body 12 in FIGS. 1 and 2). 14, and the tip of each pattern wiring 13 is a contact pin 15.
[0020]
A spring layer 16 is applied to the back surface of the film body 12 (the top surface of the film body 12 in FIGS. 1 and 2), and the spring layer 16 is projected to a position facing the back surface of the contact pin 15. It has been. Further, the spring layer 16 is formed of a thin plate (for example, a thickness of about 200 μm) made of spring steel such as a SUP material defined in JIS G 4801, for example, and as shown in FIG. By attaching the liquid film or sheet-like adhesive 17 to the metal film layer 12B located on the back surface side of the film, the protruding portion 16A at the tip thereof faces the back surface of the contact pin 15 from the tip portion of the film body 12. Projected to the position. In this case, the contact pin 15 in this embodiment has a thickness and width of about 50 μm, for example, and the length from the tip of the film body 12 to the tip of the contact pin 15 is about 550 μm. The protrusion 16A of the spring layer 16 has a corresponding length.
[0021]
Further, a pin support portion 18 is interposed in a space located between the spring layer 16 and the back surface of the contact pin 15, and the pin support portion 18 has a spring layer as shown in FIGS. 1 and 2. The silicon rubber 19 as an elastic body layer which is interposed between the 16 protrusions 16A and the contact pin 15 and can be contracted, and the ceramic member 20 as an inelastic body layer embedded in the silicon rubber 19 It is set as the composition. The ceramic member 20 constituting the inelastic layer is made of silicon nitride, aluminum nitride, or the like.
[0022]
Furthermore, as shown in FIGS. 3 and 4, the ceramic member 20 has a plurality of grooves 20 a in which the contact pins 15 are arranged on the surface located on the contact pin 15 side. That is, the grooves 20a are formed in accordance with the pitch P between the contact pins 15, and each contact pin 15 is fixed in a state of being fitted in the groove 20a.
[0023]
In this embodiment, for example, the protrusion 16A of the spring layer 16 and the back surface of the contact pin 15 are located at a distance of about 165 to 200 μm, and the protrusion 16A of the spring layer 16 and the contact pin A ceramic member 20 having a thickness of about 130 to 140 μm is embedded in a silicon rubber 19 filled in a space between the back surface 15 and the back surface 15.
[0024]
In addition, the ceramic member 20 and the spring layer 16 are separated by a distance of about 25 microns, and the ceramic member 20 and the back surface of the contact pin 15 are separated by a distance of about 10 to 20 μm. The gap between the contact pins 15 and the ceramic member 20 and the gap between the ceramic member 20 and the protruding portion 16A of the spring layer 16 are filled with silicon rubber 19. As shown in FIG. 2, the ceramic member 20 and the front end surface of the film main body 12 are separated by a gap of about 50 μm, for example, and filled with the silicon rubber 19 in the same manner. .
[0025]
That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the silicon rubber 19 includes a first layer 19A (an elastic layer positioned on the contact pin 15 side) disposed between the back surface of the contact pin 15 and the ceramic member 20. The communicating portion 19C located between the ceramic member 20 and the second layer 19B (an elastic layer located on the protruding portion 16A side of the spring layer 16) disposed between the protruding portion 16A of the spring layer 16 The first layer 19A and the second layer 19B are communicated with each other. That is, the ceramic member 20 is disposed so as to be sandwiched between the first layer 19A and the second layer 19B of the silicon rubber 19, and the communication of the silicon rubber 19 located between the ceramic member 20 and the film body 12 is established. The assembly error can be absorbed by the portion 19C.
[0026]
Further, the silicon rubber 19 and the ceramic member 20 constituting the pin support portion 18 are supplied from a device for confirming the connection between the contact pin 15 and a pad (or bump) such as a semiconductor chip in the electrical test by the contact probe 11. The light is irradiated toward the periphery of the contact pin 15 and is preferably colored black so that the light can be absorbed.
[0027]
For example, as shown in FIG. 5, the contact probe 11 is incorporated in mechanical parts such as a mounting base 505, a top clamp 506, and a bottom clamp 507, and is positioned and attached to a printed circuit board 508 to form a probe device. . In this attached state, as shown in FIG. 6, the contact probe 11 is supported by being inclined so that the contact pin 15 at the tip thereof faces downward, and the tip of each contact pin 15 is, for example, a semiconductor chip. By being brought into contact with pads (or bumps) 509a as electrode terminals provided on the periphery of the upper surface of 509, an electrical test of the semiconductor chip 509 and the like can be performed via the pattern wiring 13 and the wiring of the printed board 508. Done.
[0028]
Next, the manufacturing method of the contact probe 11 of this embodiment is demonstrated below.
[0029]
[Groove formation process]
First, as shown in FIG. 4, a plurality of grooves 20a in which the contact pins 15 are arranged are formed in advance on the surface of the ceramic member 20 on the contact pin 15 side, as shown in FIG. Keep it.
