JP2003232948A - 光導波路の製造方法およびその製造方法を用いた光導波路デバイスならびに導波路型光合分波器 - Google Patents

光導波路の製造方法およびその製造方法を用いた光導波路デバイスならびに導波路型光合分波器

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JP2003232948A
JP2003232948A JP2002351412A JP2002351412A JP2003232948A JP 2003232948 A JP2003232948 A JP 2003232948A JP 2002351412 A JP2002351412 A JP 2002351412A JP 2002351412 A JP2002351412 A JP 2002351412A JP 2003232948 A JP2003232948 A JP 2003232948A
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optical waveguide
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Hiroshi Kawashima
洋志 川島
Isao Oyama
功 大山
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 等価屈折率のばらつきを抑制できる光導波路
の製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも、基板11上に直接コア膜2
aを形成する工程または、基板11上に形成された下部
クラッド膜1a1上にコア膜2aを形成する工程(S
3、S4)と、コア膜2aをパターニングしてコア2の
回路を形成する工程(S7)とを有する光導波路の製造
方法であって、コア膜2aの形成後に、ステップS5
で、コア膜2aの膜厚とコア膜の屈折率の少なくとも一
方のコア膜特性を測定する。該コア膜特性に基づいて、
ステップS6でコア2の回路の等価屈折率が設定等価屈
折率になるようなコアパターン幅を求め、該コアパター
ン幅になるように、ステップS7でコア膜2aのパター
ニングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等で用いら
れる光導波路の製造方法およびその製造方法を用いた光
導波路デバイスならびに導波路型光合分波器に関するも
のである。
【0002】
【背景技術】光通信用として導波路型光合分波器等の様
々な光導波路デバイスが用いられている。光導波路デバ
イスは光導波回路をシリコン基板や石英基板上に配列し
た光導波回路部品を有しており、光導波回路の構成を適
宜設定することにより、比較的容易に、導波路型光合分
波器を構成することができる。
【0003】導波路型光合分波器は、例えば波長分割多
重伝送用の光合分波器として広く利用されており、重要
な役割を果たしている。波長多重分割伝送は、例えば互
いに異なる波長を有する複数の光を多重して1本の光フ
ァイバにより伝送させるものであり、その伝送量を飛躍
的に向上することができる伝送方式である。
【0004】この波長分割多重伝送に適用される導波路
型光合分波器の例として、図5に示すようなアレイ導波
路回折格子の回路を備えた光導波路デバイスがある。こ
の光導波路デバイスは、基板11上に、図5に示すよう
な回路構成を有する導波路形成領域10を有している。
【0005】アレイ導波路回折格子の回路構成は、1本
以上の光入力導波路12と、該光入力導波路12の出射
側に接続された第1のスラブ導波路13と、該第1のス
ラブ導波路13の出射側に接続されたアレイ導波路14
と、該アレイ導波路14の出射側に接続された第2のス
ラブ導波路15と、該第2のスラブ導波路5の出射側に
接続された複数並設された光出力導波路16とを有して
いる。
【0006】前記アレイ導波路14は、複数の並設され
たチャンネル導波路14aにより形成されており、前記
アレイ導波路14は、第1のスラブ導波路13から導出
された光を伝搬する。チャンネル導波路14aは互いに
異なる長さに形成され、隣り合うチャンネル導波路14
aの長さは互いにΔL異なっている。
【0007】なお、光出力導波路16は、例えばアレイ
導波路回折格子によって分波あるいは合波される互いに
異なる波長の信号光の数に対応させて設けられるもので
あり、チャンネル導波路14aは、通常、例えば100
本といったように多数設けられるが、図5においては、
図の簡略化のために、これらの光出力導波路16、チャ
ンネル導波路14aおよび光入力導波路12の各々の本
数を簡略的に示してある。
【0008】また、導波路型光合分波器として機能する
光導波路デバイスの例として、図6に示すようなマッハ
ツェンダ光干渉計回路を有する光導波路デバイスがあ
る。マッハツェンダ光干渉計回路は、例えば第1の光導
波路21と、該第1の光導波路21と間隔を介して並設
された第2の光導波路22とを有し、これら第1の光導
波路21と第2の光導波路22を近接させた2個の光結
合部23を光導波路長手方向に互いに間隔を介して形成
した回路である。
【0009】上記マッハツェンダ光干渉計回路の第1、
第2の光導波路21,22や、アレイ導波路回折格子の
回路構成を形成する光入力導波路12、第1のスラブ導
波路13、アレイ導波路14、第2のスラブ導波路1
5、光出力導波路16等の導波路(光導波路)は、一般
に、図7に示すような埋め込み型光導波路により形成さ
れている。
【0010】図7に示すように、埋め込み型光導波路
は、伝搬光に対して透明な材料からなるクラッド1の内
部に、クラッド1よりも屈折率が高い材料からなるコア
2を埋め込み形成して成る。このコア2が上記導波路や
光導波路を形成している。
【0011】一般に、埋め込み型光導波路における光の
伝搬特性は、コア2の屈折率ncore t.とクラッド1の屈
折率nclad、コア2の高さ(厚み)t、コア2の幅wか
ら求められる等価屈折率nにより決定される。この等
