JP2003233197A - レジスト膜のパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩留り
を向上して生産可能なレジスト膜のパターン形成方法を
提供する。 【解決手段】レジスト膜のパターンの形成面上に、紫外
線などの第１の波長の光に感光する第１レジスト膜１２
を形成し、次に、第１レジスト膜１２上に、第１の波長
の光に対して不透過性であり、第１の波長と異なる可視
光などの第２の波長の光に感光する第２レジスト膜１３
を形成する。次に、第２の波長の光により、液晶マスク
を用いて、第２レジスト膜１３をパターン露光し、第２
レジスト膜１３を現像する。次に、第１の波長の光によ
り、現像された第２レジスト膜１３ａをマスクとして、
第１レジスト膜１２をパターン露光し、第２レジスト膜
１３ａを除去し、第１レジスト膜１２を現像する。上記
の工程により、レジスト膜のパターンの形成面上にレジ
スト膜をパターン形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジスト膜のパタ
ーン形成方法に関し、特にプリント配線基板を製造する
工程において、基板上の被加工導電層をパターンエッチ
ングして配線部をパターン形成する工程におけるマスク
となるレジスト膜をパターン形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化および高機
能化に対する要求に伴い、半導体装置の素子構造の微細
化が進展している。これに対応して、半導体装置を実装
するプリント配線基板の配線部においても微細化に対す
る要求が高まり、研究開発が行われている。

【０００３】上記の微細なパターンのプリント配線部を
形成するためのレジスト膜のパターン形成方法として
は、例えば、プラスチック基板などの基板上に形成され
た被加工導電層の上層にレジスト膜を成膜し、露光パタ
ーンが形成されたガラスマスクを用いた接触露光により
パターン露光し、現像する方法が広く行われている。ま
た、ステッパーに代表される非接触露光によりパターン
露光し、現像する方法も広く行われている。

【０００４】さらに、レーザビームを用いた直接描画装
置によりパターン露光し、現像する方法も知られてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
接触露光によるレジスト膜のパターン形成方法では、プ
ラスチック基板上の被加工導電層の上層に形成する場
合、基板そのものの寸法が温室度などの外部雰囲気によ
って変化してしまうことや、表面に微小な凹凸が存在し
ていることから、高価なガラスマスクを用いても、基板
の寸法の変化によりパターン形成したレジスト膜の寸法
が合わなかったり、表面の微小な凹凸により光が回り込
んで露光した領域が滲んでしまい、微細なパターン形成
が困難となっていた。

【０００６】また、上記の非接触露光によるレジスト膜
のパターン形成方法では、上記と同様に高価なガラスマ
スクを用いており、機種変更の際にマスクを交換する必
要があるので製造コストが高くなっていた。

【０００７】また、上記のレーザビームを用いた直接描
画によるレジスト膜のパターン形成方法では、作画する
のに長い時間を要するので、生産性が低下してしまうと
いう問題があった。この問題を回避するために、レジス
ト膜を薄くすることもあるが、これでは被エッチング物
がプラスチック基板のように凹凸がある表面の場合に
は、レジスト膜が表面形状に追従できず、歩留りが低下
しやすいという問題が生じる。

【０００８】また、単に可視光感光性のレジスト膜を用
いて、露光、現像し、エッチングする方法も考えられる
が、可視光はエネルギーレベルが低いので感光膜を薄く
する必要があり、この場合にはプラスチック基板の凹凸
に追従しづらくなってしまう。逆に、感光膜を厚くする
と、露光時間が長くなり、生産性も悪くなってしまう。

【０００９】また、可視光感光性のレジスト膜をメッキ
レジスト膜として使用する場合も、同様に、可視光感光
性のレジスト膜のメッキ液耐性を確保するためには、膜
厚を厚くして、高エネルギーレベルの露光が必要とな
り、生産性が悪い。また、薄くすると、メッキレジスト
膜としてのダムが不足すると同時に、メッキ液耐性を確
保できない。