At this time, a method of forming the groove 20a by machining the surface of the pin support portion 18 on the contact pin 15 side with a dicing blade of a fine groove processing machine (such as a dicer), or a surface positioned on the contact pin 15 side. For example, a method of forming a groove 20a by performing laser processing to irradiate a laser beam to an unmasked portion and applying a mask to the unmasked portion. In addition, according to the said laser processing, while being able to process a some groove | channel simultaneously, highly accurate and fine processing is possible. Further, according to the machining by the dicing blade, in the machining of the groove and the groove whose bottom surface is an inclined surface, it is possible to carry out a highly accurate and fine groove machining as compared with laser machining or the like.
[0030]
[Contact pin formation process]
On the other hand, a plurality of pattern wirings 13 formed on the supporting metal plate by plating using a mask technique are attached to the surface of the film body 12 with an adhesive 14. At this time, each tip portion of the pattern wiring 13 protrudes from the film main body 12 and is attached so as to become the contact pin 15. Thereafter, the pattern wiring 13 is peeled off together with the film main body 12 from the supporting metal plate, and the pattern wiring 13 and the film main body 12 are configured.
[0031]
[Spring layer application process and pin fixing process]
Next, as shown in FIG. 7, silicon rubber 19 is applied to the back side of the contact pin 15, a ceramic member 20 is embedded in the silicon rubber 19, and the silicon rubber is also formed above the ceramic member 20. 19 is applied and the spring layer 16 is adhered to the back surface of the silicon rubber 19 and the film body 12, so that the silicon rubber 19 and the ceramic member 20 are interposed between the back surface of the contact pin 15 and the protruding portion 16 </ b> A of the spring layer 16. Is installed. When the silicon rubber 19 is heated and cured in this state, the silicon rubber 19 is bonded to the back surface of the contact pin 15 and is also bonded to the protruding portion 16 </ b> A of the spring layer 16.
[0032]
Before performing the heat curing in this step, the position is adjusted so that each contact pin 15 is disposed in the groove 20a of the ceramic member 20, and in this state, the silicon rubber 19 is cured to thereby form the spring layer 16 and the pin. The support portion 18 and the contact pin 15 are fixed to each other. At this time, even if a difference in thermal expansion occurs between the ceramic member 20 and the film body 12 due to heating, the contact pin 15 is restrained by the groove 20a. Can be prevented from shifting.
[0033]
The thickness between the metal film layer 12B of the film body 12 and the spring layer 16 is appropriately adjusted by changing the thickness of the liquid or sheet-like adhesive 17, for example.
Further, since the silicon rubber 19 has fluidity, it enters into the gaps between the contact pins 15 from the back surface side of the contact pins 15, but by removing unnecessary portions of the silicon rubber 19 that has entered by laser processing or the like. The lower surface side of the first layer 19A of the silicon rubber 19 is aligned.
[0034]
As described above, when the silicon rubber 19 in which the ceramic member 20 is embedded is applied to the back surface side of the contact pin 15 and the spring layer 16 is further deposited thereon, the back surface of the contact pin 15 and the protruding portion 16A of the spring layer 16 are applied. The silicon rubber 19 in which the ceramic member 20 is embedded is bonded between the contact probe 11 and the contact probe 11.
[0035]
In the present embodiment, the ceramic member 20 of the pin support portion 18 has a plurality of grooves 20a in which the contact pins 15 are arranged on the surface located on the contact pin 15 side. Even if the pitch is about to change, it is possible to prevent the contact pin 15 from being restrained in the groove 20a and spread and shifted.
[0036]
Further, the pin support portion 18 is configured such that the ceramic member 20 is embedded in the silicon rubber 19, so that the load acting on the contact pin 15 is different from the case where only the silicon rubber 19 is interposed. While being able to transmit reliably to the protrusion part 16A of the spring layer 16 via the ceramic member 20, it is possible to apply a certain load to the contact pin 15, so that the spring layer 16 is securely pressed against the contact pin 15. And can maintain good contactability.
In addition, since the spring layer 16 is elastically deformed and the pin support portion 18 is contracted, the contact pin 15 can be strongly pressed against the pad (or bump) to increase the needle pressure. The advantage that stable contact property can be ensured as compared with the case of providing the above can also be obtained.
[0037]
Next, a second embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to FIGS.
[0038]
The difference between the second embodiment and the first embodiment is that one contact pin 15 is arranged in one groove 20a in the first embodiment, whereas in the second embodiment, FIG. As shown in FIG. 9, a plurality of contact pins 15 are arranged in each groove 120 a formed in the ceramic member 120 of the pin support portion 118. In the present embodiment, two contact pins 15 are arranged in the groove 120a.
That is, in the present embodiment, by arranging a plurality of contact pins 15 in each groove 120a of the ceramic member 120, the groove width can be wider than the groove when one pin is arranged, and the groove processing As well as easy assembly, the assembly workability is improved.