価屈折率は、上記パラメータを用いて、等価屈折率法等
により求められる(例えば、非特許文献1参照。)。
【0012】上記パラメータを用いて等価屈折率法等に
より求められた等価屈折率nを用いることにより、例
えば図6に示したようなマッハツェンダ光干渉計回路に
おいて、図6に示す波長λ1、λ2に対して、次式
(1)、(2)となるように、2個の光結合部23に挟
まれた第1と第2の光導波路21,22の長さの差ΔL
を設定することにより、分波機能を実現させることがで
きる。なお、式(1)、(2)において、Mは自然数を
示す。
【0013】n・ΔL=M・λ1・・・・・(1)
【0014】 n・ΔL=(M−0.5)・λ2・・・・・(2)
【0015】式(1)、(2)に示す波長λ1の光は、
図6において、第1の光導波路21の入射側から入射さ
れ、第2の光導波路22の出射側へ出射される光であ
る。また、式(1)、(2)に示す波長λ2の光は、図
6において、第1の光導波路21の入射側から入射さ
れ、第1の光導波路21の出射側から出射される光であ
る。
【0016】また、図5に示したようなアレイ導波路回
折格子の回路においても、以下のような関係がある。つ
まり、アレイ導波路回折格子の回路は、チャンネル導波
路14aの長さの差ΔLと、回折次数mと、等価屈折率
より、式(3)により決定される波長λcを中心波
長として出力する。
【0017】λc=n・ΔL/m・・・・・(3)
【0018】したがって、種々の光導波路デバイスを作
製するときには、その光導波路デバイスを実現するため
に必要な等価屈折率を決定し、その等価屈折率を得るた
めに必要なコア2の屈折率、コア2の高さ、コア2の幅
を決め、それらのパラメータを用いて導波路パターンを
設計し、それらのパラメータがそれぞれ設計通りの値に
なるように作製するのが通例である。
【0019】例えば、光導波路の製造方法の例として、
一般的な火炎加水分解堆積法(FHD法)とドライエッ
チング法を用いた以下に示す方法が用いられている(例
えば、非特許文献2参照。)。
【0020】まず、所望の特性を得るためのクラッド1
およびコア2の屈折率と比屈折率差、コア2の高さt、
コア2の幅wを決定する。次に、作製プロセスの中での
幅変化を考慮し、作製後に所望のコア幅になるようなフ
ォトマスク上のパターン幅(マスクパターン幅)を決め
る。次に、決定したマスクパターン幅の導波路パターン
を有するフォトマスクを作製する。
【0021】次に、図8の(a)に示すように、シリコ
ン基板11上に下部クラッド膜1a1を火炎加水分解堆
積法により成膜する。この下部クラッド膜1a1は、石
英系ガラスの膜により成膜される。下部クラッド膜1a
1は焼結透明化され、図8の(b)に示すような状態と
なる。
【0022】その後、図8の(c)に示すように、下部
クラッド膜1a1上にコア膜2aを加水分解堆積法によ
り成膜する。このコア膜2aは、下部クラッド膜1a1
より設計上の割合だけ屈折率が高い石英系ガラスからな
る。コア膜2aも焼結透明化され、図8の(d)に示す
ようになる。コア膜2aの成膜や、その焼結透明化は、
コア膜2aが設計上の膜厚になるように行われる。
【0023】次に、図8の(e)に示すように、コア膜
2a上にエッチングマスク膜3を形成し、さらに、前記
したような方法で作製したフォトマスクを用いて、エッ
チングマスク膜3上に、フォトリソグラフィー法でフォ
トレジスト4からなる導波路パターンを形成する。
【0024】次に、図8の(f)に示すように、ドライ
エッチング法によりエッチングマスク膜3にフォトレジ
スト4の導波路パターンを転写し、その後、再びドライ
エッチング法によりコア膜2aに導波路パターンを転写
する。その後、エッチングマスク膜3を除去する。そう
すると、図8の(g)に示すように、コア2の回路(コ
アパターン)が形成される。
【0025】なお、従来の光導波路の製造方法におい
て、上記フォトリソグラフィーとドライエッチングの工
程は、コア膜2aに転写されるパターン幅が設計上の幅
(設計コア幅)となるように行われている。
【0026】次に、図8の(h)に示すように、コア膜
2aより屈折率が小さい石英系ガラスからなる上部クラ
ッド膜1b1によってコア2を覆い、焼結透明化するこ
とにより、上部クラッド膜1b1と前記下部クラッド膜
1a1から成るクラッド1によってコア2を埋め込み、
埋め込み型の光導波路が完成する。
【0027】
【非特許文献1】T.Tamir, “Integrated Optics", Spr
inger-Verlag,Chap.2,1975.
【非特許文献2】技術情報協会編、波長多重通信(WD
M、DWDM)における光デバイス・材料技術、p16
9、図1
【0028】
【発明が解決しようとする課題】ところで、等価屈折率
を決定するパラメータであるクラッド1およびコア2の
屈折率、コアの膜厚、コア幅は、実際にはそれぞれ製造
ばらつきを持っている。
【0029】しかしながら、従来の光導波路の製造方法
は、形成するコア膜2aの膜厚および屈折率、コア膜2
aに転写されるコアパターン幅を、それぞれ設計上の値
(設計値)を目標にして作製していた。そのため、実際
に作製されたコア2の膜厚・屈折率・コア幅の製造ばら
つきとそれぞれの設計値との誤差が全て等価屈折率のば
らつきの原因となっていた。
【0030】例えば隣り合うチャンネル導波路14aの
長さの差ΔLを68.40μm、回折次数mを64とし
て50GHz間隔のアレイ導波路回折格子を設計する際
に、クラッド1の屈折率を1.4443、コア2の屈折
率を1.4556、比屈折率差Δnを0.78%、コア
膜厚を6.0μm、コア幅を6.5μmとした場合、等
価屈折率法により等価屈折率nを求めると、等価屈折
率nの値は1.4508になる。
【0031】そして、この値を用いて、前記式(3)に
よりアレイ導波路回折格子の中心波長λcを求めると、
中心波長λcの値は、1550.5nmとなる。
【0032】しかし、実際の光導波路作製工程におい
て、設計値に比べて、例えば比屈折率差Δnの値が0.
02%高く、コア膜厚が0.2μm厚く、コア幅が0.