【００１０】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、高価なガラスマスクを使わず、
生産性や歩留りを向上して生産可能なレジスト膜のパタ
ーン形成方法を提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、レジス
ト膜のパターンの形成面上に、第１の波長の光に感光す
る第１レジスト膜を形成する工程と、上記第１レジスト
膜の上方に、上記第１の波長の光に対して不透過性であ
り、上記第１の波長と異なる第２の波長の光に感光する
第２レジスト膜を形成する工程と、上記第２の波長の光
により、液晶マスクを用いて、上記第２レジスト膜をパ
ターン露光する工程と、上記第２レジスト膜を現像する
工程と、上記第１の波長の光により、上記現像された第
２レジスト膜をマスクとして、上記第１レジスト膜をパ
ターン露光する工程と、上記第２レジスト膜を除去する
工程と、上記第１レジスト膜を現像する工程とを有し、
上記レジスト膜のパターンの形成面上にレジスト膜をパ
ターン形成する。

【００１２】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、好適には、上記第１の波長の光が紫外光領域の
光であり、上記第２の波長の光が可視光領域の光であ
る。

【００１３】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、好適には、上記第２レジスト膜をパターン露光
する工程においては、上記液晶マスクを用いて、直接投
影法により露光する。あるいは好適には、上記第２レジ
スト膜をパターン露光する工程においては、上記液晶マ
スクを用いて、ホログラム法により露光する。あるいは
好適には、上記第２レジスト膜をパターン露光する工程
においては、上記液晶マスクを用いて、位相コントラス
ト法により露光する。

【００１４】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、好適には、上記第１の波長の光に感光する第１
レジスト膜を形成する工程の前に、上記レジスト膜のパ
ターンの形成面の寸法を測定する工程をさらに有し、上
記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、
上記測定したレジスト膜のパターンの形成面の寸法にパ
ターンが適合するように、上記液晶マスクのパターン寸
法を調節して露光する。

【００１５】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、好適には、上記第２レジスト膜を除去する工程
と、上記第１レジスト膜を現像する工程とを同時に行
う。

【００１６】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、好適には、上記第１レジスト膜を形成する工程
においては、少なくとも上記第１の波長の光に対して透
過性であるカバーフイルム付きのレジスト膜を当該レジ
スト膜側から貼り合わせ、上記第２レジスト膜を形成す
る工程においては、上記カバーフイルム上に形成し、上
記第１レジスト膜をパターン露光する工程においては、
上記カバーフイルムを透過させて露光し、上記第２レジ
スト膜を除去する工程においては、上記カバーフイルム
と同時に除去する。

【００１７】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、好適には、上記レジスト膜のパターンの形成面
が、基板に設けられた導電膜の表面である。さらに好適
には、上記基板がリール状に巻き取られたフレキシブル
基板であり、上記リールから引き出して、リールへ巻き
取りながら、上記各工程を行う。

【００１８】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、好適には、上記液晶マスクのパターンとして、
当該液晶マスクの画素ピッチ格子の設計を行い、上記パ
ターンとする。

【００１９】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法は、レジスト膜のパターンの形成面上に、第１の波
長の光に感光する第１レジスト膜を形成し、次に、第１
レジスト膜の上方に、第１の波長の光に対して不透過性
であり、第１の波長と異なる第２の波長の光に感光する
第２レジスト膜を形成する。次に、第２の波長の光によ
り、液晶マスクを用いて、第２レジスト膜をパターン露
光し、第２レジスト膜を現像する。次に、第１の波長の
光により、現像された第２レジスト膜をマスクとして、
第１レジスト膜をパターン露光し、第２レジスト膜を除
去し、第１レジスト膜を現像する。上記の工程により、
被パターン加工面上にエッチングマスクとなるレジスト
膜をパターン形成する。

【００２０】上記の本発明のレジスト膜のパターン形成
方法によれば、第２レジスト膜の露光には液晶マスクを
用いており、また、第１レジスト膜の露光には第２レジ
スト膜をマスクとして用いており、高価なガラスマスク
が不要である。また、実際にエッチングやメッキのマス
クとして用いられるのは第１レジスト膜であるので、第
２レジスト膜は紫外線を遮蔽しうる限り、薄く形成して
もよい。一方、第１レジスト膜は、紫外光領域の光に感
光するレジスト膜を採用することで、膜厚を厚く形成す
る場合においても高エネルギーレベルの露光を行うこと
が可能で、生産性を高めることができる。従って、高価
なガラスマスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生
産することが可能である。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に、本実施形態のレジスト膜
のパターン形成方法の実施の形態について図面を参照し
て説明する。

