JP7302516B2 - 光変調器 - Google Patents
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Description
2 マッハツェンダー光導波路
2a 第1導波路部
2b 第2導波路部
2c 分波部
2d 合波部
2e1 第1直線部
2e2 第2直線部
2e3 第3直線部
2f1 第1湾曲部
2f2 第2湾曲部
2i 入力導波路部
2o 出力導波路部
3a RF相互作用部
3b DC相互作用部
4a 第1信号電極
4a1 第1信号電極の一端
4a2 第1信号電極の他端
4b 第2信号電極
4b1 第2信号電極の一端
4b2 第2信号電極の他端
5a 第1バイアス電極
5b1 第1バイアス電極の一端
5b 第2バイアス電極
5b1 第2バイアス電極の一端
9a ドライバ回路
9b 終端抵抗
9c バイアス回路
10 基板
11 導波層
11r リッジ部
11s スラブ部
13 バッファ層
14 電極層
30 ウェーハ
30A ウェーハ中央部
30B ウェーハ外周部
31,31A~31D デバイス形成領域
Claims (4)
- 入力導波路部と、前記入力導波路部を伝搬する光を分波する分波部と、前記分波部から延びて互いに平行に設けられた第1及び第2導波路部と、前記第1及び第2導波路部を伝搬する光を合波する合波部と、前記合波部から出力される光を伝搬する出力導波路部とを有するマッハツェンダー光導波路と、
前記マッハツェンダー光導波路を伝搬する光の位相を制御する信号電極とを備え、
前記第2導波路部の線幅は前記第1導波路部の線幅よりも広く、
前記第2導波路部の高さは前記第1導波路部の高さよりも低いことを特徴とする光変調器。 - 前記第1及び第2導波路部は、互いに平行に設けられた第1及び第2直線部と、前記第1直線部と前記第2直線部とを繋ぐ第1湾曲部とを有し、
前記第2直線部の前記第2導波路部は、前記第1直線部の前記第2導波路部と前記第2直線部の前記第1導波路部との間に位置し、
前記第1直線部の前記第1導波路部は、前記第1湾曲部の前記第1導波路部を介して前記第2直線部の前記第1導波路部に接続され、
前記第1直線部の前記第2導波路部は、前記第1湾曲部の前記第2導波路部を介して前記第2直線部の前記第2導波路部に接続され、
前記第1直線部において、前記第2導波路部の線幅は前記第1導波路部の線幅よりも広く、且つ、前記第2導波路部の高さは前記第1導波路部の高さよりも低く、
前記第2直線部において、前記第1導波路部の線幅は前記第2導波路部の線幅よりも広く、且つ、前記第1導波路部の高さは前記第2導波路部の高さよりも低い、請求項1に記載の光変調器。 - 前記第1及び第2導波路部は、前記第1及び第2直線部と平行に設けられ、前記第2直線部から見て前記第1直線部と反対側に位置する第3直線部と、前記第2直線部と前記第3直線部とを繋ぐ第2湾曲部とをさらに有し、
前記第3直線部の前記第1導波路部は、前記第2直線部の前記第1導波路部と前記第3直線部の前記第2導波路部との間に位置し、
前記第2直線部の前記第1導波路部は、前記第2湾曲部の前記第1導波路部を介して前記第3直線部の前記第1導波路部に接続され、
前記第2直線部の前記第2導波路部は、前記第2湾曲部の前記第2導波路部を介して前記第3直線部の前記第2導波路部に接続され、
前記第3直線部において、前記第2導波路部の線幅は前記第1導波路部の線幅よりも広く、且つ、前記第2導波路部の高さは前記第1導波路部の高さよりも低い、請求項2に記載の光変調器。 - 前記マッハツェンダー光導波路は、基板上のニオブ酸リチウム膜がリッジ状に形成されたリッジ導波路である、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の光変調器。
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JP2020057545A JP7302516B2 (ja) | 2020-03-27 | 2020-03-27 | 光変調器 |
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JP2021157065A JP2021157065A (ja) | 2021-10-07 |
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