2μm太くずれたことを想定すると、等価屈折率n
1.4512となり、この値を用いて、前記式(3)に
よりアレイ導波路回折格子の中心波長λcを求めると、
λcの値は、1551.0nmとなる。
【0033】つまり、アレイ導波路回折格子の実際の中
心波長は、設計値を用いて求めた設計波長から0.5n
mもずれてしまうことになる。
【0034】波長1550nm帯域における50GHz
間隔は、波長にすると約0.4nmであるから、この波
長のずれは、1チャンネル分以上に相当することとな
り、とても許容することはできない。
【0035】したがって、従来の製造方法を用いた場
合、各パラメータのばらつきを各工程で非常に小さく押
さえる必要があり、工程負荷が大きいと共に、歩留まり
の低下を招いていた。
【0036】本発明は上記課題を解決するために成され
たものであり、その目的は、光導波路を形成するコアの
等価屈折率のばらつきを抑制することができる光導波路
の製造方法を提供し、この光導波路の製造方法を用いる
ことにより、光合分波機能等の機能を正確に果たすこと
ができる光導波路デバイスならびに導波路型光合分波器
を提供することにある。
【0037】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をもって課題を解決するた
めの手段としている。すなわち、第1の発明の光導波路
の製造方法は、少なくとも、基板上に形成された下部ク
ラッド膜上にコア膜を形成する工程または基板上に直接
コア膜を形成する工程と、前記コア膜をパターニングし
てコア回路を形成する工程とを有する光導波路の製造方
法であって、前記コア膜形成後に、該コア膜の膜厚とコ
ア膜の屈折率の少なくとも一方のコア膜特性を測定し、
該コア膜特性に基づいて前記コア回路の等価屈折率が設
定等価屈折率になるようなコアパターン幅を求め、該コ
アパターン幅になるように前記コア膜のパターニングを
行う構成をもって課題を解決する手段としている。
【0038】また、第2の発明の光導波路の製造方法
は、上記第1の発明の構成に加え、前記コア膜のパター
ニングは少なくともリソグラフィー工程を含み、コア膜
によって形成されるコアの幅がコアパターン幅になるよ
うに前記リソグラフィー工程時の条件を設定する構成を
もって課題を解決する手段としている。
【0039】さらに、第3の発明の光導波路の製造方法
は、上記第1又は第2の発明の構成に加え、前記コア膜
のパターニングは少なくともエッチング工程を含み、コ
ア膜によって形成されるコアの幅がコアパターン幅にな
るように前記エッチング工程時の条件を設定する構成を
もって課題を解決する手段としている。
【0040】さらに、第4の発明の光導波路の製造方法
は、上記第2又は第3の発明の構成に加え、コア膜のパ
ターニングを行った後、追加エッチングを行い、コア膜
によって形成されるコア幅がコアパターン幅になるよう
に誤差を調整する構成をもって課題を解決する手段とし
ている。
【0041】さらに、第5の発明の光導波路の製造方法
は、少なくとも、基板上に形成された下部クラッド膜上
にコア膜を形成する工程または基板上に直接コア膜を形
成する工程と、前記コア膜をパターニングしてコア回路
を形成する工程とを有する光導波路の製造方法であっ
て、予め設計上のコア幅を定めて設計コア幅とし、前記
コア膜形成後に、該コア膜の膜厚と屈折率の少なくとも
一方のコア膜特性を測定する工程と、該コア膜特性に基
づいて前記コア回路の等価屈折率が設定等価屈折率にな
るようなコアパターン幅を求める工程と、前記コア膜に
よって形成されるコアの幅が前記設計コア幅になるよう
にコア膜のパターニングを行う工程と、該パターニング
後に追加エッチングを行って、前記コアの幅が前記コア
パターン幅になるように前記設計コア幅と前記コアパタ
ーン幅との誤差を調整する工程とを有する構成をもって
課題を解決する手段としている。
【0042】さらに、第6の発明の光導波路デバイス
は、上記第1乃至第5のいずれか一つの光導波路の製造
方法を適用して製造した構成をもって課題を解決する手
段としている。
【0043】さらに、第7の発明の導波路型光合分波器
は、上記第6の発明の光導波路デバイスを有して形成さ
れている構成をもって課題を解決する手段としている。
【0044】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略又は簡略化する。本実施形態例は、図5に
示したようなアレイ導波路回折格子の回路を有する埋め
込み型の光導波路(図7参照)を製造する方法である。
【0045】図1には、本発明に係る光導波路の製造方
法の第1実施形態例を示すフローチャートが示されてお
り、図2には本実施形態例の製造工程概略図が示されて
いる。
【0046】図1に示すように、本実施形態例は、ま
ず、コア2の回路を形成するために必要なフォトマスク
を作製する工程(図1のステップS0)を有している。
本実施形態例では、この工程において、アレイ導波路回
折格子の回路パターンが描かれたフォトマスクを作製す
る。
【0047】本実施形態例により製造するアレイ導波路
回折格子の回路は、隣り合うチャンネル導波路14aの
長さの差ΔLを68.4μm、回折次数mを64として
50GHz間隔で光合分波を行う機能を有する。クラッ
ド1の屈折率設計値は1.4443、コア2の屈折率設
計値は1.4556、比屈折率差Δnの設計値は0.7
8%、コア膜厚の設計値は6.0μm、コア幅の設計値
は6.5μmである。
【0048】この場合、等価屈折率法によりコア回路の
等価屈折率nを求めると、nの値は1.4508に
なる。そして、この値を用いてアレイ導波路回折格子の
中心波長λcを求めると、λcの値は、1550.5n
mとなる。
【0049】図1のステップS0では、上記設計値を用
いてフォトマスクを作製する。なお、この際、光導波路
製造工程におけるコア幅の変化量を考慮し、フォトマス
ク上の回路パターンの幅はコア幅の設計値より1.7μ
m太く形成した。
【0050】また、本実施形態例は、従来例と同様に、
基板11上に下部クラッド膜1a1を成膜する工程(図
1のステップS1)と、該下部クラッド膜1a1を焼結
透明化する工程(図1のステップS2)と、前記下部ク