【００２２】第１実施形態 図１（ａ）は、本実施形態のレジスト膜のパターン形成
方法を用いて製造したプリント配線基板の平面図であ
り、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＸ−Ｘ’に沿った断面
図である。例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やそ
の他の樹脂などからなる絶縁性の基板１０の一方の面
に、配線パターンに加工された、銅などからなる配線部
１１ａが形成されている。

【００２３】本実施形態のレジスト膜のパターン形成方
法を用いた上記のプリント配線基板の製造方法につい
て、図面を参照して説明する。まず、図２（ａ）に示す
ように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やその他の樹
脂などからなる絶縁性の基板１０の一方の面に、例えば
銅箔などの導電層１１を数〜数１０μｍの膜厚で形成す
る。導電層１１を形成する方法は、張り付け、メッキ、
気相成長など、どのような方法でも可能である。上記の
導電層１１が形成された基板１０に対して、測長装置２
０により基板毎に基準マーク間距離を測定し、補正率を
算出する。

【００２４】次に、図２（ｂ）に示すように、紫外線硬
化型レジスト材料を塗布して、第１レジスト膜１２を形
成する。紫外線硬化型レジスト材料としては、例えば東
京応化工業（株）社製「ＴＳＧＧＲシリーズ」あるいは
太陽インキ（株）社製「ＡＳシリーズ」などを用いるこ
とができ、スピンコート法、スクリーン印刷法あるいは
カーテンコート法などにより塗布して成膜することがで
きる。

【００２５】次に、図２（ｃ）に示すように、可視光硬
化型レジスト材料をスピンコート法、スクリーン印刷
法、ロールコート法あるいはカーテンコート法などによ
り塗布して、例えば５〜１０μｍの膜厚で第２レジスト
膜１３を形成する。可視光硬化型レジスト材料として
は、感光性樹脂、光反応開始剤、光増感剤、および、紫
外線遮蔽能を有する酸化チタンあるいは炭酸カルシウム
の微粒子などを含有する。

【００２６】上記の感光性樹脂としては、例えば、ポリ
ビニルアルコール樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ポリ
ビニルピロリドン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、
ポリエステル樹脂、ヒダントイン含有樹脂などの樹脂で
あって、例えば少なくとも２つの不飽和結合が導入され
て感光性を示す樹脂を用いることができる。必要に応じ
て、アクリルモノマー、ビニルモノマーなどの少なくと
も１つの不飽和結合を有する化合物を併用してもよい。
感光性樹脂としては、上述の樹脂以外の樹脂を用いるこ
とも可能である。

【００２７】上記の光反応開始剤としては、可視光部に
大きな吸収を有する光開始剤であって、例えば、ベンジ
ル、α−ナフチル、アセナフタン、４，４’−ジメトキ
シベンジル、４，４’−ジシクロベンジルなどのベンジ
ル化合物、カンファーキノンなどのキノン化合物、２−
クロルチオキサントン、２，４−ジエトキシチオキサン
トン、メチルチオキサントンなどのチオキサントン化合
物、トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキ
サイドなどのアシルフォスフィンオキサイド系化合物な
どを用いることができる。

【００２８】上記の光増感剤としては、ジメチルアミノ
エチルメタクリレート、４−ジメチルアミノ安息香酸イ
ソアミル、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミンなどの
アミン系化合物、トリエチル−ｎ−ブチルフォスフィン
などのフォスフィン系化合物、可視光部に吸収を持つ色
素類を用いることができる。

【００２９】上記の紫外線遮蔽能を有する酸化チタンあ
るいは炭酸カルシウムの微粒子は、平均粒子サイズが
０．１μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以下である。
平均粒子サイズが大きすぎると、紫外線だけでなく可視
光も遮蔽してしまうので好ましくない。紫外線を十分に
遮蔽するために、上記レジスト材料中の上記の酸化チタ
ンあるいは炭酸カルシウムの微粒子の混合割合は、例え
ば、第２レジスト膜１３としての膜厚が５μｍ程度のと
きには３０重量％以上、膜厚が１０μｍ程度のときには
１５重量％以上とする。