[0039]
Next, a third embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to FIG.
[0040]
The difference between the third embodiment and the first embodiment is that in the first embodiment, the bottom surface of the groove 20a is a plane parallel to the pattern wiring 13, whereas in the third embodiment, FIG. As shown, the bottom surface of the groove 220a formed in the ceramic member 220 of the pin support portion 218 is formed so as to be inclined toward the contact pin 15 side from the proximal end side to the distal end side of the contact pin 15. .
[0041]
That is, in the present embodiment, the bottom surface of the groove 220a is inclined to the contact pin 15 side from the proximal end side to the distal end side of the contact pin 15 and is inclined to the pattern wiring 13, whereby the bottom surface Becomes the inclined surface, and the tip of the contact pin 15 disposed in the groove 220a is bent outward. Thereby, the contact angle of the contact pin 15 with respect to the electrode (pad or bump) can be set larger.
[0042]
Next, a fourth embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described with reference to FIG.
[0043]
The difference between the fourth embodiment and the first embodiment is that, in the first embodiment, the pin support portion 18 is provided separately from the spring layer 16, whereas in the fourth embodiment, FIG. As shown, the pin support portion 418 is integrally formed in advance with the protruding portion 416A of the spring layer 416. That is, in this embodiment, a groove 416B is formed in the protrusion 416A itself of the spring layer 416 without using a ceramic member, and the contact pin 15 is disposed in the groove 416B. Therefore, in the present embodiment, the number of parts can be reduced and the assembling work can be simplified.
[0044]
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the first to third embodiments, an example in which the pin support portion is configured by silicon rubber and a ceramic member has been described. However, other elastic body layers that can contract instead of silicon rubber may be used. Moreover, it may replace with a ceramic member and another inelastic body layer may be sufficient.
The first layer 19A, which is an elastic body layer, is not necessarily provided, but if an elastic body layer such as the first layer is provided between the groove and the contact pin, the elastic body layer serves as a contact pin. The applied load can be absorbed.
[0045]
In each of the above embodiments, the present invention is applied to a method for manufacturing an IC contact probe. For example, the IC chip may be held and protected on the inside, and applied to a contact probe used for an IC chip test socket mounted on an IC chip burn-in test apparatus or a contact probe for an LCD test probe apparatus. Good.
[0046]
【The invention's effect】
The present invention has the following effects.
That is, according to the contact probe and the contact probe manufacturing method of the present invention, a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins are formed on the surface of the pin support portion located on the contact pin side. Even if the pitch between the contact pins is about to change, it is possible to prevent the contact pins from being constrained in the groove and the pitch from spreading out.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a main part of a contact probe according to a first embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
FIG. 3 is a plan view of a main part as seen from the pattern wiring side showing the contact probe in the first embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 4 is a perspective view of a main part showing a ceramic member in the first embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 5 is an exploded perspective view of a probe device to which a contact probe is attached in the first embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a main part showing a state in which the contact probe is incorporated into a mechanical part in the first embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the main part showing the protruding portion of the spring layer, the pin support portion, the contact pin and the like in the spring layer deposition step in the first embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 8 is a plan view of a main part as seen from a pattern wiring side showing a contact probe in a second embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 9 is a perspective view of a main part showing a ceramic member in a second embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the principal part showing the contact probe in the third embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view of the principal part showing the contact probe in the fourth embodiment of the contact probe and the manufacturing method thereof according to the present invention.
FIG. 12 is a perspective view showing a main part of a conventional contact probe according to the present invention.
13 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
FIG. 14 is a plan view of a principal part viewed from the pattern wiring side after the spring layer is fixed, showing a conventional contact probe according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Contact probe 12 Film main body 12A Resin film layer 12B Metal film layer 13 Pattern wiring 15 Contact pin 16 Spring layer 16A Protrusion part 17 Adhesive 18 Pin support part 19 Silicon rubber 20 Ceramics 20a Groove