ラッド膜1a1上にコア膜2aを成膜する工程(図1の
ステップS3)と、該コア膜2aを焼結透明化する工程
(図1のステップS4)とを有している。
【0051】これら図1のステップS1〜ステップS4
の工程は、図2の(a)〜(d)に示す断面図により示
される。なお、本実施形態例において、ステップS1と
ステップS2を合わせた工程が、基板11上に下部クラ
ッド膜1a1を形成する工程である。また、ステップS
3とステップS4を合わせた工程が、下部クラッド膜1
a1上にコア膜2aを形成する工程である。これらステ
ップS1〜ステップS4の工程は、例えば複数の基板1
1について同時に行われる。
【0052】本実施形態例の製造方法の特徴は、図1の
ステップS5〜ステップS7に示す工程を有することで
ある。つまり、本実施形態例の特徴は、上記ステップS
3、S4の工程によるコア膜2aの形成後に、ステップ
S5で、該コア膜2aの膜厚とコア膜2aの屈折率の少
なくとも一方のコア膜特性を測定し、ステップS6で、
該コア膜特性に基づいて前記コア回路の等価屈折率が設
定等価屈折率になるようなコアパターン幅を求め、ステ
ップS7で、該コアパターン幅になるように前記コア膜
のパターニングを行うことである。
【0053】本実施形態例では、上記コア膜特性はコア
膜2aの膜厚とコア膜2aの屈折率の両方としており、
これらの特性をステップS5で測定する。なお、本実施
形態例のように、コアパターン幅の算出にコア膜2aの
膜厚の実測値を用いる場合は、図1のステップS1〜S
4に至る工程において、ステップS2の後、ステップS
Aを介してステップS2’に進み、ステップS2’で下
部クラッド膜1a1の膜厚を測定しておく。
【0054】そして、ステップS5では、コア膜2aと
下部クラッド膜1a1の合計膜厚を測定し、この合計膜
厚から下部クラッド1a1の膜厚を差し引きすることに
よりコア膜2aの膜厚を算出する。また、コア膜2aの
屈折率の測定は、特に限定されるものではないが、本実
施形態例では、ステップS1〜S4の工程を同時に行っ
た複数の基板11(同一成膜バッチの複数の基板11)
のうち、1つの基板11上に形成されたコア膜2aにつ
いて行っている。
【0055】なお、本発明者は、同一成膜バッチの複数
の基板11上に形成されたコア膜2aは、その屈折率が
測定精度以下の範囲で同一と見なせることを確認してい
る。
【0056】上記コア膜特性の測定の結果、本実施形態
例の実施例1において、コア膜2aの屈折率は1.45
59で設計値より0.0003高く、コア膜2aの膜厚
は6.2μmで設計値より0.2μm厚かった。また、
本実施形態例では、前記比屈折率差Δnも測定してお
り、その結果、実施例1における比屈折率差Δnの測定
値は0.80%となり、設計値より0.02%高いこと
が分かった。
【0057】そこで、ステップS6では、ステップS5
で測定したコア膜特性に基づいて、前記コア回路の等価
屈折率が設定等価屈折率になるようなコアパターン幅
を、図3の特性線aと特性線cにより求めて狙いのパタ
ーン幅とした。
【0058】図3の特性線aは、上記コア膜2aの屈折
率と膜厚の実測値(実測コア屈折率と実測コア膜厚)か
ら計算される等価屈折率とコア幅との関係線である。ま
た、特性線cは、設定等価屈折率を表す線であり、特性
線aと特性線cの交点におけるコア幅の値をコアパター
ン幅(狙いのコアパターン幅)として設定した。ここで
は、コアパターン幅は、5.78μmである。
【0059】なお、図3の特性線bは、上記コア膜2a
の屈折率と膜厚の設計値(設計コア屈折率と設計コア膜
厚)から計算される等価屈折率とコア幅との関係線であ
り、特性線bと特性線cの交点は、設計コア幅(6.5
μm)である。
【0060】次に、本実施形態例では、図1のステップ
S7で、コア回路の幅が、ステップS6で求めたコアパ
ターン幅になるように、つまり、実施例1では5.78
μmになるように前記コア膜2aのパターニングを行
い、コア2の回路を形成した。また、比較のために、比
較例1として、コア回路の幅が、コア幅の設計値である
6.5μmになるように前記コア膜2aのパターニング
を行い、コア2の回路を形成した。
【0061】上記ステップS7におけるコアパターニン
グ工程は、例えばステップS0で形成したフォトマスク
を用い、まず、エッチングマスク膜3上に、フォトリソ
グラフィー法でフォトレジスト4からなる導波路パター
ンを形成する。なお、フォトマスクは、従来例と同様
に、コア2の各設計値を用いて作製することができる。
【0062】また、本実施形態例では、予め露光時の露
光量とパターン幅の関係のデータを取得しておき、コア
膜2a上のエッチングマスク膜3上にフォトレジスト4
からなる導波路パターンを形成するときに、上記露光量
とパターン幅の関係データに基づいて露光時の露光量を
多く調整してフォトリソグラフィーを行い、コアの回路
の幅が上記コアパターン幅(実施例1では5.78μ
m)になるような導波路パターン幅を形成する。なお、
比較例1については従来通りフォトリソグラフィー法に
より、フォトレジスト4からなる導波路パターンを形成
する。
【0063】その後、本実施形態例も比較例も従来例と
同様に、ドライエッチング法によって、図2の(f)に
示すように、フォトレジスト4の導波路パターンをエッ
チングマスク膜3に転写する。次に、同図の(g)に示
すように、コア2の幅が5.78μmになるように、ド
ライエッチング法によるコア膜2aへの導波路パターン
の転写を行い、その後、エッチングマスク膜3を除去す
る。
【0064】ここで、形成されたコア2の回路の幅(コ
アパターン幅)を顕微鏡にて測定したところ、本実施形
態例を適用して形成した実施例1におけるコア2の幅は
5.98μm、比較例1におけるコア2の幅は6.7μ
mであった。
【0065】そして、最後に、従来例と同様に、ステッ
プS8で、図2の(h)に示すように、コア2の回路を
覆う上部クラッド膜1b1の形成と、焼結透明化を行
い、コア2の回路をクラッド1に埋め込むことにより、
光導波路を完成させた。
【0066】本実施形態例の光導波路の製造方法は以上
のように構成されており、本実施形態例の要点は、上記
のように、図1のステップS7におけるコア膜2aのパ