【００３０】上記のように第２レジスト膜１３を成膜し
た後、図３（ａ）に示すように、液晶マスク２１をマス
クとして、波長が４３６〜５３２ｎｍ、例えば５１４ｎ
ｍの可視光レーザＶＩＳを照射し、露光する。このとき
の露光波長は、第２レジスト膜中に含まれる光反応開始
剤の吸収波長に応じて、最適な波長を選択することがで
きる。露光パターンの形成法としては、直接投影法、ホ
ログラム法あるいは位相コントラスト法などの利用が可
能である。ここで、上述の測長装置２０により測定した
結果得られた補正率から、レジスト膜のパターンの形成
面である導電層１１の形成面の寸法にパターンが適合す
るように、液晶マスク２１に描画されるパターン寸法を
調節して露光する。上記の露光により、露光された領域
の第２レジスト膜１３ａは硬化して、現像しても除去さ
れない領域となるが、未露光領域の第２レジスト膜１３
ｂは硬化しておらず、現像処理で除去されることにな
る。

【００３１】液晶マスクによる描画は、露光パターンの
サイズが可変となり、被露光物を一枚づつ測長し、寸法
を合わせて露光することができるので、従来よりも高い
アライメント精度が得られる。液晶を用いた光源の微細
化には、高画素数の液晶が必要であるが、これを補う方
法として、設計ルールとして従来からあるミリ格子やイ
ンチ格子設計ではなく、液晶の画素ピッチ格子の設計を
行う。

【００３２】上記のように露光した後、図３（ｂ）に示
すように、現像処理を施して未露光部分を溶解させる。
これにより、露光されて硬化した領域の第２レジスト膜
１３ａがレジストパターンとして残される。現像液とし
ては、下地の第１レジスト膜１２への影響を考えると水
を用いることが好ましく、例えば流水で１０〜２０秒間
処理、あるいは水を１０〜６０秒スプレー処理すること
で行う。

【００３３】次に、図４（ａ）に示すように、使用する
第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な露光波長お
よび露光量により、例えば３６５ｎｍの波長の紫外線Ｕ
Ｖを全面に照射し、露光する。第２レジスト膜１３ａは
上記のように酸化チタンあるいは炭酸カルシウムの微粒
子を含有しており、紫外線遮蔽能を有することから、紫
外線を照射してパターン露光するときのマスクとして第
２レジスト膜１３ａを用いることができる。上記の露光
により、露光された領域の第１レジスト膜１２ａは硬化
して、現像しても除去されない領域となるが、未露光領
域の第１レジスト膜１２ｂは硬化しておらず、現像処理
で除去されることになる。

【００３４】次に、図４（ｂ）に示すように、使用する
第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な現像処理を
施して未露光部分を溶解させる。これにより、露光され
て硬化した領域の第１レジスト膜１２ａがレジストパタ
ーンとして残される。この現像処理において、第２レジ
スト膜１３ａも同時に除去される。現像液としては、例
えば炭酸ナトリウム水溶液などを用いることができる。

【００３５】次に、図４（ｃ）に示すように、第１レジ
スト膜１２ａをマスクとするエッチング処理を施し、導
電層１１をパターニングして、配線部１１ａを形成す
る。以降の工程としては、例えば有機溶剤処理などによ
り、第１レジスト膜１２ａを除去し、図１に示す構成の
プリント配線基板を形成することができる。

【００３６】本実施形態に係るプリント配線基板の製造
方法に用いたレジスト膜のパターン形成方法によれば、
第２レジスト膜の露光には液晶マスクを用いており、ま
た、第１レジスト膜の露光には第２レジスト膜をマスク
として用いており、高価なガラスマスクやマスクフイル
ムなどの作成が不要となり、マスク形成のためのコスト
を節約できる。また、実際にエッチングのマスクとして
用いられるのは第１レジスト膜であるので、第２レジス
ト膜は紫外線を遮蔽しうる限り、薄く形成してもよい。
一方、第１レジスト膜は、紫外光領域の光に感光するレ
ジスト膜を採用することで、用途、厚さ、生産性に応じ
て樹脂の選択性が広く、膜厚を厚く形成する場合におい
ても高エネルギーレベルの露光を行うことが可能で、生
産性を高めることができる。このように、高価なガラス
マスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生産するこ
とが可能である。