Claims

A contact probe in which a plurality of pattern wirings are deposited on the surface of the film body, and each tip of these pattern wirings is a contact pin,
A spring layer is attached to the back surface of the film body, the spring layer is arranged in a protruding state from the tip of the film body, and a pin support portion is provided between the protruding portion of the spring layer and the contact pin. Provided,
The pin support portion, have a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins on the surface located on the contact pin side,
The bottom surface of the groove is formed to be inclined toward the contact pin side from the proximal end side to the distal end side of the contact pin,
The contact probe according to claim 1, wherein a height of a side wall of the groove is formed so as to decrease from a proximal end side to a distal end side of the contact pin .

The contact probe according to claim 1,
A contact probe characterized in that a plurality of the contact pins are arranged in each groove of the pin support portion.

The contact probe according to claim 1 or 2 ,
An elastic probe layer is provided between the groove and the contact pin.

A method of manufacturing a contact probe in which a plurality of pattern wirings are deposited on the surface of a film body, and each tip of these pattern wirings is a contact pin,
A contact pin forming step in which the plurality of pattern wirings are deposited on the surface of the film body, and the tip portions of these pattern wirings are contact pins;
A spring layer deposition step of depositing a spring layer on the back surface of the film body;
And a pin fixing step in which the pin support portion is arranged in a protruding state from the tip end portion of the film body, and the adhesive is heated and cured after being applied with an adhesive between the protruding portion of the spring layer and the contact pin. ,
In the pin support portion, a plurality of grooves corresponding to the pitch of the contact pins are formed on the surface located on the contact pin side before heat curing in the pin fixing step ;
Inclining the bottom surface of the groove to the contact pin side from the proximal end side to the distal end side of the contact pin,
A method of manufacturing a contact probe , wherein the height of the side wall of the groove is reduced from the proximal end side to the distal end side of the contact pin .

In the manufacturing method of the contact probe according to claim 4 ,
A method of manufacturing a contact probe, wherein the groove is formed by laser processing in which a mask is applied to a surface located on the contact pin side and a portion not masked is irradiated with laser light.

In the manufacturing method of the contact probe according to claim 4 ,
A method of manufacturing a contact probe, wherein the groove is formed by machining with a dicing blade.