ターニングの際に、従来のように設計コア幅となるよう
にパターニングを行うのではなく、ステップS5で測定
したコア膜特性に基づいてステップS6で求めたコアパ
ターン幅となるように、パターニングをすることであ
る。
【0067】つまり、本実施形態例の光導波路の製造方
法は、コア膜2aの膜厚と屈折率の両方の実測値に対応
したコアパターン幅となるようにコア膜2aのパターニ
ングをすることを特徴としているので、コア膜の形成誤
差に対応させて的確なコア幅のコア回路を形成できる。
【0068】したがって、本実施形態例の光導波路の製
造方法は、この製造方法を適用して製造されるコア回路
の等価屈折率を設定等価屈折率に近づけることができ、
等価屈折率のばらつきを抑制できるので、等価屈折率に
よって決定される種々の光学特性のばらつきを抑制する
ことができる。
【0069】また、本実施形態例において、上記ステッ
プS7のパターニングは、フォトリソグラフィー工程と
エッチング工程を含むものであり、本実施形態例では、
コア膜2aによって形成されるコア2の幅が上記コアパ
ターン幅になるように、前記リソグラフィー工程時の条
件である露光時の露光量を設定し、形成されるコア2の
幅を調整しているので、的確なコア幅のコア回路を正確
に形成できる。
【0070】ここで、本実施形態例の有効性を確認する
ために、本発明者は、本実施形態例の製造方法で製造し
た実施例1の光導波路と、比較例1の製造方法で製造し
た光導波路の両方(アレイ導波路回折格子の回路が形成
されているチップ)をダイシングにより切り出し、光入
力導波路12から広帯域光を入射し、光出力導波路16
からの出力スペクトルから、中心波長を求めた。
【0071】その結果を表1に示す。なお、表1には、
アレイ導波路回折格子の中心波長および中心波長ずれ量
と共に、コア膜屈折率(コア膜2aの屈折率)、比屈折
率差Δn、コア膜厚(コア膜2aの膜厚)、狙いのコア
パターン幅、実際のコアパターン幅(コア2の回路の
幅)をそれぞれ示している。
【0072】
【表1】
【0073】表1に示すように、狙いのコアパターン幅
(図1のステップS6で求められるコアパターン幅)
と、実際に形成されたコア2のパターン幅との差は、実
施例1においても、比較例1においても0.2μmであ
った。つまり、パターン形成工程のばらつきにより、コ
ア2の幅は、それぞれのねらい幅より0.2μm太くな
っていた。
【0074】そして、実施例1の光導波路は、コア2の
膜厚が6.2μmで設計値(6.0μm)より0.2μ
m大きく、コア2の屈折率が1.4559で設計値
(1.4556)より0.0003高く、共に等価屈折
率が高くなる要因となっているが、コア2の幅が5.9
8μmで設計値(6.5μm)より0.52μm小さく
なることにより、等価屈折率が低下する要因となってい
る。その結果、両者の効果が相殺し合って、実際の等価
屈折率が設計等価屈折率に近い値になった。
【0075】それに対し、比較例1においては、コア2
の幅が6.7μmで設計値(6.5μm)より0.2μ
m大きく、かつ、コア2の膜厚も6.2μmで設計値
(6.0μm)より0.2μm大きく、さらに、コア2
の屈折率が1.4559で設計値(1.4556)より
0.0003高く、いずれも等価屈折率が高くなる要因
となっている。そのため、比較例においては、等価屈折
率が設計等価屈折率と大きく異なる値になった。
【0076】以上のことから、実施例1の製造方法を適
用して製造したアレイ導波路回折格子の回路は、表1に
示すように、中心波長のずれ量が0.1nmとなり、比
較例1における値である0.5nmに比べて5分の1の
ずれ量に抑えることができ、本実施形態例の有効性が確
認できた。
【0077】なお、アレイ導波路回折格子の使用時に
は、例えば中心波長の温度依存性を考慮して温度制御を
行うことが一般的である。アレイ導波路回折格子の中心
波長の温度依存性(dλ/dT)は、通常、0.011
nm/℃である。制御温度は10〜20℃程度の幅を持
って任意に設定することができるため、前記中心波長ず
れ量が0.1nmであれば、制御温度を0.1nm÷
0.011nm/℃≒9℃だけ低く設定することにより
合格品として使用できる。
【0078】一方、比較例1を適用して製造したアレイ
導波路回折格子のように、前記中心波長ずれ量が0.5
nmあると、制御温度を0.5nm÷0.011nm/
℃≒45℃補正する必要があり、このまま使用すること
はできない。
【0079】以上のように、本実施形態例の製造方法を
適用することにより、光導波路デバイスの中心波長ずれ
を少なくできるので、歩留まりの大幅な向上を図ること
ができる。
【0080】次に、本発明に係る光導波路の製造方法の
第2実施形態例について説明する。第2実施形態例は上
記第1実施形態例とほぼ同様の製造方法であり、その重
複説明は省略または簡略化する。
【0081】第2実施形態例が上記第1実施形態例と異
なる特徴的なことは、図1のステップS5でコア膜2a
の膜厚のみを測定し、この値をコア膜特性として、コア
2のパターニングをすることである。
【0082】つまり、第2実施形態例では、図1のステ
ップS5で測定したコア膜特性としてのコア膜2aの膜
厚に基づいて、ステップS6でコアパターン幅を求め、
このコアパターン幅となるように、ステップS7におけ
るコア膜2aのパターニングをする。
【0083】なお、第2実施形態例では、まず、8枚の
基板11を用いて図1のステップS1、ステップS2、
ステップS2’の工程を行った後、下部クラッド膜1a
1が形成されている8枚の基板11を2枚ずつの組(第
1〜第4の組)に分けた。次に、ステップS3とステッ
プS4の工程によって、第1の組の2枚の基板11に、
コア膜2aを形成することと、第2の組の2枚の基板1
1にコア膜2aを形成することと、第3の組の2枚の基
板11にコア膜2aを形成することと、第4の組の2枚
の基板11にコア膜2aを形成することをそれぞれ別個
に行い、合計8枚の基板11にそれぞれコア膜2aを成
膜した。
【0084】そして、第1の組の2枚の基板11のう
ち、一方は第2実施形態例の製造方法を用いて、つま
り、図1のステップS5でコア膜2aの膜厚を測定し
て、この値に基づいてステップS6で求めたコアパター