【００３７】本実施形態に係るレジスト膜のパターン形
成方法は、固定マスクを使用しないため、機種切り替え
の際のマスクの交換作業が不要となる。特に、基板がリ
ール状に巻き取られたフレキシブル基板であり、このフ
レキシブル基板をリールから引き出して、リールへ巻き
取りながら、上記各工程を行う、いわゆるｒｅｅｌ ｔ
ｏ ｒｅｅｌ方式においてメリットが大きく、従来、機
種切り替えのために材料を無駄にしていたが、本実施形
態においては固定マスクを使用せずに液晶マスクのデー
タを変えるだけで速やかに機種変更が可能で、材料を無
駄なく使用することが可能となる。

【００３８】また、測長装置により基板毎に基準マーク
間距離を測定し、補正率を算出して、露光を行うので、
高精度の露光を行うことができる。

【００３９】第２実施形態 本実施形態のレジスト膜のパターン形成方法を用いて製
造したプリント配線基板は、図１に示す第１実施形態に
係るプリント配線基板と同様である。以下、本実施形態
のレジスト膜のパターン形成方法を用いた上記のプリン
ト配線基板の製造方法について、図面を参照して説明す
る。

【００４０】まず、図５（ａ）に示すように、エポキシ
樹脂などの熱硬化性樹脂やその他の樹脂などからなる絶
縁性の基板１０の一方の面に、例えば銅箔などの導電層
１１を数〜数１０μｍの膜厚で形成し、導電層１１が形
成された基板１０に対して、測長装置２０により基板毎
に基準マーク間距離を測定し、補正率を算出する。

【００４１】次に、図５（ｂ）に示すように、紫外線透
過性のカバーフイルム１４と紫外線硬化型レジスト材料
（第１レジスト膜１２）からなるドライフイルムレジス
ト１５を貼り合わせる。ドライフイルムレジストとして
は、例えば旭化成工業（株）社製「サンフォートシリー
ズ」あるいはニチゴーモートン（株）社製「ＮＩＴシリ
ーズ」などを用いることができる。

【００４２】次に、図５（ｃ）に示すように、カバーフ
イルム１４の上層に、可視光硬化型レジスト材料をスピ
ンコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法あるい
はカーテンコート法などにより塗布して、例えば５〜１
０μｍの膜厚で第２レジスト膜１３を形成する。可視光
硬化型レジスト材料としては、第１実施形態と同様の材
料を用いることができる。

【００４３】上記のように第２レジスト膜１３を成膜し
た後、図６（ａ）に示すように、液晶マスク２１をマス
クとして、波長が４００ｎｍ以上、例えば４３６〜５３
２ｎｍである可視光レーザＶＩＳを照射し、露光する。
このときの露光波長は、第２レジスト膜中に含まれる光
反応開始剤の吸収波長に応じて、最適な波長を選択する
ことができる。露光パターンの形成法としては、直接投
影法、ホログラム法あるいは位相コントラスト法などの
利用が可能である。ここで、上述の測長装置２０により
測定した結果得られた補正率から、レジスト膜のパター
ンの形成面である導電層１１の形成面の寸法にパターン
が適合するように、液晶マスク２１に描画されるパター
ン寸法を調節して露光する。上記の露光により、露光さ
れた領域の第２レジスト膜１３ａは硬化して、現像して
も除去されない領域となるが、未露光領域の第２レジス
ト膜１３ｂは硬化しておらず、現像処理で除去されるこ
とになる。

【００４４】液晶マスクによる描画は、露光パターンの
サイズが可変となり、被露光物を一枚づつ測長し、寸法
を合わせて露光することができるので、従来よりも高い
アライメント精度が得られる。液晶を用いた光源の微細
化には、高画素数の液晶が必要であるが、これを補う方
法として、設計ルールとして従来からあるミリ格子やイ
ンチ格子設計ではなく、液晶の画素ピッチ格子の設計を
行う。