ン幅となるように、ステップS7でパターニングをして
光導波路を形成し、実施例2Aとした。また、第1の組
の2枚の基板11のうち、他方は従来例の製造方法を用
いて、つまり、コアパターン幅が設計値となるようにパ
ターニングをして光導波路を形成し、比較例2Aとし
た。
【0085】なお、従来例の製造方法においては、コア
膜2aの膜厚測定は行っていないが、比較例2Aおよび
以下に示す比較例2B〜2Dにおいては、コア膜2aの
膜厚測定を行っている。ただし、比較例2A〜2Dは、
この膜厚測定値を用いずに、上記のように、コアパター
ン幅が設計値となるようにパターニングをしている。
【0086】同様に、第2、第3、第4のそれぞれの組
の2枚の基板11のうち、一方は第2実施形態例の製造
方法を用いてコア2のパターニングを行って実施例2
B、実施例2C、実施例2Dとし、他方は従来例の製造
方法を用いてコア2のパターニングを行って比較例2
B、比較例2C、比較例2Dとした。
【0087】以下、上記実施例2A〜2Dの製造方法に
おいて、コアパターン幅の求め方を詳細に述べる。第2
実施形態例では、クラッドの屈折率設計値1.444
3、コアの屈折率設計値1.4556とコア膜2aの膜
厚実測値(実測コア膜厚)を用い、等価屈折率法によ
り、実施例2A〜2Dについて、コア幅と等価屈折率と
の関係を求めた。その結果が図4の(a)の特性線a〜
特性線dに示されている。
【0088】図4の(a)において、特性線aは上記実
施例2Aのコア幅と等価屈折率との関係を示しており、
特性線b、c、dは、それぞれ、上記実施例2B、2
C、2Dのコア幅と等価屈折率との関係を示す。また、
特性線eは、上記コア膜2aの屈折率と膜厚の設計値
(設計コア屈折率と設計コア膜厚)から計算される等価
屈折率とコア幅との関係線を示し、特性線fは、設定等
価屈折率を示す。
【0089】ここで、特性線a〜dと特性線fの交点に
おけるコア幅の値を、それぞれの実施例2A〜2Dにお
けるコアパターン幅として設定した。各実施例2A〜2
Dにおけるコアパターン幅は表2の狙いのコアパターン
幅に示すように、6.70μm、6.42μm、6.6
3μm、6.31μmである。
【0090】
【表2】
【0091】なお、表2には、コア膜屈折率(コア膜2
aの屈折率)の設計値、比屈折率差Δnの設計値、コア
膜厚(コア膜2aの膜厚)の実測値、実際のコアパター
ン幅(コア2の回路の幅)をそれぞれ示している。
【0092】第2実施形態例では、上記のようにして求
めたコアパターン幅となるように、上記第1実施形態例
と同様に、図1のステップS7の工程を行い、光導波路
を製造した。その結果、アレイ導波路回折格子の中心波
長および中心波長ずれ量は表2に示すようになり、中心
波長ずれ量が±0.1nm未満となった。
【0093】また、本発明者は、上記比較例2A〜2D
についても、実施例2A〜2Dと同様にコア幅と等価屈
折率との関係を求めた。その結果が図4の(b)の特性
線a〜特性線dに示されている。
【0094】図4の(b)において、特性線aは上記比
較例2Aのコア幅と等価屈折率との関係を示しており、
特性線b、c、dは、それぞれ、上記比較例2B、2
C、2Dのコア幅と等価屈折率との関係を示す。また、
特性線eは、上記コア膜2aの屈折率と膜厚の設計値
(設計コア屈折率と設計コア膜厚)から計算される等価
屈折率とコア幅との関係線を示し、特性線fは、設定等
価屈折率を示す。比較例2A〜2Dにおいては、図4の
(b)の特性線a〜dに関係なく、特性線eと特性線f
の交点である6.5μmをコアパターン幅として光導波
路を製造した。
【0095】表2に示すように、比較例2A〜2Dにお
いても、狙いのコアパターン幅と実際のコアパターン幅
との差は−0.04〜+0.06μmの範囲内であり、
作製ばらつきとしては実施例2A〜2Dと同程度である
にもかかわらず、比較例2A〜2Dは中心波長ずれの絶
対値が最大で0.5nm以上(比較例2Cが−0.51
8nm)であり、実施例2A〜2Dにおける中心波長ず
れ量(±0.1nm未満)の5倍を越え、遙かに大き
い。
【0096】これは、実施例2A〜2Dにおいてはコア
膜2aの膜厚が厚いものはコア幅が狭く、コア膜2aの
膜厚が薄いものはコア幅が太く形成されており、両者の
効果が相殺しあって等価屈折率がほぼ一定に保たれたの
に対して、比較例2A〜2Dにおいてはコア膜2aの膜
厚が異なるものにおいてもコア幅は一定であるので、コ
ア膜2aの膜厚変動の影響で等価屈折率が大きく変動
し、中心波長ずれが発生したためである。
【0097】以上のように、実施例2A〜2Dにおける
中心波長ずれ量は±0.1nm未満であり、比較例2C
における中心波長ずれの5分の1より小さく、第2実施
形態例の有効性が確認された。このように、第2実施形
態例も上記第1実施形態例と同様の効果を奏することが
できる。
【0098】次に、本発明に係る光導波路の製造方法の
第3実施形態例について説明する。第3実施形態例の製
造方法は上記第1実施形態例とほぼ同様の製造方法であ
り、第3実施形態例が上記第1実施形態例と異なる特徴
的なことは、図1のステップS0で、互いにコアのパタ
ーン幅が異なる複数のフォトマスクを作製し、S7によ
るコア2の回路の形成時に、ステップS6で求めたコア
パターン幅になるようなフォトマスクを上記複数のフォ
トマスクから選択してコア2の回路を形成することであ
る。
【0099】なお、上記複数のフォトマスクは、予め設
計値±1.0μmの範囲内における0.1μm刻みにパ
ターン幅を異にしている。
【0100】ここで、上記第1実施形態例と同一成膜バ
ッチで成膜されたコア膜2aを用いてアレイ導波路回折
格子を作製し、実施例3としたところ、この実施例3に
おいて算出された狙いのコアパターン幅は5.78μm
であり、設計値よりも0.72μm細かったので、設計
値より0.7μm細い導波路パターン幅を有するフォト
マスクを用いて実施例3を形成した。
【0101】また、本発明者は、実施例3についても、
アレイ導波路回折格子の回路が形成されているチップを
ダイシングにより切り出し、光入力導波路12から広帯
域光を入射し、光出力導波路16からの出力スペクトル
から、中心波長を求めた。