【００４５】上記のように露光した後、図６（ｂ）に示
すように、現像処理として、例えば流水で１０〜２０秒
間の処理を行い、あるいは水を１０〜６０秒スプレー処
理して、未露光部分を溶解させる。これにより、露光さ
れて硬化した領域の第２レジスト膜１３ａがレジストパ
ターンとして残される。

【００４６】次に、図６（ｃ）に示すように、使用する
第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な露光波長お
よび露光量により、例えば３６５ｎｍの波長の紫外線Ｕ
Ｖを全面に照射し、露光する。第２レジスト膜１３ａは
上記のように酸化チタンあるいは炭酸カルシウムの微粒
子を含有しており、紫外線遮蔽能を有することから、紫
外線を照射してパターン露光するときのマスクとして第
２レジスト膜１３ａを用いることができる。上記の露光
により、カバーフイルム１４を透過した紫外線により露
光された領域の第１レジスト膜１２ａは硬化して、現像
しても除去されない領域となるが、未露光領域の第１レ
ジスト膜１２ｂは硬化しておらず、現像処理で除去され
ることになる。

【００４７】次に、図７（ａ）に示すように、カバーフ
イルム１４を第１レジスト膜１２との界面で剥離して除
去する。このとき、上記で露光マスクと用いられた第２
レジスト膜１３ａもカバーフイルム１４と一緒に除去さ
れる。

【００４８】次に、図７（ｂ）に示すように、使用する
第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な現像処理を
施して未露光部分を溶解させる。これにより、露光され
て硬化した領域の第１レジスト膜１２ａがレジストパタ
ーンとして残される。現像液としては、例えば炭酸ナト
リウム水溶液などを用いることができる。

【００４９】次に、図７（ｃ）に示すように、第１レジ
スト膜１２ａをマスクとするエッチング処理を施し、導
電層１１をパターニングして、配線部１１ａを形成す
る。以降の工程としては、例えば有機溶剤処理などによ
り、第１レジスト膜１２ａを除去し、図１に示す構成の
プリント配線基板を形成することができる。

【００５０】本実施形態に係るプリント配線基板の製造
方法に用いたレジスト膜のパターン形成方法によれば、
第１実施形態と同様に、高価なガラスマスクを使わず、
生産性や歩留りを向上して生産することが可能である。

【００５１】本発明は上記の実施形態に限定されない。
例えば、上記の実施形態においては、第１レジスト膜を
エッチングマスクとして用いている形態を示している
が、これに限らず、第１レジスト膜をメッキレジストと
して用いることも可能である。また、第１レジスト膜に
含有される材料は上記の材料に限定されず、同様な機能
を有する他の材料を用いることができる。その他、本発
明の要旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のレジスト
膜のパターン形成方法によれば、第２レジスト膜の露光
には液晶マスクを用いており、また、第１レジスト膜の
露光には第２レジスト膜をマスクとして用いており、高
価なガラスマスクが不要である。また、実際にエッチン
グやメッキのマスクとして用いられるのは第１レジスト
膜であるので、第２レジスト膜は紫外線を遮蔽しうる限
り、薄く形成してもよい。一方、第１レジスト膜は、紫
外光領域の光に感光するレジスト膜を採用することで、
膜厚を厚く形成する場合においても高エネルギーレベル
の露光を行うことが可能で、生産性を高めることができ
る。従って、高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩
留りを向上して生産することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）は、本実施形態のレジスト膜のパタ
ーン形成方法を用いて製造したプリント配線基板の平面
図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＸ−Ｘ’に沿っ
た断面図である。

【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は第１実施形態に係るレジ
スト膜のパターン形成方法を用いたプリント配線基板の
製造方法の工程を示す断面図である。

【図３】図３（ａ）および（ｂ）は図２の続きの工程を
示す断面図である。

【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は図３の続きの工程を示す
断面図である。

【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は第２実施形態に係るレジ
スト膜のパターン形成方法を用いたプリント配線基板の
製造方法の工程を示す断面図である。