【0102】その結果を上記第1実施形態例で示した比
較例1と共に表3に示す。表3の記載項目は表1と同様
である。
【0103】
【表3】
【0104】表3に示すように、第3実施形態例の製造
方法を適用して形成したアレイ導波路回折格子の回路
(実施例3)は、中心波長のずれ量が0.1nmとな
り、比較例1の0.5nmに比べて5分の1のずれ量に
抑えることができ、第3実施形態例の有効性が確認でき
た。また、第3実施形態例は、作製プロセス条件を変更
しなくても、使用するフォトマスク上の導波路パターン
幅を適宜選択するだけで光導波路の中心波長ずれを少な
くできるので、簡便に歩留まりの向上を図ることができ
る。
【0105】なお、本発明は上記各実施形態例に限定さ
れることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば
上記第1、第2実施形態例では、リソグラフィーの条件
の一つである露光時間を調整することによって、コア膜
2aによって形成されるコア2の幅が図1のステップS
6で求められるコアパターン幅(狙いのコアパターン
幅)になるようにしたが、露光時間以外の、例えば現像
時間といったリソグラフィー工程時の条件を設定して、
コア2の幅が狙いのコアパターン幅になるようにしても
よい。
【0106】また、上記各実施形態例のように、コア膜
2aのパターニングが少なくともエッチング工程を含む
場合に、コア膜2aによって形成されるコア2の幅が狙
いのコアパターン幅になるように、前記エッチング工程
時のエッチング時間等の条件を設定してもよい。また、
コア膜2aによって形成されるコア2の幅が狙いのコア
パターン幅になるように、エッチング工程時の条件とリ
ソグラフィー工程時の条件の両方を設定してもよい。
【0107】さらに、本発明の光導波路の製造方法は、
上記エッチング工程後に、追加エッチングを行ってもよ
い。この場合、上記リソグラフィー工程時の条件とエッ
チング工程時の条件の少なくとも一方を、コア膜2aに
よって形成されるコア2の幅が狙いのコアパターン幅に
なるように設定してコア膜2aのパターニングを行った
後、追加エッチングを行い、さらに、コア2の幅が狙い
のコアパターン幅になるように、パターニング工程時の
誤差を調整することができる。
【0108】さらに、上記第1、第3実施形態例では、
コア膜2aの屈折率と膜厚の両方を測定し、上記第2実
施形態例では、コア膜2aの膜厚を測定したが、例えば
図1のステップS5でコア膜2aの屈折率を測定してこ
の値をコア膜特性とし、このコア膜特性に基づいてコア
パターン幅を求めてもよい。このように、コアパターン
幅の算出にコア膜2aの膜厚の実測値を用いない場合
は、図1において、ステップS2の後、ステップSAを
介してステップS3に進む。
【0109】また、光導波路の製造方法は、例えば、予
め設計上のコア幅を定めて設計コア幅とし、コア膜2a
の形成後に、該コア膜2aの膜厚と屈折率の少なくとも
一方のコア膜特性を測定する工程と、該コア膜特性に基
づいてコア回路の等価屈折率が設定等価屈折率になるよ
うなコアパターン幅を求める工程と、前記設計コア幅に
なるようにコア膜2aのパターニングを行う工程と、該
パターニング後に、追加エッチングを行って前記設計コ
ア幅と前記コアパターン幅との誤差を調整してコアの幅
が前記コアパターン幅になるようにする工程とを有する
ものとしてもよい。
【0110】つまり、コア膜2aの形成後にコア膜特性
を測定し、コア膜特性に基づいてコア回路の等価屈折率
が設定等価屈折率になるようなコアパターン幅を求めて
おけば、コア膜2aのパターニングは従来例と同様に行
い、追加エッチングによりコア2の幅の調整を行うこと
もできる。
【0111】さらに、上記第1、第3の実施形態例で
は、コア膜2aの屈折率と膜厚の測定を行う際に、同一
成膜バッチの中の1つのコア膜2aについて測定を行っ
たが、コア膜2aの屈折率や膜厚の測定は、それぞれの
コア膜2aについて行ってもよい。ただし、同一成膜バ
ッチの中の1つのコア膜2aについて測定を行う方が効
率的である。
【0112】また、同一成膜バッチ以外であっても、コ
ア膜2aの誤差範囲が許容できる範囲内のものであれ
ば、それらのコア膜2aの屈折率や膜厚の代表値を測定
し、この測定結果に基づいてコアパターン幅を求めても
よい。
【0113】さらに、上記各実施形態例では、フォトリ
ソグラフィーとドライエッチングを用いてコア2のパタ
ーニングを行ったが、電子ビームやX線等の光源やフォ
トマスクを用いない直接描画等の種々のリソグラフィー
手法を用いてもよい。また、ウェットエッチングを用い
てもよいし、さらには電子ビーム、イオンビーム、原子
ビーム等を用いたコア膜2aの直接加工手法でパターニ
ングを行ってもよい。
【0114】これらの方法を適用した場合も、リソグラ
フィー工程時の条件とエッチング工程時の条件の少なく
とも一方の条件設定を適宜行うことにより、上記第1、
第2実施形態例と同様の効果を奏することができる。ま
た、この場合も、上記のように追加エッチングを行って
もよく、追加エッチングによりコア2の回路の幅を調整
することもできる。
【0115】さらに、上記各実施形態例では、コア膜2
aやクラッド膜1a1、1b1を火炎加水分解堆積法に
より形成したが、真空蒸着法、プラズマCVD(化学蒸
着)法、ゾルゲル法、スパッタ法等の様々な方法を適用
してコア膜2aやクラッド膜1a1、1b1を形成する
ことができる。
【0116】さらに、上記各実施形態例では、シリコン
基板11上に下部クラッド膜1a1を形成し、その下部
クラッド膜1a1上にコア膜2aを形成したが、石英基
板を用いる等して、基板11上に直接コア膜2aを形成
してもよい。この場合、基板11自体が下部クラッドと
して機能することになる。
【0117】さらに、上記各実施形態例では、光導波路
の形成材料を石英系ガラスとしたが、多成分ガラスや強
誘電体材料、半導体材料、高分子材料等の様々な材料を
用いて光導波路を形成することができる。
【0118】さらに、上記各実施形態例では、埋め込み
型光導波路を形成したが、本発明は、少なくとも基板又
は下部クラッド上に形成されたコアを有する光導波路の
製造方法に適用できるものであり、リッジ型の光導波路
にも適用できる。
【0119】さらに、上記各実施形態例では、アレイ導
波路回折格子の回路を有する光導波路の製造を行った
が、マッハツェンダ光干渉計回路や方向性結合器、Y分
岐回路、リング共振器等、種々の回路を用いたもの、導
波路型光合分波器、波長無依存カプラ、光波長合分波
器、分散等価器、光スイッチ、可変光減衰器等の様々な
光導波路デバイスの製造に適用できる。
【0120】
【発明の効果】本発明の光導波路の製造方法によれば、
形成したコア膜の膜厚と屈折率の少なくとも一方のコア
膜特性を測定し、この特性に基づいてコア回路の等価屈
折率が設定等価屈折率になるようなコアパターン幅を求
め、該コアパターン幅になるように前記コア膜のパター
ニングを行うので、コア膜の形成誤差に対応させて的確
なコア幅のコア回路を形成できる。
【0121】したがって、本発明の光導波路の製造方法
は、この製造方法を適用して製造されるコア回路の等価
屈折率を設定等価屈折率に近づけることができ、等価屈
折率のばらつきを抑制できるので、等価屈折率によって
決定される種々の光学特性のばらつきを抑制することが
できる。
【0122】また、本発明の光導波路の製造方法におい
て、リソグラフィー工程時の条件、エッチング工程時の
条件の少なくとも一つの条件を設定したり、コア膜のパ
ターニング後に、追加エッチングを行って前記設計コア
幅と前記コアパターン幅との誤差を調整したりすること
によって、容易に、かつ、確実に、的確なコア幅のコア
回路を形成でき、上記効果を発揮することができる。
【0123】さらに、本発明の光導波路デバイスや、導
波路型光合分波器は、上記本発明の光導波路の製造方法
を適用して製造することにより、等価屈折率のばらつき
が抑制され、等価屈折率に決定される種々の光学特性の
ばらつきが抑制された優れた光導波路デバイスや導波路
型光合分波器が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光導波路の製造方法の実施形態例
を示すフローチャートである。
【図2】上記実施形態例の光導波路の製造方法を断面図
により示す説明図である。
【図3】本発明に係る光導波路の製造方法の第1実施形
態例で求めた等価屈折率とコア幅の関係例を示すグラフ
である。
【図4】本発明に係る光導波路の製造方法の第2実施形
態例で求めた等価屈折率とコア幅の関係例を示すグラフ
である。
【図5】アレイ導波路回折格子の回路を有する光導波路
デバイスの例を示す説明図である。
【図6】マッハツェンダ光干渉計回路の例を示す説明図
である。
【図7】埋め込み型光導波路の説明図である。
【図8】従来の光導波路の製造方法を断面図により示す
説明図である。
【符号の説明】
1 クラッド 1a1 下部クラッド膜 1b1 上部クラッド膜 2 コア 2a コア膜 10 導波路形成領域 11 基板 12 光入力導波路 13 第1のスラブ導波路 14 アレイ導波路 15 第2のスラブ導波路 16 光出力導波路 21 第1の光導波路 22 第2の光導波路

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも、基板上に形成された下部ク
    ラッド膜上にコア膜を形成する工程または基板上に直接
    コア膜を形成する工程と、前記コア膜をパターニングし
    てコア回路を形成する工程とを有する光導波路の製造方
    法であって、前記コア膜形成後に、該コア膜の膜厚とコ
    ア膜の屈折率の少なくとも一方のコア膜特性を測定し、
    該コア膜特性に基づいて前記コア回路の等価屈折率が設
    定等価屈折率になるようなコアパターン幅を求め、該コ
    アパターン幅になるように前記コア膜のパターニングを
    行うことを特徴とする光導波路の製造方法。
  2. 【請求項2】 コア膜のパターニングは少なくともリソ
    グラフィー工程を含み、コア膜によって形成されるコア
    の幅がコアパターン幅になるように前記リソグラフィー
    工程時の条件を設定することを特徴とする請求項1記載
    の光導波路の製造方法。
  3. 【請求項3】 コア膜のパターニングは少なくともエッ
    チング工程を含み、コア膜によって形成されるコアの幅
    がコアパターン幅になるように前記エッチング工程時の
    条件を設定することを特徴とする請求項1又は請求項2
    記載の光導波路の製造方法。
  4. 【請求項4】 コア膜のパターニングを行った後、追加
    エッチングを行い、コア膜によって形成されるコア幅が
    コアパターン幅になるように誤差を調整することを特徴
    とする請求項2又は請求項3記載の光導波路の製造方
    法。
  5. 【請求項5】 基板上に形成された下部クラッド膜上に
    コア膜を形成する工程または基板上に直接コア膜を形成
    する工程と、前記コア膜をパターニングしてコア回路を
    形成する工程とを有する光導波路の製造方法であって、
    予め設計上のコア幅を定めて設計コア幅とし、前記コア
    膜形成後に、該コア膜の膜厚と屈折率の少なくとも一方
    のコア膜特性を測定する工程と、該コア膜特性に基づい
    て前記コア回路の等価屈折率が設定等価屈折率になるよ
    うなコアパターン幅を求める工程と、前記コア膜によっ
    て形成されるコアの幅が前記設計コア幅になるようにコ
    ア膜のパターニングを行う工程と、該パターニング後に
    追加エッチングを行って、前記コアの幅が前記コアパタ
    ーン幅になるように前記設計コア幅と前記コアパターン
    幅との誤差を調整する工程とを有することを特徴とする
    光導波路の製造方法。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれか一つに
    記載の光導波路の製造方法を適用して製造したことを特
    徴とする光導波路デバイス。
  7. 【請求項7】 請求項6記載の光導波路デバイスを有し
    て形成されていることを特徴とする導波路型光合分波
    器。
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