【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は図５の続きの工程を示す
断面図である。

【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は図６の続きの工程を示す
断面図である。

【符号の説明】

１０…基板、１１…導電層、１１ａ…配線層、１２，１
２ａ，１２ｂ…第１レジスト膜、１３，１３ａ，１３ｂ
…第２レジスト膜、１４…カバーフイルム、１５…ドラ
イフイルムレジスト、２０…測長装置、２１…液晶マス
ク、ＶＩＳ…可視光レーザ、ＵＶ…紫外線。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】レジスト膜のパターンの形成面上に、第１
   の波長の光に感光する第１レジスト膜を形成する工程
   と、 上記第１レジスト膜の上方に、上記第１の波長の光に対
   して不透過性であり、上記第１の波長と異なる第２の波
   長の光に感光する第２レジスト膜を形成する工程と、 上記第２の波長の光により、液晶マスクを用いて、上記
   第２レジスト膜をパターン露光する工程と、 上記第２レジスト膜を現像する工程と、 上記第１の波長の光により、上記現像された第２レジス
   ト膜をマスクとして、上記第１レジスト膜をパターン露
   光する工程と、 上記第２レジスト膜を除去する工程と、 上記第１レジスト膜を現像する工程とを有し、 上記レジスト膜のパターンの形成面上にレジスト膜をパ
   ターン形成するレジスト膜のパターン形成方法。
2. 【請求項２】上記第１の波長の光が紫外光領域の光であ
   り、 上記第２の波長の光が可視光領域の光である請求項１に
   記載にレジスト膜のパターン形成方法。
3. 【請求項３】上記第２レジスト膜をパターン露光する工
   程においては、上記液晶マスクを用いて、直接投影法に
   より露光する請求項１に記載のレジスト膜のパターン形
   成方法。
4. 【請求項４】上記第２レジスト膜をパターン露光する工
   程においては、上記液晶マスクを用いて、ホログラム法
   により露光する請求項１に記載のレジスト膜のパターン
   形成方法。
5. 【請求項５】上記第２レジスト膜をパターン露光する工
   程においては、上記液晶マスクを用いて、位相コントラ
   スト法により露光する請求項１に記載のレジスト膜のパ
   ターン形成方法。
6. 【請求項６】上記第１の波長の光に感光する第１レジス
   ト膜を形成する工程の前に、上記レジスト膜のパターン
   の形成面の寸法を測定する工程をさらに有し、 上記第２レジスト膜をパターン露光する工程において
   は、上記測定したレジスト膜のパターンの形成面の寸法
   にパターンが適合するように、上記液晶マスクのパター
   ン寸法を調節して露光する請求項１に記載のレジスト膜
   のパターン形成方法。
7. 【請求項７】上記第２レジスト膜を除去する工程と、上
   記第１レジスト膜を現像する工程とを同時に行う請求項
   １に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
8. 【請求項８】上記第１レジスト膜を形成する工程におい
   ては、少なくとも上記第１の波長の光に対して透過性で
   あるカバーフイルム付きのレジスト膜を当該レジスト膜
   側から貼り合わせ、 上記第２レジスト膜を形成する工程においては、上記カ
   バーフイルム上に形成し、 上記第１レジスト膜をパターン露光する工程において
   は、上記カバーフイルムを透過させて露光し、 上記第２レジスト膜を除去する工程においては、上記カ
   バーフイルムと同時に除去する請求項１に記載のレジス
   ト膜のパターン形成方法。
9. 【請求項９】上記レジスト膜のパターンの形成面が、基
   板に設けられた導電膜の表面である請求項１に記載のレ
   ジスト膜のパターン形成方法。
10. 【請求項１０】上記基板がリール状に巻き取られたフレ
    キシブル基板であり、 上記リールから引き出して、リールへ巻き取りながら、
    上記各工程を行う請求項９に記載のレジスト膜のパター
    ン形成方法。
11. 【請求項１１】上記液晶マスクのパターンとして、当該
    液晶マスクの画素ピッチ格子の設計を行い、上記パター
    ンとする請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方
    法。